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C 61215-1:2020  

(1) 

目 次 

ページ 

序文 ··································································································································· 1 

1 適用範囲························································································································· 1 

2 引用規格························································································································· 2 

3 用語及び定義 ··················································································································· 3 

4 供試体···························································································································· 4 

5 表示及び文書化 ················································································································ 4 

5.1 銘板 ···························································································································· 4 

5.2 文書 ···························································································································· 5 

6 試験······························································································································· 6 

7 合格基準························································································································· 7 

7.1 一般 ···························································································································· 7 

7.2 出力及び電気回路 ·········································································································· 7 

7.3 目視欠陥 ······················································································································ 9 

7.4 電気安全 ······················································································································ 9 

8 著しい目視欠陥 ················································································································ 9 

9 報告書···························································································································· 9 

10 変更 ···························································································································· 10 

11 試験フロー及び試験方法 ································································································· 11 

附属書JA(参考)JISと対応国際規格との対比表 ······································································ 15 

C 61215-1:2020  

(2) 

まえがき 

この規格は,産業標準化法に基づき,日本産業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が制定した日本

産業規格である。これによって,JIS C 8990:2009及びJIS C 8991:2011は廃止され,それらの一部を分割

して制定したこの規格に置き換えられた。 

この規格は,著作権法で保護対象となっている著作物である。 

この規格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願又は実用新案権に抵触する可能性があることに注意

を喚起する。経済産業大臣及び日本産業標準調査会は,このような特許権,出願公開後の特許出願及び実

用新案権に関わる確認について,責任はもたない。 

JIS C 61215の規格群には,次に示す部編成がある。 

JIS C 61215-1 第1部:試験要求事項 

JIS C 61215-1-1 第1-1部:結晶シリコン太陽電池(PV)モジュールの試験に関する特別要求事項 

JIS C 61215-1-2 第1-2部:薄膜テルル化カドミウム(CdTe)太陽電池(PV)モジュールの試験に関

する特別要求事項 

JIS C 61215-1-3 第1-3部:薄膜非晶質系シリコン太陽電池(PV)モジュールの試験に関する特別要

求事項 

JIS C 61215-1-4 第1-4部:薄膜CIS系太陽電池(PV)モジュールの試験に関する特別要求事項 

JIS C 61215-2 第2部:試験方法 

日本産業規格          JIS 

C 61215-1:2020 

地上設置の太陽電池(PV)モジュール− 

設計適格性確認及び型式認証− 

第1部:試験要求事項 

Terrestrial photovoltaic (PV) modules- 

Design qualification and type approval-Part 1: Test requirements 

序文 

この規格は,2016年に第1版として発行されたIEC 61215-1を基とし,第1版発行後に決定した技術的

内容を反映して作成した日本産業規格である。 

なお,この規格で点線の下線を施してある箇所は,対応国際規格を変更している事項である。変更の一

覧表にその説明を付けて,附属書JAに示す。 

適用範囲 

この規格は,JIS C 60721-2-1に定義する屋外気候群で,長期運転に適した地上設置の太陽電池(PV)モ

ジュールの設計適格性確認及び型式認証に対する要求事項について規定する。この規格は,結晶シリコン

太陽電池(PV)モジュール及び薄膜太陽電池(PV)モジュール(以下,PVモジュールという。)のよう

な全ての地上設置の平板形PVモジュールに適用する。 

この規格は,集光装置付きPVモジュールには適用しないが,1倍から3倍までの低倍率集光装置付き

PVモジュールに利用することができる。低倍率集光装置付きPVモジュールに関しては,予想される集光

設計の電流,電圧及び出力レベルで全試験を実施する。 

この規格は,電子機器を組み込んだPVモジュールについては言及していないが,そのようなPVモジ

ュールの試験のための基本としてもよい。 

ここで実施する一連の試験の目的は,PVモジュールの電気的及び熱的特性を決定し,かつ,費用及び

時間の制約内で可能な限り,PVモジュールが一般的な屋外の気候に長期間さらされても耐えることを確

認することである。適格性が確認されたPVモジュールの実際の期待寿命は,PVモジュールの設計,使用

環境及び運転される条件に影響を受ける。 

注記 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を,次に示す。 

IEC 61215-1:2016,Terrestrial photovoltaic (PV) modules−Design qualification and type approval−

Part 1: Test requirements(MOD) 

なお,対応の程度を表す記号“MOD”は,ISO/IEC Guide 21-1に基づき,“修正している”

ことを示す。 

C 61215-1:2020  

引用規格 

次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成する。これらの

引用規格は,その最新版(追補を含む。)を適用する。 

JIS C 8904-1 太陽電池デバイス−第1部:I-V特性の測定 

注記 対応国際規格:IEC 60904-1,Photovoltaic devices−Part 1: Measurement of photovoltaic 

current-voltage characteristics 

JIS C 8904-3 太陽電池デバイス−第3部:基準太陽光の分光放射照度分布による太陽電池測定原則 

注記 対応国際規格:IEC 60904-3,Photovoltaic devices−Part 3: Measurement principles for terrestrial 

photovoltaic (PV) solar devices with reference spectral irradiance data 

JIS C 8904-10 太陽電池デバイス−第10部:線形性の測定方法 

注記 対応国際規格:IEC 60904-10,Photovoltaic devices−Part 10: Methods of linearity measurement 

