JISC5600:2006 電子技術基本用語

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

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序文 ··································································································································· 1

1. 適用範囲 ························································································································ 1

2. 用語及び定義 ·················································································································· 1

a) 一般用語 ························································································································ 2

b) 基礎用語 ······················································································································· 3

1) 原子，粒子及び電子 ········································································································· 3

2) 粒子の性質 ···················································································································· 10

3) 物質の構成 ···················································································································· 14

4) 固体の電子構造 ·············································································································· 18

5) 粒子系，光，電磁波及び音波 ···························································································· 20

6) 量子効果 ······················································································································· 27

7) 放射線·························································································································· 29

c) 固体の基本的性質 ··········································································································· 30

1) 電気的性質 ···················································································································· 30

2) 光学的性質 ···················································································································· 35

3) 磁気的性質 ···················································································································· 39

4) 誘電的性質 ···················································································································· 44

5) その他（熱的，応力的及び複合的） ··················································································· 46

d) 材料の性質 ··················································································································· 48

1) 導体····························································································································· 48

2) 半導体·························································································································· 50

3) 誘電体（ガラスを含む） ·································································································· 57

4) 磁性体·························································································································· 58

5) 超電導体 ······················································································································· 60

6) 気体及び液体（放射関係など） ························································································· 62

7) 液晶，有機材料関係 ········································································································ 65

e) デバイスの基礎 ·············································································································· 67

1) デバイスの構成基礎 ········································································································ 67

2) 電子デバイス，ICなど ···································································································· 70

3) 光デバイス，OEICなど ·································································································· 76

4) 気体レーザー関係 ··········································································································· 80

f) 関連事項（雑音，その他） ······························································································· 84

C 5600：2006

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日本工業規格 JIS

C 5600：2006

電子技術基本用語

Glossary of basic terms used in electrotechnology

序文この規格は，1971年に日本工業規格として制定され、1977年に改正されたものであるが、その後の

技術の進歩にともない規定内容を見直したものである。

1. 適用範囲この規格は，電子技術に用いる主な基本用語とその定義について規定する。

備考この規格の対応国際規格を，次に示す。

なお，対応の程度を表す記号は，ISO/IEC Guide 21に基づき，IDT（一致している），MOD

（修正している），NEQ（同等でない）とする。

IEC 60050: International Electrotechnical Vocabulary（MOD）

2. 用語及び定義用語及び定義は，次による。

なお，表の参考欄に，対応英語及び関連するIEC 60050の用語の項目番号を示す。

備考1. 用語欄に二つ以上の用語を並べてある場合は，通常，その順位に従って優先使用する。

2. 用語欄の括弧付きの用語は，例えば，2-1-65の“［ドリフト］移動度”のかぎ括弧付きのよう

に，混乱を生じない場合はかぎ括弧内を省略してもよいことを，また，2-1-53の“散乱（粒

子の）”の括弧付きのように，“粒子”に適用する場合の定義であることを示す。

3. 参考欄の関連IEC 60050番号及び用語は，次による。

a) IEC 60050にこの規格と同一の用語（英語又は日本語）があり，その意味もこの規格に

近いものはその項目番号（例えば，811-28-01）だけを記載した。

b) IEC 60050にこの規格と類似の用語があり，その意味がこの規格に関連するものは，IEC

の項目番号とともに用語（英語若しくは日本語，又は両者）を記載した。

c) IEC 60050に関連する用語がない場合には空欄とした。

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a) 一般用語

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

1-1

エレクトロニク
ス

科学技術の一部門で，真空，ガス，半導体などの
中の導電現象の研究及び同現象を応用した装置
並びにその応用技術及び工学。

electronics

811-28-01

1-2

マイクロエレク
トロニクス，
超小形電子技術

一般に得られるよりも小形化の程度が進んだ電
子回路を実現，又はその利用に関連した技術の総
称。

備考関連用語として“超小形電子工学”，“超

小形電子方式”，“超小形電子系”，“超
小形電子回路”，“超小形構成部分”な
どがある。

microelectronics

521-10-01

1-3

真空マイクロエ
レクトロニク
ス

電界放出現象，PNダイオードなど冷陰極の作用
に関し，かつ，微細加工技術によって微細化及び
高密度集積化によって得られた真空技術と集積
回路技術との複合によるマイクロエレクトロニ
クス。

vacuum

microelectronic
s

811-28-02
(551-01-01)

1-4

パワーエレクト
ロニクス

電源技術に関するエレクトロニクスの一分野。
通信機器のディジタル化，情報処理量の増大，並
びに小形化，軽量化を参考として，スイッチング
電源にトランジスタ，MOSFETなどを利用したこ
とから急速に発展した。高周波化，小形化の要求
に応じトランス，コンデンサなどの受動部品をも
併せて混成集積回路などの考えも利用している。
このため，スイッチング損失を極度に低減し得る
回路技術が発展した。中・小容量領域では高周波
スイッチング技術を利用したスイッチング形整
流器にバイポーラパワートランジスタ，インシュ
レーテットトランジスタ，静電誘導形トランジス
タなどが用いられている。これらを含めた分野
を，パワーエレクトロニクスとする。

power
electronics

1-5

モレキュラーエ
レクトロニク
ス，
分子エレクトロ
ニクス

エレクトロニクスの一分野であって，単に電磁現
象だけでなく，あらゆる物性現象（光現象，熱現
象など）での利用を考えて機能ブロックを実現す
るための技術，又は工学。この機能ブロックは，
入出力特性だけが対応電子回路のそれと等価で，
その各部は空間的にも機能的にも対応電子回路
のそれと対応しない。

例ポリふっ化ビニリデンの圧電，焦電用セ

ンサなど。

molecular
electronics

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番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

1-6

オプトエレクト
ロニクス

エレクトロニクスの一分野であって，光学現象及
び電磁現象の双方を共に利用して情報の処理（計
測，伝送，制御，記憶，表示など）に関連した技
術又は工学。

optoelectronics

121-12-88
optoelectronic，
オプトエレク

トロニック，

731-01-59
opto-electronic

1-7

量子エレクトロ
ニクス

原子，分子及び原子核と電磁波との相互作用を
通信，制御，計測などに利用する工学の一分野。

quantum
electronics

1-8

フォトニクス

光子又は光波の使い方及び管理に関する科学及
び技術であり，光信号や光パワーの検出，増幅，
変調，蓄積，画像処理などの科学技術を含む。

photonics

1-9

クライオエレク
トロニクス

極低温における固体中の電子の振舞いを利用す
るエレクトロニクスの一分野。

例ジョセフソン効果を利用したデバイス

は，多くの応用分野をもつ。

cryoelectronics

1-10

バイオニクス

生物の優れた機能を工学的方法によって分析し，
その機構を工学に応用しようとする分野。

備考生物の情報処理機構，運動機構，エネ

ルギー変換機構，制御機構など。

bionics

1-11

ロボトロニクス

コンピュータに連動し，その管理を受けてロボッ
トが巧みに行う電子技術。

robotronics

1-12

ソニクス

音波又は振動を用いて処理，加工，計測，解析な
どを行う技術。

sonics

1-13

ウルトラソニク
ス

ソニクスの一種であって，超音波振動を利用する
もの。

ultrasonics

1-14

エレクトロアコ
ースティクス，
電気音響学

音響機械系の動作方程式が同一形式の電気系の
ものを，元の音響機械系の等価回路と考えて，こ
の等価回路を解くことで，すでに完成している電
気回路のデータを，音響機械系の動作解析又は設
計に利用する方法である。

electroacoustics

b) 基礎用語

1) 原子，粒子及び電子

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-1-1

原子

1個又は複数の陽子と中性子からなる原子核と，
その周囲に存在する，陽子と同じ数の電子とで構
成される粒子。物質を構成する要素である。

atom

393-01-18
(111-14-09)

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番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-1-2

原子核

原子の中心部であって，陽子と中性子との結合し
たものから構成され，正電荷を帯び，原子の大部
分の質量を占める。ただし，水素原子核では単に
1個の陽子だけで構成される。

[atomic] nucleus

111-14-10，
393-01-20，
881-02-42

2-1-3

核種

質量数と原子番号とによって特徴付けられる原
子の種類。

nuclide

111-14-19，
393-01-19，
881-02-35

2-1-4

素粒子

これ以上分割できないと考えられる究極の粒子。
強い相互作用をするハドロン（陽子，中性子，中
間子など），強い相互作用をしないレプトン（電
子，ニュートリノなど）及び相互作用を媒介する
ゲージ粒子（光子など）の 3種類に大きく分けら
れる。

elementary
particle

111-14-02，
393-01-01，
881-02-45

2-1-5

電気素量

電子，プロトン及びポジトロンがもつ電荷の大き
さで，荷電粒子のもつ電気量の最小単位。すべて
の電気量はこの整数倍で表せる。その大きさは，
e = 1.602 177 3 ×

10−(C)。

elementary
(electric)
charge

111-14-08
elementary

(electric)
charge，

393-04-06
elementary

(electric)
charge，

881-04-11
elementary

charge

2-1-6

電子

素粒子の一つで，負の電気素量-e =-1.602 177
3×

10− (C)，静止質量m 0 = 9.109 389 7×

10−(kg)

（陽子の約1/1 840）をもつ。

electron

111-14-11，
393-01-07，
881-02-57

2-1-7

スピン

素粒子又は素粒子で構成される量子力学系のも
つ基本的な量で，粒子の自転に基づく角運動量。
その固有値 (1/2)ηをもつ模型で理解される。た
だし，

h/2

，h :プランク定数である。

spin

111-14-05

2-1-8

電子対

二つの原子に共有されたスピンの向きが互いに
逆方向である2個の電子の対。

electron pair

2-1-9

不対電子

電子対を作っていない電子。奇電子ともいう。

unpaired
electron

2-1-10 電子の静止質量

慣性系: 静止している電子の質量で，その値は，

m0 =9.109 389 7×10-31 (kg)。

相対論: 一般に速さvで運動している粒子の質量

は，

)

v/c

(

−

で表される（m0：静

止質量， c：光速）。
素粒子系: 静止エネルギーEをc2（c：光速）で
除した値。

rest mass of
electron

111-13-17
rest mass，
静止質量，
393-04-08

2-1-11

比電荷

荷電粒子の電荷の大きさと質量との比。電子の比
電荷は，1.758 819×10-11 (C/kg)。

specific charge

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番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-1-12 電子ボルト

真空中で 1 (V) の電位差を通過するときに電子
が得る運動エネルギーに等しいエネルギーの単
位。

electronvolt

393-04-21，
881-04-12

2-1-13 質量数

原子の原子核を構成する核子の数。

mass number

111-14-17，
393-04-01，
881-02-49

2-1-14 陽子

正電荷1.602 177 3×10-19(C)と静止質量 1.672 623
1× 10-27 (kg) をもつ安定な素粒子をいい，水素原
子の原子核を構成する。

proton

111-14-13，
393-01-10，
881-02-51

2-1-15 トリトン

三重水素の原子核3H 。三重陽子ともいい，1個

の陽子と 2個の中性子とが結合したもの。

triton

393-01-30，
881-02-64

2-1-16 中性子

電荷はもたず，静止質量 1.674 928 6×10-27 (kg) を
もつ素粒子。ベータ崩壊の平均寿命は，約 1 000
(s)。

neutron

111-14-15，
393-01-11，
881-02-52

2-1-17 陽電子

正の素電荷，電子と同一の静止質量をもつ素粒
子。

positron

111-14-12，
393-01-08，
881-02-58

2-1-18 重陽子

重水素の原子核で，質量数2 の水素の同位体。

deuteron

393-01-29，
881-02-63

2-1-19 核子

原子核を構成する陽子又は中性子の総称。

備考陽子と中性子とは，ともにスピン1/2

でほぼ等しい静止質量をもち，弱い相
互作用によって相互に変態する。

nucleon

111-14-16，
393-01-12，
881-02-48

2-1-20 中間子

寿命の短い強い相互作用をする種々のボーズ粒
子の総称をいい，高エネルギー核反応で生成され
る。荷電しているものとしていないものとがあ
り，静止質量は，電子と陽子との間にあり，高エ
ネルギー核反応で生成される。

備考一般には，スピン0 の粒子に限定され

る。 π−，K−，η−，ρ−，ω−，φ−
中間子などがある。

meson

393-01-14
meson，
393-01-15
P meson;
pion，
393-01-16
K meson; kaon，
881-02-68
π(p) meson;
pion

2-1-21 μ粒子

±e の電荷，電子の質量の約207 倍の質量，1/2

のスピン，2.2 μsの平均寿命をもつ素粒子。

muon

393-01-13，
881-02-67

2-1-22 ニュートリノ

電荷をもたず，1/2 のスピン，静止質量がゼロ又
は電子の静止質量の1/1 000 以下の弱い相互作用
しかしない安定な素粒子。

neutrino

393-01-09，
881-02-69

2-1-23 原子量

12Cの12(g) 中に含まれる原子の数と同数のその

原子の集団の質量を，グラム単位で示した数値。

atomic mass
unit，
atomic weight

881-04-06

2-1-24 分子量

質量数12 の炭素の同位体12Cの12(g) 中に含ま
れる原子の数と同数の分子の集団の質量とをグ
ラム単位で示した数値。

molecular
weight

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番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-1-25 グラム原子

元素の量を表す単位。質量をグラム単位で表した
数値が，その元素の原子量に等しくなる量。1グ
ラム原子は，原子の1モルに相当する。

gram atom

2-1-26 グラム分子

化学物質の量を表す単位。質量をグラム単位で表
した数値が，その化学物質の分子量に等しくなる
量。1グラム分子は，分子の 1モルに相当する。

gram molecule

2-1-27 原子番号

原子核のもつ陽子の個数。

atomic number

111-14-18，
393-04-02，
881-02-50

2-1-28 同位体

原子番号は同じであるが，異なる質量数をもつ核
種。

isotope

111-14-20，
393-01-21，
881-02-37

2-1-29 同重体

質量数が等しく，原子番号の異なる核種。

isobar

393-01-22，
881-02-41

2-1-30 電子殻

原子を一体近似で扱う場合，主量子数n，副量子
数lがともに等しい軌道関数をもつ電子の集ま
り。nが同じでlの異なる準位が接近している場
合には，それらをひとまとめにして電子殻という
こともある。

electron shell

2-1-31 外殻電子

エネルギー準位の高い，原子の外側の電子殻にあ
る電子。

outer-shell
electron

2-1-32 内殻電子

外殻電子以外の電子殻にある電子。

inner-shell
electron

2-1-33 価電子

原子構造の電子配置において外部の電子殻を占
める電子をいい，通常，最外殻のs電子とp電子
とを指す。

valence electron

111-14-24

2-1-34 束縛電子

原子，分子などに束縛されて，電界の下で自由に
移動できない電子。

bound electron

111-14-23

2-1-35 自由電子

原子に束縛されずに，原子核の引力から抜け出
し，物質内又は真空中を動くことのできる電子。

free electron

111-14-22

2-1-36 電子ガス

金属内の自由電子を気体とみなす場合の呼称。

electron gas

111-14-28

2-1-37 電子密度

単位体積中の電子数，又は電子の波動関数で表さ
れる確率密度。

electron
density，
electron
concentration

705-06-05

2-1-38 電子温度

電子の運動エネルギーを，kT（k: ボルツマン定
数）に等しいとおいたときの温度 T。

electron
temperature

2-1-39 電子軌道

原子又は分子の電子がそのエネルギー，角運動量
に応じて描く軌道。

electron orbit

2-1-40 ボーア半径

ボーアとゾンマーフェルトの考えに基づくボー
ア原子モデルによる水素原子の基底状態の電子
が描く円軌道の半径。大きさは 0.052 8 (nm)。

Bohr radius

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-1-41 励起

原子，原子核，分子，電子，イオンなどの粒子又
はそれらで構成される固体，液体，気体に外部か
らエネルギーを与えてエネルギーの低い状態か
ら高い状態へ遷移させること。

excitation

393-03-33，
845-04-17，
881-02-71

2-1-42 内殻励起

原子の内殻にある電子をエネルギーの高い状態
に励起すること。

inner-shell
excitation

2-1-43 特性X線

原子の内殻の電子が，外部から十分大きなエネル
ギーを得て外部に飛び出し，そのときできたホー
ルに外側の軌道の電子が遷移するときに放出さ
れる，その軌道エネルギーの差に相当するエネル
ギーの電磁波（X線）。軌道電子のエネルギーが
元素によって固有なので，特性X線は元素に固有
である。

characteristic
radiation

393-02-16，
881-02-21

2-1-44 連続X線

連続的なエネルギースペクトルをもつX 線。

備考特性X線を除く。

continuous X
radiation

393-02-17

2-1-45 オージェ効果

励起状態の電子が他の電子にエネルギーを与え
ることによってエネルギーの低い状態に緩和す
ること。エネルギーを与えられ励起された電子
を“オージェ電子”(Auger electron) という。（一
般に，原子の場合は，励起され原子の外に飛び出
した原子をオージェ電子といい，半導体では，伝
導帯や不純物準位にある電子が励起されホット
になった電子をオージェ電子という。）。

Auger effect

393-03-40，
881-03-43

2-1-46 基底状態

ある量子力学系の定常状態のうち，最低のエネル
ギー状態。

ground state

111-14-29

2-1-47 励起状態

基底状態より高いエネルギー量子状態。

excited state

111-14-30

2-1-48 閉殻

パウリの原理で許される最大個数の電子を収容
した電子殻。

closed shell

2-1-49 原子価

ある元素の原子1個が結合する水素原子の数。
水素原子と結合しない場合は，他の元素を媒介と
して求められる相応の数。

valence

2-1-50 荷電粒子

電荷を帯びている粒子。

例イオン，陽子，中間子，電子，正孔。

charged particle

2-1-51 イオン

電荷をもっている原子，原子団又は分子。

ion

111-14-26，
393-01-34，
705-06-01，
881-02-70

2-1-52 イオン化

中性の原子，原子団及び分子が電子を失い陽イオ
ンになること，又は電子を与えられて陰イオンと
なること。陽イオンになるために必要なエネルギ
ーをイオン化エネルギー，陰イオンになるときに
放出されるエネルギーを，電子親和力という。ま
た，イオン化前の中性原子数に対するイオン化し
たイオン数の割合をイオン化率という。

ionization

111-14-27
電離;
イオン化，
393-03-01
(111-14-27)
電離，
705-06-02
電離

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-1-53 散乱(粒子の)

ある粒子が同種又は異種の粒子と衝突してその
運動方向が変化する現象。ただし，衝突の前後
で粒子の種類又は数が変化しない場合をいう。

scattering (of a
particle)

393-03-07，
881-03-14

2-1-54 衝突

二つの粒子が互いに近距離力の範囲に接近又は
接触し，極めて短時間で，互いに相互作用し，運
動量又はエネルギー条件を変化させる現象。

collision

393-03-41，
881-03-51

2-1-55 散乱確率

粒子が単位時間に散乱中心に散乱される頻度。

scattering rate

2-1-56 衝突確率

粒子が単位時間に衝突中心に衝突する頻度。

collision rate

2-1-57 断面積

入射粒子又は波とターゲットとの間の衝突，散乱
などのある特定の相互作用の確率を表す指標で，
ターゲット当たりの相互作用確率を入射粒子又
は波の流束密度で除した商。相互作用の確率P
は，ターゲットの密度Nと流束の速度vとの積に
比例する。その比例係数をSとすると [P=S(Nv)]，

S は面積の次元をもちこれを相互作用の断面積

と定義する。このように定義した断面積Sは，タ
ーゲットの面積Sの範囲に飛び込んできた粒子が
ターゲットと相互作用するとした考えと一致す
る。

cross-section

111-14-55
cross-section

(of interaction)

（相互作用の）

断面積，

393-04-42，
881-04-03

2-1-58 弾性散乱

散乱の前後で，系全体の運動エネルギーと粒子の
内部エネルギーとの両者が保存される散乱。

elastic scattering

393-03-10，
881-03-17

2-1-59 弾性衝突

衝突の前後で，系全体の運動エネルギーと粒子の
内部エネルギーとの両者が保存される衝突。

elastic collision

393-03-42，
881-03-52

2-1-60 非弾性散乱

散乱の前後で，系全体の運動エネルギーが失わ
れ，そのエネルギーが粒子の内部エネルギーの増
加となる散乱。

inelastic
scattering

393-03-11，
881-03-18

2-1-61 非弾性衝突

衝突の前後で系全体の運動エネルギーが失われ，
そのエネルギーが粒子の内部エネルギーの増加
となる衝突。

inelastic
collision

393-03-43，
881-03-53

2-1-62 伝導電流

外部電界の印加によって荷電粒子が移動するこ
とによって生じる電流。

conduction
current

212-01-17，
521-02-15

2-1-63 ドリフト(粒子

の)

多数の粒子が存在する拡散系で，ランダムな熱運
動をする粒子の位置平均が外部電界を受けて移
動する現象。

drift (of a
particle)

2-1-64 ドリフト速度

外部電界によって荷電粒子がドリフトによって
移動する速度。

drift velocity

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-1-65 [ドリフト]移動

度

荷電粒子が外部電界を受けてドリフトする速度
が電界と比例関係にあるときの速度を電界で除
した商で，荷電粒子の動きやすさを表す物理量。

備考ドリフト速度をvd ，電界をε，移動

度をμとするとき，

vd ＝με

参考普通，単に移動度といえばドリフト移

動度をさすが，特にホール移動度と区
別するときにドリフト移動度という。

(drift) mobility

111-14-53
移動度，
394-19-05
（荷電粒子の）

移動度，

521-02-58
drift

mobility

(of a charge
carrier)，

881-02-77
mobility (of a

particle)，

521-09-04
Hall mobility

2-1-66 ドリフト電流

外部電界の下で，荷電粒子のドリフトによって流
れる電流。

drift current

2-1-67 拡散

多数の粒子系で，ある平衡状態からずれた粒子が
密度分布のこう配に応じて平衡状態へと移る粒
子の移動過程。

diffusion

111-14-66，
521-02-59
diffusion (in a

semiconductor)

2-1-68 拡散係数

拡散の速さを示す物理量で，単位時間，単位面積
当たり粒子の流れ（流束）を粒子密度のこう配で
除した商。

∇

−

，Φ:粒子の流束，C: 粒

子密度，D: 拡散係数

diffusion
coefficient，
diffusion
constant

521-02-61
diffusion

constant

(of

charge carriers)

2-1-69 拡散の長さ

粒子の拡散過程において，粒子密度が1/eに減衰
する長さ。半導体中の少数キャリヤの拡散の長さ
は，拡散係数と寿命の積の平方根で表される。

diffusion length

393-05-05
拡散距離，
521-02-61
diffusion length

(of

minority

carriers)

2-1-70 拡散電流

荷電粒子の拡散によって流れる電流。

diffusion current

2-1-71 アインシュタイ

ンの関係式

半導体内のキャリヤの移動度μと拡散係数Dの
関係とを表す式。拡散速度は，キャリヤの移動
度が大きいほど速く，その関係は次式による。

ここに，k : ボルツマン定数

T : 絶対温度

e: 電気素量

Einstein
relationship

2-1-72 緩和

非平衡状態にある系が，その系の内部運動によっ
て平衡状態に戻ること。

relaxation

C 5600：2006

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番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-1-73 平均寿命 (粒子

の)

素粒子，原子，分子，電子，イオンなどの粒子が
ある不安定な励起状態に留まっている平均の時
間。定義に 1/e 及び 1/2（半減期）の 2種類が
ある。普通，個々の粒子の寿命は異なるが，あ
る不安定な状態にある多数の粒子の数は，時間と
ともに指数関数的に減少し，その寿命の平均値
は，不安定な状態にある粒子数が 1/e になる時間
である。放射性原子核の崩壊など，また，時間
に対し指数関数的に減少しない系では，その状態
の粒子数が 1/2 になる時間（半減期）で定義する。

mean life (of a
particle)

111-14-14，
393-04-18，
881-04-18

2-1-74 平均自由行程

運動するある特定のタイプの粒子が，特定のタイ
プの散乱（衝突）から次の散乱（衝突）までの時
間に走行する距離の平均。

mean free path

111-14-5，
393-04-91，
881-04-40

2-1-75 活性化エネルギ

ー

ある状態からそれよりエネルギーの高い遷移状
態を経て次の状態に移る過程において，遷移状態
のエネルギーとはじめの状態とのエネルギーの
差。

activation
energy

(521-02-05
impurity

activation
energy)

2) 粒子の性質

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-2-1

[マクスウェル・]
ボルツマン統
計

ある一つの系の非常に小さい有限な体積内で，位
置座標及び速度座標又はエネルギー座標の平均
値によって定義される非量子化系の巨視状態の
存在確率を扱う統計理論。

(Maxwell-)
Boltzmann
statistics

521-01-03

2-2-2

[マクスウェル・]
ボルツマン分
布

熱平衡状態における非量子化系のあるエネルギ
ー状態を粒子が占める確率を表す分布。その確率

)

は，次の式で表す。

−

exp

(E)

ここに，T : 絶対温度

k : ボルツマン定数
E: 非量子状態のエネルギー
A : 定数

(Maxwell-)
Boltzmann
distribution

2-2-3

ボルツマン因子

ボルツマン統計に従う粒子がエネルギーEの熱
平衡状態に存在する確率と比例する因子。
exp

)

