C 5942：2010
（1）
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
目 次
ページ
序文 ··································································································································· 1
1 適用範囲 ························································································································· 1
2 引用規格 ························································································································· 1
3 用語及び定義 ··················································································································· 2
4 分類及び外形 ··················································································································· 6
4.1 分類 ···························································································································· 6
4.2 外形及び電極接続 ·········································································································· 6
5 性能及び試験 ··················································································································· 6
5.1 最大定格 ······················································································································ 6
5.2 電気的特性及び光学的特性······························································································· 7
5.3 環境及び耐久性に対する性能及び試験 ················································································ 8
6 レーザの安全性 ··············································································································· 10
7 測定······························································································································ 10
8 表示······························································································································ 10
9 取扱い上の注意事項 ········································································································· 10
附属書JA（参考）静電気破壊のおそれがあるデバイスヘの表示 ··················································· 11
附属書JB（参考）JISと対応国際規格との対比表 ······································································ 13
C 5942：2010
（2）
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まえがき
この規格は，工業標準化法第14条によって準用する第12条第1項の規定に基づき，財団法人光産業技
術振興協会（OITDA）及び財団法人日本規格協会（JSA）から，工業標準原案を具して日本工業規格を改
正すべきとの申出があり，日本工業標準調査会の審議を経て，経済産業大臣が改正した日本工業規格であ
る。これによって，JIS C 5942:1997は改正され，この規格に置き換えられた。
この規格は，著作権法で保護対象となっている著作物である。
この規格の一部が，特許権，出願公開後の特許出願，実用新案権又は出願公開後の実用新案登録出願に
抵触する可能性があることに注意を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は，このような特許
権，出願公開後の特許出願，実用新案権及び出願公開後の実用新案登録出願にかかわる確認について，責
任はもたない。
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日本工業規格 JIS
C 5942：2010
再生用及び記録用半導体レーザ通則
General rules of laser diodes used for recording and playback
序文
この規格は，2006年に第1版として発行されたIEC 60747-5-4並びに1997年に第1版として発行された
IEC 60747-5-2及びAmendment 1 (2002)を基に作成した日本工業規格であるが，適用範囲を再生用及び記録
用半導体レーザに限定したために，技術的内容を追加，変更及び削除して作成した日本工業規格である。
ただし，追補（amendment）については，編集し，一体とした。
なお，この規格で側線又は点線の下線を施してある箇所は，対応国際規格を変更している事項である。
変更の一覧表にその説明を付けて，附属書JBに示す。
1
適用範囲
この規格は，光源として使用する再生用及び記録用半導体レーザ（電子回路内蔵形及び光学素子内蔵形
を除く。以下，半導体レーザという。）の用語，記号，分類，性能などの一般的共通事項について規定する。
注記 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を，次に示す。
IEC 60747-5-4:2006，Semiconductor devices−Discrete devices−Part 5-4: Optoelectronic devices−
Semiconductor lasers
IEC 60747-5-2:1997，Discrete semiconductor devices and integrated circuits−Part 5-2: Optoelectronic
devices−Essential ratings and characteristics及びAmendment 1:2002（全体評価：MOD）
なお，対応の程度を表す記号“MOD”は，ISO/IEC Guide 21-1に基づき，“修正している”
ことを示す。
2
引用規格
次に掲げる規格は，この規格に引用されることによって，この規格の規定の一部を構成する。これらの
引用規格のうちで，西暦年を付記してあるものは，記載の年の版を適用し，その後の改正版（追補を含む。）
は適用しない。西暦年の付記がない引用規格は，その最新版（追補を含む。）を適用する。
JIS C 0025 環境試験方法（電気・電子）温度変化試験方法
注記 対応国際規格：IEC 60068-2-14:1984，Environmental testing−Part 2: Tests−Test N:Change of
temperature及びIEC 60068-2-33:1971，Environmental testing−Part 2: Tests−Guidance on change
of temperature tests（全体評価：MOD）
JIS C 5943 再生用及び記録用半導体レーザ測定方法
JIS C 6802 レーザ製品の安全基準
JIS C 60068-2-1 環境試験方法−電気・電子−第2-1部：低温（耐寒性）試験方法（試験記号：A）
注記 対応国際規格：IEC 60068-2-1:1990，Environmental testing−Part 2: Tests−Test A: Cold（IDT）
2
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JIS C 60068-2-2 環境試験方法−電気・電子−第2-2部：高温（耐熱性）試験方法（試験記号：B）
注記 対応国際規格：IEC 60068-2-2:1974，Environmental testing−Part 2: Tests−Test B: Dry heat（IDT）
JIS C 60068-2-6 環境試験方法−電気・電子−第2-6部：正弦波振動試験方法（試験記号：Fc）
注記 対応国際規格：IEC 60068-2-6:1995，Environmental testing−Part 2: Tests−Test Fc: Vibration
