C 5953-5：2008
（1）
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目 次
ページ
序文 ··································································································································· 1
1 適用範囲 ························································································································· 1
2 引用規格 ························································································································· 1
3 用語及び定義並びに略号 ···································································································· 3
3.1 用語及び定義 ················································································································ 3
3.2 略号 ···························································································································· 3
4 分類······························································································································· 5
5 製品の定義 ······················································································································ 5
5.1 光トランシーバの種類 ···································································································· 5
5.2 適用形態の種類 ············································································································· 6
5.3 ブロック図 ··················································································································· 6
5.4 絶対最大定格 ················································································································ 6
5.5 機能仕様 ······················································································································ 7
6 試験······························································································································ 13
6.1 特性試験 ····················································································································· 13
6.2 性能試験 ····················································································································· 14
7 環境仕様 ························································································································ 15
7.1 安全性全般 ·················································································································· 15
7.2 レーザ安全性 ··············································································································· 15
7.3 電磁放射 ····················································································································· 15
附属書A（規定）受信器反射耐性の測定 ·················································································· 16
附属書B（規定）アラーム及びシャットダウン信号の論理レベル ·················································· 18
附属書JA（参考）JISと対応する国際規格との対比表 ································································ 19
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まえがき
この規格は，工業標準化法第12条第1項の規定に基づき，財団法人光産業技術振興協会 (OITDA) 及び
財団法人日本規格協会 (JSA) から，工業標準原案を具して日本工業規格を制定すべきとの申出があり，日
本工業標準調査会の審議を経て，経済産業大臣が制定した日本工業規格である。
この規格は，著作権法で保護対象となっている著作物である。
この規格の一部が，特許権，出願公開後の特許出願，実用新案権又は出願公開後の実用新案登録出願に
抵触する可能性があることに注意を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は，このような特許
権，出願公開後の特許出願，実用新案権又は出願公開後の実用新案登録出願に係る確認について，責任は
もたない。
JIS C 5953の規格群には，次に示す部編成がある。
JIS C 5953-1 第1部：総則
JIS C 5953-3 第3部：2.5 Gbit/s変調器集積形半導体レーザモジュール
JIS C 5953-4 第4部：1 300 nmギガビットイーサネット用光トランシーバ
JIS C 5953-5 第5部：半導体レーザ駆動回路及びクロックデータ再生回路内蔵ATM-PON用光トラン
シーバ
JIS C 5953-6 第6部：650 nm，250 Mbit/sプラスチック光ファイバ伝送用光トランシーバ（制定予定）
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日本工業規格 JIS
C 5953-5：2008
光伝送用能動部品−性能標準−
第5部：半導体レーザ駆動回路及びクロックデータ
再生回路内蔵ATM-PON用光トランシーバ
