JISK7350-2:2008 プラスチック－実験室光源による暴露試験方法

K 7350-2：2008

（1）

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

ページ

序文 ··································································································································· 1

1 適用範囲························································································································· 1

2 引用規格························································································································· 1

3 原理······························································································································· 2

4 装置······························································································································· 2

5 試験片···························································································································· 5

6 試験条件························································································································· 6

6.1 放射照度 ······················································································································ 6

6.2 温度 ···························································································································· 6

6.3 試験槽内空気の相対湿度 ································································································· 6

6.4 噴霧サイクル ················································································································ 8

6.5 暗黒期間を含むサイクル ································································································· 8

6.6 暴露条件の設定 ············································································································· 8

7 操作······························································································································· 9

7.1 一般 ···························································································································· 9

7.2 試験片の取付け ············································································································· 9

7.3 暴露 ···························································································································· 9

7.4 放射露光量の測定 ·········································································································· 9

7.5 暴露後の特性変化の測定 ································································································· 9

8 試験報告書 ······················································································································ 9

附属書A（参考）フィルタを組み合わせたキセノンアークランプ放射−分光分布 ····························· 11

附属書JA（参考）JISと対応する国際規格との対比表 ································································ 12

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（2）

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まえがき

この規格は，工業標準化法第14条によって準用する第12条第1項の規定に基づき，日本プラスチック

工業連盟(JPIF)及び財団法人日本規格協会(JSA)から，工業標準原案を具して日本工業規格を改正すべきと

の申出があり，日本工業標準調査会の審議を経て，経済産業大臣が改正した日本工業規格である。これに

よって，JIS K 7350-2:1995は改正され，この規格に置き換えられた。

この規格は，著作権法で保護対象となっている著作物である。

この規格の一部が，特許権，出願公開後の特許出願，実用新案権又は出願公開後の実用新案登録出願に

抵触する可能性があることに注意を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は，このような特許

権，出願公開後の特許出願，実用新案権又は出願公開後の実用新案登録出願に係る確認について，責任は

もたない。

JIS K 7350の規格群には，次に示す部編成がある。

JIS K 7350-1 第1部：通則

JIS K 7350-2 第2部：キセノンアークランプ

JIS K 7350-3 第3部：紫外線蛍光ランプ

JIS K 7350-4 第4部：オープンフレームカーボンアークランプ

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日本工業規格 JIS

K 7350-2：2008

プラスチック−実験室光源による暴露試験方法−

第2部：キセノンアークランプ

Plastics-Methods of exposure to laboratory light sources-

Part 2 : Xenon-arc lamps

序文

この規格は，2006年に第2版として発行されたISO 4892-2及びAmendment 1 (2007)を基に，技術的内容

を変更して作成した日本工業規格である。ただし，追補（Amendment）については，編集し，一体とした。

なお，この規格で側線又は点線の下線を施してある箇所は，対応国際規格を変更している事項である。

変更の一覧表にその説明を付けて，附属書JAに示す。

警告

この規格の利用者は，通常の実験室での作業に精通しているものとする。この規格は，その使用に関連

して起こるすべての安全性の問題を取り扱おうとするものではない。この規格の利用者は，各自の責任に

おいて安全及び健康に対する適切な措置を取らなければならない。

適用範囲

この規格は，材料を実際の使用環境で昼光又は窓ガラス越しの昼光に暴露したときに生じる現象を再現

するために，試験片を，水分の存在下で，キセノンアークランプで暴露する方法について規定する。

試験片は，制御した条件（温度，水分など）で，フィルタを通したキセノンアークランプで暴露する。

異なった試験条件を行うためには，種々のキセノンアークランプ及びフィルタの組合せを用いる。特定の

材料に関する，試験片の作製及び試験結果の評価は，該当規格による。

なお，試験についての全体的な指針は，JIS K 7350-1による。

注記1 塗料及びワニスのキセノンアークランプによる暴露試験方法は，JIS K 5600-7-7に規定して

いる。

注記2 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を，次に示す。

ISO 4892-2:2006，Plastics−Methods of exposure to laboratory light sources−Part 2: Xenon-arc

lamps 及びAmendment 1 (2007) (MOD)

なお，対応の程度を表す記号(MOD)は，ISO/IEC Guide 21に基づき，修正していることを

示す。

引用規格

次に掲げる規格は，この規格に引用されることによって，この規格の規定の一部を構成する。これらの

引用規格のうちで，西暦年を付記してあるものは，記載の年の版を適用し，その後の改正版（追補を含む。）

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は適用しない。西暦年の付記がない引用規格は，その最新版（追補を含む。）を適用する。

