C 2570-1：2015
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
目 次
ページ
序文 ··································································································································· 1
1 一般事項························································································································· 1
1.1 適用範囲 ······················································································································ 1
1.2 引用規格 ······················································································································ 1
2 技術データ······················································································································ 4
2.1 単位，記号及び専門用語 ································································································· 4
2.2 用語及び定義 ················································································································ 4
2.3 推奨値及び耐候性カテゴリ ····························································································· 12
2.4 表示 ··························································································································· 13
3 品質評価手順·················································································································· 13
4 試験及び測定手順············································································································ 13
4.1 一般事項 ····················································································································· 13
4.2 標準試験状態 ··············································································································· 14
4.3 乾燥及び後処理 ············································································································ 14
4.4 取付け（表面実装形NTCサーミスタに適用） ···································································· 14
4.5 外観検査及び寸法検査 ··································································································· 16
4.6 ゼロ負荷抵抗値 ············································································································ 16
4.7 B定数又は抵抗比 ·········································································································· 17
4.8 絶縁抵抗値（絶縁形NTCサーミスタに適用） ···································································· 17
4.9 耐電圧（絶縁形NTCサーミスタに適用） ·········································································· 19
4.10 抵抗−温度特性 ··········································································································· 20
4.11 熱放散定数δ ··············································································································· 20
4.12 周囲温度変化による熱時定数τa ······················································································ 22
4.13 自己発熱からの冷却による熱時定数τc ············································································· 22
4.14 端子強度（表面実装形NTCサーミスタ以外に適用） ························································· 23
4.15 はんだ耐熱性 ·············································································································· 24
4.16 はんだ付け性 ·············································································································· 25
4.17 温度急変 ···················································································································· 26
4.18 振動 ·························································································································· 26
4.19 バンプ ······················································································································· 27
4.20 衝撃 ·························································································································· 27
4.21 自然落下（個別規格に規定がある場合） ·········································································· 27
4.22 二液槽温度急変（個別規格に規定がある場合） ································································· 27
4.23 低温（耐寒性）（個別規格に規定がある場合） ·································································· 28
4.24 高温（耐熱性）（個別規格に規定がある場合） ·································································· 29
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4.25 高温高湿（定常） ········································································································ 29
4.26 耐久性 ······················································································································· 30
4.27 固着性（表面実装形NTCサーミスタに適用） ·································································· 34
4.28 耐プリント板曲げ性（表面実装形NTCサーミスタに適用） ················································ 35
4.29 部品の耐溶剤性 ··········································································································· 35
4.30 表示の耐溶剤性 ··········································································································· 35
4.31 塩水噴霧（個別規格に規定がある場合） ·········································································· 36
4.32 封止（個別規格に規定がある場合） ················································································ 36
4.33 温湿度組合せ（サイクル）（個別規格に規定がある場合） ··················································· 36
附属書A（参考）IEC電子部品品質認証制度（IECQ）などに用いる場合の
IEC 60410の抜取計画及び手順の説明 ················································································ 37
附属書B（規定）電子機器用コンデンサ及び抵抗器のための個別規格を用意するための規則·············· 38
附属書C（参考）直熱形NTCサーミスタの測定のための取付方法················································ 39
附属書Q（規定）IEC電子部品品質認証制度（IECQ）に用いる場合の品質評価手順························ 40
附属書JA（参考）直熱形NTCサーミスタの図記号 ··································································· 43
附属書JB（参考）JISと対応国際規格との対比表 ······································································ 44
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まえがき
この規格は，工業標準化法第14条によって準用する第12条第1項の規定に基づき，一般社団法人電子
情報技術産業協会（JEITA）及び一般財団法人日本規格協会（JSA）から，工業標準原案を具して日本工業
規格を改正すべきとの申出があり，日本工業標準調査会の審議を経て，経済産業大臣が改正した日本工業
規格である。これによって，JIS C 2570-1:2006は改正され，この規格に置き換えられた。
この規格は，著作権法で保護対象となっている著作物である。
この規格の一部が，特許権，出願公開後の特許出願又は実用新案権に抵触する可能性があることに注意
を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は，このような特許権，出願公開後の特許出願及び実
用新案権に関わる確認について，責任はもたない。
JIS C 2570の規格群には，次に示す部編成がある。
JIS C 2570-1 第1部：品目別通則
JIS C 2570-2 第2部：品種別通則−表面実装形NTCサーミスタ
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日本工業規格 JIS
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直熱形NTCサーミスタ−第1部：品目別通則
Directly heated negative temperature coefficient thermistors-
Part 1: Generic specification
序文
この規格は，2008年に第2版として発行されたIEC 60539-1を基とし，我が国の実情に合わせるため，
技術的内容を変更して作成した日本工業規格である。
なお，この規格で側線又は点線の下線を施してある箇所は，対応国際規格を変更している事項である。
変更の一覧表にその説明を付けて，附属書JBに示す。また，附属書JAは対応国際規格にはない事項であ
る。
1
一般事項
1.1
適用範囲
この規格は，半導体特性をもつ遷移金属酸化物によって作られる直熱形の負温度係数サーミスタ（以下，
NTCサーミスタという。）の品質評価，また，その他の目的として，品種別通則及び個別規格で用いる用
語，検査手順及び試験方法について規定する。
注記 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を，次に示す。
IEC 60539-1:2008，Directly heated negative temperature coefficient thermistors−Part 1: Generic
specification（MOD）
なお，対応の程度を表す記号“MOD”は，ISO/IEC Guide 21-1に基づき，“修正している”
ことを示す。
1.2
引用規格
次に掲げる規格は，この規格に引用されることによって，この規格の規定の一部を構成する。これらの
引用規格のうちで，西暦年を付記してあるものは，記載の年の版を適用し，その後の改正版（追補を含む。）
は適用しない。西暦年の付記がない引用規格は，その最新版（追補を含む。）を適用する。
JIS C 0617（規格群） 電気用図記号
注記 対応国際規格：IEC 60617 (all parts)，Graphical symbols for diagrams（MOD）
JIS C 5005-2:2010 品質評価システム−第2部：電子部品及び電子パッケージのための抜取検査方式
の選択及び活用（統計的工程品質限界の評価手順）
JIS C 5062:2008 抵抗器及びコンデンサの表示記号
注記 対応国際規格：IEC 60062，Marking codes for resistors and capacitors（MOD）
JIS C 6484:2005 プリント配線板用銅張積層板−耐燃性ガラス布基材エポキシ樹脂
