サイトトップへこのカテゴリの一覧へ

C 5600:2006  

(1) 

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

まえがき 

この規格は,工業標準化法第14条によって準用する第12条第1項の規定に基づき,電子情報通信学会

(IEICE)から,工業標準原案を具して日本工業規格を改正すべきとの申出があり,日本工業標準調査会の審

議を経て,経済産業大臣が改正した日本工業規格である。 

これによって,JIS C 5600:1977は改正され,この規格に置き換えられる。 

この規格の一部が,技術的性質をもつ特許権,出願公開後の特許出願,実用新案権,又は出願公開後の

実用新案登録出願に抵触する可能性があることに注意を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会

は,このような技術的性質をもつ特許権,出願公開後の特許出願,実用新案権,又は出願公開後の実用新

案登録出願にかかわる確認について,責任をもたない。 

  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

目 次 

ページ 

序文 ··································································································································· 1 

1. 適用範囲 ························································································································ 1 

2. 用語及び定義 ·················································································································· 1 

a) 一般用語 ························································································································ 2 

b) 基礎用語 ······················································································································· 3 

1) 原子,粒子及び電子 ········································································································· 3 

2) 粒子の性質 ···················································································································· 10 

3) 物質の構成 ···················································································································· 14 

4) 固体の電子構造 ·············································································································· 18 

5) 粒子系,光,電磁波及び音波 ···························································································· 20 

6) 量子効果 ······················································································································· 27 

7) 放射線·························································································································· 29 

c) 固体の基本的性質 ··········································································································· 30 

1) 電気的性質 ···················································································································· 30 

2) 光学的性質 ···················································································································· 35 

3) 磁気的性質 ···················································································································· 39 

4) 誘電的性質 ···················································································································· 44 

5) その他(熱的,応力的及び複合的) ··················································································· 46 

d) 材料の性質 ··················································································································· 48 

1) 導体····························································································································· 48 

2) 半導体·························································································································· 50 

3) 誘電体(ガラスを含む) ·································································································· 57 

4) 磁性体·························································································································· 58 

5) 超電導体 ······················································································································· 60 

6) 気体及び液体(放射関係など) ························································································· 62 

7) 液晶,有機材料関係 ········································································································ 65 

e) デバイスの基礎 ·············································································································· 67 

1) デバイスの構成基礎 ········································································································ 67 

2) 電子デバイス,ICなど ···································································································· 70 

3) 光デバイス,OEICなど ·································································································· 76 

4) 気体レーザー関係 ··········································································································· 80 

f) 関連事項(雑音,その他) ······························································································· 84 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

 
日本工業規格          JIS 

C 5600:2006 

電子技術基本用語 

Glossary of basic terms used in electrotechnology 

序文 この規格は,1971年に日本工業規格として制定され、1977年に改正されたものであるが、その後の

技術の進歩にともない規定内容を見直したものである。 

1. 適用範囲 この規格は,電子技術に用いる主な基本用語とその定義について規定する。 

 備考 この規格の対応国際規格を,次に示す。 

     なお,対応の程度を表す記号は,ISO/IEC Guide 21に基づき,IDT(一致している),MOD

(修正している),NEQ(同等でない)とする。 

    IEC 60050: International Electrotechnical Vocabulary(MOD) 

2. 用語及び定義 用語及び定義は,次による。 

なお,表の参考欄に,対応英語及び関連するIEC 60050の用語の項目番号を示す。 

備考1. 用語欄に二つ以上の用語を並べてある場合は,通常,その順位に従って優先使用する。 

2. 用語欄の括弧付きの用語は,例えば,2-1-65の“[ドリフト]移動度”のかぎ括弧付きのよう

に,混乱を生じない場合はかぎ括弧内を省略してもよいことを,また,2-1-53の“散乱(粒

子の)”の括弧付きのように,“粒子”に適用する場合の定義であることを示す。 

3. 参考欄の関連IEC 60050番号及び用語は,次による。 

a) IEC 60050にこの規格と同一の用語(英語又は日本語)があり,その意味もこの規格に

近いものはその項目番号(例えば,811-28-01)だけを記載した。 

b) IEC 60050にこの規格と類似の用語があり,その意味がこの規格に関連するものは,IEC

の項目番号とともに用語(英語若しくは日本語,又は両者)を記載した。 

c) IEC 60050に関連する用語がない場合には空欄とした。 

background image

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

a) 一般用語  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

1-1 

エレクトロニク 
 ス 

科学技術の一部門で,真空,ガス,半導体などの
中の導電現象の研究及び同現象を応用した装置
並びにその応用技術及び工学。 

electronics 

811-28-01 

1-2 

マイクロエレク 
 トロニクス, 
超小形電子技術 

一般に得られるよりも小形化の程度が進んだ電
子回路を実現,又はその利用に関連した技術の総
称。 

備考 関連用語として“超小形電子工学”,“超

小形電子方式”,“超小形電子系”,“超
小形電子回路”,“超小形構成部分”な
どがある。 

microelectronics 

521-10-01 

1-3 

真空マイクロエ 
 レクトロニク 
 ス 

電界放出現象,PNダイオードなど冷陰極の作用
に関し,かつ,微細加工技術によって微細化及び
高密度集積化によって得られた真空技術と集積
回路技術との複合によるマイクロエレクトロニ
クス。 

vacuum 

microelectronic

811-28-02 
(551-01-01) 

1-4 

パワーエレクト 
 ロニクス 

電源技術に関するエレクトロニクスの一分野。 
通信機器のディジタル化,情報処理量の増大,並
びに小形化,軽量化を参考として,スイッチング
電源にトランジスタ,MOSFETなどを利用したこ
とから急速に発展した。高周波化,小形化の要求
に応じトランス,コンデンサなどの受動部品をも
併せて混成集積回路などの考えも利用している。 
このため,スイッチング損失を極度に低減し得る
回路技術が発展した。中・小容量領域では高周波
スイッチング技術を利用したスイッチング形整
流器にバイポーラパワートランジスタ,インシュ
レーテットトランジスタ,静電誘導形トランジス
タなどが用いられている。 これらを含めた分野
を,パワーエレクトロニクスとする。 

power 
 electronics 
 
 

  

1-5 

モレキュラーエ 
 レクトロニク 
 ス, 
分子エレクトロ 
 ニクス 

エレクトロニクスの一分野であって,単に電磁現
象だけでなく,あらゆる物性現象(光現象,熱現
象など)での利用を考えて機能ブロックを実現す
るための技術,又は工学。 この機能ブロックは,
入出力特性だけが対応電子回路のそれと等価で,
その各部は空間的にも機能的にも対応電子回路
のそれと対応しない。 

例 ポリふっ化ビニリデンの圧電,焦電用セ

ンサなど。 

molecular 
 electronics 

  

background image

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

1-6 

オプトエレクト 
 ロニクス 

エレクトロニクスの一分野であって,光学現象及
び電磁現象の双方を共に利用して情報の処理(計
測,伝送,制御,記憶,表示など)に関連した技
術又は工学。 

optoelectronics 

121-12-88 
optoelectronic, 
オプトエレク

トロニック, 

731-01-59 
opto-electronic  

1-7 

量子エレクトロ 
 ニクス 

原子,分子及び 原子核と電磁波との相互作用を
通信,制御,計測などに利用する工学の一分野。 

quantum  
 electronics 

  

1-8 

フォトニクス 

光子又は光波の使い方及び管理に関する科学及
び技術であり,光信号や光パワーの検出,増幅,
変調,蓄積,画像処理などの科学技術を含む。 

photonics 

  

1-9 

クライオエレク 
 トロニクス 

極低温における固体中の電子の振舞いを利用す
るエレクトロニクスの一分野。 

例 ジョセフソン効果を利用したデバイス

は,多くの応用分野をもつ。 

cryoelectronics 

  

1-10 

バイオニクス 

生物の優れた機能を工学的方法によって分析し,
その機構を工学に応用しようとする分野。 

備考 生物の情報処理機構,運動機構,エネ

ルギー変換機構,制御機構など。 

bionics 

  

1-11 

ロボトロニクス 

コンピュータに連動し,その管理を受けてロボッ
トが巧みに行う電子技術。 

robotronics 

  

1-12 

ソニクス 

音波又は振動を用いて処理,加工,計測,解析な
どを行う技術。 

sonics 

  

1-13 

ウルトラソニク 
 ス 

ソニクスの一種であって,超音波振動を利用する
もの。 

ultrasonics 

  

1-14 

エレクトロアコ 
 ースティクス, 
電気音響学 

音響機械系の動作方程式が同一形式の電気系の
ものを,元の音響機械系の等価回路と考えて,こ
の等価回路を解くことで,すでに完成している電
気回路のデータを,音響機械系の動作解析又は設
計に利用する方法である。 

electroacoustics 

  

b) 基礎用語  

1) 原子,粒子及び電子  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-1-1 

原子 

1個又は複数の陽子と中性子からなる原子核と,
その周囲に存在する,陽子と同じ数の電子とで構
成される粒子。 物質を構成する要素である。 

atom 

393-01-18 
(111-14-09) 

background image

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-1-2 

原子核 

原子の中心部であって,陽子と中性子との結合し
たものから構成され,正電荷を帯び,原子の大部
分の質量を占める。ただし,水素原子核では単に
1個の陽子だけで構成される。 

[atomic] nucleus 

111-14-10, 
393-01-20, 
881-02-42 

2-1-3 

核種 

質量数と原子番号とによって特徴付けられる原
子の種類。 

nuclide 

111-14-19, 
393-01-19, 
881-02-35 

2-1-4 

素粒子 

これ以上分割できないと考えられる究極の粒子。 
強い相互作用をするハドロン(陽子,中性子,中
間子 など),強い相互作用をしないレプトン(電
子,ニュートリノなど)及び相互作用を媒介する
ゲージ粒子(光子など)の 3種類に大きく分けら
れる。 

elementary   
 particle 

111-14-02, 
393-01-01, 
881-02-45  

2-1-5 

電気素量 

電子,プロトン及びポジトロンがもつ電荷の大き
さで,荷電粒子のもつ電気量の最小単位。すべて
の電気量はこの整数倍で表せる。その大きさは,
e = 1.602 177 3 ×

19

10−(C)。 

elementary  
 (electric)  
 charge 

111-14-08  
elementary 

(electric) 
charge, 

393-04-06  
elementary 

(electric) 
charge, 

881-04-11  
elementary 

charge  

2-1-6 

電子 

素粒子の一つで,負の電気素量-e =-1.602 177 

19

10− (C),静止質量m 0 = 9.109 389 7×

31

10−(kg)

(陽子の約1/1 840)をもつ。 

electron 

111-14-11, 
393-01-07, 
881-02-57 

2-1-7 

スピン 

素粒子又は素粒子で構成される量子力学系のも
つ基本的な量で,粒子の自転に基づく角運動量。 
その固有値 (1/2)ηをもつ模型で理解される。 た
だし,

π

h/2

=

η

,h :プランク定数である。 

spin 

111-14-05 

2-1-8 

電子対 

二つの原子に共有されたスピンの向きが互いに
逆方向である2個の電子の対。 

electron pair 

2-1-9 

不対電子 

電子対を作っていない電子。奇電子ともいう。 

unpaired   
 electron 

2-1-10  電子の静止質量 

慣性系: 静止している電子の質量で,その値は,

m0 =9.109 389 7×10-31 (kg)。 

相対論: 一般に速さvで運動している粒子の質量

は,

2

0

1

)

v/c

(

/

m

m

=

で表される(m0: 静

止質量, c: 光速)。   
 素粒子系: 静止エネルギーEをc2(c: 光速)で
除した値。 

rest mass of  
 electron 

111-13-17 
rest mass, 
静止質量, 
393-04-08 

2-1-11 

比電荷  

荷電粒子の電荷の大きさと質量との比。電子の比
電荷は,1.758 819×10-11 (C/kg)。 

specific charge 

  

background image

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-1-12  電子ボルト 

真空中で 1 (V) の 電位差を通過するときに電子
が得る運動エネルギーに等しいエネルギーの単
位。   

electronvolt 

393-04-21, 
881-04-12 

2-1-13  質量数 

原子の原子核を構成する核子の数。 

mass number 

111-14-17, 
393-04-01, 
881-02-49 

2-1-14  陽子 

正電荷1.602 177 3×10-19(C)と静止質量 1.672 623 
1× 10-27 (kg) をもつ安定な素粒子をいい,水素原
子の原子核を構成する。   

proton 

111-14-13, 
393-01-10, 
881-02-51 

2-1-15  トリトン 

三重水素の原子核3H 。 三重陽子ともいい,1個

の陽子と 2個の中性子とが結合したもの。 

triton 

393-01-30, 
881-02-64 

2-1-16  中性子 

電荷はもたず,静止質量 1.674 928 6×10-27 (kg) を
もつ素粒子。 ベータ崩壊の平均寿命は,約 1 000 
(s)。 

neutron 

111-14-15, 
393-01-11, 
881-02-52 

2-1-17  陽電子 

正の素電荷,電子と同一の静止質量をもつ素粒
子。 

positron 

111-14-12, 
393-01-08, 
881-02-58 

2-1-18  重陽子 

重水素の原子核で,質量数2 の水素の同位体。 

deuteron 

393-01-29, 
881-02-63 

2-1-19  核子 

原子核を構成する陽子又は中性子の総称。  

備考 陽子と中性子とは,ともにスピン1/2 

でほぼ等しい静止質量をもち,弱い相
互作用によって相互に変態する。  

nucleon 

111-14-16, 
393-01-12, 
881-02-48 

2-1-20  中間子 

寿命の短い強い相互作用をする種々のボーズ粒
子の総称をいい,高エネルギー核反応で生成され
る。 荷電しているものとしていないものとがあ
り,静止質量は,電子と陽子との間にあり,高エ
ネルギー核反応で生成される。 

備考 一般には,スピン0 の粒子に限定され

る。 π−,K−,η−,ρ−,ω−,φ−
中間子などがある。  

meson 

393-01-14 
meson, 
393-01-15 
P meson;  
pion, 
 393-01-16 
K meson; kaon,
881-02-68 
π(p) meson;  
pion  

2-1-21  μ粒子 

±e の電荷,電子の質量の約207 倍の質量,1/2 

のスピン,2.2 μsの平均寿命をもつ素粒子。  

muon 

393-01-13, 
881-02-67 

2-1-22  ニュートリノ 

 電荷をもたず,1/2 のスピン,静止質量がゼロ又
は電子の静止質量の1/1 000 以下の弱い相互作用
しかしない安定な素粒子。  

neutrino 

393-01-09, 
881-02-69 

2-1-23  原子量 

12Cの12(g) 中に含まれる原子の数と同数のその

原子の集団の質量を,グラム単位で示した数値。  

atomic mass  
 unit, 
atomic weight 

881-04-06 

2-1-24  分子量 

質量数12 の炭素の同位体12Cの12(g) 中に含ま
れる原子の数と同数の分子の集団の質量とをグ
ラム単位で示した数値。 

molecular  
 weight 

  

background image

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-1-25  グラム原子 

元素の量を表す単位。質量をグラム単位で表した
数値が,その元素の原子量に等しくなる量。1グ
ラム原子は,原子の1モルに相当する。 

gram atom 

  

2-1-26  グラム分子 

化学物質の量を表す単位。質量をグラム単位で表
した数値が,その化学物質の分子量に等しくなる
量。1グラム分子は,分子の 1モルに相当する。  

gram molecule 

  

2-1-27  原子番号 

原子核のもつ陽子の個数。 

atomic number 

111-14-18, 
393-04-02, 
881-02-50 

2-1-28  同位体 

原子番号は同じであるが,異なる質量数をもつ核
種。 

isotope 

111-14-20, 
393-01-21, 
881-02-37 

2-1-29  同重体 

質量数が等しく,原子番号の異なる核種。 

isobar 

393-01-22, 
881-02-41 

2-1-30  電子殻 

原子を一体近似で扱う場合,主量子数n,副量子
数lがともに等しい軌道関数をもつ電子の集ま
り。nが同じでlの異なる準位が接近している場
合には,それらをひとまとめにして電子殻という
こともある。 

electron shell 

  

2-1-31  外殻電子 

エネルギー準位の高い,原子の外側の電子殻にあ
る電子。 

outer-shell  
 electron 

  

2-1-32  内殻電子 

外殻電子以外の電子殻にある電子。 

inner-shell  
 electron 

  

2-1-33  価電子 

原子構造の電子配置において外部の電子殻を占
める電子をいい,通常,最外殻のs電子とp電子
とを指す。 

valence electron 

111-14-24  

2-1-34  束縛電子 

原子,分子などに束縛されて,電界の下で自由に
移動できない電子。 

bound electron 

111-14-23  

2-1-35  自由電子 

原子に束縛されずに,原子核の引力から抜け出
し,物質内又は真空中を動くことのできる電子。 

free electron 

111-14-22  

2-1-36  電子ガス 

金属内の自由電子を気体とみなす場合の呼称。 

electron gas 

111-14-28  

2-1-37  電子密度 

単位体積中の電子数,又は電子の波動関数で表さ
れる確率密度。 

electron  
 density, 
 electron  
 concentration 

705-06-05  

2-1-38  電子温度 

電子の運動エネルギーを,kT(k: ボルツマン定
数)に等しいとおいたときの温度 T。 

electron  
 temperature 

  

2-1-39  電子軌道 

原子又は分子の電子がそのエネルギー,角運動量
に応じて描く軌道。 

electron orbit 

  

2-1-40  ボーア半径 

ボーアとゾンマーフェルトの考えに基づくボー
ア原子モデルによる水素原子の基底状態の電子
が描く円軌道の半径。大きさは 0.052 8 (nm)。 

Bohr radius 

  

background image

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-1-41  励起 

原子,原子核,分子,電子,イオンなどの粒子又
はそれらで構成される固体,液体,気体に外部か
らエネルギーを与えてエネルギーの低い状態か
ら高い状態へ遷移させること。 

excitation 

393-03-33, 
845-04-17, 
881-02-71  

2-1-42  内殻励起 

原子の内殻にある電子をエネルギーの高い状態
に励起すること。 

inner-shell  
 excitation 

  

2-1-43  特性X線 

原子の内殻の電子が,外部から十分大きなエネル
ギーを得て外部に飛び出し,そのときできたホー
ルに外側の軌道の電子が遷移するときに放出さ
れる,その軌道エネルギーの差に相当するエネル
ギーの電磁波(X線)。軌道電子のエネルギーが
元素によって固有なので,特性X線は元素に固有
である。 

characteristic  
 radiation 

393-02-16, 
881-02-21  

2-1-44  連続X線 

連続的なエネルギースペクトルをもつX 線。 

備考 特性X線を除く。  

continuous X  
 radiation 

393-02-17  

2-1-45  オージェ効果 

励起状態の電子が他の電子にエネルギーを与え
ることによってエネルギーの低い状態に緩和す
ること。 エネルギーを与えられ励起された電子
を“オージェ電子”(Auger electron) という。(一
般に,原子の場合は,励起され原子の外に飛び出
した原子をオージェ電子といい,半導体では,伝
導帯や不純物準位にある電子が励起されホット
になった電子をオージェ電子という。)。 

Auger effect  

393-03-40, 
881-03-43  

2-1-46  基底状態 

ある量子力学系の定常状態のうち,最低のエネル
ギー状態。 

ground state 

111-14-29  

2-1-47  励起状態 

基底状態より高いエネルギー量子状態。 

excited state 

111-14-30  

2-1-48  閉殻 

パウリの原理で許される最大個数の電子を収容
した電子殻。 

closed shell 

  

2-1-49  原子価 

ある元素の原子1個が結合する水素原子の数。  
水素原子と結合しない場合は,他の元素を媒介と
して求められる相応の数。 

valence 

  

2-1-50  荷電粒子 

電荷を帯びている粒子。 

例 イオン,陽子,中間子,電子,正孔。 

charged particle 

  

2-1-51  イオン 

電荷をもっている原子,原子団又は分子。 

ion 

111-14-26, 
393-01-34, 
705-06-01, 
881-02-70  

2-1-52  イオン化 

中性の原子,原子団及び分子が電子を失い陽イオ
ンになること,又は電子を与えられて陰イオンと
なること。陽イオンになるために必要なエネルギ
ーをイオン化エネルギー,陰イオンになるときに
放出されるエネルギーを,電子親和力という。 ま
た,イオン化前の中性原子数に対するイオン化し
たイオン数の割合をイオン化率という。 

ionization 

111-14-27 
電離; 
イオン化, 
393-03-01 
(111-14-27)  
電離, 
 705-06-02  
電離  

background image

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-1-53  散乱(粒子の) 

ある粒子が同種又は異種の粒子と衝突してその
運動方向が変化する現象。 ただし,衝突の前後
で粒子の種類又は数が変化しない場合をいう。 

scattering  (of a  
 particle) 

393-03-07, 
881-03-14   

2-1-54  衝突 

二つの粒子が互いに近距離力の範囲に接近又は
接触し,極めて短時間で,互いに相互作用し,運
動量又はエネルギー条件を変化させる現象。 

collision 

393-03-41, 
881-03-51  

2-1-55  散乱確率 

粒子が単位時間に散乱中心に散乱される頻度。 

scattering rate 

  

2-1-56  衝突確率 

粒子が単位時間に衝突中心に衝突する頻度。 

collision rate 

  

2-1-57  断面積 

入射粒子又は波とターゲットとの間の衝突,散乱
などのある特定の相互作用の確率を表す指標で,
ターゲット当たりの相互作用確率を入射粒子又
は波の流束密度で除した商。 相互作用の確率P
は,ターゲットの密度Nと流束の速度vとの積に
比例する。その比例係数をSとすると [P=S(Nv)],

S は面積の次元をもちこれを相互作用の断面積 

と定義する。このように定義した断面積Sは,タ
ーゲットの面積Sの範囲に飛び込んできた粒子が
ターゲットと相互作用するとした考えと一致す
る。 

cross-section 

111-14-55  
cross-section  

(of interaction)  

(相互作用の)

断面積, 

393-04-42, 
881-04-03   

2-1-58  弾性散乱 

散乱の前後で,系全体の運動エネルギーと粒子の
内部エネルギーとの両者が保存される散乱。 

elastic scattering 

393-03-10, 
881-03-17  

2-1-59  弾性衝突 

衝突の前後で,系全体の運動エネルギーと粒子の
内部エネルギーとの両者が保存される衝突。 

elastic collision 

393-03-42, 
881-03-52   

2-1-60  非弾性散乱 

散乱の前後で,系全体の運動エネルギーが失わ
れ,そのエネルギーが粒子の内部エネルギーの増
加となる散乱。 

inelastic  
 scattering 

393-03-11, 
881-03-18  

2-1-61  非弾性衝突 

衝突の前後で系全体の運動エネルギーが失われ,
そのエネルギーが粒子の内部エネルギーの増加
となる衝突。 

inelastic  
 collision 

393-03-43, 
881-03-53  

2-1-62  伝導電流 

外部電界の印加によって荷電粒子が移動するこ
とによって生じる電流。 

conduction  
 current 

212-01-17, 
521-02-15  

2-1-63  ドリフト(粒子 

 の) 

多数の粒子が存在する拡散系で,ランダムな熱運
動をする粒子の位置平均が外部電界を受けて移
動する現象。   

drift (of a  
 particle) 

  

2-1-64  ドリフト速度 

外部電界によって荷電粒子がドリフトによって
移動する速度。 

drift velocity 

  

background image

10 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-1-65  [ドリフト]移動 

 度 

荷電粒子が外部電界を受けてドリフトする速度
が電界と比例関係にあるときの速度を電界で除
した商で,荷電粒子の動きやすさを表す物理量。  

備考 ドリフト速度をvd ,電界をε,移動

度をμとするとき, 

vd =με 

参考 普通,単に移動度といえばドリフト移

動度をさすが,特にホール移動度と区
別するときにドリフト移動度という。 

(drift) mobility 

111-14-53  
移動度, 
 394-19-05 
(荷電粒子の)

移動度, 

 521-02-58  
drift 

mobility 

(of a charge 
carrier), 

 881-02-77  
mobility (of a 

particle), 

 521-09-04  
Hall mobility  

2-1-66  ドリフト電流 

外部電界の下で,荷電粒子のドリフトによって流
れる電流。 

drift current 

  

2-1-67  拡散 

多数の粒子系で,ある平衡状態からずれた粒子が
密度分布のこう配に応じて平衡状態へと移る粒
子の移動過程。  

diffusion 

111-14-66, 
521-02-59 
diffusion (in a 

semiconductor)  

2-1-68  拡散係数 

拡散の速さを示す物理量で,単位時間,単位面積
当たり粒子の流れ(流束)を粒子密度のこう配で
除した商。 

C

D

Φ

=

,Φ:粒子の流束,C: 粒

子密度,D: 拡散係数 

diffusion  
 coefficient, 
diffusion  
 constant 

521-02-61 
diffusion 

constant 

(of 

charge carriers)  

2-1-69  拡散の長さ 

粒子の拡散過程において,粒子密度が1/eに減衰
する長さ。半導体中の少数キャリヤの拡散の長さ
は,拡散係数と寿命の積の平方根で表される。 

diffusion length 

393-05-05  
拡散距離, 
 521-02-61  
diffusion length 

(of 

minority 

carriers)  

2-1-70  拡散電流 

荷電粒子の拡散によって流れる電流。 

diffusion current 

  

2-1-71  アインシュタイ 

 ンの関係式 

半導体内のキャリヤの移動度μと拡散係数Dの
関係とを表す式。 拡散速度は,キャリヤの移動
度が大きいほど速く,その関係は次式による。 

e

kT

D=

μ

ここに,k : ボルツマン定数 

T : 絶対温度 

e: 電気素量 

Einstein  
 relationship  

  

2-1-72  緩和 

非平衡状態にある系が,その系の内部運動によっ
て平衡状態に戻ること。 

relaxation  

  

background image

11 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-1-73  平均寿命 (粒子 

 の) 

素粒子,原子,分子,電子,イオンなどの粒子が
ある不安定な励起状態に留まっている平均の時
間。 定義に 1/e 及び 1/2(半減期)の 2種類が
ある。 普通,個々の粒子の寿命は異なるが,あ
る不安定な状態にある多数の粒子の数は,時間と
ともに指数関数的に減少し,その寿命の平均値
は,不安定な状態にある粒子数が 1/e になる時間
である。 放射性原子核の崩壊など,また,時間
に対し指数関数的に減少しない系では,その状態
の粒子数が 1/2 になる時間(半減期)で定義する。 

mean life (of a  
 particle) 

111-14-14, 
393-04-18, 
881-04-18  

2-1-74  平均自由行程 

運動するある特定のタイプの粒子が,特定のタイ
プの散乱(衝突)から次の散乱(衝突)までの時
間に走行する距離の平均。 

mean free path 

111-14-5, 
393-04-91, 
881-04-40  

2-1-75  活性化エネルギ 

 ー 

ある状態からそれよりエネルギーの高い遷移状
態を経て次の状態に移る過程において,遷移状態
のエネルギーとはじめの状態とのエネルギーの
差。 

activation  
 energy 

(521-02-05  
impurity 

activation 
energy)  

2) 粒子の性質  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-2-1 

[マクスウェル・] 
 ボルツマン統 
  計 

ある一つの系の非常に小さい有限な体積内で,位
置座標及び速度座標又はエネルギー座標の平均
値によって定義される非量子化系の巨視状態の
存在確率を扱う統計理論。 

(Maxwell-)  
 Boltzmann  
 statistics 

521-01-03   

2-2-2 

[マクスウェル・] 
 ボルツマン分 
 布 

熱平衡状態における非量子化系のあるエネルギ
ー状態を粒子が占める確率を表す分布。その確率

)

(E

f

は,次の式で表す。 

=

kT

E

A

f

exp

(E)

