C 61000-4-20：2014
（1）
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
目 次
ページ
序文 ··································································································································· 1
1 適用範囲························································································································· 1
2 引用規格························································································································· 2
3 用語，定義及び略号 ·········································································································· 2
3.1 用語及び定義 ················································································································ 2
3.2 略号 ···························································································································· 5
4 一般事項························································································································· 5
5 TEM導波管の要求事項 ····································································································· 6
5.1 一般事項 ······················································································································ 6
5.2 TEM導波管を使用するための一般要求事項 ········································································ 6
5.3 特定のTEM導波管に対する要求事項及び推奨事項 ······························································ 9
6 EUTのタイプの概要 ········································································································ 10
6.1 一般事項 ····················································································································· 10
6.2 小さいEUT ················································································································· 10
6.3 大きいEUT ················································································································· 10
7 試験室の基準条件 ············································································································ 10
7.1 一般事項 ····················································································································· 10
7.2 気象条件 ····················································································································· 11
7.3 電磁環境条件 ··············································································································· 11
8 試験結果の評価及び報告 ··································································································· 11
附属書A（規定）TEM導波管によるエミッション試験 ······························································· 12
附属書B（規定）TEM導波管によるイミュニティ試験 ······························································· 30
附属書C（参考）TEM導波管によるHEMP過渡試験 ································································ 36
附属書D（参考）TEM導波管の特性 ······················································································· 42
附属書E（参考）TEM導波管における電界プローブの校正方法 ··················································· 48
参考文献 ···························································································································· 58
附属書JA（参考）JISと対応国際規格との対比表 ······································································ 63
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（2）
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まえがき
この規格は，工業標準化法第14条によって準用する第12条第1項の規定に基づき，一般社団法人電気
学会（IEEJ）及び一般財団法人日本規格協会（JSA）から，工業標準原案を具して日本工業規格を改正す
べきとの申出があり，日本工業標準調査会の審議を経て，経済産業大臣が改正した日本工業規格である。
これによって，JIS C 61000-4-20:2006は改正され，この規格に置き換えられた。
この規格は，著作権法で保護対象となっている著作物である。
この規格の一部が，特許権，出願公開後の特許出願又は実用新案権に抵触する可能性があることに注意
を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は，このような特許権，出願公開後の特許出願及び実
用新案権に関わる確認について，責任はもたない。
JIS C 61000-4の規格群には，次に示す部編成がある。
JIS C 61000-4-2 第4-2部：試験及び測定技術−静電気放電イミュニティ試験
JIS C 61000-4-3 第4-3部：試験及び測定技術−放射無線周波電磁界イミュニティ試験
JIS C 61000-4-4 第4-4部：試験及び測定技術−電気的ファストトランジェント／バーストイミュニテ
ィ試験
JIS C 61000-4-5 第4-5部：試験及び測定技術−サージイミュニティ試験
JIS C 61000-4-6 第4-6部：試験及び測定技術−無線周波電磁界によって誘導する伝導妨害に対するイ
ミュニティ
JIS C 61000-4-7 第4-7部：試験及び測定技術−電力供給システム及びこれに接続する機器のための高
調波及び次数間高調波の測定方法及び計装に関する指針
JIS C 61000-4-8 第4部：試験及び測定技術−第8節：電源周波数磁界イミュニティ試験
JIS C 61000-4-11 第4-11部：試験及び測定技術−電圧ディップ，短時間停電及び電圧変動に対するイ
ミュニティ試験
JIS C 61000-4-14 第4部：試験及び測定技術−第14節：電圧変動イミュニティ試験
JIS C 61000-4-16 第4部：試験及び測定技術−第16節：直流から150 kHzまでの伝導コモンモード妨
害に対するイミュニティ試験
JIS C 61000-4-17 第4部：試験及び測定技術−第17節：直流入力電源端子におけるリプルに対するイ
ミュニティ試験
JIS C 61000-4-20 第4-20部：試験及び測定技術−TEM（横方向電磁界）導波管のエミッション及びイ
ミュニティ試験
JIS C 61000-4-22 第4-22部：試験及び測定技術−全電波無響室（FAR）における放射エミッション及
びイミュニティ試験
JIS C 61000-4-34 第4-34部：試験及び測定技術−1相当たりの入力電流が16 Aを超える電気機器の電
圧ディップ，短時間停電及び電圧変動に対するイミュニティ試験
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日本工業規格 JIS
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電磁両立性−第4-20部：試験及び測定技術−
TEM（横方向電磁界）導波管のエミッション及び
イミュニティ試験
Electromagnetic compatibility (EMC)-
Part 4-20: Testing and measurement techniques-Emission and
immunity testing in transverse electromagnetic (TEM) waveguides
序文
この規格は，2010年に第2版として発行されたIEC 61000-4-20を基とし，一部の技術的内容の誤り，記
述の不正確，日本工業規格の目的に合致しない規定などのため，技術的内容を変更して作成した日本工業
規格である。
なお，この規格で側線又は点線の下線を施してある箇所は，対応国際規格を変更している事項である。
変更の一覧表にその説明を付けて，附属書JAに示す。
1
適用範囲
この規格は，様々な種類のTEM（横方向電磁界）導波管を用いた電気・電子装置に対するエミッション
及びイミュニティ試験方法について規定する。これらの形式には，開放構造（例えば，ストリップライン
及び電磁パルスシミュレータ）及び密閉構造（例えば，TEMセル）を含む。これらの構造は，1ポート（開
口），2ポート又は多ポートTEM導波管に更に分類できる。周波数範囲は，具体的な試験要求条件及びTEM
導波管の種類に依存する。
この規格の対象を，次に示す。
− 周波数範囲及び供試装置（以下，EUTという。）の大きさの制限を含むTEM導波管の特性
− EMC試験におけるTEM導波管の有効性検証の方法
− EUT［例 EUTきょう（筐）体及びケーブル］の定義
− TEM導波管を用いた放射エミッション試験における試験セットアップ，手順及び要求条件
− TEM導波管を用いた放射イミュニティ試験における試験セットアップ，手順及び要求条件
注記1 この規格では，EUTへの電磁放射の効果及び対象とするEUTからの電磁エミッションを測
定するための試験方法を規定している。電磁放射のシミュレーション及び測定は，全ての実
使用環境にある設備に対しては，その効果を十分正確に定量化できない。規定する試験方法
は，効果の定性的な分析のために，様々な試験設備において，結果の適正な再現性を確立す
ることを主目的としている。
この規格は，特定の機械又はシステムに適用する試験を規定するものではない。この規格は，関係する
全ての製品規格委員会に対し，一般的な基本規格を提供することを意図している。放射エミッション試験
2
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の場合，製品規格委員会は，エミッション許容値及びCISPR規格を参照した試験方法を，選択することが
望ましい。放射イミュニティ試験の場合，製品規格委員会は，それらの適用範囲内の装置に対するイミュ
ニティ試験及びイミュニティ試験レベルの適切な選択に責任をもつ。この規格は，JIS C 61000-4-3とは異
なる試験方法を示す。
注記2 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を，次に示す。
IEC 61000-4-20:2010，Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 4-20: Testing and measurement
techniques−Emission and immunity testing in transverse electromagnetic (TEM) waveguides
（MOD）
なお，対応の程度を表す記号“MOD”は，ISO/IEC Guide 21-1に基づき，“修正している”
ことを示す。
2
引用規格
次に掲げる規格は，この規格に引用されることによって，この規格の規定の一部を構成する。これらの
引用規格のうちで，西暦年を付記してあるものは，記載の年の版を適用し，その後の改正版（追補を含む。）
は適用しない。西暦年の付記がない引用規格は，その最新版（追補を含む。）を適用する。
JIS C 60050-161 EMCに関するIEV用語
注記 対応国際規格：IEC 60050-161，International Electrotechnical Vocabulary. Chapter 161:
Electromagnetic compatibility（IDT）
JIS C 61000-4-3 電磁両立性−第4-3部：試験及び測定技術−放射無線周波電磁界イミュニティ試験
注記 対応国際規格：IEC 61000-4-3:2010，Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 4-3: Testing and
measurement techniques−Radiated, radio-frequency, electromagnetic field immunity test（IDT）
CISPR 16-1-1，Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods−Part 1-1:
Radio disturbance and immunity measuring apparatus−Measuring apparatus
CISPR 16-1-4，Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods−Part 1-4:
Radio disturbance and immunity measuring apparatus−Antennas and test sites for radiated disturbance
measurements
CISPR 16-2-3:2006，Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods−Part
2-3: Methods of measurement of disturbances and immunity−Radiated disturbance measurements
CISPR 22，Information technology equipment−Radio disturbance characteristics−Limits and methods of
measurement
3
用語，定義及び略号
3.1
用語及び定義
この規格で用いる主な用語及び定義は，JIS C 60050-161によるほか，次による。
3.1.1
横方向電磁界モード，TEMモード（transverse electromagnetic mode）
伝搬方向の電界及び磁界成分が，どの横方向断面をとっても主電磁界成分より十分小さい導波管のモー
ド。
3.1.2
TEM導波管（TEM waveguide）
3
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導波管内において電磁波がTEMモードで伝搬し，試験で用いる特定の電磁界が発生する，開放又は密
閉形の伝送線路系。
3.1.3
TEMセル（TEM cell）
通常は方形の同軸伝送線路で，電磁波はTEMモードで伝搬し，試験で用いる特定の電磁界を発生し，
外部導体は内部導体を完全に取り囲んでいる，密閉形TEM導波管。
3.1.4
2ポートTEM導波管（two-port TEM waveguide）
両端に入出力ポートのあるTEM導波管。
3.1.5
1ポートTEM導波管（one-port TEM waveguide）
入出力ポートが一つだけのTEM導波管。
注記 このようなTEM導波管は，通常，ポートの反対側に広帯域伝送線路終端を備えている。
3.1.6
ストリップライン（stripline）
2枚以上の平行板で構成し，平行板の間を電磁波がTEMモードで伝搬し，試験で用いるための特定の電
磁界を発生する，終端した伝送線路。
注記 ストリップラインは開放された側面をもつため，EUTの設置，操作及び監視が容易である。
3.1.7
内部導体（inner conductor）
セプタム（septum）
方形断面の場合は平面であることが多い，同軸伝送線路系の内部の導体。内部導体は外部導体に対して
対称又は非対称に位置することがある。
3.1.8
外部導体（outer conductor or chassis）
多くの場合方形断面をもつ，同軸伝送線路系の外部の導体。
3.1.9
特性インピーダンス（characteristic impedance）
任意の定位相波面における，内部導体と外部導体との間の電圧の，それぞれの導体に流れる電流に対す
る比の大きさ。特性インピーダンスは，電圧及び電流そのものの大きさには無関係であり，同軸ケーブル
断面の幾何学的構造だけに依存する。
注記 TEM導波管の特性インピーダンスは，通常，50 Ωである。100 Ωの特性インピーダンスをもつ
TEM導波管は，多くの場合過渡試験に使用される。
3.1.10
電波吸収体（anechoic material）
吸収又は反射によって電磁エネルギーのレベルを減衰させる特性を示す材料。
3.1.11
広帯域伝送線路終端（broadband transmission-line termination）
TEM導波管の特性インピーダンス（通常，50 Ω）に整合させるために，低周波域でのディスクリート抵
抗負荷と，高周波域での電波吸収体とを組み合わせた終端。
4
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3.1.12
相関アルゴリズム（correlation algorithm）
TEM導波管で測定した電圧をオープンエリアテストサイト（OATS），半電波無響室（SAC）又は自由空
間における電界強度に変換する数学的手順。
3.1.13
EUTのタイプ（EUT type）
同様の試験配置及び試験手順で試験可能な，電磁特性及び物理的寸法に十分な類似性をもつ製品の分類。
3.1.14
外部接続ケーブル（exit cable）
EUTをTEM導波管の外部装置に接続する，又は利用可能試験領域から出るケーブル。
注記 試験領域に関しては5.2.2を参照。
3.1.15
相互接続ケーブル（interconnecting cable）
試験領域内でEUTの構成部品を接続するケーブル。
3.1.16
試験用支持台（test set-up support）
相関アルゴリズム又は試験手順で要求しているEUTの正確な回転が可能な，非反射性，非導電性及び低
誘電率の，支持及び位置決めのための台。
注記 材料は一般に発泡スチロールである。木製の試験用支持台は，望ましくない。参考文献[4]を参
照。
3.1.17
（立体）対角線角（ortho-angle）
