C 7030-1993
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目次
ページ
1. 適用範囲 ························································································································ 1
2. 使用図記号 ····················································································································· 1
3. 測定用電源及び計器 ········································································································· 1
3.1 測定用電源 ··················································································································· 1
3.2 計器 ···························································································································· 1
4. 基準測定条件 ·················································································································· 2
4.1 温度及び湿度 ················································································································ 2
4.2 測定周波数 ··················································································································· 2
4.3 信号振幅 ······················································································································ 2
4.4 理想電圧源及び理想電流源······························································································· 2
4.5 パルス条件 ··················································································································· 2
4.6 開路及び閉路 ················································································································ 2
5. 測定上の注意事項 ············································································································ 2
5.1 最大定格の遵守 ············································································································· 2
5.2 着脱時の注意 ················································································································ 2
5.3 絶縁ゲート形電界効果トランジスタの取扱い ······································································· 2
5.4 温度安定（熱的平衡）条件······························································································· 3
5.5 パルス測定 ··················································································································· 3
5.6 測定回路 ······················································································································ 3
6. 測定方法 ························································································································ 3
6.1 バイポーラトランジスタの測定方法 ··················································································· 3
6.1.1 コレクタ電流測定（直流方法） ······················································································ 3
6.1.2 コレクタ電流測定（パルス方法） ··················································································· 4
6.1.3 エミッタ電流測定（直流方法） ······················································································ 4
6.1.4 エミッタ電流測定（パルス方法） ··················································································· 4
6.1.5 ベース電流測定（直流方法） ························································································· 5
6.1.6 ベース電流測定（パルス方法） ······················································································ 5
6.1.7 コレクタ・エミッタ間遮断電流測定 ················································································ 6
6.1.8 コレクタ・ベース間遮断電流測定 ··················································································· 7
6.1.9 エミッタ・ベース間遮断電流測定 ··················································································· 7
6.1.10 コレクタ・エミッタ間飽和電圧測定（直流方法） ····························································· 8
6.1.11 コレクタ・エミッタ間飽和電圧測定（パルス方法） ·························································· 9
6.1.12 ベース・エミッタ間飽和電圧測定（直流方法） ································································ 9
6.1.13 ベース・エミッタ間飽和電圧測定（パルス方法） ···························································· 10
6.1.14 ベース・エミッタ間電圧測定 ······················································································· 11
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6.1.15 直流電流増幅率測定（直流方法） ················································································· 11
6.1.16 直流電流増幅率測定（パルス方法） ·············································································· 12
6.1.17 閉路小信号入力インピーダンス測定 ·············································································· 12
6.1.18 閉路小信号順電流増幅率測定 ······················································································· 14
6.1.19 開路小信号逆電圧増幅率測定 ······················································································· 15
6.1.20 開路小信号出力アドミタンス測定 ················································································· 16
6.1.21 閉路小信号順電流増幅率遮断周波数測定 ········································································ 18
6.1.22 出力静電容量測定 ······································································································ 20
6.1.23 入力静電容量測定 ······································································································ 22
6.1.24 ベース時定数測定 ······································································································ 22
6.1.25 ベース抵抗測定 ········································································································· 24
6.1.26 トランジション周波数測定 ·························································································· 24
6.1.27 スキャッタリングパラメータ測定 ················································································· 26
6.1.28 低周波電力利得測定 ··································································································· 29
6.1.29 高周波電力利得測定 ··································································································· 30
6.1.30 変換電力利得測定 ······································································································ 31
6.1.31 低周波雑音電圧測定 ··································································································· 33
6.1.32 低周波雑音指数測定 ··································································································· 34
6.1.33 高周波雑音指数測定 ··································································································· 37
6.1.34 発振電圧測定 ············································································································ 39
6.1.35 発振電力測定 ············································································································ 39
6.1.36 全高調波ひずみ率測定 ································································································ 40
6.1.37 相互変調ひずみ測定 ··································································································· 41
6.1.38 スイッチング時間測定 ································································································ 42
6.1.39 熱抵抗測定 ··············································································································· 44
6.2 電界効果トランジスタの測定方法 ····················································································· 46
6.2.1 ゲート・ソース間遮断電流測定 (A) ················································································ 46
6.2.2 ゲート・ドレイン間遮断電流測定 (A) ············································································· 47
6.2.3 ドレイン・ソース間遮断電流測定 (A, B, C) ······································································ 48
6.2.4 ゲート・ソース間漏れ電流測定 (B, C) ············································································ 48
6.2.5 ゲート・ドレイン間漏れ電流測定 (B, C) ········································································· 49
6.2.6 カットオフ電圧測定 (A, B) ··························································································· 50
6.2.7 しきい値電圧測定 (C) ·································································································· 51
6.2.8 ドレイン電流測定 (A, B, C) ··························································································· 51
6.2.9 小信号順伝達アドミタンス測定 (A, B, C) ········································································· 52
6.2.10 小信号出力アドミタンス測定 (A, B, C) ·········································································· 53
6.2.11 小信号入力静電容量測定 (A, B, C) ················································································ 54
6.2.12 小信号帰還静電容量測定 (A, B, C) ················································································ 55
6.2.13 小信号出力静電容量測定 (A, B, C) ················································································ 56
6.2.14 スキャッタリングパラメータ測定 (A, B, C) ···································································· 57