(E/kT

−

で表される。

Boltzmann
factor

2-2-4

ボルツマン[方
程]式

粒子系のエントロピーが，その巨視状態の確率の
自然対数に比例することを述べる関係式。その比
例定数が，ボルツマン定数である。

Boltzmann
equation

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-2-5

統計学的重み

巨視状態に含まれる微視状態の数。その統計学
的な重みが極大であるような巨視状態が平衡状
態である。

statistical weight

2-2-6

フェルミ[・ディ
ラック]統計

パウリ原理を考慮した粒子の量子化した系にお
ける巨視状態の確率を扱う統計理論。

Fermi(-Dirac)
statistics

521-01-15

2-2-7

フェルミ[・ディ
ラック]分布

固体中の電子はフェルミ［・ディラック］統計に
従い，あるエネルギーの量子状態を電子が占める
確率を表す分布。その確率

)

は，次の式で表

す。

)

(

exp

)

(

−

ここに，T: 絶対温度

k : ボルツマン定数
E :量子状態のエネルギー
EF : フェルミ準位

Fermi(-Dirac)
distribution

(521-01-16
Fermi-Dirac

function)

2-2-8

フェルミ準位

固体において，絶対零度で電子で占有されている
量子状態と占有されていない量子状態とを分け
るエネルギー準位。このエネルギーでフェルミ分
布関数が 1/2 の値をとる。

Fermi level

111-14-38，
521-01-17

2-2-9

縮退(統計学の)

ボーズ統計，フェルミ統計に従う粒子が，古典力
学に従う粒子とは違ったその統計特有の性質を
表す状態。低温で粒子密度が大きい場合に，そ
の特徴が大きく現れる。

degeneration (in
statistics)

2-2-10 縮退ガス，

縮退気体

ボーズ統計，フェルミ統計の効果を明確に示す気
体。

備考ガスには，極低温の水素ガス，金属内

や高濃度ドープ半導体の電子が相当す
る。

degenerate gas

2-2-11

ボーズ[・アイン
シュタイン]分
布

ボーズ［・アインシュタイン］統計に従う粒子の
分布。あるエネルギー量子状態を電子が占める確
率は，次の式で表す。

)

(

−

exp

ここに，T : 絶対温度

k : ボルツマン定数
E : 量子状態のエネルギー
A : 係数である。

Bose(-Einstein)
distribution

2-2-12 フェルミ粒子，

フェルミオン

フェルミ統計に従う粒子。スピンが半奇数の粒
子，例えば，電子，陽子，中性子など。

Fermi particle，
fermion

2-2-13 ボーズ粒子，

ボゾン

ボーズ統計に従う粒子。スピンが偶数の粒子で，
例えば，光子， 2H，4He など。

Bose particle，
boson

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-2-14 ボーア原子

ボーアとゾンマーフェルドの概念に基づく原子
の模型であって，原子に束縛された電子はとびと
びの円又はだ円の軌道に沿って原子核の周りを
運動する。原子の各自由度に対応する一連のエ
ネルギー状態が存在し，これらが原子によって放
出されるスペクトルの系列を決定する。

Bohr atom

521-01-06

2-2-15 ブラソフ式

プラズマに関するボルツマン輸送方程式の修正
式。粒子は相互に誘導する空間電荷電界を通して
だけ相互作用し，衝突は無視すると仮定したも
の。

Vlasov equation

2-2-16 量子化

古典的な物理量を量子論的な物理量に置き換え
ること。

quantization

2-2-17 エネルギー準位

原子，分子などの量子力学系の定常状態でとる
種々のエネルギーの値。

energy level

111-14-21
(521-01-12)，
845-04-16

2-2-18 量子数

原子の自由度を特徴付ける数。原子の電子に対
しては，主量子数n，方位量子数l，磁気量子数

m，スピン量子数sなどが，ある。

quantum number 521-01-07

quantum

number (of an
electron in a
given atom)

2-2-19 主量子数

原子内の電子のエネルギー準位の主要な変化を
特徴付ける正の整数。波動関数の節面（波動関数
が0となる面）の数に1を加えた整数に等しく，
通常，nで表す。

備考ボーア(Bohr)モデルによれば，主量子数

は電子軌道の半径を特徴付けると考え
られる。電子に働く力が原子核からの
クーロン引力だけの場合は，そのエネ
ルギーはnだけで表される。水素原子
以外の原子の電子のエネルギーは，n
だけでなく，方位量子数lにも依存す
る。

principal
quantum
number

521-01-08
principal (first)

quantum
number

2-2-20 方位量子数，

軌道量子数

軌道運動している電子の軌道角運動量の大きさ
を与える量子数。通常，lで表す（多粒子系でL
は）。球対称の場の中では，軌道角運動量 lの2
乗の固有値は，

(

で与えられる。 lは 0

からn−1（nは主量子数）までのすべての整数値
をとり，nが同じ場合には，l が大きい方がエ
ネルギーは大きい。 l= 0，1，2，3，4，5，6…
に応じた固有状態を s，p，d，f，g，h…で表す（多
粒子系では S，P，D，F，G，H…）。

azimuthal
quantum
number，
orbital quantum
number

521-01-09
orbital (second)

quantum
number

C 5600：2006

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番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-2-21 スピン軌道相互

作用

電子の軌道磁気モーメントとスピン磁気モーメ
ント間の相互作用。軌道角運動量をl ，スピン
角運動量をs とすると，スピン軌道相互作用エネ
ルギーは ls

λで表される。比例定数 λは，スピ

ン軌道相互作用定数と呼ばれる。

spin-orbit
interaction

2-2-22 パウリの原理

量子化した系における各電子状態には，0個，1
個又は2個の電子しか入ることができないという
原理。2個の電子の場合には，反対方向のスピン
をもつ。パウリの排他原理，パウリの排他律又は
単に排他原理若しくは排他律ともいう。

Pauli principle，
Pauli-Fermi
exclusion
principle

521-01-14

2-2-23 ボーズ[・アイン

シュタイン]統
計

整数のスピンをもつ粒子（光子，2H，4He）は，
各々の一粒子状態を占有する粒子数は 0 から ∞
までの任意の数が可能で，このような粒子が従う
統計。

Bose(-Einstein)
statistics

2-2-24 磁気量子数

軌道角運動量l のz（任意）方向成分z

lの大きさ

を与える量子数。通常，

mで表す（多粒子系では

M）。球対称場では，zlの固有値は

m とな

る。

m の値は，l−，

(−

−l

，・・・，0，・・・，

(−

，l の

個ある。各状態は，通常，縮

退しているが，磁界をかけると

mに比例したエネ

ルギーの変化を受けて縮退がとれる。

magnetic
quantum
number

2-2-25 スピン[量子数]

電子を，自転軸の周りを回転している小さな荷電
球と考えたときの，角運動量を与える量子数。通
常，sで表す（多粒子系ではS）。スピン角運動
量sの2乗

sの固有値は，

(

で与えられ

る。 sの z（任意）方向成分szの固有値は，

と表される。

mをスピン磁気量子数といい，電

子に対しては，s=1/2，s

m=±1/2 である。

spin (quantum
number)

521-01-10
spin (quantum

number)

2-2-26 全角運動量量子

数，
内量子数

軌道角運動量lとスピン角運動量sの和である全
角運動量

の大きさを与える量子数。通

常，jで表す（多粒子系ではJ）。全角運動量 j
の2乗の固有値は

(

で与えられる。j

は，

l−

から

l+までの値を取る。jの z（任

意）方向成分

zjの大きさを与える量子数を内磁気

量子数といい，通常，

mで表す（多粒子系では

M）。スピン軌道相互作用を考慮した系では，

m，

mの代わりに，j，

mがよい量子数とな

る。

参考内部量子数ともいうことがある。

total angular
momentum
quantum
number，
inner quantum
number

521-01-11

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

3) 物質の構成

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-3-1 結晶

構成原子が空間的に周期的な配列をもつ固体物
質。狭義には，単結晶のこと，広義には，小さ
な単結晶からなる多結晶をも含める。

crystal

521-02-45
ideal crystal

2-3-2

結晶成長

固相，液相，又は気相状態の結晶原料から単結晶
又は多結晶を成長させること。

crystal growth

[521-03-01
growing by
Czochralski's
method;
growing by
pulling (of a
single crystal)，
521-03-02
growing by zone
melting (of a
single crystal)]

2-3-3

エピタキシャル
成長，
エピタキシ

基板結晶上に気相又は液相で原料を供給し，基板
結晶と結晶軸とをそろえて結晶を成長すること。

参考気相で原料を供給する気相エピタキ

シ，液相で原料を供給する液相エピタ
キシ，非結晶の固体を結晶化させる固
相エピタキシなどがある。

epitaxial
growth，
epitaxy

521-03-12

2-3-4

配位結合

共有結合の一種で，一方の原子にある電子対が相
手の原子と共有されることでできる共有結合。

coordinate bond

2-3-5

面心格子

単純格子に，各面の対角線の交点に格子点を付け
加えた格子。面心立法及び面心斜方格子がある。

face-centered
lattice

2-3-6

結晶軸

結晶面や物理的性質の対称性がよく現れる結晶
の座標軸。

crystal axis

2-3-7

逆格子

空間格子の基本ベクトルと相反系の関係にある
ベクトルを基本ベクトルとする空間格子。空間格
子の基本ベクトルを

(

，その逆格子の

基本ベクトルを

(

とするとき，

｝

｛

)

≠

πδ

三次元格子に対する具体的表現は，

)

(

)

(

)

(

)

(

)

(

)

(

reciprocal lattice

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-3-8

ミラー指数

結晶面（格子面）又はその方向を表示する記号。
三つの結晶軸の基本ベクトルの大きさが a,b,c
である結晶の，ある結晶面の結晶軸との交点が

であるとき，

の

比を互いに素な整数

で表し，これをこの面

のミラー指数といい，この面を

)

(

のように表

す。

Miller indices

2-3-9

双晶

2個の結晶が，ある特定面又は軸に関して対称性
をもって結合している結晶。

twin

2-3-10 イオン伝導

イオンの空間的移動によって生じる電気伝導。
イオン結晶など電子密度，正孔密度の非常に小さ
い固体中，電解質溶液中，イオン化した気体中に
おいて流れる電流の主要伝導機構。

ionic conduction

521-02-21

2-3-11

単結晶

全体にわたって構成原子が，空間的に周期的配列
をもつ固体物質。

single crystal

2-3-12 多結晶

比較的小さな単結晶がその結晶軸方向をそろえ
ずに多数集合して構成される固体物質。

polycrystal

2-3-13 結晶粒

多結晶を構成する小さな単結晶の粒。

grain

2-3-14 結晶粒界

結晶粒同士の結合境界。

grain boundary

2-3-15 アモルファス，

非晶質

広義には，原子の空間配列に周期性をもたない固
体物質で，結晶の反意語に用いられる。狭義に
は，短距離的には周期性を示すが，長距離的には
周期性をもたない原子構造の固体物質。

amorphous，
noncrystal

2-3-16 [化学]結合

分子又は固体（結晶，非晶質）を構成する原子又
はイオン間の結合。

(chemical) bond

2-3-17 イオン結合

正負の電荷をもつイオン間の静電引力による化
学結合。一般に，電気陰性度の差の大きい原子
間にイオン結合が多い。

ionic bond

2-3-18 金属結合

金属を構成する原子間の結合で，電子が多数の原
子に共有されることによってエネルギーが低下
するという原因で生じる結合。

metallic bond

2-3-19 共有結合

2個の原子が結合電子対を共有することによって
形成される結合。各原子の半分満たされた軌道間
で強い共有結合ができやすい。

covalent bond

2-3-20 交換相互作用

異なる 1 電子軌道関数を占める電子のスピン間
に働く相互作用。

exchange
interaction

2-3-21 配位

一つの原子又はイオンの周りに化学結合で他の
原子，分子，イオンが配列する状態。このよう
な原子集団を錯体といい，配位結合している原子
又は原子団を配位子 (ligand)，その数を配位数
(coordination number，ligancy) という。

coordination

2-3-22 分子結合，

ファン・デル・ワ
ールス結合

満ちた電子殻をもつ原子，分子間で，電子分布の
揺らぎのために生じる双極子によって引き合う
ことによって生じる結合。

molecular bond，
van der Waals
bond

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-3-23 水素結合

電気陰性度の大きい原子が同一又は他の電気陰
性度の大きい原子と水素原子とを介在して安定
化する結合。両側の原子と水素原子とで電子を共
有することによって，両側の電子は負に，水素原
子は正に荷電している。代表例は水分子である。

hydrogen bond

2-3-24 空間格子，

結晶格子

結晶構造の原子配列の空間的周期性の基本要素
を取り出して構成した周期的点の三次元的配列。
どの点をとってもその周囲が他の点の周囲と全
く同じになっている。

space lattice，
crystal lattice

2-3-25 単位格子

空間格子を構成する最小の単位の格子。いろいろ
な選び方が可能である。

unit cell

2-3-26 格子定数

単位格子の各りょう（稜）の長さと相互間のなす
角度。

lattice constant

2-3-27 格子点

空間格子を形成する立体の頂点。単結晶は，格
子点に1個又は複数個の原子，イオン及び分子
が配列することによって構成される。

lattice point

2-3-28 ブラヴェ格子

ブラヴェが選んだ単位格子。空間格子を単純格
子，体心格子，面心格子及び底心格子に分け，こ
れを基準として14種の単位格子に分類される。

Bravais lattice

2-3-29 単純格子

6個の平行四辺形からなる6面体の頂点に格子点
がある格子。単純立方，単純正方，単純六方，
単純ひし（菱）面体，単純斜方，単純単斜，単純
三斜格子がある。

simple lattice

2-3-30 体心格子

単純格子に，相対する頂点を結ぶ対角線の交点
（格子の中心）に格子点を付け加えた格子。体心
立方，体心正方及び体心斜方格子がある。

body-centered
lattice

2-3-31 底心格子

単純格子に，底面と相対する上面のそれぞれ対角
線の交点に格子点を付け加えた格子。底心斜方
及び底心単斜格子がある。

base-centered
lattice

2-3-32 結晶構造

結晶の三次元的周期配列構造をその対称性に着
目して分類したもの。合計230 種の構造が考えら
れる。代表例として，金属結晶の最密構造，ダイ
ヤモンド，シリコン，ゲルマニウムなどのダイヤ
モンド構造 (diamond structure)，ひ化ガリウムなど
のせん（閃）亜鉛鉱構造 (zinc blende structure)が
ある。

crystal structure

2-3-33 最密構造

半径が同じ球を最も密に積み重ねたときの球の
中心を格子点とする結晶構造。球の積み重ね方
には，第3層が第 1層と同一の配置のもの（ABAB
配置，又は立方最密構造という。）と第3層が第
1層とは異なる配置（ABCABC 配置又は六方最
密構造という。）の 2種類の構造がある。

close-packed
structure

2-3-34 準結晶

2個以上の相異なる単位格子からなる積層構造で
あって，その構造全体については厳密な周期性は
ないが，ある方向には周期性をもつもの。

quasi crystal

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-3-35 格子欠陥

空間格子の規則的周期配列の一部分が理想的な
完全結晶の配列から外れて乱れたり，又は不純物
原子が入り込んでできる格子配列の局所的な（数
原子間の距離）周期性からのずれや空格子点，又
はその空格子点や格子間に入った不純物原子。
その形状に従って，点欠陥，線欠陥及び体積欠
陥に分類される。

lattice defect，
lattice
imperfection

2-3-36 結晶欠陥

結晶内の理想的な完全結晶から外れた領域。格子
欠陥はもとより，マクロな微小析出物，不純物ク
ラスターなどを包含する一般的な表現。

crystal defect

2-3-37 点欠陥

点状の格子欠陥をいい，空格子点，格子位置異種
原子，格子間同種原子，異種原子などがある。

point defect

2-3-38 空格子点，

原子空孔

格子点に原子がなく空となっている点欠陥。

(atomic)
vacancy

2-3-39 格子間原子

本来の格子点でない格子間に入り込んだ同種又
は異種原子。

interstitial atom

2-3-40 フレンケル欠陥

結晶格子点にある原子が，格子間に移動した結果
できた空格子点と格子間原子との対の欠陥。

Frenkel defect

2-3-41 ショットキー欠

陥

結晶格子点にある原子が，結晶の表面の格子位置
に移動して，その結果できる単独の空格子点。

Schottky defect

2-3-42 転位

結晶内部の面のすべりの生じた領域と生じてい
ない領域との境界として現れる線状の格子欠陥
をいい，刃状転位（はじょうてんい，edge
dislocation）と，らせん転位（らせんてんい，screw
dislocation）とがある。

dislocation

561-05-09

2-3-43 バーガースベク

トル

格子内のある面に沿って転位が発生していると
き，その面の片側の格子が他方の側の格子に対し
て相対的に起こしている変位を表すベクトル。

Burgers vector

2-3-44 積層欠陥

一つの原子面がある原子面の上に誤った順番で
積み重なることによって生じる面欠陥。しかし，
この不整面の両側の格子は完全である。

stacking fault

2-3-45 インターカレー

ション

層状物体の層間に電子供与体又は電子受容体電
荷の移動によって挿入される現象。

intercalation

C 5600：2006

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4) 固体の電子構造

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-4-1

エネルギーバン
ド，
エネルギー帯

結晶中の電子が，占有可能なほぼ連続的に並んだ
一連のエネルギー準位で構成される帯（許容帯）。
それぞれの許容帯は，電子の占有が禁止されてい
るエネルギー帯（禁制帯）でもって隔てられる。
共有結合性の強い固体では，アモルファス状態で
も結晶に対応したバンド構造がみられるが，許容
帯と禁制帯との境界が明りょうではない。

energy band

111-14-34
エネルギー帯，
521-02-25
energy band;
Bloch band，
521-02-26
energy band

(in a
semiconductor)

2-4-2

バンド構造エン
ジニアリング

2種類以上の半導体の固溶体（合金半導体，又は
混晶半導体）の組成を制御するか，又は超格子構
造の組成及び膜厚の制御によって，目的とするデ
バイスに最適なバンド構造を選び作ること。バン
ドギャップエンジニアリングともいう。

band structure
engineering

2-4-3

許容帯

結晶の電子が占有することの可能なエネルギー
バンド。

allowed band，
permitted band

111-14-35，
521-02-29

2-4-4

禁制帯

二つの許容帯を分離する電子の占有が不可能な
エネルギー帯。一般に，ここには不純物，欠陥な
どが存在しない限り，電子のエネルギー準位は含
まれない。

forbidden band

111-14-36，
521-02-30

2-4-5

充満帯

許容帯のうち，絶対零度において電子によって完
全に満たされたバンド。

filled band

521-02-32

2-4-6

価電子帯

価電子によって占有されている許容帯。バンドギ
ャップを挟んでこれよりすぐ上のエネルギーに
ある許容帯が伝導帯である。絶対零度では，価電
子帯は電子で完全に占有されており，価電子が伝
導帯に励起されて価電子が欠けると価電子帯に
自由正孔が，伝導帯に伝導電子が生じる。

valence band

111-14-39，
521-02-23

2-4-7

空帯

結晶のエネルギーバンドにおいて，絶対零度でエ
ネルギー準位が電子に占有されていない空の許
容帯。

empty band

521-02-33

2-4-8

伝導帯

完全に満ちていないバンド中の電子，又は空帯へ
熱的若しくは光の吸収によって励起された電子
は，結晶中を自由に動けるため電気伝導に寄与す
る。この意味で，完全に満ちていないバンド及
び空帯を伝導帯と呼ぶ。

conduction band

111-14-40，
521-02-22

2-4-9

バンドギャップ
エネルギー，
エネルギーギャ
ップ

結晶中の隣接した許容帯間のエネルギー間隔。
通常は，伝導帯最下端と価電子帯最上端とのエネ
ルギー差。

band gap
energy，
energy gap

111-14-37
エネルギーギ

ャップ，

521-02-24

C 5600：2006

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番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-4-10 結晶運動量

結晶内電子の状態を指定する波数ベクトルをk
とし，

で定義される運動量p(ここに

プランク定数)。結晶運動量を用

いることによって，外力が与えられた場合の運動
を自由粒子に対するニュートンの運動方程式と
同じ形式で記述できる。

crystal
momentum

2-4-11

ブリルアン帯域

結晶のユニットセルの大きさa に対応する周期

性

)

の基本領域

)

(

−

。結晶中

を伝搬する電子波，格子波などの状態を波動ベク
トルで表すと同様の周期性の基本領域をもつ。

Brillouin zone

2-4-12 直接遷移形バン

ド構造

伝導帯の最下端と価電子帯の最上端とが，ともに
ブリルアン帯域の中心［Γ（ガンマ）点と呼ば
れ，波数ベクトルがゼロの点］にあるエネルギー
バンド構造。

参考電子及び正孔の発光再結合の際，フォ

ノンの放出又は吸収を伴わずに光子だ
けを放出し，そのために発光遷移確率
が大きい。

direct transition
band structure

2-4-13 間接遷移形バン

ド構造

価電子帯の最上端が，Γ（ガンマ）点にあるのに
対して，伝導帯の最下端がΓ（ガンマ）点以外に
あるエネルギーバンド構造。

参考電子及び正孔の発光再結合の際，光子

の放出以外にフォノンの放出又は吸収
を必要とするので，発光遷移確率が小
さい。

indirect
transition band
structure

2-4-14 状態密度

量子化された状態の数を，単位体積当たり，単位
エネルギー（又は波数空間での単位体積）当たり
の値で表したもの。エネルギー又は波数（運動量）
の関数として状態密度を表したものを，状態密度
関数と呼ぶ。

density of state，
state density

2-4-15 実効状態密度，

有効状態密度

伝導帯中の電子密度n，又は価電子帯中の正孔密
度pを，ボルツマン近似の下で表したときの係数

N（電子），

N（正孔）。

[

]

)

(

exp

−

，

[

]

)

(

−

ここに，

E: フェルミ準位

E: 伝導帯の下端のエネルギー

E: 価電子帯の上端のエネルギ

ー

k : ボルツマン定数
T: 絶対温度

effective density
of state

2-4-16 局在準位

伝導電子のように，結晶全体に平面波状態で拡が
っているブロッホ状態に対し，不純物若しくは欠
陥に捕獲されている電子又は表面準位のように，
限られた空間にだけ存在する電子状態。

localized level

C 5600：2006

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番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-4-17 表面準位

半導体などにおいて波動関数が表面近傍に局在
する電子状態。表面では結晶の周期性が失われる
ため，禁制帯中に新たな電子状態が現れる。また，
表面への不純物原子の吸着や，原子配列の乱れな
どによっても準位が発生する。

surface level

521-02-42

2-4-18 真空準位

真空中に孤立静止した荷電粒子のエネルギー準
位。

参考固体中の電子は，真空準位以上のエネ

ルギーをもつと固体から外部真空空間
に飛び出すことができる。

vacuum level

2-4-19 仕事関数

固体表面から1個の電子を取り出すのに必要な最
小のエネルギー。固体中のフェルミ準位と真空準
位とのエネルギー差で与えられる。

work function

111-14-52

2-4-20 電子親和力

陰イオンから電子を引き離すのに必要な仕事。電
子親和力は，金属では仕事関数に一致する。半導
体では真空準位と伝導帯下端とのエネルギー差。

参考一般の半導体では，真空準位のほうが

エネルギーが高く，電子親和力の値は
正であるが，ダイヤモンドのように負
の電子親和力をもつ物質もある。

electron affinity

2-4-21 表面ポテンシャ

ル (半導体に
おける)

半導体内部に対する半導体表面でのエネルギー
帯の曲がりを定量的に示すために電圧の単位で
表した量。半導体内部の真性準位を基準として測
った半導体表面における真性準位で定義する。

surface potential
(in a
semiconductor)

5) 粒子系，光，電磁波及び音波

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-5-1

光束

標準的な視感度をもった観察者によって評価さ
れた放射束。単位は，ルーメン(lm)である。

luminous flux

723-08-27

2-5-2

照度

光が照射される面における光束密度。光束をF，
面積をSとしたとき

F/d

。単位はルクス (lx)

である。

illuminance，
luminous flux
density

845-01-25

2-5-3 光度

光源からある特定の方向に放射される光束Fを，
その方向の単位立体角ω当たりの値

)

(dF/dωで表

したもの。単位は，カンデラ (cd) である。 1/683
(W/sr) を1 (cd) とする。

luminous
intensity

723-08-28
光束密度，
845-01-31

C 5600：2006

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番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-5-4

色度

色刺激又は心理物理的に表示される色の感覚の
うち，明るさに対応する次元を除いた測色的性
質。色の色相（hue:赤黄，緑，青，紫などの色
感覚の属性とそれを尺度化したもの）と彩度（色
の純度及び飽和度）からなる。三つの色度座標
分の一つをもう一つの座標分に対してプロット
して得られる平面図表を色度図と呼ぶ。

chromaticity

723-08-33，
845-03-34

2-5-5

明度

物体表面の相対的明るさに関する色感覚の属性，
及びそれを同一条件で照明した白色面を基準と
して尺度化したもの。

lightness

845-02-31

2-5-6

偏波，
偏光

電磁波の電界ベクトル，又は一般的に横波の変位
ベクトルが，空間の特定の点において伝搬方向と
直角の平面内において時間的に規則的に変化す
ること，又はその軌跡。電磁波が光の周波数にあ
るときには，偏光ともいう。

polarization，
polarized light

705-01-13
polarization (of

an
electromagneti
c wave)