ここに,T : 絶対温度 

k : ボルツマン定数 
E: 非量子状態のエネルギー 
A : 定数 

(Maxwell-)  
 Boltzmann  
 distribution 

  

2-2-3 

ボルツマン因子 

ボルツマン統計に従う粒子がエネルギーEの熱
平衡状態に存在する確率と比例する因子。
exp

)

(E/kT

 で表される。 

Boltzmann  
 factor 

2-2-4 

ボルツマン[方 
 程]式 

粒子系のエントロピーが,その巨視状態の確率の
自然対数に比例することを述べる関係式。その比
例定数が,ボルツマン定数である。 

Boltzmann  
 equation 

  

background image

12 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-2-5 

統計学的重み 

巨視状態に含まれる微視状態の数。 その統計学
的な重みが極大であるような巨視状態が平衡状
態である。 

statistical weight 

  

2-2-6 

フェルミ[・ディ 
 ラック]統計 

パウリ原理を考慮した粒子の量子化した系にお
ける巨視状態の確率を扱う統計理論。 

Fermi(-Dirac)  
 statistics 

521-01-15  

2-2-7 

フェルミ[・ディ 
 ラック]分布 

固体中の電子はフェルミ[・ディラック]統計に
従い,あるエネルギーの量子状態を電子が占める
確率を表す分布。 その確率

)

(E

f

は,次の式で表

す。 

)

F

(

exp

1

1

)

(

kT

E

E

E

f

+

=

ここに,T: 絶対温度 

k :  ボルツマン定数 
E :量子状態のエネルギー 
EF : フェルミ準位 

Fermi(-Dirac)  
 distribution 

(521-01-16  
Fermi-Dirac 

function)   

2-2-8 

フェルミ準位 

固体において,絶対零度で電子で占有されている
量子状態と占有されていない量子状態とを分け
るエネルギー準位。このエネルギーでフェルミ分
布関数が 1/2 の値をとる。 

Fermi level 

111-14-38, 
521-01-17  

2-2-9 

縮退(統計学の) 

ボーズ統計,フェルミ統計に従う粒子が,古典力
学に従う粒子とは違ったその統計特有の性質を
表す状態。 低温で粒子密度が大きい場合に,そ
の特徴が大きく現れる。 

degeneration (in  
 statistics) 

  

2-2-10  縮退ガス, 

縮退気体 

ボーズ統計,フェルミ統計の効果を明確に示す気
体。 

備考 ガスには,極低温の水素ガス,金属内

や高濃度ドープ半導体の電子が相当す
る。 

degenerate gas 

  

2-2-11 

ボーズ[・アイン 
 シュタイン]分 
 布 

ボーズ[・アインシュタイン]統計に従う粒子の
分布。あるエネルギー量子状態を電子が占める確
率は,次の式で表す。 

1

1

)

(

=

kT

E

exp

A

E

f

ここに,T : 絶対温度 

k : ボルツマン定数 
E : 量子状態のエネルギー 
A : 係数である。 

Bose(-Einstein)  
 distribution 

  

2-2-12  フェルミ粒子, 

フェルミオン 

フェルミ統計に従う粒子。スピンが半奇数の粒
子,例えば,電子,陽子,中性子など。 

Fermi particle, 
fermion 

  

2-2-13  ボーズ粒子, 

ボゾン 

ボーズ統計に従う粒子。 スピンが偶数の粒子で,
例えば,光子, 2H,4He など。 

Bose particle, 
boson 

  

background image

13 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-2-14  ボーア原子 

ボーアとゾンマーフェルドの概念に基づく原子
の模型であって,原子に束縛された電子はとびと
びの円又はだ円の軌道に沿って原子核の周りを
運動する。 原子の各自由度に対応する一連のエ
ネルギー状態が存在し,これらが原子によって放
出されるスペクトルの系列を決定する。 

Bohr atom 

521-01-06  

2-2-15  ブラソフ式 

プラズマに関するボルツマン輸送方程式の修正
式。粒子は相互に誘導する空間電荷電界を通して
だけ相互作用し,衝突は無視すると仮定したも
の。 

Vlasov equation 

  

2-2-16  量子化 

古典的な物理量を量子論的な物理量に置き換え
ること。 

quantization 

  

2-2-17  エネルギー準位 

原子,分子などの量子力学系の定常状態でとる
種々のエネルギーの値。 

energy level 

111-14-21 
(521-01-12), 
 845-04-16  

2-2-18  量子数 

原子の自由度を特徴付ける数。 原子の電子に対
しては,主量子数n,方位量子数l,磁気量子数

l

m,スピン量子数sなどが,ある。 

quantum number 521-01-07  

quantum 

number (of an 
electron in a 
given atom)  

2-2-19  主量子数 

原子内の電子のエネルギー準位の主要な変化を
特徴付ける正の整数。波動関数の節面(波動関数
が0となる面)の数に1を加えた整数に等しく,
通常,nで表す。  

備考 ボーア(Bohr)モデルによれば,主量子数

は電子軌道の半径を特徴付けると考え
られる。電子に働く力が原子核からの
クーロン引力だけの場合は,そのエネ
ルギーはnだけで表される。水素原子
以外の原子の電子のエネルギーは,n
だけでなく,方位量子数lにも依存す
る。 

principal  
 quantum  
 number 

521-01-08  
principal (first) 

quantum 
number  

2-2-20  方位量子数, 

軌道量子数 

軌道運動している電子の軌道角運動量の大きさ
を与える量子数。 通常,lで表す(多粒子系でL
は)。 球対称の場の中では,軌道角運動量 lの2
乗の固有値は,

)1

(

2

+

l

l

η

で与えられる。 lは 0 

からn−1(nは主量子数)までのすべての整数値
をとり,nが 同じ場合には,l が大きい方がエ
ネルギーは大きい。 l= 0,1,2,3,4,5,6…
に 応じた固有状態を s,p,d,f,g,h…で表す (多
粒子系では S,P,D,F,G,H…)。 

azimuthal   
 quantum  
 number, 
orbital quantum  
 number 

521-01-09  
orbital (second) 

quantum 
number  

background image

14 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-2-21  スピン軌道相互 

 作用 

電子の軌道磁気モーメントとスピン磁気モーメ
ント間の相互作用。 軌道角運動量をl ,スピン
角運動量をs とすると,スピン軌道相互作用エネ
ルギーは ls

λで表される。比例定数 λは,スピ

ン軌道相互作用定数と呼ばれる。 

spin-orbit  
 interaction 

  

2-2-22  パウリの原理 

量子化した系における各電子状態には,0個,1
個又は2個の電子しか入ることができないという
原理。2個の電子の場合には,反対方向のスピン
をもつ。パウリの排他原理,パウリの排他律又は
単に排他原理若しくは排他律ともいう。 

Pauli principle, 
 Pauli-Fermi  
 exclusion  
 principle 

521-01-14   

2-2-23  ボーズ[・アイン 

 シュタイン]統 
 計 

整数のスピンをもつ粒子 (光子,2H,4He)は,
各々の一粒子状態を占有する粒子数は 0 から ∞ 
までの任意の数が可能で,このような粒子が従う
統計。 

Bose(-Einstein)  
 statistics 

  

2-2-24  磁気量子数 

軌道角運動量l のz(任意)方向成分z

lの大きさ

を与える量子数。通常,

l

mで表す(多粒子系では

L

M)。 球対称場では,zlの 固有値は 

η

l

m とな

る。 

l

m の値は,l−,

)1

(−

−l

,・・・,0,・・・,

)1

(−

l

,l の

1

2+

l

個ある。 各状態は,通常,縮

退しているが,磁界をかけると

l

mに比例したエネ

ルギーの変化を受けて縮退がとれる。 

magnetic  
 quantum  
 number 

  

2-2-25  スピン[量子数] 

電子を,自転軸の周りを回転している小さな荷電
球と考えたときの,角運動量を与える量子数。 通
常,sで表す(多粒子系ではS)。 スピン角運動
量sの2乗

2

sの固有値は,

)1

(

2

+

s

s

η

で与えられ

る。 sの z(任意)方向成分szの固有値は,

η

s

m

と表される。 

s

mをスピン磁気量子数といい,電

子に対しては,s=1/2,s

m=±1/2 である。 

spin (quantum  
 number) 

521-01-10  
spin (quantum 

number)  

2-2-26  全角運動量量子 

 数, 
内量子数 

 軌道角運動量lとスピン角運動量sの和である全
角運動量

s

l

j

+

=

の大きさを与える量子数。 通

常,jで表す(多粒子系ではJ)。全角運動量 j
の2乗の固有値は 

)1

(

2

+

j

j

η

で与えられる。j

は,

|

|

s

l−

 から

s

l+までの値を取る。jの z(任

意)方向成分

zjの大きさを与える量子数を内磁気

量子数といい,通常,

j

mで表す(多粒子系では

J

M)。スピン軌道相互作用を考慮した系では,

l

m,

s

mの代わりに,j,

j

mが よい量子数とな

る。 

参考 内部量子数ともいうことがある。 

total angular  
 momentum  
 quantum  
 number, 
inner quantum  
 number 

521-01-11  

background image

15 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

3) 物質の構成  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-3-1   結晶 

構成原子が空間的に周期的な配列をもつ固体物
質。 狭義には,単結晶のこと,広義には,小さ
な単結晶からなる多結晶をも含める。 

crystal 

521-02-45 
ideal crystal  

2-3-2 

結晶成長 

固相,液相,又は気相状態の結晶原料から単結晶
又は多結晶を成長させること。 

crystal growth 

[521-03-01 
growing by  
 Czochralski's  
 method; 
growing by  
 pulling (of a  
 single crystal), 
521-03-02 
growing by zone  
 melting (of a  
 single crystal)]  

2-3-3 

エピタキシャル 
 成長, 
エピタキシ 

基板結晶上に気相又は液相で原料を供給し,基板
結晶と結晶軸とをそろえて結晶を成長すること。  

参考 気相で原料を供給する気相エピタキ

シ,液相で原料を供給する液相エピタ
キシ,非結晶の固体を結晶化させる固
相エピタキシなどがある。 

epitaxial  
 growth, 
epitaxy 

521-03-12  

2-3-4 

配位結合 

共有結合の一種で,一方の原子にある電子対が相
手の原子と共有されることでできる共有結合。 

coordinate bond 

  

2-3-5 

面心格子 

単純格子に,各面の対角線の交点に格子点を付け
加えた格子。面心立法及び面心斜方格子がある。 

face-centered  
 lattice 

  

2-3-6 

結晶軸 

結晶面や物理的性質の対称性がよく現れる結晶
の座標軸。 

crystal axis 

  

2-3-7 

逆格子 

空間格子の基本ベクトルと相反系の関係にある
ベクトルを基本ベクトルとする空間格子。空間格
子の基本ベクトルを

ia

)3

2

1

(

,

,

i=

,その逆格子の

基本ベクトルを

jb

,

,

,

j

)3

2

1

(

=

  とするとき, 

j

ib

a

.

j

i

j

i

ij

ij

 }

 {

)

(0

)

(1

2

=

=

=

δ

πδ

  

三次元格子に対する具体的表現は, 

=

1b

π

2

)

(

)

(

3

2

1

3

2

a

a

a

a

a

×

×

=

2

b

π

2

)

(

)

(

3

2

1

1

3

a

a

a

a

a

×

×

=

3b

π

2

)

(

)

(

3

2

1

2

1

a

a

a

a

a

×

×

reciprocal lattice 

  

background image

16 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-3-8 

ミラー指数 

結晶面(格子面)又はその方向を表示する記号。  
三つの結晶軸の基本ベクトルの大きさが a,b,c
である結晶の,ある結晶面の結晶軸との交点が

c

b

a

n

c

b

a

,

,

であるとき,

c

b

a

n

/

  ,

n

/

  ,

n

/

1

1

1

比を互いに素な整数

k

h,

,

で表し,これをこの面

のミラー指数といい,この面を

)

(

k

h

 のように表

す。 

Miller indices 

  

2-3-9 

双晶 

2個の結晶が,ある特定面又は軸に関して対称性
をもって結合している結晶。 

twin 

  

2-3-10  イオン伝導 

イオンの空間的移動によって生じる電気伝導。  
イオン結晶など電子密度,正孔密度の非常に小さ
い固体中,電解質溶液中,イオン化した気体中に
おいて流れる電流の主要伝導機構。 

ionic conduction 

521-02-21  

2-3-11 

単結晶 

全体にわたって構成原子が,空間的に周期的配列
をもつ固体物質。 

single crystal 

  

2-3-12  多結晶 

比較的小さな単結晶がその結晶軸方向をそろえ
ずに多数集合して構成される固体物質。 

polycrystal 

  

2-3-13  結晶粒 

多結晶を構成する小さな単結晶の粒。 

grain 

  

2-3-14  結晶粒界 

結晶粒同士の結合境界。 

grain boundary 

  

2-3-15  アモルファス, 

非晶質 

広義には,原子の空間配列に周期性をもたない固
体物質で,結晶の反意語に用いられる。 狭義に
は,短距離的には周期性を示すが,長距離的には
周期性をもたない原子構造の固体物質。 

amorphous, 
noncrystal 

  

2-3-16  [化学]結合 

分子又は固体(結晶,非晶質)を構成する原子 又
はイオン間の結合。 

(chemical) bond 

  

2-3-17  イオン結合 

正負の電荷をもつイオン間の静電引力による化
学結合。 一般に,電気陰性度の差の大きい原子
間にイオン結合が多い。 

ionic bond 

  

2-3-18  金属結合 

金属を構成する原子間の結合で,電子が多数の原
子に共有されることによってエネルギーが低下
するという原因で生じる結合。 

metallic bond 

  

2-3-19  共有結合 

2個の原子が結合電子対を共有することによって
形成される結合。各原子の半分満たされた軌道間
で強い共有結合ができやすい。 

covalent bond 

  

2-3-20  交換相互作用 

異なる 1 電子軌道関数を占める電子のスピン間
に働く相互作用。  

exchange  
 interaction 

  

2-3-21  配位 

一つの原子又はイオンの周りに化学結合で他の
原子,分子,イオンが配列する状態。 このよう
な原子集団を錯体といい,配位結合している原子
又は原子団を 配位子 (ligand),その数を 配位数 
(coordination number,ligancy) という。 

coordination 

  

2-3-22  分子結合, 

ファン・デル・ワ 
 ールス結合 

満ちた電子殻をもつ原子,分子間で,電子分布の
揺らぎのために生じる双極子によって引き合う
ことによって生じる結合。 

molecular bond, 
van der Waals  
 bond 

  

background image

17 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-3-23  水素結合 

電気陰性度の大きい原子が 同一又は他の電気陰
性度の大きい原子と水素原子とを介在して安定
化する結合。両側の原子と水素原子とで電子を共
有することによって,両側の電子は負に,水素原
子は正に荷電している。 代表例は水分子である。 

hydrogen bond 

  

2-3-24  空間格子, 

結晶格子 

結晶構造の原子配列の空間的周期性の基本要素
を取り出して構成した周期的点の三次元的配列。 
どの点をとってもその周囲が他の点の周囲と全
く同じになっている。 

space lattice, 
crystal lattice 

  

2-3-25  単位格子 

空間格子を構成する最小の単位の格子。いろいろ
な選び方が可能である。 

unit cell 

  

2-3-26  格子定数 

単位格子の各りょう(稜)の長さと相互間のなす
角度。 

lattice constant 

  

2-3-27  格子点 

空間格子を形成する立体の頂点。 単結晶は,格
子点に1個又は複数個の原子,イオン及び 分子
が配列することによって構成される。 

lattice point 

  

2-3-28  ブラヴェ格子 

ブラヴェ が選んだ単位格子。空間格子を単純格
子,体心格子,面心格子及び底心格子に分け,こ
れを基準として14種の単位格子に分類される。 

Bravais lattice 

  

2-3-29  単純格子 

6個の平行四辺形からなる6面体の頂点に格子点
がある格子。 単純立方,単純正方,単純六方,
単純ひし(菱)面体,単純斜方,単純単斜,単純
三斜格子がある。 

simple lattice 

  

2-3-30  体心格子 

単純格子に,相対する頂点を結ぶ対角線の交点
(格子の中心)に格子点を付け加えた格子。体心
立方,体心正方及び 体心斜方格子がある。 

body-centered  
 lattice 

  

2-3-31  底心格子 

単純格子に,底面と相対する上面のそれぞれ対角
線の交点に格子点を付け加えた格子。  底心斜方
及び底心単斜格子がある。 

base-centered  
 lattice 

  

2-3-32  結晶構造 

結晶の三次元的周期配列構造をその対称性に着
目して分類したもの。合計230 種の構造が考えら
れる。代表例として,金属結晶の最密構造,ダイ
ヤモンド,シリコン,ゲルマニウムなどのダイヤ
モンド構造 (diamond structure),ひ化ガリウムなど
のせん(閃)亜鉛鉱構造 (zinc blende structure)が
ある。 

crystal structure 

  

2-3-33  最密構造 

半径が同じ球を最も密に積み重ねたときの球の
中心を格子点とする結晶構造。 球の積み重ね方
には,第3層が第 1層と同一の配置のもの(ABAB 
配置,又は立方最密構造という。)と 第3層が第 
1層とは異なる配置(ABCABC 配置又は 六方最
密構造という。)の 2種類の構造がある。 

close-packed  
 structure 

  

2-3-34  準結晶 

2個以上の相異なる単位格子からなる積層構造で
あって,その構造全体については厳密な周期性は
ないが,ある方向には周期性をもつもの。 

quasi crystal 

  

background image

18 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-3-35  格子欠陥 

空間格子の規則的周期配列の一部分が理想的な
完全結晶の配列から外れて乱れたり,又は不純物
原子が入り込んでできる格子配列の局所的な(数
原子間の距離)周期性からのずれや空格子点,又
はその空格子点や格子間に入った不純物原子。 
その形状に従って,点欠陥,線欠陥及び 体積欠
陥に分類される。 

lattice defect, 
lattice  
 imperfection 

  

2-3-36  結晶欠陥 

結晶内の理想的な完全結晶から外れた領域。格子
欠陥はもとより,マクロな微小析出物,不純物ク
ラスターなどを包含する一般的な表現。 

crystal defect 

  

2-3-37  点欠陥 

点状の格子欠陥をいい,空格子点,格子位置異種
原子,格子間同種原子,異種原子などがある。 

point defect 

  

2-3-38  空格子点, 

原子空孔 

格子点に原子がなく空となっている点欠陥。 

(atomic)  
 vacancy 

  

2-3-39  格子間原子 

本来の格子点でない格子間に入り込んだ同種又
は異種原子。 

interstitial atom 

  

2-3-40  フレンケル欠陥 

結晶格子点にある原子が,格子間に移動した結果
できた空格子点と格子間原子との対の欠陥。 

Frenkel defect 

  

2-3-41  ショットキー欠 

 陥 

結晶格子点にある原子が,結晶の表面の格子位置
に移動して,その結果できる単独の空格子点。 

Schottky defect 

  

2-3-42  転位 

結晶内部の面のすべりの生じた領域と生じてい
ない領域との境界として現れる線状の格子欠陥
をいい,刃状転位(はじょうてんい,edge 
dislocation) と,らせん転位(らせんてんい,screw 
dislocation) とがある。 

dislocation 

561-05-09  

2-3-43  バーガースベク 

 トル 

格子内のある面に沿って転位が発生していると
き,その面の片側の格子が他方の側の格子に対し
て相対的に起こしている変位を表すベクトル。   

Burgers vector 

  

2-3-44  積層欠陥 

一つの原子面がある原子面の上に誤った順番で
積み重なることによって生じる面欠陥。 しかし,
この不整面の両側の格子は完全である。 

stacking fault 

  

2-3-45  インターカレー 

 ション 

層状物体の層間に電子供与体又は電子受容体電
荷の移動によって挿入される現象。 

intercalation 

  

background image

19 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

4) 固体の電子構造  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-4-1 

エネルギーバン 
 ド, 
エネルギー帯 

結晶中の電子が,占有可能なほぼ連続的に並んだ
一連のエネルギー準位で構成される帯(許容帯)。
それぞれの許容帯は,電子の占有が禁止されてい
るエネルギー帯(禁制帯)でもって隔てられる。 
共有結合性の強い固体では,アモルファス状態で
も結晶に対応したバンド構造がみられるが,許容
帯と禁制帯との境界が明りょうではない。 

energy band 

111-14-34  
エネルギー帯, 
521-02-25  
energy band; 
Bloch band, 
521-02-26  
energy band  

(in a  
semiconductor) 

2-4-2 

バンド構造エン 
 ジニアリング 

2種類以上の半導体の固溶体(合金半導体,又は
混晶半導体)の組成を制御するか,又は超格子構
造の組成及び膜厚の制御によって,目的とするデ
バイスに最適なバンド構造を選び作ること。バン
ドギャップエンジニアリングともいう。 

band structure  
 engineering 

  

2-4-3 

許容帯 

結晶の電子が占有することの可能なエネルギー
バンド。 

allowed band,  
 permitted band 

111-14-35, 
521-02-29  

2-4-4 

禁制帯 

二つの許容帯を分離する電子の占有が不可能な
エネルギー帯。一般に,ここには不純物,欠陥な
どが存在しない限り,電子のエネルギー準位は含
まれない。 

forbidden band 

111-14-36, 
521-02-30  

2-4-5 

充満帯 

許容帯のうち,絶対零度において電子によって完
全に満たされたバンド。 

filled band 

521-02-32  

2-4-6 

価電子帯 

価電子によって占有されている許容帯。バンドギ
ャップを挟んでこれよりすぐ上のエネルギーに
ある許容帯が伝導帯である。絶対零度では,価電
子帯は電子で完全に占有されており,価電子が伝
導帯に励起されて価電子が欠けると価電子帯に
自由正孔が,伝導帯に伝導電子が生じる。 

valence band 

111-14-39, 
521-02-23  

2-4-7 

空帯 

結晶のエネルギーバンドにおいて,絶対零度でエ
ネルギー準位が電子に占有されていない空の許
容帯。 

empty band 

521-02-33  

2-4-8 

伝導帯 

完全に満ちていないバンド中の電子,又は空帯へ
熱的若しくは光の吸収によって励起された電子
は,結晶中を自由に動けるため電気伝導に寄与す
る。 この意味で,完全に満ちていないバンド及
び空帯を伝導帯と呼ぶ。  

conduction band 

111-14-40, 
521-02-22  

2-4-9 

バンドギャップ 
 エネルギー,  
エネルギーギャ 
 ップ 

結晶中の隣接した許容帯間のエネルギー間隔。 
通常は,伝導帯最下端と価電子帯最上端とのエネ
ルギー差。 

band gap  
 energy,  
energy gap 

111-14-37  
エネルギーギ

ャップ, 

521-02-24  

background image

20 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-4-10  結晶運動量 

結晶内電子の状態を指定する波数ベクトルをk
とし, 

k

p

η

=

で定義される運動量p(ここに 

:

h

,

/

h

π

2

=

η

プランク定数)。結晶運動量を用

いることによって,外力が与えられた場合の運動
を自由粒子に対するニュートンの運動方程式と
同じ形式で記述できる。 

crystal  
 momentum 

  

2-4-11 

ブリルアン帯域 

結晶のユニットセルの大きさa に対応する周期

性 

)

2(

a

/

π

 の基本領域

)

(

a

/

  ,

a

/

π

π

。結晶中

を伝搬する電子波,格子波などの状態を波動ベク
トルで表すと同様の周期性の基本領域をもつ。 

Brillouin zone 

  

2-4-12  直接遷移形バン 

 ド構造 

伝導帯の最下端と価電子帯の最上端とが,ともに
ブリルアン帯域の中心 [Γ(ガンマ)点と呼ば
れ,波数ベクトルがゼロの点]にあるエネルギー
バンド構造。 

参考 電子及び正孔の発光再結合の際,フォ

ノンの放出又は吸収を伴わずに光子だ
けを放出し,そのために発光遷移確率
が大きい。 

direct transition  
 band structure 

  

2-4-13  間接遷移形バン 

 ド構造 

価電子帯の最上端が,Γ(ガンマ)点にあるのに
対して,伝導帯の最下端がΓ(ガンマ)点以外に
あるエネルギーバンド構造。 

参考 電子及び正孔の発光再結合の際,光子

の放出以外にフォノンの放出又は吸収
を必要とするので,発光遷移確率が小
さい。 

indirect  
 transition band  
 structure 

  

2-4-14  状態密度 

量子化された状態の数を,単位体積当たり,単位
エネルギー(又は波数空間での単位体積)当たり
の値で表したもの。エネルギー又は波数(運動量)
の関数として状態密度を表したものを,状態密度
関数と呼ぶ。 

density of state,  
 state density 

  

2-4-15  実効状態密度,  

 
有効状態密度 

伝導帯中の電子密度n,又は価電子帯中の正孔密
度pを,ボルツマン近似の下で表したときの係数 

c

N(電子),

v

N(正孔)。 

[

]

kT

/

E

E

N

n

)

(

exp

c

F

c

=

, 

[

]

kT

/

E

E

e

N

p

)

(

xp

F

v

v

=

ここに,

F

E: フェルミ準位 

c

E: 伝導帯の下端のエネルギー 

v

E: 価電子帯の上端のエネルギ

ー 

k : ボルツマン定数 
T: 絶対温度 

effective density  
 of state 

  

2-4-16  局在準位 

伝導電子のように,結晶全体に平面波状態で拡が
っているブロッホ状態に対し,不純物若しくは欠
陥に捕獲されている電子又は表面準位のように,
限られた空間にだけ存在する電子状態。 

localized level 

  

background image

21 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-4-17  表面準位 

半導体などにおいて波動関数が表面近傍に局在
する電子状態。表面では結晶の周期性が失われる
ため,禁制帯中に新たな電子状態が現れる。また,
表面への不純物原子の吸着や,原子配列の乱れな
どによっても準位が発生する。 

surface level 

521-02-42  

2-4-18  真空準位 

真空中に孤立静止した荷電粒子のエネルギー準
位。 

参考 固体中の電子は,真空準位以上のエネ

ルギーをもつと固体から外部真空空間
に飛び出すことができる。 

vacuum level 

  

2-4-19  仕事関数 

固体表面から1個の電子を取り出すのに必要な最
小のエネルギー。固体中のフェルミ準位と真空準
位とのエネルギー差で与えられる。 

work function 

111-14-52  

2-4-20  電子親和力 

陰イオンから電子を引き離すのに必要な仕事。電
子親和力は,金属では仕事関数に一致する。半導
体では真空準位と伝導帯下端とのエネルギー差。 

参考 一般の半導体では,真空準位のほうが

エネルギーが高く,電子親和力の値は
正であるが,ダイヤモンドのように負
の電子親和力をもつ物質もある。 

electron affinity 

  

2-4-21  表面ポテンシャ 

 ル (半導体に 
 おける) 

半導体内部に対する半導体表面でのエネルギー
帯の曲がりを定量的に示すために電圧の単位で
表した量。半導体内部の真性準位を基準として測
った半導体表面における真性準位で定義する。 

surface potential  
 (in a  
 semiconductor) 

  

5) 粒子系,光,電磁波及び音波  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-5-1 

光束 

標準的な視感度をもった観察者によって評価さ
れた放射束。単位は,ルーメン(lm)である。 

luminous flux 

723-08-27  

2-5-2 

照度 

光が照射される面における光束密度。 光束をF,
面積をSとしたとき

 S

F/d

d

。単位はルクス (lx) 

である。 

illuminance,  
 luminous flux  
 density 

845-01-25 

2-5-3  光度 

光源からある特定の方向に放射される光束Fを,
その方向の単位立体角ω当たりの値

)

