C 6435-1989
(1)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
目次
ページ
1. 適用範囲 ························································································································ 1
2. 用語の意味 ····················································································································· 1
3. 試験の状態 ····················································································································· 1
3.1 標準状態 ······················································································································ 1
3.2 基準状態 ······················································································································ 2
3.3 判定状態 ······················································································································ 2
3.4 接地 ···························································································································· 2
4. 構造及び寸法試験 ············································································································ 2
4.1 構造 ···························································································································· 2
4.2 寸法 ···························································································································· 2
5. 電気的性能試験 ··············································································································· 2
5.1 絶縁抵抗 ······················································································································ 2
5.2 耐電圧 ························································································································· 2
5.3 層間耐電圧 ··················································································································· 3
5.4 直流抵抗 ······················································································································ 3
5.5 直流抵抗不平衡度 ·········································································································· 3
5.6 変成比 ························································································································· 4
5.7 極性 ···························································································································· 4
5.8 自己インダクタンス ······································································································· 5
5.9 実効抵抗 ······················································································································ 7
5.10 漏れインダクタンス ······································································································ 7
5.11 巻線間直接静電容量 ······································································································ 8
5.12 定損失及び動作減衰量 ··································································································· 8
5.13 周波数偏差 ················································································································· 14
5.14 インピーダンス ··········································································································· 14