JIS K 7350-1:1995 プラスチック−実験室光源による暴露試験方法第1部：通則

注記 JIS K 7350-1:1995には，対応するISO 4892-1:1994，Plastics−Methods of exposure to laboratory

light sources−Part 1: General guidanceがあり，この規格の対応国際規格で引用しているISO

4892-1:1999には対応していないが，技術的差異はない。

JIS K 7362 プラスチック−アンダーグラス屋外暴露，直接屋外暴露又は実験室光源による暴露後の

色変化及び特性変化の測定方法

注記対応国際規格：ISO 4582，Plastics−Determination of changes in colour and variations in properties

after exposure to daylight under glass，natural weathering or laboratory light sources (MOD)

原理

3.1 キセノンアークランプは，適切なフィルタを用い，かつ，維持管理を行うことによって，放射の紫外

及び可視領域での地表上の太陽光の分光分布を近似できる。

3.2 規定の条件で，試験片を，様々な強度の光，熱，湿度及び水（3.4参照）に暴露する。

3.3 暴露条件は，次の項目について設定する。

a) フィルタの種類

b) 放射照度

c) 暴露温度

d) 湿度制御が必要な暴露条件では，照射時及び暗黒時の槽内相対湿度

e) 試験片への湿潤方法（3.4参照）

水温及び湿潤サイクル

g) 照射時間及び暗黒時間

3.4 湿潤は，通常脱塩水又は脱イオン水の噴霧，水中への浸せき，又は試験片の表面への水の凝縮によっ

て得られる。

3.5 操作には，試験片の表面での放射照度及び放射露光量の測定を含むことがある。

3.6 試験片とともに，性能既知の類似材料を比較用（コントロール）として同時に暴露するのがよい。

3.7 試験材料について，試験装置間での統計的な関係が得られていない限り，異なる試験装置で暴露した

試験片で得た試験結果は，相互比較しないほうがよい。

装置

4.1

実験室光源

4.1.1

一般

光源は，270 nm未満から紫外，可視及び赤外までの波長範囲の光を放射する一つ又はそれ以上の石英管

封止のキセノンアークランプを用いる。昼光をシミュレートする場合は，短波長紫外放射を除去するため

にフィルタ（デイライトフィルタ）を用いる（表1のA法参照）。窓ガラス越しの昼光をシミュレートす

る場合は，310 nm以下の放射照度を最小限に抑えるフィルタ（窓ガラスフィルタ）を用いる（表2のB法

参照）。さらに，屋外暴露では起こらない熱劣化を引き起こす非現実的な試験片への加熱を防ぐために，赤

外放射を取り除くフィルタを用いてもよい。

注記代表的な大気条件での太陽光分光放射照度は，CIE No.85に記載されている。この規格で用い

る基準の昼光は，CIE No.85の表4で定義する。

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4.1.2

デイライトフィルタを通したキセノンアークランプの分光放射照度

昼光をシミュレートするフィルタを通したキセノンアークランプの紫外部の相対分光放射照度の許容範

囲を，表1に示す（附属書A参照）。

表1−デイライトフィルタを通したキセノンアークランプの相対分光放射照度の比較a) , b)（A法）

分光波長域

λ：波長 (nm)

最小値c)

CIE No.85の表4 d) , e)

最大値c)

λ＜290

−

0.15

290≦λ≦320

2.6

5.4

7.9

320＜λ≦360

28.2

38.2

39.8

360＜λ≦400

54.2

56.4

67.5

注a) この表は，指定の波長域における放射照度を，290 nm〜400 nmの放射照度に対する百分率で示す。特殊フ

ィルタを通したキセノンアークランプの相対分光放射照度を求めるには，250 nm〜400 nmの分光放射照度
を測定する。この測定は，通常2 nmごとに行う。次いで，個々の波長域の放射照度を集計し，290 nm〜400
nmの放射照度で除す。

b) この表の最小値及び最大値は，異なる製造ロット及び各種経時変化したデイライトフィルタを通した，製

造業者の推奨する水冷及び空冷のキセノンアークランプの100以上の分光放射照度分布のデータを基にし
ている（参考文献[3]参照）。さらに，多くの分光放射照度分布が得られれば，許容範囲の小規模な変更は可
能である。最小値及び最大値は，すべての測定値の平均値から3 σ以内である。

c) 最小値及び最大値の欄は，測定値の最小値及び最大値を記載しているので，合計は必ずしも100 %にならな

い。個々の相対分光放射照度分布の百分率の合計は，この表の波長域で計算すると100 %になる。個々のデ
イライトフィルタを通したキセノンアークランプの放射照度の，各波長域中の計算された割合は，この表
の最小値と最大値との間に入ることを確認する。許容範囲と異なる相対分光放射照度分布のキセノンアー
ク装置での試験結果は，異なることがある。用いたキセノンアークランプ及びフィルタの相対分光放射照
度分布のデータについては，試験装置の製造業者から入手する。