(dF/dωで表

したもの。単位は,カンデラ (cd) である。 1/683 
(W/sr) を1 (cd) とする。 

luminous  
 intensity 

723-08-28  
光束密度, 
845-01-31  

background image

22 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-5-4 

色度 

色刺激又は心理物理的に表示される色の感覚の
うち,明るさに対応する次元を除いた測色的性
質。 色の色相(hue:赤 黄,緑,青,紫などの色
感覚の属性とそれを尺度化したもの)と彩度(色
の純度及び飽和度)からなる。 三つの色度座標
分の一つをもう一つの座標分に対してプロット
して得られる平面図表を色度図と呼ぶ。 

chromaticity 

723-08-33, 
845-03-34  

2-5-5 

明度 

物体表面の相対的明るさに関する色感覚の属性,
及びそれを同一条件で照明した白色面を基準と
して尺度化したもの。 

lightness 

845-02-31  

2-5-6 

偏波, 
偏光 

電磁波の電界ベクトル,又は一般的に横波の変位
ベクトルが,空間の特定の点において伝搬方向と
直角の平面内において時間的に規則的に変化す
ること,又はその軌跡。電磁波が光の周波数にあ
るときには,偏光ともいう。 

polarization,  
 polarized light 

705-01-13 
polarization (of 

an 
electromagneti
c wave)  

(電磁波の) 偏

波, 

726-04-01 
polarization (of 

a wave or field 
vector), 

845-01-10 
polarized 

radiation 

2-5-7 

偏光度 

物質によって散乱される光,又はルミネッセンス
は,一般に入射光と異なる偏光状態になり,入射
光と同じ偏光状態の成分の強度をI,これと直交
する偏光状態の成分の強度を

Iとして,

)

(

)

(

+

=

I

I

/

I

I

P

,によって偏光状態の

変化を表した量。 

degree of  
 polarization 

   

2-5-8 

消光(複屈折にお 
 ける) 

結晶板の複屈折による干渉を偏光子と検光子で
検出する際,結晶板のある回転角に対して透過光
がゼロになる現象。 

extinction (in  
 birefringence ) 

  

2-5-9 

消光 (ルミネセ 
 ンスにおける) 

励起電子が非発光的に基底状態に戻り,発光が抑
制されること。 

quenching (in  
 luminescence) 

  

2-5-10  屈折率 

自由空間における波の位相速度と与えられた媒
質中における位相速度との比。吸収を伴う媒質に
対しては複素数で与えれれる複素屈折率が用い
られる。 

index of  
 refraction ,  
 refractive  
 index ,  
 refractivity 

731-03-11, 
705-03-21 
(702-02-19 
MOD) 
refractive 
index, 
845-04-101  

background image

23 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-5-11 

反射率, 
反射係数 

異なる媒質間の境界で反射する波のエネルギー
(又は粒子束)と入射する波のエネルギー(又は
粒子束)との比。 反射係数という場合には,反
射する波の振幅と入射する波の振幅との比で,こ
の場合は,位相関係も含む。 

reflectivity,  
 reflection  
 coefficient 

705-04-16 
(amplitude) 
reflection 
factor, 
731-03-25 
(705-04-17 
MOD)  
power reflection 
coefficient; 
reflectance, 
反射率, 
845-04-86 
reflectivity   

2-5-12  透過率, 

透過係数 

ある厚さの媒質,又は異なる媒質間の境界に波動
若しくは粒子が入射したとき,その入射エネルギ
ー(又は粒子束)に対する透過エネルギー(又は
粒子束)の割合。透過係数という場合には,透過
した波の振幅と入射する波の振幅との比で,この
場合は,位相関係も含む。 

transmittance,  
transmission  
 coefficient 

731-03-31, 
845-04-59  

2-5-13  吸収係数 

波動や粒子の吸収に関する減衰定数をいい,波動
又は粒子束が媒質中の dx の厚さの層を進むと
き,αd x の割合でエネルギー又は粒子数が吸収に
よって減衰するときのαをいう。αが場所 xによ
らない一定値のときは,x に対して波動のエネル
ギー,粒子数はexp(−αx) に従がって減衰する。  
又は 

x

α′

10

で表す場合もある。 光の吸収におい

ては入射光の強度

0Iと透過光の強度Iとの比の

対数が媒質の厚さdに比例するというランベル
トの法則から,

d

I

/

I

ln

α

=

)

(0

又は

d

I

/

I

log

α′

=

)

(0

から求められる。 

absorption  
 coefficient 

393-04-51, 
881-04-26  

2-5-14  散乱(波の) 

媒質の不均一性や異方性,他の媒質の影響などに
よって,電磁波,音波などの波動の伝搬方向,周
波数,偏波面などが不規則に変化する現象。 

scattering (of a  
 wave) 

393-03-07, 
705-04-46, 
731-03-35, 
801-23-26, 
881-03-14  

2-5-15  レイリー散乱 

大きさが波長の約10分の1以下の粒子によって
起こる,波長変化を伴わない光の散乱。 散乱光
強度は,波長の4乗に逆比例する。 

Rayleigh  
 scattering 

731-03-37  

2-5-16  ミー散乱 

粒子の大きさが,波長に比べて無視できない場合
の,光の散乱。 

Mie scattering 

  

2-5-17  回折 

入射波動が障害物によってその振幅又は位相が
変化し,幾何光学では予測できない方向に進行方
向が変化すること。 

diffraction 

705-04-44, 
731-03-34, 
801-23-25, 
845-01-13  

background image

24 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-5-18  フラウンホーフ 

 ァー[の]回折 

回折物体から実効的に無限遠方にある観測され
る平行光線の回折。 

Fraunhofer  
 diffraction 

(731-03-94 
far-field 

diffraction 
pattern;  

Fraunhofer 

diffraction 
pattern, 

ファーフィー

ルド回折パ
ターン) 

2-5-19  フレネル[の]回 

 折 

光源,観測点の少なくとも一方が回折を起こす物
体(例ば,開口)に対し有限の距離にあって,入
射又は回折波を平面波とみなせない場合の,光の
回折をいう。フラウンフォーファの回折の対語。 

Fresnel  
 diffraction 

(731-03-91 
near-field 

diffraction 
pattern;  

Fresnel 

diffraction 
pattern, 

ニアフィール

ド回折パター
ン) 

2-5-20  分光[法] 

波動や粒子の性質を,波長,エネルギー,運動量,
周波数,温度,電圧などをパラメータとして分析
すること,又はその手法。物質が放出又は吸収す
る光のスペクトルから物質のエネルギー準位,遷
移確率などを研究する学問分野を,分光学
(spectroscopy)という。 

spectrum  
 analysis, 
spectroscopy 

  

background image

25 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-5-21  伝搬係数, 

伝搬定数 

媒質又は線路の伝送特性で,ある周波数の波動が
媒質又は線路に沿って伝わるときの性質を複素
数で表したもの。波動が長さlだけ伝搬するとき

exp[

]l

j)

(

β

α+

の因子がかかる。この

β

α

τ

j

+

=

を伝搬定数といい,実数部αは,減衰定数,虚数
部βは,位相定数と呼ばれる。 

propagation  
 constant 

101-15-15 

(705-02-24 
MOD) 

propagation 

coefficient, 

伝搬係数, 
702-02-13 
propagation 

coefficient; 

propagation 

constant 
(USA), 

伝搬係数, 
726-05-09 
propagation 

coefficient; 

propagation 

constant 
(USA), 

731-03-41 
(702-02-13) 
propagation 

coefficient, 

伝搬定数  

2-5-22  位相速度 

伝ぱする正弦波の波面の等位相面が進行する速
度。 

備考 位相速度の大きさは,角周波数を波数

で除した値に等しい。 

phase velocity 

101-15-10, 
705-02-16 
位相速度(ベク

トル), 

705-02-17, 
726-05-13, 
801-23-20  

2-5-23  群速度 

理想的には,振幅が等しく周波数又は位相速度が
わずかに異なる二つの正弦波の重合せによって
表される,信号の進行する速度。 

備考 群速度の大きさは,角周波数の波数に

関する微分に等しい。波動のエネルギ
ーは位相速度ではなく群速度で伝えら
れる。 

group velocity 

101-15-12, 
702-02-22, 
705-02-21  
群速度(ベクト

ル), 

731-03-29, 
801-23-21  

background image

26 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-5-24  分散 

電磁波,音波,電子線などの波動や粒子線などを,
周波数,エネルギー,速度などの成分に分けるこ
と。又は,波動における位相速度が周波数に依存
すること。 

dispersion 

705-04-29 
dispersion (of an 

electromagneti
c wave)  

(電磁波の)分

散, 

731-03-74, 
801-23-22, 
845-04-104  

2-5-25  分散関係 

波動の運動に関する性質で,周波数と波動ベクト
ルとの関係。 

dispersion  
 relation 

  

2-5-26  収差 

結像光学系(電子光学系なども含む。)が,ガウ
ス結像の条件を満たさないために生じる欠陥。単
色光に対する光線収差と波長分散に基づく色収
差とに大別する。 

(optical)  
 aberration 

  

2-5-27  コヒーレンス 

二つ若しくはそれ以上の波動の対応する成分の
位相の間,又は一つの波動のある一成分の位相の
間に,時間的若しくは空間的な一定の関係が保た
れていること。したがって,相互に干渉を起こす
(可干渉性)。 

coherence 

101-15-23, 
705-01-43 
(721-01-09), 
731-01-09 
(705-01-43)  

2-5-28  干渉 

二つ又はそれ以上の波が同じ場所にきたとき,合
成波の振幅が成分波の位相の差によって変化す
る現象。  

interference 

702-08-32  
位相妨害, 
731-03-05, 
801-23-13, 
845-01-12  

2-5-29  レーザビーム 

細く方向性をもったコヒーレントな光。  

laser beam 

2-5-30  スペックル 

レーザのように干渉性のよい光が粗い面で散乱
されたり不均一な物質を透過したときに生じる
はん点状の明暗模様。 

speckle 

2-5-31  モード, 

姿態 

マクスウェル方程式の解の一つで,振動系におけ
る特定の振動形式に相当する状態を示し,それぞ
れ固有の振動数をもつもの。 

mode 

705-01-12 

(electromagnet
ic) mode, 

(電磁界)モー

ド, 

731-03-04  

2-5-32  エバネッセント 

 フィールド, 
エバネッセント 
 界 

 電磁界の各成分の大きさの距離依存性をみると
き,各成分が同時刻にすべての点で相互に同じ位
相を示しながら,その振幅が数波長の間にほとん
どゼロに減衰する電磁界で,その減衰は吸収によ
らないもの。エバネッセントフィールドはエネル
ギーを運ばず,したがって波ではない。電磁波が
屈折率の高い媒質から低い媒質に全反射角以上
の角度で入射するときに,屈折率の低い媒質中に
境界から数波長の領域にエバネッセントフィー
ルドが存在する。 

evanescent field 

705-04-70, 
731-03-52  

background image

27 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-5-33  位相共役波 

高次の非線形誘導分極によって,入射電界の位相
を反転させた波面の光の発生が可能となること。
時間反転波ともいわれる。 

phase conjugate  
 wave 

  

2-5-34  平面波 

等位相面が 一群の平行平面である波動。波の振
幅が 

)}

(

exp{

ωt

r

k

j

の形で表される。ここで,

kは波数ベクトル,rは位置ベクトル,ωは角周

波数,tは時刻である。 

plane wave 

101-15-05, 
705-03-32, 
731-03-03 
(705-01-32 
MOD)  

2-5-35  球面波 

等位相面が同心球を形成するような波動。波の振
幅が,

/|r|

ωt

r

k

j

)}

(

exp{

 の形で表される。こ

こで,kは波数ベクトル,rは位置ベクトル,ω

は角周波数,tは時刻である。 

spherical wave 

705-01-36, 
801-23-07  

2-5-36  波束 

局在した波を記述する波動関数。いろいろな周波
数の正弦波が重畳されて構成されている。電子,
光子などを波動として扱うときに用いられる。 

wave packet 

  

2-5-37  フォトン, 

光子 

プランク定数hと電磁波の周波数νとの積ν

hに

等しいエネルギーの素粒子。 

photon 

111-14-06, 
393-01-06, 
731-01-02, 
881-02-04  

2-5-38  フォノン, 

音[響]量子 

弾性振動(格子振動,広義の音波)を量子化して
考えた準粒子。格子振動に関係するフォノンで
は,隣接原子の変位が同相である音響フォノン 
(acoustic phonon)と,逆相に変位する光学フォノン 
(optical phonon)とがある。 

phonon 

111-14-07  
音子:フォノン  

2-5-39  超音波 

人の可聴周波数を超える音波で,通常は20 kHz
以上の音波をいう。 

ultrasonic  
 (wave) 

(801-21-04 
ultrasound)  

2-5-40  ソリトン 

粒子のように振る舞う孤立波。 局在しない波で,
その性質(波形,速度など)を変えることなく伝
搬し,互いに衝突するときはその個性を失わずに
通り抜けていく波。 

soliton 

  

2-5-41  電子ビーム 

細く方向のそろった,ほぼ同じ速度をもつ電子の
集団。 

electron beam 

841-08-02  

2-5-42  電子波 

電子の量子力学的な波動状態。 

electron wave 

  

2-5-43  電子放出 

固体又は液体内の電子が温度上昇や入射光若し
くは電子との衝突又は高電圧の印加によって,そ
のエネルギーを増加し,固体又は液体面にある電
位の障壁を超えて外部に放出すること。 

electron  
 emission 

111-14-46, 
121-13-04, 
531-12-01  

2-5-44  熱電子放出 

電子が熱エネルギーによって固体又は液体面か
ら放出することをいい,その電子を熱電子とい
う。 

thermionic  
 emission 

111-14-47, 
121-12-05, 
393-02-80, 
531-12-04, 
881-02-94  

2-5-45  電界放出 

放出面上の高電界にだけ基づく電子放出。 

field emission 

111-14-49, 
121-13-07, 
531-12-06  

background image

28 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-5-46  光電子放出 

光の入射によって,その入射面から電子が放出さ
れること。その電子を光電子という。  

photoelectric  
 emission, 
photoemission 

111-14-48, 
121-13-06, 
531-12-05  

2-5-47  一次電子 

固体に電子を入射させ二次電子放出をさせると
きの入射電子。 

primary electron 

  

2-5-48  二次電子 

電子,イオン,紫外線,X線などの高エネルギー
ビームが物質表面を衝撃することによって,その
表面から放出する電子。一次電子が表面から反射
したものも含める。 

secondary  
 electron 

393-02-44, 
881-03-37  

2-5-49  一次電子放出 

一次電子が放出されること。熱,光電子,及び電
界による放出がある。 

primary electron  
 emission 

111-14-50, 
121-13-08, 
531-12-07  

2-5-50  二次電子放出 

二次電子が放出されること。 

secondary  
 electron  
 emission 

111-14-51, 
121-13-09, 
531-12-08  

2-5-51  反射電子 

電子線がある媒質から他の媒質に入射した結果,
何らかの不連続的変化のある境界,周期性をもっ
た結晶の格子面などによって進行方向を変え,も
との媒質中を新たな方向に沿って進行する電子。 

reflected  
 electron 

  

2-5-52  冷陰極 

加熱することなく電子放出の起こる陰極。 

cold cathode 

531-21-10, 
841-08-05  

2-5-53  熱陰極 

熱電子放出を主要な機能とする陰極。 

hot cathode 

531-21-13, 
841-08-06  

2-5-54  イオンビーム 

ほぼ運動速度のそろったイオンの集団が,小さな
径で決まった方向に流れているもの。 液体金属
イオン源を用いた輝度の高いイオンビームは集
光性に優れ,集束イオンビームと呼ばれる。 

ion beam 

  

2-5-55  二次イオン 

一次イオンが物質表面を衝撃することによって,
その表面から物質の構成元素がイオン化して真
空中に放出したイオン。 

secondary ion 

  

6) 量子効果  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-6-1 

量子サイズ効果 

電子のド・ブロイ波長と同程度以下の寸法を
もつ構造において,そこに閉じ込められた電
子の性質に起因して起こる効果。 

quantum size  
 effect 

  

2-6-2 

量子構造 

量子サイズ効果を実現するため,電子のド・
ブロイ波長と同程度以下の寸法からなる固体
の構造。 電子の閉じ込め方向が 1,2及び 3
次元の場合について,それぞれ量子井戸,量
子細線及び量子箱と呼ばれている。 

quantum  
 structure 

  

background image

29 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-6-3 

ひずみ量子井戸 

量子井戸において特に,井戸層及び障壁層の
格子定数が互いに異なる量子井戸。 

strained  
 quantum well 

  

2-6-4 

超格子 

結晶系において,結晶格子の周期と異なる人
工的な空間変調を加えた系の総称。結晶組成
や不純物添加の異なる数十nm以下の層を交
互に積層した構造が,この代表例である。 

superlattice 

  

2-6-5 

波動関数 

物質中の電子の振舞いを定在波によって記述
するための関数。電子の存在確率は,波動関
数の自乗に比例する。 

wave function 

  

2-6-6 

ド・ブロイ波 

電子などの質量をもつ粒子の波動性。 別名,
物質波という。半導体の中の電子のド・ブロ
イ波長は,数十nmである。 

de Broglie  
 wave 

  

2-6-7 

トンネル効果 

粒子がもつ運動エネルギーよりも大きなエネ
ルギー障壁をその粒子が通り抜ける現象。 古
典理論では不可能で,量子力学で説明できる
現象。  粒子の波動としての性質に起因し,
トンネルの確率は粒子の質量及び 障壁の形
状に依存する。   

備考 超電導体では,単一電子のトンネル

[ギーバー(Giaever)効果]とクーパ
ー対のトンネル(ジョセフソン効
果)とがある。 

tunnel effect 

121-13-21, 
521-02-78 
tunnel effect (in 

a PN junction)  

2-6-8 

共鳴トンネル効果 

トンネル現象の一種。トンネルする粒子のエ
ネルギーと同一レベルのエネルギー準位が障
壁層の対向側に存在すると,この特定のエネ
ルギー準位でトンネル確率が急激に増加する
現象。 

resonant tunnel  
 effect 

  

2-6-9 

フランツ・ケルデ 
 ィッシュ効果 

高電界印加で電界こう配をもつ半導体におい
て,光吸収及びトンネル効果によって,バン
ドギャップより小さな光子エネルギーで価電
子帯の電子が伝導帯へ遷移することが可能と
なるために,基礎吸収端の低エネルギー側に
光吸収がすそを引く現象。 

Franz-Keldysh  
 effect 

  

2-6-10 

電子波干渉 

電子の波動としての性質に起因する干渉現
象。 

electron wave  
 interference 

  

2-6-11 

ブロッホ振動 

結晶内の電子が散乱を受けないとすれば,直
流電界によって加速される場合でも,電子は
一方向に連続して加速されるものではなく,
速度を周期的に反転して実空間のある限られ
た範囲を往復運動し続ける振動現象。 

Bloch  
 oscillation 

  
 
 
 
 
 

2-6-12 

量子閉じ込めシュ 
 タルク効果 

量子井戸に垂直に電界を印加したとき,エキ
ントンによる吸収スペクトルの吸収端が低エ
ネルギー側にシフトする現象。 

quantum  
 confined  
 Stark effect 

  

background image

30 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-6-13 

二次元電子ガス 

固体の伝導帯から真空準位までのエネルギーで
定義される,電子親和力の異なる物質の接合界
面(ヘテロ界面)における,界面に沿って,二
次元的に局在した電子系。磁界の印加によって,
電気伝導に量子ホール効果又はジュブニコフ・
ドハース効果をもたらす。 

two-dimension 
 al electron  
 gas 

  

2-6-14 

コンプトン効果 

X線を固体に照射したとき,自由で静止してい
るとみなされる電子との弾性散乱によって,照
射X線よりも波長の長い散乱X線が生じる効
果。 

備考 光の粒子説によって説明され,照射X

線のエネルギー及び運動量の一部が
電子に与えられ,残りが散乱X線と
なる。  

Compton  
 effect 

393-03-22  

2-6-15 

量子効率(半導体 
 発光・受光素子 
 の) 

単位時間当たりの,入出力にかかわるキャリヤ
数と光子数との比。 発光の場合は入力されたキ
ャリヤ数に対する出力光の光子数の比。受光の
場合は,入力した光の光子数に対する出力され
たキャリヤ数の比。 

quantum  
 efficiency (of  
 
semiconductor  
 luminescent  
 devices and  
 optical  
 receivers) 

531-44-20, 
731-06-34, 
845-05-67  

7) 放射線  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-7-1 

α線 

α壊変を行う放射性核種から放出されるヘリウ

ム-4の原子核の粒子線で,+ 2の電荷をもつ。 

alpha  
 radiation, 
alpha rays 

393-02-06, 
881-02-66  

2-7-2 

β線 

原子核から放出される陰電子及び陽電子の流
れ。 

beta radiation, 
beta rays  

393-02-07, 
881-02-60  

2-7-3 

γ線 

原子核のエネルギー転移に際して放射される波
長の短い電磁波をいい,高エネルギーの光子で
ある。 

gamma  
 radiation, 
gamma rays 

393-02-08 

放射, 

881-02-17  

2-7-4 

放射線 

放射性崩壊によって物質から放射されるα線,β
線などの粒子線及びX線,γ線などの電磁波の
総称。広義には,すべての電磁波及び粒子線を
指す。 

radiation 

393-02-01, 
702-02-06, 
841-01-50, 
845-01-01 
(electromagnetic

) radiation, 

881-02-01  

background image

31 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

2-7-5 

宇宙線 

宇宙空間から地球に降り注いでいる高エネルギ
ーの粒子線及び電磁波の総称。 

cosmic  
 radiation, 
cosmic ray 

393-02-11  

2-7-6 

中性子線 

中性子の流れ。 

neutron ray 

  

2-7-7 

放射能 

核種が自発的に放射線を出して放射性壊変をす
る性質。 

radioactivity 

393-02-26  

2-7-8 

照射(線量) 

X線又はγ線の電離能力に基づいて測られる放
射線の量。X線,γ線の照射によって質量dmの
空気中で放出された二次電子などが空気中で完
全に阻止されて生成される正又は負の電荷をも
つイオンの総電荷量の絶対値dQとするとき,
照射線量は, 

dm

dQ

X=

で与えられる。 

exposure 

393-04-62 
exposure, 
照射, 
881-12-29  

2-7-9 

吸収線量 

物質に実際に吸収される単位質量当たりの放射
線のエネルギー量。  

参考 単位は Gy(グレイ)で,1 (Gy) は,

1 (J ·kg-1)に相当する。 

absorbed dose 

393-04-69, 
881-12-06  

c) 固体の基本的性質  

1) 電気的性質  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

3-1-1 

輸送現象 

粒子のエネルギー,運動量,物質などの輸送
とそれに関連した現象の総称。半導体におい
ては,キャリヤの移動によって,生じる電荷
の輸送(電気伝導),熱の輸送(熱伝導)など
を指す。 

transport  
 phenomenon 

  

3-1-2 

電気伝導 

物質に外部電界を印加することによって,電
荷が移動して電流が流れる現象。 電荷を運ぶ
キャリヤの種類に応じて,電子伝導,正孔伝
導又はイオン伝導という。 

electric  
 conduction 

  

3-1-3 

導電率, 
(電気)伝導率, 
(電気)伝導度 

物質の電流の流れやすさを表す尺度で,単位
電界を印加したときに流れる電流密度。 電流
密度をj,電界をE,導電率をσとするとオ

ームの法則が成り立つ範囲では 

E

j/

=

σ

なる。単位は(S/m)。 

conductivity 

121-12-03  

background image

32 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

3-1-4 

コンダクタンス 

物体の電流の流れやすさを表す量で,単位電
圧を印加したときに流れる電流。

GV

I=

(I : 

電流,V :電圧,G : コンダクタンス)でG
の単位は,

A/V

S=

。 物体の形状に依存し,

一様な断面 A,長さl,導電率 σの物体では,

l

A

G

/

σ

=

。 

conductance 

131-01-14  

3-1-5 

抵抗率,  
比抵抗 

物体の電流の流れ難さを表す尺度で,導電率
の逆数。 単位は(Ωm)。 

resistivity,  
specific  
 resistance 

121-12-04  

3-1-6 

抵抗 

物体の電流の流れ難さを表す量で,コンダク
タンスの逆数。 単位(Ω=1/S) 。 

resistance 

131-01-13  

3-1-7 

シート抵抗 

厚さの薄いシート状の物体の面に平行な方向
の電流の流れ難さを表す量で,正方形のシー
トの相対する辺の間の抵抗。 単位 はΩであ
るが,抵抗と区別するためにΩ/□ と書くこと
もある。 厚さdのシートが 抵抗率ρの一様
な物質からなるとき,シート抵抗 はρs=ρ/d 
で表される。 

sheet  
 resistance 

  

3-1-8 

広がり抵抗 

径の小さな金属線を試料面に接触させたとき
の抵抗。金属細線から試料への電流通路の広
がりの形状が広がり抵抗に関係し,接触部の
金属線の径,接触形状及び試料の抵抗率で決
まる。 

備考 接触部が円形平面(半径 a)で試

料の厚さがaに比べて十分大きい
場合,広がり抵抗RsはRs=ρ/4aで与
えられる。ここにρは接触部近辺の
平均抵抗率である。 

spreading  
 resistance 

  

3-1-9 

集中抵抗 

小さな接触面を電流が流れるときに,電流通
路が狭い部分に制限されることによって生じ
る抵抗。 

constriction  
 resistance 

  

3-1-10 

接触抵抗 

二つの物体を接触させたときに,2物体間に生
じる抵抗。2物体の材料特性のほか,接触形状,
接触面積及び界面介在物に依存する。  

contact  
 resistance 

581-03-11  

3-1-11 

ジュール熱 

物体に電流が流れるときに,その抵抗によっ
て発生する熱。発生する熱量は,電流の2乗,
及び物体の抵抗に比例し,これをジュールの
法則という。 

Joule heat 

(815-06-40 
Joule heating, 
ジュール発熱)  

3-1-12 

電気双極子 

有限の距離にある正負の電荷の対。 距離 λ 
離れた±qの電荷による双極子において,

λ

q

=

μ

を双極子モーメントという。 

electric dipole 

121-11-33  

background image

33 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

3-1-13 

ショットキー効果 

金属と絶縁体又は半導体との間に高電界を印
加したときに,鏡像力の効果で金属から絶縁
体又は半導体へのエネルギー障壁が減少する
効果,又は,その結果,熱電子放出及び 光電
子放出が増加する効果。ショットキーが,熱
電子放出において陽極プレート電圧の増加に
よって飽和電流が増加することを発見したの
にちなんで,名付けられた。 

Schottky effect 

531-12-12  

3-1-14 

ホール効果 

物質に電流を流し,電流に垂直に磁界を印加
したとき,両者に垂直な方向に起電力が現れ
る現象。 電流密度をj,磁界の磁束密度をB,
発生する横方向電界を

H

Eとすると, 

)

(

H

H

B

R

E

×

=

x軸方向に長さ方向の軸をもつ直方体形状の
試料のx軸の正方向に一様な電流IXを流し,y
軸の正方向に一様な磁束密度By がある場合
には,z軸の正方向に 

y

y

x

H

H

λ

B

I

R

V

×

=

の電圧が現れる。ここに,λyは,y方向(磁
界方向)の試料の幅(厚さ)である。

Rを

ホール係数 [SI 単位: (m3/C)],z 方向に現れる
電圧をホール電圧という。P形半導体の場合 

)

pe

/(

R

1

H=

,N形の半導体の場合 

)

ne

/(

R

1

H

=

(p : 正孔密度,n : 電子密度,

e : 電気素量)となる。 

Hall effect 

121-12-81, 
521-09-01  

3-1-15 

ホール移動度 

ホール効果の測定から求めた移動度で,電気
伝導度をσ,ホール係数を

Rとき次式で与え

られる。 

H

H

R

σ

μ=

Hall mobility 

521-09-04  

3-1-16 

磁気抵抗(半導体, 
 金属における) 