5.15 不整合減衰量 ·············································································································· 16
5.16 位相特性 ···················································································································· 19
5.17 巻線不平衡減衰量 ········································································································ 20
5.18 静電容量不平衡 ··········································································································· 21
5.19 縦電流不平衡減衰量 ····································································································· 22
5.20 漏話減衰量 ················································································································· 23
5.21 電磁遮へい効果 ··········································································································· 24
5.22 ひずみ減衰量（ひずみ率） ···························································································· 26
5.23 鳴音減衰量 ················································································································· 31
5.24 16Hz減衰量 ················································································································ 35
C 6435-1989 目次
(2)
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
5.25 温度上昇 ···················································································································· 35
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
日本工業規格 JIS
C 6435-1989
低周波変成器及びコイル試験方法
Testing Methods for Low Frequency Transformers and Inductors
1. 適用範囲 この規格は，主として交換機，搬送装置，テレビ・ラジオ受信機，オーディオ・ビデオ機
器，放送スタジオ装置，携帯用無線送受信機などに使用する定格出力(1)100W未満，定格周波数150kHz未
満の信号を伝送するための変成器及びコイル（以下，それぞれ変成器又はコイルという。）の試験方法につ
いて規定する。
注(1) 定格出力とは正弦波電力をいう。
引用規格：
JIS B 7502 外側マイクロメータ
JIS B 7507 ノギス
JIS C 0010 環境試験方法（電気・電子）通則
JIS C 1302 絶縁抵抗計（電池式）
JIS C 3202 エナメル線
JIS C 5301 電子機器用低周波変成器通則
JIS C 5602 電子機器用受動部品用語
2. 用語の意味 この規格で用いる主な用語の意味は，JIS C 0010［環境試験方法（電気・電子）通則］，
JIS C 5301（電子機器用低周波変成器通則）及びJIS C 5602（電子機器用受動部品用語）の規定によるほ
か，次による。
(1) 自己インダクタンス コイルに流れる電流の変化によってコイル自身に電流の変化を妨げるように生
じた起電力の値を電流変化率で除した値。この規格では，実効抵抗と直列のインダクタンスとする。
(2) 実効抵抗 巻線の交流での電気抵抗。
(3) 16Hz減衰量 16Hzでの変成器の動作減衰量。
(4) 基準周波数 測定上の基準として定めた周波数。
3. 試験の状態
3.1
標準状態 試験及び測定は，規定がない限り，温度15〜35℃，相対湿度25〜85%（試験及び測定結
果に影響がなければ無視してもよい。），気圧86〜106kPa (860〜1 060mbar) のもとで行う。ただし，この標
準状態での測定値による判定に疑義を生じた場合又は特に要求された場合は，3.3による。
また，換算を必要とする場合は3.2による。
なお，標準状態で試験及び測定を行うことが困難な場合は，判定に疑義を生じない限り，標準状態以外
の状態で試験及び測定を行ってもよい（JIS C 0010の5.3参照）。
2
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
3.2
基準状態 基準状態は，JIS C 0010の5.1に規定の基準状態［温度20℃，気圧101.3kPa (1 013mbar)］
とする。ただし，温度だけをもって基準状態としてもよい。
3.3
判定状態 判定状態は，表1による。
なお，規定がない限り表1の記号Iの2級とする（JIS C 0010の5.2参照）。
表1 判定状態
記号
温度℃
相対湿度%
気圧
kPa (mbar)
公称値
1級
2級
1級
2級
I
20
±1
±2
63〜67 60〜70
86〜106 (860〜1 060)
II
23
48〜52 45〜55
III
25
48〜52 45〜55
IV
27
63〜67 60〜70
3.4
接地 接地できる構造のものは接地して測定する。
4. 構造及び寸法試験
4.1
構造 構造は，目視によって調べる。
4.2
寸法 寸法は，指定がない限り，JIS B 7507（ノギス）に規定のノギス，又はJIS B 7502（外側マイ
クロメータ）に規定の外側マイクロメータで測定する。
5. 電気的性能試験
5.1
絶縁抵抗
5.1.1
試験方法 変成器又はコイルの同一巻線に属するすべての端子又はリード線は原則として短絡し，
規定の直流電圧を試験する巻線間又は巻線鉄心間をJIS C 1302［絶縁抵抗計（電池式）］に規定の絶縁抵抗
計（電池式）又は超絶縁計によって試験し，1分後の指示値を読み取る。
5.1.2
試験上の注意事項
(1) 判定に疑義を生じない場合は，1分間以内の指示値でもよい。
(2) 試験電圧は，耐電圧試験において規定された値又はそれ以下とする。
(3) 過電流・過電圧を防ぐため，また，短絡時に試験装置及び供試変成器又はコイルを保護するための保
護装置を備えていることが望ましい。
(4) 原則として静電遮へいは，鉄心，ケース又は取付金具に接続する。
5.2
耐電圧
5.2.1
