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K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

(1) 

まえがき

この規格は,工業標準化法第 12 条第 1 項の規定に基づき,財団法人大阪科学技術センター付属ニューマ

テリアルセンター (OSTEC) 及び財団法人日本規格協会 (JSA) から工業標準原案を具して日本工業規格

を改正すべきと申出があり,日本工業標準調査会の審議を経て,通商産業大臣が制定した日本工業規格で

ある。

JIS K 0142

には,次に示す附属書がある。

附属書 A(参考)  フォーマットの特定項目例

附属書 B(参考)  フォーマットの実例


日本工業規格

JIS

 K

0142

 : 2000

 (ISO

14975

 : 2000

)

表面化学分析−情報フォーマット

Surface chemical analysis

−Information formats

序文  この規格は,2000 年度版として発行予定の ISO 14975, Surface chemical analysis−Information formats

を翻訳し,技術的内容及び規格票の様式を変更することなく作成した日本工業規格である。

なお,この規格で点線の下線を施してある箇所は,原国際規格にない事項である。

JIS K 0141

は表面化学分析データを送信するためのディジタルデータ転送フォーマットを規定している。

多くの科学分野でデータベースの重要性が増しており,

スペクトルデータをデータベース中に蓄積したり,

データベース中で取り扱ったりすることが重要となっている。JIS K 0141 の構造はデータ通信を目的とし

ているが,データベースの操作は通信とは全く異なった操作である。したがって必要に応じて付加的な情

報を JIS K 0141 に含ませることはデータベースのデータを取り扱ううえに重要なことである。この規格は

データベースのデータを取り扱うために必要な(1)試料情報,(2)校正情報,(3)データ処理情報に関する情報

パッケージを定義したものである。フォーマットは将来の変更にも対応している。このフォーマットは JIS 

K 0141

とともに動作するようになっているため,JIS K 0141 を読むことができるソフトウェアはこの情報

パッケージが付加された場合でも正しく動作する。

この規格は JIS K 0141 を補完するものであると同時に,

単独でも動作するものである。

この規格に記述されているデータファイル構造決定のための背景は重要である。プログラマが新しいソフ

トウェアの中で信頼度高くフォーマットを実行するには Microsoft Windows

TM

“.INI”ファイル構造の解釈

方法に従えばよい。現在のコンピュータは Windows Application Programming Interface

TM

を通して,様々な

コンピュータ言語を用いてフォーマットを読み書きすることが可能である。

1.

適用範囲  この規格は JIS K 0141:表面化学分析−データ転送フォーマットを補完するためのフォー

マットを規定するものであり,表面化学分析スペクトルデータベースの構築,増強,変更のためのデータ

を送信するためのものである。フォーマットはオージェ電子分光法 (AES) 及び X 線光電子分光法 (XPS)

に適用される。

2.

引用規格  次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成す

る。これらの規格は,その最新版(追補を含む。

)を適用する。

JIS K 0141

:表面化学分析−データ転送フォーマット

備考  ISO 14976  Surface chemical analysis−Data transfer format が,この規格と一致している。

3.

定義  この規格で用いる用語の定義は,次による。

3.1

データベース

検索可能なスペクトルデータ


2

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

3.2

情報

試料,分光器の校正,データ処理又はスペクトルデータベースを構築するうえに必要な情報

3.3

パッケージ

スペクトルデータに記述する一連の文字列

4.

記号と省略形

CAS

:化学文献検索サービス

DTF

JIS K 0141[表面化学分析−データ転送フォーマット (Data Transfer Format)]

IUPAC

:純正及び応用化学に関する国際連合

N/A

:適用不可能

5.

