1

C

 5

9

4

1

 : 

1

9

9

7

 
解

説

JISと対応する国際規格との対比表 

JIS C 5941-1997 光伝送用半導体レーザ測定方法 IEC 747-5，同Amd. 1, 同Amd. 2-1992, 1994, 1995半導体デバイス−個別部品及び集積回路−第5部：光エレクトロニクスデバ

イス，同追補1，同追補2 

対比項目 

 
規定項目 

(I) JISの規定内容 

(II) 国際規格番

号 

(III) 国際規格の規定内容 

(IV) JISと国際規格との相違点 

(V) JISと国際規格との一致

が困難な理由及び今後の
対策 

(1) 適用範囲 

○ 光伝送用半導体レーザの測

定方法に適用。 

IEC 747-5, 
747-5 Amd.1, 
747-5 Amd.2 

○ 半導体レーザのほか，発光ダイオ

ード，フォトダイオードなどの光
半導体全般に広く適用。 

＝ 国際規格から光伝送用半導

体レーザに適用できるもの
だけを抽出した。 

なお，再生・記録用半導体

レーザはC 5942，C 5943に，
光伝送用半導体レーザモジ
ュールはC 5944，C 5945に，
光伝送用発光ダイオードは
C 5950，C 5951に，光伝送用
フォトダイオードはC 5990，
C 5991に規定。 

(2) 用語・記号 − JIS C 5940光伝送用半導体レ

ーザ通則で規定。 

IEC 747-5, 
747-5 Amd.1, 
747-5 Amd.2 

○ 半導体レーザのほか，発光ダイオ

ード, フォトダイオードなどの
光半導体全般についても規定。 

＝ JIS C 5940光伝送用半導体レ

ーザ通則で規定。 

(3) 試験項目 

○ 光伝送用半導体レーザの電

気的・光学的特性について測
定に関する個別規格を規定。 

IEC 747-5, 
747-5 Amd.1, 
747-5 Amd.2 

○ 半導体レーザのほか，発光ダイオ

ード，フォトダイオードなどの光
半導体全般についても規定。 

＝ 国際規格から光伝送用半導

体レーザに適用できるもの
を抽出し，国際規格にない以
下の項目を追加している。 
変調時スペクトル，偏光比，
高調波歪，逆電圧，合成第二
次歪，合成第三次歪 

既に国内では製品の特性評
価項目として一般的に使わ
れており，市場における光半
導体レーザの信頼性確保の
ため。 

  

  

  

備考1. 対比項目(I)及び(III)の小欄で，“○”は該当する項目を規定している場合，“−”は規定していない場合を示す。 

2. 対比項目(IV)の小欄の記号の意味は，次のとおり。 

＝：JISと国際規格との技術的内容は同等である。ただし軽微な技術上の差異がある。