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C

 5

9

4

9

 : 

1

9

9

7

解

説

JISと対応する国際規格との対比表 

JIS C 5940: 1997 光伝送用半導体レーザ通則 

IEC 747-5，同Amd.1，同Amd.2 : 1992，1994，1995 半導体デバイス−個別部品
及び集積回路−第5部：光エレクトロニクスデバイス，同追補1，同追補2 

対比項目 

 
 
 
規定項目 

(I)JISの規定内容 

(II)国際規格番号 

(III)国際規格の規定内容 

(IV)JISと国際規格との相違点 

(V)JISと国際規格

との一致が困難
な理由及び今後
の対策 

(1) 適用範囲 

○ 光伝送用半導体レーザ

に適用。 

IEC 747-5，747-5 
Amd.1，747-5Amd.2 

○ 半導体レーザのほか，発

光ダイオード，フォトダ
イオードなどの光半導体
全般に広く適用。 

＝ 国際規格から光伝送用半導体レー

ザに適用できるものだけを抽出し
た。 
 なお，再生・記録用半導体レーザ
はC 5942，C 5943に，光伝送用半
導体レーザモジュールはC 5944，C 
5945に，光伝送用発光ダイオード
はC 5950，C 5951に，光伝送用フ
ォトダイオードはC 5990，C 5991
に規定。 

(2) 用語・記号 ○ 光伝送用半導体レーザ

に関する用語を規定。 

IEC 747-5，747-5 
Amd.1，747-5Amd.2 

○ 半導体レーザのほか，発

光ダイオード，フォトダ
イオードなどの光半導体
全般についても規定。 

＝ 国際規格から光伝送用半導体レー

ザに適用できるものだけを抽出し
た。 

(3) 性能 

○ 電気的及び光学的特性

と環境及び耐久性に対
する性能について，個別
規格の様式を規定。 

IEC 747-5，747-5 
Amd.1，747-5Amd.2 

○ 半導体レーザのほか，発

光ダイオード，フォトダ
イオードなどの光半導体
全般についても個別規格
の様式を規定。 

＝ 国際規格から光伝送用半導体レー

ザに適用できるものだけを抽出し
た。 

備考1. 対比項目 (I) 及び (III) の小欄で，“○”は該当する項目を規定している場合を示す。 

2. 対比項目 (IV) の小欄の記号の意味は，次のとおり。 

＝：JISと国際規格との技術的内容は同等である。ただし，軽微な技術上の差異がある。