立方体の任意の頂点から最も遠い頂点へ向かう立体対角線を引いた場合，その始点となる頂点に含まれ
る3辺に対して作る角度。立方体をTEM導波管の直交座標系に合わせて置いた場合，立方体の対角線の
投影の方位角及び仰角は45°となり，各面の辺に対して54.7°となる。
注記1 立体対角線角の図は，図A.2 a)参照。
注記2 EUTに関連付けた場合，この角度を形成する立体対角線と一致する軸を対角線軸（ortho-axis）
と呼ぶ。
3.1.18
主（電界）成分［primary (field) component］
意図した試験偏波方向と同じ向きの電界成分。
注記 代表的な2ポートTEMセルの場合，セプタムは水平床面に平行となり，かつ，主電界成分ベ
クトルはTEMセルの断面の中心では垂直となる。
3.1.19
二次（電界）成分［secondary (field) component］
直交座標系で，主電界成分に直交し，かつ，互いに直交する二つの電界成分のいずれか一方。
3.1.20
合成電界（振幅）［resultant field (amplitude)］
主電界成分と二つの二次電界成分との二乗和平方根の値。ボルト毎メートル（V/m）で表す。
5
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3.1.21
マニピュレータ（manipulator）
ターンテーブルのような構造をもつ非金属の手動又は自動の試験用支持台。相関アルゴリズム又は試験
手順によって要求される多数の位置に対して，EUTに取り付けて支持できるもの。
注記 マニピュレータの設計例は，図A.2を参照。
3.1.22
多回転形TEM導波管（hyper-rotated TEM waveguide）
大地面に対して，対角線軸が垂直となるように傾けることができるTEM導波管。
注記 詳細は，参考文献[6]を参照。
3.2
略号
この規格で用いる主な略号は，次による。
BALUN バラン（balanced-to-unbalanced transformer）
DFT
離散フーリエ変換（discrete fourier transform）
EUT
供試装置（equipment under test）
FFT
高速フーリエ変換（fast fourier transform）
GTEM ギガヘルツTEM（セル）（gigahertz transverse electromagnetic）
HEMP 高々度核電磁パルス（high-altitude electromagnetic pulse）
OATS
オープンエリアテストサイト（open-area test site）
PoE
注入点（points of entry）
RF
無線周波（radio frequency）
SAC
半電波無響室（semi-anechoic chamber）
SPD
サージ防護デバイス（surge protective device）
TDR
タイムドメインリフレクトメータ（time-domain reflectometer）
TE
横方向電界（モード），（Hモード）［transverse electric (mode), (H-mode)］
TEM
横方向電磁界モード（transverse electromagnetic）
TM
横方向磁界（モード），（Eモード）［transverse magnetic (mode), (E-mode)］
VSWR 電圧定在波比（voltage-standing-wave-ratio）
4
一般事項
この規格は，TEM導波管の基本的な特性及び制限，例えば，試験領域，電磁界の均一性，TEMモード
の純度，周波数範囲などを規定する。TEM導波管の各種の一般的な特性は，附属書Dに示す。
TEM導波管による放射エミッション測定は，通常，OATS及びSACとの相関があり，その測定は，装
置からの妨害波電界強度の有効，かつ，再現性のある結果を提供する。附属書Aで規定するように，相関
アルゴリズムは，この場合TEM導波管における測定結果をOATSと等価のデータに変換するために用い
る。
TEM導波管は，電磁界に対して装置のイミュニティ試験をするための電磁界発生器として用いることが
できる。詳細は，附属書Bによる。TEM導波管によるイミュニティ試験は，参考文献に挙げる幾つかの
他の規格で参照されている。電磁界発生装置を，電界強度測定のために用いてもよい（参考文献参照）。
TEM導波管の試験は，完成装置の放射測定に限らず，電子部品及び集積回路の放射測定，並びにガスケ
ット材料及びケーブルの遮蔽効果の試験に適用してもよい。
6
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更なる情報は参考文献を参照。
5
TEM導波管の要求事項
5.1
一般事項
TEM導波管は要求事項を満たせばエミッション測定及びイミュニティ試験に使用できる。
TEM導波管の有効性の検証には，5.2及び5.3の方法を適用しなければならない。
ここでは，TEMモード及び電界均一性のような一般的な検証を規定する。エミッション，イミュニティ
及び過渡試験に対する特別な検証の要求条件は，附属書A及び附属書Bに記載する。
5.2
TEM導波管を使用するための一般要求事項
5.2.1
TEMモードの立証
TEM導波管では，断面寸法及び／又は導波管長によって導かれる特定のカットオフ周波数を超える周波
数で共振を起こすことがある。実際に使う場合には，TEM導波管内の電磁界は次の条件が満たされていれ
ばTEMモードで伝搬すると考えられる。TEMモードのこの立証は，エミッション又はイミュニティに使
用する導波管に適用する。TEMモードの特性は，定期的に確認しなければならない（5.2.3参照）。
注記1 一般に，TEM導波管の製造業者は，目的とした周波数範囲にわたってTEMモードの動作を
立証かつ文書化し，立証データを文書に含めることが望ましい。
イミュニティ試験における均一領域の立証手順（5.2.3に従って）を用いて得られる非意図的な二次電界
成分の強さは，TEM導波管の伝搬方向に垂直な指定した断面内における75 %を超える測定点で，電界の
主成分に対して6 dB未満でなければならない。
実際の精度及び周波数を試験報告書に記載している場合，この75 %の測定点に対して，試験周波数点数
の最大5 %まで（試験周波数点数が少ない場合には，一つの周波数）において，＋6 dBを超え＋10 dB以
下の電界の主成分の許容範囲，又は−2 dB以下の電界の主成分に対する二次電界成分のレベルは許容する。
周波数範囲は，30 MHzからそのTEM導波管の設計上の最高周波数までとする。80 MHz〜1 000 MHzの
周波数範囲では，最初の周波数ステップは，基本周波数の1 %を，それ以降は前の周波数の1 %以下とす
る。80 MHz未満及び1 000 MHzを超える周波数範囲では，最初の周波数ステップは基本周波数の5 %を，
それ以降は前の周波数の5 %以下とする。掃引速度は，電界プローブの応答時間より速くしてはならない。
注記2 TEMモードは主モードであり，共振が起こりにくい。この理由から，TEMモードの立証に
おいて5 %の周波数ステップを用いてもよい。
注記3 過渡試験（附属書C参照）の開始周波数は100 kHzが望ましい。
注記4 ここに規定する6 dBの値は，主TEMモードを示すものであり，電界の均一性の基準ではな
い。TEMモードの検証と電界均一の要求事項とを混同しないことが望ましい。電界の均一性
についてのより詳細な情報は参考文献[17]に示す。
5.2.2
試験領域及び最大EUTサイズ
EUTの最大のサイズはTEM導波管の“利用可能試験領域”の大きさに関係している。TEM導波管の“利
用可能試験領域”は，サイズ，幾何学的な形，及び電磁界の空間的な分布に依存している。
TEM導波管の“利用可能試験領域”（図A.6〜図A.9を参照）は5.2.3で規定する“均一領域”に依存す
る。導波管のTEMモードの伝搬方向（通常はz軸）は，均一領域に垂直（垂直断面，通常はxy平面）で
ある。
xy平面において，“利用可能試験領域”の全断面積は，5.2.3で規定する均一領域の要求を満たさなけれ
ばならない。EUT及び導波管のそれぞれの導体と電波吸収体との距離hEUTの最小値（図A.6〜図A.9を参
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照）は，導体と均一領域の境界（5.2.3参照）との距離によって決定する。
EUTと導波管の外部導体との密結合によって起こり得るEUTの動作の変化を避けるために，hEUTは0
にしない方がよい［hEUTは0.05h（hはセプタムと外部導体との距離）より大きいことが望ましい。］。利用
可能試験領域は，z軸（伝搬方向）に沿ってzmin〜zmaxの範囲とする。ここで，zmin及びzmaxは，給電点から
z軸正方向に延ばした線上の給電点に近い任意の点及び遠い任意の点までの距離とする。ただし，zmin及び
zmaxはTEM導波管の形状に依存する。図A.6〜図A.9参照。
試験領域の長さは，L＝zmin−zmaxとする。均一領域の要求事項は，zmin≦z≦zmaxを満たす全ての断面で確
認しなければならない。TEMモードの要求事項は，zmin≦z≦zmaxで，次のいずれかの条件のもとで満足し
ているとみなす。
− TEMモードの要求事項をzmaxの位置で満足し，かつ，導波管の構造が0＜z＜zmaxでw（幅）に対する
h（高さ）のアスペクト比（導波管の原理上決められる形）が一定となる，図A.6〜図A.9に示す形式
の一つと類似している。
− TEMモードの要求事項をzmin及びzmaxの位置で満足し，かつ，導波管の断面積が一定，又はzmin＜z＜
zmaxで一様な傾斜をもって広がっており（テーパ状），導関数dh/dz及びdw/dzがzmin＜z＜zmaxで（導体
構造において，ねじれも段差もない）滑らかな関数となる。
EUTの最大寸法は，利用可能試験領域の大きさに関係している。EUTは，0.6w×0.5L以下であることを
確認しなければならない（図A.6〜図A.9を参照）。
注記1 EUTの最大寸法は，ISO 11452-3では0.33w×0.6Lを，MIL-STD-461Fでは0.5w×0.5Lを推
奨している。
試験可能なEUTの最大高さは，0.33hとすることが望ましい。ここでhは，試験領域にある外部導体と
内部導体との間の距離（導体間の間隔で，セプタム高という。例えば，TEMセル内のセプタムと外部導体
との間である。）に等しい。ただし，GTEMセルの場合，hは，EUTのz軸方向の中心点を通る，試験領域
内の外部導体と内部導体との間の距離とする。いずれのTEM導波管においても，EUTのいかなる回転（配
向）に対し，EUTは利用可能試験領域の中に入っていなければならない。
注記2 ほとんどの規格ではEUT寸法を0.33hに制限している。多くのTEM導波管製造業者は，提
供するデータシートでEUTの高さを最大0.5hに制限している。電界プローブ，センサなど
の高精度の校正を除いて，EUTの高さは0.33hを超えてもよいが，製造業者の推奨値を超え
ないことが望ましい。製造業者が大きいEUTに対する測定不確かさについての情報を提供し
ているならば，使用可能なEUTの最大高さは0.33hより高くできる。EUTを入れた導波管の
影響についてのより詳細な情報を，参考文献[25]に示す。
5.2.3
利用可能試験領域の検証
5.2.3.1
一般事項
ここでは，電界強度の変化が十分小さい均一領域の概念を用いる（参考文献[15]参照）。
TEM導波管の大きさが均一領域の大きさを決定する。EUTの最大寸法は“利用可能試験領域”の大き
さに関係している（5.2.2参照）。
注記1 一般には，均一領域の正確な形及び位置は決められないが，ここでは，この規格の手順を使
用して決定している。
注記2 他に規定がない場合，均一領域は電界の伝搬方向に直交する垂直面であり，EUTの正面にお
ける一つの平面とすることが望ましい。この垂直面は，TEMモードの伝搬方向がほとんど水
平（z軸に沿っている。）で，平面波伝搬するとみなす。図A.7に示すTEM導波管のような，
8
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
TEMモードの伝搬方向が少し異なる方向にある場合，均一領域平面はそれに従って変えても
よい。
TEM導波管を使用することで，電波半無響室のような大地反射波による電場の乱れを避けることができ
る。したがって，内部導体及び外部導体の（法線方向だけ）すぐ近くまで均一領域を得ることができる。
原理的に均一領域は，入力ポートからどの距離に位置してもよい。その位置は，特定の導波管の幾何学
的構造に依存する。均一領域は校正された入力ポートからの距離においてだけ有効とする。
EUTを回転するために，均一領域は5.2.2で規定した利用可能試験領域の端であるzmaxからきょう体の
最大寸法以上の距離に配置しなければならない。
均一領域は，5.2.1で規定した周波数ステップ及び周波数レンジで無変調信号を用いて，EUTのない空の
導波管の状態で検証する。
均一領域の寸法に応じて，少なくとも五つ以上の測定点（中央一つ及び角で四つ）で検証する。
二つの測定点間の間隔は50 cm以下とする。この50 cmの制限を超える場合は，50 cm以下になるよう
に測定点を増やし格子状に均等に配置する［図B.2 b)参照］。このことは，測定点を9点にすることを意味
する。
5.2.3.2
電界均一性測定手順
電界均一性検証手順は，次による。この方法を“進行波電力一定法”という。
a) 格子点の一点に等方性3軸プローブを配置する。
なお，使用する電界プローブの校正方法は，附属書Eに記述する。
b) 5.2.1で規定した周波数範囲及び周波数ステップで，主電界成分の電界強度が選択した試験電界強度
ELimitとなるようにTEM導波管の入力ポートに進行波電力を供給する。全ての進行波電力，主電界成
分及び二次電界成分の各強度の読み値を記録する。
c) 同じ進行波電力で，残りの格子点の主電界成分及び二次電界成分の強度を測定し，記録する。
d) 5.2.3.3の式(2)に従って主電界成分の標準偏差を計算する。その標準偏差は2.61 dB未満でなくてはな
らない。
e) d)までの手順で得られた，最も主電界成分の小さい格子点の電界強度Erefを基準とし，基準点以外の
格子点における主電界成分強度は0 dB〜6 dBの範囲にあることを確認する。また，それぞれの格子点
における二次電界成分の大きさは，主電界成分の半分（−6 dB）以下とする。
これと等価な代替法として次の方法を示す。まず，主電界成分が要求された試験電界強度ELimitになった
ときのTEM導波管の入力端の進行波電力を全測定点について記録する。次のステップとして上記ステッ
プa)，d)及びe)を実施しなければならない。この方法は“電界一定法”という。
均一性の検証は，個々の面（全てのケーブル配線を含む。）が“均一領域”によって完全に囲われる全て
のEUTに対して，有効とする。均一領域の完全な検証は，年1回か又は導波管の形状（TEMセル又はシ
ールドルーム内のストリップライン）を変更したときに行う。
5.2.3.3
電界均一性の判断基準
電界均一性は，次のように決定する。
測定点iにおいて，測定した電界強度をEiで示す。平均値E及び標準偏差
E
σは，N個の測定点から式(1)
及び式(2)によって計算する。
()∑
=
N
i
E
N
E
1
············································································· (1)
9
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(
)
()∑
−
−
=
N
i
E
E
E
N
2
1
1
σ
······························································ (2)
統計的な意味として測定点の数N＝5は非常に少ないが，それでも測定値Eiに対し正規分布を仮定する
ことができる。測定結果の確率75 %が式(3)の範囲に収まる場合，ファクタKは，1.15を選択する。
E
i
E
K
E
E
K
E
σ
σ
+
−
≦
≦
·························································· (3)
ここに，Kの値を，表1に示す。
表1−正規分布における拡張不確かさのためのKの値
ファクタK
1
1.15
1.3
1.5
2
3
確率 %
68.3
75.0
80.6
86.6
95.5
99.7
式(4)に従った範囲内に納まるかどうかにかかわらず，dBの値で扱った確率を必要とする。
Margin
Limit
Limit
E
E
E
E
i
+
≦
≦
···························································· (4)
この範囲を式(3)と比較し，式(5)となる。
E
i
K
E
E
E
σ
+2
Limit
Limit
≦
≦
························································ (5)
このときの標準偏差を，式(6)に示す。
K
E
2
M
≦
σ
················································································ (6)
確率が75 %の場合，ファクタK＝1.15で，かつ，マージンM＝6 dBに対する，デシベルで表す標準偏
差を次に示す。
61
.2
15
.1
2
6
=
×
≦
E
σ
センサの最大寸法は，内部導体と外部導体との間の距離の10 %より小さくしなければならない。この場
合は，いかなる場の乱れも無視することができる。詳細は，参考文献[18]に示す。
5.2.3.3A 試験電界強度の設定
選択する試験電界強度Etestを得るために必要な進行波電力Ptestは，5.2.3.2の基準電界強度Eref，及びEref
を発生させるための進行波電力Pfwdから，式(7)を用いて計算し，記録しなければならない。
fwd
2
ref
2
test
test
P
E
E
P =
·········································································· (7)
ここに， Etest： 選択する試験電界強度（V/m）
Eref： 5.2.3.2で規定した基準電界強度（V/m）
Ptest： Etestを得るために必要な進行波電力（W）
Pfwd： Erefを発生させるための進行波電力（W）
例 Pfwdが81 Wのときに得たErefが9 V/mの場合，Etestが3 V/mに対して9 WのPtestが必要となる。
5.3
特定のTEM導波管に対する要求事項及び推奨事項
5.3.1
開放形TEM導波管のセットアップ
周囲の電磁環境の影響を最小にするために，TEM導波管をシールドルーム内に設置する。
開放形TEM導波管は，シールドルームの床，壁及び天井の金属壁面から十分離して設置することが望
ましい。追加の電波吸収体をシールドルームに適切に置くことで，シールドルームの金属壁面による影響
を最小にすることができる。
また，開放形TEM導波管をシールドルームの床に直接設置する方法もある。
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5.3.2
2ポートTEM導波管のTEMモードの代替立証法
5.2.1の代替として，2ポートTEM導波管の使用可能な周波数範囲は，次の方法によっても立証できる。
EUTを試験する前に，B.3に従ってEUTを設置し，EUTの電源をオフにした状態で2ポート導波管の共
振を測定しなければならない。この場合，TEM導波管の使用周波数範囲における伝送損失は，式(8)の要
求を満たさなければならない。
1
log
10
fwd
output
fwd
refl
tloss
≦
−
=
P
P
P
P
A
······················································ (8)
ここに， Atloss： EUTを入れた導波管の伝送損失（dB）
Prefl： 入力ポートで測定した反射電力（W）
Pfwd： 入力ポートで測定した進行波電力（W）
Poutput： 出力ポートで測定した出力電力（W）
注記1 入力ポートの反射電力及び進行波電力，並びに出力ポートの出力電力はTEM導波管の特性
インピーダンスで測定できる。インピーダンス変換器は不要である。電力は直列接続でだけ
測定できる。式(8)は50 Ωの特性インピーダンスに対して有効である。
注記2 この箇条で規定する方法は，ISO 11452-3に規定する形式の2ポートTEM導波管の代替立証
方法で，共振している高次モードがTEMモードからのエネルギーを抽出するという仮定に
基づいている。
6
EUTのタイプの概要
6.1
一般事項
EUTのタイプとは，同じ試験配置及び同じ試験手順での試験が可能である，電磁的特性又は物理的寸法
が十分類似している製品のグループのことである。EUTのタイプ及びその構造は，イミュニティ試験及び
エミッション測定に対して有効であり，試験領域中で同一の配置を可能にする。
6.2
小さいEUT
EUTは，きょう体の最も大きい外形寸法又は相互接続ケーブルを含む最大寸法が最高試験周波数に対応
する波長の1波長（例えば，1 GHzでλ＝300 mm）より小さく，かつ，EUTに外部接続ケーブルが接続さ
れていない場合，“小さいEUT”とする。その他のEUTは“大きいEUT”とする。ただし，EUTの一部