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(3)
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6.2.15 入力換算雑音電圧測定 (A, B, C) ··················································································· 57
6.2.16 低周波雑音指数測定 (A, B, C) ······················································································ 58
6.2.17 高周波雑音指数測定 (A, B, C) ······················································································ 59
6.2.18 高周波電力利得測定 (A, B, C) ······················································································ 59
6.2.19 発振電力測定 (A, B, C) ······························································································· 60
6.2.20 相互変調ひずみ測定 (A, B, C) ······················································································ 60
6.2.21 オン抵抗測定 (A, B, C) ······························································································· 60
6.2.22 オフ抵抗測定 (A, B, C) ······························································································· 61
6.2.23 スイッチング時間測定 (A, B, C) ··················································································· 62
6.2.24 チャネル温度測定 (A, B, C) ························································································· 63
附属書 最大定格を超える可能性がある測定及び試験································································· 65
1. 適用範囲 ······················································································································· 65
2. 測定及び試験 ················································································································· 65
2.1 バイポーラトランジスタ································································································· 65
2.1.1 コレクタ・エミッタ間サステイニング電圧試験································································· 65
2.1.2 安全動作領域試験（過渡熱抵抗方法） ············································································ 66
2.1.3 安全動作領域試験（順方向） ························································································ 67
2.1.4 安全動作領域試験（スイッチング方法） ········································································· 67
2.1.5 コレクタ・エミッタ間降伏電圧測定 ··············································································· 68
2.1.6 コレクタ・ベース間降伏電圧測定 ·················································································· 69
2.1.7 エミッタ・ベース間降伏電圧測定 ·················································································· 70
2.2 電界効果トランジスタ···································································································· 70
2.2.1 安全動作領域試験（順方向） (A, B, C) ············································································ 70
2.2.2 安全動作領域試験（逆方向） (A, B, C) ············································································ 71
2.2.3 ゲート・ソース間電圧測定 (A) ······················································································ 73
2.2.4 ゲート・ドレイン間電圧測定 (A) ··················································································· 73
2.2.5 ドレイン・ソース間電圧測定 (A, B, C) ············································································ 74
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日本工業規格 JIS
C 7030-1993
トランジスタ測定方法
Measuring methods for transistors
1. 適用範囲 この規格は，電子装置に用いるバイポーラトランジスタ及び電界効果トランジスタ（以下，
両者を区別しないときには，単にトランジスタという。）の電気的性能の測定方法について規定する。
備考1. この規格の引用規格を，次に示す。
JIS C 0301 電気用図記号
JIS C 1102 指示電気計器
2. この規格の対応国際規格を，次に示す。
IEC 747-7 (1988) Semiconductor discrete devices and integrated circuits
Part 7 : Bipolar transistors
IEC 747-8 (1984) Semiconductor devices, Discrete devices
Part 8 : Field-effect transistors
2. 使用図記号 この規格で用いる測定回路図の図記号は，JIS C 0301の規定によるほか，表1による。
表1
図記号
名称
図記号
名称
二現象オシロ
スコープ
電流プローブ
3. 測定用電源及び計器
3.1
測定用電源 直流電源はリプル含有率3%以下，交流電源は高調波含有率5%以下のものを使用する。
ただし，商用周波数の場合は10%以下のものを使用する。交流特性の測定では，直流電源のリプル含有率
と交流電源の高調波含有率及び交流の流れる直流電源回路の交流インピーダンスは，測定に影響を与えな
い小さいものを使用する。
また，交流電圧・交流電流の値は，規定がない限り実効値で表す。
3.2
計器 直流及び交流の電圧計，電流計などは，規定がない限りJIS C 1102に規定の0.5級とし，平
等目盛の計器では最大目盛が測定値の10倍以内のものを，ゼロ付近で目盛の縮小する計器では最大目盛が
測定値の4倍以内のものを使用する。ただし，測定値とは，規格に最大値のあるものは最大値，最小値だ
けが規定してあるものは最小値をいう。
なお，次の場合には0.5級でなくてもよい。
(1) 0.5級と同等又はそれ以下の許容差をもった計器である場合。
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(2) 測定結果に重大な影響を与えない場合。
また，パルスを検出する計器は，規定のパルス条件に十分追従できるものを用いることとする。計
器の内部インピーダンス及び雑音は，測定系への影響が十分無視できるものでなければならない。
4. 基準測定条件
4.1
温度及び湿度 温度及び湿度は，次による。
(1) 基準温度 基準温度は，25℃とする。
(2) 基準湿度 基準湿度は，相対湿度45%とする。
(3) 測定温度 測定温度は，供試トランジスタへ直接送風しない状態の周囲温度とし，25±3℃とする。
(4) 測定湿度 測定湿度は，相対湿度75%以下とする。
4.2
測定周波数 低周波パラメータの測定周波数は，270±30Hz又は1 000±50Hzとする。ただし，相
関性を示すことができる場合は，他の周波数を使用してもよい。
4.3
信号振幅 交流パラメータの測定では，規定がない限り小（振幅）信号を用いることとする。
備考 小（振幅）信号とは，その信号の振幅を21に減少しても，測定値に計器の許容差以上の変動を
生じさせない信号をいう。
4.4
理想電圧源及び理想電流源 理想電圧源及び理想電流源は，次による。
(1) 理想電圧源 ここで使用する理想電圧源は，その負荷インピーダンスを21に減少しても，測定値に
計器の許容差以上の変動を生じさせないものとする。ただし，実際の測定で，供試トランジスタを破
壊するおそれがある場合は，電流制限機能付電圧源を用いるか，又は電圧源と直列に保護抵抗器を入
れる。
(2) 理想電流源 ここで使用する理想電流源は，その負荷インピーダンスを2倍に増加しても，測定値に
計器の許容差以上の変動を生じさせないものとする。ただし，実際の測定で，供試トランジスタを破
壊するおそれがある場合は，電圧制限機能付電流源を用いる。
4.5
パルス条件 パルス幅及びデューティファクタは，規定がない限り，それらをそれぞれ2倍しても，
測定値に計器の許容差以上の変動を生じさせないよう選定する。
4.6
開路及び閉路 開路及び閉路は，次による。
(1) 開路 開路は，その終端インピーダンスを21に減少しても，測定値に計器の許容差以上の変動を生じ
させない回路とする。
(2) 閉路 閉路は，その終端インピーダンスを2倍に増加しても，測定値に計器の許容差以上の変動を生
じさせない回路とする。
5. 測定上の注意事項
5.1
最大定格の遵守 供試トランジスタは，過渡状態を含めいかなるときにも，最大定格を超えること
があってはならない。ただし，最大定格を超えた範囲の測定については，附属書による。
5.2
着脱時の注意 供試トランジスタは，電源印加中に着脱してはならない。
5.3
絶縁ゲート形電界効果トランジスタの取扱い 絶縁ゲート形電界効果トランジスタを静電気による
破損から防ぐために，次の注意事項を守らなければならない。
(1) 輸送，保存及び放置の際は，静電気導電材料，帯電防止処理材料などを用い，静電気の帯電を防止す
る。
(2) 測定は，静電気の発生しない場所で行う。相対湿度は，50%程度が望ましい。
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また，静電気の発生を防ぐためには，測定者，工具及び測定機器類の電位と被測定トランジスタを
取扱う場所を同電位にすることが望ましい。
5.4
温度安定（熱的平衡）条件 供試トランジスタの発熱によって，測定値が時間の経過とともに変化
する場合は，温度安定に達してから測定するか，あらかじめ測定時間を決めておく。
参考 測定時間を2倍しても，測定値が予定された誤差以上の変化を生じないならば，温度安定に達
していると考えられる。
5.5
パルス測定 供試トランジスタの発熱による測定誤差を避けるためには，パルスによる測定が望ま
しい。
5.6
測定回路 この規格で図示した測定回路は，測定に用いる回路の一例を示している。したがって，
同様の結果が得られる限り代替回路が使用できる。
バイポーラトランジスタの測定回路は，npn形トランジスタの場合を示しているが，pnp形トランジスタ
の場合にも電源，計器などの極性を変更することで，同じ回路を用いることができる。
また，電界効果トランジスタの測定回路は，nチャネル，絶縁ゲート・ディプレション形又は接合形電
界効果トランジスタの場合を示しているが，pチャネルデバイスの場合にも，計器及び電源の極性を変え
ることによって，同じ回路を用いることができ，各測定方法の見出しに用いる記号は，表2による。
表2 種別を表す記号
記号
種別
A
B
C
接合形又はショットキ障壁ゲート形
絶縁ゲート・ディプレション形
絶縁ゲート・エンハンスメント形
なお，測定回路図に示してある式は，測定回路に必要な条件である。
6. 測定方法
6.1
バイポーラトランジスタの測定方法
6.1.1
コレクタ電流測定（直流方法） コレクタ電流測定（直流方法）は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのコレクタ電流を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図1に示す。
図1 コレクタ電流測定回路（直流方法）
(3) 手順 規定のエミッタ電流 (IE) を流し，コレクタ・ベース間に規定の電圧 (VCB) を印加して，コレク
タ電流 (Ic) を測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) エミッタ電流
(b) コレクタ・ベース間電圧
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(c) 周囲温度又は基準点温度
6.1.2
コレクタ電流測定（パルス方法） コレクタ電流測定（パルス方法）は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのコレクタ電流を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図2に示す。
図2 コレクタ電流測定回路（パルス方法）
(3) 手順 規定のエミッタ電流 (IE) を流し，オシロスコープO1を見ながら，コレクタ・ベース間に規定
のパルス幅及びデューティサイクルの定電圧 (VCB) パルスを印加して，オシロスコープO2でコレク
タ電流 (Ic) を測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) エミッタ電流
(b) コレクタ・ベース間電圧
(c) コレクタ・ベース間電圧のパルス幅及びデューティサイクル
(d) 周囲温度又は基準点温度
6.1.3
エミッタ電流測定（直流方法） エミッタ電流測定（直流方法）は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのエミッタ電流を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図3に示す。
図3 エミッタ電流測定回路（直流方法）
(3) 手順 コレクタ・ベース間及びエミッタ・ベース間に，それぞれ規定の電圧（VCB及びVEB）を印加し
て，エミッタ電流 (IE) を測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) コレクタ・ベース間電圧
(b) エミッタ・ベース間電圧
(c) 周囲温度又は基準点温度
6.1.4
エミッタ電流測定（パルス方法） エミッタ電流測定（パルス方法）は，次による。
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(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのエミッタ電流を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図4に示す。
図4 エミッタ電流測定回路（パルス方法）
(3) 手順 コレクタ・ベース間に規定の電圧 (VCB) を印加し，オシロスコープO1を見ながらエミッタ・
ベース間に規定のパルス幅及びデューティサイクルの定電圧 (VEB) パルスを印加して，オシロスコー
プO2でエミッタ電流 (IE) を測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) コレクタ・ベース間電圧
(b) エミッタ・ベース間電圧
(c) エミッタ・ベース間電圧のパルス幅及びデューティサイクル
(d) 周囲温度又は基準点温度
6.1.5
ベース電流測定（直流方法） ベース電流測定（直流方法）は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのベース電流を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図5に示す。
図5 ベース電流測定回路（直流方法）
(3) 手順 コレクタ・エミッタ間及びベース・エミッタ間に，それぞれ規定の電圧（VCE及びVBE）を印加
して，ベース電流 (IB) を測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) コレクタ・エミッタ間電圧
(b) ベース・エミッタ間電圧
(c) 周囲温度又は基準点温度
6.1.6
ベース電流測定（パルス方法） ベース電流測定（パルス方法）は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのベース電流を測定することを目的とする。
6
C 7030-1993
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図6に示す。
図6 ベース電流測定回路（パルス方法）
(3) 手順 コレクタ・エミッタ間に規定の電圧 (VCE) を印加し，オシロスコープO1を見ながらベース・
エミッタ間に規定のパルス幅及びデューティサイクルの定電圧 (VBE) パルスを印加して，オシロスコ
ープO2でベース電流 (IB) を測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) コレクタ・エミッタ間電圧