d) CIE No.85の表4の値は，エアマス1.0，標準気圧での大気オゾン含有量0.34 cm，下降水量1.42 cm及び500

nmでの混濁係数0.1のときにおける水平面全天放射照度である。これらは，デイライトフィルタを通した
キセノンアークランプの目標値である。これらの値を比較のために示す。

e) CIE No.85の表4に代表される太陽光について，290 nm〜800 nmの放射照度との百分率で示すと，紫外放

射（290 nm〜400 nm）は11 %で，可視放射（400 nm〜800 nm）は89 %である。キセノンアークランプで暴
露される試験片上の紫外放射照度及び可視放射照度の割合は，暴露される試験片の数及び反射特性によっ
て異なることがある。

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4.1.3

窓ガラスフィルタを通したキセノンアークランプの分光放射照度

窓ガラスを通した昼光をシミュレートするフィルタを通したキセノンアークランプの紫外部の相対分光

放射照度の許容範囲を，表2に示す（附属書A参照）。

表2−窓ガラスフィルタを通したキセノンアークランプの相対分光放射照度の比較a) , b)（B法）

分光波長域

λ：波長 (nm)

最小値c)

CIE No.85の表4に

窓ガラスフィルタの

影響を加えた値d) , e)

最大値c)

λ＜300

−

0.29

300≦λ≦320

0.1

≦1

2.8

320＜λ≦360

23.8

33.1

35.5

360＜λ≦400

62.4

66.0

76.2

注a) この表は，指定の波長域における放射照度を，290 nm〜400 nmの放射照度に対する百分率で示す。特殊フ

ィルタを通したキセノンアークランプの相対分光放射照度を求めるには，250 nm〜400 nm の分光放射照
度を測定する。この測定は，通常2 nm ごとに行う。次いで，個々の波長域の放射照度を集計し，290 nm
〜400 nmの放射照度で除す。

b) この表の最小値及び最大値は，異なる製造ロット及び各種経時変化した窓ガラスフィルタを通した，製造

業者の推奨する水冷及び空冷のキセノンアークランプの30以上の分光放射照度分布のデータを基にして
いる（参考文献[3]参照）。さらに，多くの分光放射照度分布が得られれば，許容範囲の小規模な変更は可
能である。最小値及び最大値は，すべての測定値の平均値から3 σ以内である。

c) 最小値及び最大値の欄は，測定値の最小値及び最大値を記載しているので，合計は必ずしも100 %になら

ない。個々の相対分光放射照度分布の百分率の合計は，この表の波長域で計算すると100 %になる。個々
の窓ガラスフィルタを通したキセノンアークランプの放射照度の，各波長域中の計算された割合は，この
表の最小値と最大値との間に入ることを確認する。許容範囲と異なる相対分光放射照度のキセノンアーク
装置での試験結果は，異なることがある。用いたキセノンアークランプ及びフィルタの相対分光放射照度
分布のデータについては，試験装置の製造業者から入手する。

d) このデータは，CIE No.85の表4に窓ガラスの影響を加えた値である。3 mm 厚さの窓ガラス（JIS K

5600-7-7参照）の分光透過率データをCIE No.85に乗じている。これらは，窓ガラスフィルタを通したキ
セノンアークランプの目標値である。これらの値を比較のために示す。

e) CIE No.85の表4に代表される太陽光について，300 nm〜800 nm の放射照度との百分率で示すと，紫外放

射（300 nm〜400 nm）は9 %で，可視放射（400 nm〜800 nm）は91 %である。キセノンアークランプで暴
露される試験片上の紫外放射照度及び可視放射照度の割合は，暴露される試験片の数及び反射特性によっ
て異なることがある。

4.1.4

放射照度の均一性

試験片への放射照度の均一性を保つために，暴露領域のすべての位置の放射照度は，最大値の80 %以上

とする。この要求を満たさない場合は，すべての試験片を均一に照射するため，定期的な試験片の配置替

えが必要である。配置替えのスケジュール及び組合せ手順は，受渡当事者間の協定による。

注記高反射率の表面をもつ試験片がある場合，暴露領域において放射照度が均一で，通常，配置替

えの必要がないときでも，暴露の均一性を保つために定期的な試験片の配置替えを考慮する。

4.2

試験槽

試験槽は，試験結果に影響を与えない材料で製作する。試験槽は，放射照度の制御に加えて，温度制御

機能を備えているものを用いる。湿度制御のために，JIS K 7350-1の5. に規定する加湿装置を設置する。

暴露条件において必要な場合，試験槽は，水噴霧，試験片表面への水の凝縮，又は試験片を浸せきさせる

装置も必要とする。噴霧に使用する水は，4.5.3による。

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試験片表面への放射が6.1を満たすように，試験片に対して光源を設置する。