注記 対応国際規格：IEC 61249-2-7，Materials for printed boards and other interconnecting structures−
Part 2-7: Reinforced base materials clad and unclad−Epoxide woven E-glass laminated sheet of
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defined flammability (vertical burning test), copper-clad（MOD）
JIS C 60068-1:1993 環境試験方法−電気・電子−通則
注記 対応国際規格：IEC 60068-1:1988，Environmental testing−Part 1: General and guidance及び
Amendment 1:1992（MOD）
JIS C 60068-2-1:2010 環境試験方法−電気・電子−第2-1部：低温（耐寒性）試験方法（試験記号：
A）
注記 対応国際規格：IEC 60068-2-1:2007，Environmental testing−Part 2-1: Tests−Test A: Cold（IDT）
JIS C 60068-2-2:2010 環境試験方法−電気・電子−第2-2部：高温（耐熱性）試験方法（試験記号：
B）
注記 対応国際規格：IEC 60068-2-2:2007，Environmental testing−Part 2-2: Tests−Test B: Dry heat
（IDT）
JIS C 60068-2-6:2010 環境試験方法−電気・電子−第2-6部：正弦波振動試験方法（試験記号：Fc）
注記 対応国際規格：IEC 60068-2-6: 1995，Environmental testing−Part 2-6: Tests−Test Fc: Vibration
(sinusoidal)（MOD）
JIS C 60068-2-11:1989 環境試験方法（電気・電子）塩水噴霧試験方法
注記 対応国際規格：IEC 60068-2-11:1981，Basic environmental testing procedures−Part 2-11: Tests−
Test Ka: Salt mist（IDT）
JIS C 60068-2-14:2011 環境試験方法−電気・電子−第2-14部：温度変化試験方法（試験記号：N）
注記 対応国際規格：IEC 60068-2-14:1984，Basic environmental testing procedures−Part 2-14: Tests−
Test N: Change of temperature及びAmendment 1:1986（MOD）
JIS C 60068-2-17:2001 環境試験方法−電気・電子−封止（気密性）試験方法
注記 対応国際規格：IEC 60068-2-17:1994，Basic environmental testing procedures−Part 2-17: Tests−
Test Q: Sealing（IDT）
JIS C 60068-2-20:2010 環境試験方法−電気・電子−第2-20部：試験−試験T−端子付部品のはんだ
付け性及びはんだ耐熱性試験方法
注記 対応国際規格：IEC 60068-2-20:1979，Basic environmental testing procedures−Part 2-20: Tests−
Test T: Soldering及びAmendment 2:1987（MOD）
JIS C 60068-2-21:2009 環境試験方法−電気・電子−第2-21部：試験−試験U：端子強度試験方法
注記 対応国際規格：IEC 60068-2-21:2006，Environmental testing−Part 2-21: Tests−Test U: Robustness
of terminations and integral mounting devices（IDT）
JIS C 60068-2-27:2011 環境試験方法−電気・電子−第2-27部：衝撃試験方法（試験記号：Ea）
注記 対応国際規格：IEC 60068-2-27:1987，Basic environmental testing procedures−Part 2-27: Tests−
Test Ea and guidance: Shock（MOD）
JIS C 60068-2-31:2013 環境試験方法−電気・電子−第2-31部：落下試験及び転倒試験方法（試験記
号：Ec）
注記 対応国際規格で引用しているIEC 60068-2-32:1975，Environmental testing−Part 2-32: Tests−
Test Ed: Free fall及びAmendment 2:1990は，IEC 60068-2-31:2008，Environmental testing−Part
2-31: Tests−Test Ec: Rough handling shocks, primarily for equipment-type specimensに置き換え
られているため，このIEC 60068-2-31に対応するJIS C 60068-2-31を採用した。
JIS C 60068-2-38:1988 環境試験方法（電気・電子）温湿度組合せ（サイクル）試験方法
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注記 対応国際規格：IEC 60068-2-38:1974，Basic environmental testing procedures−Part 2-38: Tests−
Test Z/AD: Composite temperature/humidity cyclic test（IDT）
JIS C 60068-2-45:1995 環境試験方法−電気・電子−耐溶剤性（洗剤溶剤浸せき）試験方法
注記 対応国際規格：IEC 60068-2-45:1980，Basic environmental testing procedures−Part 2-45: Tests−
Test XA and guidance: Immersion in cleaning solvents及びAmendment 1:1993（IDT）
JIS C 60068-2-52:2000 環境試験方法−電気・電子−塩水噴霧（サイクル）試験方法（塩化ナトリウ
ム水溶液）
注記 対応国際規格：IEC 60068-2-52:1996，Environmental testing−Part 2-52: Tests−Test Kb: Salt mist,
cyclic (sodium chloride solution)（IDT）
JIS C 60068-2-54:2009 環境試験方法−電気・電子−はんだ付け性試験方法（平衡法）
注記 対応国際規格：IEC 60068-2-54:2006，Environmental testing−Part 2-54: Tests−Test Ta:
Solderability testing of electronic components by the wetting balance method（MOD）
JIS C 60068-2-58:2006 環境試験方法−電気・電子−表面実装部品（SMD）のはんだ付け性，電極の
耐はんだ食われ性及びはんだ耐熱性試験方法
注記 対応国際規格：IEC 60068-2-58:2004，Environmental testing−Part 2-58: Tests−Test Td: Test
methods for solderability，resistance to dissolution of metallization and to soldering heat of surface
mounting devices (SMD)（MOD）
JIS C 60068-2-69:2009 環境試験方法−電気・電子−第2-69部：試験−試験Te：表面実装部品（SMD）
のはんだ付け性試験方法（平衡法）
注記 対応国際規格：IEC 60068-2-69:2007，Environmental testing−Part 2-69: Tests−Test Te:
Solderability testing of electronic components for surface mounting devices (SMD) by the wetting
balance method（IDT）
JIS C 60068-2-78:2015 環境試験方法−電気・電子−第2-78部：高温高湿（定常）試験方法（試験記
号：Cab）
注記1 対応国際規格：IEC 60068-2-78:2001，Environmental testing−Part 2-78: Tests−Test Cab: Damp
heat, steady state（MOD）
注記2 IEC 60068-2-78:2001は，2012年版に改正されており，このIEC規格でJIS化された。
JIS Z 8203:2000 国際単位系（SI）及びその使い方
注記 対応国際規格：ISO 1000，SI units and recommendations for the use of their multiples and of certain
other units（IDT）
IEC 60027-1，Letter symbols to be used in electrical technology−Part 1: General
IEC 60050 (all parts)，International Electrotechnical Vocabulary (IEV)
IEC 60294，Measurement of the dimensions of a cylindrical component with axial terminations
IEC 60410，Sampling plans and procedures for inspection by attributes
IEC 60717，Method for the determination of the space required by capacitors and resistors with unidirectional
terminations
IEC QC 001002-3:2005，IEC Quality Assessment System for Electronic Components (IECQ)−Rules of
Procedure−Part 3: Approval procedures
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
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技術データ
2.1
単位，記号及び専門用語
単位，図記号，文字記号及び専門用語は，次の規格から引用することが望ましい。
− IEC 60027-1
− IEC 60050（規格群）
− JIS C 0617（規格群）
− JIS Z 8203
上記の規格に規定しない事項が必要となった場合は，上記の規格の原則に従って用いることが望ましい。
2.2
用語及び定義
この規格で用いる主な用語及び関連する用語の定義は，次による。
2.2.1
形式（type）
同じ技術によって製造したものであり，類似の設計上の特徴をもち，製造業者の一般的な定格の範囲内
にある製品群。
注記1 試験結果に重大な影響を及ぼさない場合，取付用附属品は形式の定義に含めていない。
注記2 形式の定格は，次の組合せを含んでいる。
− 電気的定格
− 寸法
− 耐候性カテゴリ
注記3 形式の定格範囲の限度値は，個別規格に規定することが望ましい。
2.2.2
形状（style）
ある特定の呼称寸法及び特性をもつ形式内の類似品。
2.2.3
サーミスタ（thermistor）
素子の温度変化によって，主要機能における電気抵抗が顕著な変化を示す，温度に敏感な半導体抵抗器。
サーミスタには，負温度係数サーミスタ（NTCサーミスタ）と正温度係数サーミスタ（PTCサーミスタ）
とがある。
2.2.4
負温度係数（NTC）サーミスタ［negative temperature coefficient (NTC) thermistor］
温度上昇に伴い抵抗値が減少するサーミスタ。
注記 一般には，NTCサーミスタという用語が用いられる。
2.2.5
直熱形負温度係数サーミスタ（directly heated negative temperature coefficient thermistor）
サーミスタを流れる電流，周囲温度，湿度，風速，ガスなどの物理的条件の変化によって抵抗値が変化
するNTCサーミスタ。
注記 図記号は附属書JAを参照。
2.2.6
傍熱形負温度係数サーミスタ（indirectly heated negative temperature coefficient thermistor）
サーミスタに密に接してはいるが電気的に絶縁しているヒータの電流変化などに伴い，サーミスタが温
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度変化することによって最初の抵抗値が変化するNTCサーミスタ。
注記 NTCサーミスタ素子自体に流れる電流，周囲温度，湿度，風速，ガスなどの物理的条件の変化
によってNTCサーミスタ素子の温度も変化する場合もある。
2.2.7
正温度係数（PTC）サーミスタ（参考）［positive temperature coefficient (PTC) thermistor］
温度上昇に伴い抵抗値が上昇するサーミスタ。
2.2.8
ワイヤ端子付きNTCサーミスタ（thermistor with wire terminations）
ワイヤ端子を備えたNTCサーミスタ。
2.2.9
ワイヤ端子なしNTCサーミスタ（thermistor without wire terminations）
電気的に接続するために，二つの電極だけを備えたNTCサーミスタ。
2.2.10
絶縁形NTCサーミスタ（insulated thermistor）
樹脂，ガラス，セラミックなどの材料で被覆され，試験項目で規定する絶縁抵抗値及び耐電圧試験に関
する要求事項を満たすNTCサーミスタ。
2.2.11
非絶縁形NTCサーミスタ（non-insulated thermistor）
素子表面の被覆材の有無にかかわらず，試験項目で規定する絶縁抵抗値及び耐電圧試験に関する要求事
項を満たしていないNTCサーミスタ。
2.2.12
表面実装形NTCサーミスタ（surface mount thermistor）
小さな寸法及び端子の種類又は形状が，ハイブリッド回路及びプリント配線板での使用に適したNTC
サーミスタ。
2.2.13
組立形NTCサーミスタ（プローブ）［assembled thermistor (probe)］
様々な材質の，チューブ，プラスチックケース，金属ケースなどに封入し，ケーブル，コネクタなどと
ともに組み立てたNTCサーミスタ。
2.2.14
検知用NTCサーミスタ（thermistor for sensing）
温度検知及び温度制御に用いるNTCサーミスタ。
2.2.15
突入電流抑制用NTCサーミスタ（inrush current limiting thermistor）
電源を入れた直後の突入電流を抑制するNTCサーミスタ。
2.2.16
残留抵抗値（突入電流抑制用NTCサーミスタに適用）（residual resistance）
最大電流を流して温度が安定したときのNTCサーミスタの直流抵抗値。
2.2.17
最大許容コンデンサ容量（突入電流抑制用NTCサーミスタに適用）（maximum permissible capacitance）
負荷時にNTCサーミスタに接続することができるコンデンサの最大許容静電容量値。
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2.2.18
ゼロ負荷抵抗値，RT（zero-power resistance）
規定する温度において，自己発熱による抵抗値の変化が，測定したときの総合誤差と比較して無視でき
るような条件で測定したNTCサーミスタの直流抵抗値。
2.2.19
定格ゼロ負荷抵抗値（rated zero-power resistance）
その他の規格に規定がない場合，基準温度25 ℃における公称ゼロ負荷抵抗値。
2.2.20
抵抗−温度特性（resistance-temperature characteristic）
ゼロ負荷抵抗値とNTCサーミスタ素子の温度との関係。
抵抗値は，近似的に式(1)によって算出する。
また，NTCサーミスタの代表的な抵抗−温度特性を，図1に示す。
−
×
=
a
1
1
ae
T
T
B
R
R
········································································ (1)
ここに，
R： 絶対温度T（K）におけるゼロ負荷抵抗値（Ω）
Ra： 絶対温度Ta（K）におけるゼロ負荷抵抗値（Ω）
