JISK0142:2000 表面化学分析－情報フォーマット

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

日本工業規格 JIS

K 0142 : 2000

(ISO 14975 : 2000)

表面化学分析−情報フォーマット

Surface chemical analysis−Information formats

序文この規格は，2000年度版として発行予定のISO 14975, Surface chemical analysis−Information formats

を翻訳し，技術的内容及び規格票の様式を変更することなく作成した日本工業規格である。

なお，この規格で点線の下線を施してある箇所は，原国際規格にない事項である。

JIS K 0141は表面化学分析データを送信するためのディジタルデータ転送フォーマットを規定している。

多くの科学分野でデータベースの重要性が増しており，スペクトルデータをデータベース中に蓄積したり，

データベース中で取り扱ったりすることが重要となっている。JIS K 0141の構造はデータ通信を目的とし

ているが，データベースの操作は通信とは全く異なった操作である。したがって必要に応じて付加的な情

報をJIS K 0141に含ませることはデータベースのデータを取り扱ううえに重要なことである。この規格は

データベースのデータを取り扱うために必要な(1)試料情報，(2)校正情報，(3)データ処理情報に関する情報

パッケージを定義したものである。フォーマットは将来の変更にも対応している。このフォーマットはJIS

K 0141とともに動作するようになっているため，JIS K 0141を読むことができるソフトウェアはこの情報

パッケージが付加された場合でも正しく動作する。この規格はJIS K 0141を補完するものであると同時に，

単独でも動作するものである。

この規格に記述されているデータファイル構造決定のための背景は重要である。プログラマが新しいソフ

トウェアの中で信頼度高くフォーマットを実行するにはMicrosoft WindowsTM“.INI”ファイル構造の解釈

方法に従えばよい。現在のコンピュータはWindows Application Programming InterfaceTMを通して，様々な

コンピュータ言語を用いてフォーマットを読み書きすることが可能である。

1. 適用範囲この規格はJIS K 0141：表面化学分析−データ転送フォーマットを補完するためのフォー

マットを規定するものであり，表面化学分析スペクトルデータベースの構築，増強，変更のためのデータ

を送信するためのものである。フォーマットはオージェ電子分光法 (AES) 及びX線光電子分光法 (XPS)