(sinusoidal)（IDT）
JIS C 60068-2-7 環境試験方法−電気・電子−加速度（定常）試験方法
JIS C 60068-2-11 環境試験方法（電気・電子）塩水噴霧試験方法
JIS C 60068-2-17 環境試験方法−電気・電子−封止（気密性）試験方法
注記 対応国際規格：IEC 60068-2-17:1994，Basic environmental testing procedures−Part 2: Tests−Test
Q: Sealing（IDT）
JIS C 60068-2-20 環境試験方法−電気・電子−第2-20部：試験−試験T−端子付部品のはんだ付け
性及びはんだ耐熱性試験方法
JIS C 60068-2-21 環境試験方法−電気・電子−第2-21部：試験−試験U：端子強度試験方法
JIS C 60068-2-27 環境試験方法−電気・電子−衝撃試験方法
注記 対応国際規格：IEC 60068-2-27:1987，Environmental testing−Part 2: Tests−Test Ea and
guidance:Shock（IDT）
JIS C 60068-2-32 環境試験方法−電気・電子−自然落下試験方法
JIS C 60068-2-38 環境試験方法（電気・電子）温湿度組合せ（サイクル）試験方法
JIS C 60068-2-78 環境試験方法−電気・電子−第2-78部：高温高湿（定常）試験方法
IEC 60749-26，Semiconductor devices−Mechanical and climatic test methods−Part 26: Electrostatic
discharge (ESD) sensitivity testing−Human body model (HBM)
3
用語及び定義
この規格で用いる主な用語及び定義は，次による。
3.1
絶対最大定格（absolute maximum ratings）
瞬時でも超えてはならない限界値。どの一つの規格値も超えてはならない。
3.2
保存温度，Tstg（storage temperature）
電源電圧及び入力信号を加えないときの許容周囲温度。
3.3
動作温度（operating temperature）
指定の電圧又は電流で半導体レーザの動作を保証する温度。周囲温度（Tamb）又はケース温度（Tcase）で
表す。
3.4
光出力，Po（radiant power or optical output power）
光出力端部から取り出す光パワー。このとき，測定光学系の開口数NAを指定することもある。
3.5
動作電圧，Vop（operating voltage）
指定の光出力を得るときの順電圧値。
3
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3.6
動作電流，Iop（operating current）
指定の光出力を得るときの順電流値。
3.7
しきい値電流，Ith（threshold current）
誘導放出によるレーザ発振を開始する順電流値。
3.8
しきい値光出力，Pth（radiant power at threshold）
しきい値電流値における光出力値。
3.9
スロープ効率，ηd（differential efficiency）
1点を動作電流における光出力とし，他の1点をしきい値電流，又はしきい値電流よりも高く，かつ，
動作電流よりも十分低い順電流における光出力としたときに，これらの2点の光出力差を，電流差で除し
たもの。
3.10
縦モード（longitudinal mode）
レーザ共振器の光軸方向に存在する電磁界のモード。多くの半導体レーザでは複数の発振モードがあり
マルチモード発振というが，特に単一の縦モードで発振するときをシングルモード発振という。
3.11
ピーク発振波長，λp（peak emission wavelength）
レーザ発振が最強となる波長。
3.12
中心発振波長，λc（central emission wavelength）
発振スペクトルの中心の波長。中心発振波長は，次の測定法のいずれかによって求める。
a) 包絡線法 それぞれの縦モードのピークを包絡線によって結び，その包絡線が縦モードのピークに対
し指定の値となる，最も長波長側の波長と最も短波長側の波長との平均の波長。
b) N-dB法 ピーク発振波長の両側の波長帯で，ピークに対し指定の値となる波長のうち最も長い波長
側の縦モードの発振波長と，最も短い波長側の縦モードの発振波長との平均の波長。指定値が50 %の
場合は，この方法をしきい値法ともいう。
c) RMS法 n番目の縦モードの光出力及び発振波長から，次の式によって求めた波長。
∑
∑
×
=
n
n
nA
Aλ
λc
ここに，
λc： 中心発振波長
λn： n番目の縦モードの発振波長
An： n番目の縦モードの光出力
3.13
スペクトル幅，Δλw（spectral radiation bandwidth）
発振スペクトルの広がり。特に発振スペクトルの最大強度の50 %のスペクトル幅をスペクトル半値幅，