B： B定数（2.2.22参照）
注記 この算出式は，限定した温度範囲内での抵抗値変動を表すときだけ適用できる。より正確な抵
抗−温度（R−T）特性曲線を得るためには，抵抗−温度特性の関係を表形式で個別規格に規定
することが望ましい。
注記 温度範囲が広い場合，下方向に僅かに凸の曲線となっている。
図1−NTCサーミスタの代表的な抵抗−温度特性
2.2.21
抵抗比（resistance ratio）
基準温度25 ℃におけるゼロ負荷抵抗値に対する85 ℃において測定したゼロ負荷抵抗値の比。その他の
温度との組合せにおける抵抗比を個別規格に規定してもよい。
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2.2.22
B定数（B-value）
式(2)又は式(3)のうち，いずれかによって算出することができる抵抗値変化の大きさを表す定数。
b
a
a
b
b
a
lnRR
T
T
T
T
B
×
−
×
=
······································································ (2)
b
a
a
b
b
a
log
303
.2
R
R
T
T
T
T
B
×
−
×
×
=
··························································· (3)
ここに，
B： B定数（K）
Ra： 温度Ta（K）におけるゼロ負荷抵抗値（Ω）
Rb： 温度Tb（K）におけるゼロ負荷抵抗値（Ω）
Ta： 298.15 K 1)
Tb： 358.15 K 1)
注記 推奨値以外の温度間でのB定数の測定を個別規格に規定する場合，上記の式のTa及びTb（Ta
＜Tb）にそれらの温度を代入して算出し，そのときのB定数を“Ba/b”で表してもよい。
注1) 温度Ta及びTbの推奨値であり，それぞれ＋25 ℃及び＋85 ℃に等しい。
2.2.23
ゼロ負荷抵抗値温度係数，αT（zero-power temperature coefficient of resistance）
規定する温度Tにおける1 K当たりのゼロ負荷抵抗値の変化率を示す係数。その係数は，式(4)によって
算出する。
100
d
d
1
T
T
×
×
=
T
R
R
α
····································································· (4)
αTの値は，近似的に式(5)によって算出することができる。
100
2
T
×
−
=T
α
B
··········································································· (5)
ここに，
αT： ゼロ負荷抵抗値温度係数（%/K）
RT： 温度T（K）におけるゼロ負荷値抵抗値（Ω）
B： B定数（K）
2.2.24
カテゴリ温度範囲（category temperature range）
設計上，ゼロ負荷の状態でNTCサーミスタを連続して動作することができる，適切なカテゴリでの温度
の上下限で表す周囲温度の範囲。
2.2.25
カテゴリ上限温度，Tmax（upper category temperature）
設計上，ゼロ負荷の状態でNTCサーミスタを連続して動作することができる最高周囲温度。
2.2.26
カテゴリ下限温度，Tmin（lower category temperature）
設計上，ゼロ負荷の状態でNTCサーミスタを連続して動作することができる最低周囲温度。
2.2.27
保存温度範囲（storage temperature range）
無負荷の状態の下でNTCサーミスタを連続して保存することができる周囲温度範囲。
8
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2.2.28
電力軽減曲線（突入電流抑制用NTCサーミスタ以外に適用）（decreased power dissipation curve）
周囲温度と最大電力との関係を表す曲線。
通常，電力軽減曲線は，曲線a又は曲線bで表すことができる（図2参照）。
a) 曲線a
b) 曲線b
TR
：定格周囲温度（℃）（2.2.29参照）
T1
：最大電力がゼロから上昇する温度（℃）
T2
：最大電力が一定値となる下限温度（℃）
T3
：最大電力が一定値から低下する温度（℃）
曲線aの場合はTRを超える温度，曲線bの場合はTRと等しい。
T4
：最大電力が低下してゼロになる温度（℃）
注記 Pmax T及びPmax TRは，それぞれ2.2.29及び2.2.30を参照。
図2−電力軽減曲線
2.2.29
定格周囲温度TRにおける最大電力，PmaxTR（maximum power dissipation at rated ambient temperature TR）
定格周囲温度TR（図2，曲線aでのT2≦TR≦T3，曲線bでのT2≦TR＝T3）においてNTCサーミスタに連
続的に印加することができる電力の最大値。
定格周囲温度TRは，個別規格に規定する周囲温度で，通常は25 ℃である。
2.2.30
周囲温度Tにおける最大電力，PmaxT（maximum power dissipation at ambient temperature T）
9
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周囲温度TにおいてNTCサーミスタに連続的に印加することができる電力の最大値。
例1 曲線a［図2 a)参照］
温度T1から温度T2への温度上昇に伴い，最大電力は直線的に上昇する。温度T2から温度T3
までの間では最大電力は一定である。温度T3を超えると最大電力は直線的に下降し，温度T4
でゼロ（0）になる。
一般的に，周囲温度Tにおける最大電力は，式(6)によって算出する。
PmaxT＝ImaxT×U ·········································································· (6)
ここに， PmaxT： 周囲温度Tにおける最大電力
ImaxT： 周囲温度Tにおける最大電流（2.2.32参照）
U： NTCサーミスタにかかる電圧
最大電力は，式(7)及び式(8)によって算出することができる。
T1≦T≦T2：
1
2
1
TR
max
T
max
T
T
T
T
P
P
−
−
×
=
················································ (7)
T3≦T≦T4：
3
4
4
TR
max
T
max
T
T
T
T
P
P
−
−
×
=
················································ (8)
ここに，
TR： 定格周囲温度（℃）
T： 周囲温度（℃）
T1： 個別規格に規定する最大電力がゼロとなる下限温度（℃）。
カテゴリ下限温度Tmin又はそれ以上の温度（℃）である。
T2： 最大電力Pmaxにおける下限温度。
個別規格に規定がない場合，T2＝0 ℃とする。
T3： 最大電力Pmaxにおける上限温度。
個別規格に規定がない場合，T3＝55 ℃とする。
T4： 個別規格に規定する最大電力がゼロとなる上限温度（℃）。
カテゴリ上限温度Tmax又はそれ以下の温度（℃）である。
例2 曲線b［図2 b)参照］
温度T2から温度T3までの間では最大電力は一定である。個別規格に規定がない場合，温度
T2＝0 ℃とする。温度T3を超えると，最大電力は直線的に下降し，温度T4でゼロ（0）になる。
一般的に，周囲温度Tにおける最大電力は，式(9)によって算出する。
PmaxT＝ImaxT×U ·········································································· (9)
ここに， PmaxT： 周囲温度Tにおける最大電力
ImaxT： 周囲温度Tにおける最大電流（2.2.32参照）
U： NTCサーミスタにかかる電圧
最大電力は，式(10)によって算出することができる。
TR≦T≦T4：
R
4
4
TR
max
T
max
T
T
T
T
P
P
−
−
×
=
·············································· (10)
ここに，
TR： 定格周囲温度（℃）。
個別規格に規定がない場合，TR＝25 ℃とする。
T4： 個別規格に規定する最大電力がゼロとなる上限温度（℃）。
カテゴリ上限温度Tmax又はそれ以下の温度（℃）である。
2.2.31
周囲温度25 ℃における最大電流，Imax25（突入電流抑制用NTCサーミスタに適用）（maximum current at
ambient temperature of 25 °C）
周囲温度25 ℃（図3，曲線cでのT2≦25 ℃≦T3，曲線dでのT2≦TR＝T3）において，NTCサーミスタ
10
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に連続的に通電することができる電流の最大値（直流電流値又は正弦波交流の実効値）。
注記1 （対応国際規格の注記1は，本文に括弧書きで追加したため，削除した。）
注記2 周囲温度25 ℃における最大電力（Pmax25）は，Pmax25＝Imax25×Uによって算出することがで
きる。
ここで，UはNTCサーミスタに印加される電圧である。
a) 曲線c
b) 曲線d
TR
：定格周囲温度（℃）（2.2.31参照）
T1
：最大電流がゼロから上昇する温度（℃）
T2
：最大電流が一定値となる下限温度（℃）
T3
：最大電流が一定値から低下する温度（℃）
曲線cの場合はTRを超える温度，曲線dの場合はTRと等しい。
T4
：最大電流が低下してゼロになる温度（℃）
図3−最大電流軽減
2.2.32
周囲温度Tにおける最大電流，ImaxT（maximum current at ambient temperature T）
周囲温度TにおいてNTCサーミスタに連続的に通電することができる電流の最大値。
例1 曲線c［図3 a)参照］
温度T1から温度T2への温度上昇に伴い，最大電流は直線的に上昇する。温度T2から温度T3
までの間では電流は一定である。温度T3を超えると電流は直線的に下降し，温度T4でゼロ（0）
になる。
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最大電流は，式(11)及び式(12)によって算出することができる。
T1≦T≦T2：
1
2
1
25
max
T
max
T
T
T
T
I
I
−
−
×
=
················································(11)
T3≦T≦T4：
3
4
4
25
max
T
max
T
T
T
T
I
I
−
−
×
=
··············································· (12)
ここに，
T： 周囲温度（℃）
T1： 個別規格に規定する温度（℃）。
カテゴリ下限温度Tmin又はそれ以上の温度（℃）である。
T2： 個別規格に規定がない場合，T2＝0 ℃とする。
T3： 個別規格に規定がない場合，T3＝55 ℃とする。
T4： 個別規格に規定する温度（℃）。
カテゴリ上限温度Tmax又はそれ以下の温度（℃）である。
例2 曲線d［図3 b)参照］
温度T2から温度T3までの間では最大電流は一定である。個別規格に規定がない場合，温度
T2＝0 ℃とする。温度が温度T3を超えると電流は放物的に下降し，温度T4でゼロ（0）になる。
最大電流は，式(13)によって算出する。
TR≦T≦T4：
R
4
4
25
max
T
max
T
T
T
T
I
I
−
−
×
=
··············································· (13)
ここに，
TR： 定格周囲温度（℃）。
個別規格に規定がない場合，TR＝25 ℃とする。
T： 周囲温度（℃）
T4： 個別規格に規定する温度。
カテゴリ上限温度Tmax又はそれ以下の温度（℃）である。
2.2.33
熱放散定数，δ（dissipation factor）
温度安定でNTCサーミスタ素子の温度を自己発熱によって1 K上げるために必要な電力。一般に，規定
する周囲温度におけるNTCサーミスタ素子の温度変化に伴う電力の変動の係数で，NTCサーミスタの消
費電力を素子の温度上昇分で除して求める。
2.2.34
応答時間（response time）
周囲温度及び／又は電力の変化によって，NTCサーミスタ素子の温度が規定する温度間を変化するため
に要する時間（s）。
注記 実際に応答時間を直接計測することは不可能なため，熱時定数を直接計測するための二つの方
法を規定している。
2.2.34.1
周囲温度変化による熱時定数，τa（thermal time constant by ambient temperature change）
ゼロ負荷の状態の下で，規定する媒質中で，NTCサーミスタの周囲温度（媒質温度）を急変させた場合，
NTCサーミスタ素子の，最初の温度から最終到達温度までの63.2 %変化するのに要する時間（s）。
注記 媒質温度の急変の条件及び媒質は，個別規格に規定している。
2.2.34.2
自己発熱からの冷却による熱時定数，τc（thermal time constant by cooling after self-heating）
規定する媒質中で，NTCサーミスタに通電する電流をゼロ負荷でない状態からゼロ負荷の状態に急変さ
12
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せた場合，自己発熱によるNTCサーミスタ素子の，最終到達温度と周囲温度（媒質温度）との温度差の
63.2 %まで下降するために要する時間（s）。
注記 媒質温度の急変の条件及び媒質は，個別規格に規定している。
2.2.35
熱容量，Cth（heat capacity）
NTCサーミスタの温度が1 K上昇するために必要なエネルギー（J）。熱容量は，部品の構造及び材質に
よって決まる。
熱容量は，式(14)によって算出する。
Cth＝δ×τc 又は Cth＝δ×τa ······················································ (14)
ここに，
Cth： 熱容量
δ： 熱放散定数
τa： 周囲温度変化による熱時定数
τc： 自己発熱からの冷却による熱時定数
注記 対応国際規格に記載の注記（NOTE）は規定事項のため，本文に移動した。
2.2.36
電圧−電流特性（voltage-current characteristic）
周囲温度25 ℃又は個別規格に規定する温度における，静止空気中又は個別規格に規定する媒質中で，
NTCサーミスタに一定電流（直流電流値又は交流の実効値）を通電し，NTCサーミスタが温度安定に達し
たときに流れる電流とNTCサーミスタにかかる電圧との関係。
2.2.37
自己発熱を上限とする最大動作電力（検知用NTCサーミスタに適用），PΔT（maximum operating power for
limited self-heating）
実用上，NTCサーミスタに連続的に通電することができ，かつ，NTCサーミスタの発熱（自己発熱）に
よる検知誤差を考慮した消費電力の最大値（IΔT×UΔT）。
個別規格に規定がない場合，ΔTは1 Kに等しい。
PΔT，IΔTとUΔTとの関係を式(15)，式(16)及び式(17)によって表す。
PΔT＝δ×ΔT ············································································ (15)
T
ΔT
Δ
R
T
I
×
=δ
········································································ (16)
)
Δ
(
T
ΔT
T
R
U
×
=
δ
··································································· (17)
ここに， PΔT： 自己発熱を上限とする最大動作電力
δ： 熱放散定数
ΔT： NTCサーミスタの発熱による温度上昇
IΔT： 許容動作電流
UΔT： 許容動作電圧
RT： 温度T（K）における抵抗値
2.3
推奨値及び耐候性カテゴリ
2.3.0A 推奨値
それぞれの品種に適した推奨値は，品種別通則に規定する。
2.3.1
耐候性カテゴリ
この規格に規定するNTCサーミスタは，JIS C 60068-1の附属書A（部品の耐候性カテゴリー）に規定
13
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する一般原則に基づく耐侯性カテゴリによって分類する。
その場合のカテゴリ上限温度，カテゴリ下限温度及び高温高湿（定常）試験の試験日数は，表1の中か
ら選択する。
表1−カテゴリ上限温度，カテゴリ下限温度及び高温高湿（定常）試験の試験日数
カテゴリ下限温度（℃）
−90，−80，−65，−55，−40，−5，−10，−5，＋5
カテゴリ上限温度（℃）
30，40，55，70，85，100，105，125，150，155，175，