Fiber optic active components and devices-Performance standards-
Part 5 : ATM-PON transceivers with LD driver and CDR ICs
序文
この規格は，2003年に第1版として発行されたIEC 62149-5を基に作成した日本工業規格であるが，技
術的内容を変更して作成した日本工業規格である。
光トランシーバは，電気信号を光信号に，又はその逆に変換するために使用する。 この規格は，ATM-PON
システムにおいて，異なる製造業者間の光トランシーバの互換性を確保することを目的として制定するも
のであるが，異なる製造業者間の光トランシーバ同士の動作を保証するものではない。
この規格を使用する製造業者は，使用者などの承認を得た計画に基づいて，必要とされる性能及び／又
は信頼性並びに品質保証要求を満足する責任がある。
なお，この規格で点線の下線を施してある箇所は，対応国際規格を変更している事項である。変更の一
覧表にその説明を付けて，附属書JAに示す。
1
適用範囲
この規格は，ITU-T G.983.1に基づくATM-PONシステムに用いる光トランシーバ（以下，光トランシー
バという。）の性能標準について規定する。
注記1 この規格は，光トランシーバの特性などについて規定するものであるが，この規格単独では，
適合性評価を行うことは，意図していない。
注記2 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を，次に示す。
IEC 62149-5 : 2003，Fibre optic active components and devices−Performance standards−Part 5 :
ATM-PON transceivers with LD driver and CDR ICs (MOD)
なお，対応の程度を表す記号 (MOD) は，ISO/IEC Guide 21に基づき，修正していること
を示す。
2
引用規格
次に掲げる規格は，この規格に引用されることによって，この規格の規定の一部を構成する。これらの
引用規格のうちで，西暦年を付記してあるものは，記載の年の版を適用し，その後の改正版（追補を含む。）
には適用しない。西暦年の付記がない引用規格は，その最新版（追補を含む。）を適用する。
JIS C 5901 光伝送用受動部品試験方法
2
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注記 対応国際規格：IEC 61300-2-4 Fibre optic interconnecting devices and passive components−
Basic test and measurement procedures−Part 2-4 : Tests−Fibre/cable retention，IEC 61300-2-17
Fibre optic interconnecting devices and passive components−Basic test and measurement procedures
−Part 2-17 : Tests−Cold，IEC 61300-2-18 Fibre optic interconnecting devices and passive
components−Basic test and measurement procedures−Part 2-18 : Tests−Dry heat−High
temperature endurance，IEC 61300-2-19 Fibre optic interconnecting devices and passive
components−Basic test and measurement procedures−Part 2-19 : Tests−Damp heat (steady state)，
IEC 61300-2-22 Fibre optic interconnecting devices and passive components−Basic test and
measurement procedures−Part 2-22 : Tests−Change of temperature，及びIEC 61300-3-6 Fibre
optic interconnecting devices and passive components−Basic test and measurement procedures−
Part 3-6 : Examinations and measurements−Return loss（全体評価：MOD）
JIS C 5952-1 光伝送用能動部品−パッケージ及びインタフェース標準−第1部：総則
注記 対応国際規格：IEC 62148-1 : 2002 Fibre optic active components and devices−Package and
interface standards−Part 1 : General and guidance (IDT)
JIS C 5952-6 光伝送用能動部品−パッケージ及びインタフェース標準−第6部：ATM-PON用光トラ
ンシーバ
JIS C 5954-2 光伝送用能動部品−試験及び測定方法−第2部：ATM-PON用光トランシーバ
注記 対応国際規格：IEC 62150-2 : 2004 Fibre optic active components and devices−Test and
measurement procedures−Part 2 : ATM-PON transceivers (MOD)
JIS C 5961 光ファイバコネクタ試験方法
注記 対応国際規格：IEC 61300-2-4 Fibre optic interconnecting devices and passive components−
Basic test and measurement procedures−Part 2-4 : Tests−Fibre/cable retention，IEC 61300-2-17
Fibre optic interconnecting devices and passive components−Basic test and measurement procedures
−Part 2-17 : Tests−Cold，IEC 61300-2-18 Fibre optic interconnecting devices and passive
components−Basic test and measurement procedures−Part 2-18 : Tests−Dry heat−High
temperature endurance，IEC 61300-2-19 Fibre optic interconnecting devices and passive
components−Basic test and measurement procedures−Part 2-19 : Tests−Damp heat (steady state)，
IEC 61300-2-22 Fibre optic interconnecting devices and passive components−Basic test and
measurement procedures−Part 2-22 : Tests−Change of temperature，及びIEC 61300-3-6 Fibre
optic interconnecting devices and passive components−Basic test and measurement procedures−
Part 3-6 : Examinations and measurements−Return loss（全体評価：MOD）
JIS C 6802 レーザ製品の安全基準
注記 対応国際規格：IEC 60825-1 : 2001 Safety of laser products−Part 1 : Equipment classification,
requirements and user's guide (IDT)
JIS C 60068-2-6 環境試験方法−電気・電子−正弦波振動試験方法
注記 対応国際規格：IEC 60068-2-6 : 1995 Environmental testing−Part 2 : Tests−Test Fc : Vibration
