JISC5946:2005 光ファイバ増幅器用半導体レーザモジュール通則

C 5946：2005

（1）

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

まえがき

この規格は，工業標準化法に基づいて，日本工業標準調査会の審議を経て，経済産業大臣が制定した日

本工業規格である。

制定に当たっては，日本工業規格と国際規格との対比，国際規格に一致した日本工業規格の作成及び日

本工業規格を基礎にした国際規格原案の提案を容易にするために，IEC 62007-1:1999，Semiconductor

optoelectronic devices for fibre optic system applications-Part 1: Essential ratings and characteristicsを基礎として

用いた。

この規格の一部が，技術的性質をもつ特許権，出願公開後の特許出願，実用新案権，又は出願公開後の

実用新案登録出願に抵触する可能性があることに注意を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会

は，このような技術的性質をもつ特許権，出願公開後の特許出願，実用新案権，又は出願公開後の実用新

案登録出願にかかわる確認について，責任はもたない。

JIS C 5946には，次に示す附属書がある。

附属書1（参考）光ファイバ増幅器用レーザモジュールの個別仕様書の様式

附属書2（参考）光ファイバ増幅器用レーザモジュール環境試験及び耐久性試験用個別仕様書の様式

附属書3（参考）代表的特性について

附属書4（参考）静電気破壊のおそれがあるデバイスへの表示

附属書5（参考）JISと対応する国際規格との対比表

C 5946：2005

（2）

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ページ

序文 ··································································································································· 1

1. 適用範囲 ························································································································ 1

2. 引用規格 ························································································································ 1

3. 定義 ······························································································································ 2

4. 個別仕様書 ····················································································································· 4

5. 単位記号 ························································································································ 4

6. 分類 ······························································································································ 4

7. 最大定格 ························································································································ 5

8. 性能 ······························································································································ 6

9. 外形 ······························································································································ 8

10. 測定 ···························································································································· 8

11. 表示 ···························································································································· 8

12. 取り扱い上の注意事項 ···································································································· 8

附属書1（参考）光ファイバ増幅器用レーザモジュールの個別仕様書の様式 ···································· 9

附属書2（参考）光ファイバ増幅器用レーザモジュール環境及び耐久性試験用個別仕様書の様式 ········ 12

附属書3（参考）代表的特性について ······················································································ 14

附属書4（参考）静電気破壊のおそれがあるデバイスへの表示 ····················································· 15

附属書5（参考）JISと対応する国際規格との対比表 ·································································· 16

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

日本工業規格 JIS

C 5946：2005

光ファイバ増幅器用半導体レーザモジュール通則

General rules of laser diode modules for optical fiber amplifier

序文この規格は，1999年に第1版として発行されたIEC 62007-1:1999，Semiconductor optoelectronic devices

for fibre optic system applications-Part 1: Essential ratings and characteristicsの中で光ファイバ増幅器用半導体

レーザモジュールを規定している第9章 Laser diode modules for pumping an optical fibre amplifierを翻訳し，

技術的内容を変更して作成した日本工業規格である。

なお，この規格で側線又は点線の下線を施してある箇所は，原国際規格を変更している事項である。変

更の一覧表を付けて，附属書5に示す。

1. 適用範囲この規格は，光源として使用する光ファイバ増幅器用半導体レーザモジュール（以下，半

導体レーザモジュールという。）の用語，分類，最大定格，性能などの一般的共通事項について規定する。

備考1. ここでいう半導体レーザモジュールとは，半導体レーザダイオードと光ファイバとの接続部

から構成されるものであり，必要に応じて，温度センサ，電子冷却素子，モニタ用フォトダ

イオードを内蔵するものである。

2. この規格の対応国際規格を，次に示す。

なお，対応の程度を表す記号は，ISO/IEC Guide 21に基づき，IDT（一致している），MOD

（修正している），NEQ（同等でない）とする。

IEC 62007-1:1999，Semiconductor optoelectronic devices for fibre optic system applications-Part 1:

Essential ratings and characteristics (MOD)

2. 引用規格次に掲げる規格は，この規格に引用されることによって，この規格の規定の一部を構成す

る。これらの引用規格は，その最新版（追補を含む。）を適用する。

JIS C 0025環境試験方法（電気・電子）温度変化試験方法

JIS C 5947光ファイバ増幅器用半導体レーザ測定方法

JIS C 6802 レーザ製品の放射安全性基準

JIS C 60068-2-1環境試験方法−電気・電子−低温（耐寒性）試験方法

備考 IEC 60068-2-1: 1990 Environmental testing - Part 2: Tests. Tests A: Coldが，この規格と一致してい

る。

JIS C 60068-2-2環境試験方法−電気・電子−高温（耐熱性）試験方法

備考 IEC 60068-2-2: 1974 Environmental testing - Part 2: Tests. Tests B: Dry heatが，この規格と一致して

いる。

JIS C 60068-2-3環境試験方法（電気・電子）高温高湿（定常）試験方法

備考 IEC 60068-2-3: 1969 Environmental testing - Part 2: Tests. Tests Ca: Damp Heat, steady stateが，この

C 5946：2005 (IEC 62007-1：1999)

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規格と一致している。

JIS C 60068-2-6 環境試験方法−電気・電子−正弦波振動試験方法

備考 IEC 60068-2-6: 1995 Environmental testing - Part 2: Tests - Test Fc: Vibration (sinusoidal) が，この規

格と一致している。

JIS C 60068-2-7環境試験方法−電気・電子−加速度（定常）試験方法

備考 IEC 60068-2-7: 1975 Environmental testing. Part 2: Tests. Test Ga: Acceleration, steady stateが，この

規格と一致している。

JIS C 60068-2-11 環境試験方法（電気・電子）塩水噴霧試験方法

備考 IEC 60068-2-11: 1981 Environmental testing - Part 2: Tests. Test Ka: Salt mistが，この規格と一致し

ている。

JIS C 60068-2-17 環境試験方法−電気・電子−封止（気密性）試験方法

備考 IEC 60068-2-17: 1994 Basic environmental testing procedures - Part 2: Tests - Test Q: Sealingが，この

規格と一致している。

JIS C 60068-2-20 環境試験方法−電気・電子−はんだ付け試験方法

備考 IEC 60068-2-20: 1979 (Amendment1(1986)及び Amendment2(1987)を含む。) Environmental testing.