(b) ベース・エミッタ間電圧
(c) ベース・エミッタ間電圧のパルス幅及びデューティサイクル
(d) 周囲温度又は基準点温度
6.1.7
コレクタ・エミッタ間遮断電流測定 コレクタ・エミッタ間遮断電流測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのコレクタ・エミッタ間遮断電流を測定する
ことを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図7に示す。
図7 コレクタ・エミッタ間遮断電流測定回路
(3) 手順 ベース・エミッタ間を規定の状態とし，コレクタ・エミッタ間に規定の電圧 (VCE) を印加して，
コレクタ電流 (Ic) ［コレクタ・エミッタ間遮断電流 (ICE̲)］を測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(4.1) ベース・エミッタ間のバイアス条件
(a) ICEXの場合はベース・エミッタ間電圧
7
C 7030-1993
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(b) ICERの場合はベース・エミッタ間に接続するRBEの抵抗値
(c) ICESの場合はベース・エミッタ間を短絡すること。
(d) ICEOの場合はベース・エミッタ間を開放すること。
(4.2) コレクタ・エミッタ間電圧
(4.3) 周囲温度又は基準点温度
6.1.8
コレクタ・ベース間遮断電流測定 コレクタ・ベース間遮断電流測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのコレクタ・ベース間遮断電流を測定するこ
とを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図8に示す。
図8 コレクタ・ベース間遮断電流測定回路
(3) 手順 エミッタ・ベース間を規定の状態とし，コレクタ・ベース間に規定の電圧 (VCB) を印加して，
コレクタ電流 (Ic) ［コクレタ・ベース間遮断電流 (ICB)］を測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(4.1) エミッタ・ベース間のバイアス条件
(a) ICBXの場合はエミッタ・ベース間電圧
(b) ICBRの場合はエミッタ・ベース間に接続するRBEの抵抗値
(c) ICBSの場合はエミッタ・ベース間を短絡すること。
(d) ICBOの場合はエミッタ・ベース間を開放すること。
(4.2) コレクタ・ベース間電圧
(4.3) 周囲温度又は基準点温度
6.1.9
エミッタ・ベース間遮断電流測定 エミッタ・ベース間遮断電流測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのエミッタ・ベース間遮断電流を測定するこ
とを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図9に示す。
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C 7030-1993
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図9 エミッタ・ベース間遮断電流測定回路
(3) 手順 コレクタ・ベース間を規定の状態とし，エミッタ・ベース間に規定の電圧 (VEB) を印加して，
エミッタ電流 (IE) ［エミッタ・ベース間遮断電流 (IEB)］を測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(4.1) コレクタ・ベース間のバイアス条件
(a) IEBXの場合はコレクタ・ベース間電圧
(b) IEBRの場合はコレクタ・ベース間に接続するRCBの抵抗値
(c) IEBSの場合はコレクタ・ベース間を短絡すること。
(d) IEBOの場合はコレクタ・ベース間を開放すること。
(4.2) エミッタ・ベース間電圧
(4.3) 周囲温度又は基準点温度
6.1.10 コレクタ・エミッタ間飽和電圧測定（直流方法） コレクタ・エミッタ間飽和電圧測定（直流方法）
は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのコレクタ・エミッタ間飽和電圧を測定する
ことを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図10に示す。
図10 コレクタ・エミッタ間飽和電圧測定回路（直流方法）
(3) 手順 規定のベース電流 (IB) を流し，コレクタ電流 (IC) を徐々に増していき，コレクタ電流 (IC) が
規定値となったときのコレクタ・エミッタ間電圧 (VCE) 〔コレクタ・エミッタ間飽和電圧 [VCE (sat)]〕
を測定する。コレクタ電流を与える電流源は電圧制限機能付電流源とし，その電圧は供試トランジス
タのコレクタ・エミッタ間耐電圧以下に設定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) コレクタ電流
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(b) ベース電流
(c) 周囲温度又は基準点温度
6.1.11 コレクタ・エミッタ間飽和電圧測定（パルス方法） コレクタ・エミッタ間飽和電圧測定（パルス
方法）は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのコレクタ・エミッタ間飽和電圧を測定する
ことを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図11に示す。
図11 コレクタ・エミッタ間飽和電圧測定回路（パルス方法）
(3) 手順 パルス発生器Gを規定のパルス条件に設定し，スイッチS1及びS2を同期的に開閉動作状態と
した後，ベース電流 (IB) 及びコレクタ電流 (IC) を規定値に設定する。ベース電流及びコレクタ電流
を供試トランジスタに与えている期間中に，パルス発生器でトリガーされたオシロスコープOによっ
てコレクタ・エミッタ間電圧 (VCE) 〔コレクタ・エミッタ間飽和電圧 [VCE (sat)]〕を測定する。コレク
タ電流を与える電流源は電圧制限機能付電流源とし，その電圧は供試トランジスタのコレクタ・エミ
ッタ間耐圧以下に設定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) コレクタ電流
(b) ベース電流
(c) パルス幅及びデューティサイクル
(d) 周囲温度又は基準点温度
6.1.12 ベース・エミッタ間飽和電圧測定（直流方法） ベース・エミッタ間飽和電圧測定（直流方法）は，
次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのベース・エミッタ間飽和電圧を測定するこ
とを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図12に示す。
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図12 ベース・エミッタ間飽和電圧測定回路（直流方法）
(3) 手順 規定のベース電流 (IB) を流し，コレクタ電流 (IC) を徐々に増していき，コレクタ電流 (IC) が
規定値となったときのベース・エミッタ間電圧 (VBE) 〔ベース・エミッタ間飽和電圧 [VBE (sat)]〕を測
定する。コレクタ電流を与える電流源は電圧制限機能付電流源とし，その電圧は供試トランジスタの
コレクタ・エミッタ間耐圧以下に設定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) コレクタ電流
(b) ベース電流
(c) 周囲温度又は基準点温度
6.1.13 ベース・エミッタ間飽和電圧測定（パルス方法） ベース・エミッタ間飽和電圧測定（パルス方法）
は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのベース・エミッタ間飽和電圧を測定するこ
とを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図13に示す。
図13 ベース・エミッタ間飽和電圧測定回路（パルス方法）
(3) 手順 パルス発生器Gを規定のパルス条件に設定し，スイッチS1及びS2を同期的に開閉動作状態と
した後，ベース電流 (IB) 及びコレクタ電流 (IC) を規定値に設定する。ベース電流及びコレクタ電流
を供試トランジスタに与えている期間中に，パルス発生器でトリガーされたオシロスコープOによっ
てベース・エミッタ間電圧 (VBE) 〔ベース・エミッタ間飽和電圧 [VBE (sat)]〕を測定する。コレクタ電
流を与える電流源は電圧制限機能付電流源とし，その電圧は供試トランジスタのコレクタ・エミッタ
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
間耐圧以下に設定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) コレクタ電流
(b) ベース電流
(c) パルス幅及びデューティサイクル
(d) 周囲温度又は基準点温度
6.1.14 ベース・エミッタ間電圧測定 ベース・エミッタ間電圧測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのベース・エミッタ間電圧を測定することを
目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図14に示す。
図14 ベース・エミッタ間電圧測定回路
(3) 手順 コレクタ・エミッタ間電圧 (VCE) を規定値に設定し，コレクタ電流 (IC) が規定値となったと
きのベース・エミッタ間電圧 (VBE) を測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) コレクタ・エミッタ間電圧
(b) コレクタ電流
(c) 周囲温度又は基準点温度
6.1.15 直流電流増幅率測定（直流方法） 直流電流増幅率測定（直流方法）は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの順電流増幅率を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図15に示す。
図15 直流電流増幅率測定回路（直流方法）
(3) 手順 コレクタ・エミッタ間電圧 (VCE) を規定値に設定し，ベース電流 (IB) を規定のコレクタ電流
(IC) が得られるように調整する。このときの順電流増幅率 (hFE) を，次の式によって算出する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
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C 7030-1993
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(a) コレクタ・エミッタ間電圧
(b) コレクタ電流
(c) 周囲温度又は基準点温度
6.1.16 直流電流増幅率測定（パルス方法） 直流電流増幅率測定（パルス方法）は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの順電流増幅率を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図16に示す。
図16 直流電流増幅率測定回路（パルス方法）
(3) 手順 パルス発生器Gから，規定条件のパルスをスイッチSとオシロスコープO1及びオシロスコー
プO2のトリガー入力端子とに供給する。
オシロスコープO1を見ながら，定電圧源によってコレクタ・エミッタ間電圧 (VCE) を規定値に設
定する。次に，オシロスコープO2を見ながらコレクタ電流 (IC) が規定値になるように，定電流源に
よってベース電流 (IB) を調整する。このときの順電流増幅率 (hFE) を，次の式によって算出する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) コレクタ・エミッタ間電圧
(b) コレクタ電流
(c) パルス幅及びデューティサイクル
(d) 周囲温度又は基準点温度
6.1.17 閉路小信号入力インピーダンス測定 閉路小信号入力インピーダンス測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの閉路小信号入力インピーダンスを測定する
ことを目的とする。
(2) 測定回路 エミッタ接地及びベース接地での測定回路の一例を，図17及び図18に示す。
B
C
FE
I
I
h
=
13
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図17 閉路小信号入力インピーダンス測定回路（エミッタ接地）
備考 ωL》|hie|を満たせない場合には，Lと浮遊静電容量CSとを共振させる。
図18 閉路小信号入力インピーダンス測定回路（ベース接地）
(3) 手順 手順は，次による。
(a) エミッタ接地の場合 電圧及び電流の調整を繰返し供試トランジスタの電圧及び電流を規定値とし，
入力側から規定の周波数の信号を加えて，高インピーダンス交流電圧計でvg及びvbeを測定する。
このときの閉路小信号入力インピーダンス (hie) を，次の式によって算出する。
b
be
ie
i
v
h=
ここに，
b
be
g
b
R
v
v
i
−
=
(b) ベース接地の場合 供試トランジスタの電圧及び電流を規定値とし，入力側から規定の周波数の信
号を加えて，高インピーダンス交流電圧計でvg及びvebを測定する。このときの閉路小信号入力イ
ンピーダンス (hib) を，次の式によって算出する。
e
eb
ib
i
v
h=
14
C 7030-1993
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
ここに，
e
eb
g
e
R
v
v
i
−
=
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) 測定電圧及び電流
(b) 測定周波数
(c) 接地方式
(d) 周囲温度又は基準点温度
6.1.18 閉路小信号順電流増幅率測定 閉路小信号順電流増幅率測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの閉路小信号順電流増幅率を測定することを
目的とする。
(2) 測定回路 エミッタ接地の場合の測定回路の一例を，図19に示す。
図19 閉路小信号順電流増幅率測定回路
備考 ωL1》|hie|を満たせない場合には，L1と浮遊静電容量CSとを共振させる。
(3) 手順 手順は，次による。
(a) エミッタ接地の場合 電圧及び電流の調整を繰返し供試トランジスタの電圧及び電流を規定値とし，
入力側から規定の周波数の信号を加えて，高インピーダンス交流電圧計でvg，vbe，vceを測定する。
このときの閉路小信号順電流増幅率 (hfe) を，次の式によって算出する。
b
c
fe
i
i
h=
ここに，
c
ce
c
R
v
i=
,
b
be
g
b
R
v
v
i
−
=
(b) ベース接地の場合 次の式によってhfeから求める。
fe
fe
fb
h
h
h
+
−
1
≒
15
C 7030-1993
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) 測定電圧及び電流
(b) 測定周波数
(c) 接地方式
(d) 周囲温度又は基準点温度
6.1.19 開路小信号逆電圧増幅率測定 開路小信号逆電圧増幅率測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの閉路小信号逆電圧増幅率を測定することを
目的とする。
(2) 測定回路 エミッタ接地及びベース接地の場合の測定回路の一例を，図20及び図21に示す。
図20 開路小信号逆電圧増幅率測定回路（エミッタ接地）
備考 ωL1》|hie|を満たせない場合には，L1と浮遊静電容量Csとを共振させる。
図21 開路小信号逆電圧増幅率測定回路（ベース接地）
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(3) 手順 手順は，次による。
(a) エミッタ接地の場合 電圧及び電流の調整を繰返し供試トランジスタの電圧及び電流を規定値とし，
出力側から規定の周波数の信号を加えて，高インピーダンス交流電圧計でvbe及びvceを測定する。
このときの開路小信号逆電圧増幅率 (hre) を，次の式によって算出する。
ce
be
re
v
v
h=
(b) ベース接地の場合 供試トランジスタの電圧及び電流を規定値とし，出力側から規定の周波数の信
号を加えて，高インピーダンス交流電圧計でveb及びvcbを測定する。このときの開路小信号逆電圧
増幅率 (hrb) を，次の式によって算出する。
cb
eb
rb
v
v
h=
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) 測定電圧及び電流
(b) 測定周波数
(c) 接地方式
(d) 周囲温度又は基準点温度
6.1.20 開路小信号出力アドミタンス測定 開路小信号出力アドミタンス測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの開路小信号出力アドミタンスを測定するこ
とを目的とする。
(2) 測定回路 エミッタ接地及びベース接地の場合の測定回路の一例を，図22及び図23に示す。
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図22 開路小信号出力アドミタンス測定回路（エミッタ接地）
備考 ωL1》|hie|を満たせない場合には，L1と浮遊静電容量CSとを共振させる。
図23 開路小信号出力アドミタンス測定回路（ベース接地）
(3) 手順 手順は，次による。
(a) エミッタ接地の場合 電圧及び電流の調整を繰返し供試トランジスタの電圧及び電流を規定値とし，
出力側から規定の周波数の信号を加えて，高インピーダンス交流電圧計でvg及びvceを測定する。
このときの開路小信号出力アドミタンス (hoe) を，次の式によって算出する。
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
ce
c
oe
v
i
h=
ここに，
c
ce
g
c
R
v
v
i
−
=
(b) ベース接地の場合 供試トランジスタの電圧及び電流を規定値とし，出力側から規定の周波数の信
号を加えて，高インピーダンス交流電圧計でvg及びvbを測定する。このときの開路小信号出力アド
ミタンス (hob) を，次の式によって算出する。
cb
b
cb
c
ob
v
i
v
i
h
≒
=
ここに，
b
b
b
R
v
i=
, vcb＝vg−vb
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) 測定電圧及び電流
(b) 測定周波数
(c) 接地方式
(d) 周囲温度又は基準点温度
6.1.21 閉路小信号順電流増幅率遮断周波数測定 閉路小信号順電流増幅率遮断周波数測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの順電流増幅率遮断周波数を測定することを
目的とする。
(2) 測定回路 ベース接地での1系統測定回路及び2系統測定回路の一例を，図24及び図25に示す。