(sinusoidal) (IDT)
JIS C 60068-2-27 環境試験方法−電気・電子−衝撃試験方法
注記 対応国際規格：IEC 60068-2-27 : 1987 Environmental testing−Part 2 : Tests−Test Ea and
guidance : Shock (IDT)
3
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IEC 60950-1 Information technology equipment−Safety−Part 1 : General requirements
IEC 61000-6-3 Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 6-3 : Generic standards−Emission standard for
residential, commercial and light-industrial environments
IEC 61280-1-1 Fibre optic communication subsystem basic test procedures−Part 1-1 : Test procedures for
general communication subsystems−Transmitter output optical power measurement for single-mode
optical fibre cable
IEC 61280-1-3 Fibre optic communication subsystem basic test procedures−Part 1-3 : Test procedures for
general communication subsystems−Central wavelength and spectral width measurement
IEC 61280-2-2 Fibre optic communication subsystem test procedures−Part 2-2 : Digital systems−Optical
eye pattern, waveform, and extinction ratio measurement
IEC 61300-2-4 Fibre optic interconnecting devices and passive components−Basic test and measurement
procedures−Part 2-4 : Tests−Fibre/cable retention
IEC 61300-2-19 Fibre optic interconnecting devices and passive components−Basic test and measurement
procedures−Part 2-19 : Tests−Damp heat (steady state)
IEC 61300-3-6 : 2003 Fibre optic interconnecting devices and passive components−Basic test and
measurement procedures−Part 3-6 : Examinations and measurements−Return loss
IEC 61753-1-1 Fibre optic interconnecting devices and passive components performance standard−Part 1-1 :
General and guidance−Interconnecting devices (connectors)
ITU-T G.983.1 Broadband optical access systems based on Passive Optical Networks (PON)
3
用語及び定義並びに略号
3.1
用語及び定義
この規格で用いる主な用語及び定義は，次による。
3.1.1
光アクセスネットワーク OAN (optical access network)
同一のネットワーク側インタフェースを共有する一組のアクセスリンク。光アクセス伝送システムによ
って構成する。OANには一般的に，同一のOLTに接続した複数のODNを含む。
3.1.2
光分配ネットワーク ODN (optical distribution network)
OLTと使用者とを結ぶ光通信手段を提供する装置又は部品。光受動部品によって構成する。
3.1.3
光ライン接続 OLT (optical line termination)
OANにおいて，ネットワーク側のインタフェースを提供する装置。一つ以上のODNに接続する。
3.1.4
光ネットワークユニット ONU (optical network unit)
OANにおいて，使用者側のインタフェースを直接的に又は遠隔操作により提供する装置。ODNに接続
する。
3.2
略号
4
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3.2.1
ATM-PON (asynchronous transfer mode passive optical network)
非同期転送モードパッシブ光ネットワーク
3.2.2
ATT (attenuator)
減衰器
3.2.3
BER (bit error ratio)
ビット誤り率
3.2.4
CDR (clock and data recovery)
クロックデータ再生
3.2.5
DUT (device under test)
被測定デバイス
3.2.6
ERD (error radio detector)
誤り率測定器
3.2.7
EX (extinction ratio)
消光比
3.2.8
FTT Cab/C/B/H (fibre to the cabinet/curb/building/home)
ファイバ・トゥ・ザ・キャビネット／カーブ／ビルディング／ホーム
3.2.9
IC (integrated circuit)
集積回路
3.2.10
LD (laser diode)
半導体レーザ
3.2.11
MLM (multi-longitudinal mode)
多縦モード
3.2.12
PPG (pulse pattern generator)
パルスパターン発生器
3.2.13
RMS (root mean square)
自乗平均平方根
3.2.14
5
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SLM (single-longitudinal modes)
単一縦モード
3.2.15
WDM (wavelength division multiplexing)
波長多重
3.2.16
PECL (pseudo/positive emitter coupled logic)
正基準エミッタ結合形論理回路
3.2.17
TLVTTL (terminated low voltage transistor transistor logic)
ティ・エル・ヴィ・ティ・ティ・エル
3.2.18
PRBS (pseudo random bit sequence)
擬似ランダムビットパターン
4
分類
電気インタフェースと光インタフェースとの種類の組合せによって，光トランシーバを次に示す五つの
タイプに分類する（JIS C 5952-1参照）。
a) タイプ1：コネクタタイプの光インタフェース及びはんだ付けタイプの電気端子をもつもの。
b) タイプ2：コネクタタイプの光インタフェース及びプラグインタイプの電気端子をもつもの。
c) タイプ3：ピグテイルタイプの光インタフェース及びはんだ付けタイプの電気端子をもつもの。
d) タイプ4：ピグテイルタイプの光インタフェース及びプラグインタイプの電気端子をもつもの。
e) タイプ5：タイプ1〜タイプ4に分類できないもの（例えば，信号ピンには同軸コネクタを用い，電源
ピンにはリード端子を用いるように，コネクタタイプ及び非コネクタタイプの電気端子が混在してい
るもの。）。
5
製品の定義
5.1
光トランシーバの種類
製造業者は，次に示す光トランシーバの構成要素を明示しなければならない。明示内容は，技術の詳細
を含んでいなければならない。例えば，CMOS，バイポーラなど，ICに使用する技術を記載する。
a) 送信器
− 半導体レーザ（単一モード，多モードなどの情報を含まなければならない。）