情報フォーマットの記述

5.1

一般

情報は DTF の注釈行に挿入するか,又はパッケージとして DTF に添付する。その結果,現在の DTF を

情報の搬送体としてそのまま用いることができる。これらのパッケージは DTF の実験−注釈行,又はブロ

ック−注釈行に挿入するか,DTF の外にブロックとして付け加えることができる。

この構造によって,フォーマットを読むプログラムは,すべてのブロックに適用される実験−注釈行,

又は一つのブロックに適用されるブロック−注釈行,又は DTF 外のブロックの中でフォーマット識別子を

探すことができる。これまでに存在していた読み取り用のプログラムはこれらのパッケージを人間が読む

ための注釈コメントとして解釈して無視することができる。

この規格では,

‘試料情報フォーマット’

‘校正情報フォーマット’及び‘データ処理フォーマット’の

ための情報パッケージが記述されている。これらはモジュール化されており,これまでに書かれたソフト

ウェアとの両立性が保たれている。

5.2

付則及び定義

文字列=最大 80 文字まで,最後に改行を伴う。

文字=次の半角文字セットの一つ;

‘ ‘

|‘!’|‘”’|‘#’|‘$’|‘%’|‘&’|“’”|‘ (’|‘) ’|‘*’|‘+’|‘, ’|‘-’|‘.’|‘/’

|‘0’|‘1’|‘2’|‘3’|‘4’|‘5’|‘6’|‘7’|‘8’|‘9’|‘: ’|‘; ’|‘<’|‘=’|‘>’|‘?’

|‘@’|‘A’|‘B’|‘C’|‘D’|‘E’|‘F’|‘G’|‘H’|‘I’|‘J’|‘K’|‘L’|‘M’|‘N’|‘O’

|‘P’|‘Q’|‘R’|‘S’|‘T’|‘U’|‘V’|‘W’|‘X’|‘Y’|‘Z’|‘ [’|‘\’|‘] ’|‘^’|‘_’

|‘`’|‘a’|‘b’|‘c’|‘d’|‘e’|‘f’|‘g’|‘h’|‘i’|‘j’|‘k’|‘l’|‘m’|‘n’|‘o’

|‘p’|‘q’|‘r’|‘s’|‘t’|‘u’|‘v’|‘w’|‘x’|‘y’|‘z’|‘ {’|‘|’|‘} ’|‘ ̄’

引用符間の垂直の線は文字の区切りを示す。

改行=7 ビット “Return key” アスキーコードに 7 ビットの “Line Feed” アスキーコードが伴ったもの。

複数文字列=一つの項目を規定するための複数文字列

ISO/IEC

指示書第 3 部では小数点はコンマで示すことが指定されているが,コンマは人間が読むときに

用いる場合であり,コンピュータの入力項目としては,通常の用法に従い,小数点を表すものとしては点

を用いることとする。

5.3

フォーマット

5.3.1

構造


3

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

a)

試料情報パッケージの内容

試料情報パッケージは次に太字で示される項目からなる連続した文字列のテキストファイルである。

太字の定義は 5.3.2 で示される。すべての項目は決められた順序に従い記述しなければならない。

試料情報フォーマット識別子

主物質

IUPAC 

化学名

化学抄録登録番号

主物質組成

純度

既知不純物

結晶構造

製品形態

供給者

製品番号

均一性

結晶性

材料分類

特別材料分類

試料装着方法

外部処理法

その場処理法

帯電補正法

試料温度

試料情報に関するコメント

試料情報フォーマット終了識別子

b)

校正情報パッケージの内容

校正情報パッケージは次に太字で示される項目からなる連続した文字列のテキストファイルである。

太字の定義は 5.3.2 で示される。すべての項目は決められた順序に従い記述しなければならない。

校正情報フォーマット識別子

エネルギー軸校正

強度軸校正

分解能校正

校正情報フォーマット終了識別子

c)

データ処理情報パッケージの内容 

データ処理情報パッケージは次に太字で示される項目からなる連続した文字列のテキストファイル

である。太字(太字ゴシック体)の定義は 5.3.2 で示される。すべての項目は決められた順序に従い記

述しなければならない。

データ処理情報フォーマット識別子

データ処理方法

データ処理情報フォーマット終了識別子


4

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

5.3.2

フォーマット中の項目の定義

a)