(電磁波の) 偏

波，

726-04-01
polarization (of

a wave or field
vector)，

845-01-10
polarized

radiation

2-5-7

偏光度

物質によって散乱される光，又はルミネッセンス
は，一般に入射光と異なる偏光状態になり，入射
光と同じ偏光状態の成分の強度をI，これと直交
する偏光状態の成分の強度を

⊥

Iとして，

)

(

)

(

⊥

−

，によって偏光状態の

変化を表した量。

degree of
polarization

2-5-8

消光(複屈折にお
ける)

結晶板の複屈折による干渉を偏光子と検光子で
検出する際，結晶板のある回転角に対して透過光
がゼロになる現象。

extinction (in
birefringence )

2-5-9

消光 (ルミネセ
ンスにおける)

励起電子が非発光的に基底状態に戻り，発光が抑
制されること。

quenching (in
luminescence)

2-5-10 屈折率

自由空間における波の位相速度と与えられた媒
質中における位相速度との比。吸収を伴う媒質に
対しては複素数で与えれれる複素屈折率が用い
られる。

index of
refraction ，
refractive
index ，
refractivity

731-03-11，
705-03-21
(702-02-19
MOD)
refractive
index，
845-04-101

C 5600：2006

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番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-5-11

反射率，
反射係数

異なる媒質間の境界で反射する波のエネルギー
（又は粒子束）と入射する波のエネルギー（又は
粒子束）との比。反射係数という場合には，反
射する波の振幅と入射する波の振幅との比で，こ
の場合は，位相関係も含む。

reflectivity，
reflection
coefficient

705-04-16
(amplitude)
reflection
factor，
731-03-25
(705-04-17
MOD)
power reflection
coefficient;
reflectance，
反射率，
845-04-86
reflectivity

2-5-12 透過率，

透過係数

ある厚さの媒質，又は異なる媒質間の境界に波動
若しくは粒子が入射したとき，その入射エネルギ
ー（又は粒子束）に対する透過エネルギー（又は
粒子束）の割合。透過係数という場合には，透過
した波の振幅と入射する波の振幅との比で，この
場合は，位相関係も含む。

transmittance，
transmission
coefficient

731-03-31，
845-04-59

2-5-13 吸収係数

波動や粒子の吸収に関する減衰定数をいい，波動
又は粒子束が媒質中の dx の厚さの層を進むと
き，αd x の割合でエネルギー又は粒子数が吸収に
よって減衰するときのαをいう。αが場所 xによ
らない一定値のときは，x に対して波動のエネル
ギー，粒子数はexp(−αx) に従がって減衰する。
又は

α′

−

で表す場合もある。光の吸収におい

ては入射光の強度

0Iと透過光の強度Iとの比の

対数が媒質の厚さdに比例するというランベル
トの法則から，

)

又は

log

α′

)

から求められる。

absorption
coefficient

393-04-51，
881-04-26

2-5-14 散乱(波の)

媒質の不均一性や異方性，他の媒質の影響などに
よって，電磁波，音波などの波動の伝搬方向，周
波数，偏波面などが不規則に変化する現象。

scattering (of a
wave)

393-03-07，
705-04-46，
731-03-35，
801-23-26，
881-03-14

2-5-15 レイリー散乱

大きさが波長の約10分の1以下の粒子によって
起こる，波長変化を伴わない光の散乱。散乱光
強度は，波長の4乗に逆比例する。

Rayleigh
scattering

731-03-37

2-5-16 ミー散乱

粒子の大きさが，波長に比べて無視できない場合
の，光の散乱。

Mie scattering

2-5-17 回折

入射波動が障害物によってその振幅又は位相が
変化し，幾何光学では予測できない方向に進行方
向が変化すること。

diffraction

705-04-44，
731-03-34，
801-23-25，
845-01-13

C 5600：2006

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番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-5-18 フラウンホーフ

ァー[の]回折

回折物体から実効的に無限遠方にある観測され
る平行光線の回折。

Fraunhofer
diffraction

(731-03-94
far-field

diffraction
pattern;

Fraunhofer

diffraction
pattern，

ファーフィー

ルド回折パ
ターン)

2-5-19 フレネル[の]回

折

光源，観測点の少なくとも一方が回折を起こす物
体（例ば，開口）に対し有限の距離にあって，入
射又は回折波を平面波とみなせない場合の，光の
回折をいう。フラウンフォーファの回折の対語。

Fresnel
diffraction

(731-03-91
near-field

diffraction
pattern;

Fresnel

diffraction
pattern，

ニアフィール

ド回折パター
ン)

2-5-20 分光[法]

波動や粒子の性質を，波長，エネルギー，運動量，
周波数，温度，電圧などをパラメータとして分析
すること，又はその手法。物質が放出又は吸収す
る光のスペクトルから物質のエネルギー準位，遷
移確率などを研究する学問分野を，分光学
(spectroscopy)という。

spectrum
analysis，
spectroscopy

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-5-21 伝搬係数，

伝搬定数

媒質又は線路の伝送特性で，ある周波数の波動が
媒質又は線路に沿って伝わるときの性質を複素
数で表したもの。波動が長さlだけ伝搬するとき

exp[

(

α+

−

の因子がかかる。この

を伝搬定数といい，実数部αは，減衰定数，虚数
部βは，位相定数と呼ばれる。

propagation
constant

101-15-15

(705-02-24
MOD)

propagation

coefficient，

伝搬係数，
702-02-13
propagation

coefficient;

propagation

constant
(USA)，

伝搬係数，
726-05-09
propagation

coefficient;

propagation

constant
(USA)，

731-03-41
(702-02-13)
propagation

coefficient，

伝搬定数

2-5-22 位相速度

伝ぱする正弦波の波面の等位相面が進行する速
度。

備考位相速度の大きさは，角周波数を波数

で除した値に等しい。

phase velocity

101-15-10，
705-02-16
位相速度（ベク

トル），

705-02-17，
726-05-13，
801-23-20

2-5-23 群速度

理想的には，振幅が等しく周波数又は位相速度が
わずかに異なる二つの正弦波の重合せによって
表される，信号の進行する速度。

備考群速度の大きさは，角周波数の波数に

関する微分に等しい。波動のエネルギ
ーは位相速度ではなく群速度で伝えら
れる。

group velocity

101-15-12，
702-02-22，
705-02-21
群速度（ベクト

ル），

731-03-29，
801-23-21

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-5-24 分散

電磁波，音波，電子線などの波動や粒子線などを，
周波数，エネルギー，速度などの成分に分けるこ
と。又は，波動における位相速度が周波数に依存
すること。

dispersion

705-04-29
dispersion (of an

electromagneti
c wave)

（電磁波の）分

散，

731-03-74，
801-23-22，
845-04-104

2-5-25 分散関係

波動の運動に関する性質で，周波数と波動ベクト
ルとの関係。

dispersion
relation

2-5-26 収差

結像光学系（電子光学系なども含む。）が，ガウ
ス結像の条件を満たさないために生じる欠陥。単
色光に対する光線収差と波長分散に基づく色収
差とに大別する。

(optical)
aberration

2-5-27 コヒーレンス

二つ若しくはそれ以上の波動の対応する成分の
位相の間，又は一つの波動のある一成分の位相の
間に，時間的若しくは空間的な一定の関係が保た
れていること。したがって，相互に干渉を起こす
（可干渉性）。

coherence

101-15-23，
705-01-43
(721-01-09)，
731-01-09
(705-01-43)

2-5-28 干渉

二つ又はそれ以上の波が同じ場所にきたとき，合
成波の振幅が成分波の位相の差によって変化す
る現象。

interference

702-08-32
位相妨害，
731-03-05，
801-23-13，
845-01-12

2-5-29 レーザビーム

細く方向性をもったコヒーレントな光。

laser beam

2-5-30 スペックル

レーザのように干渉性のよい光が粗い面で散乱
されたり不均一な物質を透過したときに生じる
はん点状の明暗模様。

speckle

2-5-31 モード，

姿態

マクスウェル方程式の解の一つで，振動系におけ
る特定の振動形式に相当する状態を示し，それぞ
れ固有の振動数をもつもの。

mode

705-01-12

(electromagnet
ic) mode，

（電磁界）モー

ド，

731-03-04

2-5-32 エバネッセント

フィールド，
エバネッセント
界

電磁界の各成分の大きさの距離依存性をみると
き，各成分が同時刻にすべての点で相互に同じ位
相を示しながら，その振幅が数波長の間にほとん
どゼロに減衰する電磁界で，その減衰は吸収によ
らないもの。エバネッセントフィールドはエネル
ギーを運ばず，したがって波ではない。電磁波が
屈折率の高い媒質から低い媒質に全反射角以上
の角度で入射するときに，屈折率の低い媒質中に
境界から数波長の領域にエバネッセントフィー
ルドが存在する。

evanescent field

705-04-70，
731-03-52

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-5-33 位相共役波

高次の非線形誘導分極によって，入射電界の位相
を反転させた波面の光の発生が可能となること。
時間反転波ともいわれる。

phase conjugate
wave

2-5-34 平面波

等位相面が一群の平行平面である波動。波の振
幅が

)}

(

exp{

ωt

−

の形で表される。ここで，

kは波数ベクトル，rは位置ベクトル，ωは角周

波数，tは時刻である。

plane wave

101-15-05，
705-03-32，
731-03-03
(705-01-32
MOD)

2-5-35 球面波

等位相面が同心球を形成するような波動。波の振
幅が，

/|r|

ωt

)}

(

exp{

−

の形で表される。こ

こで，kは波数ベクトル，rは位置ベクトル，ω

は角周波数，tは時刻である。

spherical wave

705-01-36，
801-23-07

2-5-36 波束

局在した波を記述する波動関数。いろいろな周波
数の正弦波が重畳されて構成されている。電子，
光子などを波動として扱うときに用いられる。

wave packet

2-5-37 フォトン，

光子

プランク定数hと電磁波の周波数νとの積ν

hに

等しいエネルギーの素粒子。

photon

111-14-06，
393-01-06，
731-01-02，
881-02-04

2-5-38 フォノン，

音[響]量子

弾性振動（格子振動，広義の音波）を量子化して
考えた準粒子。格子振動に関係するフォノンで
は，隣接原子の変位が同相である音響フォノン
(acoustic phonon)と，逆相に変位する光学フォノン
(optical phonon)とがある。

phonon

111-14-07
音子:フォノン

2-5-39 超音波

人の可聴周波数を超える音波で，通常は20 kHz
以上の音波をいう。

ultrasonic
(wave)

(801-21-04
ultrasound)

2-5-40 ソリトン

粒子のように振る舞う孤立波。局在しない波で，
その性質（波形，速度など）を変えることなく伝
搬し，互いに衝突するときはその個性を失わずに
通り抜けていく波。

soliton

2-5-41 電子ビーム

細く方向のそろった，ほぼ同じ速度をもつ電子の
集団。

electron beam

841-08-02

2-5-42 電子波

電子の量子力学的な波動状態。

electron wave

2-5-43 電子放出

固体又は液体内の電子が温度上昇や入射光若し
くは電子との衝突又は高電圧の印加によって，そ
のエネルギーを増加し，固体又は液体面にある電
位の障壁を超えて外部に放出すること。

electron
emission

111-14-46，
121-13-04，
531-12-01

2-5-44 熱電子放出

電子が熱エネルギーによって固体又は液体面か
ら放出することをいい，その電子を熱電子とい
う。

thermionic
emission

111-14-47，
121-12-05，
393-02-80，
531-12-04，
881-02-94

2-5-45 電界放出

放出面上の高電界にだけ基づく電子放出。

field emission

111-14-49，
121-13-07，
531-12-06

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-5-46 光電子放出

光の入射によって，その入射面から電子が放出さ
れること。その電子を光電子という。

photoelectric
emission，
photoemission

111-14-48，
121-13-06，
531-12-05

2-5-47 一次電子

固体に電子を入射させ二次電子放出をさせると
きの入射電子。

primary electron

2-5-48 二次電子

電子，イオン，紫外線，X線などの高エネルギー
ビームが物質表面を衝撃することによって，その
表面から放出する電子。一次電子が表面から反射
したものも含める。

secondary
electron

393-02-44，
881-03-37

2-5-49 一次電子放出

一次電子が放出されること。熱，光電子，及び電
界による放出がある。

primary electron
emission

111-14-50，
121-13-08，
531-12-07

2-5-50 二次電子放出

二次電子が放出されること。

secondary
electron
emission

111-14-51，
121-13-09，
531-12-08

2-5-51 反射電子

電子線がある媒質から他の媒質に入射した結果，
何らかの不連続的変化のある境界，周期性をもっ
た結晶の格子面などによって進行方向を変え，も
との媒質中を新たな方向に沿って進行する電子。

reflected
electron

2-5-52 冷陰極

加熱することなく電子放出の起こる陰極。

cold cathode

531-21-10，
841-08-05

2-5-53 熱陰極

熱電子放出を主要な機能とする陰極。

hot cathode

531-21-13，
841-08-06

2-5-54 イオンビーム

ほぼ運動速度のそろったイオンの集団が，小さな
径で決まった方向に流れているもの。液体金属
イオン源を用いた輝度の高いイオンビームは集
光性に優れ，集束イオンビームと呼ばれる。

ion beam

2-5-55 二次イオン

一次イオンが物質表面を衝撃することによって，
その表面から物質の構成元素がイオン化して真
空中に放出したイオン。

secondary ion

6) 量子効果

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-6-1

量子サイズ効果

電子のド・ブロイ波長と同程度以下の寸法を
もつ構造において，そこに閉じ込められた電
子の性質に起因して起こる効果。

quantum size
effect

2-6-2

量子構造

量子サイズ効果を実現するため，電子のド・
ブロイ波長と同程度以下の寸法からなる固体
の構造。電子の閉じ込め方向が 1，2及び 3
次元の場合について，それぞれ量子井戸，量
子細線及び量子箱と呼ばれている。

quantum
structure

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-6-3

ひずみ量子井戸

量子井戸において特に，井戸層及び障壁層の
格子定数が互いに異なる量子井戸。

strained
quantum well

2-6-4

超格子

結晶系において，結晶格子の周期と異なる人
工的な空間変調を加えた系の総称。結晶組成
や不純物添加の異なる数十nm以下の層を交
互に積層した構造が，この代表例である。

superlattice

2-6-5

波動関数

物質中の電子の振舞いを定在波によって記述
するための関数。電子の存在確率は，波動関
数の自乗に比例する。

wave function

2-6-6

ド・ブロイ波

電子などの質量をもつ粒子の波動性。別名，
物質波という。半導体の中の電子のド・ブロ
イ波長は，数十nmである。

de Broglie
wave

2-6-7

トンネル効果

粒子がもつ運動エネルギーよりも大きなエネ
ルギー障壁をその粒子が通り抜ける現象。古
典理論では不可能で，量子力学で説明できる
現象。粒子の波動としての性質に起因し，
トンネルの確率は粒子の質量及び障壁の形
状に依存する。

備考超電導体では，単一電子のトンネル

［ギーバー(Giaever)効果］とクーパ
ー対のトンネル（ジョセフソン効
果）とがある。

tunnel effect

121-13-21，
521-02-78
tunnel effect (in

a PN junction)

2-6-8

共鳴トンネル効果

トンネル現象の一種。トンネルする粒子のエ
ネルギーと同一レベルのエネルギー準位が障
壁層の対向側に存在すると，この特定のエネ
ルギー準位でトンネル確率が急激に増加する
現象。

resonant tunnel
effect

2-6-9

フランツ・ケルデ
ィッシュ効果

高電界印加で電界こう配をもつ半導体におい
て，光吸収及びトンネル効果によって，バン
ドギャップより小さな光子エネルギーで価電
子帯の電子が伝導帯へ遷移することが可能と
なるために，基礎吸収端の低エネルギー側に
光吸収がすそを引く現象。

Franz-Keldysh
effect

2-6-10

電子波干渉

電子の波動としての性質に起因する干渉現
象。

electron wave
interference

2-6-11

ブロッホ振動

結晶内の電子が散乱を受けないとすれば，直
流電界によって加速される場合でも，電子は
一方向に連続して加速されるものではなく，
速度を周期的に反転して実空間のある限られ
た範囲を往復運動し続ける振動現象。

Bloch
oscillation

2-6-12

量子閉じ込めシュ
タルク効果

量子井戸に垂直に電界を印加したとき，エキ
ントンによる吸収スペクトルの吸収端が低エ
ネルギー側にシフトする現象。

quantum
confined
Stark effect

C 5600：2006

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番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-6-13

二次元電子ガス

固体の伝導帯から真空準位までのエネルギーで
定義される，電子親和力の異なる物質の接合界
面（ヘテロ界面）における，界面に沿って，二
次元的に局在した電子系。磁界の印加によって，
電気伝導に量子ホール効果又はジュブニコフ・
ドハース効果をもたらす。

two-dimension
al electron
gas

2-6-14

コンプトン効果

X線を固体に照射したとき，自由で静止してい
るとみなされる電子との弾性散乱によって，照
射X線よりも波長の長い散乱X線が生じる効
果。

備考光の粒子説によって説明され，照射X

線のエネルギー及び運動量の一部が
電子に与えられ，残りが散乱X線と
なる。

Compton
effect

393-03-22

2-6-15

量子効率(半導体
発光・受光素子
の)

単位時間当たりの，入出力にかかわるキャリヤ
数と光子数との比。発光の場合は入力されたキ
ャリヤ数に対する出力光の光子数の比。受光の
場合は，入力した光の光子数に対する出力され
たキャリヤ数の比。

quantum
efficiency (of

semiconductor
luminescent
devices and
optical
receivers)

531-44-20，
731-06-34，
845-05-67

7) 放射線

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-7-1

α線

α壊変を行う放射性核種から放出されるヘリウ

ム-4の原子核の粒子線で，+ 2の電荷をもつ。

alpha
radiation，
alpha rays

393-02-06，
881-02-66

2-7-2

β線

原子核から放出される陰電子及び陽電子の流
れ。

beta radiation，
beta rays

393-02-07，
881-02-60

2-7-3

γ線

原子核のエネルギー転移に際して放射される波
長の短い電磁波をいい，高エネルギーの光子で
ある。

gamma
radiation，
gamma rays

393-02-08

放射，

881-02-17

2-7-4

放射線

放射性崩壊によって物質から放射されるα線，β
線などの粒子線及びX線，γ線などの電磁波の
総称。広義には，すべての電磁波及び粒子線を
指す。

radiation

393-02-01，
702-02-06，
841-01-50，
845-01-01
(electromagnetic

) radiation，

881-02-01

C 5600：2006

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番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

2-7-5

宇宙線

宇宙空間から地球に降り注いでいる高エネルギ
ーの粒子線及び電磁波の総称。

cosmic
radiation，
cosmic ray

393-02-11

2-7-6

中性子線

中性子の流れ。

neutron ray

2-7-7

放射能

核種が自発的に放射線を出して放射性壊変をす
る性質。

radioactivity

393-02-26

2-7-8

照射(線量)

X線又はγ線の電離能力に基づいて測られる放
射線の量。X線，γ線の照射によって質量dmの
空気中で放出された二次電子などが空気中で完
全に阻止されて生成される正又は負の電荷をも
つイオンの総電荷量の絶対値dQとするとき，
照射線量は，

で与えられる。

exposure

393-04-62
exposure，
照射，
881-12-29

2-7-9

吸収線量

物質に実際に吸収される単位質量当たりの放射
線のエネルギー量。

参考単位は Gy（グレイ）で，1 (Gy) は，

1 (J ·kg-1)に相当する。

absorbed dose

393-04-69，
881-12-06

c) 固体の基本的性質

1) 電気的性質

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

3-1-1

輸送現象

粒子のエネルギー，運動量，物質などの輸送
とそれに関連した現象の総称。半導体におい
ては，キャリヤの移動によって，生じる電荷
の輸送（電気伝導），熱の輸送（熱伝導）など
を指す。

transport
phenomenon

3-1-2

電気伝導

物質に外部電界を印加することによって，電
荷が移動して電流が流れる現象。電荷を運ぶ
キャリヤの種類に応じて，電子伝導，正孔伝
導又はイオン伝導という。

electric
conduction

3-1-3

導電率，
(電気)伝導率，
(電気)伝導度

物質の電流の流れやすさを表す尺度で，単位
電界を印加したときに流れる電流密度。電流
密度をj，電界をE，導電率をσとするとオ

ームの法則が成り立つ範囲では

と

なる。単位は(S/m)。

conductivity

121-12-03

C 5600：2006

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番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

3-1-4

コンダクタンス

物体の電流の流れやすさを表す量で，単位電
圧を印加したときに流れる電流。

（I :

電流，V :電圧，G : コンダクタンス）でG
の単位は，

A/V

。物体の形状に依存し，

一様な断面 A，長さl，導電率 σの物体では，

。

conductance

131-01-14

3-1-5

抵抗率，
比抵抗

物体の電流の流れ難さを表す尺度で，導電率
の逆数。単位は(Ωm)。

resistivity，
specific
resistance

121-12-04

3-1-6

抵抗

物体の電流の流れ難さを表す量で，コンダク
タンスの逆数。単位(Ω=1/S) 。

resistance

131-01-13

3-1-7

シート抵抗

厚さの薄いシート状の物体の面に平行な方向
の電流の流れ難さを表す量で，正方形のシー
トの相対する辺の間の抵抗。単位はΩであ
るが，抵抗と区別するためにΩ/□ と書くこと
もある。厚さdのシートが抵抗率ρの一様
な物質からなるとき，シート抵抗はρs＝ρ/d
で表される。

sheet
resistance

3-1-8

広がり抵抗

径の小さな金属線を試料面に接触させたとき
の抵抗。金属細線から試料への電流通路の広
がりの形状が広がり抵抗に関係し，接触部の
金属線の径，接触形状及び試料の抵抗率で決
まる。

備考接触部が円形平面（半径 a）で試

料の厚さがaに比べて十分大きい
場合，広がり抵抗RsはRs=ρ/4aで与
えられる。ここにρは接触部近辺の
平均抵抗率である。

spreading
resistance

3-1-9

集中抵抗

小さな接触面を電流が流れるときに，電流通
路が狭い部分に制限されることによって生じ
る抵抗。

constriction
resistance

3-1-10

接触抵抗

二つの物体を接触させたときに，2物体間に生
じる抵抗。2物体の材料特性のほか，接触形状，
接触面積及び界面介在物に依存する。

contact
resistance

581-03-11

3-1-11

ジュール熱

物体に電流が流れるときに，その抵抗によっ
て発生する熱。発生する熱量は，電流の2乗，
及び物体の抵抗に比例し，これをジュールの
法則という。

Joule heat

(815-06-40
Joule heating，
ジュール発熱)

3-1-12

電気双極子

有限の距離にある正負の電荷の対。距離 λ
離れた±qの電荷による双極子において，

を双極子モーメントという。

electric dipole

121-11-33

C 5600：2006

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番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

3-1-13

ショットキー効果

金属と絶縁体又は半導体との間に高電界を印
加したときに，鏡像力の効果で金属から絶縁
体又は半導体へのエネルギー障壁が減少する
効果，又は，その結果，熱電子放出及び光電
子放出が増加する効果。ショットキーが，熱
電子放出において陽極プレート電圧の増加に
よって飽和電流が増加することを発見したの
にちなんで，名付けられた。

Schottky effect

531-12-12

3-1-14

ホール効果

物質に電流を流し，電流に垂直に磁界を印加
したとき，両者に垂直な方向に起電力が現れ
る現象。電流密度をj，磁界の磁束密度をB，
発生する横方向電界を

Eとすると，

)

(

ｊ

ｘ軸方向に長さ方向の軸をもつ直方体形状の
試料のｘ軸の正方向に一様な電流IXを流し，y
軸の正方向に一様な磁束密度By がある場合
には，z軸の正方向に

の電圧が現れる。ここに，λyは，y方向（磁
界方向）の試料の幅（厚さ）である。

Rを

ホール係数 [SI 単位: (m3/C)]，z 方向に現れる
電圧をホール電圧という。P形半導体の場合

)

，N形の半導体の場合

)

−

（p : 正孔密度，n : 電子密度，

e : 電気素量）となる。

Hall effect

121-12-81，
521-09-01

3-1-15

ホール移動度

ホール効果の測定から求めた移動度で，電気
伝導度をσ，ホール係数を

Rとき次式で与え

られる。

μ=

Hall mobility

521-09-04

3-1-16

磁気抵抗(半導体，
金属における)

半導体又は金属の電気抵抗が磁界を印加した
ときに変化する量。変化量は，一般には正で
あるが，負のときは特に負磁気抵抗という。

magnetoresista
nce (in a
semiconductor
and a metal)

121-12-83

3-1-17

ランダウ準位

量子論で，直流磁界に垂直な面内の電子の量
子的準位。エネルギーは量子化され，次の式
で与えられる。

( +

，n: 整数

ここに，

ω：サイクロトロン角周波数

Landau level

C 5600：2006

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番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