に適用される。

2. 引用規格次に掲げる規格は，この規格に引用されることによって，この規格の規定の一部を構成す

る。これらの規格は，その最新版（追補を含む。）を適用する。

JIS K 0141：表面化学分析−データ転送フォーマット

備考 ISO 14976 Surface chemical analysis−Data transfer formatが，この規格と一致している。

3. 定義この規格で用いる用語の定義は，次による。

3.1

データベース

検索可能なスペクトルデータ

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

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3.2

情報

試料，分光器の校正，データ処理又はスペクトルデータベースを構築するうえに必要な情報

3.3

パッケージ

スペクトルデータに記述する一連の文字列

4. 記号と省略形

CAS：化学文献検索サービス

DTF：JIS K 0141［表面化学分析−データ転送フォーマット (Data Transfer Format)］

IUPAC：純正及び応用化学に関する国際連合

N/A：適用不可能

5. 情報フォーマットの記述

5.1

一般

情報はDTFの注釈行に挿入するか，又はパッケージとしてDTFに添付する。その結果，現在のDTFを

情報の搬送体としてそのまま用いることができる。これらのパッケージはDTFの実験−注釈行，又はブロ

ック−注釈行に挿入するか，DTFの外にブロックとして付け加えることができる。

この構造によって，フォーマットを読むプログラムは，すべてのブロックに適用される実験−注釈行，

又は一つのブロックに適用されるブロック−注釈行，又はDTF外のブロックの中でフォーマット識別子を

探すことができる。これまでに存在していた読み取り用のプログラムはこれらのパッケージを人間が読む

ための注釈コメントとして解釈して無視することができる。

この規格では，ʻ試料情報フォーマットʼ，ʻ校正情報フォーマットʼ及びʻデータ処理フォーマットʼの

ための情報パッケージが記述されている。これらはモジュール化されており，これまでに書かれたソフト

ウェアとの両立性が保たれている。

5.2

付則及び定義

文字列＝最大80文字まで，最後に改行を伴う。

文字＝次の半角文字セットの一つ；

ʻ ʻ｜ʻ！ʼ｜ʻ”ʼ｜ʻ#ʼ｜ʻ$ʼ｜ʻ%ʼ｜ʻ&ʼ｜“ʼ”｜ʻ (ʼ｜ʻ) ʼ｜ʻ*ʼ｜ʻ＋ʼ｜ʻ, ʼ｜ʻ-ʼ｜ʻ．ʼ｜ʻ/ʼ

｜ʻ0ʼ｜ʻ1ʼ｜ʻ2ʼ｜ʻ3ʼ｜ʻ4ʼ｜ʻ5ʼ｜ʻ6ʼ｜ʻ7ʼ｜ʻ8ʼ｜ʻ9ʼ｜ʻ: ʼ｜ʻ; ʼ｜ʻ<ʼ｜ʻ＝ʼ｜ʻ>ʼ｜ʻ？ʼ

｜ʻ@ʼ｜ʻAʼ｜ʻBʼ｜ʻCʼ｜ʻDʼ｜ʻEʼ｜ʻFʼ｜ʻGʼ｜ʻHʼ｜ʻIʼ｜ʻJʼ｜ʻKʼ｜ʻLʼ｜ʻMʼ｜ʻNʼ｜ʻOʼ

｜ʻPʼ｜ʻQʼ｜ʻRʼ｜ʻSʼ｜ʻTʼ｜ʻUʼ｜ʻVʼ｜ʻWʼ｜ʻXʼ｜ʻYʼ｜ʻZʼ｜ʻ [ʼ｜ʻ＼ʼ｜ʻ] ʼ｜ʻ^ʼ｜ʻ̲ʼ

｜ʻ̀ʼ｜ʻaʼ｜ʻbʼ｜ʻcʼ｜ʻdʼ｜ʻeʼ｜ʻfʼ｜ʻgʼ｜ʻhʼ｜ʻiʼ｜ʻjʼ｜ʻkʼ｜ʻlʼ｜ʻmʼ｜ʻnʼ｜ʻoʼ

｜ʻpʼ｜ʻqʼ｜ʻrʼ｜ʻsʼ｜ʻtʼ｜ʻuʼ｜ʻvʼ｜ʻwʼ｜ʻxʼ｜ʻyʼ｜ʻzʼ｜ʻ {ʼ｜ʻ|ʼ｜ʻ} ʼ｜ʻ̅ʼ

引用符間の垂直の線は文字の区切りを示す。

改行＝7ビット “Return key” アスキーコードに7ビットの “Line Feed” アスキーコードが伴ったもの。

複数文字列＝一つの項目を規定するための複数文字列

ISO/IEC指示書第3部では小数点はコンマで示すことが指定されているが，コンマは人間が読むときに

用いる場合であり，コンピュータの入力項目としては，通常の用法に従い，小数点を表すものとしては点

を用いることとする。

5.3

フォーマット

5.3.1

構造

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a) 試料情報パッケージの内容

試料情報パッケージは次に太字で示される項目からなる連続した文字列のテキストファイルである。

太字の定義は5.3.2で示される。すべての項目は決められた順序に従い記述しなければならない。

試料情報フォーマット識別子

主物質

IUPAC 化学名

化学抄録登録番号

主物質組成

純度

既知不純物

結晶構造

製品形態

供給者

製品番号

均一性

結晶性

材料分類

特別材料分類

試料装着方法

外部処理法

その場処理法

帯電補正法

試料温度

試料情報に関するコメント

試料情報フォーマット終了識別子

b) 校正情報パッケージの内容

校正情報パッケージは次に太字で示される項目からなる連続した文字列のテキストファイルである。

太字の定義は5.3.2で示される。すべての項目は決められた順序に従い記述しなければならない。

校正情報フォーマット識別子

エネルギー軸校正

強度軸校正

分解能校正

校正情報フォーマット終了識別子

c) データ処理情報パッケージの内容

データ処理情報パッケージは次に太字で示される項目からなる連続した文字列のテキストファイル

である。太字（太字ゴシック体）の定義は5.3.2で示される。すべての項目は決められた順序に従い記

述しなければならない。

データ処理情報フォーマット識別子

データ処理方法

データ処理情報フォーマット終了識別子

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5.3.2

フォーマット中の項目の定義

a) 試料情報フォーマット

ここで定義されていない項目の定義は5.2で定義されている。引用符で囲まれた言葉はフォーマッ

トのコーディングに使われる。IUPAC命名法及びCAS登録番号をフォーマットのコーディングの際

に参照すること。

試料情報フォーマット識別子は，次の文字列，

“[ISO̲Specimen̲Information̲Format̲1998̲October̲15]”である。

主物質は文字列である。この文字列は “host̲material＝” から始まり，試料の一般名が続く。

IUPAC化学名は文字列である。この文字列は “IUPAC̲chemical̲name＝” から始まり，主物質の

IUPAC化学名，若しくは特定ができない場合には “none”，“unknown” 又は “N/A” を付ける。

化学抄録登録番号は文字列である。この文字列は “chemical̲abstracts̲registry̲number＝” から始ま

り，主物質の化学抄録登録番号，若しくは特定ができない場合には “none”，“unknown” 又は “N/A” を

付ける。

主物質組成は文字列である。この文字列は “host̲material̲composition＝” から始まり，存在する主

元素名あるいは化学式が続く。主元素名を用いるときには組成を数値で書き “mass%” 又は

“atomic%” を付ける。組成が特定できないときには数値の代わりに “̲” を用いる。

純度は文字列である。この文字列は “bulk̲purity＝” から始まり，物質の純度と保証者，若しくは

特定ができない場合には “unknown”，又は “N/A” を付ける。純度は実数で表され，単位はmass%と

atomic%が許容される。単位は必ず付けなくてはならない。 “4N” というような記述は認められない。

既知不純物は文字列である。この文字列は “known̲impurities＝” から始まり，不純物名，濃度，保

