C 6114-1：2006
（1）
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
まえがき
この規格は，工業標準化法第12条第1項の規定に基づき，■財団法人光産業技術振興協会(OITDA)／財
団法人日本規格協会(JSA)から，工業標準原案を具して日本工業規格を制定すべきとの申出があり，日本工
業標準調査会の審議を経て，経済産業大臣が制定した日本工業規格である。
制定に当たっては，日本工業規格と国際規格との対比，国際規格に一致した日本工業規格の作成及び日
本工業規格を基礎にした国際規格原案の提案を容易にするために，IEC 62007-1 Ed. 1.1:1999，Semiconductor
optoelectronic devices for fibre optic system applications−Part 1: Essential ratings and characteristicsを基礎とし
て用いた。
この規格の一部が，技術的性質をもつ特許権，出願公開後の特許出願，実用新案権，又は出願公開後の
実用新案登録出願に抵触する可能性があることに注意を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会
は，このような技術的性質をもつ特許権，出願公開後の特許出願，実用新案権，又は出願公開後の実用新
案登録出願にかかわる確認について，責任はもたない。
JIS C 6114-1には，次に示す附属書がある。
附属書A（参考）光変調器モジュールの個別規格の様式
附属書B（参考）光変調器モジュール環境試験及び耐久試験個別規格の様式
附属書C（参考）代表的特性について
附属書D（参考）静電気破壊のおそれがあるデバイスへの表示
附属書1（参考）JISと対応する国際規格との対比表
C 6114-1：2006
（2）
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目 次
ページ
序文 ··································································································································· 1
1. 適用範囲 ························································································································ 1
2. 引用規格 ························································································································ 1
3. 定義 ······························································································································ 3
4. 個別規格 ························································································································ 4
5. 単位記号 ························································································································ 4
6. 分類 ······························································································································ 4
7. 最大定格 ························································································································ 4
8. 性能 ······························································································································ 6
8.1 電気的特性及び光学的特性 ······························································································ 6
8.2 環境及び耐久性に対する性能 ··························································································· 7
9. 外形 ······························································································································ 8
10. 測定 ···························································································································· 8
11. 表示 ···························································································································· 8