JIS C 8960 太陽光発電用語 

JIS C 60721-2-1 環境条件の分類−第2-1部:自然環境の条件−温度及び湿度 

注記 対応国際規格:IEC 60721-2-1,Classification of environmental conditions−Part 2-1: Environmental 

conditions appearing in nature−Temperature and humidity 

JIS C 60891 太陽電池デバイス−I-V特性測定における温度及び照度補正法 

注記 対応国際規格:IEC 60891,Photovoltaic devices−Procedures for temperature and irradiance 

corrections to measured I-V characteristics 

JIS C 61215-1-1 地上設置の太陽電池(PV)モジュール−設計適格性確認及び型式認証−第1-1部:

結晶シリコン太陽電池(PV)モジュールの試験に関する特別要求事項 

注記 対応国際規格:IEC 61215-1-1,Terrestrial photovoltaic (PV) modules−Design qualification and 

type approval−Part 1-1: Special requirements for testing of crystalline silicon photovoltaic (PV) 

modules 

JIS C 61215-1-2 地上設置の太陽電池(PV)モジュール−設計適格性確認及び型式認証−第1-2部:

薄膜テルル化カドミウム(CdTe)太陽電池(PV)モジュールの試験に関する特別要求事項 

注記 対応国際規格:IEC 61215-1-2,Terrestrial photovoltaic (PV) modules−Design qualification and 

type approval−Part 1-2: Special requirements for testing of thin-film Cadmium Telluride (CdTe) 

based photovoltaic (PV) modules 

JIS C 61215-1-3 地上設置の太陽電池(PV)モジュール−設計適格性確認及び型式認証−第1-3部:

薄膜非晶質系シリコン太陽電池(PV)モジュールの試験に関する特別要求事項 

注記 対応国際規格:IEC 61215-1-3,Terrestrial photovoltaic (PV) modules−Design qualification and 

type approval−Part 1-3: Special requirements for testing of thin-film amorphous silicon based 

photovoltaic (PV) modules 

JIS C 61215-1-4 地上設置の太陽電池(PV)モジュール−設計適格性確認及び型式認証−第1-4部:

薄膜CIS系太陽電池(PV)モジュールの試験に関する特別要求事項 

注記 対応国際規格:IEC 61215-1-4,Terrestrial photovoltaic (PV) modules−Design qualification and 

type approval−Part 1-4: Special requirements for testing of thin-film Cu(In, GA)(S, Se)2 based 

photovoltaic (PV) modules 

JIS C 61215-2 地上設置の太陽電池(PV)モジュール−設計適格性確認及び型式認証−第2部:試験

方法 

C 61215-1:2020  

注記 対応国際規格:IEC 61215-2,Terrestrial photovoltaic (PV) modules−Design qualification and type 

approval−Part 2: Test procedures 

JIS C 61730-2 太陽電池(PV)モジュールの安全適格性確認−第2部:試験に関する要求事項 

注記 対応国際規格:IEC 61730-2,Photovoltaic (PV) module safety qualification−Part 2: Requirements 

for testing 

JIS Q 17025 試験所及び校正機関の能力に関する一般要求事項 

注記 対応国際規格:ISO/IEC 17025,General requirements for the competence of testing and calibration 

laboratories 

IEC 60050 (all parts),International Electrotechnical Vocabulary 

IEC 60269-6,Low-voltage fuses−Part 6: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of solar 

photovoltaic energy systems 

IEC TS 61836,Solar photovoltaic energy systems−Terms, definitions and symbols 

IEC 61853-1,Photovoltaic (PV) module performance testing and energy rating−Part 1: Irradiance and 

temperature performance measurements and power rating 

IEC TS 62915,Photovoltaic (PV) modules−Type approval, design and safety qualification−Retesting 

ISO/IEC Guide 98-3,Uncertainty of measurement−Part 3: Guide to the expression of uncertainty in 

measurement (GUM:1995) 

用語及び定義 

この規格で用いる主な用語及び定義は,JIS C 8960,IEC 60050規格群及びIEC TS 61836によるほか,

次による。 

3.1 

出力クラスの基準(bins of power classes) 

PVモジュール製造業者が定めた出力(通常は,最大出力)の分類基準。 

3.2 

公差<ラベル上の>(tolerances <on label>) 

製造業者が示すPVモジュールのラベルに表示された電気パラメータの値の範囲。 

3.3 

MQT(Module Quality Test) 

PVモジュール品質試験。 

3.4 

型式認証(type approval) 

生産物を代表する一つ以上の供試体に対して行われる適合試験。 

3.5 

再現精度<測定の>(reproducibility <of measurements>) 

ある量の同じ値の複数の測定結果が互いに一致する程度のことであって,個々の測定が,次の異なる測

定条件で行われるときの一致の程度。 

− 異なる測定原理 

− 異なる測定方法 

− 異なる観察者 

C 61215-1:2020  

− 異なる測定装置 

− 異なる適合規格 

− 異なる測定実施機関 

− 習慣的に使用されるのとは異なる測定装置の使用条件 

− 単一測定と比較すると長めの測定時間間隔 

注記1 “測定原理”及び“測定方法”の概念は,それぞれVIM 2.3及びVIM 2.4で定義されている。 

注記2 用語“再現精度”は,明記することを条件に,定義に示した条件の一部だけが考慮される場

合にも適用する。 

注記3 VIMは,国際計量基本用語集(International vocabulary of basic and general terms in metrology)