ランプ点灯によってオゾンが発生する場合は，試験片及び試験作業者がオゾンの影響を受けないように

する。ランプシステム（1本又はそれ以上のランプ）が試験槽の中心に配置されている場合，すべての試

験片を均一に照射するため，試料取付け枠を回転させるか，試験片を配置替えするか，又はランプの配置

を替える。試験槽内の空気中にオゾンがある場合には，建物の外へ直接排出しなければならない。

4.3

放射計

放射計を用いるときは，JIS K 7350-1の5.2による。

4.4

ブラックスタンダード温度計又はブラックパネル温度計

ブラックスタンダード温度計又はブラックパネル温度計は，JIS K 7350-1の5.1.5による。ただし，ブラ

ックスタンダード温度計は，金属板の厚さが0.5 mmのものとする。

4.5

水噴霧及び湿度制御装置

4.5.1

一般

水噴霧若しくは水の凝縮，又は浸せきによって試験片を水分に暴露する。水噴霧を用いた特定の暴露サ

イクルの試験条件は，表3又は表4から選択する。浸せき又はその他の方法を用いる場合，手順の詳細及

び試験条件は，受渡当事者間の協定による。合意した条件は，試験報告書に記載する。

相対湿度を制御する場合又は制御しない場合の試験条件を，表3 及び表4 に示す。

注記相対湿度は，高分子材料の光劣化に重要な影響を及ぼす。

4.5.2

相対湿度の制御装置

相対湿度が設定されている試験条件では，湿度センサの位置は，JIS K 7350-1の5.1.4による。

4.5.3

凝縮及び噴霧システム

試験槽は規定の条件下で，試験片の表面に水の凝縮を間欠的に起こすシステム，又は試験片の表面若し

くは裏面に水を間欠的に噴霧するシステムを備え，水の凝縮又は噴霧は，試験片に均一に分布していなけ

ればならない。噴霧システムは，用いる水を汚染しない耐食性の材料で作る。

試験片表面への噴霧に用いる水は，試験片に目立った汚れ及び付着物が付かないものを用いる。要求さ

れる品質の水は，逆浸透膜とイオン交換樹脂との組合せで作ることができる。

注記参考までに噴霧に用いる水の推奨する水質を示すと，電気伝導率5 μS/cm 未満，全固形分1 μg/g

未満及びシリカのレベル0.2 μg/g未満である。これらを測定する場合，JIS K 0101に規定する

測定方法を参照する。

4.6

試験片ホルダ

試験片ホルダは，試験片の裏面を開放した形又は試験片の裏面に裏当てをしたものでもよい。試験片ホ

ルダの材料は，試験結果に影響しない不活性なもの，例えば酸化を起こさないアルミニウム又はステンレ

ス鋼とする。黄銅，鋼又は銅は，試験片の近くで用いてはならない。裏当て及び裏当てと試験片との間の

すき間は（特に透明な試験片の場合），試験結果に影響を与えることがある。裏当ての方法は，受渡当事者

間の協定による。

4.7

特性の変化を評価する機器

選択した特性は，JIS K 7362に規定する機器を用いて求める。

試験片

試験片は，JIS K 7350-1の6. による。

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試験条件

6.1

放射照度

放射照度は，表3又は表4に示す値で制御する。表3又は表4以外の放射照度を用いる場合は，受渡当

事者間の協定による。測定した放射照度及び波長域を，試験報告書に記載する。

6.2

温度

6.2.1

ブラックスタンダード温度又はブラックパネル温度

温度は，ブラックスタンダード温度を用いることが望ましい。暴露サイクルを，表3に示す。ブラック

スタンダード温度計の代わりにブラックパネル温度計を用いてもよい。その条件を，表4に示す。ただし，

二つの温度計は，熱伝導度が異なるため，異なる温度を示す（JIS K 7350-1の5.1.5.1又は5.1.5.2参照）。

ブラックパネル温度計を用いるときには，パネル材質，温度センサの種類，及びパネルへのセンサの取

付方法を，試験報告書に記載する。

表3又は表4以外の温度を採用する場合は，受渡当事者間の協定による。採用した温度を，試験報告書

に記載する。

水噴霧を用いる場合は，水噴霧の開始直前の温度を適用する。暴露サイクルが短いために温度が平衡状

態に達しないときは，規定温度は，水噴霧なしの場合の温度とし，サイクル中での最高温度を報告する。

注記1 ブラックパネル温度計を用いた場合，代表的な試験条件において，ブラックスタンダード温

度計に比べ温度は，3 ℃〜12 ℃低くなる。

注記2 高温試験（表3のサイクルNo.3，No.4，No.7及びNo.8，並びに表4のサイクルNo.11，No.12，

No.15及びNo.16参照）の場合は，熱劣化の影響が増大し，試験結果に影響を及ぼすことが

