C 61340-4-8：2014
（1）
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
目 次
ページ
序文 ··································································································································· 1
1 適用範囲························································································································· 1
2 引用規格························································································································· 1
3 用語及び定義 ··················································································································· 1
4 試験装置························································································································· 2
4.0 ESDシミュレータ ·········································································································· 2
4.1 ESD電流波形発生装置 ···································································································· 2
4.2 パルス電流波形測定装置 ································································································· 2
4.3 容量性プローブ ············································································································· 3
4.4 放電電極及び接地電極 ···································································································· 3
4.5 バッグ寸法 ··················································································································· 4
4.6 コンピュータ／ソフトウェア ··························································································· 4
4.7 恒温恒湿槽 ··················································································································· 4
5 測定システムの検証手順 ···································································································· 4
6 試験手順及び試験条件（前処理） ························································································ 5
7 報告······························································································································· 6
附属書A（参考）エネルギー算出プログラム ············································································· 7
附属書JA（参考）JISと対応国際規格との対比表 ······································································· 8
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（2）
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まえがき
この規格は，工業標準化法第12条第1項の規定に基づき，一般財団法人日本電子部品信頼性センター
（RCJ）及び一般財団法人日本規格協会（JSA）から，工業標準原案を具して日本工業規格を制定すべきと
の申出があり，日本工業標準調査会の審議を経て，経済産業大臣が制定した日本工業規格である。
この規格は，著作権法で保護対象となっている著作物である。
この規格の一部が，特許権，出願公開後の特許出願又は実用新案権に抵触する可能性があることに注意
を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は，このような特許権，出願公開後の特許出願及び実
用新案権に関わる確認について，責任はもたない。
JIS C 61340-4の規格群には，次に示す部編成がある。
JIS C 61340-4-1 第4-1部：特定応用のための標準的な試験方法−床仕上げ材及び施工床の電気抵抗
JIS C 61340-4-3 第4-3部：特定応用のための標準的試験方法−履物
JIS C 61340-4-4 第4-4部：特定応用のための標準的試験方法−フレキシブルコンテナの静電気的分類
JIS C 61340-4-5 特定応用のための標準的試験方法−人体と組み合わせた履物及び床システムの静電
気防止性能の評価方法
JIS C 61340-4-7 第4-7部：特定応用のための標準的試験方法−イオナイザ
JIS C 61340-4-8 第4-8部：特定応用のための標準試験方法−放電遮蔽−バッグ
JIS C 61340-4-9 第4-9部：特定応用のための標準試験方法−衣服
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日本工業規格 JIS
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静電気−第4-8部：特定応用のための標準試験方法
−放電遮蔽−バッグ
Electrostatics-Part 4-8: Standard test methods for specific applications-
Discharge shielding-Bags
序文
この規格は，2010年に第1版として発行されたIEC 61340-4-8を基とし，昨今の技術動向を鑑み技術的
内容を変更して作成した日本工業規格である。
なお，この規格で点線の下線を施してある箇所は，対応国際規格を変更している事項である。変更の一
覧表にその説明を付けて，附属書JAに示す。
1
適用範囲
この規格は，静電気放電シールドバッグの性能を評価するための試験方法について規定する。試験装置
の設計電圧は，直流1 000 Vとする。
この規格は，試験機関などで，この試験方法を用いて，該当する包装材料を評価するとき，同等の再現
性を得ることを目的としている。
この規格は，シールドバッグを構成するフィルムの中に金属蒸着などの導電層があるものを評価する試
験方法で規定したものである。また，この規格は，電磁波障害（EMI），無線電波障害（RFI）及び電磁パ
ルス（EMP）からの保護，又は爆発物の防護に関する事項には適用しない。
注記 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を，次に示す。
IEC 61340-4-8:2010，Electrostatics−Part 4-8: Standard test methods for specific applications−
Discharge shielding−Bags（MOD）
なお，対応の程度を表す記号“MOD”は，ISO/IEC Guide 21-1に基づき，“修正している”
ことを示す。
2
引用規格
次に掲げる規格は，この規格に引用されることによって，この規格の規定の一部を構成する。これらの
引用規格は，その最新版（追補を含む。）を適用する。
JIS C 2139 固体電気絶縁材料−体積抵抗率及び表面抵抗率の測定方法
JIS C 61340-3-1 静電気−第3-1部：静電気の影響をシミュレーションする方法−人体モデル（HBM）
の静電気放電試験波形
3
用語及び定義
この規格で用いる主な用語及び定義は，次による。
2
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3.1
静電気放電シールド（遮蔽）（electrostatic discharge shield）
静電気放電及び／又は静電気誘導帯電に起因する，電界の抑制及び／又は電流の制限を行うことによっ
て，静電界を減じるバリヤ又は囲い。
4
試験装置
4.0
ESDシミュレータ
ESDシミュレータは，4.1に規定するESD電流波形発生装置，4.2に規定するパルス電流波形測定装置，
4.3に規定する容量性プローブ及び4.4に規定する放電電極及び接地電極によって構成する。
基本的な構成を，図1に示す。
R1
中和（除電）用電流制限保護抵抗器：10 kΩ〜10 MΩ
R2
放電用高電圧抵抗器：500 Ω
SW1 中和（除電）用切替えスイッチ
1
供試バッグ
2
容量性プローブ
3
放電電極
4
接地電極
5
電流トランスデューサ（変換プローブ）
6
ストレージオシロスコープ
注記1 電流トランスデューサは，4.2.2による。
注記2 抵抗値500 Ωの高電圧抵抗器（R2）は，4.2.3による。
注記3 放電電極に静電気の帯電を残さない［中和（除電）する］ために，パルス印加後の10 ms〜100 ms