又はFWHM（半値全幅）という。スペクトル幅は，次の測定法のいずれかによって求める。
a) 包絡線法 それぞれの縦モードのピークを包絡線によって結び，その包絡線が縦モードのピークに対
4
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し指定の値となる，最も長波長側の波長と最も短波長側の波長との差。
b) N-dB法 シングルモード発振の場合，縦モードのピークに対し指定の値で切ったときのスペクトル
幅。マルチモード発振の場合，縦モードのピークに対し指定の値以上で発振する縦モードのうち，最
も長波長側の波長と最も短波長側の波長との差。単一縦モード発振の場合，発振している縦モードの
最大のピークに対し指定の値（スペクトル半値幅を求めるときは，ピークに対し50 %の値）になるス
ペクトル線の広がり幅。
c) RMS法 n番目の縦モードの光出力及び発振波長から，次の式によって求めた波長幅。
なお，kは定数で目的に応じて1，2，2.35又は3から選択し，明示する（2.35を選択した場合は，
スペクトル形状をガウス分布とみなしたときのスペクトル半値幅に相当する。）。
∑
∑
−
×
×
=
∆
n
n
n
A
A
k
2
c
w
)
(
λ
λ
λ
ここに，
Δλw： スペクトル幅
λc： 中心発振波長
λn： n番目の縦モードの発振波長
An： n番目の縦モードの光出力
k： 定数（1，2，2.35又は3）
3.14
ビーム広がり角，θ//，θ⊥（half-intensity angle）
pn接合面に平行（//）方向及び垂直（⊥）方向の遠視野像の半値全角。平行方向のビーム広がり角をθ//
で表し，垂直方向のビーム広がり角をθ⊥で表す。
3.15
遠視野像リプル，R1
遠視野像の光パワーのピーク値の25 %以上の出力範囲における光パワーの最大変動幅ΔIpのピーク値Ip
に対する比（ΔIp/Ip）。
3.16
放射光軸ずれ角，Δθ//，Δθ⊥（misalignment angle）
遠視野像で半導体レーザのpn接合面に平行（//）方向及び垂直（⊥）方向の光軸（放射光パワーが最大
になる軸）と取付け方向軸との角度。平行方向の放射光軸ずれ角をΔθ//で表し，垂直方向の放射光軸ずれ
角をΔθ⊥で表す。
3.17
近視野像幅，W//，W⊥（emission source width）
端面でpn接合面に平行（//）方向及び垂直（⊥）方向において，光強度が最大値の指定の割合に等しく
なる幅。通常，指定の割合は50 %とし，半値全幅を用いる。
3.18
発光点位置精度，Δx，Δy，Δz（position accuracy of emission point）
外形図に示す発光点の基準位置が，示した座標軸（x，y及びz）のそれぞれについてもつ位置精度。
3.19
非点隔差，As（astigmatic difference）
光軸方向において，pn接合面に平行方向の発光点1)と垂直方向の発光点との間の距離。
注1) 発光点とは，見かけの近視野像幅が最小になる点をいう。
3.20
5
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偏光比，P1
光軸に垂直な面内にある直交する直線偏光成分において，最大となる光パワーの最小となる光パワーに
対する比。
3.21
干渉パターン強度比，α
半導体レーザから放射された光を干渉させて生じる干渉強度の光路差に対する変化を描いたとき，その
包絡線上における第2のピーク値の第1のピーク値に対する比。
3.22
上昇時間，tr（rise time）
光出力パルス（又は電気信号）が最大値2)の10 %から90 %まで増加するのに要する時間。立ち上がり時
間ともいう。
注2) 最大値とは，緩和振動後の定常値をいう。
3.23
下降時間，tf（fall time）
光出力パルス（又は電気信号）が最大値2)の90 %から10 %まで減少するのに要する時間。立ち下がり時
間ともいう。
3.24
遮断周波数，fc（cut-off frequency）
指定のバイアス点において，正弦波を用いて小信号で変調を行ったときに得られる被変調光出力の正弦
波振幅が，低周波領域の十分に平たんな部分に対して3 dB低下する周波数。
3.25
相対強度雑音，RIN（relative intensity noise）
単位周波数当たりの光強度雑音と平均光出力との比。実際には，光のゆらぎはフォトダイオードなどの
受光素子及び増幅器を用いて測定し，算出するため，指定の周波数において検出した雑音から受光素子で
発生するショット雑音及び増幅器で発生する熱雑音を除き，これを半導体レーザの平均出力（一般には受
光器の光電流で検出）及び測定周波数帯域で除して求める。
3.26
キャリア対雑音強度比，C/N（carrier-to-noise ratio）
指定の周波数及び振幅での，変調状態における信号光出力の強度の雑音光出力の強度に対する比。
3.27
モニタ用フォトダイオード出力電流，Im（monitor current）
モニタ光出力を光電変換して得られる電流値。
3.28
モニタ用フォトダイオード暗電流，ID（dark current）
