C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
（1）
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
目 次
ページ
序文 ··································································································································· 1
1 適用範囲························································································································· 1
2 引用規格························································································································· 2
3 用語及び定義 ··················································································································· 2
4 一般事項························································································································· 5
5 試験レベル ······················································································································ 5
5.0A 試験レベルの選択 ········································································································ 5
5.1 汎用無線システムからの放射を模擬した試験周波数 ······························································ 6
5.2 デジタル無線電話及びその他の意図的RF放射機器からの放射を模擬した試験周波数 ················· 6
6 試験装置························································································································· 7
6.1 試験設備 ······················································································································ 7
6.2 電界校正 ······················································································································ 7
7 試験セットアップ ············································································································ 12
7.1 卓上形装置の配置 ········································································································· 12
7.2 床置形装置の配置 ········································································································· 12
7.3 配線の処理 ·················································································································· 12
7.4 人体装着形装置の配置 ··································································································· 13
8 試験手順························································································································ 13
8.1 試験室の基準条件 ········································································································· 13
8.2 試験の実施 ·················································································································· 13
9 試験結果の評価 ··············································································································· 14
10 試験報告書 ··················································································································· 15
附属書A（参考）デジタル無線電話からのRF放射を模擬するために，イミュニティ試験に正弦波による
振幅変調方式を選択した根拠 ···················································································· 22
附属書B（参考）電磁界発生アンテナ······················································································ 26
附属書C（参考）電波無響室 ································································································· 27
附属書D（参考）電力増幅器のノンリニアリティ及び6.2に従った校正手順例 ································ 29
附属書E（参考）製品規格作成委員会に対する試験レベル選択上の指針 ········································· 34
附属書F（参考）試験方法の選択 ···························································································· 37
附属書G（参考）無線通信方式の説明 ····················································································· 38
附属書H（規定）1 GHzを超える周波数での代替照射法（独立ウィンドウ法）································ 41
附属書I（参考）電界プローブの校正方法 ················································································ 44
附属書J（参考）試験装置による測定不確かさ ·········································································· 58
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
（2）
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まえがき
この規格は，工業標準化法第14条によって準用する第12条第1項の規定に基づき，社団法人電気学会
（IEEJ）及び財団法人日本規格協会（JSA）から，工業標準原案を具して日本工業規格を改正すべきとの
申出があり，日本工業標準調査会の審議を経て，経済産業大臣が改正した日本工業規格である。
これによって，JIS C 61000-4-3:2005は改正され，この規格に置き換えられた。
この規格は，著作権法で保護対象となっている著作物である。
この規格の一部が，特許権，出願公開後の特許出願又は実用新案権に抵触する可能性があることに注意
を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は，このような特許権，出願公開後の特許出願及び実
用新案権に関わる確認について，責任はもたない。
JIS C 61000-4の規格群には，次に示す部編成がある。
JIS C 61000-4-2 第4部：試験及び測定技術−第2節：静電気放電イミュニティ試験
JIS C 61000-4-3 第4-3部：試験及び測定技術−放射無線周波電磁界イミュニティ試験
JIS C 61000-4-4 第4-4部：試験及び測定技術−電気的ファストトランジェント／バーストイミュニ
ティ試験
JIS C 61000-4-5 第4-5部：試験及び測定技術−サージイミュニティ試験
JIS C 61000-4-6 第4-6部：試験及び測定技術−無線周波電磁界によって誘導する伝導妨害に対する
イミュニティ
JIS C 61000-4-7 第4-7部：試験及び測定技術−電力供給システム及びこれに接続する機器のための
高調波及び次数間高調波の測定方法及び計装に関する指針
JIS C 61000-4-8 第4部：試験及び測定技術−第8節：電源周波数磁界イミュニティ試験
JIS C 61000-4-11 第4-11部：試験及び測定技術−電圧ディップ，短時間停電及び電圧変動に対するイ
ミュニティ試験
JIS C 61000-4-14 第4部：試験及び測定技術−第14節：電圧変動イミュニティ試験
JIS C 61000-4-16 第4部：試験及び測定技術−第16節：直流から150 kHzまでの伝導コモンモード
妨害に対するイミュニティ試験
JIS C 61000-4-17 第4部：試験及び測定技術−第17節：直流入力電源端子におけるリプルに対する
イミュニティ試験
JIS C 61000-4-20 第4-20部：試験及び測定技術−TEM（横方向電磁界）導波管のエミッション及び
イミュニティ試験
JIS C 61000-4-34 第4-34部：試験及び測定技術−1相当たりの入力電流が16 Aを超える電気機器の
電圧ディップ，短時間停電及び電圧変動に対するイミュニティ試験
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日本工業規格 JIS
C 61000-4-3：2012
(IEC 61000-4-3：2010)
電磁両立性−第4-3部：試験及び測定技術−
放射無線周波電磁界イミュニティ試験
Electromagnetic compatibility (EMC)-Part 4-3: Testing and measurement
techniques-Radiated, radio-frequency, electromagnetic field immunity test
序文
この規格は，2010年に第3.2版として発行されたIEC 61000-4-3を基に，技術的内容及び構成を変更す
ることなく作成した日本工業規格である。
なお，この規格で点線の下線を施してある参考事項は，対応国際規格にはない事項である。
1
適用範囲
この規格は，電気・電子装置の放射エネルギーに対するイミュニティ試験要求事項，試験レベル及び必
要な試験の手順について規定する。
この規格は，無線周波（RF）電磁界における電気・電子装置の性能評価のための基本となる基準を規定
することを目的とする。
この規格に示す試験方法は，特定の現象に対して，電気・電子装置又はシステムのイミュニティを評価
するための一貫した方法について規定する。
注記1 この規格は，IEC Guide 107で記載しているように，製品規格を作成するときに用いる基本
EMC規格である。また，製品規格委員会は，このイミュニティ試験規格を適用すべきかどう
かを決定する責任をもつ。そして，適用する場合，適切な試験レベル及び性能評価基準を決
める責任がある。
この規格は，あらゆる発生源からのRF電磁界の防護に関連するイミュニティ試験を取り扱う。
デジタル無線電話及びその他のRF発生機器からの無線周波放射に対する防護には，特別な配慮がなさ
れている。
注記2 この規格は，電磁放射による当該装置への影響を評価するための試験方法を定義している。
電磁放射の模擬方法及び測定方法は，当該装置に対する影響について，定量的判定に用いる
には必ずしも正確ではない。規定する試験方法は，様々な試験施設での影響の定性的分析に
十分な再現性をもたせることを第一の目的としている。
この規格で規定する試験方法は，独立した試験方法であり，他の試験方法は，この規格への適合を証明
する代替試験方法として使用できない場合もある。
注記3 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を，次に示す。
IEC 61000-4-3:2010，Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 4-3: Testing and measurement
techniques−Radiated， radio-frequency，electromagnetic field immunity test（IDT）
なお，対応の程度を表す記号“IDT”は，ISO/IEC Guide 21-1に基づき，“一致している”
2
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
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ことを示す。
2
引用規格
次に掲げる規格は，この規格に引用されることによって，この規格の規定の一部を構成する。これらの
引用規格は，その最新版（追補を含む。）を適用する。
JIS C 60050-161 EMCに関するIEV用語
注記 対応国際規格：IEC 60050-161，International Electrotechnical Vocabulary. Chapter 161:
Electromagnetic compatibility（IDT）
JIS C 61000-4-6 電磁両立性−第4-6部：試験及び測定技術−無線周波電磁界によって誘導する伝導
妨害に対するイミュニティ
注記 対応国際規格：IEC 61000-4-6，Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 4-6: Testing and
measurement techniques−Immunity to conducted disturbances， induced by radio-frequency fields
（MOD）
JIS C 61000-4-20 電磁両立性−第4-20部：試験及び測定技術−TEM（横方向電磁界）導波管のエミ
ッション及びイミュニティ試験
注記 対応国際規格：IEC 61000-4-20，Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 4-20: Testing and
measurement techniques−Emission and immunity testing in transverse electromagnetic (TEM)
waveguides（MOD）
3
用語及び定義
この規格で用いる主な用語及び定義は，JIS C 60050-161によるほか，次による。
3.1
振幅変調（amplitude modulation）
搬送波の振幅を，定められた法則に従って変化させる方法。
3.2
電波無響室（anechoic chamber）
電波の反射を低減するために，内面に電波吸収体を張り付けたシールドルーム。
3.2.1
全電波無響室（fully anechoic chamber）
内部の全面に電波吸収体を張り付けたシールドルーム。
3.2.2
半電波無響室（semi-anechoic chamber）
反射性の床（グラウンド面）を除く，全ての内面に電波吸収体を張り付けたシールドルーム。
3.2.3
改良半電波無響室（modified semi-anechoic chamber）
グラウンド面に追加の電波吸収体を設置した半電波無響室。
3.3
アンテナ（antenna）
信号源から空間にRF電力を放射するか又は到来する電磁界を捕らえて，それを電気信号に変換する変
換器。
3
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
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3.4
バラン（balun）
不平衡電圧を平衡電圧に，又はその逆に変換するデバイス（JIS C 60050-161の04-34参照）。
3.5
連続波，CW（continuous waves）
定常状態では，振幅一定で継続的な振動であり，情報を伝達するために断続又は変調を行うことができ
る電磁波。
3.6
電磁波（electromagnetic wave）
電界及び磁界の振動によって特徴付けられる，電荷の振動で生じる放射エネルギー。
3.7
遠方界（far field）
アンテナからの電力密度が距離の2乗にほぼ反比例する範囲。ダイポールの場合，遠方界は，λ/2 πより
大きい距離に相当する。ここで，λは放射波の波長である。
3.8
電磁界強度（field strength）
電磁界の強さ。“電磁界強度”という用語は，遠方界で行われる測定だけに適用する。測定値は，電磁界
の電界成分又は磁界成分のいずれでもよく，その値はボルト／メートル（V/m），アンペア／メートル（A/m），