200，250，315，400，500，630，800，1 000
高温高湿（定常）試験の試験日数（日） 4，21，42，56
個別規格において適切な耐候性カテゴリを規定する。
2.4
表示
2.4.1
一般事項
表示場所がある場合，原則NTCサーミスタには，次の優先順位で各項目を明確に表示する。
a) 定格ゼロ負荷抵抗値
b) 製造業者名及び／又は登録商標
c) 製造日
d) 定格ゼロ負荷抵抗値の許容差
e) 個別規格の番号及び形状
NTCサーミスタの包装には，上記の項目を全て表示する。
その他の表示項目を追加する場合には，混乱しないように表示する。
2.4.2
表面実装形などの小形のNTCサーミスタの場合
一般的に本体には表示しない。本体に表示が可能な場合，上記項目のうち有用な項目をできるだけ多く
表示する。本体における表示項目の重複は避けることが望ましい。
2.4.3
記号化
抵抗値，許容差及び製造日を記号化する場合，JIS C 5062に規定する方法から選択する。
3
品質評価手順
この規格及び下位規格において，IEC電子部品品質認証制度（IECQ）などの総合的な品質評価制度を
用いる場合，附属書Qに規定する関連事項を適用する。
4
試験及び測定手順
4.1
一般事項
品種別通則及び／又はブランク個別規格には，実施する試験項目を示す表を規定する。それらの表には
各試験又はサブグループの試験の前後に測定する項目及び実施する試験の順序を規定する。各試験の各段
階は規定する順序で実施する。測定条件は，初期測定と最終測定とで同一とする。
品質認証制度をもつ国内規格が上記の規定と異なる事項を含む場合，それらについて詳しく記載する。
この箇条4で適用する個別の試験方法は，1.2に規定するJIS C 60068-2規格群による。
注記 3桁の細分箇条には，規定内容に整合したタイトルを付け，また，規定内容ごとにまとめ直し
ている。それぞれのまとめ方は，一般事項の下に注記を設けてその内容を記載している。
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4.2
標準試験状態
個別規格に規定がない場合，試験及び測定は，JIS C 60068-1の5.3［測定及び試験のための標準大気条
件（標準状態）］に規定する次の条件で実施する。
− 温度 ：15 ℃〜35 ℃
− 相対湿度：25 %〜75 %
− 気圧 ：86 kPa〜106 kPa
前処理として，測定前にNTCサーミスタが測定温度に達するまで十分に放置する。一般的に，試験後の
後処理もNTCサーミスタが規定温度に達するまで，規定時間放置する。
測定の間，NTCサーミスタを過度の通風，直射日光又はその他測定に影響を与えるような環境には置か
ない。
規定する温度以外で測定する場合，必要に応じて，測定結果を規定する温度の値に補正する。測定時の
周囲温度は試験報告書に記載する。
連続して試験する場合，ある試験の最終測定における測定値を，継続して実施する試験における初期測
定の測定値としてもよい。
4.3
乾燥及び後処理
4.3.1
乾燥
乾燥が必要な場合，測定に先立ち，個別規格の規定によって次の手順1又は手順2を用いてNTCサーミ
スタを乾燥をさせる。
a) 手順1 温度55 ℃±2 ℃，相対湿度20 %以下の槽内で24時間±4時間放置する。
b) 手順2 温度100 ℃±5 ℃の槽内で96時間±4時間放置する。
乾燥処理後のNTCサーミスタは，活性アルミナ，シリカゲルなどの適切な乾燥剤を用いたデシケータの
中で冷却する。また，乾燥器（高温槽）から取り出してから規定する試験を開始するまで，デシケータの
中で保管する。
4.3.2
後処理
個別規格に規定がない場合，後処理条件は，4.2の標準試験状態とする。後処理を厳密に管理した条件で
実施する場合，JIS C 60068-1の5.4.1（管理された後処理条件）の規定による。
4.4
取付け（表面実装形NTCサーミスタに適用）
4.4.1
一般事項
表面実装用NTCサーミスタは，4.4.2及び，4.4.3のa)ウェーブソルダリング又はb)リフローソルダリン
グでプリント配線板に取り付ける。
注記 対応国際規格の4.4.1〜4.4.4の規定内容を変更せずに4.4.1〜4.4.3の項目ごとにまとめ直した。
4.4.2
プリント配線板及びそのランドパターン
表面実装用NTCサーミスタを取り付けるプリント配線板及びそのランドパターンは，次による。
a) プリント配線板の材質は，1.6 mmの厚さのガラス布基材エポキシ樹脂のプリント配線板用銅張積層板
（JIS C 6484に規定する特性GE4Fのもの）又は0.635 mmの厚さのアルミナ基板とし，試験及び測定
に対して影響を与えないものを用いる。個別規格にプリント配線板の材質を規定する。
b) プリント配線板は，表面実装NTCサーミスタを装着できる適切な間隔でランドをもち，NTCサーミ
スタと電極との間で電気的に接続できなければならない。附属書Cに，ランドパターン例の記載があ
る。ランドパターンの詳細は，個別規格に規定する。
15
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4.4.3
NTCサーミスタのプリント配線板への取付け
NTCサーミスタは，プリント配線板への取付けは，次のいずれかの方法で実施する。
a) ウェーブソルダリングを用いる場合 個別規格にウェーブソルダリングの規定がある場合，次の手順
で取り付ける。用いるフラックスの活性度は，個別規格に規定する。
1) NTCサーミスタをプリント配線板に固定するために個別規格に規定する適切な接着剤をはんだ付
けする前に用いる。再現性がある結果を保証できる方法で，接着剤の小滴をプリント配線板のラン
ド間に付ける。
2) NTCサーミスタを，ピンセットを用いて接着剤の小滴の上に置く。NTCサーミスタを動かすときに
は，接着剤が導電部に付着しないよう注意する。
3) 表面実装形NTCサーミスタを取り付けたプリント配線板を，温度100 ℃の槽で15分間熱処理する。
4) プリント配線板は，予備加熱温度を80 ℃〜130 ℃，はんだ槽温度を260 ℃±5 ℃及びはんだ付け
時間を5秒±0.5秒間に設定したウェーブソルダリング装置ではんだ付けする。このはんだ付け操作
を，再度繰り返す（合計2サイクル）。
5) NTCサーミスタを取り付けたプリント配線板を，適切な溶剤［JIS C 60068-2-45の3.1.2［2-プロパ
ノール（イソプロピルアルコール）］参照］中で3分間洗浄する。
b) リフローソルダリングを用いる場合 個別規格にリフローブソルダリングを規定している場合，次の
手順で取り付ける。
1) プリフォームはんだ又はソルダペーストに用いるはんだ合金は，すず−鉛共晶はんだ合金に質量分
率2 %以上の銀を添加した組成（鉛入りはんだ合金），又はSn96.5Ag3Cu0.5若しくは類似組成（鉛
フリーはんだ合金）を用いる。はんだ食われ防止層がある構造のNTCサーミスタには，鉛入りはん
だ合金としてSn60Pb40又はSn63Pb37を用いてもよい。
プリフォームはんだでの取付けに用いるフラックスは，JIS C 60068-2-20に規定する不活性フラ
ックスとする。ソルダペーストに用いるフラックスは，JIS C 60068-2-58による。
注記 はんだの種類によって，フラックスの活性度を考慮することが望ましい。
2) プリフォームはんだ又はソルダペーストのランドへの搭載は，次のいずれかの手順による。
− プリフォームはんだを，ランドの上に適切な方法で載せる。
− ソルダペーストを，ランドの上に適切な方法で塗布する。NTCサーミスタを，プリント配線板の
ランド部分の間に置く。プリフォームはんだを用いる場合は，1)のフラックスをはんだ付け部に
適切な方法で塗布する。
3) NTCサーミスタとプリント配線板のランド部分とを接続するために，プリント配線板を，適切な加
熱装置（溶融はんだ，熱板，トンネル炉など）の中又は上に置く。加熱装置の温度は，215 ℃〜260 ℃
とし，はんだが溶融し，流れて均一なはんだ付けができるまでの間，保持する。ただし，10秒間を
超えてはならない。
注記 はんだの種類によって，必要な温度に変更することが望ましい。
4) NTCサーミスタを取り付けたプリント配線板を，適切な溶剤［JIS C 60068-2-45の3.1.2［2-プロパ
ノール（イソプロピルアルコール）］参照］中で3分間洗浄する。全ての一連の動作は，汚染を避け
るようにする。プリント配線板は，試験槽内にあるとき及び試験後の測定中も清浄に保つように注
意する。
5) リフローソルダリングを用いる場合の注意事項として，次の事項がある。
− 個別規格に，より狭い温度範囲を規定してもよい。
16
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− 気相はんだ付け法（V.P.S.）を用いる場合，温度を変えて同じ手順で実施してもよい。
4.5
外観検査及び寸法検査
4.5.1
外観検査
外観検査は，NTCサーミスタの形態，出来栄え及び仕上がりについて，目視によって実施する。その結
果は，個別規格に規定する要求事項を満足しなければならない。
4.5.2
表示
表示は，目視によって検査を実施する。それらの表示は，判読できなければならない。
4.5.3
寸法（ゲージ）
個別規格にゲージによる規定がある寸法は，適切なゲージを用いて検査する。それらの寸法は，個別規
格に規定する要求事項を満足しなければならない。
測定は，IEC 60294又はIEC 60717が適用できる場合，これらの規格に従って実施する。
4.5.4
寸法（詳細）
個別規格に規定する全ての寸法は，その要求値を満足しなければならない。
4.6
ゼロ負荷抵抗値
4.6.1
一般事項
NTCサーミスタのゼロ負荷抵抗値は，個別規格に規定する温度で測定する。
4.6.2
測定
NTCサーミスタのゼロ負荷抵抗値の測定は，次の手順によって実施する。
a) NTCサーミスタを，非腐食性の支持具によって，適切な絶縁材料でできた固定板に固定する。
b) ゼロ負荷抵抗値が安定するまで，基準となる温度計に近い場所で，個別規格に規定する温度に保持し
た非腐食性，非還元性及び絶縁性のある媒質の入った測定槽にNTCサーミスタを深く浸せきする。
c) NTCサーミスタのゼロ負荷抵抗値測定の基本回路を，図4に示す。
d) 図4に基本回路をもつ測定器で，NTCサーミスタ素子の自己発熱による温度上昇が無視できる状態（ゼ
ロ負荷状態）の下で，全ての測定を実施する。
NTCサーミスタの自己発熱による消費電力による誤差，浸せき場所による温度差及び測定装置が保
有する測定性能を合わせた総合誤差は，個別規格で規定する値の許容差の10 %を超えてはならない。
E
：可変安定化直流電源
R
：保護抵抗器
Ra及びRb：比例辺抵抗器
Rs
：可変抵抗器
G
：検流計
Th
：供試NTCサーミスタ
図4−ゼロ負荷抵抗値測定の基本回路
4.6.3
要求事項
NTCサーミスタのゼロ負荷抵抗値は，個別規格に規定する許容差の範囲内とする。
17
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4.7
B定数又は抵抗比
4.7.1
一般事項
NTCサーミスタのB定数又は抵抗比は，4.6に規定する方法によって，温度25 ℃及び85 ℃（又は個別
規格に規定する温度の組合せ）において測定したゼロ負荷抵抗値を用い，B定数（2.2.22参照）又は抵抗
比（2.2.21参照）を算出する。
4.7.2
要求事項
NTCサーミスタのB定数又は抵抗比は，個別規格に規定する許容差の範囲内でなければならない。
4.8
絶縁抵抗値（絶縁形NTCサーミスタに適用）
4.8.1
一般事項
NTCサーミスタの保護コーティングの絶縁抵抗値を測定する。このとき，NTCサーミスタの露出電極部
分と他方の極とが，直接短絡しない距離を保持しければならない。
注記 対応国際規格の4.8.5及び4.8.6は項番がずれて誤っているため，4.8.3及び4.8.4と修正した。
4.8.2
測定方法
NTCサーミスタの測定は，次のa)〜f)のうちからいずれかの測定方法を選定し実施する。
a) 測定方法1 NTCサーミスタの導電部分を，絶縁性が高い材料で覆う。NTCサーミスタの保護コーテ
ィング部だけが埋まるように，直径1.6 mm±0.2 mm又は1.0 mm±0.2 mmの金属球の入った容器に入
れる。金属球は，表面に抵抗を生じないものを用いる。
測定電極の一方を，金属球の中に埋める。
測定方法1の例を，図5に示す。
図5−絶縁抵抗値測定方法の例（測定方法1）
b) 測定方法2 NTCサーミスタの絶縁部だけが浸せきするように抵抗率100 Ω･m以下の水に浸す。
測定方法2の例を，図6及び図7に示す。
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C 2570-1：2015
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
図6−絶縁抵抗値測定方法の例1（測定方法2）
図7−絶縁抵抗値測定方法の例2（測定方法2）
c) 測定方法3 金属はくを，NTCサーミスタ本体に密着するよう巻き付ける。
リード線端子が同方向に引き出されているNTCサーミスタ（ラジアルリード線端子）の場合，金属
はくの端部と各端子との間に1 mm〜1.5 mmの間隔をあける。リード線端子が反対方向に引き出され
ているNTCサーミスタ（アキシャルリード線端子）の場合，金属はくが，NTCサーミスタの両端面
から5 mm以上はみ出すようにして，NTCサーミスタ本体に巻き付ける。ただし，金属はくと端子と
の間隔は，1 mmあける。金属はくの端面は，NTCサーミスタの両端で折り曲げない。
アキシャルリード線端子をもつNTCサーミスタの測定方法3の例を，図8に示す。
図8−絶縁抵抗値測定方法の例（測定方法3）
d) 測定方法4 NTCサーミスタを，NTCサーミスタ本体がVブロックの端からはみ出さない大きさの
90°の角度をもつ金属製のVブロックのくぼみに，次のように配置して固定する。
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C 2570-1：2015
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
固定するために加える力は，Vブロックの面と適度な接触を保持できる力とする。
− 円筒形（ラジアルリード線端子などをもつ）NTCサーミスタ：NTCサーミスタの中心軸から最も離
れた端子がブロックの面の一つに最も近づくように配置する。
− 角形NTCサーミスタ：NTCサーミスタの縁に最も近い端子がブロックの面の一つに最も近づくよ
うに配置する。
− リード線端子反対方向（アキシャルリード線端子）の円筒形及び角形NTCサーミスタ：本体から端
子が出ている場所の中心ずれは無視する。
ラジアルリード線端子をもつNTCサーミスタの測定方法4の例を，図9に示す。
図9−絶縁抵抗値測定方法の例（測定方法4）
e) 測定方法5 NTCサーミスタを，2枚の金属板で挟み，金属板と適度な接触を保つような力で固定す
る。
f)
測定方法6 NTCサーミスタと絶縁した附属部分（取付ブラケット，フランジなど）とを，それぞれ
の測定電極の一方とする。
4.8.3
電圧印加方法
個別規格に規定がない場合，NTCサーミスタの両方の端子を一括したものを一方の極とし，金属球，水
（100 Ω･m以下），金属はく，Vブロック，金属板又は付属部分をもう一方の極とし，両方の極の間に直流
電圧500 V±15 Vを印加して絶縁抵抗値を測定する。
電圧は，1分間又は1分間未満の測定値が安定するまでの間，印加する。絶縁抵抗値は，その時間の最
後の値を読み取る。
4.8.4
要求事項
NTCサーミスタの絶縁抵抗値は，個別規格に規定する値以上とする。
4.9
耐電圧（絶縁形NTCサーミスタに適用）
4.9.1
一般事項
NTCサーミスタの耐電圧試験は，4.8.2に規定する試験方法のうちのいずれか一つの測定方法（個別規格
による。）を用いて，次の4.9.2の手順によって実施する。
注記 対応国際規格の4.9.1及び4.9.2は一般事項であるため4.9.1としてまとめ直した。このため，4.9.3
は4.9.2とし，4.9.4は4.9.3とした。
4.9.2
試験
NTCサーミスタの耐電圧試験は，次によって実施する。
印加電圧は，適用する安全規則（国，地域，使用機器など）の規定による。安全規則がない場合，印加
電圧方法は，次による。
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C 2570-1：2015
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個別規格に規定する絶縁電圧の1.4倍のピーク値をもつ，周波数50 Hz〜60 Hzの交流電圧を，NTCサー
ミスタの両方の端子を一括したものを一方の極とし，金属球，水（100 Ω･m以下），金属はく，Vブロック，
金属板又は附属部分をもう一方の極とし，両方の極の間に，60秒±5秒間印加する。
このとき，印加電圧は，約100 V/sの上昇率で徐々に増加させる。印加電圧を20 %増すことで，印加時
間は1秒間としてもよい。
4.9.3
要求事項