半導体又は金属の電気抵抗が磁界を印加した
ときに変化する量。変化量は,一般には正で
あるが,負のときは特に負磁気抵抗という。 

magnetoresista 
 nce (in a  
 semiconductor  
 and a metal) 

121-12-83  

3-1-17 

ランダウ準位 

量子論で,直流磁界に垂直な面内の電子の量
子的準位。エネルギーは量子化され,次の式
で与えられる。 

c

/

n

E

ω

η

)2

1

( +

=

,n: 整数  

ここに,

c

ω:サイクロトロン角周波数 

Landau level 

  

background image

34 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

3-1-18 

固体プラズマ 

固体中で,少なくとも一方が動くことのでき
る正及び負の荷電粒子対が,電気的にほぼ中
性で高密度で存在する系。金属や半導体中で
の電子とイオン,半導体中の電子と正孔など
の系が代表例である。個々の粒子の運動より
粒子集団の運動に着目するときに用いられる
用語。 

solid-sate plasma    

3-1-19 

プラズモン 

プラズマ振動を,量子論的に粒子的描像で表
したもの。 

plasmon 

  

3-1-20 

ポーラロン 

結晶内を運動する電子が,クーロン力によっ
て周囲の結晶格子に分極を起こし,それによ
る格子の変形を伴って運動する状態。 格子変
形によって電子のエネルギーバンド構造が変
形を受け,一般に電子の有効質量は大きくな
る。 

polaron 

  

3-1-21 

なだれ(雪崩), 
アバランシェ 

1個の電荷が格子との衝突により多数のキャ
リヤに増える増倍現象。PN接合のなだれ(雪
崩)は,大きな逆バイアスが印加され接合の
空乏領域の高電界で加速され高エネルギーと
なったキャリヤが格子原子に衝突してイオン
化し,新たに電子,正孔対を発生する現象が
なだれ(雪崩)的に生じ,多数のキャリヤが
生成され,大きな電流が流れる。 

avalanche 

121-13-10 
avalanche: 
(electronic) 
avalanche 
電子なだれ 

3-1-22 

温かいキャリヤ 

電界によって中程度に加速されたキャリヤ。
その移動度(μ)の電界(ε)依存性は,次の式で
表す。 

)

1(

2

0

ε

β

μ

μ

=

。 

ここに,

0

μ: 低電界での移動度 

β: 定数。 

warm carrier 

  

3-1-23 

熱いキャリヤ, 
ホットキャリヤ 

電界によって大きく加速され,そのキャリヤ
温度が格子温度より高いキャリヤ。その移動
度(μ)の電界(ε)依存性は,次の式で表す。 

2

1

0

)

(

/

s

/

v

ε

μ

μ=

ここに,

s

v: 音速 

0

μ: 低電界での移動度。 

hot carrier 

  

background image

35 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

3-1-24 

空間電荷制限電流 

電流を運ぶキャリヤ自身による空間電荷が作
る電界のために,電極から空間に放出される
キャリヤの放出速度が制限されることで決ま
る電流。半導体においては,電極から比較的
高抵抗の半導体層に放出されるキャリヤによ
って生じる空間電荷によって空間電荷制限電
流が,熱電子管においては,熱陰極から真空
への電子放出によって生じる空間電荷によっ
て空間電荷制限電流が流れる。 

space-charge  
 limited  
 current 

  

3-1-25  

サイクロトロン運 
 動 

直流磁界中に,これに垂直に荷電粒子が入射
したときの,磁界に垂直な面内で起こる円運
動。  荷電粒子の電荷をq,質量をM,磁束
密度を B とすると,その角周波数 

c

ω は,

M

/

qB

c=

ω

 で与えられ,入射速度vに無関

係であるが,その半径(サイクロトロン半径)

c

c

/

v

r

ω

=

は,vに 比例して大きくなる。 角

周波数 

c

ωで円運動する荷電粒子は,これと

同じ振動数で運動面内で振動する電磁波を共
鳴的に吸収する。この現象をサイクロトロン
共鳴という。 

cyclotron  
 motion 

(705-06-09  
gyro-frequency:

cyclotron 
frequency, 

ジャイロ周波

数, 

サイクロトロ

ン周波数) 

3-1-26  

クーロン遮へい 
 (蔽) 

自由に運動のできる正負の荷電粒子からなる
系で,あるイオンのクーロン力がその回りの
電荷によって遮へい(蔽)されて,その中心
からある距離以上には及ぼされないこと。遮
へい(蔽)距離は,電荷密度の平方根に反比
例して短くなる。 電解質,ガスプラズマ及び
半導体プラズマの場合,デバイ長 (Debye 
length) と呼び,金属プラズマの場合トーマ
ス・フェルミ遮へい(蔽)距離 (Thomas-Fermi 
screening length) という。 

Coulomb  
 screening 

  

3-1-27  

バリスティック伝 
 導 

固体中で,キャリヤがフォノン,不純物など
との衝突をしないで運動することによって現
れる伝導。 通常の伝導に見られる光学フォノ
ンとの衝突によるキャリヤ速度の飽和がなく
なり,飽和速度以上のドリフト速度が得られ
る。  

ballistic  
 conduction 

  

3-1-28  

不純物伝導 

不純物を添加した半導体で,不純物原子に局
在する電子又は正孔が近くの不純物原子に
次々と移動することによって生じる伝導。不
純物濃度が高くなるとバンドギャップ内に不
純物バンドが形成され,そこをキャリヤが伝
導する。 

impurity  
 conduction 

  

background image

36 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

3-1-29  

モット遷移 

非金属−金属遷移。半導体中の不純物伝導に
おいて,不純物濃度が少ないときには局在し
た不純物準位間の伝導でこれは活性化エネル
ギーをもつ非金属伝導であるが,不純物濃度
を増して不純物バンドを形成すると,活性化
エネルギーをもたない金属的伝導になる。 

Mott transition 

  

3-1-30  

ホッピング伝導 

バンドギャップ内の孤立した状態間を電子が
熱的励起によってホッピングして移動するこ
とによって生じる電気伝導。 

hopping  
 conduction 

  

3-1-31  

負性抵抗 

電圧が増加すると電流が減少する特性を示す
負の微分抵抗。 

参考 例として,GaAs のドリフト速度が

高電界で電界の増加とともに減少
する結果,この負性抵抗を示す。 

negative  
 resistance 

521-05-03 
negative 
differential 
resistance 
region   

3-1-32  

高電界ドメイン 

固体中で電荷分布のずれによって生じた高電
界領域。 負性抵抗を示す材料では,いったん,
電子分布のずれが形成されると,それが成長
し,陰極から陽極へと伝搬する。 

high field  
 domain 

  

3-1-33  

変形ポテンシャル 

結晶の圧縮又は膨張による体積変化,格子振
動などの原因で格子定数が変化した際に変形
したポテンシャル。エネルギーバンド構造が
変化しバンド端のポテンシャルエネルギーが
変化する。半導体中の伝導電子のフォノン散
乱に関して,有効質量近似での変形ポテンシ
ャル近似がよい結果を与える。 

deformation  
 potential 

  

3-1-34  

飽和ドリフト速度 

低電界では電界に比例して増加するキャリヤ
のドリフト速度が,高電界ではキャリヤが光
学フォノンとの散乱によってエネルギーを失
うために飽和するときの速度。 

saturated drift  
 velocity 

  

2) 光学的性質  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

3-2-1 

バンド内遷移 

同じバンド内での電子の遷移。 

intraband  
 transition 

  

3-2-2 

着色中心 

イオン結晶の欠陥に電子又は正孔が捕獲され
てある特定の波長の光の吸収を伴う構造。 陰
イオンの空孔に電子が捕らえられ,一般に可視
部に吸収帯があるものをF中心という。F 中心
による吸収帯をF 帯という。 

color center 

  

background image

37 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

3-2-5 

光電効果 

物質が光を吸収して自由電子を放出する現象。
生じた自由電子を光電子というが,これが,物
質内に存在して電気伝導度を増したり,起電力
を発生させる現象を内部光電効果,光電子が物
質の外に放出される現象を外部光電効果とい
う。単に,光電効果というときは後者を指す。 

photoelectric  
 effect 

393-03-24, 
521-01-20, 
531-44-01, 
731-01-61, 
881-02-84, 
121-12-93 
photoelectronic 

effect, 

531-44-02, 
731-01-63 
photo-emissive 

effect, 

external 

photoelectric 
effect  

3-2-6 

光弾性 

弾性体に変形を与えると複屈折などの性質を
示して光学的異方体となる性質。 

photoelasticity 

  

3-2-7 

光電流 

電界を印加した物質又は光検出器に光を照射
したときに,外部回路に流れる電流。 

photocurrent 

531-44-05, 
731-06-32 
(845-05-52 
MOD), 
845-05-52  

3-2-8 

暗電流 

光電流に対して,光を照射していないときに流
れる電流。 

dark current 

531-44-06, 
731-06-33 
(845-05-53 
MOD), 
845-05-53  

3-2-9 

フォトンドラッグ 

半導体内のキャリヤが光の運動量によって引
きずられて電流を誘起する現象。電流の方向は
光の偏波特性に強く依存し,光の進行方向だけ
でなく垂直方向にも電流は誘起される。 

photon drag 

  

3-2-10 

フォノンドラッグ 

金属又は半導体内で,フォノンが電子に引きず
られて流れることによって熱電能に寄与する
現象。低温における半導体で特に著しい。 

phonon drag 

  

3-2-11 

光起電力効果 

物質に光子が吸収されることによって,内部に
起電力が発生する現象。半導体PN接合及び整
流性を示す金属/半導体接合においては,半導
体のバンドギャップ以上のエネルギーの光子
の吸収によって発生した電子と正孔とが分離
されることによって起電力が発生する。 

photovoltaic  
 effect 

121-12-91, 
521-01-21, 
531-44-33, 
731-01-64  

3-2-12 

バンド間遷移 

異なったバンド間での電子の遷移。 

interband  
 transition 

  

background image

38 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

  

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

3-2-15  

励起子, 
エキシトン 

価電子帯の正孔との伝導帯の電子とがそのク
ーロン力によって束縛状態を作っているよう
な電子・正孔対。 

exciton 

  

3-2-16  

モット・ワニエ励 
 起子, 
モット・ワニエエ 
 キシトン 

電子と正孔との束縛が弱い励起子で,その波動
関数の広がりが格子間隔よりずっと広いもの。 
半導体中に主に見られる。弱く束縛された励起
子ともいう。 

Mott-Wannier  
 exciton 

  

3-2-17  

フレンケル励起 
 子, 
フレンケルエキシ 
 トン 

電子と正孔との束縛が強い励起子で,電子と正
孔とがともに原子又はそのごく近傍に局在す
るもの。イオン結晶及び 分子性結晶に主に見
られる。強く束縛された励起子ともいう。 

Frenkel 

exciton 

  

3-2-18  

遷移 

量子力学系が,ある定常状態から他の定常状態
に移る現象。 

transition 

  

3-2-19  

禁止遷移 

パウリの排他原理で禁止される遷移。 

forbidden 

transition 

  

3-2-20  

許容遷移 

パウリの排他原理で許容される遷移。 

allowed  
 transition 

  

3-2-21  

光学遷移 

光子の吸収又は放出を伴う遷移。 

optical 

transition 

  

3-2-22  

発光遷移 

高いエネルギー状態から低いエネルギー状態
へ遷移する際に,光子の放出を伴う遷移。 

radiative  
 transition 

  

3-2-23  

非発光遷移 

高いエネルギー状態から低いエネルギー状態
へ遷移する際に,光子の放出を伴わない遷移。 
その放出されるエネルギーは,電子,フォノン
の運動エネルギーなどとして与えられる。 

nonradiative  
 transition 

  

3-2-24  

発光, 
ルミネセンス 

外部からの熱以外の励起によって高いエネル
ギー状態に励起された物質が,低いエネルギー
状態へと光学遷移するときに生じる光の放出
現象又はその放出光。  

備考 蛍光とりん光とに分類されるが,そ

の定義は明確でない。 蛍光を,発光
と同義に用いることが多い。 

luminescence 

845-04-18, 
881-02-80  

3-2-25  

発光中心 

発光のもととなる不純物原子,欠陥などの点欠
陥。 

emission 
center 

  

background image

39 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

3-2-26  

蛍光, 
 
フルオレセンス 

発光(ルミネセンス)の一種で,本来は,励起
を遮断した後に残光がないと知覚される発光
をいい,残光があると知覚されるりん光と区別
される。現在では,発光(ルミネセンス)と同
義で使われることが多い。 

参考 実際には,蛍光とりん光のどちらに

おいても残光時間は存在し,残光時
間の長短でおよその区別をする考え
もあるが,その境界はあいまいであ
り,むしろ,発光の機構の違いによ
ってりん光と区別することが多い。 

fluorescence 

394-18-84, 
845-04-20, 
881-02-80  

3-2-27  

りん光, 
フォスフォレセン 
 ス 

発光(ルミネセンス)の一種で,本来は,励起
を遮断した後に残光があると知覚される発光。   
参考 3-2-26蛍光参照。 

phosphorescen
ce 

394-18-84, 
845-04-23, 
881-02-80  

3-2-28  

フォトルミネセン 
 ス 

発光(ルミネセンス)の一種で,励起が光のエ
ネルギーによって行われるもの。  

photo- 
 luminescence 

845-04-19  

3-2-29  

エレクトロルミネ 
 センス 

発光(ルミネセンス)の一種で,広義には,電
気的に発光体を励起して生じる発光を指し,電
界で加速された電子との衝突によって発光中
心が励起され,又は衝突電離で発生された 電
子・正孔対の再結合で生じる電界発光と,PN
接合への少数キャリヤの注入によって生じる
電子・正孔対の再結合とで発光する電流注入発
光。 

参考 狭義には,電界発光を意味すること

が多い。 

electro- 
 luminescence 

731-01-60, 
845-04-24  

3-2-30  

カソードルミネセ 
 ンス 

発光(ルミネセンス)の一種で,励起が電子ビ
ームのエネルギーで行われるもの。  

cathode- 
 luminescence 

845-04-25  

3-2-31  

励起子吸収 

励起子準位は伝導帯の下端から束縛エネルギ
ー[数 (meV)]だけ下のエネルギーギャップ内に
生じるが,価電子帯の上端からこの励起子準位
に電子が遷移することによる光の吸収。 

exciton  
 absorption 

  

3-2-32  

自由キャリヤ吸収 

伝導帯内の電子のバンド内遷移による光の吸
収。 普通,赤外領域に吸収スペクトルがある。 

free carrier  
 absorption 

  

3-2-33  

非線形分極 

誘電体や磁性体に電界,磁界,又はその他の力
が働くときに生じる電気分極や磁化において,
その力に比例せず 2乗以上の高次の依存性を
示す分極。 

nonlinear  
 polarization 

  

3-2-34  

光整流作用 

非線形光学媒質に振動する光電界を印加する
ときに直流の分極が生じる効果。 

optical  
 rectification 

  

3-2-35  

高調波 

ある基本周波数の電磁界の波を非線形媒質に
加えたときに発生するその基本周波数の整数
倍の周波数の電磁界の波。 

harmonics 

  

3-2-36  

複屈折 

光学的異方性物質に光が入射して屈折すると
きに二つの屈折光が現れる現象。単結晶で,等
方的媒質と同様にスネルの法則を満たして屈
折する光を常光線,もう一方を異常光線とい
う。 

double  
 refraction,  
birefringence 

731-03-27  

background image

40 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

3-2-37  

光電子増倍 

物体に光を照射して生じた自由電子(キャリ
ヤ)の増倍。光電効果によって物体の外に放出
された光電子を 二次電子増倍させるもの,半
導体の逆バイアスされたPN接合で光吸収で生
じたキャリヤをアバランシェ増倍させるもの
とがある。 

photo- 
 multiplication  

  

3-2-38  

デンバー効果 

半導体に光を局所的に照射することによって
半導体内に電子・正孔対の濃度分布を生じさせ
るときに,その拡散係数の違いによって両者の
濃度分布に違いを生じ,その結果発生する空間
電荷分布によって定常状態で起電力が発生す
る現象。 

備考 半導体表面に光を照射し,表面近傍

に電子・正孔対を発生させる場合に
は,深さ方向に電子,正孔の異なっ
た濃度分布が生じ,深さ方向に起電
力が発生する。 

Dember effect 

  

3) 磁気的性質  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

3-3-1 

磁性 

物質に外部から磁界をかけると磁界とその構
成要素の磁気モーメントとの相互作用によっ
て,その物質全体としての特有の磁気的な性
質を示す現象。 

備考 磁性を示す物質は反磁性体,常磁性

体,強磁性体,反強磁性体などに分
類できる。 

magnetism 

121-11-75 
磁気: 磁性  

3-3-2 

磁化 

磁気的な分極で,特に磁性体の分極によって
生じた単位体積当たりの磁気モーメント。磁
気モーメントをM,磁束密度を B,磁界の強
さを H ,真空の透磁率μ0とすると, 

B =μ0 H + M  

の関係を満足する。 

magnetization 

121-11-52  

3-3-3 

強磁性 

強い磁性の総称をいい,フェロ磁性とフェリ
磁性がこの分類に入る。外部磁界が存在しな
くても,その内部でスピンが規則的に配列す
るため,磁化を形成する。 

ferromagnet- 
 ism 

121-12-41  

3-3-4 

フェロ磁性 

強磁性の一種で,スピンが平行に配列し,強
い自発磁化を形成する性質。 

ferromagnet- 
 ism 

121-12-41  

3-3-5 

フェリ磁性 

強磁性の一種で,スピンが反平行に配列して
いるが,プラス向きのスピンの方がマイナス
向きのスピンよりも数及び/又は大きさについ
て優越しているため,差引き自発磁化を生じ
る性質。 

ferrimagnetism 

121-12-43  

background image

41 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

3-3-6 

反強磁性 

フェリ磁性と同様に,スピンが反平行に配列
しているが,それが互いに完全に打ち消しあ
って強い磁性が現れない場合の磁性。 

antiferromagn- 
 etism 

121-12-42  

3-3-7 

弱磁性 

常磁性及び反磁性を指し,電子スピン間の相
互作用が弱くスピンの自発的配向がないため
に,弱く磁化される性質。 

feeble  
 magnetism 

  

3-3-8 

常磁性 

無秩序に配列した磁気モーメントが,外部磁
界を加えると熱運動に抗してわずかに磁界の
方向に傾き,全体として磁界方向に弱く磁化
される性質。 

paramagnetism 

121-12-40  

3-3-9 

反磁性 

磁界を加えると磁界と反対方向に磁化される
磁性をいい,磁界による電子の軌道運動の変
化が,磁界と反対方向の磁気モーメントを生
じるために起こる。 

diamagnetism 

121-12-38  

3-3-10 

メタ磁性 

反強磁性体,常磁性体などが,弱い磁界のも
とでは磁化は磁界に比例するが,ある強さ以
上の磁界では急激に磁化が増大して,強磁性
体と同程度の飽和磁化を生じる現象。 

metamagnetism 

121-12-50  

3-3-11 

磁気飽和 

磁界による強磁性体又はフェリ磁性体の磁気
分極若しくは磁化が最大値に達して,磁界を
それ以上大きくしても変化しない状態。  

magnetic  
 saturation 

121-12-59  

3-3-12 

飽和磁化 

強磁性体を外部磁界によって飽和にまで磁化
したときの自発磁化の値。 

saturation  
 magnetization 

221-01-04  

3-3-13 

残留磁化 

磁性体に作用する磁界をゼロにしたときに残
る磁化。 

remanent  
 magnetization, 
residual   
 magnetization 

121-12-65 
remanent 

(magnetic) 
polarization, 

121-12-66  
残留磁気, 
221-02-40  

3-3-14 

自発磁化 

強磁性体が,外部磁界を受けない状態で形成
している磁化。また,反磁性体では,その部
分格子がもつ磁化をいう。 

spontaneous  
 magnetization 

221-02-41  

3-3-15 

磁化過程 

磁性体に磁界を作用させて磁化を増加させる
過程。 

magnetization  
 process 

  

3-3-16 

磁化容易軸 

強磁性体の中で磁気異方性エネルギーが極小
になり,自発磁化が安定に向く方向。 

Axis of easy  
 magnetization 

  

3-3-17 

磁荷, 
磁気量 

磁石の磁極が互いに及ぼす磁気力の大きさを
基に定義した磁気的な量。磁荷q とq' との間
には クーロン力F が働き,次の式で表す。 

2

r

'q q

F

0

4πμ

=

ここに,r :磁荷q とq'間の距離 

0

μ:真空の透磁率。 

magnetic  
 charge,  
 quantity of  
 magnetism 

  

background image

42 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

3-3-18 

磁極 

磁荷の集中した場所。 磁極には正負の別があ
り,一個の磁石の中の全磁気量は0 であるか
ら,磁石には必ず正負両極の磁極が存在する。 

magnetic poles 

  

3-3-19 

磁界, 
磁場 

磁石相互間,電流相互間,又は磁石と電流と
の間に働く力の場。磁束密度 B ,磁界の強さ

H ,透磁率μとし,B =μH の関係式で表せる。 

magnetic field 

121-11-69, 
221-01-01  

3-3-20 

磁化率 

磁化 M と磁界 H との関係 M  =κH を表す
κ のこと。等方性物質ではスカラー,異方性
物質ではテンソルである。 

magnetic  
 susceptibility 

121-12-37, 
815-08-11  

3-3-21 

初期磁化率 

磁化曲線が直線でない強磁性体などの磁性体
の磁化してない状態に小さな外部磁界を加え
るとき,原点付近で磁化 M と磁界 H とは比
例関係 M =χH を示ときのχ。 

initial  
 susceptibility 

221-03-19  

3-3-22 

磁束密度 

運動している荷電粒子(電荷e ,速度 v )は,
磁界の中で e (v  x  B ) の 形で表せる力を
受けるときに決まるベクトル量 B。 

magnetic flux  
 density 

121-11-19  

3-3-23 

磁束 

磁場中のある一定面積を通りぬける磁力線の
垂直成分を足し合わせたもの。任意の(開い
た)曲面S の各点における法線方向の単位ベ
クトルをn ,磁束密度をB とするとき, 

Φ= ∫S B · n dS を曲面Sを貫く磁束をいう。 

magnetic flux 

121-11-21  

3-3-24 

透磁率 

磁束密度Bと磁界 H との関係式 B =μ H  に
おけるμ。 

(absolute)  
 permeability 

121-11-14 
magnetic 

constant: 
permeability of 
vacuum, 

121-12-28 
透磁率, 
705-03-14 
absolute 

permeability of 
vacuum: 

magnetic 

constant, 

705-03-15   

3-3-25 

初期透磁率 

磁化曲線が直線でない強磁性体などの磁性体
の磁化してない状態に小さな外部磁界を加え
るとき,始め,磁束密度 B と磁界 H とは比
例関係 B =μH を示すが,このときのμ。 

initial  
 permeability 

221-03-09  

3-3-26 

渦電流 

物質内の閉じたパスを流れる誘導電流。時間
的に変化する磁束によって導体内部に電磁誘
導によって環状の電圧が誘導され,その結果
渦電流が生じる。 

eddy currents 

121-12-32, 
815-04-53  

3-3-27 

起磁力 

閉曲線に沿って磁界を線積分した値。 

magneto- 
 motive force 

121-11-60  
磁気起電力  

background image

43 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

3-3-28 

磁気異方性 

常磁性体の磁化率,強磁性体の磁化,又は,
反強磁性体の部分格子の磁化が結晶格子の対
称性を反映して,結晶軸に関して方向依存性
をもつときの性質。  

magnetic   
 anisotropy 

221-01-08  

3-3-29 

磁化曲線, 
磁気ヒステリシス 
 曲線 

磁性体の磁化の強さ M と磁界の強さ H と
の関係を表す曲線。普通,強磁性体の磁化曲
線を指す。一般にヒステリシスを示し,磁化
の強さが磁界の強さによって一義的に定まら
ず,以前の磁化状態に関係する。 

magnetization  
 curve, 
magnetic  
 hysteresis 

curve 

121-12-58 
magnetizing 

curve, 

磁化曲線, 
121-12-61 
(magnetization) 

hysteresis 
loop, 

ヒステリシス

曲線  

3-3-30 

保磁力 

磁気飽和状態の強磁性体に磁化に逆向きの磁
界を作用させて,磁束密度,磁気分極,又は
磁化をゼロにするために必要な磁界の強さ。 

coercive  
 force, 
coercive  
 (magnetic)  
 field strength  

121-12-68, 
221-02-35  

3-3-31 

磁区 

強磁性体の内部で,原子の磁気モーメントが
平行にそろって,自発磁化が一定の方向をと
っている小領域。 

magnetic  
 domain, 
 (Weiss)  
 domain 

121-12-53  

3-3-32 

磁壁 

強磁性体の磁区の間の境界を指し,その境界
領域で磁気モーメントの方向がある磁区内の
方向から隣の磁区内の方向に次第に変化する
こと。 

domain wall 

212-02-44 
(121-12-54)  

3-3-33 

磁気回路 

電流回路との類推関係で考え,磁束の集中す
る強磁性体を導体とみて,その回路において
磁束を電流,起磁力を起電力,磁気抵抗を電
気抵抗に対比したもの。,オームの法則やキル
ヒホッフの法則が成立する。 

magnetic  
 circuit 

131-01-45  

3-3-34 

磁気抵抗 (磁気回 
 路の) 

磁気回路において電気抵抗に相当する量をい
い,リラクタンス(reluctance)ともいう。 

magnetic  
 resistance  
 (of a  
 magnetic  
 circuit) 

  

3-3-35 

磁気転移 

物質の相転移のうち,磁気的状態間の相転移
をいい,磁気変態ともいう。 

magnetic  
 transition 

  

3-3-36 

磁気余効 

磁性体の磁化が外部磁界の変化にただちに追
従できず,時間的遅れが生じる現象。 

magnetic  
 after-effect 

212-02-58  

3-3-37 

磁気共鳴 

磁気モーメントをもつ粒子が静磁界中にある
場合,振動磁界又は電磁波を印加したときに
生じる共鳴現象。 

magnetic  
 resonance 

  

background image

44 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

3-3-38 

磁気緩和 

外部磁界のもとで熱平衡状態にある物質の磁
気モーメント系に対して,外部磁界を急に変
えたときに,系が新しい熱平衡に達するまで
に時間的遅れが起こる現象。 

magnetic  
 relaxation 

212-02-57  

3-3-39 

キュリー温度 

物質の強磁性と非強磁性との間の遷移を起こ
す温度。 

Curie  
 temperature 

121-12-51, 
841-01-41 
Curie point  

3-3-40 

キュリーの法則 

常磁性体の磁化率 χが絶対温度 T に反比例
するという法則をいい,χ=C/T と表せる。こ
こに,C はキュリー定数である。 

Curie's law 

  

3-3-41 

キュリー・ワイス 
 の法則 

強磁性体,反強磁性体などが磁気転移温度以
上で示す常磁性の磁化率 

絶対温度 T との

間に χ=C/(T-Θ) の関係が成立するという法
則。ここに,C はキュリー定数,Θ は漸近キ
ュリー点である。 

Curie-Weiss'  
 law 

  

3-3-42 

ネール温度 

低温で反強磁性である磁性体が高温で常磁性
となるときの磁気転移温度。 

Néel  
 temperature 

121-12-52  

3-3-43 

核磁気共鳴 

原子核のスピンによる磁気共鳴をいい,核ス
ピン共鳴ともよばれる。 

nuclear  
 magnetic  
 resonance 

891-04-59, 
393-03-47  

3-3-44 

異方性磁界 

磁気異方性の効果と等価な磁界。 

anisotropy  
 magnetic  
 field 

  