半導体レーザを発光させないときに光モニタ出力に流れる電流。
3.29
モニタ用フォトダイオード端子間容量，Ct（diode capacitance）
モニタ用フォトダイオードの端子間の容量。
3.30
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モニタ用フォトダイオード逆電圧，Vrd（reverse voltage）
モニタ用フォトダイオードの端子間にかける逆電圧。
3.31
モニタ用フォトダイオード測定周波数，f（test frequency）
モニタ用フォトダイオードの端子間容量を測定するときの電気的周波数。
4
分類及び外形
4.1
分類
半導体レーザの分類は，表1による。
表1−半導体レーザの分類
分類項目
種類
大項目
小項目
結晶材料
インジウム ガリウム アルミニウム窒素／ガリウム窒素（InGaAlN/GaN），
アルミニウム ガリウムひ素／ガリウムひ素（AlGaAs/GaAs），
インジウム ガリウムひ素 りん／インジウム りん（InGaAsP/InP），
インジウム ガリウム アルミニウム りん／ガリウムひ素（InGaAlP/GaAs）など
波長帯
400 nm帯用，600 nm帯用，700 nm帯用，800 nm帯用など
素子構造
接合構造
ダブルヘテロ（DH）接合形，量子井戸構造など
ストライプ構造
利得導波形，屈折率導波形など
帰還構造
へき開面反射形，分布帰還形（DFB）など
パッケージ構造
光出力構造
光出力窓形，開放形など
モニタ出力構造
モニタなし，フォトダイオード内蔵形など
端子構造
TO形など
用途
再生用，記録用など
注記 空欄は，適用しない。
4.2
外形及び電極接続
半導体レーザの外形並びに端子番号及び電極名は，図示しなければならない。発光点の基準位置及び光
軸方向は，図中に示さなければならない。
例 A：外形 （外形図番号）
B：電極接続 リード又は端子 電極名
1
2
3
：
ケース
5
性能及び試験
5.1 最大定格
半導体レーザの最大定格は，絶対最大定格とする。絶対最大定格は，表2による。特に指定がない限り，
動作温度（周囲温度又はケース温度）は25 ℃とする。
表2−半導体レーザの絶対最大定格
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項目
記号
条件
最大定格値
単位
温度
保存温度
Tstg
−＿〜＋＿
℃
動作温度
Tamb又はTcase
−＿〜＋＿
℃
はんだ付け温度
Tsld
はんだ付け時間を指定
＿
℃
電圧
直流逆電圧
Vrl
＿
V
せん頭逆電圧a)
Vrml
＿
V
電流
直流順電流
Ifl
＿
mA
せん頭順電流a)
Ifml
＿
mA
光出力
直流光出力
Pol
＿
mW
せん頭光出力a)
Poml
＿
mW
モニタ用フォ
トダイオード
直流逆電圧
Vrdl
＿
V
せん頭逆電圧a)
Vrdml
＿
V
注記1 最大定格値の欄の下線部分は，指定しなければならない。
注記2 空欄は，適用しない。
注a) 直流に対し，せん頭は交流又はパルス動作を示し，選択項目である。
5.2
電気的特性及び光学的特性
半導体レーザの電気的特性及び光学的特性は，表3による。特に指定がない限り動作温度（周囲温度又
はケース温度）は，25 ℃とする。パルス動作の場合は，その旨及びパルス駆動条件を明記しなければなら
ない。
表3−半導体レーザの電気的特性及び光学的特性
8
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項目
記号
測定条件
最小値 標準値 最大値
単位
しきい値電流
Ith
＿
＿
mA
しきい値光出力a)
Pth
If＝Ith
＿
mW
動作電流
Iop
P＝Po
＿
＿
mA
動作電圧
Vop P＝Po又はIf＝Iop
＿
＿
V
スロープ効率
ηd
P＝Po又はIf＝Iop
＿
＿
＿
mW/mA
ピーク発振波長
λP
P＝Po又はIf＝Iop
＿
＿
＿
nm
スペクトル幅a), e)
Δλw P＝Po又はIf＝Iop
＿
＿
nm
ビーム広がり角（平行方向）
θ//
P＝Po又はIf＝Iop
＿
＿
＿
°
ビーム広がり角（垂直方向）
θ⊥
P＝Po又はIf＝Iop
＿
＿
＿
°
遠視野像リプルa)
Rl
P＝Po又はIf＝Iop
＿
%
放射光軸ずれ角（平行方向） Δθ// P＝Po又はIf＝Iop
＿
°
放射光軸ずれ角（垂直方向） Δθ⊥ P＝Po又はIf＝Iop
＿
°
近視野像幅（平行）a)
W//
P＝Po又はIf＝Iop
＿
＿
＿
μm
近視野像幅（垂直）a)
W⊥ P＝Po又はIf＝Iop
＿
＿
＿
μm
発光点位置精度
Δx
Δy
Δz
P＝Po又はIf＝Iop
P＝Po又はIf＝Iop
P＝Po又はIf＝Iop
＿
＿
＿
μm
μm
μm
非点隔差a)
As
P＝Po又はIf＝Iop
＿
＿
μm
偏光比a)
P1
P＝Po又はIf＝Iop
＿
干渉パターン強度比a)
α
P＝Po又はIf＝Iop
＿
上昇時間b)
tr
If＝＿
＿
＿
ns
下降時間b)
tf
If＝＿
＿