試料情報フォーマット

ここで定義されていない項目の定義は 5.2 で定義されている。引用符で囲まれた言葉はフォーマッ

トのコーディングに使われる。IUPAC 命名法及び CAS 登録番号をフォーマットのコーディングの際

に参照すること。

試料情報フォーマット識別子は,次の文字列,

“[ISO_Specimen_Information_Format_1998_October_15]”

である。

主物質は文字列である。この文字列は “host_material=”  から始まり,試料の一般名が続く。

IUPAC

化学名は文字列である。この文字列は “IUPAC_chemical_name=”  から始まり,主物質の

IUPAC

化学名,若しくは特定ができない場合には “none”,“unknown”  又は “N/A” を付ける。

化学抄録登録番号は文字列である。この文字列は “chemical_abstracts_registry_number=”  から始ま

り,主物質の化学抄録登録番号,若しくは特定ができない場合には “none”,“unknown”  又は “N/A” を

付ける。

主物質組成は文字列である。この文字列は “host_material_composition=”  から始まり,存在する主

元 素 名 あ る い は 化 学 式 が 続 く 。 主 元 素 名 を 用 い る と き に は 組 成 を 数 値 で 書 き  “mass%” 又 は

“atomic%”

を付ける。組成が特定できないときには数値の代わりに “_” を用いる。

純度は文字列である。この文字列は “bulk_purity=”  から始まり,物質の純度と保証者,若しくは

特定ができない場合には “unknown”,又は “N/A” を付ける。純度は実数で表され,単位は mass%と

atomic%

が許容される。単位は必ず付けなくてはならない。 “4N” というような記述は認められない。

既知不純物は文字列である。この文字列は “known_impurities=”  から始まり,不純物名,濃度,保

証者,若しくは特定ができない場合には “none”,“unknown”  又は “N/A” を付ける。許容される単位

は mass%, atomic%, ppm, ppb, atoms/cm

3

と atoms/cm

2

である。単位は必ず付けなくてはならない。

構造は文字列である。この文字列は “structure=”  から始まり,例えばちゅう(稠)密六方晶という

ような結晶の情報と方位,粒界破面というようなコメント,若しくは特定ができない場合には

“unknown”

又は “N/A” を付ける。

製品形態は文字列である。この文字列は “form_of_products=”  から始まり,試料が使われている製

品名,若しくは特定ができない場合には “unknown” 又は “N/A” を付ける。

供給者は文字列である。この文字列は “supplier=”  から始まり,試料の製造者名又は供給者名,試

料の製造方法,若しくは特定ができない場合には “unknown” 又は “N/A”を付ける。

製品番号は文字列である。この文字列は “lot_number=”  から始まり,製造工程を識別する番号,若

しくは特定ができない場合には “unknown” 又は “N/A” を付ける。

均 質 性 は 文 字 列 で あ る 。 こ の 文 字 列 は  “homogeneity = ”  か ら 始 ま り , “homogeneous” ,

“inhomogeneous”

,“unknown”,“N/A”  ,又はこれらの表現が不適切な場合には均質性を表現する別な

表現が続く。次に  “ ; ”  を付けてコメントを加えてもよい。

結晶性は文字列である。この文字列は “crystallinity=”  から始まり,“single”  (単結晶,表面のミラ

ー指数を “_” でつなげて記述)

,“poly”  (多結晶),“amorphous”,“unknown”,“N/A”  又はこれらの

表現が不適切な場合には結品性を表現する別な表現が続く。次に “ ; ” を付けてコメントを加えても

よい。

材料分類は文字列である。この文字列は “material_family=”  から始まり,“metal”,“inorganic”  (無

機化合物)

,“organic” (有機化合物)

,“polymer”,“semi” (半導体)

,“bio” (生体材料)

,“composite”,


5

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

“super_conductive”