3-3-45 

磁化困難軸 

自発磁化の不安定方向。 

axis of hard  
 magnetization 

  

3-3-46 

バルクハウゼン効 
 果 

磁界を連続的に増加していくときに,強磁性
体が磁壁の不連続移動に伴い磁化するため
に,磁束密度が不連続に変化すること。 電気
回路ではこの効果によって雑音が生じる。 

Barkhausen  
 effect, 
Barkhausen  
 jump 

212-02-47  

3-3-47 

電流磁気効果 

導体中の電流が磁界によって影響を受ける現
象の総称をいい,ホール効果,磁気抵抗効果
などがある。 

galvanomagnetic  
 effect 

  

background image

45 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

3-3-48  

磁気定数, 
真空透磁率 

電磁気的量と機械的量とを結びつけるスカラ
ー定数 

0

μをいい, 

d

|

I

I

|

F

2

1

0

2

=

π

μ

λ

の関係式から得られる。 ここに,

λ/

F

 は,

真空中に距離d の間隔で置かれた,断面積が
非常に小さく,それぞれI 1,I 2 の電流が流れ
る二本の平行な直線導体の間に働く単位長さ
当たりの力。 

備考1. 真空中では磁気定数と磁界の強

さの積は磁束密度に等しい。 

B = μ0 H   

2. 磁気定数は,電気定数(真空の誘

電率) ε0,真空中の光速 c0 と 

1

2

0

0

0

  

 c 

=

ε

μ

の関係がある。 

3. 磁気定数

0

μの値は正確に 

4π×10-7 (m kg s-2 A-2 )= 1.256 

637 061 4… (μH/m) に等しい。 

magnetic  
 constant,   
 permeability  
 of vacuum 

121-11-14 
magnetic  
 constant:  
 permeability   
 of vacuum, 
705-03-14 
magnetic  
 constant;  
 absolute  
 permeability of  
 vacuum   

3-3-49  

磁気双極子モーメ 
 ント 

磁気量の双極子モーメント,すなわち磁気双
極子の強さを表す量。厳密には磁気双極子モ
ーメント(magnetic dipole moment)という。磁性
体の磁気モーメント m は単位体積当たりの
磁化 M  の体積積分 
m  = ∫ M  dV  
で表される。 磁性体を,これに等価な電流 I 
が流れる微小電流ループ(面積ベクトル S )
で表すとき, m = I S の関係がある。 
備考 

j = μ0 m  
を,磁気モーメントと定義することもある。 

magnetic 
 moment 

121-11-55, 
221-01-07  

4) 誘電的性質  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

3-4-1 

分極 

電荷又は磁荷の分布が変化して双極子モーメン
トが変化する現象,又は生じた双極子モーメン
トの単位体積当たりの値。 

備考 偏極ともいう。 電気の場合は誘電分

極又は電気分極,磁気の場合は磁気
分極又は磁化という。 

polarization 

121-11-37 
electric 

polarization, 

電気分極, 
121-11-54 
magnetic 

polarization, 

background image

46 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

磁気分極  

3-4-2 

分極率 

電界の中におかれた原子又は分子に誘起される
双極子モーメントp と電界の強さEとの比で,
一般的には p =α Eで定義されるαをいう。 

polarizability 

  

3-4-3 

分極電荷 

誘電分極 P によって生じる電荷をいう。 

polarized  
 charge 

  

3-4-4 

分極電流 

誘電分極 P の時間的変化による局所的な電流。 polarization  

 current 

  

3-4-5 

誘電分極 

電気的な分極で,電気分極ともいう。特に誘電
体(絶縁体)の分極によって生じた単位体積当
たりの双極子モーメント P を指すことが多く,
電界をE ,電束密度をD とすると,次の式で
表す。 

P = D ‒ε0E 

dielectric  
 polarization 

  

3-4-6 

電束密度 

強さEの電界が誘電体に作用するとき,誘電体
の分極をPとすれば 

D = ε0 E + P  

で与えられる D を電束密度という。ただし,ε0 
は真空の誘電率。 

electric flux  
 density 

121-11-40  

3-4-7 

変位電流 

電束密度の時間的変化に起因して流れると考え
た電流。 電束密度を D ,時間を t とすると,
変位電流密度 j は,次の式で表す。 

 D

j

=

参考 真電荷の移動による電流密度と変位

電流密度とを加えた電流密度ベクト
ルの発散はゼロとなり,わき出しの
ない場を作り,常に閉じている。 

displacement  
 current 

121-11-43, 
(121-11-42  
変位電流密度)  

3-4-8 

自発分極 

電界をかけない状態で誘電体が形成している誘
電分極をいう。 

spontaneous  
 polarization 

  

3-4-9 

電磁誘導 

一つの閉じた回路(二次回路)の近くで,電流
の流れている他の回路(一次回路)又は磁石を
動かせば 二次回路に電流が流れる現象 。 

electromagneti 
 c induction 

121-11-30  

3-4-10 

誘電率 

電束密度 D と電界 E との関係D  = ε E を与
えるεをいう。 

(absolute)  
 permittivity, 
dielectric  
 constant  

121-12-12, 
212-01-21 
(121-01-36) 
705-03-32  

3-4-11 

誘電分散 

誘電体にある周波数以上の交流電界を印加する
とき,誘電体双極子の回転又は反転が電界の変
化に追従できず,そのために誘電率の減少が生
じる現象。 

dielectric  
 dispersion 

  

3-4-12 

誘電吸収 

誘電体にある周波数以上の交流電界が印加され
て誘電分散を生じたとき,周波数が高くなった
ため誘電体に吸収されるエネルギーが大きくな
る。このエネルギー吸収を,誘電吸収という。 

dielectric  
 absorption 

  

background image

47 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

3-4-13 

誘電余効 

誘電体の誘電分極が,外部電界の変化に追従で
きずに時間的遅れをもつ現象。 

dielectric  
 after-effect 

  

3-4-14 

誘電損失 

誘電体に交流電界を加えたときにエネルギーが
熱として失われる現象,又はその量をいう。  

dielectric loss 

121-12-11, 
212-01-25, 
841-06-02  

3-4-15 

誘電緩和 

誘電体中の電荷が中和して消失する現象。 

dielectric  
 relaxation 

  

3-4-16 

誘電緩和時間 

誘電体中に発生した電荷が中和して消失するま
での時間。 

dielectric  
 relaxation  
 time 

  

5) その他(熱的,応力的及び複合的)  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

3-5-1 

熱容量 

物体の温度を単位温度だけ上昇させるのに必要
な熱量。一様な物体では,熱容量は比熱と質量
との積で得られる。 

heat capacity 

(841-01-32)  

3-5-2 

比熱 

単位質量の物質の温度を,単位温度だけ上げる
のに必要な熱量。 

specific heat 

841-01-33 
specific 

heat 

capacity  

3-5-3 

熱伝導 

物質の移動なしに熱が物体の高温部から低温部
へ移動する現象。 

heat  
 conduction, 
thermal  
 conduction 

841-01-43 
thermal 

conduction  

3-5-4 

弾性率 

弾性体の応力とひずみとの比を表す定数。ヤン
グ率,剛性率,体積弾性率などがある。 

modulus of  
 elasticity 

  

3-5-5 

ヤング率 

弾性率の一種で,伸び弾性率ともいう。一様な
太さの棒の一端を固定し,他端を軸方向に引く
(又は押す)場合,棒の断面に働く応力をT,
単位長さ当たりの伸び(又は縮み)をεとすれ
ば,比例限界内で T = E ε という関係が成り立
つ。 この比例定数 E は物質固有の定数で,こ
れをヤング率という。 

Young's  
 modulus 

  

3-5-6 

剛性率 

弾性率の一種。ずれ弾性率または剪(せん)断
弾性率ともいう。弾性体の正四角柱の底面とそ
の平行面とに大きさτでその方向が反対のずれ

shear modulus 

  

background image

48 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

応力を働かせると,断面が頂角 90°±Θ のひし

形にひずみ,比例限界内で τ= nΘという比例関
係が成り立つ。 その係数 n は物質固有の定数
で,これを剛性率という。 

3-5-7 

ポアソン比 

一様な太さの棒の両端に力を加えて引き伸ばす
(又は押し縮める)と,棒の横方向には逆に縮
む(又は伸びる)が,棒の軸方向の単位長さ当
たりの伸びをα,横方向の単位長さ当たりの縮
みをβとするとき,σ =β/αは弾性の比例限界内
で物質固有の定数であり,このσを,ポアソン
比という。 

Poisson's ratio 

  

3-5-8 

降伏応力 

物体に弾性限界を越えて応力が働くとき,応力
の増加がほとんどないままで塑性ひずみが急激
に増加するとき(これを,降伏という。)の応力
の大きさ。降伏点ともいう。  

yield stress 

  

3-5-9 

熱膨張率 

圧力一定のもとで物体が熱膨張するとき,その
比率の温度変化に対する割合を示す量。 

thermal  
 expansion  
 coefficient 

  

3-5-10 

熱応力 

2種類以上の材料がある温度で応力がない状態
で密着して接合している場合に温度を変化させ
たときに,各材料の熱膨張係数が異なるために
発生する応力。 

thermal stress 

  

3-5-11 

熱電効果 

金属又は半導体中の熱の流れと電流とが相互に
影響を及ぼし合う効果の総称。ゼーベック効果,
ペルチェ効果,トムソン効果などがある。 

thermoelectric  
 effect 

(121-12-73 
thermoelectric,
熱電

)  

3-5-12 

ゼーベック効果 

接触電位差が温度に依存する熱電効果。 

備考 異なる二つの物質から成る閉回路で

は,二つの接合部の温度が異なると,
ゼーベック効果によって電流が生じ
る。 

Seebeck effect 

121-12-79  

3-5-13 

ペルチェ効果 

異種の導体(又は半導体)の接点に電流を通す
とき,接点でジュール熱以外に熱の発生又は吸
収が起こる現象。 

Peltier effect 

121-12-80  

3-5-14 

焦電効果 

結晶の一部を熱したときに,表面に電荷を生じ
る現象。 

pyroelectric  
 effect 

  

3-5-15 

ピエゾ効果, 
圧電効果 

物質に外力を加えて応力変形を与えると誘電分
極を生ずる現象(一次ピエゾ効果),又は逆に,
外部電界によって誘電分極を生じさせると,物
質に外部電界に比例した機械的変形を生じる現
象(二次ピエゾ効果)。 

piezoelectric  
 effect 

121-12-86  

3-5-16 

電気ひずみ 

誘電体に電界をかけたときにわずかな変形(ひ
ずみ)を生ずる現象又はその変形をいう。圧電
気の逆効果によるものは電界Eの1次関数であ
るが,これを除いてE 2 に比例するものだけを

電気ひずみということもある。 

備考 電歪(でんわい)ともいう。 

electrostriction 

121-12-26  

3-5-17 

磁気ひずみ 

強磁性体に外部から磁界を印加して磁化すると
き弾性ひずみが発生する現象又はそれによる磁

magnetostric- 
 tion 

121-12-75  

background image

49 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

性体形状の可逆的変形。 強磁性では磁区が自然
磁化の方向に 10-5 〜 10-6  程度ひずんでいる
が,外部磁界を加えると磁化の方向が回転する
ことによって磁区のひずみの方向,大きさが変
化し,試料に変形を生じる。 

備考 磁歪(じわい)ともいう。 

3-5-18 

ひずみ抵抗効果 

抵抗体に引張り又は圧縮応力を加えるとその抵
抗値が変化する現象。抵抗体を線条にするとき
のひずみ感度をη,抵抗値をR,線の長さをL
とするとき, 

η = (ΔR/R)/(ΔL/L) 

となる。 

strain  
 resistance  
 effect  

  

3-5-19 

電気光学効果 

透明な固体又は液体に電界を加えたとき,光学
的性質が変化する現象。 屈折率変化が電界の強
さに比例するときをポッケルス効果といい,電
界の2乗に比例するときをカー効果という。 

electro-optic  
 effect 

731-01-42  

3-5-20 

ポッケルス効果 

電気光学効果の一種で,透明な等方的な媒質の
屈折率が外部の電界の強さに比例する異方性を
示す効果。これに対して,電界の2乗に比例す
る電気複屈折をカー効果という。 

Pockels effect 

121-12-94  

3-5-21 

カー効果 

電気光学効果の一種で,透明な等方的な媒質の
屈折率が外部電界の2乗に比例した異方性(電
気複屈折)を示す効果(電気光学的カー効果)。
これに対して,電界に比例する電気複屈折をポ
ッケルス効果という。 

Kerr effect 

121-12-95 
(electro-optic)  
 Kerr effect, 
(電気光学的) 
 カー効果  

3-5-22 

磁気光学効果 

分子又は結晶の光学的性質に対して磁界が及ぼ
す効果の総称。 ゼーマン効果,ファラデー効果,
磁気複屈折,磁気円2色性,磁気的カー効果,
磁気振動吸収などがある。 

magneto-optic  
 effect 

731-01-43  

3-5-23 

磁気的カー効果 

磁気光学効果の一種で,磁界内の物質表面又は
磁性体表面で直線偏光が反射するとき,光の偏
光面が回転する現象。 

magnetic Kerr  
 effect 

121-12-97  

3-5-24 

ファラデー効果, 
ファラデー回転 

磁気光学効果の一種で,磁界中におかれた透明
媒質中を直線偏光が磁界と平行に伝ぱするとき
偏光面が回転する現象。 

Faraday  
 effect, 
Faraday  
 rotation 

121-12-100 
(221-05-02 
MOD), 
221-05-02, 
726-16-04  

3-5-25 

音響光学効果 

結晶に音波によるひずみを加えることで屈折率
が変化する効果。光の変調に利用できる。 

acoustooptic  
 effect 

731-01-41  

d) 材料の性質  

1) 導体  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

4-1-1 

導体 

導電率(電気伝導率)又は熱伝導率の大きい

conductor 

121-12-02 

background image

50 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

物質。金属は自由電子又は正孔密度が高く,
導電率,熱伝導率ともに大きい物質である。
伝導体,良導体ともいう。 

 conductor   
 (general  
 sense): 
 conducting  
 medium, 
導体, 
521-02-16  

4-1-2 

半金属 

伝導帯と価電子帯とがわずかに重なってい
る物質で,絶対零度でも自由電子,自由正孔
をもつが,その数は金属に比べて非常に少な
い。 

例 グラファイト,ひ素,アンチモン,

ビスマスの単結晶。 

semimetal 

  

4-1-3 

残留抵抗率, 
残留比抵抗 

金属の抵抗率は温度の減少とともに減少す
るが,絶対零度で残る金属の抵抗率。 

備考 マティーセンの規則の定義におけ

る ρi に相当する。 

residual  
 resistivity 

815-04-63  

4-1-4 

マティーセンの規 
 則 

金属の抵抗率 ρ が欠陥に起因する温度に依
存しない抵抗率ρi とフォノン散乱に起因す
る温度上昇とともに増加する抵抗率ρL(T ) 
との和  

ρ = ρi + ρL(T) 

で表されるという規則。ここに ρL(0)=0 であ
る。 

Matthiessen's  
 law 

  

4-1-5 

抵抗器 

電気回路又は電子回路において,抵抗をもつ
物質を利用し,その両端に電圧を加えたとき
の電流の制限又は電圧の降下を生じさせる
ための素子。 

resistor 

  

4-1-6 

接着 

同種又は異種の固体の面が それ自体又は介
在物質との間の化学的若しくは物理的な力
又はその両者によって結合した状態。 

adhesion 

  

4-1-7 

はんだ 

~450 ℃ 未満の低い融点をもつ溶接用溶加
剤。 軟ろうともいう。 

solder, 
soft solder 

   

4-1-8 

ろう 

~450 ℃ 以上の高い融点をもつ溶接用溶加
剤。硬ろうともいう。 

brazing filler  
 metal, 
hard solder 

  

4-1-9 

ろう付け(一般) 

はんだ,又は硬ろうを用いて,母材をできる
だけ溶融せずに行う溶接方法。 

brazing 
 (general), 
soldering 

851-01-02  

4-1-10 

硬ろう付け, 
ろう付け 

硬ろうを用いて母材をできるだけ溶融せず
に行う溶接方法。 

hard soldering,  
brazing  

851-01-03  

4-1-11 

ろう接 

母体金属よりも低融点の非鉄金属又は合金
を溶融することで二つの金属を一体に結合
すること。 

brazing and  
 soldering 

  

4-1-12 

はんだ付け, 
軟ろう付け 

はんだを用いて母材をできるだけ溶融せず
に行う溶接方法。ろう接の一種。 

備考 “はんだ”の由来は,福島県の半

田鉱山での産出又はマレー諸島バ

soldering,  
soft  
 soldering 

  

background image

51 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

ンダ島ともいわれている。 

4-1-13 

めっき 

物質の表面に化学的,電気化学的などの方法
によって金属膜を被着させること。 

plating 

  

4-1-14 

溶接 

2個以上の金属を,接合される金属間に連続
性があるように,熱,圧力,又はその双方を
加えて,それらの金属を溶融させ溶かし混ぜ
合わせて一体とすること。接合のとき接合面
にフィラー(充てん剤)を用いることも用い
ないこともある。 

備考 接合部に電流を流してのジュール

熱の加熱と圧力とによる電気抵抗
溶接,単なる加熱と圧力の鍛接,
又は圧力だけによる圧接がある。 

welding 

851-01-01  

4-1-15 

アモルファス金属 

非晶質状態の金属。 結晶粒又は光子欠陥が
ないため,高強度,高耐食,高透磁率などの
性質を生じる。 

amorphous  
 metal 

  

4-1-16 

表面実装技術, 
SMT 

部品穴をを用いた挿入形実装方法とは反対
に,回路基板上で部品と同一面ではんだ付け
を行うことによる基板上への部品実装技術。
回路基板(プリント基板も含まれる。)上へ
の導体パターンの表面に,部品の電気的接続
が行われる。 

surface-mount  
 technology,  
SMT 

(541-04-01 
surface 

mounting)  

4-1-17 

表面実装デバイ 
 ス, 
SMD 

回路基板の表面に,表面実装技術によって搭
載された電子デバイス又は機械的部品。 

surface-mount  
 device,  
SMD 

  

4-1-18 

表皮効果 

導体内を流れる高周波の電流が導体の表面
付近だけを流れ,内部には流れない現象。 

skin effect 

121-13-18, 
841-01-24  

2) 半導体  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

4-2-1 

半導体 

室温での導電率が金属と絶縁体との中間[お
よそ 105〜10-8 (S/m)]にある物質。およそ2
〜3 (eV) 以下のバンドギャップをもち,絶対
零度では自由電子(正孔)をもたないために
絶縁体であるが,温度の上昇とともに自由電
子(正孔)密度が増加し,室温では電気伝導
をもつようになる。また,不純物のドーピン
グで N形,P形 の伝導の形の制御ができる。 

参考 導電率の温度係数が金属は負であ

るのに対し,半導体及び費絶縁体
は正である。しかし,半導体と絶
縁体との間の厳密な区別は難し
い。例えば,ダイヤモンドは,純
粋なものは絶縁体であるが,不純

semiconductor 

121-12-06, 
394-10-01, 
521-02-01  

background image

52 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

物を入れ半導体化することができ
る。 

4-2-2 

単元素半導体 

単一の元素の原子の化学結合で構成される
半導体。 

single-element  
 semiconductor 

521-02-02  

4-2-3 

化合物半導体 

2種類以上の元素の原子の化学結合によって
構成される半導体。一般には元素比は一定で
あるが,元素比に自由度がある混晶半導体も
これに含める。 

compound  
 semiconductor 

521-02-03   

4-2-4 

混晶半導体 

複数の元素の原子で構成され,その元素の組
成比がある制限の下に連続的に変化できる
結晶半導体。 

参考 IV 族原子の混晶Si1-xGex (0 ≤x 

≤1),III-V 族の混晶 AlxGa1-x 
AsyP1-y  (0 ≤x ≤1,0 ≤y ≤1),II-VI 
族の混晶 CdxZn1-x Te (0 ≤x ≤1) な
どがある。 

mixed crystal  
 semiconductor 

  

4-2-5 

非縮退半導体 

不純物半導体で,フェルミ準位がエネルギー
ギャップ中のにあり,その位置が両バンド端
から 少なくとも 2kBT (kB: ボルツマン定
数,T : 絶対温度)以上離れている半導体。 キ
ャリヤ密度の表式のためにボルツマン統計
の近似を用いることができる。  

nondegenerate  
 semiconductor 

521-02-12  

4-2-6 

縮退半導体 

不純物半導体でドナーやアクセプタ密度が
大きいためにフェルミ準位がエネルギーギ
ャップ中のバンド端に近いところか又はバ
ンドの中に位置し,キャリヤ密度の表式のた
めにボルツマン統計の近似を用いることが
できず,フェルミ統計を用いる必要のある半
導体。 

degenerate  
 semiconductor 

521-02-13  

4-2-7 

キャリヤ, 
電荷キャリヤ 

真空,固体,気体又は 液体中を移動して電
荷を運び電流を生じさせる電子,正孔,イオ
ンなどの荷電粒子。半導体においては,伝導
帯の自由電子と価電子帯の正孔とを指す。  

参考 厳密には電荷キャリヤ(charge 

carrier)というべきで,一般には,
キャリヤガスなどのように何かを
運ぶものという意味である。 

carrier, 
charge carrier 

111-14-44  
電荷担体, 
394-18-71 
(111-14-44)  
電荷キャリヤ, 
521-02-51  

4-2-8 

有効質量, 
実効質量 

結晶中の伝導電子はその波動性のため,原子
の作る周期的なポテンシャル,電子間相互作
用,電子−格子相互作用などの影響を受け
る。したがって,運動に現れる質量は,真空
中の値とは異なる。 電子エネルギーをE ,
波数ベクトルを k ,プランク定数をh とす
ると,有効質量m*は, 

effective mass 

  

background image

53 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

β

α

αβ

k

k

E

*

m

=

2

2

1

η

(α,β =x,y,z)  

によって与えられる。 

4-2-9 

伝導電子(半導体 
 の), 
自由電子(半導体 
 の) 

一般には,真空中の電子のように自由に運動
することのできる電子をいい,半導体では,
伝導帯中を自由に運動し伝導に寄与する電
子を指す。 

備考 半導体の伝導現象を議論するとき

には,単に電子というと伝導帯中
の自由電子を指す。 

conduction  
 electron (in a  
 semiconductor), 
free electron (in  
 a semiconductor) 

111-14-41, 
521-02-14  

4-2-10 

正孔, 
ホール 

半導体の価電子帯中の価電子が抜けて生じ
た孔(ホール)を仮想の正電荷 +e (電気素
量)をもつ荷電粒子と考えたもの。   

備考 ホールの発生によって残りの価電

子は運動が可能となり電荷を運ぶ
ことができるようになる。その電
流の表式は,ホールが +e の電荷
をもち,これが電荷を運ぶと考え
た場合と同じになる。 

(positive) hole 

111-14-42, 
394-18-72, 
521-02-17  

4-2-11 

軽い正孔 

エネルギーの波数依存の異なる2種類の価電
子帯のうち,波数依存の大きい価電子帯に属
する有効質量の小さい正孔。 

light hole 

  

4-2-12 

重い正孔 

エネルギーの波数依存の異なる 2種類の価
電子帯のうち,波数依存の小さい価電子帯に
属する有効質量の大きい正孔。 

heavy hole 

  

4-2-13 

真性半導体 

理想的には,内部に不純物,欠陥を含まない
半導体で,熱平衡状態のキャリヤが,価電子
帯から伝導帯への価電子の熱励起だけによ
って生じる電子及び正孔で構成されるもの。 
電子密度と正孔密度とが等しい。 

参考 現在の技術では,不純物の混入又

は欠陥の生成が避けられず,完全
な真性半導体を作ることは困難で
ある。 

intrinsic  
 semiconductor 

394-10-02, 
521-02-07 
intrinsic  
 semiconductor; 
semiconductor 
type I, 
真性半導体; 
I 形半導体  

4-2-14 

真性キャリヤ密度 

真性半導体では電子密度と正孔密度とは等
しいが,その密度をいう。 

intrinsic carrier  
 density,  
intrinsic carrier  
 concentration 

  

4-2-15 

真性準位 

真性半導体のフェルミ準位。ほぼ,バンドギ
ャップの真中に位置する。 

intrinsic level 

  

4-2-16 

不純物 (半導体中 
 の) 

単元素半導体中にあっては構成元素以外の
原子,化合物半導体にあっては構成元素以外
の原子又は構成元素の化学量論比から増減
した原子。一般に,キャリヤ密度又は移動度

impurities (in a  
 semiconductor) 

521-02-04  

background image

54 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

に影響を与える。 

4-2-17 

不純物半導体, 
外因性半導体 

内部に含まれる不純物,欠陥のイオン化によ
って生じた電子又は正孔がキャリヤ発生の
主体となる半導体。 

impurity  
 semiconductor,  
extrinsic  
 semiconductor 

394-10-04, 
521-02-08  

4-2-18 

多数キャリヤ 

不純物半導体の熱平衡状態のキャリヤ(電子
及び正孔)のうち,密度の大きい方のキャリ
ヤ。 

majority carrier 

521-02-52  

4-2-19 

少数キャリヤ 

不純物半導体の熱平衡状態のキャリヤ(電子
及び正孔)のうち,密度の小さい方のキャリ
ヤ。 

minority carrier 

521-02-53  

4-2-20 

N形半導体 

電子が多数キャリヤである不純物半導体。 

N-type  
 semiconductor 

394-10-05, 
521-02-09 
N-type 

semiconductor; 

electron 

semiconductor
, 

N 形半導体, 
電子過剰半導

体  

4-2-21 

P形半導体 

正孔が多数キャリヤである不純物半導体。 

P-type  
 semiconductor 

394-10-06, 
521-02-10, 
P-type 

semiconductor; 

hole 

semiconductor 

P形半導体, 
正孔過剰半導

体  

4-2-22 

ドナー 

N形半導体を作るための不純物元素で,半導
体中でイオン化して伝導帯に電子を供与し
伝導電子を作り,自らは正に帯電する不純物
及び欠陥。 

donor 

521-02-38   

4-2-23 

アクセプタ 

P形半導体を作るための不純物元素で,半導
体中でイオン化して価電子帯から価電子を
授受し正孔を作り,自らは負に帯電する不純
物及び欠陥。 

acceptor 

521-02-39  

4-2-24 

不純物準位 

半導体中の不純物の作るエネルギー準位。 

impurity level 

521-02-36  

4-2-25 

ドナー準位 

ドナーの作るエネルギー準位。 

donor level 

521-02-40  

4-2-26 

アクセプタ準位 

アクセプタとして働く不純物のエネルギー
準位。通常,バンドギャップ中の価電子帯上
端に近い位置にある。 

acceptor level 

521-02-41  

4-2-27 

浅い準位 

不純物準位のうち,伝導帯の下端又は価電子
帯の上端から 室温の kBT(kB: ボルツマン定

shallow level 

  

background image

55 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

数,T: 絶対温度)の程度離れたエネルギー
ギャップ中の浅いところに位置し,室温でほ
ぼ100 %イオン化してドナー又はアクセプ
タとして働くもの。 

4-2-28 

深い準位 

不純物準位のうち,伝導帯,価電子帯のバン
ド端から室温の kBT(kB : ボルツマン定数,

T : 絶対温度)から十分離れたエネルギーギ

ャップ中の深いところに位置し,主にキャリ
ヤの捕獲又は再結合中心として働くもの。 

deep level 

  

4-2-29 

(不純物)補償 

ドナーとアクセプタとが共存するときに,ド
ナーが電子を供与する働きとアクセプタが
正孔を供与する働きとが,部分的又は完全に
互いに相殺すること。 

(impurity)  
 compensation 

521-03-06   

4-2-30 

質量作用の法則  
 (半導体におけ 
 る) 