＿
ns
遮断周波数b)
fc
P＝Po又はIf＝Iop
＿
＿
GHz
相対強度雑音c)
RIN P＝Po又はIf＝Iop
＿
dB/Hz
キャリア対雑音強度比c)
C/N P＝Po又はIf＝Iop
＿
dBc
モニタ用フォトダイオード
出力電流d)
Im
P＝Po又はIf＝Iop'
Vrd＝＿
＿
μA
モニタ用フォトダイオード
暗電流d)
ID
Vrd＝＿
＿
nA
モニタ用フォトダイオード
端子間容量a), d)
Ct
Vrd＝＿，f＝＿
pF
注記 最小値，標準値及び最大値の下線部分は，指定しなければならない。
注a) 選択項目
b) 上昇時間及び下降時間の組合せ又は遮断周波数のいずれかを選択する。
c) 用途によっていずれかの選択でよい。
d) モニタ用フォトダイオード内蔵形に適用する。
e) スペクトル幅の測定方法は，包絡線法，N-dB法又はRMS法のいずれかの選択でよいが，選択
した方法を明記する。
補足情報として，電気的特性及び光学的特性の中から必要なものの温度依存性を指定してもよい。
5.3
環境及び耐久性に対する性能及び試験
半導体レーザの環境及び耐久性に対する性能及び試験は，表4による。
表4−半導体レーザの環境及び耐久性に対する性能及び試験
9
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項目
試験条件
適用a)
抜取方式
試験方法
検査水準
AQL
はんだ耐熱性
温度＿℃±＿℃
JIS C 60068-2-20
温度サイクル
低温＿℃ 高温＿℃
保持時間＿min
移動時間＿min 回数＿回
JIS C 0025
熱衝撃
高温＿℃ 保持時間＿min
移動時間＿s
低温＿℃ 保持時間＿min
回数＿回
JIS C 0025
温湿度サイクル
高温＿℃ 高温側相対湿度＿%
保持時間＿min
低温＿℃ 低温側相対湿度＿%
保持時間＿min
移動時間＿min 回数＿回
JIS C 60068-2-38
気密性
加圧圧力＿Pa
加圧時間＿h
（必要がある場合）
JIS C 60068-2-17
自然落下b)
高さ＿cm 回数＿回
JIS C 60068-2-32
衝撃b)
方向＿ 最高加速度＿m/s2
パルス幅＿ms 回数＿回
JIS C 60068-2-27
定加速度
方向＿ 加速度＿m/s2
パルス幅＿ms 回数＿回
JIS C 60068-2-7
振動
周波数＿〜＿Hz
全振幅又は加速度
方向＿ 時間＿h
JIS C 60068-2-6
端子強度
荷重＿N 回数＿回
JIS C 60068-2-21
塩水噴霧
時間＿h
JIS C 60068-2-11
低温保存
温度＿℃ 時間＿h
JIS C 60068-2-1
高温保存
温度＿℃ 時間＿h
JIS C 60068-2-2
動作寿命
ケース温度（又は周囲温度）＿℃
定出力動作 光出力＿mW 時間＿h
高温高湿
温度＿℃ 相対湿度＿% 時間＿h
JIS C 60068-2-78
静電気放電
人体帯電モデル
IEC 60749-26
注記 試験条件の下線部分は，指定しなければならない。
注a) 合否判定基準を適用する項目に○印を記入する。
b) 自然落下又は衝撃のいずれかを指定する。
試験の合否判定基準は，表5による。
10
C 5942：2010
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
表5−合否判定基準
項目
測定条件
許容値
単位
測定方法
JIS C 5943
最小値
最大値
半導体レーザしきい値電流
算出方法＿
＿
mA
5.5
半導体レーザ動作電流a)
光出力＿mW
＿
mA
5.1
半導体レーザ光出力a)
電流＿mA
＿
mW
5.4
モニタ用フォトダイオード
出力電流b)
光出力＿mW
モニタ用フォトダイオード逆電圧＿V
＿
μA
モニタ用フォトダイオード
暗電流b)
モニタ用フォトダイオード逆電圧＿V
＿
nA
注記 測定条件，許容値の下線部分は，指定しなければならない。
注a) 動作電流又は光出力のいずれか一方を適用する。
b) モニタ用フォトダイオード内蔵形に適用する。
6
レーザの安全性
製品は，JIS C 6802に規定する安全基準のクラスを明確にするか，又はJIS C 6802に適合することを保
証しなければならない。
レーザ製品の製造業者は，レーザ安全性規格及び法規制に基づいて，そのレーザ製品，安全性能，ラベ
ル表示，使用法，維持及び保守について情報を提供しなければならない。その文書は，製品を使用するシ
ステムがこれらの安全性保証事項に適合するように満たすべき要求事項及び使用上の制限事項を明確に指
定しなければならない。
7
測定
半導体レーザの測定は，JIS C 5943による。
8
表示
半導体レーザには，次の項目を表示しなければならない。ただし，個々の半導体レーザに表示すること
が困難な場合は，包装に表示してもよい。
a) 形名（製造業者の指定による。）
b) 製造業者名又はその略号
c) 製造年月若しくは製造ロット番号又はそれらの略号
d) 静電気破壊のおそれがあり，取扱い上注意を必要とするデバイスであることを表示する（記号は，附
属書JA参照）。
e) その他必要事項