NTCサーミスタは，試験中に絶縁破壊又はフラッシオーバがあってはならない。
4.10 抵抗−温度特性
4.10.0A 一般事項
NTCサーミスタの抵抗−温度特性の測定は，次の手順によって実施する。
4.10.1 測定
NTCのサーミスタの抵抗−温度特性の測定は，個別規格に規定がない場合，測定温度を表1の中から選
択し，4.6.2に規定する方法で実施する。個別規格に規定がある場合，その規定によって測定する。
4.10.2 要求事項
NTCサーミスタの抵抗−温度特性は，個別規格に規定する値の範囲内とする。
4.11 熱放散定数δ
4.11.0A 一般事項
NTCサーミスタの熱放散定数の試験は，次の手順によって実施する。
注記 対応国際規格の4.11.3及び4.11.4は，試験の一部であり，4.11.2にまとめた。このため，4.11.5
を4.11.3とした。
4.11.1 初期測定
NTCサーミスタは，温度Tbにおけるゼロ負荷抵抗値を測定し，記録する。個別規格に規定がない場合，
温度Tbは，85 ℃±0.1 ℃とする。
4.11.2 試験
NTCサーミスタの試験は，次による。
個別規格に規定がない場合，ワイヤ端子付きNTCサーミスタは，NTCサーミスタ本体から25 mm±1.5
mmの部分を支持具でつかむ。個別規格に規定がある場合，その規定による。
ワイヤ端子付き以外のNTCサーミスタ支持方法を用いる必要がある場合，個別規格に詳しく規定する。
NTCサーミスタを固定した支持具を，供試NTCサーミスタの1 000倍以上の容積をもつ測定容器に入れ
る。NTCサーミスタは，その他のNTCサーミスタ及び容器の内壁とも75 mm以上離して置く。サーミス
タの配置の例を，図10に示す。
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図10−熱放散定数測定容器の例
個別規格に規定がない場合，容器内の空気は静止し，かつ，温度25 ℃±5 ℃とする。個別規格に規定
がある場合，規定する温度による。NTCサーミスタを図11に示す試験回路に接続する。
電圧計は，NTCサーミスタの抵抗値に比べて十分に高い入力インピーダンスをもち，電流計は，その測
定確度1 %以下のものを用いる。
E
：可変安定化直流電源
V
：直流電圧計
A
：直流電流計
Th
：供試NTCサーミスタ
UTH ：供試NTCサーミスタにかかる電圧
ITH
：供試NTCサーミスタに流れる電流
図11−熱放散定数測定回路
UTH/ITHが，温度Tbにおけるゼロ負荷抵抗値の±5 %以内になるように，電流ITHを調整する。安定した
読取りが可能になったときのUTH及びITHの値を記録する。
熱放散定数δを式(18)によって算出する。
25
b
TH
TH
−
T
I
U
δ
×
=
·········································································· (18)
ここに，
Tb： 自己発熱による温度安定時の供試NTCサーミスタの温度（℃）
個別規格に規定がない場合，Tb＝85 ℃
UTH： 供試NTCサーミスタにかかる電圧（V）
ITH： 供試NTCサーミスタに流れる電流（A）
δ： 熱放散定数（W/℃）
4.11.3 要求事項
NTCサーミスタの熱放散定数は，個別規格に規定する値の範囲内でなければならない。
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4.12 周囲温度変化による熱時定数τa
4.12.0A 一般事項
NTCサーミスタの周囲温度変化による熱時定数試験は，次の手順によって実施する。
注記1 小形のNTCサーミスタの場合，媒体温度Taから温度Tbに移動するまでの間のNTCサーミス
タの温度変化が激しく，大きな測定誤差の原因となるため，この測定方法は適していない。
注記2 対応国際規格の4.12.4の規定内容を4.12.4と4.12.4Aとに分割した。
4.12.1 初期測定
4.6の規定によって，周囲温度Taにおけるゼロ負荷抵抗値の測定に続き，周囲温度Tiでのゼロ負荷抵抗
値を測定する。
温度Tiは，式(19)によって算出する。
Ti＝Tb−(Tb−Ta)×0.632 ····························································· (19)
ここに，
Tb： NTCサーミスタの最初の温度（℃）
個別規格に規定がない場合，Tb＝85 ℃とする。
Ta： NTCサーミスタの最終到達温度（℃）
個別規格に規定がない場合，Ta＝25 ℃とする。
Ti： 周囲温度（℃）
測定値は記録する。
4.12.2 前処理
NTCサーミスタを温度Tbの媒質内に浸せきし，NTCサーミスタが媒質温度に安定するまで放置する。
4.12.3 試験
NTCサーミスタを速やかに温度Taの媒質内に移動し，NTCサーミスタの抵抗値が温度Tiにおけるゼロ
負荷抵抗値に到達するまでの時間を測定する。
測定した時間が，周囲温度変化による場合の熱時定数τaである。
4.12.4 要求事項
NTCサーミスタの周囲温度変化による場合の熱時定数は，個別規格に規定する範囲内とする。
4.12.4A 個別規格に規定する事項
4.12.2及び4.12.3で用いる媒質の種類及び流量（空気の場合）又は流量及び粘度（液体の場合），並びに
温度Ta，温度Tb及びこれらの許容差を，個別規格に規定する。
4.13 自己発熱からの冷却による熱時定数τc
4.13.0A 一般事項
NTCサーミスタの周囲温度変化による熱時定数の試験は，次の手順（4.13.1〜4.13.3）によって実施する。
注記1 小形のNTCサーミスタの場合，媒体温度Taから温度Tbに移動するまでの間のNTCサーミス
タの温度変化が激しく，大きな測定誤差の原因となるため，この測定方法は適していない。
注記2 対応国際規格の4.13.2及び4.13.3の規定内容を4.13.2にまとめ直した。このため，4.13.4を
4.13.3とした。
4.13.1 初期測定
NTCサーミスタは，個別規格に規定がない場合，4.6の規定によって，温度Tb＝85 ℃±2 ℃，Ta＝25 ℃
±2 ℃及び式(19)によって，算出する温度Tiにおけるゼロ負荷抵抗値を測定する。個別規格に規定がある
場合，その規定による。
測定値は記録する。
注記 その他の温度Ta及び温度Tbを用いる場合，個別規格に規定してもよい。
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4.13.2 試験
NTCサーミスタを，個別規格に規定がない場合，4.11.2の規定によって固定し，測定容器に挿入する。
容器に挿入する前に，NTCサーミスタを，図12に示す回路に接続する。個別規格に規定がある場合，そ
の規定による。
電圧計は，NTCサーミスタの抵抗値に比べて十分高いインピーダンスをもち，電圧計及び電流計の確度
は，1 %以内とする。また，抵抗値の測定装置の精度は，0.1 %以内とする。
E
：可変安定化直流電源
V
：直流電圧計
A
：直流電流計
Th
：供試NTCサーミスタ
UTH ：供試NTCサーミスタに
かかる電圧
ITH
：供試NTCサーミスタに
流れる電流
図12−熱時定数測定回路
NTCサーミスタの自己発熱からの冷却による熱時定数の測定方法は，次による。
連動スイッチをA側に閉じ，UTH/ITHが，Tbにおけるゼロ負荷抵抗値の60 %〜80 %の値になるように，
電流ITHを調整し，測定器の値を安定させる。
連動スイッチをB側に閉じ，NTCサーミスタのゼロ負荷抵抗値が，温度Tbにおけるゼロ負荷抵抗値に
なったときに時間の計測を開始し，その後ゼロ負荷抵抗値が，温度Tiにおけるゼロ負荷抵抗値に到達した
ときに計測を終了する。
測定した時間が，自己発熱からの冷却による熱時定数τcである。
4.13.3 要求事項
NTCサーミスタの自己発熱からの冷却による熱時定数は，個別規格に規定する値の範囲内とする。
4.13.3A 個別規格に規定する事項
4.13.2で用いる媒質の種類及び流量（空気の場合）又は流量及び粘度（液体の場合），並びに温度Ta，温
度Tb及びこれらの許容差を，個別規格に規定する。
4.14 端子強度（表面実装形NTCサーミスタ以外に適用）
4.14.0A 一般事項
NTCサーミスタの端子強度試験は，次の手順によって実施する。
注記 対応国際規格の4.14のa)を4.14.0Bとし，b)及びc)を4.14.0Cとした。また，4.14.4及び4.14.5
の規定内容を4.14.4にまとめ直した。
4.14.0B 初期測定
NTCサーミスタは，個別規格に規定する適切な温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定し，記録する。
4.14.0C 試験
NTCサーミスタの端子強度試験は，JIS C 60068-2-21の試験Ua1，Ub及びUcに規定する手順によって，
適正な試験を選択して実施する。ただし，個別規格に，曲がらない堅い端子であると明記している場合，
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そのNTCサーミスタは試験Ub及びUcを適用しない。
4.14.1 試験Ua1−引張強度
NTCサーミスタの端子に，個別規格に規定がない場合，次の引張力を10秒間加える。個別規格に規定
がある場合，その規定による。
− ワイヤ端子付き以外の全てのNTCサーミスタの端子：20 N
− ワイヤ端子付きNTCサーミスタの端子：表2参照
表2−引張力
断面積
mm2
直径
mm
引張力 許容差±10 %
N
S≦0.05
d≦0.25
1
0.05＜S≦0.1
0.25＜d≦0.35
2.5
0.1＜S≦0.2
0.35＜d≦0.5
5
0.2＜S≦0.5
0.5＜d≦0.8
10
0.5＜S≦1.2
0.8＜d≦1.25
20
1.2＜S
1.25＜d
40
注記 断面が円形のワイヤ，板状端子又はピン端子の公称断面積は，個別規格に規定する公称寸法から算出し
た値と等しい。より線の公称断面積は，個別規格に規定する個々の公称断面積の合計で得られる。
4.14.2 試験Ub−曲げ強さ（端子の半数）
NTCサーミスタの端子に，1回目の曲げに引き続いて，2回目に反対方向に曲げる（方法1）。
4.14.3 試験Uc−ねじり（残りの端子）
180°の回転のねじりを交互に実施する（厳しさ2）。
4.14.4 最終検査，最終測定及び要求事項
NTCサーミスタは，目視によって外観検査を実施し，外観に損傷があってはならない。
NTCサーミスタは，初期測定（4.14.0B参照）と同じ温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定し，その
測定値が個別規格に規定する要求事項を満足しなければならない。
4.15 はんだ耐熱性
4.15.0A 一般事項
NTCサーミスタのはんだ耐熱性試験は，次の手順によって実施する。
4.15.1 前処理及び初期測定
NTCサーミスタは，個別規格に規定がある場合，4.3.1に規定する方法で乾燥する。
NTCサーミスタは，個別規格の規定によって初期測定を実施する。
4.15.2 試験
NTCサーミスタのはんだ耐熱性試験は，個別規格に規定がない場合は，次の試験のうちいずれか一つを
選択し実施する。個別規格に規定がある場合，その規定による。
試験条件の詳細は，個別規格に規定する。
a) 次のb)及びc)を除く全てのNTCサーミスタ
JIS C 60068-2-20に規定する試験Tbの方法1（はんだ槽法）の規定による。
b) 個別規格にプリント配線板用に設計していないが，はんだ付け接続を意図すると規定したNTCサーミ
スタ
1) JIS C 60068-2-20に規定する試験Tbの方法1（はんだ槽法）の規定による。
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2) JIS C 60068-2-20に規定する試験Tbの方法2（はんだこて法）の規定による。
c) 表面実装形NTCサーミスタ
JIS C 60068-2-58に規定するリフロー法又ははんだ槽法の規定による。
4.15.3 後処理
NTCサーミスタの後処理時間は，個別規格に規定がない場合，1時間〜2時間とする。ただし，表面実
装用NTCサーミスタの場合，24時間±2時間とする。個別規格に規定がある場合，その規定による。
4.15.4 最終検査，最終測定及び要求事項
表面実装形NTCサーミスタ以外の，全てのNTCサーミスタは，次による。
− NTCサーミスタは，目視によって外観検査を実施し，外観に損傷がなく，表示は判読できなければな
らない。
− NTCサーミスタは，個別規格の規定によって測定を実施し，個別規格に規定する要求事項を満足しな
ければならない。
表面実装形NTCサーミスタは，外観検査，及び初期測定と同じ測定を実施し，個別規格に規定する要求
事項を満足しなければならない。
4.16 はんだ付け性
4.16.0A 一般事項
NTCサーミスタのはんだ付け性試験は，次の手順によって実施する。
注記 個別規格に，はんだ付け用に設計していないと規定する端子には適用しない。
個別規格に，エージングを適用するかどうかを規定することが望ましい。加速エージングを
要求する場合は，JIS C 60068-2-20に規定するエージング手順のうちいずれか一つを適用する
ことが望ましい。
個別規格に規定がない場合には，不活性フラックスを用いて試験することが望ましい。
4.16.1 試験
NTCサーミスタのはんだ付け性試験は，個別規格に規定がない場合は，次のa)〜c)のうちいずれか適切
な試験を選定し実施する。個別規格に規定がある場合，その規定による。
a) 次のb)及びc)を除く全てのNTCサーミスタ
1) JIS C 60068-2-20の試験Ta，方法1（はんだ槽法）の規定によるほか，次による。
はんだ浸せき深さ（取付面又は部品本体から）は，厚さ1.5 mm±0.5 mmの熱遮蔽板を用いて，
2.0 mmの箇所まで浸せきする。
2) JIS C 60068-2-20の試験Ta，方法2（はんだこて法）の規定による。
3) JIS C 60068-2-54のはんだ付け性（平衡法）の規定による。
b) 関連個別規格にプリント配線板用に設計していないが，はんだ付け接続を意図すると規定したNTC
サーミスタ
1) JIS C 60068-2-20の試験Ta，方法1（はんだ槽法）の規定によるほか，次による。
はんだ浸せき深さ（取付面又は部品本体から）：3.5 mm
2) JIS C 60068-2-20の試験Ta，方法2（はんだこて法）の規定による。
c) 表面実装形NTCサーミスタ
1) JIS C 60068-2-58のリフロー法又ははんだ槽法の規定による。
2) JIS C 60068-2-69のはんだ槽平衡法又ははんだ小球平衡法の規定による。
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4.16.2 最終検査，最終測定及び要求事項
NTCサーミスタ端子部のはんだ付け性は，端子部にはんだがぬれていることによって確認する。
NTCサーミスタは，個別規格に規定する要求事項を満足しなければならない。
4.17 温度急変
4.17.0A 一般事項
NTCサーミスタの温度急変試験は，次の手順によって実施する。
注記 対応国際規格の4.17.3〜4.17.5の規定内容を4.17.3にまとめ直した。
4.17.1 初期測定
NTCサーミスタは，個別規格に規定する適切な温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定し，記録する。
4.17.2 試験
NTCサーミスタ温度急変試験は，次の条件でJIS C 60068-2-14の試験Naに規定する手順によって実施
する。
− 下限温度TAは，カテゴリ下限温度とする。
− 上限温度TBは，カテゴリ上限温度とする。
− サイクル数は，5回，10回，25回，50回，100回，500回及び1 000回の中から個別規格に規定する
サイクル数を選定する。
− 個別規格に試験槽内の媒質に空気以外を規定してある場合，規定する条件で実施する。
4.17.3 最終測定及び要求事項
NTCサーミスタは，目視によって外観検査を実施する。その外観に損傷がなく，表示は判読できなけれ
ばならない。
NTCサーミスタは，初期測定（4.17.1参照）と同じ温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定する。この
最終測定値と初期測定値とを比較したとき，その変化率は，個別規格に規定する値の範囲内とする。
絶縁形NTCサーミスタの場合，その絶縁抵抗値を4.8に規定する方法によって測定し，個別規格に規定
する限度値以上とする。
4.18 振動
4.18.0A 一般事項
NTCサーミスタの振動試験は，次の手順によって実施する。
注記 対応国際規格の4.18.3〜4.18.5の規定内容を4.18.3にまとめ，また，4.18.6及び4.18.7を4.18.4
としてまとめ直した。
4.18.1 初期測定
NTCサーミスタは，個別規格に規定する適切な温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定し，記録する。
4.18.2 取付け
NTCサーミスタを，個別規格に規定する固定方法及び／又は通常の固定する方法でしっかりと取り付け
