X 6330 : 2001
(1)
まえがき
この規格は，工業標準化法第 14 条によって準用する第 12 条第 1 項の規定に基づき，社団法人日本事務
機械工業会 (JBMA) から，工業標準原案を具して日本工業規格を改正すべきとの申出があり，日本工業標
準調査会の審議を経て，経済産業大臣が改正した日本工業規格である。
これによって，JIS X 6330 : 1998 は改正され，この規格に置き換えられる。
この規格の一部が，技術的性質をもつ特許権，出願公開後の特許出願，実用新案権，又は出願公開後の
実用新案登録出願に抵触する可能性があることに注意を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会
は，このような技術的性質をもつ特許権，出願公開後の特許出願，実用新案権，又は出願公開後の実用新
案登録出願にかかわる確認について，責任はもたない。
JIS X 6330
には，次に示す附属書がある。
附属書 1（規定） カードのレイアウト
附属書 2（参考） JIS と対応する国際規格との対比表
X 6330 : 2001
(1)
目次
ページ
序文
1
1.
適用範囲
1
2.
引用規格
1
3.
定義
2
4.
物理的特性
3
5.
光記録領域の寸法及び位置
5
6.
光学特性
6
附属書 1（規定） カードのレイアウト
9
附属書 2（参考） JIS と対応する国際規格との対比表
10
日本工業規格
JIS
X
6330
: 2001
光メモリカード−直線記録方式
−物理的特性
Optical memory card
−Linear recording method−Physical characteristics
序文 この規格は，それぞれ 2000 年に第 2 版として発行された ISO/IEC 11693, Identification cards−Optical
memory cards
−General characteristics，ISO/IEC 11694-1, Identification cards−Optical memory cards−Linear
recording method
−Part 1 : Physical characteristics，ISO/IEC 11694-2, Identification cards−Optical memory cards
−Linear recording method−Part 2 : Dimensions and location of the accessible optical area，及び 2001 年に第 2 版
として発行された ISO/IEC 11694-3, Identification cards−Optical memory cards−Linear recording method−
Part 3 : Optical properties and characteristics
を翻訳し，一部を削除して作成した日本工業規格である。対応国
際規格で規定している反射形・直線記録方式以外の規定（透過形の光メモリカードに関する規定，円弧形
記録方式など複数の記録方式が存在することを前提とした規定。
）については規定していない。変更の一覧
表を，その説明を付加して
附属書 2（参考）に示す。
1.
適用範囲 この規格は，直線記録方式の光メモリカード（以下，カードという。）の構造・寸法を含む
物理的特性，光記録領域の位置及び寸法並びに光学特性について規定する。
備考1. この規格で規定するカードとは，外部からのエネルギーによってデータの記録又は再生がで
きる光記録領域をもつカードで，データ処理システムの中で使用されるデータの蓄積又は交
換を可能とする携帯形のデータ記録媒体をいう。
2.
この規格の対応国際規格を，次に示す。
なお，対応の程度を示す記号は，ISO/IEC Guide 21 に基づき，IDT（一致している）
，MOD
（修正している）
，NEQ（同等でない）とする。
ISO/IEC 11693 : 2000
Identification cards−Optical memory cards−General characteristics (MOD)
ISO/IEC 11694-1 : 2000
Identification cards−Optical memory cards−Linear recording method−
Part 1 : Physical characteristics (MOD)
ISO/IEC 11694-2 : 2000
Identification cards−Optical memory cards−Linear recording method−
Part 2 : Dimensions and location of the accessible optical area (MOD)
ISO/IEC 11694-3 : 2001
Identification cards−Optical memory cards−Linear recording method−
Part 3 : Optical properties and characteristics (MOD)
2.
引用規格 次に掲げる規格は，この規格に引用されることによって，この規格の規定の一部を構成す
る。これらの引用規格は，その最新版（追補を含む。
）を適用する。
JIS X 6301
識別カード−物理的特性
2
X 6330 : 2001
備考 ISO/IEC 7810 からの引用事項は，この規格の該当事項と同等である。
JIS X 6302
識別カード−記録技術
備考 ISO/IEC 7811-1〜7811-5 からの引用事項は，この規格の該当事項と同等である。
JIS X 6305
識別カード−試験方法
備考 ISO/IEC 10373 からの引用事項は，この規格の該当事項と同等である。
JIS X 6331
光メモリカード−直線記録方式−論理データ構造
備考 ISO/IEC 11694-4 からの引用事項は，この規格の該当事項と同等である。
3.