12. 取扱上の注意事項 ·········································································································· 8
12.1 静電気による破壊に対する注意 ······················································································· 8
12.2 光出力端の汚れに対する注意 ·························································································· 8
附属書A（参考）光変調器モジュールの個別規格の様式 ······························································ 9
附属書B（参考）光変調器モジュール環境試験及び耐久試験個別規格の様式 ··································· 11
附属書C（参考）代表的特性について ····················································································· 13
附属書D（参考）静電気破壊のおそれがあるデバイスへの表示····················································· 14
附属書1（参考）JISと対応する国際規格との対比表 ·································································· 16
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日本工業規格 JIS
C 6114-1：2006
光変調器モジュール通則
General rules of optical modulator modules
序文 この規格は，1999年に第1版として発行されたIEC 62007-1 Ed. 1.1:1999，Semiconductor optoelectronic
devices for fibre optic system applications-Part 1: Essential ratings and characteristicsの中で光変調器モジュール
通則を規定している第12章Optical modulators for digital fibre optic applicationsを翻訳し，技術的内容を変更
して作成した日本工業規格である。
なお，この規格で点線の下線を施してある箇所は，原国際規格を変更している事項である。変更の一覧
表をその説明を付けて，附属書1に示す。
2003年現在，伝送用光能動部品のIEC規格がTC47（半導体デバイス）からTC86（光ファイバシステ
ム）への体系移行の最中にある。これに伴い規格体系がTC47の部品ごとの規格体系からTC86の応用シ
ステムごとの規格体系への再編が進められている。日本工業規格（以下，JISという）では管轄がTC47
のときより部品ごとに分けて順次，審議してきた経緯によって，制定・改正済みの規格は，部品ごとの規
格としてきている。
1. 適用範囲 この規格は光変調器モジュールの用語，記号，分類，最大定格，性能などの一般的な共通
事項について規定する。
備考 ここでいう光変調器モジュールとは，変調素子と光ファイバとの接続部から構成されるもので
あり，必要に応じて，温度センサ，電子冷却素子，モニタ用フォトダイオードなどを内蔵する
ものである。
この規格の対応国際規格を，次に示す。
なお，対応の程度を表す記号は，ISO/IEC Guide21に基づき，IDT（一致している），MOD（修
正している），NEQ（同等でない）とする。
IEC 62007-1 Ed. 1.1:1999，Semiconductor optoelectronic devices for fibre optic system
applications-Part 1: Essential ratings and characteristics (MOD)
2. 引用規格 次に掲げる規格は，この規格に引用されることによって，この規格の規定の一部を構成す
る。これらの引用規格は，その最新版（追補を含む。）を適用する。
JIS C 6114-2 光変調器モジュール測定方法
JIS C 0025 環境試験方法（電気・電子）温度変化試験方法
備考1. IEC 60068-2-14:1984, Environmental testing−Part 2: Tests, Test N: Change of temperatureからの
引用事項は，この規格の該当事項と同等である。
2. IEC 60068-2-33:1971, Environmental testing−Part 2: Tests, Guidance on changing of temperature
testsからの引用事項は，この規格の該当事項と同等である。
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JIS C 60068-2-1 環境試験方法−電気・電子−低音（耐寒性）試験方法
備考 IEC 60068-2-1:1990, Environmental testing−Part 2: Tests, Test A: Coldからの引用事項は，この規格
の該当事項と同等である。
JIS C 60068-2-2 環境試験方法−電気・電子−高温（耐熱性）試験方法
備考 IEC 60068-2-2:1974, Environmental testing−Part 2: Tests, Test B: Dry heatからの引用事項は，この
規格の該当事項と同等である。