分となっている，引き回しを変更しない相互接続ケーブルをもつEUTは，小さいEUTとする。
6.3
大きいEUT
次のいずれかに該当するEUTは，大きいEUTとする。
− 一つ又は複数の外部接続ケーブルをもつ小さいEUT
− 一つ又は複数の引き回しに自由度のあるケーブルをもつ小さいEUT
− ケーブルの有無にかかわらず，最高試験周波数での1波長以上の寸法をもつEUT
− 外部接続ケーブルの有無にかかわらず，相互接続ケーブルをもつ，複数の小さいEUTから成るグルー
プ
7
試験室の基準条件
7.1
一般事項
周囲環境のパラメータが試験結果に与える影響を最小限にするために，試験は，7.2及び7.3で規定する
気象及び電磁環境条件で行う。
11
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7.2
気象条件
共通規格，製品群規格又は製品規格で規定がない限り，試験室の気象条件は，全て，EUT及び試験装置
の動作に関して，それぞれの製造業者が指定する限度内でなければならない。
EUT又は試験装置に結露が生じるほど相対湿度が高い場合には，試験を行ってはならない。
7.3
電磁環境条件
試験室の電磁環境条件は，試験結果に影響を与えないようにEUTの正確な動作を保証しなければならな
い。
8
試験結果の評価及び報告
試験は，試験計画に従って実行するとともに，それらを試験報告書に記載する。試験結果及び報告書の
要件は，実行する試験の種類による。
試験報告書は，試験を再現するために必要な全ての情報を含まなければならない。特に，次の事項を記
載する。
− 試験計画において指定した項目
− EUT及び関連装置の識別表示。例えば，商標，製品形式，製造番号
− 試験装置の識別表示。例えば，商標，製品形式，製造番号
− 試験を行った特別な環境条件
− 試験を行うために必要な特別な条件
− 製造業者と，試験の依頼者又は購入者との間で指定する性能レベル
イミュニティ試験については，次の事項も記載する。
− 共通規格，製品規格又は製品群規格で規定する性能基準
− 妨害の印加中又は印加後に観測したEUTへの全ての影響，及びこれらの影響が持続した期間
− 合否判定の根拠（共通規格，製品規格若しくは製品群規格で規定する性能基準，又は製造業者と購入
者との間で合意した性能基準に基づく。）
− 装置の取扱いにおける特定の条件。例えば，適合性を達成するために必要なケーブルの長さ，形式，
遮蔽若しくは接地，又はEUTの動作条件
− 試験セットアップ及びEUTの配置の図面及び／又は写真
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附属書A
（規定）
TEM導波管によるエミッション試験
A.1 概説
A.5及びA.6は，TEM導波管によるエミッション試験について規定する。A.2〜A.4は，TEM導波管の
製造業者に対しての規定である。
TEM導波管によるエミッション試験は，次の2種類の方法のうちの一つで得られた許容値と比較しても
よい。
− TEM導波管を基にした許容値 この方法は，参考文献に記載しているような，特定の製品群（例え
ば，集積回路，軍需品，車載部品，モジュールなどのための試験手順）に適用する。この場合，TEM
導波管によるエミッション試験の結果は，独立した妨害許容値と直接，又は通常，1種類のTEM導波
管のために，特別に作られた指針と比較する。幾つかの事例では，TEM導波管の許容値は他の試験設
備で用いている許容値から導き出していることもある（参考文献[36]参照）。
− OATSを基にした許容値 この方法は，OATSでの電界強度で示す妨害許容値に適合することを求め
られているEUTに用いる。TEM導波管試験からOATSでの電界強度を導出するために，相関アルゴ
リズムを使用する。
この附属書では，後者の試験方法だけについて詳細を規定する。TEM導波管を用いるエミッション試験
では，TEM導波管の妥当性を確認するため，TEM導波管の正当性の検証が必要になる。各EUTタイプに
対する検証は，箇条5に示す手順で行わなければならない。ただし，同じEUT製品群の中での相対的な比
較だけを行う場合は，OATS又は他の試験サイトとの相関は要求しない。この場合，製品規格委員会は，
測定データの適合性を決めるための特定の許容値を設定しなければならない。
A.3に相関アルゴリズムを規定する。等価的なOATSの電界強度を評価するために，相関アルゴリズム
ではTEM導波管の測定電圧値を用いる。このアルゴリズムによって，自由空間における電界強度値を推
定することが可能である。これらの電界強度値は，EUTタイプの検証手順による試験結果に従って，規格
の要求値と比較することができる。
注記 試験手順では，通常，EUTを全3軸方向で回転することを要求している。多回転形TEM導波
管を使用する場合（参考文献[6]参照）は，その対角線軸が大地面に垂直になるように，TEM導
波管を再調整する。EUTは，（その対角線軸である）垂直軸に対して±120°回転させることに
なるが，水平軸に対して回転する必要はない。
A.2 試験装置
試験装置は，CISPR 16-1-1の関連する要求事項に適合しなければならない。
注記 等方性電界プローブの校正手順及び特性は参考文献[24]に記載している。
A.3 TEM導波管電圧と電界データとの相関
A.3.1 一般的な注意
ここに規定する手順は，TEM導波管による試験をOATSでのエミッション試験法の代替法として確立す
13
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ることを意図している。TEM導波管での試験結果は，OATSでの電界データと等価な値に変換する。ここ
では，TEM導波管測定から得られた放射電力が，基準大地面にあるダイポールから放射されるという仮定
に基づいたアルゴリズムを規定する。
相関ルーチンは，hEUT及びh［図A.6 b)及び図A.7 b)参照］を計算に用いている。TEM導波管内に置か
れたEUTによる測定電圧は，EUTから放射されるエミッションによって発生する。相関ルーチンの要求
に従ってEUTを回転（位置を再設定）した後，全ての要求位置での試験が終了するまで，更なる電圧測定
を行う。OATSでの試験を模擬するために，相関ルーチンではこれらのデータを用いる。
注記 エミッション測定の相関性及び相関データについての情報は，参考文献[5]，[8]，[17]，[22]，[34]，
[36]，[40]及び[41]から得ることができる。
A.3.2は，“3か所の位置での試験”に基づいた相関アルゴリズムについて規定する。他のアルゴリズム
も提案されており，幾つかの種類のEUTに対しては有用である（参考文献[31]及び[41]参照）。
A.3.2 相関アルゴリズム
A.3.2.1 一般事項
A.3.2.2及びA.3.2.3は，独立した二つの相関性を求める手法を規定する。A.3.2.2は“多極モデル”のた
めの相関ルーチンの基本的な手法を規定し，等価的な多極モーメントを決めるために，一連の導波管試験
を使用する。A.3.2.3は三つの電圧測定を使う，もう一つの相関ルーチンの基本的な手法を規定する。この
手法は，“全放射電力法”ということもある。
A.3.2.2 多極モデル
有限の大きさをもつ任意の放射源は，放射源の外側空間において同一の放射パターンになるような等価
の“多極展開”によって置換できる。放射源が電気的に小さい場合（電気長0.1波長未満の場合）では，
多極展開初項，すなわち，電気及び磁気ダイポールで放射源を正確に模擬できる。このことは任意の放射
源に対しても適用できる。放射源自身が，電気及び磁気ダイポールのようなエレメントだけで構成されて
いる場合では，波長に対して電気的に小さいという制限は緩和してもよい。
TEM導波管と，OATS又は自由空間データとの相関をとるアルゴリズムの基本的な手法では，多極モー
メントを決定するために一連のTEM導波管試験を用いる。通常，三つの複素直交ダイポールモーメント
を使い，6回以上の測定を必要とする。基本的な三方位測定法では放射電力は評価できるが，個々の多極
モーメントは求められない。放射電力が決まれば，自由空間中又は無限グラウンド面上での放射電界は数
値的に求められる。この方法によって，OATSにおけるエミッション規格で要求されている，送信及び受
信アンテナの様々な配置を模擬することが可能になる。
2ポートTEM導波管では，両ポートでの測定は，振幅及び相対位相（入力ポートと出力ポートとの間の
電圧位相差）の両方の情報を得ることができる（参考文献[14]，[29]，[30]，[35]及び[38]を参照）。この方
法では，多極モーメントの大きさ及び位相が決定でき，位相の相殺によるヌル点を含んだ放射パターンが
正確に模擬できる。1ポートTEM導波管では，相対位相情報を得ることはできない。すなわち，多極モー
メントの大きさだけを決定できる（参考文献[36]，[40]及び[41]を参照）。相対的な位相情報が未知であるた
め，1ポートTEM導波管の相関ルーチンは，全ての多極モーメントが同位相であると仮定する。これは，
推定値の上限だけを与え（参考文献[10]，[28]及び[39]を参照），詳細な放射パターンを模擬することはでき
ない。上限の推定は，規格で規定する許容値との比較を行うときに有効である。
TEM導波管内には，交差偏波による結合が存在し，エミッション試験に対し影響がある（参考文献[31]
及び[32]参照）。
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A.3.2.3 1ポートTEM導波管の相関アルゴリズム
A.3.2.3.1 一般
1ポート相関アルゴリズムは，TEM導波管内における三つの電圧測定に基づいて，それらの測定からEUT
の放射電力を計算できる。個々のダイポールモーメントを別々に決定することはできない。
この放射電力値は，同じ放射電力を送信する平行に配置した送信及び受信ダイポールのモデルに基づい
て，グラウンド面上のEUT最大放射電界レベルを模擬するために用いる。
A.3.2.3.2 TEM導波管の電圧測定
EUTの三つの方向において電圧を測定する。その方法は，次による（参考文献[31]及び[41]参照）。
a) 座標軸（x，y，z）をTEMセルに割り当てる。標準的な選び方としては，z軸を伝搬方向，y軸を垂直
電界に平行な方向，及びx軸を磁界に平行な方向とする。
b) 隔壁の中央をx＝0として（x＝0，y，z）の位置にEUTの中央を一致させる。
c) ローカル座標系（ダッシュの付いた座標系）（x´，y´，z´）をEUTに割り当てる。位置aは，図A.3に
示されているようにx´とx，y´とy，及びz´とzとが並んでいる。
d) 位置bは，ダッシュの付いたEUTの座標軸を単純に入れ替えている。すなわち，x´をy，y´をz，z´を
xとしている。これはEUTを2回，90°回転したものと等価となる。
e) 位置cは，更に入替えを行うことによって得られる。すなわち，x´をz，y´をx，z´をyとしている。
f)
三つの電圧測定値をVp1，Vp2及びVp3で表すと，EUTによる全放射電力P0は式(A.1)で与えられる。
2
c
2
0
2
0
0
0
π
3
S
Z
e
k
P
y
・
・
η
=
································································· (A.1)
2
p3
2
p2
2
p1
V
V
V
S
+
+
=
······························································ (A.2a)
10
120
|
10
120
|
10
120
|
dB
p3
dB
p2
dB
p1
10
10
10
−
−
−
+
+
=
V
V
V
S
········································(A.2b)
ここに，
P0： EUTによる全放射電力（W）
Vp1，Vp2，Vp3： 三つのEUT位置での電圧測定値（V）
Vp1|dB，Vp2|dB，Vp3|dB： 三つのEUT位置での電圧測定値のデシベル表
示（dBμV）
S： 測定電圧の二乗和平方根（V）
k0： 波数（1/m）
λ
π
2
0=
k
λ：波長（m）
η0： 自由空間波動インピーダンス（Ω）
377
π
120
0
0
0
≈
=
=εμ
η
μ0：真空の透磁率（H/m）
ε0：真空の誘電率（F/m）
Zc： TEM導波管の特性インピーダンス（Ω）（一般
的に50 Ω）
e0y： TEMモード電界係数（
m
/
Ω
）；式(A.1)におい
て（x＝0，y，z）となるEUTの位置における電
界の正規化y成分
この規格における“小さいEUT”に対しては，四つの開始位置（図A.4のa1，a2，a3及びa4の位置）
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の各々で三つの直交位置で合計12の位置において，試験を行う必要がある。
A.3.2.3.3 電界係数の決定
A.3.2.3.3.1 一般事項
ここで規定するアルゴリズムでは，TEMモード電界の主成分であるy成分を用いる。高次電界モードは，
直接的にはポート電圧と関連しない。電界係数e0yは，任意のEUTの試験位置におけるTEMモード電界
の正規化されたy方向成分である。電界係数e0yを得るための二つの可能な手順は，A.3.2.3.3.2又は
A.3.2.3.3.3による。
特定の形式及びサイズに対するTEM導波管の電界係数e0yは，製造業者が用意する。
A.3.2.3.3.2 実験的な手順
電界係数e0yは，既知の入力電力Pi（W），及び空のセルに対するEUTの中心の位置（x，y，z）におけ
る電界のy成分Ey（V/m）の測定から，実験的に式(A.3)によって決定できる。
i
y
y
P
y
x
E
e
)
,
(
0=
········································································ (A.3)
A.3.2.3.3.3 解析的な手順
長方形の断面をもつTEMセルに対して，正規化されたTEMモード成分の電界係数e0yは，次の式(A.4)
で解析的に近似できる（参考文献[41]参照）。
∑
∞
=
=
...
5,3,1
0
c
0
)
(
)2
sin(
)
cos(
)
sinh(
)
cosh(
4
m
y
Mg
J
a
M
Mx
Mh
My
Z
a
e
・
・
・
・
··············· (A.4)
ここに，
M：
a
m
M
π
=
（1/m），m＝1,3,5,…,∞
a： zにおけるセルの幅（m）（図A.6〜図A.9参照）
h： zにおける隔壁高さ（m）
g： zにおける隔壁と床導体との間隔（m）
x，y，z： EUT中心からの位置（m）
J0： 0次ベッセル関数，無次元
この級数の僅かな項だけでe0yのよい近似が可能である。いろいろな構造での電界係数の計算結果は参考
文献[28]に記載されている。
A.3.2.4 OATSとの相関
金属大地面上に設置したEUTからのエミッションは，TEM導波管試験で評価した全放射電力が，EUT
と置き換えた短縮ダイポールによる放射電力と同じであると，仮定している。
単体のダイポールからの電界の式はよく知られている。金属大地面による電磁波の反射の影響は，イメ
ージダイポール（大地面の下に仮想的なダイポールアンテナが存在すると仮定する。）という概念を導入し
て，電界を計算できる。OATS法で要求されるように受信アンテナを等価的に上下させて電界を計算する
（図A.5参照）。水平及び垂直の二つの偏波のうちの最大値が，最大電界である。受信アンテナの高さを上
下することによって決定した係数gmaxを用いて，OATS上の最大電界の推定値Emax（V/m）は，式(A.5)に
よって算出する。
0
0
max
max
π
4
3
P
g
E
η
=
································································ (A.5)
式(A.1)を式(A.5)に代入すると，式(A.6)となる。
c
0
0
0
max
max
π
2
Z
S
e
k
g
E
y
=
η
························································· (A.6)
16
C 61000-4-20：2014
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
gmax（1/m）は，式(A.7a)で求められる水平偏波のgmaxH（1/m），又は式(A.7b)で求められる垂直偏波のgmaxV
（1/m）のどちらか大きい方とする。
[
]
max
2
1
1
2
0
2
1
2
1
2
2
2
1
max
2
1
maxH
)
(
cos
2
1
2
0
1
0
r
r
k
r
r
r
r
r
r
r
e
r
e
g
r
jk
r
jk
−
+
+
=
−
=
−
−
········ (A.7a)
[
]
max
2
1
1
2
0
3
2
3
1
6
1
6
2
3
2
3
1
2
max
2
2
2
2
1
2
1
2
maxV
)
(
cos
2
2
0
1
0
r
r
k
r
r
r
r
r
r
s
r
e
r
s
r
e
r
s
g
r
jk
r
jk
−
+
+
=
+
=
−
−
····(A.7b)
ここに，
s： 適用しようとする規格で定められている受信アンテナとダイ
ポールとの間の距離（m）。この値は30 m，10 m又は3 mであ
る。
r1： ダイポールアンテナと受信アンテナとの間の距離（m）
r2： イメージダイポールと受信アンテナとの間の距離（m）
(
)2
g
H
2
1
h
R
s
r
−
+
=
(
)2
g
H
2
2
h
R
s
r
+
+
=
hg： グラウンド面からのダイポールの高さ（m）
RH： グラウンド面からの受信アンテナの高さ（m）。この
値は，sが30 mの場合は2 m〜6 m，sが10 m又は3 m
の場合は1 m〜4 mの範囲で変える。
注記1 距離rにおける自由空間，かつ，遠方界の電界最大値は，
(
)()r
P
D
E
/
π
4
/
0
max
0
max
η
=
で与えら
れる。ここで，Dmaxはアンテナの最大指向性である。式(A.5)は，Dmaxを3に設定し，イメー
ジダイポールアンテナとの距離rを幾何係数gmaxで置き換えることによって導出できる。3
という値は小さいアンテナに対する上限となっており，これは電気及び磁気ダイポールがど
ちらも最大指向性である方向に向き，かつ，両者の位相がそろった場合の結果である。電気
又は磁気ダイポール単独では，Dmax＝1.5である。通常は電気又は磁気ダイポールの一方が支
配的であるので，Dmax＝1.5がEUTのような非意図的放射源に対してはより適切である。こ
のことから，式(A.5)は“最悪の場合”とみなされる。
DはEUTの指向性であり，一般に，仮定した値，周知の値，又は測定した値のいずれかで
ある。他の全放射電力を測るエミッション試験法，例えば，反射箱法などに対しては，D＝
1.5又は1.7である。この規格の目的に対しては，小さいEUTの“最悪の場合”の指向性と
してD＝Dmax（＝3）になる。
注記2 1ポートTEMセルの相関アルゴリズムは，常に“最悪の場合”の推定値を仮定している。こ
の相関アルゴリズムは5.2で規定する小さいEUTで有効である。大きいEUTに対する相関
アルゴリズム及び配置法の指針は，A.5.1.2で示す。
注記3 イメージアンテナのない，もう一つの相関は自由空間に対するものである。自由空間の場合，
又は等価な全電波無響室の場合は，グラウンド面による反射項は省かれ，式(A.7a)及び式
(A.7b)は，式(A.7A)となる。
max
1
maxV
maxH
1
0
r
e
g
g
r
jk
−
=
=
························································· (A.7A)
Emaxは，デシベル・マイクロボルト毎メートル（dBμV/m）を用いて，式(A.8)で表してもよい。
5.
139
)
log(
10
)
(
log
20
|
0
max
dB
max
+
+
=
P
g
E
········································ (A.8)
17
C 61000-4-20：2014
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
係数20 log（gmax）は，毎回計算するか，又は標準的な配置の場合，既知の値によって決定してもよい。
Emaxは測定電圧の関数としても表現できる。式(A.6)をデシベル・マイクロボルト毎メートル（dBμV/m）
に変換すると，式(A.9)となる。
120
log
10
π
2
log
20
)
log(
20
c
2
0
0
0
max
dB
max
+
+
+
=
Z
S
e
k
g
|
E
y
η
··················· (A.9)
A.4 エミッション試験の補正係数
A.4.1 基準エミッション源
補正係数は，明確に特性付けられたOATSのエミッション測定結果によって，一連の基準エミッション
源を用いて決めることができる。基準エミッション源はTEM導波管内で試験するEUTのタイプ（箇条6
参照）に基づいて選択する。典型的な基準エミッション源として，次のa)〜d) とすることが望ましい。
a)〜d) は，CISPR 22で規定する卓上装置を代表している。
a) 小さいEUTの一例としての，広帯域アンテナを備えた電池駆動の広帯域コムジェネレータ（comb