図24 閉路小信号順電流増幅率遮断周波数測定回路（1系統）
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図25 閉路小信号順電流増幅率遮断周波数測定回路（2系統）
(3) 手順 手順は，次による。
(a) 1系統測定回路の場合 供試トランジスタの電圧及び電流を規定値とし，スイッチSを減衰器側に
して，低周波での出力を高インピーダンス交流電圧計で読み取る。次にスイッチSを短絡側にして
信号周波数を増加し，高インピーダンス交流電圧計の読みが前述の値に等しくなる周波数を求める。
この周波数が順電流増幅率遮断周波数である。
備考1. 測定回路は，少なくとも測定範囲内で周波数依存性をもたないこと。すなわち，供試トラン
ジスタを回路から外し，バイアスを掛けずにエミッタ・コレクタ間を短絡した状態で，信号
周波数の変化に対して高インピーダンス交流電圧計の読みが変化しないことを，スイッチS
の両位置について確認する。
2. 低周波とは，遮断周波数の301以下の周波数とする。
(b) 2系統測定回路の場合 供試トランジスタDUTの電圧及び電流を規定値とする。低周波で，スイッ
チS2を短絡側にしてスイッチS1の両位置について高インピーダンス交流電圧計の読みが同じにな
るように可変減衰器を調整する。
次に，スイッチS2を3dB減衰器側にし，スイッチS1の両位置について高インピーダンス交流電
圧計の読みが同じになるように，信号周波数を増加する。この同じになる周波数が順電流増幅率遮
断周波数である。
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備考1. 負荷抵抗器Rcとして，高インピーダンス交流電圧計の感度の制限から十分小さくできないと
か，供試トランジスタのhobが十分小さくないといったことからRc《
ob
h
1の条件が満足できな
いような場合には，供試トランジスタと同種の標準的なトランジスタTr、を接続することで，
平衡置換回路系の出力インピーダンスを供試トランジスタ回路系のそれに近似させ，測定誤
差を小さくすることができる。
2. 低周波としては，遮断周波数値の301以下とする。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) 測定電圧及び電流
(b) 接地方式
(c) 周囲温度又は基準点温度
6.1.22 出力静電容量測定 出力静電容量測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの出力静電容量を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 2端子ブリッジを用いた場合と3端子ブリッジを用いた場合の測定回路の一例を，図26及
び図27に示す。2端子ブリッジを用いた場合，ωL2》
ob
h
1
が十分に満足できない場合には図26(2)を用い
てもよい。
図26 出力静電容量測定回路（2端子ブリッジ）
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図26 （続き）
図27 出力静電容量測定回路（3端子ブリッジ）
(3) 手順 図26及び図27の測定回路とも，回路接続状態でキャパシタンスブリッジをゼロ調整した後，
供試トランジスタを測定用ソケットに挿入し，規定のバイアス条件に設定して出力静電容量（Ccbo又
はCcbx）を測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(4.1) コレクタ・ベース間電圧
(4.2) エミッタの状態
(a) Ccbo又はCobの場合はエミッタ開放
(b) Ccbxの場合は交流短絡，直流開放
(c) Ccbxの場合は交流開放，直流バイアス
(d) Ccbxの場合は交流短絡，直流バイアス
(4.3) 測定周波数
(4.4) 測定回路
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(4.5) 周囲温度又は基準点温度
6.1.23 入力静電容量測定 入力静電容量測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの入力静電容量を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図28に示す。
図28 入力静電容量測定回路
(3) 手順 回路接続状態でブリッジをゼロ調整した後，供試トランジスタを測定用ソケットに挿入し，規
定のバイアスを印加して，エミッタ・ベース間容量［入力静電容量 (Ceb)］を測定する。
備考1. ブリッジは，出力端子間の直列抵抗値が低くなければならない。
2. 出力側（コレクタ・ベース間）は，交流的に短絡か又は開放で測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) コレクタ・ベース間電圧
(b) エミッタ・ベース間電圧又はコレクタ電流
(c) 測定周波数
(d) コレクタ・ベース間の交流に対する状態
(e) 周囲温度又は基準点温度
6.1.24 ベース時定数測定 ベース時定数測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのベース時定数を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 低周波の場合と中間周波の場合の測定回路の一例を，図29及び図30に示す。
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C 7030-1993
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図29 ベース時定数測定回路（低周波）
図30 ベース時定数測定回路（中間周波）
(3) 手順 手順は，次による。
(a) 低周波の場合 図29の測定回路で，供試トランジスタに規定のバイアスを印加し，規定周波数の信
号を加え高インピーダンス交流電圧計で，ve及びvcを測定する。このときのベース時定数 (Cc･rb'b)
を，次の式によって算出する。
c
e
b
b
c
v
v
r
C
ω
1
'≒
(b) 中間周波の場合 図30の測定回路で，供試トランジスタに規定のバイアスを印加し，検波器の指示
電圧 (vN) がゼロとなるようにCNを調整する。もし，vNをゼロにできないときには，Rnを適宜変更
して前記の手順を繰り返し，vNがゼロとなるCN及びRNを決定する。このとき，ベース接地逆電圧
増幅率 (h12b) を，次の式によって算出する。
N
N
N
N
b
C
R
j
C
R
j
h
ω
ω
+
=1
12
また，ベース時定数 (Cc･rb'b) は，Im (h12b) で与えられる。周波数が十分に高いときは，次のよう
に近似できる。
Cc･rb'b≒ωRNCN
備考 高周波の場合のベース時定数の測定は，スキャッタリングパラメータから変換できるh12bを用
24
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いることができる。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) 測定電圧及び電流
(b) 測定回路
(c) 測定周波数
(d) 周囲温度又は基準点温度
6.1.25 ベース抵抗測定 ベース抵抗測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのベース抵抗（エミッタ接地閉路入力インピ
ーダンスの実数部）を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図31に示す。
図31 ベース抵抗測定回路
(3) 手順 電圧及び電流の調整を繰返し供試トランジスタに規定の電圧及び電流を印加し，ブリッジ（例
えば，RXメータ）を平衡させる。このときのその読みをCp及びRpとすれば，ベース抵抗 [Re (hie)] を，
次の式によって算出する。
2)
(
1
)
(
p
p
p
ie
e
R
C
R
h
R
ω
+
=
備考 測定周波数は，規定がない限り，供試トランジスタのfr/3〜frとする。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) 測定電圧及び電流
(b) 測定周波数
(c) 周囲温度又は基準点温度
6.1.26 トランジション周波数測定 トランジション周波数測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのトランジション周波数を測定することを目
的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図32に示す。
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C 7030-1993
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図32 トランジション周波数測定回路
(3) 手順 供試トランジスタを取り除いた状態で，スイッチSを1側にして，高インピーダンス交流電圧
計の読み (vd) が最大となるように可変コンデンサC1を調整する（L1とC1及び浮遊静電容量との並列
共振）。その後，スイッチSを2側にしておく。
供試トランジスタを取り除いた状態で，コレクタ及びベース定電圧源をゼロとし，ソケットのコレ
クタ・ベース間を短絡する。規定周波数 (f) の信号を入力し，出力側の高インピーダンス交流電圧計
の読み (vo) が雑音に埋もれることのない範囲で，十分小さな値 (vo1) となるように入力レベルを設定
する。
コレクタ・ベース間を開放し，供試トランジスタをソケットに挿入する。コレクタ及びベース定電
圧源にて，電圧及び電流を規定値とし，前記の信号入力に対する出力すなわち，高インピーダンス交
流電圧計の値 (vo2) を読み取る。このときのトランジション周波数 (fr) を，次の式によって算出する。
fe
o
o
h
f
v
v
f
fr
=
=
1
2
ただし，
1
2
o
o
fe
v
v
h
=
備考1. 測定周波数fは，|hfe| が6dB/octave傾斜にある範囲とすること。
2. |hfe|をエミッタ接地閉路小信号順電流増幅率測定（5.1.18参照）で測定し，前式から求めるこ
ともできる。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(a) 測定電圧及び電流
(b) 測定周波数
(c) 周囲温度又は基準点温度
6.1.27 スキャッタリングパラメータ測定 スキャッタリングパラメータ測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのスキャッタリングパラメータ（入力及び出
力反射係数，順方向及び逆方向伝達係数）を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 入力 (S11) 及び出力 (S22) 反射係数の測定回路の一例を図33に，順方向 (S21) 及び逆方向
(S12) 伝達係数の測定回路の一例を，図34に示す。
図33 スキャッタリングパラメータ測定回路（入力及び出力反射係数）
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図34 スキャッタリングパラメータ測定回路（順方向及び逆方向伝達係数）
備考1. 供試トランジスタマウントは，可能な限り測定系と等しい特性インピーダンスをもつものと
する。
また，構造図面をもって基準面を規定する。
2. 測定系を構成する高周波回路部品類は，可能な限り等しい特性インピーダンスをもつものと
する。
3. 方向性結合器D，R及びTの結合端子からの信号が，電圧比及び位相差計の感度に対して微
弱な場合には，同一の特性をもった直線性のよい増幅器をこれらの端子からの線路へ挿入す
る。
4. 測定周波数が電圧比及び位相差計の測定可能周波数範囲を超えている場合には，同一の特性
をもち，単一の局部発振器で励振される直線性のよい周波数変換器を，方向性結合器D，R
及びTの結合端子からの線路へ挿入する。
(3) 手順 手順は，次による。
(a) 入力 (S11) 及び出力 (S22) 反射係数 供試トランジスタを取り除き，供試トランジスタマウントの
位置1で短絡状態とし，電圧比が
1
=
D
R
V
V
，位相差が∠φR−∠φD＝180°となるように移相器S及び可変
減衰器Aを調整する。次に，基準面を開放して，電圧比が
1
=
D
R
V
V
，位相差が∠φR−∠φD＝0°となるこ
とを確認する。この条件を満足しない場合には，測定系の改善をする。
なお，十分な開放状態が実現できない場合には，既知のインピーダンスで終端する。例えば，無
反射終端の場合，
0
=
D
R
V
V
となることを確認する。
さらに，位置2から無反射終端R0側をみたインピーダンスが，測定系の特性インピーダンスに等
しいことを確認するために，位置1と2とを直結して反射係数をみる
=0
D
R
V
V
。
以上の準備の後，供試トランジスタを挿入し，規定のバイアスをバイアス回路F1及びF2を通し
て印加して，電圧比
D
R
V
V
及び位相差 (∠φR−∠φD) を測定する。このとき，入力 (S11) 又は出力 (S22)
反射係数を，次の式によって算出する。
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C 7030-1993
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
)
(
exp[
)
(
22
11
D
R
D
R
j
V
V
S
S
φ
φ
∠
−
∠
=
又は
ここに， S11： 供試トランジスタの入力端子が位置1，出力端子が位置2に
接続されたときの反射係数
S22： 供試トランジスタがこの逆向きに接続されたときの反射係
数
(b) 順方向 (S21) 及び逆方向 (S12) 伝達係数 供試トランジスタを取り除き，位置1と2とを直結して，
電圧比が
D
T
V
V＝1，位相差が∠φr−∠φD＝0°となるように移相器S及び可変減衰器Aを調整する。
さらに，位置1から信号源Gをみたインピーダンスと，位置2から無反射終端R0をみたインピ
ーダンスとが一致していることを確認する。その方法は(a)による。もし，両インピーダンスが一致
しない場合には，測定系の改善が必要である。
以上の準備の後，供試トランジスタを挿入し，規定のバイアスをバイアス回路F1及びF2を通し
て印加して，電圧比
D
T
V
V 及び位相差 (∠φr−∠φD) を測定する。このとき順方向 (S21) 又は逆方向
(S12) 伝達係数を，次の式によって算出する。
)
(
exp[
)
(
12
21
D
T
D
T
j
V
V
S
S
φ
φ
∠
−
∠
=
又は
ここに， S21： 供試トランジスタの入力端子が位置1，出力端子が位置2に
接続されたときの伝達係数
S12： 供試トランジスタがこの逆向きに接続されたときの伝達係
数
備考 供試トランジスタマウントが理想的（インピーダンスが測定系の特性インピーダンスと等しく，
しかも無損失とみなせる。）な場合，校正位置（1及び2）から基準面への位相補正は，次のよ
うにする。
校正位置から基準面までの距離をl (m) とすると，周波数f (Hz) の信号は両位置間でβl (rad)
（β：位相定数）だけの位相差を生じる。
l
red
l
g
=λπ
β
2
)
(
ここに，
λｇ： 実効波長 (m)
前述の反射係数試験の場合には，2βlだけの位相差を生じていることになる。
また，伝達係数試験の場合には，β (l1＋l2) だけの位相差を生じていることになる。（ここに，
l1，l2：入力側及び出力側のそれぞれ校正位置から基準面までの距離）
(c) パラメータの変換 スキャッタリングパラメータから他のパラメータへの変換は，次の式によって
行う。
0
21
12
22
11
21
12
22
11
11
)
1
)(
1(
)
1
)(
1(
Z
s
s
s
s
s
s
s
s
z
×
−
−
−
+
−
+
=
0
21
12
22
11
12
12
)
1
)(
1(
2
Z
s
s
s
s
s
z
×
−
−
−
=
29
C 7030-1993
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
0
21
12
22
11
21
21
)
1
)(
1(
2
Z
s
s
s
s
s
z
×
−
−
−
=
0
21
12
22
11
21
12
11
22
22
)
1
)(
1(
)
1
)(
1(
Z
s
s
s
s
s
s
s
s
z
×
−
−
−
+
−
+
=
0
21
12
22
11
21
12
11
22
11
1
)
1
)(
1(
)
1
)(
1(
Z
s
s
s
s
s
s
s
s
y
×
−
+
+
+
−
+
=
0
21
12
22
11
12
12
1
)
1
)(
1(
2
Z
s
s
s
s
s
y
×
−
+
−
−
=
0
21
12
22
11
12
21
1
)
1
)(
1(
2
Z
s
s
s
s
s
y
×
−
+
+
−
=
0
21
12
11
22
21
12
22
11
22
1
)
1
)(
1(
)
1
)(
1(
Z
s
s
s
s
s
s
s
s
y
×
−
+
+
+
−
+
=
0
21
12
22
11
21
12
22
11
11
)
1
)(
1(
)
1
)(
1(
Z
s
s
s
s
s
s
s
s
h
×
+
+
−
−
+
+
=
21
12
22
11
12
12
)
1
)(
1(
2
s
s
s
s
s
h
+
+
−
=
21
12
22
11
12
21
)
1
)(
1(
2
s
s
s
s
s
h
+
+
−
−
=
0
21
12
22
11
21
12
11
22
22
1
)
1
)(
1(
)
1
)(
1(
Z
s
s
s
s
s
s
s
s
h
×
+
+
−
−
−
−
=
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) バイアス条件
(b) 測定周波数
(c) 測定系の特性インピーダンス
(d) 基準面の位置
(e) 必要があれば，入力信号レベル
(f) 周囲温度又は基準点温度
6.1.28 低周波電力利得測定 低周波電力利得測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタを含む低周波増幅器の電力利得を測定するこ
とを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図35に示す。
30
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図35 低周波電力利得測定回路
(3) 手順 供試トランジスタに規定の電圧及び電流を印加し，規定の周波数の小信号を入力し，そのとき
の交流電圧（vg，vi及びv0）を高インピーダンス交流電圧計で読み取る。このときの電力利得 (Gp) を，
次の式によって算出する。
i
i
L
p
r
v
R
v
dB
G
/
/
log
10
)
(
2
20
=
ここに， ri： 入力抵抗，
i
g
i
b
i
v
v
v
R
r
−
=
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) 測定回路
(b) 測定電圧及び電流
(c) 測定周波数
(d) 周囲温度又は基準点温度
6.1.29 高周波電力利得測定 高周波電力利得測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの高周波電力利得を測定することを目的とす
る。
(2) 測定回路 周波数30MHz程度までの測定回路の一例を，図36に示す。
