>サイトトップへ >このカテゴリの一覧へ

X 6305-5

:2003 (ISO/IEC 10373-5:1998)

(1)

まえがき

この規格は,工業標準化法第 12 条第 1 項の規定に基づき,社団法人ビジネス機械・情報システム産業協

会(JBMIA)/財団法人日本規格協会(JSA)から,工業標準原案を具して日本工業規格を制定すべきとの申出

があり,日本工業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が制定した日本工業規格である。これによって,

JIS X 6305:1995

は廃止され,JIS X 6305-1-3 及び JIS X 6305-5-7 に置き換えられる。

制定に当たっては,日本工業規格と国際規格との対比,国際規格に一致した日本工業規格の作成及び日

本工業規格を基礎にした国際規格原案の提案を容易にするために,ISO/IEC 10373-5:1998,Identification

cards

−Test methods−Part 5 : Optical memory cards を基礎として用いた。

この規格の一部が,技術的性質をもつ特許権,出願公開後の特許出願,実用新案権,又は出願公開後の

実用新案登録出願に抵触する可能性があることに注意を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会

は,このような技術的性質をもつ特許権,出願公開後の特許出願,実用新案権,又は出願公開後の実用新

案登録出願にかかわる確認について,責任はもたない。

JIS X 6305

の規格群には,次に示す部編成がある。

JIS X 6305-1

  第 1 部:一般的特性の試験

JIS X 6305-2

  第 2 部:磁気ストライプ付きカード

JIS X 6305-3

  第 3 部:外部端子付き IC カード及び接続装置

JIS X 6305-5

  第 5 部:光メモリカード

JIS X 6305-6

  第 6 部:外部端子なし IC カード−近接型

JIS X 6305-7

  第 7 部:外部端子なし IC カード−近傍型


X 6305-5

:2003 (ISO/IEC 10373-5:1998)

(2)

目  次

ページ

序文

1

1.

  適用範囲

1

2.

  引用規格

1

3.

  定義

2

3.1

  試験方法

2

3.2

  機能残存

2

3.3

  通常の使用

2

4.

  特に指定がない場合の試験環境及び条件

2

4.1

  試験環境

2

4.2

  事前調整

2

4.3

  試験方法の選択

2

4.4

  特に規定がない場合に適用される公差

2

4.5

  総合的な測定不確定性

2

5.

  試験方法

2

5.1

  光記録領域及び基準トラックの位置

2

5.2

  スキュー

3

5.3

  欠陥

4

 


日本工業規格

JIS

 X

6305-5

:2003

(ISO/IEC 10373-5

:1998

)

識別カードの試験方法−

第 5 部:光メモリカード

Identification cards

Test methods

Part 5 : Optical memory cards

序文  この規格は,1998 年に第 1 版として発行された ISO/IEC 10373-5,Identification cards−Test methods

−Part 5 : Optical memory cards  を翻訳し,技術的内容及び規格票の様式を変更することなく作成した日本

工業規格である。また,この規格は,JIS X 6301 に定義された識別カード(以下,ID カード又はカードと

いう。

)のパラメタ及び国際流通用として,この ID カードの使用方法のうち,光メモリカードに関連し,

その試験方法について規定する。

1.

適用範囲  この規格は,カードの特性評価試験方法について規定する。各試験方法は,一つ以上の基

本規格と関連をもつ。基本規格とは,例えば,JIS X 6301 又は ID カードを使った情報記憶技術に関する追

加の規格などである。

備考1.  適合基準はこの規格の中にはなく,基本規格の中に規定される。

2.

この規格で規定する試験方法は,項目別に実施される。供試されたカードについて,すべて

の項目を順番に試験する必要はない。

3.

この規格の対応国際規格を,次に示す。

なお,対応の程度を表す記号は,ISO/IEC Guide 21 に基づき,IDT(一致している)

,MOD

(修正している)

,NEQ(同等でない)とする。

    ISO/IEC 10373-5:1998,Identification cards−Test methods−Part 5 : Optical memory cards

(IDT)

JIS X 6305

の一部であるこの規格の試験方法は,JIS X 6330 及び JIS X 6331 で規定する直線記録方式の

光メモリカードに関して適用する。

2.