ある。

注記3 追加の機器としてのホワイトスタンダード温度計又はホワイトパネル温度計で測定されるホ

ワイトスタンダード温度又はホワイトパネル温度は，JIS K 7350-1の5.1.5.1を参照する。こ

れによって，試験片の表面温度の範囲についての情報が得られる。

6.2.2

試験槽内温度

試験槽内温度は，表3及び表4による。

6.3

試験槽内空気の相対湿度

試験相対湿度は，表3及び表4による。

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表3−ブラックスタンダード温度（BST）制御での暴露サイクル

A法−デイライトフィルタを通した暴露

サイ
クル

No.

暴露サイクル

放射照度a)

ブラック

スタンダード

温度

℃

槽内
温度

℃

相対湿度

広帯域

(300 nm〜400 nm)

W/m2

狭帯域

（340 nm）

W/(m2･nm)

102分照射後，

60±2

0.51±0.02

65±3

38±3

50±10 b)

18分照射及び

水噴霧

60±2

0.51±0.02

−

102分照射後，

60±2

0.51±0.02

65±3

制御なし

50±10又は制御なし

18分照射及び

水噴霧

60±2

0.51±0.02

−

102分照射後，

60±2

0.51±0.02

100±3

65±3

20±10

18分照射及び

水噴霧

60±2

0.51±0.02

−

102分照射後，

60±2

0.51±0.02

100±3

制御なし

20±10又は制御なし

18分照射及び
水噴霧

60±2

0.51±0.02

−

B法−窓ガラスフィルタを通した暴露

サイ
クル

No.

暴露サイクル

放射照度a)

ブラック

スタンダード

温度

℃

槽内
温度

℃

相対湿度

広帯域

(300 nm〜400 nm)

W/m2

狭帯域

（420 nm）

W/(m2･nm)

連続照射

50±2

1.10±0.02

65±3

38±3

50±10 b)

連続照射

50±2

1.10±0.02

65±3

制御なし

50±10又は制御なし

連続照射

50±2

1.10±0.02

100±3

65±3

20±10

連続照射

50±2

1.10±0.02

100±3

制御なし

20±10又は制御なし

注記 ±の範囲は，放射照度，ブラックスタンダード温度及び相対湿度に関する，平衡状態での設定値からの許容

範囲である。これは，設定値を±の範囲で変更できることを意味しない。

60±2を例に挙げると，60は設定値で変更することは許されず，±2は制御するときの許容範囲を示すも

のである。

注a) 放射照度規定値は歴史的に用いてきた値であり，この値は，290 nm〜800 nmにおいて550 W/m2に相当する。

より高い放射照度が可能な装置の中には，規定値よりもかなり高い放射照度，例えばデイライトフィルタを
通したキセノンアークランプで最高180 W/m2（300 nm〜400 nm）又は窓ガラスフィルタを通したキセノン
アークランプで最高162 W/m2（300 nm〜400 nm）のものがある。

b) 湿度に敏感な材質では，(65±10) %の相対湿度の条件を推奨する。

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表4−ブラックパネル温度（BPT）制御での暴露サイクル

A法−デイライトフィルタを通した暴露

サイ
クル

No.

暴露サイクル

放射照度a)

ブラック

パネル

温度

℃

槽内
温度

℃

相対湿度

広帯域

(300 nm〜400 nm)

W/m2

狭帯域

（340 nm）

W/(m2･nm)

102分照射後，

60±2

0.51±0.02

63±3

38±3

50±10 b)

18分照射及び

水噴霧

60±2

0.51±0.02

−

102分照射後，

60±2

0.51±0.02

63±3

制御なし

50±10又は制御なし

18分照射及び

水噴霧

60±2

0.51±0.02

−

102分照射後，

60±2

0.51±0.02

89±3

65±3

20±10

18分照射及び

水噴霧

60±2

0.51±0.02

−

102分照射後，

60±2

0.51±0.02

89±3

制御なし

20±10又は制御なし

18分照射及び
水噴霧

60±2

0.51±0.02

−

B法−窓ガラスフィルタを通した暴露

サイ
クル

No.