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C 7030-1993
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図36 高周波電力利得測定回路
(3) 手順 供試トランジスタに規定の電圧及び電流を印加し，規定の周波数の小信号を入力し，C1及び
C2を調整して出力電圧 (v0) を最大とする。このときの電力利得 (Gp) を，次の式によって算出する。
g
g
L
p
R
v
R
v
n
dB
G
4
/
/
log
10
)
(
2
20
+
=
ここに， n： 入力及び出力回路の損失の和 (dB)
なお，一方向化最大有能電力利得は，中和回路を調整して中和をとり，次に入力及び出力回路のイ
ンピーダンス変換器 (T1, T2) を調整して最大となる電力利得である。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) 測定回路
(b) 測定電圧及び電流
(c) 測定周波数
(d) 周囲温度又は基準点温度
6.1.30 変換電力利得測定 変換電力利得測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，電圧及び電流の調整を繰返し供試トランジスタの変換電力利得
を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 周波数30MHz程度までの，それぞれ他励振方式及び自励振方式の測定回路の一例を，図
37及び図38に示す。
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C 7030-1993
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図37 変換電力利得測定回路（他励振方式）
図38 変換電力利得測定回路（自励振方式）
(3) 手順 手順は，次による。
(a) 他励振方式の場合 供試トランジスタに規定の電圧及び電流を印加し，信号発生器 (SG) 及び局部
発振器 (LO) から規定の周波数の信号を入力する。
局部発振電圧 (vL) を規定値とし，C1およびC2を調整して中間周波出力電圧 (vo) を最大とする。
このときの変換電力利得 (Gp) を，次の式によって算出する。
g
g
L
o
p
R
v
R
v
n
dB
G
4
/
/
log
10
)
(
2
2
+
=
ここに， n： 入力及び出力回路の損失の和 (dB)
33
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なお，最大有能変換電力利得を求める場合は，入力及び出力回路のインピーダンス変換器T1，T2
を調整して最大となる電力利得を求める。
(b) 自励振方式の場合 供試トランジスタに規定の電圧及び電流を印加し，規定の周波数の信号を入力
する。
C1，C2及びC3を調整して中間周波出力電圧 (v0) を最大とし，前式から変換電力利得 (Gp) を求
める。
なお，最大有能変換電力利得を求める場合は，入力及び出力回路のインピーダンス変換器T1，T2，
T3を調整して最大となる電力利得を求める。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) 測定回路
(b) 測定電圧及び電流
(c) 信号周波数
(d) 局部発振周波数又は中間周波数
(e) 局部発振電圧（他励振方式の場合）
(f) 周囲温度又は基準点温度
6.1.31 低周波雑音電圧測定 低周波雑音電圧測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの低周波雑音電圧を測定することを目的とす
る。
(2) 測定回路 雑音出力電圧及び等価入力雑音電圧の測定回路の一例を，図39及び図40に示す。
図39 低周波雑音電圧測定回路（雑音出力電圧）
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図40 低周波雑音電圧測定回路（等価入力雑音電圧）
(3) 手順 手順は，次による。
(a) 雑音出力電圧 図39の測定回路で，規定の抵抗R1及び帯域幅，電圧利得，等価入力雑音電圧が既
知の増幅回路を用いて，雑音出力電圧を測定する。
(b) 等価入力雑音電圧 図40の測定回路で，スイッチSを1の位置にして，信号電圧 (vi) を供試トラ
ンジスタに入力し，そのときの出力電圧 (vo1) を測定する。次にスイッチSを2の位置にしてその
ときの出力電圧 (vo2) を測定する。このときの等価入力雑音電圧 (en) を，次の式によって算出する。
i
o
o
n
v
v
v
Hz
V
e
/
1
)
/
(
1
2
=
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) 測定回路
(b) バイアス電圧及び電流
(c) 雑音出力電圧測定の場合，信号源抵抗器R1
(d) 等価入力雑音電圧測定の場合，選択増幅器の中心周波数
(e) 周囲温度又は基準点温度
6.1.32 低周波雑音指数測定 低周波雑音指数測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの低周波雑音指数を測定することを目的とす
る。
(2) 測定回路 信号発生器及び雑音二極管法による測定回路の一例を，図41及び図42に示す。
35
C 7030-1993
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図41 低周波雑音指数測定回路（信号発生器）
図42 低周波雑音指数測定回路（雑音二極管法）
(3) 手順 手順は，次による。
(a) 信号発生器法 図41に示す測定回路でスイッチS1，S2及びS3を1の位置として，減衰器1を調整
して出力指示器に比較値を与え，次にスイッチS1，S2及びS3を2の位置として，出力指示器の指示
値が前述の比較値と同一指示になるように減衰器2を調整する。雑音指数 (F) を，次の式によって
算出する。
36
C 7030-1993
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
2
3
21
4
log
10
)
(
x
x
kTBR
v
dB
F
g
+
−
=
ここに， v1： 信号発生器の出力電圧 (V)
k： ボルツマン定数 1.38･10-23 (J/K)
T： 絶対温度 (K)
B： 実効帯域幅 (Hz)
Rg： 信号源抵抗 (Ω)
x3： 減衰器3の減衰量 (dB)
x2： 減衰器2の減衰量 (dB)
備考1. この方法は，低周波（1kHz以下）及び超低周波の測定に用いる。
2. 信号発生器の出力は校正されたものを用い，出力電圧v1はF≪10log
g
kTBR
v
4
21 を満足するように
選ぶ。信号源抵抗器は，低雑音のものを用いる。
3. 選択増幅器の周波数帯域幅は，中心周波数の15%程度でよい。発振器の周波数は，選択増幅
器の中心周波数に正しく合わせる。
4. 減衰器1は，次段の増幅器の非直線性による誤差を減らすためと，利得調整のために用いる。
5. 自乗検波器及び出力指示器は，波高率12dBの波形に対して正しい自乗平均平方の特性をも
つものとする。
また，出力指示器の時定数は，指示の安定を得るために十分大きくする。
(b) 雑音二極管法 図42に示すような測定回路で雑音二極管の出力をゼロとし，スイッチSを1の位
置として減衰器1を加減して出力指示器に比較値を与え，次にスイッチSを2の位置として減衰器
2 (3dB) を入れ，先の比較値と同一指示になるように雑音二極管の陽極電流Ipを調整する。雑音指
数 (F) を，次の式によって算出する。
kT
R
eI
dB
F
g
p
2
log
10
)
(
=
ここに，
e： 電子の電荷量 1.60×10-19 (c)
k： ボルツマン定数 1.38×10-23 (J/K)
T： 絶対温度 (K)
Ip： 雑音二極管の陽極電流 (A)
Rg： 信号源抵抗器（雑音二極管の出力抵抗） (Ω)
備考1. この方法は，300MHz程度までの測定に用いる。
2. 信号源抵抗器は低雑音のものを用い，HF，VHFの場合は，その抵抗器を含む回路の直列イン
ダクタンスをできるだけ小さくなるような構造とする。
3. 選択増幅器の中心周波数は測定周波数に合わせ，その帯域幅は，中心周波数の15%程度とす
る。
4. 自乗検波器及び出力指示器は，波高率12dBの波形に対して正しい自乗平均平方の特性をも
つものとする。
また，出力指示器の時定数は，指示の安定を得るため十分に大きくする。
5. 供試トランジスタは，入力及び出力整合回路を通して接続する。
6. 減衰器1は，次段の増幅器の非直線性による誤差を減らすため及び利得調整のために使用す
る。
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
7. 周波数が高く，供試トランジスタの利得が大きくないために，選択増幅器の雑音が問題とな
る場合は，次のような補正を行う。
供試トランジスタの雑音指数F1（真数）は，減衰器1をとり除いた状態での全雑音指数（真
数）Ft及び減衰量L（真数）の減衰器1を接続した状態の全雑音指数（真数）F'tをそれぞれ
測定し，次の式によって算出する。
G
L
F
LF
F
t
t
1
1
'
1
+
−
−
=
ここに， G： 供試トランジスタの利得（真数）
F1≫G1の場合
1
'
1
−
−
L
F
LF
F
t
t
≒
雑音指数をデシベル換算する場合，次の式を使用する。
F1 (dB) ＝10log (LFt−F'T) −10log (L−1)
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) バイアス条件
(b) 測定周波数
(c) 信号源抵抗
(d) 測定回路
(e) 必要があれば，補正方法
(f) 周囲温度又は基準点温度
6.1.33 高周波雑音指数測定 高周波雑音指数測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの高周波雑音指数を測定することを目的とす
る。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図43に示す。
図43 高周波雑音指数測定回路
(3) 手順 図43の測定回路で，供試トランジスタに規定の直流バイアスを印加し，入力及び出力の整合回
路を調整し整合状態とする。
標準雑音発生器の温度が低温Tc (K) のときの電力指示器の読みをNc (W) とし，高温TH (K) のとき
の電力指示器の読みをNH (W) とし，この比をY＝NH/NCとする。このとき，供試トランジスタの等価
雑音温度Teを，次の式によって算出する。
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G
T
Y
T
Y
T
K
T
c
H
e
2
1
)
(
−
−
−
=
ここで，T2はアイソレータ及び測定用増幅器の等価雑音温度で，これはあらかじめ上記と同様な方
法で求めておく。
また，Gは供試トランジスタの上記整合状態の電力増幅度であり既知のものとする。
雑音指数Fは，標準雑音温度 (To＝298K) に対し，次の式によって算出する。
o
e
o
T
T
T
dB
F
+
=
log
10
)
(
この方法は，Yを測定することによって雑音指数を得るのでY係数法とも呼ばれる。
備考1. Y係数法に用いられる標準雑音発生器は，次の2種類の形式がある。
(1) ホット・コールド法 測定系の特性インピーダンスに対し無反射であり，また，純抵抗器と
認められる終端を高温THと低温TCの環境でYファクタを求める。
ただし，THとTCとの差は一般にはかなり大きく選ぶ必要があるので，温度による特性の
変化が少ない同軸形終端や導波管形終端を用いる必要がある。
(2) ノイズ・ソース法 原理的には，ホット・コールド法と同一であるが，二つの温度を設定す
る代わりに，あらかじめホット・コールド法などとの比較によって測定系の特性インピーダ
ンスに等しい無反射終端の常温での雑音出力NCと，ツェナー・ダイオードを降伏状態とした
ときに発生する雑音出力NHによってYファクタを求める。
2. 整合回路や結線の損失及び測定用増幅器の雑音が無視できない場合は，測定値Faを次のよう
に補正を行い，供試トランジスタ単体の真の雑音指数Fを求める。
図44 測定回路
−
−
−
−
=
−
−
102
102
10
102
101
10
1
10
10
1
10
10
log
10
)
(
L
G
F
G
L
L
a
F
dB
F
ここに， Fa： 測定値 (dB)
3. 一般的注意事項として，
(1) 測定用増幅器は，測定する周波数帯だけを増幅する機能（選択増幅器）をもつ必要がある。
(2) 電力指示器が測定可能周波数範囲を超えている場合は，単一の局部発振器で励振される直線
性が良く変換損失の少ない周波数変換器を，測定用増幅器の後段に挿入しなければならない。
この場合は，測定用増幅器の選択性は必要でない。
(3) 測定用増幅器や電力指示器は，十分に大きな範囲の直線性をもたなければならない。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) バイアス条件
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(b) 測定周波数
(c) 測定系の特性インピーダンス
(d) 測定回路
(e) 必要があれば補正方法
(f) 周囲温度又は基準点温度
6.1.34 発振電圧測定 発振電圧測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定の条件で，供試トランジスタの発振電圧を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 発振周波数300MHz程度までの測定回路の一例を，図45に示す。
図45 発振電圧測定回路
(3) 手順 規定のエミッタ電流 (IE) 及び規定のコレクタ・ベース間電圧 (VCB) を与え，C1を調整して規
定の周波数で発振させ，高インピーダンスの交流電圧計によって発振電圧を測定する。
図45の回路で定数L及びC2は規定の値のものを使用する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) エミッタ電流
(b) コレクタ・ベース間電圧
(c) L及びC2の値
(d) 発振周波数
(e) 周囲温度又は基準点温度
6.1.35 発振電力測定 発振電力測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの発振電力を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図46に示す。
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図46 発振電力測定回路
備考1. 空胴波長計などを電力計の直前に挿入して発振周波数を検知する方法もある。
2. 減衰器の減衰量は負荷と発振器の相互影響が無視できる値に設定しなければならない。
(3) 手順 測定回路で，減衰器及び方向性結合器は規定の周波数でその損失をあらかじめ校正し，発振器
と電力計の間の損失L (dB) を求める。供試トランジスタに規定のバイアスを印加し，発振器マウント
で調整を行い，周波数計又はスペクトラムアナライザによって指定の周波数を確認し，電力計でその
ときの出力電力指示値P (dBm) を読み取る。
また，このとき，高調波が無視できることを確認する。供試トランジスタの発振出力POSC (dBm) を，
次の式によって算出する。
POSC (dBm) ＝P＋L
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) 発振周波数
(b) バイアス電圧及び電流
(c) 発振器マウントの回路構成概略及び図面
(d) 測定系のインピーダンス
(e) 必要によって，スプリアス最大値
(f) 周囲温度又は基準点温度
6.1.36 全高調波ひずみ率測定 全高調波ひずみ率測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの全高調波ひずみ率を測定することを目的と
する。
(2) 測定回路 デシベル表示の場合と百分率表示の場合の，測定回路の一例を，図47及び図48に示す。
図47 全高調波ひずみ率測定回路（デシベル表示）
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図48 全高調波ひずみ率測定回路（百分率表示）
(3) 手順 手順は，次による。
(a) デシベル表示の場合 図47の測定回路で，スイッチSを1の位置とし，供試トランジスタの基本
波出力をレベル計で測定し，基本波出力レベルが規定の値L1 (dB) となるように減衰器1を調整す
る。
次に，スイッチSを2の位置とし，減衰量A1 (dB) に設定した終端用減衰器2と，基本波を除去
する高域フィルタを通してレベル計によって全高調波レベルL2 (dB) を測定する。このときの高域
フィルタの高調波に対する損失をA2 (dB) とし，供試トランジスタの全高調波の基本波に対する減
衰量K (dB) を，次の式によって算出する。
K (dB) ＝L1− (L2＋A1＋A2)
備考1. 低域（通過）フィルタは，信号源からの基本波以外の波を除去するために用いる。また，減
衰器2は，基本波を除去する高域（通過）フィルタの反射の影響を少なくする目的で使用する。
2. レベル計は二乗特性をもち，また，高調波ひずみを測定する場合は，周波数選択性をもつも
のとする。
(b) 百分率表示の場合 図48の測定回路で，減衰器でレベル計1の指示が規定の値になるように調整し，
スイッチSを2の位置とし，R3及びCを調整してレベル計2の指示が最低となるようにする。次に
スイッチSを1，2に交互に切換えたとき，レベル計2の指示が同一になるように可変抵抗器Pを
調整する。このときのひずみ率K (%) を，次の式によって算出する。
100
(%)
4
×
=Rr
K
備考 レベル計は二乗特性をもち，また，高調波ひずみを測定する場合は，周波数選択性をもつもの
とする。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) バイアス条件
(b) 測定周波数
(c) 基本波出力レベル
(d) 測定回路
(e) 周囲温度又は基準点温度
6.1.37 相互変調ひずみ測定 相互変調ひずみ測定は，次による。
42
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの相互変調ひずみを測定することを目的とす
る。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図49に示す。
図49 相互変調ひずみ測定回路
備考 スペクトラムアナライザの代わりに，電界強度測定器などを用いてもよい。
(3) 手順 図49の測定回路で，規定の周波数f1，f2の信号を信号合成器で合成し，スイッチSを1の位置
として，規定の出力レベルとなるように減衰器を調整する。次に，スイッチSを2の位置として，ス
ペクトラムアナライザによって相互変調ひずみ (IM) を測定する。
備考1. 相互変調ひずみのうち，2次成分 (IM2) と3次成分 (IM3) は，図50のようなスペクトラムを示
す。
図50 スペクトラム
2. 周波数f1，f2の信号は，規定がない限り，出力電圧が同一となるように設定する。
3. スペクトラムアナライザや電界強度測定器は，測定範囲で，それ自身のひずみが無視できる