証者，若しくは特定ができない場合には “none”，“unknown” 又は “N/A” を付ける。許容される単位

はmass%, atomic%, ppm, ppb, atoms/cm3とatoms/cm2である。単位は必ず付けなくてはならない。

構造は文字列である。この文字列は “structure＝” から始まり，例えばちゅう（稠）密六方晶という

ような結晶の情報と方位，粒界破面というようなコメント，若しくは特定ができない場合には

“unknown” 又は “N/A” を付ける。

製品形態は文字列である。この文字列は “form̲of̲products＝” から始まり，試料が使われている製

品名，若しくは特定ができない場合には “unknown” 又は “N/A” を付ける。

供給者は文字列である。この文字列は “supplier＝” から始まり，試料の製造者名又は供給者名，試

料の製造方法，若しくは特定ができない場合には “unknown” 又は “N/A”を付ける。

製品番号は文字列である。この文字列は “lot̲number＝” から始まり，製造工程を識別する番号，若

しくは特定ができない場合には “unknown” 又は “N/A” を付ける。

均質性は文字列である。この文字列は “homogeneity＝” から始まり，“homogeneous”，

“inhomogeneous”，“unknown”，“N/A” ，又はこれらの表現が不適切な場合には均質性を表現する別な

表現が続く。次に “ ; ” を付けてコメントを加えてもよい。

結晶性は文字列である。この文字列は “crystallinity＝” から始まり，“single” （単結晶，表面のミラ

ー指数を “̲” でつなげて記述），“poly” （多結晶），“amorphous”，“unknown”，“N/A” 又はこれらの

表現が不適切な場合には結品性を表現する別な表現が続く。次に “ ; ” を付けてコメントを加えても

よい。

材料分類は文字列である。この文字列は “material̲family＝” から始まり，“metal”，“inorganic” （無

機化合物），“organic” （有機化合物），“polymer”，“semi” （半導体），“bio” （生体材料），“composite”，

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“super̲conductive” （超伝導材料）又はこれらの表現が不適切な場合には材料分類を表現する別な表現

が続く。次に “ ; ” を付けてコメントを加えてもよい。

特別材料分類は文字列である。この文字列は “special̲material̲classes＝” から始まり，“rod” （棒又

は塊），“sheet” ［基板無しのシート又ははく（箔）］， “film̲single” （基板上の単層薄膜又はコーティ

ング膜），“film multi” （基板上の多層薄膜又は多重コーティング膜），“sinter” （焼結体），“wafer”，

“powder”，“fiber” 又はこれらの表現が不適切な場合には特別材料分類を表現するためのその他の表現

が続く。次に “ ; ” を付けてコメントを加えてもよい。

試料装着方法は文字列である。この文字列は “specimen̲mounting＝” から始まり，“mechanical” （ね

じ，バネなどで機械的に装着），“mechanically̲under̲grid” （バネで網に機械的に押し付ける），

“conductive̲adhesive” （導電性物質で固定する），“nonconductive̲adhesive” （非導電性物質で固定す

る），“powder̲compact̲In” ［粉末をインジウムはく（箔）又はインジウムパッドで押し付ける］，

“powder̲put̲into” （粉末を導電性物質の中に入れる（例：銅ブロックのホール））又はこれらの表現

が不適切な場合には試料装着方法を表現する別な表現が続く。次に “ ; ” を付けてコメントを加えて

もよい。

外部処理法は文字列である。この文字列は “ex̲situ̲preparation＝” から始まり， “none”，“polish”，

“cleavage”，“ion” （イオンビームで切断），“powder̲compact̲steel̲pad” （粉末をスティールパッドで

押し付ける），“acetone” （アセトンで脱脂）又はこれらの表現が不適切な場合には外部処理法を表現

するためのその他の表現が続く。もし外部処理法が上記の方法を連続して用いたならば，複数文字列

が用いられ，それぞれの文字列のラベルに次のような番号を付ける。すなわち， “ex̲situ̲preparation̲1

＝” 又は “ex̲situ̲preparation̲2＝” のように記述する。番号は外部処理法の順序を示す。もし，異な

った外部処理法を同時に用いたときには，“ex̲situ̲preparation＝” の後に用いた外部処理法を “＋” で

つなげる。次に “ ; ” を付けてコメントを加えてもよい。

その場処理法は，文字列である。この文字列は “in̲situ̲preparation＝” から始まり， “none”，“ion”

（イオンスパッタリング， “̲" でイオン銃の電圧，イオン銃の電流，イオン種をつなげる），“cleavage"，

“heating”，“scratch” 又はこれらの表現が不適切な場合にはその場処理法を表現する別な表現が続く。

もしその場処理法が上記の方法を連続して用いたならば，複数文字列が用いられ，それぞれの文字列

のラベルに次のような番号を付ける。すなわち，“in̲situ̲preparation̲1＝” 又は “in̲situ̲preparation̲2

＝” のように記述する。番号はその場処理法の順序を示す。異なったその場処理法を同時に用いたと

きには， “in̲situ̲preparation＝” の後に用いたその場処理法を “＋” でつなげる。次に “ ; ” を付けて

コメントを加えてもよい。

帯電補正法は，文字列である。この文字列は “charge̲control̲condition＝” から始まり，“none”，“flood”

（フラッド銃，“̲” でフラッド銃の電圧，フラッド銃の電流をつないで記述），“screen” （メッシュや

金属はくでカバー），又はこれらの表現が不適切な場合には帯電補正法を表現する別な表現が続く。も

し帯電補正法が上記の方法を連続して用いたならば，複数文字列が用いられ，それぞれの文字列のラ

ベルに次のような番号を付ける。すなわち，“charge̲control̲condition̲1＝” 又は

“charge̲control̲condition̲2＝” のように記述する。番号は帯電補正法の順序を示す。異なった帯電補

正法を同時に用いたときには，“charge̲control̲condition＝” の後に，用いた帯電補正法を “＋” でつ

なげる。次に “ ; ” を付けてコメントを加えてもよい。

試料温度は，文字列である。この文字列は “specimen̲temperature＝” から始まり，雰囲気の温度又

は加熱温度，又は特定ができない場合には “unknown” を付ける。試料温度は絶対温度の実数で表し，

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“K” を数値の後に付ける。また，一次照射線束による温度の変化は考慮しなくてよい。