JIS C 60068-2-3 環境試験方法（電気・電子）高温高湿（定常）試験方法
備考 IEC 60068-2-3:1969, Environmental testing−Part 2: Tests, Test Ca: Damp heat, steady stateからの引
用事項は，この規格の該当事項と同等である。
JIS C 60068-2-6 環境試験方法−電気・電子−正弦波振動試験方法
備考 IEC 60068-2-6:1995, Environmental testing−Part 2: Tests, Test Fc: Vibration (sinusoidal)からの引用
事項は，この規格の該当事項と同等である。
JIS C 60068-2-7 環境試験方法−電気・電子−加速度（定常）試験方法
備考 IEC 60068-2-7:1983, Environmental testing−Part 2: Tests, Test Ga: Acceleration, steady stateからの
引用事項は，この規格の該当事項と同等である。
JIS C 60068-2-11 環境試験方法（電気・電子）塩水噴霧試験方法
備考 IEC 60068-2-7:1981, Environmental testing−Part 2: Tests, Test Ka: Salt mistからの引用事項は，こ
の規格の該当事項と同等である。
JIS C 60068-2-17 環境試験方法−電気・電子−封止（気密性）試験方法
備考 IEC 60068-2-17:1994, Basic environmental testing procedures−Part 2: Tests, Test Q: Sealingからの引
用事項は，この規格の該当事項と同等である。
JIS C 60068-2-20 環境試験方法−電気・電子−はんだ付け試験方法
備考 IEC 60068-2-20:1979, Environmental testing−Part 2: Tests, Test T: Solderingからの引用事項は，こ
の規格の該当事項と同等である。
JIS C 60068-2-21 環境試験方法−電気・電子−端子強度試験方法
備考 IEC 60068-2-21:1999, Environmental testing−Part 2-21: Tests, Test U: Robustness of termination and
integral mounting devicesからの引用事項は，この規格の該当事項と同等である。
JIS C 60068-2-27 環境試験方法−電気・電子−衝撃試験方法
備考 IEC 60068-2-27:1987, Environmental testing−Part 2-27: Tests, Test Ea and guidance: Shockからの引
用事項は，この規格の該当事項と同等である。
JIS C 60068-2-32 環境試験方法−電気・電子−自然落下試験方法
備考 IEC 60068-2-32:1975, Environmental testing−Part 2-32: Tests, Test Ed: Free fall (Procedure 1)からの
引用事項は，この規格の該当事項と同等である。
JIS C 60068-2-38 環境試験方法（電気・電子）温湿度組合せ（サイクル）試験方法
備考 IEC 60068-2-38:1974, Environmental testing−Part 2: Tests, Test Z/AD: Composite
temperature/humidity cycle testからの引用事項は，この規格の該当事項と同等である。
JIS Z 8202-0 量及び単位−第0部: 一般原則
JIS Z 8202-1 量及び単位−第1部: 空間及び時間
JIS Z 8202-2 量及び単位−第2部: 周期現象及び関連現象
JIS Z 8202-3 量及び単位−第3部: 力学
3
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JIS Z 8202-4 量及び単位−第4部: 熱
JIS Z 8202-5 量及び単位−第5部: 電気及び磁気
JIS Z 8202-6 量及び単位−第6部: 光及び関連する電磁放射
JIS Z 8203 国際単位系（SI）及びその使い方
3. 定義 この規格で用いる主な用語の定義は，次による。
a) 絶対最大定格 (Absolute maximum rating) 瞬時でも超過してはならない限界値。いずれか一つの規格
値も超えてはならない。
b) 保存温度 (Storage temperature, Tstg) 電圧及び入力光信号を加えないときの許容周囲温度。
c) 動作温度 (Operating temperature, Top) 規定の電圧及び入力光信号を加えたとき，動作が保証できる周
囲温度（Ambient temperature，Top(a)），ケース温度（Case Temperature，Top(c)）又はサブマウント温度
（Submount temperature，Top(sub))。
d) 周囲温度 (Ambient temperature, Ta) 光変調器モジュールのおかれている雰囲気温度。
e) ケース温度 (Case temperature, Tc) ケース上の規定の部分での温度。
f)
サブマウント温度 (Submount temperature, Tsub) 光変調素子がおかれているサブマウント部の温度。
g) 動作電圧 (Operating voltage, VRop) 強度変調器においては，規定の消光比が得られる印加電圧。位相
変調器においては，入力光信号に対し出力光信号の位相を180度変化させるのに必要な印加電圧。特
に，最大消光比を得られ位相を180度変化させるときの印加電圧を，記号(Vπ)で表す。また，規定の
動作が得られる変調時振幅電圧(VRmpp)。
h) 動作波長 (Operating wavelength, lop) 規定の電圧を加えたとき，動作が保証できる入力光の波長。