試験方法 変成器又はコイルの同一巻線に属するすべての端子又はリード線は原則として短絡し，
規定電圧を試験する巻線間又は巻線鉄心間に規定時間加えて異常の有無を調べる。このとき試験電圧は，
0Vから毎秒500V（実効値又は直流）以下の割合で規定電圧まで昇圧し，規定時間保った後，徐々に0V
に下げる。
5.2.2
試験上の注意事項
(1) 試験電圧が直流の場合は，リプル電圧は試験電圧に比べて十分小さく，交流の場合の波形は，正弦波
に十分近いこと。
(2) せん絡時に試験装置及び供試変成器又はコイルを保護するための保護装置を備えていることが望まし
い。
(3) 原則として静電遮へいは，鉄心，ケース又は取付金具に接続する。
3
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
5.3
層間耐電圧
5.3.1
試験方法 変成器又はコイルの規定以外の巻線はすべて開放し，原則として使用時に接地する端子
は，鉄心，ケース又は取付金具に接続してこれを接地し，規定の周波数及び電圧を規定の巻線に規定時間
加えて異常の有無を調べる。このとき，試験電圧は0Vから毎秒500V（実効値）以下の割合で規定電圧ま
で昇圧し，規定時間保った後徐々に0Vに下げる。
5.3.2
試験上の注意事項
(1) 試験には，規定周波数での電圧及び電流を測定できる計器を使用するか，又はその変化を容易に測定
できる方法を用いる。
(2) 印加電圧の波形は，十分正弦波に近いこと。
(3) 規定周波数は，供試変成器又はコイルの固有共振周波数から十分離れていること。
(4) 短絡時に試験装置及び供試変成器又はコイルを保護するための保護装置を備えていることが望ましい。
5.4
直流抵抗
5.4.1
測定回路 変成器又はコイルの直流抵抗の測定回路の例を図1に示す。
図1 直流抵抗測定回路
5.4.2
測定方法及び計算式 比例辺抵抗器R1，R2及び標準可変抵抗器R3を調節してブリッジの平衡をと
り，変成器又はコイルの直流抵抗Rxを，次の式から算出する。
3
1
2R
R
R
Rx＝
5.4.3
測定上の注意事項
(1) 供試変成器又はコイルの温度が周囲温度に一致するよう留意すること。
(2) 供試変成器又はコイルに流す電流値は，その抵抗値があまり変化しない範囲にとどめること。
(3) 特に低抵抗値を測定する場合は，ダブルブリッジを使用することが望ましい。
5.5
直流抵抗不平衡度
5.5.1
測定回路 5.4.1による。
5.5.2
測定方法及び計算式 供試変成器又はコイルの中性点に対し片側ずつ直流抵抗を測定し，この値を
各々R1及びR2とし，直流抵抗不平衡度Rsを次の式から算出する。
100
(%)
2
1
2
1
×
+
−
R
R
R
R
Rs
｜
｜
＝
周囲温度が20℃以外の場合の換算は，次の式による。
)
20
(
1
1
0
−
+
t
K
R
R
t
＝
4
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
ここに， R0： 20℃に換算した直流抵抗値
Rt： t℃における直流抵抗値
K： 定数，銅に対してはK＝234
5.5.3
測定上の注意事項 5.4.3による。
5.6
変成比
5.6.1
測定回路 変成器の変成比の測定回路の例を図2に示す。
図2 変成比測定回路
5.6.2
測定方法及び計算式 一次巻線及び二次巻線を電源電流に対して差動的となるように接続し，可変
抵抗器R1，R2，r1及びr2を調節してブリッジの平衡をとり，巻線W1，W2の変成比nを次の式から算出す
る。
なお，測定周波数は，原則として1kHzとする。
2
1
2
1
R
R
n
n
n
＝
＝
ここに， n1： 一次巻線の巻数
n2： 二次巻線の巻数
5.7
極性
5.7.1
試験回路 変成器の極性の測定回路の例を図3に示す。
図3 極性試験回路
5
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
5.7.2
試験方法 図3に示す回路に供試変成器の各巻線を接続し，可変抵抗器R1，R2，r1及びr2を調節
してブリッジの平衡がとれるかどうかを試験する。端子1と3が同極の場合は平衡がとれ，異極の場合は
平衡がとれない。
5.8
自己インダクタンス
5.8.1
測定回路 変成器又はコイルの自己インダクタンスの測定回路の例を図4〜7に示す。
図4 自己インダクタンス測定回路
図5 自己インダクタンス測定回路
（直流を重畳する場合）
図6 自己インダクタンス測定回路（周波数50Hz又は60Hz場合）
6
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図7 自己インダクタンス測定回路
5.8.2
測定方法及び計算式
(1) 図4及び図5の場合 規定の周波数及び端子電圧又は電流で試験し，可変抵抗器R1，R2及びR3を調
節してブリッジの平衡をとり，供試変成器又はコイルの自己インダクタンスLx (H) を次の式から算出
する。
(a)の場合
Lx (H) ＝Cs･R1･R3×10−6
ここに，
Cs： 標準コンデンサの静電容量値 (μF)
R1, R3： 可変抵抗器の各指示値 (Ω)
(b)の場合
Lx (H) (2)＝
2)
2(
1
1
R
fL
L
π
+
・
ここに， L＝Cs･R1･R3×10−6 (H)
R＝R1･R3/R2 (Ω)
f： 測定周波数 (Hz)
Cs： 標準コンデンサの静電容量値 (μF)
R1, R2, R3： 可変抵抗器の各指示値 (Ω)
注(2) 直列法に換算された値
(2) 図6及び図7の場合 規定の交流電圧又は電流で試験し，自己インダクタンスLx (H) を次の式から算
出する。
Lx (H) ＝
f
R
A
V
dc
π
2
)
(
2
2−
ここに，
V： 電圧計の指示値 (V)
I： 電流計の指示値 (A)
Rdc： 被測定巻線の直流抵抗値 (Ω)
f： 測定周波数（50Hz又は60Hz）
5.8.3
測定上の注意事項
(1) 重畳直流電流及び交流電圧は，規定の値を超えないように注意すること。
(2) 電圧計は実効値応答形又は平均値応答形とし，その入力インピーダンスは，被測定巻線のインピーダ
ンスに比べて十分大きいこと。
7
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(3) 図5のチョークコイルCHのインピーダンスは，被測定巻線のインピーダンスに比べて十分大きく，
コンデンサC1，C2のインピーダンスは，被測定巻線のインピーダンスに比べて十分小さいこと。
(4) 図7(a)のチョークコイルCHのインピーダンスは，被測定巻線のインピーダンスに比べて十分大きく，
またコンデンサC2のインピーダンスは，交流電圧計Vの入力インピーダンスに比べて十分小さいこ
と。
(5) 図7(b)のチョークコイルCHのインピーダンスは，コンデンサC1のインピーダンスに比べて十分大き
く，またC2のインピーダンスは，電圧計Vの入力インピーダンスに比べて十分小さいこと。
(6) 指定がない限り，ケースは接地しない。
5.9
実効抵抗
5.9.1
測定回路 変成器又はコイルの実効抵抗の測定回路の例を図4及び図5に示す。
5.9.2
測定方法及び計算式 規定の周波数及び端子電圧又は電流で試験し，可変抵抗器R1，R2及びR3を
調節してブリッジの平衡をとり，供試変成器又はコイルの実効抵抗Rx (Ω) を次の式から算出する。
(1) 図4(a)，図5(a)の場合
Rx (Ω) ＝
3
2
1R
R
R
ここに， R1, R2, R3： 可変抵抗器の各指示値（Ω）
(2) 図4(b)，図5(b)の場合
Rx (Ω) (3)＝
2
2
1