試料情報に関するコメントは，文字列である。この文字列は “comment＝” から始まり，コメント

が続く。もし複数文字列が必要なときには，各文字列に “comment̲1＝” 又は “comment̲2＝” という

ような番号を付ける。もしコメントがなければ “comment＝” の後には何も記入しない。

試料情報フォーマット終了識別子は，次の文字列，

“[end̲of̲specimen̲information̲format]” である。

b) 校正情報フォーマット

ここで定義されていない項目の定義は5.2で定義されている。引用符で囲まれた文字列はフォーマ

ットのコーディングに使われる。

校正情報フォーマット識別子は，次の文字列，

AESの場合は，“[ISO̲AES̲Calibration̲Information̲Format̲1998̲October̲15]”,

XPSの場合は，“[ISO̲XPS̲Calibration̲Information̲Format̲1998̲October̲15]” である。

エネルギー軸校正は，文字列である。この文字列は “energy̲scale̲calibration̲feature̲label＝” から

始まり，校正に使用した分析法，元素名と遷移が続く。分析法と元素名は “̲” でつなぐ。この文字列

の次には “energy̲scale̲calibration̲feature̲nominal̲energy＝” で始まる文字列が続く。この文字列には

エネルギー軸名及びピーク値が続き，最後に，改行を付ける。エネルギー軸名とピーク値は “̲” でつ

なぐ。もし校正が複数のピークで実施されたときにはそれぞれの分析法と元素名を

“energy̲scale̲calibration̲feature̲label̲1＝” のように，番号を付けたラベルで指示し，エネルギー軸名

及びピーク値は “energy̲scale̲calibration̲feature̲nominal̲energy̲1＝” のように番号を付けたラベル

で指示する。この組み合わせは “energy̲scale̲calibration̲feature̲label̲2＝”，

“energy̲scale̲calibration̲feature̲nominal̲energy̲2＝” と続いていく。

帯電補正が行われたときには “energy̲scale̲calibration̲charge̲compensation＝” の文字列の後に参

照元素名と遷移とピーク値を記述する。参照元素名とピーク値は “̲” でつなぐ。フラッド銃を用いた

ときには参照元素名の代わりに “flood” と記入する。

スペクトルが決定された手順書に従って校正されたときには，文字列は “energy̲scale̲calibration＝”，

で始まり，対応する標準化文書名，番号，発行年，eVで表した誤差を記述する。文書名，番号，発行

年，と誤差は “̲” でつなぐ。次に “ ; ” を付けてコメントを加えてもよい。

スペクトルが校正されないときには，文字列は “energy̲scale̲calibration＝uncalibrated” とする。

強度軸校正は，文字列である。この文字列は “intensity̲scale̲calibration＝” から始まり，強度軸校

正法を記述し，最後に，改行を付ける。参照した論文名又はドキュメント名を記述する事も容認する。

手続きを記述するときに複数文字列が必要なときには “intensity̲scale̲calibration̲1＝” や

“intensity̲scale̲calibration̲2＝” のように番号を付けて記述する。

スペクトルが決定された手順書に従って校正されたときには，文字列は “intensity̲scale̲calibration

＝”，で始まり，対応する標準化文書名，番号，発行年及び可能ならばコメントを記述する。次に “ ; ”

を付けてコメントを加えてもよい。

スペクトルが校正されないときには，文字列は “intensity̲scale̲calibration＝uncalibrated” とする。

分解能校正は，文字列である。この文字列は “resolution̲calibration＝” から始まり，分解能校正法

を記述する。手続きを記述するときに複数文字列が必要なときには “resolution̲calibration̲1＝” や

“resolution̲calibration̲2＝” のように番号を付けて記述する。

スペクトルが決定された手順書に従って校正されたときには，文字列は “resolution̲calibration＝”,

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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