暴露サイクル

放射照度a)

ブラック

パネル

温度

℃

槽内
温度

℃

相対湿度

広帯域

(300 nm〜400 nm)

W/m2

狭帯域

（420 nm）

W/(m2･nm)

連続照射

50±2

1.10±0.02

63±3

38±3

50±10 b)

連続照射

50±2

1.10±0.02

63±3

制御なし

50±10又は制御なし

連続照射

50±2

1.10±0.02

89±3

65±3

20±10

連続照射

50±2

1.10±0.02

89±3

制御なし

20±10又は制御なし

注記 ±の範囲は，放射照度，ブラックパネル温度及び相対湿度に関する，平衡状態での設定値からの許容範囲で

ある。これは，設定値を±の範囲で変更できることを意味しない。

60±2を例に挙げると，60は設定値で変更することは許されず，±2は制御するときの許容範囲を示すもの

である。

注a) 放射照度規定値は，歴史的に用いてきた値であり，この値は，290 nm〜800 nmにおいて550 W/m2に相当する。

より高い放射照度が可能な装置の中には，規定値よりもかなり高い放射照度，例えばデイライトフィルタを
通したキセノンアークランプで最高180 W/m2（300 nm〜400 nm）又は窓ガラスフィルタを通したキセノンア
ークランプで最高162 W/m2（300 nm〜400 nm）のものがある。