i)
挿入損失 (Insertion loss, Lin) 光入力端から光出力端までの間での光損失の増加分。通常，入力光パワ
ーに対する出力光パワーの比をデシベル値で表した値で，次の式によって算出する。
ここに， Lin： 挿入損失
Pout： 出力光パワー
Pin： 入力光パワー
j)
光反射減衰量 (Optical return loss, ORL) 光入力端から光出力端までの光変調器モジュール内部及び入
出力端面での反射による光損失増加分。通常，入力光パワーに対する光変調器モジュール内からの出
力光パワーの比をデシベル値で表した値で，次式によって算出する。
ここに， RL： 反射減衰量 （dB)
Pr： 出力光パワー （W）
Pin： 入力光パワー （W）
k) 消光比 (Extinction ratio, ExR) 規定の動作条件における光信号出力の最大値と最小値の比。
l)
遮断周波数 (Cut-off frequency, fc) 規定動作点で正弦波の小信号を入力したときに得られる光信号出
力の正弦波振幅が，低周波領域の十分に平たんな部分に対して，3 dB低下する周波数若しくは電気変
換した振幅で6 dB低下する周波数。
m) 上昇時間 (tr)，下降時間 (tf) 規定動作点でく（矩）形波の信号を入力したときに得られる光信号出力
波形振幅の10 %から90 %まで増加するのに要する時間（上昇時間），及び90 %から10 %まで減少す
るのに要する時間（下降時間）。
)
/
(
10
log
10
in
out
in
P
P
L
−
=
)
/
(
10
log
10
in
r
L
P
P
P
−
=
4
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
n) 周波数応答平たん（坦）度 (Frequency response flatness, ΔRD/RD) 規定の周波数範囲における周波数応
答特性の規定の値に対する相対変動幅。
o) 波長チャープ (Wavelength chirp, Δf) レーザから放射される光パルスがONからOFF又は，OFFから
ONへ変化する時間領域での光スペクトル線の変化量。通常Hzの単位で表す。
備考 必要に応じ，変化量をnmの単位で併記してもよい。
p) 偏波クロストーク (Polarization crosstalk, PCT) 直交する二つの偏波モードのパワー比。入射端で一方
の偏波モードの光を励振したとき，出射端での入力偏波モードのパワーをP1，これと直交するもう一
つの偏波モードのパワーをP2とすると，偏波クロストークは10 log(P2/P1)で表される。
q) 偏波依存性損失 (Polarization dependent loss, PDL) 入力光の偏波状態の変化に伴う損失の変動量。入
力光の偏波状態を変化させたとき，挿入損失の最も小さい値をLin1，最も大きい値をLin2とすると，偏
波依存性損失はLin2−Lin1で表される。
4. 個別規格 個々の光変調器モジュールの絶対最大定格，性能，外形などはこの規格の規定に従って個
別規格に規定するものとする。個別規格の様式は附属書1を推奨する。
5. 単位記号 この規格で用いる単位記号は，JIS Z 8202-0，JIS Z 8202-1，JIS Z 8202-2，JIS Z 8202-3，
JIS Z 8202-4，JIS Z 8202-5，JIS Z 8202-6，及び JIS Z 8203 による。
6. 分類 光変調器モジュールの分類は，表1による。
表 1 光変調器モジュールの分類
分類項目
種類
大項目
小項目
光変調器
種類
強度変調器，位相変調器など
結晶材料
インジウムりん，ガリウムひ素，インジウムアルミ
ニウムひ素，インジウムガリウムひ素りん，ニオブ
酸リチウムなど
構造
マッハツエンダ形，電界吸収形など
パッケージ構造
光ファイバピグテイル形など
適用光ファイバ
石英系シングルモード光ファイバ，石英系マルチモード
光ファイバ，偏波面保存光ファイバ
プラスチック光ファイバ（POF）など
7. 最大定格 光変調器モジュールの最大定格は，絶対最大定格とする。最大定格の規定項目は，表2に
よる。保存温度及び動作温度の規定値は，表3及び表4の値とする。個別規格における最大定格の規定は
表A.1を推奨する。
5
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
表 2 絶対最大定格
項目
記号
条件
絶対最大定格
単位
保存温度
Tstg
〜
℃
動作温度
Top
〜
℃
入力
電気信号振幅
Vinmax
V
印加電圧
（逆方向）(1)
VRop
V
印加電圧
（順方向）(2)
VFop
V
入力光パワー(2)
Pin
波長
dBm
はんだ付け温度
Tsld
時間
℃
注(1) 周囲温度は，規定のない限り25 ℃とする。
(2) 必要があれば規定する。
備考 絶対最大定格の欄で，通常，保存及び動作温度の部分を記入する。
表 3 保存温度（Tstg）
単位 ℃
下限値
-10 -20 -30 -40 -50 -55 -60 -65
上限値
50 60 70 80 85 90 100 125
表 4 動作温度（Top）
単位 ℃
下限値
0 -10 -20 -25 -40
上限値
40 50 60 65 70 80 85 90 100
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8. 性能
8.1
電気的特性及び光学的特性 光変調器モジュールの電気的及び光学的特性の規定項目は，表5によ
る。特性を測定する条件として与える入力光パワーは，表6の値を推奨する。個別規格の様式は附属書A
を推奨する。
表 5 電気的光学的特性
項目
記号
測定条件
最小値
標準値
最大値
単位
動作電圧
VRop
V
動作波長
λop
nm
挿入損失
Lin
dB
消光比
ExR
dB
偏波クロストーク(3)
PCT
dB
偏波依存性損失
PDL
dB
遮断周波数
fc
Hz
周波数応答平たん度
∆RD/RD
dB
変調速度(4)
fD
bit/s
光反射減衰量