を指す。 

供試体 

PVモジュールの供試体は,関連の図面及び工程に従って,規定されている材料及び部品から製造し,

かつ,製造業者の通常の検査,品質管理及び製造受入手順に従わなければならない。PVモジュールは,

細部まで全て完全であり,かつ,製造業者の取扱い,取付け及び接続のための指示書が添付されていなけ

ればならない。試験を行うPVモジュールが新設計の試作品であって,量産品でない場合,そのことを報

告書に明記する(箇条9を参照)。 

供試体の必要数は,適用する試験シーケンスから導出する(箇条11を参照)。 

バイパスダイオード試験(MQT 18)などの試験については,特別な供試体が必要になることがある(JIS 

C 61215-2を参照)。 

IEC TS 62915に記載の追加試験を要求しない範囲内にある,複数出力クラスの適格性確認のためには,

最小出力クラス,中間出力クラス及び最大出力クラスのPVモジュールを少なくとも2台ずつ試験に使用

しなければならない。中間出力クラスが存在しない場合は,1段階高いクラスのPVモジュールを使用す

る。 

単一の出力クラスの適格性確認がIEC TS 62915に記載の追加試験を要求しない範囲内で,更に高い出力

クラスまで拡張される場合,ラベル表示の証明のために,最小出力クラス,中間出力クラス及び最大出力

クラスのPVモジュールを少なくとも2台ずつ試験に使用しなければならない(7.2.1のゲートNo.1を参照)。 

同じ出力要件を満たす追加の予備供試体を用意することが望ましい。 

該当する場合は,製品群,各種の材料,又はPVモジュール生産工程を代表するために供試体を使用し

なければならない。次に,試験プログラムのために必要な追加供試体数を,IEC TS 62915から導出する。 

表示及び文書化 

5.1 

銘板 

各PVモジュールには,明瞭かつ容易に消えないように,次の事項を表示しなければならない。 

a) 製造業者の名称,登録商号又は登録商標 

b) 型式又は型番 

c) シリアル番号(製品の他の部分に表示されていない場合) 

d) 製造年月日及び製造場所(又は製造年月日及び製造場所を確認できるシリアル番号) 

e) 最大システム電圧 

f) 

感電保護クラス 

C 61215-1:2020  

g) 開放電圧又はVOC(公差を含む。) 

h) 短絡電流又はISC(公差を含む。) 

i) 

PVモジュール最大出力又はPmax(公差を含む。) 

全ての電気データは,基準状態(IEC TS 61836による1 000 W/m2,25 ℃,AM 1.5)に対応するものと

して示されていなければならない。 

適用可能な場合は,国際的に用いられている記号を使用しなければならない。 

表示の適合性は,検査及びMQT 06によって検証する。 

5.2 

文書 

5.2.1 

最小要件 

PVモジュールは,電気的及び機械的設置方法並びにPVモジュールの電気定格が記載された文書ととも

に提供されなければならない。提供する文書は日本語又は日本語併記とし,PVモジュールの適格性が証

明された感電保護クラス,及び当該クラスに関して必要な特定の制限を記載していなければならない。同

文書には,設置者及び使用者がPVモジュールの安全な設置,使用及び保守に関する適切かつ十分な説明

文書の受取を保証する記述を含んでいなければならない。 

注記 PVモジュール出荷ユニットに文書一式が添付されていれば十分であるとみなされる。 

5.2.2 

文書に含めなければならない情報 

文書に含めなければならない情報は,次による。 

a) 5.1のe)〜i)で要求されている全ての情報 

b) JIS C 61730-2に規定されている逆電流保護定格 

− 過電流保護装置の型式及び定格は,例えば,IEC 60269-6に規定されている。過電流保護装置は,1

時間,1.35 Inの過負荷定格のものが望ましい。ここで,Inは過電流保護装置の定格値である。 

− PVモジュールの最大直列及び並列構成が記載してあることが望ましい。 

c) 基準状態下における開放電圧(VOC),短絡電流(ISC)及び最大出力(Pmax)の公差(製造業者による

申告値) 

d) 開放電圧(VOC)の温度係数 

e) 最大出力(Pmax)の温度係数 

f) 

短絡電流(ISC)の温度係数 

a)〜f)の全ての電気データは,基準状態(IEC TS 61836による1 000 W/m2,25 ℃,AM 1.5)に対応する

ものとして示されていなければならない。さらに,次のパラメータが明記されていなければならない。 

g) (削除) 

h) (削除) 

i) 

低放射照度における性能(MQT 07) 

適用可能な場合は,国際的に用いられる記号を使用しなければならない。 

適合性は,目視及びMQT 04〜MQT 07によって確認する。 

電気関係の文書には,設置のために使用する電気配線方法の詳細な説明が記載されていなければならな

い。この説明には,次の情報を含めなければならない。 

j) 

現場で配線するPVモジュールのためのケーブルの最小径 

k) 配線区画又は配線箱の配線方法,及び管理に対する制限 

l) 

使用する導体のサイズ,種類,材質及び温度定格 

m) 現場配線用の端子の型式 

C 61215-1:2020  

n) PVモジュールに附属するコネクタと接続するPVコネクタの名称及び/又は型式,並びに製造業者名 

o) 使用するボンディング方法(該当する場合)。全ての附属品又は指定部品は,文書で特定されていなけ

ればならない。 

p) 使用するバイパスダイオードの型式及び定格(該当する場合) 

q) 取付状況に対する制限(例えば,勾配,方位,取付手段,冷却) 

r) 火災安全等級及び適用規格並びに火災安全等級に対する制限(例えば,設置勾配,基礎又はその他の

設置関連情報) 

s) 