ものとする。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) 測定回路及びバイアス条件
(b) 信号周波数f1及びf2
(c) 測定するひずみ周波数
(d) 出力レベル
(e) 測定系の特性インピーダンス
(f) 周囲温度又は基準点温度
6.1.38 スイッチング時間測定 スイッチング時間測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのスイッチング時間を測定することを目的と
する。ここで，測定する項目は，遅延時間，上昇時間，ターンオン時間，蓄積時間，下降時間，ター
ンオフ時間である。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図51に示す。
43
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図51 スイッチング時間測定回路
(3) 手順 供試トランジスタに規定の直流バイアス及び入力パルスを印加し，二現象オシロスコープで図
52にみるような入出力波形を観察する。各スイッチング時間を，次の定義によって読み取る。
(a) 遅延時間 (td) 入力波形が振幅の10%に達したときから，出力波形が振幅の10%に達するまでの時
間。
(b) 上昇時間 (tr) 出力波形が振幅の10%から90%まで増加するのに要する時間。
(c) ターンオン時間 (ton) 入力波形が振幅の10%に達したときから，出力波形が振幅の90%に達する
までの時間。
(d) 蓄積時間 (ts) 入力波形が振幅の90%に下降したときから，出力波形が振幅の90%に下降するまで
の時間。
(e) 下降時間 (tf) 出力波形が振幅の90%から10%まで減少するのに要する時間。
(f) ターンオフ時間 (toff) 入力波形が振幅90%に下降したときから，出力波形が振幅の10%に下降す
るまでの時間。
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図52 パルス波形
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) コレクタ電源電圧と負荷抵抗又はコレクタ電流
(b) ベース電源電圧と入力抵抗 (R2)，又はピーク逆ベース電流 (IB2)
(c) 入力電圧と入力抵抗 (R1)，又はパルス印加時のベース電流 (IB1)
(d) パルス幅及びデューティサイクル
(e) 周囲温度又は基準点温度
6.1.39 熱抵抗測定 熱抵抗測定は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの接合部温度 (Tj) 計測から熱抵抗を測定する
ことを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図53に示す。
図53 熱抵抗測定回路
(3) 手順 規定のコレクタ・ベース間電圧 (VCB) を印加する。スイッチSを開放し，規定の温度測定電流
(IM) を流して，そのときのエミッタ・ベース間順電圧 (VEB) をオシロスコープOで観測する。次に，
スイッチSを短絡し，規定パルス時間 (tp) だけ接合部加熱電流 (IH) を流した後，直ちにスイッチを
開放する。この間のエミッタ電流 (IE) 及びエミッタ・ベース間順電圧 (VEB) の動きを二現象オシロス
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コープOで観測すると図54のようになる。すなわち一定パルス時間 (tp) 接合部加熱電流 (IH) を流し
たところで急速にスイッチSを開放すると，測定電流 (IM) に対するエミッタ・ベース間順電圧 (VEB)
は，瞬間的に加熱前の値 (VEB1) よりも低い値 (VEB2) を示し，その後接合温度 (Tj) の冷却に伴って加
熱前の値に戻る。このときの∆VEB値を使い，接合部から温度基準点Xまでの熱抵抗 [Rth (j−x)] を，次
の式によって算出する。
CB
H
EB
H
EB
T
jx
x
j
th
V
aI
V
I
b
V
P
T
R
+
∆
∆
∆
=
−
/
)
(
≒
（ただし、IM≪IH）
CB
H
EB
V
I
b
V
/
∆
≒
（ただし、VEB≪VCB, a≒1）
ここに，
∆Tjx： X点を温度基準点とした接合部温度変化量値 (C)
∆PT： 加熱前後の接合部での消費電力差 (W)
∆VEB： |VEB1−VEB2| (mV)
b： エミッタ・ベース間順電圧の温度係数の絶対値 (mV/℃)
α： ベース接地電流増幅率
図54 パルス波形
備考1. 測定電流 (IM) は，接合部加熱電流 (IH) に比して十分小さく，接合部温度上昇への寄与が無
視できる程度の定電流源とする。
2. エミッタ・ベース間順電圧 (VEB) の温度係数 (b) (mV/℃) は，次のようにしてからあらかじ
め求めておく必要がある。
コレクタ・ベース間電圧 (VCB) 及び測定電流 (IM) を規定値とする。供試トランジスタの
周囲温度 (Ta) を恒温槽などで十分定常状態として，その温度でのエミッタ・ベース間順電圧
(VEB) を測定する。次に，周囲温度を変えてエミッタ・ベース間電圧を測定する。
3. 熱抵抗 [Rth (j−x)] は，加熱時間 (tp) に応じて図55のような変化を示す。すなわち，点Xはtp
によって決まるので，目的に応じてtpの値を選ばなければならない。例えば，半導体チップ
自身の熱抵抗を知るには，tpをチップの熱時定数以下としなければならないし，接合・ケー
ス間熱抵抗 [Rth (j−c)] ならばケースの熱時定数を考慮しなければならない。
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また，接合・周囲雰囲気間熱抵抗 [Rth (j−a)] を求めるには，熱的に飽和するに十分な加熱時
間を選ぶ必要がある。
4. Tj−Ta＝Rth (j−x) ･Prの関係があり，外部から測定可能な基準温度TREFの基点Xはケース温度
(Tc) か，周囲温度 (Ta) の二つの選択方法がある。チップ接着の良否判定やRth (j−c) 測定には
Tc，Rth (j−a) 測定にはTaが基点Xとして定められる。
また，基準温度は一般的に25℃が常用される。
5. 温度基準基点Xをケースに置くときは，ケース温度 (Tc) が上昇することもあり，放熱器を
付けたり，強制冷却を行いTcを一定とする必要もある。
また，ケース温度を測定し，その基準温度からの上昇変化温度分を接合部温度 (Tj) から減
算し補正することも許される。
図55 熱抵抗の加熱パルス幅変化（両対数目盛の場合）
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) 接合部温度測定用測定電流 IM
(b) 接合部加熱エミッタ電流 IH又はコレクタ電流 IC
(c) コレクタ・ベース間電圧 VCB
(d) 加熱用パルス時間 tp
(e) 放熱器やケース温度測定用熱電対の取付け方法
(f) 周囲温度又は基準点温度
6.2
電界効果トランジスタの測定方法
6.2.1
ゲート・ソース間遮断電流測定 (A) ゲート・ソース間遮断電流測定 (A) は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのゲート・ソース間遮断電流を測定すること
を目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図56に示す。
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図56 ゲート・ソース間遮断電流測定回路 (A)
(3) 手順 ドレイン・ソース間を規定の状態とし，ゲート・ソース間に規定の電圧 (VGS) を印加して，ゲ
ート電流 (IG) ［ゲート・ソース間遮断電流 (IGS̲)］を測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(4.1) ドレイン・ソース間のバイアス条件
(a) IGSXの場合はドレイン・ソース間電圧
(b) IGSRの場合はドレイン・ソース間に接続するR2の抵抗値
(c) IGSSの場合はドレイン・ソース間を短絡すること。
(d) IGSOの場合はドレイン・ソース間を開放すること。
(4.2) ゲート・ソース間電圧
(4.3) デュアルゲート形の場合，非ゲートのバイアス条件を明記する。
(4.4) 周囲温度又は基準点温度
6.2.2
ゲート・ドレイン間遮断電流測定 (A) ゲート・ドレイン間遮断電流測定 (A) は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのゲート・ドレイン間遮断電流を測定するこ
とを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図57に示す。
図57 ゲート・ドレイン間遮断電流測定回路 (A)
(3) 手順 ドレイン・ソース間を規定の状態とし，ゲート・ドレイン間に規定の電圧 (VGD) を印加して，
ゲート電流 (IG) ［ゲート・ドレイン間遮断電流 (IGD̲)］を測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(4.1) ドレイン・ソース間のバイアス条件
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(a) IGDXの場合はドレイン・ソース間電圧
(b) IGDRの場合はドレイン・ソース間に接続するR2の抵抗値
(c) IGDSの場合はドレイン・ソース間を短絡すること。
(d) IGDOの場合はドレイン・ソース間を開放すること。
(4.2) ゲート・ドレイン間電圧
(4.3) デュアルゲート形の場合，非ゲートのバイアス条件を明記する。
(4.4) 周囲温度又は基準点温度
6.2.3
ドレイン・ソース間遮断電流測定 (A, B, C) ドレイン・ソース間遮断電流測定 (A, B, C) は，次
による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのドレイン・ソース間遮断電流を測定するこ
とを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図58に示す。
図58 ドレイン・ソース間遮断電流測定回路 (A, B, C)
(3) 手順 ゲート・ソース間に規定の電圧 (VGS) を印加し，ドレイン・ソース間（チャネル）を遮断状態
とし，ドレイン・ソース間に規定の電圧 (VDS) を印加して，ドレイン電流 (ID) 〔ドレイン・ソース
間遮断電流 [IDS (off)]〕を測定する。
備考 絶縁ゲート形でサブストレート電極をもつものは，規定がない限り，これをソース電極に接続
する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) ゲート・ソース間電圧
(b) ドレイン・ソース間電圧
(c) デュアルゲート形の場合は，非ゲートのバイアス条件を明記する。
(d) 周囲温度又は基準点温度
6.2.4
ゲート・ソース間漏れ電流測定 (B, C) ゲート・ソース間漏れ電流測定 (B, C) は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのゲート・ソース間漏れ電流を測定すること
を目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図59に示す。
49
C 7030-1993
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図59 ゲート・ソース間漏れ電流測定回路 (B, C)
(3) 手順 ドレイン・ソース間を規定の状態とし，ゲート・ソース間に規定の電圧 (VGS) を印加して，ゲ
ート電流 (IG) ［ゲート・ソース間漏れ電流 (IGS̲)］を測定する。
備考 絶縁ゲート形でサブストレート電極をもつものは，規定がない限り，これをソース電極に接続
する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(4.1) ドレイン・ソース間のバイアス条件
(a) IGSXの場合はドレイン・ソース間電圧
(b) IGSRの場合はドレイン・ソース間に接続するR2の抵抗値
(c) IGSSの場合はドレイン・ソース間を短絡すること。
(d) IGSOの場合はドレイン・ソース間を開放すること。
(4.2) ゲート・ソース間電圧
(4.3) デュアルゲート形の場合，非ゲートのバイアス条件を明記する。
(4.4) 周囲温度又は基準点温度
6.2.5
ゲート・ドレイン間漏れ電流測定 (B, C) ゲート・ドレイン間漏れ電流測定 (B, C) は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのゲート・ドレイン間漏れ電流を測定するこ
とを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図60に示す。
50
C 7030-1993
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図60 ゲート・ドレイン間漏れ電流測定回路 (B, C)
(3) 手順 ドレイン・ソース間を規定の状態とし，ゲート・ドレイン間に規定の電圧 (VGD) を印加して，
ゲート電流 (IG) ［ゲート・ドレイン間漏れ電流 (IGD̲)］を測定する。
備考 絶縁ゲート形でサブストレート電極をもつものは，規定がない限り，これをソース電極に接続
する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(4.1) ドレイン・ソース間のバイアス条件
(a) IGDXの場合はドレイン・ソース間電圧
(b) IGDRの場合はドレイン・ソース間に接続するR2の抵抗値
(c) IGDSの場合はドレイン・ソース間を短絡すること。
(d) IGDOの場合はドレイン・ソース間を開放すること。
(4.2) ゲート・ドレイン間電圧
(4.3) デュアルゲート形の場合，非ゲートのバイアス条件を明記する。
(4.4) 周囲温度又は基準点温度
6.2.6
カットオフ電圧測定 (A, B) カットオフ電圧測定 (A, B) は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，ゲート・ソース間カットオフ電圧を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図61に示す。
図61 カットオフ電圧測定回路 (A, B)
(3) 手順 ドレイン・ソース間に規定の電圧 (VDS) を印加し，遮断領域に規定されたドレイン電流 (ID) と
なるようにゲート・ソース間電圧を調整して，このときのゲート・ソース間電圧 (VGS) 〔ゲート・ソ
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
ース間遮断電圧 [VGS (off)]〕を測定する。
備考 絶縁ゲート形でサブストレート電極をもつものは，規定がない限り，これをソース電極に接続
する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) ドレイン・ソース間電圧
(b) ドレイン電流
(c) デュアルゲートの場合は，非ゲートのバイアス条件を明記する。
(d) 周囲温度又は基準点温度
6.2.7
しきい値電圧測定 (C) しきい値電圧測定 (C) は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，ゲート・ソース間しきい値電圧を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図62に示す。
図62 しきい値電圧測定回路 (C)
(3) 手順 ドレイン・ソース間に規定の電圧 (VDS) を印加し，しきい値領域に規定されたドレイン電流
(ID) となるようにゲート・ソース間電圧を調整して，このときのゲート・ソース間電圧 (VGS) 〔ゲー
ト・ソース間しきい値電圧 [VGS (th)]〕を測定する。
備考 絶縁ゲート形でサブストレート電極をもつものは，規定がない限り，これをソース電極に接続
する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) ドレイン・ソース間電圧
(b) ドレイン電流
(c) サブストレートの状態
(d) デュアルゲート形の場合は，非ゲートのバイアス条件を明記する。
(e) 周囲温度又は基準点温度
6.2.8
ドレイン電流測定 (A, B, C) ドレイン電流測定 (A, B, C) は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのドレイン電流を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図63に示す。
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図63 ドレイン電流測定回路 (A, B, C)
(3) 手順 ゲート・ソース間を規定の状態とし，ドレイン・ソース間に規定の電圧 (VDS) を印加して，ド
レイン電流 (ID) [(IDS̲)] を測定する。
備考 絶縁ゲート形でサブストレート電極をもつものは，規定がない限り，これをソース電極に接続
する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(4.1) ゲート・ソース間電圧
(a) IDSXの場合はゲート・ソース間電圧
(b) IDSRの場合はゲート・ソース間に接続するRの抵抗値
(c) IDSSの場合はゲート・ソース間を短絡すること。
(4.2) ドレイン・ソース間電圧
(4.3) デュアルゲート形の場合は，非ゲートのバイアス条件を明記する。
(4.4) 周囲温度又は基準点温度
6.2.9
小信号順伝達アドミタンス測定 (A, B, C) 小信号順伝達アドミタンス測定 (A, B, C) は，次によ
る。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの小信号順伝達アドミタンスを測定すること
を目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図64に示す。
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図64 小信号順伝達アドミタンス測定回路 (A, B, C)
(3) 手順 ドレイン・ソース間に規定の直流電圧 (VDS) を印加し，かつ，ゲート・ソース間に規定の直流
電圧 (VGS) を印加するか又はドレイン・ソース間に規定の直流電流 (ID) を流した状態で，ゲート側
に規定周波数の交流電圧 (v1) を印加してそのときの出力交流電圧 (v2) を測定する。このときの小信
号順伝達アドミタンス (|yfs|) を，次の式によって算出する。
L
fs
R
v
v
y
1
1
2
=
この場合，電圧v1とv2を測定するとき，VDS及びVGSを測定する電圧計は，回路から外しておく。
また，電圧（v1とv2）は高インピーダンスの交流電圧計で測定する。
備考 絶縁ゲート形でサブストレート電極をもつものは，規定がない限り，これをソース電極に接続
する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) ドレイン・ソース間電圧
(b) ゲート・ソース間電圧又はドレイン電流
(c) 測定周波数及び入力交流電圧
(d) デュアルゲート形の場合，非ゲートのバイアス条件を明記する。
(e) 周囲温度又は基準点温度
