C 5944：2005
（1）
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
まえがき
この規格は，工業標準化法に基づいて，日本工業標準調査会の審議を経て，経済産業大臣が改正した日
本工業規格である。
これによって，JIS C 5944:1996は改正され，この規格に置き換えられる。
改正に当たっては，日本工業規格と国際規格との対比，国際規格に一致した日本工業規格の作成及び日
本工業規格を基礎にした国際規格原案の提案を容易にするために，IEC 62007-1:1999，Semiconductor
optoelectronic devices for fibre optic system applications-Part 1 : Essential ratings and characteristicsを基礎として
用いた。
この規格の一部が，技術的性質をもつ特許権，出願公開後の特許出願，実用新案権，又は出願公開後の
実用新案登録出願に抵触する可能性があることに注意を喚起する。主務大臣及び日本工業標準調査会は，
このような技術的性質をもつ特許権，出願公開後の特許出願，実用新案権，又は出願公開後の実用新案登
録出願にかかわる確認について，責任はもたない。
JIS C 5944には，次に示す附属書がある。
附属書1（参考）光伝送用半導体レーザモジュールの個別仕様書の様式
附属書2（参考）光伝送用半導体レーザモジュール環境試験及び耐久性試験用個別仕様書の様式
附属書3（参考）代表的特性
附属書4（参考）静電気破壊のおそれがあるデバイスへの表示
附属書5（参考）JISと対応する国際規格との対比表
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日本工業規格 JIS
C 5944：2005
光伝送用半導体レーザモジュール通則
General rules of laser diode modules for fiber optic transmission
序文 この規格は，1999年に第1版として発行されたIEC 62007-1 Semiconductor optoelectronic devices for
fibre optic system applications-Part 1 : Essential ratings and characteristicsを翻訳し，技術的内容を変更して作成
した日本工業規格である。
なお，この規格で側線又は点線の下線を施してある箇所は，原国際規格を変更している事項である。変
更の一覧表をその説明を付けて，附属書5に示す。
1. 適用範囲 この規格は，光源として使用する光伝送用半導体レーザモジュール（以下半導体レーザモジュー
ルという。）の用語， 最大定格， 性能などの一般的共通事項について規定する。
備考1. ここでいう半導体レーザモジュールとは， 光ファイバピグテイル又は光ファイバ接続用のレセプ
タクルをもち，必要に応じて，温度センサ，電子冷却素子，モニタ用フォトダイオード，光アイソレータ
などを内蔵するものである。
2. この規格の対応国際規格を，次に示す。
なお，対応の程度を表す記号は，ISO/IEC Guide 21に基づき，IDT（一致している），MOD
（修正している），NEQ（同等でない）とする。
IEC 62007-1:1999，Semiconductor optoelectronic devices for fiber optic system applications-Part 1 :
Ratings and characteristics (MOD)
2. 引用規格 次に掲げる規格は，この規格に引用されることによって，この規格の規定の一部を構成す
る。これらの引用規格は，その最新版（追補を含む。）を適用する。
JIS C 0025 環境試験方法（電気・電子）温度変化試験方法
JIS C 6802 レーザ製品の放射安全性基準
JIS C 5945 光伝送用半導体レーザモジュール測定方法
JIS C 60068-2-1 環境試験方法−電気・電子−低温（耐寒性）試験方法
備考 IEC 60068 2-1:1990 Environmental testing - Part 2: Tests. Tests A: Coldが，この規格と一致してい
る。
JIS C 60068-2-2 環境試験方法−電気・電子−高温（耐熱性）試験方法
備考 IEC 60068-2-2:1974 Environmental testing - Part 2: Tests. Tests B: Dry heat が，この規格と一致し
ている。
JIS C 60068-2-3 環境試験方法（電気・電子）高温高湿（定常）試験方法
備考 IEC 60068-2-11:1981 Environmental testing - Part 2: Tests. Test Ka: Salt mistが，この規格と一致
している。
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C 5944：2005
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JIS C 60068-2-6 環境試験方法−電気・電子−正弦波振動試験方法
備考 IEC 60068-2-6:1995 Environmental testing - Part 2: Tests - Test Fc: Vibration (sinusoidal) が，この
規格と一致している。
JIS C 60068-2-7 環境試験方法−電気・電子−加速度（定常）試験方法
備考 IEC 60068-2-7:1983 Environmental testing. Part 2: Tests. Test Ga: Acceleration, steady state が，こ
の規格と一致している。
JIS C 60068-2-17 環境試験方法−電気・電子−封止（気密性）試験方法
備考 IEC 60068-2-17:1994 Basic environmental testing procedures - Part 2: Tests - Test Q: Sealingが，こ
の規格と一致している。
JIS C 60068-2-20 環境試験方法−電気・電子−はんだ付け試験方法
備考 IEC 60068-2-20 : 1979 Environmental testing. Part 2: Tests. Test T: Soldering並びに
Amendment1(1987)が，この規格と一致している。
JIS C 60068-2-21 環境試験方法−電気・電子−端子強度試験方法
備考 IEC 60068-2-21:1999, Environmental testing - Part 2-21: Tests - Test U: Robustness of terminations
and integral mounting devicesからの引用事項は，この規格の該当事項と同等である。
JIS C 60068-2-32 環境試験方法−電気・電子−自然落下試験方法
備考 IEC 60068-2-32:1975 Environmental testing. Part 2: Tests. Test Ed: Free fall並びにAmendment1
(1982) が，この規格と一致している。
JIS C 60068-2-38 環境試験方法（電気・電子）高湿度組合せ（サイクル）試験方法
備考 IEC 60068-2-38:1974 Environmental testing - Part 2: Tests. Test Z/AD: Composite
temperature/humidity cyclic test が，この規格と一致している。