定義 この規格で用いる主な用語の定義は，次による。
3.1
光記録領域 (accessible optical area) 記録ビーム又は再生ビームによってアクセスされるカード上
の領域。
3.2
光記録層 (optical layer) 光学的手段によってディジタル情報を記録及び／又は再生できる特定の
材料を含み，透明層と裏打ち層との間に設けられるカードの中の特定の層。
3.3
裏打ち層 (protective layer) 光記録層を挟んで透明層の裏にある，カードの中の特定の層。
3.4
透明層 (transparent layer) 記録ビーム又は再生ビームが通過する，カードの中の特定の層。
3.5
未記録部の反射率 (background reflectivity) 隣接するトラックガイドの中間で透明層を通して規
定の波長で測定した，未記録の光記録領域の反射率。
3.6
ビーム径 (beam diameter) 光記録層の表面において円形の光照射領域として観測したとき，その
円周上の光強度がピーク光強度の 1/e
2
に等しい円の直径。
3.7
入射（表）面 (entry face) 記録ビーム又は再生ビームが最初に入射するカードの面。
3.8
光路長 (optical path length) カードの入射表面から光記録層までの往復距離に，透明層の屈折率を
乗じた値。
3.9
パルス幅 (pulse width) 記録のためにレーザが動作している時間。
3.10
再生光出力 (read power) 光記録領域からデータを再生するときのレーザ光の出力。
3.11
反射率 (reflectivity) 規定の波長の光をカードの透明層に垂直に入射したときの，入射光強度に対
する反射光強度の比率。通常，%で表す。
3.12
屈折率 (refractivity) 真空中の光の位相速度と媒質中の光の位相速度との比。
3.13
マーク (marker) 記録ビームによって光学的に変化した光記録層上の領域。一般には棒状の線に
なる。
3.14
直線記録方式 (linear recording method) カード上に，直線 X−Y フォーマットによってディジタル
データを記録又はプリフォーマットする方法。
3.15
フォーマツト (format) ディジタルデータを記録する様式，及び使用に先立ってカードにあらかじ
め付与される情報の様式。
3.16
プリフォーマットデータ (preformatted data) カードの製造工程において，あらかじめ付与された
データ。
3.17
トラックガイド (track guide) データの記録時及び再生時に基準とする，カード長辺に平行にプリ
フォーマットした直線。データは，隣接するトラックガイド間に，トラックガイドに平行に記録される。
3.18
カードドライブ (card drive) カードに情報を記録及び再生する装置
3.19 P. P. M.
スポット上のマークの有無によって 2 値信号の 1 及び 0 を表す変調方式
（パルス位置変調）
。
Pulse Position Modulation
の略。
3
X 6330 : 2001
3.20 P. W. M.
棒状のマークの端（前端及び後端）が 2 値信号の 1 及び 0 の信号遷移を表す変調方式（パ
ルス幅変調）
。Pulse Width Modulation の略。
3.21
基準縁 (reference edges) カードの光記録領域が正面下方に位置するようにカードを置いたときの
カードの下辺及び左辺。
3.22
基準トラック (reference track) 長手方向の基準縁に最も近いトラック。
3.23
ドロップイン (drop in) カードの再生時に，記録していない 2 値信号が再生されることによるデー
タ誤り。
3.24
ドロップアウト (drop out) カードの再生時に，記録した 2 値信号が再生されないことによるデー
タ誤り。
3.25
スキュー (skew) 基準トラックが長手方向の基準縁となす角度。
4.