3-1-18

固体プラズマ

固体中で，少なくとも一方が動くことのでき
る正及び負の荷電粒子対が，電気的にほぼ中
性で高密度で存在する系。金属や半導体中で
の電子とイオン，半導体中の電子と正孔など
の系が代表例である。個々の粒子の運動より
粒子集団の運動に着目するときに用いられる
用語。

solid-sate plasma

3-1-19

プラズモン

プラズマ振動を，量子論的に粒子的描像で表
したもの。

plasmon

3-1-20

ポーラロン

結晶内を運動する電子が，クーロン力によっ
て周囲の結晶格子に分極を起こし，それによ
る格子の変形を伴って運動する状態。格子変
形によって電子のエネルギーバンド構造が変
形を受け，一般に電子の有効質量は大きくな
る。

polaron

3-1-21

なだれ(雪崩)，
アバランシェ

1個の電荷が格子との衝突により多数のキャ
リヤに増える増倍現象。PN接合のなだれ（雪
崩）は，大きな逆バイアスが印加され接合の
空乏領域の高電界で加速され高エネルギーと
なったキャリヤが格子原子に衝突してイオン
化し，新たに電子，正孔対を発生する現象が
なだれ（雪崩）的に生じ，多数のキャリヤが
生成され，大きな電流が流れる。

avalanche

121-13-10
avalanche:
(electronic)
avalanche
電子なだれ

3-1-22

温かいキャリヤ

電界によって中程度に加速されたキャリヤ。
その移動度(μ)の電界(ε)依存性は，次の式で
表す。

)

−

。

ここに，

μ: 低電界での移動度

β: 定数。

warm carrier

3-1-23

熱いキャリヤ，
ホットキャリヤ

電界によって大きく加速され，そのキャリヤ
温度が格子温度より高いキャリヤ。その移動
度(μ)の電界(ε)依存性は，次の式で表す。

)

(

μ=

ここに，

v: 音速

μ: 低電界での移動度。

hot carrier

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

3-1-24

空間電荷制限電流

電流を運ぶキャリヤ自身による空間電荷が作
る電界のために，電極から空間に放出される
キャリヤの放出速度が制限されることで決ま
る電流。半導体においては，電極から比較的
高抵抗の半導体層に放出されるキャリヤによ
って生じる空間電荷によって空間電荷制限電
流が，熱電子管においては，熱陰極から真空
への電子放出によって生じる空間電荷によっ
て空間電荷制限電流が流れる。

space-charge
limited
current

3-1-25

サイクロトロン運
動

直流磁界中に，これに垂直に荷電粒子が入射
したときの，磁界に垂直な面内で起こる円運
動。荷電粒子の電荷をq，質量をM，磁束
密度を B とすると，その角周波数

ω は，

で与えられ，入射速度vに無関

係であるが，その半径（サイクロトロン半径）

は，vに比例して大きくなる。角

周波数

ωで円運動する荷電粒子は，これと

同じ振動数で運動面内で振動する電磁波を共
鳴的に吸収する。この現象をサイクロトロン
共鳴という。

cyclotron
motion

(705-06-09
gyro-frequency:

cyclotron
frequency，

ジャイロ周波

数，

サイクロトロ

ン周波数)

3-1-26

クーロン遮へい
(蔽)

自由に運動のできる正負の荷電粒子からなる
系で，あるイオンのクーロン力がその回りの
電荷によって遮へい（蔽）されて，その中心
からある距離以上には及ぼされないこと。遮
へい（蔽）距離は，電荷密度の平方根に反比
例して短くなる。電解質，ガスプラズマ及び
半導体プラズマの場合，デバイ長 (Debye
length) と呼び，金属プラズマの場合トーマ
ス・フェルミ遮へい（蔽）距離 (Thomas-Fermi
screening length) という。

Coulomb
screening

3-1-27

バリスティック伝
導

固体中で，キャリヤがフォノン，不純物など
との衝突をしないで運動することによって現
れる伝導。通常の伝導に見られる光学フォノ
ンとの衝突によるキャリヤ速度の飽和がなく
なり，飽和速度以上のドリフト速度が得られ
る。

ballistic
conduction

3-1-28

不純物伝導

不純物を添加した半導体で，不純物原子に局
在する電子又は正孔が近くの不純物原子に
次々と移動することによって生じる伝導。不
純物濃度が高くなるとバンドギャップ内に不
純物バンドが形成され，そこをキャリヤが伝
導する。

impurity
conduction

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

3-1-29

モット遷移

非金属−金属遷移。半導体中の不純物伝導に
おいて，不純物濃度が少ないときには局在し
た不純物準位間の伝導でこれは活性化エネル
ギーをもつ非金属伝導であるが，不純物濃度
を増して不純物バンドを形成すると，活性化
エネルギーをもたない金属的伝導になる。

Mott transition

3-1-30

ホッピング伝導

バンドギャップ内の孤立した状態間を電子が
熱的励起によってホッピングして移動するこ
とによって生じる電気伝導。

hopping
conduction

3-1-31

負性抵抗

電圧が増加すると電流が減少する特性を示す
負の微分抵抗。

参考例として，GaAs のドリフト速度が

高電界で電界の増加とともに減少
する結果，この負性抵抗を示す。

negative
resistance

521-05-03
negative
differential
resistance
region

3-1-32

高電界ドメイン

固体中で電荷分布のずれによって生じた高電
界領域。負性抵抗を示す材料では，いったん，
電子分布のずれが形成されると，それが成長
し，陰極から陽極へと伝搬する。

high field
domain

3-1-33

変形ポテンシャル

結晶の圧縮又は膨張による体積変化，格子振
動などの原因で格子定数が変化した際に変形
したポテンシャル。エネルギーバンド構造が
変化しバンド端のポテンシャルエネルギーが
変化する。半導体中の伝導電子のフォノン散
乱に関して，有効質量近似での変形ポテンシ
ャル近似がよい結果を与える。

deformation
potential

3-1-34

飽和ドリフト速度

低電界では電界に比例して増加するキャリヤ
のドリフト速度が，高電界ではキャリヤが光
学フォノンとの散乱によってエネルギーを失
うために飽和するときの速度。

saturated drift
velocity

2) 光学的性質

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

3-2-1

バンド内遷移

同じバンド内での電子の遷移。

intraband
transition

3-2-2

着色中心

イオン結晶の欠陥に電子又は正孔が捕獲され
てある特定の波長の光の吸収を伴う構造。陰
イオンの空孔に電子が捕らえられ，一般に可視
部に吸収帯があるものをF中心という。F 中心
による吸収帯をF 帯という。

color center

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

3-2-5

光電効果

物質が光を吸収して自由電子を放出する現象。
生じた自由電子を光電子というが，これが，物
質内に存在して電気伝導度を増したり，起電力
を発生させる現象を内部光電効果，光電子が物
質の外に放出される現象を外部光電効果とい
う。単に，光電効果というときは後者を指す。

photoelectric
effect

393-03-24，
521-01-20，
531-44-01，
731-01-61，
881-02-84，
121-12-93
photoelectronic

effect，

531-44-02，
731-01-63
photo-emissive

effect，

external

photoelectric
effect

3-2-6

光弾性

弾性体に変形を与えると複屈折などの性質を
示して光学的異方体となる性質。

photoelasticity

3-2-7

光電流

電界を印加した物質又は光検出器に光を照射
したときに，外部回路に流れる電流。

photocurrent

531-44-05，
731-06-32
(845-05-52
MOD)，
845-05-52

3-2-8

暗電流

光電流に対して，光を照射していないときに流
れる電流。

dark current

531-44-06，
731-06-33
(845-05-53
MOD)，
845-05-53

3-2-9

フォトンドラッグ

半導体内のキャリヤが光の運動量によって引
きずられて電流を誘起する現象。電流の方向は
光の偏波特性に強く依存し，光の進行方向だけ
でなく垂直方向にも電流は誘起される。

photon drag

3-2-10

フォノンドラッグ

金属又は半導体内で，フォノンが電子に引きず
られて流れることによって熱電能に寄与する
現象。低温における半導体で特に著しい。

phonon drag

3-2-11

光起電力効果

物質に光子が吸収されることによって，内部に
起電力が発生する現象。半導体PN接合及び整
流性を示す金属／半導体接合においては，半導
体のバンドギャップ以上のエネルギーの光子
の吸収によって発生した電子と正孔とが分離
されることによって起電力が発生する。

photovoltaic
effect

121-12-91，
521-01-21，
531-44-33，
731-01-64

3-2-12

バンド間遷移

異なったバンド間での電子の遷移。

interband
transition

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

3-2-15

励起子，
エキシトン

価電子帯の正孔との伝導帯の電子とがそのク
ーロン力によって束縛状態を作っているよう
な電子・正孔対。

exciton

3-2-16

モット・ワニエ励
起子，
モット・ワニエエ
キシトン

電子と正孔との束縛が弱い励起子で，その波動
関数の広がりが格子間隔よりずっと広いもの。
半導体中に主に見られる。弱く束縛された励起
子ともいう。

Mott-Wannier
exciton

3-2-17

フレンケル励起
子，
フレンケルエキシ
トン

電子と正孔との束縛が強い励起子で，電子と正
孔とがともに原子又はそのごく近傍に局在す
るもの。イオン結晶及び分子性結晶に主に見
られる。強く束縛された励起子ともいう。

Frenkel

exciton

3-2-18

遷移

量子力学系が，ある定常状態から他の定常状態
に移る現象。

transition

3-2-19

禁止遷移

パウリの排他原理で禁止される遷移。

forbidden

transition

3-2-20

許容遷移

パウリの排他原理で許容される遷移。

allowed
transition

3-2-21

光学遷移

光子の吸収又は放出を伴う遷移。

optical

transition

3-2-22

発光遷移

高いエネルギー状態から低いエネルギー状態
へ遷移する際に，光子の放出を伴う遷移。

radiative
transition

3-2-23

非発光遷移

高いエネルギー状態から低いエネルギー状態
へ遷移する際に，光子の放出を伴わない遷移。
その放出されるエネルギーは，電子，フォノン
の運動エネルギーなどとして与えられる。

nonradiative
transition

3-2-24

発光，
ルミネセンス

外部からの熱以外の励起によって高いエネル
ギー状態に励起された物質が，低いエネルギー
状態へと光学遷移するときに生じる光の放出
現象又はその放出光。

備考蛍光とりん光とに分類されるが，そ

の定義は明確でない。蛍光を，発光
と同義に用いることが多い。

luminescence

845-04-18，
881-02-80

3-2-25

発光中心

発光のもととなる不純物原子，欠陥などの点欠
陥。

emission
center

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

3-2-26

蛍光，

フルオレセンス

発光（ルミネセンス）の一種で，本来は，励起
を遮断した後に残光がないと知覚される発光
をいい，残光があると知覚されるりん光と区別
される。現在では，発光（ルミネセンス）と同
義で使われることが多い。

参考実際には，蛍光とりん光のどちらに

おいても残光時間は存在し，残光時
間の長短でおよその区別をする考え
もあるが，その境界はあいまいであ
り，むしろ，発光の機構の違いによ
ってりん光と区別することが多い。

fluorescence

394-18-84，
845-04-20，
881-02-80

3-2-27

りん光，
フォスフォレセン
ス

発光（ルミネセンス）の一種で，本来は，励起
を遮断した後に残光があると知覚される発光。
参考 3-2-26蛍光参照。

phosphorescen
ce

394-18-84，
845-04-23，
881-02-80

3-2-28

フォトルミネセン
ス

発光（ルミネセンス）の一種で，励起が光のエ
ネルギーによって行われるもの。

photo-
luminescence

845-04-19

3-2-29

エレクトロルミネ
センス

発光（ルミネセンス）の一種で，広義には，電
気的に発光体を励起して生じる発光を指し，電
界で加速された電子との衝突によって発光中
心が励起され，又は衝突電離で発生された電
子・正孔対の再結合で生じる電界発光と，PN
接合への少数キャリヤの注入によって生じる
電子・正孔対の再結合とで発光する電流注入発
光。

参考狭義には，電界発光を意味すること

が多い。

electro-
luminescence

731-01-60，
845-04-24

3-2-30

カソードルミネセ
ンス

発光（ルミネセンス）の一種で，励起が電子ビ
ームのエネルギーで行われるもの。

cathode-
luminescence

845-04-25

3-2-31

励起子吸収

励起子準位は伝導帯の下端から束縛エネルギ
ー[数 (meV)]だけ下のエネルギーギャップ内に
生じるが，価電子帯の上端からこの励起子準位
に電子が遷移することによる光の吸収。

exciton
absorption

3-2-32

自由キャリヤ吸収

伝導帯内の電子のバンド内遷移による光の吸
収。普通，赤外領域に吸収スペクトルがある。

free carrier
absorption

3-2-33

非線形分極

誘電体や磁性体に電界，磁界，又はその他の力
が働くときに生じる電気分極や磁化において，
その力に比例せず 2乗以上の高次の依存性を
示す分極。

nonlinear
polarization

3-2-34

光整流作用

非線形光学媒質に振動する光電界を印加する
ときに直流の分極が生じる効果。

optical
rectification

3-2-35

高調波

ある基本周波数の電磁界の波を非線形媒質に
加えたときに発生するその基本周波数の整数
倍の周波数の電磁界の波。

harmonics

3-2-36

複屈折

光学的異方性物質に光が入射して屈折すると
きに二つの屈折光が現れる現象。単結晶で，等
方的媒質と同様にスネルの法則を満たして屈
折する光を常光線，もう一方を異常光線とい
う。

double
refraction，
birefringence

731-03-27

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

3-2-37

光電子増倍

物体に光を照射して生じた自由電子（キャリ
ヤ）の増倍。光電効果によって物体の外に放出
された光電子を二次電子増倍させるもの，半
導体の逆バイアスされたPN接合で光吸収で生
じたキャリヤをアバランシェ増倍させるもの
とがある。

photo-
multiplication

3-2-38

デンバー効果

半導体に光を局所的に照射することによって
半導体内に電子・正孔対の濃度分布を生じさせ
るときに，その拡散係数の違いによって両者の
濃度分布に違いを生じ，その結果発生する空間
電荷分布によって定常状態で起電力が発生す
る現象。

備考半導体表面に光を照射し，表面近傍

に電子・正孔対を発生させる場合に
は，深さ方向に電子，正孔の異なっ
た濃度分布が生じ，深さ方向に起電
力が発生する。

Dember effect

3) 磁気的性質

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

3-3-1

磁性

物質に外部から磁界をかけると磁界とその構
成要素の磁気モーメントとの相互作用によっ
て，その物質全体としての特有の磁気的な性
質を示す現象。

備考磁性を示す物質は反磁性体，常磁性

体，強磁性体，反強磁性体などに分
類できる。

magnetism

121-11-75
磁気: 磁性

3-3-2

磁化

磁気的な分極で，特に磁性体の分極によって
生じた単位体積当たりの磁気モーメント。磁
気モーメントをM，磁束密度を B，磁界の強
さを H ，真空の透磁率μ0とすると，

B =μ0 H + M

の関係を満足する。

magnetization

121-11-52

3-3-3

強磁性

強い磁性の総称をいい，フェロ磁性とフェリ
磁性がこの分類に入る。外部磁界が存在しな
くても，その内部でスピンが規則的に配列す
るため，磁化を形成する。

ferromagnet-
ism

121-12-41

3-3-4

フェロ磁性

強磁性の一種で，スピンが平行に配列し，強
い自発磁化を形成する性質。

ferromagnet-
ism

121-12-41

3-3-5

フェリ磁性

強磁性の一種で，スピンが反平行に配列して
いるが，プラス向きのスピンの方がマイナス
向きのスピンよりも数及び/又は大きさについ
て優越しているため，差引き自発磁化を生じ
る性質。

ferrimagnetism

121-12-43

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

3-3-6

反強磁性

フェリ磁性と同様に，スピンが反平行に配列
しているが，それが互いに完全に打ち消しあ
って強い磁性が現れない場合の磁性。

antiferromagn-
etism

121-12-42

3-3-7

弱磁性

常磁性及び反磁性を指し，電子スピン間の相
互作用が弱くスピンの自発的配向がないため
に，弱く磁化される性質。

feeble
magnetism

3-3-8

常磁性

無秩序に配列した磁気モーメントが，外部磁
界を加えると熱運動に抗してわずかに磁界の
方向に傾き，全体として磁界方向に弱く磁化
される性質。

paramagnetism

121-12-40

3-3-9

反磁性

磁界を加えると磁界と反対方向に磁化される
磁性をいい，磁界による電子の軌道運動の変
化が，磁界と反対方向の磁気モーメントを生
じるために起こる。

diamagnetism

121-12-38

3-3-10

メタ磁性

反強磁性体，常磁性体などが，弱い磁界のも
とでは磁化は磁界に比例するが，ある強さ以
上の磁界では急激に磁化が増大して，強磁性
体と同程度の飽和磁化を生じる現象。

metamagnetism

121-12-50

3-3-11

磁気飽和

磁界による強磁性体又はフェリ磁性体の磁気
分極若しくは磁化が最大値に達して，磁界を
それ以上大きくしても変化しない状態。

magnetic
saturation

121-12-59

3-3-12

飽和磁化

強磁性体を外部磁界によって飽和にまで磁化
したときの自発磁化の値。

saturation
magnetization

221-01-04

3-3-13

残留磁化

磁性体に作用する磁界をゼロにしたときに残
る磁化。

remanent
magnetization，
residual
magnetization

121-12-65
remanent

(magnetic)
polarization，

121-12-66
残留磁気，
221-02-40

3-3-14

自発磁化

強磁性体が，外部磁界を受けない状態で形成
している磁化。また，反磁性体では，その部
分格子がもつ磁化をいう。

spontaneous
magnetization

221-02-41

3-3-15

磁化過程

磁性体に磁界を作用させて磁化を増加させる
過程。

magnetization
process

3-3-16

磁化容易軸

強磁性体の中で磁気異方性エネルギーが極小
になり，自発磁化が安定に向く方向。

Axis of easy
magnetization

3-3-17

磁荷，
磁気量

磁石の磁極が互いに及ぼす磁気力の大きさを
基に定義した磁気的な量。磁荷q とq' との間
にはクーロン力F が働き，次の式で表す。

'q q

4πμ

ここに，r ：磁荷q とq'間の距離

μ：真空の透磁率。

magnetic
charge，
quantity of
magnetism

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

3-3-18

磁極

磁荷の集中した場所。磁極には正負の別があ
り，一個の磁石の中の全磁気量は0 であるか
ら，磁石には必ず正負両極の磁極が存在する。

magnetic poles

3-3-19

磁界，
磁場

磁石相互間，電流相互間，又は磁石と電流と
の間に働く力の場。磁束密度 B ，磁界の強さ

H ，透磁率μとし，B =μH の関係式で表せる。

magnetic field

121-11-69，
221-01-01

3-3-20

磁化率

磁化 M と磁界 H との関係 M =κH を表す
κ のこと。等方性物質ではスカラー，異方性
物質ではテンソルである。

magnetic
susceptibility

121-12-37，
815-08-11

3-3-21

初期磁化率

磁化曲線が直線でない強磁性体などの磁性体
の磁化してない状態に小さな外部磁界を加え
るとき，原点付近で磁化 M と磁界 H とは比
例関係 M =χH を示ときのχ。

initial
susceptibility

221-03-19

3-3-22

磁束密度

運動している荷電粒子（電荷e ，速度 v ）は，
磁界の中で e (v x B ) の形で表せる力を
受けるときに決まるベクトル量 B。

magnetic flux
density

121-11-19

3-3-23

磁束

磁場中のある一定面積を通りぬける磁力線の
垂直成分を足し合わせたもの。任意の（開い
た）曲面S の各点における法線方向の単位ベ
クトルをn ，磁束密度をB とするとき，

Φ= ∫S B · n dS を曲面Sを貫く磁束をいう。

magnetic flux

121-11-21

3-3-24

透磁率

磁束密度Bと磁界 H との関係式 B =μ H に
おけるμ。

(absolute)
permeability

121-11-14
magnetic

constant:
permeability of
vacuum，

121-12-28
透磁率，
705-03-14
absolute

permeability of
vacuum:

magnetic

constant，

705-03-15

3-3-25

初期透磁率

磁化曲線が直線でない強磁性体などの磁性体
の磁化してない状態に小さな外部磁界を加え
るとき，始め，磁束密度 B と磁界 H とは比
例関係 B =μH を示すが，このときのμ。

initial
permeability

221-03-09

3-3-26

渦電流

物質内の閉じたパスを流れる誘導電流。時間
的に変化する磁束によって導体内部に電磁誘
導によって環状の電圧が誘導され，その結果
渦電流が生じる。

eddy currents

121-12-32，
815-04-53

3-3-27

起磁力

閉曲線に沿って磁界を線積分した値。

magneto-
motive force

121-11-60
磁気起電力

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

3-3-28

磁気異方性

常磁性体の磁化率，強磁性体の磁化，又は，
反強磁性体の部分格子の磁化が結晶格子の対
称性を反映して，結晶軸に関して方向依存性
をもつときの性質。

magnetic
anisotropy

221-01-08

3-3-29

磁化曲線，
磁気ヒステリシス
曲線

磁性体の磁化の強さ M と磁界の強さ H と
の関係を表す曲線。普通，強磁性体の磁化曲
線を指す。一般にヒステリシスを示し，磁化
の強さが磁界の強さによって一義的に定まら
ず，以前の磁化状態に関係する。

magnetization
curve，
magnetic
hysteresis

curve

121-12-58
magnetizing

curve，

磁化曲線，
121-12-61
(magnetization)

hysteresis
loop，

ヒステリシス

曲線

3-3-30

保磁力

磁気飽和状態の強磁性体に磁化に逆向きの磁
界を作用させて，磁束密度，磁気分極，又は
磁化をゼロにするために必要な磁界の強さ。

coercive
force，
coercive
(magnetic)
field strength

121-12-68，
221-02-35

3-3-31

磁区

強磁性体の内部で，原子の磁気モーメントが
平行にそろって，自発磁化が一定の方向をと
っている小領域。

magnetic
domain，
(Weiss)
domain

121-12-53

3-3-32

磁壁

強磁性体の磁区の間の境界を指し，その境界
領域で磁気モーメントの方向がある磁区内の
方向から隣の磁区内の方向に次第に変化する
こと。

domain wall

212-02-44
(121-12-54)

3-3-33

磁気回路

電流回路との類推関係で考え，磁束の集中す
る強磁性体を導体とみて，その回路において
磁束を電流，起磁力を起電力，磁気抵抗を電
気抵抗に対比したもの。，オームの法則やキル
ヒホッフの法則が成立する。

magnetic
circuit

131-01-45

3-3-34

磁気抵抗 (磁気回
路の)

磁気回路において電気抵抗に相当する量をい
い，リラクタンス(reluctance)ともいう。

magnetic
resistance
(of a
magnetic
circuit)

3-3-35

磁気転移

物質の相転移のうち，磁気的状態間の相転移
をいい，磁気変態ともいう。

magnetic
transition

3-3-36

磁気余効

磁性体の磁化が外部磁界の変化にただちに追
従できず，時間的遅れが生じる現象。

magnetic
after-effect

212-02-58

3-3-37

磁気共鳴

磁気モーメントをもつ粒子が静磁界中にある
場合，振動磁界又は電磁波を印加したときに
生じる共鳴現象。

magnetic
resonance

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

3-3-38

磁気緩和

外部磁界のもとで熱平衡状態にある物質の磁
気モーメント系に対して，外部磁界を急に変
えたときに，系が新しい熱平衡に達するまで
に時間的遅れが起こる現象。

magnetic
relaxation

212-02-57

3-3-39

キュリー温度

物質の強磁性と非強磁性との間の遷移を起こ
す温度。

Curie
temperature

121-12-51，
841-01-41
Curie point

3-3-40

キュリーの法則

常磁性体の磁化率 χが絶対温度 T に反比例
するという法則をいい，χ=C/T と表せる。こ
こに，C はキュリー定数である。

Curie's law

3-3-41

キュリー・ワイス
の法則

強磁性体，反強磁性体などが磁気転移温度以
上で示す常磁性の磁化率

絶対温度 T との

間に χ=C/(T-Θ) の関係が成立するという法
則。ここに，C はキュリー定数，Θ は漸近キ
ュリー点である。

Curie-Weiss'
law

3-3-42

ネール温度

低温で反強磁性である磁性体が高温で常磁性
となるときの磁気転移温度。

Néel
temperature

121-12-52

3-3-43

核磁気共鳴

原子核のスピンによる磁気共鳴をいい，核ス
ピン共鳴ともよばれる。

nuclear
magnetic
resonance

891-04-59，
393-03-47

3-3-44

異方性磁界

磁気異方性の効果と等価な磁界。

anisotropy
magnetic
field

3-3-45

磁化困難軸

自発磁化の不安定方向。

axis of hard
magnetization

3-3-46

バルクハウゼン効
果

磁界を連続的に増加していくときに，強磁性
体が磁壁の不連続移動に伴い磁化するため
に，磁束密度が不連続に変化すること。電気
回路ではこの効果によって雑音が生じる。