− モニタ・フォトダイオード
− 駆動用IC
− 温度センサ（必要に応じて）
b) 受信器
− フォトダイオード
− 前置増幅器IC
− データクロック再生IC
c) WDMデバイス このデバイスに用いられている技術
6
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d) パッケージ JIS C 5952-6を参照
5.2
適用形態の種類
ITU-T G.983.1に従って，伝送速度，クラス（クラスB又はクラスC），適用ユニット（ONU又はOLT）
及び光ファイバ本数（1心又は2心）について記載する必要がある。
5.3
ブロック図
光トランシーバのブロック図又は等価回路を記載する（図1に記載例を示す。）。
次の端子は，識別できることが望ましい。
a) 電源端子：電源ラインに接続する端子
b) 入出力端子：信号が通過する端子
注記 “信号”は，パルス波形だけではなく，より複雑な波形及びストローブ信号並びに制御パル
スを含む。
図1−機能ブロック図の例
5.4
絶対最大定格
表1に示す絶対最大定格は，各々の項目が独立事象であり，表に記載した項目以外の特性パラメータが
すべて通常の動作条件範囲内である限りにおいては，表中に記載した複数の項目がその値になったとして
も，それが短時間であれば製品に破壊的な損傷を与えることがない限界値である。絶対最大定格の各々の
値は，どのような場合においても，どの一つのパラメータでもそれを超えてはならない。
7
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表1−絶対最大定格
項目
条件
記号
最小値
最大値
単位
保存温度a)
Tstg
−40
85
℃
保存湿度a)
Hstg
5
95
%
ファイバ・ピグテイル曲げ半径（タイプ3, 4, 5の場
合）（ケースから規定距離において）
r
30
−
mm
衝撃b)
パルスサイクル：
18 ms
3回／軸
−
−
300
m/s2
振動c)
10〜55 Hz，3軸方
向，
1.5 mm，2時間
−
−
100
m/s2
ファイバ・ピ
グテイル引張
力
光ファイバ心線d)
F
−
5
N
光ファイバコードd)
−
100
電気的定格
電源電圧
VSUPmax
−0.5
4
V
入力電圧
VINmax
−0.5
Vsup
V
出力電圧
VOUTmax
0
Vsup＋0.5
V
出力電流
PECLインタフェース
IOUTmax
0
50
mA
TLVTTLインタフェー
ス
−20
20
光学的定格
最大許容入力
Pin
−
−5
dBm
注a) 屋外仕様ONUの周囲温度及び湿度は，ITU-T G.983.1で審議中。変更の可能性がある。
b) JIS C 60068-2-27参照
c) JIS C 60068-2-6参照
d) 要求事項は，IEC 61753-1-1参照
5.5
機能仕様
動作環境は，表2による。表3に示す項目の電気的特性及び光学的特性は，表2に示す環境で満足しな
ければならない。ITU-T G.983.1で規定する光学的特性についても満足しなければならない。
この規格におけるそれぞれの電気的特性及び光学的特性は，それぞれの参照規格において規定した条件
で測定しなければならない。
この規格におけるそれぞれの電気的特性及び光学的特性は，推奨動作条件の最悪ケースとなる条件で記
載しなければならない。また，それぞれの参照規格において規定した測定方法を用いて測定しなければな
らない。
表2−動作環境
項目
記号
要求値
単位
最小値
代表値
最大値
電源電圧
Vsup
3.135
3.3
3.465
V
動作ケース温度a)
Tcase
−5
−
75
℃
周囲湿度a)
RH
5
−
95
%
注a) 屋外仕様ONUの周囲温度及び湿度は，ITU-T G.983.1で審議中。変更の可能性がある。
8
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表3−電気的特性及び光学的特性
項目番号
項目
記号
要求値
単位
参照規格
最小
代表
最大
1
動作速度
B
−
155.52
−
Mb/s
2
平均ファイバ結合パワーa)
− Class B
− Class C
Pmean
−4
−2
−
＋2
＋4
dBm
dBm
IEC 61280-1-1
3
送信機中心波長
λ
1 260
−
1 360
nm
IEC 61280-1-3
4
送信機アイダイアグラム・マスクb)
−
−
5
消光比
Ex
10
−
−
dB
IEC 61280-2-2
6
スペクトル幅（RMS，MLMレーザの場合）
∆λ
−
5.8
nm
IEC 61280-1-3
7
スペクトル幅（−20 dB，SLMレーザの場合）
∆λ
−
−
1.0
nm
IEC 61280-1-3
8
サイドモード抑圧比（SLMレーザの場合）
SMSR
30
−
−
dB
IEC 61280-1-3
9
送信端光反射減衰量（送信波長において）
RTX
−6
−
−
dB
IEC 61300-3-6, 4.1
10
最大受信入力
− Class B
− Class C
So
−8
−11
−
−
dBm
dBm
JIS C 5954-2
11
受信感度
− Class B
− Class C
S
−
−
−30
−33
dBm
dBm
JIS C 5954-2
12
受信端光反射減衰量（受信波長において）
RRX
−20
−
−
dB
IEC 61300-3-6, 4.1
13
受信器反射耐性c)
−
−
−
10
dB
ITU-T G.957
Appendix III
14
クロック入力電圧（高レベル）
表4及び表5参照
15
クロック入力電圧（低レベル）
表4及び表5参照
16
クロック入力電圧（振幅中心）
表4及び表5参照
17
データ入力電圧（高レベル）
表4及び表5参照
18
データ入力電圧（低レベル）
表4及び表5参照
19
データ入力電圧（振幅中心）
表4及び表5参照
20
クロック出力電圧（高レベル）
表4及び表5参照
21
クロック出力電圧（低レベル）
表4及び表5参照
22
データ出力電圧（高レベル）
表4及び表5参照
23
データ出力電圧（低レベル）
表4及び表5参照
4
C
5
9
5
3
-5
：
2
0
0
8
4
C
5
9
5
3
-5
：
2
0
0
8
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き、本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
9
C 5953-5：2008
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表3−電気的特性及び光学的特性（続き）
項目番号
項目
記号
要求値
単位
参照規格
最小
代表
最大
24
アラーム出力電圧（高レベル）d)
表6及び表7参照
JIS C 5954-2
25
アラーム出力電圧（低レベル）d)
表6及び表7参照
JIS C 5954-2
26
シャットダウン入力電圧（高レベル）e)
表8参照
JIS C 5954-2
27
シャットダウン入力電圧（低レベル）e)
表8参照
JIS C 5954-2
28
バイアス制御電圧（高レベル）f)
VBiasH
29
バイアス制御電圧（低レベル）f)
VBiasL
30
ライン符号
スクランブルドNRZ
31
無信号入力時ファイバ結合パワーg)
− Class B
− Class C
−40
−43
dBm
dBm
IEC 61280-1-1
32
送信器反射戻り光耐性h)
−15
dB
33
同一符号連続耐性b)
34
ジッタ・ジェネレーションb)
35
ジッタ耐力b)
36
ジッタ伝達b)
注a) ITU-T G.983.1の8.2.6.3の内容に従い，擬似ランダム信号を送信器に入力する。
b) これらの項目は，ITU-T G.983.1の仕様に従わなければならない。
c) この項目は，参照規格に記載した測定方法に基づいて測定する（附属書A参照）。
d) アラーム出力は負論理である。アラーム機能の試験は，トランシーバに光信号入力がない場合には“低レベル”信号を出力し，項目番号11での規定値を超
える光信号入力がある場合には“高レベル”信号を出力しなければならない（附属書B参照）。
e) シャットダウン入力は，負論理である。シャットダウン機能の試験は，シャットダウン端子に“低レベル”信号を入力した場合，項目番号31で規定した値
以下のファイバ結合が得られ，かつ，シャットダウン端子に“高レベル”信号を入力した場合，項目番号2で規定した範囲内の光ファイバ結合パワーを得