物理的特性
4.1
構造
4.1.1
カードの構造 カードは，光記録領域においては，透明層，光記録層及び裏打ち層をもった構造と
し，次のとおりとする。
4.1.2
カードの断面構造（光記録領域） カードの光記録領域の断面構造は，図 1 による。
図 1 光メモリカードの断面構造（光記録領域）
4.2
形状及び寸法
4.2.1
外形寸法 カードは，縦及び横の中心線をそろえた次の大小二つの長方形に囲まれた領域にそのす
べての縁部が入るように仕上げなければならない。ただし，
長辺と短辺とが交差する四つの角については，
4.2.3
による（
図 2 参照）。
大きい長方形の寸法： 長辺 85.72mm
短辺 54.03mm
小さい長方形の寸法： 長辺 85.47mm
短辺 53.92mm
4
X 6330 : 2001
図 2 光メモリカードの大きさ
4.2.2
カードの厚さ カードの厚さは，0.76±0.08mm とする。
4.2.3
カードの四つの角の仕上げ 長辺と短辺とが交差するカードの四つの角の部分は，丸み仕上げを施
し，丸みの大きさは，3.18±0.30mm とする（
図 2 参照）。
4.2.4
カード縁部の仕上げ カード縁部のバリは，カードの水平面から 0.08mm 以下とする。
4.3
物理的特性 物理的特性は，次による。
4.3.1
変形特性 カードは，通常の使用状態において，記録及び再生に影響しない平面内に復帰する弾性
をもたなければならない。
4.3.2
カードの反り カードの反りは，光記録領域を上にして測定する。反りの測定は，平たん（坦）な
面に置いて行う。このとき反りは，平たんな面から測って，カードの厚さを含めて 2mm 以内とする。た
だし，エンボスがある場合は非エンボス部を基準とする。
4.3.3
耐 X 線性 カードの表裏面に，70〜140kV の中エネルギーX 線を 0.1Gy 相当照射したとき，カー
ドの特性に異常があってはならない。
4.3.4
汚染成分 カードは，通常の取扱いにおいて，光記録層がこの規格で規定するカードの特性を損な
うまで，光記録層内に侵入したり，光記録層を変質させたりする汚染成分を含んではならない。
4.3.5
燃焼性 燃焼性については規定しない。
4.3.6
毒性 カードは，通常の取扱いにおいて，毒性を示してはならない。
4.3.7
耐紫外線性 カードは，直射日光の紫外線レベルの光量照射で，カードの特性に異常があってはな
らない。
4.3.8
光透過度 光透過度は，必要があれば使用される用途ごとの国際規格で規定される。
4.3.9
曲げ特性 カードは，曲げを 1 000 回行った後において，カードの特性に異常があってはならない。
著しいき裂が生じてはならない。試験方法は，JIS X 6305 による。
4.3.10
耐薬品浸せき性 カードは，通常の取扱いで触れる可能性のある薬品に対してカードの特性に異常
があってはならない。
5
X 6330 : 2001
4.3.11
屋外放置 カードは，次の大気中に放置したとき，カードの特性に異常があってはならない。
a) 0.1ppm
以下の SO
2
，H
2
S
又は NO
X
を含む大気。
b) 2.7
µg/m
3
以下の NaCl を含む大気。
4.3.12
耐久性 カードの耐久性は，カード製造者とカード発行者との間において取り決めるものとする。
4.3.13
寸法変化及び反り 温度及び湿度に対する寸法安定及び反りは，JIS X 6301 による。
4.3.14
試験環境 カードの試験及び測定は，特に規定のない限り JIS X 6305 による。ただし，気圧及び
結露については，次による。
気圧：75〜105kPa
結露：結露してはならない。
5.
光記録領域の寸法及び位置
5.1
寸法及び位置 カードの光記録領域の寸法及び位置は，図 3 による。
5.2
寸法 C 寸法 C は可変とし，カード製造者及びカード発行者が規定するものとする。ただし，寸法
は，9.5mm 以上，49.2mm 以下とする。
5.3
寸法 X 寸法 X は，P. W. M. を使用する場合最大値が 3.0mm，P. P. M. を使用する場合最大値が 1.0mm
とする。
5.4
寸法 Y 寸法 Y は，寸法 D より 1.0mm 以上小さいこと。ただし，P. W. M. を使用する場合，寸法 Y
の最大値は 4.5mm とする。
5.5
スキュー スキューは，0.2°以下とする。
5.6
カードのレイアウト カードのレイアウトは，附属書 1 による。
6
X 6330 : 2001
図 3 光記録領域の寸法及び位置
6.
光学特性
6.1
記録及び再生試験条件 記録及び再生試験条件は，次による。
6.1.1
光源 光源は，760〜850nm の波長をもつ半導体レーザとする。
6.1.2
ビーム径 ビーム径は，個々の試験において，それぞれ規定される。
6.1.3
再生光出力 再生光出力は，光記録層表面において，0.5mW 以下とする。
6.1.4
試験環境 試験環境は，4.3.14 による。
6.2
光学特性 光学特性は，次による。
なお，これらの特性は，6.1 で規定する試験条件のもとで達成されなければならない。
6.2.1
基本的特性 ここで規定する値は，互換性を得るために受け入れられる最小限のレベルを意味する。
6.2.1.1
未記録部の反射率 未記録部の反射率は，12〜18%又は 27〜48%とし，かつ，1 枚のカード内で
の反射率のばらつきは，平均値の±10%以内とする。
6.2.1.2
トラックガイドのコントラスト プリフォーマットされたトラックガイドのコントラストは，ト
ラックガイドに対して直角にスキャンして測定する場合において，
次の式によって算出し，
0.3
以上とする。
C
C
B
A
−
=
)
(
コントラスト
ここに，
B
： バックグラウンドの信号レベル
C
： トラックガイドの信号レベル
7
X 6330 : 2001
6.2.1.3
記録データのコントラスト
レーザで記録されたデータビットのコントラストは，次の式によっ
て算出し，0.3 以上とする。
B
D
B
A
−
=
)
(
コントラスト
ここに，
B
： バックグラウンドの信号レベル
D
： 記録データの信号レベル
6.2.1.4
入射表面の反射率
カードの入射表面における反射率は，7.0%以下とする。
6.2.2
プリフォーマットデータ特性
光記録領域のプリフォーマットデータの低周波復帰，高周波振幅，
低周波振幅，振幅比及び信号重複を
図 4
に示し，備考のように定義する。
なお，試験条件及び規定値は，
JIS X 6331
の
附属書 A
，
附属書 B
による。
備考1.