又はワット／平方メートル（W/m2）で表現してよい。これらのいずれか一つを他の成分に変換してもよい。
注記 近傍界で行う測定に対しては，合成電界又は磁界のいずれを測定するかによって，“電界強度”
又は“磁界強度”という用語を用いる。近傍界では，電界又は磁界強度と距離との関係は複雑
で予測が困難であり，それは関係する固有の配置に依存している。複雑な電磁界の様々な成分
における時間と空間位相との関係を決定することは一般には不可能であるので，電磁界の電力
密度は，同様に決定できない。
3.9
周波数帯（frequency band）
二つの境界の間で連続する周波数の範囲。
3.10
校正電界強度，Ec
均一領域（UFA）の校正に適用する電磁界強度。
3.11
試験電界強度，Et
試験に適用するCW電磁界強度。
3.12
全面照射（full illumination）
EUTの試験面が，UFA内に完全に収まる場合の試験方法。この試験方法は，全ての試験周波数に適用で
きる。
3.13
人体装着形装置（human body-mounted equipment）
人体に装着するか，又は近くに保持して使用することを意図した装置。この定義には，電子補助装置及
4
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び人体埋込み装置と同様に，人が持ち運び操作する手持ち形装置（例えば，携帯機器）も含む。
3.14
独立ウィンドウ法（independent window method）
EUTの試験面がUFA内に完全に収まらない場合の試験方法（0.5 m×0.5 mの固定UFA寸法を使用する。）。
この試験方法は，1 GHzを超える周波数に適用してもよい。
3.15
誘導界（induction field）
λ/2 π未満の距離dで支配的な電界及び／又は磁界。ここで，λは放射波の波長であり，波源の物理的な
大きさは距離dより十分小さい。
3.16
意図的RF放射機器（intentional RF emitting device）
意図的に電磁波を放射（送信）する機器。例えば，デジタル携帯電話及び他の無線機器。
3.17
等方性（isotropic）
全ての方向において等価な特性をもつこと。
3.18
最大RMS値（maximum RMS value）
変調されたRF信号において，変調の一周期で観測される短期間のRMS値（実効値）の最大値。短期間
のRMS値は，搬送波の一周期で求める。
3.19
非定包絡線変調（non-constant envelope modulation）
搬送波自身の周期と比較して，振幅がゆっくり変わるRF変調方式。例えば，通常の振幅変調及びTDMA。
3.20
校正進行波電力，Pc
UFA校正時の電磁界強度を得るために必要な進行波電力。
3.21
部分照射（partial illumination）
EUTの試験面がUFA内に完全に収まらない場合の試験方法（使用できる最小UFA寸法は，1.5 m×1.5 m。）。
この試験方法は，全ての試験周波数に適用できる。
3.22
偏波（polarization）
放射電磁界の電界ベクトルの方向。
3.23
シールドエンクロージャ（shielded enclosure）
外部の電磁環境から内部を隔離するために特別に設計した，遮蔽きょう体又は金属きょう体。この目的
は，性能劣化を引き起こすような外部からの電磁界を遮断し，かつ，外部装置に対して電磁障害を引き起
こす放射を防ぐことである。
注記 エンクロージャが部屋の場合，シールドルームという。
3.24
掃引（sweep）
5
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周波数を，連続的又は段階的に変化させる動作。
3.25
時分割多元接続，TDMA（time division multiple access）
割り当てられた周波数の搬送波上に，幾つかの通信チャネルを割り当てる時分割多重変調方式。各チャ
ネルに一つのタイムスロットを割り当て，それを用いる場合，RF信号のパルスとして情報を送信する。チ
ャネルを用いない場合，パルスは送信しない。したがって，搬送波の包絡線は一定ではない。パルス送信
中は振幅は一定であり，RF搬送波は周波数変調又は位相変調される。
3.26
トランシーバ（transceiver）
無線の送信機及び受信機を組み合わせ，一つのきょう体に収めた装置。
3.27
均一領域，UFA（uniform field area）
電界の変化が許容可能なほど小さい，電界校正のための仮想垂直面。電界校正の目的は，試験結果の妥
当性を保証することである（6.2参照）。
4
一般事項
多くの電子装置は，何らかの形で電磁放射の影響を受ける。電磁放射は，作業者，保守者及び警備員が
用いる小形の携帯用トランシーバなどの一般無線，ラジオ及びテレビの固定放送局，車載無線機及び種々
の電磁波を生じる産業用装置から頻繁に発生している。
近年，0.8 GHz〜6 GHzの周波数帯を用いる無線電話及びその他の無線周波発生機器の顕著な増加が見受
けられる。これらの多くが，非定包絡線変調技術（例えば，TDMA）を用いている（5.2参照）。
意図して発生させる電磁エネルギーのほかに，溶接機，サイリスタ，蛍光灯，誘導負荷の開閉などによ
る放射がある。その干渉は大部分において伝導性の電気的な干渉として現れ，それ自体は，JIS C 61000-4
規格群及び／又はIEC 61000規格群で規定している。電磁界からの影響を防止する方法とは，これらの発
生源からの影響を低減することであるといってもよい。
電磁環境は，電磁界の強度で表現する。周囲の構造物又は近くにある装置によって，電磁波が反射する
及び／又はひずむことがあるため，電界強度は高性能な測定器なしでは測定が容易ではなく，また，古典
的な公式を用いて算出することも，容易ではない。
5
試験レベル
5.0A 試験レベルの選択
試験レベルは，表1による。
6
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表1−試験レベル
レベル
試験電界強度
V/m
1
1
2
3
3
10
4
30
X a)
特殊
注a) Xは，任意の試験レベルであって，試験電界強度はどのような値でもよ
い。このレベルは，製品規格で規定してもよい。
この規格は，全周波数帯で一つの試験レベルを適用することを意図していない。試験する周波数範囲，
及び各々の周波数範囲における適切な試験レベルは，製品規格に規定する（附属書E参照）。
試験電界強度の欄は，無変調搬送波信号の電界強度を示す。試験装置が試験に用いる搬送波信号は，実
際の妨害を模擬するため，1 kHzの正弦波による80 %振幅変調とする（図1参照）。試験方法の詳細は，箇
条8に示す。
注記1 ここでいう無変調搬送波信号は，CWを意味する。
注記2 製品規格は，代替の変調方法を選んでもよい。デジタル無線電話からのRF放射に対するイ
ミュニティ試験に正弦波変調を使用する背景を，附属書Aに示す。
注記3 試験レベルの選択に関する指針を，附属書Eに示す。
5.1
汎用無線システムからの放射を模擬した試験周波数
試験は，80 MHz〜1 000 MHzの周波数範囲で切れ目なく実施する。
注記 JIS C 61000-4-6でも，放射する電磁エネルギーに対するEUTのイミュニティを確立するための
試験方法を規定している。JIS C 61000-4-6は，80 MHz以下の周波数を範囲としている。製品
規格は，この規格とJIS C 61000-4-6との切換周波数を，80 MHzより低い又はより高い周波数
に選定してもよい（附属書F参照）。
5.2
デジタル無線電話及びその他の意図的RF放射機器からの放射を模擬した試験周波数
試験は，通常800 MHz〜960 MHz及び1.4 GHz〜6.0 GHzの周波数範囲で実施する。
試験のために選択する周波数及び周波数帯は，実際に使用しているデジタル無線電話，及びその他の意
図的RF放射機器によって，限定できる。1.4 GHz〜6.0 GHzまでの周波数範囲全体にわたって，連続して
試験を行うことを意図していない。デジタル無線電話及びその他の意図的RF放射機器が使用している周
波数帯に合わせて，特定の試験レベルを適用してもよい。
さらに，製品が我が国の要求にだけ適合するように作られている場合，1.4 GHz〜6.0 GHzの試験範囲を，
我が国のデジタル携帯電話，及びその他の意図的RF放射機器に割り当てられている特定の周波数帯に合
わせて，狭めてもよい。この場合，狭い周波数範囲で試験したことを試験報告書に記載しなければならな
い。
注記1 周波数範囲1.4 GHz〜6 GHzは，一般にデジタル無線電話に割り当てられている周波数帯であ
る（特定のデジタル無線電話に割り当てられている周波数の一例を，附属書Gに示す。）。
注記2 800 MHzを超える周波数での主な妨害は，デジタル無線電話と同等の電力レベルをもった無
線電話システム，及び他の意図的RF放射機器からの妨害である。この周波数範囲で動作す
るほかのシステム（例えば，2.4 GHz以上の周波数で動作している無線LAN）は，一般に非
常に低電力（一般的には100 mW以下）である。したがって，重大な問題を引き起こす可能
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性は極めて低い。
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試験装置
推奨する試験装置を次に示す。
− 電波無響室 EUTに対し，十分広い電界均一性が得られる大きさとする。電波吸収体が全面に内張り
していない無響室においては，反射を抑制するために吸収体を追加してもよい。
− EMIフィルタ 接続するフィルタラインに余分な共振現象が発生してはならない。
− RF信号発生器 対象の周波数帯の信号を発生でき，1 kHzの正弦波による変調度80 %の振幅変調が
できる。信号発生器は，例えば，周波数，振幅，変調度を手動又はRFシンセサイザで制御する。RF
シンセサイザを用いる場合，周波数に依存するステップサイズ及び滞在時間（Dwell time）をプログラ
ムで設定できなければならない。高調波によって生じる問題を避けるために，低域又は帯域フィルタ
の使用が必要となる場合がある。
− 電力増幅器 信号（無変調信号及び変調信号）を増幅し，必要な電磁界強度となるようにアンテナに
電力を供給する。電力増幅器によって発生した高調波は，UFA内での高調波周波数の電界強度が，基
本周波数の6 dB以下でなければならない（附属書D参照）。
− 電磁界発生アンテナ（附属書B参照） バイコニカル，ログペリオディック，ホーン又は周波数要求
事項を満たすことができるその他の直線偏波アンテナ。
− 等方性電界プローブ 測定する電界強度に対して，十分なイミュニティをもつ前置増幅器及び光−電
気変換器をもつものであって，室外の表示器に光ファイバで接続する。適切にフィルタ処理した信号
リンクを用いてもよい。参考として，附属書Iに，電界プローブの校正方法を示す。
− 電力レベルを記録及び制御する関連装置 要求する電磁界強度を得るために必要な電力レベルを記録
する。試験のときに記録した電力レベルの発生を制御する。関連装置は，十分なイミュニティを確保
できるように注意しなければならない。
6.1
試験設備
試験は，発生する電磁界強度が大きいので，無線通信への干渉を禁止する国内及び国際法に従うために，
シールドルームで実施しなければならない。さらに，データを収集するための試験設備は，イミュニティ
試験中に発生する電磁界に敏感に反応するため，シールドルームは，EUTと試験設備との間の必要な“隔
壁”となる。シールドルームを貫通する相互接続配線は，伝導及び放射雑音を十分に減衰し，かつ，EUT
の信号及び電力応答の正当性が維持されていることを確認しなければならない。
試験設備は，一般的にEUTを設置したときに電磁界強度の制御が十分に行える広さの電波吸収体を内張
りしたシールドルームをもつ。これは，電波無響室又は改良半電波無響室を含む。この例を図2に示す。
シールドルームの前室には，電磁界発生装置，モニタ装置及びEUTを動作させる装置を配置することが望
ましい。
電波無響室は，低い周波数では電波吸収損失効果が低くなる場合があるので，発生する電磁界の均一性
を確保するために特別な注意が必要である。詳細な指針を，参考として，附属書Cに示す。
6.2
電界校正
電界校正の目的は，EUTの周囲の電界均一性が，試験結果の妥当性を得るのに十分であるかどうかを確
認することにある。この規格では，“均一領域（UFA）”という概念（図3参照）を用いる。UFAは，電界
の仮想垂直面であり，この面内の電界の変化は，許容可能な程度に小さくなければならない。電界校正の
共通の手順の中で，このような電界を生成するための試験設備及び試験装置の性能を示す。同時に，イミ
8
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
ュニティ試験に必要な電界強度を設定するためのデータベースが得られる。電界校正は，ケーブルを含む
全ての面をUFAで完全に包含できるEUTに有効である。
電界校正は，図3に示すようにEUTのない状態で実行する。この手順の中で，UFA内の電界強度及び
アンテナに供給する進行波電力の関係を決定する。試験中，要求する進行波電力は，この関係及び目標電
界強度から計算する。校正結果は，試験セットアップを変更なく用いる限り有効である。このため，校正
セットアップ（アンテナ，追加した電波吸収体，ケーブルなど）は，記録する。電磁界発生アンテナ及び
ケーブルの配置を正確に記録することが重要である。小さな場所のずれは，電界に大きな影響を与えるた
め，イミュニティ試験でも同じ位置としなければならない。
全領域の校正は，1年ごとに，かつ，室内構成を変更（吸収体の交換，領域の移動，装置の交換など）
したときに実施することが望ましい。各試験（箇条8参照）の前に，電界校正の有効性を確認しなければ
ならない。
送信アンテナは，UFAが送信電界のビームの内側に入るように十分な距離を離して配置しなければなら
ない。電界プローブは，送信アンテナから1 m以上離さなければならない。送信アンテナとUFAとの距離
は，3 mを推奨する（図3参照）。この寸法は，バイコニカルアンテナの中心，又はログペリオディックア
ンテナ，複合アンテナ，ホーンアンテナ若しくはダブルリッジドウェーブガイドアンテナの先端から測定
する。校正記録及び試験結果は，試験に用いたこの距離情報を示さなければならない。
UFAの大きさは，1.5 m×1.5 m以上とし，UFAの下端は床面から0.8 mの高さとする。ただし，この大
きさより小さい面でもEUT及びこれに附属する配線が十分に照射される場合は，この値より小さくてよい
が，0.5 m×0.5 mより小さくしてはならない。
イミュニティ試験のときは，EUTの照射面がUFA面と一致するように設置する（図5及び図6参照）。
金属大地面の近くで試験するEUT及びケーブルに対する厳しさを確立するために，0.4 mの高さにおいて
も電界強度を記録する。得られたデータは校正記録で報告するが，試験設備の適合性評価とは無関係であ
り，校正データベースには用いない。
半電波無響室では，床面の反射があるので，金属大地面の近傍にUFAを作ることが難しい。その場合は，
金属大地面に吸収体を追加すれば，この問題を解決できる（図2参照）。
UFAは，0.5 m間隔の格子に分割する（1.5 m×1.5 mのUFAの例は，図4参照）。各周波数において，全
ての格子点（測定点）の75 %以上の点において，電界強度が公称値の0 dB〜＋6 dBの範囲内にある場合，
電界は均一とみなす（例えば，16測定点中12点以上が許容値の範囲内にある）。0.5 m×0.5 mの最小UFA
では，格子の4点全てが公称値の0 dB〜＋6 dBの範囲内でなければならない。
注記1 周波数が異なる場合は，許容値の範囲内に入る測定点は異なってもよい。
許容偏差6 dBは，実際の試験設備で最低限達成できるものとみなす。
1 GHzまでの周波数範囲において，次の全ての条件を満足する場合は，0 dB〜＋6 dBの許容範囲を逸脱
してもよい。
− 試験周波数全てにおいて，許容値0 dBを下回らない。
− 試験周波数測定個数の総数のうち，逸脱する個数が3 %以下である。
− 許容偏差は，＋6 dBを超えて＋10 dB未満である。
− 実際の許容範囲を試験報告書に明記する。
疑義がある場合は，0 dB〜＋6 dBの偏差値を優先する。
実際のEUTの面の占める領域が1.5 m×1.5 mより大きい場合，かつ，全面照射のための十分な寸法の
UFAが実現できない場合，EUTの占める領域を連続した複数の部分照射で試験してもよい（表2参照）。
9
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
部分照射は，次のいずれかで行う。
− 校正は，EUTの面が占める全領域を覆うように，放射アンテナの位置を変更した複数のUFAを用い
て行う。試験は，校正したそれぞれのアンテナ位置で行う。
− EUTの全ての面が，1回以上はUFAに入るようにEUTを移動して試験する。
全面照射及び部分照射の概念を表2に示す。
1 GHzを超える周波数で，アンテナのビーム幅が狭いためEUTに全面照射できないときは，第二の代替
試験方法として附属書Hに示す独立ウィンドウ法が利用できる場合がある。
表2−全面照射，部分照射及び独立ウィンドウ法の適用に関するUFA要求事項
周波数範囲
要求事項
EUTがUFA内に完全に収まる場合のUFAの
寸法及び校正の要求事項
（標準的な方法である全面照射）
EUTがUFA内に完全に収まらない場合の
UFAの寸法及び校正の要求事項
（代替法である部分照射及び独立ウィンドウ
法）
1 GHz以下
最小UFA寸法：0.5 m×0.5 m
UFA寸法は，0.5 m格子ステップ（例えば，0.5
m×0.5 m，0.5 m×1.0 m，1.0 m×1.0 mなど）。
電界校正：0.5 m×0.5 m格子ステップ
UFAが0.5 m×0.5 mを超える場合，全校正点
の75 %が0 dB〜＋6 dBの範囲内。
UFAが0.5 m×0.5 mの場合，全ての校正点（4
点）が0 dB〜＋6 dBの範囲内。
部分照射
最小UFA寸法：1.5 m×1.5 m
UFA寸法は，0.5 m格子ステップ（例えば，1.5
m×1.5 m，1.5 m×2.0 m，2.0 m×2.0 mなど）。
電界校正：0.5 m×0.5 m格子ステップ
全校正点の75 %が0 dB〜＋6 dBの範囲内。
1 GHz超
最小UFA寸法：0.5 m×0.5 m
UFA寸法は，0.5 m格子ステップ（例えば，0.5
m×0.5 m，0.5 m×1.0 m，1.0 m×1.0 mなど）。
電界校正：0.5 m×0.5 m格子ステップ
UFAが0.5 m×0.5 mを超える場合，全校正点
の75 %が0 dB〜＋6 dBの範囲内。
UFAが0.5 m×0.5 mの場合，全ての校正点（4
点）が0 dB〜＋6 dBの範囲内。
独立ウィンドウ法
ウィンドウ寸法：0.5 m×0.5 m（附属書H参
照）
電界校正：UFA 0.5 m×0.5 mの全ての校正点