なければならない（附属書B参照）。
f) 制御電圧のタイミング，パルス幅及び電圧レベルに関しては，製造業者と使用者との間で協定しなければならない。
g) この項目の定義図を図4に記載する。
h) この項目の測定系を図5に記載する。
4
C
5
9
5
3
-5
：
2
0
0
8
4
C
5
9
5
3
-5
：
2
0
0
8
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き、本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
10
C 5953-5：2008
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
クロック及びデータ入出力インタフェースは，表4又は表5に示す仕様に従わなければならない。それ
ぞれの表に規定するインタフェース仕様は，標準的なPECL及びTLVTTLインタフェースによる。
表4−電気インタフェース特性（PECLタイプ）
項目
記号
要求値
単位
最小
代表
最大
クロック入力電圧（高レベル）
VCINH−VSUP
−1.17
−
−0.88
V
クロック入力電圧（低レベル）
VCINL−VSUP
−1.81
−
−1.43
V
データ入力電圧（高レベル）
VDINH−VSUP
−1.17
−
−0.88
V
データ入力電圧（低レベル）
VDINL−VSUP
−1.81
−
−1.43
V
クロック出力電圧（高レベル）a)
VCOUTH−VSUP
−
−0.96
−
V
クロック出力電圧（低レベル）a)
VCOUTL−VSUP
−
−1.71
−
V
データ出力電圧（高レベル）a)
VDOUTH−VSUP
−
−0.96
−
V
データ出力電圧（低レベル）a)
VDOUTL−VSUP
−
−1.71
−
V
注a) 出力端子は，電源電圧 (VSUP)−2 Vに終端する。
表5−電気インタフェース特性（TLVTTLタイプ）
項目
記号
要求値
単位
最小
代表
最大
クロック入力電圧（高レベル）
VCINH
VCINL＋0.3
−
VSUP
V
クロック入力電圧（低レベル）
VCINL
−
−
VCINH−0.3
V
クロック入力電圧（振幅中心）
VCcenter
VSUP/2−0.1
−
VSUP/2＋0.1
V
データ入力電圧（高レベル）
VDINH
VDINL＋0.3
−
VSUP
V
データ入力電圧（低レベル）
VDINL
−
−
VDINH−0.3
V
データ入力電圧（振幅中心）
VDcenter
VSUP/2−0.1
−
VSUP/2＋0.1
V
クロック出力電圧（高レベル）a)
VCOUTH
VTT＋0.4
−
−
V
クロック出力電圧（低レベル）a)
VCOUTL
−
−
VTT−0.4
V
データ出力電圧（高レベル）a)
VDOUTH
VTT＋0.4
−
−
V
データ出力電圧（低レベル）a)
VDOUTL
−
−
VTT−0.4
V
注a) VTT=1.5〜1.8 V
アラーム出力インタフェースは，表6又は表7に示す仕様に従わなければならない。これらのインタフ
ェース仕様は，電源電圧が表2で明確に規定していることを除き，EIA/JEDEC JESD8-Bによる。それぞ
れの表に規定するインタフェース仕様は，標準的なLVCMOS及びTLVTTLインタフェースによる。
表6−アラーム出力電圧の電気インタフェース特性（TLVTTLタイプ）
項目
記号
要求値
単位
最小値
代表値
最大値
アラーム出力電圧（高レベル）a)
VALH
2.4
−
−
V
アラーム出力電圧（低レベル）a)
VALL
−
−
0.4
V
注a) 3.135〜3.465 Vの電源電圧範囲において，高レベル及び低レベルでの出力電流が，それぞれ−2 μA及び2 μA
となる条件で試験する。
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C 5953-5：2008
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表7−アラーム出力電圧の電気インタフェース特性（LVCMOSタイプ）
項目
記号
要求値
単位
最小値
代表値
最大値
アラーム出力電圧（高レベル）a)
VALH
VSUP−0.2
−
−
V
アラーム出力電圧（低レベル）a)
VALL
−
−
0.2
V
注a) 3.135〜3.465 Vの電源電圧範囲において，高レベル及び低レベルでの出力電流が，それぞれ−100 μA及び100
μAとなる条件で試験する。
シャットダウン入力インタフェースは，表8に示す特性に従わなければならない。これらのインタフェ
ース特性は，電源電圧が表2で明確に規定していることを除き，EIA/JEDEC JESD8-Bを参照。
表8−シャットダウン入力電圧の電気インタフェース特性（PECLタイプ及びTLVTTLタイプ）
項目
記号
要求値
単位
最小値
代表値
最大値
シャットダウン入力電圧（高レベル）a)
VSDH
2.0
−
VSUP＋0.3
V
シャットダウン入力電圧（低レベル）a)
VSDL
−0.3
−
0.8
V
注a) 3.135〜3.465 Vの電源電圧範囲において試験する。
クロック信号とデータ信号との位相関係を図2に示す。データ信号は，クロック信号の下降エッジでラ
ッチする。
図2−クロック信号とデータ信号との位相関係
TLVTTLタイプインタフェースの推奨電気回路図例を，図3に示す。
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図3−TLVTTLタイプインタフェースの推奨電気回路図（例）
無信号入力時のファイバ結合パワー（表3の項目番号31）の定義を，図4に示す。光パワーの測定方法
は，基本的にはIEC 61280-1-1によるが，詳細は，製造業者と顧客との間で取り決める。
図4−送信器無信号入力時のファイバ結合パワーの定義図
送信器反射戻り光耐性（表3の項目番号32）の測定系の一例を，図5に示す。反射器による反射戻り光
量は，ファイバ結合パワーの−15 dBとなるように設定する。波形モニタで観測した光出力波形が，表3
の項目番号4の送信器アイパターンマスクの規定を満足するか否かによって良否判定を行う。
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図5−送信器反射戻り光耐性の測定系
6
試験
定期試験プログラムを実施することで，品質状態が維持されていることを確認する。特記事項がない限
り，すべての試験における温度条件は，25 ℃±2 ℃とする。
6.1
特性試験
6.1.1
送信器
送信器の特性試験は，表9に基づいて実施する。試験サンプル数は，各顧客向けの製造ロットから最低
11個選ぶ。試験ロットは，製造業者ごとに規定する。光トランシーバの設計に何らかの変更を施した場合
には，再度，この試験を実施しなければならない。
表9−送信器特性試験
項目
試験条件
各顧客向けの製造ロットから最低11個
ケース温度：(−5 ℃±2 ℃), (25 ℃±2 ℃), (75 ℃±2 ℃)
電源電圧 (Vcc)：(Vnom−5 %) V, (Vnom)V, (Vnom＋5 %) V
判定規格
最小値
判定規格
最大値
単位
平均ファイバ結合
パワー
シングルモード・ファイバ：155.52 Mbit/s (RBS 223−1)
−Class B
−Class C
−4.0
−2.0
＋2.0
＋4.0
dBm
中心波長
シングルモード・ファイバ：155.52 Mbit/s (PRBS 223−1)
1 260
1 360
nm
スペクトル幅
シングルモード・ファイバ：155.52 Mbit/s (PRBS 223−1)
−MLMレーザ
−SLMレーザ
−
5.8
1.0
nm
消光比
155.52 Mbit/s方形波
10
dB
アイダイアグラム・
マスクテストa)
4次ベッセル・トムソン・フィルタ（カットオフ周波数は，
0.75×155.52 MHz）：155.52 Mbit/s (PRBS 223−1)
−
−
ファイバ結合パワ
ーのシャットダウ
ン試験
155.52 Mbit/s (PRBS 223−1)
シャットダウン入力電圧：低レベル
−Class B
−Class C
−
−40
−43
dBm
注a) 上り及び下りのアイパターンマスクは，ITU-T G.983.1に規定している。
光波形は，これらのマスクにかかってはならない。
6.1.2
受信器
受信器の特性試験は，表10に基づいて実施する。試験サンプル数は，各顧客向けの製造ロットから最低