で始まり，対応する標準化文書名，番号，発行年，エネルギー分解能を記述する。文書名，番号，発

行年，とエネルギー分解能は “̲” でつなぐ。次に “ ; ” を付けてコメントを加えてもよい。

スペクトルが校正されないときには，文字列は “resolution̲calibration＝uncalibrated” とする。

校正情報フォーマット終了識別子は，文字列，

“[end̲of̲calibration̲information̲format]” である。

c) データ処理法フォーマット

ここで定義されていない項目の定義は5.2で定義されている。引用符で囲まれた言葉はフォーマッ

トのコーディングに使われる。

データ処理情報フォーマット終了識別子は，次の文字列，

AESの場合は “[ISO̲AES̲Data̲Processing̲Information̲Format̲1998̲October̲15]”，

XPSの場合は “[ISO̲XPS̲Data̲Processing̲Information̲Format̲1998̲October̲15]” である。

データ処理法は，文字列である。この文字列は “data̲processing̲procedure＝” から始まり，データ

処理法を記述する。異なったデータ処理法が順序に従って実行されたときはそれぞれのデータ処理法

は “data̲processing̲procedure̲1＝” や “data̲processing̲procedure̲2＝” のように番号を付けて記述す

る。番号は処理の順番を示す。

スペクトルが処理されないときには，文字列は “data̲processing̲procedure＝unprocessed” とする。

データ処理情報フォーマット終了識別子は，次の文字列，

“[end̲of̲data̲processing̲information̲format]” である。

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

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附属書A（参考）フォーマットの特定項目例

A.1 主物質

ステンレス鋼，金銅合金，6061Al，ポリアミド，ナイロン，砒化ガリウムというような試料の一般名を

記述する。層状構造物質の場合には主物質としては表面近傍のバルク物質を記述する。例えば，Si基板上

に生成した厚いSiO2膜上にある極薄膜金属をXPSで分析した場合には，XPSでは基板のSiは観測されな

いので，ʻsilicaʼと記述する。

A.2 主物質成分

存在している主元素名又は化学式を，例えば，Li3 PO4，SiO2，W(CO)6というように記述する。質量組

成又は原子組成で表されるときには，例えば，Fe74Cr18Ni8mass%，又はAu50Cu50atomic%と記述する。

組成が特定できない場合には，例えば，Li-P-O-と記述する。

A.3 純度

例えば，99.99mass% checked by NISSAN ARC LTD.と記述する。

A.4 既知不純物

例えば，N̲0.01mass%，O̲0.02mass% checked by NISSAN ARC LTD.，又はS̲4E17 atoms/cm3と記述する。

A.5 製品形状

試料が使われている製品名をあげる。例えばMOSFET，試薬，磁気ディスク，単結品ウェファ，腐食し

たフェンダ突出部，ハードディスク上の潤滑膜と記述する。

A.6 エネルギー軸補正

Cu，Ag，及びAuを用いてXPSエネルギー軸を校正したときには，記述は次のようになる。

energy̲scale̲calibration̲feature̲label̲1＝XPS̲Cu2p3/2

energy̲scale̲calibration̲feature̲nominal̲energy̲1＝BE̲932.66eV

energy̲scale̲calibration̲feature̲label̲2＝XPS̲Ag3d5/2

energy̲scale̲calibration̲feature̲nominal̲energy̲2＝BE̲368.27eV

energy̲scale̲calibration̲feature̲label̲3＝XPS̲Au4f7/2

energy̲scale̲calibration̲feature̲nominal̲energy̲3＝BE̲84.00eV

もし，Clsピーク位置を用いて帯電補正を行ったときには，表現は次のようになる。

energy̲scale̲calibration̲charge̲compensation＝Cls̲285eV

AESの場合には，次のようになる。

energy̲scale̲calibration̲feature̲label̲1＝AES̲CuMVV

energy̲scale̲calibration̲feature̲nominal̲energy̲1＝KE̲61.16eV

energy̲scale̲calibration̲feature̲label̲2＝AES̲AuNVV

energy̲scale̲calibration̲feature̲nominal̲energy̲2＝KE̲72.21eV

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

energy̲scale̲calibration̲feature̲label̲3＝AES̲CuLVV

energy̲scale̲calibration̲feature̲nominal̲energy̲3＝KE̲918.62eV

XPSとAESのエネルギー軸校正に用いるピーク値はSurface and Interface Analysis, 1998, vol. 26, P 642,

とJournal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 1998, vol. 97, p 235にそれぞれあげられている。

スペクトルが定義された手法によって校正されたときの記述は，次のとおりである。

energy̲scale̲calibration̲procedure＝ISO9999̲1998̲0.25eV

A.7 強度校正

強度軸校正法を特定する。引用した雑誌名又は文書名を引用することが必要である。強度軸校正法に関

してはJournal of Surface Science Society of Japan, 1994, vol. 15, p 376, Journal of Surface Science Society of

Japan, 1995, vol. 16, p 434,およびJournal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 1990, vol. 50, p 137，

及びNPL Al ; AESに関するNPL校正法，又はNPL X1 ; XPSに関するNPL校正法がある。

スペクトルが定義された手法によって校正されたときの記述は，次のとおりである。

intensity̲scale̲calibration̲procedure＝ISO9999̲1998 ; attach Cu spectrum

A.8 分解能校正

エネルギー分解能校正法を特定する。簡単な記述を推奨する。 "FWHM of Ag3d5/2̲0.97eV" は“電子分

光器のエネルギー分解能は銀のピーク (Ag3d5/2) の半値幅0.97eVで見積もった”という意味である。

スペクトルが定義された手法によって校正されたときの記述は，次のとおりである。

resolution calibration procedure＝ISO9999̲1998̲0.5eV

A.9 データ処理法

データ処理法を特定する。ʻSavitzky-Golayʼ，の代わりにʻS-Gʼ，ʻTougaard background subtractionʼの代わり

にʻTougaardʼというように省略形を用いてもよい。一つの文字列には一種類の処理法を記述する。

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

附属書B（参考）フォーマットの実例

B.1

例1：スーパーマーケットバッグを測定試料として得られた校正済み，かつ，データ処理済みX線

光電子スペクトルを記述したフォーマット例

[ISO̲Specimen̲Information̲Format̲1998̲October̲15]

host̲material＝polyethylene

IUPAC̲chemical̲name＝polyethylene

chemical̲abstracts̲registry̲number＝9002-88-4

host̲material̲composition＝C2H4

bulk̲purity＝99.5mass% checked by NISSAN ARC LTD.