9
取扱い上の注意事項
静電気破壊のおそれがある半導体レーザに対しては，次の事項に注意する。
a) 移送，保管及び放置のときは，静電気導電材料，帯電防止処理材料などを用い，静電気の帯電を防止
する。
b) 測定は，静電気の発生しない場所で行う。相対湿度は50 %程度が望ましい。また，静電気の発生を防
ぐためには，取扱い者，工具及び測定器類の電位と被測定半導体レーザの電位とを同じにする。
11
C 5942：2010
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書JA
（参考）
静電気破壊のおそれがあるデバイスヘの表示
序文
静電気によって破壊をするおそれがあり，取扱い上注意を必要とするデバイスであることを表示する記
号は，次による。
A.1 記号の使用
実用上適している内装，デバイス上，データシート，保管容器，特別な防護用の包みなどに表示する。
デバイス上に縮小して使用する場合に簡略化した記号を，図JA.2に示す。
A.2 記号の色
記号の色は，表JA.1による。
表JA.1−記号の色
記号の種類
色
表示方法
図JA.1
図JA.2
下地と識別できれば，単一色で何色でもよい。
ただし，赤色は除く。
主に印刷によって表示する。
図JA.3
下地は黄色とする。文字及び記号は黒色とする。 主にラベルによって表示する。
図JA.1−記号
図JA.2−縮小する場合の簡略化した記号
12
C 5942：2010
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図JA.3−文字と組み合わせた記号の例
参考文献 JIS C 5948 光伝送用半導体レーザモジュールの信頼性評価方法
IEC 62007-2，Semiconductor optoelectronic devices for fibre optic system applications−Part 2:
Measuring methods
1
3
C
5
9
4
2
：
2
0
1
0
1
3
C
5
9
4
2
：
2
0
1
0
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書JB
（参考）
JISと対応国際規格との対比表
JIS C 5942:2010 再生用及び記録用半導体レーザ通則
IEC 60747-5-4:2006 Semiconductor devices−Discrete devices−Part 5-4:
Optoelectronic devices−Semiconductor lasers
IEC 60747-5-2:1997 Discrete semiconductor devices and integrated circuits−Part 5-2:
Optoelectronic devices−Essential ratings and characteristics及びAmendment 1:2002
(I)JISの規定
(II)
国際規格
番号
(III)国際規格の規定
(IV)JISと国際規格との技術的差異の箇条
ごとの評価及びその内容
(V)JISと国際規格との技術的差異
の理由及び今後の対策
箇条番号
及び題名
内容
箇条番号
内容
箇条ごと
の評価
技術的差異の内容
1 適用範
囲
再生用及び記録用
半導体レーザの用
語，記号，分類，性
能などの一般的事
項について規定。
IEC
60747-5-4
IEC
60747-5-2
1
伝送用を除く半導体レー
ザ及び光能動部品の用
語，分類，最大定格，性
能，測定方法などの一般
的な共通事項について規
定。
変更
国際規格は複数の光能動部品
を適用範囲とするため，再生用
及び記録用半導体レーザ及び
それを内蔵するモニタ用フォ
トダイオード以外の製品を適
用範囲から削除した。測定方法
はJIS C 5943に規定し，引用規
格とした。
用途を限定したJISとしたため。今
後も，IEC規格及びJISの体系見直
しに合わせて，国際規格との整合を
図っていく。
2 引用規
格
1
4
C
5
9
4
2
：
2
0
1
0
1
4
C
5
9
4
2
：
2
0
1
0
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(I)JISの規定
(II)
国際規格
番号
(III)国際規格の規定
(IV)JISと国際規格との技術的差異の箇条
ごとの評価及びその内容
(V)JISと国際規格との技術的差異
の理由及び今後の対策
箇条番号
及び題名
内容
箇条番号
内容
箇条ごと
の評価
技術的差異の内容
3 用語及
び定義
3.8しきい値光出力
3.15遠視野像リプル
3.18発光点位置精度
3.20偏光比
3.21干渉パターン強
度比
3.29モニタ用フォト
ダイオード端子間
容量
3.31モニタ用フォト
ダイオード測定周
波数
IEC
60747-5-4
IEC
60747-5-2
3
対応するISO規格を参
照。
追加
IEC規格にない定義を追加し
た。
国内外で一般的に広く使用されて
おり，商習慣上必要。IECに提案
を行う。