6.2.10 小信号出力アドミタンス測定 (A, B, C) 小信号出力アドミタンス測定 (A, B, C) は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの小信号出力アドミタンスを測定することを
目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図65に示す。
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図65 小信号出力アドミタンス測定回路 (A, B, C)
(3) 手順 ドレイン・ソース間に規定の直流電圧 (VDS) を印加し，かつ，ゲート・ソース間に規定の直流
電圧 (VGS) を印加するか又はドレイン・ソース間に規定の直流電流 (ID) を流した状態で，ドレイン
側に規定周波数の交流電圧 (v1) を印加して負荷抵抗 (RL) の両端の交流電圧 (v2) を測定する。このと
きの小信号出力アドミタンス (|yos|) を，次の式によって算出する。
L
os
R
v
v
v
y
1
2
1
2
−
=
この場合，電圧v1とv2を測定するとき，VDS及びVGSを測定する電圧計は，回路から外しておく。
また，電圧（v1とv2）は高インピーダンスの交流電圧計で測定する。
備考 絶縁ゲート形でサブストレート電極をもつものは，規定がない限り，これをソース電極に接続
する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) ドレイン・ソース間電圧
(b) ゲート・ソース間電圧又はドレイン電流
(c) 測定周波数及び入力交流電圧
(d) デュアルゲート形の場合，非ゲートのバイアス条件を明記する。
(e) 周囲温度又は基準点温度
6.2.11 小信号入力静電容量測定 (A, B, C) 小信号入力静電容量測定 (A, B, C) は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの入力静電容量を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図66に示す。
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図66 小信号入力静電容量 (A, B, C) 測定回路
(3) 手順 ドレイン・ソース間に規定の直流電圧 (VDS) を印加し，ゲート・ソース間に規定の直流電圧
(VGS) を印加するか又はドレイン・ソース間に規定の直流電流 (ID) を流した状態で，ゲート・ソース
間静電容量［小信号入力静電容量 (Ciss)］を測定する。
備考 絶縁ゲート形でサブストレート電極をもつものは，規定がない限り，これをソース電極と接続
する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) 測定周波数
(b) ドレイン・ソース間電圧
(c) ゲート・ソース間電圧又はドレイン電流
(d) デュアルゲート形の場合，非ゲートのバイアス条件を明記する。
(e) 周囲温度又は基準点温度
6.2.12 小信号帰還静電容量測定 (A, B, C) 小信号帰還静電容量測定 (A, B, C) は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの帰還容量を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 三端子ブリッジ法を用いた測定回路の一例を，図67に示す。
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図67 小信号帰還静電容量測定回路 (A, B, C)
(3) 手順 規定がない限り，ソース接地とし，ゲート・ソース間を実効的に短絡した状態のキャパシタン
スブリッジを用いて，規定の周波数で，ドレイン・ソース間に規定の直流電圧 (VDS) を印加し，ゲー
ト・ソース間に規定の直流電圧 (VGS) を印加するか又はドレインに規定の直流電流 (ID) を流した状
態で，ゲート・ドレイン間静電容量［小信号帰還静電容量 (Crss)］を測定する。
備考 絶縁ゲート形でサブストレート電極をもつものは，規定がない限り，これをソース電極に接続
する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) 測定周波数
(b) ドレイン・ソース間電圧
(c) ゲート・ソース間電圧又はドレイン電流
(d) デュアルゲート形の場合，非ゲートのバイアス条件を明記する。
(e) 周囲温度又は基準点温度
6.2.13 小信号出力静電容量測定 (A, B, C) 小信号出力静電容量測定 (A, B, C) は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの出力静電容量を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図68に示す。
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図68 小信号出力静電容量測定回路 (A, B, C)
(3) 手順 規定がない限り，ソース接地とし，ゲート・ソース間を交流的に短絡し，規定の周波数におい
て，ドレイン・ソース間に規定の直流電圧 (VDS) を印加し，ゲート・ソース間に規定の直流電圧 (VGS)
を印加するか又はドレインに規定の直流電流 (ID) を流した状態で，ドレイン・ソース間静電容量［小
信号出力静電容量 (Coss)］を測定する。
備考 絶縁ゲート形でサブストレート電極をもつものは，規定がない限り，これをソース電極に接続
する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) 測定周波数
(b) ドレイン・ソース間電圧
(c) ゲート・ソース間電圧又はドレイン電流
(d) デュアルゲート形の場合，非ゲートのバイアス条件を明記する。
(e) 周囲温度又は基準点温度
6.2.14 スキャッタリングパラメータ測定 (A, B, C) スキャッタリングパラメータ測定 (A, B, C) は，次
による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのスキャッタリングパラメータを測定するこ
とを目的とする。
(2) 測定回路，手順及び個別規格に規定する事項 測定回路，手順及び個別規格に規定する事項は，6.1.27
による。
6.2.15 入力換算雑音電圧測定 (A, B, C) 入力換算雑音電圧測定 (A, B, C) は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの等価入力雑音電圧を測定することを目的と
する。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図69に示す。
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図69 入力換算雑音電圧測定回路 (A, B, C)
(3) 手順 規定のバイアス条件で，スイッチSを1の位置として小信号条件を満足する交流電圧 (v1) をゲ
ート・ソース間に印加し，そのときの出力電圧 (vo1) を測定する。次に，スイッチSを2の位置とし
てそのときの出力電圧 (vo2) を測定する。このときの等価入力雑音電圧 (en) を，次の式によって算出
する。
i
o
o
n
v
v
v
Hz
V
e
/
1
)
/
(
1
2
=
備考1. R1，R2及び選択増幅器は，低雑音のものを用いる。
2. 絶縁ゲート形でサブストレート電極をもつものは，規定がない限り，これをソース電極と接
続する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) バイアス電圧及び電流
(b) 測定周波数
(c) 信号源抵抗器R1，R2及び負荷抵抗器R3
(d) 選択増幅器の中心周波数
(e) デュアルゲート形の場合，非ゲートのバイアス条件を明記する。
(f) 周囲温度又は基準点温度
6.2.16 低周波雑音指数測定 (A, B, C) 低周波雑音指数測定 (A, B, C) は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの低周波雑音指数を測定することを目的とす
る。
(2) 測定回路，手順及び個別規格に規定する事項 バイポーラトランジスタの電気的性能試験6.1.32によ
る。ただし，信号発生器法の測定回路の一例を，図70に示す。
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図70 低周波雑音指数測定回路 (A, B, C)
6.2.17 高周波雑音指数測定 (A, B, C) 高周波雑音指数測定 (A, B, C) は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの高周波雑音指数を測定することを目的とす
る。
(2) 測定回路，手順及び個別規格に規定する事項 測定回路，手順及び個別規格に規定する事項は，6.1.33
による。
6.2.18 高周波電力利得測定 (A, B, C) 高周波電力利得測定 (A, B, C) は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの高周波電力利得を測定することを目的とす
る。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図71に示す。
図71 高調波電力利得測定回路 (A, B, C)
(3) 手順 供試トランジスタに規定のバイアスを印加する。規定の周波数及び電力の信号を入力し，入出
力のインピーダンス整合を十分とった上，出力電力を測定する。このときの高周波電力利得 (Gps) を，
次の式によって算出する。
in
out
ps
P
P
dB
G
log
10
)
(
=
ここに，
Pin： 入力電力 (W)
Pout： 山力電力 (W)
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
備考 絶縁ゲート形でサブストレート電極をもつものは，規定がない限り，これをソース電極に接続
する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) バイアス電圧及び電流
(b) 測定周波数及び入力電力
(c) デュアルゲート形の場合，非ゲートのバイアス条件を明記する。
(d) 周囲温度又は基準点温度
6.2.19 発振電力測定 (A, B, C) 発振電力測定 (A, B, C) は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの発振電力を測定することを目的とする。
(2) 測定回路，手順及び個別規格に規定する事項 測定回路，手順及び個別規格に規定する事項は，6.1.35
による。
6.2.20 相互変調ひずみ測定 (A, B, C) 相互変調ひずみ測定 (A, B, C) は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタの相互変調ひずみを測定することを目的とす
る。
(2) 測定回路，手順及び個別規格に規定する事項 測定回路，手順及び個別規格に規定する事項は，6.1.37
による。
6.2.21 オン抵抗測定 (A, B, C) オン抵抗測定 (A, B, C) は，次による。
(1) 目的 この測定回路は，規定条件で，供試トランジスタのオン抵抗を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 直流方法及び低周波ブリッジによる方法の測定回路の一例を，図72及び図73に示す。
図72 オン抵抗測定回路（直流方法） (A, B, C)
備考 電流計の内部抵抗は，オン抵抗に比べ十分小さいものとする。
図73 オン抵抗測定回路（低周波ブリッジ方法） (A, B, C)
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備考 低周波ブリッジは，直流を通すことができるものとする。
また，ブリッジは，交流電圧計，電流計及び信号発生器によって置き換えてもよい。
(3) 手順 手順は，次による。
(a) 直流方法の場合 図72の測定回路で，ゲート・ソース間に規定の電圧 (VGS) を印加し，規定のド
レイン電流 (ID) でのドレイン・ソース間電圧 (VDS) を測定する。このときのオン抵抗 [rDS (ON)] を，
次の式によって算出する。
rDS (ON) (Ω) ＝VDS/ID
なお，ドレイン電流を与える電流源は電圧制限機能付電流源とし，その電圧は供試トランジスタ
のドレイン・ソース間耐電圧以下に設定する。
(b) 低周波ブリッジ方法の場合 図73の測定回路で，トランジスタを挿入しない状態で，あらかじめブ
リッジのバランスをとり，次にトランジスタを挿入し，ゲート・ソース間に規定の電圧 (VGS) を印
加し，規定のドレイン電流 (ID) を流し，再びブリッジのバランスをとる。そのときのオン抵抗 [rds
(on)] をブリッジから読み取る。
なお，ドレイン電流を与える電流源は電圧制限機能付電流源とし，その電圧は供試トランジスタ
のドレイン・ソース間耐圧以下に設定する。
備考 絶縁ゲート形でサブストレート電極をもつものは，規定がない限り，これをソース電極に接続
する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) ドレイン電流又はドレイン・ソース間電圧
(b) ゲート・ソース間電圧
(c) 低周波ブリッジ方法の場合，測定周波数（規定がない場合は，1kHzとする）
(d) デュアルゲート形の場合，非ゲートのバイアス条件を明記する。
(e) 周囲温度又は基準点温度
6.2.22 オフ抵抗測定 (A, B, C) オフ抵抗測定 (A, B, C) は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのオフ抵抗を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図74に示す。
図74 オフ抵抗測定回路 (A, B, C)
備考 電流計の内部抵抗は，オフ抵抗に比べ十分小さいものとする。
(3) 手順 ゲート・ソース間に規定のしきい値以下（又は遮断領域）の電圧 (VGS) を印加し，規定のドレ
イン・ソース間電圧 (VDS) を印加して，ドレイン電流 (ID) を測定する。このときのオフ抵抗 [rDS (OFF)]
を，次の式によって算出する。
rDS (OFF) (Ω)＝VDS/ID
備考 絶縁ゲート形でサブストレート電極をもつものは，規定がない限り，これをソース電極に接続
する。
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) ゲート・ソース間電圧
(b) ドレイン・ソース間電圧
(c) デュアルゲート形の場合，非ゲートのバイアス条件を明記する。
(d) 周囲温度又は基準点温度
6.2.23 スイッチング時間測定 (A, B, C) スイッチング時間測定 (A, B, C) は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのスイッチング時間を測定することを目的と
する。ここで，対象となるのは，遅延時間，上昇時間，ターンオン時間，蓄積時間，下降時間及びタ
ーンオフ時間である。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，図75に示す。
図75 スイッチング時間測定回路 (A, B, C)
(3) 手順 供試トランジスタに規定の直流バイアス及び入力パルスを印加し，二現象オシロスコープで図
76に示すような入出力波形を観察する。各スイッチング時間を次の定義に従って読み取る。
(a) ターンオン遅延時間 [td (on)] 入力波形が振幅の10%に達したときから，出力波形が振幅の10%に
達するまでの時間
(b) 上昇時間 (tr) 出力波形が振幅の10%から90%まで増加するのに要する時間
(c) ターンオン時間 (ton) 入力波形が振幅の10%に達したときから，出力波形が振幅の90%に達する
までの時間
(d) ターンオフ遅延時間 [td (off)] 入力波形が振幅の90%に下降したときから，出力波形が振幅の90%
に下降するまでの時間
(e) 下降時間 (tf) 出力波形が振幅の90%から10%まで減少するのに要する時間
(f) ターンオフ時間 (toff) 入力波形が振幅の90%に下降したときから，出力波形が振幅の10%に下降
するまでの時間
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図76 パルス波形
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) 測定電圧及び電流
(b) 入力抵抗 (R1, R2) 及び負荷抵抗 (R3)
(c) パルス幅及びデューティサイクル
(d) デュアルゲートの場合，非ゲートのバイアス条件を明記する。
(e) 周囲温度又は基準点温度
6.2.24 チャネル温度測定 (A, B, C) チャネル温度測定 (A, B, C) は，次による。
(1) 目的 この測定方法は，規定条件で，供試トランジスタのチャネル温度を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 接合形又はショットキゲート形の場合を図77に，また，絶縁ゲート形の場合の測定回路の
一例を，図78に示す。
図77 チャネル温度測定回路（接合形又はショットキゲート形） (A)
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図78 チャネル温度測定回路（絶縁ゲート形） (B, C)
(3) 手順 スイッチS1とスイッチS2を2の位置とし，電力損失を与えない状態で，ゲート・ドレイン（絶
縁ゲート形の場合は，ドレイン・ソース）の順方向電圧 (VF1) を測定する。次に，スイッチS1，スイ
ッチS2を1の位置とし，規定の電力損失を与える。スイッチS1とスイッチS2を2の位置とし，ゲー
ト・ドレイン（絶縁形の場合はドレイン・ソース）の順方向電圧 (VF2) を測定する。この測定は，電
力損失によるチャネル温度上昇が保持されている短時間内に行う。
チャネル温度は，次の式によって算出する。
a
F
F
F
ch
T
V
V
T
V
T
+
−
∆
∆
=
)
(
/
1
)
(
1
2
℃
ここに，
T
VF
∆
∆
は 温度係数 (V/℃)
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) 測定回路
(b) 測定電圧
(c) 電力損失
(d) 温度係数
(e) デュアルゲート形の場合，非ゲートのバイアス条件を明記する。
(f) 周囲温度又は基準点温度
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附属書 最大定格を超える可能性がある測定及び試験
1. 適用範囲 この附属書は，最大定格を超える可能性がある特性測定方法及び試験方法について規定す
る。
備考 最大定格を超える電圧を印加する場合は，供試バイポーラトランジスタの電気的特性の劣化又
は破壊を生じる危険性がある。
2. 測定及び試験
2.1
バイポーラトランジスタ
2.1.1
コレクタ・エミッタ間サステイニング電圧試験
(1) 目的 この試験は，規定条件で，供試バイポーラトランジスタのコレクタ・エミッタ間サステイニン
グ電圧を確認することを目的とする。