引用規格  次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成す

る。これらの引用規格のうちで発行年を付記してあるものは,記載の年の版だけがこの規格の規定を構成

するものであって,その後の改正版・追補には適用しない。発効年を付記していない引用規格は,その最

新版(追補を含む。

)を適用する。

JIS X 6301

  識別カード−物理的特性

備考  ISO/IEC 7810 : 1995, Identification cards─Physical characteristics  からの引用事項は,この規格

の該当項目と同等である。

JIS X 6330

  光メモリカード─直線記録方式─物理的特性

備考  ISO/IEC 11693 : 2000, Identification cards─Optical memory cards─General characteristics からの

引用事項は,この規格の該当項目と同等である。


2

X 6305-5

:2003 (ISO/IEC 10373-5:1998)

      ISO/IEC 11694-1 : 2000, Identification cards

─Optical memory cards─Linear recording method−

Part 1

:Physical characteristics

      ISO/IEC 11694-2 : 2000, Identification cards─Optical memory cards─Linear recording method─

Part 2

:Dimensions and location of the accessible optical area

      ISO/IEC 11694-3 : 2001, Identification cards─Optical memory cards─Linear recording method─

Part 3

:Optical properties and characteristics からの引用事項は,この規格の該当項目と同等であ

る。

JIS X 6331

  光メモリカード─直線記録方式─論理データ構造

備考  ISO/IEC 11694-4 : 1998, Identification cards─Optical memory cards─Linear recording method─

Part 4

:Logical data structures が,この規格と一致している。

3.

定義  この規格で用いる主な用語の定義は,次による。

3.1

試験方法(test method)  規格に適合していることを確認するために,カードの特性を試験する方法。

3.2

機能残存(testably functional)  破壊を招く危険性がある幾つかの試験に対して,試験後に残存すべ

き機能。

a)

磁気ストライプでは,試験の前後に計測される信号振幅の関係が基本規格に従っている。

b) IC

では,リセット応答が基本規格に従っている。

備考  この規定では,IC カードの完全な試験方法を網羅していない。この試験方法は,最低限の機能

確認をするにすぎない。仕様に応じて機能項目を加えて適用してもよい。

c)

外部端子では,電気抵抗及びインピーダンスが基本規格に従っている。

d)

光メモリでは,光学特性が基本規格に従っている。

3.3

通常の使用(normal use)  カード技術及び個人情報の記憶媒体に適した,カードリーダライタ側の

処理を含む ID カード[JIS X 6301 の 4.(定義)参照]としての使用。

4.

特に指定がない場合の試験環境及び条件

4.1

試験環境  ほかに規定がない場合,試験は温度 23  ℃±3  ℃,及び湿度 40 %∼60 %の環境で行う。

4.2

事前調整  試験方法によって事前調整が必要な場合,試験する ID カードは,試験前に 24 時間,4.1

の試験環境になじませる。

4.3

試験方法の選択  ほかに規定がない場合,この規格の試験は,主に JIS X 6330 及び JIS X 6331 に規

定する光メモリカードだけに適用される。

4.4

特に規定がない場合に適用される公差  ほかに規定がない場合,試験装置の特性,試験手順で試験

装置の調整範囲などを表す量的な値  (長さで表される寸法など)に対して±5  %の公差を適用するものと

する。

4.5

総合的な測定不確定性  これらの試験方法によって決定される各数量の総合的な測定不確定性は,

試験報告書に記録する。

5.