b) 湿度に敏感な材質では，(65±10) %の相対湿度の条件を推奨する。

6.4

噴霧サイクル

噴霧サイクルは，受渡当事者間の協定による。ただし，表3又は表4のA法が望ましい。

6.5

暗黒期間を含むサイクル

表3及び表4の条件は，光源からの連続的な放射エネルギーが存在して初めて有効となる。より複合的

なサイクルを用いてもよい。これらのサイクルには，高湿度及び／又は試験片表面に凝縮を生成させる暗

黒期間が含まれる。

より複合的なサイクルでの試験は，詳細な設定条件を試験報告書に記載する。

6.6

暴露条件の設定

デイライトフィルタ（A法）及び窓ガラスフィルタ（B法）を通しての暴露試験の種々の設定を，表3

K 7350-2：2008

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

及び表4に示す。

操作

7.1

一般

試験結果を統計的に評価するためには，試験ごとに，各材料で少なくとも3個の試験片を，暴露するこ

とが望ましい。

7.2

試験片の取付け

試験片を試験槽内の試験片ホルダに取り付ける。各試験片は，暴露後の特性変化の測定に用いる部分を

避けて，消えることのない適切な印を付け識別する。確認用として，試験片の取付位置の配置図を作ると

よい。

色の変化及び外観の変化の測定に用いる試験片の場合には，必要に応じて，試験中各試験片の一部分を

不透明なカバーで覆ってもよい。これは，暴露部分に近い未暴露部分として比較に用いるためであり，暴

露の進行過程を確認するのに役立つが，報告するデータは，必ず別途，暗所に保管した未暴露試験片との

比較に基づくものでなければならない。

均一な暴露状態が，確実に得られるように暴露領域の空き部分がないようにする。必要な場合は，ダミ

ーの試験片を試験片ホルダに取り付け，空き部分がないようにする。

7.3

暴露

7.3.1

試験片を試験槽内に取り付ける前に，装置が規定の条件で作動していることを確認する（箇条6

参照）。選択した試験条件を暴露期間中，連続的に行うようにプログラムする。暴露期間中は，これらの条

件を維持する。装置の保守及び試験片の点検のための中断は，最小限度に抑える。

7.3.2

放射計を用いる場合は，試験片とともに試験期間中，暴露する。暴露期間中に試験片の配置替えを

することが望ましい。試験片の配置替えについては，4.1.4による。

7.3.3

定期的な検査のために試験片を取り出す必要がある場合，暴露面に触れない又は作業によって表面

をきずつけないように注意する。検査後，試験片は元の試験片ホルダに戻し，暴露面を元の方向に向けて

試験槽に戻す。

7.4

放射露光量の測定

放射計を用いるときは，試験片の暴露面での放射照度を示すように，放射計を取り付ける。

放射露光量は，暴露期間中の300 nm〜400 nmの波長域での，暴露面の単位面積当たりの放射エネルギ

ー（J/m2）で表すか，又は選択した任意の波長（例えば，340 nm）における，暴露面の単位面積当たりの

放射エネルギー［J/(m2･nm)］で表す。

7.5

暴露後の特性変化の測定

暴露後の特性変化の測定は，JIS K 7362による。

試験報告書

試験報告書に，次の事項を記載しなければならない。

a) この規格の規格番号

b) 試験片の詳細試験片の詳細は，次による。

1) 試験片の仕様及び出所

2) 必要ならば化合物，硬化時間及び硬化温度の詳細

3) 試験片の作製方法の詳細

K 7350-2：2008

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

注記暴露試験を請負機関で行う場合には，試験片は通常コード番号で認識する。請負機関が試験

報告書に記載するのに必要な試験片の詳細は，依頼者が用意する。

c) 試験方法試験方法は，次による。

1) 次の事柄を含む暴露装置及び光源の詳細

1.1) 装置及び光源

1.2) 用いたフィルタの詳細

1.3) 要求された場合には，試験片表面における放射照度（測定時の波長域を含む。）

2) 用いたブラックスタンダード温度計又はブラックパネル温度計及び／又はホワイトパネル温度計の

センサのタイプ，及びセンサが試験片の暴露領域にない場合には，センサの正確な位置

3) 要求された場合には，湿度を測定する機器のタイプ

4) 次の事項を含む暴露サイクルの詳細

4.1) 用いたブラックスタンダード温度計又はブラックパネル温度計のセンサによって記録された温度

の平均及び許容限度

4.2) 試験片上を流れる空気の相対湿度の平均及び許容限度

4.3) 水噴霧を含む試験の場合には，水噴霧の時間，及び水が暴露面の表面，裏面又は両面に噴霧した

かどうか。試験片に目立った汚れ及び付着物が付いた場合には，噴霧に用いた水の水質。

4.4) 水を試験片に凝縮させた場合には，その凝縮時間

4.5) 照射時間及び暗黒時間

5) 試験片の裏当てに用いた材料の詳細及び試験片の試験片取付枠への取付方法の詳細

6) 試験片の位置を入れ替えた場合には，その手順

7) 放射計で露光量を測定した場合には，その放射計の詳細

d) 試験結果試験結果は，次による。

1) 報告した特性の測定に用いた手順の詳細

2) 次の事柄を含むJIS K 7362によって得られた結果

2.1) 試験片の特性測定の結果

2.2) コントロール試験片の特性測定の結果

2.3) 測定した場合には，未暴露のファイル試験片（試験した試験片と同時に作製し，保存しておいた

試験片）の特性測定の結果

2.4) 暴露期間［時間，又は放射エネルギー (J/m2) 及びその測定波長］

e) 試験年月日

K 7350-2：2008

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

附属書A

（参考）

フィルタを組み合わせたキセノンアークランプ放射−分光分布

序文

この附属書は，各種フィルタを組み合わせたキセノンアークランプ放射の分光分布について記載するも

のであって，規定の一部ではない。

A.1 一般

CIE No.85では，代表的な大気条件下での太陽光の分光放射照度が記載されており，このデータから太

陽光と実験室光源との比較の基礎データとして利用することができる。フィルタを通したキセノンアーク

ランプの分光分布データは，CIE No.85の表4を基にしている。

A.2 分光放射照度の仕様（紫外域）

A.2.1 デイライトフィルタを通したキセノンアークランプ

CIE No.85の表4の紫外域（＜400 nm ）のデータからデイライトフィルタを通したキセノンアークラン

プの基準照度が得られる。表1は，CIE No.85の表4の基準データによる。

A.2.2 窓ガラスフィルタを通したキセノンアークランプ

表2の，窓ガラスフィルタを通したキセノンアークランプの基準分光放射データは，CIE No.85の表4

の紫外域のデータに，窓ガラスの代表的な透過率を考慮に入れることによって求める。窓ガラスの透過率

は，ISO 11341の表B.2にある3 mm 厚さの窓ガラス透過率を基にしている。CIE No.85の表4の照度に特

定の窓ガラスの透過率を掛けることによって各々の波長の放射照度が決まり，基準分光放射データが得ら

れる。

A.2.3 範囲

表1及び表2で記載されている分光放射照度の範囲は，3M，アトラスマテリアルテスティングテク

ノロジー，Q-パネルラボラトリープロダクツ及びスガ試験機株式会社によって提供された分光放射照度

データによる。波長ごとの放射照度を積算し，290 nm〜400 nm の分光放射照度の百分率として記載され

ている。表1及び表2の許容範囲は，3σである。測定結果がキセノンアークランプ装置を代表するもの

と仮定すると，市販の装置の99 %が範囲内となる。

参考文献

[1] CIE No.85:1989，Technical Report−Solar spectral irradiance

[2] ISO 11341:2004，Paints and varnishes−Artificial weathering and exposure to artificial radiation

−Exposure to filtered xenon-arc radiation

[3] ASTM G 155，Standard Practice for Operating Xenon Arc Light Apparatus for Exposure of

Non-Metallic Materials

[4] JIS K 0101 工業用水試験方法

附属書JA

（参考）

JISと対応する国際規格との対比表

JIS K 7350-2:2008 プラスチック−実験室光源による暴露試験方法−第2部：
キセノンアークランプ

ISO 4892-2:2006, Plastics−Methods of exposure to laboratory light sources−Part 2:
Xenon-arc lamps及びAmendment 1 (2007)