Part 2: Tests. Test T: Solderingが，この規格と一致している。

JIS C 60068-2-21 環境試験方法−電気・電子−端子強度試験方法

備考 IEC 60068-2-21:1999, Environmental testing - Part 2-21: Tests - Test U: Robustness of terminations

and integral mounting devicesからの引用事項は，この規格の該当事項と同等である。

JIS C 60068-2-27 環境試験方法−電気・電子−衝撃試験方法

備考 IEC 60068-2-27: 1987 Environmental testing. Part 2: Tests. Test Ea and guidance: Shockが，この規格

と一致している。

JIS C 60068-2-32 環境試験方法−電気・電子−自然落下試験方法

備考 IEC 60068-2-32: 1975 (Amendment1(1982)及び Amendment2(1990)を含む。) Environmental testing.

Part 2: Tests. Test Ed: Free fallが，この規格と一致している。

JIS C 60068-2-38 環境試験方法（電気・電子）高湿度組合せ（サイクル）試験方法

備考 IEC 60068-2-38: 1984 Environmental testing - Part 2: Tests. Test Z/AD: Composite

temperature/humidity cyclic testが，この規格と一致している。

JIS Z 8202-1量及び単位−第1部：空間及び時間

JIS Z 8202-2量及び単位−第2部：周期現象及び関連現象

JIS Z 8202-3量及び単位−第3部：力学

JIS Z 8202-4量及び単位−第4部：熱

JIS Z 8202-5量及び単位−第5部：電気及び磁気

JIS Z 8202-6量及び単位−第6部：光及び関連する電磁放射

JIS Z 8203国際単位系（SI）及びその使い方

3. 定義この規格で用いる主な用語の定義は次による。

a) 絶対最大定格（Absolute maximum ratings）瞬時でも超過してはならない限界値。どの一つの規格値も

超えてはならない。

b) 保存温度［Storage temperature（Tstg）] 電源電圧及び入力信号を加えないときの周囲温度の許容範囲。

C 5946：2005 (IEC 62007-1：1999)

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c) 周囲温度［Ambient temperature（Ta）] 半導体レーザモジュールの置かれている雰囲気の温度。

d) 動作温度[Operating temperature（Top）] 規定の電圧又は電流での動作が保証されている周囲温度

［Operating ambient temperature（Top（a））］，ケース温度［Operating case temperature（Top（c））］，又はサブ

マウント温度［Operating submount temperature（Top（sub））］。

e) しきい値電流[Threshold current（Ith）] 誘導放出によるレーザ発振を開始する電流値。

f) 光ファイバ端出力[Radiant power（Pf）] 光ファイバ端から取り出される光出力。

g) 動作電流[Operating current（Iop）] 規定の光出力を得るときの順電流。

h) 動作電圧[Operating voltage（Vop）] 規定の光出力を得るときの順電圧。

i) スロープ効率[Differential efficiency（ηd）] 動作電流での光ファイバ端出力と，しきい値電流又はし

きい値電流よりも高く，かつ，動作電流よりも十分に低い電流での光ファイバ端出力について，これら

の光出力差を電流差で除したもの。

j) 縦モード（Longitudinal mode）光軸に沿って伝搬する発振モードのスペクトルが離散的に存在してい

るときの，これらの個々の発振スペクトル。特に，一本の縦モードで発振しているときを単一縦モード

発振という。

k) 縦モード間隔（Mode spacing）隣接する縦モードとの波長差。

l) 縦モード数（Number of longitudinal modes）縦モードの合計数。通常はピークに対し，ある比を定め，

それ以上の強度をもつモードだけを数える。

m) ピーク発振波長[Peak emission wavelength（λp）] レーザ発振が最強となる波長。

n) 中心波長[Central emission wavelength（λc）] 発振スペクトルの中心の波長。次の測定法のうちいず

れかによって求めたものとする。

1) 包絡線法：それぞれの縦モードのピークを包絡線によって結び，その包絡線が縦モードの最大の

ピークに対し規定の値で切ったとき，最も長波長側の波長と最も短波長側の波長との平均の波長。

2) N-dB法：ピーク発振波長の両側の波長帯で，ピークに対し規定の値となる波長のうち最も長い波

長側の縦モードの発振波長と，最も短い波長側の縦モードの発振波長との平均の波長。

3) RMS法：n番目の縦モードの光レベル（An）とその発振波長（λn）から次の式を用いて求めた波

長。

λc＝Σ（An×λn）/ΣAｎ

o) スペクトル幅[Spectral radiation bandwidth（Δλw）] 発振スペクトルの広がり。

なお，最大のピークに対し50％となる発振スペクトルの広がり幅（全幅）は，特にスペクトル半

値幅（Δλ）という。スペクトル半値幅は，FWHM（半値全幅）ともいう。次の測定法のいずれかに

よって求めたものとする。

1) 包絡線法：それぞれの縦モードのピークを包絡線によって結び，その包絡線が縦モードの最大の

ピークに対し規定の値で切ったとき，最も長波長側の波長と最も短波長側の波長との差。

2) N-dB法：縦モードの最大のピークに対し，規定の値で切ったときのスペクトルの幅（シングルモ

ード発振の場合），縦モードの最大のピークに対し規定の値以上で発振する縦モードのうち，最も

長波長側の波長と最も短波長側の波長との差（マルチモード発振の場合），又は，発振している縦

モードの最大のピークに対し規定の値（スペクトル半値幅を求める場合は最大のピークに対し

50％の値）になるスペクトル線の広がり幅（単一モード発振の場合）。

3) RMS法：n番目の縦モードの光レベル（An）及びその発振波長（λn）から次の式を用いて求めた

波長幅。

C 5946：2005 (IEC 62007-1：1999)