11個選ぶ。試験ロットは，製造業者ごとに規定する。光トランシーバの設計に何らかの変更を施した場合
には，再度，この試験を実施しなければならない。
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表10−受信器特性試験
項目
試験条件
各顧客向けの製造ロットから最低11個
ケース温度：(−5±2 ℃), (25±2 ℃), (75±2 ℃)
電源電圧 (Vcc)：(Vnom−5 %) V, (Vnom) V, (Vnom+5 %) V
判定規格
最小値
判定規格
最大値
単位
受信感度
(BER=10−10)
PRBS 変調, NRZ, 155.52 Mbit/s
消光比 10 dB
−Class B
−Class C
−
−30.0
−33.0
dBm
最大受信入力
(BER=10−10)
PRBS 変調, NRZ. 155.52 Mbit/s
消光比 10 dB
−Class B
−Class C
−8
−11
−
dBm
アラーム信号出力
しきい値a)
PRBS 変調, NRZ, 155.52 Mbit/s
消光比 10 dB
−Class B
−Class C
−30.0
−33.0
−
dBm
注a) 表6及び表7に示すように，アラーム信号は，光トランシーバへの入射パワーがしきい値以下となる場合は，
“低レベル”で有効となる。
6.2
性能試験
特性試験の完了後，製品の信頼性を保証するために，性能試験を実施する。試験項目，試験条件及び合
否判定基準は表11による。この試験は，各顧客向けの製造ロットから11個以上のサンプルで実施しなけ
ればならない。試験ロットは，各製造業者ごとに規定する。試験サンプルは，新品であっても，特性試験
後のサンプルであってもよい。
表11−性能試験
項目
引用規格
試験条件
合否判定基準
不合格
サンプル数
機械的衝撃a)
JIS C 60068-2-27
300 m/s2, 18 ms, 3回／方向
25 ℃において，
｜∆Pmean｜は，1 dB
以下
｜∆Smin｜は，1 dB以
下
0/11
振動a)
JIS C 60068-2-6
100 m/s2, 10〜55 Hz, 3方向, 1.5 mm,
2時間
ファイバ引張強度a),b) IEC 61300-2-4
100 N±2 N, 5 N/s, 保持時間120秒
（光ファイバコードの場合）
5 N±0.5 N, 0.5 N/s, 保持時間60秒
（光ファイバ心線の場合）
温度サイクルa),b)
JIS C 5901
−40〜85 ℃
保存時間：1時間
12サイクル以上
高温保存a),b)
JIS C 5901
＋85 ℃
96時間以上
低温保存a),b)
JIS C 5901
−40 ℃
96時間以上
高温高湿保存a),b)
JIS C 5901
JIS C 5961
IEC 61300-2-19
＋40 ℃±2 ℃
相対湿度：93 %±2 %
96時間以上
25 ℃において，
｜∆Pmean｜は，1 dB
以下
｜∆Smin｜は，1 dB以
下
0/11
難燃性c)
UL94−V1
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表11−性能試験（続き）
注a) 性能試験において，ファイバ結合平均パワー及び受信感度の変動量が，1 dB以下であれば合格となる。この1
dBは，Telcordia GR-468-COREに規定する0.5 dBの良否判定基準に，測定再現性として0.5 dBを加えたもの
である。
b) これらの項目の試験条件については顧客の要求があれば，IEC 61753-1-1の代わりにTelcordia GR-468-CORE
を参照する場合もある。
c) UL94シリーズの規格は，Underwriter Laboratories Inc. U.S.A.を参照する。
7
環境仕様
7.1
安全性全般
この規格に適合するすべての製品は，IEC 60950-1による。
7.2
レーザ安全性
光トランシーバは，すべての動作条件において，クラス1基準を満たさなければならない。これは，レ
ーザ光がファイバに結合又は非結合でも，単一不具合条件下の場合を含む。トランシーバは，JIS C 6802
への適合を保証しなければならない。
レーザ安全性に関する標準及び法規制は，レーザ製品製造業者に対して，製品に使用するレーザ，安全
性に関する特徴，ラベル，用途，保守方法及びサービスに関する情報の提供を要求する。この情報に関す
る書面には，これらの安全基準を満たすために必要な要求及びホストシステムにおける使用上の制限事項
を明確に示さなければならない。
7.3
電磁放射
この規格に適合する製品は，電磁放射障害を制限するために，IEC 61000-6-3による。
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附属書A
（規定）
受信器反射耐性の測定
序文
この附属書は，この規格の表3の項目番号13に記載した受信器反射耐性の測定について規定する。
受信器への反射戻り光に対する耐性は，ITU-T G.983.1で，“伝送路における多重反射がOrdで雑音光と
見なされる場合，最小受信感度でのOrdの平均光入力と平均反射光入力との比”と定義している。ここで
Ordは，下り方向でのONU及びODN間の参照ポイントにおける光インタフェースである。項目番号13で
規定した “10 dB” とは，受信感度状態において，受信信号光に対して10 dB以下の雑音光がトランシーバ
に入力した場合でも規定のBERが満足していることを示している。更に，ONU受信器への反射の影響は，
ITU-T G.983.1のB.2.2に記載している。ここに記載しているONU受信器への入射についてのモデルを図
A.1に示す。このモデルでは，ONU No.1の送信器から送信された光信号が，ODNでの反射及びWDMフ
ィルタを介して雑音光としてONU No.1の受信器に戻ってくる場合を考慮している。したがって，この場
合の雑音光は，表3の項目番号3で規定した1 260〜1 360 nmの波長をもったONUから送信するバースト
信号となる。
図A.1−ONU受信器への入射光のモデル
上記のモデルによると，図A.2の測定系例に示すように，1 300 nm帯波長のバースト信号を雑音光とし
て用いる。この場合，項目番号13で規定するONU受信器への反射光入力は，ONUへの入力反射光（Pin̲noise）
及びWDMフィルタのアイソレーションによって決まることに留意しなければならない。しかしながら，
WDMフィルタはONU内部に存在し，そのアイソレーション量を直接測ることはできないため，項目番号
13で規定する真の値を測定することが不可能となる，という問題がある。
図A.2−受信器反射耐性の測定系例
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C 5953-5：2008
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したがって，この規格では，受信器の反射戻り光耐性を検査する測定系として，図A.3に示すものを推
奨する。
この測定系の鍵は，下り信号を同一波長である1 480〜1 580 nmの連続光を雑音光として使用すること
である。この擬似雑音光は，下り信号と同一のビットレート (155.52 Mbit/s) とで変調する。このとき，擬
似雑音光の変調は，信号光に同期させる必要はない。まず信号光の入力パワー (Pin̲signal) をATTを用いて
表3の項目番号11で規定する受信感度の値に設定する。次に雑音光の入力パワー (Pin̲noise) をATTを用い
てPin̲signalより10 dB低い値に設定する。合否判定は，この状態において規定のBERを満たしているかど
うかで行う。この測定系では，項目番号13の値をATTによって直接設定することができる。
図A.3−受信器反射耐性の推奨測定系
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附属書B
（規定）
アラーム及びシャットダウン信号の論理レベル
序文
この附属書は，アラーム及びシャットダウン信号の論理レベルについて規定する。
表3の注d) 及び注e) で規定しているように，アラーム及びシャットダウン信号は，負論理，すなわち論
理レベルが低レベルの場合を有効と規定している。
SFFトランシーバのように，データ通信システムで使用されているトランシーバでは，“信号検知”機能