（4点）が0 dB〜＋6 dBの範囲内。
部分照射
1.5 m×1.5 m及びその寸法から0.5 m単位で大
きくしたUFA（例えば，1.5 m×2.0 m，2.0 m
×2.0 mなど）。
電界校正：0.5 m×0.5 m格子ステップ
UFAが0.5 m×0.5 mを超える場合，全校正点
の75 %が0 dB〜＋6 dBの範囲内。
UFAが0.5 m×0.5 mの場合，全ての校正点（4
点）が0 dB〜＋6 dBの範囲内。
一般的に，電界校正は，図7に示す測定系の構成によって，電波無響室で行う。校正は，常に水平及び
垂直の両偏波に対して無変調で次の手順で行う。校正は，電力増幅器が変調信号を飽和しないで増幅可能
なように，EUTに印加する最大電界強度の1.8倍の電界強度に相当する電力を供給して行う。この校正電
界強度をEcとする。Ecは，電界校正時だけに適用する値である。試験に使用する電界強度Etは，Ec/1.8を
超えてはならない。
注記2 “試験に使用する電界強度Etは，Ec/1.8を超えてはならない”は，例えば，Ec＝18 V/mの校
正を実施した場合，Et 10 V/m以下の試験が行えるが，Et 30 V/mの試験は実施できないこと
を意図している。
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
例として，1.5 m×1.5 mのUFA（16格子点）を用いた二つの異なる校正方法を6.2.1及び6.2.2に示す。
これらの方法を適用した場合，同一の電界均一性が得られるとみなす。
6.2.1
電界一定校正法
電界一定校正法を用いる均一電界の測定は，16点に電界プローブを順次設置し，箇条8のような周波数
ステップで進行波電力を調節して行う（図4参照）。
選択した電界強度を得るために必要な進行波電力は，図7に従って測定しなければならない。また，16
点での測定値を単位デシベルミリワット［dB(mW)］で記録する。
水平偏波及び垂直偏波について，次の手順で行う。
a) 電界プローブを，16個の格子点（図4参照）の一つに設置する。信号発生器の周波数を，試験する周
波数の最低値にする（例 80 MHz）。
b) 測定した電界強度が選択した校正電界強度Ecと等しくなるように電磁界発生アンテナへの進行波電
力を調節し，この進行波電力値を記録する。
c) 周波数を現周波数の1 %分増やす。
d) b) 及びc) を繰り返し，周波数が試験周波数範囲を超えた時点でステップを終了する。最終的に，最
高周波数（例 1 GHz）において，b) によって測定する。
e) a)〜d) を格子の各点で繰り返す。各周波数において，次の手順によって均一かどうかの判定を行う。
f)
16個の進行波電力の数値を，小さい方から昇順に並べ替える。
g) 16番目の値を基準として，11個以上の数値が−6 dB〜0 dBの許容範囲内かどうかを検証する。
h) −6 dB〜0 dBの許容範囲内に入っていない場合，次に大きい読取値を基準として検証を繰り返す。各
周波数において，この手順を5回まで繰り返してもよい。
i)
6 dB以内の数値が12個以上になった時点でこの手順を停止し，数値列から最大の進行波電力を記録
する。
j)
上記の一連の作業が終了したのち，試験システム（例えば，電力増幅器）が飽和していないことを確
認する。EcをEtの1.8倍とし，各校正周波数で次の手順を行う。
1) 上記の手順の中で決定した進行波電力Pcを得るために必要なレベルから5.1 dB，信号発生器の出力
を減じる（−5.1 dBは，Ec/1.8と同じとなる。）。
2) アンテナに供給する新しい進行波電力を記録する。
3) Pcから手順j) 2) で測定した進行波電力を減算する。その値（差）が3.1 dB〜5.1 dBの場合，増幅器
は飽和しておらず，試験に十分な試験システムである。その値が3.1 dBより少ない場合，増幅器の
飽和を示しており，試験に使用できない。ただし，一部の電力増幅器では，飽和とは異なる現象で
5.1 dBを超える場合がある。このような増幅器では，5.1 dBを超えてもよい。
注記1 ある周波数における，EcとEtとの比をR (dB) とし，R＝20 log (Ec/Et) とする。この結果，試
験電力は，Pt＝Pc−R (dB) となる。Ec及びPcは校正時，Et及びPtは試験時を表す。電界は，
箇条8に従って変調する。
校正例の詳細を，参考としてD.4.1に記載する。
注記2 各周波数で，電力増幅器が飽和しないことを確認する。これは，増幅器の1 dB圧縮点を確認
することで可能である。試験に使用するアンテナのインピーダンスが50 Ωではない場合，増
幅器の1 dB圧縮点を50 Ω終端することによって検証する。試験システムの飽和は，上記手
順j) に記載の2 dB圧縮点を確認することによって，保証する（詳細は，附属書Dを参照）。
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6.2.2
電力一定校正法
電力一定校正法を用いる均一電界強度の測定は，16点に電界プローブを順次設置し，箇条8のような周
波数ステップで進行波電力を調節して行う（図4参照）。
最初の位置での電界強度を得るために必要な進行波電力は，図7に従って測定及び記録する。同じ進行
波電力を全16点の測定に用いる。この進行波電力によって得られる電界を全16点で記録する。
水平偏波及び垂直偏波について，次の手順で行う。
a) 電界プローブを，16個の格子点（図4参照）の一つに設置する。信号発生器の周波数を試験する周波
数の最低値にする（例 80 MHz）。
b) 得られる電界強度がEc（試験電界は変調されることを考慮）と等しくなるように電磁界発生アンテナ
への進行波電力を供給する。この進行波電力値及び電界強度の読取値を記録する。
c) 周波数を現周波数の1 %分増やす。
d) b) 及びc) を繰り返し，周波数が試験周波数範囲を超えた時点でステップを終了する。最終的に，最
高周波数（例 1 GHz）において，b) によって測定する。
e) 電界プローブをほかの格子位置に移動する。a)〜d) について，各周波数において，その周波数のb) で
記録した進行波電力を供給して，電界強度の読取値を記録する。
f)
e) を格子の各点で繰り返す。
各周波数において，次の手順を用いて均一性の判定を行う。
g) 16個の電界強度の数値を小さい方から昇順に並べ替える。
h) 一つの電界強度を基準として選択し，ほかの全ての点について，この基準からの偏差をデシベル（dB）
で計算する。
i)
1番目の値を基準として，11個以上の数値が0 dB〜6 dBの許容範囲内かどうかを検証する。
j)
0 dB〜6 dBの許容範囲内に入っていない場合，次に小さい読取値を基準として検証を繰り返す。各周
波数において，この手順を5回まで繰り返してもよい。
k) 6 dB以内の数値が12個以上になった時点でこの手順を停止し，最小電界強度を得た位置を基準位置
とする。
l)
基準位置で所定の電界強度を生成するために必要な進行波電力を計算する。
m) 上記の一連の作業が終了したのち，試験システム（例えば，電力増幅器）が飽和していないことを確
認する。EcをEtの1.8倍とし，各校正周波数で次の手順を行う。
1) 上記の手順の中で決定する進行波電力Pcを設定するために必要とするレベルから5.1 dB，信号発生
器の出力を減じる（−5.1 dBは，Ec/1.8と同じとなる。）。
2) アンテナに供給する新しい進行波電力を記録する。
3) Pcからm) 2) で測定した進行波電力を減算する。その値（差）が3.1 dB〜5.1 dBの場合，増幅器は
飽和しておらず，試験に十分な試験システムとなる。その値が3.1 dBより少ない場合，増幅器の飽
和を示しており，試験に使用できない。ただし，一部の電力増幅器では，飽和とは異なる現象で5.1
dBを超える場合がある。このような増幅器では，5.1 dBを超えてもよい。
注記1 ある周波数における，EcとEtとの比をR (dB) とし，R＝20 log (Ec/Et) とする。この結果，試
験電力は，Pt＝Pc−R (dB) となる。Pcは校正時，Ptは試験時を表す。電界は，箇条8に従っ
て変調する。
校正例の詳細を，参考としてD.4.2に記載する。
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注記2 各周波数で，電力増幅器が飽和しないことを確認する。これは，増幅器の1 dB圧縮点を確認
することで可能である。試験に使用するアンテナのインピーダンスが50 Ωではない場合，増
幅器の1 dB圧縮点を50 Ω終端することによって検証する。試験システムの飽和は，上記手
順m) で規定の2 dB圧縮点を確認することによって保証する（詳細は，附属書Dを参照）。
7
試験セットアップ
EUTは，実際の設置にできるだけ近い状態に配置して，試験を行う。製造業者の推奨する手順に従って
配線し，特に指定がない場合，装置は，全てのカバー及びアクセスパネルを取り付けた状態できょう体に
入れる。
パネル，ラック又はキャビネットにEUTを取り付けるように設計している場合は，その配置で試験を行
う。
金属のグラウンド面は，必要としない。EUTに支持体が必要な場合，支持体は，非金属で非導電性の材
料で構成する。硬質ポリスチレンなどの低い誘電率をもつ材料を推奨する。
なお，EUTのきょう体及びケースの接地は，製造業者が推奨する接地方法に従う。
床置形装置及び卓上形装置で構成したEUTの場合は，相互の正しい位置関係を維持する。
代表的なEUTのセットアップを，図5及び図6に示す。
注記1 非導電性の支持体を用いることによって，偶発的なEUTの接地及び電磁界の乱れを防止でき
る。電磁界の乱れを確実に防止するためには，絶縁塗装した金属構造物の支持体ではなく，
材質全てが非導電性であることが望ましい。
注記2 より高い周波数（1 GHzを超える）において，木又はガラス繊維強化プラスチックでは反射
が発生することがある。したがって，電磁界の乱れを防止し，電磁界の均一性低下を防止す
るために，硬質ポリスチレンなどの低い誘電率をもつ材料を使用することが望ましい。
7.1
卓上形装置の配置
EUTは，試験室内の高さ0.8 mの非導電性のテーブル上に設置する。
EUTは，関連する設置説明書に従って，電源線及び信号線に接続する。
7.2
床置形装置の配置
EUTは，高さ0.05 m〜0.15 mの非導電性支持体上に設置することが望ましい。偶発的なEUTの接地及
び電磁界の乱れを防止するために，非導電性の支持体を用いる。電磁界の乱れを確実に防止するために，
絶縁塗装した金属構造物の支持体ではなく，材質全てが非導電性の支持体とする。例えば，EUTがあまり
大きくも重くもなく，かつ，テーブル上に設置しても安全性からみて問題がない床置形装置の場合は，高
さ0.8 mの非導電性のテーブル上に設置して試験してもよい。ただし，標準的な試験方法からの変更点に
ついては，試験報告書に記載する。
注記 0.05 m〜0.15 mの支持体として非導電性キャスタを使用してもよい。
EUTは，関連する設置説明書に従って，電源線及び信号線を接続する。
7.3
配線の処理
ケーブルは，EUT製造業者の設置説明書に従ってEUTに接続し，試験室に配置し，できる限り典型的
な設置及び使用状態を模擬する。
製造業者が指定する接続線及びコネクタを用いる。EUTの接続線を指定していない場合は，非シールド
平行線を用いる。
製造業者が配線長を3 m以下に指定している場合は，指定の配線長を用いる。指定の配線長が3 mを超
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えるか，又は指定していない場合は，使用する配線長は，代表的な設置方法を参照して選択する。可能な
場合，配線のうち1 m以上を電磁界にさらす。EUTのユニットを相互接続するケーブルの余分な長さは，
インダクタンスが小さくなるように，ケーブルの中間位置付近で，30 cm〜40 cmの長さにして束ねる。
製品規格で余分な長さのケーブルに減結合方法が必要と規定する場合（例えば，試験領域に放置したケ
ーブル）は，EUTの動作を損なわないような減結合方法を用いる。
7.4
人体装着形装置の配置
人体装着形装置（3.13参照）は，卓上形装置と同じ方法で試験してもよい。ただし，この方法では人体
の特性を考慮していないため，過大評価又は過小評価となる場合もある。したがって，製品規格で，適切
な誘電特性をもつ人体模擬装置の使用を規定することを推奨する。
8
試験手順
試験手順には，次の項目を含まなければならない。
a) 試験室の基準条件の立証
b) EUTの正しい操作の予備立証
c) 試験の実施
d) 試験結果の評価
8.1
試験室の基準条件
周囲環境のパラメータが試験結果に与える影響を最小限にするために，試験は，8.1.1及び8.1.2で規定
する気象条件及び電磁環境条件で行う。
8.1.1
気象条件
共通規格，製品群規格又は製品規格で規定がない限り，試験室の気象条件は，全て，EUT及び試験装置
の動作に関して，それぞれの製造業者が指定する限度内でなければならない。
EUT又は試験装置に結露が生じるほど相対湿度が高い場合には，試験を行ってはならない。
8.1.2
電磁環境条件
試験室の電磁環境条件は，試験結果に影響を与えないようにEUTの正確な動作を保証しなければならな
い。
8.2
試験の実施
試験は，技術仕様書に指定したEUTの動作の立証を含む試験計画に基づいて実施する。
EUTの試験は，通常の動作状態で行う。
試験計画には，次を明記する。
a) EUTの寸法
b) EUTの代表的な動作条件
c) EUTが卓上形，床置形又はこれらの組合せのいずれか
d) EUTが床置形装置の場合，支持体の高さ
e) 用いる試験設備の種類及び放射アンテナの位置
f)
用いるアンテナの種類
g) 周波数範囲，滞在時間及び周波数ステップ
h) UFAの寸法及び形状
i)
部分照射の使用の有無
j)
適用する試験レベル
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k) 用いる相互接続線及びそれを接続する（EUTの）インタフェースポートの種類及び数
l)
許容できる性能基準
m) EUTが動作する方式の説明
この箇条で規定する試験手順は，箇条6で規定したように，電界を発生させるアンテナを用いる試験法
である。
試験設備が正常に動作しているかどうかを確認するために，試験の前に立証試験を実施することが望ま
しい。
校正後，校正で得た値を用いて試験電界を発生する（6.2参照）。
最初に，EUTのある面を校正面に一致させて設置する。部分照射を利用しない限り，EUT面はUFAに
一致させなければならない。部分照射の使用及び電界校正に関しては，6.2を参照する。
対象とする周波数範囲にわたって，5.1及び5.2に従って変調した信号を掃引する。RF信号レベルを調
節する場合，又は必要に応じて発振器及びアンテナを切り替える場合には，掃引を中断する。周波数を増
加して掃引する場合，周波数ステップの大きさは，前の周波数の1 %以下とする。
各周波数での振幅変調搬送波の滞在時間は，EUTが動作し，反応するのに必要な時間以上とする。ただ
し，いかなる場合も0.5秒間以上とする。製品規格が，影響を受けやすい周波数（例 クロック周波数）
についての試験を個別に要求している場合，その要求事項に従って試験する。
試験は，EUTのそれぞれの面に対して，電磁界発生アンテナを用いて行う。機器を異なる向き（例えば，
垂直又は水平）で用いる場合，全ての面を照射して試験を行う。技術的に正当化される場合は，より少な
い面を電磁界発生アンテナで照射して試験してもよい。その一方では，例えば，EUTの種類及び寸法，又
は試験周波数によって，5方向以上照射することが必要な場合がある。
注記1 実際のEUTの電磁波放射パターンは，きょう体の大きさ及び形状とは異なる“電気的サイズ”
に依存する。この電気的サイズが変化すると，EUTの電磁波放射パターンも複雑になる。こ
の電磁波放射パターンの複雑さが，イミュニティ試験における試験面の数を決定するための
試験計画に影響してくる。
注記2 複数の装置で構成したEUTの場合，別の方向から電磁波を照射する度に，個々のEUTの位
置を変更する必要はない。
電磁界発生アンテナから垂直偏波及び水平偏波の電界を発生するために，各面に対してアンテナを垂直
及び水平に設置して試験を行う必要がある。
イミュニティ試験に対して影響の大きい動作モードを事前に選択し，試験中には，その全てを試みなけ
ればならない。特別な動作試験プログラムの使用を推奨する。
9
試験結果の評価
試験結果は，EUTの機能損失又は性能低下の観点から，その装置の製造業者若しくは試験の依頼者が定
義した，又は製品の製造業者と購入者との間の協定で合意した性能レベルと比較して分類する。推奨する
分類を，次に示す。
a) 製造業者，試験の依頼者又は購入者が指定する仕様限度内の正常な性能。
b) 妨害がなくなった後に消滅する一時的な機能損失又は性能低下。操作者が介在することなくEUTが正
常な性能に自己復帰する。
c) 操作者の介在が必要な，一時的な機能損失又は性能低下。
d) ハードウェア又はソフトウェアの破壊による修復不可能な機能損失若しくは性能低下，又はデータの
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損失。
EUTへの影響のうち，重要ではないとみなされ，かつ，許容できる影響を，製造業者の仕様書に指定し
てもよい。
この分類は，共通規格，製品規格及び製品群規格の原案作成委員会で性能基準を規定するときの指針と
して，又は適切な共通規格，製品規格及び製品群規格が存在しない場合に製造業者と購入者との間で，性
能基準に対する合意を行うための枠組みとして用いてもよい。
10 試験報告書
試験報告書は，試験を再現するために必要な全ての情報を含む。特に次の事項を記載する。
− 箇条8で要求する試験計画によって規定する項目
− EUT及び関連装置の識別表示。例えば，商標，製品形式，製造番号
− 試験装置の識別表示。例えば，商標，製品形式，製造番号
− 試験を行った特別な環境条件
− 試験を行うために必要な特別な条件
− 製造業者と試験の依頼者又は購入者との間で指定する性能レベル
− 共通規格，製品規格又は製品群規格で規定する性能基準
− 妨害の印加中又は印加後に観測したEUTへの全ての影響，及びこれらの影響が持続した期間
− 合否判定の根拠（共通規格，製品規格若しくは製品群規格で規定する性能基準，又は製造業者と購入
者との間で合意した性能基準に基づく。）
− 装置の取扱いにおける特定の条件。例えば，適合性を達成するために必要なケーブルの長さ，形式，
遮蔽若しくは接地，又はEUTの動作条件。
− ケーブル配置及び機器の位置及び向きの完全な記述を，試験報告書の中に含めなければならない。場
合によって，写真で十分な場合もある。
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3
2
1
0
‒1
‒2
‒3
3
2
1
0
‒1
‒2
‒3
Vp-p
Vrms
Vrms
Vmaximum rms
Vp-p
a)
無変調無線周波(RF)信号
Vp-p = 2.8 V