generator: 周波数一定間隔のスペクトルを発射する機器）。広帯域コムジェネレータの最大寸法は，0.1h
未満とすることが望ましい。ここに，hはTEM導波管の導体間の間隔である。0.1h未満の大きさを満
たす広帯域コムジェネレータが入手できない場合には，0.35h未満の広帯域コムジェネレータを使用し
てもよい。この場合は，用いた広帯域コムジェネレータのサイズ及びタイプ並びに規定するサイズ
（0.1h）を試験手順の同じ箇所に記載する。また，EUTの最大寸法は，最高試験周波数の波長よりも
小さいことが望ましい（6.2参照）。
b) 外部接続ケーブルのない大きいEUTの一例としての，ケーブル付き電池駆動広帯域コムジェネレータ
（6.3参照）。広帯域コムジェネレータのケーブルは，試験領域の境界まで伸ばすことが望ましいが，
試験領域の境界を越えてはならない。
c) 外部接続ケーブル付きの大きいEUTの一例としての，外部接続ケーブル付き電池駆動広帯域コムジェ
ネレータ。このケーブルを伸ばして吸収クランプを装着する。
d) 外部接続ケーブルが複数ある大きなEUTの一例としての，2本以上の外部接続ケーブルをもっている
広帯域コムジェネレータを組み込んだ幅480 mmのきょう体（19インチラック）。
a)〜d)の例において，広帯域コムジェネレータは10 MHz以下の間隔で，対象周波数範囲全てにわたっ
てスペクトル線を発生することが望ましい。
発生するスペクトラムは，試験実施中，1 dB未満の安定度をもつことが望ましい。
注記 ノイズ源の最大寸法が0.1 hより小さければ，TEMモードの乱れが最小であると仮定すること
ができる。
特定の種類及びサイズのTEM導波管を製造している業者に対して，a)〜d)に示すEUTを用いて，同じ
種類及びサイズの四つ以上のTEM導波管，並びに四つ以上の異なるOATSにおいてエミッション試験を
行うことが望ましい。その結果は，同じ種類及びサイズのTEM導波管に対して有効となる。それぞれの
測定サイトの試験では，全ての周波数において同一のEUT配置，測定用受信機の検波機能，測定時間及び
帯域幅を用いることが望ましい。TEM導波管測定電圧値をOATS電界強度値に変換するために，図A.3に
おける三つの座標系を基準とした相関アルゴリズム（以下，3配置相関アルゴリズムという。）を適用する
ことが望ましい。
A.4.2 小さいEUTの配置
試験は，TEM導波管内において小さいEUTの例を用い，特定の試験順序に従って行う。EUTは，例え
18
C 61000-4-20：2014
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
ば試験支持台（発泡スチロールブロックなど）の上で，三つ以上の直交配置に向きを変えて，試験空間の
中心に配置する（図A.2参照）。固定されたEUTを収めるための非導電性の立方体，又はマニピュレータ
の使用によって，回転を補助することが可能な場合がある。
A.4.3 小さいEUTの補正係数の計算
小さいEUTの例の場合，次に示す統計的な補正係数を用いると，OATSの電界強度と，3配置相関アル
ゴリズムを用いて変換したTEM導波管内での電界強度との一致の程度が改善する。
注記1 導波管内のエミッション測定は，全放射電力法に基づいている。したがって，全ての可能な
配置が考慮されている。TEM導波管での測定値とOATSでの測定値とを比較する場合，測定
者は，OATSにおける最大放射となるEUTの配置を選ぶことが望ましい。
補正係数の計算は，各周波数でTEM導波管での相関係数を考慮した電界強度とOATSでの測定電界強
度とのそれぞれの平均値及び標準偏差の差に基づいている。小さいEUTの例に対して，付加的な放射パタ
ーンの補正係数は，OATSとTEM導波管との結果の一致の程度を改善する。各周波数fの補正係数cfを，
式(A.10)を用いて計算する。
t
d
x
c
s,f
f
f
−
−
=
····································································(A.10)
ここに，
fx： TEM 導波管の電界強度の平均値と，OATSの電界強度の平均
値との差（V/m）
ds, f： 複数のTEM導波管の読み値の標準偏差と，複数のOATSの読
み値の標準偏差との差［式(A.12)参照］（V/m）
t： 放射パターンの不確かさ係数［式(A.18)参照］（V/m）
注記2 実際の小さいEUTは，理想的な放射パターンをもたないことがある。理想的な放射パターン
と実際の放射パターンとの違いは，式(A.10)の係数tによって考慮している。また，異なる
OATSでの測定，及び異なるTEM導波管での測定でも，偏差をもたらすことがある。これは
式(A.10)のds,fによって考慮している。
各周波数の電界強度の平均値の差は，式(A.11)で求める。
−
=∑
∑
=
=
n
i
m
k
f
k
f
i
f
o
n
g
n
x
1
1
,
,
1
1
······················································ (A.11)
ここに，
gi, f： 周波数fにおいて，特定の形式及び大きさをもつ，複数のTEM
導波管を用いたi（＝1 … n）個目の相関のとれた電界強度測
定値（V/m）（A.3.2.4参照）
ok, f： 複数のOATSを用いたk（＝1…m）設備目の測定結果（V/m）
f： 周波数（Hz）
注記3 gi, fとok, fは対数正規分布に従うので，式(A.11)は対数スケールで表現すると便利である。
TEM導波管とOATSとの読み値の標準偏差の差は，式(A.12)で求められる。
f
f
f
s
s
s
d
,
OATS
,
TEM
,
−
=
·······························································(A.12)
STEM,fは，ボルト毎メートル（V/m）で表すTEM導波管における電界強度値の標準偏差であり，式(A.13)
で求められる。
(
)
1
1
2
TEM,
−
−
=∑
=
n
g
g
s
n
i
f
i,f
f
·························································(A.13)
また，SOATS,fは，ボルト毎メートル（V/m）で表す一つ又は複数のOATSにおける電界強度値の標準偏差
であり，式(A.14)で求められる。
19
C 61000-4-20：2014
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(
)
1
1
2
OATS,
−
−
=∑
=
m
o
o
s
m
k
f
k,f
f
·························································(A.14)
これらの標準偏差の式において，ボルト毎メートル（V/m）で表すTEM導波管のレベルの平均値
f
g及
びOATSのレベルの平均値
f
oは，式(A.15)及び式(A.16)で求められる。
∑
=
=
n
i
f
i
f
g
n
g
1
,
1
······································································(A.15)
∑
=
=
m
k
f
k
f
o
m
o
1
,
1
······································································(A.16)
注記4 TEM導波管が唯一（n＝1）のものの場合（例えば，一試験室内での科学的な使用のために設
置されたものなど），標準偏差を求めることはできない。したがって，これらの結果は，例え
同種で同寸法であっても他のTEM導波管の有効性検証には使用できない。
各々の特定の導波管に対して，放射パターンの不確かさ係数tは，例えば，0°，45°，90°，135°，180°，
225°，270°及び315°の八つの開始位置において行われた，一連の3配置相関アルゴリズムに基づく試験
から導出する。例えば，図A.4のa1（xx´yy´zz´）の開始位置では，EUTはy軸の周りに上記の角度だけ回
転させる。各開始位置において3配置相関アルゴリズムを適用すると，一連の八つの相関電界強度Eαが得
られる。Eαは，8×3＝24個の電圧の読み値を用いている。
α
Eは，平均電界強度であり，式(A.16A)で求められる。
2
)
90
(+
+
=
α
E
E
E
α
α
································································ (A.16A)
ここに，
α： 3配置相関アルゴリズムにおける開始位置（°），0°から始ま
り，45°刻みで315°までの値をとる。
最大電界強度Eα,maxは，90°ずつ離れた二つの電界強度から求められる。具体的には，E0°,maxは，E0°と
E90°のうち大きい方の値で，これをαが225°まで計算する。
ボルト毎メートル（V/m）で表す標準偏差係数t90°,fは，一例として45°の各度刻みに対し，式(A.17)の
ように計算できる。
(
)
1
315
225
90
0
2
max
,
,
90
−
−
=∑°
°
°
°
=
°
l
E
E
t
α
α
f
Ι
Ι
α
·····················································(A.17)
ここに，
l： 開始位置の数（上の例では八つ）
最終的な放射パターンの不確かさ係数tは，それらの平均，すなわち式(A.18)で与えられる。
(
)
∑
=
°
=
n
i
i
f
t
n
t
1
,
90
1
······································································(A.18)
注記5 放射パターンの不確かさ係数tの導出については，参考文献[27]の6配置法か，又は参考文献
[37]の12配置（拡張された3配置）で記述している代替法もある。重要な問題は，全放射電
力を捕捉することである。比較データは参考文献[20]及び[21]にある。
A.5 TEM導波管によるエミッション試験の手順
A.5.1 EUTのタイプ
A.5.1.1 小さいEUT
20
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小さいEUTは，TEM導波管内で二通りの向きを開始位置として試験しなければならない。最初の向き
の開始位置は任意とする。ただし，2番目の向きの開始位置は，最初の向きの開始位置から図A.4で示す
ように回転した位置とする。各向きの開始位置に対して，適切な相関アルゴリズムのためにEUTを回転す
る。例えば，A.3.2.3.2で規定する方法は，三つの方向での測定を要求する。この手順は，図A.4の開始の
向きの位置a1及びa3，又はa2及びa4（合計2×3＝6配置）で行わなければならない。各周波数において，
二組の測定データから最も高いレベルの相関電界強度を報告書に記載しなければならない。
注記 周波数範囲は，適用する許容値又は試験対象によって決まり，小さいEUTに対しては，通常，
30 MHz〜1 GHzである。使用できる周波数範囲は，TEMモード検証試験によって決まる（5.2.1
及び5.3.2参照）。
A.5.1.2 大きなEUT
A.5.1.1で述べた方法は，大きなEUTに適用してもよい。ただし，相関アルゴリズムにおけるダイポー
ルの仮定に対する妥当性が低くなる。
TEM導波管を用いた大きなEUTの適合性試験は，次による。詳細は，参考文献[2]参照。
a) 特別に大きなEUTに対して，異なる三つのOATS及びTEM導波管で，独立した試験を行う。
b) TEM導波管の平均とOATSの平均との間の差は，式(A.11)を用いて各周波数で計算する。この場合，
n＝m＝3とする。
c) b)で計算する平均の差，並びに式(A.13)及び式(A.14)で計算する標準偏差は，10点の周波数に対する最
小値が，次の判定基準を満足しなければならない。
− 平均の差は，0 dBを超え3 dB以下とする。
− 標準偏差の差は，4 dB以下とする。
d) c)の判定基準を満足する場合，TEM導波管とOATSとの相関性は満足しているとみなせるので，平均
の差を用いて妨害波許容値を緩和してはならない。
A.5.2 EUT配置
参考として次の情報を示す。
EUTは，試験領域（5.2.2参照）の中央で，マニピュレータ［図A.1，図A.2 b)及び図A.2 c)参照］又は
試験用支持台の上に置く。
ケーブルのないEUTはマニピュレータの回転中心に固定する。マニピュレータを使用すると，EUTは
その電気的な中心（EUTの幾何学的な中心と同一であると仮定することができる。）の周りで回転する。
ケーブルのあるEUTに対しては，次のケーブル配置を適用する。接続ケーブルは，CISPR 16-2-3:2006
の7.2.5.2に従って束ねる。接続ケーブルは，EUTのきょう体に対して垂直に引き回さなければならない。
再現性の良い測定結果を得るためには，接続ケーブル及びEUTの位置は変えてはならない。ケーブルが長
すぎる場合には，接続ケーブルは，CISPR 16-2-3:2006の7.2.5.2に従って束ねることができる。
外部接続ケーブルは，EUTのきょう体から試験領域の境界面に垂直に引き伸ばさなければならない。ケ
ーブルは試験領域の境界に沿って，対角線軸上で試験領域の下の隅へ向けて引き伸ばす（図A.1参照）。図
A.2 b)に示されているようなポジショナ（EUTを配置し，位置決めを行うジグ）を用いて，外部接続ケー
ブルは対角線軸に沿って引き伸ばさなければならない。このケーブルは，例えば，非導体クランプで固定
しなければならない。外部接続ケーブルは，試験領域の下の隅で，かつ，対角線角の場所からTEM 導波
管のグラウンド面にある吸収クランプまで引き伸ばす。複数のケーブルは，約100 mm離さなければなら
ない。TEM 導波管のグラウンド面上では，各ケーブルは，個別の吸収クランプ又はクリップ形フェライ
トによって終端しなければならない。参考文献[1]参照。
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吸収クランプ又はクリップ形フェライトの挿入損失は，周波数範囲30 MHz〜1 GHzにおいて15 dB以上
が望ましい。接続ケーブルは，吸収クランプ又はクリップ形フェライトによって終端する前に，TEM導波
管の内導体又は外導体に接触してはならない。EUTから吸収クランプの端面までの長さは，通常の場合1.3
mとする。ケーブルが1.3 mより短いときは，全てのケーブルは，吸収クランプ端面までそのまま引き伸
ばす。ケーブルが1.3 mより長いときは，1.3 m以上の部分を吸収クランプ端面まで引き伸ばす（図A.1参
照）。外部接続ケーブルは，吸収クランプから壁又は床のコネクタまで引き伸ばして，TEM導波管の外側
の関連装置に接続する。
A.6 試験報告書
報告書には，補正した電界強度E及び補正していない電界強度Emaxの両方の結果を記載しなければなら
ない。ただし，次のa)によるボルト毎メートル（V/m）で表すE及びEmax，又は次のb)によるデシベルマ
イクロボルト毎メートル（dBμV/m）で表すE|dB及びEmax|dBのいずれかを記載する。
a) 式(A.5)によるEmax，及び式(A.10)によるcfを用いて，式(A.19a)によって補正した電界強度E。
fc
E
E
−
=
max
······································································ (A.19a)
b) 式(A.8)によるEmax|dB，及び式(A.10)によるcfを用いて，式(A.19b)によって補正した電界強度E|dB。
()120
log
20
dB
max
dB
−
−
=
fc
E
E
················································ (A.19b)
a) 側面図
単位 mm
b) 平面図
EUTから吸収クランプの端面までの長さは，通常の場合1.3 mとする。
図A.1−対角線角の角及び試験空間の下の隅への外部接続ケーブルの配線
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a) 対角線軸及び対角線角
b) 側面図（A.5.2参照）
c) 平面図（A.5.2参照）
注記 図A.1の配置と類似しており，このポジショナは対角線軸の周りに3回，
120°ずつの回転によって三つの直交の位置を与える。
図A.2−基本的な対角線軸ポジショナ又はマニピュレータ
23
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注記 図A.4の位置a1，b1，c1に対応した三つの直交回転配置。TEM導波管の座標軸x，y，zにはダッシ
ュは付いていないが，EUT 座標軸x´，y´，z´にはダッシュが付いている。
図A.3−エミッション測定のための三つの直交回転配置
b3. x(‒zʼ)y(‒xʼ)zyʼ
b1. xzʼyxʼzyʼ
b2. x(‒xʼ)yzʼzyʼ
b4. xxʼy(‒zʼ)zyʼ
a3. x(‒xʼ)yyʼz(‒zʼ)
a2. xzʼyyʼz(‒xʼ)
a4. x(‒zʼ)yyʼzxʼ
xʼ
zʼ
yʼ
a1. xxʼyyʼzzʼ
c3. xyʼy(‒zʼ)z(‒xʼ)
c1. xyʼyzʼzxʼ
c4. xyʼyxʼz(‒zʼ)
c2. xyʼy(‒xʼ)zzʼ
UB
UF
UL
LU
FU
RU
BU
BL
RB
FR
LF
UR
zʼ
yʼ
xʼ
yʼ
zʼ
xʼ
注記1 この例において，x，y，z はTEM導波管の座標軸，x´，y´，z´は，EUT座標軸で，電界はy軸に沿い，z軸方
向に伝搬している。EUTの仮想中心，幾何学的中心又は位相中心は，TEM導波管導体に対して相対的に同じ
位置にすることが望ましい。
注記2 EUTの側面は，位置a1（x´＝x，y´＝y，z´＝z）の場合，次のように定義される。：左（L）面＝右（R）面≡ y´z´
＝yz面，後（B）面＝前（F）面≡ x´y´＝xy面，上（T）面＝底（U）面≡ x´z´＝xz面。伝搬方向は，z軸に沿っ
ている。したがって，a1における波面は後面となる。EUTの各々の面は二つの文字によって表される。最初
の文字はTEM導波管の床面に面している平面を表し，第2の文字は波面（伝搬方向への）に面するEUT面
を指し示す。
図A.4−典型的なEUTに対する12面及び軸の向き
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C 61000-4-20：2014
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注記3 この図又は行列の各々の列，（例えば，a3，b3，c3）が，3配置相関アルゴリズムにおいて用いられる一組の
三つの直交の配置を示している。同様に，イミュニティ試験においても，八つ以上の面，例えば，二組の四
つの位置a1，a2，a3，a4，及び b1，c2，b3，c4によって与えられる。イミュニティ試験において，全ての12
配置が必要な場合は，c1，b2，c3，b4を加える。ここで，c3，b4はz軸の周りに180°だけ（c1，b2）を回転
したものである。この場合，c3 xy´y(-z´)z(-x´)は，c1 x(-y´)yz´z(-x´)となり，b4 xx´y(-z´)zy´は，b2 x(-x´)yz´zy´とな
る。
図A.4−典型的なEUTに対する12面及び軸の向き（続き）
注記 z軸は，グラウンド面と平行で，かつ，伝搬方向に向いている。これは，TEM導波管の座標（z軸は導
体に平行で伝搬方向に向いている場合）と一致している。
図A.5−OATSの試験配置
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C 61000-4-20：2014
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
a) 側面図
b) 断面図
注記 hEUTは，EUTと導波管導体又は電波吸収体との最小距離。
図A.6−2ポートTEMセル（対称セプタム）
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
a) 側面図
b) 断面図
注記 hEUTは，EUTと導波管導体又は電波吸収体との最小距離。
図A.7−1ポートTEMセル（非対称セプタム）
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a) 側面図（1ポート）
注記 図A.6 a)と同じ側面図での中心線付きのトリプレートストリップラインは，この幾何学的な鏡像効果を用いて得
られる。
b) 側面図
（基本的に2ポートTEM導波管と同じ。ある種類では，出力ポート部分に分散負荷をもつ。）
図A.8−ストリップライン（二つの平板）
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c) 断面図
注記 hEUTは，EUTと導波管導体又は電波吸収体との最小距離。
図A.8−ストリップライン（二つの平板）（続き）
a) 側面図
図A.9−ストリップライン（四つの平板，平衡給電及び複数偏波TEM導波管）
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b) 断面図
注記 TEM導波管は，全無響室に配置する。このTEM導波管は対称であるので，最大使用可能なEUTの高さの