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Δλw＝K×（Σ（An×（λn−λc）2）/ΣAn）1/2

なお，Kは定数で目的に応じて選択（1，2，2.35，3）し，明示する必要がある（2.35を選択し

た場合は，スペクトル形状をガウス分布とみなしたときのスペクトル半値幅に相当する。）。

p) 発振波長電流依存変動係数[Spectral shift with current（ΔλC）] 動作電流を変化させたときに，発振

波長が変化する係数。

q) 発振波長光出力依存変動係数[Spectral shift with radiant power（ΔλP）] 光ファイバ端出力を変化さ

せたときに，発振波長が変化する係数。

r) 発振波長温度係数[Spectral shift with temperature（ΔλT）] 周囲温度又は動作温度を変化させたとき

に，発振波長が変化する係数。

s) 相対強度雑音[Relative intensity noise（RIN）] 単位周波数当たりの光強度雑音と平均光出力との比。

実際には，光のゆらぎがフォトダイオードなどの受光素子や増幅器を用いて測定，算出されるため，

規定の周波数において検出された雑音から受光素子のショット雑音と増幅器の熱雑音とを除き，これ

を半導体レーザの平均出力（一般には受光器の光電流で検出）と測定周波数帯域幅とで除したものが

対応する。

t) キンク（Kink）しきい値電流よりも高い順電流における順電流−光ファイバ端出力特性曲線において，

その一次微分曲線の最大値からの偏差量が規定の値となる部分。

u) キンクフリー光出力[Kink free fiber radiant power（Pk ）] キンクが発生しない光ファイバ端出力の最

大値。

v) モニタ用フォトダイオード出力電流[Monitor current（Im）] モニタ用フォトダイオードの出力電流値。

w) モニタ用フォトダイオード暗電流[Dark current of photodiode（Iｄ）] 半導体レーザモジュールを発光

させないときにモニタ用フォトダイオードに流れる電流値。

x) モニタ用フォトダイオード端子間容量[Photodiode capacitance（Ct）] モニタ用フォトダイオードの端

子間の容量。

y) トラッキングエラー[Tracking error（Er1，Eｒ2又はEｒ）] 半導体レーザモジュールに内蔵されている

モニタ用フォトダイオードを用いてAPC（Automatic Power Control：自動出力制御）動作状態におい

て，規定の動作範囲で温度を変化させたときに生じる光出力の変動量。次の二つの測定方法がある。

1)APC動作状態において，基準の動作温度（通常は25℃）における光出力の値を基準値とし，規定の

動作温度範囲で温度を変化させたときに，基準値と光出力が減少する方向の最大変動幅との比を（Er1），

基準値と光出力が増加する方向の最大変動幅との比を（Er2）とする。

2)APC動作状態において，基準の動作温度における光出力の値を基準値とし，動作温度範囲内の特定

温度における光出力との比の最大値を（Er）とする。

z) サーミスタ抵抗[Resistance（R）] 内蔵されている温度検出用サーミスタの抵抗。

aa) サーミスタB定数サーミスタの抵抗−温度特性を示す次の式のBのことで，材料によって決まる

定数である。

R1＝R2×exp(B（（1/T1）−（1/T2））)

ここで，R1及びR2は，それぞれ温度T1及びT2におけるサーミスタの抵抗を表す。

ab) サーミスタ供給電圧[Supply voltage（V sup）] 内蔵されている温度検出用サーミスタの供給電圧。

ac) ペルチェ電流[Peltier current（IPE）] 内蔵されている温度制御用ペルチェクーラの電流値。

ad) ペルチェ電圧[Peltier voltage（VPE）] 内蔵されている温度制御用ペルチェクーラの電圧値。

ae) 光ファイバ許容曲げ半径[Minimum bend radius of pigtail（rmin）] ピグテイル形の半導体レーザモジ

C 5946：2005 (IEC 62007-1：1999)

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ュールで，許容されるピグテイル光ファイバの最小曲げ半径。

