日本工業規格

                 

JIS

K 0148

：

2005

表面化学分析

－

全反射蛍光Ｘ線分析法

(

TXRF

)

によるシリコンウェーハ

表面汚染元素の定量方法

正  誤  票

区分

位  置

誤

正

本体

附属書

B

B.1

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

(

µ

/

ρ

)

M,

λ

P

：試料

M

に入射する

X

線の質

量吸収係数［

2

］

γ

A

：元素

A

の当該殻の吸収端における

ジャンプ比［

2

] 

ω

A

：元素

A

の当該殻の蛍光収率［

2

,

3

,

4

]

 
g

L

：測定されたスペクトル

L

の相対遷移

確率［

5

］

(

µ

/

ρ

)

M,

λ

P

：試料

M

に入射する

X

線の質

量吸収係数［

1

］

γ

A

：元素

A

の当該殻の吸収端における

ジャンプ比［

1

] 

ω

A

：元素

A

の当該殻の蛍光収率［

1

,

2

,

3

]

 
g

L

：測定されたスペクトル

L

の相対遷移

確率［

4

］

附属書

E

E.2 

 
 

E.3 

フ ィ ル ム 状 汚 染 の ア ン グ ル ス キ ャ ン

［

6

,

15

］

粒子状汚染のアングルスキャン

［

12

］

フ ィ ル ム 状 汚 染 の ア ン グ ル ス キ ャ ン

［

5

,

14

］

粒子状汚染のアングルスキャン

［

11

］

平成

17

年

10

月

3

日作成