JIS Z 8202-0 量及び単位−第0部：一般原則
JIS Z 8202-1 量及び単位−第1部：空間及び時間
JIS Z 8202-2 量及び単位−第2部：周期現象及び関連現象
JIS Z 8202-3 量及び単位−第3部：力学
JIS Z 8202-4 量及び単位−第4部：熱
JIS Z 8202-5 量及び単位−第5部：電気及び磁気
JIS Z 8202-6 量及び単位−第6部：光及び関連する電磁放射
JIS Z 8203 国際単位系(SI)及びその使い方
3. 定義 この規格で用いる主な用語の定義は次による。
a) 絶対最大定格（Absolute maximum rating） 瞬時でも超過してはならない限界値。どの一つの規格値
も超えてはならない。
b) 保存温度［Storage temperature(Tstg)］ 電源電圧及び入力信号を加えないときの周囲温度の許容範囲。
c) 周囲温度［Ambient temperature(Ta)］ 半導体レーザモジュールの置かれている雰囲気の温度。
d) 動作温度［Operating temperature(Top)］ 規定の電圧又は電流での動作保証されている周囲温度
［Operating ambient temperature(Top(a))］，ケース温度［Operating case temperature (Top(c) )］又はサブマウ
ント温度［Operating submount temperature (Top(sub))］。
備考 電子冷却素子付きモジュールの場合はケース温度に代えヒートシンク温度でもよい。
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e) しきい値電流［Threshold current(Ith)］ 誘導放出によるレーザ発振を開始する電流値。
f)
光ファイバ端出力［Radiant power(Pf)］ 光ファイバ端から取り出される光出力。発光素子自身の光
出力からファイバとの結合損失，ファイバの伝送損失を差し引いたもの。
g) しきい値光出力［Radiant power at threshold(Pth)］ しきい値における光出力値。
h) 動作電流［Operating current(Iop)］ 規定の光出力を得るときの順電流値。
i)
動作電圧［Operating voltage(Vop)］ 規定の光出力を得るときの順電圧値。
j)
スロープ効率［Differential efficiency(ηd)］ 動作電流での光ファイバ端出力と，しきい値電流又はし
きい値電流よりも高く，かつ，動作電流よりも十分低い電流での光ファイバ端出力について，これら
の光出力差を電流差で除したもの。
k) 縦モード(Longitudinal mode) 光軸に沿って伝搬する発振モードのスペクトルが離散的に存在してい
るときの，これらの個々の発光スペクトル。特に，一本の縦モードで発光しているときを単一縦モー
ド発振という。
l)
縦モード間隔(Mode spacing) 隣接する縦モードとの波長差。
m) 縦モード数(Number of longitudinal modes) 縦モードの合計数。通常はピークに対し，ある比を定め，
それ以上の強度をもつモードだけを数える。
n) ピーク発振波長［Peak emission wavelength(λp)］ レーザ発振が最強となる波長。
o) 中心発振波長［Central emission wavelength(λc)］ 発振スペクトルの中心の波長。次の測定法のうち
いずれかによって求めたものとする。
1) 包絡線法；それぞれの縦モードのピークを包絡線によって結び，その包絡線が縦モードのピークに
対し規定の値で切った時，最も長波長側の波長と，最も短波長側の波長の平均の波長。
2) N-dB法；ピーク発振波長の両側の波長帯で，ピークに対し規定の値となる波長のうち最も長い波長
側の縦モードの発振波長と，最も短い波長側の縦モードの発振波長の平均の波長。規定値が50％の
場合だけこの方法をしきい値法ともいう。
3) RMS法；n番目の縦モードの光出力（An）とその発振波長（λn）から，次の式を用いて求めた波長。
∑
∑
×
=
n
n
n
c
A
Aλ
λ
p) スペクトル幅［Spectral radiation bandwidth(∆λw)］ 発振スペクトルの広がり。
なお，最大のピークに対し50％になる発振スペクトルの広がり幅（全幅）は，特にスペクトル半値幅
（∆λ）という。スペクトル半値幅は，FWHM（半値全幅）ともいう。次の測定法のいずれかによって
求めるものとする。
1) 包絡線法；それぞれの縦モードのピークを包絡線によって結び，その包絡線が縦モードの最大のピ
ークに対し規定の値で切ったとき，最も長波長側の波長と最も短波長側の波長との差。
2) N-dB法；縦モードの最大のピークに対し規定の値で切ったときのスペクトル幅（シングルモード発
振の場合）。又は，縦モードの最大ピークに対し規定の値以上で発振する縦モードのうち，最も長波
長側の波長と最も短波長側の波長との差（マルチモード発振の場合）。
又は，発振している縦モードの最大のピークに対し規定の値（スペクトル半値幅を求める場合は最
大のピークに対し50％の値）になるスペクトル線の広がり幅（単一縦モード発振の場合）。
3) RMS法；n番目の縦モードの光レベル（An）とその発振波長（λn）から次の式を用いて求めた波長
幅。なお，Kは定数で目的に応じて選択（1， 2， 2.35， 3）し，明示する必要がある（2.35を選
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択した場合は，スペクトル形状をガウス分布とみなしたときにスペクトル半値幅に相当する。）
∑
∑
−
×
×
=
n
c
n
2
n
w
)
(
A
A
K
λ
λ
λ
∆
q) スペクトル線幅［Spectral linewidth(∆λL)］ 単一縦モード発振時のスペクトル線の広がり幅。スペク
トルの最大値に対して，規定の値になるスペクトル線の幅とし，通常周波数で表す。
r) サイドモード抑圧比［Side-mode suppression ratio(SMSR)］ レーザ発振が最強のモード（メインモー
ド）と2番目に大きいモード（サイドモード）のパワーの比。
s)
発振波長電流依存変動係数［Spectral shift with current (ΔλC)］ 動作電流を変化させたときに， 発
振波長が変化する係数。
t)
発振波長温度係数［Spectral shift with temperature (ΔλT)］ 周囲温度又は動作温度を変化させたと
きに， 発振波長が変化する係数。
u) 波長チャープ［Wavelength Chirp(Δf)］ レーザから放射される光パルスがONからOFF又はOFF
からONへ変化する時間領域での光スペクトル線変化量。通常Hzの単位で表す。
備考 必要に応じてnmを単位としても良いものとする。
v) 上昇時間［Rise time(tr)］ 光出力パルスが最大値の10％から90％まで増加するのに要する時間。
w) 下降時間［Fall time(tf)］ 光出力パルスが最大値の90％から10％まで減少するのに要する時間。
最大値とは，緩和振動後の定常値をいう。
x) ターンオン時間[Turn on time(ton)] 電流パルスの最大値の10%から光出力パルスの90%まで増加する
のに要する時間。
y) ターンオフ時間[Turn on time(toff)] 電流パルスの最大値の10%から光出力パルスの90%まで減少する
のに要する時間。
z) ターンオン遅延時間[Turn on delay time(td(on))] ターンオン時間と上昇時間の時間差。
aa) ターンオフ遅延時間[Turn off delay time(td(off))] ターンオフ時間と下降時間の時間差。