ORL
dB
波長チャープ
∆f
Hz
サーミスタ抵抗(5)
R
Ω
サーミスタB定数(5)
B
−
電子冷却素子電流(5)
Ipe
A
電子冷却素子電圧(6)
Vpe
V
冷却温度差(6)
∆Tpe
℃
モニタ用フォトダイオー
ド暗電流(7)
Id
nA
モニタ出力電流(7)
Im
μA
注(3) 出力ファイバが，偏波面保存光ファイバの場合に適用する。
(4) 強度変調器モジュールの場合に適用してもよい。
(5) 温度センサ内蔵形に適用する。
(6) 電子冷却素子内蔵形に適用する。
(7) モニタ用フォトダイオード内蔵形に適用する。
備考1. 周囲温度又はケース温度は，規定のない限り，25 ℃とする。
2. 最大値，標準値及び最小値の欄で下線の部分は通常記入する。
3. 各項目の測定方法は，別途規定しない限りJIS C 6114-2 による。
表 6 特性を規定する測定条件として与える入力光パワー
単位 ×10n W
入力光パワー
1 1.25 1.5 2 2.5 3 4 5 6 7 8 9
備考 nは，整数とする。
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8.2
環境及び耐久性に対する性能 光変調器モジュールの環境条件に対する性能の規定項目は，表7に
よる。個別規格の様式及び合否判定基準については附属書Bを推奨する。
表 7 環境試験及び耐久性試験
項目
試験条件
適用(8)
抜取方式
引用規格
検査水準
AQL
はんだ耐熱性
温度 ＿ ℃± ＿ ℃
JIS C 60068-2-20
温度サイクル
低温 ＿ ℃ 高温 ＿ ℃
保持時間 ＿ min
移動時間 ＿ min 回数 ＿ 回
JIS C 0025
熱衝撃
高温 ＿ ℃ 保持時間 ＿ min
低温 ＿ ℃ 保持時間 ＿ min
移動時間 ＿ s 回数 ＿ 回
JIS C 0025
温湿度サイクル
高温 ＿ ℃ 高温側相対湿度 ＿ ％
保持時間 ＿ min
低温 ＿ ℃ 低温側相対湿度 ＿ ％
保持時間 ＿ min
移動時間 ＿ min 回数 ＿ 回
JIS C 60068-2-38
気密性(9)
加圧圧力 ＿ Pa
加圧時間 ＿ h（必要がある場合）
JIS C 60068-2-17
自然落下(10)
高さ ＿ cm 回数 ＿ 回
JIS C 60068-2-32
衝撃(10)
方向 ＿ 最高加速度 ＿ m/s2
パルス幅 ＿ ms 回数 ＿ 回
JIS C 60068-2-27
定加速度
方向 ＿ 加速度 ＿ m/s2
パルス幅 ＿ ms 回数 ＿ 回
周波数 ＿Hz 〜＿ Hz
JIS C 60068-2-7
振動
全振幅 又は 加速度 ＿
方向 ＿ 時間 ＿ h
JIS C 60068-2-6
端子強度
荷重 ＿ N 回数 ＿ 回
JIS C 60068-2-21
塩水噴霧
時間 ＿ h
JIS C 60068-2-11
高温保存
温度 ＿ ℃ 時間 ＿ h
JIS C 60068-2-2
低温保存
温度 ＿ ℃ 時間 ＿ h
JIS C 60068-2-1
動作寿命
ケース温度（又は周囲温度）＿ ℃
定光出力動作 光出力 ＿ mW
時間 ＿ h
ピグテイル強度
(11)
引張力＿ N
曲げ半径＿ cm
耐湿性
温度 ＿ ℃ 相対湿度 ＿ ％
時間 ＿ h
JIS C 60068-2-3
注(8) 合否判定基準を適用する項目に○印を記入する。
(9) 気密構造形に適用する。
(10) 自然落下又は衝撃のいずれかを規定する。
(11) 光ファイバピグテイル形に適用する。
備考 試験条件の欄で下線の部分は，通常記入する。
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9. 外形 外形は，個別規格の規定による。
10. 測定 光変調器モジュールの測定は，個別規格に規定がない限り，JIS C 6114-2による。
11. 表示 光変調器モジュールには，次の項目を表示しなければならない。ただし，個々の光変調器モジ
ュールに表示することが困難な場合は，包装に表示してもよい。
a) 形名（製造業者の指定による。）
b) 製造業者名又はその略号
c) 製造年月若しくは製造ロット番号又はそれらの略号
d) 静電気によって破壊するおそれがあり，取扱い上注意を必要とするデバイスであることを表示する記
号
e) その他必要な事項
12. 取扱上の注意事項
12.1 静電気による破壊に対する注意 静電気破壊のおそれのある光変調器モジュールに対しては，次の
事項に注意する。
a) 移送，保管及び放置の場合は，静電気導電材料，帯電防止処理材料などを用い，静電気の帯電を防止
する。
b) 測定は，静電気の発生しない場所で行う。相対湿度は50 %程度が望ましい。また，静電気の発生を防
ぐために，測定者，工具及び測定機器類の電位と被測定光変調器モジュールとを取り扱う場所を同電
位にすることが望ましい。
12.2 光出力端の汚れに対する注意 光変調器モジュールの入出力端は，汚れのないように注意する。汚
れた場合は， アルコールなどで汚れを取り除く。
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附属書A（参考）
光変調器モジュールの個別規格の様式
この附属書は，本体に関連する事柄を補足するもので，規定の一部ではない。光変調器モジュールの個
別規格の様式を次に示す。
光変調器モジュールの個別規格の様式を次に示す。
形名
A1. 適用範囲 この規格は，光入出力取り出し部として a) をもち， b) の材料からなる c) 形
の d) 変調素子からなり，更に e) を内蔵した f) の光変調器モジュールについて規定する。
記載例：
a): 光ファイバピグテイルなど
b): InP，GaAs，InAlAs，InGaAsP，LiNbO3など
c): マッハツエンダ，電界吸収など
d): 強度，位相など
e): モニタ用フォトダイオード，電子冷却素子，温度センサなど
f): 800 nm帯用，1 300 nm帯用，1 500 nm帯用など
A2. 絶対最大定格 絶対最大定格は，表A.1による。
表A.1 絶対最大定格
項目
記号
条件