る。
4.18.3 試験
NTCサーミスタの振動試験で，特別な取付けジグを必要とする場合，個別規格にその取付けジグを規定
し，その取付けジグを用いる。
NTCサーミスタの振動試験は，個別規格に規定する厳しさを用い，JIS C 60068-2-6（試験Fc）に規定す
る手順によって実施する。
このとき，個別規格に規定がある場合，各方向の最終の1時間で，断続接触，断線又は短絡を確認する
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ための電気的な測定を実施する。検知装置は，断線を検知するのに十分な感度をもつ装置とする。
4.18.4 最終測定及び要求事項
NTCサーミスタは，目視によって外観検査を実施する。その外観に損傷があってはならない。
NTCサーミスタは，初期測定（4.18.1参照）と同じ温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定する。この
最終測定値と初期測定値とを比較したとき，その変化率は，個別規格に規定する値の範囲内とする。
4.19 バンプ
JIS C 60068-2-27（試験Ea）にJIS C 60068-2-29（試験Eb）が統合され，4.20に当該内容の記載がある
ため，この対応国際規格の細分箇条は適用しない。
4.20 衝撃
4.20.0A 一般事項
NTCサーミスタの衝撃試験は，次の手順によって実施する。
注記 対応国際規格の4.20.4及び4.20.5の規定内容を4.20.4にまとめ直した。
4.20.1 初期測定
NTCサーミスタは，個別規格に規定する適切な温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定し，記録する。
4.20.2 取付け
NTCサーミスタの取付けは，4.18.2の規定による。
4.20.3 試験
NTCサーミスタの衝撃試験は，個別規格に規定する試験の厳しさを用い，JIS C 60068-2-27の試験Ea
に規定する手順によって実施する。印加するパルス波形は，JIS C 60068-2-27の4.1.1（基本パルスの波形）
に規定する正弦半波又はその他のパルス波形とする。
4.20.4 最終測定及び要求事項
NTCサーミスタは，目視によって外観検査を実施する。その外観に損傷があってはならない。
NTCサーミスタは，初期測定（4.20.1参照）と同じ温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定する。この
最終測定値と初期測定値とを比較したとき，その変化率は，個別規格に規定する値の範囲内とする。
4.21 自然落下（個別規格に規定がある場合）
4.21.0A 一般事項
NTCサーミスタの自然落下試験は，次の手順で実施する。
注記 対応国際規格の4.21.3及び4.21.4の規定内容を4.21.3にまとめ直した。
4.21.1 初期測定
NTCサーミスタは，個別規格に規定する適切な温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定し，記録する。
4.21.2 試験
NTCサーミスタの自然落下試験は，JIS C 60068-2-31の試験Ecの方法1の規定によって実施する。
4.21.3 最終測定及び要求事項
NTCサーミスタは，目視によって外観検査を実施する。外観に損傷があってはならない。
NTCサーミスタは，初期測定（4.21.1参照）と同じ温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定し，記録す
る。この最終測定値と初期測定値とを比較したとき，その変化率は，個別規格に規定する値の範囲内とす
る。
4.22 二液槽温度急変（個別規格に規定がある場合）
4.22.0A 一般事項
NTCサーミスタの二液槽温度急変試験は，次の手順で実施する。
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C 2570-1：2015
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
注記 対応国際規格の4.22.3及び4.22.4の規定内容を4.22.3にまとめ直した。
4.22.1 初期測定
NTCサーミスタは，個別規格に規定する適切な温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定し，記録する。
4.22.2 試験
NTCサーミスタの二液槽温度急変試験は，次の条件でJIS C 60068-2-14の試験Ncに規定する手順によ
って実施する。
− 下限温度TAは，カテゴリ下限温度とする。
− 上限温度TBは，カテゴリ上限温度とする。
− 浸せき時間t1及び移行時間t2は，個別規格に規定する。
− サイクル数は，5回，10回，25回，50回及び100回の中から選択する。
− 試験に用いる媒体は，個別規格に規定する。
注記 二液は，水又はオイルとすることが望ましい。
4.22.3 最終測定及び要求事項
NTCサーミスタは，目視によって外観検査を実施し，その外観に損傷があってはならない。
NTCサーミスタは，初期測定（4.22.1参照）と同じ温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定する。この
最終測定値と初期測定値とを比較したとき，その変化率は，個別規格に規定する値の範囲内とする。
4.23 低温（耐寒性）（個別規格に規定がある場合）
4.23.0A 一般事項
NTCサーミスタの低温（耐寒性）試験は，次の手順によって実施する。
注記 対応国際規格の4.23.2及び4.23.3の規定内容を4.23.2にまとめ，また，4.23.4〜4.23.6を4.23.3
にまとめ直した。
4.23.1 初期測定
NTCサーミスタは，個別規格に規定する適切な温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定し，記録する。
4.23.2 試験
NTCサーミスタの低温（耐寒性）試験は，次のうちいずれかの試験方法を選択し，実施する。
a) 試験方法1 検知用NTCサーミスタの試験は，個別規格に規定するカテゴリ下限温度の厳しさを用い，
JIS C 60068-2-1（試験Ab）に規定する手順によって実施する。カテゴリ下限温度は，表1の中から選
択し，試験時間は，2時間，16時間，72時間，96時間，168時間，250時間，500時間及び1 000時間
の中から選択する。
NTCサーミスタは，試験室温度からカテゴリ下限温度までの任意温度の試験槽中に入れてもよい。
b) 試験方法2 その他アプリケーション用のNTCサーミスタの試験は，個別規格に規定するカテゴリ下
限温度の厳しさを用い，JIS C 60068-2-1（試験Ad）に規定する手順によって実施する。カテゴリ下限
温度は，表1の中から選択し，試験時間は，2時間，16時間，72時間，96時間，168時間，250時間，
500時間及び1 000時間の中から選択する。
4.23.3 最終測定及び要求事項
NTCサーミスタは，目視によって外観検査を実施する。その外観に損傷がなく，表示は判読できなけれ
ばならない。
NTCサーミスタは，初期測定（4.23.1参照）と同じ温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定する。この
最終測定値と初期測定値とを比較したとき，その変化率は，個別規格に規定する値の範囲内とする。
絶縁形NTCサーミスタの場合，その絶縁抵抗値を4.8に従って測定する。その測定値は，個別規格に規
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
定する限度値以上とする。
4.24 高温（耐熱性）（個別規格に規定がある場合）
4.24.0A 一般事項
NTCサーミスタの高温（耐熱性）試験は，次の手順によって実施する。
注記 対応国際規格の4.24.2及び4.24.3の規定内容を4.24.2にまとめ，また，4.24.4〜4.24.6を4.24.3
にまとめ直した。
4.24.1 初期測定
NTCサーミスタは，個別規格に規定する適切な温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定し，記録する。
4.24.2 試験
NTCサーミスタの高温（耐熱性）試験は，次のうちいずれかの試験方法を選択し，実施する。
a) 試験方法1 検知用NTCサーミスタの試験は，個別規格に規定するカテゴリ上限温度の厳しさを用い，
JIS C 60068-2-2（試験Bb）に規定する手順によって実施する。カテゴリ上限温度は，表1の中から選
択し，試験時間は，2時間，16時間，72時間，96時間，168時間，250時間，500時間及び1 000時間
の中から選択する。
NTCサーミスタは，試験室温度からカテゴリ上限温度までの任意温度の試験槽中に入れてもよい。
b) 試験方法2 検知用以外のNTCサーミスタ試験は，個別規格に規定するカテゴリ上限温度の厳しさを
用い，JIS C 60068-2-2（試験Bd）に規定する手順によって実施する。カテゴリ上限温度は，表1の中
から選択し，試験時間は，2時間，16時間，72時間，96時間，168時間，250時間，500時間及び1 000
時間の中から選択する。
4.24.3 最終測定及び要求事項
NTCサーミスタは，目視によって外観検査を実施する。その外観に損傷がなく，表示は判読できなけれ
ばならない。
NTCサーミスタは，初期測定（4.24.1参照）と同じ温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定する。この
最終測定値と初期測定値とを比較したとき，その変化率は，個別規格に規定する値の範囲内とする。
絶縁形NTCサーミスタの場合，その絶縁抵抗値を4.8の規定によって測定し，測定値は，個別規格に規
定する限度値以上とする。
4.25 高温高湿（定常）
4.25.0A 一般事項
NTCサーミスタの高温高湿（定常）試験は，次の手順によって実施する。
注記 対応国際規格の4.25.2及び4.25.3の規定内容を4.25.2にまとめ，また，4.25.5〜4.25.7を4.25.4
にまとめ直した。このため，4.25.4を4.25.3とした。
4.25.1 初期測定
NTCサーミスタは，個別規格に規定する適切な温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定し，記録する。
4.25.2 試験
NTCサーミスタの高温高湿（定常）試験は，次のうちいずれかの試験方法を選択し，実施する。
a) 試験方法1（非絶縁形NTCサーミスタの場合） 非絶縁形NTCサーミスタ試験は，個別規格に規定す
る耐候性カテゴリの厳しさを用い，JIS C 60068-2-78に規定する手順によって実施する。
b) 試験方法2（絶縁形NTCサーミスタの場合） 絶縁形NTCサーミスタの試験は，a)に規定する試験方
法1によって実施する。ただし，個別規格に規定がある場合，最大電力消費時の電圧の1/20，かつ，
0.5 Vを超える直流電圧を試験中にNTCサーミスタの端子間に印加することが望ましい。
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なお，低抵抗NTCサーミスタには，この試験を適用しない。
4.25.3 後処理
NTCサーミスタを，試験槽から取り出し，4.3.2の規定によって後処理する。
4.25.4 最終測定及び要求事項（非絶縁形NTCサーミスタの場合）
NTCサーミスタは，目視によって外観検査を実施する。その外観に損傷がなく，表示は判読できなけれ
ばならない。
NTCサーミスタは，次の特性を測定し，満足しなければならない。
a) 非絶縁形NTCサーミスタの場合 初期測定（4.25.1参照）と同じ温度におけるゼロ負荷抵抗値などを
測定する。この最終測定値と初期測定値とを比較したとき，その変化率は，個別規格に規定する値の
範囲内とする。
b) 絶縁形NTCサーミスタの場合 その絶縁抵抗値は4.8の規定によって測定する。その測定値は，個別
規格に規定する限度値以上とする。NTCサーミスタは，4.9に規定する耐電圧試験中に絶縁破壊又は
フラッシオーバが発生してはならない。
4.26 耐久性
4.26.0A 一般事項
NTCサーミスタの耐久性試験は，4.26.1〜4.26.5の全て又はいずれかの試験を選択し，実施する。
4.26.1 室温における連続最大電流Imax25通電での耐久性（突入電流抑制用NTCサーミスタに適用）
4.26.1.0A 一般事項
NTCサーミスタの室温における連続最大電流Imax25通電での耐久性試験は，次の手順で実施する。
注記 対応国際規格の4.26.1.2〜4.26.1.6の規定内容を4.26.1.2にまとめた。このため，4.26.1.7を4.26.1.3
とした。
4.26.1.1 初期測定
NTCサーミスタは，個別規格に規定する適切な温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定し，記録する。
4.26.1.2 試験
NTCサーミスタの室温における連続最大電流Imax25通電での耐久性試験は，次の条件を用いて実施する。
a) 試験回路は，図13に示す回路とする。
b) NTCサーミスタの取付けは，個別規格に規定がない場合，NTCサーミスタ端子の有効長が20 mm〜
25 mmとなるように実施する。また，どのNTCサーミスタも，その他のNTCサーミスタの温度に明
らかな影響を及ぼすことがないように配置する。
c) 試験温度は，15 ℃〜35 ℃とする。ただし，試験開始時の温度の±5 ℃に保持しなければならない。
d) NTCサーミスタに流れる電流が，Imax25となるように調節する。
e) 試験時間は，1 000時間とする。ただし，168時間，500時間及び1 000時間後に，負荷を取り外して
中間測定するために，NTCサーミスタを4.3.2の規定によって後処理する。中間測定の後，NTCサー
ミスタを試験条件下に戻す。どのNTCサーミスタにおいても負荷の取外しから復帰までの時間間隔は
12時間以下とする。
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E
：可変安定化交流電源
Rs
：負荷（可変抵抗器）
V
：交流電圧計
A
：交流電流計
Th
：供試NTCサーミスタ
図13−室温におけるImax25での耐久性評価回路
4.26.1.3 最終測定及び要求事項
NTCサーミスタは，目視によって外観検査を実施し，その外観に損傷がなく，表示が判読できなければ
ならない。初期測定（4.26.1.1参照）と同じ温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定する。この最終測定
値と初期測定値とを比較したとき，その変化率は，個別規格に規定する値の範囲内とする。
4.26.2 室温における周期的最大電流Imax25通電での耐久性（突入電流抑制用NTCサーミスタに適用）
4.26.2.0A 一般事項
NTCサーミスタの室温における周期的最大電流Imax25通電での耐久性試験は，次の手順で実施する。
注記 対応国際規格の4.26.2.2〜4.26.2.7の規定内容を4.26.2.2にまとめた。このため，4.26.2.8を4.26.2.3
とした。
4.26.2.1 初期測定
NTCサーミスタは，個別規格に規定する適切な温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定し，記録する。
4.26.2.2 試験
NTCサーミスタの室温における周期的最大電流Imax25通電での耐久性試験は，次の条件を用いて実施す
る。
a) 試験回路は，図13に示す回路とする。
b) NTCサーミスタの取付けは，個別規格に規定がないとき，NTCサーミスタ端子の有効長が20 mm〜
25 mmとなるように接続する。また，どのNTCサーミスタも，その他のNTCサーミスタの温度に明
らかな影響を及ぼすことがないように配置する。NTCサーミスタに過度の通気があってはならない。
c) NTCサーミスタに流れる電流が，Imax25となるように調節する。
d) 個別規格に規定がない場合，1分間のON，5分間のOFFを1サイクルとする断続的な電力負荷を1 000
サイクル繰り返す。
試験サイクルは，NTCサーミスタが室温まで冷却したときに開始し，NTCサーミスタの消費電力が
Pmax25に達したときに終了する。
注記 これは，各サイクルが室温と，消費電力がPmax25になったときの温度との間の抵抗−温度特
性部分を含んでいることが望ましいことを意味している。
e) 500サイクル及び1 000サイクルの後に，負荷を取り外し，4.3.2の規定によってNTCサーミスタを後
処理して，中間測定を実施する。中間測定の後，NTCサーミスタを試験条件下に戻す。どのNTCサ
ーミスタも負荷の取外しから復帰までの時間間隔は，12時間以下とする。
4.26.2.3 最終測定及び要求事項
NTCサーミスタは，目視によって外観検査を実施する。その外観に損傷がなく，表示は判読できなけれ
ばならない。