制限は，0.33 hから0.6 hまで変化する（5.2.2を参照）。
図A.9−ストリップライン（四つの平板，平衡給電及び複数偏波TEM導波管）（続き）
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附属書B
（規定）
TEM導波管によるイミュニティ試験
B.1
概説
この附属書は，TEM導波管によるイミュニティ試験について規定する。その目的は，入射電磁界に対す
る電気及び電子機器のイミュニティ試験を可能にすることである。
試験は特定の配置で行う。また，試験のセットアップ，及び許容範囲又は試験レベルが特定の製品規格
又は製品群規格によって決定されることが要求される。
B.2
試験装置
B.2.1 一般事項
試験に用いる装置は，次による。
− TEM導波管：試験しようとするEUTを中に収めるのに十分な広さの一様な電界を維持できる大きさ
であるもの。
− EMIフィルタ
− RF信号発生器：電界レベルを設定するとき，TEM導波管内の進行波電力及び反射電力を監視するこ
とが有用となる。高周波電圧計又は電力計とともに方向性結合器を用いると，RF信号発生器の公称電
力ではなく，TEM導波管への実効進行波電力を測定できる。高周波電圧計，電力計及び方向性結合器
は，試験を行う周波数範囲で使用できるものでなければならない。
− 電力増幅器
− 電界センサ：3軸直交電界成分が独立に測定可能なもの。プローブヘッドの回路及びOE（光−電気）
変換器は，測定する電界に対するイミュニティを満足しなければならない。TEM導波管の外に置く表
示器へ接続する光ファイバの他，適切にフィルタリングした信号線を使ってもよい。TEM導波管には，
直交3軸成分を独立に電界を測定できる電界プローブが必要である。小形1軸アンテナを使用する場
合には，各軸成分を個々に測定するために位置を変えなければならない。
− 電力値を記録する関連装置
B.2.2 試験設備について
注記 TEMセルは，自身で遮蔽されたきょう体として動作する。ストリップライン（開放形）の場合
は，外部との干渉を避けるために，より大きな遮蔽空間の中に設置することが望ましい。その
遮蔽空間には，ストリップラインの中の均一領域の要求条件を満足するために適切な量の電波
吸収体が必要となることがある。
TEM導波管では，TEMモードはイミュニティ試験のための入射平面波と等価とする。理想的な平面波
は任意の定位相面内では変化しないが，伝送線路内のTEMモード電界は定位相面内で個々の断面構造の
詳細に従って変化する。電波暗室及びTEM導波管のいずれの方法も，EUTが装荷される前の平面波の電
磁界分布を基本としている。TEMモード電界分布は電波暗室内の垂直偏波とより似ているが，電波暗室内
の水平偏波はグラウンド面反射によって，よりひずみを生じがちとなる。
B.2.3 電界均一性の検証
電界均一性の検証を行う上で，電界成分は，次による。
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5.2.3.1に従い，検証は，長方形の平面及び五つ以上の測定点（四隅に四つ及び中央に一つ）で行う。5.2.3.3
の式(6)に従い標準偏差が，式(5)のように満たされた場合，均一性が定められる。そのとき，a)及びb)の双
方の条件を満足する必要がある。
a) 電界均一性を検証する領域上の主電界成分の大きさ，“測定電界強度Eiの75 %”は，式(B.1A)を満た
さなければならない。
E
i
K
E
E
E
σ
+2
Limit
Limit
≦
≦
··················································· (B.1A)
注記1 ELimitは，B.2.4で規定する試験レベル（例えば，3 V/m，10 V/m）である。
注記2 5.2.3.3に従い，ファクタKは，1.15を選択する。
注記3
E
Kσ
2
が6 dB未満の場合，標準偏差は，式(B.2A)のとおり2.61 dB以下である。
2.61
15
.1
2
6
=
×
≦
E
σ
······························································· (B.2A)
注記4 75 %の測定における測定値の最大偏差が10 dBに設定されている場合，標準偏差は，式
(B.3A)のとおり4.34 dB以下である。
4.34
15
.1
2
10
=
×
≦
E
σ
······························································ (B.3A)
b) 二つの二次電界成分強度は，主電界成分の6 dB以下とする。
ただし，実際の精度及び周波数を試験報告書に記載している場合は，この75 %の測定点に対して，試験
周波数点数の最大5 %まで（試験周波数点数が少ない場合には，一つの周波数）において，電界主成分の
許容範囲が＋6 dBを超え＋10 dB以下，又は電界主成分に対する二次電界成分のレベルが−2 dB以下であ
ってもよい。
均一領域での校正点は，表B.1による。
表B.1−均一領域での校正点
領域の大きさ
測定点の配置及び数
1.5 m×1.5 m
4×4＝16
1.0 m×1.5 m
3×4＝12
1.0 m×1.0 m
3×3＝9
0.5 m×1.0 m
2×3＝6
0.5 m×0.5 m
4＋1（中央）＝5
0.25 m×0.25 m
4＋1（中央）＝5
表B.1にない領域は，提案した領域を含む最小の0.5 m格子によって定義した格子数を用いて，校正し
なければならない。格子間隔は，各辺で等間隔にしなければならない。試験配置時においては，EUTのそ
れぞれの試験面を，この平面と一致させて，照射しなければならない（図B.2参照）。
例1 20 cm×20 cm領域では4＋1（中央）＝5点，80 cm×80 cm領域では3×3＝9点，1.2 m×0.6 m
領域では4×3＝12点
例2 1.2 m×0.6 mの均一領域では基本格子の大きさは，0.4 m×0.3 m
均一領域の要求条件は5.2.1のTEMモードの立証法が基になっている。通常，電界均一性は主電界成分
（TEMモード）に対して示される。合成電界強度をその代わりとして用いる場合には，上記の全ての要求
条件を満たし，5.2.1の二次電界成分の要求条件も満たすことを示さなければならない。電界の均一性に関
する更なる情報は，参考文献[17]を参照する。
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B.2.4 試験レベル
試験レベルの指針を，表B.2に示す。
表B.2−試験レベル
試験レベル
試験電界強度
V/m
1
1
2
3
3
10
X
特殊
注記 Xは，オープン試験レベルである。このレベル
は製品仕様で指定してもよい。
B.2.5 高調波
TEM導波管は，望ましい使用可能な周波数の上限よりも高い周波数で共振することがある。
注記 ISO 11452-3では，TEM導波管のカットオフ周波数の1.5倍を超える60 dB以上の周波数のロー
パスフィルタの据付けを規定している。
B.3
試験セットアップ
B.3.1 卓上形装置の試験配置
TEM導波管の場合，テーブルの高さについては，ほかのイミュニティ試験で規定している典型的な非導
電性のテーブルの高さ0.8 mを用いるのではなく，それぞれの位置において，均一領域内にEUTの照射面
が来るように，固有の形状及び寸法の試験用支持台（3.1.16参照）又はマニピュレータ（3.1.21参照）の
上にEUTを配置する（図B.1参照）。
B.3.2 床置形装置の試験配置
TEM導波管については，それぞれの位置において均一領域内にEUTの照射面が来るように，試験用支
持台の上にEUTを配置する。非導電性の試験用支持台は，EUT及び電界のひずみが不意に接地状態にな
ることを防止する。試験用支持台は，金属構造体を絶縁被覆するのではなく，大部分は非導電性のものと
する。
B.3.3 配線の配置
配線は，EUTから1 mの距離を電磁界にさらし，かつ，EUTと水平，又はxy平面の対角線に沿って，
TEM導波管の外部導体（TEMセルの壁及び床）に向かって，床の上に配置する。ケーブルは，外部又は
内部導体に沿ったz方向に配置してはならない。TEM導波管の外部又は内部導体に対して平行に配置する
ケーブルは，これらの導体から0.1 m以上離さなければならない。外部接続ケーブルは，吸収クランプに
よって終端する（A.5.2参照）。外部接続ケーブルの終端は，均一領域の境界に配置する。吸収クランプの
特性の指針については，CISPR 16-1-4参照。
B.4
試験手順
通常，試験は，信号発生器側のポートに面したEUTの4面，それぞれについて行う。
TEM導波管については，電界の偏波は単一方向となる（通常は垂直方向）。したがって，EUTが確実に
水平偏波及び垂直偏波に同等にさらされるために，EUTを回転させる必要がある。例えば，最初のEUT
の照射面に再び配向するために，均一電界に対して垂直の軸の周り（TEMモードの伝搬方向）に1回EUT
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を90°回転させれば，水平偏波と同等の垂直偏波電界にさらしたことになる。さらに，EUTのほかの面に
電界をさらすために，均一電界に沿った水平軸について同様に，90°ずつ，3回EUTを回転させる（図
B.1参照）。しかし，例えばTEM導波管上部に回路基板を貼り付けて試験するような，EUTの置き方（配
向）に制限があるTEM導波管では，上記のようなEUTの回転ができないこともある。
代替方法として，TEM導波管をEUTの周りで回転させるか，又は同じ偏波を達成するための同じ動作
を行う複数偏波TEM導波管（図A.9参照）を用いてもよい。
周波数のステップ幅は，直前の周波数の1 %とする。各周波数での測定時間は，0.5秒未満にならない範
囲で，EUTが動作及び応答するのに必要な時間以上とする。1秒間が望ましい。
注記 複数の部品で構成するEUTの場合，回転しているときに部品の位置を維持することに注意する
ことが望ましい。このために，EUTを注意して拘束し，かつ，部品及びケーブルを試験用支持
台又はマニピュレータに固定してもよい。
RF信号レベルの調整又は信号発生器の切替えを行うために信号の発生を休止しながら，周波数1 kHz
の正弦波による80 %振幅変調で，上記の要求事項及び周波数ステップに従って，試験する周波数範囲まで
試験を行う。
B.5
試験結果及び試験報告書
通常の放射イミュニティ試験報告書の内容に加え，TEM導波管の寸法の詳細，形式及び立証方法を記録
する。
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a) 垂直偏波
b) 水平偏波
E：主電界成分
H：磁界
k：伝搬方向（波のベクトル）
回転軸点のフィルタ側のケーブルの配置は，固定しておく。回転している間，試験支持台は，位置を変
更してもよい。試験支持台は，厚さ0.1 mであることが望ましい。複数部品で構成するEUTは，試験支
持台又は同等の台に固定し，同等の方法で回転させる。発生する偏波電界に対する同等のEUTを達成で
きるマニピュレータ，及び回転可能な導波管又は複数偏波TEM導波管（図A.9参照）を用いてもよい。
図B.1−単一偏波TEM導波管の試験セットアップ例
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a) 側面図
b) 断面図
校正点は，利用可能試験領域の外側に置くことはできない（5.2.2及び図A.6〜図A.9参照）。
注記 B.2.3によるGTEMセルの3×3の校正点をもつ均一領域の例。b)は，均一領域の可能な最大寸法を示す。均一
領域（平面）の境界は，外側の校正点によって決まる。
図B.2−TEM導波管の均一領域校正点
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附属書C
（参考）
TEM導波管によるHEMP過渡試験
C.1 概要
この附属書は，電気又は電子装置及びシステムに対する高々度電磁パルス（HEMP）イミュニティ試験
について記載する。この目的は，装置及び小規模なシステムの製造業者による試験を可能とするとともに，
他のEMC試験について既に認証審査体制を確立している，多くの同様の認証機関でのイミュニティ試験
を利用することにある。
HEMPの分野では，“シミュレータ”は，しばしば，HEMP環境（IEC/TR 61000-4-32参照）を正確に発
生する多くの種類の試験設備を表す用語として用いられる。この附属書では，この用語は，HEMP波形を
作るTEM導波管だけを意味する。
一方でこの附属書は，TEM導波管内における他の試験と矛盾せずに，TEM導波管でのHEMP試験に必
要な条件を説明することを目的とし，CW試験とは本質が異なる過渡試験を含むことが重要である。
この附属書のHEMP試験の説明が，本体の規定と異なるときは，全て本体を優先する。
C.2 イミュニティ試験
C.2.1 一般事項
HEMPイミュニティ試験は，大きく分けて放射イミュニティ試験及び伝導イミュニティ試験の二つのタ
イプから構成されている。この附属書では，“電子装置”という用語は，特定の機能を実行する装置を意味
する。
それは小規模コンピュータでも，電話機でもよく，ある装置（例えば，工場のプロセスをモニタする制
御盤のような周辺機器に接続するコンピュータ）は，大規模システムの一部として考えてもよい。通常，
電子装置は，1 m立方程度かそれ以下なので，相対的に小さいとみなす。
そのような小規模装置の試験の大部分は，電流注入シミュレータ及びTEM導波管を用いて試験室で行
われることが想定される。
シミュレータの中に物体がない場合，試験領域内の電界は，2.5/25 nsの波形，すなわち，10 %〜90 %の
立上がり時間が2.5 ns，パルス幅25 nsの単極性二重指数関数パルスの平面波に相当する。この波形は，式
(C.1)で表せる。
)
(
)
(
peak
t
te
e
k
E
t
E
α
β
−
−
−
=
························································· (C.1)
ここに，
α＝ 6.0×108（s−1）
β＝ 4.0×107（s−1）
k＝ 1.3
E： 電界の主成分（V/m）
Epeak： 電界のピーク値（V/m），表C.1から選択する試験レベル。
t： 時間（s）
式(C.1)の周波数領域スペクトルの大きさは，式(C.2)で示す。
{
}{
}
[
]
β
α
β
α
+
+
−
=
)
π
2(
)
π
2(
)
(
)
(
peak
f
f
k
E
f
E
················································ (C.2)
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C 61000-4-20：2014
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
ここに，
f： 周波数（Hz）
ここで記述した波形のパラメータに対して，式(C.2)の周波数領域スペクトルの大きさを図C.1に示す。
注記 更なる詳細については，参考文献[23]を参照。
C.2.2 放射試験設備
パラメータの変動に対して小規模な試験設備は，大規模シミュレータよりも小さな許容範囲で，要求す
る電界特性を容易に満たすことができる。これら小規模な設備は，主に比較的小さな装置の試験に用いら
れる。小規模試験設備の全試験領域において，初期HEMPパルス波形に対する許容範囲を，次に示す。
− 電界のピークと磁界のピークとの比は，η0＝377 Ω±50 Ωと等しい。
− ピーク値の10 %〜90 %の間の立上がり時間は，2.25 ns±0.25 nsになる。
− 電界は，ピーク値の10 %〜90 %の間の立上がり時間で，連続的に増加する。
− パルス幅（Epeakの50 %での立上がり部と立下がり部との時間間隔）は，27.5 ns±2.5 nsになる。
− 電界の全てのプリパルスの大きさは，ピーク電界の大きさの7 %以下になる。
− シミュレータの終端からの電界の反射は，ピーク電界値の10 %より小さい。
− 試験領域の中央における平滑化した電界の周波数スペクトルの変動は，100 kHz〜300 MHzの周波数範
囲での理論値と比較して，±3 dBを超えない。
− 主電界がピークになる時間において，他の二次電界成分は，主電界のピーク値の10 %より小さい。こ
の要求は5.2.1の規定より厳しい。
− ピーク電界は，試験領域での時間領域のEpeakと2Epeakとの間で一様となる。
− 電磁界の許容範囲を評価するために，試験領域における中央及び八つの角の電界及び磁界の測定は，
EUTがない状態で行う。
C.2.3 周波数領域スペクトルの要求条件
HEMPシミュレータの過渡電磁界に必要な条件に加えて，シミュレータ内の電磁界の周波数スペクトル
についても，次に示す。
a) 周波数スペクトルは，開始時刻0 sと終了時刻2 μsとの間を4 096点で均等にサンプリングした過渡
波形を用いて計算する。4 096点の複素周波数スペクトルは，サンプリング間隔0.5 MHz，最大周波数
1.0 GHzでFFT（高速フーリエ変換）又は離散的フーリエ変換（DFT）を用いて計算する。
b) 周波数スペクトルは，5点の区間で平均して滑らかにする（すなわち，スペクトルは，2 MHzの窓で
平均化する。）。
c) 滑らかにしたスペクトルの大きさは，式(C.2)及び図C.1に示す波形のスペクトルに示したデシベルの
レベルの範囲内にある。
注記 測定した周波数スペクトルのほとんどは，時折発生するヌル（又はドロップアウト）があるが，
それは過渡波形の挙動全体を大きく変えるものではない。
小規模及び大規模シミュレータにおいて，平滑化した周波数スペクトルを，それぞれ±3 dB
及び±10 dB以下とする条件は，この事実に基づいており，周波数スペクトルに時折発生する
ヌルを許容することが目的である。
周波数スペクトルの制限値は，±3 dBと±10 dBとがあり，両者は値が異なっているが，こ
れは，小規模シミュレータは一般に許容値が大きく，模擬する電磁界の近似の正確さは小規模
シミュレータの方がよいからである。
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C.3 試験装置
測定では，周囲の電磁界を乱すことなく信号を測定し，データ処理システムに伝送するために，光ファ
イバを用いる。測定システムは，シミュレータの放射電磁界に対して影響を与えないようにする。測定シ
ステムの目的を，次に示す。
− 電磁界測定の規準を与える。
− シミュレータが発生するHEMPを，使用者が要求するEUTの動作モードに同期させる。
− 使用者が要求するEUTの電流及び電圧を測定する。
測定システムの全体の“電磁界の近似の正確さ”は，50 kHz〜500 MHzの周波数範囲において±3.0 dB
以下で，さらにシステム全体の瞬間的なダイナミックレンジは，40 dB以上とする。さらに，次による。
− データ伝送システムは，3 dB帯域幅で50 kHz〜1 GHz以上とする。
− デジタイザ又はオシロスコープは，帯域幅500 MHz以上，データ分解能8ビット以上で，サンプリン
グレートは，毎秒2 ギガ回以上とする。
− 電界及び磁界センサは，3 dB帯域幅で50 kHz〜1 GHz以上とする。目的に合うセンサ仕様の更なる情
報は，IEC 61000-4-23を参照する。
基準電磁界測定は，スプリアス電磁界成分と同じように，電界の磁界に対する比を評価するために，三
つの直交電界成分及び三つの直交磁界成分から構成される。使用者は試験領域の他の電磁界測定を規定し
てもよい。
C.4 試験セットアップ
シミュレータの試験領域は，TEM導波管の構造の物理的寸法及び特性に依存する。その試験領域は
HEMPを模擬する試験としての仕様をもち，入射電磁界が電磁界の強度及び均一性の条件に一致又はそれ
を超える空間とする。EUTが試験領域と比較して大きい場合，平面波照射の場合の測定からは逸脱し，更
に試験結果は疑わしくなる。
シミュレーションの正確さを保証するために，シミュレータの放射素子又は導波素子からEUTを十分に
離して設置することによって，EUT及びシミュレータの相互作用を最小にすることが必要となる。EUTは，
TEM導波管の導体から，進行方向の全体寸法の0.3倍以上離して設置する。EUTをグラウンド面上に乗せ
て試験するときは，EUTは隔壁から進行波方向の寸法の0.6倍以上離して設置する。
EUTは，一般に直交する高さ，幅及び長さの各々の最大長によって決定する有限の体積をもつ。EUTは，
前に定義したシミュレータの試験領域内に収める。EUTに接続する“短い”外部導体がシミュレータによ
って実際に照射される場合，それらのケーブルもまたEUTの体積の決定に用いる。EUTを自由空間モー
ド，すなわち，グラウンド面上に設置しないで試験する場合は，EUTはシミュレータ内で絶縁体の台に設
置する。
C.5 試験手順
C.5.1 一般事項
伝導及び放射イミュニティに対する試験は，別個に行ってよい。両方のタイプのストレスを同時に印加
する試験は必要ない。
“短い”外部導体をもつ全てのシステムで，放射試験において実際に照射を行う場合は，それらのケー
ブルに対する事前の伝導試験は，行わなくてもよい。さらに，模擬するHEMPストレスに対し最大応答の
方向にアンテナを向けて試験できる場合は，アンテナポートには，伝導試験を行わない。しかし，全ての