Vrms = 1.0 V
b)
80 %振幅変調無線周波（RF）信号
Vp-p = 5.1 V
Vrms = 1.15 V
Vmaximum rms = 1.8 V
電
圧
電
圧
図1−試験レベル1における信号発生器出力波形の例
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C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
電磁界発生アンテナ
入力電源フィルタ
高さ0.8 mの非
導電性支持体
UFA
半電波無響室の場合に，床か
らの反射を減少させるために
追加する吸収体
3 m
シールドルーム貫通ケーブル
電磁界発生装置
EUT動作用
対向装置a)
相互接続フィ
ルタ
0.8 m
EUT
注記 壁面及び天井の吸収体は，分かりやすくするために省略している。
注a) 図中の“EUT動作用対向装置”とは， EUTの機能を正常に動作させるために必要な，試験対象外の装置であ
る。例えば，相互通信のために必要な装置であり，通常，これらの装置は遮蔽した試験室の外に設置する。
図2−適切な試験設備の例
18
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
電磁界発生アンテナ
半電波無響室の場合に床からの
電波の反射を減少させるために
追加する吸収体
電界プローブ
UFA
電波無響室の壁
0.8 m
3 m
光ファイバ又はフィルタを
経由した信号線
図3−UFAの校正
19
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
電界プローブの位置
(等間隔)
0.5 m
1.5 m
0.5 m
0.8 m
1.5 m
床面
UFA
図4−UFAの寸法
20
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
UFA
非導電性テーブル
0.8 m
電源ケーブル
電波無響室の壁を通過するとき
の遮蔽信号ケーブル接続
電波無響室の壁
遮蔽した信号ケ
ーブル
非導電性支持体
半電波無響室の場合に床からの
電波の反射を減少させるために
追加する吸収体
0.05 m
〜
0.15 m
EUT
EUT
注記 壁及び天井の吸収体は，分かりやすくするために省略している。
図5−床置形装置の試験セットアップ例
21
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
UFA
非導電性テーブル
3 m未満のケーブル配線は， 1 mにな
るように無誘導的に束ねる
3 mを超える配線又は特に
指定しない場合は，1 m以
上は電磁界にさらす。
1 m未満の配線は，そのま
まにする。
半電波無響室の場合に床からの電
波の反射を減少させるために追加
する吸収体
電磁界発生
アンテナ
0.8 m
EUT
EUT
図6−卓上形装置の試験セットアップ例
電波無響室
電磁界発生アンテナ
電界プローブ
信号発生器
制御装置
（例えばパーソナルコン
ピュータ）
電界強度計
光ファイバ
電力増幅器
方向性結合器
電力計
注記 電力増幅器と電磁界発生アンテナとの間に挿入する方向性結合器及び電力計は，進行波電力計又は進行波モニ
タに置き換えてもよい。
図7−測定系の構成
22
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書A
（参考）
デジタル無線電話からのRF放射を模擬するために，イミュニティ試験に
正弦波による振幅変調方式を選択した根拠
A.1 検討した変調方式の概要
800 MHzを超える周波数における主なRF放射の発生源は，非定包絡線変調のデジタル無線電話である。
この規格の作成に当たっては，その電磁界を模擬するものとして，次の変調方式を検討した。
a) 1 kHzの正弦波による80 %振幅変調。
b) 繰返し周波数200 Hzのデューティサイクル1：2，方形波による100 %振幅変調。
c) 個々のシステムの特性を近似的に模擬したパルス変調したRF信号。例えばGSMに対しては，繰返し
周波数200 Hz，デューティサイクル1：8の方形波，DECT端末に対しては，繰返し周波数100 Hzの
デューティサイクル1：24など（GSM及びDECTの定義は，附属書Gを参照。）。
d) 個々のシステムの特性を正確に模擬し，パルス変調したRF信号。例えばGSMに対しては，繰返し周
波数200 Hzの1：8デューティサイクルに，不連続送信モード（2 Hzの変調周波数），多重フレーム
効果（8 Hzの周波数成分）などの副次的な変調を加えた変調方式。
個々のシステムの特長を，表A.1に示す。
表A.1−変調方式の比較
変調方式
利点
問題点，欠点
正弦波
振幅変調
− 実験では，最大RMSレベルが同じ場合，様々
なタイプの非定包絡線変調方式と妨害との影響
が良好な関係を示す場合がある。
− TDMAパルスの立上り時間を規定（及び測定）
する必要がない。
− この規格及びJIS C 61000-4-6で規定している。
− 電界発生器及びモニタ装置の入手が容易であ
る。
− アナログ音声装置では，EUTの復調による狭帯
域レベルメータで測定できる可聴周波応答が発
生する。その結果，バックグラウンドノイズの
発生を低減できる。
− 低い周波数で，（例えば，FM，位相変調，パル
ス変調などの）他のタイプの変調方式の影響の
模擬が有効であることが，既に示されている。
− TDMAを模擬しない。
− 装置によっては，少し過剰な試験とな
る。
− 故障メカニズムを見逃すことがある。
方形波
振幅変調
− TDMAを模擬する。
− 一般に適用できる。
− （RF包絡線の大きな変化速度に敏感な）未知の
機能障害の仕組みが，明らかになる可能性があ
る。
− TDMAを正確に模擬しない。
− 標準的でない発生信号器の装置が必要。
− EUTでの復調によって広帯域の可聴周
波応答が発生する。この可聴周波応答
は，広帯域のレベルメータで測定しなけ
ればならないため，バックグラウンドノ
イズが増大する。
− 立上り時間の規定が必要。
23
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
表A.1−変調方式の比較（続き）
変調方式
利点
問題点，欠点
パルスRF
− TDMAを良好に模擬する。
− （RF包絡線の大きな変化速度に敏感な）未知の
機能障害の仕組みが，明らかになる可能性があ
る。
− 規格で要求しない信号発生装置が必要。
− 様々なシステム（例えば，GSM，DECT
など）に適合するために，変調の細部を
変更する必要がある。
− EUTでの復調によって，広帯域の可聴周
波応答が発生する。この可聴周波応答
は，広帯域のレベルメータで測定しなけ
ればならないため，バックグラウンドノ
イズが増大する。
− 立上り時間の規定が必要。
A.2 実験結果
妨害信号として用いる変調方式，及びそれによって生じる干渉との間の相関性を評価するに当たり，一
連の実験を行った。
調査対象とした変調方式は，次のとおりである。
a) 1 kHzの正弦波による80 %の振幅変調
b) GSMを模擬したパルス変調，繰返し周波数200 Hzでデューティサイクル1：8
c) DECTを模擬するパルス変調，繰返し周波数100 Hzでデューティサイクル1：2（基地局）
d) DECTを模擬するパルス変調，繰返し周波数100 Hzでデューティサイクル1：24（端末）
それぞれの場合について，DECTを模擬する変調だけを用いる。
表A.2及び表A.3に，結果を示す。
表A.2−相対妨害レベルa)
変調方式b)
1 kHzの正弦波による
80 %の振幅変調
GSMを模擬するパル
ス変調，200 Hzでデュ
ーティサイクル1：8
DECTを模擬するパル
ス変調，100 Hzでデュ
ーティサイクル1：24
装置
可聴周波数応答
dB
dB
dB
補聴器c)
重みなし
21 Hz〜21 kHz
0 d)
0
−3
A-特性
0
−4
−7
アナログ式電話e)
重みなし
0 d)
−3
−7
A-特性
−1
−6
−8
無線装置f)
重みなし
0 d)
＋1
−2
A-特性
−1
−3
−7
注a) 妨害波への可聴周波数応答は，妨害レベルである。低い妨害レベルは，高いイミュニティレベルを示す。
b) 妨害信号（ばく露）の最大RMS値（箇条3参照）が全ての変調を通して同じになるように，搬送波の振幅を
調整することが重要である。
c) 900 MHzの入射する電磁界を対象とする。DECTを模擬する変調のデューティサイクルは1：24ではなく，1：
2である。可聴周波数応答は，0.5 m長のPVC（ビニル）線チューブを経由して接続した人工耳で測定する可
聴音声周波数出力である。
d) この状態を可聴周波数応答の基準，すなわち，0 dBとする。
e) 電話線に重畳する900 MHzのRF電流を対象とする。可聴応答は，電話線上で測定する可聴周波数電圧であ
る。
f) 電源線に重畳する900 MHzのRF電流を対象とする。可聴応答は，マイクロフォンで測定するスピーカから
の可聴出力である。
24
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
表A.3−相対的なイミュニティレベルa)
変調方式b)
1 kHzの正弦波
による
80 %の振幅変調
dB
GSMを模擬する
パルス変調，
200 Hzでデューティ
サイクル1：8
dB
DECTを模擬する
パルス変調，
100 Hzでデューティ
サイクル1：24
dB
装置
応答
テレビ受像機c)
確認可能な妨害
0 d)
−2
−2
強い妨害
＋4
＋1
＋2
画面の消失
〜＋19
＋18
＋19
RS232インタフェ
ースをもつデータ
端末e)
映像画面への干渉縞
0 d)
0
−
データエラー
＞＋16
＞＋16
−
RS232モデムf)
データエラー
（電話インタフェース
に重畳時）
0 d)
0
0
データエラー
（RS232インタフェー
スに重畳時）
＞＋9
＞＋9
＞＋9
実験室用定電圧電
流源g)
DC出力電流で2 %エ
ラー
0 d)
＋3
＋7
SDHクロスコネ
クトh)
ビットエラーのしきい
値
0 d)
0
−
注a) 表中の数値は，各変調方式で同じ障害を起こすのに必要な（ばく露）妨害信号の最大RMS値（箇条3参
照）の相対測定値である。高いデシベル（dB）値は，高いイミュニティを示す。
b) 妨害信号は，各変調方式で同じ反応（障害）を起こすように調整してある。
c) 900 MHzのRF電流を電源ケーブルに重畳し，画面に現れる妨害の程度で判定を行う。干渉パターンは状
況によって異なるため，評価はどちらかといえば主観的である。
d) この状態をイミュニティレベルの基準，すなわち，0 dBとする。
e) RS232ケーブルに重畳する900 MHzのRF電流を対象とする。
f) 通信ケーブル又はRS232ケーブルに重畳する900 MHzのRF電流を対象とする。
g) DC出力ケーブルに重畳する900 MHzのRF電流を対象とする。
h) SDH＝synchronous digital hierarchy（同期デジタル階層）。935 MHzの電磁界を入射する。
次のデジタル装置に対して，正弦波振幅変調及びパルス変調（デューティサイクル1：2）で電磁界強度
最大30 V/mまでの試験を行う。
− マイクロプロセッサ制御のハンドドライヤ
− 75 Ω同軸ケーブルを接続している2 Mb（メガビット）モデム
− 120 Ωツイストペアケーブルが接続されている2 Mb（メガビット）モデム
− マイクロプロセッサ，ビデオディスプレイ及びRS485インタフェースをもつ工業用コントローラ
− マイクロプロセッサをもつ列車表示システム
− モデム出力をもつクレジットカード端末
− デジタルマルチプレクサ2/34 Mb（メガビット）
− イーサネットリピータ［10 Mb/s（メガビット／秒）］
全ての機能障害は，装置のアナログ機能に起因する。
25
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
A.3 副次的変調の影響
デジタル無線電話システムの中で用いる変調を正確に模擬しようとする場合，主変調を模擬するだけで
なく，現れることのある副次的変調の影響を考慮することが重要である。
例えば，GSM及びDCS 1800は，120 msごとのバーストの抑止によって引き起こされる多重フレームの
影響がある（これによって，約8 Hzの周波数成分が発生する。）。さらに，オプションの断続送信（DTX）
モードによる，2 Hzの変調が追加されることがある。
A.4 結論
実験結果では，試験した項目においては，用いる変調方式とは無関係に妨害に応答していることが見ら
れる。異なる変調の影響を比較する場合，用いる妨害信号は，最大RMSレベルを同じにすることが重要
である。
様々な種類の変調の影響に関して，著しい相違が存在する場合，正弦波振幅変調（AM）は，常に，最
も厳しい。
正弦波変調とTDMAとで異なる応答を観察する場合でも，製品規格の判定基準を適切に調整することに
よって，製品に特有な相違は修正される可能性はある。
まとめとして，正弦波変調は，次の長所をもつ。
− アナログシステムでの狭帯域検出応答が，バックグラウンドノイズ問題を軽減する。
− 汎用的に適用可能。すなわち，妨害源の振る舞いを模擬しないため。
− 全ての周波数において同じ変調。
− 常に，パルス変調と同等以上に厳しい。
上記の理由によって，この規格では80 %の正弦波振幅変調を標準変調方式とする。ほかの種類の変調を
要求する特別な理由がある場合にだけ，製品委員会は，変調方式を変更してもよい。
26
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書B
（参考）
電磁界発生アンテナ
B.1 バイコニカルアンテナ
このアンテナは，同軸バラン及び三次元の素子で構成され，送受信の両方に使用可能な広い周波数範囲
を備えている。アンテナ係数曲線は，一般に周波数とともに上昇する十分に滑らかな線を描く。
そのコンパクトな大きさによって近接効果が最小になるため，これらのアンテナは，無響室のような限
定された領域での使用に理想的なものとなっている。
B.2 ログペリオディックアンテナ
ログペリオディックアンテナは，伝送線に接続した異なる長さのダイポール素子を配列したアンテナで
ある。
ログぺリオディックアンテナは，広帯域アンテナとしては，比較的高い利得及び低い電圧定在波比
（VSWR）をもつ。
電磁界の発生のためにアンテナを選択する場合，アンテナに利用しているバランが，必要な電力を扱う
ことができるかを，確認することが望ましい。
B.3 ホーンアンテナ及びダブルリッジウェーブガイドアンテナ
ホーンアンテナ及びダブルリッジウェーブガイドアンテナは，直線偏波の電磁界を作る。これらは，一
般的に1 000 MHzを超える周波数で用いる。
27
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書C
（参考）
電波無響室
C.1 電波無響室に関する一般的な情報
半電波無響室は，電波吸収体を壁及び天井に張り付けたシールドルームである。全電波無響室は，床に
も電波吸収体を張り付ける。
この電波吸収体の目的は，RFエネルギーを吸収し，無響室内への反射を防ぐことである。この反射波が
直接波と複雑に干渉して，生成された電界の強度に山と谷を生じさせる。
電波吸収体の反射損失は，一般に入射波の周波数及び垂直面に対する入射角度に依存する。その損失（吸
収）は，通常，垂直入射で最大となり，入射角度が増すとともに減少する。
反射を防ぎ，吸収を高めるために，吸収体の形状は，くさび形又は円すい形をよく用いる。
半電波無響室では，全周波数領域において必要な電界均一性を得るために，電波吸収体を床に追加する
部分的な改造が役立つ。これら追加する吸収体の最適な材質及び位置は，実験によって求める。
追加する吸収体は，アンテナからEUTへの直接波の照射経路に設置せずに，電界強度を校正したときと
同じ場所に同じ向きで配置する。
反射波が全て非対称になるように，電磁界発生アンテナを電波無響室の軸からずらして設置することに
よっても，電界均一性が向上する。
電波無響室は，30 MHzより低い周波数では，あまり効果がないことがある。また，フェライトだけを
張りつめた部屋では，1 GHzを超える周波数では，あまり効果的ではないことがある。最低周波数及び最
高周波数で生成される電磁界の均一性を保証するためには注意を払う必要があり，それを可能とするため
に無響室の改良が必要な場合がある。
C.2 1 GHz以下の周波数で用いるように設計されたフェライトを張った電波無響室を1 GHzを超える周
波数での使用に適用させるための方法
吸収体としてフェライトだけを用いた既存の小形電波無響室は，大部分が1 GHz以下の周波数で用いる
ように設計している。1 GHzを超える周波数では，そのような無響室は，6.2の電界均一性の要求事項を満
たすことは困難か，又は不可能な場合がある。
この附属書では，そのような無響室を，附属書Hに規定した方法を用いて1 GHzを超える周波数での試
験に適用させる手順に関する情報を提供する。
C.2.1 フェライトを張った電波無響室を1 GHzを超える周波数で放射電磁界イミュニティ試験に用いる
ことによって生じる問題点
例えば，フェライトを張った小形電波無響室，又はカーボンを含浸した吸収体及びフェライトを組み合
わせた吸収体を張った小形の電波無響室（代表例：奥行7 m×幅3 m×高さ3 m）では，次のような問題が
起こることがある。
1 GHzを超える周波数では，フェライト板は，通常，吸収体としてよりも，むしろ反射体として働く。
無響室の内壁からの多重反射のため，1 GHzを超える周波数で1.5 m×1.5 mの領域全体で均一な電界を得
るのは，極めて困難である（図C.1参照）。
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C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図C.1−既存の小形電波無響室内の多重反射
携帯電話帯域の周波数では，波長が短い（例えば，1.5 GHzの場合は0.2 m）。このことは，試験結果が
電磁界発生アンテナ及び電界プローブ，又はEUTの位置決めに対して非常に敏感であることを意味する。
C.2.2 可能な解決方法
このような問題を解決するために，次のような手順を推奨する。
a) 後方への電磁界放射を減少させるために，ホーンアンテナ又はダブルリッジウェーブガイドアンテナ
を用いる。同様に，これらのアンテナはビーム幅が狭いため，無響室の側壁からの反射も減少する。
b) 側壁からの反射を最小限にするように，送信アンテナとEUTとの距離を短くする（送信アンテナと
EUTとの距離は，1 mまで小さくできる。）。EUTが均一な電界にさらされていることを保証するため
に，0.5 m×0.5 mの独立ウィンドウ法（附属書H）を用いる。
c) 直接反射を取り除くために，EUTに面している後面の壁に中濃度のカーボン電波吸収体を張り付け
る。こうすることによって，EUTとアンテナとの配置によって試験結果が左右されることも少なくな