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
NTCサーミスタは，初期測定（4.26.2.1参照）と同じ温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定する。こ
の最終測定値と初期測定値とを比較したとき，その変化率は，個別規格に規定する値の範囲内とする。
4.26.3 T3及びPmaxにおける耐久性（突入電流抑制用NTCサーミスタ以外のNTCサーミスタに適用）
4.26.3.0A 一般事項
NTCサーミスタのT3及びPmaxにおける耐久性試験は，次の手順で実施する。
注記 対応国際規格の4.26.3.2〜4.26.3.6の規定内容を4.26.3.2にまとめた。また，4.26.3.7及び4.26.3.8
を4.26.3.3とした。
4.26.3.1 初期測定
NTCサーミスタは，個別規格に規定する適切な温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定し，記録する。
4.26.3.2 試験
NTCサーミスタのT3及びPmaxにおける耐久性試験は，次の条件を用いて実施する。
a) NTCサーミスタを試験槽内に取り付ける。ただし，NTCサーミスタは，試験条件下で，規定する限度
値内の温度を保てるように試験槽内に配置する。このとき，試験槽は，JIS C 60068-2-2（試験Bb）に
規定する要求事項を満足しなければならない。
b) 温度T3±2 ℃（図2参照）において，消費電力がPmaxの状態で1 000時間試験する。
c) NTCサーミスタを，168時間及び500時間後に，試験槽から取り出し，標準試験状態で1時間以上2
時間以下の時間で後処理し，中間測定を実施する。中間測定では，初期測定（4.26.3.1参照）と同じ特
性パラメータを測定する。この測定結果と初期測定結果とを比較したとき，その変化率は個別規格に
規定する範囲内でなければならない。中間測定の後，NTCサーミスタを試験条件下に戻す。どのNTC
サーミスタも負荷の取外しから復帰までの時間間隔は，12時間以下とする。
d) 1 000時間±48時間後，NTCサーミスタを試験槽から取り出し，標準試験状態で1時間以上2時間以
下の時間で後処理する。
4.26.3.3 最終測定及び要求事項
試験後，NTCサーミスタは，目視によって外観検査を実施する。外観に損傷がなく，表示は判読できな
ければならない。
NTCサーミスタは，初期測定（4.26.3.1参照）と同じ温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定する。こ
の最終測定値と初期測定値とを比較したとき，その変化率は，個別規格に規定する値の範囲内とする。
4.26.4 カテゴリ上限温度における耐久性
4.26.4.0A 一般事項
NTCサーミスタのカテゴリ上限温度における耐久性試験は，次の手順で実施する。
注記 対応国際規格の4.26.4.2〜4.26.4.6の規定内容を4.26.4.2にまとめた。また，4.26.4.7及び4.26.4.8
を4.26.4.3とした。
4.26.4.1 初期測定
NTCサーミスタは，個別規格に規定する適切な温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定し，記録する。
4.26.4.2 試験
NTCサーミスタのカテゴリ上限温度における耐久性試験は，次の条件を用いて実施する。
a) NTCサーミスタを試験槽内に取り付ける。ただし，NTCサーミスタは，試験条件下で，規定する限界
値内の温度を保てるように試験槽内に配置する。このとき，試験槽は，JIS C 60068-2-2（試験Bb）に
規定する要求事項を満足しなければならない。
b) 温度T3±2 ℃（図2参照）において，消費電力がPmaxの状態で1 000時間試験する。
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
c) NTCサーミスタを，168時間及び500時間後に，試験槽から取り出し，標準試験状態で1時間以上2
時間以下の時間で後処理し，中間測定を実施する。中間測定では，初期測定（4.26.4.1参照）と同じ特
性パラメータを測定する。この測定結果と初期測定結果とを比較したとき，その変化率は個別規格に
規定する範囲内でなければならない。中間測定の後，NTCサーミスタを試験条件下に戻す。どのNTC
サーミスタも負荷の取外しから復帰までの時間間隔は，12時間以下とする。
d) 1 000時間後，NTCサーミスタを試験槽から取り出し，標準試験状態で1時間以上2時間以下の時間
で後処理する。
4.26.4.3 最終測定及び要求事項
NTCサーミスタは，目視によって外観検査を実施する。外観に損傷がなく，表示は判読できなければな
らない。
NTCサーミスタは，初期測定（4.26.4.1参照）と同じ温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定する。こ
の最終測定値と初期測定値とを比較したとき，その変化率は，個別規格に規定する値の範囲内とする。
4.26.5 最大許容コンデンサ容量（突入電流抑制用NTCサーミスタに適用）
4.26.5.0A 一般事項
NTCサーミスタの最大許容コンデンサ容量における耐久性試験は，次の手順で実施する。
注記 対応国際規格の4.26.5.2及び4.26.5.3の規定内容を4.26.5.2にまとめた。また，4.26.5.5及び
4.26.5.6の規定内容を4.26.5.4としてまとめた。このため，4.26.5.4を4.26.5.3とした。
4.26.5.1 初期測定
NTCサーミスタは，個別規格に規定する適切な温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定し，記録する。
4.26.5.2 試験
NTCサーミスタは，個別規格の規定によって，次の試験うちのいずれか一つを選択する。
個別規格に規定がない場合，NTCサーミスタ端子の有効長が20 mm〜25 mmとなるように接続する。
どのNTCサーミスタも，その他のNTCサーミスタの温度に明らかな影響を及ぼすことがないように配
置する。NTCサーミスタに過度の通気があってはならない。
a) 方法1 個別規格に規定するコンデンサCT（図14参照）は，直列に接続した固定抵抗器とNTCサー
ミスタとを通じて放電させる。
充電電圧は，放電開始時にNTCサーミスタに印加する電圧（UNTC）が180 V又は375 Vとなるよう
に設定する。これは(110 V＋ΔU)×2又は(230 V＋ΔU)×2に相当する。
15 ℃〜35 ℃の周囲温度でコンデンサを1 000回放電させる。
試験温度は，試験開始時の温度の±2 ℃に保持しなければならない。
EL
：直流電源
CT
：コンデンサ
Rs
：固定抵抗器（1 Ω）
Th
：供試NTCサーミスタ
UNTC ：供試NTCサーミスタによる電圧降下
図14−最大許容コンデンサ容量試験回路（方法1）
b) 方法2 コンデンサCT（図15参照）の静電容量が，最大許容静電容量となるようコンデンサを選択
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
する。個別規格に規定がない場合，RPの値は，NTCサーミスタのゼロ負荷抵抗値の10倍とする。個
別規格に規定がない場合，試験回路への負荷電圧は，156 V又は325 Vとする。これは110 V×2又
は230 V×2に相当する。
15 ℃〜35 ℃の周囲温度において，50 msのON，熱時定数の5倍に当たる時間のOFFを1サイク
ルとする断続的な電力負荷を1 000サイクル繰り返す。
電力位相は，個別規格に規定がない場合，90°又は270°に調節する。
試験温度は，試験開始時の温度の±2 ℃に保持しなければならない。
UL
：交流電源電圧
CT
：コンデンサ
RP
：固定抵抗器
Th
：供試NTCサーミスタ
図15−最大許容コンデンサ容量試験回路（方法2）
4.26.5.3 中間測定
NTCサーミスタを，500サイクル及び1 000サイクル後，試験回路から取り外し，4.3.2の規定によって
後処理する。
NTCサーミスタを，中間測定の後，試験回路に戻す。どのNTCサーミスタも負荷の取外しから復帰ま
での時間間隔は，12時間以下とする。
4.26.5.4 最終測定及び要求事項
NTCサーミスタは，目視によって外観検査を実施する。外観に損傷がなく，表示は判読できなければな
らない。
NTCサーミスタは，初期測定（4.26.5.1参照）と同じ温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定する。こ
の最終測定値と初期測定値とを比較したとき，その変化率は，個別規格に規定する値の範囲内とする。
4.27 固着性（表面実装形NTCサーミスタに適用）
4.27.0A 一般事項
NTCサーミスタの固着性試験は，次の手順で実施する。
注記 対応国際規格の4.27.2の細分箇条番号及び規定内容が重複している。このため，前者の4.27.2
の規定内容は，4.27.1と同じ試験の規定内容であることもあり，4.27.1の中にまとめ直した。
4.27.1 試験
NTCサーミスタは，JIS C 60068-2-21の8.2（試験Ueの概要）及び8.3（取付け）の規定によって，プリ
ント配線板に取り付ける。
NTCサーミスタの固着性試験は，JIS C 60068-2-21の試験Ue3の規定によるほか，次によって実施する。
NTCサーミスタの本体に，衝撃のないよう徐々に力を加え，5 Nの力で10秒±1秒間保持する。
4.27.2 最終検査及び要求事項
取付状態の表面実装形NTCサーミスタは，目視によって外観検査を実施する。外観に損傷があってはな
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C 2570-1：2015
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
らない。
4.28 耐プリント板曲げ性（表面実装形NTCサーミスタに適用）
4.28.0A 一般事項
NTCサーミスタの耐プリント板曲げ性試験は，次の手順で実施する。
注記 対応国際規格の4.28.1及び4.28.2の規定内容を4.28.1にまとめた。また，4.28.3及び4.28.4を
4.28.2とした。このため，4.28.5を4.28.3とした。また，最後の4.28.1は細分箇条の番号振りの
誤りであるため，4.28.4と修正した。
4.28.1 取付け及び初期測定
NTCサーミスタは，JIS C 60068-2-21の8.2（試験Ueの概要）及び8.3（取付け）の規定によって，プリ
ント配線板に取り付ける。
NTCサーミスタのゼロ負荷抵抗値は，4.6及び品種別通則の規定に従って測定する。
4.28.2 試験
NTCサーミスタは，JIS C 60068-2-21の試験Ueの規定によるほか，曲げ深さ及び曲げの回数について個
別規格に規定する試験条件で試験する。
試験中，表面実装形NTCサーミスタのゼロ負荷抵抗値は，プリント配線板を曲げた状態で4.28.1の規定
によって測定する。抵抗値の変化は，個別規格に規定する範囲内でなければならない。
4.28.3 後処理
NTCサーミスタは，プリント配線板を曲げられた状態から元の状態に戻し，試験ジグから取り外す。
4.28.4 最終検査及び要求事項
NTCサーミスタは，目視によって外観検査を実施する。その外観に損傷があってはならない。
注記 表面実装形NTCサーミスタのゼロ負荷抵抗値を，曲げ試験中に測定（4.28.2参照）する代わり
に，最終検査として測定する方法がある。
4.29 部品の耐溶剤性
4.29.0A 一般事項
NTCサーミスタの部品の耐溶剤性試験は，次の手順で実施する。
4.29.1 初期測定
NTCサーミスタは，個別規格に規定する測定を実施する。
4.29.2 試験
NTCサーミスタの試験を，次の条件の下，JIS C 60068-2-45の規定によって実施する。
a) 溶剤：
JIS C 60068-2-45の3.1.2［2-プロパノール（イソプロピルアルコール）］の規定による。
b) 溶剤の温度： 23 ℃±5 ℃（個別規格に規定がない場合）
c) 条件：
方法2（ラビングを伴わない）
d) 後処理時間： 48時間（個別規格に規定がない場合）
4.29.3 最終測定及び要求事項
NTCサーミスタは，個別規格に規定する測定を行い，個別規格に規定する要求事項を満足しなければな
らない。
4.30 表示の耐溶剤性
4.30.0A 一般事項
NTCサーミスタの表示の耐溶剤性試験は，次の手順で実施する。
36
C 2570-1：2015
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
4.30.1 試験
NTCサーミスタの試験は，次の条件の下，JIS C 60068-2-45の規定によって実施する。
a) 溶剤：
JIS C 60068-2-45の3.1.2［2-プロパノール（イソプロピルアルコール）］の規定による。
b) 溶剤の温度： 23 ℃±5 ℃
c) 条件：
方法1（ラビングを伴う）
d) こする材料： ラビング材料
e) 後処理時間： 適用しない（個別規格に規定がない場合）
4.30.2 最終測定及び要求事項
NTCサーミスタは，目視によって外観検査を実施する。表示は判読できなければならない。
4.31 塩水噴霧（個別規格に規定がある場合）
4.31.0A 一般事項
NTCサーミスタの塩水噴霧試験は，次の手順で実施する。
注記 対応国際規格の4.31.1及び4.31.2の規定内容を4.31.1にまとめた。
4.31.1 試験
NTCサーミスタの塩水噴霧試験は，次のうちいずれかの試験方法を選択し，実施する。
a) 試験方法1 塩分を含む雰囲気中での使用に耐えられるように設計されているNTCサーミスタの試験
は，JIS C 60068-2-52の規定によって実施する。
b) 試験方法2 保護皮膜の品質及び適合性を評価するために，NTCサーミスタの試験を，JIS C
60068-2-11の規定によって実施する。
4.32 封止（個別規格に規定がある場合）
NTCサーミスタの封止試験は，JIS C 60068-2-17の試験Qに規定する適切な方法の手順によって実施す
る。
4.33 温湿度組合せ（サイクル）（個別規格に規定がある場合）
4.33.0A 一般事項
NTCサーミスタの温湿度組合せ（サイクル）試験は，次の手順で実施する。
注記 対応国際規格の4.33.3〜4.33.5の規定内容を4.33.3にまとめた。
4.33.1 初期測定
NTCサーミスタは，個別規格に規定する適切な温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定し，記録する。
4.33.2 試験
NTCサーミスタの温湿度組合せ（サイクル）試験は，個別規格に規定する試験の厳しさを用い，JIS C
60068-2-38の試験Z/ADに規定する手順によって実施する。
4.33.3 最終測定及び要求事項
NTCサーミスタは，目視によって外観検査を実施する。外観に損傷があってはならない。
NTCサーミスタは，初期測定（4.33.1参照）と同じ温度におけるゼロ負荷抵抗値などを測定する。この
最終測定値と初期測定値とを比較したとき，その変化率は，個別規格に規定する値の範囲内とする。ただ
し，絶縁形NTCサーミスタの場合，絶縁抵抗値の測定は，4.8の規定によって実施し，個別規格に規定す
る値以上とする。
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C 2570-1：2015
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書A
（参考）
IEC電子部品品質認証制度（IECQ）などに用いる場合の
IEC 60410の抜取計画及び手順の説明
この規格において，計数値検査として，IEC 60410を用いる場合，次に示す箇条及び細分箇条の解釈を
適用する。
1
責任及び権威がある（Responsible authority）のは，基本規則（IEC QC 001001）及び施工規則（IEC
QC 001002）に規定する国の代表機関（National authorized institution）である。
1.5
製品の単位（The unit of product）は，個別規格に規定する電子部品の単位とする。
2
この箇条は，次の二つの定義を適用する。
− 欠点（defect）とは，製品の単位が規定する要求事項に不適合の場合をいう。
− 不適合品（defective）とは，一つ以上の不適合を含む製品の単位をいう。
3.1
製品の不適合の程度は，不適合品の割合を百分率（パーセント）で表す。
3.3
適用しない。
4.5
責任及び権限は，品目別通則（Generic specification）又は品種別通則（Sectional specification）の
一部を構成するブランク個別規格を作成するIEC技術委員会（TC）にある。
5.4
責任及び権限は，認定製造業者の検査部門が規定し，国内監督検査機関（National supervising
inspectorate）が承認した手順に従って行動する。認定製造業者の責任及び権限は，製造業者の品