絶対最大定格
単位
保存温度
Tstg
- 〜
℃
動作温度
Top
- 〜
℃
入力
電気信号振幅
Vinmax
V
印加電圧
（逆方向）(1)
VRop
V
印加電圧
（順方向）(1)(2)
VFop
V
入力光パワー (2)
Pin
波長
dBm
はんだ付け温度
Tsld
時間
℃
注(1) 周囲温度は，規定のない限り25 ℃とする。
(2) 必要があれば規定する。
備考 絶対最大定格の欄で下線の部分を，通常記入する。
10
C 6114-1：2006
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
A3. 電気的光学的特性 電気的光学的特性は，表A.2による。
表 A.2 電気的光学的特性
項目
記号
測定条件
最小値
標準値
最大値
単位
動作電圧
VRop
V
動作波長
λop
nm
挿入損失
Lin
dB
消光比
EXR
dB
偏波クロストーク(3)
PCT
dB
偏波依存性損失
PDL
dB
遮断周波数
fc
Hz
周波数応答平たん度
∆RD/RD
dB
変調速度(4)
fD
bit/s
光反射減衰量
ORL
dB
波長チャープ
∆f
Hz
サーミスタ抵抗(5)
R
Ω
サーミスタB定数(5)
B
−
電子冷却素子電流(6)
Ipe
A
電子冷却素子電圧(6)
Vpe
V
冷却温度差(6)
∆Tpe
℃
モニタ用フォトダイオー
ド暗電流(7)
Id
nA
モニタ出力電流(7)
Im
μA
注(3) 出力ファイバが，偏波面保存光ファイバの場合に適用する。
(4) 強度変調器モジュールの場合に適用してもよい。
(5) 温度センサ内蔵形に適用する。
(6) 電子冷却素子内蔵形に適用する。
(7) モニタ用フォトダイオード内蔵形に適用する。
備考1. 周囲温度又はケース温度は，規定のない限り，25 ℃とする。
2. 最大値，標準値及び最小値の欄で下線の部分は通常記入する。
3. 各項目の測定方法は，別途規定しない限りJIS C 6114-2による。
A4. 外形及び電極接続
A4.1 外形 （外形図番号）
A4.2 電極接続 リード又は電極 電極名
1
2
3
4
ケース
A4.3 光コネクタ 適合する光コネクタは，個別規格による。
A4.4 光ファイバ 適合する光ファイバは，個別規格による。
11
C 6114-1：2006
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書B（参考）
光変調器モジュール環境試験及び耐久試験個別規格の様式
この附属書は，本体に関連する事柄を補足するもので，規定の一部ではない。
B1. 環境試験及び耐久性試験
表 B.1 環境試験及び耐久性試験
項目
試験条件
適用(1)
抜取方式
引用規格
検査水準
AQL
はんだ耐熱性
温度 ＿ ℃± ＿ ℃
JIS C 60068-2-20
温度サイクル
低温 ＿ ℃ 高温 ＿ ℃
保持時間 ＿ min
移動時間 ＿ min 回数 ＿ 回
JIS C 0025
熱衝撃
高温 ＿ ℃ 保持時間 ＿ min
低温 ＿ ℃ 保持時間 ＿ min
移動時間 ＿ s 回数 ＿ 回
JIS C 0025
温湿度サイクル
高温 ＿ ℃ 高温側相対湿度 ＿ ％
保持時間 ＿ min
低温 ＿ ℃ 低温側相対湿度 ＿ ％
保持時間 ＿ min
移動時間 ＿ min 回数 ＿ 回
JIS C 60068-2-38
気密性(2)
加圧圧力 ＿ Pa
加圧時間 ＿ h（必要がある場合）
JIS C 60068-2-17
自然落下(3)
高さ ＿ cm 回数 ＿ 回
JIS C 60068-2-32
衝撃(3)
方向 ＿ 最高加速度 ＿ m/s2
パルス幅 ＿ ms 回数 ＿ 回
JIS C 60068-2-27
定加速度
方向 ＿ 加速度 ＿ m/s2
パルス幅 ＿ ms 回数 ＿ 回
周波数 ＿ Hz〜＿ Hz
JIS C 60068-2-7
振動
全振幅 又は 加速度 ＿
方向 ＿ 時間 ＿ h
JIS C 60068-2-6
端子強度
荷重 ＿ N 回数 ＿ 回
JIS C 60068-2-21
塩水噴霧
時間 ＿ h
JIS C 60068-2-11
高温保存
温度 ＿ ℃ 時間 ＿ h
JIS C 60068-2-2
低温保存
温度 ＿ ℃ 時間 ＿ h
JIS C 60068-2-1
動作寿命
ケース温度（又は周囲温度）＿ ℃
定光出力動作 光出力 ＿ mW
時間 ＿ h
ピグテイル強度
(4)
引張力＿ N
曲げ半径＿ cm
耐湿性
温度 ＿ ℃ 相対湿度 ＿ ％
時間 ＿ h
JIS C 60068-2-3
注(1) 合否判定基準を適用する項目に○印を記入する。
(2) 気密構造形に適用する。
(3) 自然落下又は衝撃のいずれかを規定する。
(4) 光ファイバピグテイル形に適用する。
備考 試験条件の欄で下線の部分は，通常記入する。
12
C 6114-1：2006
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
B2. 合否判定基準 端子強度を除く他の環境試験及び耐久性試験に適用する合否判定基は，表B.2による
表 B.2 合否判定基準
項目
記号
測定条件
許容値(5)
単位
許容
変動量(5)
単位
測定方法
最小値
最大値
JIS C 6114-2
動作電圧
VRop
V
V
挿入損失
Lin
dB
dB
消光比
ExR
dB
dB
注(5) 必要に応じていずれか又は双方を選択する。
備考1. 周囲温度又はケース温度は，特に規定のない限り，25 ℃とする。
2. 最大値，最小値及び許容変動量の欄で下線の部分は通常記入する。
13
C 6114-1：2006
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書C（参考）
代表的特性について
この附属書は，本体に関連する事柄を補足するもので，規定の一部ではない。
ある物理量に依存する特性のように，図で示すことで光変調器モジュールの性能の把握が容易になる特
性に関して，製造業者は，同一種類の光変調器モジュールについて平均的に得られる特性を，代表的特性
として図示することが望ましい。