る。また，1 GHz未満の周波数における電界均一性も改善されることがある。
注記 高濃度のカーボン電波吸収体を用いた場合は，1 GHz未満の周波数でのUFAの要求事項を満
たすことが困難になることがある。
これらの手順に従った場合，反射波の大部分が抑制される（図C.2参照）。
UFA 1
UFA 2
UFA 3
UFA 1に対応したアンテナ位置
UFA 2に対応したアンテナ位置
UFA 3に対応したアンテナ位置
図C.2−反射波抑制の例
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C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書D
（参考）
電力増幅器のノンリニアリティ及び6.2に従った校正手順例
D.1 電力増幅器のひずみを制限する目的
電界強度の値の不確かさに影響を与えないように，電力増幅器のノンリニアリティを十分に低レベルに
保持することを目的とする。この附属書は，試験所に対して，電力増幅器の飽和の影響を理解するための
指針である。
D.2 高調波及び飽和が原因として考えられる問題点
電力増幅器の過負荷は，次のような結果が生じることがある。
a) 高調波は，電界強度に大きく影響する。
1) 高調波が校正中に生じた場合，広帯域の電界プローブは，基本波及び高調波の両方を測定してしま
うため，意図した周波数の電界強度が不正確に測定される。例えば，第3次高調波が基本波に対し
て15 dB下回っていて，その他の高調波が無視できると仮定し，更に，第3次高調波の周波数での
実質的なアンテナ係数が，基本波の周波数より5 dB低いと仮定する。この場合，基本波の周波数の
電界強度は，第3次高調波の周波数の電界強度に比べて，僅か10 dBだけ大きいことになる。電界
強度の合計が10 V/mと測定された場合，基本波の周波数では，9.5 V/mの寄与となる。これは，電
界プローブの振幅の不確かさに比べて小さいため，許容できる誤差とみなせる。
2) 試験中に著しく高調波が発生している場合，EUTに誤動作が生じても，その誤動作は，目的の周波
数ではなく，高調波で強い耐性をもたないことが原因のときがある。
b) 特別な状態で高調波が非常によく抑えられている場合でも，高調波が測定結果に影響を及ぼすことが
ある。例えば，900 MHzの受信機を試験する場合，300 MHzの信号の高調波が十分微弱に抑えられて
いても，受信機の入力で過負荷になるときがある。似たような現象は，信号発生器が高調波に無関係
な信号（スプリアス）を出力している場合にも起こることがある。
c) 測定できる高調波がない場合にも，飽和が内在することがある。これは，高調波を抑えるためのロー
パスフィルタをもつ電力増幅器で発生する。このような場合にも，誤った結果を導くことがある。
1) 6.2に規定するアルゴリズムでは，電力増幅器がリニアリティをもつことを前提としているため，こ
れが校正中に生じた場合，誤った校正データが得られてしまう。
2) 試験中では，この種の飽和によって誤った変調指数及び変調周波数（通常1 kHz）の高調波が生じ
ることがある。
これらの事例から分かるように，ひずみの影響は，試験するEUTの種類に大きく依存するため，電力増
幅器のひずみに対して，数値的な制限が与えられないことは明らかである。
D.3 電力増幅器ノンリニアリティ制御法
D.3.1 電界の高調波成分の制限
電界の高調波は，電力増幅器の出力端子において，調整可能形，トラッキング形又は同調形ローパスフ
ィルタを用いて制限できる。
30
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
電力増幅器の出力端子に生じた高調波は，D.2 b) における状況を除き，全ての周波数に対して，電界の
基本波と高調波との差が6 dB以上あれば十分である。
これによって，電界強度誤差が10 %に制限される。例えば，広帯域で測定した10 V/mは，基本波9 V/m
及び高調波4.5 V/mから生じる結果である。これは，校正の不確かさの許容範囲にある。
出力端子に固定ローパスフィルタをもつ電力増幅器では，高い方の基本波周波数は，電力増幅器の仕様
上の最高周波数の約1/3となる。
D.3.2 電界の高調波成分の測定
電界の高調波成分は，選択形電界プローブ（周波数選択性電界プローブ）による直接的測定，又は次の
間接的な方法によって得られる。
a) 実効的アンテナ係数（既知の電波無響室及びアンテナ位置における入力電力と電界強度との比）の決
定による測定
b) 方向性結合器によって観測した高調波成分の進行波電力に，アンテナ製造業者が提供するアンテナ係
数を用いて高調波成分の電界強度を求める方法
飽和した電力増幅器の高調波をローパスフィルタで抑制している場合，どのような状況（例えば，変調
時の最悪周波数，最大電界強度）でも電力増幅器の2 dB圧縮点を超えないことが望ましい。2 dB圧縮点
で，電圧振幅は20 %低くなる。これは，80 %変調指数が64 %に低くなること，言い換えると，EUTで検
波した電圧の20 %低減となる。
D.4 二つの校正方法の同等性を示した例
図D.1に電界均一性を測定する16点を示す。16点のそれぞれの間隔は，0.5 mに固定する。
13
14
15
16
9
10
11
12
5
6
7
8
1
2
3
4
0,5 m
0,5 m
図D.1−UFAの測定位置
31
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
D.4.1 電界一定校正法（6.2.1）を用いた校正手順の例
表D.1は，Ec＝6 V/mの一定の電磁界強度を発生させるため，図7の測定配置に従って特定の周波数で
評価したときの進行波電力を示した例である。
表D.1−電界一定校正法によって測定した進行波電力
位置
進行波電力
dBm
1
27
2
22
3
37
4
33
5
31
6
29
7
23
8
27
9
28
10
30
11
30
12
31
13
40
14
30
15
31
16
31
表D.2−昇順に並べた進行波電力及び測定結果の評価
位置
進行波電力
dBm
2
22
7
23
1
27
8
27
9
28
6
29
10
30
11
30
14
30
5
31
12
31
15
31
16
31
4
33
3
37
13
40
32
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
表D.2−昇順に並べた進行波電力及び測定結果の評価（続き）
注記 位置13を基準値とした場合，40−6＝34，34 dBm〜40 dBmに
ある2か所だけ，電力均一範囲内にある。
位置3を基準値とした場合，37−6＝31，31 dBm〜37 dBm
にある6か所だけ，電力均一範囲内にある。
位置4を基準値とした場合，33−6＝27，27 dBm〜33 dBm
にある12か所が，電力均一範囲内にある。
この例では，測定位置2，3，7及び13は0 dB〜6 dB基準範囲外にあるが，この例では少なくとも16点
のうちの12点は基準内にある。したがって，この周波数では，基準を満足している。この場合，適用する
進行波電力は33 dBmである。これによって，12点において，電界強度Ecは最小6 V/m（位置4），最大
12 V/m（位置1及び8）が保証される。
D.4.2 電力一定校正法（6.2.2）を用いた校正手順の例
最初の校正位置として位置1を選択し，ここに目標電界強度Ec（6 V/m）を発生させる。このときの進
行波電力を用いて，位置1に続く位置2から位置16における電界強度を，同一の周波数において表D.3
に示すように記録する。測定時のセットアップは，図7を用いる。
表D.3−電力一定校正法によって測定した進行波電力及び電界強度
位置
進行波電力
dBm
電界強度
V/m
電界強度
位置1の値で
正規化した値
1
27
6.0
0
2
27
10.7
5
3
27
1.9
−10
4
27
3.0
−6
5
27
3.8
−4
6
27
4.8
−2
7
27
9.5
4
8
27
6.0
0
9
27
5.3
−1
10
27
4.2
−1
11
27
4.2
−3
12
27
3.8
−4
13
27
1.3
−13
14
27
4.2
−3
15
27
3.8
−4
16
27
3.8
−4
33
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
表D.4−昇順に並べた電界強度及び測定結果の評価
位置
進行波電力
dBm
電界強度
V/m
電界強度
位置1の値で
正規化した値
13
27
1.3
−13
3
27
1.9
−10
4
27
3.0
−6
5
27
3.8
−4
12
27
3.8
−4
15
27
3.8
−4
16
27
3.8
−4
10
27
4.2
−3
11
27
4.2
−3
14
27
4.2
−3
6
27
4.8
−2
9
27
5.3
−1
1
27
6.0
0
8
27
6.0
0
7
27
9.5
4
2
27
10.7
5
注記 位置13を基準値とした場合，−13＋6＝−7，−13 dB〜−7 dBにあ
る2か所だけ，電界均一範囲内にある。
位置3を基準値とした場合，−10＋6＝−4，−10 dB〜−4 dBに
ある6か所だけ，電界均一範囲内にある。
位置4を基準値とした場合，−6＋6＝0，−6 dB〜0 dBにある12
か所が，電界均一範囲内にある。
この例では，測定位置13，3，7及び2が0 dB〜＋6 dBの基準範囲外にあるが，16点のうちの12点以
上が基準内である。したがって，この周波数では，基準を満足している。この場合には，電界強度Ec＝6 V/m
を得るために印加すべき進行波電力は，27 dBm＋20 log (6 V/m／3 V/m)＝33 dBmである。これによって，
12点において，電界強度Ecは，最小6 V/m（位置4）及び最大12 V/m（位置1及び8）が保証される。
34
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書E
（参考）
製品規格作成委員会に対する試験レベル選択上の指針
E.1 序文
無線送信機の送信電力は，半波長ダイポールを基準とした実効放射電力（ERP）で規定することが多い。
したがって，遠方界で発生する電界強度は，次のダイポールの式(E.1)によって直接得られる。
d
P
k
E=
··········································································· (E.1)
ここに，
E： 電界強度（RMS値）（V/m）
k： 遠方界での自由空間伝搬定数。ここでは7
P： ERP（W）
d： アンテナからの距離（m）
すぐ近くの反射体及び吸収体は，電界強度を変化させる。
送信機のERPが分からない場合，アンテナへの電力を式(E.1)に代入してもよい。その場合，移動無線送
信機については，通常，k＝3の値を適用する。
E.2 一般的な試験レベル
試験レベル及び周波数帯は，EUTを最終設置するときにさらされる電磁放射環境に従って選択する。適
用する試験レベルを選択するとき，誤動作となった結果を考慮することが望ましい。誤動作となった結果
が重要な場合，より高いレベルを検討することが望ましい。
わずか数箇所の場所（顧客）だけに設置するようなEUTの場合は，その地域の無線周波数の発生源を調
査することで，発生し得る電界強度を算出することができる。発生源の出力が分からない場合，当該場所
で実際の電界強度を測定してもよい。
様々な場所で操作する装置に適用する試験レベルを選択する場合には，次の指針を用いてもよい。
箇条5に規定するレベルに関連し，対応するレベルを選択するに当たって，一般的と考えられる指針を
次に示す。
− クラス1：低レベル電磁放射環境。1 km以上離れている地方ラジオ及びテレビ局によって，又は低出
力送受信機によって代表されるレベルである。
− クラス2：中位の電磁放射環境。低出力携帯形トランシーバ（通常，定格1 W以下）を使用する場合で
あるが，装置の近傍での使用には制限がある。典型的な商用環境である。
− クラス3：厳しい電磁放射環境。携帯形トランシーバ（定格2 W以上）を，1 m以上離れて，装置の比
較的近くで使用する場合である。装置に近接して高出力の放送用送信機があり，かつ，ISM
装置が近くにあることもある。典型的な工業環境である。
− クラス4：携帯形トランシーバをEUTの1 m未満で使用する場合である。又は1 m未満の距離で使用
する場合にEUTに重大な障害を与える他の無線発生源も該当する。
− クラスX：Xはオープンレベルで，協議の上，製品規格又は装置仕様に規定する。
E.3 デジタル無線電話からのRF電磁界放射に対する保護に関係する試験レベル
試験レベルは，無線電話機の出力及び放射アンテナとEUTとの間の距離などを考え，予想される電磁界
35
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
に従って選択することが望ましい。通常，移動局は，基地局より潜在的に感受性の高い装置に近い場所に
置かれる傾向にあるため，基地局より厳しい要求になる。
適用する試験レベルを選択するときには，要求されるイミュニティ及び誤動作の結果を確かめるための
コストに留意する必要がある。より高いレベルは，誤動作による影響が大きい場合にだけ選択することが
望ましい。
確率は低いが，選択した試験レベルよりも高いレベルの電磁界にさらされることもある。そのような場
合に許容できない誤動作を避けるために，より高いレベルでの二次試験を実施し，性能低下の見極めが必
要な場合がある（そのときの性能低下は，容認する。）。
表E.1は，試験レベル，性能評価基準，関連する保護距離の例を示している。保護距離とは，規定した
試験レベルで試験を行うとき，許容できるデジタル無線電話との最小距離である。この距離は，式(E.1)で，
k＝7を使用し，試験が正弦波による80 %のAM変調で行われると仮定して，計算できる。
表E.1−試験レベル，それに関係する保護距離及び示唆される性能評価基準の例
試験
レベル
電界強度
V/m
最大電界強度
（RMS値）
V/m
保護距離
性能評価基準a)
2 W GSM
m
8 W GSM
m
1/4 W
DECT
m
例1 b)
例2 c)
1
1
1.8
5.5
11
1.9
−
−
2
3
5.4
1.8
3.7
0.6
箇条9 a)
参照
−
3
10
18
0.6
1.1
〜0.2 d)
箇条9 b)
参照
箇条9 a)
参照
4
30
54
〜0.2 d)
0.4
〜0.1 d)
−
箇条9 b)
参照
注a) 箇条9に従う。
b) 誤動作の結果が問題にならない装置。
c) 誤動作の結果が問題になる装置。
d) これ以下の距離では，式(E.1)に示す遠方界の方程式は正確ではない。
表E.1をまとめるときには，次の項目を考慮した。
− GSMにおいては，今日市場に出ているほとんどの端末はクラス4である（最大ERPは，2W）。実際
に動作中の携帯端末の大多数は，クラス3及びクラス2（最大ERPは，それぞれ5W及び8W）であ
る。GSM端末のERPは，難受信地域を除いて，多くの場合，最大値より低い。
− 屋内での受信可能範囲は，屋外よりも悪い。すなわち，屋内でのERPは，しばしばクラスの最大値を
超える場合がある。このことは，被害を受けるほとんどの装置が屋内に集中するので，EMCの観点か
ら見ると最悪の場合である。
− 附属書Aに記載しているように，装置の個々のイミュニティレベルは，変調波の最大RMS値と良い
相関がある。この理由によって，保護距離を計算するために，式(E.1)では，搬送波電界の代わりに最
大RMS値の電界を用いている。
− 安全動作のために見積る最小距離（保護距離ともいう。）は，式(E.1)を用いてk＝7として計算してお
り，壁，床及び天井からの反射による±6 dB程度の電界強度の統計的な変動を考慮していない。
− 式(E.1)に関連する保護距離は，デジタル無線電話の実効放射電力に依存し，それの動作周波数には依
存しない。
36
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
E.4 固定送信機に対する特別な措置
この附属書の情報によって得られる試験レベルは，定義された設置場所の一般的な値を示したものであ
り，通常の環境では，これを超えることは極めて少ない。例えば，レーダ施設，高出力送信機又は同一建
物内にあるISM装置の近傍では，試験レベルを超える場合がある。このような場合，全ての装置について
そのようなレベルに耐力をもたせるよりも，部屋又は建物を遮蔽し，装置に接続する信号線及び電源線に
フィルタを入れることが望ましい。
37
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書F
（参考）
試験方法の選択
この規格及びJIS C 61000-4-6は，放射電磁エネルギーに対する電気装置及び電子装置のイミュニティに
ついて二つの試験方法を規定している。
一般に，低い周波数においては伝導試験が有効であり，高い周波数については放射試験が有効である。
いずれの規格の試験方法でも，有効な周波数範囲がある。JIS C 61000-4-6で規定する試験方法は，最高
230 MHzまで用いることができる。この規格で規定する試験方法は，最低26 MHzまで用いることができ
る。この附属書の目的は，製品規格作成委員会及び製造業者に，EUTの設計及び形式に基づいて，再現性
を確立するための，最も適切な試験方法を選定するときの指針を提供することにある。
次について考慮することが望ましい。
− EUTの機械的寸法に相当する放射電磁界の波長。
− EUTのきょう体及び配線の相対的な寸法。
− EUTを構成する配線及びきょう体の数。
38
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書G
（参考）
無線通信方式の説明
EMCに関連する無線システムのパラメータ一覧を，表G.1，表G.2及び表G.3に示す。
これらの表に用いる略語及び定義を次に示す。
− CDMA（Code Division Multiple Access，符号分割多元接続） 送信は，擬似ランダム符号を用いて信
号をエンコードし，受信は，その擬似ランダム符号を用いて受信した信号をデコードすることによっ
て多重化する方式。異なる通信チャネルには，それぞれ異なるランダム符号を対応させる。
− CT-2（Cordless Telephone，second generation，第二世代コードレス電話） 欧州の数か国で普及してい
るコードレス電話方式。
− DCS 1800（Digital Cellular System 1800，デジタルセルラシステム1800） 全世界で使用しているセル
ラ移動通信方式。
− DECT（Digital Enhanced Cordless Telecommunications，デジタル拡張コードレス通信） コードレスの
セルラ通信システム，欧州で広く使用。
− DTX（Discontinuous Transmission，断続的な送信） 省電力にするために，送信情報がないときバース