1
+
fL
R
R
π
・
ここに， L＝Cs･R1･R3×10−6 (H)
R： R1･R3/R2 (Ω)
f： 測定周波数 (Hz)
Cs： 標準コンデンサの静電容量値 (μF)
R1, R2, R3： 可変抵抗器の各指示値 (Ω)
注(3) 直列法に換算された値
5.9.3
測定上の注意事項
(1) 重畳直流電流及び交流電圧は，規定の値を超えないように注意すること。
(2) 電圧計は実効値応答形又は平均値応答形とし，その入力インピーダンスは，被測定巻線のインピーダ
ンスに比べて十分大きいこと。
(3) 図5のチョークコイルCHのインピーダンスは，被測定巻線のインピーダンスに比べて十分大きく，
またコンデンサC1，C2のインピーダンスは，被測定巻線のインピーダンスに比べて十分小さいこと。
5.10 漏れインダクタンス
5.10.1 測定回路 変成器の漏れインダクタンスの測定回路の例を図4に示す。ただし，供試変成器の負荷
側巻線を短絡して測定する。
5.10.2 測定方法及び計算式 規定の周波数，端子電圧又は電流で試験し，可変抵抗器R1，R2及びR3を各々
調節してブリッジの平衡をとり，供試変成器の漏れインダクタンスLx (H) を次の式から算出する。
図4(a)の場合
Lx (H) ＝Cs･R1･R3×10−6
ここに，
Cs： 標準コンデンサの静電容量値 (μF)
R1, R3： 可変抵抗器の各指示値 (Ω)
8
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図4(b)の場合
Lx (H) ＝
2)
2(
1
1
R
fL
L
π
+
・
ここに， L＝Cs･R1･R3×10−6 (H)
R＝R1･R3/R2 (Ω)
f： 測定周波数 (Hz)
Cs： 標準コンデンサの静電容量値 (μF)
R1, R2, R3： 可変抵抗器の各指示値 (Ω)
5.11 巻線間直接静電容量
5.11.1 測定回路 変成器の巻線間直接静電容量の測定回路の例を図8に示す。
図8 巻線間直接静電容量測定回路
5.11.2 測定方法及び計算式 規定の周波数でW1，W2をブリッジの頂点T1，T2に接続した状態と切断し
た状態でブリッジの平衡をとった場合のコンデンサC1の値をそれぞれCʼ1及びC”1とし，巻線間直接静電
容量CDを次の式から算出する。
CD＝Cʼ1−C”1
5.11.3 測定上の注意事項 ブリッジの頂点T1，T2，T3及びT4と大地間に挿入する静電容量C5，C6，C7
及びC8は，2巻線のもつ対地静電容量に比べて十分大きいこととする。
5.12 定損失及び動作減衰量
5.12.1 測定回路 変成器の定損失及び動作減衰量の測定回路の例を図9〜12に示す。
9
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図9 平衡形変成器の動作減衰量測定回路
成端抵抗器は，定格成端インピーダンスに絶対値が等しい純抵抗とする（以下，同じ。）。
図10 不平衡形変成器の動作減衰量測定回路
10
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図11 平衡形変成器の動作減衰量測定回路
（直流を重畳する場合）
11
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図12 不平衡形変成器の動作減衰量測定回路（直流を重畳する場合）
5.12.2 測定方法及び計算式 切換器Kを切り換えて，電圧計Vが同一の値となるように可変抵抗減衰器
ATTを調節した場合の可変抵抗減衰器ATTの読みをb0 (dB) とし，動作減衰量bB (dB) を次の式から算出
する。
bB (dB) ＝
2
1
10
0
log
10
R
R
b−
5.12.3 測定上の注意事項
(1) 電圧計Vの入力インピーダンスは，R0及びR2に比べて十分大きいこと。
(2) チョークコイルCHのインピーダンスは，被測定巻線のインピーダンスに比べて十分大きく，またコ
ンデンサCのインピーダンスは被測定巻線のインピーダンスに比べて十分小さいこと。
(3) 直流を重畳する変成器の電源側巻線のインピーダンスが比較的低い場合には，図13又は図14に示す
回路によって測定してもよい。この場合の動作減衰量は，5.12.2に示した式から算出する。
12
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図13 平衡形変成器の動作減衰量測定回路
（電源側巻線のインピーダンスが比較的低く，直流を重畳する場合）
13
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図14 不平衡形変成器の動作減衰量測定回路
（電源側巻線のインピーダンスが比較的低く，直流を重畳する場合）
(4) 図9〜14において，成端抵抗器は原則としてR1≧R2とするが，図15のようにR1≦R2 (R2＝R21＋R22, R1
≧R22) の状態で測定してもよい。しかし，図15は平衡形変成器の直流を重畳しない図9の場合に相
当するものであり，図10〜14の場合も図15に準じるものとする。
14
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図15 平衡形変成器の動作減衰量測定回路［R1≦R2 (R2＝R21＋R22, R1≧R22) の場合］
R1≦R2 (R2＝R21＋R22, R1≧R22) の場合の動作減衰量は，次の式から算出する。
bB (dB) ＝
22
2
10
2
1
10
0
log
20
log
10
R
R
R
R
b
−
−
5.13 周波数偏差
5.13.1 測定回路 5.12.1による。
5.13.2 測定方法及び計算式
(1) 基準周波数のある場合 発振器Gの発振周波数を基準周波数f0とし，切換器Kを切り換えて電圧計が
同一の値となるように可変抵抗減衰器ATTを調節した場合の可変抵抗減衰器ATTの読みをb0 (dB) と
する。次にGの発振周波数を伝送周波数帯域内の周波数f1とし，Kを切り換えてVが同一の振れを与
えるように可変抵抗減衰器ATTを調整し，その読みをb1 (dB) とし，周波数f0に対するf1における損
失偏差d1 (dB) を，次の式から算出する。
d1 (dB) ＝b1−b0
同様に，他の必要周波数f2，f3，……fnについても損失偏差d2，d3，……dnを求める［f0のときd0＝0
(dB) である。］。
(2) 基準周波数のない場合 Gの発振周波数を伝送周波数帯域内のある周波数f1とし，Kを切り換えてV
が同一の値となるように可変抵抗減衰器ATTを調節した場合のATTの読みをb1 (dB) とする。伝送周
波数帯域内で周波数を変え，必要周波数f2，f3，……fnについてb1を求めた場合と同様な方法でb2，
b3……bn (dB) を求める。
可変抵抗減衰器ATTの読みb1〜bnのうち最大値をbmax，最小値をbminとし，最大損失偏差dR (dB) を
次の式から算出する。
dR (dB) ＝bmax−bmin
5.13.3 測定上の注意事項 5.12.3による。
5.14 インピーダンス
15
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
5.14.1 測定回路 変成器のインピーダンスの測定回路の例を図16〜18に示す。
図16 インピーダンス測定回路
図17 インピーダンス測定回路
（電源側巻線に直流を重畳する場合）
図18 インピーダンス測定回路（負荷側巻線に直流を重畳する場合）
直流電流計の値＝
DC
2
2
2
I
R
r
R+
ここに，