Barkhausen
effect，
Barkhausen
jump

212-02-47

3-3-47

電流磁気効果

導体中の電流が磁界によって影響を受ける現
象の総称をいい，ホール効果，磁気抵抗効果
などがある。

galvanomagnetic
effect

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

3-3-48

磁気定数，
真空透磁率

電磁気的量と機械的量とを結びつけるスカラ
ー定数

μをいい，

の関係式から得られる。ここに，

λ/

は，

真空中に距離d の間隔で置かれた，断面積が
非常に小さく，それぞれI 1，I 2 の電流が流れ
る二本の平行な直線導体の間に働く単位長さ
当たりの力。

備考1. 真空中では磁気定数と磁界の強

さの積は磁束密度に等しい。

B = μ0 H

2. 磁気定数は，電気定数（真空の誘

電率） ε0，真空中の光速 c0 と

の関係がある。

3. 磁気定数

μの値は正確に

4π×10-7 (m kg s-2 A-2 )= 1.256

637 061 4… (μH/m) に等しい。

magnetic
constant，
permeability
of vacuum

121-11-14
magnetic
constant:
permeability
of vacuum，
705-03-14
magnetic
constant;
absolute
permeability of
vacuum

3-3-49

磁気双極子モーメ
ント

磁気量の双極子モーメント，すなわち磁気双
極子の強さを表す量。厳密には磁気双極子モ
ーメント(magnetic dipole moment)という。磁性
体の磁気モーメント m は単位体積当たりの
磁化 M の体積積分
m = ∫ M dV
で表される。磁性体を，これに等価な電流 I
が流れる微小電流ループ（面積ベクトル S ）
で表すとき， m = I S の関係がある。
備考

j = μ0 m
を，磁気モーメントと定義することもある。

magnetic
moment

121-11-55，
221-01-07

4) 誘電的性質

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

3-4-1

分極

電荷又は磁荷の分布が変化して双極子モーメン
トが変化する現象，又は生じた双極子モーメン
トの単位体積当たりの値。

備考偏極ともいう。電気の場合は誘電分

極又は電気分極，磁気の場合は磁気
分極又は磁化という。

polarization

121-11-37
electric

polarization，

電気分極，
121-11-54
magnetic

polarization，

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

磁気分極

3-4-2

分極率

電界の中におかれた原子又は分子に誘起される
双極子モーメントp と電界の強さEとの比で，
一般的には p =α Eで定義されるαをいう。

polarizability

3-4-3

分極電荷

誘電分極 P によって生じる電荷をいう。

polarized
charge

3-4-4

分極電流

誘電分極 P の時間的変化による局所的な電流。 polarization

current

3-4-5

誘電分極

電気的な分極で，電気分極ともいう。特に誘電
体（絶縁体）の分極によって生じた単位体積当
たりの双極子モーメント P を指すことが多く，
電界をE ，電束密度をD とすると，次の式で
表す。

P = D ‒ε0E

dielectric
polarization

3-4-6

電束密度

強さEの電界が誘電体に作用するとき，誘電体
の分極をPとすれば

D = ε0 E + P

で与えられる D を電束密度という。ただし，ε0
は真空の誘電率。

electric flux
density

121-11-40

3-4-7

変位電流

電束密度の時間的変化に起因して流れると考え
た電流。電束密度を D ，時間を t とすると，
変位電流密度 j は，次の式で表す。

∂

参考真電荷の移動による電流密度と変位

電流密度とを加えた電流密度ベクト
ルの発散はゼロとなり，わき出しの
ない場を作り，常に閉じている。

displacement
current

121-11-43，
(121-11-42
変位電流密度)

3-4-8

自発分極

電界をかけない状態で誘電体が形成している誘
電分極をいう。

spontaneous
polarization

3-4-9

電磁誘導

一つの閉じた回路（二次回路）の近くで，電流
の流れている他の回路（一次回路）又は磁石を
動かせば二次回路に電流が流れる現象。

electromagneti
c induction

121-11-30

3-4-10

誘電率

電束密度 D と電界 E との関係D = ε E を与
えるεをいう。

(absolute)
permittivity，
dielectric
constant

121-12-12，
212-01-21
(121-01-36)
705-03-32

3-4-11

誘電分散

誘電体にある周波数以上の交流電界を印加する
とき，誘電体双極子の回転又は反転が電界の変
化に追従できず，そのために誘電率の減少が生
じる現象。

dielectric
dispersion

3-4-12

誘電吸収

誘電体にある周波数以上の交流電界が印加され
て誘電分散を生じたとき，周波数が高くなった
ため誘電体に吸収されるエネルギーが大きくな
る。このエネルギー吸収を，誘電吸収という。

dielectric
absorption

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

3-4-13

誘電余効

誘電体の誘電分極が，外部電界の変化に追従で
きずに時間的遅れをもつ現象。

dielectric
after-effect

3-4-14

誘電損失

誘電体に交流電界を加えたときにエネルギーが
熱として失われる現象，又はその量をいう。

dielectric loss

121-12-11，
212-01-25，
841-06-02

3-4-15

誘電緩和

誘電体中の電荷が中和して消失する現象。

dielectric
relaxation

3-4-16

誘電緩和時間

誘電体中に発生した電荷が中和して消失するま
での時間。

dielectric
relaxation
time

5) その他（熱的，応力的及び複合的）

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

3-5-1

熱容量

物体の温度を単位温度だけ上昇させるのに必要
な熱量。一様な物体では，熱容量は比熱と質量
との積で得られる。

heat capacity

(841-01-32)

3-5-2

比熱

単位質量の物質の温度を，単位温度だけ上げる
のに必要な熱量。

specific heat

841-01-33
specific

heat

capacity

3-5-3

熱伝導

物質の移動なしに熱が物体の高温部から低温部
へ移動する現象。

heat
conduction，
thermal
conduction

841-01-43
thermal

conduction

3-5-4

弾性率

弾性体の応力とひずみとの比を表す定数。ヤン
グ率，剛性率，体積弾性率などがある。

modulus of
elasticity

3-5-5

ヤング率

弾性率の一種で，伸び弾性率ともいう。一様な
太さの棒の一端を固定し，他端を軸方向に引く
（又は押す）場合，棒の断面に働く応力をT，
単位長さ当たりの伸び（又は縮み）をεとすれ
ば，比例限界内で T = E ε という関係が成り立
つ。この比例定数 E は物質固有の定数で，こ
れをヤング率という。

Young's
modulus

3-5-6

剛性率

弾性率の一種。ずれ弾性率または剪（せん）断
弾性率ともいう。弾性体の正四角柱の底面とそ
の平行面とに大きさτでその方向が反対のずれ

shear modulus

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

応力を働かせると，断面が頂角 90°±Θ のひし

形にひずみ，比例限界内で τ= nΘという比例関
係が成り立つ。その係数 n は物質固有の定数
で，これを剛性率という。

3-5-7

ポアソン比

一様な太さの棒の両端に力を加えて引き伸ばす
（又は押し縮める）と，棒の横方向には逆に縮
む（又は伸びる）が，棒の軸方向の単位長さ当
たりの伸びをα，横方向の単位長さ当たりの縮
みをβとするとき，σ =β/αは弾性の比例限界内
で物質固有の定数であり，このσを，ポアソン
比という。

Poisson's ratio

3-5-8

降伏応力

物体に弾性限界を越えて応力が働くとき，応力
の増加がほとんどないままで塑性ひずみが急激
に増加するとき（これを，降伏という。）の応力
の大きさ。降伏点ともいう。

yield stress

3-5-9

熱膨張率

圧力一定のもとで物体が熱膨張するとき，その
比率の温度変化に対する割合を示す量。

thermal
expansion
coefficient

3-5-10

熱応力

2種類以上の材料がある温度で応力がない状態
で密着して接合している場合に温度を変化させ
たときに，各材料の熱膨張係数が異なるために
発生する応力。

thermal stress

3-5-11

熱電効果

金属又は半導体中の熱の流れと電流とが相互に
影響を及ぼし合う効果の総称。ゼーベック効果，
ペルチェ効果，トムソン効果などがある。

thermoelectric
effect

(121-12-73
thermoelectric，
熱電

)

3-5-12

ゼーベック効果

接触電位差が温度に依存する熱電効果。

備考異なる二つの物質から成る閉回路で

は，二つの接合部の温度が異なると，
ゼーベック効果によって電流が生じ
る。

Seebeck effect

121-12-79

3-5-13

ペルチェ効果

異種の導体（又は半導体）の接点に電流を通す
とき，接点でジュール熱以外に熱の発生又は吸
収が起こる現象。

Peltier effect

121-12-80

3-5-14

焦電効果

結晶の一部を熱したときに，表面に電荷を生じ
る現象。

pyroelectric
effect

3-5-15

ピエゾ効果，
圧電効果

物質に外力を加えて応力変形を与えると誘電分
極を生ずる現象（一次ピエゾ効果），又は逆に，
外部電界によって誘電分極を生じさせると，物
質に外部電界に比例した機械的変形を生じる現
象（二次ピエゾ効果）。

piezoelectric
effect

121-12-86

3-5-16

電気ひずみ

誘電体に電界をかけたときにわずかな変形（ひ
ずみ）を生ずる現象又はその変形をいう。圧電
気の逆効果によるものは電界Eの1次関数であ
るが，これを除いてE 2 に比例するものだけを

電気ひずみということもある。

備考電歪（でんわい）ともいう。

electrostriction

121-12-26

3-5-17

磁気ひずみ

強磁性体に外部から磁界を印加して磁化すると
き弾性ひずみが発生する現象又はそれによる磁

magnetostric-
tion

121-12-75

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

性体形状の可逆的変形。強磁性では磁区が自然
磁化の方向に 10-5 〜 10-6 程度ひずんでいる
が，外部磁界を加えると磁化の方向が回転する
ことによって磁区のひずみの方向，大きさが変
化し，試料に変形を生じる。

備考磁歪（じわい）ともいう。

3-5-18

ひずみ抵抗効果

抵抗体に引張り又は圧縮応力を加えるとその抵
抗値が変化する現象。抵抗体を線条にするとき
のひずみ感度をη，抵抗値をR，線の長さをL
とするとき，

η = (ΔR/R)/(ΔL/L)

となる。

strain
resistance
effect

3-5-19

電気光学効果

透明な固体又は液体に電界を加えたとき，光学
的性質が変化する現象。屈折率変化が電界の強
さに比例するときをポッケルス効果といい，電
界の2乗に比例するときをカー効果という。

electro-optic
effect

731-01-42

3-5-20

ポッケルス効果

電気光学効果の一種で，透明な等方的な媒質の
屈折率が外部の電界の強さに比例する異方性を
示す効果。これに対して，電界の2乗に比例す
る電気複屈折をカー効果という。

Pockels effect

121-12-94

3-5-21

カー効果

電気光学効果の一種で，透明な等方的な媒質の
屈折率が外部電界の2乗に比例した異方性（電
気複屈折）を示す効果（電気光学的カー効果）。
これに対して，電界に比例する電気複屈折をポ
ッケルス効果という。

Kerr effect

121-12-95
(electro-optic)
Kerr effect，
（電気光学的）
カー効果

3-5-22

磁気光学効果

分子又は結晶の光学的性質に対して磁界が及ぼ
す効果の総称。ゼーマン効果，ファラデー効果，
磁気複屈折，磁気円2色性，磁気的カー効果，
磁気振動吸収などがある。

magneto-optic
effect

731-01-43

3-5-23

磁気的カー効果

磁気光学効果の一種で，磁界内の物質表面又は
磁性体表面で直線偏光が反射するとき，光の偏
光面が回転する現象。

magnetic Kerr
effect

121-12-97

3-5-24

ファラデー効果，
ファラデー回転

磁気光学効果の一種で，磁界中におかれた透明
媒質中を直線偏光が磁界と平行に伝ぱするとき
偏光面が回転する現象。

Faraday
effect，
Faraday
rotation

121-12-100
(221-05-02
MOD)，
221-05-02，
726-16-04

3-5-25

音響光学効果

結晶に音波によるひずみを加えることで屈折率
が変化する効果。光の変調に利用できる。

acoustooptic
effect

731-01-41

d) 材料の性質

1) 導体

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

4-1-1

導体

導電率(電気伝導率)又は熱伝導率の大きい

conductor

121-12-02

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

物質。金属は自由電子又は正孔密度が高く，
導電率，熱伝導率ともに大きい物質である。
伝導体，良導体ともいう。

conductor
(general
sense):
conducting
medium，
導体，
521-02-16

4-1-2

半金属

伝導帯と価電子帯とがわずかに重なってい
る物質で，絶対零度でも自由電子，自由正孔
をもつが，その数は金属に比べて非常に少な
い。

例グラファイト，ひ素，アンチモン，

ビスマスの単結晶。

semimetal

4-1-3

残留抵抗率，
残留比抵抗

金属の抵抗率は温度の減少とともに減少す
るが，絶対零度で残る金属の抵抗率。

備考マティーセンの規則の定義におけ

る ρi に相当する。

residual
resistivity

815-04-63

4-1-4

マティーセンの規
則

金属の抵抗率 ρ が欠陥に起因する温度に依
存しない抵抗率ρi とフォノン散乱に起因す
る温度上昇とともに増加する抵抗率ρL(T )
との和

ρ = ρi + ρL(T)

で表されるという規則。ここに ρL(0)=0 であ
る。

Matthiessen's
law

4-1-5

抵抗器

電気回路又は電子回路において，抵抗をもつ
物質を利用し，その両端に電圧を加えたとき
の電流の制限又は電圧の降下を生じさせる
ための素子。

resistor

4-1-6

接着

同種又は異種の固体の面がそれ自体又は介
在物質との間の化学的若しくは物理的な力
又はその両者によって結合した状態。

adhesion

4-1-7

はんだ

~450 ℃ 未満の低い融点をもつ溶接用溶加
剤。軟ろうともいう。

solder，
soft solder

4-1-8

ろう

~450 ℃ 以上の高い融点をもつ溶接用溶加
剤。硬ろうともいう。

brazing filler
metal，
hard solder

4-1-9

ろう付け(一般)

はんだ，又は硬ろうを用いて，母材をできる
だけ溶融せずに行う溶接方法。

brazing
(general)，
soldering

851-01-02

4-1-10

硬ろう付け，
ろう付け

硬ろうを用いて母材をできるだけ溶融せず
に行う溶接方法。

hard soldering，
brazing

851-01-03

4-1-11

ろう接

母体金属よりも低融点の非鉄金属又は合金
を溶融することで二つの金属を一体に結合
すること。

brazing and
soldering

4-1-12

はんだ付け，
軟ろう付け

はんだを用いて母材をできるだけ溶融せず
に行う溶接方法。ろう接の一種。

備考 “はんだ”の由来は，福島県の半

田鉱山での産出又はマレー諸島バ

soldering，
soft
soldering

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

ンダ島ともいわれている。

4-1-13

めっき

物質の表面に化学的，電気化学的などの方法
によって金属膜を被着させること。

plating

4-1-14

溶接

2個以上の金属を，接合される金属間に連続
性があるように，熱，圧力，又はその双方を
加えて，それらの金属を溶融させ溶かし混ぜ
合わせて一体とすること。接合のとき接合面
にフィラー（充てん剤）を用いることも用い
ないこともある。

備考接合部に電流を流してのジュール

熱の加熱と圧力とによる電気抵抗
溶接，単なる加熱と圧力の鍛接，
又は圧力だけによる圧接がある。

welding

851-01-01

4-1-15

アモルファス金属

非晶質状態の金属。結晶粒又は光子欠陥が
ないため，高強度，高耐食，高透磁率などの
性質を生じる。

amorphous
metal

4-1-16

表面実装技術，
SMT

部品穴をを用いた挿入形実装方法とは反対
に，回路基板上で部品と同一面ではんだ付け
を行うことによる基板上への部品実装技術。
回路基板（プリント基板も含まれる。）上へ
の導体パターンの表面に，部品の電気的接続
が行われる。

surface-mount
technology，
SMT

(541-04-01
surface

mounting)

4-1-17

表面実装デバイ
ス，
SMD

回路基板の表面に，表面実装技術によって搭
載された電子デバイス又は機械的部品。

surface-mount
device，
SMD

4-1-18

表皮効果

導体内を流れる高周波の電流が導体の表面
付近だけを流れ，内部には流れない現象。

skin effect

121-13-18，
841-01-24

2) 半導体

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

4-2-1

半導体

室温での導電率が金属と絶縁体との中間［お
よそ 105〜10-8 (S/m)］にある物質。およそ2
〜3 (eV) 以下のバンドギャップをもち，絶対
零度では自由電子（正孔）をもたないために
絶縁体であるが，温度の上昇とともに自由電
子（正孔）密度が増加し，室温では電気伝導
をもつようになる。また，不純物のドーピン
グで N形，P形の伝導の形の制御ができる。

参考導電率の温度係数が金属は負であ

るのに対し，半導体及び費絶縁体
は正である。しかし，半導体と絶
縁体との間の厳密な区別は難し
い。例えば，ダイヤモンドは，純
粋なものは絶縁体であるが，不純

semiconductor

121-12-06，
394-10-01，
521-02-01

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

物を入れ半導体化することができ
る。

4-2-2

単元素半導体

単一の元素の原子の化学結合で構成される
半導体。

single-element
semiconductor

521-02-02

4-2-3

化合物半導体

2種類以上の元素の原子の化学結合によって
構成される半導体。一般には元素比は一定で
あるが，元素比に自由度がある混晶半導体も
これに含める。

compound
semiconductor

521-02-03

4-2-4

混晶半導体

複数の元素の原子で構成され，その元素の組
成比がある制限の下に連続的に変化できる
結晶半導体。

参考 IV 族原子の混晶Si1-xGex (0 ≤x

≤1)，III-V 族の混晶 AlxGa1-x
AsyP1-y (0 ≤x ≤1，0 ≤y ≤1)，II-VI
族の混晶 CdxZn1-x Te (0 ≤x ≤1) な
どがある。

mixed crystal
semiconductor

4-2-5

非縮退半導体

不純物半導体で，フェルミ準位がエネルギー
ギャップ中のにあり，その位置が両バンド端
から少なくとも 2kBT （kB: ボルツマン定
数，T : 絶対温度）以上離れている半導体。キ
ャリヤ密度の表式のためにボルツマン統計
の近似を用いることができる。

nondegenerate
semiconductor

521-02-12

4-2-6

縮退半導体

不純物半導体でドナーやアクセプタ密度が
大きいためにフェルミ準位がエネルギーギ
ャップ中のバンド端に近いところか又はバ
ンドの中に位置し，キャリヤ密度の表式のた
めにボルツマン統計の近似を用いることが
できず，フェルミ統計を用いる必要のある半
導体。

degenerate
semiconductor

521-02-13

4-2-7

キャリヤ，
電荷キャリヤ

真空，固体，気体又は液体中を移動して電
荷を運び電流を生じさせる電子，正孔，イオ
ンなどの荷電粒子。半導体においては，伝導
帯の自由電子と価電子帯の正孔とを指す。

参考厳密には電荷キャリヤ(charge

carrier)というべきで，一般には，
キャリヤガスなどのように何かを
運ぶものという意味である。

carrier，
charge carrier

111-14-44
電荷担体，
394-18-71
(111-14-44)
電荷キャリヤ，
521-02-51

4-2-8

有効質量，
実効質量

結晶中の伝導電子はその波動性のため，原子
の作る周期的なポテンシャル，電子間相互作
用，電子−格子相互作用などの影響を受け
る。したがって，運動に現れる質量は，真空
中の値とは異なる。電子エネルギーをE ，
波数ベクトルを k ，プランク定数をh とす
ると，有効質量m*は，

effective mass

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

αβ

∂

−

(α，β =x，y，z)

によって与えられる。

4-2-9

伝導電子(半導体
の)，
自由電子(半導体
の)

一般には，真空中の電子のように自由に運動
することのできる電子をいい，半導体では，
伝導帯中を自由に運動し伝導に寄与する電
子を指す。

備考半導体の伝導現象を議論するとき

には，単に電子というと伝導帯中
の自由電子を指す。

conduction
electron (in a
semiconductor)，
free electron (in
a semiconductor)

111-14-41，
521-02-14

4-2-10

正孔，
ホール

半導体の価電子帯中の価電子が抜けて生じ
た孔（ホール）を仮想の正電荷 +e （電気素
量）をもつ荷電粒子と考えたもの。

備考ホールの発生によって残りの価電

子は運動が可能となり電荷を運ぶ
ことができるようになる。その電
流の表式は，ホールが +e の電荷
をもち，これが電荷を運ぶと考え
た場合と同じになる。

(positive) hole

111-14-42，
394-18-72，
521-02-17

4-2-11

軽い正孔

エネルギーの波数依存の異なる2種類の価電
子帯のうち，波数依存の大きい価電子帯に属
する有効質量の小さい正孔。

light hole

4-2-12

重い正孔

エネルギーの波数依存の異なる 2種類の価
電子帯のうち，波数依存の小さい価電子帯に
属する有効質量の大きい正孔。

heavy hole

4-2-13

真性半導体

理想的には，内部に不純物，欠陥を含まない
半導体で，熱平衡状態のキャリヤが，価電子
帯から伝導帯への価電子の熱励起だけによ
って生じる電子及び正孔で構成されるもの。
電子密度と正孔密度とが等しい。

参考現在の技術では，不純物の混入又

は欠陥の生成が避けられず，完全
な真性半導体を作ることは困難で
ある。

intrinsic
semiconductor

394-10-02，
521-02-07
intrinsic
semiconductor;
semiconductor
type I，
真性半導体;
I 形半導体

4-2-14

真性キャリヤ密度

真性半導体では電子密度と正孔密度とは等
しいが，その密度をいう。

intrinsic carrier
density，
intrinsic carrier
concentration

4-2-15

真性準位

真性半導体のフェルミ準位。ほぼ，バンドギ
ャップの真中に位置する。

intrinsic level

4-2-16

不純物 (半導体中
の)

単元素半導体中にあっては構成元素以外の
原子，化合物半導体にあっては構成元素以外
の原子又は構成元素の化学量論比から増減
した原子。一般に，キャリヤ密度又は移動度

impurities (in a
semiconductor)

521-02-04

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

に影響を与える。

4-2-17

不純物半導体，
外因性半導体

内部に含まれる不純物，欠陥のイオン化によ
って生じた電子又は正孔がキャリヤ発生の
主体となる半導体。

impurity
semiconductor，
extrinsic
semiconductor

394-10-04，
521-02-08

4-2-18

多数キャリヤ

不純物半導体の熱平衡状態のキャリヤ（電子
及び正孔）のうち，密度の大きい方のキャリ
ヤ。

majority carrier

521-02-52

4-2-19

少数キャリヤ

不純物半導体の熱平衡状態のキャリヤ（電子
及び正孔）のうち，密度の小さい方のキャリ
ヤ。

minority carrier

521-02-53

4-2-20

N形半導体

電子が多数キャリヤである不純物半導体。

N-type
semiconductor

394-10-05，
521-02-09
N-type

semiconductor;

electron

semiconductor
，

N 形半導体，
電子過剰半導

体

4-2-21

P形半導体

正孔が多数キャリヤである不純物半導体。

P-type
semiconductor

394-10-06，
521-02-10，
P-type

semiconductor;

hole

semiconductor

P形半導体，
正孔過剰半導

体

4-2-22

ドナー

N形半導体を作るための不純物元素で，半導
体中でイオン化して伝導帯に電子を供与し
伝導電子を作り，自らは正に帯電する不純物
及び欠陥。

donor

521-02-38

4-2-23

アクセプタ

P形半導体を作るための不純物元素で，半導
体中でイオン化して価電子帯から価電子を
授受し正孔を作り，自らは負に帯電する不純
物及び欠陥。

acceptor

521-02-39

4-2-24

不純物準位

半導体中の不純物の作るエネルギー準位。

impurity level

521-02-36

4-2-25

ドナー準位

ドナーの作るエネルギー準位。

donor level

521-02-40

4-2-26

アクセプタ準位

アクセプタとして働く不純物のエネルギー
準位。通常，バンドギャップ中の価電子帯上
端に近い位置にある。

acceptor level

521-02-41

4-2-27

浅い準位

不純物準位のうち，伝導帯の下端又は価電子
帯の上端から室温の kBT（kB: ボルツマン定

shallow level

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

数，T: 絶対温度）の程度離れたエネルギー
ギャップ中の浅いところに位置し，室温でほ
ぼ100 ％イオン化してドナー又はアクセプ
タとして働くもの。

4-2-28

深い準位

不純物準位のうち，伝導帯，価電子帯のバン
ド端から室温の kBT（kB : ボルツマン定数，

T : 絶対温度）から十分離れたエネルギーギ

ャップ中の深いところに位置し，主にキャリ
ヤの捕獲又は再結合中心として働くもの。

deep level

4-2-29

(不純物)補償

ドナーとアクセプタとが共存するときに，ド
ナーが電子を供与する働きとアクセプタが
正孔を供与する働きとが，部分的又は完全に
互いに相殺すること。

(impurity)
compensation

521-03-06

4-2-30

質量作用の法則
(半導体におけ
る)