例 消光比の印加電圧に対する依存性
動作電圧の温度依存性
周波数応答特性 など
14
C 6114-1：2006
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書D（参考）
静電気破壊のおそれがあるデバイスへの表示
この附属書は，本体に関連する事柄を補足するもので，規定の一部ではない。
静電気によって破壊するおそれがあり，取扱い上注意を必要とするデバイスであることを表示する記号
はJIS C 6802による。
D1. 記号の使用 実用上適している内装又は可能ならば，デバイス上に表示する。データシート上，保管
容器，特別な防護用の包みなどに表示する。
図D.2は，デバイス上に縮小して使用する場合の簡略化した記号である。
D2. 記号の色 記号の色は，次による。
記号の種類
色
備考
図D.1
下地は識別できれば単一色で何色でもよい。
主に印刷によって表示する。
図D.2
ただし，赤色は除く。
図D.3
下地は黄色とする。文字及び記号は黒色とする。
主にラベルによって表示する。
図D.1 記号
図D.2 縮小する場合の簡略化した記号
15
C 6114-1：2006
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図D.3 文字と組み合わせた記号
関連規格 JIS C 6802 レーザ製品の安全基準
16
C 6114-1：2006 解説
解 9
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書1（参考）
JISと対応する国際規格との対比表
JIS C 6114-1：2006 光変調器モジュール通則
IEC 62007-1:1999， 光ファイバ伝送システム用光電子半導体デバイス−第1
部：基本特性
(Ⅰ) JISの規定
(Ⅱ) 国際
規格番号
(Ⅲ) 国際規格の規定
(Ⅳ) JISと国際規格との技術的差異
の項目ごとの評価及びその内容
表示箇所：本体
表示方法：側線又は点線の下線
(Ⅴ) JISと国際規格との技術的差異の理由
及び今後の対策
項目
番号
内容
項目
番号
内容
項目ごと
の評価
技術的差異の内容
1.適用範
囲
光変調器モジュールの用
語，記号，分類，最大定格，
性能などの一般的な共通
事項について規定。
IEC
62007-1
1
12.1
光能動部品全般
（pin-FETモジュー
ル，光ファイバ伝送用
のレーザモジュー及
びLED，受光素子な
ど）に広く適用する記
号，分類，最大定格，
性能などの一般的な
共通事項を規定。
光変調器モジュール
を構成する部品を規
定。
MOD/削
除
JISは，光変調器モジ
ュールに限定して規
定。
IEC規格は複数の光能動部品について
の規定となっているため，光変調器モ
ジュール以外の記載内容を削除した。
削除した部分は，次に示すように別の
JISとして制定済み又は制定を検討中
である。
制定済み：
JIS C 5940（光伝送用半導体レーザ通
則），JIS C 5945 (光伝送用半導体レー
ザモジュール測定方法)，JIS C 5950（光
伝送用発光ダイオード通則）及びJIS C
5990（光伝送用フォトダイオード通則）
制定予定：
pin-FETモジュール，光ファイバ増幅器
用レーザモジュール，デュプレクサモ
ジュール，LEDアレイ
17
C 6114-1：2006 解説
解 10
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(Ⅰ) JISの規定
(Ⅱ) 国際
規格番号
(Ⅲ) 国際規格の規定
(Ⅳ) JISと国際規格との技術的差異
の項目ごとの評価及びその内容
表示箇所：本体
表示方法：側線又は点線の下線
(Ⅴ) JISと国際規格との技術的差異の理由
及び今後の対策
項目
番号
内容
項目
番号
内容
項目ごと
の評価
技術的差異の内容
2.引用規
格
JIS C 60068-2-1
JIS C 60068-2-2
JIS C 60068-2-3
JIS C 60068-2-11
JIS C 0025
JIS C 60068-2-17
JIS C 60068-2-38
JIS C 60068-2-6
JIS C 60068-2-27
JIS C 60068-2-32
JIS C 60068-2-7
JIS C 60068-2-20
JIS C 60068-2-21
JIS Z 8202，JIS Z 8203
IEC
62007-1
2
レーザ安全規格を引
用。
MOD/追
加
IEC規格は，レーザ安
全規格について規定
しているが，環境試験
規格及び単位記号に
ついては規定してい
ない。
JISはIEC規格の補充を行っており，
提案を図る。
3.定義
個別規格において規定す
る，絶対最大定格などの電
気光学的特性の用語の定
義を規定。
3
他のレーザ規格にな
い用語だけの定義を
規定。一般的な用語の
定義については別規
格(IEC 60747-5-1)とな
っている。
MOD/変
更
JISとして必要な用語
に変更。
一般的に広く使用されており，かつ，
商習慣上必要な内容とした。IEC規格
への追加提案を図る。
4.個別規
格
個別の光変調器モジュー
ルの規格で規定すべき項
目を規定。
12.4
個別規格において記
述すべき内容を具体
的に規定。
MOD/変
更
具体的な詳細は，別規
格で規定するように
明記した。
技術的差異はない。IEC規格への追加
提案を図る。
5.単位記
号
この規格で用いる単位記
号に対する引用規格につ
いて規定。
−
−
MOD/追
加
追加項目：
この規格で引用して
いるJISを記載。
一般的に広く使用されており，かつ，
商習慣上必要な内容とした。IEC規格
への提案を図る。
18
C 6114-1：2006 解説
解 11
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(Ⅰ) JISの規定
(Ⅱ) 国際
規格番号
(Ⅲ) 国際規格の規定
(Ⅳ) JISと国際規格との技術的差異
の項目ごとの評価及びその内容
表示箇所：本体
表示方法：側線又は点線の下線