MQT 16に基づく機械的静荷重試験で評価されたPVモジュールを固定するための機械的手段ごとの

設計荷重。製造業者の自主判断によって,試験荷重及び/又は安全係数γmを記載してもよい。 

特定の使用条件の場合にPVモジュールの出力増大が発生し得るため,設置説明書には,製造業者が指

定する関連パラメータ又は次の文言若しくはこれと同等の文言が記載されていなければならない。 

“通常の条件の下にあっても,PVモジュールは基準状態での値以上の電流及び電圧を出力することが

ある。したがって,部品の電圧定格,導体の電流定格,ヒューズの容量,及び太陽電池の出力側に接続す

る制御系の電気的仕様を規定するときには,このPVモジュールに表示した短絡電流ISC及び開放電圧VOC

の値に,係数1.25を乗じた値で設定するのがよい。” 

5.2.3 

組立説明書 

半完成品で出荷する製品に関しては,組立説明書を添付する。それには完全で安全な組立てに必要な,

詳細かつ十分な内容が記載されていなければならない。 

試験 

試験実施機関は,測定結果に影響する計測器の特性の緩やかで継続的なずれを検出できるようにするた

め,コントロールモジュールを使用しなければならない。 

PVモジュールはグループに分けて,図1に規定する適格性確認試験シーケンスを受けなければならな

い。適格性確認試験シーケンスは,指定された順序で実行しなければならない。ボックス内に示すMQT

の名称は,JIS C 61215-2に規定する試験の定義に対応している。セル技術別のPVモジュールに関する試

験要求事項の詳細は,JIS C 61215-1-1〜JIS C 61215-1-4(以下,技術別サブパートという。)に規定する。 

シーケンス途中での最大出力の決定(MQT 02)及び絶縁試験(MQT 03)は必要ないが,環境試験によ

る変化の追跡のために行ってもよい。 

試験シーケンスとは別に実施される,例えば,MQT 09及びMQT 18のための特別な供試体について実

施される個々の単一試験は,該当する場合はMQT 01,MQT 02,MQT 03,及びMQT 15の初期試験の後

に実施しなければならない。 

試験者は,試験を行うときは,取扱い,取付け及び接続に関する製造業者の指示を厳守しなければなら

ない。IEC 61853-1に従って試験されたPVモジュールについては,シーケンスAは省略してもよい。こ

の場合は,IEC 61853-1に基づく試験の結果を報告書に記載又は引用しなければならない。 

表1に試験条件のまとめを示す。表1に示す試験の厳しさは,適格性確認で要求する最低限とする。試

験実施機関と製造業者とが合意した場合は,試験の厳しさを上げて試験を行ってもよい。その場合は,そ

の事実を報告書に記載しなければならない。 

C 61215-1:2020  

合格基準 

7.1 

一般 

2台以上のPVモジュールが次の試験基準を満足しない場合,設計の適格性確認に対する要求事項を満

たさなかったとみなす。1台のPVモジュールがいずれかの試験に不合格の場合,箇条4の要求事項を満

たす追加の2台のPVモジュールについて,当該試験シーケンスの全てを始めから行わなければならない。 

これらのPVモジュールの1台又は両方がいずれかの試験に不合格の場合,そのPVモジュール設計は

適格性確認に対する要求事項を満たさなかったとみなす。PVモジュールが2台とも当該試験シーケンス

に合格した場合,そのPVモジュール設計は,適格性確認に対する要求事項を満足したと判定する。 

各供試体が次の基準に適合すれば,PVモジュールの設計は適格性確認試験に合格したと判定され,し

たがって,この規格に基づき認証されたと判定されるものとする。 

7.2 

出力及び電気回路 

7.2.1 

定格ラベル値の確認→ゲートNo.1 

全てのPVモジュールは,JIS C 61215-2に規定するMQT 19.1の方法によって安定化されなければなら

ない(セル又はモジュール種ごとの技術要件については,この規格の技術別サブパートを参照する。)。安

定化された後,PVモジュールをMQT 06に従って測定する[(Pmax(Lab)]。安定化された後の全てのPVモ

ジュールは,試験実施機関の測定の不確かさm1を含めて銘板に記載されている最大出力[Pmax(NP)]の範

囲内に入らなければならない。したがって,次の基準に適合しなければならない。 

Pmaxの確認: 

各PVモジュールは,次に適合しなければならない。 

+

100

[%]

|

|

1

)

(

100

[%]

|

|

1

)

(

1

max

1

max

t

NP

P

m

Lab

P

ここに, Pmax(Lab): 安定化状態の各PVモジュールのSTCにおけるPmaxの測

定値 

Pmax(NP): 各PVモジュールの公差を含まない銘板に記載されてい

るSTCにおけるPmax 

m1: Pmaxに対する試験実施機関の%を単位とする測定の不確

かさ[ISO/IEC Guide 98-3による拡張合成不確かさ(k
=2)] 

t1: Pmaxに対する%を単位とする製造業者が定めたPmaxの公

差の下限値 

P

max(Lab)については,次の基準を適用する。 

)

(

100

[%]

|

|

1

)