熱平衡状態で電子密度と正孔密度との積が
一定(n0p0=ni2,n0: 熱平衡状態の電子密度,

p0:熱平衡状態の正孔密度,ni : 真性密度)と

なる法則。 

参考 質量作用の法則と電荷の中性条件

によって,熱平衡状態にある不純
物半導体では,

0

0

p

n

n

i>>

>>

(N

形半導体),又は 

0

0

n

n

p

i>>

>>

(P形半導体)と

なる。 

law of mass  
 action (in a  
 semiconductor) 

  

4-2-31 

ドーピング 

半導体結晶内部にドナー又はアクセプタ不
純物を導入すること。半導体では,P形,N
形の制御並びにそのキャリヤ密度の制御に
用いる。 

doping 

521-03-05 
doping (of a 

semiconductor)  

4-2-32 

真性伝導 

半導体において,不純物,欠陥に基づくキャ
リヤによる伝導が無視でき,バンド間の熱励
起によって生じた真性キャリヤによる伝導
が主体の伝導。 

intrinsic  
 conduction 

521-02-20  

4-2-33 

不純物領域 

不純物半導体において,ドナー又はアクセプ
タが完全にイオン化していず,温度の増加と
ともにイオン化が進みキャリヤ密度が増加
する比較的低温の温度領域。 

impurity region 

  

4-2-34 

飽和領域 

ドナー又はアクセプタがすべてイオン化し
てキャリヤ密度の温度依存のない温度領域。 

saturation region 

  

4-2-35 

真性(温度)領域 

高温において,価電子帯から伝導帯への熱励
起によって生成されるキャリヤ密度が,飽和
領域の不純物,欠陥によるキャリヤ密度を越
え,真性伝導が主体となる高温温度領域。 

参考 不純物半導体においても高温では

真性伝導が主体となり,P形及び 
N形の特性が失われる。 

intrinsic  
 (temperature)  
 region 

  

4-2-36 

キャリヤの発生 

熱励起,光などの外部エネルギーによる励起

generation of  

  

background image

56 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

でキャリヤが発生すること。 

 carriers 

4-2-37 

再結合 (電子・正 
 孔対の) 

伝導帯中の1個の電子と価電子帯中の1個の
正孔とが結合し消滅すること。  

備考 一般には,通常安定な粒子の分解

により生じた高エネルギー状態に
ある正負の粒子対が,再び結合し
て(必ずしも元の相手の必要はな
い。)安定状態に戻ることをいう。
電子と正孔とが他の不純物又は欠
陥準位を介さずに再結合すること
を直接再結合といい,他の不純物
又は欠陥準位を介して再結合する
ことを間接再結合という。 

参考 再結合するときに放出されるエネ

ルギーは,光子,フォノンの発生
に使われたり,又は他のキャリヤ
の励起に使われる。 

recombination  
 (of an  
 electron-hole  
 pair) 

111-14-60, 
393-03-04, 
881-02-76  

4-2-38 

発生中心 

半導体の不純物又は欠陥中心で,バンドギャ
ップ中にそのエネルギー準位を作り,この準
位を介して電子及び正孔との発生を促進す
るもの。 

参考 エネルギー準位がバンドギャップ

の中央付近にあるときに,キャリ
ヤ発生が最も促進される。 

generation  
 center 

  

4-2-39 

再結合中心 

半導体中の不純物又は欠陥中心で,バンドギ
ャップ中にそのエネルギー準位を作り,この
準位を介して電子と正孔との再結合を促進
するもの。 

参考 エネルギー準位がバンドギャップ

の中央付近にあるときに,再結合
が最も促進される。 

recombination  
 center 

  

4-2-40 

トラップ,  
捕獲中心 

伝導帯の電子,又は価電子帯の正孔を捕獲す
る不純物又は欠陥中心。 

trap, 
capture center 

521-02-63  

4-2-41 

表面再結合 

半導体の表面又は他の物質との界面に生じ
た表面(界面)準位を介して行う,電子と正
孔との再結合。 

surface  
 recombination 

  

4-2-42 

表面再結合速度 

表面再結合の速さを表す物理量で,単位面
積,単位時間当たりに表面再結合で消滅する
過剰キャリヤ数をU 個/(s・m2),表面の過剰
キャリヤ密度を c(1/m3) とするとき,表面再

結合速度 s (m/s) は,s = U/c で 与えられる。 

surface  
 recombination  
 velocity 

521-02-56  

4-2-43 

キャリヤの消滅 

電子と正孔との再結合,トラップへの捕獲な
どによってキャリヤが消滅すること。 

extinction of  
 carriers 

  

4-2-44 

過剰少数キャリヤ 
 密度 

熱平衡の少数キャリヤ密度を越える少数キ
ャリヤ密度。 

excess minority  
 carrier density 

(521-02-54 
excess carrier)  

background image

57 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

4-2-45 

少数キャリヤの注 
 入 

PN 接合又は金属/半導体接合への電圧印加
によって,N形又は P形半導体にそれぞれ少
数キャリヤである正孔,又は電子が拡散注入
されること。 

minority carrier  
 injection 

  

4-2-46 

少数キャリヤの寿 
 命 

半導体中に生成又は注入された過剰少数キ
ャリヤが多数キャリヤと再結合し消滅する
までの平均時間。多数キャリヤ密度が一定と
みなせるときには,少数キャリヤの寿命は一
定で,過剰少数キャリヤ密度が 1/e になる時
間に対応し,過剰少数キャリヤ密度の減少速
度は,過剰少数キャリヤ密度と少数キャリヤ
の寿命の逆数との積で表される。 

minority carrier  
 lifetime 

521-02-57  
bulk lifetime (of 

minority 
carriers)  

4-2-47 

捕獲断面積 

電子又は正孔の捕獲確率の大きさを表す断
面積。 

capture  
 cross-section 

  

4-2-48 

フォノン散乱 

フォノンとの相互作用によって生じるキャ
リヤの散乱。 

phonon  
 scattering 

  

4-2-49 

不純物散乱 

中性不純物又はイオン化不純物との相互作
用によって生じるキャリヤの散乱。  

impurity  
 scattering 

  

4-2-50 

合金散乱 

混晶半導体(合金半導体)において原子組成
比が場所によって一様でなく,クラスターな
ど局所的空間不均一分布が存在することに
よって生じる散乱。 

alloy scattering 

  

4-2-51 

キャリヤ・キャリ 
 ヤ散乱 

キャリヤ同志の相互作用によって生じる散
乱。 同種キャリヤ間(電子-電子,正孔-正孔)
の散乱と 異種キャリヤ間(電子-正孔)の散
乱との両者がある。 

carrier-carrier  
 scattering 

  

4-2-52 

発光再結合 

発光を伴って行う再結合。 

radiative  
 recombination 

  

4-2-53 

非発光再結合 

発光を伴わずに行う再結合。 

nonradiative  
 recombination 

  

background image

58 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

3) 誘電体(ガラスを含む)  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

4-3-1 

誘電体 

静電界を加えるとき誘電分極を生じる
が,直流電流を生じない物質。交流電界
を加えるときは,ある特定周波数領域で,
変位電流より小さな交流電流を誘起す
る。 

備考1. 正弦波の下では,等方性媒

質では次の関係を満たすと
き誘電体である。 

r

0

ε

ω

ε

γ

>>

ここに,γ:導電率 

ε0:電気定数 
ω:角周波数 
εr:比誘電率の実数部分 

2. 異方性媒質では,ある特定

の方向にだけ誘電体である
場合がある。 

dielectric 

121-12-10 
(705-03-07 
MOD) 
dielectric  
 medium;  
dielectric 
(noun), 
誘電体, 
212-01-04, 
705-03-07 
dielectric  
 (medium)  

4-3-2 

強誘電体 

電界を加えない状態で自発的な誘電分極
をもつ誘電体。誘電分極の方向はある領
域の範囲内でほぼ同方向を向いており,
誘電分極と電界との間にはヒステリシス
特性が観測される。 

ferroelectric 

121-12-23, 
[121-12-24 
強誘電体の 
ferroelectric 
(adj)]  

4-3-3 

反強誘電体 

結晶の中の二つの部分格子が反対方向に
自発分極を起こし,それが打ち消し合っ
て結晶全体としての自発分極がゼロにな
る物質。 

antiferroelectric, 
antiferroelectric  
 substance 

  

4-3-4 

絶縁体 

電気又は熱を伝えない物質。実際上は,
電気伝導率及び/又は熱伝導率が十分小
さい物質をいう。 

insulator 

121-12-05 
insulating 

medium;  

insulant, 
212-01-01 
insulating 

material  

4-3-5 

絶縁破壊 

絶縁体に作用する電界がある限度以上に
なると,ほとんど不連続的に絶縁性を失
って大電流を通すようになる現象。 

dielectric  
 breakdown 

212-01-29 
(electric) 

breakdown, 

604-03-37 
breakdown  

4-3-6 

セラミックス 

成形,焼成などの工程を経て得られる非
金属無機材料をいう。 

ceramic 

212-05-24  

4-3-7 

ガラス状態 

液体を結晶化させることなく冷却して,
その粘度が固体と同じ程度の大きさに達

vitreous state 

  

background image

59 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

した非晶質(無定形)状態をいう。 

4-3-8 

ガラス 

一般にはガラス状態にある物質をいう
が,通常はけい酸塩ガラス,ほうけい酸
ガラスなどを指す。 

glass 

212-05-25  

4-3-9 

結晶性ガラス 

ガラスの粉末とアルミナ,コーデュライ
トなどの粉末とを混合した特殊な組成の
ガラスを溶融・成形した後で,よく制御
された条件の元で再加熱して元の形を変
えることなく規則正しい構造をもつ微結
晶体に作ったもの。 

crystallized glass 

  

4-3-10 

非晶質ガラス 

ガラスのうち,結晶化ガラス以外のもの
を特に指す。 

amorphous glass 

  

4-3-11 

ガラス転移 

通常のガラスは高温では液体であるが,
温度の降下によってある温度範囲で急激
にその粘度を増し,ほとんど流動性を失
って非晶質固体となる。このような変化
をガラス転移といい,このときの温度を
ガラス転移温度という。 

glass transition 

  

4-3-12 

熱刺激電流 

光又は電界によって励起又は分極された
荷電粒子が低温で凍結され,次いで,励
起を除いた状態にして温度上昇させる過
程で熱的に凍結が解放されて生じる変位
電流。 

thermally activated  
 current 

  

4-3-13 

熱刺激発光 

光又は電界によって,励起又は分極され
た荷電粒子が低温で凍結され,次いで,
励起を除いた状態にして温度上昇させる
過程で,熱的に凍結が解放されて生じる
発光。 

thermally activated  
 luminescence, 
thermolumine-scence 

845-04-30  

4) 磁性体  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

4-4-1 

磁性体 

磁界の作用で磁気モーメントを生じる,又は変
化する物質。 

magnetic  
 substance 

121-12-27  

4-4-2 

永久磁石 

残留磁化及び保磁力が大で,外部からの磁気的
かく乱によっても残留磁化の強さが容易に変わ
らない強磁性体。 

permanent  
 magnet 

151-01-38  

4-4-3 

磁石合金 

永久磁石に使用される合金で,鋼を主体として
開発され,磁石鋼とも呼ばれる。 磁石合金の中
には,Fe,Co,W,Cr,Cを主成分としたKS
鋼,Fe,Al,C を主成分としたMT鋼,Fe,Ni,
Alを主成分としたMK鋼,Fe,Al,Ni ,Coを

magnetic alloy 

  

background image

60 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

主成分としたアルニコなどが代表的である。 

4-4-4 

パーマロイ 

ニッケルを主成分とした代表的な高透磁率合金
の商品名。 

Permalloy 

  

4-4-5 

フェライト 

MII O・Fe2O3 形 (MII : Mn,Fe,Co,Ni,Cu,
Zn,Mg,Cd など) のスピネル形磁性酸化物を
いい、フェリ磁性又は反フェリ磁性を示す。抵
抗率が高く,高周波用磁心材料として主にznフ
ェライトとの固溶体が実用される。 

ferrite 

121-12-49, 
221-01-16  

4-4-6 

希土類磁石 

鉄族遷移金属と希土類金属との化合物からなる
永久磁石の総称。サマリウム-コバルト,ネオジ
ウム-鉄-ほう素が代表的 。 

rare earth  
 magnet 

  

4-4-7 

ホイスラー合金 

F.ホイスラーが発明した銅合金で,その代表的
な組成は,銅の他Al:10〜25 %,Mn:18〜26 %
であり,強磁性でない元素を組み合わせて強磁
性を示す合金が得られる場合もある点が特徴で
ある。 

Heusler alloy 

  

4-4-8 

磁性薄膜 

種々の磁性体を蒸着,スパッタリング,電着な
どの方法でガラス,プラスチックなど,又は単
結晶の基板上に薄膜成長させたもの 。 

magnetic thin  
 film 

  

4-4-9 

磁性流体 

界面活性剤を用いて安定に分散させた磁性体微
粒子を,流体媒体に高濃度に懸濁させたもの。 

magnetic fluid 

  

4-4-10 

磁気記録 

録音,録画及びそれらを再生させる手段として
磁性体及び外部磁界を用いる記録方式。 

magnetic  
 recording 

806-15-01  

4-4-11 

磁気バブル 

膜面の垂直方向に磁化容易軸をもつ磁性薄膜の
面に垂直な方向に,適切な強さの磁界を加えた
ときに生じる小さな円柱状の磁区。 

参考 液相 エピタキシーによって GGG 

(Gadolinium Gallium Garnet) の単結
晶板上に成長させた希土類鉄ガーネ
ット膜がこのような性質を示す。  

magnetic  
 bubble 

  

4-4-12 

磁気増幅器 

強磁性体の磁化の飽和を利用して電流を増幅す
る装置。 

magnetic  
 amplifier 

351-18-52  

4-4-13 

アモルファス磁性 
 材料 

超高速で急冷することによってアモルファス化
した磁性合金をいい,磁気異方性が小さいため
高磁化率,低保磁力が実現でき,耐食性及び機
械強度に優れる。 

amorphous  
 magnetic  
 materials 

  

4-4-14 

インバー 

ニッケル鋼の一種で,Fe,Ni,Mn,C の合金か
らなり,線膨張係数がFeやNiの約1/10と小さ
いことが特徴で,制御機器や精密機器に使用さ
れる。 

Invar 

  

4-4-15 

ソフト磁性材料 

磁化率が高く保磁力が小さい磁性材料。変圧器,
コイルなどの磁心材料として用いられる。 

soft magnetic  
 materials 

  

4-4-16 

ハード磁性材料 

磁気的に硬い材料,すなわち磁化しにくく,ま
た,一度磁化するとその残留磁化を再度ゼロに
するための外部磁界(保磁力)が大きい磁性材
料。 

hard magnetic  
 materials 

  
 
 

background image

61 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

5) 超電導体  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

4-5-1 

超電導 

多くの金属,ある種の金属酸化物などの物質
が,適切な条件下でその直流電気抵抗がゼロ
になり,かつ,完全反磁性を示す現象。 ま
た,このような性質を超電導性という。 

備考 適切な条件とは,温度,磁界の強

さ及び電流密度がある値以下のと
きを示す。  

Superconductiv- 
 ity 

815-01-02  

4-5-2 

超電導体 

温度,磁界の強さ及び電流密度がある値以下
のときにゼロ抵抗となる性質を示す物質。  

superconductor 

121-12-07  
超電導体, 
815-001-06  
超電導体  

4-5-3 

第1種超電導体 

軟超電導体とも呼ばれ,外部からの磁界に対
しては完全反磁性を示し,超電導状態が破れ
る臨界磁界になるまで磁界(磁束)は内部に
侵入せず,臨界磁界以上の磁界がかかると超
電導状態が破れ磁束が内部に侵入する超電
導材料。 

type I  
 superconductor, 
soft  
 superconductor 

815-01-22  

4-5-4 

第2種超電導体 

硬超電導体とも呼ばれ,2 段階の臨界磁界を
もち,下部臨界磁界以上の磁界をかけても,
上部臨界磁界以下であれば,磁束線は超電導
体の内部にまだらに入っており,常伝導領域
と超電導領域との混合状態となる超電導材
料。 

type II  
 superconductor, 
hard  
 superconductor 

815-01-25  

4-5-5 

酸化物超電導材料 

超電導を示すセラミック材料の一種。主な材
料としてはY 系,Bi系,Tl系などがある。 

superconduct- 
 ing oxide 

  

4-5-6 

金属超電導材料 

酸化物超電導材料が発見される以前に主流
であった超電導を示す材料系をいい,代表的
な材料として,NiTi,Nb3Sn,Nb3Al などが
ある。 

metallic  
 superconductor 

  

4-5-7 

超電導膜 

超電導を示す膜。ジョセフソン素子,LSI 用
の配線などのデバイス化をねらいとする。 

備考 超電導薄膜は,およそ1 μm 以下

の厚さの膜をいい,MgO,LaAlO3,
SrTiO3 などの格子定数のずれが
小さく反応性が少ない基板を用
い,スパッタリング法,レーザ蒸
着法,CVD 法などで超電導材料
を薄膜成長させて作製する。 超電
導厚膜は,およそ 1 μm から 10 
μm の厚さの膜をいい,スクリー
ン印刷,ドクターブレード法,デ
ィップコート法などを用いて作製

superconducting  
 film 

815-04-29  

background image

62 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

する。  

4-5-8 

臨界磁界, 
臨界磁場 

超電導状態を維持できる最大の磁界(磁場)。  

備考 臨界磁界は,温度の関数である。  

critical (magnetic)  
 field strength 

815-01-09  

4-5-9 

臨界温度, 
超電導臨界温度 

ゼロ磁界,ゼロ電流密度のときに,それ以下
の温度で超電導体の電気抵抗がゼロになり
超電導状態が発現するときのその絶対温度。 

critical  
 temperature 

815-01-09  

4-5-10 

臨界電流密度 

抵抗ゼロを維持できる最大の電流密度であ
り,外部からの導入電流と遮へい(蔽)電流
に当てはまる。 

critical current  
 density 

815-03-03  

4-5-11 

永久電流 

超電導状態にあり,超電導体のリングを減衰
することなく流れる電流。 

persistent current 

815-01-13  

4-5-12 

クーパー対 

超電導体の束縛された2個の電子対を指す。 
反平行スピンをもつ2個の電子がフォノンを
なかだちとしてクーロン反発力に打ち勝つ
だけの相互引力作用が生じ,2 個の電子が束
縛状態となる。  
 なお,クーパー対が相互に位相同期した集
団領域の距離を“コヒーレンス長”(coherence 
length)という。 

Cooper pair 

121-13-22, 
815-01-26  

4-5-13 

BCS理論 

クーパ対を臨界温度以下の温度で形成し,巨
視的な数の電子対が同一の重心運動を行う
として超電導を説明した対理論。BCS は,
提唱者のBardeen,Cooper,Schriefferの3人
の頭文字。 

BCS theory 

815-01-27  

4-5-14 

ジョセフソン接合 

二つの超電導体が絶縁体膜,通常の伝導体
膜,又は小さな断面積若しくは点接触の超電
導体ブリッジで隔てられた,クーパー対が適
当な条件下で通過できる接合。  

Josephson 
 junction 

121-13-23, 
815-01-37  

4-5-15 

ジョセフソン効果 

二つの超電導体が薄い絶縁膜で隔てられた
サンドイッチ構造のジョセフソン接合にお
いて,絶縁膜をクーパー対がトンネル効果で
通過し電力消費を伴わずに電流を生じるマ
クロな量子効果(直流ジョセフソン効果),
及び,接合に電圧Uがかかるときには,周波
数 f = 2eU/h (h:プランク定数,e:素電荷)
の交流電流が生じるマクロな量子効果(交流
ジョセフソン効果)。 

Josephson effect 

(121-13-25 
direct-current 

Josephson 
effect, 

815-01-38  
DC Josephson 

effect, 

121-13-26 
alternate-current 

Josephson 
effect, 

815-01-39  
AC Josephson 

effect)  

4-5-16 

マイスナー効果 

超電導状態にある金属では臨界 磁界を越え
ない外部磁界を加えても内部では磁束がゼ
ロであり,磁力線が内部に入らない現象。 

Meissner effect 

815-01-12  

background image

63 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

4-5-17 

超電導量子干渉 
 計, 
SQUID 

インダクタンスの小さな超電導 ループ中に
1 個又は2個のジョセフソン接合を含む干渉
計。 脳磁図などの超高感度磁界検出に利用
される。  

superconductive 
 quantum  
 interference  
 device, 
SQUID 

815-07-46  
超電導量子干

渉計  

4-5-18 

近接効果 

超電導体又は 常伝導金属の接合の電気的干
渉によって,超電導体境界クーパー対密度を
減少させ,クーパー対の波動関数が金属側へ
漏れ出す効果。 

proximity  
 effect 

(121-13-19 
proximity 

effect, 

815-04-58 
proximity 

coupling 
current)  

4-5-19 

磁束量子 

磁束の量子単位をいい,h/2eに等しい。 こ
こに,h はプランク定数,e は素電荷である。 
この値は,およそ,2.067 830 215×1015 (Wb) 
に等しい。 超電導体の環を貫く磁束は,環
を流れるクーパー対の波動関数の一価性の
ために磁束量子の整数倍の値に量子化され
る。 

fluxoid  
 quantum, 
flux quantum 

121-11-22 
fluxoid 

quantum, 

815-01-14  
flux quantum  

4-5-20 

侵入深さ(超電導 
 体における) 

超電導体の磁界侵入を打ち消す遮へい(蔽)
電流が流れている深さ。 

penetration  
 depth (in a  
 superconductor) 

  

4-5-21 

超流体 

粘性係数が 0で,エントロピーを運ばないよ
うな超流動を示す流体。 現在のところ,超
流動を示す物質は,液体Heだけである。 

参考 超流動性を示さない,すなわち有

限の粘性率をもちエントロピーを
運ぶ液体を,常流体という。 

superfluid 

(815-06-17 
superfluid 

helium: He II, 

4-5-22 

ピン止め(磁束の) 

超電導体内の量子化磁束が格子欠陥,析出不
純物,粒界などによって捕捉され,ローレン
ツ力が働いても動かないこと。 

pinning (of a  
 magnetic flux) 

  

6) 気体及び液体(放電関係など)  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

4-6-1 

プラズマ 

全体的にほとんど同じ数の正負の自由電荷(正
イオン,電子)及び中性の原子又は分子で構成
される伝導性のあるイオン化したガス。 マクロ
には電気的に中性である。 

plasma  

111-14-65, 
705-06-04, 
531-13-14, 
841-09-01  

4-6-2 

プラズマ振動 

プラズマ中の電子の集団運動による振動で,電
荷のじょう乱を遮へい(蔽)するために電子が
動くとき,中性の状態より行きすぎて,再び引

plasma  
 oscillation  

[705-06-10 
plasma 
frequency 

background image

64 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

き返す運動を繰り返すために発生する振動をい
い,縦波すなわち疎密波として伝ぱする。 

(electronic) 
(電子)プラズ
マ周波数)]  

4-6-3 

無衝突プラズマ 

粒子が相互に誘起した空間電荷電界を通して相
互作用するが,直接の衝突が無視しうるプラズ
マ。 

collisionless  
 plasma 

   

4-6-4 

衝突支配形プラズ 
 マ 

衝突による相互作用によって種々の散逸過程が
生じるプラズマ。 

collision  
 dominated  
 plasma 

   

4-6-5 

衝突周波数 

電子がイオン化した媒質又はプラズマ中を通過
するときに受ける単位時間当たりの平均の衝突
数。 

collision  
 frequency 

705-06-08 
(電子)衝突周

波数  

4-6-6 

運動量移行周波数 

 プラズマ中で,ある種類の荷電粒子とほかの,
又は同じ種類の粒子との単位時間内の平均の衝
突数。 

momentum-tr- 
 ansfer  
 collision   
 frequency 

  

4-6-7 

電離係数, 
イオン化係数 

気体中で電子が電界によって加速され,気体分
子の電離に必要なエネルギーを得て衝突して電
離するときの,電子が電界方向に単位長さ移動
する間に起こす衝突電離の平均回数。 

ionization  
 coefficient 

111-14-58  

4-6-8 

クーロン衝突 

電子・電子,イオン・イオン,電子・イオンな
どの荷電粒子間に比較的長距離まで働くクーロ
ン相互作用による粒子の衝突 。 

Coulomb  
 collision  

   

4-6-9 

サイクロトロン共 
 鳴 

静磁界中の荷電粒子の運動は,磁界に垂直な方
向に関してみると周期が一定の円運動(サイク
ロトロン運動)をしているが,ここに周回の角
周波数に等しい電磁波が入射すると,共鳴して
電磁波が吸収される現象。 

cyclotron  
 resonance 

   

4-6-10 

ラーマー角周波数 

荷電粒子が磁界中で行う円運動の角周波数。 そ
の値ωは,粒子の電荷をq,質量を m,磁束密
度の大きさをB とすると,ω =qB 

mで表せる。 

Larmor  
 frequency 

  

4-6-11 

グロー放電 

電子管の比較的低圧ガス中での放電 。拡散,グ
ロー及び ガスのイオン化電圧よりも非常に高
い陰極付近の電圧降下(陰極降下)などで特徴
付けられ,電子は主として陰極からの 2次電子
放出によって供給される。 

glow discharge 

121-13-13, 
531-13-04, 
845-07-12  

4-6-12 

コロナ放電 

電圧こう配がある特定の値を超えたときに,高
電圧で周りの空気のイオン化によって生じる,
導体の表面と近隣に生じる青みがかった紫色の
グロー放電。 

corona  
 discharge  

531-13-06  

4-6-13 

陽光柱 

グロー放電管の中で,ファラデー暗部と陽極間
とに生じるグローをいい,しばしばせん(閃)
光となる。 

positive glow  

   

4-6-14 

陰極降下 

気体放電で陰極付近に空間電荷によって生じる
大きい電位降下。 
 

cathode fall,  
cathode drop  

845-07-13  

background image

65 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

4-6-15 

ペニングイオン化 

励起状態の原子又は分子X* と別の原子又は分
子Mとが低エネルギーで, X* + M → X + M+ + 
e- の過程によって,Xが基底状態に落ちると同

時にMがイオン化する現象。  

Penning  
 ionization  

  

4-6-16 

アーク放電 

気体内の電極間での直流放電で,陰極からの熱
電子放出又は電界放出による低エネルギー電子
によって高電流密度が維持され,比較的低い陰
極降下を生じる放電。  

備考 陰極からの二次電子放出は小さい。  

arc discharge  

531-13-05, 
845-07-16  

4-6-17 

自続放電 

気体の放電において,2極間の電圧がある値以
上で外部からの荷電粒子の供給がなくても維持
される放電。低電圧領域では,外部からの荷電
粒子の供給にほぼ比例して電流が流れ,これを
非自続放電という。  

self-maintain- 
 ed discharge  

531-13-12a  

4-6-18 

再結合 (気体の) 

電子,正イオン,又は負イオンのような電荷を
もつ粒子の結合と,結果として生じる電気的中
和。 

recombination  
 (in gas) 

   

4-6-19 

電荷交換反応 

2粒子間の衝突による一方の粒子から他方への
電荷の移動。 

charge  
 exchange  
 reaction  

  

4-6-20 

両極性拡散 

電子,イオンなどの荷電粒子のプラズマ中の拡
散。電子又はイオンは独立には拡散せず,局所
的な電気的中和化の結果として生じる。 

ambipolar  
 diffusion 

  

4-6-21 

電離度 

中性の原子又は分子が電子を失って陽イオンに
なる数の粒子総数に対する割合。  

degree of  
 ionization  

705-06-06 
degree 

of 

ionization (of a 
plasma), 

(プラズマの)