熱平衡状態で電子密度と正孔密度との積が
一定（n0p0=ni2，n0: 熱平衡状態の電子密度，

p0:熱平衡状態の正孔密度，ni : 真性密度）と

なる法則。

参考質量作用の法則と電荷の中性条件

によって，熱平衡状態にある不純
物半導体では，

i>>

（N

形半導体），又は

i>>

（P形半導体）と

なる。

law of mass
action (in a
semiconductor)

4-2-31

ドーピング

半導体結晶内部にドナー又はアクセプタ不
純物を導入すること。半導体では，P形，N
形の制御並びにそのキャリヤ密度の制御に
用いる。

doping

521-03-05
doping (of a

semiconductor)

4-2-32

真性伝導

半導体において，不純物，欠陥に基づくキャ
リヤによる伝導が無視でき，バンド間の熱励
起によって生じた真性キャリヤによる伝導
が主体の伝導。

intrinsic
conduction

521-02-20

4-2-33

不純物領域

不純物半導体において，ドナー又はアクセプ
タが完全にイオン化していず，温度の増加と
ともにイオン化が進みキャリヤ密度が増加
する比較的低温の温度領域。

impurity region

4-2-34

飽和領域

ドナー又はアクセプタがすべてイオン化し
てキャリヤ密度の温度依存のない温度領域。

saturation region

4-2-35

真性(温度)領域

高温において，価電子帯から伝導帯への熱励
起によって生成されるキャリヤ密度が，飽和
領域の不純物，欠陥によるキャリヤ密度を越
え，真性伝導が主体となる高温温度領域。

参考不純物半導体においても高温では

真性伝導が主体となり，P形及び
N形の特性が失われる。

intrinsic
(temperature)
region

4-2-36

キャリヤの発生

熱励起，光などの外部エネルギーによる励起

generation of

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

でキャリヤが発生すること。

carriers

4-2-37

再結合 (電子・正
孔対の)

伝導帯中の1個の電子と価電子帯中の1個の
正孔とが結合し消滅すること。

備考一般には，通常安定な粒子の分解

により生じた高エネルギー状態に
ある正負の粒子対が，再び結合し
て（必ずしも元の相手の必要はな
い。）安定状態に戻ることをいう。
電子と正孔とが他の不純物又は欠
陥準位を介さずに再結合すること
を直接再結合といい，他の不純物
又は欠陥準位を介して再結合する
ことを間接再結合という。

参考再結合するときに放出されるエネ

ルギーは，光子，フォノンの発生
に使われたり，又は他のキャリヤ
の励起に使われる。

recombination
(of an
electron-hole
pair)

111-14-60，
393-03-04，
881-02-76

4-2-38

発生中心

半導体の不純物又は欠陥中心で，バンドギャ
ップ中にそのエネルギー準位を作り，この準
位を介して電子及び正孔との発生を促進す
るもの。

参考エネルギー準位がバンドギャップ

の中央付近にあるときに，キャリ
ヤ発生が最も促進される。

generation
center

4-2-39

再結合中心

半導体中の不純物又は欠陥中心で，バンドギ
ャップ中にそのエネルギー準位を作り，この
準位を介して電子と正孔との再結合を促進
するもの。

参考エネルギー準位がバンドギャップ

の中央付近にあるときに，再結合
が最も促進される。

recombination
center

4-2-40

トラップ，
捕獲中心

伝導帯の電子，又は価電子帯の正孔を捕獲す
る不純物又は欠陥中心。

trap，
capture center

521-02-63

4-2-41

表面再結合

半導体の表面又は他の物質との界面に生じ
た表面（界面）準位を介して行う，電子と正
孔との再結合。

surface
recombination

4-2-42

表面再結合速度

表面再結合の速さを表す物理量で，単位面
積，単位時間当たりに表面再結合で消滅する
過剰キャリヤ数をU 個/(s・m2)，表面の過剰
キャリヤ密度を c(1/m3) とするとき，表面再

結合速度 s (m/s) は，s = U/c で与えられる。

surface
recombination
velocity

521-02-56

4-2-43

キャリヤの消滅

電子と正孔との再結合，トラップへの捕獲な
どによってキャリヤが消滅すること。

extinction of
carriers

4-2-44

過剰少数キャリヤ
密度

熱平衡の少数キャリヤ密度を越える少数キ
ャリヤ密度。

excess minority
carrier density

(521-02-54
excess carrier)

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

4-2-45

少数キャリヤの注
入

PN 接合又は金属／半導体接合への電圧印加
によって，N形又は P形半導体にそれぞれ少
数キャリヤである正孔，又は電子が拡散注入
されること。

minority carrier
injection

4-2-46

少数キャリヤの寿
命

半導体中に生成又は注入された過剰少数キ
ャリヤが多数キャリヤと再結合し消滅する
までの平均時間。多数キャリヤ密度が一定と
みなせるときには，少数キャリヤの寿命は一
定で，過剰少数キャリヤ密度が 1/e になる時
間に対応し，過剰少数キャリヤ密度の減少速
度は，過剰少数キャリヤ密度と少数キャリヤ
の寿命の逆数との積で表される。

minority carrier
lifetime

521-02-57
bulk lifetime (of

minority
carriers)

4-2-47

捕獲断面積

電子又は正孔の捕獲確率の大きさを表す断
面積。

capture
cross-section

4-2-48

フォノン散乱

フォノンとの相互作用によって生じるキャ
リヤの散乱。

phonon
scattering

4-2-49

不純物散乱

中性不純物又はイオン化不純物との相互作
用によって生じるキャリヤの散乱。

impurity
scattering

4-2-50

合金散乱

混晶半導体（合金半導体）において原子組成
比が場所によって一様でなく，クラスターな
ど局所的空間不均一分布が存在することに
よって生じる散乱。

alloy scattering

4-2-51

キャリヤ・キャリ
ヤ散乱

キャリヤ同志の相互作用によって生じる散
乱。同種キャリヤ間（電子-電子，正孔-正孔）
の散乱と異種キャリヤ間（電子-正孔）の散
乱との両者がある。

carrier-carrier
scattering

4-2-52

発光再結合

発光を伴って行う再結合。

radiative
recombination

4-2-53

非発光再結合

発光を伴わずに行う再結合。

nonradiative
recombination

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

3) 誘電体（ガラスを含む）

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

4-3-1

誘電体

静電界を加えるとき誘電分極を生じる
が，直流電流を生じない物質。交流電界
を加えるときは，ある特定周波数領域で，
変位電流より小さな交流電流を誘起す
る。

備考1. 正弦波の下では，等方性媒

質では次の関係を満たすと
き誘電体である。

ここに，γ：導電率

ε0：電気定数
ω：角周波数
εr：比誘電率の実数部分

2. 異方性媒質では，ある特定

の方向にだけ誘電体である
場合がある。

dielectric

121-12-10
(705-03-07
MOD)
dielectric
medium;
dielectric
(noun)，
誘電体，
212-01-04，
705-03-07
dielectric
(medium)

4-3-2

強誘電体

電界を加えない状態で自発的な誘電分極
をもつ誘電体。誘電分極の方向はある領
域の範囲内でほぼ同方向を向いており，
誘電分極と電界との間にはヒステリシス
特性が観測される。

ferroelectric

121-12-23，
[121-12-24
強誘電体の
ferroelectric
(adj)]

4-3-3

反強誘電体

結晶の中の二つの部分格子が反対方向に
自発分極を起こし，それが打ち消し合っ
て結晶全体としての自発分極がゼロにな
る物質。

antiferroelectric，
antiferroelectric
substance

4-3-4

絶縁体

電気又は熱を伝えない物質。実際上は，
電気伝導率及び／又は熱伝導率が十分小
さい物質をいう。

insulator

121-12-05
insulating

medium;

insulant，
212-01-01
insulating

material

4-3-5

絶縁破壊

絶縁体に作用する電界がある限度以上に
なると，ほとんど不連続的に絶縁性を失
って大電流を通すようになる現象。

dielectric
breakdown

212-01-29
(electric)

breakdown，

604-03-37
breakdown

4-3-6

セラミックス

成形，焼成などの工程を経て得られる非
金属無機材料をいう。

ceramic

212-05-24

4-3-7

ガラス状態

液体を結晶化させることなく冷却して，
その粘度が固体と同じ程度の大きさに達

vitreous state

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

した非晶質（無定形）状態をいう。

4-3-8

ガラス

一般にはガラス状態にある物質をいう
が，通常はけい酸塩ガラス，ほうけい酸
ガラスなどを指す。

glass

212-05-25

4-3-9

結晶性ガラス

ガラスの粉末とアルミナ，コーデュライ
トなどの粉末とを混合した特殊な組成の
ガラスを溶融・成形した後で，よく制御
された条件の元で再加熱して元の形を変
えることなく規則正しい構造をもつ微結
晶体に作ったもの。

crystallized glass

4-3-10

非晶質ガラス

ガラスのうち，結晶化ガラス以外のもの
を特に指す。

amorphous glass

4-3-11

ガラス転移

通常のガラスは高温では液体であるが，
温度の降下によってある温度範囲で急激
にその粘度を増し，ほとんど流動性を失
って非晶質固体となる。このような変化
をガラス転移といい，このときの温度を
ガラス転移温度という。

glass transition

4-3-12

熱刺激電流

光又は電界によって励起又は分極された
荷電粒子が低温で凍結され，次いで，励
起を除いた状態にして温度上昇させる過
程で熱的に凍結が解放されて生じる変位
電流。

thermally activated
current

4-3-13

熱刺激発光

光又は電界によって，励起又は分極され
た荷電粒子が低温で凍結され，次いで，
励起を除いた状態にして温度上昇させる
過程で，熱的に凍結が解放されて生じる
発光。

thermally activated
luminescence，
thermolumine-scence

845-04-30

4) 磁性体

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

4-4-1

磁性体

磁界の作用で磁気モーメントを生じる，又は変
化する物質。

magnetic
substance

121-12-27

4-4-2

永久磁石

残留磁化及び保磁力が大で，外部からの磁気的
かく乱によっても残留磁化の強さが容易に変わ
らない強磁性体。

permanent
magnet

151-01-38

4-4-3

磁石合金

永久磁石に使用される合金で，鋼を主体として
開発され，磁石鋼とも呼ばれる。磁石合金の中
には，Fe，Co，W，Cr，Cを主成分としたKS
鋼，Fe，Al，C を主成分としたMT鋼，Fe，Ni，
Alを主成分としたMK鋼，Fe，Al，Ni ，Coを

magnetic alloy

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

主成分としたアルニコなどが代表的である。

4-4-4

パーマロイ

ニッケルを主成分とした代表的な高透磁率合金
の商品名。

Permalloy

4-4-5

フェライト

MII O・Fe2O3 形 (MII : Mn，Fe，Co，Ni，Cu，
Zn，Mg，Cd など) のスピネル形磁性酸化物を
いい、フェリ磁性又は反フェリ磁性を示す。抵
抗率が高く，高周波用磁心材料として主にznフ
ェライトとの固溶体が実用される。

ferrite

121-12-49，
221-01-16

4-4-6

希土類磁石

鉄族遷移金属と希土類金属との化合物からなる
永久磁石の総称。サマリウム-コバルト，ネオジ
ウム-鉄-ほう素が代表的。

rare earth
magnet

4-4-7

ホイスラー合金

F．ホイスラーが発明した銅合金で，その代表的
な組成は，銅の他Al：10〜25 ％，Mn：18〜26 ％
であり，強磁性でない元素を組み合わせて強磁
性を示す合金が得られる場合もある点が特徴で
ある。

Heusler alloy

4-4-8

磁性薄膜

種々の磁性体を蒸着，スパッタリング，電着な
どの方法でガラス，プラスチックなど，又は単
結晶の基板上に薄膜成長させたもの。

magnetic thin
film

4-4-9

磁性流体

界面活性剤を用いて安定に分散させた磁性体微
粒子を，流体媒体に高濃度に懸濁させたもの。

magnetic fluid

4-4-10

磁気記録

録音，録画及びそれらを再生させる手段として
磁性体及び外部磁界を用いる記録方式。

magnetic
recording

806-15-01

4-4-11

磁気バブル

膜面の垂直方向に磁化容易軸をもつ磁性薄膜の
面に垂直な方向に，適切な強さの磁界を加えた
ときに生じる小さな円柱状の磁区。

参考液相エピタキシーによって GGG

(Gadolinium Gallium Garnet) の単結
晶板上に成長させた希土類鉄ガーネ
ット膜がこのような性質を示す。

magnetic
bubble

4-4-12

磁気増幅器

強磁性体の磁化の飽和を利用して電流を増幅す
る装置。

magnetic
amplifier

351-18-52

4-4-13

アモルファス磁性
材料

超高速で急冷することによってアモルファス化
した磁性合金をいい，磁気異方性が小さいため
高磁化率，低保磁力が実現でき，耐食性及び機
械強度に優れる。

amorphous
magnetic
materials

4-4-14

インバー

ニッケル鋼の一種で，Fe，Ni，Mn，C の合金か
らなり，線膨張係数がFeやNiの約1/10と小さ
いことが特徴で，制御機器や精密機器に使用さ
れる。

Invar

4-4-15

ソフト磁性材料

磁化率が高く保磁力が小さい磁性材料。変圧器，
コイルなどの磁心材料として用いられる。

soft magnetic
materials

4-4-16

ハード磁性材料

磁気的に硬い材料，すなわち磁化しにくく，ま
た，一度磁化するとその残留磁化を再度ゼロに
するための外部磁界（保磁力）が大きい磁性材
料。

hard magnetic
materials

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

5) 超電導体

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

4-5-1

超電導

多くの金属，ある種の金属酸化物などの物質
が，適切な条件下でその直流電気抵抗がゼロ
になり，かつ，完全反磁性を示す現象。ま
た，このような性質を超電導性という。

備考適切な条件とは，温度，磁界の強

さ及び電流密度がある値以下のと
きを示す。

Superconductiv-
ity

815-01-02

4-5-2

超電導体

温度，磁界の強さ及び電流密度がある値以下
のときにゼロ抵抗となる性質を示す物質。

superconductor

121-12-07
超電導体，
815-001-06
超電導体

4-5-3

第1種超電導体

軟超電導体とも呼ばれ，外部からの磁界に対
しては完全反磁性を示し，超電導状態が破れ
る臨界磁界になるまで磁界（磁束）は内部に
侵入せず，臨界磁界以上の磁界がかかると超
電導状態が破れ磁束が内部に侵入する超電
導材料。

type I
superconductor，
soft
superconductor

815-01-22

4-5-4

第2種超電導体

硬超電導体とも呼ばれ，2 段階の臨界磁界を
もち，下部臨界磁界以上の磁界をかけても，
上部臨界磁界以下であれば，磁束線は超電導
体の内部にまだらに入っており，常伝導領域
と超電導領域との混合状態となる超電導材
料。

type II
superconductor，
hard
superconductor

815-01-25

4-5-5

酸化物超電導材料

超電導を示すセラミック材料の一種。主な材
料としてはY 系，Bi系，Tl系などがある。

superconduct-
ing oxide

4-5-6

金属超電導材料

酸化物超電導材料が発見される以前に主流
であった超電導を示す材料系をいい，代表的
な材料として，NiTi，Nb3Sn，Nb3Al などが
ある。

metallic
superconductor

4-5-7

超電導膜

超電導を示す膜。ジョセフソン素子，LSI 用
の配線などのデバイス化をねらいとする。

備考超電導薄膜は，およそ1 μm 以下

の厚さの膜をいい，MgO，LaAlO3，
SrTiO3 などの格子定数のずれが
小さく反応性が少ない基板を用
い，スパッタリング法，レーザ蒸
着法，CVD 法などで超電導材料
を薄膜成長させて作製する。超電
導厚膜は，およそ 1 μm から 10
μm の厚さの膜をいい，スクリー
ン印刷，ドクターブレード法，デ
ィップコート法などを用いて作製

superconducting
film

815-04-29

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

する。

4-5-8

臨界磁界，
臨界磁場

超電導状態を維持できる最大の磁界（磁場）。

備考臨界磁界は，温度の関数である。

critical (magnetic)
field strength

815-01-09

4-5-9

臨界温度，
超電導臨界温度

ゼロ磁界，ゼロ電流密度のときに，それ以下
の温度で超電導体の電気抵抗がゼロになり
超電導状態が発現するときのその絶対温度。

critical
temperature

815-01-09

4-5-10

臨界電流密度

抵抗ゼロを維持できる最大の電流密度であ
り，外部からの導入電流と遮へい（蔽）電流
に当てはまる。

critical current
density

815-03-03

4-5-11

永久電流

超電導状態にあり，超電導体のリングを減衰
することなく流れる電流。

persistent current

815-01-13

4-5-12

クーパー対

超電導体の束縛された2個の電子対を指す。
反平行スピンをもつ2個の電子がフォノンを
なかだちとしてクーロン反発力に打ち勝つ
だけの相互引力作用が生じ，2 個の電子が束
縛状態となる。
なお，クーパー対が相互に位相同期した集
団領域の距離を“コヒーレンス長”(coherence
length)という。

Cooper pair

121-13-22，
815-01-26

4-5-13

BCS理論

クーパ対を臨界温度以下の温度で形成し，巨
視的な数の電子対が同一の重心運動を行う
として超電導を説明した対理論。BCS は，
提唱者のBardeen，Cooper，Schriefferの3人
の頭文字。

BCS theory

815-01-27

4-5-14

ジョセフソン接合

二つの超電導体が絶縁体膜，通常の伝導体
膜，又は小さな断面積若しくは点接触の超電
導体ブリッジで隔てられた，クーパー対が適
当な条件下で通過できる接合。

Josephson
junction

121-13-23，
815-01-37

4-5-15

ジョセフソン効果

二つの超電導体が薄い絶縁膜で隔てられた
サンドイッチ構造のジョセフソン接合にお
いて，絶縁膜をクーパー対がトンネル効果で
通過し電力消費を伴わずに電流を生じるマ
クロな量子効果（直流ジョセフソン効果），
及び，接合に電圧Uがかかるときには，周波
数 f = 2eU/h （h:プランク定数，e:素電荷）
の交流電流が生じるマクロな量子効果（交流
ジョセフソン効果）。

Josephson effect

(121-13-25
direct-current

Josephson
effect，

815-01-38
DC Josephson

effect，

121-13-26
alternate-current

Josephson
effect，

815-01-39
AC Josephson

effect)

4-5-16

マイスナー効果

超電導状態にある金属では臨界磁界を越え
ない外部磁界を加えても内部では磁束がゼ
ロであり，磁力線が内部に入らない現象。

Meissner effect

815-01-12

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

4-5-17

超電導量子干渉
計，
SQUID

インダクタンスの小さな超電導ループ中に
1 個又は2個のジョセフソン接合を含む干渉
計。脳磁図などの超高感度磁界検出に利用
される。

superconductive
quantum
interference
device，
SQUID

815-07-46
超電導量子干

渉計

4-5-18

近接効果

超電導体又は常伝導金属の接合の電気的干
渉によって，超電導体境界クーパー対密度を
減少させ，クーパー対の波動関数が金属側へ
漏れ出す効果。

proximity
effect

(121-13-19
proximity

effect，

815-04-58
proximity

coupling
current)

4-5-19

磁束量子

磁束の量子単位をいい，h/2eに等しい。こ
こに，h はプランク定数，e は素電荷である。
この値は，およそ，2.067 830 215×1015 (Wb)
に等しい。超電導体の環を貫く磁束は，環
を流れるクーパー対の波動関数の一価性の
ために磁束量子の整数倍の値に量子化され
る。

fluxoid
quantum，
flux quantum

121-11-22
fluxoid

quantum，

815-01-14
flux quantum

4-5-20

侵入深さ(超電導
体における)

超電導体の磁界侵入を打ち消す遮へい（蔽）
電流が流れている深さ。

penetration
depth (in a
superconductor)

4-5-21

超流体

粘性係数が 0で，エントロピーを運ばないよ
うな超流動を示す流体。現在のところ，超
流動を示す物質は，液体Heだけである。

参考超流動性を示さない，すなわち有

限の粘性率をもちエントロピーを
運ぶ液体を，常流体という。

superfluid

(815-06-17
superfluid

helium: He II，

4-5-22

ピン止め(磁束の)

超電導体内の量子化磁束が格子欠陥，析出不
純物，粒界などによって捕捉され，ローレン
ツ力が働いても動かないこと。

pinning (of a
magnetic flux)

6) 気体及び液体（放電関係など）

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

4-6-1

プラズマ

全体的にほとんど同じ数の正負の自由電荷（正
イオン，電子）及び中性の原子又は分子で構成
される伝導性のあるイオン化したガス。マクロ
には電気的に中性である。

plasma

111-14-65，
705-06-04，
531-13-14，
841-09-01

4-6-2

プラズマ振動

プラズマ中の電子の集団運動による振動で，電
荷のじょう乱を遮へい（蔽）するために電子が
動くとき，中性の状態より行きすぎて，再び引

plasma
oscillation

[705-06-10
plasma
frequency

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

き返す運動を繰り返すために発生する振動をい
い，縦波すなわち疎密波として伝ぱする。

(electronic)
（電子）プラズ
マ周波数)]

4-6-3

無衝突プラズマ

粒子が相互に誘起した空間電荷電界を通して相
互作用するが，直接の衝突が無視しうるプラズ
マ。

collisionless
plasma

4-6-4

衝突支配形プラズ
マ

衝突による相互作用によって種々の散逸過程が
生じるプラズマ。

collision
dominated
plasma

4-6-5

衝突周波数

電子がイオン化した媒質又はプラズマ中を通過
するときに受ける単位時間当たりの平均の衝突
数。

collision
frequency

705-06-08
（電子）衝突周

波数

4-6-6

運動量移行周波数

プラズマ中で，ある種類の荷電粒子とほかの，
又は同じ種類の粒子との単位時間内の平均の衝
突数。

momentum-tr-
ansfer
collision
frequency

4-6-7

電離係数，
イオン化係数

気体中で電子が電界によって加速され，気体分
子の電離に必要なエネルギーを得て衝突して電
離するときの，電子が電界方向に単位長さ移動
する間に起こす衝突電離の平均回数。

ionization
coefficient

111-14-58

4-6-8

クーロン衝突

電子・電子，イオン・イオン，電子・イオンな
どの荷電粒子間に比較的長距離まで働くクーロ
ン相互作用による粒子の衝突。

Coulomb
collision

4-6-9

サイクロトロン共
鳴

静磁界中の荷電粒子の運動は，磁界に垂直な方
向に関してみると周期が一定の円運動（サイク
ロトロン運動）をしているが，ここに周回の角
周波数に等しい電磁波が入射すると，共鳴して
電磁波が吸収される現象。

cyclotron
resonance

4-6-10

ラーマー角周波数

荷電粒子が磁界中で行う円運動の角周波数。そ
の値ωは，粒子の電荷をq，質量を m，磁束密
度の大きさをB とすると，ω =qB

mで表せる。

Larmor
frequency

4-6-11

グロー放電

電子管の比較的低圧ガス中での放電。拡散，グ
ロー及びガスのイオン化電圧よりも非常に高
い陰極付近の電圧降下（陰極降下）などで特徴
付けられ，電子は主として陰極からの 2次電子
放出によって供給される。

glow discharge

121-13-13，
531-13-04，
845-07-12

4-6-12

コロナ放電

電圧こう配がある特定の値を超えたときに，高
電圧で周りの空気のイオン化によって生じる，
導体の表面と近隣に生じる青みがかった紫色の
グロー放電。

corona
discharge

531-13-06

4-6-13

陽光柱

グロー放電管の中で，ファラデー暗部と陽極間
とに生じるグローをいい，しばしばせん（閃）
光となる。

positive glow

4-6-14

陰極降下

気体放電で陰極付近に空間電荷によって生じる
大きい電位降下。

cathode fall，
cathode drop

845-07-13

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

4-6-15

ペニングイオン化

励起状態の原子又は分子X* と別の原子又は分
子Mとが低エネルギーで， X* + M → X + M+ +
e- の過程によって，Xが基底状態に落ちると同

時にMがイオン化する現象。

Penning
ionization

4-6-16

アーク放電

気体内の電極間での直流放電で，陰極からの熱
電子放出又は電界放出による低エネルギー電子
によって高電流密度が維持され，比較的低い陰
極降下を生じる放電。

備考陰極からの二次電子放出は小さい。

arc discharge

531-13-05，
845-07-16

4-6-17

自続放電

気体の放電において，2極間の電圧がある値以
上で外部からの荷電粒子の供給がなくても維持
される放電。低電圧領域では，外部からの荷電
粒子の供給にほぼ比例して電流が流れ，これを
非自続放電という。

self-maintain-
ed discharge

531-13-12a

4-6-18

再結合 (気体の)

電子，正イオン，又は負イオンのような電荷を
もつ粒子の結合と，結果として生じる電気的中
和。

recombination
(in gas)