(

max

1

max

NP

P

m

Lab

P

+

ここに, P

max(Lab): 安定化状態の各PVモジュールのSTCにおけるPmaxの平

均値 

複数の出力クラスが対象となる場合には,この式を調査対象の各出力クラスに適用する。 

VOCの確認: 

各PVモジュールは,次に適合しなければならない。 

+

+

100

[%]

|

|

1

)

(

100

[%]

|

|

1

)

(

2

OC

2

OC

t

NP

V

m

Lab

V

ここに, 

VOC(Lab): 安定化状態の各PVモジュールのSTCにおけるVOCの測

定値 

VOC(NP): 各PVモジュールの公差を含まない銘板に記載されてい

C 61215-1:2020  

るSTCにおけるVOC 

m2: VOCに対する試験実施機関の%を単位とする測定の不確

かさ 

t2: VOCに対する%を単位とする製造業者が定めたVOCの公

差の上限値 

ISCの確認: 

各PVモジュールは,次に適合しなければならない。 

+

+

100

[%]

|

|

1

)

(

100

[%]

|

|

1

)

(

3

SC

3

SC

t

NP

I

m

Lab

I

ここに, 

ISC(Lab): 安定化状態の各PVモジュールのSTCにおけるISCの測

定値 

ISC(NP): 各PVモジュールの公差を含まない銘板に記載されてい

るSTCにおけるISC 

m3: ISCに対する測定実施機関の%を単位とする測定の不確

かさ 

t3: ISCに対する%を単位とする製造業者が定めたSTCにお

けるISCの公差の上限値 

報告書には,より大きい又はより小さい出力への系統的変動が記載される。 

7.2.2 

型式認証試験中の最大出力劣化→ゲートNo.2 

各試験シーケンスの終わり,又はシーケンスBにおいては,バイパスダイオード試験後のそれぞれのPV

モジュールの最大出力Pmax(Lab̲GateNo.2)の低下は,PVモジュールの初期測定出力値Pmax(Lab̲GateNo.1)

を基準にして5 %未満でなければならない。各供試体は,次の判定要件を満たさなければならない。 

×

100

[%]

1

)

.

̲

(

95

.0

)

.

̲

(

max

max

r

1

No

Gate

Lab

P

2

No

Gate

Lab

P

Pmaxの再現精度が決定され,式中で使用されなければならない。再現精度rは,この規格の技術別サブ

パートに規定されている値よりも低くなければならない。 

再現精度rは,シーケンスAからのコントロールモジュール(単数又は複数)の初期安定化(試験開始)

後及び最終安定化(シーケンスB〜Eの試験終了)後の出力を比較することによって確認する。全ての試

験の完了後,最終安定化を行わなければならない。次が適用される。 

a) シーケンスB(MQT 18.1の後),C,D及びEからの全てのPVモジュールを,シーケンスAからの1

台のコントロールモジュールとともに測定する。 

b) a)が試験フローの制約(異なるシーケンス完了時間又は顧客リクエスト)のために適用できない場合

は,次が適用される。 

各シーケンスB(MQT 18.1の後),C,D及びEについて,シーケンスAからの1台の対となるコ

ントロールモジュールを確定する。この対となるコントロールモジュールを安定化させ,対応のシー

ケンスB(MQT 18.1の後),C,D又はEからのPVモジュールとともに測定する。決定された値rの

それぞれについて,rに関する要件を満たさなければならない。 

再現精度rは,MQT 06の全測定不確かさには等しくない。Pmax(Lab̲Gate No.1)及びPmax(Lab̲GateNo.2)

について,同じソーラーシミュレータを使用するのが望ましい。 

rがコントロールモジュールの技術特有の限界を超えている場合,試験実施機関は,独自の基準モジュ

ール(単数又は複数)を用いて,試験装置が不具合になっていないか,供試体に低い再現精度の原因があ

るのか,又は供試体はMQT 19.1の適用後に安定状態になっていないのかを確認する必要がある。どの確

認結果でも,測定装置は正しく機能していることが確認された場合は,コントロールモジュールは技術特

C 61215-1:2020  

有の限界を超えて特性が変化したことの証明になる。この場合は,rの技術特有の限界値を採用して先へ

進む。 

7.2.3 

電気回路 

供試体は,試験中に開放状態になってはならない。 

7.3 

目視欠陥 

箇条8で規定するような著しい目視上の欠陥はあってはならない。 

7.4 

電気安全 

電気安全は,次による。 

a) 絶縁試験(MQT 03)の要求事項が試験後に満たされる。 

b) 湿潤漏れ電流試験(MQT 15)の要求事項が各シーケンスの先頭と末尾とに満たされる。 

c) シーケンス中の個々の試験の要求事項が満たされる。 

著しい目視欠陥 

目視検査の目的は,出力を含めて信頼性喪失のリスク原因となり得る目視欠陥を検出することである。 

場合によっては,著しい目視欠陥が存在するかどうかを最終的に決定するために,幾つかの試験が必要

になることがある。 

設計適格性確認及び型式認証の目的に照らして,次の事象が観察された場合は,著しい目視欠陥とみな

される。 

a) 外表面の破壊,ひび割れ,又は断裂。 

b) スーパーストレート,サブストレート,フレーム及び端子箱を含む外表面の,PVモジュールの動作

が損なわれるような曲がり又は位置ずれ。 

c) 電気回路とPVモジュール端部との間に連続する気泡又は剝離。 

d) PVモジュールの機械的強度がラミネート又はその他の接着手段に依存している場合は,気泡の合計

面積は,PVモジュール面積の1 %を超えてはならない。 

e) 封止材,バックシート,フロントシート,ダイオード又は充電部の溶融又は焼損を示す証拠。 

f) 