ト繰返し周波数は極端に低くなる。
− ERP（Effective Radiated Power，実効放射電力） 半波長ダイポールを基準とする実効放射電力。
− FDD（Frequency Division Duplex，周波数分割複信） 送信及び受信チャネルに，異なる周波数を割り
当てる多重化方式。
− FDMA（Frequency Division Multiple Access，周波数分割多元接続） それぞれのチャネルに，別個の
周波数帯域を割り当てる多重化方式。
− FHSS（Frequency Hopping Spread Spectrum） 短時間で周波数を切り替えて通信を行うスペクトラム拡
散方式。
− GSM（Global System for Mobile Communications） 全世界で使用しているセルラ移動通信方式。
− HIPERLAN（High performance radio local area network） 高性能無線ローカルエリアネットワーク
（LAN）。
− IMT-2000（International Mobile Telecommunication 2000） 送信データ量及び速度に応じて，使用者が，
高画質のカラービデオイメージを受信可能な第3世代のセルラ電話技術。
− NADC（North American Digital Cellular） 北米で広く使われているデジタルのセルラ移動通信方式。
D-AMPSとしても知られている。
− PDC（Personal Digital Cellular System） 日本で広く用いられているセルラ移動通信方式。
− PHS（Personal Handy Phone System） 日本で広く用いられているコードレスの電話方式。
− RFID（Radio Frequency Identification） 無線機能を利用した識別方式。自動製品識別，追跡，アラー
ムシステム，社員識別，アクセスコントロール，近接センサなどに利用される。
− RTTT（Road Traffic & Transport Telematics，道路交通及び輸送通信） 道路通行料金徴収システム。
− TDMA（Time Division Multiple Access，時分割多元接続） 3.25参照。
− TDD（Time Division Duplex，時分割複信） 送信及び受信チャネルに，別々のタイムスロットを割り
当てる多重化方式。
39
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
表G.1−移動及び携帯端末のパラメータ一覧
パラ
メータ
システム名
GSM
DCS
1800
DECT
CT-2
PDC
PHS
NADC
IMT-2000
TDD
IMT-2000
FDD
送信
周波数
MHz
890〜915
1 710〜
1 784
1 880〜
1 960
864〜868 940〜956
及び
1 429〜
1 453
1 895〜
1 918
825〜845
1 900〜
1 920
1 920〜
1 980
多元
接続法
TDMA
TDMA
TDMA
TDD
FDMA
TDD
TDMA
TDMA
TDD
TDMA
CDMA
TDMA
TDD
CDMA
FDMA
FDD
バースト
繰返し
周波数
217 Hz
217 Hz
100 Hz
500 Hz
50 Hz
200 Hz
50 Hz
連続
連続
デューティ
サイクル
1:8
1:8
1:12，
1:24
又は1:48
1:12
1:3
1:8
1:3
連続
連続
最大ERP
0.8 W，
2 W，
5 W，
8 W又は
20 W
0.25 W，
1 W
又は4 W
0.25 W
10 mW
未満
0.8 W
又は2 W
10 mW
6 W未満
0.25 W
0.25 W
副次的な
変調
2 Hz
(DTX)
及び
0.16 Hz
〜8.3 Hz
（多重フ
レーム）
2 Hz
(DTX)
及び
0.16 Hz
〜8.3 Hz
（多重フ
レーム）
なし
なし
なし
なし
なし
なし
なし
主な使用
地域
全世界
全世界
欧州
欧州
日本
日本
米国
欧州
欧州
及び日本
40
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
表G.2−無線基地局のパラメータ一覧
パラ
メータ
システム名
GSM
DCS
1800
DECT
CT-2
PDC
PHS
NADC
IMT-2000
TDD
IMT-2000
FDD
送信
周波数
MHz
935〜960
1 805〜
1 880
1 880〜
1 960
864〜868 810〜826
及び
1 477〜
1 501
1 895〜
1 918
870〜890
1 900〜
1 920
2 110〜
2 170
多元
接続法
TDMA
TDMA
TDMA
TDD
FDMA
TDD
TDMA
TDMA
TDD
TDMA
CDMA
TDMA
TDD
CDMA
FDMA
FDD
バースト
繰返し
周波数
217 Hz
217 Hz
100 Hz
500 Hz
50 Hz
200 Hz
50 Hz
連続
連続
デューティ
サイクル
1:8〜8:8
1:8〜8:8
1:2
1:2
1:3〜3:3
1:8
1:3〜3:3
連続
連続
最大ERP
2.5 W〜
320 W
0.25 W〜
200 W
0.25 W
0.25 W
1 W〜
96 W
10 mW〜
500 mW
500 W
20 W
20 W
副次的な
変調
2 Hz
(DTX)
及び
0.16 Hz
〜8.3 Hz
（多重フ
レーム）
2 Hz
(DTX)
及び
0.16 Hz
〜8.3 Hz
（多重フ
レーム）
なし
なし
なし
なし
なし
なし
なし
主な使用
地域
全世界
全世界
欧州
欧州
日本
日本
米国
欧州
欧州
及び日本
表G.3−他のRFデバイスのパラメータ一覧
パラメータ
システム名
RFID
RTTT
広帯域データ送信システム及びHIPERLAN
非特定短距離
通信装置
送信周波数
MHz
2 446〜2 454
5 795〜5 815
2 400〜2 483.5
5 150〜5 350
5 470〜5 725
2 400〜2 483.5
5 725〜5 875
変調方法
500 mW以上
の場合は
FHSSa)
なし
FHSS
なし
なし
なし
最大ERP
500 mW又は
4 W
2 W又は8 W
100 mW，か
つ，スペクト
ル電力密度制
限による。
200 mW
1 W
10 mW又は25
mW
デューティ
サイクル
最大ERPが
4 Wのとき
200 ms周期内
の15 %未満。
制限なし
制限なし
制限なし
制限なし
制限なし
チャネル間隔
なし
5 MHz又は
10 MHz
なし
なし
なし
なし
主な使用地域
全世界
全世界
全世界
全世界
全世界
全世界
注a) FHSS (Frequency Hopping Spread Spectrum) ：短時間で周波数を切り替えて通信を行うスペクトラム拡散方式
41
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書H
（規定）
1 GHzを超える周波数での代替照射法（独立ウィンドウ法）
H.1 序文
周波数1 GHzを超える周波数帯域で独立ウィンドウ法を用いる試験（例えば，携帯電話周波数帯）の場
合は，試験距離1 mを適用する。この場合，電界均一性の確認も1 mの距離で評価する。
注記1 試験距離を3 mとし，ビーム幅の狭いアンテナ又はフェライトを張った電波無響室を用いて
周波数1 GHz以上の試験を行う場合，1.5 m×1.5 mのUFA領域全体を満足することは難しい
ことがある。
1 GHzを超える周波数における代替照射法では，校正領域を適切な0.5 m×0.5 mのウィンドウに分割す
る。これによって，EUTの面を含む全ての領域を網羅することができる［図H.1 a) 及び図H.1 b) 参照］。
電界均一性は，それぞれのウィンドウ（図H.2参照）について，次に示す手順で個別に確認する。電磁界
発生アンテナは，校正領域から1 m離して設置する。
注記2 ケーブルの長さ及びその配置は，このような高い周波数（1 GHz以上）ではあまり影響がな
いので，EUTの面を含む領域が，校正領域の大きさを決定する要素となる。
H.2 電界の校正
それぞれのウィンドウに対し，次の手順を行う。
a) 電界プローブを，ウィンドウの四つの測定点の一つに設置する。
b) 得られる電界強度が3 V/m〜10 V/mの範囲内となるように，全周波数範囲にわたって，測定開始周波
数（次ステップ以降は，前の周波数）の1 %の周波数ステップで進行波電力を電磁界発生アンテナに
印加し，両方の値（電力及び電界強度）を記録する。
c) 同じ進行波電力で，残りの三つの測定点の電界強度を測定し，記録する。四つの全ての測定点の電界
強度は，0 dB〜6 dBの範囲内になければならない。
d) 基準として，最小電界強度の場所を求める（これは，0 dB〜＋6 dBの要求への適合を保証する。）。
e) 進行波電力及び電界強度が分かった場合，求める試験電界強度を得るのに必要な進行波電力が計算で
きる（例えば，ある測定点で80 Wが9 V/mを与えるとき，3 V/mを得るには8.9 Wが必要である。）。
これを記録する。
f)
a) からe) の手順を，水平及び垂直偏波について繰り返す。
試験を行うときには，電界均一性の確認に用いたアンテナ及びケーブルを用いる。したがって，ケーブ
ル損失及び電磁界発生アンテナのアンテナ係数は，考慮する必要はない。
電磁界発生アンテナ及びケーブルの位置は，可能な限り正確に記録する。ごく僅かな位置のずれが電界
に大きく影響するので，同一の位置で試験を行う。
試験中は，どの周波数においても，e) で決定した進行波電力を，電磁界発生アンテナに印加する。規定
するウィンドウに電磁波を順番に照射するため，電磁界発生アンテナの位置を変えて，試験を繰り返す（図
H.1及び図H.2参照）。
42
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
0,5 m
0,5 m
0,5 m
0,8 m
電波無響室の床
ウィンドウ7
0,5 m
0,5 m
0,5 m
ウィンドウ1
ウィンドウ3
ウィンドウ4 ウィンドウ5 ウィンドウ6
ウィンドウ8 ウィンドウ9
ウィンドウ2
ウィンドウの概念
1. 校正領域を，0.5 m×0.5 mのウィンドウに分割する。
2. 校正は，実際のEUT及びケーブルを含む全てのウィンドウについて行う必要がある。
（この例では，ウィンドウ1〜3及び5を校正及び試験に用いる。）
a) 卓上形装置の場合
EUT
0,5 m
0,5 m
0,5 m
0,5 m
0,5 m
0,5 m
0,8 m
電波無響室の床
ウィンドウ7
ウィンドウ1
ウィンドウ3
ウィンドウ4 ウィンドウ5 ウィンドウ6
ウィンドウ8 ウィンドウ9
ウィンドウ2
ウィンドウの概念
1. 校正領域を，0.5 m×0.5 mのウィンドウに分割する。
2. 校正は，実際のEUT及びケーブルを含む全てのウィンドウについて行う必要がある。
（この例では，ウィンドウ1〜9全てを校正及び試験に用いる。）
b) 床置形装置の場合
図H.1−校正領域を0.5 m×0.5 mウィンドウに分割した例
43
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
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1.05 m
1.0 m
0.8 m
0.8 m
1.0 m
1.05 m
図H.2−連続するウィンドウへの照射例
44
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
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附属書I
（参考）
電界プローブの校正方法
I.1 概要
この規格では，広帯域周波数領域及び大きいダイナミックレスポンスをもつ電界プローブを，UFA校正
の手順に用いる。一方，電界プローブ校正方法の品質は，放射イミュニティ試験の不確かさに直接影響を
与える。
通常，この規格で規定するUFA校正を実施するときには，電界プローブは比較的低い電界強度（例えば
1 V/m〜30 V/m）で使用する。したがって，この規格で用いる電界プローブの校正では，対象とした周波
数及びダイナミックレンジを考慮しなければならない。
一般に，電界プローブを異なる校正機関で校正する場合，校正結果は違いを示すことがある。したがっ
て，電界プローブ校正のための環境及び方法を規定する必要がある。この附属書は，電界プローブの校正
に関する情報を提供する。
数百メガヘルツから数ギガヘルツまでの周波数においては，電界プローブの校正を実施するために最も
標準的に利用される手法として，電波無響室内において標準ゲインホーンアンテナを使用した標準電界を
作る方法がある。しかし，電界プローブ校正に利用する電波無響室の試験環境を確認する方法は整備され
ていないため，報告された測定不確かさが実際の値を超えたり，校正機関における違いが出たりしている。
通常，TEM導波管を用いて行う80 MHzから数百メガヘルツまでの電界プローブ校正は，一般的に再現
性が良いことが確認されている。
この附属書は，電波無響室内における標準ゲインホーンアンテナを用いた包括的な電界プローブ校正に
関する改善手順を示す。
I.2 電界プローブ校正要求事項
I.2.1 一般
UFA校正手順に用いることを意図した電界プローブの校正は，I.2.3〜I.2.4の必要事項を満たす。
I.2.2 校正周波数レンジ
周波数帯域は通常80 MHz〜6 GHzを包含しなければならないが，試験に使用する周波数帯域が限定され
ている場合，その周波数帯域に制限してもよい。
I.2.3 周波数ステップ
異なる校正機関の間で試験結果を比較することができるよう，校正のために固定した周波数を使う必要
がある。
80 MHz〜1 GHzの場合，電界プローブの校正は，次の周波数で実施する。（80 MHzを除き，50 MHzの
ステップ幅）
80，100，150，200，…，950，1 000 MHz
1 GHz〜6 GHzの場合，電界プローブの校正は，次の周波数で実施する。（200 MHzのステップ幅）
1 000，1 200，1 400，…，5 800，6 000 MHz
注記 1 GHzにおいて2回校正することを意図していない。
I.2.4 電界強度
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電界プローブ校正に使用する電界強度は，イミュニティ試験で利用する電界強度に基づくことが望まし
い。電界均一校正には，EUTに適用する電界強度の少なくとも1.8倍の強度を適用するため，電界プロー
ブ校正は試験電界強度の2倍で実行することを推奨する（表I.1参照）。電界プローブを異なる電界レベル
で使う場合，電界プローブのリニアリティに従って，複数の電界レベルで校正しなければならない。少な
くとも最小及び最大の電界レベルで校正する（I.3.2参照）。
校正は，変調なしのCW信号を使用して実行する。
注記 複数の電界レベルでの校正によって，電力増幅器の1 dB圧縮要求事項も満足する。
表I.1−校正電界強度レベル
校正レベル
校正電界強度
V/m
1
2
2
6
3
20
4
60
Y
特殊
注記 Yはオープン校正レベルであり，レベル1〜4以外の
高い又は低いレベルを使用することがある。このレ
ベルは，電界プローブの仕様書又は試験機関が指定
する場合がある。
I.3 校正測定器の要求事項
I.3.1 高調波及びスプリアス信号
電力増幅器からのいかなる高調波又はスプリアス信号も，搬送周波数の20 dB未満とする。これは，校
正及びリニアリティ確認の間の全ての電界強度レベルに要求する。電力増幅器の高調波成分は，通常より
高い電力レベルで悪化するので，高調波測定は最も高い電界強度校正だけで実施してもよい。高調波測定
は減衰器を経由した電力増幅器出力，又は方向性結合器を経由して，校正したスペクトラムアナライザを
使用して実施できる。
注記1 アンテナは高調波成分に更なる影響を与える可能性があり，別に確認が必要な場合がある。
校正機関は，増幅器からの高調波及び／又はスプリアス信号が全ての測定セットアップの必要条件を満
たすことを確認するために，測定を実施する。これは，スペクトラムアナライザを方向性結合器のポート
3に接続する（パワーメータをスペクトラムアナライザ入力と交換する。図I.2参照）ことによって実施で
きることがある。
注記2 電力レベルがスペクトラムアナライザの最大許容入力電力を上回らないことを保証すること
が望ましい。そのために，減衰器を利用することがある。
周波数範囲は，少なくとも意図した周波数の第3次高調波を包含しなければならない。妥当性検査測定
は，最も高い意図された電界強度を生成する電力レベルで実行する。
高調波抑制フィルタは，電力増幅器のスペクトル純度を改善するために用いることがある（附属書D参
照）。
I.3.2 電界プローブのリニアリティ確認
I.4.2.4によって無響室検証手順のために使う電界プローブのリニアリティは，要求するダイナミックレ
ンジの，理想的な線形応答から±0.5 dB以内とする（図I.1参照）。電界プローブに，複数の範囲又は利得
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設定があるならば，リニアリティは全ての意図された設定範囲で確かめる。
一般に電界プローブのリニアリティは，周波数によって著しく変化しない。リニアリティの確認は，実
際に使用する周波数範囲の中心付近のスポット周波数で，かつ，電界プローブ応答対周波数が比較的平ら
であるところで実行できる。選択されたスポット周波数は，校正証明書に記載する。
電界プローブのリニアリティを測定する電界強度は，無響室の検証の間，十分に小さいステップ幅（例
えば1 dB）で±6 dBの電界強度の範囲を測定することが望ましい。
表I.2は，20 V/mにおける電界強度確認の例である。
表I.2−電界強度レベル20 V/mの適用例
信号レベル
校正電界強度
dB
V/m
−6.0
13.2
−5.0
14.4
−4.0
14.8
−3.0
15.2
−2.0
16.3
−1.0
18.0
0
20.0
1.0
22.2
2.0
24.7
3.0
27.4
4.0
30.5
5.0
34.0
6.0
38.0
1,0
10,0
100,0
‒6,0
‒4,0
‒2,0
0,0
2,0
4,0
6,0
信号レベル（dB）
校
正
電
磁
界
強
度
（
V
/m
）
ノンリニアリティカーブ
図I.1−電界プローブのリニアリティの例
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I.3.3 標準ゲインホーンアンテナの利得の決定
標準ゲインホーンアンテナの遠方界利得は，極めて正確に測定できる（I.6の[1]では，不確かさ0.1 dB
未満が報告されている。）。遠方界利得は，一般的に，8 D2/λより大きな距離に有効である（Dがホーンの