ab) 変調度[Modulation index(mi)] 平均信号電流振幅に対する信号電流振幅比。
ac) 遮断周波数［Cut-off frequency(ƒc)］ 規定のバイアス点で，正弦波を用いて小信号で変調を行ったと
き得られる被変調光出力の正弦波振幅が，低周波領域の十分に平たんな部分に対して3dB低下する周
波数。
ad) 相対強度雑音［Relative intensity noise(RIN)］ 単位周波数当たりの光強度雑音と平均光出力との比。
実際には，光のゆらぎがフォトダイオードなどの受光素子や増幅器を用いて測定，算出されるため，
規定の周波数において検出された雑音から受光素子のショット雑音と増幅器の熱雑音とを除き，半導
体レーザの平均出力（一般には受光器の光電流で検出）と測定周波数帯域とで除したものが対応する。
ae) C/N（信号対雑音強度比）［Carrier to noise ratio(C/N)］ 光出力の平均値の，光出力のゆらぎの大き
さに対する比。
af) 複合2次ひずみ［Composite Second-order distortion(CSO)］ 半導体レーザを電力の等しく規則的に
周波数配列された多チャンネルの正弦波信号で直接変調（アナログ変調）した場合に発生する2次の
相互変調ひずみのうち，同一の周波数に現れるものの電力和を近傍の1チャンネルの正弦波信号の電
力に対する比で表したもの。ただし，一般的には一つのチャンネルに対して，その映像帯域内での最
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大値を指すことが多い。合成第2次ひずみともいう。
ag) 複合3次ひずみ［Composite triple-beat distortion(CTB)］ 半導体レーザを電力の等しく規則的に周波
数配列された多チャンネルの正弦波信号で直接変調（アナログ変調）した場合に発生する3次の相互
変調歪のうち，同一の周波数に現れるものの電力和を近傍の1チャンネルの正弦波信号の電力に対す
る比で表したもの。ただし，一般的には一つのチャンネルに対して，その映像帯域内での最大値を指
すことが多い。合成第3次ひずみともいう。
ah) 2次相互変調ひずみ［Two-tone second order intermodulation distortion(IMD2)］ 半導体レーザを2チ
ャンネルの正弦波信号で直接変調(アナログ変調)した場合に発生する2次の変調ひずみのうち同一の
周波数に現れるものの電力和を近傍の1チャンネルの正弦波信号の電力に対する比で表したもの。
ai) 3次相互変調ひずみ［Two-tone third order intermodulation distortion(IMD3)］ 半導体レーザを2チ
ャンネルの正弦波信号で直接変調(アナログ変調)した場合に発生する3次の変調歪みのうち同一の周
波数に現れるものの電力和を近傍の1チャンネルの正弦波信号の電力に対する比で表したもの。
aj) モニタ用フォトダイオード出力電流[Monitor current (Im)] モニタ用フォトダイオードの出力電流値。
ak) モニタ用フォトダイオード暗電流[Dark current of photodiode(Id)] 半導体レーザモジュールを発光さ
せないときにモニタ用フォトダイオードに流れる電流値。
al) モニタ用フォトダイオード端子間容量[Photodiode capacitance（Ct）] モニタ用フォトダイオードの
端子間の容量。
am) トラッキングエラー［Tracking error (Er1，Er2 又はEr )］ 半導体レーザモジュールに内蔵されてい
るモニタ用フォトダイオードを用いて，APC (Automatic Power Control；自動出力制御) 動作状態にお
いて，規定の動作温度範囲で温度変化させたときに生じる光出力の変動量。次の二つの測定方法があ
る。
1) APC動作状態において，基準の動作温度(通常は25℃)における光出力の値を基準値とし，規定の動
作温度範囲で温度変化をさせた時に，基準値と光出力が減少する方向の最大変動幅との比を（Er1），
基準値と光出力が増加する方向の最大変動幅との比を（Er12）とする。
2) APC動作状態において， 基準の動作温度における光出力の値を基準値とし， 動作温度範囲内の特
定温度における光出力との比の最大値(Er )とする。
an) サーミスタ抵抗［Resistance(R)］ 内蔵されている温度検出用のサーミスタの抵抗。
ao) サーミスタB定数 (B) サーミスタの抵抗−温度特性を示す次のB。材料によって決まる定数である。
−
=
2
1
2
1
1
1
exp
T
T
B
R
R
ここに、R1，R2はそれぞれ絶対温度T1，T2での抵抗値
ap) ペルチェ電流［Peltier current (IPE)］ 内蔵されている温度制御用ペルチェクーラの電流値。
aq) ペルチェ電圧［Peltier voltage (VPE)］ 内蔵されている温度制御用ペルチェクーラの電圧値。
ar) 光ファイバ許容曲げ半径［Minimum bend radius of pigtail (rmin)］ ピグテイル形の半導体レーザモジ
ュールで，許容されるピグテイルの最小曲げ半径。
as) 光ファイバ引張強度［Tensile force on fiber (F)］ ピグテイル形の半導体レーザモジュールで，許容
されるピグテイルファイバの最大引張強度。
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4. 個別仕様書 個々の半導体レーザモジュールの絶対最大定格，性能，外形などはこの規格の規定に従
って個別仕様書に規定するものとする。個別仕様書の様式は，附属書1を推奨する。
5. 単位記号 この規格で用いる単位記号は，JIS Z 8202-0,JIS Z 8202-1,JIS Z 8202-2,JIS Z 8202-3,JIS Z
8202-4,JIS Z 8202-5,JIS Z 8202-6及びJIS Z 8203による。
6. 分類 半導体レーザモジュールの分類は，表1による。
表 1 半導体レーザモジュールの分類
分類項目
種類
大項目
小項目
結晶材
料
―
アルミニウムガリウムひ素（AlGaAs）／ガリウムひ素（GaAs）／
インジウムガリウムひ素(InGaAs)／インジウムガリウムひ素りん
（InGaAsP）／インジウムりん（InGaAsP/InP）など
波長帯
―
650 nm帯， 850 nm帯，1 300 nm帯，1 550 nm帯など
素子構
造
接合構造
ダブルヘテロ（DH）接合形，分離閉じ込めヘテロ接合，量子井戸構
造など
ストライプ構造
利得導波形，屈折率導波形など
帰還構造
ファブリペロー形，分布帰還形（DFB），分布ブラッグ反射形（DBR）
など
光ファ
イバ
―
マルチモード光ファイバ(石英系，多成分系，プラスチッククラッド
系)，シングルモード光ファイバ，偏波面保存光ファイバなど
パッケ
ージ構
造
光出力構造
光ファイバピグテイル形，レセプタクル形
モニタ出力構造
フォトダイオード内蔵形など
端子構造
同軸形，デュアルインラインパッケージ形，バタフライ形など
温度制御構造
温度制御なし，電子冷却素子内蔵形，サーミスタ内蔵形など
光アイソレート構造
アイソレータなし，アイソレータ内蔵形など
用途
―
低速用，高速用，長距離通信用，中短距離通信用，ディジタル用，ア
ナログ用など
その他
温度センサ付など
7. 最大定格 半導体レーザモジュールの最大定格は，絶対最大定格とする。最大定格の規定項目は，表
2による。保存温度又は動作温度の規定値は，表3〜表4の値を推奨する。個別規格における最大定格の規
定の様式は附属書1表1を推奨する。