(超伝導材料)又はこれらの表現が不適切な場合には材料分類を表現する別な表現

が続く。次に  “ ; ”  を付けてコメントを加えてもよい。

特別材料分類は文字列である。この文字列は “special_material_classes=”  から始まり,“rod”  (棒又

は塊)

,“sheet”  [基板無しのシート又ははく(箔)

, “film_single” (基板上の単層薄膜又はコーティ

ング膜)

,“film multi” (基板上の多層薄膜又は多重コーティング膜)

,“sinter”  (焼結体)

,“wafer”,

“powder”

,“fiber”  又はこれらの表現が不適切な場合には特別材料分類を表現するためのその他の表現

が続く。次に  “ ; ”  を付けてコメントを加えてもよい。

試料装着方法は文字列である。この文字列は “specimen_mounting=”  から始まり,“mechanical” (ね

じ,バネなどで機械的に装着),“mechanically_under_grid”  (バネで網に機械的に押し付ける),

“conductive_adhesive”

(導電性物質で固定する),“nonconductive_adhesive”  (非導電性物質で固定す

る),“powder_compact_In”  [粉末をインジウムはく(箔)又はインジウムパッドで押し付ける],

“powder_put_into”

(粉末を導電性物質の中に入れる(例:銅ブロックのホール)

)又はこれらの表現

が不適切な場合には試料装着方法を表現する別な表現が続く。次に “ ; ” を付けてコメントを加えて

もよい。

外部処理法は文字列である。この文字列は “ex_situ_preparation=”  から始まり, “none”,“polish”,

“cleavage”

,“ion”  (イオンビームで切断)

,“powder_compact_steel_pad”  (粉末をスティールパッドで

押し付ける)

,“acetone”  (アセトンで脱脂)又はこれらの表現が不適切な場合には外部処理法を表現

するためのその他の表現が続く。もし外部処理法が上記の方法を連続して用いたならば,複数文字列

が用いられ,それぞれの文字列のラベルに次のような番号を付ける。すなわち, “ex_situ_preparation_1

=”  又は “ex_situ_preparation_2=”  のように記述する。番号は外部処理法の順序を示す。もし,異な

った外部処理法を同時に用いたときには,“ex_situ_preparation=”  の後に用いた外部処理法を  “+”  で

つなげる。次に  “ ; ”  を付けてコメントを加えてもよい。

その場処理法は,文字列である。この文字列は “in_situ_preparation=”  から始まり, “none”,“ion”

(イオンスパッタリング, “_" でイオン銃の電圧,イオン銃の電流,イオン種をつなげる)

,“cleavage",

“heating”

,“scratch”  又はこれらの表現が不適切な場合にはその場処理法を表現する別な表現が続く。

もしその場処理法が上記の方法を連続して用いたならば,複数文字列が用いられ,それぞれの文字列

のラベルに次のような番号を付ける。すなわち,“in_situ_preparation_1=”  又は “in_situ_preparation_2

=”  のように記述する。番号はその場処理法の順序を示す。異なったその場処理法を同時に用いたと

きには, “in_situ_preparation=”  の後に用いたその場処理法を  “+”  でつなげる。次に  “ ; ”  を付けて

コメントを加えてもよい。

帯電補正法は,文字列である。この文字列は “charge_control_condition=”  から始まり,“none”,“flood”

(フラッド銃,“_”  でフラッド銃の電圧,フラッド銃の電流をつないで記述)

,“screen”  (メッシュや

金属はくでカバー)

,又はこれらの表現が不適切な場合には帯電補正法を表現する別な表現が続く。も

し帯電補正法が上記の方法を連続して用いたならば,複数文字列が用いられ,それぞれの文字列のラ

ベ ル に 次 の よ う な 番 号 を 付 け る 。 す な わ ち , “charge_control_condition_1 = ”  又 は

“charge_control_condition_2

=”  のように記述する。番号は帯電補正法の順序を示す。異なった帯電補

正法を同時に用いたときには,“charge_control_condition=”  の後に,用いた帯電補正法を  “+”  でつ

なげる。次に  “ ; ”  を付けてコメントを加えてもよい。

試料温度は,文字列である。この文字列は “specimen_temperature=”  から始まり,雰囲気の温度又

は加熱温度,又は特定ができない場合には “unknown” を付ける。試料温度は絶対温度の実数で表し,


6

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

“K”