の間，スイッチSW1を閉じている。スイッチSW1は，次のパルス印加までに，10 ms以上の時間を
あけることが望ましい。R1及びSW1は，ESDシミュレータの内部回路の一部である。
注記4 プローブの性能は，浮遊容量及びインダクタンスの影響を強く受ける。
図1−ESDシミュレータ
4.1
ESD電流波形発生装置
ESD電流波形発生装置及び発生する波形は，JIS C 61340-3-1の規定による。
このESD電流波形発生装置における容量値100 pFのコンデンサへの充電時の等価回路は，抵抗値1 500
Ωの抵抗器との直列接続で構成する。
4.2
パルス電流波形測定装置
パルス電流波形測定装置は，4.2.1に規定するオシロスコープ，4.2.2に規定する電流トランスデューサ及
3
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び4.2.3に規定する高電圧抵抗器を含む構成とするが，同様な性能が保持できる場合には，これらの構成
に限定しない。
4.2.1
オシロスコープ
オシロスコープは，200 MHz以上のシングルショット帯域幅及び500 MSPS以上の最小サンプリングレ
ートで測定可能なデジタルストレージ形とする。
4.2.2
電流トランスデューサ
電流トランスデューサの最小周波数応答性は，500 MHz以上とする。また，ケーブル長さは，1 m以下
とする。
4.2.3
高電圧抵抗器
高電圧抵抗器は，抵抗値500 Ω±1 %で，また，直流電圧1 000 Vに耐え，かつ，高周波帯域まで対応で
きる無誘導形金属フィルム抵抗器とする。
注記 無誘導形金属フィルム抵抗器の事例には，CADDOCK社の取り扱うType MG Precision High
Voltage Resistorsなどがある。
4.3
容量性プローブ
容量性プローブは，並行平行板の形状であり，図2に示す構成とする。このプローブの容量は，8 pF±2
pFとする。プローブの容量は，箇条6 c)によって検証することができる。
単位 cm
1
ポリカーボネート又はアクリル樹脂のような体積抵抗値1.0×1015 Ω以上の絶縁材料
2
直径2.2 cm±0.025 cmで，厚さ0.15 cm±0.015 cmの導電板
3
高電圧抵抗器接続点
図2−平行板容量性プローブ
4.4
放電電極及び接地電極
放電電極及び接地電極は，直径3.8 cm±0.025 cmとし，金属などの低抵抗の材料で作っていなければな
らない。
接地電極を囲む支持領域は，20 cm×25 cm以上であることが望ましく，JIS C 2139によって測定したと
き，1.0×1012 Ωよりも大きな表面抵抗値をもっていることが望ましい。
4
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4.5
バッグ寸法
この試験に用いるバッグは，開口寸法
0.5
0
20＋
cm×奥行寸法
0.5
0
25＋
cmとする。
注記 他の寸法のバッグを用いる場合，公正かつ正確な比較をするために，規定する寸法のバッグを
確実に用いることが望ましい。また，容量性プローブをバッグ内部の規定する位置に配置する
ことができないバッグは，間違った結果を生じる可能性があるため，同じ素材にて開口寸法
0.5
0
20＋
cm×奥行寸法
0.5
0
52＋
cmのバッグでの代替試験を行うことが望ましい。
4.6
コンピュータ／ソフトウェア
オシロスコープによって得たデータの解析には，コンピュータを用いることが望ましい。エネルギー算
出プログラムに関する解析システムの記述は，附属書Aに示す。
4.7
恒温恒湿槽
チャンバは，次の二つの環境試験条件を満していなければならない。
− 温度23 ℃±2 ℃で相対湿度（12±3）%に管理する。
− 温度23 ℃±2 ℃で相対湿度（50±5）%に管理する。
5
測定システムの検証手順
測定システムの検証手順は，次による。
a) 測定システムの検証は，次による。
1) ESD電流波形発生装置の放電特性を次の手順で検証する。
放電電極と接地電極との間に容量性プローブを置く。
放電電極，容量性プローブ及び接地電極を垂直に整列した位置に置き，放電及び接地電極と供試
バッグとの間，並びに供試バッグと容量性プローブとの間の全てに約70 Nの力が加わっていること
を確認する。
ESD電流波形発生装置の発生側端子とグラウンド側端子とを4.2.3に規定する無誘導特性をもつ
抵抗値500 Ωの高電圧抵抗器を用いて接続する。
注記1 測定システム中の合成抵抗値は，2 000 Ω（これは，ESD電流波形発生装置の抵抗値1 500
Ωの抵抗器と抵抗値500 Ωの高電圧抵抗器とで構成する。）となる。
ESD電流波形発生装置のグラウンド側端子と高電圧抵抗器との間に電流変換プローブを通す。
注記2 放電電極及び接地電極は，この検証には用いない。
2) オシロスコープに電流トランスデューサを接続する。
オシロスコープの入力抵抗器の抵抗値を50 Ω（電流トランスデューサ及びオシロスコープの入力
インピーダンスを同じ値にする。）に設定する。
3) オシロスコープの中で水平の時間スケールを1目盛当たり5 nsに設定し，ESD電流波形発生装置の
試験電圧を直流1 000 Vに設定する。
パルスを印加し，ピーク電流を測定する。容量性プローブの容量性負荷によるピーク電流は，容
量性プローブの容量（8 pF±2 pF）によってピーク電流を0.42 A未満に減らしてはならない。
注記 読み値が，この範囲外である場合は，容量メータを用いた容量性プローブの容量を点検し，