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ポートに，電力線，通信線又は他の長い線を接続する場合は，伝導イミュニティ試験を実施する。
HEMPイミュニティ試験は，EUT，試験厳しさレベル，試験波形，気象条件，主動作モード及びイミュ
ニティの要求を満たす判断基準を記述した試験計画に従って行う。試験室又はHEMP試験装置の周囲環境
（気象及び電磁環境）は，試験結果に影響を与えないようにする。試験中は，仕様どおりの性能が出てい
るかを判断するために，EUTを監視することが重要である。システム内の装置が他の装置との間でデータ
を送受信している場合は，EUTに同じ又は模擬データを送受信するようにする。このことを，試験中の装
置性能の評価として用いてもよい。
EUTが試験要求を満足しない場合，かつ，診断測定がシステム又は装置の中で行われていた場合は，付
加した診断測定用機器が試験で不合格になった原因ではないことを確認するために，診断測定用のプロー
ブ及びケーブルを取り除いて，再度試験を実施する。
試験報告書には，装置の一部又は計測システムの一部であるEUTに接続した全ての外部ケーブルの有無
を，明確に記載する。
試験計画に記述したそれぞれの主な動作モードにおいてEUTを試験する。伝導イミュニティ試験では，
正負両方の波形を適用する。放射イミュニティ試験では，一方の極性の波形だけでよい。
試験室での試験は，7.2による周囲環境条件に従って実施する。オンサイト試験はイミュニティ適合試験
には適切ではないが，システム全体のイミュニティと同じように設置済みの装置のイミュニティを検証す
るために用いてもよい。オンサイト試験において，7.2に記載する周囲環境条件は推奨する条件であるが，
必須ではない。
C.5.2 厳しさレベル及び試験ばく（曝）露
障害が起こる可能性があるため，サージ防護デバイス（SPD）の電圧保護レベル未満及びシステム内で
アーク放電が起きない十分低い電圧レベルで，試験ばく露を行うことは重要である。そのため，それぞれ
の厳しさレベルは，設定したSPDの電圧保護レベルより低い二つのレベル及びアーク放電しきい（閾）値
の三つの具体的な試験振幅値となる。それぞれの試験パルスは，設定した厳しさレベルの波形と同じ波形
を用いる。
放射イミュニティ試験においては，ある厳しさレベルを設定する。EUTの各方向（B.4参照）及び主動
作モードに対して，三つの試験振幅のそれぞれに2回以上のばく露試験を行う。EUTに対して回転（参考
文献[6]参照）が可能な試験設備を利用できるならば，その設備をHEMP試験に用いることができる。
C.5.3 試験手順
C.5.3.1 試験パラメータの測定
7.2に規定する気象条件は，試験者が測定して記録する。EUTのない状態の試験領域での一連の電磁界
波形の測定試験装置の特性は，試験者も利用する。
その情報は，C.2.2及びC.2.3に記載する電磁界の均一性及び波形特性の要求を満たしていることを示す
評価も含む。基準電界測定は，それぞれの電磁界パルス照射ごとに記録する。
C.5.3.2 放射試験手順
小規模の放射試験設備は，試験装置として用いることができるが，全てのケーブルポートに対する伝導
イミュニティ試験も同様に必要である。小規模システムは，大規模HEMPシミュレータで試験してもよく，
多くのケーブルポートに対する伝導イミュニティ要求条件に合致する可能性がある。しかし，AC電源及
び通信線などの長い線は，どのHEMPシミュレータでも十分に試験できない。したがって，伝導イミュニ
ティ試験は，常にそれらのポートに対して必要となる。
大規模HEMPシミュレータは，複数の装置が相互に動作しているシステム規模の試験を行うことに適し
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C 61000-4-20：2014
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
ている。しかし，システム規模の試験をこのようなシミュレータで行うことは，この規格では要求しない。
ある特定の厳しさレベルにおけるそれぞれのイミュニティ試験は，その特定の厳しさレベル及びそれよ
り低い二つのレベルの，三つのレベルのばく露から成る。ただ一つの低い厳しさレベルをこの規格で定義
した場合，一つのレベルを用いる。その一番低い厳しさレベルを用いた場合，そのレベルのばく露だけが
イミュニティ試験に必要になる。それぞれのばく露レベルに対して，2回以上のパルス電磁界照射を実施
する。
C.5.3.3 小規模放射試験装置
この手順で用いる基本アプローチは，試験室内のTEM導波管などの試験設備内で装置及び小規模シス
テムを試験することにある。EUTは，試験領域内のグラウンド面上に設置した0.1 m±0.01 mの高さの絶
縁支持台上に設置し，装置の全てのケーブルは装置の通常動作と同じにする。
グラウンド接続は，製造業者の仕様に従ってグラウンド面とEUTとの間で行う。EUTに附属している
ケーブルの長さ及び位置を適切に処置し記録する。試験装置の電界及び磁界成分に対し最小の電磁結合と
なる方向にケーブルを配置する。それらのケーブルへの結合を評価する追加の伝導イミュニティ試験を別
個に行う。
EUTは，全ての面（通常，6面）に対して照射パルス電磁界がさらされるように回転する。ただし，実
際には，回転の数が制限される場合もある。また，両方の偏波を適用する。
モニタの方法がEUT内の測定に影響する場合には，内部にあるプローブ及びケーブルは，測定における
悪影響を最小にするように注意して設置する。実際のこのような測定には，金属のない光ファイバケーブ
ルの使用が望ましい。
C.5.4 試験の実行
試験は，試験計画に従って実施する。試験ばく露は，EUTの通常の動作状態においてそれぞれの主な動
作モードで行う。
各試験のばく露レベルにおいて，パルスはシステムの性能低下又は障害を確認するのに十分な時間の間
隔をもって印加する。各ばく露レベルで試験した後に，EUTの動作性能を判定する。
C.5.5 放射イミュニティ試験の実行
放射イミュニティ試験は，試験計画に基づいて実施し，EUTの動作性能の検証を行う。試験計画は，製
品規格に規定するが，それがない場合は，技術仕様書による。
EUTは，通常の動作条件にする。EUTの動作の設定，主たる機能状態，及び電波の伝搬方向に対する装
置の方向を考慮して，試験構成の組合せを定める。それぞれの試験構成において，試験計画は，次の内容
とする。
− 試験ばく露レベル：選択した厳しさレベル，その次の低いレベル，及び3番目の低いレベル
− 各レベルにおけるばく露の回数（2回以上）
− 評価する注入点（PoE）又はポート
− ケーブルの位置及び測定項目の記述
− 必要な補助装置
− 模擬電磁界の偏波及び照射角
− C.4に記載するものと異なる試験セットアップの詳細
− 合否の判断基準
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注記 スペクトラム強度は，式(C.1)の後にあるパラメータを用いて式(C.2)で決定する。
図C.1−100 kHz〜300 MHzの周波数スペクトルの大きさ
表C.1−この規格で定義した放射イミュニティ試験レベル
試験レベル
保護（条件）a)
電界ピーク値
Epeak b)
kV/m
R1
保護コンセプト4
0.5
R2
中間値
1
R3
中間値
2
R4
保護コンセプト2A，2B，及び3
5
R5
中間値
10
R6
中間値
20
R7
保護コンセプト1A，及び1B
50
RX
特別な適用
X
注a) 保護コンセプトはIEC/TR 61000-5-3に記載されている。
b) IEC 61000-2-11の表2に従う。
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附属書D
（参考）
TEM導波管の特性
D.1 概要
この附属書は，伝搬及び偏波面を含むTEM波の基本特性について記載する。また，試験領域及び動作
周波数についての制限を含め，TEM導波管の異なる種類についても示す。
D.2 波動インピーダンスと特性インピーダンスとの間の相違
TEM導波管は，伝送線路である。無損失伝送線路の波動及び特性インピーダンスは，参考文献[33]の中
で次のように定義している。
波動インピーダンスηは，横方向電磁界成分の比として定義する。ηは，電磁界成分がe-jβzに依存する
と仮定して，式(D.1)で計算できる。
ε
μ
β
ωμ
η
φ
ρ
=
=
=HE
································································· (D.1)
ここに，
η： 波動インピーダンス
Eρ： 電界の横方向成分
Hφ： 磁界の横方向成分
μ： 線路の誘電体（通常は空気）の透磁率
ε： 線路の誘電体（通常は空気）の誘電率
β： 伝搬定数（実数部）
ω： 放射角周波数
この波動インピーダンスは，媒質の固有インピーダンスと一致しているとみなし，TEM伝送線路に対し
ても一般的に用いる。
円形同軸線路の特性インピーダンスは，式(D.2)のように定義する。
π
2
2
ln
π
2
2
ln
π
2
2
ln
0
0
c
a
h
a
h
H
a
h
E
I
V
Z
ρ
=
=
=
=
ε
μ
η
φ
···································· (D.2)
ここに，
Zc： 同軸線路の特性インピーダンス
V0： 同軸線路の電圧
I0： 同軸線路の電流
Eρ： 電界の横方向成分
Hφ： 磁界の横方向成分
h： h＝ri/2
ri：内部導体の半径
a： a＝ra
ra：外部導体の半径
ここでEρ及びHφの形は，参考文献[7]のタイプを用いている。特性インピーダンスは，幾何学的な構造
に依存し，他の伝送線路構造に対しては異なる値となる。
式(D.1)及び式(D.2)は，一般に波動インピーダンスと特性インピーダンスとが同じではないことを示して
いる。TEMセル，GTEMセル，並びに二つ又は三つの平板をもつストリップラインは，基本的に二導体
TEMモードの伝送線路であり，一般にそれらの装置デバイスでは波動及び特性インピーダンスは同じでは
ない。
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D.3 TEM波
D.3.1 一般事項
TEM波は，自由空間において最も単純な振舞いの波である。次のD.3.2及びD.3.3は，自由空間及び導
波管の場合の両者に対する幾つかの式，並びに判断基準を示す。
D.3.2 自由空間TEM モード
TEMモードでの電界及び磁界のベクトルは，エネルギーの進行方向（ポインティングベクトルSρ）と直
交する。伝搬方向にEρ及びHρの成分は存在しない。
H
E
S
ρ
ρ
ρ
×
=
············································································· (D.3)
自由空間では，EρとHρとの比は，式(D.4)で与えられる。
π
120
0
0
0
=
=
=
ε
μ
η
H
Eρρ
····························································· (D.4)
TEMモードの重要な特性を，次に示す。
− 伝搬方向には，電界及び磁界の成分がない。
− EρとHρとの比は，ほぼ120π（Ω）である。
注記 送信アンテナから遠く離すとこの状態が観測できる。この理由によって，TEMモードはアンテ
ナの遠方界条件と呼ばれる。
D.3.3 導波管
無線周波で使われている古典的な導波管は，一つだけの導体面から構成されている。このような導波管
では，TEMモードは伝搬できず，TE及び／又はTMモードだけが伝搬可能となる。TE又はTMモードは，
特定のカットオフ周波数をもつので，その周波数を超えた波だけが伝搬可能となる。
導波管（TEMセル，ストリップライン，又は開放形TEM導波管のような多導体伝送線路）内でTEM
モードで伝搬させるためには，二つ以上の導体面が必要である。
二つの導体の各対は，特定のTEMモード伝搬に対する系を形成する。図D.2の例では，TEMモードが
期待できる。これらの各TEMモードは，自由空間のTEMモードと同じ特性をもっている。
注記 一対の導体は，一つのTEMモードの伝送系を形成する。信号のエネルギーは，同軸線路の内
部においてTEMモードで伝送している。
D.4 波の伝搬
D.4.1 一般
波の伝搬は，等位相線及び電磁界の面を，（空間的な）形として表現する。
D.4.2 球面波の伝搬
この種類の伝搬は，自由空間の遠方界で最も一般的である。それは通常，単一アンテナのような点波源
によって発生する。電磁界強度は，波源から離れるに従い減少する。
D.4.3 自由空間における平面波の伝搬
極めて遠くにアンテナを離して置いた場合，そこからの波は，平面波と考えられる。その種類の伝搬は，
平行平板導波路内で観測できる。その電磁界強度は，一定であり，波源からの距離に依存しない。
D.4.4 伝搬速度
自由空間及びTEM導波管でのTEMモード伝搬の位相速度は，常に光速c0に等しい。それは空間中の誘
電率ε及び透磁率μにだけ依存する。
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D.5 偏波
D.5.1 偏波ベクトル
電界ベクトルの方向は，偏波のベクトルを示している。
D.5.2 直線及びだ（楕）円伝搬
一般に，偏波ベクトルの方向は，時間とともに変化する。
図D.3で示すように，偏波ベクトルの先端によって描く曲線で，偏波の種類を定義する。
参考文献[7]から，偏波曲線の形は次の手順によって計算することができる。横方向電界ベクトルは，式
(D.5)で求められる。
=
∑
∞
=
t
j
i
i
i
e
e
V
t
E
ω
tr
0
tr
Re
)
(
ρ
ρ
························································ (D.5)
級数の最初の項は，TEMモードを表しており，それゆえ複素振幅は，式(D.6)のように表すことができる。
trTEM
TEM
tr1
1
TEM
e
V
e
V
A
ρ
ρ
ρ
=
=
······················································· (D.6)
複素振幅は，式(D.7)のように実数部及び虚数部に分解することができる。
i
r
a
j
a
A
ρ
ρ
ρ
+
=
TEM
······································································· (D.7)
ベクトル
raρ及び iaρは，決まった面を定義する。一般にベクトルEρの先端は，だ（楕）円状を動く。raρ及
び
iaρが平行ならば，Eρは決まった線上を動き，直線偏波となる。どのモードも本質的に直線偏波となる。
他のモードが重ね合わされたときだけ円偏波となる。TEM導波管で試験するための意図的なTEMモード
は，通常，直線偏波となる。
D.6 TEM導波管の種類
D.6.1 一般
TEM導波管の最も単純な形は，図D.4に示すような2導体伝送線路である。
全体の伝送線路は，次の三つの部分に分けられる。
a) 給電部 TEM導波管に，信号発生器又は受信機を接続するポートである。
b) TEM導波管部 通常は，試験領域を含む。
c) 終端部 通常，終端は伝送線路（＝TEM導波管）の特性インピーダンスに等しい，実際の又は等価の
抵抗を用いる。
ほとんどの2ポートTEM導波管では，給電部及び終端部が幾何学的に等しく，そのために入換えが可
能で，双方のポートは，同軸コネクタを用いている。幾つかのTEM導波管は，平衡伝送線路に基づいて
いて，この場合にはBALUN変換器が必要となる。
TEM導波管は，密閉形及び開放形に分類できる。一方の導体が完全に他の導体で囲まれている場合は，
“密閉形”となり，外部導体は電磁界遮蔽物としても動作する。
1ポート及び2ポートの導波管があるが，この違いはTEM導波管の終端にある。通常，TEM導波管は，
整合した終端条件で用いる。2ポートTEM導波管の最も単純な整合方法は，一つのポートに特性インピー
ダンスと同じ値をもつ集中定数形終端器を接続する。この場合，ポートに近接した部分のTEM線路の構
造（斜形部）は，広帯域に整合させた設計になっている（図D.5参照）。
1ポートTEM導波管の場合，終端は分布定数形抵抗及び／又は電波吸収体の組合せによって構成する。
この終端方法は，構造によっては，数GHzまで対応することができる。2ポートTEM導波管は，広い
周波数帯域をもつことよりも，双方のポートで反射電力及び伝送電力の測定が可能ということが利点であ
る。
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セプタムは，単芯線若しくは平行に接続する多芯線，又は一つ若しくは平行に接続する多数の板である。
複数導体の構成では，励起の振幅及び位相によって，試験領域内の主要な偏波の変更を意図的に変えら
れる。
セプタムは，外部導体に対して対称又は非対称に取り付けることができる。非対称形セルは，試験領域
の体積がより大きくとれる長所がある。
D.6.2 開放形TEM導波管（ストリップラインなど）
単純な開放形セルは，グラウンド板の上に導体板を渡して作られている。信号発生発信器又は測定用受
信機（通常，インピーダンスは50 Ω）を一方のポートに接続し，他方のポートを伝送線路の特性インピー
ダンスに整合させる。構造に沿った一定の電圧又は電流の分布は，適切なインピーダンス整合によって達
成する。この構造を開放形2ポートTEM導波管という。
開放形TEM導波管の主な欠点は，放射によるエネルギーの損失である。この不要な放射によって測定
機器は妨害を受ける。CWイミュニティ試験では，特に開放形TEM導波管を収納するシールドルームが必
要である。
D.6.3 密閉形TEM導波管（TEM セル）
密閉形TEM導波管の主な長所は，本質的に遮蔽されていることである。全てのイミュニティ試験を，
いかなる妨害も環境に与えずに実行できる。また，密閉形TEM導波管は，不平衡形となるため，BALUN
は不要であることがもう一つの特長となる。この密閉形TEM導波管は，周波数の下限がなく，このため
に密閉形TEM導波管での過渡試験が実施できる。
注記 平衡給電のTEM導波管では，BALUNによって低い周波数での制限が生じる。
D.7 周波数制限
TEM導波管の動作は，TEMモードが自由空間の平面波と同じ界の性質をもっているという仮定に基づ
いている。このため，TEM導波管を妨害波測定及びイミュニティ試験に用いる場合は，使用する周波数範
囲に対してTEMモードで伝搬していることが必要である。
空の導波管の動作範囲内にある周波数において，導波管の断面の大きさによっては，設定したTEM以
外のモードの伝搬が可能となる。非TEMモードが発生した場合は，そのモードが伝搬できる導波管の長
手方向の位置は周波数に依存し，その位置は，周波数の上昇に従い給電点の方へ移動する。導波管のある
一断面のサイズが，その周波数の自由空間中における波長の半分を上回る場合は，最も低次の非TEMモ
ード（TE10）は，伝搬が可能である。高次モードは，最初にTEMモードからのモード変換によって発生
する。
二つのモード間のエネルギー変換は，双方のモードを結合させる導波管の構造の不連続性によって生じ
る。
実際には，多くの開放形又は密閉形TEM導波管は，高次モード及び非伝搬共振電磁界分布を最小化又
は除去するために，ある種類の発泡材又はフェライトの電波吸収体を内部にもつ。
電波吸収体がそのモードの電磁界分布に関して適切な位置に設置されている場合，TEMモード特性は本
質的に保たれる。一般に電波吸収体の装着及び入出力導体をテーパ状にして適切に組み合わせることで，
多くのTEM導波管は，数GHz又はそれ以上の周波数まで，TEMモードで動作する。
電波吸収体の適切な配置は，入出力のテーパ及び試験領域部分の形状によって決定する。試験領域内に
内張りした電波吸収体をもつ多くのTEM導波管の欠点は，エミッション相関アルゴリズムに用いる界変
数e0y（A.3.2.3.3）が解析的に計算できないことである。これによって，測定不確かさが大きくなる可能性
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がある。
電波吸収体の有無にかかわらず，どのようなTEM導波管に対しても，有効な周波数範囲は，この規格
に規定する方法を用いて確立する（5.2.1及び5.2.2参照）。
電界均一性及び共振周波数に関する更なる詳細情報は，参考文献[17]及び[19]に記載してある。電波吸収
体のないTEM導波管については，共振周波数は，TEM導波管の幾何学的形状に依存する。2ポートTEM
導波管では，遮断位置zcとする給電部と終端部との間のある断面で共振が起こる。各高次モードは，モー
ドの種類に依存した別の遮断位置をもつ。
ポートと遮断位置との間では，それぞれの高次モードは伝搬できない。2か所の遮断位置の距離が半波
長の整数倍であった場合は，共振が起こる。対称性の理由によって，セルの中心z＝zsymにおいて共振界は
最大値か又は0となる。電磁界モードの共振周波数は，K1＝1，K2＝0としたときに，解析的に式(D.8)によ
って計算できる。
)
(
arctan
π
2
1
π
2
1
sym
2
c
2
sym
4
3
res
Z
k
Z
K
K
n
f
+
−
+
=
εμ
························ (D.8)
ここに，
n＝ 0，1，2，3，….