口径の面積よりも大きく，かつ，λが波長の場合）。このような距離での電界プローブの校正は，大きな電
波無響室及び大電力増幅器が必要であるため，実用的ではない場合がある。電界プローブは，一般的に，
送信アンテナの近傍界領域で校正する。標準ゲインホーンアンテナの標準的な利得の近傍界の利得は，I.6
の[2]に示すような式を用いて決定する。利得は，標準的なピラミッド形ホーンの物理的寸法に基づき，か
つ，ホーン開口で位相分布を仮定することによって計算する。この方法で決定する利得は，無響室のVSWR
試験及びその後の電界プローブ校正に用いるのは適さない。
方程式（I.6の[2]に示すような）は，開口調整を用いて，フィールドの事象が開口間の二次位相分布を
もつが，TE10モードのホーンの開口では反射が発生しないと仮定することによって導出された。統合時に
近い形の結果を得るために，近似を用いる場合がある。ホーンの端からの多重反射などのその他の影響，
及び開口での高次モードは，考慮していない。周波数及びホーンの設計によって，誤差は一般的に±0.5 dB
程度となるが，より大きくなることもある。
よりよい精度のために，全波積分を用いた数値計算法を使用できる。例えば，数値計算法で計算した利
得での不確かさは，5 %未満に低減できる（I.6の[3]参照）。
標準ゲインホーンアンテナの利得は，実験的に決定することもできる。例えば，利得は，I.6の[4]で説
明しているような外挿法による距離を減少した3アンテナ法，又はこれから派生した幾つかの方法で決定
できる。
校正中の標準ゲインホーンアンテナと供試電界プローブとの間の距離は，0.5 D2/λ以上とすることが望
ましい。利得を決定するときの大きな不確かさは，より近い距離に起因することがある。アンテナと電界
プローブとの間の定在波も，より近い距離で大きくなることがある。それは，再び校正において大きな測
定不確かさとなる。
I.4 電波無響室での電界プローブ校正
I.4.1 校正環境
電界プローブ校正は，全電波無響室，又はI.4.2の事項を満足する基準グラウンド面上に吸収体をもつ半
電波無響室で行うことが望ましい。
全電波無響室を用いる場合，電界プローブ校正を行うための最小の全電波無響室内部の作業空間は，奥
行5 m，幅3 m，高さ3 mが望ましい。
注記1 数百メガヘルツを超える周波数の場合，電波無響室内部の標準電界を作るための標準ゲイン
ホーンアンテナの使用は，この規格での電界プローブ校正のために最も広く用いる方法の一
つである。80 MHzから数百メガヘルツのようにより低い周波数では，電波無響室の使用は，
実用的ではない場合がある。そのため，電界プローブは，電界に対するイミュニティ試験に
も用いるほかの施設で校正する場合がある。そのため，この附属書では，これらのより低い
周波数に対して，代替校正環境としてTEM導波管などを含む。
電界プローブ校正に用いるシステム及び環境は，I.4.2.1〜I.4.2.7の要求事項を満足しなければならない。
注記2 代わりに，電界は，トランスファプローブを用いて作ることができる（I.5.4参照）。
I.4.2 電界プローブ校正のための電波無響室の検証
電界プローブ校正の測定は，自由空間環境と仮定する。試験電界プローブを用いる無響室のVSWR試験
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は，引き続いて実施する電界プローブ又はセンサ校正が許容できるかどうかを決定するために行う。この
検証方法によって，無響室及び吸収体の性能が明らかになる。
それぞれの電界プローブは，例えば蓄電池ケース及び／又は回路基板のように，一定の体積及び物理的
寸法をもつ。ほかの校正手順では，球状のクワイエットゾーンは，校正容積で保証する。この附属書の特
定の記載事項は，アンテナビーム軸にある試験点に対するVSWR試験に適用する。
試験のための固定ジグ及びその影響（電磁界を放射して校正を妨害する可能性がある電界プローブを保
持するための固定ジグなど）は，完全には評価できない。固定ジグの影響を評価するためには，個別の試
験が必要である。
I.4.2.1 方向性結合器を用いた送信装置の正味電力測定
送信装置に供給した正味電力は，4ポートの双方向性結合器，又は背面に接続された二つの3ポートの
単一方向性結合器（いわゆる二重方向性結合器）で測定できる。送信機器への正味電力を測定するために，
双方向性結合器を用いる共通セットアップを，図I.2に示す。
ポート3
ポート4
ポート1
ポート2
パワーメータ
PM1
PM2
アンテナ
信号源
進行波
入力
出力
反射波
図I.2−送信機器への正味電力を測定するための双方向性結合器
整合した負荷及び整合した信号源を，各ポートに接続した場合，順結合Cfwd，逆結合Crev及び伝送結合
Ctransは，次の式によって表す。
1
3
fwd
P
P
C
=
2
4
rev
P
P
C
=
1
2
trans
P
P
C
=
ここに， P1，P2，P3，P4： 方向性結合器の各々のポートの電力。
送信機器に供給する正味電力Pnetは，次の式で表す。
rev
2
PM
1
PM
fwd
trans
net
C
P
P
C
C
P
−
=
ここに，
PPM1，PPM2： リニアスケールでの電力計の読み値。
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アンテナのVSWRが既知の場合，単一の3ポート結合器を使用できる。例えば，アンテナが1.5のVSWR
をもつ場合，電圧反射係数0.2と等価となる。
精度は，結合器の方向性の影響を受ける。方向性は，順信号と逆信号とを分離する結合器の能力の指標
である。よく整合した送信機器の場合，逆電力は，順電力よりもかなり大きくなる。このため，方向性の
影響は，反射率の適用よりも重要性が低い。例えば，送信アンテナが1.5のVSWRをもち，かつ，結合器
が20 dBの方向性をもつ場合，有限の方向性による正味電力の絶対最大不確かさは，U字分布によって0.22
dBから0.18 dBを減じて0.04 dBとなる（0.22 dBは，1.5のVSWRによる明確な入射電力の損失である。）。
送信装置に供給する正味電力は，次の式で表す。
)
1(
2
RC
1
PM
fwd
net
V
P
C
P
−
=
ここに，
VRC： ポート2に接続しているアンテナの電圧係数
I.4.2.2 標準ゲインホーンアンテナを用いた標準電界の生成
標準ゲインホーンアンテナの利得は，I.3.3に記載する方法によって決定する。軸上の電界E（単位：V/m）
は，次の式で決定する。
d
g
P
η
E
1
π
4
net
0
×
=
ここに，
η0： 377 Ω（自由空間）
Pnet： I.4.2.1に記載する方法によって決定する正味電力（W）
g： I.3.3によって決定するアンテナの絶対利得
d： アンテナ開口部からの距離（m）
I.4.2.3 無響室検証試験の周波数範囲及び周波数ステップ
無響室のVSWR試験は，想定する電界プローブの校正周波数範囲に適用し，かつ，I.2.3に示すのと同
じ周波数ステップを用いる。
VSWR試験は，それぞれのアンテナの動作周波数の下限及び上限の無響室で行う。例えば，フェライト
のような狭帯域吸収体を用いる場合，より多くの周波数点を測定する必要が生じるときがある。そのよう
な無響室は，VSWR判定に適合する周波数範囲だけ電界プローブ校正に用いることが望ましい。
I.4.2.4 無響室検証手順
電界プローブ校正に用いる無響室は，次の手順で検証する。ただし，無響室の物理的条件で使用するこ
とができない場合を除く。このような場合，I.4.2.7の代替方法を適用できる。
電界プローブは，図I.3及び図I.4に従って，低い誘電率をもつ支持材料（例えば，発泡スチロール）を
用いて測定位置に配置する。
電界プローブは，校正に用いる場所に配置する。標準ゲインホーンアンテナの照準に沿った電界プロー
ブの偏波及び位置は，無響室のVSWRを決定するために変える。送信アンテナは，無響室のVSWR試験
及び電界プローブ校正の両方について同じ物を用いる。
標準ゲインホーンアンテナ及び無響室内の電界プローブの配置を図I.3に示す。電界プローブ及び標準
ゲインホーンアンテナは，アンテナ正面の表面から電界プローブ中心までの離隔距離Lをもつ同じ水平軸
に設定する。
いずれの場合も，電界プローブは，標準ゲインホーンアンテナの正面中心軸上に配置する。
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L = 1 m ± 0.005 m
電界プローブ
発泡スチロール
h
>0
.8
m
送信アンテナ
（標準ゲインホーンアンテナ）
L ‒10 cm L0 cm L+20 cm
図I.3−無響室検証試験セットアップ
∆L
L ‒10 cm
L0 cm
L+20 cm
図I.4−測定位置の詳細
図I.3及び図I.4に示すセットアップのL−10 cm〜L＋20 cmは，標準ゲインホーンアンテナの開口面から電界
プローブの中央の測定した電界プローブ校正の位置である。L0 cmは，基準位置0を示している。
その位置は，L−10 cm，L−8 cm，L−6 cm，…，L0，L＋2 cm，L＋4 cm，…，L＋20 cm，となり，測定間隔∆L＝2 cm
である。
電界プローブを標準ゲインホーンアンテナの近傍（距離＜2D2/λ。Dは標準ゲインホーンアンテナの開口
面の長辺寸法，λは自由空間での波長）に設置した場合は，標準ゲインホーンアンテナの利得は一定では
ないことがあるため，それぞれの位置で利得の決定が必要な場合がある。
1 mの距離で特定の電界強度（例えば，20 V/m）を生成するための一定の電力は，全ての電界プローブ
位置に適用する。最初に，標準ゲインホーンアンテナ及び電界プローブをいずれも垂直偏波として，全て
の周波数の全ての位置の電界プローブの読み値を記録する。次に，標準ゲインホーンアンテナ及び電界プ
ローブを水平偏波として測定を繰り返す。
全ての測定値は，I.4.2.5の事項を満足しなければならない。
I.4.2.5 VSWR許容基準
VSWR測定結果は，次の手順に従って比較する。電界強度の計算方法は，I.4.2.2を参照する。
a) 電界強度の計算 離隔距離90 cm〜120 cm（L−10 cm〜L＋20 cm）の間での空間領域の電界強度は，それぞ
れの周波数で2 cm間隔（∆L）で計算する。
この計算は，検証に用いる離隔距離1 mの位置L0 cmの電界強度を基準としている。
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b) データ補正 VSWR測定に用いる電界プローブは校正済みとは限らず，測定値と計算した電界強度と
が同じにならないことがあるため，測定値を次の手順で補正する。
− 離隔距離1 mにおける電界プローブの電界強度の測定値を，離隔距離1 mでの計算値に置き換える。
電界プローブの測定値と計算値との偏差を補正値kとして，90 cm〜120 cmの全てのデータに適用
する。
例えば，離隔距離1 mでの測定値Vmv（例えば，21 V/m）及び計算値Vcv（例えば，20 V/m）の比
較では，補正値kは，Vcv−Vmv＝−1 V/mとなる。
− 補正値kを，90 cm〜120 cmのそれぞれの測定値に加える。
− 全ての周波数の全ての測定値に対し，同様の計算を適用する。上記の例の場合k＝−1 V/mを全ての
電界プローブ測定値に加算する。
測定値の補正例を図I.5に示す。
図I.5−測定値の補正例
c) 測定値と計算値との比較 全ての測定値に対する計算値との差が，1点でも±0.5 dBの範囲を超えた
場合は，その無響室は，電界プローブ校正に使用してはならない。
注記 0.5 dBの許容基準は，測定不確かさバジェットに従って決定した。この値は，国家校正機関
を含む，電界プローブの校正に適切な，既存の複数の電波無響室で検証された結果である。
これは，不確かさの一つの要因である。
電界プローブは，バッテリ又は回路基板を収納した金属箱又は支柱をもっていることがある。これらの
プローブは，特定の距離及び周波数において，反射による誤差を生じることがある。これらの電界プロー
ブを使う場合は，例えば，電界プローブを回転させるか，方向を変えることで反射の影響を最小にする。
I.4.2.6 電界プローブ固定ジグの検証
電界プローブ固定ジグは，電界プローブ校正時に電磁界の反射の原因となることがある。したがって，
校正結果に与える固定ジグの影響を事前に確認する。
次に記載する手順は，使用する全ての新しい電界プローブ固定ジグに対して行う。
a) 比誘電率1.2未満かつ誘電正接0.005未満の材質でできた基準台に，電界プローブを設置する。電界プ
ローブの位置は，校正の設定と同一とする。基準固定ジグは可能な限り小さいほうが望ましい。その
他のいかなる支持構造体も，電磁波に対してできるだけ影響を与えず，かつ，影響を受けない物質と
し，電界プローブから50 cm以上離す。支持構造体を電界プローブの前（アンテナと電界プローブと
の間）又は背後に置かないことが望ましい。
b) 校正位置において，電界プローブのダイナミックレンジの範囲内にある基準電界を発生させる。
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c) 全ての校正周波数点に対する電界プローブ指示値を記録する。全ての校正配置に対して，必要に応じ
て電界プローブの回転又は再配置を行い，手順a) 及びb) を繰り返す。3軸等方性電界プローブでは，
各軸を別々に配置して，測定することが必要な場合がある。各方向における電界プローブ指示値を記
録する。
d) 基準固定ジグを取り除き，同じ位置に検証する校正用固定ジグに置き換える。手順b) 及びc) を繰り
返す。
e) 手順c) 及びd) による結果を比較する。同一の電界プローブ配置及び向きに対する二つの固定ジグの
測定値の差は，±0.5 dB未満とする。
I.4.2.7 電波無響室における代替検証手順
この代替検証手順は，I.4.2.4の検証手順が適用できない場合に使用する。
検証用の電界プローブは，実際の電界プローブ校正に使用する位置に設置する。電波無響室のVSWRを
決定するために，標準ゲインホーンアンテナの軸上に沿った位置及び偏波を変化させる。標準ゲインホー
ンアンテナは，無響室のVSWR試験及び電界プローブ校正の双方で同一でなければならない。
1 m
電界プローブ
発泡スチ
ロール
送信ホーンアンテナ
（標準ゲインホーンアンテナ）
任意の
位置
図I.6−アンテナ及び電界プローブの試験配置の例
1 m (L0 cm)
電界プローブ
標準ゲイン
ホーンアンテナ
∆L
1 m (L ‒30 cm)
L ‒30 cm
L0 cm
L+30 cm
図I.7−電波無響室における検証試験配置
配置を図I.6及び図I.7に示す。電界プローブ校正における距離，すなわち標準ゲインホーンアンテナの
開口面から電界プローブの中心までの離隔距離は，固定距離1 mを保たなければならない。
測定に対する影響を避けるために，電界プローブ固定ジグに低誘電率の材料を使用することが望ましい。
電界プローブ校正に使用するための固定ジグは，別々に評価しなければならない（I.4.2.6参照）。
電界プローブの位置は，L−30 cm，L−25 cm，L−20 cm，…，L0，L＋5 cm，L＋10 cm，…，L＋30 cmで，測定間隔∆L
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C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
は5 cmとする。
一定の電界強度，例えば20 V/mを全ての位置で発生させる。発生させた電界強度は電界プローブのダ
イナミックレンジの範囲内とする。最初に，標準ゲインホーンアンテナ及び電界プローブ双方を垂直偏波
として，全ての周波数において電界プローブ指示値を記録する。次に，標準ゲインホーンアンテナ及び電
界プローブを水平偏波にして，試験を繰り返す。
各周波数で，26個の独立した電界プローブ指示値（13位置×2偏波）が存在する。各周波数で，測定値
の最大偏差は±0.5 dB未満とする。
電波無響室の代替検証結果の例を図I.8に示す。
+ 0,5 dB
0 dB
‒ 0,5 dB
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
4,5
5
5,5
周波数 (GHz)
L ‒30 cm からL+30 cmまでの
位置データ
図I.8−電波無響室の代替検証結果の例
I.4.3 電界プローブ校正手順
最新の電界プローブの多くは，リニア応答になるように，内部に校正係数をもっている。校正機関は，
電界プローブの応答特性が理想的な値から±0.5 dBとなるように，校正中に電界プローブ係数を調整する
ことがある。このような調整を行う場合，校正機関は，調整前及び調整後の双方の応答特性を記録するこ
とが望ましい。
リニアリティの確認過程を被校正電界プローブに適用することが望ましい。校正システムのリニアリテ
ィの影響については，I.3.2を参照。
注記 電界プローブを調整できない場合には，電界均一性校正を実行するとき，いかなるノンリニア
リティも使用者が補償することが望ましい。
電界プローブ校正を行うときは，I.4の要求事項を満足する測定システム及び環境を用いる。
I.4.3.1 校正のためのセットアップ
I.4.2.6に従って完全に検証していない固定ジグは，大きい測定不確かさを生じる可能性がある。したが
って，I.4.2.6によって検証した電界プローブ固定ジグを使用する。
電界プローブの校正は，電界プローブの配置・方向に関する使用者の仕様又は電界プローブ製造業者の
仕様に従うことが望ましい。この配置・方向は，等方性による影響を最小限とするために試験機関でも使
用する。電界プローブの配置・方向をデータシートに明記していない場合，電界プローブの“通常使用”
と考えられる配置・方向，又は電界プローブを使用する試験機関が推奨した配置・方向に従って校正を行
うことが望ましい。いずれの場合も，校正報告書に校正を行った電界プローブの配置・方向を記載する。
までの
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
校正セットアップの例を，図I.9及び図I.10に示す。
1 m ± 0,005 m
標準ゲインホー
ンアンテナ
電界プローブ
検証試験
配置と同じ
図I.9−電界プローブ校正配置（側面図）
1 m ± 0,005 m
標準ゲインホーン
アンテナ
電界プローブ
図I.10−電界プローブ校正配置（平面図）
I.4.3.2 校正報告書
I.4.3.1を考慮して取得した測定結果は，校正報告書として報告する。
この校正報告書には，少なくとも次の事項を記載する。
a) 校正環境
b) 電界プローブ製造業者
c) 形式名称
d) 製造番号
e) 校正日
f)
温度及び湿度
g) 校正データの詳細
− 周波数
− 適用した電界強度（V/m）
− 電界プローブの読み値（測定値）（V/m）
− 電界プローブの配置・方向
h) 測定不確かさ
注記 I.6の[2]には，電界プローブ校正測定不確かさのためのガイダンスの記載がある。