必要に応じて配線の長さを調節することが望ましい。
b) 測定システムを検証するために必要なESD電流波形発生装置の検証は，次による。
1) パルスを印加する。波形の立ち上がり時間，ピーク電流及びそれらの波形の最先端に発生するリン
ギングを測定する。
5
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全ての測定に関するパラメータは，図3 a)及び箇条5 b) 2)の中で規定する範囲内でなければなら
ない。
2) 必要がある場合，ピーク電流（Ip）0.50 A±10 %を得るまで，ESD電流波形発生装置の電圧レベル
を調節する。
この電圧レベルは，等価の直流1 000 Vの放電レベルに相当する。
これは，箇条6の中で用いる電圧レベルである。
3) オシロスコープの中で水平の時間を1目盛当たり100 nsに設定して，完全な電流波形を観察する。
パルス電流は，図3 b)の中で示すような減衰期間の要求事項（td）を満足しなければならない。
4) 必要に応じてコンピュータによる電流波形の分析を実施する。
ソフトウェアは，異なる抵抗器のエネルギーを算出できなければならない。
試験手順の中のこの部分における抵抗値は，2 000 Ω（これは，ESD電流波形発生装置の抵抗値
1 500 Ωの抵抗器と抵抗値500 Ωの高電圧抵抗器とで構成する。）である。
1 000 V（100 pF）の放電エネルギーWは，50 μJ（±6 μJ）とする。これは，方程式W＝1/2 CV2
で算出する。
a) 1目盛当たり5 nsのときの放電電流波形
b) 1目盛当たり100 nsのときのオシロスコープの
放電電流波形
電流波形は，箇条5によって測定する。
電流波形は，次の特性をもっていなければならない。
− パルス立ち上がり時間（tr）は，5 ns〜20 ns
− パルス減衰時間（td）は，200 ns±20 ns
− 最大許容ピーク間リンギング（IR）は，IPの15 %以下とする。また，パルスの立ち上がり後100 nsにおいて
リンギングがあってはならない。
− ピーク電流（IP）は，箇条5 b) 2)に規定する値以内とする。
図3−抵抗器500 Ωを通したときのパルス電流波形
6
試験手順及び試験条件（前処理）
試験手順及び試験条件（前処理）は，次による。また，前処理条件と測定条件とは，同じ環境条件（温
度及び湿度）とする。
a) 次の二つの条件に設定した恒温恒湿槽に，供試バッグをそれぞれ6袋以上置く。
（試験条件1）
− 温度：23 ℃±2 ℃
− 相対湿度：（12±3）%
6
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− 前処理期間：48 h以上
（試験条件2）
− 温度：23 ℃±2 ℃
− 相対湿度：（50±5）%
− 前処理期間：48 h以上
b) 供試バッグ（20 cm×25 cm）の開口部から10 cm内部の中央になるような位置に，容量性プローブを
置く。電極及びバッグと容量性ブローブとの間には，箇条5 a) 1)の中で規定する約70 Nの力を加える。
c) オシロスコープを1目盛当たり50 nsへの水平時間目盛に設定する。全電流波形がオシロスコープに
表示できない場合，水平の時間目盛を調節してもよい。
d) 箇条5 b) 2)に規定する直流1 000 Vに等価のパルスを印加する。
e) コンピュータを用いる場合は，（ソフトウェアのためにセットする抵抗器に，抵抗値500 Ωの抵抗器を
用いる。）バッグの内部に発生したエネルギーを算出して記録する。一つの供試バッグについて，合計
6個の値を測定する。
注記 同じ供試バッグを用いて繰り返して測定する場合には，供試バッグ自体に電荷が蓄積するこ
とがあるため，測定前に随時イオナイザを用いて，中和（ニュートラル）化するとよい。
f)
残りの供試バッグ5袋（以上）に対しても，b)〜e)を繰り返す。
g) 相対湿度50 %で条件付けた供試バッグに対しても，b)〜f)を繰り返す。
7
報告
報告事項は，次による。
a) 箇条6 a)に規定する二つの湿度水準において，供試バッグにおける36個以上のエネルギー読み値の平
均，最小，最大及び標準偏差を求めて記録する。
b) 次の情報も記録する。
− 容量性のプローブの容量
− ピーク電流
− バッグの開口部，奥行及び厚さの寸法
− 前処理期間
− 試験条件
− ESDシミュレータの詳細（製造業者，モデル名及び／又は製造番号）
− オシロスコープの詳細（製造業者，モデル名及び／又は最後の校正日付）
− 容量性プローブの静電容量
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附属書A
（参考）
エネルギー算出プログラム
この試験手順によって要求するエネルギー測定を得る幾つかの方法がある。エネルギーを直接的に算出
するシステムを購入することで可能となる。ただし，コンピュータでエネルギーを算出する場合，次の手
順は，ユーザの算出プログラム作成を助けることになる。
注記1 データ収集システムを設計する場合，ストレージオシロスコープのゼロ（又はスクリーン中
心点）と得た波形のゼロ点との間のどんな差も理解する及び説明することが重要である。
例えば，獲得した波形がストレージオシロスコープのゼロ点上の一目盛上だった場合，こ
の領域は，算出した波形領域から引かなければならない。
エネルギーを算出するためには，ソフトウェアは，次の系統的な段階の手順を実施する。