電離度  

4-6-22 

デバイ長 

荷電粒子の電界が,逆符号の電荷をもつ粒子に
よって遮へい(蔽)される特性距離。  
 

Debye length 

  

4-6-23 

イオンシース 

放電のポテンシャルとは違うポテンシャルをも
つ,表面上又は表面近くに形成されたイオンの
(若しくは電子の)薄い層。  

ion sheath 

  

4-6-24 

異常拡散 

プラズマが不安定なとき,プラズマが磁力線を
横切って拡散していく現象。その速度は,古典
的拡散に比較して,高い。 

anomalous  
 diffusion  

  

4-6-25 

プラズマの閉じ込 
 め 

プラズマを電磁界などの外的作用によって有限
領域内に閉じ込めること。 プラズマ粒子数を 

N (個)とし,単位時間に損失するプラズマ粒

子数を G (個/s)とするとき,G = N /τで定義
される時間 τ(s) をプラズマ閉じ込め時間とい
う。  
 

plasma  
 confinement  

  

background image

66 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

4-6-26 

プラズマ分散式 

プラズマ中の角周波数と波の運動,又は不安定
性の波動ベクトルとの関係を示す式。  

plasma  
 dispersion  
 relation  

  

4-6-27 

イオン音波 

プラズマ中の集団の振動に基づく静電波。この
波は中性気体中の音波と類似の縦波であるが,
粒子間衝突に基づく音波とは違って,粒子間の
クーロン力と電子の熱運動とが本質的な役割を
なす。 

ion acoustic  
 wave  

  

7) 液晶,有機材料関係など  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

4-7-1 

液晶 

結晶と液体との中間にある温度範囲内で存在す
る,ある程度の秩序をもった状態。 
 

liquid crystal 

  

4-7-2 

ネマチック液晶 

等方性液体を急冷したときに見られる,糸状模
様に基づいて命名された液晶の一種。液晶中,
最も液体に近い乱れた構造をもつ。 

nematic liquid  
 crystal 

  

4-7-3 

スメクチック液晶 

棒状の分子がその長軸を平行に配列して層を形
成した液晶。 

smectic liquid  
 crystal 

  

4-7-4 

コレステリック液 
 晶 

ネマチック液晶を形成する分子の一部又は全部
が光学活性をもち,分子配列にねじれが加わっ
て全体としてらせん構造をとった液晶。 
 

cholesteric  
 liquid crystal 

  

4-7-5 

ディスコチック液 
 晶 

円板状分子とみなされるベンゼンの六置換エス
テルなどが示すサーモトロピック液晶(温度変
化によって出現する液晶)の総称。 

discotic liquid  
 crystal 

  

4-7-6 

高分子液晶 

液晶性の低分子構造を高分子の主鎖又は側鎖に
適切に配した液晶。 

polymer liquid  
 crystal,  
liquid crystal  
 polymer 

  

4-7-7 

レジスト 

半導体製造工程において,エッチング,イオン
注入など,微細加工プロセスで加工すべき基板
にパターンを形成するための感光材。紫外線,
X線,電子線などの放射線の照射によって引き
起こされる化学反応を利用して形成される。 
 

resist 

  

4-7-8 

逆浸透膜 

半透膜の一方に浸透圧より高い圧力を加えるこ
とで,通常の浸透とは逆に溶液中の溶媒分子が
半透膜を通って純容媒中へ移行できる半透膜の
こと。物質の分離に応用できる。 
 

reverse  
 osmosis  
 membrane 

  

background image

67 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

4-7-9 

結晶性高分子 

かなりの秩序をもった分子配列を示し,X線回
析によって明りょうな結晶構造が認められる高
分子物質。 

crystalline  
 polymer 

  

4-7-10 

エレクトレット 

外部電界が存在しない状態でも半永久的に分極
を保持することができる誘電体。 

electret 

  

4-7-11 

樹脂 

複雑な有機酸及びその誘電体からなる物質。も
ろい無定形の固体又は半固体で,水には溶けず,
アルコール,エーテルなどにはよく溶ける。 

resin 

212-04-01  

4-7-12 

導電性高分子 

電気伝導性をもつ高分子。 異種元素又は分子が
添加されているものとないものとの2種類に大
別される。 

electrically  
 conducting  
 polymer 

  

4-7-13 

ポリイミド 

耐熱性高分子の代表。耐熱性高分子とは一般に 
300 ℃ 以上の高温で連続して使用に耐える高
分子物質。 

polyimide 

  

4-7-14 

重合 

1種類の単位化合物の分子が 2個以上結合して
単位化合物の整数倍の分子量をもつ化合物を生
成する化学反応。 

polymerization 

  

4-7-15 

共重合 

2種又はそれ以上の単位化合物を用い,それら
を成分として含む重合体を与える重合反応。  

copolymeriza- 
 tion 

  

4-7-16 

縮合 

2個以上の分子又は同一分子内の 二つ以上の
部分が新しい結合を作る反応。 

condensation 

  

4-7-17 

重縮合 

縮合反応の繰返しによる重合体生成反応。 

polycondensa- 
 tion 

  

4-7-18 

光分解 

光の照射によって結合が開裂して物質が分解を
起こす現象。 

photolysis 

  

4-7-19 

二色性 

a) 一軸結晶において,光の吸収の異方性が原

因で光学軸方向とこれに垂直な方向とで色
が異なる性質。一般に,物質が透過光の色
を種々の伝ぱ方向によって異にする性質を
多色性という。 

b) 着色溶液の透過光の色が,溶液の濃度又は

液層の厚さによって変化する現象。 

dichroism 

  

background image

68 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

e) デバイスの基礎  

1) デバイスの構成基礎  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

5-1-1 

接合 

異なる電気特性又は異なる伝導タイプの
半導体間が,接する遷移領域。同種の半導
体間の接合をホモ接合,異種の半導体間の
接合をヘテロ接合という。接合に生じる一
方向のキャリヤの移動を妨げるポテンシ
ャル障壁で,キャリヤの運動を制御する特
徴をもつ,デバイスの基本構造の一つ。 

junction 

394-18-60, 
521-02-70  

5-1-2 

PN接合 

P形半導体とN形半導体との間の遷移領
域。 種々の半導体デバイスを構成する基
本的な構造。 熱平衡状態において,双方
のフェルミ準位が一致するように電位障
壁が形成される。 

PN junction 

394-18-61 
(521-02-73)  

5-1-3 

ホモ接合 

キャリヤ密度又は伝導タイプの異なる同
種の半導体の接合。 

homojunction 

731-06-12  

5-1-4 

ヘテロ接合 

異種の二つの半導体の接合。 

heterojunction 

731-06-13  

5-1-5 

空乏層 

半導体の各種接合において,自由キャリヤ
密度がイオン化したドナー。アクセプタの
正味の固定電荷密度を中和するに不十分
なほど小さい領域。 

depletion layer 

521-02-77 
depletion layer 

(of a  
semiconductor)  

5-1-6 

空間電荷 

電子又はイオンに起因する空間の電荷。  

space charge 

393-01-40, 
531-12-14, 
881-02-93   

5-1-7 

空間電荷領域 

PN接合部分の電気的に中性なP領域とN 
領域とに挟まれた,キャリヤの空乏化によ
ってイオン化不純物による電荷が現れて
いる領域。 

space charge region 

521-02-74 
space 

charge 

region, 

521-02-75  
space 

charge 

region (of a PN 
junction) 

5-1-8 

拡散電位, 
内蔵電位 

接合を挟んだ中性領域の間の内部電位の
差。 接合を構成する二つの領域では電子
の化学ポテンシャルが異なるため,熱平衡
状態では内部電位に差が生じることによ
って拡散が平衡に達する。 

diffusion voltage,  
built-in voltage 

  

5-1-9 

接触 

二つの異なる物質が接し界面を形成する
こと。一般に,両者のフェルミ準位に差が
あるため熱平衡状態では電位差が生じる
(接触電位差)。半導体デバイスの電極は,
金属と半導体,又は半導体間の接触であ
る。 

contact 

  

background image

69 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

5-1-10 

ポテンシャル障壁 

接触している 二つの物質間,又は同じ物
質の異なる電気的性質をもつ領域の間の
ポテンシャルの差。 相互の自由キャリヤ
の拡散によって空間電荷領域が形成され
るために,ポテンシャル差が生じる。 

potential barrier 

121-13-20 
(electric) 

potential 
barrier, 

521-02-68, 
521-02-69 
potential barrier 

(of 

PN 

junction)  

5-1-11 

ショットキー障壁 

金属・半導体接触界面において生じるポテ
ンシャル障壁。金属側からみた大きさをシ
ョットキー障壁高さという。 

Schottky barrier 

  

5-1-12 

ショットキー接 
 触, 
ショットキー接合  

金属と半導体とが接触した界面で,ショッ
トキー障壁の高さが大きく,整流作用を示
すもの。 また,半導体側に空乏層が伸び
るためショットキー接合とも呼ばれる。こ
の特性は,金属と半導体との仕事関数の差
に大きく左右される。  
  

Schottky contact, 
Schottky junction 

  

5-1-13 

オーム性接触 

金属と半導体とが接触した界面で,電流−
電圧特性が直線性を示すもの。実用的な観
点からは,半導体電極のうち,そこでの電
力損失が無視できるくらい小さな接触抵
抗値をもつものをいうことが多い。 
 

ohmic contact 

  

5-1-14 

整流作用 

交流入力を直流出力に変換する作用。  

参考 2端子素子(ダイオード)にお

いて,印加電圧の一方の方向
(順方向)には電流が流れやす
く,他の方向(逆方向)には流
れにくい特性を示す素子。例え
ば,PN 接合ダイオードは整流
作用を示す代表例である。 

rectification 

  

5-1-15 

降伏 

素子,又は材料の電流-電圧特性において,
電圧のわずかな増大に対して電流が急し
ゅん(峻)に増大すること。 

参考 PN接合では,印加する逆方向

電圧を増加していくと,ある電
圧以上でアバランシェ(アバラ
ンシェ降伏)又はトンネル現象
(トンネル降伏,ツェナー降
伏)が生じ,電流が急激に流れ
始める。 

breakdown 

121-13-15, 
212-01-29, 
394-18-68 
breakdown (of a 

reverse biased 
PN junction), 

521-05-04 
breakdown (of a 

reverse biased 
PN junction)   

background image

70 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

5-1-16 

降伏電圧 

降伏が生じる電圧の大きさ。 

breakdown voltage 

212-01-30  

5-1-17 

MIS[構造] 

金属 (metal)と半導体 (semiconductor) と
の間に薄い絶縁物 (insulator) を挿入した
構造。 

参考 電界効果トランジスタ,電界発

光素子,ジョセフソン素子など
に用いられる。 

metal-insulator- 
 semiconductor  
 (structure),  
MIS (structure)  

  

5-1-18 

MOS[構造] 

MIS構造のうち,絶縁物が半導体を構成す
る原子の酸化物 (oxide) であるもの。 

metal-oxide- 
 semiconductor   
 (structure),  
MOS (structure) 

  

5-1-19 

パッシベーショ 
 ン,  
表面不活性化 

半導体の界面を,安定化するために表面を
シリコン酸化膜などのような物質で被覆
して,不活性にすること。 

備考 このような目的で半導体表面

に形成された膜を“パッシベー
ション膜”という。表面を保護
する目的でも使われ,“表面保
護膜”ともいう。 

参考 回路を保護するための表面保

護膜に対して使われることが
ある。 

passivation, 
surface passivation 

521-03-13 
surface 

passivation  

5-1-20 

反転層 

半導体表面に電界をかけたとき,多数キャ
リヤが内部に,少数キャリヤが表面に集ま
ることによって,半導体表面の伝導形が実
質的に内部とは逆転した領域。 MIS形素
子において電流のチャネルとして利用さ
れる。 

inversion layer 

394-18-75  
逆転層  

5-1-21 

チャネル 

電界効果トランジスタなどのユニポーラ
デバイスにおいて,ソースからドレインに
至るキャリヤの流れる半導体薄層通路を
いい,そのコンダクタンスがゲート電圧で
制御される。  

channel 

521-07-06 
channel (of a 

field effect  
transistors) 

5-1-22 

[素子間]分離 

集積回路の構成部分同士が相互の影響を
受けないようにすること。 

備考 分離には,半導体集積回路の各

素子を PN接合で分離する“接
合分離”,絶縁層,例えばSiO2 
などによって分離する“絶縁層
分離(酸化膜分離ともいう。)”,
単結晶と多結晶との境界の絶
縁性を利用し,多結晶によって
半導体集積回路の各素子を電
気的に分離する“多結晶分離”
などがある。 

isolation,  
 junction isolation, 
dielectric isolation,  
 polycrystalline  
 isolation 

  

background image

71 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

5-1-23 

擬フェルミ準位, 
イムレフ 

電圧印加又は 光照射下のような非熱平衡
状態における電子密度,正孔密度を,ボル
ツマン近似の下での熱平衡状態の式を用
いて,次の式のように表記したときのEFn
(電子)及び,E Fp(正孔)。 

]

)

exp[(

B

i

Fn

i

T

k

/

E

E

n

n

=

]

)

(

exp[

B

i

Fp

i

T

k

/

E

E

n

p

=

ここに,n : 非熱平衡における電子

密度 

p : 非熱平衡における正孔

密度 

n1 : 真性キャリヤ密度 
Ei: 真性準位,kB : ボルツ

マン定数 

T : 絶対温度 

イムレフ(imref) は,Fermiを逆につづった
造語である。 

quasi Fermi level,  
imref 

  

2) 電子デバイス,IC など  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

5-2-1 

ダイオード 

二つの(di)電極(electrode)をもつ電子デバイス。
性質などを示す接頭語を付けて呼ばれる。 

例 ショットキーダイオード,ガンダイオ

ード,フォトダイオード,レーザダイ
オードなど。 

diode 

  

5-2-2 

バリスタ 

variable resistor からの造語であり,抵抗値が電
圧によって非直線的に変化する性質を利用した
半導体素子。普通のバリスタは臨界電圧以下で
は抵抗が非常に大きく,それ以上では抵抗が急
激に減少する。この性質からサージ電圧を減衰
するための防護素子として用いられる。 

varistor 

151-01-31  

5-2-3 

サーミスタ 

温度変化に対して極めて大きな抵抗値変化を示
すことを利用した半導体素子。 

備考 抵抗温度係数が正のものを PTC 

(positive temperature coefficient)サーミ
スタ,負のものをNTC (negative 
temperature coefficient)サーミスタと
いう。 

thermistor 

151-01-32, 
521-04-13, 
726-21-08  

background image

72 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

5-2-4 

トランジスタ 

端子を三つ以上備えた半導体能動素子の一般的
名称。transfer resistor を縮めた造語。 電子と正
孔とがともに動作に関与するバイポーラ形と,
いずれか一方だけが関与するユニポーラ形に大
別できる。 

備考 バイポーラトランジスタやIGBTな

どはバイポーラ形,MOSFET,HEMT,
TFTなどはユニポーラ形のトランジ
スタである。 

transistor 

521-04-25  

5-2-5 

PN接合ダイオー 
 ド 

PN接合からなる整流特性を示す2端子素子。 

PN-junction  
 diode 

  

5-2-6 

ショットキー[バ 
 リア]ダイオー 
 ド 

金属と半導体接触(ショットキー接触)とから
なるダイオード。 

Schottky  
 (barrier)  
 diode 

  

5-2-7 

定電圧ダイオード 

ダイオードの逆方向降伏現象を利用して,印加
電圧が一定値以上にかからないように設計され
たダイオード。 

voltage  
 regulating  
 diode 

  

5-2-8 

トンネルダイオー 
 ド 

P,Nともに不純物が高密度にドープされたPN
接合ダイオードで,順方向バイアス印加時に量
子力学的トンネル効果によってN形の負性抵抗
を示す2端子素子。 

tunnel diode 

521-04-04  

5-2-9 

ガンダイオード 

GaAsのように特異な伝導帯構造をもつ半導体
において,高電界を印加すると電子遷移に基づ
き負性抵抗が現れる。これを利用したマイクロ
波帯の発振・増幅用の2端子素子。 

Gunn diode 

  

5-2-10 

走行時間素子 

走行領域の長さを適切にとることによって,電
子が注入されてから端子電流が流れるまでの位
相差を付け,交流的に負性抵抗を実現する半導
体素子。 衝突電離・なだれ(雪崩)増倍によっ
て電子注入を行うインパット (IMPATT : impact 
ionization avalanche transit time) ダイオードが代
表的な素子。 

transit time  
 device 

  

5-2-11 

バイポーラトラン 
 ジスタ 

二つ以上の接合をもち,電子と正孔とがともに
動作に関与する3端子のデバイス。エミッタ,
ベース,コレクタと呼ばれる三つの領域からな
り,NPN又はPNPの2種類がある。  

bipolar  
 transistor  

521-04-26 
bipolar junction 

transistor 

background image

73 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

5-2-12 

ヘテロ接合バイポ 
 ーラトランジス 
 タ, 
HBT 

エミッタにバンドギャップの広い半導体を用
い,ベース・エミッタヘテロ接合に形成され
た電位障壁を利用することで,ベースからエ
ミッタへの少数キャリヤ注入を抑制して,エ
ミッタ効率を 1 に 近付け,高い電流増幅率
を実現したバイポーラトランジスタ。 

参考 例えば,ベースにGaAsを,エミッ

タにはベースより広いバンドギャ
ップをもつAlGaAs半導体を用いる
ことで,ベース抵抗とベース・エミ
ッタとの間の接合容量が小さなト
ランジスタを実現できる。高周波性
能,温度特性などの面で優れてい
る。 

heterojunction  
 bipolar  
 transistor, 
HBT 

  

5-2-13 

電界効果トランジ 
 スタ, 
FET 

電流通路(チャネル)のコンダクタンスを,
ゲート電極から横方向の電界によって制御す
るトランジスタ。 

備考 ゲート構造によって,“接合形FET 

(JFET: junction FET)”,“金属・酸化
物・半導体FET[MOSFET: metal 
oxide semiconductor FET]”,“金属・
半導体

FET(MESFET: 

metal 

semiconductor FET)”(“ショットキ
ーバリアゲートFET”ともいう。)
などに分けられる。 

field effect  
 transistor,  
FET  

521-04-30  

5-2-14 

MOSFET 

MOS構造の金属(ゲート)直下の酸化膜・半
導体界面の反転層をチャネルとし,ここのキ
ャリヤ数をゲート電圧で制御することによっ
てチャネルの面に沿ったコンダクタンスを制
御する電界効果トランジスタ。 

備考 チャネル反転層がN形のものを

N-MOSFET,P 形のものを
P-MOSFETという。 

metal-oxide- 
semiconductor  
 field effect  
 transistor,  
MOSFET 

521-04-33  

5-2-15 

高電子移動度トラ 
 ンジスタ, 
HEMT 

電界効果トランジスタの一つで,ヘテロ接合
と変調ドープ技術とを利用してチャネルでの
キャリヤ散乱を減らすことによって,高速化
及び 低雑音化を図ったもの。 

備考 “変調ドープFET (MODFET: 

modulation doped FET)”,“2次元電
子ガス

FET 

(2DEGFET: 

dimensuional electron gas FET)”とも
呼ばれる。 

high electron  
 mobility  
 transistor,  
HEMT 

  

5-2-16 

薄膜トランジス 
 タ, 
TFT 

絶縁体基板上に半導体薄膜を形成し,その膜
内にチャネルを設けて,絶縁ゲート電界効果
トランジスタとしたもの。 

thin film  
 transistor,  
TFT 

  

background image

74 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

5-2-17 

絶縁ゲートバイポ 
 ーラトランジス 
 タ, 
IGBT 

パワーエレクトロニクス用デバイスの一つ。 
MOS FETの耐圧を上げるには,ドレインの不
純物濃度を下げる必要があるが,一方でオン
抵抗は大きくなる。このトレードオフを解消
するためにドレインに相当する領域にPN整
合を設け,オン状態においてこの接合が順バ
イアスされると導電率変調が生じオン抵抗が
低減できる。 

insulated gate  
 bipolar  
 transistor,  
IGBT 

  

5-2-18 

静電誘導トランジ 
 スタ, 
SIT 

電界効果トランジスタの一つで,ゲート電極
の埋め込み,チャネルの縦形化などによって
極限まで短チャネル化を図り大きな電流駆動
能力をもたせたデバイス。 

static induction  
 transistor,  
SIT 

  

5-2-19 

サイリスタ 

三つ又はそれ以上のPN接合部からなり,S字
形の負性抵抗を示す素子。ゲートに電圧をか
けることによってオフからオンの状態に切り
換える。 ゲートからキャリヤを強制的に引き
出すことによってオンからオフの状態に制御
できるようにしたものをゲート・ターン・オ
フサイリスタ(GTO: gate-turn-off thyristor)と呼
ぶ。 

thyristor 

521-04-38   

5-2-20 

集積回路, 
IC 

数多くの超小形素子が一つの基板上に一体的
に作り込まれている回路。 

integrated  
 circuit, 
IC 

521-10-04, 
(521-10-06 
semiconductor 

integrated 
circuit)  

5-2-21 

モノリシック集積 
 回路 

1個の半導体のチップ内に作られた集積回路。 monolithic  

 integrated  
 circuit 

  

5-2-22 

CMOS 

基本的なインバータ回路がP-MOSとN-MOS
の1対で構成され,両者が入力に対して互い
に相補的にスイッチングする構造の回路構成
方式。 

備考 “相補形MOS”ともいう。 

complement- 
 ary  
 metal-oxide- 
 semiconductor,  
CMOS 

  

5-2-23 

BiMOS 

バイポーラ素子とMOS素子とを同一チップ
上に混載して,互いの長所を生かす回路構成
方式。 

備考 “バイポーラMOS”ともいう。 

bipolar  
 metal-oxide- 
 semiconductor,  
BiMOS  

  

5-2-24 

BiCMOS 

バイポーラ素子とCMOS素子とを混載した回
路構成方式。 

bipolar  
 complementary  
 metal-oxide- 
 semiconductor,  
BiCMOS 

  

background image

75 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

5-2-25 

論理IC 

組合せ論理又は順序論理を実現するための半
導体集積回路。はん(汎)用のマイクロプロ
セッサ,特定用途向け集積回路(ASIC: 
application specific integrated circuit) などがあ
る。 

logic integrated  
 circuit 

  

5-2-26 

メモリIC 

一つの基本セルに1ビットの情報を記憶でき
るようにし,それを複数配列した集積回路。
記憶情報の読出しと書込みがほぼ同程度の時
間でできるRAM: random access memory,固定
情報の読出ししかできないROM; read only 
memory,電気的に書き換え可能なROMであ
るEPROM: erasable and programmable ROMな
どがある。 

memory  
 integrated  
 circuit 

  

5-2-27 

混成集積回路, 
ハイブリッドIC 

二つ以上の異種の集積回路の組合せ,又は一
つ以上の独立したデバイス若しくは部品と一
つ以上の集積回路とからなる回路。  

参考 JIS D 0103 参照。 

hybrid integrated  
 circuit 

  

5-2-28 

マルチチップモジ 
 ュール, 
MCM 

複数個の LSI チップなどをセラミック基板
などに直接実装し,一つの機能にまとめたモ
ジュール又はパッケージ。各モジュールの寸
法,端子などの大きさや形を標準化し,製作,
組立を容易にし,実装密度及び性能の向上が
図れる。 

備考 広義には,ハイブリッドIC も含ま

れる。 

multichip  
 module,  
MCM 

  

5-2-29 

モノリシックマイ 
 クロ波集積回 
 路, 
MMIC 

1個の半導体チップ内に複数の素子,高周波用
平面回路などの配線が一体的に作り込まれ,
主としてマイクロ波以上の周波数帯で機能す
る集積回路。 

monolithic  
 microwave  
 integrated  
 circuit,  
MMIC 

  

5-2-30 

電流増幅率 

バイポーラトランジスタにおいて,ベース電
流に対するコレクタ電流の比。 エミッタ電流
に対するコレクタ電流の比は電流伝送率と呼
ぶ。 

current gain 

  

5-2-31 

エミッタ (注入)  
 効率 

バイポーラトランジスタにおいて,全エミッ
タ電流 I E を,エミッタ/ベース界面におい
てエミッタからベースへ注入されるキャリヤ
による電流 (I E → B ) とベースからエミッタ
へ注入されるキャリヤによる電流 (I B→ E ) 
との和で表したときの,I E→B /IE。 

emitter  
 efficiency 

  

background image

76 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

5-2-32 

(ベース) 到達率,  
輸送効率 

バイポーラトランジスタにおいて,エミッタ
からベースに注入されるキャリヤによる電流
を IE→ B ,注入されたキャリヤがベース領域
の多数キャリヤと再結合せずにベース/コレク
タ界面に到達しコレクタ領域へ流れ込むこと
による電流をI B→ Cとするときの,I B →C / 

IE→B 。 

transport factor 

  

5-2-33 

コレクタ効率,  
コレクタ増倍率 

バイポーラトランジスタにおいて,エミッタ
からベースに注入されベース/コレクタ界面に
到達したキャリヤがコレクタ領域に流れ込む
ことによる電流を I B→C,全コレクタ電流をI 

C とするときの,I C /I B→C を。ベース/コレク

タ間の逆バイアスで生じた空乏層の高電界領
域をドリフトする間にアバランシェ増倍が起
こり,1より大きくなることがある。 

collector  
 efficiency 

  

5-2-34 

相互コンダクタン 
 ス,  
トランスコンダク 
 タンス 

トランジスタにおいて,入力であるゲート電
圧に対する出力の電流の関係を与えるアドミ
タンスの実部。 通常は,電界効果トランジス
タのゲート電圧VG とドレイン電流  ID の関
係を与える曲線の傾斜から相互コンダクタン
ス g mは,次の式で与えられる。 

G

D

V

I

gm

=

mutual  
 conductance,  
Transconductan- 
 ce 

521-07-20 
transconduct- 
 ance (of a  
 field-effect  
 transistor, 
531-17-14 
 mutual   
 conductance)  

5-2-35 

チャネルコンダク 
 タンス 

電界効果トランジスタにおける出力端子から
みた小信号コンダクタンス。 ゲート電圧が一
定のときの,ドレイン電圧VD に対するドレイ
ン電流 I Dの変化率。次の式で定義される。 

D

D

D

V

I

g

=

ドレインコンダクタンスとも呼ばれる。 

channel  
 conductance 

  

5-2-36 

少数キャリヤ蓄積 
 効果 

順バイアス印加の注入で少数キャリヤが蓄積
されたPN接合を逆バイアスにスイッチする
とき,蓄積された少数キャリヤの拡散が止ま
り定常状態に落ち着くまでに,定常状態より
大きな逆電流が流れる現象。キャリヤの蓄積
効果が継続する時間を蓄積時間といい,入力
パルスの立ち下がり部分が最大振幅の10 %
に下降した時点から,出力パルスの立ち下が
り部分が最大振幅の10 %まで降下するまで
の遅れ時間で定義される。 

minority 
 carrier  
 storage effect 

  

5-2-37 

遮断周波数 

2ポート回路の周波数特性において,ある特性
量の出力対入力の比が低周波における値の規
定値にまで減少する周波数。バイポーラトラ

cut-off  
 frequency 

151-01-66, 
521-05-16  

background image

77 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

ンジスタでは電流増幅率が直流における値か
ら3 dB低下する周波数で定義される。 

5-2-38 

最大発振周波数 

トランジスタの入出力端の整合をとったとき
の動作最大電力利得が,1になる周波数。 

maximum  
 oscillation  
 frequency 

  