af) 光ファイバ引張強度[Tensile force on fiber（F）] ピグテイル形の半導体レーザモジュールで，許容さ

れるピグテイル光ファイバの最大引張強度。

4. 個別仕様書個々の半導体レーザモジュールの絶対最大定格，性能，外形などはこの規格の規定に従

って個別仕様書に規定するものとする。個別仕様書の様式は，附属書1を推奨する。

5. 単位記号この規格で用いる単位記号は，JIS Z 8202-1，JIS Z 8202-2，JIS Z 8203-3，JIS Z 8202-4，

JIS Z 8202-5，JIS Z 8202-6 及び JIS Z 8203 による。

6. 分類半導体レーザモジュールの分類は，表1による。

表 1 半導体レーザモジュールの分類

分類項目

種類

大項目

小項目

結晶材料

アルミニウムガリウムひ素／ガリウムひ素（AlGaAs/GaAs）
インジウムガリウムひ素りん／インジウムりん（InGaAsP/InP）な
ど

波長帯

980nm帯用， 1300nm帯用， 1400nm帯用など

素子構造

接合構造

ダブルヘテロ（DH）接合形，分離閉じ込めヘテロ接合，
量子井戸構造など

ストライプ構造

利得導波形，屈折率導波形など

帰還構造

ファブリペロー形，分布帰還形（DFB），分布ブラッグ反射形
（DBR）など

光ファイバ

種類

マルチモード光ファイバ，シングルモード光ファイバ，偏波面保
存光ファイバなど

波長安定化構造

ファイバグレーティングなど

パッケージ
構造

光出力構造

ピグテイル形，光コネクタ形など

端子構造

円筒形，デュアルインラインパッケージ形，バタフライ形など

温度制御構造

温度制御無し，電子冷却素子内蔵形，サーミスタ内蔵形など

光アイソレート構造アイソレータなし，アイソレータ内蔵形など

用途

光ファイバ増幅器用

その他

温度センサ付など

7. 最大定格半導体レーザモジュールの最大定格は，絶対最大定格とする。絶対最大定格の規定項目は，

表2による。保存温度又は動作温度の規定値は，表3〜4の値を推奨する。個別仕様書における絶対最大定

格の規定の様式は附属書1表1を推奨する。

表 2 絶対最大定格の規定項目（特に指定がない限り，周囲温度，ケース温度又はサブマウント温度は25℃

とする。）

項目

記号

条件

絶対最大定格値

単位

保存温度

Tstg

− ＿〜＋＿

℃

温度

動作温度

Top

− ＿〜＋＿

℃

はんだ付け温度

Tsld

はんだ付け時間を規定

＿

℃

C 5946：2005 (IEC 62007-1：1999)

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

レ
｜
ザ

電圧

直流逆電圧

Vrl

＿

電流

直流順電流

Ifl

＿

光出力

光ファイバ端出力

＿

モニタ用フォト
ダイオード

直流逆電圧(1)

Vrd

＿

順電流(1)

Ifd

＿

ペルチェクーラペルチェ電圧(2)

VPE

＿

ペルチェ電流(2)

IPE

＿

サーミスタ

供給電圧 (3)

Vsup

＿

光ファイバ

光ファイバ許容曲げ半径 rmin

＿

光ファイバ引張強度

＿

注（1）モニタ用フォトダイオードを内蔵している場合に適用する。

（2）ペルチェ電圧及びペルチェ電流は，温度制御用ペルチェクーラを内蔵している場合に適用する。

（3）サーミスタを内蔵している場合に適用する。

備考絶対最大定格値の欄で下線の部分は，通常記入する。

表3 保存温度（Tstg）単位 ℃

下限値

0 −20 −40 −55 −65

上限値

60 70 85 100 125

表4 動作温度（Top又はTa）単位 ℃

下限値

0 −10 −20 −30 −40

上限値

40 50 60 70 85 100

8. 性能

8.1 電気的特性及び光学的特性半導体レーザモジュールの電気的特性及び光学的特性の規定項目は，表

5による。規定値は，表6及び表7の値を推奨する。また，特性を測定する条件として与える電流値，変

調信号の繰返し周波数は表6及び表7の値を推奨する。個別仕様書における電気的特性及び光学的性能の

規定様式は，附属書1表2を，また，代表的特性については附属書3を推奨する。

表 5 電気的特性及び光学的特性の規定項目（特に指定がない限り，周囲温度，ケース温度又はサブ

マウント温度は25℃とする）

項目

記号

測定条件

最小値

標準値最大値

単位

しきい値電流

Ith

＿

動作電流

(4)

Iop

CW，Pf=＿mW

＿

光ファイバ端出力

(4)

Pｆ

CW，Iop=＿mA

＿

キンクフリー光出力

(4)

−

＿

スロープ効率

ηd

＿

W/A

動作電圧

Vop

CW，Pf=＿mW

＿

ピーク発振波長

(5)

λp

CW，Pf=＿mW

＿

中心発振波長

(5)

λc

CW，Pf=＿mW

＿

スペクトル幅

(6) Δλw CW，Pf=＿mW

＿

スペクトル半値幅

(6)

Δλ CW，Pf=＿mW

＿

発振波長電流依存変動係数 (7) ΔλC CW，Iop=＿〜＿mA

＿

nm/m

発振波長光出力依存変動係 (7) ΔλP CW，Pf=＿〜＿mW

＿

nm/m

発振波長温度依存性

ΔλT CW，Pf=＿mW

＿

nm/℃

相対雑音強度

(8)

RIN

CW，Pf=＿mW，f=＿Hz，

＿

dB/Hz

C 5946：2005 (IEC 62007-1：1999)

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

モニタ用フォトダイオード
出力電流

CW，Pf=＿mW

V rd=＿V

＿

モニタ用フォトダイオード
暗電流

V rd=＿V

＿

モニタ用フォトダイオード
端子間容量 (8)

V rd=＿V

＿

トラッキングエラー (9)

Er1

/Er2

Top=＿〜＿℃

＿
＿

％

サーミスタ抵抗 (10)

Pf=＿mW

＿

kΩ

サーミスタB定数 (10)

＿

ペルチェ電圧

(11)

VPE

CW，Pf=＿mW，Top=＿℃

＿

ペルチェ電流

(11)