4-6-19

電荷交換反応

2粒子間の衝突による一方の粒子から他方への
電荷の移動。

charge
exchange
reaction

4-6-20

両極性拡散

電子，イオンなどの荷電粒子のプラズマ中の拡
散。電子又はイオンは独立には拡散せず，局所
的な電気的中和化の結果として生じる。

ambipolar
diffusion

4-6-21

電離度

中性の原子又は分子が電子を失って陽イオンに
なる数の粒子総数に対する割合。

degree of
ionization

705-06-06
degree

ionization (of a
plasma)，

（プラズマの）

電離度

4-6-22

デバイ長

荷電粒子の電界が，逆符号の電荷をもつ粒子に
よって遮へい（蔽）される特性距離。

Debye length

4-6-23

イオンシース

放電のポテンシャルとは違うポテンシャルをも
つ，表面上又は表面近くに形成されたイオンの
（若しくは電子の）薄い層。

ion sheath

4-6-24

異常拡散

プラズマが不安定なとき，プラズマが磁力線を
横切って拡散していく現象。その速度は，古典
的拡散に比較して，高い。

anomalous
diffusion

4-6-25

プラズマの閉じ込
め

プラズマを電磁界などの外的作用によって有限
領域内に閉じ込めること。プラズマ粒子数を

N （個）とし，単位時間に損失するプラズマ粒

子数を G （個/s）とするとき，G = N /τで定義
される時間 τ(s) をプラズマ閉じ込め時間とい
う。

plasma
confinement

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

4-6-26

プラズマ分散式

プラズマ中の角周波数と波の運動，又は不安定
性の波動ベクトルとの関係を示す式。

plasma
dispersion
relation

4-6-27

イオン音波

プラズマ中の集団の振動に基づく静電波。この
波は中性気体中の音波と類似の縦波であるが，
粒子間衝突に基づく音波とは違って，粒子間の
クーロン力と電子の熱運動とが本質的な役割を
なす。

ion acoustic
wave

7) 液晶，有機材料関係など

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

4-7-1

液晶

結晶と液体との中間にある温度範囲内で存在す
る，ある程度の秩序をもった状態。

liquid crystal

4-7-2

ネマチック液晶

等方性液体を急冷したときに見られる，糸状模
様に基づいて命名された液晶の一種。液晶中，
最も液体に近い乱れた構造をもつ。

nematic liquid
crystal

4-7-3

スメクチック液晶

棒状の分子がその長軸を平行に配列して層を形
成した液晶。

smectic liquid
crystal

4-7-4

コレステリック液
晶

ネマチック液晶を形成する分子の一部又は全部
が光学活性をもち，分子配列にねじれが加わっ
て全体としてらせん構造をとった液晶。

cholesteric
liquid crystal

4-7-5

ディスコチック液
晶

円板状分子とみなされるベンゼンの六置換エス
テルなどが示すサーモトロピック液晶（温度変
化によって出現する液晶）の総称。

discotic liquid
crystal

4-7-6

高分子液晶

液晶性の低分子構造を高分子の主鎖又は側鎖に
適切に配した液晶。

polymer liquid
crystal，
liquid crystal
polymer

4-7-7

レジスト

半導体製造工程において，エッチング，イオン
注入など，微細加工プロセスで加工すべき基板
にパターンを形成するための感光材。紫外線，
X線，電子線などの放射線の照射によって引き
起こされる化学反応を利用して形成される。

resist

4-7-8

逆浸透膜

半透膜の一方に浸透圧より高い圧力を加えるこ
とで，通常の浸透とは逆に溶液中の溶媒分子が
半透膜を通って純容媒中へ移行できる半透膜の
こと。物質の分離に応用できる。

reverse
osmosis
membrane

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

4-7-9

結晶性高分子

かなりの秩序をもった分子配列を示し，X線回
析によって明りょうな結晶構造が認められる高
分子物質。

crystalline
polymer

4-7-10

エレクトレット

外部電界が存在しない状態でも半永久的に分極
を保持することができる誘電体。

electret

4-7-11

樹脂

複雑な有機酸及びその誘電体からなる物質。も
ろい無定形の固体又は半固体で，水には溶けず，
アルコール，エーテルなどにはよく溶ける。

resin

212-04-01

4-7-12

導電性高分子

電気伝導性をもつ高分子。異種元素又は分子が
添加されているものとないものとの2種類に大
別される。

electrically
conducting
polymer

4-7-13

ポリイミド

耐熱性高分子の代表。耐熱性高分子とは一般に
300 ℃ 以上の高温で連続して使用に耐える高
分子物質。

polyimide

4-7-14

重合

1種類の単位化合物の分子が 2個以上結合して
単位化合物の整数倍の分子量をもつ化合物を生
成する化学反応。

polymerization

4-7-15

共重合

2種又はそれ以上の単位化合物を用い，それら
を成分として含む重合体を与える重合反応。

copolymeriza-
tion

4-7-16

縮合

2個以上の分子又は同一分子内の二つ以上の
部分が新しい結合を作る反応。

condensation

4-7-17

重縮合

縮合反応の繰返しによる重合体生成反応。

polycondensa-
tion

4-7-18

光分解

光の照射によって結合が開裂して物質が分解を
起こす現象。

photolysis

4-7-19

二色性

a) 一軸結晶において，光の吸収の異方性が原

因で光学軸方向とこれに垂直な方向とで色
が異なる性質。一般に，物質が透過光の色
を種々の伝ぱ方向によって異にする性質を
多色性という。

b) 着色溶液の透過光の色が，溶液の濃度又は

液層の厚さによって変化する現象。

dichroism

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

e) デバイスの基礎

1) デバイスの構成基礎

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

5-1-1

接合

異なる電気特性又は異なる伝導タイプの
半導体間が，接する遷移領域。同種の半導
体間の接合をホモ接合，異種の半導体間の
接合をヘテロ接合という。接合に生じる一
方向のキャリヤの移動を妨げるポテンシ
ャル障壁で，キャリヤの運動を制御する特
徴をもつ，デバイスの基本構造の一つ。

junction

394-18-60，
521-02-70

5-1-2

PN接合

P形半導体とN形半導体との間の遷移領
域。種々の半導体デバイスを構成する基
本的な構造。熱平衡状態において，双方
のフェルミ準位が一致するように電位障
壁が形成される。

PN junction

394-18-61
(521-02-73)

5-1-3

ホモ接合

キャリヤ密度又は伝導タイプの異なる同
種の半導体の接合。

homojunction

731-06-12

5-1-4

ヘテロ接合

異種の二つの半導体の接合。

heterojunction

731-06-13

5-1-5

空乏層

半導体の各種接合において，自由キャリヤ
密度がイオン化したドナー。アクセプタの
正味の固定電荷密度を中和するに不十分
なほど小さい領域。

depletion layer

521-02-77
depletion layer

(of a
semiconductor)

5-1-6

空間電荷

電子又はイオンに起因する空間の電荷。

space charge

393-01-40，
531-12-14，
881-02-93

5-1-7

空間電荷領域

PN接合部分の電気的に中性なP領域とN
領域とに挟まれた，キャリヤの空乏化によ
ってイオン化不純物による電荷が現れて
いる領域。

space charge region

521-02-74
space

charge

region，

521-02-75
space

charge

region (of a PN
junction)

5-1-8

拡散電位，
内蔵電位

接合を挟んだ中性領域の間の内部電位の
差。接合を構成する二つの領域では電子
の化学ポテンシャルが異なるため，熱平衡
状態では内部電位に差が生じることによ
って拡散が平衡に達する。

diffusion voltage，
built-in voltage

5-1-9

接触

二つの異なる物質が接し界面を形成する
こと。一般に，両者のフェルミ準位に差が
あるため熱平衡状態では電位差が生じる
（接触電位差）。半導体デバイスの電極は，
金属と半導体，又は半導体間の接触であ
る。

contact

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

5-1-10

ポテンシャル障壁

接触している二つの物質間，又は同じ物
質の異なる電気的性質をもつ領域の間の
ポテンシャルの差。相互の自由キャリヤ
の拡散によって空間電荷領域が形成され
るために，ポテンシャル差が生じる。

potential barrier

121-13-20
(electric)

potential
barrier，

521-02-68，
521-02-69
potential barrier

(of

junction)

5-1-11

ショットキー障壁

金属・半導体接触界面において生じるポテ
ンシャル障壁。金属側からみた大きさをシ
ョットキー障壁高さという。

Schottky barrier

5-1-12

ショットキー接
触，
ショットキー接合

金属と半導体とが接触した界面で，ショッ
トキー障壁の高さが大きく，整流作用を示
すもの。また，半導体側に空乏層が伸び
るためショットキー接合とも呼ばれる。こ
の特性は，金属と半導体との仕事関数の差
に大きく左右される。

Schottky contact，
Schottky junction

5-1-13

オーム性接触

金属と半導体とが接触した界面で，電流−
電圧特性が直線性を示すもの。実用的な観
点からは，半導体電極のうち，そこでの電
力損失が無視できるくらい小さな接触抵
抗値をもつものをいうことが多い。

ohmic contact

5-1-14

整流作用

交流入力を直流出力に変換する作用。

参考 2端子素子（ダイオード）にお

いて，印加電圧の一方の方向
（順方向）には電流が流れやす
く，他の方向（逆方向）には流
れにくい特性を示す素子。例え
ば，PN 接合ダイオードは整流
作用を示す代表例である。

rectification

5-1-15

降伏

素子，又は材料の電流-電圧特性において，
電圧のわずかな増大に対して電流が急し
ゅん（峻）に増大すること。

参考 PN接合では，印加する逆方向

電圧を増加していくと，ある電
圧以上でアバランシェ（アバラ
ンシェ降伏）又はトンネル現象
（トンネル降伏，ツェナー降
伏）が生じ，電流が急激に流れ
始める。

breakdown

121-13-15，
212-01-29，
394-18-68
breakdown (of a

reverse biased
PN junction)，

521-05-04
breakdown (of a

reverse biased
PN junction)

C 5600：2006

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番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

5-1-16

降伏電圧

降伏が生じる電圧の大きさ。

breakdown voltage

212-01-30

5-1-17

MIS［構造］

金属 (metal)と半導体 (semiconductor) と
の間に薄い絶縁物 (insulator) を挿入した
構造。

参考電界効果トランジスタ，電界発

光素子，ジョセフソン素子など
に用いられる。

metal-insulator-
semiconductor
(structure)，
MIS (structure)

5-1-18

MOS［構造］

MIS構造のうち，絶縁物が半導体を構成す
る原子の酸化物 (oxide) であるもの。

metal-oxide-
semiconductor
(structure)，
MOS (structure)

5-1-19

パッシベーショ
ン，
表面不活性化

半導体の界面を，安定化するために表面を
シリコン酸化膜などのような物質で被覆
して，不活性にすること。

備考このような目的で半導体表面

に形成された膜を“パッシベー
ション膜”という。表面を保護
する目的でも使われ，“表面保
護膜”ともいう。

参考回路を保護するための表面保

護膜に対して使われることが
ある。

passivation，
surface passivation

521-03-13
surface

passivation

5-1-20

反転層

半導体表面に電界をかけたとき，多数キャ
リヤが内部に，少数キャリヤが表面に集ま
ることによって，半導体表面の伝導形が実
質的に内部とは逆転した領域。 MIS形素
子において電流のチャネルとして利用さ
れる。

inversion layer

394-18-75
逆転層

5-1-21

チャネル

電界効果トランジスタなどのユニポーラ
デバイスにおいて，ソースからドレインに
至るキャリヤの流れる半導体薄層通路を
いい，そのコンダクタンスがゲート電圧で
制御される。

channel

521-07-06
channel (of a

field effect
transistors)

5-1-22

［素子間］分離

集積回路の構成部分同士が相互の影響を
受けないようにすること。

備考分離には，半導体集積回路の各

素子を PN接合で分離する“接
合分離”，絶縁層，例えばSiO2
などによって分離する“絶縁層
分離（酸化膜分離ともいう。）”，
単結晶と多結晶との境界の絶
縁性を利用し，多結晶によって
半導体集積回路の各素子を電
気的に分離する“多結晶分離”
などがある。

isolation，
junction isolation，
dielectric isolation，
polycrystalline
isolation

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

5-1-23

擬フェルミ準位，
イムレフ

電圧印加又は光照射下のような非熱平衡
状態における電子密度，正孔密度を，ボル
ツマン近似の下での熱平衡状態の式を用
いて，次の式のように表記したときのEFn
（電子）及び，E Fp（正孔）。

]

)

exp[(

−

]

)

(

exp[

−

ここに，n : 非熱平衡における電子

密度

p : 非熱平衡における正孔

密度

n1 : 真性キャリヤ密度
Ei: 真性準位，kB : ボルツ

マン定数

T : 絶対温度

イムレフ(imref) は，Fermiを逆につづった
造語である。

quasi Fermi level，
imref

2) 電子デバイス，IC など

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

5-2-1

ダイオード

二つの(di)電極(electrode)をもつ電子デバイス。
性質などを示す接頭語を付けて呼ばれる。

例ショットキーダイオード，ガンダイオ

ード，フォトダイオード，レーザダイ
オードなど。

diode

5-2-2

バリスタ

variable resistor からの造語であり，抵抗値が電
圧によって非直線的に変化する性質を利用した
半導体素子。普通のバリスタは臨界電圧以下で
は抵抗が非常に大きく，それ以上では抵抗が急
激に減少する。この性質からサージ電圧を減衰
するための防護素子として用いられる。

varistor

151-01-31

5-2-3

サーミスタ

温度変化に対して極めて大きな抵抗値変化を示
すことを利用した半導体素子。

備考抵抗温度係数が正のものを PTC

(positive temperature coefficient)サーミ
スタ，負のものをNTC (negative
temperature coefficient)サーミスタと
いう。

thermistor

151-01-32，
521-04-13，
726-21-08

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

5-2-4

トランジスタ

端子を三つ以上備えた半導体能動素子の一般的
名称。transfer resistor を縮めた造語。電子と正
孔とがともに動作に関与するバイポーラ形と，
いずれか一方だけが関与するユニポーラ形に大
別できる。

備考バイポーラトランジスタやIGBTな

どはバイポーラ形，MOSFET，HEMT，
TFTなどはユニポーラ形のトランジ
スタである。

transistor

521-04-25

5-2-5

PN接合ダイオー
ド

PN接合からなる整流特性を示す2端子素子。

PN-junction
diode

5-2-6

ショットキー[バ
リア]ダイオー
ド

金属と半導体接触（ショットキー接触）とから
なるダイオード。

Schottky
(barrier)
diode

5-2-7

定電圧ダイオード

ダイオードの逆方向降伏現象を利用して，印加
電圧が一定値以上にかからないように設計され
たダイオード。

voltage
regulating
diode

5-2-8

トンネルダイオー
ド

P，Nともに不純物が高密度にドープされたPN
接合ダイオードで，順方向バイアス印加時に量
子力学的トンネル効果によってN形の負性抵抗
を示す2端子素子。

tunnel diode

521-04-04

5-2-9

ガンダイオード

GaAsのように特異な伝導帯構造をもつ半導体
において，高電界を印加すると電子遷移に基づ
き負性抵抗が現れる。これを利用したマイクロ
波帯の発振・増幅用の2端子素子。

Gunn diode

5-2-10

走行時間素子

走行領域の長さを適切にとることによって，電
子が注入されてから端子電流が流れるまでの位
相差を付け，交流的に負性抵抗を実現する半導
体素子。衝突電離・なだれ（雪崩）増倍によっ
て電子注入を行うインパット (IMPATT : impact
ionization avalanche transit time) ダイオードが代
表的な素子。

transit time
device

5-2-11

バイポーラトラン
ジスタ

二つ以上の接合をもち，電子と正孔とがともに
動作に関与する3端子のデバイス。エミッタ，
ベース，コレクタと呼ばれる三つの領域からな
り，NPN又はPNPの2種類がある。

bipolar
transistor

521-04-26
bipolar junction

transistor

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

5-2-12

ヘテロ接合バイポ
ーラトランジス
タ，
HBT

エミッタにバンドギャップの広い半導体を用
い，ベース・エミッタヘテロ接合に形成され
た電位障壁を利用することで，ベースからエ
ミッタへの少数キャリヤ注入を抑制して，エ
ミッタ効率を 1 に近付け，高い電流増幅率
を実現したバイポーラトランジスタ。

参考例えば，ベースにGaAsを，エミッ

タにはベースより広いバンドギャ
ップをもつAlGaAs半導体を用いる
ことで，ベース抵抗とベース・エミ
ッタとの間の接合容量が小さなト
ランジスタを実現できる。高周波性
能，温度特性などの面で優れてい
る。

heterojunction
bipolar
transistor，
HBT

5-2-13

電界効果トランジ
スタ，
FET

電流通路（チャネル）のコンダクタンスを，
ゲート電極から横方向の電界によって制御す
るトランジスタ。

備考ゲート構造によって，“接合形FET

(JFET: junction FET)”，“金属・酸化
物・半導体FET[MOSFET: metal
oxide semiconductor FET]”，“金属・
半導体

FET(MESFET:

metal

semiconductor FET)”（“ショットキ
ーバリアゲートFET”ともいう。）
などに分けられる。

field effect
transistor，
FET

521-04-30

5-2-14

MOSFET

MOS構造の金属（ゲート）直下の酸化膜・半
導体界面の反転層をチャネルとし，ここのキ
ャリヤ数をゲート電圧で制御することによっ
てチャネルの面に沿ったコンダクタンスを制
御する電界効果トランジスタ。

備考チャネル反転層がN形のものを

N-MOSFET，P 形のものを
P-MOSFETという。

metal-oxide-
semiconductor
field effect
transistor，
MOSFET

521-04-33

5-2-15

高電子移動度トラ
ンジスタ，
HEMT

電界効果トランジスタの一つで，ヘテロ接合
と変調ドープ技術とを利用してチャネルでの
キャリヤ散乱を減らすことによって，高速化
及び低雑音化を図ったもの。

備考 “変調ドープFET (MODFET:

modulation doped FET)”，“2次元電
子ガス

FET

(2DEGFET:

dimensuional electron gas FET)”とも
呼ばれる。

high electron
mobility
transistor，
HEMT

5-2-16

薄膜トランジス
タ，
TFT

絶縁体基板上に半導体薄膜を形成し，その膜
内にチャネルを設けて，絶縁ゲート電界効果
トランジスタとしたもの。

thin film
transistor，
TFT

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

5-2-17

絶縁ゲートバイポ
ーラトランジス
タ，
IGBT

パワーエレクトロニクス用デバイスの一つ。
MOS FETの耐圧を上げるには，ドレインの不
純物濃度を下げる必要があるが，一方でオン
抵抗は大きくなる。このトレードオフを解消
するためにドレインに相当する領域にPN整
合を設け，オン状態においてこの接合が順バ
イアスされると導電率変調が生じオン抵抗が
低減できる。

insulated gate
bipolar
transistor，
IGBT

5-2-18

静電誘導トランジ
スタ，
SIT

電界効果トランジスタの一つで，ゲート電極
の埋め込み，チャネルの縦形化などによって
極限まで短チャネル化を図り大きな電流駆動
能力をもたせたデバイス。

static induction
transistor，
SIT

5-2-19

サイリスタ

三つ又はそれ以上のPN接合部からなり，S字
形の負性抵抗を示す素子。ゲートに電圧をか
けることによってオフからオンの状態に切り
換える。ゲートからキャリヤを強制的に引き
出すことによってオンからオフの状態に制御
できるようにしたものをゲート・ターン・オ
フサイリスタ(GTO: gate-turn-off thyristor)と呼
ぶ。

thyristor

521-04-38

5-2-20

集積回路，
IC

数多くの超小形素子が一つの基板上に一体的
に作り込まれている回路。

integrated
circuit，
IC

521-10-04，
(521-10-06
semiconductor

integrated
circuit)

5-2-21

モノリシック集積
回路

1個の半導体のチップ内に作られた集積回路。 monolithic

integrated
circuit

5-2-22

CMOS

基本的なインバータ回路がP-MOSとN-MOS
の1対で構成され，両者が入力に対して互い
に相補的にスイッチングする構造の回路構成
方式。

備考 “相補形MOS”ともいう。

complement-
ary
metal-oxide-
semiconductor，
CMOS

5-2-23

BiMOS

バイポーラ素子とMOS素子とを同一チップ
上に混載して，互いの長所を生かす回路構成
方式。

備考 “バイポーラMOS”ともいう。

bipolar
metal-oxide-
semiconductor，
BiMOS

5-2-24

BiCMOS

バイポーラ素子とCMOS素子とを混載した回
路構成方式。

bipolar
complementary
metal-oxide-
semiconductor，
BiCMOS

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

5-2-25

論理IC

組合せ論理又は順序論理を実現するための半
導体集積回路。はん（汎）用のマイクロプロ
セッサ，特定用途向け集積回路(ASIC:
application specific integrated circuit) などがあ
る。

logic integrated
circuit

5-2-26

メモリIC

一つの基本セルに1ビットの情報を記憶でき
るようにし，それを複数配列した集積回路。
記憶情報の読出しと書込みがほぼ同程度の時
間でできるRAM: random access memory，固定
情報の読出ししかできないROM; read only
memory，電気的に書き換え可能なROMであ
るEPROM: erasable and programmable ROMな
どがある。

memory
integrated
circuit

5-2-27

混成集積回路，
ハイブリッドIC

二つ以上の異種の集積回路の組合せ，又は一
つ以上の独立したデバイス若しくは部品と一
つ以上の集積回路とからなる回路。

参考 JIS D 0103 参照。

hybrid integrated
circuit

5-2-28

マルチチップモジ
ュール，
MCM

複数個の LSI チップなどをセラミック基板
などに直接実装し，一つの機能にまとめたモ
ジュール又はパッケージ。各モジュールの寸
法，端子などの大きさや形を標準化し，製作，
組立を容易にし，実装密度及び性能の向上が
図れる。

備考広義には，ハイブリッドIC も含ま

れる。

multichip
module，
MCM

5-2-29

モノリシックマイ
クロ波集積回
路，
MMIC

1個の半導体チップ内に複数の素子，高周波用
平面回路などの配線が一体的に作り込まれ，
主としてマイクロ波以上の周波数帯で機能す
る集積回路。

monolithic
microwave
integrated
circuit，
MMIC

5-2-30

電流増幅率

バイポーラトランジスタにおいて，ベース電
流に対するコレクタ電流の比。エミッタ電流
に対するコレクタ電流の比は電流伝送率と呼
ぶ。

current gain

5-2-31

エミッタ (注入)
効率

バイポーラトランジスタにおいて，全エミッ
タ電流 I E を，エミッタ／ベース界面におい
てエミッタからベースへ注入されるキャリヤ
による電流 (I E → B ) とベースからエミッタ
へ注入されるキャリヤによる電流 (I B→ E )
との和で表したときの，I E→B /IE。

emitter
efficiency

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

5-2-32

(ベース) 到達率，
輸送効率

バイポーラトランジスタにおいて，エミッタ
からベースに注入されるキャリヤによる電流
を IE→ B ，注入されたキャリヤがベース領域
の多数キャリヤと再結合せずにベース/コレク
タ界面に到達しコレクタ領域へ流れ込むこと
による電流をI B→ Cとするときの，I B →C /

IE→B 。

transport factor

5-2-33

コレクタ効率，
コレクタ増倍率

バイポーラトランジスタにおいて，エミッタ
からベースに注入されベース/コレクタ界面に
到達したキャリヤがコレクタ領域に流れ込む
ことによる電流を I B→C，全コレクタ電流をI

C とするときの，I C /I B→C を。ベース/コレク

タ間の逆バイアスで生じた空乏層の高電界領
域をドリフトする間にアバランシェ増倍が起
こり，1より大きくなることがある。

collector
efficiency

5-2-34

相互コンダクタン
ス，
トランスコンダク
タンス

トランジスタにおいて，入力であるゲート電
圧に対する出力の電流の関係を与えるアドミ
タンスの実部。通常は，電界効果トランジス
タのゲート電圧VG とドレイン電流 ID の関
係を与える曲線の傾斜から相互コンダクタン
ス g mは，次の式で与えられる。

∂

mutual
conductance，
Transconductan-
ce

521-07-20
transconduct-
ance (of a
field-effect
transistor，
531-17-14
mutual
conductance)

5-2-35

チャネルコンダク
タンス

電界効果トランジスタにおける出力端子から
みた小信号コンダクタンス。ゲート電圧が一
定のときの，ドレイン電圧VD に対するドレイ
ン電流 I Dの変化率。次の式で定義される。

∂

ドレインコンダクタンスとも呼ばれる。

channel
conductance

5-2-36

少数キャリヤ蓄積
効果

順バイアス印加の注入で少数キャリヤが蓄積
されたPN接合を逆バイアスにスイッチする
とき，蓄積された少数キャリヤの拡散が止ま
り定常状態に落ち着くまでに，定常状態より
大きな逆電流が流れる現象。キャリヤの蓄積
効果が継続する時間を蓄積時間といい，入力
パルスの立ち下がり部分が最大振幅の10 ％
に下降した時点から，出力パルスの立ち下が
り部分が最大振幅の10 ％まで降下するまで
の遅れ時間で定義される。

minority
carrier
storage effect

5-2-37

遮断周波数

2ポート回路の周波数特性において，ある特性
量の出力対入力の比が低周波における値の規
定値にまで減少する周波数。バイポーラトラ

cut-off
frequency

151-01-66，
521-05-16

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

ンジスタでは電流増幅率が直流における値か
ら3 dB低下する周波数で定義される。

5-2-38

最大発振周波数

トランジスタの入出力端の整合をとったとき
の動作最大電力利得が，1になる周波数。

maximum
oscillation
frequency

5-2-39

しきい電圧

電界効果トランジスタのゲートに電圧を印加
していったとき，半導体表面で反転層が形成
されチャネルが導通し始める電圧値。

threshold voltage 521-07-19

threshold

voltage (of an
enhancement
type
field-effect
transistor)