IDC： W2に流れる直流電流値
r2： W2の直流抵抗値
16
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
5.14.2 測定方法 切換器Kを切り換えて，電圧計Vが同一の振れを示すように可変抵抗器Rxを調節した
場合の可変抵抗器Rxの値をインピーダンスとする。
5.14.3 測定上の注意事項
(1) 供試変成器の電源側巻線又は負荷側巻線のいずれか一方又は双方を接地して使用するものは，その状
態で測定する。ただし，電源側の一方を接地する場合はX点を接地する。
(2) 電圧計Vは実効値応答形又は平均値応答形を使用し，波高値応答形は使用しないこと。
(3) 電圧計Vの指示値は原則として1V付近とする。指定のあるときは，その電圧で測定する。
(4) チョークコイルCHのインピーダンスは，負荷側インピーダンスR2に比べて十分大きく，またコンデ
ンサCのインピーダンスは，負荷側インピーダンスR2に比べて十分小さいこと。
5.15 不整合減衰量
5.15.1 測定回路 変成器の電源側端子インピーダンスのR1に対する不整合減衰量の測定回路の例を図19，
図20及び図21に示す。
17
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図19 不整合減衰量測定回路
図20 不整合減衰量測定回路
（負荷側インピーダンスが比較的低く，直流を重畳する場合）
直流電流計の値＝
DC
2
2
2
I
R
r
R+
ここに，
IDC： W2に重畳する直流電流値
r2： W2の直流抵抗値
R2： 負荷側成端抵抗値
18
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
19
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図21 不整合減衰量測定回路
（負荷側インピーダンスが比較的高く，直流を重畳する場合）
5.15.2 測定方法及び計算式 切換器Kを切り換えて，電圧計Vが同一の値となるように可変抵抗減衰器
ATTを調整した場合の可変抵抗減衰器ATTの読みをb0 (dB) とし，不整合減衰量bp (dB) を次の式から算
出する。
bp (dB) ＝b0−6
5.15.3 測定上の注意事項
(1) 電圧計の入力インピーダンスは，R1，R3及びR0に比べて十分大きいこと。
(2) チョークコイルCHのインピーダンスは，負荷側インピーダンスR2に比べて十分大きく，またコンデ
ンサCのインピーダンスは，負荷側インピーダンスR2に比べて十分小さいこと。
5.16 位相特性
5.16.1 測定回路 変成器の位相特性の測定回路を図22に示す。
直流の重畳を要する場合は，動作減衰量測定回路に準じて行う。
20
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図22 位相特性測定回路
5.16.2 測定方法及び計算式 位相計の二つの入力端子に供試変成器の電源側電圧及び負荷側電圧をそれ
ぞれ印加し，位相計の指示値から位相角を読み取る。
5.16.3 測定上の注意事項 位相計の入力インピーダンスは，供試変成器の負荷側成端抵抗R2に比べて十
分大きいこととする。
5.17 巻線不平衡減衰量
5.17.1 測定回路 変成器の巻線不平衡減衰量の測定回路の例を図23に示す。
21
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図23 巻線不平衡減衰量測定回路
5.17.2 測定方法及び計算式 切換器Kを切り換えて，電圧計Vが同一の値となるように可変抵抗減衰器
ATTを調節した場合の可変抵抗減衰器ATTの減衰量をb0 (dB) とし，巻線不平衡減衰量bw (dB) を次の式
から算出する。
bW (dB)＝
3
log
20
2
1
10
0
+
−
n
n
b
ここに， n1：n2は，電源側対負荷側巻線の変成比を示す。
5.17.3 測定上の注意事項 電圧計の入力インピーダンスは，R2及びR0に比べて十分大きいこととする。
5.18 静電容量不平衡
5.18.1 測定回路 変成器の負荷側端子の一端を接地した場合の電源側巻線の静電容量不平衡の測定回路
の例を図24に示す。
22
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図24 静電容量不平衡測定回路
5.18.2 測定方法及び計算式 規定の周波数で測定端子X及びX'を開放し，差動可変コンデンサの容量目
盛を0にした状態で，可変コンデンサC2を調節してブリッジの平衡をとり，次に供試変成器の電源側端子
をX及びX'に接続し，差動可変コンデンサCDを調節してブリッジの平衡を得た場合，CDの読みをC0と
し，静電容量不平衡⊿Cを次の式から算出する。
⊿C＝2C0
5.18.3 測定上の注意事項 測定前にブリッジの平衡をとる場合，測定コードを接続した状態で平衡をとる。
また，周波数を変化させた場合も同様な操作を繰り返すこと。
5.19 縦電流不平衡減衰量
5.19.1 測定回路 変成器の縦電流不平衡減衰量の測定回路の例を図25に示す。
図25 縦電流不平衡減衰量測定回路
5.19.2 測定方法及び計算式 切換器Kを切り換えて，電圧計Vが同一の値となるように可変抵抗減衰器
ATTを調整した場合の可変抵抗減衰器ATTの読みをb0 (dB) とし，縦電流不平衡減衰量bL (dB) を次の式
から算出する。
bL (dB)＝
−
1
2
10
0
log
10
R
R
b
23
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
5.19.3 測定上の注意事項
(1) 供試変成器の負荷側を接地して使用するものは，その状態で試験する。
(2) 電圧計の入力インピーダンスは，R0及びR1に比べて十分大きいこと。
(3) 電圧計の入力インピーダンスは，対地静電容量不平衡が少ないこと。
5.20 漏話減衰量
5.20.1 測定回路 変成器の漏話減衰量の測定回路の例を図26に示す。
24
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図26 漏話減衰量測定回路
5.20.2 測定方法 切換器Kを切り換えて，電圧計Vが同一の値となるように可変抵抗減衰器ATTを調整
した場合の可変抵抗減衰器ATTの読みb0 (dB) を漏話減衰量とする。測定したときの変成器の間隔及び方
向並びに周波数及び電圧を測定結果に明記する。
5.20.3 測定上の注意事項 電圧計の入力インピーダンスは，R1及びR0に比べて十分大きいこと。
5.21 電磁遮へい効果
5.21.1 測定回路 変成器の電磁遮へい効果の測定回路の例を図27に示す。
25
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図27 電磁遮へい効果測定回路
5.21.2 測定方法及び計算式 図27(a)に示す円形コイルF1，F2を図27(c)の回路で和動的になるように接続
し，50Hz又は60Hzの0.95Aの電流を流し，両コイルのほぼ中央に図27(d)のように成端抵抗器を接続し
た供試変成器T1を置き，これをあらゆる方向に回転して最大誘起電圧c（実効値）を測定する。電磁遮へ
い効果MS (dB) は，次の式から算出する。
50Hzのとき
26
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
MS (dB)＝
30
log
10
2
10
+
R
c
60Hzのとき
MS (dB)＝
4.