質保証責任者にある。
6.2
責任及び権限は，製造業者の品質保証責任者にある。
6.3
適用しない。
6.4
責任及び権限は，製造業者の品質保証責任者にある。
8.1
なみ検査（Normal inspection）は，検査を初めて実施する場合に適用する。
8.3.3 d) 責任及び権限は，製造業者の品質保証責任者にある。
8.4
責任及び権限は，国内監督検査機関にある。
9.2
責任及び権限は，品目別通則（Generic specification）又は品種別通則（Sectional specification）の
一部を構成するブランク個別規格を作成するIEC技術委員会（TC）にある。
9.4
（第4の文だけ）適用しない。
（第5の文だけ）責任及び権限は，製造業者の品質保証責任者にある。
10.2
適用しない。
38
C 2570-1：2015
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書B
（規定）
電子機器用コンデンサ及び抵抗器のための個別規格を用意するための規則
［対応国際規格では，この附属書で，IECのTC40（Technical Committee No.40 電子機器用コンデンサ及
び抵抗器）が個別規格を作成するための規則を規定しているが，この規格では不用のため，不採用とした。］
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C 2570-1：2015
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書C
（参考）
直熱形NTCサーミスタの測定のための取付方法
C.1 表面実装形NTCサーミスタの取付け
表面実装形NTCサーミスタは，図C.1に示すパターンの1.6 mm±0.19 mm厚のガラス布基材エポキシ
樹脂のプリント配線板に取り付ける。
はんだ付けのランド寸法D，L及びWは，個別規格に規定する。電極は片面又は両面のどちらでもよい。
単位 mm
注a) この導体は省略するか又は電極保護として用いてもよい。
図C.1−表面実装形NTCサーミスタの取付け
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2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書Q
（規定）
IEC電子部品品質認証制度（IECQ）に用いる場合の品質評価手順
Q.1 一般事項
この規格及び関連規格を，IEC電子部品品質認証制度（IECQ）などの総合的な品質評価制度に用いる
場合，Q.4及びQ.5に規定する事項を適用する。
これらの規格において，設計審査又は形式試験をIEC電子部品品質認証制度（IECQ）などの品質評価
制度に適用しない場合，Q.4.1及びQ.4.2 b)に規定する要求事項を用いてもよい。ただし，試験の全て及び
一部は，試験計画に示す順に実施する。
Q.2 製造の初期工程
製造の初期工程は，材料の初期混合工程と定義する。
Q.3 構造的に類似なNTCサーミスタ
次の要求事項を満足するNTCサーミスタは，検査ロットの構成として，構造的に類似なグループに分類
してもよい。
− 本質的に同じ設計，材料，工程及び工法によって，同じ製造業者が同じ場所で生産する。
− 抜取サンプルは，グループ分け品の総ロットから抜き取る。
− 構造的に類似なNTCサーミスタは，同一の個別規格によることが望ましい。構造的類似に関する全て
の要求事項の詳細は，品質認証試験報告書に記載する。
Q.3.1 電気的試験の場合
電気的特性が同じNTCサーミスタは，その特性を決定付ける要素が全て類似する場合，グループ化して
もよい。
Q.3.2 環境試験の場合
封止構造，基本的内部構造及び最終工程が同じNTCサーミスタはグループ化してもよい。
Q.3.3 目視検査（表示を除く。）の場合
同じ製造工程で製造し，かつ，寸法，封止構造及び外観が同じNTCサーミスタはグループ化してもよい。
このグループ化は，異なる内部構造のNTCサーミスタのグループ化が望ましい場合，端子強度試験及び
はんだ付け性試験に用いてもよい。
Q.3.4 耐久性試験の場合
同じ設計を用いて，同じ製造工程で製造したNTCサーミスタである場合，電気的特性だけが異なってい
ても，グループ化してよい。同じグループ内にある形式が，その他の形式に比べて負荷が大きいことが明
らかな場合，この形式の試験結果をグループ内のその他の形式の試験結果としてもよい。
Q.4 品質認証手順
Q.4.1 製造業者は，次の規定を適用する。
a) 品質認証に関するIEC QC 001002-3:2005の3.の一般要求事項
b) 製造の初期工程に関する要求事項（Q.2参照）
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C 2570-1：2015
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
Q.4.2 Q.4.1に規定する要求事項に加え，次の手順a)又はb)の手順を適用する。
a) 製造業者は，定期的検査のための一つの検査ロット及びロットごとの検査のためにできるだけ短期間
で抜き取った三つの検査ロットによって，規定する要求事項に適合する試験証明書を作成する。
抜取サンプルは，IEC 60410（附属書A参照）又はJIS C 5005-2に従って抜き取る。検査は，なみ
検査を適用する。規定するサンプル数で合格判定数がゼロとなる場合，合格判定数が1個となるよう
に試料数を増加する。
b) 製造業者は上記a)の手順の代わりとして，品種別通則に規定する定数抜取りの試験計画として，規定
する要求事項に適合する試験の成績証明書を作成してもよい。
抜取サンプルとなる試料は，製造工程からの無作為による方法又は国内監督検査機関（National
Supervising Inspectorate）の認証を受けた方法で抜き取る。
上記二つの手順におけるサンプル数及び合格判定数は，同水準とする。試験条件及び要求事項は，同じ
とする。
Q.4.3 品質評価制度の一部としての品質認証は，品質確認（Q.5参照）に規定する要求事項に適合するこ
とを定期的に証明する。そうでない場合，この品質認証は，IEC QC 001002-3:2005の3.1.7に規定する品
質認証維持規則によって証明する。
Q.5 品質確認
品種別通則に関連するブランク個別規格は，品質確認検査の試験計画を規定する。試験計画には，グル
ープ分け，抜取り並びにロットごとの検査及び定期検査の周期を規定する。
検査水準及び抜取り計画は，IEC 60410又はJIS C 5005-2から選択する。必要がある場合，二つ以上の
試験計画を規定してもよい。
Q.6 出荷ロット成績証明書
購入者が出荷ロット成績証明書を要求する場合，出荷ロット成績証明書の内容を個別規格に規定する。
Q.7 長期保管後の出荷
2年間を超えて保管（品種別通則に保管期間の規定がない場合）したNTCサーミスタは，出荷前に，品
種別通則の規定に従って再検査する。製造業者の管理責任者が採用する再検査の手順は，国内監督検査機
関の承認を得る。
Q.8 群B検査完了前の品質認証中の出荷
全ての群B検査が，IEC 60410又はJIS C 5005-2の緩い検査への移行の条件に適合する場合，製造業者
は，この試験完了前にNTCサーミスタを出荷してもよい。
Q.9 代替試験方法
詳細については，IEC QC 001002-3:2005の3.2.3.7によるほか，次による。
判定及び基準について疑義がある場合，規定する方法だけを用いる。
Q.10 検査をしないパラメータ
個別規格に規定があって，試験の対象になったNTCサーミスタのパラメータだけが，規定範囲内にある
42
C 2570-1：2015
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
とみなす。
規定しないパラメータは，あるNTCサーミスタと別のNTCサーミスタとの間で一定であるとみなすこ
とができない。
どのような理由であっても，管理するパラメータを追加する必要がある場合には，新規かつより広範囲
の規格を用いる。
追加する試験方法は，適切な規定値，抜取検査方式及び検査水準を詳細に規定する。
43
C 2570-1：2015
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書JA
（参考）
直熱形NTCサーミスタの図記号
直熱形NTCサーミスタの図記号を，次に示す。
NTC
N
T
C
44
C 2570-1：2015
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
附属書JB
（参考）
JISと対応国際規格との対比表
JIS C 2570-1:2015 直熱形NTCサーミスタ−第1部：品目別通則
IEC 60539-1:2008，Directly heated negative temperature coefficient thermistors−Part 1:
Generic specification
(I)JISの規定
(II)
国際
規格
番号
(III)国際規格の規定
(IV)JISと国際規格との技術的差異の箇条ごとの
評価及びその内容
(V)JISと国際規格との技術的差
異の理由及び今後の対策
箇条番号
及び題名
内容
箇条
番号
内容
箇条ごと
の評価
技術的差異の内容
2.2.28
電力軽減曲線の用語の定
義
2.2.28
JISとほぼ同じ
追加
図2の用語“TR”，“T1”などを明確に
した。
IECへの提案を先取りした。
2.2.31
周囲温度25 ℃における
最大電流の用語の定義
2.2.31
JISとほぼ同じ
変更
図3 b)の，最大電流軽減曲線のT3から
T4までを曲線とした。また，用語“TR”，
“T1”などを明確にした。
IECの図の誤りと思われる。修正
の提案を検討する。
2.2.33
熱放散定数の用語の定義
2.2.33
JISとほぼ同じ
追加
一般的な事例を追加した。
分かりやすくした。
2.3
推奨値及び耐候性カテゴ
リ
2.3
推奨値
変更
規定の内容が，推奨値と耐候性カテゴ
リの両方が記載されており，標題のタ
イトルを変更した。
明確にすることで分かりやすくし
た。IECへ提案する。
2.3.0A
推奨値
−
−
追加
推奨値に関する記載のある箇所を独
立させ，2.3.0A推奨値を追加した。
明確にすることで分かりやすくし
た。IECへ提案する。
2.4.1
NTCサーミスタの表示に
おける一般事項
2.4.1
JISとほぼ同じ
変更
表示場所がある場合だけ表示すると
明確にした。
小形が進み表示ができなくなる場
合があるためIECへ提案する。
2.4.2
表面実装形などの小形の
NTCサーミスタの場合
2.4.2
JISとほぼ同じ
追加
標題を追加した。
IECへの提案を先取りした。
3
−
3
品質評価手順
変更
対応国際規格の箇条3の内容を，附属
書Qに規定として移動した。
対応国際規格の品質認証制度
（IECQ）を用いる場合に適用する
ことを明記した。
4.1
試験及び測定手順の一般
事項
4.1
JISとほぼ同じ
追加
対応国際規格の箇条4において細分
箇条に標題のない箇所があったため
標題を追加した。
IECへの提案を先取りした。
2
C
2
5
7
0
-1
：
2
0
1
5
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き、本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
45
C 2570-1：2015
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(I)JISの規定
(II)
国際
規格
番号
(III)国際規格の規定
(IV)JISと国際規格との技術的差異の箇条ごとの
評価及びその内容
(V)JISと国際規格との技術的差
異の理由及び今後の対策
箇条番号
及び題名
内容
箇条
番号
内容
箇条ごと
の評価
技術的差異の内容
4.4.1
取付けの一般事項
4.4.1
JISとほぼ同じ
変更
追加
文章構成の変更及び内容を追加した
（以下，同様の変更をした。）。
IECへの提案を先取りした。
規格使用者の利便性を考慮し，追
加。技術的差異はない（以下，同
様の変更をした。）。
4.8.1
絶縁抵抗値の一般事項
4.8.1
JISとほぼ同じ
変更
追加
2006年版で参考としていた内容を本
文へ追加した。
項番のずれを修正した。
IECへの提案を先取りした。
規格使用者の利便性を考慮し，追
加。技術的差異はない。
4.8.2
b) 測定方法2
4.8.2
JISとほぼ同じ
削除
食塩水に関する記載を削除した。
食塩水を用いることはほぼないた
め，削除した。併せて，IECに修
正の提案を検討する。
図6及び図7
変更
図6及び図7では，それぞれの測定方
法の例図を修正した。
IECの例図の誤りと思われる。
IECに修正の提案を検討する。技
術的差異はない。
4.19
−
4.19
バンプに関する要求
事項
削除
4.20に統合したため，4.19の規定内容
を削除した。
4.19で引用されているJIS C
60068-2-29が廃止されたため，こ
の規格でも4.20と統合した。
4.22
二液槽温度急変
4.22
JISとほぼ同じ
変更
二液槽温度急変を採用した。
用語の変更であり技術的差異はな
い。
4.23.2
4.24.2
低温試験及び高温試験に
ついて
4.23.2
4.24.2
JISとほぼ同じ
変更
対応国際規格で引用している試験Aa
を試験Abに，試験Baを試験Bbに，
試験Bcを試験Bdにそれぞれ変更し
た。
技術的差異はないが，試験番号が
変更されているため，IECに修正
の提案を検討する。
4.27
固着性
4.27
JISとほぼ同じ
変更
表面実装形NTCサーミスタに限定し
た。
他の形状に適用しないようにし
た。
4.28
耐プリント板曲げ性
4.28
JISとほぼ同じ
変更
4.27と同じ
4.27と同じ
4.28.4
耐プリント板曲げ性の最
終検査及び要求事項
4.28.1
JISとほぼ同じ
変更
ゼロ負荷抵抗の測定方法について注
記として追加した。また，対応国際規
格の4.28.1は2か所あり，明らかに誤
記であるため修正した。
規格使用者の利便性を考慮し，追
加。技術的差異はない。
対応国際規格の誤記訂正。IECに
修正の提案を検討する。
2
C
2
5
7
0
-1
：
2
0
1
5
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き、本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
46
C 2570-1：2015
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き，本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。
(I)JISの規定
(II)
国際
規格
番号
(III)国際規格の規定
(IV)JISと国際規格との技術的差異の箇条ごとの
評価及びその内容
(V)JISと国際規格との技術的差
異の理由及び今後の対策
箇条番号
及び題名
内容
箇条
番号
内容
箇条ごと
の評価
技術的差異の内容
附属書A
（参考）
IEC電子部品品質認証制
度（IECQ）などに用いる
場合のIEC 60410の抜取
計画及び手順の説明
附属
書A
（規定）
JISとほぼ同じ
変更
規定を参考とした。
この規格としてIEC 60410を引用
しないため，規定を参考とした。
附属書B
（規定）
−
附属
書B
（規定）
電子機器用コンデン
サ及び抵抗器のため
の個別規格を用意す
るための規則
削除
対応国際規格の附属書Bは，この規格
では不用のため不採用とし，本文を削
除した。
IEC/TC 40を引用しているが，こ
の規格では引用しないため，本文
を削除した。
附属書Q
（規定）
IEC電子部品品質認証制
度（IECQ）に用いる場合
の品質評価手順
−
−
追加
対応国際規格の附属書Bの代わりに
附属書Qを追加した。
IECへの提案を先取りした。
附属書JA
（参考）
直熱形NTCサーミスタ
の図記号
−
−
追加
我が国で使用している図記号を追加
した。
我が国で使用している図記号を追
加した。
JISと国際規格との対応の程度の全体評価：IEC 60539-1:2008，MOD
注記1
箇条ごとの評価欄の用語の意味は，次による。
− 削除 ····················· 国際規格の規定項目又は規定内容を削除している。
− 追加 ····················· 国際規格にない規定項目又は規定内容を追加している。
− 変更 ····················· 国際規格の規定内容を変更している。
注記2
JISと国際規格との対応の程度の全体評価欄の記号の意味は，次による。
− MOD ···················· 国際規格を修正している。
2
C
2
5
7
0
-1
：
2
0
1
5
2019年7月1日の法改正により名称が変わりました。まえがきを除き、本規格中の「日本工業規格」を「日本産業規格」に読み替えてください。