5-2-40

ピンチオフ

電界効果トランジスタのドレイン電圧を上げ
ていったとき，チャネルのドレイン端で反転
層が消失し始める電圧。ピンチオフ電圧以上
のドレイン電圧の領域では，電圧に関係なく
ドレイン電流はほぼ一定となる。

pinch-off

3) 光デバイス，OEICなど

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

5-3-1

発光ダイオード，
LED

PN 接合を設けた半導体に電流を流し，電子と
正孔の発光再結合とによって自然放出光を放
出するダイオード。

参考光の波長は半導体材料のバンドギ

ャップで決まり，そのスベクトルは
レーザに比べて広い。

light emitting
diode，
LED

731-06-04
発光ダイオー

ド: LED

5-3-2

レーザダイオー
ド，
LD

PN接合と光の共振器とを設けた半導体に電
流を流すことによって，レーザ光線を発生さ
せるPN接合ダイオード。

参考実用上，発振効率のよい活性層をク

ラッド層で挟んだダブルヘテロ接
合構造のものが使われる。発光す
る方向によって，活性層に平行な方
向に発光する端面発光形と垂直な
方向に発光する面発光形とに分類
される。発振スペクトルの単峰性
を得るため，素子内に回折格子を設
けた“分布帰還形 (DFB: distributed
feedback) レーザ”，“分布反射形
(DBR: distributed Bragg reflection)
レーザ (DBRレーザ)”などがある
（JIS Z 8120参照）。

laser diode，
LD

injection

laser

diode:

731-06-09

5-3-3

スーパールミネセ
ンス

適度な線幅の狭線化，適度な指向性をもつ程
度の自然放出の増幅。

superlumines-
cence，

731-06-02

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

備考帰還をかけず，したがって明確な発

振モードをもたない点で，レーザと
区別される。

superradiance

5-3-4

スーパールミネセ
ントダイオード

レーザダイオードと同様な構造であるが，共
振器構造をもたないように，片側の端面の反
射率を抑えた発光素子。高出力でインコヒー
レントな光を指向性よく放射できる。

superlumines-
cent diode

731-06-07
superlumines-
cent LED:
superradiant

diode:SRD，

スーパールミ

ネセンスダ
イオード

5-3-5

量子井戸レーザ

半導体レーザの一種で，発光する領域に量子
井戸構造を利用した素子。バルクのレーザと
比較して，しきい電流値の低減化，高出力な
どの利点がある。

quantum well
laser

5-3-6

フォトダイオー
ド，
PD

PN接合又はショットキー接合に入射した光
によって生じた電子・正孔が空乏層の電界に
よって分離されて生じる電流を利用して光を
検出するダイオード。

参考通常，接合に逆方向電圧を印加した

状態で使われる。バイポーラトラン
ジスタと同じ構造で，ベース領域を
受光部にして，光照射によって発生
する多数のキャリヤの蓄積に基づ
く大きな電流利得を利用したもの
も多く使われている。これはベー
ス電極をもたず，2端子で用いられ
るが，構造上，フォトトランジスタ
と呼ばれる（JIS Z 8120 参照）。

photodiode，
PD

521-04-22，
731-06-28，
845-05-39

5-3-7

PIN フォトダイオ
ード

フォトダイオードの一種で，P層とN 層との
間に不純物の濃度の低いi層を設け，通常の
PN 接合形フォトダイオードより高速応答性，
受光感度の向上を図った受光素子。

PIN
photodiode

731-06-29
PIN 形フォト
ダイオード:
PIN-PD

5-3-8

アバランシェフォ
トダイオード，
APD

フォトダイオードの一種で，PN結合又はショ
ットキー接合の逆方向に高電圧を印加し，ア
バランシェ降伏領域で用いることによって増
幅作用を付加し，高速，高感度な特性を図っ
た受光素子。

avalanche
photodiode，
APD

731-06-30

5-3-9

フォトカップラ

発光素子と受光素子とを組み合わせて，電気
信号を入力（発光素子）側から出力（受光素
子）側へ光に変えて送り，入出力間を電気的
に絶縁した構造の素子。

photocoupler

5-3-10

光変調器

光（主にレーザ光）を変調する素子の総称。
変調作用に応じて，強度変調器，位相変調器，
周波数変調器に分類される。材料としては，

optical
modulator

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

誘電体，半導体又は磁性体が用いられる。

5-3-11

方向性(光)結合器

光の電界の結合度を制御することによって，
空間的に光の進行方向をスイッチできる素
子。材料としては，誘電体又は半導体が用い
られる。

(optical)
directional
coupler

704-02-07，
731-05-11

5-3-12

光ファイバ

誘電体材料で作られた，フィラメント状の光
導波路。

optical fiber

731-02-01

5-3-13

シリカ系光ファイ
バ

酸化シリコンを素材とする光ファイバをい
い，主に光通信用に用いられている。透過光
の波長域は0.8〜1.6 μmの近赤外線領域にあ
る。

silica optical
fiber

5-3-14

ふっ化物光ファイ
バ

ZrF4などのふっ化物を主成分とする光ファイ
バの総称。代表例としては，ZBLAN(Zr-Ba-La-
Al-Na:F)ファイバがある。透過光波長域は1 〜
4 μm である。

fluoride optical
fiber

5-3-15

カルコゲン化合物
光ファイバ

S，Se，Te などの元素からなるカルコゲン化
合物ガラスを主成分とする光ファイバ。As40
S60などがあり，1 〜 8 μm の広い透過波長域
をもつ。

chalcogenide
optical fiber

5-3-16

プラスチックファ
イバ

プラスチックを主成分とする光ファイバの総
称。 PMMA（ポリメチルメタアクリレート）
をコア材とする構成が主流である。

plastic fiber

5-3-17

光集積回路，
光IC

光導波路上で種々の機能を，すべて光で実現
するための集積回路の総称。

optical
integrated
circuit，
integrated
optical circuit

731-06-43

5-3-18

光・電子集積回路，
OEIC

光素子と電子素子とを，同一基板上に集積化
を行った回路の総称。発光素子，受光素子及
び駆動用電子素子，更には光導波路，光演算
回路などの一体化されたものなどが代表例。

optoelectronic
integrated
circuit，
OEIC

5-3-19

光スイッチ

光をスイッチングする素子の総称。機能によ
って，空間光スイッチ，波長光スイッチなど
に分類される。

optical switch

5-3-20

半導体光増幅器

半導体を用いた光の増幅器。構成は半導体レ
ーザと似ているが，光の共振器がなく，活性
領域に入射した光は半導体内の電流注入など
による利得を得て，増幅・出射される。

semiconductor
optical
amplifier

5-3-21

光ファイバ増幅器

光ファイバを用いた光の増幅器の総称。光フ
ァイバの中に希土類元素を添加し，その元素
を別の光源で励起することによる誘導放出現
象を利用して，入射光を増幅し出射する。エ
ルビウム(Er)を添加したシリカ系光ファイバ
は1.55 μm 波長の増幅器としての代表例であ
る。

optical fiber
amplifier

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

5-3-22

光ディスク

光で情報の記録・読出しが可能な記録媒体の
総称。レーザスポットの照射をし，照射部分
の反射率などを相変化などの現象により変質
させて記録する。このスポットエリアの光学
特性の差異をレーザビームで読み出す。

参考機能により，再生専用形，追記形及

び書換え形に分類される。再生専用
形は，コンパクトディスクやビデオ
ディスクとして，追記形及び書換え
形は，文書・画像ファイル用に，用
いられている。記録媒体としては，
穴空け形，相変化形，相互拡散形な
どに分類される。

optical disk

5-3-23

光磁気ディスク

磁性薄膜を記録媒体として，レーザ光で情報
の記録再生を行う光ディスクの一種。記録で
は，レーザによる熱磁気記録を行い，再生で
は，カー効果を利用している。

magneto-optic
disk

5-3-24

音響光学素子

音波の伝搬による屈折率の周期的変化などを
利用し，光変調器などに用いる素子。

acoustooptic
device

5-3-25

アイソレータ

二つのポートをもち，一方向にだけ信号を通
過させることのできる素子。光アイソレータ
では磁気光学効果などを用いる。

isolator

726-17-19，
731-05-17

5-3-26

磁気光学素子

磁界印加による光の偏光面の回転などを利用
し，光アイソレータ，光メモリなどに用いら
れる素子。

magneto-optic
device

5-3-27

EL 素子

広義には電気入力で光を放出する素子全体を
いう。一般的には，電界発光素子を意味し，
電界印加によって半導体又は有機物の発光セ
ンターを励起して発光する素子。

electrolumine-
scent device

5-3-28

固体撮像素子

撮像素子の中で，光を電荷に変換する部分が
固体で構成されている素子。電荷結合素子，
光導電・光起電力素子などがその代表例であ
る。

備考イメージ管とも呼ばれる。また，電

荷結合素子(Charge Coupled Device)
は，CCDと略称される。

solid state
imaging device

5-3-29

太陽電池

光電変換素子の中でも，太陽光のエネルギー
を電気エネルギーに変換するPN 接合をもつ
光電変換素子。太陽光のスペクトル範囲で，
変換効率を高めるように設計される。主に，
Si，GaAs などが用いられる。

solar cell

5-3-30

光論理素子

光の入力と出力との間で論理・演算動作が可
能となる光素子。光双安定素子，光しきい値
素子，ダイナミック光メモリなどがある。

optical logic
device

5-3-31

空間光変調器

時系列信号を空間情報に変換できる素子又は

spatial light

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

二次元光空間の入力光を二次元のまま処理，
演算する素子。結晶又は非線系光学材料が用
いられる。

modulator

5-3-32

光電管

光電効果による光電子放出を利用し，光の強
度測定，検出などに用いる電子管。

photoelectric
tube

5-3-33

光電子増倍管

入力光を光電面で受け，その光電子を二次電
子増倍管によって増幅する，高速，高感度な
光検出の多段電流増幅光電管。

photomultipl-
ier tube

394-10-19
photomultiplier

tube: multiplier
phototube:
PMT
(abbreviation)，

881-13-61

5-3-34

光導波路

光パワーを導くためにつくられた伝送線路。

optical
waveguide

731-01-45

4) 気体レーザ関係

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

5-4-1

レーザ

光共振器内にある媒質に外部エネルギーを与え
て反転状態に保ち，誘導放出と増幅によって正
帰還を起こさせ，コヒーレントな光の発振を行
う装置。laser の語源はlight amplification by
stimulated emission of radiation（誘導放出による
光の増幅）からの造語である。

laser

731-06-08，
845-04-39

5-4-2

エキシマレーザ

多くは希ガスを含む短波長レーザで，二つの原
子間で寿命の短い励起分子（エキシマ）準位が
存在し，急速に解離する基底準位への遷移に基
づくレーザ。

excimer laser

5-4-3

自由電子レーザ

誘導コンプトン散乱又は誘導制動放射に基づく
レーザで，相対論的な高速電子を空間的に周期
的な静磁界中を伝搬させ，電子の運動エネルギ
ーを直接光子のエネルギーに変換してコヒーレ
ントな光を得る装置。電子の速度及び磁界の周
期と強さを変えることによって，出力光の波長
が可変である。

free electron
laser

5-4-4

ガスレーザ

活性媒質が気体であるレーザ。気体は光励起，
高周波放電又は管内の電極間に放電電流を流し
て励起される。光及び放電の働きは，媒質を励
起し反転分布を得ることである。コヒーレンス
がよく，高出力発振を特長とする。

gas laser

5-4-5

カラーセンターレ
ーザ

イオン結晶に電子線又はX線照射で生じる着色
中心の吸収帯を利用したレーザ。

color center
laser

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

5-4-6

波長可変レーザ

広帯域にわたり連続的に発振波長を可変となる
レーザ。このためには，レーザ利得スペクトル
の広い媒質を光共振器内に置くとともに，スペ
クトル選択素子を光共振器内に挿入する。これ
には，色素レーザ，チタンサファイアレーザ，
半導体レーザなどがある。

wavelength
tunable laser

5-4-7

ファブリペロー共
振器

高反射率の鏡を2枚対向させた形で，レーザ発
振を起こすための共振器。

Fabry-Pérot
resonator

5-4-8

空間周波数

像又は物体を構成する周期的な構造の細かさを
表す量。単位は単位長さ当たりの周期の数で表
し，本/mmで表す。

spatial
frequency

5-4-9

光子統計

光を光子の集合とみなし，その性質を取り扱う
統計。

photon
statistics

5-4-10

自己位相変調

媒質の屈折率が，時間変化するパルス光の強度
とともに増加する一時的な変調作用。それによ
って，パルスの前端は低周波側にシフトし，後
端は高周波側にシフトする。

self-phase
modulation

5-4-11

自己相関関数

特性関数

)

に対してτを時間遅れパラメー

タとすると

)

(

)

(

−

積の時間平均を自己

相関関数といい，その値

)

(τ

は，

∫−

∞

→

−

)

(

)

(

lim

)

(

に等しい。

autocorrelation
function

5-4-12

チャーピング，
チャープ

キャリヤ周波数が時間とともに増加又は減少す
ること。

chirping

731-06-26

5-4-13

非線形光学

入射光の振幅に比例せず，2次以上の高次の効
果が生じる光学現象を扱う学問分野。この分野
にフォトリフラクティブ効果，光パラメトリッ
ク発振などが含まれる。

nonlinear
optics

5-4-14

光パラメトリック
発振

非線形光学効果を利用し角周波数ω1のレーザ
光からω1 = ω2 + ω3 を満たす角周波数ω2とω3
の光が発生する現象。2次の非線形光学媒質を
ファブリペロー共振器の中に置き，外から角周
波数 ω1のレーザでポンピングすると，媒質は，

ω1 = ω2 + ω3 を満たすシグナルω2とアイドラー
ω3の周波数の光に対して，パラメトリック増幅

作用が生じ，しきい値を超えるとシグナル光と
アイドラー光とが発振する。これによって，波
長可変レーザが実現できる。

optical
parametric
oscillation

5-4-15

光偏向

電気信号によって光ビームの伝搬方向を変える
こと。

light
deflection，
optical
deflection

531-14-08
deflection

5-4-16

フォトリフラクテ
ィブ効果

屈折率変化が光で誘起される効果。多くの電気
光学効果媒質に見られる効果で，誘起された屈

photorefractive
effect

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

折率変化は，光の照射が消えた後もしばらく残
存する。

5-4-17

フォトンエコー

ある時間間隔 τ で二つのレーザパルスが非線
形媒質に入射すると，光波の干渉によって第2
パルスからτだけ遅れてコヒーレントな光パル
スが生成されること。

photon echo

5-4-18

自然放出

外部電磁界の存在に依存しない速度で起こる励
起状態にある系からの光放出。

spontaneous
emission

731-06-01

5-4-19

誘導放出

励起状態にある系と入射電磁波との相互作用の
結果として起こる，同じ周波数の電磁波の放出。

stimulated
emission

731-06-03，
845-04-38

5-4-20

アインシュタイン
のA係数，B係
数

A係数：原子又は分子が自然に上準位から下準
位へ光放出を伴って遷移する速度を支配する比
例定数をいい，単位時間当たりの遷移数を上準
位の原子数で除したものに等しい。
B係数：原子又は分子が上準位から下準位へ光
放出を伴って誘導遷移する速度を支配する比例
定数をいい，単位時間当たりの遷移数を，単位
体積，単位波数当たりの誘導遷移を含む放出光
エネルギーと上準位の原子数との積で除したも
のに等しい。

Einstein's A，B
coefficients

5-4-21

光共振器

光の領域の周波数をもつ電磁波に対する共振
器。これに，ファブリペロー共振器などが含ま
れる。

optical
resonator，
laser
resonator

5-4-22

ガウスビーム

波面がビームのどの点でもほとんど球状で，波
面の横方向電界がビームの軸からの距離のガウ
ス関数である電磁波のビーム。

Gaussian beam

731-01-34

5-4-23

Qスイッチ

レーザ共振器のQ値を急速に変化すること。こ
れによって，高出力パルスが発生できる。

備考 Q値は，共振器の蓄積エネルギーを

毎秒失われるエネルギーで除した値
に光の角周波数を乗じたもの。

Q-switch

5-4-24

キャビティダンピ
ング

共振器内に光エネルギーをためておいて，共振
器のQ値を高い状態から，低い状態へ急激に下
げることによって，光エネルギーをパルスとし
て外部に取り出すこと。

cavity
dumping

5-4-25

電気双極子遷移

電気双極子で近似された原子，分子などと電磁
波との相互作用によって生じる光学的遷移。

electric dipole
transition

5-4-26

磁気双極子遷移

磁気双極子で近似された，原子，分子などと電
磁波との相互作用によって生じる光学的遷移。

magnetic
dipole
transition

5-4-27

自然幅

遷移の起こるエネルギー準位の有限な寿命に起
因する吸収又は発光のスペクトルの線幅。

natural
linewidth

5-4-28

スポットサイズ

ビーム半径ともいい，ガウスビームの太さを表
す量。ガウスビームで光の振幅が光軸上の値の

spot size

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

1/eになる光軸からの距離。

5-4-29

縦緩和

占有粒子数の差が熱平衡状態に近づくときのエ
ネルギー緩和。スピン−格子緩和(spin-lattice
relaxation)ともいう。

longitudinal
relaxation

5-4-30

横緩和

エネルギー分布を変えずに，量子状態の位相が
変化する緩和。スピン−スピン緩和(spin-spin
relaxation)ともいう。

transverse
relaxation

5-4-31

反転分布

ある原子，分子系において，より高いエネルギ
ー状態が，より低いエネルギー状態よりも多く
の分布数をもっている状態。

population
inversion

5-4-32

ビームの発散角

ビーム強度が中心値の 1/e2 になる対称2点間
のビームの広がりの全角。

divergence
angle of beam

5-4-33

ブリュースタ角

誘電体平面境界で反射する光に関し，電界ベク
トルが入射面内にある光の反射率がゼロになる
入射角。反射光は入射面に垂直な成分だけにな
り直線偏光になる。

備考媒質1から2へ入射する光のブリュ

ースタ角 θBは，

)

(

arctan

ここに，

1n，

nは，それぞれ，媒

質1，2の屈折率である。

Brewster's
angle

705-04-20
Brewster angle，
ブルースター

角，

731-03-24
(705-04-20
MOD)
Brewster's

angle，

ブリュースタ

角

5-4-34

ホールバーニング

不均一拡がりのスペクトルをもつ媒質に狭帯域
の強い光が入射し，媒質のスペクトルに狭い周
波数の範囲に限られた減衰又は利得の飽和が生
じたときのスペクトルのへこみ（穴）。

hole burning

5-4-35

ホログラフィー

波の振幅と位相の分布とを書き込み，再生する
技術。三次元の光画像生成の方法として広く使
われる。光画像生成では，対象物からのコヒー
レントな反射光と同じ光源から直接来る光，又
は鏡からの反射光との干渉パターンを写真板に
記録することで行われる。

holography

5-4-36

ポンピング

1) 光の増幅，発振を行わせるため原子，分子

などを励起し，反転分布を形成すること。

2) パラメトリック増幅系に特定の周波数の励

起光エネルギーを注入すること。

pumping

5-4-37

モード同期

レーザが多モード発振するとき，各モード間の
周波数の差が等しくて一定の位相関係をもつよ
うになること。

mode locking

5-4-38

ラビ周波数

2準位原子に共鳴したレーザ光を入射すると，
上準位及び下準位の占有粒子数は，周期的，か
つ，相補的に増加又は減少を繰り返すときのこ
の周波数をいう。共鳴時には，光の電界を E，
原子の双極子モーメントを d とすると，dE/2h

Rabi frequency

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

番号

用語

定義

参考

対応英語

関連IEC 60050

番号及び用語

で与えられる。ここに，h は，プランク定数で
ある。

関連IEC 60050

番号及び用語

6-1

雑音

1) 広い周波数範囲にわたり，ランダムに生じ

る，指示値，表示値又は供給値の好ましく
ない変化。

2) 信号に重畳し測定値又は供給値をあいまい

にする妨害。

3) 系に加わる不規則な信号。負荷変動や動特

性の微小変化による好ましくない乱れ。

4) 周期性がなく，部分音に分解できない音。

noise

101-14-63
(702-08-03

MOD)，

303-08-09，
702-08-03
noise

(in

telecommunica
tion)，

801-21-08

6-2

ランダム雑音

与えられた時点での値が，予測できない雑音。

random noise

161-02-14，
702-08-38，
801-21-09

6-3

白色雑音

周期性をもたず一定の連続スペクトルをもち，
所定の周波数範囲内で1オクターブ当たりに含
まれる成分の強さが，周波数位置に関係なく一
定である雑音。

参考白色雑音を −3 dB/oct。の低域通過

フィルタを通せばピンク雑音が得ら
れる。

white noise，
flat random
noise

702-08-39，
801-21-10

6-4

1/f 雑音

パワースペクトル密度が周波数に反比例して増
加する雑音をいい，半導体素子においてはその
表面状態に依存することが多い。

備考低周波において顕著。表面の清浄度，

環境に影響される。

1/f noise

531-15-07，
702-08-48

6-5

散弾雑音，
ショット雑音

1) 電子管において電子放出の不連続，不規則

に基づく雑音。その周波数分布は，極めて
高いところまでほぼ一様である。

2) 半導体に電界を印加して電流を流すとき，

キャリヤの数及びドリフト速度のいずれも
の揺らぎによって生じる雑音。

shot noise

531-15-05，
702-08-46，
731-06-39

6-6

フリッカ雑音

1) 半導体素子のポテンシャル障壁の揺らぎに

よるキャリヤ密度の変調による雑音。

2) 電子管の陰極表面の活性中心の不規則な変

化（生成又は消滅）による雑音（通常10 kHz
以下で問題となる。ほぼ周波数に反比例し
て大きくなる。）。

flicker noise

531-15-06，
702-08-47

C 5600：2006

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

6-7

熱雑音

半導体，抵抗体などでキャリヤの熱伝導の揺ら
ぎによって端子の両端に現れる不規則な電位差
による雑音。ΔV 2 = 4 k T R Δf で表される。た

だし，ΔV は素子の両端に現れる電位差で，こ
れを雑音電圧といい，単位は (V)， k :ボルツマ
ン定数 (J/K)，R: 素子の抵抗値 (Ω)， T : 絶対
温度 (K)，Δf : 測定周波数帯域幅 (Hz)。

thermal noise，
Johnson noise

531-15-03，
702-08-45

6-8

電流雑音

抵抗器を流れる電流にほぼ比例する雑音。炭素
皮膜抵抗器や体抵抗器に見られる。熱雑音の数
倍の大きさがある。

参考炭素皮膜抵抗器や体抵抗器では，炭

素粒子同士の接触による電流雑音が
特に多く，これを接触雑音ともいう。

current noise

6-9

接触雑音

不完全な接触によって発生する電気的雑音。

contact noise

6-10

量子雑音

電磁放射，特に光放射の粒子的性質に起因する
雑音で，量子力学の不確定性原理に基づく。

備考通常の温度では，量子雑音は光放射

のような非常に高い周波数の電磁波
においてだけ，重要である。

quantum
noise，
photon noise

702-08-49，
731-01-65
(702-08-49
MOD)

6-11

雑音指数

四端子回路網において，入力端子における信号
と雑音の有効電力をSi ，N i，出力端子における
それを S o，No とするとき，(Si /N i)/(S o /N o)に
よって与えられる値をいう。

noise figure

6-12

人工知能

認識能力，学習能力，抽象的思考能力，環境適
応能力などを人工的に実験したもの。多くの場
合，コンピュータを使用する。推論，判断など
の知的機能を人工的に実現したもの。データを
蓄えるデータベース部，集めた知識から結論を
引き出す推論部とから成り立つ（学習機能をも
つものもある。）。

artificial
intelligence

(351-11-26
artificial
intelligence
(in automatic
control)

6-13

ニューラルネット
ワーク

人間の神経細胞又はその結合状態を参考にし
て，ニューロンを模倣した素子を回路網状に接
続し，パターン認識，情報処理，連想メモリな
どへの利用を目的とした回路網。

neural network

6-14

ニューラルチップ

脳の神経回路網を模倣した，ニューラルネット
ワークを実行するために用いられるLSI（実現
のための LSI には，ディジタル回路，アナログ
回路，光技術を用いる。）。

neural chips

6-15

ニューロン

細経の核と，その周辺の細胞質を含む細胞体と，
そこから伸びる樹状突起及び軸索とからなる，
神経細胞。

neuron

891-02-05
ニューロン:軸
索

6-16

カオス

不規則で複雑であるが，しかしある簡単な規則
が背面にある現象。

chaos

6-17

ファジー論理

論理演算における論理で，真を 1，偽を0とす
る代わりに(0，1)の区間の任意の実数を真理値
として考えたもの。例えば，0.6 を真理値とす

fuzzy logic