PVモジュールの据付け及び動作を損なう構造的損傷。 

g) PVモジュールの電気回路からセルの発電面積の10 %以上が喪失し得るようなひび割れた又は破壊し

たセル。 

h) 任意のセルの10 %を超える面積に及ぶPVモジュールのアクティブ(充電)回路の任意の層における

空隙,又は視認可能な腐食。 

i) 

接続部,継ぎ目又は端子の破損。 

j) 

充電部の短絡又は充電部の露出。 

k) PVモジュール上の表示(ラベル)が脱落している,又は内容が読めない。 

報告書 

型式認証に続いて,適格性確認試験に関する報告書(測定した性能特性並びに全ての損傷及び再試験の

詳細を含む。)は,試験実施機関が,JIS Q 17025に基づき作成しなければならない。報告書は,PVモジ

ュール詳細仕様を含まなければならない。報告書には,少なくとも次の情報を含まなければならない。 

a) 標題 

b) 試験実施機関の名称,住所及び試験実施場所 

10 

C 61215-1:2020  

c) 報告書及び各ページの一意の識別情報 

d) 試験依頼者の名称及び住所(該当する場合) 

e) 試験した製品の説明及び識別 

f) 

試験した製品の特徴及び状態 

g) 試験製品の受取日及び試験日(該当する場合) 

h) 使用した試験方法の識別情報 

i) 

サンプリング方法への言及(該当する場合) 

j) 

試験方法からの逸脱,試験方法への追加,又は試験方法からの除外,及び,環境条件,安定状態に達

したときの光照射量(kWh/m2)などの特定試験に関するその他の情報 

k) 表,グラフ,略図及び写真などによって裏付けられる,次を含む測定結果,検査結果及び導出結果 

− ISC,VOC及びPmaxの温度係数 

− (削除) 

− STC及び低放射照度における出力 

− ホットスポット耐久試験で観察された遮光セルの最高温度 

− 紫外線前処理試験で使用した光源のスペクトル 

− 機械的静荷重試験で使用した取付方法(単数又は複数) 

− 機械的静荷重試験で使用した正/負試験荷重及び安全係数γm 

− 降ひょう(雹)試験で使用した氷球直径及び衝突速度 

− 全ての試験の完了後に観察された最大出力の低下 

l) 

観察された不具合,損傷など 

m) 製造業者が定めた電気出力公差を含むPVモジュールの表示の表記 

n) 絶対的及び相対的変化について,箇条7に規定されている全ての合格基準から得られた結果の要約。

より高い又はより低い値への傾向が認められた場合は,その事実も報告書に記載しなければならない。

使用した安定化方法(放射照度,温度,時間)については,詳細に記載する必要がある。 

o) 試験結果の不確かさの推定の記載(該当する場合)。ゲートNo.2のために使用したコントロールモジ

ュールからの再現精度rを記載する。 

p) 報告書の内容に関する責任者(1人又は複数人)の署名及び肩書き,又は同等の識別情報,並びに報

告書発行日 

q) 該当する場合,記載されている結果は試験した項目だけに関係するという趣旨の記述 

r) 試験実施機関の書面による承諾がない限り,報告書の一部だけを複製してはならない旨の記述 

10 変更 

材料の選択,部品及び製造工程の変更は,変更された製品の品質評価に影響を与えることがある。互い

に直接接触する材料は,同等性の証明ができない限り,全ての可能な組合せにおいて試験しなければなら

ない。 

再試験に関する詳細な要件は,IEC TS 62915で記載されている。推奨されている試験シーケンスは,変

更された製品に対する悪影響を識別するために選択されたものである。 

供試体数は再試験プログラムに記載され,合否判定基準はこの規格の関連する箇条から取り込まなけれ

ばならない。 

11 

C 61215-1:2020  

11 試験フロー及び試験方法 

設計適格性確認及び型式認証のためには,次の試験フロー及び試験方法が適用される。表1は,様々な

試験の概略を示す。図1は,試験の全フローを規定する。JIS C 61215-2には,各試験方法を規定している。

セル技術別のPVモジュールに関連した相違点は,対応するこの規格の技術別サブパートで記載される。 

background image

12 

C 61215-1:2020  

表1−試験条件のまとめ 

試験 

JIS C 61215-2

の箇条 

タイトル 

試験条件 

MQT 01 

4.1 

目視検査 

箇条8の詳細検査リストを参照。 

MQT 02 

4.2 

最大出力の決定 

JIS C 8904-1を参照。 

MQT 03 

4.3 

絶縁試験 

システム電圧が50 Vdcを超えるPVモジュールの場合は,1 000 
Vdcに最大システム電圧の2倍を加えた耐電圧試験を1分間行い,
次に500 Vdc又は最大システム電圧による耐電圧試験を2分間行
った後,絶縁抵抗を測定。 
システム電圧が50 Vdc以下のPVモジュールの場合,試験電圧は
500 Vdc 

MQT 04 

4.4 

温度係数の測定 

JIS C 60891を参照。 
手引については,JIS C 8904-10を参照[図1の注a)を参照]。 

MQT 05 

4.5 

公称モジュール動
作温度(NMOT)の
測定 

(NMOTはこの規格では用いないため,不採用とした。) 