(Ⅰ)JISの規定

(Ⅱ)
国際規格番
号

(Ⅲ)国際規格の規定

(Ⅳ)JISと国際規格との技術的差異の箇条ごと
の評価及びその内容

(Ⅴ)JISと国際規格との技術的差異の
理由及び今後の対策

箇条番号及び名
称

内容

箇条
番号

内容

箇条ごとの評
価

技術的差異の内容

4 装置
4.1 実験室光源
4.1.4 放射照度
の均一性

放射照度の
均一性につ
いて規定

4.1
4.1.3

JISにほぼ同じ
ISO 4892-1を引用

追加

JIS K 7350-1の引用をやめ，
試験片の配置替えの目的及
びスケジュールの追加

JISは，ISO 4892-1:1994に対応してい
るが，最新版のISO 4892-1:1999に追
加された部分を含めた。技術的差異は
ない。

4.3 放射計

放射計につ
いて規定

4.3

JISにほぼ同じ
ISO 4892-1を引用

変更

JIS K 7350-1の5.2の引用に
変更

引用規格の構成の変更のため，技術的
差異はない。

4.4 ブラックス
タンダード温度
計又はブラック
パネル温度計

温度計につ
いて規定

4.4

JISにほぼ同じ
ISO 4892-1を引用

追加

JIS K 7350-1の5.1.5のすべ
ての引用をやめ，温度計の板
の厚さを追加

JISは，ISO 4892-1:1994に対応してい
るが，最新版ISO 4892-1:1999には対
応していない部分があり，その部分の
規定を追加した。
技術的差異はない。

4.5.3 凝縮及び
噴霧システム

噴霧に用い
る水質を参
考記載

4.5.3

噴霧に用いる水質
を規定

変更

噴霧に用いる水質を，規定か
ら参考の注記に変更し，ISO
4892-2に記載されていない
水質項目の測定方法(JIS K
0101)を，参考として追記

ISO 4892-2は，噴霧に用いる水質を規
定しているが，この規格の使用実態に
則して変更した。
今後，ISO 4892-2の修正をTC61/SC6
へ申し入れる。

6 試験条件
6.1 放射照度
表3及び表4

放射照度に
ついて規定

6.1
Table3,4

JISにほぼ同じ

追加

旧規格での放射照度との関
係を追加

旧規格での放射照度との関係を示し，
使用者の利便性を考慮した。
技術的差異はない。

-2

：

-2

：

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き、本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

(Ⅰ)JISの規定

(Ⅱ)
国際規格番
号

(Ⅲ)国際規格の規定

(Ⅳ)JISと国際規格との技術的差異の箇条ごと
の評価及びその内容

(Ⅴ)JISと国際規格との技術的差異の
理由及び今後の対策

箇条番号及び名
称

内容

箇条
番号

内容

箇条ごとの評
価

技術的差異の内容

6.3 試験槽内空
気の相対湿度
表3及び表4

相対湿度に
ついて規定

6.3
Table3,4

JISにほぼ同じ

追加

相対湿度の条件を追加

槽内温度は制御していないが，相対湿
度を制御している機器が相当数ある
ため，条件を追加した。
技術的差異はない。

7 操作
7.2 試験片の取
付け

試験片の取
付け方につ
いて規定

7.2

JISにほぼ同じ

追加

試験片ホルダの空き部分を
なくす記述を追加

使用者の利便性を考慮した。実作業の
実態であり，技術的差異はない。

7.3 暴露

暴露につい
て規定

7.3

JISにほぼ同じ

変更

細分箇条の追加

構成の変更のため，技術的差異はな
い。

7.3.2

暴露につい
て規定

7.3

JISにほぼ同じ
ISO 4892-1を引用

追加

JIS K 7350-1の引用をやめ，
詳細な配置替えの方法を記
載し，ISO規格の最新版の規
定を追加

JISは，ISO 4892-1:1994に対応してい
るが，最新版のISO 4892-1:1999に追
加された部分を含めた。技術的差異は
ない。

8 試験報告書

試験報告書
の詳細につ
いて規定

JISにほぼ同じ
ISO 4892-1を引用

追加

JIS K 7350-1の引用をやめ，
詳細に報告事項を記載し，
ISO規格の最新版の規定を
追加

JISは，ISO 4892-1:1994に対応してい
るが，最新版のISO 4892-1:1999に追
加された部分を含めた。
技術的差異はない。

JISと国際規格との対応の程度の全体評価：ISO 4892-2:2006 , Amd 1:2007, MOD

注記1 箇条ごとの評価欄の用語の意味は，次による。

− 追加 ················· 国際規格にない規定項目又は規定内容を追加している。
− 変更 ················· 国際規格の規定内容を変更している。

注記2 JISと国際規格との対応の程度の全体評価欄の記号の意味は，次による。

− MOD ················ 国際規格を修正している。

-2

：

-2

：

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き、本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。