K3，K4＝ f（z，a，k，kc，Jv）
kc＝ f（zc，a，mode）
定数K1〜K4は解析的に解いてもよい。K3及びK4は，式(D.9)のように記述できる。
+
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
=
−
)
(
'
)
(
'
2
'
2
'
)
(
'
)
(
cos
)
(
sin
)
(
)
(
sin
)
(
cos
)
(
)
(
1
k
1
v
k
k
k
k
v
k
k
2
c
2
k
k
2
c
2
k
k
2
c
2
k
2
c
2
k
k
2
c
2
k
k
2
c
2
k
2
c
2
4
3
kz
J
z
a
kz
J
z
a
va
a
kz
J
z
a
z
k
k
z
z
k
k
z
z
k
k
z
k
k
z
z
k
k
z
z
k
k
z
k
k
K
K
··· (D.9)
詳細は，参考文献[19]を参照。
図D.1−最も単純な導波管（TEM波は伝搬しない）
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図D.2−TEMモードが伝搬する導波管の例
図D.3−偏波ベクトル
図D.4−TEM伝搬のための伝送線路モデル
a) 1ポートTEM導波管
b) 2ポートTEM導波管
図D.5−1ポート及び2ポートTEM導波管
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附属書E
（参考）
TEM導波管における電界プローブの校正方法
E.1
概要
この規格では，広い周波数帯域及び大きいダイナミックレスポンスをもつ電界プローブを電界均一性の
検証手順に用いる。一方，電界プローブ校正方法の品質は，放射イミュニティ試験の不確かさに直接影響
を与える。
この規格に従った電界均一性検証中に，放射イミュニティ試験によって，プローブは，一般に200 V/m
又はそれより高い電界にさらされる。したがって，この規格で用いる電界プローブの校正では，意図した
周波数及びダイナミックレンジを考慮する。
一般に，電界プローブを異なる校正機関で校正する場合，校正結果が違いを示すことがある。したがっ
て，電界プローブ校正のための環境及び方法を規定する必要がある。この附属書は，TEM導波管検証のた
めに使用するプローブ校正手順を示し，またTEM導波管検証結果の差を少なくするために，電界均一性
測定で使用するためのプローブの校正における関連情報を示す。
E.2
電界プローブ校正要求条件
E.2.1 概要
均一電界領域（UFA）の検証に用いるための電界プローブの校正条件をE.2.2〜E.2.7に示す。UFAは，
十分に小さい変動となる電界校正の仮想の垂直平面である。
E.2.2 校正周波数範囲
周波数範囲は，通常，TEM導波管の寸法及び構造によって決まる最高周波数を含めることが望ましい。
電界プローブのプローブヘッド（電界を受信するエレメントが存在する部分）の最大寸法lpmaxは，共振を
避けるために，最高校正周波数fcmaxの1/4波長より小さくすることが望ましい。したがって，最高周波数
fmaxは，プローブヘッドの寸法から，式(E.1)となる。
pmax
0
max
4l
c
f
≦
········································································· (E.1)
ここに，
c0： 光速（m/s）
例えば，電界プローブのプローブヘッドの最大寸法lpmaxが2.5 cmの場合，最高周波数は，式(E.1)から3
GHzとなる。周波数が5.2.1に規定するTEMモードの立証によって決まる最高周波数を超える場合には，
TEMモードの立証で決定される最高周波数まで校正を行う。
E.2.3 校正空間
校正空間の寸法（例えば，立方体又は平行六面体のようにできるだけ規則的であることが望ましい。）は，
内部導体と外部導体との間隔（セプタム高）の20 %未満であることが望ましい。電界プローブを校正する
空間の中心は，セプタム高の中心に位置することが望ましい。
校正空間の検証は，立方体の格子点で行うことを推奨する。二つの校正点間の格子間隔は，セプタム高
の約10 %となるように選択する。検証のための電界プローブ及びセンサは，可能な限り小さいものが望ま
しい。このプローブ及びセンサは，校正されている必要はない。
注記1 例として校正空間の寸法が1辺20 cmの立方体の場合，図E.1に示すとおり，格子間隔は，
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10 cmとなり，測定点数は27点となる。
空間の検証手順は，次のとおりである。
a) 電界強度は，5.2.3に規定する進行波電力一定法を用い，全ての点で測定する。
b) 測定電界強度の標準偏差を計算する。
c) 標準偏差は，1ポートTEM導波管で約1 dB未満，2ポートTEM導波管で0.6 dB未満であることが望
ましい。
注記2 c)で推奨する標準偏差の根拠は，参考文献[51]を参照。
図E.1−検証のための測定点の例
E.2.4 電界プローブ寸法
プローブヘッドの寸法は，セプタム高h（5.2.2参照）の10 %未満が望ましい。電界プローブの寸法につ
いても，校正空間（E.2.3参照）より小さいことが望ましい。
E.2.5 電界プローブによるTEM導波管内部電磁界のじょう（擾）乱
測定装置を含む電界プローブによるTEM導波管内部の電磁界のじょう（擾）乱は，プローブのある場
合とない場合とに分けて，検証することが望ましい。
注記 このじょう（擾）乱は，測定装置によるだけでなく，TEM導波管の線形性にも依存する。
図E.2−じょう（擾）乱の検証のためのセットアップ
検証のための測定セットアップの例を，図E.2に示す。電力増幅器，信号発生器，方向性結合器及び高
周波電力計を，プローブ校正の場合と同様にTEM導波管に接続する。モノポールアンテナを電界の受信
に用いる。床導体に小さな穴を開け，このアンテナを床導体に取り付ける。低侵襲性の電界センサ（例え
ば，LiNbO3光学結晶を用いた光電界センサ）も，モノポールアンテナの代わりに使用できる。ただし，こ
のようなセンサを使用する場合には，床導体の小さな穴は必要ない。このアンテナ及びセンサは校正する
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必要はない。モノポールアンテナは，アンテナ出力を測定するために，スペクトラムアナライザに接続し
ている。校正空間の寸法をもつ金属の立方体は，［プローブの有無によるじょう（擾）乱の程度の差を確認
するための］プローブとして使用できる。
じょう（擾）乱の検証手順は，次のとおりである。
a) プローブなしで周波数を設定し，TEM導波管に進行電力を印加する。
b) 電力及びスペクトラムアナライザの指示値を測定する。
c) 電力を増加し，b)を繰り返す。
d) 周波数を変え（E.2.6参照），a)〜c)を繰り返す。
e) 全ての周波数で測定が終了したら，プローブを入れてa)〜d)を繰り返す。
f)
入力電力に対する指示値のじょう（擾）乱を確認する。
プローブの有無によるじょう（擾）乱の差は，高周波電力計及びスペクトラムアナライザの測定不確か
さより小さいことが望ましい。
注記 不確かさの決定については，参考文献[52]及び[53]を参照。測定装置の製造業者によっては，装
置の測定不確かさを公開しているところもある。
E.2.6 周波数ステップ
異なる校正機関の間で試験結果を比較することができるよう，校正に対し特定の周波数を使用する必要
である（表E.1参照）。
表E.1−校正周波数
周波数範囲
通常の校正周波数
MHz
f0〜1 GHz
f0，50，100，150，200，…，950，1 000
1 GHz以上
1 000，1 200，1 400，…
注記 f0は，被校正プローブの最低周波数である。
E.2.7 電界強度
電界プローブ校正に使用する電界強度は，イミュニティ試験で利用される電界強度に基づくことが望ま
しい。（実際のイミュニティ試験において）電界均一校正としてEUTに適用する電界強度の1.8倍以上の
強度に対応するときには，電界プローブ校正は試験電界強度の2倍で実行することが望ましい（表E.2参
照）。
注記 試験電界強度の2倍で電界プローブ校正を実行することで，電力増幅器の1 dB圧縮要求事項に
ついても試験できている。
表E.2−校正電界強度のレベル
校正レベル
校正電界強度
V/m
1
2
2
6
3
20
4
60
X
Y
注記 X及びYはオープン校正レベルである。このレベルは，電界
プローブの仕様書又は試験機関から与えられる場合がある。
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E.3
校正測定器の要求条件
E.3.1 TEM導波管の仕様
TEM導波管を用いて，電界プローブ校正のための標準電界を発生させることができる。TEMセルのセ
プタムと上部導体又は床導体との間の中心点の，ボルト毎メートル（V/m）で表す電界Eapproxは，式(E.2)
で計算できる。
h
P
Z
E
net
0
approx=
····································································· (E.2)
ここに，
Z0： TEMセルの特性インピーダンス（通常，50 Ω）
Pnet： E.3.4に従って決定される正味電力（W）
h： セプタムと上部導体又は床導体間の距離（m）
注記1 2導体間の中心点における電界は，式(E.2)によって近似できる。
注記2 式(E.2)は，TEMモードに対してだけ有効である。
TEMセルのVSWRは，測定不確かさを最小にするため，例えば1.3未満のように，小さく保たれている
ことが望ましい。
Pnetの測定は，TEM導波管（2ポートTEM導波管だけ）の出力ポートに接続した，校正済みの低VSWR
の減衰器及びパワーセンサを用いる方法を，代替としてもよい。
E.3.2 高調波とスプリアス信号
電力増幅器からの高調波又はスプリアス信号は，全て，搬送周波数の20 dB未満であることが望ましい。
このことは，校正及びリニアリティ確認の間，全ての電界強度レベルに当てはまる。電力増幅器の高調波
成分は，通常より高い電力レベルでは悪化するので，高調波の測定は，最も高い電界強度の校正だけ実施
すればよい。高調波の測定は，減衰器を経由した電力増幅器出力，又は方向性結合器を経由して，校正さ
れたスペクトラムアナライザを使用して行うことができる。
校正機関は，電力増幅器からの高調波及び／又はスプリアス信号が，全ての測定セットアップの必要条
件を満たすことを確認するために，測定を行うことを推奨する。これは，スペクトラムアナライザを，方
向性結合器のポート3に接続する（高周波電力計をスペクトラムアナライザ入力と交換する。図E.3参照）
ことによって実施してもよい。
注記1 電力レベルが，スペクトラムアナライザの最大許容入力電力を上回らないことを保証するこ
とが望ましい。そのために減衰器を使用してもよい。
周波数スパンは，“意図した周波数”の第3次高調波を含めることが望ましい。検証の測定は，最も高い
意図された電界強度を生成する電力レベルで実行する。高調波抑制フィルタは，電力増幅器のスペクトラ
ム純度の改善に用いてよい（附属書D参照）。
注記2 “意図した周波数”とは，校正における最大の周波数を意味する。
E.3.3 プローブ支持物
プローブ校正に当たって，プローブ支持物は，電磁界反射の原因となり得る。プローブ支持物は比誘電
率1.2未満，及び誘電損失tan δが0.005未満の材質で作られていることが望ましい。
E.3.4 方向性結合器を用いた送信装置の正味電力の測定
送信装置に供給した正味電力は，4ポートの双方向性結合器，又は背面に接続した二つの3ポートの単
一方向性結合器（いわゆる二重方向性結合器）で測定できる。送信機器への正味電力を測定するための双
方向性結合器を用いる共通セットアップを，図E.3に示す。整合した負荷及び信号源に各ポートを接続し
た場合，順方向結合及び逆方向結合は，式(E.3)及び式(E.4)によって定義する。
52
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1
3
fwd
P
P
C
=
············································································· (E.3)
2
4
rev
P
P
C=
·············································································· (E.4)
ここに， P1，P2，P3，P4： 方向性結合器の各々のポートの電力（W）（図E.3参
照）
TEM導波管に供給する正味電力は，式(E.5)で計算できる。
rev
2
M
fwd
1
M
net
C
P
C
P
P
−
=
···································································· (E.5)
ここに， PM1，PM2： リニアスケールでの高周波電力計の指示値（図E.3参照）
アンテナのVSWRが既知の場合，3ポート方向性結合器を使用できる。例えば，アンテナが1.5のVSWR
をもつ場合，電圧反射係数VRC＝0.2と等価となる。
図E.3−送信機器への正味電力を測定するための双方向性結合器
方向性結合器の方向性によって精度が変わる。方向性は，入射信号と反射信号とを分離する結合器の能
力の指標である。インピーダンス整合のとれたTEM導波管の場合，反射電力は，入射電力よりも極めて
小さくなる。この場合は，方向性の影響は小さくなる。例えば，送信アンテナが1.5のVSWRをもち，か
つ，結合器が20 dBの方向性をもつ場合，有限の方向性による正味電力の絶対最大不確かさは，U字分布
によって0.22 dBから0.18 dBを減じ，0.04 dBとなる（0.22 dBは，1.5のVSWRによる入射電力の損失分
に相当する。）。
この場合のTEM導波管に供給する正味電力を，式(E.6)で表す。
fwd
2
RC
M1
net
)
1(
C
V
P
P
−
=
·································································· (E.6)
E.4
電界プローブ校正
E.4.1 校正方法
参考文献[53]で三つの校正方法を示しているが，一般に，そのうちの二つの方法を採用する。計算によ
る電界強度を用いた標準電界法を，2ポートTEM導波管（E.4.2参照）に用いる。仲介標準（すなわち，
被校正物と同様の電気的特性及び形状をもった電界センサ又はプローブ）を用いた校正方法を，1ポート
TEM導波管に用いる。
53
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E.4.2 2ポートTEM導波管の場合の校正手順
2ポートTEM導波管の場合，プローブ校正には標準電界法が適用可能である。図E.4に電界プローブの
校正のためのセットアップ例を示す。電界強度レベル，入射電力及び反射電力を目視で読む場合，コンピ
ュータ（PC）は必ずしも必要ではない。TEM導波管の種類によって校正手順を選択すること推奨する。2
ポートTEM導波管の場合の校正を行う手順は，次のとおりである。
a) 等方性電界強度センサを，セプタム高の中心に置く。
b) E.2.2で規定した周波数範囲，及びE.2.6で規定した周波数ステップで，主電界成分強度が6 V/m〜20
V/mの範囲になるように入射電力をTEM導波管入力端子に印加し，入射電力，反射電力，主電界成
分強度，二つの二次電界成分強度，及び全ての指示値を記録する。
c) 測定電力から，正味電力Pnetを式(E.5)又は式(E.6)によって計算する。
d) 式(E.2)から，公称主電界成分電界強度Eapproxを計算する。
注記 校正係数は，プローブの配置方法によって変化することがある。
プローブヘッド以外のあらゆる部品からの影響を排除するため，TEM導波管の上部からプローブヘッド
だけを挿入する方法もある。
校正係数Fpは，式(E.7)で求められる。
approx
m
p
E
E
F=
··········································································· (E.7)
ここに，
Em： 測定主電界強度（V/m）
デシベルで表す校正係数Fp|dBは，式(E.7A)で求められる。
dB
approx
dB
m
dB
p
E
E
F
−
=
···························································· (E.7A)
ここに，
Em|dB： 測定主電界強度（dBμV/m）
Eapprox|dB： 公称主電界成分電界強度（dBμV/m）
図E.4−電界プローブの校正に対するセットアップの例
E.4.3 1ポートTEM導波管の場合の校正手順
E.4.3.1 仲介法
一般に，式(E.2)で与えられる電界強度と測定電界強度との偏差は，2ポート導波管の場合，全ての周波
数で±0.5 dB以下である。しかし，1ポートTEM導波管の場合，その偏差は±3 dB又は±4 dBとなるこ
とがある。したがって，E.4.2で記述されている校正方法は，1ポートTEM導波管では使用しないことが
望ましい。この場合，校正は，仲介法を用いて行うことができる。
仲介プローブは，TEM導波管内で標準電磁界を確立するために使用することができる。仲介プローブの
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応答は，ダイポールアンテナのようなプローブに対し，理論計算によって，又は他の幾つかの方法（例え
ば，電波無響室における3アンテナ法）に従って行う校正によって決定することができる。他には，小形
で高い上限周波数をもつ2ポートTEMセルを使用する方法がある。この場合，仲介プローブは，十分に
小さい必要がある。TEM導波管が線形な特性をもち，その伝達関数が既知の場合，プローブ校正は，他の
電力レベルにおいても可能となる。仲介標準に対する校正環境の違いばかりではなく，仲介標準と被校正
プローブとの形状の違いによって発生する可能性がある付加的な誤差（例えば，校正サイト，大きさ，配
置など）についても，注意を払うことが望ましい。
注記1 通常，参照校正と校正機関における実際の使用との間の校正環境に対するどのような誤差に
おいても，系統誤差を導入する。さらに，校正機関で使用する仲介標準は，理想的には，実
際の被校正プローブと同じ幾何学的構造をもつことが望ましい。そのようにならない場合は，
定量化しなければならない追加の系統誤差を導入する。
仲介プローブを用いて校正を行う手順は，次のとおりである。
a) 仲介プローブをセプタム高の中央に置く。
b) E.2.2の周波数範囲，及びE.2.6の周波数ステップにおいて，TEM導波管の入力ポートに入射電力を印
加し，全ての入射電力，反射電力，及び主電界成分の指示値（又は仲介プローブの出力電力）を記録
する。
注記2 出力電圧を測定している場合は，それらを電界強度に変換することが望ましい。
c) 測定電力を用いて正味電力Pnetを，式(E.5)及び式(E.6)によって計算する。
d) 仲介プローブを，被校正等方性電界強度センサに置き換える。
e) 進行電力を，b)における電力と同じ正味出力となるように印加し，主電界成分強度の指示値を記録す
る。
校正係数Fpは，式(E.8)で求められる。
T
m
p
E
E
F=
··············································································· (E.8)
ここに，
ET： 仲介プローブによって得られた主電界成分強度（V/m）
デシベルで表す校正係数Fp|dBは，式(E.8A)で求められる。
dB
T
dB
m
dB
p
E
E
F
−
=
································································ (E.8A)
ここに， ET|dB： デシベルで表す仲介プローブによって得られた主電界成分強
度（dBμV/m）
次の条件に適合する場合，仲介法は正確である。
・ 仲介と校正手順との間でセットアップを変えない。
・ 測定中のプローブ位置に再現性がある。
・ 送信電力は一定に保たれている。
・ 被校正プローブは，仲介プローブと同様の構造（寸法及びエレメントの形）をもつ。
・ センサヘッドと読出し部分とを接続しているケーブルは，電磁界を乱さず，また拾わない。
・ TEM導波管は，ほとんど電力の反射がない。
この方法に関する更なる情報は，参考文献[54]及び[55]を参照。
E.4.3.2 校正位置における電界推定方法
仲介プローブが利用できない場合は，もう一つの方法によってプローブを校正できる。E.2.5で記述した
モノポールアンテナを使用する（図E.5参照）。校正手順は，次のとおりである。
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a) モノポールアンテナを床導体に設置する。
b) E.2.2の周波数範囲，及びE.2.6の周波数ステップにおいて，TEM導波管の入力ポートに進行電力を印
加し，全ての進行電力，後退電力及びスペクトラムアナライザの指示値Pnmonoを記録する。
c) モノポールアンテナのアンテナ係数から，アンテナ位置における電界強度Emonoを計算する。
d) 測定電力を用いて正味電力Pnetを，式(E.5)及び式(E.6)によって計算する。
e) モノポールアンテナを取り除き，モノポールアンテナを設置していた位置に，低侵襲性の小さい電界
センサ（例えば，光電界センサ）を設置する。
f)
進行電力を，b)における電力と同じ正味出力となるように印加し，センサによる主電界成分強度EM
又はスペクトラムアナライザ指示値PMを記録する。
注記 小さい電界センサは必ずしも校正されている必要はない。電界プローブは使用できるが，被
校正プローブは使用しないことが望ましい。
g) 小さい電界センサを，校正する位置（通常，セプタム高の中心）に置く。
h) 進行電力を，b)における電力と同じ正味出力となるように印加し，センサによる主電界成分強度EC
又はスペクトラムアナライザ指示値PCを記録する。
a) モノポールアンテナの使用
b) 小さい電界センサの使用
図E.5−もう一つの方法による電界プローブ校正のセットアップ
参照電界は，式(E.9)又は式(E.9A)で計算できる。
M
C
mono
ref
P
P
E
E=
····································································· (E.9)
M
C
mono
ref
E
E
E
E=
····································································· (E.9A)
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校正係数Fpは，式(E.10)で得られる。
ref
m
p
E
E
F=
············································································· (E.10)
ここに，
Em： 被校正プローブによって得られた主電界成分強度（V/m）
デシベルで表す校正係数Fp|dBは，式(E.10A)で求められる。
dB
ref
dB
m
dB
p
E
E
F
−
=
······························································ (E.10A)
ここに， Em|dB： デシベルで表す被校正プローブによって得られた主電界成
分強度（dBμV/m）
Eref|dB： デシベルで表す参照電界（dBμV/m）
モノポールアンテナのアンテナ係数の導出手順を，E.4.4に記述する。
E.4.4 実効長を用いたアンテナインピーダンスからのアンテナ係数の導出
アンテナインピーダンスは，次の方法のいずれかによって求められる。
a) アンテナの反射係数をネットワークアナライザを用いて測定する。
b) Labusの式（参考文献[56]参照）を用いて計算する。
c) モーメント法などの他の数値解析手法を用いる。
受信アンテナ及び測定装置の等価回路を，図E.6に示す。受信アンテナの端子電圧V0は，式(E.11)で求
められる。
図E.6−受信アンテナと測定装置の等価回路
ant
0
0
ant
0
0
0
Z
Z
E
l
Z
Z
Z
V
Z
V
e
+
−
=
+
=
······················································· (E.11)
ここに，
Z0： 装置の特性インピーダンス（Ω）
Zant： アンテナインピーダンス（Ω）
E： アンテナエレメントがある位置における電界（V/m）
le： アンテナ実効長（m）
アンテナ実効長は，式(E.12)又は式(E.13)で計算する。
4
,
π
2
cos
1
π
2
sin
π
2
π
2
sin
π
2
sin
1
0
λ
λ
λ
λ
λ
λ
≦
l
l
l
dx
x
l
l
l
e
−
=
=
∫
······· (E.12)
2
4
,
π
2
cos
1
π
2
λ
λ
λ
λ
≦
≦l
l
le
−
=
············································· (E.13)
ここに，
l： アンテナのエレメント長（m）
λ： 波長（m）
アンテナ係数FAは，電界及びアンテナ端子電圧によって式(E.14)で示される。
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0
A
V
E
F=
··············································································· (E.14)
アンテナ係数は，最終的に，式(E.11)及び式(E.14)から，式(E.15)で求められる。
el
Z
Z
Z
F
0
ant
0
A
+
=
······································································· (E.15)
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参考文献
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ISO 11452-3，Road vehicles−Component test methods for electrical disturbances from narrowband radiated
electromagnetic energy−Part 3: Transverse electromagnetic mode (TEM) cell
JIS C 60068-1 環境試験方法−電気・電子−通則
注記 対応国際規格：IEC 60068-1，Environmental testing−Part 1: General and guidance（IDT）
IEC 60118-13，Electroacoustics−Hearing aids−Part 13: Electromagnetic compatibility (EMC)
IEC 60489-1，Methods of measurement for radio equipment used in the mobile services−Part 1: General
definitions and standard conditions of measurement
IEC 60489-3，Methods of measurement for radio equipment used in the mobile services−Part 3: Receivers for
A3E or F3E emissions
IEC 61000-2-11:1999，Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 2-11: Environment−Classification of HEMP
environments
IEC 61000-4-23，Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 4-23: Testing and measurement techniques−Test
methods for protective devices for HEMP and other radiated disturbances
IEC/TR 61000-4-32，Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 4-32: Testing and measurement techniques−
High-altitude electromagnetic pulse (HEMP) simulator compendium
IEC/TR 61000-5-3，Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 5-3: Installation and mitigation guidelines−
HEMP protection concepts
IEC 61967-2，Integrated circuits−Measurement of electromagnetic emissions, 150 kHz to 1 GHz−Part 2:
Measurement of radiated emissions−TEM cell and wideband TEM cell method
IEC 62132-2，Integrated circuits−Measurement of electromagnetic immunity−Part 2: Measurement of radiated
immunity−TEM-cell and wideband TEM cell method
CISPR 20，Sound and television broadcast receivers and associated equipment−Immunity characteristics−
Limits and methods of measurement
CISPR 25，Vehicles, boats and internal combustion engines−Radio disturbance characteristics−Limits and
methods of measurement for the protection of on-board receivers
ANSI C63.4，Methods of Measurement of Radio-Noise Emissions from Low-Voltage Electrical and Electronic
Equipment in the Range of 9 kHz to 40 GHz
ANSI C63.19-2007，Methods of Measurement of Compatibility between Wireless Communications Devices and
Hearing Aids
EIA/TIA-631，Telecommunications Telephone Terminal Equipment−Radio Frequency Immunity Requirements
for Equipment Having an Acoustic Output
ETSI TR 102 273-5，Electromagnetic Compatibility and Radio Spectrum Matters (ERM); Improvement on
Radiated Methods of Measurement (using test sites) and evaluation of the corresponding measurement
uncertainties−Part 5: Striplines
IEEE Std C95.3，IEEE recommended practice for the measurement of potentially hazardous electromagnetic
fields−RF and microwave
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IEEE Std 1309-2005，IEEE Standard for Calibration of Electromagnetic Field Sensors and Probes, Excluding
Antennas, from 9 kHz to 40 GHz
IEEE Std 145-1993，IEEE Standard Definitions of Terms for Antennas
IEEE Std 211-1997，IEEE Standard Definitions of Terms for Radio Wave Propagation
MIL-STD 461F，Requirements for the Control of Electromagnetic Interference Characteristics of Subsystems and
Equipment
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from Low-Voltage Electrical and Electronic Equipment in the Range of 9 kHz to 40 GHz, The Institute of
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TEM-Wellenleitern bei Variation des Füllfaktors”, (translation: “Influence of current distribution on test
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ITG, Kleinheubacher Berichte, Deutsche Telekom, Darmstadt, Germany, vol. 39, 1996
[9] E.L. Bronaugh, “Simplifying EMI immunity (susceptibility) tests in TEM cells”, IEEE International
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[10] E. Bronaugh, and J. Osburn, “Radiated emissions test performance of the GHz TEM cell”, IEEE International
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[11] CISPR 14 (all parts)，Electromagnetic compatibility−Requirements for household appliances, electric tools
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[13] R. E. Collin, Field Theory of Guided Waves, 2nd ed., IEEE Press, Piscataway, NJ, 1991
[14] M. Crawford, and J. Workman, “Predicting free-space radiated emissions from electronic equipment using
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60
C 61000-4-20：2014
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
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[16] J. Glimm, K. Münter, M. Spitzer, Th. Dötzer, Th. Schrader, “Influence of calibration and measurement
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Electromagnetic Compatibility, Tokyo, Japan, pp. 600-603, May 1999
[17] C. Groh, J.P. Kaerst, M. Koch, and H. Garbe, “TEM Waveguides for EMC measurements”, IEEE
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[18] C. Groh, J.P. Kaerst, and H. Garbe, “Einfluss der Beladung auf die Feldmoden in TEM Wellenleitern”,
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EMV 2000 (8. Intl. Symp. and Exhb. on EMC), VDE Verlag, Berlin, Germany, pp. 287-294, Feb. 2000, ISBN
3-8007-2522-3
[19] C. Groh, TEM Zellen zur Kalibration von elektromagnetischen Feldsensoren, (translation: TEM cells for
calibration of electromagnetic field probes), PhD-thesis, University of Hannover, Germany, VDE Verlag,
2002
[20] T.E. Harrington, Z. Chen, and M. D. Foegelle, “GTEM radiated emissions testing and FDTD modeling”,
IEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility, Seattle, WA, pp. 770-775, 1999
[21] T.E. Harrington, “Total-radiated-power-based OATS-equivalent emissions testing in reverberation chambers
and GTEM cells”, IEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility, Washington, DC, pp.