3.19非点隔差
−
−
ISO 11146シリーズを参
照
追加
ISO 11146シリーズでは，二次
のモーメントを基準としてい
るが，実用的観点から，半値幅
を基準とした定義に変更した。
国内外で一般的に広く使用されて
おり，商習慣上必要。
IEC
60747-5-4
IEC
60747-5-2
3
中心波長，発散角，1/e2-
強度での発散角幅，1/e2-
強度での近視野像幅，レ
ーザの容量，レーザのイ
ンダクタンス及びS11パ
ラメータ並びにモニタ用
フォトダイオードのスイ
ッチング時間
削除
左記の項目を削除した。
この用途では一般的に使用されて
いない，又は選択肢として一般的に
使用されている他のものがある。
4 分類及
び外形
使用するデバイス
の結晶材料，波長
帯，素子構造，パッ
ケージ構造，用途，
外形及び電極接続
について規定。
IEC
60747-5-4
4.1
4.2
4.3
使用するデバイスの材
料，構造，パッケージ構
造，外形及び電極接続に
ついて規定。
追加
波長帯及び用途を追加した。
国内外で一般的に広く使用されて
おり，商習慣上必要。IECに提案
を行う。
IEC
60747-5-2
9.1
9.2
9.3
1
5
C
5
9
4
2
：
2
0
1
0
1
5
C
5
9
4
2
：
2
0
1
0
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(I)JISの規定
(II)
国際規格
番号
(III)国際規格の規定
(IV)JISと国際規格との技術的差異の箇条
ごとの評価及びその内容
(V)JISと国際規格との技術的差異
の理由及び今後の対策
箇条番号
及び題名
内容
箇条番号
内容
箇条ごと
の評価
技術的差異の内容
5 性能及
び試験
しきい値光出力
遠視野像リプル
発光点位置精度
偏光比
干渉パターン強度
比
モニタ用フォトダ
イオード端子間容
量
IEC
60747-5-4
4.4
4.5
4.6
IEC規格に記載なし
追加
関連するISO規格があるもの
はこれを参照した。
国内外で一般的に広く使用されて
おり，商習慣上必要。IECに提案
を行う。
IEC
60747-5-2
9.1
9.2
9.3
環境及び耐久性に
対する性能及び試
験
−
−
−
追加
JISでは，環境及び耐久性に対
する性能及び試験を明示した。
国内外で一般的に広く使用されて
おり，商習慣上必要。IECに提案
を行う。
IEC
60747-5-4
4.4
4.5
4.6
中心波長，発散角，1/e2-
強度での発散角幅，1/e2-
強度での近視野像幅，レ
ーザの容量，レーザのイ
ンダクタンス及びS11パ
ラメータ並びにモニタ用
フォトダイオードのスイ
ッチング時間
削除
左記の項目を削除した。
この用途では一般的に使用されて
いない，又は選択肢として一般的に
使用されている他のものがある。
IEC
60747-5-2
9.1
9.2
9.3
6 レーザ
の安全性
レーザの安全基準
のクラスを示すよ
うに規定。
−
−
−
追加
JISでは，レーザの安全性を明
示した。
国内外で一般的に広く使用されて
おり，商習慣上必要。IECに提案
を行う。
8 表示
表示項目を規定。
−
−
−
追加
JISでは，表示に関して明示し
た。
国内外で一般的に広く使用されて
おり，商習慣上必要。IECに提案
を行う。
9 取扱い
上の注意
事項
取扱いに関する注
意事項を規定して
いる。
−
−
−
追加
JISでは，取扱い上の注意事項
を明示した。
国内外で一般的に広く使用されて
おり，商習慣上必要。IECに提案
を行う。
1
6
C
5
9
4
2
：
2
0
1
0
1
6
C
5
9
4
2
：
2
0
1
0
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(I)JISの規定
(II)
国際規格
番号
(III)国際規格の規定
(IV)JISと国際規格との技術的差異の箇条
ごとの評価及びその内容
(V)JISと国際規格との技術的差異
の理由及び今後の対策
箇条番号
及び題名
内容
箇条番号
内容
箇条ごと
の評価
技術的差異の内容
−
−
IEC
60747-5-2
3
4
6
7
8
附属書B
（規定）
発光ダイオード
赤外発光ダイオード
フォトトランジスタ
フォトカプラ及び光カプ
ラ
電気ショック保護用フォ
トカプラ
入出力安全試験
削除
削除
削除
削除
削除
削除
再生用及び記録用には使用し
ないため。
必要に応じて別のJISとして制定
予定。
JISと国際規格との対応の程度の全体評価：（IEC 60747-5-4:2006，IEC 60747-5-2:1997，Amd.1:2002，MOD）
注記1 箇条ごとの評価欄の用語の意味は，次による。
− 削除……………… 国際規格の規定項目又は規定内容を削除している。
− 追加……………… 国際規格にない規定項目又は規定内容を追加している。
− 変更……………… 国際規格の規定内容を変更している。
注記2 JISと国際規格との対応の程度の全体評価欄の記号の意味は，次による。
− MOD…………… 国際規格を修正している。