5-2-39 

しきい電圧 

電界効果トランジスタのゲートに電圧を印加
していったとき,半導体表面で反転層が形成
されチャネルが導通し始める電圧値。 

threshold voltage 521-07-19 

threshold 

voltage (of an 
enhancement 
type 
field-effect 
transistor)   

5-2-40 

ピンチオフ 

電界効果トランジスタのドレイン電圧を上げ
ていったとき,チャネルのドレイン端で反転
層が消失し始める電圧。ピンチオフ電圧以上
のドレイン電圧の領域では,電圧に関係なく
ドレイン電流はほぼ一定となる。 

pinch-off 

   

3) 光デバイス,OEICなど  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

5-3-1 

発光ダイオード,  
LED 

PN 接合を設けた半導体に電流を流し,電子と
正孔の発光再結合とによって自然放出光を放
出するダイオード。 

参考 光の波長は半導体材料のバンドギ

ャップで決まり,そのスベクトルは
レーザに比べて広い。 

light emitting  
 diode,  
LED 

731-06-04  
発光ダイオー

ド: LED  

5-3-2 

レーザダイオー 
 ド,  
LD 

PN接合と光の共振器とを設けた半導体に電
流を流すことによって,レーザ光線を発生さ
せるPN接合ダイオード。 

参考 実用上,発振効率のよい活性層をク

ラッド層で挟んだダブルヘテロ接
合構造のものが使われる。 発光す
る方向によって,活性層に平行な方
向に発光する端面発光形と垂直な
方向に発光する面発光形とに分類
される。 発振スペクトルの単峰性
を得るため,素子内に回折格子を設
けた“分布帰還形 (DFB: distributed 
feedback) レーザ”,“分布反射形 
(DBR: distributed Bragg reflection) 
レーザ (DBRレーザ)”などがある
(JIS Z 8120参照)。 

laser diode,  
LD 

injection 

laser 

diode: 

731-06-09  

5-3-3 

スーパールミネセ 
 ンス 

適度な線幅の狭線化,適度な指向性をもつ程
度の自然放出の増幅。 

superlumines- 
 cence, 

731-06-02  

background image

78 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

備考 帰還をかけず,したがって明確な発

振モードをもたない点で,レーザと
区別される。 

superradiance 

5-3-4 

スーパールミネセ 
 ントダイオード 

レーザダイオードと同様な構造であるが,共
振器構造をもたないように,片側の端面の反
射率を抑えた発光素子。高出力でインコヒー
レントな光を指向性よく放射できる。 

superlumines- 
 cent diode 

731-06-07 
superlumines- 
 cent  LED: 
superradiant 

diode:SRD, 

スーパールミ

ネセンスダ
イオード  

5-3-5 

量子井戸レーザ 

半導体レーザの一種で,発光する領域に量子
井戸構造を利用した素子。バルクのレーザと
比較して,しきい電流値の低減化,高出力な
どの利点がある。 

quantum well  
 laser 

  

5-3-6 

フォトダイオー 
 ド,  
PD 

PN接合又はショットキー接合に入射した光
によって生じた電子・正孔が空乏層の電界に
よって分離されて生じる電流を利用して光を
検出するダイオード。  

参考 通常,接合に逆方向電圧を印加した

状態で使われる。バイポーラトラン
ジスタと同じ構造で,ベース領域を
受光部にして,光照射によって発生
する多数のキャリヤの蓄積に基づ
く大きな電流利得を利用したもの
も多く使われている。 これはベー
ス電極をもたず,2端子で用いられ
るが,構造上,フォトトランジスタ
と呼ばれる(JIS Z 8120 参照)。 

photodiode, 
PD 

521-04-22, 
731-06-28, 
845-05-39  

5-3-7 

PIN フォトダイオ 
 ード 

フォトダイオードの一種で,P層とN 層との
間に不純物の濃度の低いi層を設け,通常の
PN 接合形フォトダイオードより高速応答性,
受光感度の向上を図った受光素子。 

PIN  
 photodiode 

731-06-29 
PIN 形フォト 
 ダイオード: 
PIN-PD  

5-3-8 

アバランシェフォ 
 トダイオード, 
APD 

フォトダイオードの一種で,PN結合又はショ
ットキー接合の逆方向に高電圧を印加し,ア
バランシェ降伏領域で用いることによって増
幅作用を付加し,高速,高感度な特性を図っ
た受光素子。 

avalanche  
 photodiode, 
APD 

731-06-30  

5-3-9 

フォトカップラ 

発光素子と受光素子とを組み合わせて,電気
信号を入力(発光素子)側から出力(受光素
子)側へ光に変えて送り,入出力間を電気的
に絶縁した構造の素子。 

photocoupler 

  

5-3-10 

光変調器 

光(主にレーザ光)を変調する素子の総称。
変調作用に応じて,強度変調器,位相変調器,
周波数変調器に分類される。材料としては,

optical  
 modulator 

  

background image

79 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

誘電体,半導体又は 磁性体が用いられる。 

5-3-11 

方向性(光)結合器 

光の電界の結合度を制御することによって,
空間的に光の進行方向をスイッチできる素
子。材料としては,誘電体又は 半導体が用い
られる。 

(optical)  
 directional  
 coupler 

704-02-07, 
731-05-11  

5-3-12 

光ファイバ 

誘電体材料で作られた,フィラメント状の光
導波路。 

optical fiber 

731-02-01  

5-3-13 

シリカ系光ファイ 
 バ 

酸化シリコンを素材とする光ファイバをい
い,主に光通信用に用いられている。透過光
の波長域は0.8〜1.6 μmの近赤外線領域にあ
る。 

silica optical  
 fiber 

  

5-3-14 

ふっ化物光ファイ 
 バ 

ZrF4などのふっ化物を主成分とする光ファイ
バの総称。代表例としては,ZBLAN(Zr-Ba-La- 
Al-Na:F)ファイバがある。透過光波長域は1 〜
4 μm である。 

fluoride optical  
 fiber 

  

5-3-15 

カルコゲン化合物 
 光ファイバ 

S,Se,Te などの元素からなるカルコゲン化
合物ガラスを主成分とする光ファイバ。As40 
S60などがあり,1 〜 8 μm の広い透過波長域
をもつ。  

chalcogenide  
 optical fiber  

  

5-3-16 

プラスチックファ 
 イバ 

プラスチックを主成分とする光ファイバの総
称。 PMMA(ポリメチルメタアクリレート)
をコア材とする構成が主流である。   

plastic fiber 

  

5-3-17 

光集積回路,  
光IC 

光導波路上で種々の機能を,すべて光で実現
するための集積回路の総称。 

optical  
 integrated  
 circuit, 
integrated  
 optical circuit  

 731-06-43  

5-3-18 

光・電子集積回路,  
OEIC 

光素子と電子素子とを,同一基板上に集積化
を行った回路の総称。 発光素子,受光素子及
び駆動用電子素子,更には光導波路,光演算
回路などの一体化されたものなどが代表例。 

optoelectronic  
 integrated  
 circuit,  
OEIC 

  

5-3-19 

光スイッチ 

光をスイッチングする素子の総称。機能によ
って,空間光スイッチ,波長光スイッチなど
に分類される。 

optical switch 

  

5-3-20 

半導体光増幅器 

半導体を用いた光の増幅器。 構成は半導体レ
ーザと似ているが,光の共振器がなく,活性
領域に入射した光は半導体内の電流注入など
による利得を得て,増幅・出射される。 

semiconductor  
 optical  
 amplifier 

  

5-3-21 

光ファイバ増幅器 

光ファイバを用いた光の増幅器の総称。光フ
ァイバの中に希土類元素を添加し,その元素
を別の光源で励起することによる誘導放出現
象を利用して,入射光を増幅し出射する。 エ
ルビウム(Er)を添加したシリカ系光ファイバ
は1.55 μm 波長の増幅器としての代表例であ
る。 

optical fiber  
 amplifier 

  

background image

80 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

5-3-22 

光ディスク 

光で情報の記録・読出しが可能な記録媒体の
総称。レーザスポットの照射をし,照射部分
の反射率などを相変化などの現象により変質
させて記録する。 このスポットエリアの光学
特性の差異をレーザビームで読み出す。 

参考 機能により,再生専用形,追記形及

び書換え形に分類される。再生専用
形は,コンパクトディスクやビデオ
ディスクとして,追記形及び書換え
形は,文書・画像ファイル用に,用
いられている。記録媒体としては,
穴空け形,相変化形,相互拡散形な
どに分類される。 

optical disk 

  

5-3-23 

光磁気ディスク 

磁性薄膜を記録媒体として,レーザ光で情報
の記録再生を行う光ディスクの一種。記録で
は,レーザによる熱磁気記録を行い,再生で
は,カー効果を利用している。 

magneto-optic  
 disk 

  

5-3-24 

音響光学素子 

音波の伝搬による屈折率の周期的変化などを
利用し,光変調器などに用いる素子。 

acoustooptic  
 device 

  

5-3-25 

アイソレータ 

二つのポートをもち,一方向にだけ信号を通
過させることのできる素子。光アイソレータ
では磁気光学効果などを用いる。 

isolator 

726-17-19, 
731-05-17  

5-3-26 

磁気光学素子 

磁界印加による光の偏光面の回転などを利用
し,光アイソレータ,光メモリなどに用いら
れる素子。 

magneto-optic  
 device 

  

5-3-27 

EL 素子 

広義には電気入力で光を放出する素子全体を
いう。一般的には,電界発光素子を意味し,
電界印加によって半導体又は有機物の発光セ
ンターを励起して発光する素子。 

electrolumine- 
 scent device 

  

5-3-28 

固体撮像素子 

撮像素子の中で,光を電荷に変換する部分が
固体で構成されている素子。 電荷結合素子,
光導電・光起電力素子などがその代表例であ
る。 

備考 イメージ管とも呼ばれる。また,電

荷結合素子(Charge Coupled Device)
は,CCDと略称される。 

solid state  
 imaging device 

  

5-3-29 

太陽電池 

光電変換素子の中でも,太陽光のエネルギー
を電気エネルギーに変換するPN 接合をもつ
光電変換素子。太陽光のスペクトル範囲で,
変換効率を高めるように設計される。 主に,
Si,GaAs などが用いられる。 

solar cell 

  

5-3-30 

光論理素子 

光の入力と出力との間で論理・演算動作が可
能となる光素子。 光双安定素子,光しきい値
素子,ダイナミック光メモリなどがある。 

optical logic  
 device 

  

5-3-31 

空間光変調器 

時系列信号を空間情報に変換できる素子又は

spatial light  

  

background image

81 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

二次元光空間の入力光を二次元のまま処理,
演算する素子。結晶又は非線系光学材料が用
いられる。 

 modulator 

5-3-32 

光電管 

光電効果による光電子放出を利用し,光の強
度測定,検出などに用いる電子管。 

photoelectric  
 tube 

  

5-3-33 

光電子増倍管 

入力光を光電面で受け,その光電子を 二次電
子増倍管によって増幅する,高速,高感度な
光検出の多段電流増幅光電管。 

photomultipl- 
 ier tube 

394-10-19 
photomultiplier 

tube: multiplier 
phototube: 
PMT 
(abbreviation), 

881-13-61  

5-3-34 

光導波路  

光パワーを導くためにつくられた伝送線路。 

optical  
 waveguide  

731-01-45  

4) 気体レーザ関係  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

5-4-1 

レーザ 

光共振器内にある媒質に外部エネルギーを与え
て反転状態に保ち,誘導放出と増幅によって正
帰還を起こさせ,コヒーレントな光の発振を行
う装置。laser の 語源はlight amplification by 
stimulated emission of radiation(誘導放出による
光の増幅)からの造語である。  

laser 

731-06-08, 
845-04-39  

5-4-2 

エキシマレーザ 

多くは希ガスを含む短波長レーザで,二つの原
子間で寿命の短い励起分子(エキシマ)準位が
存在し,急速に解離する基底準位への遷移に基
づくレーザ。 

excimer laser 

  

5-4-3 

自由電子レーザ 

誘導コンプトン散乱又は誘導制動放射に基づく
レーザで,相対論的な高速電子を空間的に周期
的な静磁界中を伝搬させ,電子の運動エネルギ
ーを直接光子のエネルギーに変換してコヒーレ
ントな光を得る装置。 電子の速度及び磁界の周
期と強さを変えることによって,出力光の波長
が可変である。 

free electron  
 laser 

  

5-4-4 

ガスレーザ 

活性媒質が気体であるレーザ。気体は光励起,
高周波放電又は管内の電極間に放電電流を流し
て励起される。光及び放電の働きは,媒質を励
起し反転分布を得ることである。コヒーレンス
がよく,高出力発振を特長とする。 

gas laser 

  

5-4-5 

カラーセンターレ 
 ーザ 

イオン結晶に電子線又はX線照射で生じる着色
中心の吸収帯を利用したレーザ。 

color center  
 laser 

  

background image

82 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

5-4-6 

波長可変レーザ 

広帯域にわたり連続的に発振波長を可変となる
レーザ。このためには,レーザ利得スペクトル
の広い媒質を光共振器内に置くとともに,スペ
クトル選択素子を光共振器内に挿入する。 これ
には,色素レーザ,チタンサファイアレーザ,
半導体レーザなどがある。 

wavelength  
 tunable laser 

  

5-4-7 

ファブリペロー共 
 振器 

高反射率の鏡を2枚対向させた形で,レーザ発
振を起こすための共振器。 

Fabry-Pérot  
 resonator 

  

5-4-8 

空間周波数 

像又は物体を構成する周期的な構造の細かさを
表す量。 単位は単位長さ当たりの周期の数で表
し,本/mmで表す。 

spatial  
 frequency 

  

5-4-9 

光子統計 

光を光子の集合とみなし,その性質を取り扱う
統計。 

photon  
 statistics 

  

5-4-10 

自己位相変調 

媒質の屈折率が,時間変化するパルス光の強度
とともに増加する一時的な変調作用。それによ
って,パルスの前端は低周波側にシフトし,後
端は高周波側にシフトする。 

self-phase  
 modulation 

  

5-4-11 

自己相関関数 

特性関数 

)

(t

f

 に対してτを時間遅れパラメー

タとすると 

)

(

)

(

τ

t

f

t

f

積の時間平均を自己

相関関数といい,その値 

)

C

 は,  

∫−

=

T

T

T

dt

t

f

t

f

T

C

)

(

)

(

2

1

lim

)

(

τ

τ

に等しい。 

autocorrelation  
 function 

  

5-4-12 

チャーピング, 
チャープ 

キャリヤ周波数が時間とともに増加又は減少す
ること。 

chirping 

731-06-26  

5-4-13 

非線形光学 

入射光の振幅に比例せず,2次以上の高次の効
果が生じる光学現象を扱う学問分野。 この分野
にフォトリフラクティブ効果,光パラメトリッ
ク発振などが含まれる。 

nonlinear  
 optics 

  

5-4-14 

光パラメトリック 
 発振 

非線形光学効果を利用し角周波数ω1のレーザ
光からω1 = ω2 + ω3 を満たす角周波数ω2とω3
の光が発生する現象。2次の非線形光学媒質を
ファブリペロー共振器の中に置き,外から角周
波数 ω1のレーザでポンピングすると,媒質は,

ω1 = ω2 + ω3 を満たすシグナルω2とアイドラー
ω3の周波数の光に対して,パラメトリック増幅

作用が生じ,しきい値を超えるとシグナル光と
アイドラー光とが発振する。これによって,波
長可変レーザが実現できる。 

optical  
 parametric  
 oscillation 

  

5-4-15 

光偏向 

電気信号によって光ビームの伝搬方向を変える
こと。 

light  
 deflection,  
optical  
 deflection 

531-14-08 
deflection  

5-4-16 

フォトリフラクテ 
 ィブ効果 

屈折率変化が光で誘起される効果。多くの電気
光学効果媒質に見られる効果で,誘起された屈

photorefractive  
 effect 

  

background image

83 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

折率変化は,光の照射が消えた後もしばらく残
存する。 

5-4-17 

フォトンエコー 

ある時間間隔 τ で 二つのレーザパルスが非線
形媒質に入射すると,光波の干渉によって第2
パルスからτだけ遅れてコヒーレントな光パル
スが生成されること。 

photon echo 

  

5-4-18 

自然放出 

外部電磁界の存在に依存しない速度で起こる励
起状態にある系からの光放出。 

spontaneous  
 emission 

731-06-01  

5-4-19 

誘導放出 

励起状態にある系と入射電磁波との相互作用の
結果として起こる,同じ周波数の電磁波の放出。 

stimulated  
 emission 

731-06-03, 
845-04-38  

5-4-20 

アインシュタイン 
 のA係数,B係 
 数 

A係数: 原子又は分子が自然に上準位から下準
位へ光放出を伴って遷移する速度を支配する比
例定数をいい,単位時間当たりの遷移数を上準
位の原子数で除したものに等しい。 
B係数: 原子又は分子が上準位から下準位へ光
放出を伴って誘導遷移する速度を支配する比例
定数をいい,単位時間当たりの遷移数を,単位
体積,単位波数当たりの誘導遷移を含む放出光
エネルギーと上準位の原子数との積で除したも
のに等しい。 

Einstein's A,B  
 coefficients 

  

5-4-21 

光共振器 

光の領域の周波数をもつ電磁波に対する共振
器。これに,ファブリペロー共振器などが含ま
れる。 

optical  
 resonator,  
laser  
 resonator 

  

5-4-22 

ガウスビーム 

波面がビームのどの点でもほとんど球状で,波
面の横方向電界がビームの軸からの距離のガウ
ス関数である電磁波のビーム。 

Gaussian beam 

731-01-34  

5-4-23 

Qスイッチ 

レーザ共振器のQ値を急速に変化すること。 こ
れによって,高出力パルスが発生できる。   

備考 Q値は,共振器の蓄積エネルギーを

毎秒失われるエネルギーで除した値
に光の角周波数を乗じたもの。 

Q-switch 

  

5-4-24 

キャビティダンピ 
 ング 

共振器内に光エネルギーをためておいて,共振
器のQ値を高い状態から,低い状態へ急激に下
げることによって,光エネルギーをパルスとし
て外部に取り出すこと。 

cavity  
 dumping 

  

5-4-25 

電気双極子遷移 

電気双極子で近似された原子,分子などと電磁
波との相互作用によって生じる光学的遷移。 

electric dipole  
 transition 

  

5-4-26 

磁気双極子遷移 

磁気双極子で近似された,原子,分子などと電
磁波との相互作用によって生じる光学的遷移。 

magnetic  
 dipole  
 transition 

  

5-4-27 

自然幅 

遷移の起こるエネルギー準位の有限な寿命に起
因する吸収又は発光のスペクトルの線幅。   

natural  
 linewidth 

  

5-4-28 

スポットサイズ 

ビーム半径ともいい,ガウスビームの太さを表
す量。 ガウスビームで光の振幅が光軸上の値の

spot size 

  

background image

84 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

1/eになる光軸からの距離。 

5-4-29 

縦緩和 

占有粒子数の差が熱平衡状態に近づくときのエ
ネルギー緩和。スピン−格子緩和(spin-lattice 
relaxation)ともいう。 

longitudinal  
 relaxation 

  

5-4-30 

横緩和 

エネルギー分布を変えずに,量子状態の位相が
変化する緩和。スピン−スピン緩和(spin-spin 
relaxation)ともいう。 

transverse  
 relaxation 

  

5-4-31 

反転分布 

ある原子,分子系において,より高いエネルギ
ー状態が,より低いエネルギー状態よりも多く
の分布数をもっている状態。 

population  
 inversion 

  

5-4-32 

ビームの発散角 

ビーム強度が中心値の 1/e2 になる対称2点間
のビームの広がりの全角。 

divergence  
 angle of beam 

  

5-4-33 

ブリュースタ角 

誘電体平面境界で反射する光に関し,電界ベク
トルが入射面内にある光の反射率がゼロになる
入射角。 反射光は入射面に垂直な成分だけにな
り直線偏光になる。 

備考 媒質1から2へ入射する光のブリュ

ースタ角 θBは, 

)

1

2

B

n

/

n

arctan

=

θ

  

ここに,

1n,

2

nは,それぞれ,媒

質1,2の屈折率である。 

Brewster's  
 angle 

705-04-20 
Brewster angle, 
ブルースター

角, 

731-03-24 
(705-04-20 
MOD) 
Brewster's 

angle, 

ブリュースタ

角  

5-4-34 

ホールバーニング 

不均一拡がりのスペクトルをもつ媒質に狭帯域
の強い光が入射し,媒質のスペクトルに狭い周
波数の範囲に限られた減衰又は利得の飽和が生
じたときのスペクトルのへこみ(穴)。 

hole burning 

  

5-4-35 

ホログラフィー 

波の振幅と位相の分布とを書き込み,再生する
技術。三次元の光画像生成の方法として広く使
われる。光画像生成では,対象物からのコヒー
レントな反射光と同じ光源から直接来る光,又
は鏡からの反射光との干渉パターンを写真板に
記録することで行われる。 

holography 

  

5-4-36 

ポンピング 

1) 光の増幅,発振を行わせるため原子,分子

などを励起し,反転分布を形成すること。   

2) パラメトリック増幅系に特定の周波数の励

起光エネルギーを注入すること。 

pumping 

  

5-4-37 

モード同期 

レーザが多モード発振するとき,各モード間の
周波数の差が等しくて一定の位相関係をもつよ
うになること。 

mode locking 

  

5-4-38 

ラビ周波数 

2準位原子に共鳴したレーザ光を入射すると,
上準位及び下準位の占有粒子数は,周期的,か
つ,相補的に増加又は減少を繰り返すときのこ
の周波数をいう。共鳴時には,光の電界を E,
原子の双極子モーメントを d とすると,dE/2h  

Rabi frequency   

background image

85 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

で与えられる。ここに,h は,プランク定数で
ある。 

f) 

関連事項(雑音,その他)  

番号 

用語 

定義 

参考 

対応英語 

関連IEC 60050

番号及び用語 

6-1 

雑音 

1) 広い周波数範囲にわたり,ランダムに生じ

る,指示値,表示値又は供給値の好ましく
ない変化。 

2) 信号に重畳し測定値又は供給値をあいまい

にする妨害。 

3) 系に加わる不規則な信号。負荷変動や動特

性の微小変化による好ましくない乱れ。 

4) 周期性がなく,部分音に分解できない音。 
 

noise 

101-14-63 
(702-08-03 

MOD), 

303-08-09, 
702-08-03  
noise 

(in 

telecommunica
tion), 

801-21-08  

6-2 

ランダム雑音 

与えられた時点での値が,予測できない雑音。 

random noise 

161-02-14, 
702-08-38, 
801-21-09  

6-3 

白色雑音 

周期性をもたず一定の連続スペクトルをもち,
所定の周波数範囲内で1オクターブ当たりに含
まれる成分の強さが,周波数位置に関係なく一
定である雑音。 

参考 白色雑音を −3 dB/oct。の低域通過

フィルタを通せばピンク雑音が得ら
れる。 

white noise,  
 flat random  
 noise 

702-08-39, 
801-21-10  

6-4 

1/f 雑音 

パワースペクトル密度が周波数に反比例して増
加する雑音をいい,半導体素子においてはその
表面状態に依存することが多い。 

備考 低周波において顕著。表面の清浄度,

環境に影響される。 

1/f noise 

531-15-07, 
702-08-48  

6-5 

散弾雑音, 
ショット雑音 

1) 電子管において電子放出の不連続,不規則

に基づく雑音。その周波数分布は,極めて
高いところまでほぼ一様である。 

2) 半導体に電界を印加して電流を流すとき,

キャリヤの数及びドリフト速度のいずれも
の揺らぎによって生じる雑音。 

shot noise 

531-15-05, 
702-08-46, 
731-06-39  

6-6 

フリッカ雑音 

1) 半導体素子のポテンシャル障壁の揺らぎに

よるキャリヤ密度の変調による雑音。  

2) 電子管の陰極表面の活性中心の不規則な変

化(生成又は消滅)による雑音(通常10 kHz 
以下で問題となる。ほぼ周波数に反比例し
て大きくなる。)。 

flicker noise 

531-15-06, 
702-08-47  

background image

86 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

6-7 

熱雑音 

半導体,抵抗体などでキャリヤの熱伝導の揺ら
ぎによって端子の両端に現れる不規則な電位差
による雑音。ΔV 2 = 4 k T R Δf  で表される。 た

だし,ΔV は素子の両端に現れる電位差で,こ
れを雑音電圧といい,単位は (V), k :ボルツマ
ン定数 (J/K),R: 素子の抵抗値 (Ω), T : 絶対
温度 (K),Δf : 測定周波数帯域幅 (Hz)。 

thermal noise, 
Johnson noise 

531-15-03, 
702-08-45  

6-8 

電流雑音 

抵抗器を流れる電流にほぼ比例する雑音。炭素
皮膜抵抗器や体抵抗器に見られる。熱雑音の数
倍の大きさがある。 
 

参考 炭素皮膜抵抗器や体抵抗器では,炭

素粒子同士の接触による電流雑音が
特に多く,これを接触雑音ともいう。  

current noise 

  

6-9 

接触雑音 

不完全な接触によって発生する電気的雑音。 

contact noise 

  

6-10 

量子雑音 

電磁放射,特に光放射の粒子的性質に起因する
雑音で,量子力学の不確定性原理に基づく。 
 

備考 通常の温度では,量子雑音は光放射

のような非常に高い周波数の電磁波
においてだけ,重要である。 

quantum 
noise, 
photon noise 

702-08-49, 
731-01-65 
(702-08-49 
MOD)  

6-11 

雑音指数 

四端子回路網において,入力端子における信号
と雑音の有効電力をSi ,N i,出力端子における
それを S o,No とするとき,(Si /N i)/(S o /N o)に
よって与えられる値をいう。 

noise figure  

  

6-12 

人工知能 

認識能力,学習能力,抽象的思考能力,環境適
応能力などを人工的に実験したもの。多くの場
合,コンピュータを使用する。推論,判断など
の知的機能を人工的に実現したもの。データを
蓄えるデータベース部,集めた知識から結論を
引き出す推論部とから成り立つ(学習機能をも
つものもある。)。 

artificial  
 intelligence 

(351-11-26 
artificial  
 intelligence  
 (in automatic  
 control)  

6-13 

ニューラルネット 
 ワーク 

人間の神経細胞又はその結合状態を参考にし
て,ニューロンを模倣した素子を回路網状に接
続し,パターン認識,情報処理,連想メモリな
どへの利用を目的とした回路網。 

neural network 

  

6-14 

ニューラルチップ 

脳の神経回路網を模倣した,ニューラルネット
ワークを実行するために用いられるLSI(実現
のための LSI には,ディジタル回路,アナログ
回路,光技術を用いる。)。 

neural chips 

  

6-15 

ニューロン 

細経の核と,その周辺の細胞質を含む細胞体と,
そこから伸びる樹状突起及び軸索とからなる,
神経細胞。 

neuron 

891-02-05 
ニューロン:軸
索  

6-16 

カオス 

不規則で複雑であるが,しかしある簡単な規則
が背面にある現象。 

chaos 

  

6-17 

ファジー論理 

論理演算における論理で,真を 1,偽を0とす
る代わりに(0,1)の区間の任意の実数を真理値
として考えたもの。 例えば,0.6 を真理値とす

fuzzy logic 

  

background image

87 

C 5600:2006  

   

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

るもの。 そのため,通常の種々の論理操作をそ
のあいまいの程度とともに計算できる。 

6-18 

ファジー推論 

あいまいさを含んだ法則を用いて行う推論。 

fuzzy 

reasoning 

  

6-19 

ファジーチップ 

ファジー推論を高速に実行させるために作られ
た大規模集積回路。 

fuzzy chip 

  

関連規格 JIS D 0103 自動車部品−電気装置の機器・部品−名称 

JIS Z 8120 光学 

     IEC 60050  International Electrotechnical Vocabulary

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。