23-28, 2000
[22] T.E. Harrington, and E.L. Bronaugh, “EUT directivity and other uncertainty considerations for GHz-range
use of TEM waveguides”, IEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility, Montreal, QC,
Canada, pp. 117-122, 2001
[23] IEC 61000-2-9, Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 2: Environment−Section 9: Description of
HEMP environment−Radiated disturbance
[24] IEEE Std 1309-2005: IEEE Standard for Calibration of Electromagnetic Field Sensors and Probes,
Excluding Antennas, from 9 kHz to 40 GHz, The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc., New
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[25] J.P. Kaerst, C. Groh, and H. Garbe, “Field mode properties of loaded waveguides”, International Zurich
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[26] J.P. Kaerst, Qualifikation beladener TEM Wellenleiter, (translation: Validation of loaded TEM waveguides),
PhD-thesis, University of Hannover, Germany, VDE Verlag, 2002
[27] M. Klingler, J. Rioult, J.-P. Ghys, and S. Ficheux, “Wideband total radiated power measurements of
electronic equipment in TEM and GTEM cells”, International Zurich Symposium on Electromagnetic
Compatibility, Zurich, Switzerland, pp. 665-670, 1999
[28] M. Koch, Analytische Feldberechnung in TEM Zellen, (translation: Analytical Field Calculation in TEM
Cells"), PhD-thesis, University of Hannover, Shaker-Verlag, Aachen, Germany, 1999, ISBN 3-8265-6017-5
[29] G. Koepke, and M. Ma, “A new method to quantify the radiation characteristics of an unknown interference
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61
C 61000-4-20：2014
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
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[31] A. Nothofer, A.C. Marvin, and J.F. Dawson, “Uncertainties due to cross-polar coupling in GTEM cell
emission measurement”, International Symposium on Electromagnetic Compatibility, Rome, Italy, pp.
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[32] A. Nothofer, A.C. Marvin, and J.F. Dawson: “Indirect measurements of field uniformity in TEM cells
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[33] D.M. Pozar, Microwave Engineering, 2nd ed., John Wiley & Sons, NY, 1998
[34] T. Schrader, Vergleich von Feldgeneratoren für EMV-Prüfungen, (translation: Comparison of Field
Generators for EMC Tests), PhD-thesis, University of Braunschweig, Germany, 1997
[35] I. Sreenivasiah, D. Chang, and M. Ma, “Emission characteristics of electrically small radiating sources from
tests inside a TEM cell”, IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, vol. 23, no. 3, pp. 113-121,
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techniques,” IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, vol. 40, no. 1, pp. 62-69, Feb. 1998
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data obtained in a novel broadband TEM cell”, IEEE National Symposium on Electromagnetic Compatibility,
Denver, CO, pp. 171-177, May 1989
[41] P. Wilson, “On correlating TEM cell and OATS emission measurements,” IEEE Transactions on
Electromagnetic Compatibility, vol. 37, no. 1, pp. 1-16, Feb. 1995
[43] CISPR/TR 16-4-1，Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods−
Part 4-1: Uncertainties, statistics and limit modelling−Uncertainties in standardized EMC tests
[44] CISPR 16-4-2，Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods−Part
4-2: Uncertainties, statistics and limit modelling−Uncertainty in EMC measurements
[45] CISPR/TR 16-4-3，Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods−
Part 4-3: Uncertainties, statistics and limit modelling−Statistical considerations in the determination of EMC
compliance of mass-produced products
[46] CISPR/TR 16-4-4，Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods−
Part 4-4: Uncertainties, statistics and limit modelling−Statistics of complaints and a model for the
calculation of limits for the protection of radio services
[47] J. Glimm, K. Münter, R. Pape, T. Schrader, and M. Spitzer, “The New National Standard of EM Field
Strength; Realisation and Dissemination”, 12th Int. Symposium on EMC, February 18-20, 1997, Zurich,
Switzerland, ISBN 3-9521199-1-1, Page 611-613
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C 61000-4-20：2014
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
[48] H. Garn, M. Buchmayr, and W. Mullner, “Precise calibration of electric field sensors for radiated
susceptibility testing”, Frequenz 53 (1999) 9-10, Page 190-194
[49] IEEE Standard 1309-2005，for Calibration of Electromagnetic Field Sensors and Probes, Excluding
Antennas, from 9 kHz to 40 GHz, 2005
[50] TS Z 0033:2012 測定における不確かさの表現のガイド
注記 対応国際規格：ISO/IEC Guide 98-3:2008，Uncertainty of measurement−Part 3: Guide to the
expression of uncertainty in measurement (GUM: 1995)（IDT）
[51] S. Ishigami and M. Hirata, “A New Calibration Method for an E-field Probe using TEM Waveguides”, The
20th International Zurich Symposium on Electromagnetic Compatibility (EMC Zurich 2009), January 2009
[52] BIPM, IEC, IFCC, ISO, IUPAC, IUPAP, OIML. Guide to the Expression of Uncertainty in Measurement.
International Organization for Standardization, Geneva, Switzerland, ISBN 92-67-10188-9, First Edition,
1993
[53] UKAS M3003 The Expression of Uncertainty and Confidence in Measurement, Ed.2, 2007
[54] J. Glimm, K. Münter, R. Pape, T. Schrader, and M. Spitzer, “The New National Standard of EM Field
Strength; Realisation and Dissemination”, 12th Int. Symposium on EMC, February 18-20, 1997, Zurich,
Switzerland, ISBN 3-9521199-1-1, Page 611-613
[55] H. Garn, M. Buchmayr, and W. Mullner, “Precise calibration of electric field sensors for radiated
susceptibility testing”, Frequenz 53 (1999) 9-10, Page 190-194.
[56] J.Labus, “Rechnerische Ermittlung der Impedanz von Antennen. (Mathematical calculation of the impedance
of antennas) Hochfrequenz und Elektroakustik, vol. 41, pp. 17-23; January, 1933
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C 61000-4-20：2014
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書JA
（参考）
JISと対応国際規格との対比表
JIS C 61000-4-20:2014 電磁両立性−第4-20部：試験及び測定技術−TEM（横方
向電磁界）導波管のエミッション及びイミュニティ試験
IEC 61000-4-20:2010 Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 4-20: Testing and
measurement techniques−Emission and immunity testing in transverse electromagnetic
(TEM) waveguides
(I)JISの規定
(II)
国際
規格
番号
(III)国際規格の規定
(IV)JISと国際規格との技術的差異の
箇条ごとの評価及びその内容
(V)JISと国際規格との技術的差異の理由
及び今後の対策
箇条番号
及び題名
内容
箇条
番号
内容
箇条ごと
の評価
技術的差異の内容
3 用語，定
義及び略号
3.1
gravity-dependent/-independent
削除
gravity-dependent
/-independentを削除。
対応国際規格において，当該用語が現れ
る部分（附属書A）が削除されているの
で，この定義も削除した。今後の対策と
しては，対応国際規格審議団体である
CISPR/A +SC77B TEM-JTFへのエキスパ
ートとしての修正文書の提案，及び対応
国際規格の委員会原案等への国内委員会
からのコメントを行うことで対応する。
以降の項目についても同様とする。
5 TEM導波
管の要求事
項
5.2.1
at least one frequency
追加
“at least one frequency”に言
葉を補った。
対応国際規格では，“試験周波数点数の最
大5 %まで（一つの周波数以上）”となっ
ているが，これでは括弧内の記述が何を
意味しているか不明であり，また，この
文章の意味は，試験周波数点数の5 %が1
点に満たないような，試験点数の少ない
場合の説明であることから，“周波数点数
が少ない場合は”という言葉を補った。
5.2.1
変更
周波数範囲は30 MHzから。 対応国際規格では30 MHzの前の“from”
が欠落していると考えられるので，補っ
て解釈した。
5.2.2
セプタム高hの定義
追加
GTEMセルの場合のhの定
義の追加。
GTEMセルの場合の定義を補足，追加し
た。
7
C
6
1
0
0
0
-4
-2
0
：
2
0
1
4
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き、本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(I)JISの規定
(II)
国際
規格
番号
(III)国際規格の規定
(IV)JISと国際規格との技術的差異の
箇条ごとの評価及びその内容
(V)JISと国際規格との技術的差異の理由
及び今後の対策
箇条番号
及び題名
内容
箇条
番号
内容
箇条ごと
の評価
技術的差異の内容
5 TEM導波
管の要求事
項（続き）
5.2.3
変更
内容の整理に伴う箇条の再
設定。
対応国際規格の5.2.3.2及び5.2.3.3は，電
界均一性の校正方法と，判定基準，及び
試験レベルの設定についての記述が混乱
しているため，内容を整理し，改めて箇
条を5.2.3.2電界均一性測定手順，5.2.3.3
電界均一性の判断基準，5.2.3.3A試験電界
強度の設定とした。
5.3.1
削除
注記1と附属書との記述の
不整合。
対応国際規格の注記1で，附属書A，附
属書B及び附属書Cに許容される周囲の
電磁環境の信号レベルを規定するとある
が，附属書にそのような記述はないので，
この注記を削除した。
削除
注記2と関連規格との記述
の不整合。
対応国際規格の注記2に示すセットアッ
プ例のCISPR 20に関する記述は，現行の
CISPR 20の要求条件と異なるので，この
注記を削除した。
6 EUTのタ
イプの概要
6.2
小さいEUT
追加
EUTの一部分となってい
る，引き回しを変更しない
相互接続ケーブルをもつ
EUTのタイプの判断。
EUTの一部分となっている，引き回しを
変更しない相互接続ケーブルをもつEUT
はどのタイプか判断することができない
が，JISでは，6.2の波長に関する寸法の
制約を満たせば，小さいEUTとする。
附属書A
（規定）
TEM導波
管によるエ
ミッション
試験
A.2
削除
CISPR 16-1-4で規定するセ
ンサの使用についての注
記。
この規格では，CISPR 16-1-4で規定して
いるタイプのセンサは使用しないので削
除した。
A.3.2.4
変更
式(A.7a)及び式(A.7b)で計算
している物理量はダイポー
ルからのエミッション。
EUTからのエミッションを計算している
ような記述であるので，用語を変更した。
A.4.1
コムジェネレータのタイプ
削除
基準エミッション源の例示
の重複の削除。
典型的な基準エミッション源a)〜e)のう
ち，“e) 広帯域コムジェネレータ”はa)
〜d)全てを含むのでe)を削除した。
7
C
6
1
0
0
0
-4
-2
0
：
2
0
1
4
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(I)JISの規定
(II)
国際
規格
番号
(III)国際規格の規定
(IV)JISと国際規格との技術的差異の
箇条ごとの評価及びその内容
(V)JISと国際規格との技術的差異の理由
及び今後の対策
箇条番号
及び題名
内容
箇条
番号
内容
箇条ごと
の評価
技術的差異の内容
附属書A
（規定）
TEM導波
管によるエ
ミッション
試験（続き）
A.4.3
式(A.11)の変数の説明
変更
n＝m＝1の場合の標準偏差
は計算できない。
n＝1及びm＝1の場合は，TEM導波管及
びOATSの標準偏差を求めることができ
ないので，“一つ又は複数の”の記述につ
いては“複数の”に改めた。
A.5.1
A.5.1.2
大きいEUTの適合性試験
変更
大きいEUTの適合性試験項
目を要求条件に変更。
対応国際規格では参考情報となってい
る。JISでは，これらの項目は要求事項と
して規定した。
附属書B
（規定）
TEM導波
管によるイ
ミュニティ
試験
B.2.3
変更
式の誤りを修正。
注記3及び注記4における式の右項と中
央の項の間の不等号は，数学的な誤りで
あるので，修正した。
B.2.3
−−
+
dB
8
dB
6
pri
sec
dB
pri
sec
pri
sec
≦
≦
E
E
K
E
E
E
E
i
i
σ
−
−−
dB
pri
sec
dB
2
dB
6
1
pri
sec
E
E
K
E
E≦
σ
削除
意図不明な式を削除。
二次電界成分に関する式の意図が不明で
あるため，削除した。
B.2.3
削除
意味の重複する注記の削
除。
注記5は，注記3及び注記4の繰返しで
あるので，削除した。
附属書C
（参考）
TEM導波
管による
HEMP過渡
試験
C.1
変更
規定を参考とした。
JISは，工業製品に関わる基準であること
から，HEMPについてはその趣旨を越え
ると判断し，IEC規格では“規定”とな
っているところを“参考”とした。また，
この附属書において，要求事項に関する
文章については，全て推奨する事項とし
ての表現に改めた。
附属書D
（参考）
TEM導波
管の特性
D.3.2
TEMモードの電磁波
変更
TEMモードの定義の修正。 伝搬方向には電界ベクトル及び磁界ベク
トルの双方が存在しないため，orはand
の誤記と考え，“及び”という訳とした。
JISと国際規格との対応の程度の全体評価：IEC 61000-4-20:2010，MOD
7
C
6
1
0
0
0
-4
-2
0
：
2
0
1
4
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き、本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
注記1 箇条ごとの評価欄の用語の意味は，次による。
− 削除 ················ 国際規格の規定項目又は規定内容を削除している。
− 追加 ················ 国際規格にない規定項目又は規定内容を追加している。
− 変更 ················ 国際規格の規定内容を変更している。
注記2 JISと国際規格との対応の程度の全体評価欄の記号の意味は，次による。
− MOD ··············· 国際規格を修正している。
7
C
6
1
0
0
0
-4
-2
0
：
2
0
1
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き、本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。