MQT 06 

4.6 

基準状態(STC)に
おける性能(MQT 
06) 

セル温度:25 ℃ 
放射照度:JIS C 8904-3に規定されている基準太陽光の分光放射
照度分布において1 000 W/m2。 
要求事項は箇条7を参照。 

MQT 07 

4.7 

低放射照度におけ
る性能[図1の注a)
を参照] 

セル温度:25 ℃ 
放射照度:JIS C 8904-3に規定されている基準太陽光の分光放射
照度分布において200 W/m2 

MQT 08 

4.8 

屋外暴露試験 

積算日射量60 kWh/m2 

MQT 09 

4.9 

ホットスポット耐
久試験 

この規格の技術別サブパート及びJIS C 61215-2に規定している
最悪ケースのホットスポットの状態において1 000 W/m2で暴露 

MQT 10 

4.10 

紫外線前処理試験 

波長範囲280〜400 nmにおける紫外線照射量15 kWh/m2,このう
ち波長範囲280〜320 nm部分の紫外線放射照度は3〜10 % 

MQT 11 

4.11 

温度サイクル試験 

−40 ℃から+85 ℃まで50サイクル(シーケンスC)又は200
サイクル(シーケンスD)。+80 ℃まで,この規格の技術別サブ
パートに記載の電流通電。 

MQT 12 

4.12 

結露凍結試験 

+85 ℃,RH 85 %から−40 ℃までの10サイクル 
回路連続性を監視 

MQT 13 

4.13 

高温高湿試験 

+85 ℃,RH 85 %で1 000時間 

MQT 14 

4.14 

端子強度試験 

端子箱の保持及びコード係留の試験 

MQT 15 

4.15 

湿潤漏れ電流試験 

試験電圧は,500 V/sを超えない速度で,500 V又は最大システム
電圧のいずれか大きい方をPVモジュールに印加し,2分間,電
圧を維持する。 

MQT 16 

4.16 

機械的静荷重試験 

製造業者によって決められた均一負荷を前面,裏面交互に1 h加
える試験を3サイクル 
最小試験荷重:2 400 Pa 

MQT 17 

4.17 

降ひょう(雹)試験 11か所に最小直径25 mmの氷球を23.0 m/sの速度で当てる。 

MQT 18 

4.18 

バイパスダイオー
ド試験 

MQT 18.1:バイパスダイオード温度試験 

ISC及び75 ℃で1時間 

1.25倍のISC及び75 ℃で1時間 
MQT 18.2:バイパスダイオード機能試験 
25 ℃で電圧及び電流を測定 

MQT 19 

4.19 

安定化 

MQT 02によって,三つの出力P1,P2及びP3を続けて測定し,
MQT 06の手順によって,STC最大出力を決定する。 

background image

13 

C 61215-1:2020  

MQT 14.2

コード係留試験

2モジュール

2モジュール

MQT 03

絶縁試験

MQT 15

湿潤漏れ電流試験

-40℃〜85℃

1モジュール

1モジュール

ともにコントロールモジュールとして

測定し,再現性rを決定

MQT 19.2

最終安定化

MQT 06

STCにおける性能

MQT 12

2モジュール

1モジュール

MQT 16

機械的静荷重試験

(設計荷重)

1モジュール

MQT 11

温度サイクル試験

200サイクル

-40℃〜85℃

MQT 11

結露凍結試験

10サイクル

RH85%

1モジュール

MQT 01

目視検査

10モジュール

3モジュール

1モジュール

2モジュール

MQT 03

絶縁試験

MQT 15

湿潤漏れ電流試験

MQT 19.2

最終安定化

MQT 06

STCにおける性能

MQT 09

ホットスポット耐久試験 c

MQT 17

降ひょう(雹)試験

MQT 13

高温高湿試験

1000時間

85℃/RH85%

MQT 10

紫外線前処理試験

15kWh/m2

MQT 14.1

端子箱保持試験

MQT 19.1

初期安定化d

MQT 06.1

STCにおける性能

MQT 04

温度係数の測定 a

温度サイクル試験

200サイクル

-40℃〜85℃

MQT 07

低放射照度での性能 a

MQT 08

60kWh/m2での

屋外暴露試験

MQT 18.1

バイパスダイオード

温度試験 b

MQT 18.2

バイパスダイオード

機能試験

シーケンスB〜Eのモジュールと

シーケンス C

シーケンス E

シーケンス D

シーケンス B

シーケンス A

図1−PVモジュールの設計適格性確認及び型式認証のための全体試験フロー 

d) 

a) 

a) 

b) 

c) 

再現精度rを決定 

MQT 06 

14 

C 61215-1:2020  

注a) このPVモジュールにIEC 61853シリーズが実施された場合,これらの試験は省略してもよい。その報告書は,

箇条9による設計適格性確認の報告書に含めなければならない。 

b) 標準モジュール内のバイパスダイオードにアクセスできない場合は,バイパスダイオード温度試験(MQT 18.1)