IPE

CW，Pf=＿mW，Top=＿℃

＿

注（4）動作電流，光ファイバ端出力又はキンクフリー光出力のいずれか一項目を適用する。

（5）ピーク発振波長又は中心発振波長のいずれかの選択でよい。また，測定方法も包絡線法，N-dB

法，又はRMS法のいずれかの選択でよいが，測定方法を明記する。

（6）スペクトル幅又はスペクトル半値幅のいずれかの選択でよい。また，測定方法も包絡線法，

N-dB法又はRMS法のいずれかの選択でよいが，測定方法を明記する。

（7）発振波長電流依存変動係数又は発振波長光出力依存変動係数のいずれか一項目を適用する。

（8）用途によって選択する。

（9）測定方法を明記する。

（10）サーミスタを内蔵している場合に適用する。

（11）温度制御用ペルチェクーラを内蔵している場合に適用する。

備考1測定条件，最小値，標準値及び最大値の欄で下線の部分は，通常記入する。

2 測定条件での記号の説明

a) CW ：連続動作

b) Vrd ：モニタ用フォトダイオードの逆電圧

c) f ：測定周波数

表 6 特性を規定する測定条件として与える電流値単位 ×10nA

電流値

1 1.25 1.5 2 2.5 3 4 5 6 7 8 9

備考 nは，整数とする。

表 7 特性を規定する測定条件として与える繰返し周波数単位 ×10nHz

繰返し周波数

1 1.25 1.5 2 2.5 3 4 5 6 7 8 9

備考 nは，整数とする。

8.2 環境及び耐久性に対する性能半導体レーザモジュールの環境及び耐久性に対する性能の規定項目は，

表8による。個別仕様書における環境及び耐久性に対する性能の規定様式は，附属書2を推奨する。

表 8 環境及び耐久性に対する性能の規定項目

項目

試験条件

適用 (12)

抜取方式

適用規格

検査水準 AQL

はんだ耐熱性

温度＿ ± ＿ ℃

JIS C 60068-2-20

C 5946：2005 (IEC 62007-1：1999)

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

温度サイクル

低温＿ ℃，高温＿ ℃
保持時間＿ min，
移動時間＿ min，回数＿回

JIS C 0025

熱衝撃

高温＿ ℃，保持時間＿ min，
低温＿ ℃，保持時間＿ min，
移動時間＿ s，回数＿回

JIS C 0025

温湿度サイクル高温＿ ℃，高温側相対湿度＿％，

保持時間＿ min，
低温＿ ℃ 低温側相対湿度＿％，
保持時間＿ min，
移動時間＿ min，回数＿回

JIS C 60068-2-38

気密性

加圧圧力＿ Pa，
加圧時間＿ h（必要がある場合）

JIS C 60068-2-17

自然落下 (13)

高さ＿ cm，回数＿回

JIS C 60068-2-32

衝撃 (13)

方向＿，最高加速度＿ m/s2，
パルス幅＿ ms，回数＿回

JIS C 60068-2-27

定加速度

方向＿，加速度＿ m/s2，
パルス幅＿ ms，回数＿回
周波数＿〜＿ Hz，

JIS C 60068-2-7

振動

全振幅又は加速度＿
方向＿，時間＿ h

JIS C 60068-2-6

端子強度

荷重＿ N，回数＿回

JIS C 60068-2-21

塩水噴霧

時間＿ h

JIS C 60068-2-11

高温保存

温度＿ ℃，時間＿ h

JIS C 60068-2-2

低温保存

温度＿ ℃，時間＿ h

JIS C 60068-2-1

動作寿命

ケース温度（又は周囲温度）＿ ℃，
定光出力動作光出力＿ mW，
時間＿ h

ピグテイル強度引張力＿ N

曲げ半径＿ mm

耐湿性

温度＿ ℃，相対湿度＿％，
時間＿ h

JIS C 60068-2-3

注（12）合否判定基準を適用する項目に○印を記入する。

（13）自然落下又は衝撃のいずれかを規定する。

備考試験条件の欄で下線の部分は，条件値を記入する。

9. 外形外形は，個別仕様書による。

10. 測定半導体レーザモジュールの測定は，個別仕様書に規定のない限り，JIS C 5947による。

11. 表示半導体レーザモジュールには，次の項目を表示しなければならない。ただし，個々の半導体0

モジュールに表示することが困難な場合には，包装に表示してもよい。

なお， d）の静電気破壊のおそれがあるデバイスへの表示に用いる記号については，附属書4を推奨す

る。

a) 形名（製造業者の指定による）

b) 製造業者名又はその略号

c) 製造年月若しくは製造ロット番号又はそれらの略号

C 5946：2005 (IEC 62007-1：1999)

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

附属書1（参考）光ファイバ増幅器用レーザモジュールの個別仕様書の様式

この附属書は，本体に関連する事柄を補足するもので，規定の一部ではない。

1. 適用範囲この半導体レーザモジュールは，光出力取出し部として，次の分類例a)を備え，b)の結晶

材料からなり， c)の発光波長で，光ファイバ増幅器用に設計されたものである。

分類例 a)ピグテイル形，光コネクタ形など

b) AlGaAs/GaAs，InGaAsP/InPなど

c) 980nm帯， 1300nm帯， 1400nm帯など

2. 一般事項一般事項は，本体による。

3. 外形及び端子接続外形及び端子接続は，次による。

3.1 外形

外形図を記載する。

3.2 端子接続

端子

端子名

ケース

4. 絶対最大定格絶対最大定格は，附属書1表1による。

附属書1表 1 絶対最大定格（特に指定がない限り，周囲温度，ケース温度又はサブマウント温度は

25℃とする。）

項目

記号

条件

絶対最大定格値

単位

保存温度

Tstg

− ＿〜＋＿

℃

温度

動作温度

Top

− ＿〜＋＿

℃

はんだ付け温度

Tsld

はんだ付け時間を規定

＿

℃

レ
｜
ザ

電圧

直流逆電圧

Vrl

＿

電流

直流順電流

Ifl

＿

光出力

光ファイバ端出力

＿

モニタ用フォ
トダイオード

直流逆電圧(1)

Vrd

＿

順電流(1)

Ifd

＿

ペルチェクー
ラ

ペルチェ電圧(2)

VPE

＿

ペルチェ電流(2)

IPE

＿

サーミスタ

供給電圧 (3)

Vsup

＿

光ファイバ

光ファイバ許容曲げ半径

rmin

＿

光ファイバ引張強度

＿

C 5946：2005 (IEC 62007-1：1999)