a) ストレージオシロスコープから，コンピュータにデータをダウンロードする。
b) オシロスコープから得た電圧読み値を次の式によって電流値に変換する。変換係数は1/5である。
5
V
I=
ここに，
I： 電流値
V： 電圧値
注記2 この変換係数は，Tektronix社のCT-1の電流トランスデューサの場合の値である。その他
のタイプの電流トランスデューサを用いる場合，変換係数が異なる可能性がある。
c) 各々の電流点を採用し，これらの値を2乗する。
d) I2対t波形の積分を算出する。
e) I2波形の積分に抵抗器の値を乗じる。例えば，ESD電流波形発生装置のエネルギーを算出する場合，
この状況のための抵抗値は，2 000 Ω（ESD電流波形発生装置の抵抗値1 500 Ωの抵抗器と直列接続し
た抵抗値500 Ωの高電圧抵抗器とで構成する。）とする。シールドバッグのエネルギーを算出する場合，
用いる抵抗器の抵抗値は500 Ωである。
上記のソフトウェアの解析の記述は，次の式によって説明することができる。
∑
=
×
×
=
n
i
iI
t
R
W
1
2
n
ここに，
Wn： シールドバッグのエネルギー
R： 回路抵抗の値
t： 試料間の時間
I： プローブからの電流（CT-1に対する電圧／5）
n： 試料総数
注記3 CT-1は，Tektronix社の電流トランスデューサである。
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附属書JA
（参考）
JISと対応国際規格との対比表
JIS C 61340-4-8:2014 静電気−第4-8部：特定応用のための標準試験方法−放電
遮蔽−バッグ
IEC 61340-4-8:2010 Electrostatics−Part 4-8: Standard test methods for specific
applications−Discharge shielding−Bags
(I)JISの規定
(II)
国際
規格
番号
(III)国際規格の規定
(IV)JISと国際規格との技術的差異の箇条ごとの評価及び
その内容
(V)JISと国際規格との技
術的差異の理由及び今後
の対策
箇条番号
及び題名
内容
箇条
番号
内容
箇条ごと
の評価
技術的差異の内容
1 適用範囲 適用範囲
1
JISにほぼ同じ
変更
静電気シールドバッグの定義をより明確化し，
また，適用範囲外の事項を明確化した。
IECへの提案を検討する。
3 用語及び
定義
用語の定義
3
用語の定義
削除
対応国際規格の3.2 electrostatic discharge shield
だけとし，3.1 electrostatic shieldを削除した。
IECへの提案を検討する。
4 試験装置 ESDシミュレータや波
形発生装置，容量性プ
ローブなどを規定
4
JISとほぼ同じ
変更
対応国際規格の規定内容と同じであるが，原文
に対し一般事項（4.0 ESDシミュレータ）を追加
した。また，数値の公差などの見直しを行い，
不足事項を補足してまとめ直した。
IECへの提案を検討する。
5 測定シス
テムの検証
手順
測定システムの検証に
ついて規定
5及
び6
JISとほぼ同じ
変更
箇条5と箇条6における記述に重複があり，分
かりにくいことから，重複分を整理し，改めて
a)測定システムの検証及びb)測定システムを検
証するために必要なESD電流波形発生装置の検
証として，分かりやすい手順に書き直した。ま
た，正確な測定のために必要な，接触圧（約70
N）の事項を追加した。
IECへの提案を検討する。
6 試験手順
及び試験条
件（前処理）
試験手順及び前処理条
件を規定
7
JISとほぼ同じ
変更
対応国際規格では，前処理条件及び試験条件に
おける環境条件が，相対湿度12 %及び50 %の混
在の規定であり，より分かりやすい手順に書き
直した。
IECへの提案を検討する。
7 報告
試験結果の報告事項を
規定
8
JISとほぼ同じ
追加
情報の記録に容量性プローブの容量を追加。
IECへの提案を検討する。
附属書A
（参考）
2
C
6
1
3
4
0
-4
-8
：
2
0
1
4
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き、本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
9
C 61340-4-8：2014
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
JISと国際規格との対応の程度の全体評価：IEC 61340-4-8:2010，MOD
注記1 箇条ごとの評価欄の用語の意味は，次による。
− 削除 ················ 国際規格の規定項目又は規定内容を削除している。
− 追加 ················ 国際規格にない規定項目又は規定内容を追加している。
− 変更 ················ 国際規格の規定内容を変更している。
注記2 JISと国際規格との対応の程度の全体評価欄の記号の意味は，次による。
− MOD ··············· 国際規格を修正している。
2
C
6
1
3
4
0
-4
-8
：
2
0
1
4
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き、本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。