(2) 試験回路 試験回路の一例を，附属書図1に示す。
附属書図1 コレクタ・エミッタ間サステイニング電圧試験回路
(3) 手順
(a) 電圧クランプユニットのクランプ電圧をコレクタ・エミッタ間サステイニング電圧 [VCE (SUS)] の最
小規定値に合わせる。
(b) 電源電圧VCCをゼロまで下げて，規定のコレクタ電流 (IC) で供試バイポーラトランジスタが十分飽
和状態に達するベース電流 (IB) を流す。
(c) 電源VCCを徐々に上げていき，規定のコレクタ電流 (IC) で規定のコレクタ・エミッタ間サステイニ
ング電圧 [VCE (SUS)] に達するのを確認する（附属書図2参照）（点A）。
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附属書図2 電流・電圧特性図
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(4.1) ベース・エミッタ間のバイアス条件
(a) VCEO (SUS) の場合はベース・エミッタ間開放
(b) VCER (SUS) の場合はベース・エミッタ間に接続するRの値
(4.2) コレクタ電流 (IC)
(4.3) 最小サスティニング電圧［VCEO (SUS) 又はVCER (SUS)］
(4.4) Lの値
(4.5) パルス幅及びデューティサイクル
(4.6) 周囲温度又は基準点温度
2.1.2
安全動作領域試験（過渡熱抵抗方法） 安全動作領域試験（過渡熱抵抗方法）は，次による。
(1) 目的 この試験は，供試バイポーラトランジスタの安全動作領域を非破壊で確認することを目的とす
る。
(2) 試験回路 試験回路は，本体の6.1.39による。
(3) 手順
(a) 手順は，本体の6.1.39による。
(b) 規定のパルス条件で，コレクタ・エミッタ間に規定のコレクタ電圧 (VCE) を印加し，コレクタ電流
(IC) を変化させるか，その逆に電流を一定としコレクタ電圧を可変としながら∆VEBを計測する。
この時，供試バイポーラトランジスタの接合部温度 (Tj) が，許容最大定格温度 (TjMAX) −基準点
温度 (Tref) となる∆VEB値＝|VEB1−VEB2|を温度係数 (mV/℃) から求めておき，この∆VEB値となるコ
レクタ電圧 (VCB) と接合部加熱電流 (IH) 又はコレクタ電流 (IC) の軌跡を求める。この手順をパル
ス幅を変化して繰り返すと，各種パルス幅に応じた安全動作領域が非破壊で求められる。
なお，測定結果をエミッタ接地方式で表示するときにはコレクタ・ベース電圧 (VCB) からエミッ
タ・ベース間順電圧 (VEB) を減算することで表現すればよい。
備考1. パルス繰返し比 (duty cycle) は極力低くし，ケース温度 (TC) が上昇しないように注意するこ
と。
2. デジタルボルトメータで∆VEBを測定すると，オシロスコープで測定する時よりも低い数値を
示すことがあるので注意が必要である。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(a) パルス加熱時間 (tp)
(b) 放熱器の取付け方法
(c) 周囲温度又は基準点温度
2.1.3
安全動作領域試験（順方向） 安全動作領域試験（パルス方法）は，次による。
(1) 目的 この試験は，規定条件で，供試バイポーラトランジスタの安全動作領域を確認することを目的
とする。
(2) 試験回路 試験回路の一例を，附属書図3に示す。
附属書図3 安全動作領域試験回路（順方向）
(3) 手順 附属書図3の試験回路で，コレクタ・エミッタ間に規定のパルス条件，規定のコレクタ電圧 (VCE)
を印加し，規定のコレクタ電流 (IC) に達するまでベース電流を徐々に増加させて安全動作領域を確認
する。最大安全動作領域は，このVCEとICの軌跡によって確認する。
備考 コレクタ電流が二次降伏となったとき，VCEは瞬時にゼロまで下げなければならない。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) パルス幅及びデューティサイクル
(b) コレクタ電圧及び（又は）コレクタ電流の最大限界値
(c) 周囲温度又は基準点温度
2.1.4
安全動作領域試験（スイッチング方法） 安全動作領域試験（スイッチング方法）は，次による。
(1) 目的 この試験は，規定条件で，供試バイポーラトランジスタの安全動作領域を確認することを目的
とする。
(2) 試験回路 試験回路の一例を，附属書図4に示す。
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附属書図4 安全動作領域試験回路（スイッチング方法）
(3) 手順 附属書図4の試験回路で，出力側を規定の負荷条件とし，規定のパルス条件で規定のベース電
流IB1とIB2を流し，次にVCCを低い値から徐々に増加していき，規定のコレクタ電流 (IC) 及び規定の
コレクタ・エミッタ間電圧 (VCE) を印加して，安全動作領域を確認する。最大安全動作領域は，この
VCEとICの軌跡によって確認する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(4.1) パルス幅及びデューティサイクル
(4.2) 出力側の負荷条件
(a) 抵抗負荷
(b) 抵抗及び誘導負荷
(c) 誘導負荷
(4.3) コレクタ電圧及び（又は）コレクタ電流の最大限界値
(4.4) 順方向ベース電流値，逆方向ベース電流値
(4.5) 周囲温度又は基準点温度
2.1.5
コレクタ・エミッタ間降伏電圧測定 コレクタ・エミッタ間降伏電圧測定は，次による。
(1) 目的 この測定は，規定条件で，供試バイポーラトランジスタのコレクタ・エミッタ間降伏電圧を測
定することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，附属書図5に示す。
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附属書図5 コレクタ・エミッタ間降伏電圧測定回路
(3) 手順 ベース・エミッタ間を規定の状態にし，コレクタ・エミッタ間電圧 (VCE) を徐々に上げていき，
コレクタ電流 (IC) が規定値となったときのコレクタ・エミッタ間電圧 (VCE̲) 〔コレクタ・エミッタ
間降伏電圧 [V (BR) CE]〕を測定する。
なお，コレクタ・エミッタ間サスティニング電圧VCE̲ (sus) の測定については2.1.1を参照のこと。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(4.1) ベース・エミッタ間のバイアス条件
(a) V (BR) CEXの場合はベース・エミッタ間電圧
(b) V (BR) CERの場合はベース・エミッタ間に接続するRBEの抵抗値
(c) V (BR) CESの場合はベース・エミッタ間を短絡すること。
(d) V (BR) CEOの場合はベース・エミッタ間を開放すること。
(4.2) コレクタ電流
(4.3) 周囲温度又は基準点温度
2.1.6
コレクタ・ベース間降伏電圧測定 コレクタ・ベース間降伏電圧測定は，次による。
(1) 目的 この測定は，規定条件で，供試バイポーラトランジスタのコレクタ・ベース間降伏電圧を測定
することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，附属書図6に示す。
附属書図6 コレクタ・ベース間降伏電圧測定回路
(3) 手順 エミッタ・ベース間を規定の状態にし，コレクタ・ベース間電圧 (VCB) を徐々に上げていき，
コレクタ電流 (IC) が規定値となったときのコレクタ・ベース間電圧 (VCB) 〔コレクタ・ベース間降
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伏電圧 [V (BR) CB̲]〕を測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(4.1) エミッタ・ベース
(a) V (BR) CBXの場合はエミッタ・ベース間電圧
(b) V (BR) CBRの場合はエミッタ・ベース間に接続するRBEの抵抗値
(c) V (BR) CBSの場合はエミッタ・ベース間を短絡すること。
(d) V (BR) CBOの場合はエミッタ・ベース間を開放すること。
(4.2) コレクタ電流
(4.3) 周囲温度又は基準点温度
2.1.7
エミッタ・ベース間降伏電圧測定 エミッタ・ベース間降伏電圧測定は，次による。
(1) 目的 この測定は，規定条件で，供試バイポーラトランジスタのエミッタ・ベース間降伏電圧を測定
することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，附属書図7に示す。
附属書図7 エミッタ・ベース間降伏電圧測定回路
(3) 手順 コレクタ・ベース間を規定の状態にし，エミッタ・ベース間電圧 (VEB) を徐々に上げていき，
エミッタ電流 (IE) が規定値となったときのエミッタ・ベース間電圧 (VEB) 〔エミッタ・ベース間降伏
電圧 [V (BR) EB̲]〕を測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(4.1) コレクタ・ベース間のバイアス条件
(a) V (BR) EBXの場合はコレクタ・ベース間電圧
(b) V (BR) EBRの場合はコレクタ・ベース間に接続するRBCの抵抗値
(c) V (BR) EBSの場合はコレクタ・ベース間を短絡すること。
(d) V (BR) EBOの場合はコレクタ・ベース間を開放すること。
(4.2) エミッタ電流
(4.3) 周囲温度又は基準点温度
2.2
電界効果トランジスタ
2.2.1
安全動作領域試験（順方向） (A, B, C) 安全動作領域試験（順方向） (A, B, C) は，次による。
(1) 目的 この試験は，規定条件で，供試電界効果トランジスタの順方向安全動作領域を確認することを
目的とする。
(2) 試験回路 試験回路の一例を，附属書図8に示す。
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附属書図8 安全動作領域試験回路（順方向） (A, B, C)
(3) 手順 附属書図8(1)の回路でドレイン電圧VDDを規定の値とし，ゲート・ソース電圧VGSを徐々に上
げていきドレイン電流を増加させる。規定のドレイン電圧及びドレイン電流から安全動作領域が確認
できる。ドレイン電圧の急激な低下はトランジスタの破壊を意味しているが，ドレイン電圧の急激な
低下にともない過大電流が流れる場合があるため，VDDとして電流制限電圧源を用いることが望まし
い。
なお，附属書図8(2)の回路のようにゲート・ソース間にパルス電圧VGSを印加すれば，パルス安全
動作領域が確認できる。図中のVGS (OFF) は供試電界効果トランジスタ遮断用電源である。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) 直流動作又はパルス動作
(b) パルス幅，デューティサイクル又は印加パルス数（パルス動作の場合）
(c) ドレイン電圧，ドレイン電流
(d) 周囲温度又は基準点温度
(e) 試験後の測定
2.2.2
安全動作領域試験（逆方向） (A, B, C) 安全動作領域試験（逆方向） (A, B, C) は，次による。
(1) 目的 この試験は，規定条件で，供試電界効果トランジスタの逆方向安全動作領域を確認することを
目的とする。
(2) 試験回路 試験回路の一例を，附属書図9及び動作波形を附属書図10に示す。
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附属書図9 安全動作領域試験回路（逆方向） (A, B, C)
附属書図10 パルス波形
(3) 手順 附属書図9の回路で，規定のドレイン電流IDMに達するまで，ドレイン電圧VDDを徐々に上げ
るか又はゲート・ソース電圧VGSのパルス幅 (tp) を徐々に広げていき，ドレイン電圧，ドレイン電流
波形をオシロスコープOで観測する。ドレイン電圧 (VDS) 及びドレイン電流 (IDM) から安全動作領域
が確認できる。ドレイン電圧の急激な低下又はドレイン電流の減少時の発振現象はトランジスタの不
良の発生を意味している。
なお，VGS (OFF) は供試電界効果トランジスタ遮断用電源，また，VGSは供試電界効果トランジスタ飽
和用電源である。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(a) インダクタンス値
(b) ゲート・ソース間電圧
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(c) ドレイン電流のピーク値
(d) パルス幅，印加パルス数及びドレイン電流導通期間
(e) 周囲温度又は基準点温度
(f) 試験後の測定
2.2.3
ゲート・ソース間電圧測定 (A) ゲート・ソース間電圧測定 (A) は，次による。
(1) 目的 この測定は，規定条件で，供試電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧を測定すること
を目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，附属書図11に示す。
附属書図11 ゲート・ソース間電圧測定回路 (A)
(3) 手順 ドレイン・ソース間を規定の状態にし，ゲート・ソース間電圧 (VGS) を規定のゲート電流 (IG)
に達するまで徐々に上げていきゲート・ソース間電圧 (VGS) 〔ゲート・ソース間電圧 (VGS̲) 又は，ゲ
ート・ソース間降伏電圧 [V (BR) GS̲]〕を測定する。
備考 ゲート・ソース間降伏電圧 [V (BR) GS̲] とは，ゲート電流 (IG) が明らかに降伏状態とみなせると
きのゲート・ソース間電圧 (VGS̲) である。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(4.1) ドレイン・ソース間のバイアス条件
(a) VGSXの場合はドレイン・ソース間電圧
(b) VGSRの場合はドレイン・ソース間に接続するR2の抵抗値
(c) VGSSの場合はドレイン・ソース間を短絡すること。
(d) VGSOの場合はドレイン・ソース間を開放すること。
(4.2) ゲート・ソース間電流
(4.3) デュアルゲートの場合，非ゲートのバイアス条件を明記する。
(4.4) 周囲温度又は基準点温度
2.2.4
ゲート・ドレイン間電圧測定 (A) ゲート・ドレイン間電圧測定 (A) は，次による。
(1) 目的 この測定は，規定条件で，供試電界効果トランジスタのゲート・ドレイン間電圧を測定するこ
とを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，附属書図12に示す。
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附属書図12 ゲート・ドレイン間電圧測定回路 (A)
(3) 手順 ドレイン・ソース間を規定の状態にし，ゲート・ドレイン間電圧 (VGD) を規定のゲート電流 (IG)
に達するまで徐々に上げていきゲート・ドレイン間電圧 (VGD) 〔ゲート・ドレイン間電圧 (VGD̲) 又
は，ゲート・ドレイン間降伏電圧 [V (BR) GD̲]〕を測定する。
備考 ゲート・ドレイン間降伏電圧 [V (BR) GD̲]とは，ゲート電流 (IG) が明らかに降伏状態とみなせる
ときのゲート・ドレイン間電圧 (VGD̲) である。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(4.1) ドレイン・ソース間のバイアス条件
(a) VGDOの場合はドレイン・ソース間電圧
(b) VGDSの場合はドレイン・ソース間に接続するR2の抵抗値
(c) VGDRの場合はドレイン・ソース間を短絡すること。
(d) VGDXの場合はドレイン・ソース間を開放すること。
(4.2) ゲート・ドレイン間電流
(4.3) デュアルゲート形の場合，非ゲートのバイアス条件を明記する。
(4.4) 周囲温度又は基準点温度
2.2.5
ドレイン・ソース間電圧測定 (A, B, C) ドレイン・ソース間電圧測定 (A, B, C) は，次による。
(1) 目的 この測定は，規定条件で，供試電界効果トランジスタのドレイン・ソース間電圧を測定するこ
とを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を，附属書図13に示す。
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附属書図13 ドレイン・ソース間電圧測定回路 (A, B, C)
(3) 手順 ゲート・ソース間を規定の状態にし，ドレイン・ソース間電圧を規定のドレイン電流 (ID) に達
するまで徐々に上げていきドレイン・ソース間電圧 (VDS) 〔ドレイン・ソース間電圧 (VDS̲) 又は，ド
レイン・ソース間降伏電圧[V (BR) DS̲]を測定する。
備考1. ドレイン・ソース間降伏電圧 [V (BR) DS̲] とは，ドレイン・ソース間電流 (IDS) が明らかに降
伏状態とみなせるときのドレイン・ソース間電圧 (VDS̲) である。
2. 絶縁ゲート形でサブストレート電極をもつものは，規定がない限り，これをソース電極に接
続する。
3. ドレイン・ソース間降伏電圧V (BR) DSR，V (BR) DSSは，通常エンハンスメント形で測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には，次の事項を規定する。
(4.1) ゲート・ソース間のバイアス条件
(a) VDSXの場合はゲート・ソース間電圧
(b) VDSRの場合はゲート・ソース間に接続するR2の抵抗値
(c) VDSSの場合はゲート・ソース間を短絡すること。
(4.2) ドレイン・ソース間電流
(4.3) デュアルゲート形の場合，非ゲートのバイアス条件を明記する。
(4.4) 周囲温度又は基準点温度
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個別半導体専門委員会構成表
氏名
所属
（委員会長）
林 豊
電子技術総合研究所電子デバイス部
松 田 純 夫
宇宙開発事業団機器・部品開発部
杉 本 俊 二
防衛庁装備局
吉 田 裕 道
東京都立工業技術センター
鳴 神 長 昭
財団法人日本電子部品信頼性センター
岩 本 英 雄
三菱電機株式会社東京半導体技術部
吉 川 直 幹
沖電気工業株式会社電子デバイス事業本部
杉 本 隆
株式会社東芝半導体システム技術センター
中 込 義 之
株式会社日立製作所半導体設計開発センター
佐 藤 喜久蔵
三洋電機株式会社半導体事業本部
斎 藤 忠 義
日本電気株式会社半導体応用技術本部
東 迎 良 育
社団法人日本電子機械工業会
水 沢 武
日本電信電話株式会社LSI研究所
芦 田 秀 夫
富士通株式会社通信事業推進本部
柴 田 明 一
ソニー株式会社法務・渉外グループ
秋 山 重 信
松下電器産業株式会社半導体研究センター
兼 島 敏 一
シャープ株式会社情報システム事業本部
池 田 浩
横河電機株式会社開発推進標準部
川 城 三 治
株式会社ゼクセルソフト・サービス事業室
三 宅 信 弘
通商産業省機械情報産業局
稲 葉 裕 俊
工業技術院標準部
（専門委員）
関 川 敏 弘
電子技術総合研究所電子デバイス部
（関係者）
岡 部 健 明
株式会社日立製作所半導体設計開発センター
立 川 明
社団法人日本電子機械工業会技術部
（事務局）
角 田 悦 啓
工業技術院標準部電気規格課
宗 像 保 男
工業技術院標準部電気規格課