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

注（1）モニタ用フォトダイオードを内蔵している場合に適用する。

（2）ペルチェ電圧，ペルチェ電流は,温度制御用ペルチェクーラを内蔵している場合に適用する。

（3）サーミスタを内蔵している場合に適用する。

備考絶対最大定格値の欄で下線の部分は，条件値を記入する。

5. 電気的特性及び光学的特性電気的特性及び光学的特性は，附属書1表2による。

附属書1表 2 電気的，光学的特性（特に指定がない限り，周囲温度，ケース温度又はサブマウント

温度は25℃とする）

項目

記号

測定条件

最小値標準値最大値

単位

しきい値電流

Ith

＿

動作電流

(4)

Iop

CW，Pf＝＿mW

＿

光ファイバ端出力

(4)

CW，Iop＝＿mA

＿

キンクフリー光出力

(4)

−

＿

スロープ効率

ηd

＿

W/A

動作電圧

Vop

CW，Pf＝＿mW

＿

ピーク発振波長

(5)

λp

CW，Pf＝＿mW

＿

中心発振波長

(5)

λc

CW，Pf＝＿mW

＿

スペクトル幅

(6)

Δλw

CW，Pf＝＿mW

＿

スペクトル半値幅

(6)

Δλ

CW，Pf＝＿mW

＿

発振波長電流依存変動係数 (7)

Δλc

CW，Iop＝＿〜＿mA

＿

nm/mA

発振波長光出力依存変動係数
(7)

ΔλP

CW，Pf ＝＿〜＿mW

＿

nm/m

発振波長温度依存性

ΔλT

CW，Pf＝＿mW

＿

nm /℃

相対雑音強度

(8)

RIN

CW，Pf＝＿mW，f＝＿
Hz，

＿

dB/Hz

モニタ用フォトダイオード
出力電流

CW，Pf＝＿mW

Vrd＝＿V

＿

モニタ用フォトダイオード
暗電流

Vrd＝＿V

＿

モニタ用フォトダイオード
端子間容量 (8)

Ｃt

Vrd＝＿V

＿

トラッキングエラー (9)

Er1 /Er2 Top＝＿〜＿℃

＿
＿

％

サーミスタ抵抗 (10)

Pf＝＿mW

＿

kΩ

サーミスタB定数 (10)

＿

ペルチェ電圧

(11)

VPE

CW，Pf＝＿mW，Top＝
＿℃

＿

ペルチェ電流

(11)

IPE

CW，Pf＝＿mW，Top＝
＿℃

＿

注（4）動作電流，光ファイバ端出力又はキンクフリー光出力のいずれか一項目を適用する。

（5）ピーク発振波長又は中心発振波長のいずれかの選択でよい。また，測定方法も包絡線法，

N-dB法，RMS法のいずれかの選択でよいが，測定方法を明記する。

（6）スペクトル幅又はスペクトル半値幅のいずれかの選択でよい。また，測定方法も包絡線法，

N-dB法，RMS法のいずれかの選択でよいが，測定方法を明記する。

（7）発振波長電流依存変動係数又は発振波長光出力依存変動係数のいずれか一項目を適用する。

（8）用途によって選択する。

C 5946：2005 (IEC 62007-1：1999)

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

附属書2（参考）光ファイバ増幅器用レーザモジュール環境試験及び耐久性

試験用個別仕様書の様式

この附属書は，本体に関連する事柄を補足するもので，規定の一部ではない。

1. 環境及び耐久性に対する性能環境及び耐久性に対する性能は，附属書2表1による。

附属書2表 1 環境及び耐久性に対する規定項目

項目

試験条件

適用 (1)

抜取方式

適用規格

検査水準 AQL

はんだ耐熱性

温度＿ ± ＿ ℃

JIS C 60068-2-20

温度サイクル

低温＿ ℃，高温＿ ℃
保持時間＿ min，
移動時間＿ min，回数＿回

JIS C 0025

熱衝撃

高温＿ ℃，保持時間＿ min，
低温＿ ℃，保持時間＿ min，
移動時間＿ s，回数＿回

JIS C 0025

温湿度サイクル

高温＿ ℃，高温側相対湿度
＿％，
保持時間＿ min，
低温＿ ℃ 低温側相対湿度
＿％，
保持時間＿ min，
移動時間＿ min，回数＿回

JIS C 60068-2-38

気密性

加圧圧力＿ Pa，
加圧時間＿ h（必要がある場合）

JIS C 60068-2-17

自然落下 (2)

高さ＿ cm，回数＿回

JIS C 60068-2-32

衝撃 (2)

方向＿，最高加速度＿ m/s2，
パルス幅＿ ms，回数＿回

JIS C 60068-2-27

定加速度

方向＿，加速度＿ m/s2，
パルス幅＿ ms，回数＿回
周波数＿〜＿ Hz，

JIS C 60068-2-7

振動

全振幅又は加速度＿
方向＿，時間＿ h

JIS C 60068-2-6

端子強度

荷重＿ N，回数＿回

JIS C 60068-2-21

塩水噴霧

時間＿ h

JIS C 60068-2-11

高温保存

温度＿ ℃，時間＿ h

JIS C 60068-2-2

低温保存

温度＿ ℃，時間＿ h

JIS C 60068-2-1

動作寿命

ケース温度（又は周囲温度）＿ ℃，
定光出力動作光出力＿ mW，
時間＿ h

ピグテイル強度

引張力＿ N
曲げ半径＿ cm

耐湿性

温度＿ ℃，相対湿度＿％，
時間＿ h

JIS C 60068-2-3

注（1）合否判定基準を適用する項目に○印を記入する。

（2）自然落下又は衝撃のいずれかを規定する。

C 5946：2005 (IEC 62007-1：1999)

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

備考試験条件の欄で下線の部分は，通常記入する。

2. 合否判定基準合否判定基準は，附属書2表2による。

附属書2表2 合否判定基準

項目

測定条件

許容値(4)