28
log
10
2
10
+
R
c
ただし，Rは，被測定巻線の成端抵抗とする。
5.21.3 測定上の注意事項
(1) 供試変成器からのリードはできるだけ短いシールド線を用い，他の磁界の影響を避けるよう留意する
こと。
(2) 電圧計の入力インピーダンスは被測定巻線の成端抵抗に比べて十分大きく，実効値応答形又は平均値
応答形を使用すること。
5.22 ひずみ減衰量（ひずみ率）
5.22.1 測定回路 変成器のひずみ減衰量（ひずみ率）の測定回路の例を図28〜31に示す。
なお，基本周波数とそれに対応する測定回路との対応を表2に示す。
表2 基本周波数と測定回路
測定回路 基本周波数
高調波次数
図28
指定値
図29
50Hz
第2高調波以上
図30
1kHz
図31
10kHz
第2及び第3高調波分離
図28 ひずみ減衰量測定回路（指定周波数の場合）
27
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図29 ひずみ減衰量測定回路（基本周波数50Hzの場合）
28
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図30 ひずみ減衰量測定回路（基本周波数1kHzの場合）
29
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図31 ひずみ減衰量測定回路（基本周波数10kHzの場合）
5.22.2 測定方法及び計算式
(1) 図28の方法 供試変成器の巻線に正弦波の電圧を加え，ひずみ率計DMによって，印加電圧の実効
値E1を測定し，次に高調波電圧の実効値E2だけを測定し，ひずみ減衰量bK (dB) 又はひずみ率DF (%)
を，次の式から算出する。
bK (dB)＝
2
1
10
log
20
E
E
DF (%)＝
100
1
2×
E
E
測定結果に周波数，電圧及び測定系のインピーダンスを明記する。
(2) 図29の方法 切換器Kを1側に倒し，供試変成器に周波数50Hzの電圧を加える。この電圧をE1と
30
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
する。次に切換器Kを2側に倒し，R2及びR1を調整して電圧計Vの読みが最小になるようにする。
この電圧をE2とし，ひずみ減衰量bK (dB) 又はひずみ率DF (%) を，次の式から算出する。
bK (dB)＝
2
1
10
log
20
E
E
DF (%)＝
100
1
2×
E
E
測定結果に電圧を明記する。
(3) 図30の方法 供試変成器の巻線に周波数1kHzの電圧を加え，切換器Kを切り換えて電圧計V2が同
一の振れを与えるように可変抵抗減衰器ATTを調整した場合のATTの読みをb0 (dB) とし，ひずみ減
衰量bK (dB) 又はひずみ率DF (%) を，次の式から算出する。
bK (dB)＝b0＋b1−b2
DF (%)＝
100
1020×
−bn
なお，b1は低域フィルタF2の基本波に対する減衰量，b2は高域フィルタF3の第2及び第3高調波
に対する減衰量の平均値とする。測定結果に電圧を明記する。
(4) 図31の方法 供試変成器の巻線に周波数10kHzの電圧を加え，切換器K1を帯域フィルタF3側に倒し，
切換器K2を切り換えて電圧計V2が同一の値となるように可変抵抗減衰器ATTを調節した場合の可変
抵抗減衰器ATTの読みをb0 (dB) とし，第2高調波ひずみ減衰量bK (dB) 又は第2高調波ひずみ率DF
(%) を，次の式から算出する。
bK (dB)＝b0＋b1−b2
DF (%)＝
100
1020×
−bn
なお，b1は低域フィルタF2の基本波に対する減衰量，b2は帯域フィルタF3の第2高調波に対する
減衰量の値とする。
次に，K1を帯域フィルタF4側に倒し，K2を切り換えて電圧計V2が同一の値となるように可変抵抗
減衰器ATTを調節した場合の可変抵抗減衰器ATTの読みをb0' (dB) とし，第3高調波ひずみ減衰量
bK' (dB) 又は第3高調波ひずみ率DF' (%) を，次の式から算出する。
bK' (dB)＝b0'＋b1−b3
DF' (%)＝
100
1020
'
×
−bn
なお，b3は帯域フィルタF4の第3高調波に対する減衰量の値とする。測定結果に電圧を明記する。
5.22.3 測定上の注意事項
(1) 図28の方法
(a) ひずみ率計DMは，少なくとも第3高調波まで検出できるものを使用すること。
(b) ひずみ率計DMの指示は，実効値応答形又は平均値応答形とし，波高値応答形は使用しないこと。
(c) チョークコイルCHのインピーダンスは，被測定巻線のインピーダンスに比べて十分大きいこと。
(2) 図29の方法
(a) YY'から発信器側を見たインピーダンスの絶対値は，50Hz，100Hz及び150HzでR1に比べて十分小