低周波復帰 (H
LF
/R
B
)
低周波データパターンの反射率の極大値 H
LF
と，バックグラウンドの
反射率 R
B
との比。
2.
高周波振幅 (A
HF
)
高周波データパターンの反射率の極大値 H
HF
と，極小値 L
HF
との差。
3.
低周波振幅 (A
LF
)
低周波データパターンの反射率の極大値 H
LF
と，極小値 L
LF
との差。
4.
振幅比 (A
HF
/A
LF
)
高周波振幅 A
HF
と低周波振幅 A
LF
との比。
5.
信号重複 (S
o
)
高周波データパターンの反射率の極大値 H
HF
と低周波データパターン
の反射率の極小値 L
LF
との差。
図 4 プリフォーマットデータの再生信号の一例
6.2.3
記録データ特性
光記録領域に書き込まれた記録データ特性は，プリフォーマットデータ特性と同
様に
図 4
に示す。
なお，試験条件及び規定値は，
JIS X 6331
の
附属書 A
，
附属書 B
による。
6.2.4
光路長
光路長は，1.036〜1.431mm とする。光路長変化は，同一カード及び同一ロットにおいて，
±15%以内とする。
6.3
再生特性
6.3.1
連続再生特性
光記録領域内の同一領域において，連続 10 000 パス再生した後，カードの方向を
90
度変えて，同領域の反射率を測定したとき，反射率の相対変化は，±10%以内とする。
6.4
欠陥
8
X 6330 : 2001
6.4.1
欠陥
欠陥とは，光記録領域内において，2.5
µm 以上のものをいう。ドロップイン，ドロップアウ
トはともに，欠陥とみなす。
6.4.2
欠陥密度
光記録領域内での誤り訂正前の欠陥率は，5.0×10
−
4
以下とする。
6.4.3
透明層での欠陥の大きさの最大値
透明層では，断面が 100
µm を超える欠陥があってはならない。
9
X 6330 : 2001
附属書 1（規定） カードのレイアウト
1.
適用範囲
この附属書は，直線記録方式を使用する光メモリカードにおける光記録領域の寸法及び位
置について，光記録領域に加え，他の機能（エンボス，署名部，磁気ストライプ、端子付き IC など）を含
む場合のカードのレイアウトに適用する。
2.
光記録領域
2.1
位置
光記録領域は，カードのどちらの面にあってもよい。
2.2
基準トラック
基準トラックは，カードの上端又は下端，いずれにあってもよい。
2.3
大きさ
光記録領域の大きさは，カード上の他の機能（エンボス，署名部，磁気ストライプ、端子
付き IC など）に合わせて調整することができる。
2.4
共存
カード上のいずれかの面の光記録領域と共存して配置される機能（エンボス，署名部，磁気
ストライプ、端子付き IC など）は，光記録領域に影響を与えないように注意しなければならない。
参照規格一覧
1.
ISO/IEC 7811-2
: 1995
Identification cards−Recording technique−Part 2 : Magnetic stripe
2.
ISO/IEC 7811-3
: 1995
Identification cards−Recording technique−Part 3 : Location of embossed characters
on ID-1 cards
3.
ISO/IEC 7811-4
: 1995
Identification cards−Recording technique−Part 4 : Location of read-only magnetic
tracks
−Tracks 1 and 2
4.
ISO/IEC 7811-5
: 1995
Identification cards−Recording technique−Part 5 : Location of read-write magnetic
track
−Track 3
5.