表 2 絶対最大定格（特に指定のない限り，周囲温度，ケース温度又はサブマウント温度は25℃とする）
項目
記号
条件
最大定格値
単位
温 度
保存温度
Tstg
−＿〜+＿
℃
動作温度
Top
−＿〜+＿
℃
はんだ付け温度
Tsld
はんだ付け時間を規
定
＿
℃
レーザ
電圧
直流逆電圧
Vrl
＿
V
電流
直流順電流
Ifl
(4)
＿
mA
光出力 光ファイバ端出力
Pf
(4)
＿
mW
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モニタ用フォト
ダイオード
直流逆電圧(1)
Vrd
＿
V
順電流(1)
Ifd
＿
mA
ペルチェクーラ
ペルチェ電圧(2)
VPE
＿
V
ペルチェ電流(2)
IPE
＿
A
サーミスタ
消費電力(2)
Ptot
＿
W
供給電圧(2)
Vsupp
＿
V
光ファイバ
光ファイバ許容曲げ半径
(3)
Rmin
＿
mm
光ファイバ引張強度(3)
F
＿
N
注(1) モニタ用フォトダイオードを内蔵している場合に適用する。
(2)
ペルチェ電圧，ペルチェ電流は温度制御用ペルチェクーラを内蔵している場合に適用する。
(3)
光ファイバピグテイル形に適用する。
(4) CW規定。必要に応じて変調時にて規定する。
備考 絶対最大定格値の欄で下線の部分は，通常記入する。
表 3 保存温度(Tstg )
単位℃
下限値
0
-20
-40
-55
-65
上限値
60
70
85
100
125
表 4 動作ケース温度又は動作サブマウント温度［Top(c)又はTop(sub)］
単位℃
下限値
0
-10
-20
-30
-40
上限値
40
50
60
70
85
100
8. 性能
8.1
電気的特性及び光学的特性 半導体レーザモジュールの電気的特性及び光学的特性の規定項目は，
表5(デジタル伝送用)及び表6 (アナログ伝送用)による。特性を測定する条件として与える電流値，変調信
号の繰返し周波数の規定値は表7及び表8の値を推奨する。個別規格における電気的特性及び光学的特性
の規定様式は，附属書1表2（デジタル伝送用）及び附属書1表3（アナログ伝送用）を推奨する。また，
代表特性については附属書3を参照する。
表 5 デジタル伝送用（特に指定のない限り，周囲温度，ケース温度又はサブマウント温度は25℃とする）
項目
記号
試験条件
最小値 標準値 最大値
単位
しきい値電流
Ith
CW
̲
̲
̲
mA
動作電流
Iop
CW又は変調(5)
̲
̲
̲
mA
スロープ効率
ηd
̲
̲
̲
mW/m
A
動作電圧
Vop
CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
V
光ファイバ端出力
Pf
CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
mW
8
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しきい値光出力(6)
Pth
CW
̲
̲
mW
ピーク発振波長(7)
λp
CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
̲
nm
中心発振波長(7)
λc
CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
̲
nm
スペクトル幅(8)
Δλw
CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
nm
スペクトル半値幅(8)
Δλ
CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
nm
サイドモード抑圧比(6)
SMSR CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
dB
発振波長電流依存変動係
数
Δλc
CW又は変調(5)，
If = 〜 mA
̲
̲
nm/m
A
発振波長温度依存性
ΔλT
CW又は変調(5)，
Pf= 〜 mW
̲
̲
nm/℃
波長チャープ(6)
Δf
変調(5)，If=Iop
̲
Hz
上昇時間(9)
tr
Ib=
̲
̲
ns
下降時間(9)
tf
Ib=
̲
̲
ns
遮断周波数(9)
fc
If=Iop
̲
̲
GHz
C/N比(5)， (10)
C/N
̲
̲
dB
相対強度雑音(6)， (10)
RIN
CW，If=Iop
̲
̲
̲
dB/Hz
モニタ用フォトダイオー
ド暗電流(11)
Id
Vrd=
̲
̲
A
モニタ用フォトダイオー
ド出力電流(11)
Im
CW又は変調(4)，
Pf= 〜 mW
̲
̲
̲
μA
モニタ用フォトダイオー
ド端子間静電容量(11)
Ct
Vrd=，f=
̲
̲
pF
トラッキングエラー(11) ，
(12)
Er
Er1/ Er2
Top(c)又はTop(sub)=
̲ ̲
̲ ̲
dB
％
サーミスタ抵抗(13)
R
̲
̲
̲
kΩ
サーミスタB定数(13)
B
̲
̲
̲
K
ペルチェ電流(14)
Ipe
ΔT=
̲
̲
A
ペルチェ電圧(14)
Vpe
ΔT=
̲
̲
V
表 6 アナログ伝送用（特に指定のない限り，周囲温度，ケース温度又はサブマウント温度は25℃とする）
項目
記号
試験条件
最小値 標準値 最大値
単位
しきい値電流
Ith
CW
̲
̲
̲
mA
動作電流
Iop
CW又は変調(5)
̲
̲
̲
mA
スロープ効率
ηd
̲
̲
̲
mW/m
A
動作電圧
Vop
CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
V
ファイバ端光出力
Pf
CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
mW
ピーク発振波長(7)
λp
CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
̲
nm
中心発振波長(7)
λc
CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
̲
nm
スペクトル線幅(6)
ΔλL
CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
MHz
サイドモード抑圧比(6)
SMSR CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
dB
相対強度雑音(6)，(10)
RIN
CW，If＝Iop
̲
̲
̲
dB/Hz
複合2次ひずみ
CSO f =，If＝Iop
̲
̲
̲
dBc
複合3次ひずみ
CTB m=，Rmodule=
̲
̲
̲
dBc
2次相互変調ひずみ
IMD2
Pf=̲mW，f =̲Hz，m=̲%
̲
̲
̲
dB
3次相互変調ひずみ
IMD3
Pf=̲mW，f =̲Hz，m=̲%
̲
̲
̲
dB
9
C 5944：2005
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
モニタ用フォトダイオー
ド暗電流(11)
Id
Vrd=
̲
̲
A
モニタ用フォトダイオー
ド出力電流(11)
Im
CW又は変調(5)， If=Iop，
Vrd=
̲
̲
̲
μA
モニタ用フォトダイオー
ド端子間静電容量(10)
Ct
Vrd=，f =
̲
̲
pF
トラッキングエラー(11)，
(12)
Er
Er1/ Er2
Top(c)又はTop(sub)=
̲ ̲
̲ ̲
dB
％
サーミスタ抵抗(13)
R
̲
̲
̲
kΩ
サーミスタB定数(13)
B
̲
̲
̲
K
冷却温度差(14)
ΔT
Top(c)又はTop(sub)=
̲
℃
ペルチェ電流(14)
Ipe
ΔT=
̲
̲
A
ペルチェ電圧(14)