さいこと。
(b) 電源側成端抵抗器R1の値は，次の式のように選定すること。
31
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
'
'
2
1
2
1
1
Z
Z
Z
Z
R
+
＝
なお，Z2'の値は，次の式による。
2
2
2
1
2'
Z
n
n
Z ＝
(c) 電圧計Vの入力インピーダンスは，ブリッジ回路素子のインピーダンスに比べて十分大きく，その
指示は実効値応答形又は平均値応答形とし，波高値応答形は使用しないこと。
(d) チョークコイルCHのインピーダンスは，被測定巻線のインピーダンスに比べて十分大きいこと。
(e) コンデンサC2のインピーダンスは，電圧計Vの入力インピーダンスに比べて十分小さいこと。
(3) 図30の方法
(a) 電圧計V1の入力インピーダンスは，600Ωに比べて十分大きく，また，ひずみ減衰量（ひずみ率）
測定中は，回路から切り離すこと。
(b) 電圧計V1及びV2は実効値応答形又は平均値応答形とし，波高値応答形は使用しないこと。
(c) 電圧計V2の入力インピーダンスは，600Ωに比べて十分大きいこと。
(d) フィルタF1，F2，F3のXX'からみたインピーダンスZf1，Zf2，Zf3の絶対値は，表3のように選定す
る。
表3 XX'からみたインピーダンス
単位 Ω
Zf1
Zf2
Zf3
1kHzに対して
600
∞
2kHzに対して
600
∞
600
3kHzに対して
備考 ∞は600Ωに比べて十分大きいことを意味
する。
(e) 並列共振回路N1，N2，N3及びチョークコイルCHは，挿入直流回路の影響がないようなものを使用
すること。
(4) 図31の方法
(a) 電圧計V1の入力インピーダンスは，600Ωに比べて十分大きく，また，ひずみ減衰量（ひずみ率）
測定中は，回路から切り離すこと。
(b) 電圧計V1及びV2は実効値応答形又は平均値応答形とし，波高値応答形は使用しないこと。
(c) 電圧計V2の入力インピーダンスは，600Ωに比べて十分大きいこと。
(d) フィルタF1，F2，F3及びF4のXX'からみたインピーダンスZf1，Zf2，Zf3及びZf4の絶対値は，表4の
ように選定する。
表4 XX'からみたインピーダンス
単位 Ω
Zf1
Zf2
Zf3
Zf4
10kHzに対して
600
∞
∞
20kHzに対して
600
∞
600
30kHzに対して
∞
600
備考 ∞は600Ωに比べて十分大きいことを意味する。
(e) 並列共振回路N1，N2及びN3は，挿入直流回路の影響がないようなものを使用すること。
32
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
5.23 鳴音減衰量
5.23.1 測定回路 変成器の鳴音減衰量の測定回路の例を，図32及び図33に示す。
33
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図32 鳴音減衰量測定回路
（中性点をもたない巻線から信号を送る場合）
34
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図33 鳴音減衰量測定回路
（中性点をもたない巻線の一方から信号を送る場合）
5.23.2 測定方法及び計算式 切換器Kを切り換えて，電圧計Vが同一の値となるよう可変抵抗減衰器ATT
を調節した場合の可変抵抗減衰器ATTの読みをb0 (dB) とし，鳴音減衰量bs (dB) を次の式から算出する。
図32の場合
bs (dB)＝
4
1
10
0
log
10
R
R
b−
35
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図33の場合
Ds (dB)＝
3
2
10
0
log
10
R
R
b−
5.23.3 測定上の注意事項 電圧計Vのインピーダンスは，R4（図32の場合），R3（図33の場合）及びR0
に比べて十分大きいこと。
5.24 16Hz減衰量
5.24.1 測定回路 変成器の16Hz減衰量の測定回路の例を図34に示す。
図34 16Hz減衰量測定回路
5.24.2 測定方法及び計算式 電源側に規定の電圧V1を加え，電源側入力電流及び負荷側電圧の測定値を
それぞれI1及びV2とし，16Hz減衰量bs (dB) を次の式から算出する。
bs (dB)＝
2
2
2
1
1
10
log
10
V
R
I
V
5.24.3 測定上の注意事項
(1) 使用計器は，実効値応答形を用いるか又は平均値応答形で平均値の1.11倍の値に目盛られているもの
を用いる。
(2) 電流計Aの内部抵抗及び発振器Gの内部抵抗はR2'に比べて十分小さく，電圧計V2の内部抵抗は負荷
側成端抵抗R2に比べて十分大きく，またV1の内部抵抗はR2'に比べて十分大きくなければならない。