ISO/IEC 7816-2
: 1999
Identification cards−Integrated circuit (s) cards with contacts−Part 2 : Dimensions
and location of the contacts
10
X 6330
: 20
01
附属書 2（参考） JIS と対応する国際規格との対比表
JIS X 6330 : 2001
光
メモリカード−直線記
録方式−物理的特性
ISO/IEC 11693 : 2000
Identification cards−Optical memory cards−General characteristics
ISO/IEC 11694-1 : 2000
Identification cards−Optical memory cards−Linear recording method−Part 1 : Physical characteristics
ISO/IEC 11694-2 : 2000
Identification cards−Optical memory cards−Linear recording method−Part 2 : Dimensions and location of the accessible optical area
ISO/IEC 11694-3 : 2001
Identification cards−Optical memory cards−Linear recording method−Part 3 : Optical properties and characteristics
(I) JIS
の規定 (III)
国 際 規 格 の 規
定
(IV) JIS
と国際規格との技術的差異の項目
ごとの評価及びその内容
項目
番号
内容
(II)
国際規格番号
項目
番号
内容
項 目 ご と の
評価
技術的差異の内容
(V) JIS
と国際規格との技術的差異の理由及び今後の対策
1.
適用範囲
ISO/IEC 11693
ISO/IEC 11694-1
ISO/IEC 11694-2
ISO/IEC 11694-3
す べ て の タ
イ プ の 一 般
特性
物理的特性
寸法，光記録
領域の位置
光学的特性
MOD/
削除
ISO/IEC 11693
はすべての
タイプの光カードについて
規 定 し て い る 。 ISO/IEC
11694
シリーズは反射形・直
線記録方式の光カードにつ
いて規定している。JIS は反
射形・直線記録方式の光カー
ドだけを規定している。
現状，反射形・直線記録方式以外のタイプの光カード（光
透過形，円弧記録方式，円記録方式，クラスタ記録方式な
ど）については，規格，製品ともに作られていないため，
ISO/IEC 11693
のうち，①光透過形に関する規定，②直線
記録方式以外の記録方式の規定は採用していない。今後こ
れらのカードが規格化されたときに JIS 化を行う予定。
なお，ISO/IEC 11693 においては， 個別規格による
と
いう規定であるが，現時点では直線記録方式以外の個別規
格は規格化されていない。
3.
定義
ISO/IEC 11693
ISO/IEC 11694-1
ISO/IEC 11694-2
ISO/IEC11694-3
MOD/
削除
3.7
複屈折，
3.9
露光時間，
3.13
最大再生光出力，3.17 記録ス
ポット径の四つを削除した。
これらの用語は，関連する規格 (JIS X 6330, ISO/IEC
11693, ISO/IEC 11694-1, ISO/IEC 11694-2, ISO/IEC
11694-3)
で使用されていない。
4.
物理的特性
ISO/IEC 11693
ISO/IEC 11694-1
IDT
5.
光 記 録 領 域 の
寸法及び位置
ISO/IEC 11693
ISO/IEC 11694-2
IDT
6.
光学特性
ISO/IEC 11693
ISO/IEC 11694-3
IDT
附属書 1
ISO/IEC 11694-2
Annex A
IDT
JIS
と国際規格との対応の程度の全体評価：MOD
11
X 6330
: 20
01
備考1. 項目ごとの評価欄の記号の意味は，次のとおりである。
− IDT……………… 技術的差異がない。
− MOD/削除……… 国際規格の規定項目又は規定内容を削除している。
2. JIS
と国際規格との対応の程度の全体評価欄の記号の意味は，次のとおりである。
− MOD…………… 国際規格を修正している。
12
X 6330 : 2001
JIS X 6330
（光メモリカード−直線記録方式−物理的特性）原案作成委員会 構成表
氏名
所属
（委員長）
木 澤 誠 ISO/IEC
JTC1/SC17
国内委員会顧問
（幹事）
○
齋 藤 八 郎
大日本印刷株式会社研究開発推進本部
（委員）
岩 田 悟 志
経済産業省商務情報政策局
橋 本 進
財団法人日本規格協会
中 島 義 夫
財団法人医療情報システム開発センター
○
黒 岩 政 夫
凸版印刷株式会社金融・証券事業本部
○
堀 口 敏 夫
オリンパス光学工業株式会社新事業推進企画部
川 村 直 道
富士通株式会社ソフトウェア事業本部
藤 田 実
共同印刷株式会社研究第 1 部
（関係者）
田 川 淳
経済産業省産業技術環境局標準課
（事務局）
小 林 繁 雄
社団法人日本事務機械工業会
野 原 三 郎
社団法人日本事務機械工業会
備考
○印は，分科会委員を兼ねる。