単位許容変

動量(2)

単位

測定方法

最小値

最大値

JIS C××××

しきい値電流

算出方法＿

＿

動作電流 (3)

Pf= ＿ mW

＿

キンクフリー光出力 (3)

Pf = ＿ mW

＿

光ファイバ端出力 (3)

Iop= ＿ mA

＿

モニタ用フォトダイオード
出力電流

Pf = ＿ mW
Vrd＝＿ V

＿

＿A

＿

＿A

モニタ用フォトダイオード
暗電流

Vrd＝＿ V

＿

＿A

＿

＿A

トラッキングエラー

Top＝＿〜＿℃

＿

注（3）動作電流，光ファイバ端出力又はキンクフリー光出力のいずれか一項目を適用する。

（4）必要に応じていずれか又は双方を選択する。

備考1. 測定条件での記号の説明

a) Vrd：モニタ用フォトダイオードの逆電圧

2. 最小値，最大値，及び許容変動量の欄で下線の部分は通常記入する。

C 5946：2005 (IEC 62007-1：1999)

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

附属書4（参考）静電気破壊のおそれがあるデバイスへの表示

この附属書は，本体に関連する事柄を補足するもので，規定の一部ではない。

静電気によって破壊するおそれがあり，取扱い上注意を必要とするデバイスであることを表示する記号

は次による。

1. 記号の使用実用上適している内装や，可能ならばデバイス上に表示する。データシート上，保管容

器，特別な防護用の包みなどに表示する。附属書4図2は，デバイス上に縮小して使用する場合に簡略化

した記号である。

2. 記号の色記号の色は，次による。

記号の種類

色

備考

附属書4図1

下地は識別できれば単一色で何色でもよい。

主に直接印刷によって表示す
る。

附属書4図2

ただし，赤は除く。

附属書4図3

下地は黄とする。文字及び記号は黒とする。

主にラベルによって表示する。

附属書4図 1 記号

附属書4図 2 縮小する場合の簡略化した記号

附属書4図 3 文字と組み合わせた記号

C 5946：2005 (IEC 62007-1：1999)

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

附属書5（参考）JISと対応する国際規格との対比表

JIS C 5946:2005 光ファイバ増幅器用レーザモジ
ュール通則

IEC62007-1:1999, Semiconductor optoelectronic devices for fibre optic system applications - Part 1 :
Essential ratings and characteristic

（Ⅰ）JISの規定

（Ⅱ）
国際規格
番号

（Ⅲ）国際規格の規定

（Ⅳ）JISと国際規格との技術的差異
の項目ごとの評価及びその内容
表示箇所：本体
表示方法：点線の下線

（Ⅴ）JISと国際規格との
技術的差異の理由及び今
後の対策

項目番号

内容

項目番号

内容

項目ごとの評価

技術的差異の内容

2003年現在、伝送用光能動
部品のIEC規格がTC47（半
導体デバイス）からTC86
（光ファイバシステム）へ
の体系移行の最中にある。
これに伴い規格体系が
TC47の部品ごとの規格体
系からTC86の応用システ
ムごとの規格体系への再
編が進められている。JIS
では管轄がTC47のときか
ら部品ごとに分けて順次、
審議してきた経緯により、
審議済みの規格は、部品ご
との規格としてきている。
なお、IECでは複数の部品
が一つの規格となってお
り、引き続き審議検討予定
である。いままでJISで審
議を行ってきた個々の部
品を除き、今後新規に検討
を開始するJISについて

C 5946：2005 (IEC 62007-1：1999)

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

は、TC86の規格体系に合
わせて整合を図っていく
予定である。

1.適用範囲

光ファイバ増幅器用
レーザモジュールの
用語、記号、分類、最
大定格、性能などの一
般的な共通事項につ
いて規定している。

IEC62007-
1

光ファイバ増
幅器用レーザ
モジュール以
外の製品であ
る、一般のレ
ーザモジュー
ルやLED、
pin-FETモジ
ュールなど光
能動部品全般
に広く適用す
る記号、分類、
最大定格、性
能などの一般
的な共通事項
としてまとめ
てある。

MOD
/削除

IECでは複数の光
能動部品に対する
規定となっている
ため、光ファイバ増
幅器用レーザモジ
ュール以外の製品
を適用範囲から削
除した。

削除した製品は別のJISと
して制定済み又は制定予
定である。

制定済み：
JISC5940（光伝送用半導体
レーザ通則）、JISC5944 (光
伝送用半導体レーザモジ
ュール通則)、JISC5950（光
伝送用発光ダイオード通
則）、JISC5990（光伝送用
フォトダイオード通則）

制定予定：
pin-FETモジュール・光変
調器モジュール・デュプレ
クサモジュール・LEDアレ
イ

2.引用規格

JIS C 60068-2-1
JIS C 60068-2-2
JIS C 60068-2-3
JIS C 60068-2-11
JIS C 0025
JIS C 60068-2-17
JIS C 60068-2-38
JIS C 60068-2-6
JIS C 60068-2-27
JIS C 60068-2-32
JIS C 60068-2-7
JIS C 60068-2-20
JIS C 60068-2-21

IEC62007-
1

レーザ安全規
格を引用。

MOD
/追加

IEC規格では、レー
ザ安全規格につい
て触れているが、環
境試験規格や単位
記号については触
れていない。

通常，一般的に広く使用さ
れている規格であり、商取
引上必要なので追加した。
IECへ提案を図る。

C 5946：2005 (IEC 62007-1：1999)