なお，R2'は電源側対負荷側巻線の変成比をn1：n2とすれば，次の式によって表される。
R2'＝
2
2
2
1
R
n
n
5.25 温度上昇
5.25.1 測定回路 変成器の温度上昇の測定回路の例を，図35〜37に示す。
また，コイルの温度上昇の測定回路の例を，図38及び図39に示す。
36
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図35 温度上昇測定回路
図36 温度上昇測定回路
（変成器の電源側巻線に直流を重畳する場合）
図37 温度上昇測定回路
（変成器の負荷側巻線に直流を重畳する場合）
図38 温度上昇測定回路
図39 温度上昇測定回路
（コイルに直流を重畳する場合）
5.25.2 測定方法
(1) 図35，36及び37の場合 規定の周波数で規定の電力を負荷側成端抵抗器に加え，温度が一定となっ
たときの巻線及び鉄心又はケースの温度上昇を測定する。ただし，巻線は抵抗法，鉄心又はケースは
37
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
温度計法による。
(2) 図38及び39の場合 規定の周波数で規定の電圧をコイルに加え，温度が一定となったときの巻線及
び鉄心又はケースの温度上昇を測定する。ただし，巻線は抵抗法，鉄心又はケースは温度計法による。
(3) 巻線の温度上昇の決定方法 巻線の温度上昇は巻線の抵抗の変化に基づいて，次の式から算出する。
t (℃)＝
a
a
t
t
t
K
R
R
R
t
t
−
+
+
−
−
1
1
1
1
2
2
)
(
＝
ここに，
t： 温度上昇値 (℃)
t2： 試験後の巻線の温度 (℃)
ta： 最終の周囲温度 (℃)
t1： 試験最初の周囲温度 (℃)
R1： 温度t1での巻線の抵抗値 (Ω)
R2： 温度t2での巻線の抵抗値 (Ω)
K： 定数。銅に対してK＝234.5
ただし，| t1−t2 | ≦5℃でなければならない。
(4) 鉄心又はケースの温度上昇の決定方法 鉄心又はケースの温度上昇は，試験終期の鉄心又はケースの
最高温度から最終周囲温度を差し引いて求める。
(5) 周囲温度の決定方法 周囲温度は，試験品の周囲において距離1〜2mのほぼ試験品と同じ高さの位置
で数箇所に温度計を置いて測定する。最終周囲温度は，最後の1時間中に温度の読みの平均をとるこ
ととする。
5.25.3 測定上の注意事項
(1) 電圧計Vは実効値形又は平均値形とし，その入力インピーダンスは，図35，図36及び図37の場合は
負荷側成端抵抗器Rに比べて十分大きく，図38及び図39の場合は，供試コイルのインピーダンスに
比べて十分大きいこと。
(2) 図36の場合，チョークコイルCHのインピーダンスは，次の式によって算出されるR'に比べて十分大
きく，また，コンデンサCのインピーダンスはR′に比べて十分小さくなければならない。
なお，R'は，電源側対負荷側巻線の変成比をn1：n2とすれば，次の式によって表される。
R' (Ω)＝
R
n
n
2
2
1
(3) 図37の場合，チョークコイルCHのインピーダンスは負荷側成端抵抗器Rに比べて十分大きく，ま
た，コンデンサCのインピーダンスはRに比べて十分小さいこと。
(4) 図39の場合，チョークコイルCHのインピーダンスは供試コイルのインピーダンスに比べて十分大き
く，また，コンデンサC2のインピーダンスは，電圧計Vの入力インピーダンスに比べて十分小さい
こと。
(5) 供試変成器又はコイルは，通風及び他の高温物からの放射熱の影響を受けないように取り付ける。
38
C 6435-1989
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
JIS原案作成委員会 構成表
氏名
所属
（委員長）
黒 沼 弘
日本放送協会
（幹 事）
岩 田 嘉 夫
東京軽電機株式会社
柏 木 健 夫
財団法人機械電子検査検定協会
加 藤 忠 雄
財団法人日本電子部品信頼性センター
高 橋 洽太郎
東京都立工業技術センター
三 宅 敏 明
松下電器産業株式会社
山 本 克 巳
ソニー株式会社
泉 谷 博
株式会社東芝
加 園 正 男
沖電気工業株式会社
井 村 豊
日本電気株式会社
山 室 勲
パイオニア株式会社
小 林 啓 祐
日本ビクター株式会社
浦 部 志 郎
松下電子部品株式会社
森 信二郎
下田電機株式会社
長谷川 育 雄
田淵電機株式会社
小 椋 良 介
株式会社タムラ製作所
嵯峨野 俊 夫
大同電気工業株式会社
谷 中 定 雄
富士通株式会社
安 宅 富士夫
日本電気株式会社
池 田 順 一
財団法人日本規格協会
本 田 幸 雄
通商産業省機械情報産業局
前 田 勲 男
工業技術院標準部
（事務局）
村 山 博 一
社団法人日本電子機械工業会
大 友 敏 雄
社団法人日本電子機械工業会