known̲impurities＝O̲0.3mass%, N̲0.1mass% checked by NISSAN ARC LTD.

structure＝none

form̲of̲products＝supermarket bag

supplier＝Mitsubishi Chemical Co.

lot̲number＝961017PE

homogeneity＝homogeneous

crystallinity＝amorphous

material̲family＝polymer

special̲material̲classes＝sheet

specimen̲mounting＝mechanically under grid

ex̲situ̲preparation＝degreased̲by n-hexane

in̲situ̲preparation＝none

charge̲control̲conditions＝flood＋screen

specimen̲temperature＝298K

comment＝sample is linear low density polyethylene sheet

[end̲of̲specimen̲information̲format]

[ISO̲XPS̲Calibration̲Information̲Format̲1998̲October̲15]

energy̲scale̲calibration̲feature̲label̲1＝XPS̲Cu2p3/2

energy̲scale̲calibration̲feature̲nominal̲energy̲1＝BE̲932.7eV

energy̲scale̲calibration̲feature̲label̲2＝XPS̲Au4f7/2

energy̲scale̲calibration̲feature̲nominal̲energy̲2＝BE̲84.0eV

energy̲scale̲calibration̲charge̲compensation＝flood̲6eV

intensity̲scale̲calibration＝NPL̲X1

resolution̲calibration̲FWHM of Ag3d5/2̲0.97eV

[end̲of̲calibration̲information̲format]

[ISO̲XPS̲Data̲Processing̲Information̲Format̲1998̲October̲15]

data̲processing̲procedure̲1＝smoothing by 5 points Savitzky-Golay

data̲processing̲procedure̲2＝Shirley background subtraction

[end̲of̲data̲processing̲information̲format]

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

B.2

例2：半導体多層膜を測定試料として得られた校正済み，かつ，データ処理済みX線光電子スペク

トルを記述したフォーマット例

[ISO̲Specimen̲Information̲Format̲1998̲October̲15]

host̲material＝indium gallium arsenide

IUPAC̲chemical̲name＝N/A

chemical̲abstracts̲registry̲number＝none

host̲material̲composition＝In0.52Ga0.48As

bulk̲purity＝99.999mass% checked by NISSAN ARC LTD.

known̲impurities＝S̲1.8E17 atoms/cm3 checked by NISSAN ARC LTD.

structure＝cubic ; a＝0.5868nm

form̲of̲products＝laser diode

supplier＝Japan Energy

lot̲number＝#2845

homogeneity＝homogeneous

crystallinity＝single̲(100)

material̲family＝semi

special̲material̲classes＝film̲multi ; total̲thickness＝50nm

specimen̲mounting＝mechanical ; with 4 screws

ex̲situ̲preparation＝ethanol

in̲situ̲preparation＝ion̲2kV̲10uA̲Ar

charge̲control̲conditions＝none

specimen̲temperature＝298K

comment＝atomically flat interface

[end̲of̲specimen̲information̲format]

[ISO̲XPS̲Calibration̲Information̲Format̲1998̲October̲15]

energy̲scale̲calibration̲feature̲label̲1＝XPS̲Au4f7/2

energy̲scale̲calibration̲feature̲nominal̲energy̲1＝BE̲84.00eV

energy̲scale̲calibration̲feature̲label̲2＝XPS̲Cu2p3/2

energy̲scale̲calibration̲feature̲nominal̲energy̲2＝BE̲932.67eV

intensity̲scale̲calibration̲uncalibrated ; Cu and Au spectra acquired together

resolution̲calibration＝FWHM of Ag3d5/2̲0.78eV

[end̲of̲calibration̲information̲format]

[ISO̲XPS̲Data̲Processing̲Information̲Format̲1998̲October̲15]

data̲processing̲procedure＝subtraction of X−ray ghosts

[end̲of̲data̲processing̲information̲format]

B.3

例3：無機物質粉末を測定試料として得られた校正済み，かつ，データ処理済みオージェスペクトル

を記述したフォーマット例

[ISO̲Specimen̲Information̲Format̲1998̲October̲15]

host̲material＝strontium chloride

IUPAC̲chemical̲name＝strontium dichloride

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

chemical̲abstracts̲registry̲number＝0476-85-4

host̲material̲composition＝SrC12

bulk̲purity＝99.9mass% checked by NISSAN ARC LTD.

known̲impurities＝N̲0.01mass%, O̲0.02mass% checked by NISSAN ARC LTD.

structure＝cubic fluoride ; a＝0.698nm

form̲of̲products＝unknown

supplier＝Johnson Matthey

lot̲number＝EP01007

homogeneity＝homogeneous

crystallinity＝poly

material̲family＝inorganic

special̲material̲classes＝powder

specimen̲mounting＝powder̲compact̲In

ex̲situ̲preparation＝none

in̲situ̲preparation＝ion̲2kV̲10uA̲Ar

charge̲control̲conditions＝none

specimen̲temperature＝298K

comment＝

[end̲of̲specimen̲information̲format]