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

JIS C 5947
JIS C 6802
JIS Z 8202
JIS Z 8203

3.定義

絶対最大定格及び電
気光学的特性等の各
項目において使用さ
れる用語を定義して
いる。

IEC62007-
1

他のレーザ規
格にない用語
のみを説明。
一般的な用語
の定義につい
ては別規格
(IEC60747-5-
1)となってい
る。

MOD
/追加

追加項目：
ｷﾝｸ，ｷﾝｸﾌﾘｰ光出力，
ﾓﾆﾀ用ﾌｧﾄﾀﾞｲｵｰﾄﾞ端
子間容量，ﾄﾗｯｷﾝｸﾞ
ｴﾗｰ

IEC規格に記載さ
れて用語のほか、一
般的な用語は
IEC60747-5-1を参
照して作成した。

通常，一般的に広く使用さ
れている項目であり商取
引上必要。IEC規格への追
加提案を図る。

4.個別仕様書

個別仕様書において
規定する内容を規定
している。

−

MOD
/追加

個々のモジュール
の具体的な詳細は
個別仕様書で規定
するように明記し
た。

国内外で一般的に広く使
用されており、商習慣上必
要。IEC規格への追加提案
を図る。

5.単位記号

本規格で用いる単位
記号に対する引用規
格について規定して
いる。

−

MOD
/追加

追加項目：
図記号に関するJIS

(JIS Z 8203, JIS Z
8203) を記載

通常，一般的に広く使用さ
れている規格であり、商取
引上必要。IECへ提案を図
る。

6.分類

使用するﾃﾞﾊﾞｲｽの材
料，使用波長，構造，
並びにﾊﾟｯｹｰｼﾞ構造・
適用光ファイバなど
について規定してい
る。

IEC62007-
1

9.2
9.3

使用するﾃﾞﾊﾞ
ｲｽの材料・構
造及びﾊﾟｯｹｰ
ｼﾞ構造並びに
適用光ファイ
バについて規
定している。

MOD
/追加

追加項目：
使用波長、波長安定
化構造、光アイアソ
レート構造

最近の技術の進展に合わ
せてIEC規格の内容を見
直した。IECへ提案を図る。

C 5946：2005 (IEC 62007-1：1999)

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

7.最大定格

最大定格として規定
すべき項目と、保存温
度、動作温度の最大定
格として用いるべき
数値を規定している。

IEC62007-
1

9.5

JISで規定し
ている温度、
電源電圧、出
力光強度等の
他、振動、衝
撃試験などの
機械的耐久性
に関しても規
定している。

MOD
/追加
/削除

追加項目：
ペルチェ電圧を項
目に追加。また、温
度などの試験条件
に関する数値規定
を追加。

削除項目：
衝撃及び振動。

国内外で一般的に広く使
用されており、商習慣上必
要。IECへ提案を図る。

8.2項として独立させて記
載した。

8.性能
8.1電気的及
び光学的特性
8.2環境及び
耐久性に対す
る性能

電気・光学的特性及び
環境条件に対する性
能について規定して
いる。

IEC62007-
1

9.5
9.6

9.5項で最大
定格項目を規
定。
9.6項で電
気・光学的特
性項目を規
定。

MOD
/追加
/削除

追加項目：
特性項目としてｷﾝｸ
ﾌﾘｰ光出力，相対雑
音強度，ﾓﾆﾀ用ﾌｫﾄﾀﾞ
ｲｵｰﾄﾞ端子間容量を
追加。測定条件と
して使用する電流
値及び周波数値の
規定を追加。

削除項目：
高温時動作電流。

国内外で一般的に広く使
用されており、商習慣上必
要。IECへ提案を図る。

一般的には使用されてい
ない。IECへ提案を図る。

9.外形

外形は個別仕様書に
よると規定している。

IEC62007-
1

9.4

外形は個別仕
様書によると
規定。

IDT

−

10.測定

測定方法としてJIS C
5947を使用すること
を規定している。

IEC62007-
1

Annex A

測定方法は該
当するIECに
準拠すると規
定している。

MOD
/追加
/削除

JISC5947は，対応
するIEC規格が複
数の光能動部品に
対する規定になっ
ているため、光ファ
イバ増幅器用レー
ザモジュール以外
の記載内容を削除
したものである。

現在，測定方法に関する
IEC規格の改訂が検討され
ているところであり、IEC
に提案を図る。

C 5946：2005 (IEC 62007-1：1999)

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

11.表示

表示する項目を規定
している。

−

MOD
/追加

−

国内外で一般的に広く使
用されており、商習慣上必
要。IECに提案を図る。

12.取り扱い上
の注意事項

取り扱いに関する注
意事項を記述。

−

MOD
/追加

−

JISでは補充を行ってお
り、IECに提案を図る。

−

IEC62007-1 4

5

6

7

8

10

11

12

13

発光ダイオー
ドﾞの規定。

レーザモジュ
ールの規定。

pin型受光素
子の規定。

APDの規定。

Pin-FETモジ
ュールの規
定。

アナログ光伝
送用レーザモ
ジュールの規
定。

LEDアレイの
規定。

ディジタル光
伝送用光変調
器の規定。

TOパッケー
ジ入りのレー
ザダイオード
の規定。

MOD/削除

MOD/削除

MOD/削除

MOD/削除

MOD/削除

MOD/削除

MOD/削除

MOD/削除

MOD/削除

IECでは各章がそ
れぞれ別々の部品
に対応しており、全
体として複数の光
能動部品に対する
規定となっている
ため、光ファイバ増
幅器用レーザモジ
ュール以外の記載
内容を削除した。

削除した部分は別のJISと
して制定済み又は制定予
定である。

制定済み：
JISC5940（光伝送用半導体
レーザ通則）、JISC5944 (光
伝送用半導体レーザモジ
ュール通則)、JISC5950（光
伝送用発光ダイオード通
則）、JISC5990（光伝送用
フォトダイオード通則）

制定予定：
pin-FETモジュール・光変
調器モジュール・デュプレ
クサモジュール・LEDアレ
イ