として高レベルを有効として規定していることが多い。この場合，有効な信号が入力している場合に，高
レベルを出力することになる。一方，この規格では，“信号不着アラーム”機能を規定しており，その論理
レベルは，低レベルを有効として規定している。これは，有効な信号が入力していない場合に，低レベル
を出力することを意味する。したがって，この規格での規定と既に流通しているトランシーバの使用条件
に矛盾はない。また，シャットダウン信号の論理レベルに関していえば，“フェールセーフ”の概念に基づ
いて，低レベルを有効として規定している。これは，この端子に低レベルを入力した場合にシャットダウ
ンすることであり，光信号がオフ状態になることを意味する。したがって，デジタル光通信システムで一
般的な“光オン＝高レベル，光オフ＝低レベル”という論理レベルに調和している。
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附属書JA
（参考）
JISと対応する国際規格との対比表
JIS C 5953-5 : 2008 光伝送用能動部品−性能標準−第5部：半導体レーザ駆動回路
及びクロックデータ再生回路内蔵ATM-PON用光トランシーバ
IEC 62149-5 : 2003，Fibre optic active components and devices−Performance
standards−Part 5 : ATM-PON transceivers with LD driver and CDR ICs
(Ⅰ) JISの規定
(Ⅱ)
国際規
格番号
(Ⅲ) 国際規格の規定
(Ⅳ) JISと国際規格との技術的差異の箇条
ごとの評価及びその内容
(Ⅴ) JISと国際規格との技術的差
異の理由及び今後の対策
箇条番号
及び名称
内容
箇条番号
内容
箇条ごと
の評価
技術的差異の内容
3 用語及
び定義並
びに略号
3.2 略号 ATM-PON,
ATT, BER, CDR, DUT,
ERD, EX, FTT Cab/C/B/H,
IC, LD, MLM, PPG, RMS,
SLM, WDM, PECL,
TLVTTL, PRBS
3.2
ATM-PON, ATT, BER,
CDR, DUT, ERD, EX,
FTT Cab/C/B/H, IC, LD,
MLM, PPG, RMS, SLM,
WDM
追加
PECL, TLVTTL, PRBSを追加し
た。
PECL, TLVTTL, PRBSについて
も規格本体で使用されている。
IECに対して修正を提案する。
5 製品の
定義
5.4 絶対最大定格
5.4
絶対最大定格
変更
ファイバ・ピグテイル曲げ半径
を規定すべき光トランシーバ
の分類をタイプ5だけからタイ
プ3,4,5に変更。
タイプ3,4についてもファイバ・
ピグテイルをもっており，規定す
る必要がある。IECに対して次期
改訂時に修正提案する。
5.5 機能仕様
5.5
機能仕様
変更
表3注e) この規格の“規定の
値以上の光出力”という部分を
“規定した範囲内の光ファイ
バ結合”に変更。
項目番号2として規定する光出
力は，上下限をもったレンジで規
定しているため，“規定した範囲
内の光ファイバ結合”でなければ
おかしい。IECに対して次期改訂
時に修正を提案する。
変更
表3注e) シャットダウン端子
に “Low” を入力した場合“又
は (or)” “High” を入力した場
合，という規定になっている
が，“又は(or)”ではなく“かつ
(and)”に変更。
双方の条件のandで試験するこ
とが国内製造業者間で合意され
ている。IECに対して次期改訂時
に修正を提案する。
4
C
5
9
5
3
-5
：
2
0
0
8
4
C
5
9
5
3
-5
：
2
0
0
8
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(Ⅰ)JISの規定
(Ⅱ)
国際規格
番号
(Ⅲ)国際規格の規定
(Ⅳ)JISと国際規格との技術的差異の箇条
ごとの評価及びその内容
(Ⅴ)JISと国際規格との技術的
差異の理由及び今後の対策
箇条番号
及び名称
内容
箇条番号
内容
箇条ごと
の評価
技術的差異の内容
5 製品の
定義
（続き）
5.5 機能仕様（続き）
5.5
機能仕様
削除
表4 “クロック入力電圧（振
幅中心）”の項目を削除。
PECLインタフェースにおいて
は一般に不要な項目である。IEC
国内委員会にも誤りであること
を確認した。IECに対して次期改
訂時に削除を提案する。
削除
表4 “データ入力電圧（振幅
中心）”の項目を削除。
同上
変更
表4 “データ入力電圧（低レ
ベル）”の記号を “VDINL” から
“VDINL−VSUP” に変更。
規定の仕方から考えて，電源電圧
(VSUP) 基準の表現でなければな
らない。IECに対して次期改訂時
に修正を提案する。
削除
表4 “データ出力電圧（高レ
ベル）”の要求値の最大欄から
“−”を削除。
単純な記載ミス。IECに対して次
期改訂時に削除を提案する。
変更
表5 “クロック入力電圧（高
レベル）”“クロック入力電圧
（低レベル）”“データ入力電
圧（高レベル）”“クロック出力
電圧（高レベル）”“クロック出
力電圧（低レベル）”“データ出
力電圧（高レベル）”“データ出
力電圧（低レベル）”の各項目
の記号を，すべて “VCINH−
VSUP” 等電源電圧（VSUP)基準の
表現から “VCINH” など絶対値表
現に変更。
単純な記載ミス。IECに対して次
期改訂時に修正を提案する。
4
C
5
9
5
3
-5
：
2
0
0
8
4
C
5
9
5
3
-5
：
2
0
0
8
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(Ⅰ)JISの規定
(Ⅱ)
国際規格
番号
(Ⅲ)国際規格の規定
(Ⅳ)JISと国際規格との技術的差異の箇条
ごとの評価及びその内容
(Ⅴ)JISと国際規格との技術的
差異の理由及び今後の対策
箇条番号
及び名称
内容
箇条番号
内容
箇条ごと
の評価
技術的差異の内容
5 製品の
定義
（続き）
5.5 機能仕様（続き）
5.5
機能仕様
変更
表5 “データ入力電圧（高レ
ベル）”の要求値の最小欄を
“VDINL＋0.3” に変更。
単純な記載ミス。IECに対して次
期改訂時に修正を提案する。
変更
表5 “データ入力電圧（低レ
ベル）”の要求値の最大欄を
“VDINH−0.3” に変更。
単純な記載ミス。IECに対して次
期改訂時に修正を提案する。
6 試験
6
特性試験及び性能試験に
関する記述
削除
国際規格には，“引用するITU
規格 (ITU-T G.983.1) が標準化
された場合に実施すること”と
いう内容の文章があるが，これ
を削除。
IEC規格ドラフト作成時には
ITUも並行して作成されていた
が，現時点では既にITUは標準
化が完了しているため。
6.2性能試験
6.2
性能試験
変更
表11 合否判定基準に関する
注a) が，機械的衝撃試験にだけ
かかっているのを，合否判定基
準を使用するすべての項目に
も付加。
単純な記載ミス。IECに対して次
期改訂時に修正を提案する。
JISと国際規格との対応の程度の全体評価：IEC 62149-5 : 2003，MOD
注記1 箇条ごとの評価欄の用語の意味は，次による。
− 削除……………… 国際規格の規定項目又は規定内容を削除している。
− 追加……………… 国際規格にない規定項目又は規定内容を追加している。
− 変更……………… 国際規格の規定内容を変更している。
注記2 JISと国際規格との対応の程度の全体評価欄の記号の意味は，次による。
− MOD …………… 国際規格を修正している。
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き、本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
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C 5953-5：2008
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
参考文献 IEC 60130 (all parts), Connectors for frequencies below 3 MHz
JIS C 6560 単頭プラグ・ジャック（IEC 60130-8に対応）
IEC 60191 (all parts), Mechanical standardization of semiconductor devices