[ISO̲AES̲Calibration̲Information̲Format̲1998̲October̲15]

energy̲scale̲calibration̲feature̲label̲1＝AES̲CuMVV

energy̲scale̲calibration̲feature̲nominal̲energy̲1＝KE̲61.16eV

energy̲scale calibration̲feature̲label̲2＝AES AuNVV

energy̲scale̲calibration̲feature̲nominal̲energy̲2＝KE̲72.21eV

energy̲scale̲calibration̲feature̲label̲3＝AES̲CuLVV

energy̲scale̲calibration̲feature̲nominal̲energy̲3＝KE 918.62eV

intensity̲scale̲calibration＝J. Surf. Sci. Soc. Jpn., 15,376 (1994)

resolution̲calibration＝uncalibrated

[end̲of̲calibration̲information̲format]

[ISO̲AES̲Data̲Processing̲Information̲Format̲1998̲October̲15]

data̲processing̲procedure̲1＝smoothing by 7 points Savitzky-Golay

data̲processing̲procedure̲2＝Shirley background subtraction

[end̲of̲data̲processing̲information̲format]

B.4

例4：台所の流し台を測定試料として得られた校正済み，かつ，データ処理済みオージェスペクトル

を記述したフォーマット例

[ISO̲Specimen̲Information̲Format̲1998̲October̲15]

host̲material＝stainless steel

IUPAC̲chemical̲name＝unknown

chemical̲abstracts̲registry̲number＝unknown

host̲material̲composition＝Fe74Cr18Ni8mass%

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

bulk̲purity＝99.9mass% checked by NISSAN ARC LTD.

known̲impurities＝N 0.01mass%, O̲0.02mass% checked by NISSAN ARC LTD.

structure＝face centered cubic ; a＝0.359nm

form̲of̲products＝sink

supplier＝Johnson Matthey

lot̲number＝No 15876 purchased on 18 May 1993

homogeneity＝homogeneous

crystallinity＝poly

material̲family＝metal

special̲material̲classes＝sheet

specimen̲mounting＝mechanical

ex̲situ̲preparation̲1＝polish

ex̲situ̲preparation̲2＝acetone

in̲situ̲preparation＝ion̲2kV̲10uA̲Ar

charge̲control̲conditions＝none

specimen̲temperature＝298K

comment＝corroded

[end̲of̲specimen̲information̲format]

[ISO̲AES̲Calibration̲Information̲Format̲1998̲October̲15]

energy̲scale̲calibration̲feature̲label̲1＝AES̲CuMVV

energy̲scale̲calibration̲feature̲nominal̲energy̲1＝KE̲61.16eV

energy̲scale̲calibration̲feature̲label̲2＝AES̲CuLVV

energy̲scale̲calibration̲feature̲nominal̲energy̲2＝KE̲918.62eV

intensity̲scale̲calibration＝J. Surf. Sci. Soc. Jpn., 15,376 (1995)

resolution̲calibration＝uncalibrated

[end̲of̲calibration̲information̲format]

[ISO̲AES̲Data̲ProcessingInformation̲Format̲1998̲October̲15]

data̲processing̲procedure＝smoothing by 7 points Savitzky-Golay

[end̲of̲data̲processing̲information̲format]

B.5

例5：磁気ディスク上の潤滑膜を測定試料として得られた校正済み，かつ，データ処理済みX線光

電子スペクトルを記述したフォーマット例

[ISO̲Specimen̲Information̲Format̲1998̲October̲15]

host̲material＝carbon overlayer

IUPAC̲chemical̲name＝none

chemical̲abstracts̲registry̲number＝none

host̲material̲composition＝C

bulk̲purity＝99.99mass%, same as target ; hot isothermal pressed carbon

known̲impurities＝O, N, F

structure＝amorphous

form̲of̲products＝magnetic disk

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

supplier＝DENKI KAGAKU KOGYO KABUSHIKI KAISHA

lot̲number＝DA2150-AC04, 15 Oct. 1996

homogeneity＝homogeneous

crystallinity＝amorphous

material̲family＝inorganic

special̲material̲classes＝film̲single

specimen̲mounting＝mechanical

ex̲situ̲preparation̲1＝stamping out

ex̲situ̲preparation̲2＝acetone

in̲situ̲preparation＝ion̲2kV̲5nA̲Ar ; ion sputtered for surface cleaning

charge̲control̲conditions＝none

specimen̲temperature＝298K

comment̲1＝diamond-like protective carbon layer

comment̲2＝magnetic disk having lubricating layer

[end̲of̲specimen̲information̲format]

[ISO̲XPS̲Calibration̲Information̲Format̲1998̲October̲15]

energy̲scale̲calibration̲feature̲label̲1＝XPS̲Cu2p3/2

energy̲scale̲calibration̲feature̲nominal̲energy̲1＝BE̲932.66eV

energy̲scale̲calibration̲feature̲label̲2＝XPS̲Ag3d5/2

energy̲scale̲calibration̲feature̲nominal̲energy̲2＝BE̲368.27eV

energy̲scale̲calibration̲feature̲label̲3＝XPS̲Au4f7/2

energy̲scale̲calibration̲feature̲nominal̲energy̲3＝BE 84.00eV

intensityscale̲calibration＝J. Surf. Sci. Soc. Jpn., 16,434 (1995)

resolution̲calibration＝uncalibrated

[end̲of̲calibration̲information̲format]