(Ⅴ) JISと国際規格との技術的差異の理由
及び今後の対策
項目
番号
内容
項目
番号
内容
項目ごと
の評価
技術的差異の内容
6.分類
使用するデバイスの材料，
構造，パッケージ構造，適
用光ファイバなどによる
光変調器モジュールの分
類について規定。
IEC
62007-1
12.1
12.2
12.3
構成部品
材料
構造
MOD/追
加
追加項目：
分類に関して，実情に
合わせて具体的な内
容を記載
JISは実情に合わせた補充を追加。IEC
規格への提案を図る。
7.最大定
格
最大定格として規定すべ
き項目並びに最大定格と
して用いるべき保存温度
及び動作温度の数値を規
定。
12.5
定格項目としてJISに
規定する温度，電源電
圧，入射光強度などの
他，振動，衝撃試験な
どの機械的耐久性に
関しても規定。
MOD/追
加
MOD/削
除
追加項目：
最大定格として用い
るべき，入力電気信号
振幅に関する数値規
定。
削除項目：
振動，衝撃及びピグテ
イル強度。
国内外で一般的に広く使用されてお
り，商習慣上必要。IEC規格への提案
を図る。
8.2として独立させて記載した。
8.性能
8.1電気
的特性及
び光学的
特性
8.2環境
及び耐久
性に対す
る性能
電気・光学的特性について
規定。
環境条件に対する性能に
ついて規定。
12.6
12.7
電気的特性及び光学
的特性項目並びに条
件とする特性項目を
規定。
MOD/追
加
電気的特性及び光学
的特性に関する追加
項目：
偏波クロストーク，偏
波依存性損失，光反射
減衰量及びサーミス
タB定数
環境条件に対する性
能に関する追加項目：
温度サイクル，熱衝
撃，温湿度サイクル，
気密性，自然落下，端
子強度，塩水噴霧，高
温保存，低温保存，動
作寿命及び耐湿性を
追加。
国内外で一般的に広く使用されてお
り，商習慣上必要。IECへ提案を図る。
19
C 6114-1：2006 解説
解 12
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(Ⅰ) JISの規定
(Ⅱ) 国際
規格番号
(Ⅲ) 国際規格の規定
(Ⅳ) JISと国際規格との技術的差異
の項目ごとの評価及びその内容
表示箇所：本体
表示方法：側線又は点線の下線
(Ⅴ) JISと国際規格との技術的差異の理由
及び今後の対策
項目
番号
内容
項目
番号
内容
項目ごと
の評価
技術的差異の内容
8.性能
8.1電気
的特性及
び光学的
特性
8.2環境
及び耐久
性に対す
る性能
IEC
62007-1
MOD/削
除
削除項目：
サーミスタスロープ
係数及びケース−サ
ブマウント間温度差。
一般的には使用されていない。IECへ
提案を図る。
9.外形
外形は個別規格で規定。
12.4
外形は個別規格で規
定。
IDT
−
−
10.測定
個別規格に規定がない場
合の測定方法JISを規定。
Annex A
測定方法は記載した
IEC規格を参照するよ
うに規定しているが，
光変調器モジュール
についての測定法の
規定はない。
MOD/追
加
測定方法JISを規定。 測定方法として使用する規格を規定し
たもの。追加した性能に関しては，必
要であれば，測定方法に関するIEC規
格への提案を図る。
11.表示
表示する項目を規定。
−
−
MOD/追
加
−
JISとして必要な規定項目を追加。IEC
規格への提案を図る。
12.取扱
上の注意
事項
取り扱いに関する注意事
項を記述。
−
−
MOD/追
加
−
JISとして必要な規定項目を追加。IEC
規格への提案を図る。
20
C 6114-1：2006 解説
解 13
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(Ⅰ) JISの規定
(Ⅱ) 国際
規格番号
(Ⅲ) 国際規格の規定
(Ⅳ) JISと国際規格との技術的差異
の項目ごとの評価及びその内容
表示箇所：本体
表示方法：側線又は点線の下線
(Ⅴ) JISと国際規格との技術的差異の理由
及び今後の対策
項目
番号
内容
項目
番号
内容
項目ごと
の評価
技術的差異の内容
−
−
IEC
62007-1
4
5
6
7
8
10
11
12
13
14
発光ダイオードﾞの規
定。
レーザモジュールの
規定。
pin型受光素子の規定。
APDの規定。
Pin-FETモジュールの
規定。
アナログ光伝送用レ
ーザモジュールの規
定。
LEDアレイの規定。
ディジタル光伝送用
光変調器の規定。
TOパッケージ入りの
レーザダイオードの
規定。
デュプレクサモジュ
ールの規定。
MOD/削
除
MOD/削
除
MOD/削
除
MOD/削
除
MOD/削
除
MOD/削
除
MOD/削
除
MOD/削
除
MOD/削
除
MOD/削
除
IEC規格では各章がそ
れぞれ別々の部品
に対応しており，全体
として複数の光能動
部品に対する規定と
なっている光変調器
モジュール以外の規
定内容を削除した。
削除した部分は別のJISとして制定済
み又は制定予定である。
制定済み：
JIS C 5940（光伝送用半導体レーザ通
則），JIS C 5945 (光伝送用半導体レー
ザモジュール測定方法)，JIS C 5950（光
伝送用発光ダイオード通則），JIS C
5990（光伝送用フォトダイオード通則）
制定予定：
光ファイバ増幅器用半導体レーザモジ
ュール・pin-FETモジュール・デュプレ
クサモジュール・LEDアレイ
JISと国際規格との対応の程度の全体評価：MOD
21
C 6114-1：2006 解説
解 14
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
備考1. 項目ごとの評価欄の記号の意味は，次のとおりである。
― IDT……………… 技術的差異がない。
― MOD/削除……… 国際規格の規定項目又は規定内容を削除している。
― MOD/追加……… 国際規格にない規定項目又は規定内容を追加している。
2.
JISと国際規格との対応の程度の全体評価欄の記号の意味は，次のとおりである。
― MOD…………… 国際規格を修正している。