Vpe
ΔT=
̲
̲
V
注(5) 変調条件は， 個別に規定する。
(6) 用途によって選択する。
(7) ピーク発振波長又は中心発振波長のいずれかの選択でよい。また，測定方法も包絡線法，N-dB
法又はRMS法のいずれかの選択でよいが，測定方法を明記する。
(8) スペクトル幅又はスペクトル半値幅のいずれかの選択でよい。また，測定方法も包絡線法，N-dB
法又はRMS法のいずれかの選択でよいが，測定方法を明記する。
(9) 上昇時間と下降時間のセット，又は遮断周波数のいずれかの選択でよい。
(10) キャリアノイズ比（CN比）又は相対雑音強度のいずれかの選択でよい。
(11) モニタ用フォトダイオード内蔵形に適用する。
(12) 測定方法を明記する。
(13) サーミスタを内蔵している場合に適用する。
(14) 温度制御用ペルチェクーラを内蔵している場合に適用する。
備考1. 最大値，標準値及び最小値の欄で下線の部分は，通常記入する。
2. 試験条件での記号の説明
a) CW ；連続動作
b) Vrd ；モニタ用フォトダイオード逆電圧
d) f ；測定周波数
e) m ；変調率
f) Rmodule ；リターンロス（ファイバからモジュールへの）
g) Ib ；バイアス電流
表 7 特性を規定する測定条件として与える電流値
単位 ×10n A
電流値
1 1.25 1.5 2 2.5 3 4 5 6 7 8 9
備考 nは，整数とする。
10
C 5944：2005
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
表 8 特性を規定する測定条件として与える繰返し周波数
単位 ×10n A
繰返し周波数
1 1.25 1.5 2 2.5 3 4 5 6 7 8 9
備考 nは，整数とする。
8.2
環境及び耐久性に対する性能 半導体レーザモジュールの環境及び耐久性に対する性能性能の規定
は，表9による。個別規格における環境及び耐久性に対する規定様式は附属書2を推奨する。
表 9 環境試験 及び 耐久性試験
項 目
試験条件
適用
(15)
抜取方式
適用規格
検査水準 AQL
はんだ耐熱性
温度 ＿ ± ＿ ℃
JIS C 60068-2-20
温度サイクル
低温 ＿ ℃，高温 ＿ ℃
保持時間 ＿ min，
移動時間 ＿ min，回数 ＿ 回
JIS C 0025
熱衝撃
高温 ＿ ℃，保持時間 ＿ min，
低温 ＿ ℃，保持時間 ＿ min，
移動時間 ＿ s，回数 ＿ 回
JIS C 0025
温湿度サイクル 高温 ＿ ℃，高温側相対湿度 ＿ ％，
保持時間 ＿ min，
低温 ＿ ℃ 低温側相対湿度 ＿ ％，
保持時間 ＿ min，
移動時間 ＿ min，回数 ＿ 回
JIS C 60068-2-38
気密性
加圧圧力 ＿ Pa，
加圧時間 ＿ h（必要がある場合）
JIS C 60068-2-17
自然落下 (16)
高さ ＿ cm，回数 ＿ 回
JIS C 60068-2-32
衝撃 (16)
方向 ＿ ，最高加速度 ＿ m/s2，
パルス幅 ＿ ms，回数 ＿ 回
JIS C 60068-2-27
定加速度
方向 ＿ ，加速度 ＿ m/s2，
パルス幅 ＿ ms，回数 ＿ 回
周波数 ＿〜＿ Hz，
JIS C 60068-2-7
振動
全振幅 又は 加速度 ＿m/s2，
方向 ＿ ，時間 ＿ h
JIS C 60068-2-6
端子強度
荷重 ＿ N，回数 ＿ 回
JIS C 60068-2-21
塩水噴霧
時間 ＿ h
JIS C 60068-2-11
高温保存
温度 ＿ ℃，時間 ＿ h
JIS C 60068-2-2
低温保存
温度 ＿ ℃，時間 ＿ h
JIS C 60068-2-1
動作寿命
ケース温度（又は周囲温度）＿ ℃，
定光出力動作 光出力 ＿ mW，
時間 ＿ h
ピグテイル強度
(17)
引張力＿ N， 曲げ半径＿ cm
耐湿性
温度 ＿ ℃，相対湿度 ＿ ％，
時間 ＿ h
JIS C 60068-2-3
11
C 5944：2005
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
注(15) 合否判定基準を適用する項目に○印を記入する。
(16) 自然落下又は衝撃のいずれかを規定する。
(17) 光ファイバピグテイル形に適用する。
備考 試験条件の欄で下線の部分は条件値を記入する。
9. 外形 外形は個別の規定による。
10. 測定 半導体レーザモジュールの測定は，個別仕様書に規定がない限り，JIS C 5945による。
11. 表示 半導体レーザモジュールには，次の項目を表示しなければならない。ただし，個々の半導体レ
ーザモジュールに表示することが困難な場合には，包装に表示してもよい。
a) 形名（製造業者の指定による。）
b) 製造業者名又はその略号
c) 製造年月又は製造ロット番号若しくはそれらの略号
d) 静電気によって破壊のおそれがあり， 取扱い上， 注意を必要とするデバイスであることを表示する
記号。なお，静電破壊の注意を必要とするデバイスであることを表示する場合は，附属書4を推奨す
る。
e) JIS C 6802 に基づく表示
12. 取扱い上の注意事項 静電気破壊のおそれがある半導体レーザモジュールに対しては，次の事項に注
意する。
a) 移送，保管及び放置の際は，静電気導電材料，帯電防止処理材料などを用い，静電気の帯電を防止す
る。
b) 測定は，静電気の発生しない場所で行う。相対湿度は，50%程度が望ましい。また，静電気の発生を
防ぐためには，取扱者，工具及び測定器類の電位と被測定半導体レーザモジュールを同電位にするこ
とが望ましい。
12
C 5944：2005
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書1（参考）光伝送用半導体レーザモジュールの個別仕様書の様式
1
適用範囲 この半導体レーザモジュールは，光出力取出し部としてaを備え， bの結晶材料からなる
半導体レーザを備えた， モニタフォトダイオード，電子冷却素子，アイソレータc形の半導体レーザモ
ジュールで，主にd伝送用に設計されたものである。
分類例 a:光ファイバピグテイル，レセプタクル
b: AlGaAs/GaAs，InGaAsP/InPなど
c:内蔵，非内蔵
d: 高速ディジタル，低速アナログなど
2
一般事項 一般事項は，本体による。
3
外形及び電極接続
3.1 外形 外形図
3.2 電極接続 リード又は端子 端子名
1
2
3
4
ケース
4
絶対最大定格
附属書1表 1 絶対最大定格（特に指定のない限り，周囲温度，ケース温度又はサブマウント温度は25℃
とする）
項目
記号
条件
最大定格値
単位
温 度
保存温度
Tstg
−＿〜+＿
℃
動作温度
Top
−＿〜+＿
℃
はんだ付け温度
Tsld
はんだ付け時間を規
定
＿
℃
レーザ
電圧
直流逆電圧
Vrl
＿
V
電流
直流順電流
Ifl
(4)
＿
mA
光出力
光ファイバ端出力
Pf
(4)
＿
mW
モニタ用フォト
ダイオード
直流逆電圧(1)
Vrd
＿
V
順電流(1)
Ifd
＿
mA
ペルチェクーラ
ペルチェ電圧(2)
VPE
＿
V
ペルチェ電流(2)
IPE
＿
A
サーミスタ
消費電力(2)
Ptot
＿
W
供給電圧(2)
Vsupp
＿
V
光ファイバ
光ファイバ許容曲げ半径
(3)
Rmin
＿
mm
光ファイバ引張強度(3)
F
＿
N
注(1) モニタ用フォトダイオードを内蔵している場合に適用する。
(2) ペルチェ電圧，ペルチェ電流は温度制御用ペルチェクーラを内蔵している場合に適用する。
13
C 5944：2005
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(3) 光ファイバピグテイル形に適用する。