IEC 60603 (all parts), Connectors for frequencies below 3 MHz for use with printed boards
JIS C 5420 プリント配線板用コネクタ通則（IEC 60603-1，1Aに対応）
JIS C 6560 単頭プラグ・ジャック（IEC 60603-11に対応）
IEC 60617-DB-12M, Graphical symbols for diagrams−12-month subscription to online database
comprising parts 2 to 13 of IEC 60617
JIS C 0617 電気用図記号（第1部〜第13部）
IEC 60793 (all parts), Optical fibres
JIS C 6820 光ファイバ通則（IEC 60793-1-1，IEC 60793-2に対応）
JIS C 6821 光ファイバ機械特性試験方法（IEC 60793-1-3に対応）
JIS C 6822 マルチモード光ファイバ構造パラメータ試験方法（IEC 60793-1に対応）
JIS C 6823 光ファイバ損失試験方法（IEC 60793-1-4の一部，1-C1，1-C10，1-C4，1-C3，
1-C11に対応）
JIS C 6824 マルチモード光ファイバ帯域試験方法（IEC 60793-1-4の一部に対応）
JIS C 6825 シングルモード光ファイバ構造パラメータ試験方法（IEC 60793-1-4の一部に対
応）
JIS C 6827 光ファイバ波長分散試験方法（IEC 60793-1-42に対応）
JIS C 6831 光ファイバ心線（IEC 60793-2の一部に対応）
JIS C 6833 多成分系マルチモード光ファイバ素線（IEC 60793-2の一部に対応）
JIS C 6834 プラスチッククラッドマルチモード光ファイバ素線（IEC 60793-2の一部に対
応）
JIS C 6835 石英系シングルモード光ファイバ素線（IEC 60793-2-50に対応）
JIS C 6836 全プラスチックマルチモード光ファイバコード（IEC 60793-2の一部に対応）
JIS C 6837 全プラスチックマルチモード光ファイバ素線（IEC 60793-2の一部に対応）
IEC 60794 (all parts), Optical fibre cables
JIS C 6830 光ファイバコード（IEC 60794-2に対応）
JIS C 6831 光ファイバ心線（IEC 60794-3の一部に対応）
JIS C 6838 テープ形光ファイバ心線（IEC 60794-3，IEC 60794-1-2の一部に対応）
JIS C 6850 光ファイバケーブル通則（IEC 60794-1-1に対応）
JIS C 6851 光ファイバケーブル特性試験方法（IEC 60794-1-2に対応）
JIS C 6861 全プラスチックマルチモード光ファイバ機械特性試験方法（IEC 60794-1の一部
に対応）
IEC 60807 (all parts), Rectangular connectors for frequencies below 3 MHz
IEC 60874 (all parts), Connectors for optical fibres and cables
JIS C 5971 F02形単心光ファイバコネクタ（IEC 60874-8に対応）
JIS C 5972 F03形単心光ファイバコネクタ（IEC 60874-9に対応）
JIS C 5974 F05形単心光ファイバコネクタ（IEC 60874-17に対応）
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C 5953-5：2008
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
JIS C 5980 F11形光ファイバコネクタ（IEC 60874-15に対応）
IEC 61280 (all parts), Fibre optic communication subsystem basic test procedures
IEC 61281-1 : 1999, Fibre optic communication subsystems−Part 1 : Generic specification
IEC 61754 (all parts), Fibre optic connector interfaces
JIS C 5970 F01形単心光ファイバコネクタ（IEC 61754-13に対応）
JIS C 5973 F04形光ファイバコネクタ（IEC 61754-4に対応）
JIS C 5976 F07形2心光ファイバコネクタ（IEC 61754-16に対応）
JIS C 5981 F12形多心光ファイバコネクタ（IEC 61754-5に対応）
JIS C 5982 F13形多心光ファイバコネクタ（IEC 61754-7に対応）
JIS C 5983 F14形光ファイバコネクタ（IEC 61754-6に対応）
JIS C 5984 F15形光ファイバコネクタ（IEC 61754-10に対応）
JIS C 5985 F16形光ファイバコネクタ（IEC 61754-4-1に対応）
JIS C 5988 F19形光ファイバコネクタ（IEC 61754-18に対応）
IEC/TR 61931 : 1998, Fibre optic−Terminology
IEC 62007-1 : 1999, Semiconductor optoelectronic devices for fibre optic system applications−Part 1 :
Essential ratings and characteristics
JIS C 5944 光伝送用半導体レーザモジュール通則（IEC 62007-1の一部に対応）
JIS C 5946 光ファイバ増幅器用半導体レーザモジュール通則（IEC 62007-1の一部に対応）
JIS C 6114-1 光変調器モジュール通則（IEC 62007-1の一部に対応）
JIS C 6115-1 pin-FETモジュール通則（IEC 62007-1の一部に対応）
IEC 62007-2 : 1997, Semiconductor optoelectronic devices for fibre optic system applications−Part 2 :
Measuring methods
JIS C 5945 光伝送用半導体レーザモジュール測定方法（IEC 62007-2の一部に対応）
JIS C 5947 光ファイバ増幅器用半導体レーザモジュール測定方法（IEC 62007-2の一部に対
応）
JIS C 6114-2 光変調器モジュール測定方法（IEC 62007-2の一部に対応）
JIS C 6115-2 pin-FETモジュール測定方法（IEC 62007-2の一部に対応）
IEC 62148-1 : 2002, Fibre optic active components and devices−Package and interface standards−
Part 1 : General and guidance
IEEE 802.3 : 2002, Telecommunication and Information Exchange between Systems−Local and
Metropolitan Area Network (LAN/MAN)−Specific Requirements−Part 3 : Carrier Sense Multiple
Access with Collision Detection (CSMA/CD) Access Method and Physical Layer Specifications
ISO 1101 : 2004, Geometrical Product Specifications (GPS)−Geometrical tolerancing−Tolerances of
form, orientation, location and run-out
JIS B 0621 幾何偏差の定義及び表示（ISO 1101の一部に対応）
UL 94 : 2001, Tests for Flammability of Plastic Materials for Parts in Devices and Appliances