用に特別な供試体を用意してもよい。バイパスダイオードは標準モジュール内に取り付けるのと同様に物理的
に取り付け,JIS C 61215-2のMQT 18の規定に従ってリード線を配線する。この供試体は,シーケンスに含ま
れる他の試験に用いてはならない。 

c) 別のPVモジュールのホットスポット耐久試験では,次の試験シーケンスが許容される。 

MQT 01,MQT 19.1,MQT 06,MQT 03,MQT 15,MQT 09及びMQT 18.2 

d) 初期安定化のMQT 19.1には,シーケンスAのPVモジュールに適用する別の安定化方法(JIS C 61215-2)の検

証を含めてよい。 

図1−PVモジュールの設計適格性確認及び型式認証のための全体試験フロー(続き) 

background image

15 

C 61215-1:2020  

附属書JA 

(参考) 

JISと対応国際規格との対比表 

JIS C 61215-1:2020 地上設置の太陽電池(PV)モジュール−設計適格性確認及
び型式認証−第1部:試験要求事項 

IEC 61215-1:2016,Terrestrial photovoltaic (PV) modules−Design qualification and type 
approval−Part 1: Test requirements 

(I)JISの規定 

(II) 
国際 
規格 
番号 

(III)国際規格の規定 

(IV)JISと国際規格との技術的差異の箇条
ごとの評価及びその内容 

(V)JISと国際規格との技術的差
異の理由及び今後の対策 

箇条番号 
及び題名 

内容 

箇条 
番号 

内容 

箇条ごと 
の評価 

技術的差異の内容 

2 引用規格 適用範囲で引用される

JIS C 60721-2-1を追加
した。 

− 

追加 

− 

IEC 61853-2を削除し
た。 

Photovoltaic (PV) module 
performance testing and 
energy rating−Part 2: 
Spectral 

response, 

incidence 

angle, 

and 

module 

operating 

temperature measurements 

削除 

NMOTに関わる項目を適用除外
とした。 

このJISを作成する段階において
IEC 61215-1 Ed.1の改訂審議が行
われ,NMOT関連項目の削除につ
いて方針が固まった。そのため,
IEC 61215-1 Ed.1改訂前ではある
が,今後の整合を考え,先行して
この規格からも削除した。 

3 用語及び
定義 

JIS C 8960を追加し
た。 

− 

追加 

太陽電池関連用語を補うことを
目的にJIS C 8960を追加した。 

利便性を上げることを目的とした
ものであるため,技術的差異はな
い。 

各用語の出典を削除し
た。 

− 

削除 

IEC 60050規格群の和語とJIS用
語とが必ずしも完全一致してい
る訳ではないため削除した。 

5.2.2 g) 

削除 

5.2.2 g) 

nominal module operating 
temperature (NMOT) 

削除 

NMOTに関わる項目を適用除外
とした。 

このJISを作成する段階において
IEC 61215-1 Ed.1の改訂審議が行
われ,NMOT関連項目の削除につ
いて方針が固まった。そのため,
IEC 61215-1 Ed.1改訂前ではある
が,今後の整合を考え,先行して
この規格からも削除した。 

4

C

 6

1

2

1

5

-1

2

0

2

0

background image

16 

C 61215-1:2020  

(I)JISの規定 

(II) 
国際 
規格 
番号 

(III)国際規格の規定 

(IV)JISと国際規格との技術的差異の箇条
ごとの評価及びその内容 

(V)JISと国際規格との技術的差
異の理由及び今後の対策 

箇条番号 
及び題名 

内容 

箇条 
番号 

内容 

箇条ごと 
の評価 

技術的差異の内容 

5.2.2 h) 

削除 

5.2.2 h) 

performance 

at 

NMOT  

(MQT 06.2) 

削除 

NMOTに関わる項目を削除し
た。 

同上 

9 k) 

削除 

9 k) 

− NMOT 

削除 

同上 

同上 

9 k) 

− STC及び低放射照

度における出力 

9 k) 

− power at NMOT, STC 

and low irradiance 

削除 

NMOTに関わる記載を一部削除
した。 

同上 

9 k) 

− 機械的静荷重試験

で使用した取付方
法(単数又は複数) 

9 k) 

− mounting 

method(s) 

utilized in the static 
mechanical load test 
and for measurement 
of NMOT 

削除 

同上 

同上 

表1 MQT 
05 

公称モジュールの動作
温度(NMOT)の測定 

Table 1 
MQT05 

Measurement of NMOT 

削除 

NMOTに関わる試験方法を削除
した。 

同上 

表1 MQT 
06 

基準状態(STC)にお
ける性能 

Table 1 
MQT 06 

performance at STC (MQT 
06.1) and NMOT (MQT 
06.2) 

削除 

NMOTに関わる試験方法を削除
した。併せて,MQT 06.1及び
MQT 06.2を統合し,MQT 06と
した。 

同上 

図1 シー
ケンスA 

− 

Figure 1 
Sequence 

− 

削除 

MQT 06.2に関する試験を削除し
た。 

同上 

図1 シー
ケンスB 

− 

Figure 1 
Sequence 

− 

削除 

MQT 08からNMOTに関する一
部の記載を削除した。 

同上 

JISと国際規格との対応の程度の全体評価:IEC 61215-1:2016,MOD 

注記1 箇条ごとの評価欄の用語の意味は,次による。 

− 削除 ················ 国際規格の規定項目又は規定内容を削除している。 
− 追加 ················ 国際規格にない規定項目又は規定内容を追加している。 

注記2 JISと国際規格との対応の程度の全体評価欄の記号の意味は,次による。 

− MOD ··············· 国際規格を修正している。 

4

C

 6

1

2

1

5

-1

2

0

2

0