(4) CW規定。必要に応じて変調時にて規定する。
備考 絶対最大定格値の欄で下線の部分は，通常記入する。
5
電気的特性，光学的特性
附属書1表 2 デジタル伝送用
（特に指定のない限り，周囲温度，ケース温度又はサブマウント温度は25℃とする）
項目
記号
試験条件
最小値 標準値 最大値
単位
しきい値電流
Ith
CW
̲
̲
̲
mA
動作電流
Iop
CW又は変調(5)
̲
̲
̲
mA
スロープ効率
ηd
̲
̲
̲
mW/m
A
動作電圧
Vop
CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
V
光ファイバ端出力
Pf
CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
mW
しきい値光出力(6)
Pth
CW
̲
̲
mW
ピーク発振波長(7)
λp
CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
̲
nm
中心発振波長(7)
λc
CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
̲
nm
スペクトル幅(8)
Δλw
CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
nm
スペクトル半値幅(8)
Δλ
CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
nm
サイドモード抑圧比(6)
SMSR CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
dB
発振波長電流依存変動係
数
Δλc
CW又は変調(5)，
If = 〜 mA
̲
̲
nm/m
A
発振波長温度依存性
ΔλT
CW又は変調(5)，
Pf= 〜 mW
̲
̲
nm/℃
波長チャープ(6)
Δf
変調(5)，If=Iop
̲
Hz
上昇時間(9)
tr
Ib=
̲
̲
ns
下降時間(9)
tf
Ib=
̲
̲
ns
遮断周波数(9)
fc
If=Iop
̲
̲
GHz
C/N比(5)， (10)
C/N
̲
̲
dB
相対強度雑音(6)， (10)
RIN CW，If=Iop
̲
̲
̲
dB/Hz
モニタ用フォトダイオー
ド暗電流(11)
Id
Vrd=
̲
̲
A
モニタ用フォトダイオー
ド出力電流(11)
Im
CW又は変調(4)，
Pf= 〜 mW
̲
̲
̲
μA
モニタ用フォトダイオー
ド端子間静電容量(11)
Ct
Vrd=，f =
̲
̲
pF
トラッキングエラー(11) ，
(12)
Er
Er1/ Er2
Top(c)又はTop(sub)=
̲
̲
̲
̲
dB
％
サーミスタ抵抗(13)
R
̲
̲
̲
kΩ
サーミスタB定数(13)
B
̲
̲
̲
K
ペルチェ電流(14)
Ipe
ΔT=
̲
̲
A
ペルチェ電圧(14)
Vpe
ΔT=
̲
̲
V
14
C 5944：2005
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書1表 3 アナログ伝送用
（特に指定のない限り，周囲温度，ケース温度又はサブマウント温度は25℃とする）
項目
記号
試験条件
最小値 標準値 最大値
単位
しきい値電流
Ith
CW
̲
̲
̲
mA
動作電流
Iop
CW又は変調(5)
̲
̲
̲
mA
スロープ効率
ηd
̲
̲
̲
mW/m
A
動作電圧
Vop
CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
V
光ファイバ端出力
Pf
CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
mW
ピーク発振波長(7)
λp
CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
̲
nm
中心発振波長(7)
λc
CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
̲
nm
スペクトル線幅(6)
ΔλL
CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
MHz
サイドモード抑圧比(6)
SMSR CW又は変調(5)，If=Iop
̲
̲
dB
相対強度雑音(6)，(10)
RIN
CW，If＝Iop
̲
̲
̲
dB/Hz
複合2次ひずみ
CSO f =，If＝Iop
̲
̲
̲
dBc
複合3次ひずみ
CTB m=，Rmodule=
̲
̲
̲
dBc
2次相互変調ひずみ
IMD2 Pf=̲mW，f =̲Hz，m=̲%
̲
̲
̲
dB
3次相互変調ひずみ
IMD3
Pf=̲mW，f =̲Hz，m=̲%
̲
̲
̲
dB
モニタ用フォトダイオー
ド暗電流(11)
Id
Vrd=
̲
̲
A
モニタ用フォトダイオー
ド出力電流(11)
Im
CW又は変調(5)， If=Iop，
Vrd=
̲
̲
̲
μA
モニタ用フォトダイオー
ド端子間静電容量(10)
Ct
Vrd=，f =
̲
̲
pF
トラッキングエラー(11)，
(12)
Er
Er1/ Er2
Top(c)又はTop(sub)=
̲ ̲
̲ ̲
dB
％
サーミスタ抵抗(13)
R
̲
̲
̲
kΩ
サーミスタB定数(13)
B
̲
̲
̲
K
冷却温度差(14)
ΔT
Top(c)又はTop(sub)=
̲
℃
ペルチェ電流(14)
Ipe
ΔT=
̲
̲
A
ペルチェ電圧(14)
Vpe
ΔT=
̲
̲
V
注(5) 変調条件は， 個別に規定する。
(6) 用途によって選択する。
(7) ピーク発振波長又は中心発振波長のいずれかの選択でよい。また，測定方法も包絡線法，N-dB
法又はRMS法のいずれかの選択でよいが，測定方法を明記する。
(8) スペクトル幅又はスペクトル半値幅のいずれかの選択でよい。また，測定方法も包絡線法，N-dB
法又はRMS法のいずれかの選択でよいが，測定方法を明記する。
(9) 発振波長電流依存変動係数又は発振波長光出力依存係数のいずれか一項目を適用する。
(10) 上昇時間と下降時間のセット，又は遮断周波数のいずれかの選択でよい。
(11) キャリアノイズ比（CN比）又は相対雑音強度のいずれかの選択でよい。
(12) モニタ用フォトダイオード内蔵形に適用する。
(13) 測定方法を明記する。
(14) サーミスタを内蔵している場合に適用する。
15
C 5944：2005
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(15) 温度制御用ペルチェクーラを内蔵している場合に適用する。
備考1. 最大値，標準値及び最小値の欄で下線の部分は，通常記入する。
2. 試験条件での記号の説明
a) CW ；連続動作
b) Vrd ；モニタ用フォトダイオード逆電圧
d) f ；測定周波数
e) m ；変調率
f) Rmodule ；リターンロス（ファイバからモジュールへの）
g) Ib ；バイアス電流
16
C 5944：2005
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書2（参考）光伝送用半導体レーザモジュール環境試験及び耐久性試験
用個別仕様書の様式
1
環境試験及び耐久性試験
附属書2表 1 環境試験及び耐久性試験
項 目
試験条件
適用
(15)
抜取方式
引用規格
検査水準 AQL
はんだ耐熱性
温度 ＿ ± ＿ ℃
JIS C 60068-2-20
温度サイクル
低温 ＿ ℃，高温 ＿ ℃
保持時間 ＿ min，
移動時間 ＿ min，回数 ＿ 回
JIS C 0025
熱衝撃
高温 ＿ ℃，保持時間 ＿ min，
低温 ＿ ℃，保持時間 ＿ min，
