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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

日本工業規格          JIS 

H 0610-1966 

ゲルマニウムのエッチピット測定方法 

Method of Measurement of Etch Pit Density of Germanium Crystal 

1. 適用範囲 この規格は,ゲルマニウム単結晶の(111)面上のエッチピット密度を測定する場合について

規定する。測定しうるエッチピット密度は,1cm2あたり0〜100000個の範囲とする(1)。 

注(1) 抵抗率範囲および伝導形は制限しない。 

2. 試料 試料は,直径約15〜30mmまたはこれと等しい断面積をもつ単結晶から切りだしたもので,つ

ぎの規定に適合するものとする。 

(1) 表面は(111)面に対し,3°以内の精度をもち,厚さ1〜3mmのウェーハ状であること。 

(2) 測定面には肉眼で明りょうにわかるきず,よごれなどがないこと(2)。 

注(2) 測定面にこのようなきずが見られる場合は,粒度30μ以下の研摩材で研摩する。また,よごれを

除くために,有機溶剤または洗剤で脱脂し,清浄な水で洗浄する必要がある。 

3. エッチング 

3.1 

エッチング環境 試料のエッチング時の周囲温度は,原則として23℃±3degとする。 

3.2 

エッチング液 エッチング液は,つぎのとおりとする。 

(1) エッチング液は,つぎの組成で混合し調製する。 

ふっ化水素酸 

1容 

硝酸 

4容 

この溶液は,混合精度が±2%以内で調製する(3)。 

注(3) 混合後直ちに使用してよく,また密せんしたポリエチレン容器内に室温で少なくとも1箇月の保

存が可能である。 

(2) 各薬品は,日本工業規格に規定された試薬1級以上の純度を要し,つぎの濃度のものを使用する。 

ふっ化水素酸 

49±0.5% 

硝酸 

70±1% 

3.3 

エッチング容器 エッチング容器は,つぎのとおりとする。 

(1) 容器は,ポリエチレンまたはふっ素樹脂製ビーカーとする。 

(2) 容器の大きさは,エッチング液面と試料表面の距離が3mm以上になるようなものであること。 

3.4 

エッチング手順 エッチング手順は,つぎのとおりとする。 

(1) 1〜6枚の試料を,測定面を上にして重なり合わないように容器の底にならべる。 

(2) 25℃±1degのエッチング液を,1枚の試料あたり約10mlを加えてエッチングを開始する。 

(3) 容器をときどき静かにゆり動かしてかくはんし,エッチングを進行させる(4)。 

注(4) エッチングの進行とともに液温は上昇するが,冷却は行なわない。 

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H 0610-1966  

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

(4) 約6分経過後(5)すなわち最大反応速度時を経過し,急速に反応の弱まった時を選んで,大量の清浄な

水を急激に容器内に注入して,エッチングを停止する。 

注(5) 抵抗率が著しく低い場合は,多少エッチング時間を延長する。 

(5) 試料をじゅうぶんに水洗したのち乾燥する。 

4. エッチピットの計数 

4.1 

計数装置 エッチピット計数のための拡大装置は,40〜200倍の金属顕微鏡(6)または反射投影器とす

る。 

注(6) あらかじめ倍率精度を確認しておく。 

4.2 

計数視野 計数視野とは,試料面上の計数する面積の範囲で,つぎの大きさの正方形またはこれに

相当する面積の円形とする。 

(1) エッチピット密度10000個/cm2未満の場合は1×1mm以上。 

(2) エッチピット密度10000個/cm2以上50000個/cm2未満の場合は0.6×0.6mm以上。 

(3) エッチピット密度50000個/cm2以上100000個/cm2以下の場合は0.4×0.4mm以上。 

4.3 

計数位置 計数位置は,つぎのとおりとする。 

(1) 引上結晶のエッチピット計数位置は,試料面上の中心を通る任意の直交2方向の直径上において,つ

ぎの9箇所とする(図1参照)。 

(a) 中心1点 

(b) 周辺から2mmの位置4点 

(c) (a)と(b)の中間の位置4点 

(2) ゾーンレベリング結晶のエッチピット計数位置は,試料面上のつぎの9箇所とする(図2参照)。 

(a) 左右対称2等分線を6等分した中心を含む位置5点。 

(b) 左右対称2等分線と中心で直交する線上を6等分し,中心を除いた左右の位置4点。 

図1 引上結晶           図2 ゾーンレベリング結晶 

4.4 

エッチピット形状 計数すべきエッチピットの形状は,輪郭が円形に近い形状をもち,かつ,底部

に点状の頂点をもった円すい状とする(7)(写真1参照)。 

注(7) 2個以上のエッチピットが重なり合った場合は,1個の頂点を1個のエッチピットとみなす。 

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H 0610-1966  

2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き,本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。 

写真1 

4.5 

計数 エッチピットの計数は,それぞれの計数位置で,計数視野の中心を測定位置に合わせて,計

数視野内に頂点をもったエッチピット数を数える。 

5. エッチピット密度の算出 各計数位置におけるエッチピット数を1cm2あたりに換算して,その位置の

エッチピット密度とし,それらの算術平均値を試料のエッチピット密度とする。それぞれの値は,上位3

けた目をJIS Z 8401(数値の丸め方)によって丸める。 

6. エッチピット密度の表示 試料のエッチピット密度(個/cm2)および9箇所の計数位置における最

大と最小のエッチピット密度(個/cm2)を列記する。 

非鉄金属部会 ゲルマニウム試験方法専門委員会 構成表 

氏名 

所属 

(委員会長) 

塚 本 哲 男 

ソニー株式会社厚木工場 

長 船 広 衛 

日本電気株式会社電子部品事業部 

平 田   清 

三井金属鉱業株式会社 

長谷川 成 雄 

東京電子金属株式会社 

水 間 基一郎 

日本電子金属株式会社小金井工場 

黒 田 和 夫 

社団法人新金属協会 

大 森 茂 生 

株式会社東京電子冶金研究所 

加 藤   宏 

東京芝浦電気株式会社半導体技術部 

伝 田 精 一 

電気試験所電子部品部 

池 神 一 司 

日本電信電話公社電気通信研究所 

田 内 省 二 

株式会社日立製作所中央研究所 

近 藤   融 

松下電子工業株式会社半導体事業部 

木 下   亨 

工業技術院標準部材料規格課 

(事務局) 

吉 枝 正 明 

工業技術院標準部材料規格課