試験方法

5.1

光記録領域及び基準トラックの位置  この試験の目的は,カードの光記録領域及び基準トラックの

位置を測定することである。

備考  JIS X 6330 参照


3

X 6305-5

:2003 (ISO/IEC 10373-5:1998)

5.1.1

試験手順  堅固で平たんな面に,o で直交するx軸及びy軸を設定し,y軸上に P

1

(o から 27.00 mm

の距離の点)

,x軸上に P

2

(o から 11.25 mm の距離の点)及びP

(o から 71.25 mm の距離の点)を基準

点として設定する。供試カードを,この平たんな面上に光記録領域面を上にして置いて 2.2 N±0.2 N の荷

重で保持する。

y

軸に平行なカードの基準縁が P

1

に接するようにx軸に平行な力 F

1

(1 N

∼2 N)を加え,x 軸に平行なカ

ードの基準縁が P

2

及び P

3

と接するように,y 軸に平行な力 F

2

(2 N

∼4 N)を加える(

図 参照)。

0.05 mm

の測定精度をもつ装置で,X

a

X

b

Y及び の寸法を測定する。

                                                    単位 mm

  1  光記録領域及び基準トラックの位置

5.1.2

試験報告書  試験報告書には,測定した寸法値を記録する。

5.2

スキュー  この試験の目的は,光メモリカードの基準縁及び基準トラックの平行性を測定すること

である。

備考  JIS X 6330 参照

5.2.1

試験装置  装置は,図 に示すとおり,次によって構成される。

a) xy

位置表示器付きの xy ステージ

参考 xy ステージとは x 軸方向・y 軸方向に自由に移動可能なステージをいう。寸法測定装置や半導

体製造装置などに使用される xy ステージは,x 軸方向・y 軸方向に高精度で移動でき,かつ,x

軸・y 軸の位置を検出する機能をもっている。

b)

光学顕微鏡

  2  スキュー測定装置

5.2.2

試験手順  供試カードを,光記録領域面を上にして,xy ステージ上に平らに置く。

F

F

C

Y

D

X

X

y

x


4

X 6305-5

:2003 (ISO/IEC 10373-5:1998)

顕微鏡の接眼レンズを覗いて,

カードの短辺の基準縁に近い部分の基準トラックが見えるように xy ステ

ージを動かす  (

図 参照)。そして,接眼レンズ中に見える十字マークの交点が基準トラックと重なるよう

に xy ステージを調節して,xy ステージの xy 座標値  (X

0

Y

0

)

を記録する。

次に,

xy

ステージのx軸を固定して,

カードの長辺の基準縁が見えるようにステージの y 軸を移動する。

上記と同様に接眼レンズ中に見える十字マークの交点が基準縁と重なるようにステージの y 軸を調節し,

xy

ステージの xy 座標値  (X

0

Y

2

)

を記録する。

続いて,カード長辺の基準縁を顕微鏡で見ながら xy ステージを移動し,x軸の移動距離が 60 mm 以上

になったところで接眼レンズ中の十字マークの交点と基準縁が重なるように調節し,xy ステージの xy 座

標値(X

1

Y

3

)

を記録する。

さらに,ステージの x 軸を固定して,基準トラックが見えるところまで y 軸を移動させ,接眼レンズ中

の十字マークの交点と基準トラックとが重なるよう調節し,

xy

ステージの xy 座標値  (X

1

Y

1

)

を記録する。

スキューを,次の式で計算する。

    スキュー=|tan

-1

{(Y

1

Y

0

)/(X

1

X

0

)}

− tan

-1

{(Y

3

Y

2

)/(X

1

X

0

)}|

                                    単位 mm

  3  スキュー測定手順

5.2.3

試験報告書  試験報告書には,測定値から計算したスキュー(角度)を記録する。

5.3

欠陥  この試験の目的は,供試カードの欠陥を測定することである。

備考  JIS X 6330 参照

5.3.1

試験装置  光学顕微鏡を使って,光記録領域の欠陥を測定する。

5.3.2

試験手順  光記録領域で長さが 2.5  μm を超える欠陥に関して,この欠陥の総不良面積を算出する。

総不良面積を光記録領域の総面積で除し,光記録領域内のエラー修正前の欠陥の密度を得る。

光記録領域のカード透明層で,直径が 100  μm を超える欠陥の有無を確認する。

5.3.3

試験報告書  試験報告書には,光記録領域における欠陥の密度及び透明層における欠陥の有無を記

録する。

X Y

X Y

X Y

X Y

(X

1

Y

3

)