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I.5 電界プローブの代替校正環境及び方法
この箇条は，代替校正試験場所の環境要求事項，例えば，低周波数領域における校正に必要な条件を示
す。
校正は，この規格で規定する試験環境とは異なる環境で実施される。イミュニティを試験する装置と対
照的に，電界プローブは概して小さく，通常，導電線を備えていない。
I.5.1 TEMセルを用いた電界プローブ校正
方形のTEMセルは，電界プローブ校正のための標準電磁界を作るために使う。TEMセルを利用できる
上限周波数は，JIS C 61000-4-20で規定した方法で決定できる。TEMセルの上限周波数は，通常は数百
MHz である。TEMセルにおける隔壁（セプタム）と上部板との間，又は隔壁（セプタム）と下部板との
間の中心の電界強度は，次の式で計算する。
h
P
E
net
0
Z
=
ここに，
E： 電界強度（V/m）
Z0： TEMセルの特性インピーダンス（通常，50 Ω）
Pnet： I.4.2.1に従って決定する正味電力（W）
h： 隔壁（セプタム）と上部板，又は隔壁（セプタム）と下部板
との間隔（m）
TEMセルのVSWRは，測定不確かさを最小にするために，例えば，1.3以下にすることが望ましい。
Pnet測定の代替方法として，低いVSWR値をもつ校正された減衰器，及びパワーメータを，TEMセルの
出力端子に接続して測定してもよい。
I.5.2 導波管室（waveguide chamber）を用いた電界プローブ校正
E
b
a
図I.11−導波管室の断面図
校正機関は，導波管室が支配的なTE10モードで機能することを確実としなければならない。より高い
次数モードを発生させる周波数を避けなければならない。導波管製造業者は，通常支配的なモードだけが
存在することができる周波数範囲を指定する。これはまた，導波管の寸法から決定することができる。一
般的な寸法の電界プローブを導波管室で校正する場合は，約300 MHz〜1 000 MHzに限定される。
a (m)×b (m)（a＞b）の内部寸法をもった導波管室の支配的なTE10モードのカットオフ周波数を，次の
式で示す。
()
με
a
f
2
1
10
c
=
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ここに，
(fc)10： TE10モードのカットオフ周波数（MHz）
μ： 導波管中間の透磁率
空気充塡導波管では，μ＝μ0＝400 π nH/m
ε： 導波管中間の誘電率
空気充塡導波管では，ε＝ε0＝8.854 pF/m
空気充塡導波管のカットオフ周波数を，次の式で示す。
()
a
f
150
10
c
=
導波管中央の電界RMS値を，次の式で示す。
()
[
]2
10
c
net
0
/
1
2
f
f
ab
P
η
E
−
=
ここに，
f： 操作周波数（MHz）
η0： 空気充塡導波管の場合，377 Ω
Pnet： 導波管に伝送された正味電力（W）
I.4.2.1で示した方法によって決定する。
導波管室の内側の電磁場がTEM波でない点に注意する。電磁場は導波管（側壁でゼロに先細りになる
正弦波の分布によって）の中心で最も大きい。電界プローブは，電磁界分布が他の場所より均一で比較的
変化が少ない導波管中心で校正することを推奨する。
他のモードに関するカットオフ周波数の計算方法を含む導波管に関する更に多くの情報は，I.6の[5]を
参照する。
I.5.3 切放し導波管を用いた電界プローブ校正
切放し導波管の近傍界利得の理論的及び経験的解がI.6の[6]に示されている。切放し導波管の近傍界利
得の単純な理論的解決策はないため，切放し導波管の近傍界利得は，全波数値法か，又はI.6の[4]に記載
されている測定法によって求めることが望ましい。
切放し導波管の近傍界利得が決定できたとき，校正は，I.4.3に記載した手順に従う。
I.5.4 利得伝搬法による電界プローブの校正
トランスファプローブを使用して，電界発生デバイスの中の標準電界を生成することができる。トラン
スファプローブの応答は，理論計算（ダイポールなどのプローブの場合）で求めるか，又はI.5.1若しくは
I.5.2に示す方法で校正して求めることができる。GHz TEMセルなどの実用標準デバイスの変換係数は，
トランスファプローブから求めることができる。実用標準デバイスの中の電界分布は，トランスファプロ
ーブで実測することが望ましい。すなわち，電界分布は，試験容積内の電界均一性を評価するために必要
な数の点を測定しなければならない。実用標準デバイスの変換係数が分かり，実用標準デバイスがリニア
リティを示す性能をもっている場合，電界プローブ校正を他の電力レベルで実施することができる。校正
する電界プローブは，トランスファプローブと同じ場所に置く。
次の条件を満たす場合，トランスファ法は正確である。
− セットアップが，トランスファ手順と校正手順で変わらない。
− 測定中の電界プローブ位置を再現できる。
− 伝送電力が，同じ状態を維持する。
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
− 試験対象の電界プローブが，構造（サイズ及び要素設計）においてトランスファプローブに類似して
いる。
− 電界プローブと読出し装置などとを接続するケーブルが電界を乱さず，かつ，誘導しない。
− 実用標準デバイスは，大部分が無響である。
この方法の詳細については，I.6の[7]及び[8]を参照。
I.6 参考文献
[1] STUBENRAUCH， C.， NEWELL， C. A. C.， REPJAR， A. C. A.， MacREYNOLDS， K.， TAMURA
D. T.， LARSON， F. H.， LEMANCZYK， J.， BEHE， R.， PORTIER， G.， ZEHREN， J. C.，
HOLLMANN， H.， HUNTER， J. D.， GENTLE， D. G.， and De VREEDE， J. P. M. International
Intercomparison of Horn Gain at X-Band. IEEE Trans. On Antennas and Propagation， October 1996， Vol. 44，
No. 10.
[2] IEEE 1309， Calibration of Electromagnetic Field Sensors and Probes， Excluding Antennas， from 9 kHz to
40 GHz.
[3] KANDA， M. and KAWALKO， S. Near-zone gain of 500 MHz to 2.6 GHz rectangular standard pyramidal
horns. IEEE Trans. On EMC， 1999， Vol. 41， No. 2.
[4] NEWELL， Allen C.， BAIRD， Ramon C. and Wacker， Paul F. Accurate measurement of antenna gain and
polarization at reduced distances by extrapolation technique. IEEE Trans. On Antennas and Propagation， July
1973， Vol. AP-21， No. 4.
[5] BALANIS， C. A.. Advanced Engineering Electromagnetics. John Wiley & Sons， Inc.， 1989， pp 363-375.
[6] WU， Doris I. and KANDA， Motohisa. Comparison of theoretical and experimental data for the near field of
an open-ended rectangular waveguide. IEEE Trans. On Electromagnetic Compatibility， November 1989， Vol.
31， No. 4.
[7] GLIMM， J.， MÜNTER， K.， PAPE， R.， SCHRADER， T. and SPITZER， M. The New National
Standard of EM Field Strength; Realisation and Dissemination. 12th Int. Symposium on EMC， Zurich，
Switzerland， February 18-20， 1997， ISBN 3-9521199-1-1， pp. 611-613.
[8] GARN， H.， BUCHMAYR， M.， and MULLNER， W. Precise calibration of electric field sensors for
radiated-susceptibility testing. Frequenz 53 (1999) 9-10， Page 190-194.
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C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
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附属書J
（参考）
試験装置による測定不確かさ
J.1 一般
この附属書は，本体に規定する試験方法の特定の必要性に従って，試験レベル設定の測定不確かさ（MU）
に関する情報を与える。更なる情報はJ.4の[1]及び[2]を参照。
この附属書は，レベル設定を基にして，不確かさのバジェットをどのようにして作るかの例を示す。変
調周波数・変調度・増幅器によって作られる高調波のような，妨害量の他の要因は，試験所によっては，
適切な方法で考慮が必要な場合がある。この附属書に示す方法は，妨害量の全ての要因に適用可能である
とみなす。
電磁界の均一性に対する不確かさを含む試験所の影響については，現在検討中である。
J.2 レベル設定のための不確かさのバジェット
J.2.1 測定量の定義
測定量は，6.2.1及び6.2.2に従って選択したUFAの測定点における，EUTを設置しない場合の仮想試験
電界強度である。
J.2.2 測定量のMUへの寄与
図J.1の要因図は，レベル設定への影響の例である。この要因図は，校正及び試験手順の両方に適用す
るが，全ての要因を網羅していないと理解するのがよい。要因図からの最も重要な寄与を，不確かさのバ
ジェット例として表J.1及び表J.2に示す。異なる試験場所又は試験所の比較可能なバジェットを得るた
めに，少なくとも表J.1及び表J.2に記載した寄与成分を不確かさの計算に用いる。MUの計算において，
試験所によっては，特定の環境の下で追加の寄与成分を追加してもよいことに注意する。
電界プローブ
の校正
ソフトウェア
設定許容範囲
アンテナ位置
及び吸収体配置
電力増幅器の電力圧縮
試験中のアンテナから
EUTへの距離
周波数
補間エラー
動く対象によって生ずる
電磁界の妨害
(例：カメラ)
リニア
リティ
異方性
パワーメータ
電力増幅器の
長・短時間安定性
信号発生器の
安定性及びドリフト
アンテナと電力増幅器
との不整合
レベル設定の
不確かさ
パワーメータと方向性
結合器との不整合
図J.1−レベル設定への影響の例
J.2.3 拡張不確かさのための計算例
校正での寄与成分と試験での寄与成分とは，異なることがある。この結果，各々の手順に対して，異な
じ
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C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
る不確かさのバジェットが必要になる。
この規格では，試験室内の電界は，EUTに対する試験の前に校正する。試験のセットアップによっては，
幾つかの寄与成分がMUを計算するときの要因とならないことがある。例えば，電力増幅器の出力電力が
レベル制御によって補償される場合，校正と試験との間でセットアップが変化しない（例えば，アンテナ
と電力増幅器との間の不整合）場合などがある。
電界プローブ及び電力モニタは，校正時に利用するが，実際の試験では利用しない場合があるため，電
力増幅器の出力電力のレベル制御には含まれない。したがって，測定精度又はリニアリティよりも，むし
ろ繰返し再現性が重要である。これらの寄与成分は，MUを評価するときに考慮する。
レベル設定のための不確かさバジェットの例を，表J.1及び表J.2に示す。不確かさのバジェットは，校
正の不確かさ及び試験の不確かさの二つの部分から成る。
表J.1−校正手順における不確かさバジェットの例
記号
不確かさの要因Xi
U(xi) 単位
分布
除数
u(xi)
単位
ci
ui(y)
単位 ui(y)2
FP 電界プローブの校正
1.7
dB
正規k＝2
2
0.85
dB
1
0.85
dB
0.72
PMc 校正時のパワーメータ 0.3
dB
一様（方形） 1.73
0.17
dB
1
0.17
dB
0.03
PAc 校正時の電力増幅器の
短時間利得変動
0.2
dB
一様（方形） 1.73
0.12
dB
1
0.12
dB
0.01
SWc 校正時のソフトウェア
設定許容範囲
0.6
dB
一様（方形） 1.73
0.35
dB
1
0.35
dB
0.12
()
∑
2
y
ui
0.88
()
∑
2
y
ui
0.94
拡張不確かさ U(y) (CAL) k＝2
1.88 dB
表J.2−レベル設定における不確かさバジェットの例
記号
不確かさの要因Xi
U(xi) 単位
分布
除数
u(xi)
単位
ci
ui(y)
単位 ui(y)2
CAL 校正（表J.1）
1.88
dB
正規 k＝2
2.00
0.94
dB
1
0.94
dB
0.89
AL アンテナの位置及び
吸収体の配置の変動
0.38
dB
k＝1
1
0.38
dB
1
0.38
dB
0.14
PMt a) 試験時のパワーメータ 0.3
dB
一様（方形） 1.73
0.17
dB
1
0.17
dB
0.03
PAt 電力増幅器の
短時間利得変動
0.2
dB
一様（方形） 1.73
0.12
dB
1
0.12
dB
0.01
SWt 校正時のソフトウェア
設定許容範囲
0.6
dB
一様（方形） 1.73
0.35
dB
1
0.35
dB
0.12
SG 信号発生器の安定性
0.13
dB
一様（方形） 1.73
0.08
dB
1
0.08
dB
0.01
−
()
∑
2
y
ui
1.20
()
∑
2
y
ui
1.10
拡張不確かさ U(y) (CAL) k＝2
2.19 dB
注a) パワーメータを基に信号発生器の出力レベル調整を行わない場合は，表の要素からPMtを削除する。
この場合は，電力増幅器及び信号発生器の安定性及びドリフトを考慮しなければならないが，この例
では，電力増幅器は，電力増幅器出力調整の一部分であることから，不確かさのバジェットの要因と
していない。したがって，この場合は，パワーメータの寄与成分を考慮することで十分である。
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J.2.4 記号に関する説明
Xi：影響量
xi：Xiの見積もり量
u(xi)：xiの標準不確かさ
ci：感度係数
y：有意な系統的影響のために修正した測定量の見積もり
ui(y)：yの標準測定不確かさ
U(y)：拡張測定不確かさ
FP：校正の不確かさ，電界プローブの不平衡（異方性），電界プローブの周波数特性及び温度感受性の組
合せ。通常，この値は電界プローブの校正証明書から得られる。
PMc：センサを含むパワーメータの不確かさ。製造業者の仕様（一様分布）又は校正証明書（正規分布）
から得られる。校正及び試験で同じパワーメータを使う場合は，パワーメータの再現性及びリニ
アリティに要因を限定できる。表J.1及び表J.2は，この条件の例を適用している。
PAc：校正時の電力増幅器が安定状態に達した後の，利得の短時間変化による不確かさ。
SWc：校正過程時にレベルを設定する信号発生器及びソフトウェアの調整許容範囲の離散的な刻み幅（分
解能）に起因する不確かさ。通常，試験所は，ソフトウェアの調整許容範囲を調整できる。
CAL：校正手順（表J.1）に関する拡張不確かさ。
AL：アンテナ及び電波吸収体の除去及び置換えに起因する不確かさ。ISO/IEC Guide 98-3では，アンテ
ナ位置変化及び電波吸収体の配置は，タイプAとして分類され，それらの不確かさは一連の測定の
統計分析によって評価できる。通常，タイプAは測定装置の不確かさの要因ではない。ただし，こ
れらの要因は，測定装置に対して重要性が高く関係が深いため考慮している。
PMt：センサを含むパワーメータの不確かさ。製造業者の仕様（一様分布）又は校正証明書（正規分布）
から得られる。校正及び試験で同じパワーメータを使う場合は，パワーメータの再現性及びリニア
リティに要因を限定することができる。表J.1及び表J.2は，この条件の例を適用している。
試験中にパワーメータを用いた電力増幅器出力の調節をしない測定セットアップを使う場合は，
この要因は省略できる。この場合，信号発生器及び電力増幅器の不確かさを見直す必要がある。
PAt：試験時の電力増幅器が安定状態に達した後の，利得の短時間変化による不確かさ。
SWt：試験中にレベルを設定する信号発生器及びソフトウェアの調整許容範囲の離散的な刻み幅（分解能）
に起因する不確かさ。通常，試験所は，ソフトウェアの調整許容範囲を調整できる。
SG：信号発生器の信号発生中のドリフト。
J.3 応用
計算による拡張不確かさは，例えば，製品規格の要求事項，又は試験所認定のために利用することがあ
る。この計算結果は，試験実施中にEUTに適用する試験レベルを調節するために使うことを意図していな
い。
J.4 参考文献
[1] IEC TC77 document 77/349/INF， General information on measurement uncertainty of test instrumentation for
conducted and radiated r.f. immunity tests
[2] UKAS， M3003， Edition 2， 2007， The Expression of Uncertainty and Confidence in Measurement， free
61
C 61000-4-3：2012 (IEC 61000-4-3：2010)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
download on www.ukas.com
[3] ISO/IEC Guide 98-3:2008，Uncertainty of measurement−Part 3: Guide to the expression of uncertainty in
measurement (GUM:1995)