[ISO̲XPS̲Data̲Processing̲Information̲Format̲1998̲October̲15]

data̲processing̲procedure̲1＝smoothing by 5 points S-G

data̲processing̲procedure̲2＝Tougaard Background Removal (B＝2866eV2, C＝1633eV2)

[end̲of̲data̲processing̲information̲format]

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

文献

[1] IUPAC Nomenclature of Organic Chemistry. Sections A, B, C, D, E, F and H. Pergamon Press, Oxford, 1979

[2] A Guide to IUPAC Nomenclature of Organic Compounds. Blackwell Scientific Publications, Oxford, 1993

[3] IUPAC Compendium of Macromolecular Nomenclature. Blackwell Scientific Publications, Oxford, 1991

[4] IUPAC Nomenclature of Inorganic Chemistry. Third Edition, Blackwell Scientific Publications, Oxford, 1990

[5] IUBMB Biochemical Nomenclature and Related Documents. Second Edition, Portland Press, London, 1992

[6] The CAS Registry Handbook−Number Section Supplements, American Chemical Society, Columbus, 1980

[7] DENCH, W.A., HAZEL, L.B., and SEAH, M.P. VAMAS surface chemical analysis standard data transfer

format with skeleton decoding program, Surface and Interface Analysis, November 1988, vol. 13, nos 2 and 3,

p63-122.

[8] BRYSON, C.E. and MACGUIRE, G.E. AES/XS Contributors Form, Surface Science Spectra, 1992, vol.1, no 1,

p141-161.

[9] SEAH, M.P., GILMORE, I.S. and BEAMSON, G. XPS : Binding energy calibration of electron spectro-meters

5-Re-evaluation of the reference energies, Surface and Interface Analysis, August 1998, vol. 26, no 9, p642-649.

[10] SEAH, M.P. AES : Energy calibration of electron spectrometers, IV-Are-evaluation of the reference energies.

Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, December 1998, vol. 97, no 3, p235-241.

[11] YOSHITAKE, M. and YOSHIHARA, K. Round Robin on the Energy Dependence of Sensitivity in Auger

Electron Spectroscopy, Journal of The Surface Science Society of Japan, August 1994, vol. 15, no 6, p376-383.

[12] YOSIHTAKE, M. and YOSHIHARA, K. Characterisation of XPS ʻSecondary-Standardʼ Spectra for the

COMMON DATA PROCESSING SYSTEM, Journal of The Surface Science Society of Japan, July 1995, vol.

16, no 7, p434-440.

[13] SEAH, M.P. Channel Electron Multipliers : Quantitative Intensity Measurement-Efficiency, Gain, Linearity and

Bias Effects, Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, February 1990, vol. 50, nos 1 and 2,

p137-157.

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

JIS原案作成委員構成表（平成10年4月1日現在）

氏名

所属

（委員長）

志水隆一

大阪大学大学院工学研究科

吉原一紘

科学技術庁金属材料技術研究所

工藤正博

成蹊大学工学部

合志陽一

東京大学大学院工学系研究科

福田安生

静岡大学電子工学研究所

一村信吾

電子技術総合研究所極限技術部

大嶋清治

通商産業省工業技術院標準部

大坪孝至

財団法人日本適合性認定協会

大場正幸

財団法人日本規格協会技術部

伊藤高明

財団法人日本規格協会技術部

薄木智亮

住友金属工業株式会社

大堀謙一

株式会社堀場製作所

奥村豊彦

日本電子株式会社

小田照巳

ISO/TC201/SC6セクレタリー（財団法人大阪科学技術セン

ター付属ニューマテリアルセンター内）

梶原和夫

ソニー株式会社

河合健一

三菱マテリアルシリコン株式会社

B. V. Crist

XPS International

源内規夫

株式会社コベルコ科研

小林尚

アルバック・ファイ株式会社

篠山哲明

株式会社島津製作所

鈴木茂

新日本製鐵株式会社

鈴木峰晴

NTTアドバンステクノロジ株式会社

田中彰博

アルバック・ファイ株式会社

田沼繁夫

株式会社ジャパンエナジー分析センター

角山浩三

川鉄テクノリサーチ株式会社

久本泰秀

株式会社日立製作所

日野谷重晴

住友金属工業株式会社

廣川吉之助

アルバック・ファイ株式会社

古川洋一郎

電気化学工業株式会社

本間芳和

日本電信電話株式会社

三浦薫

株式会社トクヤマ

村山順一郎

住友金属テクノロジー株式会社

吉岡芳明

株式会社松下テクノリサーチ

（事務局）

菊地諄一

財団法人大阪科学技術センター付属ニューマテリアルセ

ンター

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。

小委員会構成表

氏名

所属

（主査）

吉原一紘

科学技術庁金属材料技術研究所

（幹事）

古川洋一郎

電気化学工業株式会社

殿川衛

財団法人材料科学技術振興財団

笠村秀明

財団法人材料科学技術振興財団

福島整

無機材質研究所超微細構造解析ステーション

吉武道子

科学技術庁金属材料技術研究所

小田照巳

ISO/TC201/SC6セクレタリー（財団法人大阪科学技術セン

ター付属ニューマテリアルセンター内）

志智雄之

株式会社日産アーク

田中彰博

アルバック・ファイ株式会社

二澤宏司

理学電機工業株式会社

（事務局）

菊地諄一

財団法人大阪科学技術センター付属ニューマテリアルセ

ンター