移動時間 ＿ s，回数 ＿ 回
JIS C 0025
温湿度サイクル 高温 ＿ ℃，高温側相対湿度 ＿ ％，
保持時間 ＿ min，
低温 ＿ ℃ 低温側相対湿度 ＿ ％，
保持時間 ＿ min，
移動時間 ＿ min，回数 ＿ 回
JIS C 60068-2-38
気密性
加圧圧力 ＿ Pa，
加圧時間 ＿ h（必要がある場合）
JIS C 60068-2-17
自然落下 (1)
高さ ＿ cm，回数 ＿ 回
JIS C 60068-2-32
衝撃 (2)
方向 ＿ ，最高加速度 ＿ m/s2，
パルス幅 ＿ ms，回数 ＿ 回
JIS C 60068-2-27
定加速度
方向 ＿ ，加速度 ＿ m/s2，
パルス幅 ＿ ms，回数 ＿ 回
周波数 ＿〜＿ Hz，
JIS C 60068-2-7
振動
全振幅 又は 加速度 ＿m/s2，
方向 ＿ ，時間 ＿ h
JIS C 60068-2-6
端子強度
荷重 ＿ N，回数 ＿ 回
JIS C 60068-2-21
塩水噴霧
時間 ＿ h
JIS C 60068-2-11
高温保存
温度 ＿ ℃，時間 ＿ h
JIS C 60068-2-2
低温保存
温度 ＿ ℃，時間 ＿ h
JIS C 60068-2-1
動作寿命
ケース温度（又は周囲温度）＿ ℃，
定光出力動作 光出力 ＿ mW，
時間 ＿ h
ピグテイル強度
(3)
引張力＿ N， 曲げ半径＿ cm
耐湿性
温度 ＿ ℃，相対湿度 ＿ ％，
時間 ＿ h
JIS C 60068-2-3
注(1) 合否判定基準を適用する項目に○印を記入する。
(2) 自然落下又は衝撃のいずれかを規定する。
(3) 光ファイバピグテイル形に適用する。
17
C 5944：2005
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
備考 . 試験条件の欄で下線の部分は条件値を記入する。
2
合否判定基準
附属書2表 2 合否判定基準
項目
測定条件
許容値
単位
測定方法
最小値
最大値
JIS C 5945
しきい値電流
算出方法̲̲̲̲
̲
̲
mA
6.5
動作電流(4)
光出力̲̲̲̲mW
̲
̲
mA
6.1
ファイバ端光出力
(4)
電流̲̲̲̲mA
̲
̲
mW
6.4
モニタ出力電流(5)
光出力 mW
モニタ用フォトダイオード
逆電圧̲̲̲̲V
̲
̲
μA
モニタ用フォトダ
イオード暗電流(5)
モニタ用フォトダイオード
逆電圧̲̲̲̲V
̲
̲
μA
注(4) 動作電流又はファイバ端光出力のいずれか一方を適用する。
(5) モニタ用フォトダイオード内蔵形に適用する。
備考 モニタ用フォトダイオード内蔵形に適用する。
18
C 5944：2005
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書3（参考）代表的特性
ある物理量に依存する特性のように，図で示すことで半導体レーザモジュールの性能の把握が容易にな
る特性に関して，製造業者は同一種類の半導体レーザモジュールについて平均的に得られる特性を，その
代表的特性として図示することが望ましい。
例 規定の光出力，ケース温度での平均寿命
代表的な光出力時の順電流値
クーラ電流の変化に対するサーミスタの応答特性
半導体レーザダイオード接合面とケース間の熱抵抗（クーラなしのモジュールの場合）
19
C 5944：2005
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書4（参考）静電気破壊のおそれがあるデバイスへの表示
静電気によって破壊をするおそれがあり，取扱い上注意を必要とするデバイスであることを表示する記号
は，次による。
1
記号の使用 実用上適している内装が可能ならばデバイス上に表示するか，又はデータシート，保管
容器，特別な防護用の包みなどに表示する。
附属書4図2は，デバイス上に縮小して使用する場合に簡略化した記号である。
2
記号の色
附属書4表1
記号の種類
色
附属書4図1
下地は識別できれば，単一色で何色でもよい。 主に印刷によって表示する。
附属書4図2
ただし，赤色は，除く。
主にラベルによって表示する。
附属書4図3
下地は黄色とする。文字及び記号は，黒色と
する。
附属書4図 1 記号
附属書4図 2 縮小する場合の簡略化した記号
附属書4図 3 文字と組合せた記号
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C 5944：2005
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書5（参考）JISと対応する国際規格との対比表
JIS C 5944：2005 光伝送用半導体レーザモジュール通則
IEC 62007-1:1999, Semiconductor optoelectronic devices for fibre optic system
applications - Part 1 : Essential ratings and characteristic
(Ⅰ) JISの規定
(Ⅱ) 国際
規格番号
(Ⅲ) 国際規格の規定
(Ⅳ) JISと国際規格との技術的差異
の項目ごとの評価及びその内容
表示箇所：本文の左側
表示方法：傍線
(Ⅴ) JISと国際規格との技術的差異の理由
及び今後の対策
項目
番号
内容
項目
番号
内容
項目ごと
の評価
技術的差異の内容
1999年以降、伝送用光能動部品のIEC
規格がTC47（半導体デバイス）から
TC86（光ファイバシステム）への体系
移行が行われた。これに伴い規格体系
がTC47の部品ごとの規格体系から
TC86の応用システムごとの規格体系へ
の再編が進められている。JISでは管轄
がTC47のときから部品ごとに分けて
順次、審議してきた経緯により、審議
済みの規格は、部品ごとの規格として
きている。なお、IECでは複数の部品
が一つの規格となっており、引き続き
審議検討予定である。いままでJISで審
議を行ってきた個々の部品を除き、今
後新規に検討を開始するJISについて
は、TC86の規格体系に合わせて整合を
図っていく予定である。
1.適用範
囲
光伝送用半導体ﾚｰｻﾞﾓｼﾞｭｰ
ﾙの用語、記号、分類、最
大定格、性能などの一般的
な共通事項について規定
している。
IEC
62007-1
1
5.1
10.1"
光ファイバ増幅器用レ
ーザモジュール以外の
製品である、一般のレー
ザモジュールやLED、
pin-FETモジュールなど
光能動部品全般に広く
適用する記号、分類、最
大定格、性能などの一般
的な共通事項としてま
MOD/削
除
IECでは複数の光能動
部品に対する規定と
なっているため、光伝
送用ﾚｰｻﾞﾓｼﾞｭｰﾙ及び
アナログ伝送用ﾚｰｻﾞﾓ
ｼﾞｭｰﾙ以外の製品を適
用範囲から削除した。
削除した製品は別のJISとして制定済
み又は制定予定である。
制定済み：
JIS C 5940（光伝送用半導体レーザ）、
JIS C 5942 (光伝送用半導体レーザモジ
ュール)、JIS C 5950（光伝送用発光ダ
イオード）、JIS C 5990（光伝送用フォ
トダイオード）
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C 5944：2005
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
とめてある。
5.1を光伝送用レーザモ
ジュール 10.1項をア
ナログ伝送用レーザモ
ジュールに適用する項
目と規定。
制定予定：
pin-FETモジュール・光変調器モジュー
ル・デュプレクサモジュール・光ファ
イバ増幅器用レーザモジュール・ＬＥ
Ｄアレイ
2.引用規
格
JIS C 60068-2-1
JIS C 60068-2-2
JIS C 60068-2-3
JIS C 60068-2-11
JIS C 0025
JIS C 60068-2-17
JIS C 60068-2-38
JIS C 60068-2-6
JIS C 60068-2-32
JIS C 60068-2-7
JIS C 60068-2-20
JIS C 60068-2-21
JIS C 5947
JIS C 6802
JIS Z 8202
JIS Z 8203
IEC62007
-1
2
ﾚｰｻﾞ安全規格を引用。
MOD/追
加
IEC規格では、レーザ
安全規格について触
れているが、環境試験
規格や単位記号につ
いては触れていない。
JISでは本規格の補充を行っており、提
案を図る。
3.用語の
定義
絶対最大定格及び電気光
学的特性等の各項目にお
いて使用される用語を定
義している。
IEC62007
-1
3
他のﾚｰｻﾞ規格に無い用
語のみを説明、一般的な
用語の定義については
別規格（IEC60747-5-1）
となっている。
MOD/追
加
追加項目：スペクトル
線幅，トラッキングエ
ラー（方法2）
また、各用語に説明を
追加
IEC規格への追加提案を図る。
4.個別仕
様書
個別仕様書において規定
する内容を規定している。
−
−
−
MOD/追
加
個々のモージュール
の具体的な詳細は個
別仕様書で規定する
ように明記した。
IEC規格への追加提案を図る。
5.単位記
号
本規格で用いる単位記号
に対する引用規格につい
て規定している。
−
−
−
MOD/追
加
追加項目：
図記号に関するJIS
(JIS Z 8202, JIS Z
8203) を記載
JISでは本規格の補充を行っており、提
案を図る。
6.分類
使用するﾃﾞﾊﾞｲｽの材料や
構造とﾊﾟｯｹｰｼﾞ構造及び適
用光ﾌｧｲﾊﾞなどについて規
IEC62007
-1
5.1
5.2
10.1
使用するﾃﾞﾊﾞｲｽの材料
や構造とﾊﾟｯｹｰｼﾞ構造及
び適用光ファイバとに
MOD/追
加
追加項目：
波長帯,接合構造，スト
ライプ構造，光ファイ
JISでは実情にあわせた内容の補充を
行っており、提案を図る。
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C 5944：2005
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
定している。
10.2
10.3
ついて規定している。
バ,光出力構造，端子構
造，用途
7.最大定
格
最大定格として規定すべ
き項目と，保存温度、動作
温度の最大定格として用
いるべき数値を規定して
いる。
IEC62007
-1
5.4
10.5
JISに規定した温度、電
源電圧、入射光強度等の
他、振動、衝撃試験など
の機械的耐久性に関し
ても規定。
MOD/追
加
/削除
追加項目：
ペルチェ電圧を項目
に追加。温度などの試
験条件に関する数値
規定を追加。
削除項目：
衝撃及び振動,ESD(ｱﾅ
ﾛｸﾞLD)
国内外で一般的に広く使用されてお
り、商習慣上必要。IECへ提案を図る。
8.2項として独立させて記載した。
又、ESDについては一般的でない為削
除した。
8.性能
8.1電気
的及び光
学的特性
8.2環境
および耐
久性に対
する性能
電気・光学的特性及び環境
条件に対する性能につい
て規定している。
IEC62007
-1
"5.4
5.5
5.6
10.5
10.6
10.7"
5.4,10.5項で最大定格
項目を規定。
5.5,10.6項で電気・光学
的特性項目を規定。
5.6,10.7項で代表的特
性として付加すべき特
性項目を規定。
MOD/追
加
MOD/削
除
追加項目：
特性項目として相対
雑音強度(ﾃﾞｼﾞﾀﾙ伝送
用）,ﾄﾗｯｷﾝｸﾞｴﾗｰ（方法
2）（ﾃﾞｼﾞﾀﾙ，ｱﾅﾛｸﾞ伝
送用），波長ﾁｬｰﾌﾟ（ﾃﾞ
ｼﾞﾀﾙ伝送用）,ｽﾍﾟｸﾄﾙ
線幅(ｱﾅﾛｸﾞ伝送用）を
追加。
測定条件として使用
する電流値および周
波数値の規定を追加。
環境および耐久性に
対する性能を追加。
削除項目：ﾀｰﾝｵﾝ時間，
ﾀｰﾝｵﾌ時間，PD立ち上
がり時間，S21特性を
削除。
国内外で一般的に広く使用されてお
り、商習慣上必要。IECへ提案を図る。
一般的には使用されていない。IECへ
提案を図る。
9.外形
外形は個別仕様書で規定。 IEC
62007-1
IEC
62007-1
5.3
10.4
外形は個別仕様書によ
ると規定。
IDT
−
10.測定
測定方法としてJIS C 5945
を使用することを規定し
ている。
IEC
62007-1
Annex A
測定方法は該当する
IECに準拠すると規定
している。
MOD/追
加
MOD/削
除
JIS C 5945は，対応す
るIEC規格が複数の
光能動部品に対する
規定になっているた
め、光伝送用ﾚｰｻﾞﾓｼﾞｭ
ｰﾙ及びアナログ伝送
現在測定方法に関するIEC規格の改訂
が検討されているところであり、IEC
に提案を図る。
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C 5944：2005
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
用ﾚｰｻﾞﾓｼﾞｭｰﾙ以外の
記載内容を削除した
ものである。
11.表示
表示する項目を規定。
−
−
−
MOD/追
加
−
JISでは本規格の補充を行っており、
IECに提案を図る。
12.取り
扱い上の
注意事項
−
−
−
MOD/追
加
−
JISでは本規格の補充を行っており、
IECに提案を図る。
IEC62007
-1
4
6
7
8
9
11
12
13
14
発光ダイオードの規定
pin型受光素子の規定
ＡＰＤの規定
Pin-FETの規定
光ファイバ増幅用ラー
ザモジュールの規定
LEDアレイの規定
ディジタル伝送用光変
調器の規定
TOパッケージ入りレー
ザダイオードの規定
デュプレクサモジュー
ルの
MOD/削
除
MOD/削
除
MOD/削
除
MOD/削
除
MOD/削
除
MOD/削
除
MOD/削
除
MOD/削
除
MOD/削
除
IECでは各章がそれぞ
れ別々の部品に対応
しており、全体として
複数の光能動部品に
対する規定となって
いるため、光伝送用ﾚｰ
ｻﾞﾓｼﾞｭｰﾙ及びアナロ
グ伝送用ﾚｰｻﾞﾓｼﾞｭｰﾙ
以外の記載内容をら
削除した。
削除した製品は別のJISとして制定済
み又は制定予定である。
制定済み：
JIS C 5940（光伝送用半導体レーザ）、
JIS C 5942 (光伝送用半導体レーザモジ
ュール)、JIS C 5950（光伝送用発光ダ
イオード）、JIS C 5990（光伝送用フォ
トダイオード）
制定予定：
pin-FETモジュール・光変調器モジュー
ル・デュプレクサモジュール・光ファ
イバ増幅器用レーザモジュール・ＬＥ
Ｄアレイ
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C 5944：2005
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
JISと国際規格との対応の程度の全体評価：MOD
備考1. 項目ごとの評価欄の記号の意味は，次のとおりである。
― IDT……………… 技術的差異がない。
― MOD/削除……… 国際規格の規定項目又は規定内容を削除している。
― MOD/追加……… 国際規格にない規定項目又は規定内容を追加している。
― MOD/変更……… 国際規格の規定内容を変更している。
2.
JISと国際規格との対応の程度の全体評価欄の記号の意味は，次のとおりである。
― IDT……………… 国際規格と一致している。
― MOD…………… 国際規格を修正している。
― NEQ…………… 技術的内容及び構成において，国際規格と同等でない。