を数値の後に付ける。また,一次照射線束による温度の変化は考慮しなくてよい。

試料情報に関するコメントは,文字列である。この文字列は “comment=”  から始まり,コメント

が続く。もし複数文字列が必要なときには,各文字列に “comment_1=”  又は “comment_2=”  という

ような番号を付ける。もしコメントがなければ “comment=”  の後には何も記入しない。

試料情報フォーマット終了識別子は,次の文字列,

“[end_of_specimen_information_format]”

である。

b)

校正情報フォーマット

ここで定義されていない項目の定義は 5.2 で定義されている。引用符で囲まれた文字列はフォーマ

ットのコーディングに使われる。

校正情報フォーマット識別子は,次の文字列,

AES

の場合は,“[ISO_AES_Calibration_Information_Format_1998_October_15]”,

XPS

の場合は,“[ISO_XPS_Calibration_Information_Format_1998_October_15]”  である。

エネルギー軸校正は,文字列である。この文字列は “energy_scale_calibration_feature_label=”  から

始まり,校正に使用した分析法,元素名と遷移が続く。分析法と元素名は “_” でつなぐ。この文字列

の次には “energy_scale_calibration_feature_nominal_energy=”  で始まる文字列が続く。この文字列には

エネルギー軸名及びピーク値が続き,最後に,改行を付ける。エネルギー軸名とピーク値は “_” でつ

な ぐ 。 も し 校 正 が 複 数 の ピ ー ク で 実 施 さ れ た と き に は そ れ ぞ れ の 分 析 法 と 元 素 名 を

“energy_scale_calibration_feature_label_1

=”  のように,番号を付けたラベルで指示し,エネルギー軸名

及びピーク値は “energy_scale_calibration_feature_nominal_energy_1=”  のように番号を付けたラベル

で 指 示 す る 。 こ の 組 み 合 わ せ は  “energy_scale_calibration_feature_label_2 = ” ,

“energy_scale_calibration_feature_nominal_energy_2

=”  と続いていく。

帯電補正が行われたときには “energy_scale_calibration_charge_compensation=”  の文字列の後に参

照元素名と遷移とピーク値を記述する。参照元素名とピーク値は “_” でつなぐ。フラッド銃を用いた

ときには参照元素名の代わりに “flood” と記入する。

スペクトルが決定された手順書に従って校正されたときには,文字列は “energy_scale_calibration=”,

で始まり,対応する標準化文書名,番号,発行年,eV で表した誤差を記述する。文書名,番号,発行

年,と誤差は “_” でつなぐ。次に  “ ; ”  を付けてコメントを加えてもよい。

スペクトルが校正されないときには,文字列は “energy_scale_calibration=uncalibrated”  とする。

強度軸校正は,文字列である。この文字列は “intensity_scale_calibration=”  から始まり,強度軸校

正法を記述し,最後に,改行を付ける。参照した論文名又はドキュメント名を記述する事も容認する。

手 続 き を 記 述 す る と き に 複 数 文 字 列 が 必 要 な と き に は  “intensity_scale_calibration_1 = ”  や

“intensity_scale_calibration_2

=”  のように番号を付けて記述する。

スペクトルが決定された手順書に従って校正されたときには,文字列は “intensity_scale_calibration

=”,で始まり,対応する標準化文書名,番号,発行年及び可能ならばコメントを記述する。次に “ ; ”

を付けてコメントを加えてもよい。

スペクトルが校正されないときには,文字列は “intensity_scale_calibration=uncalibrated”  とする。

分解能校正は,文字列である。この文字列は “resolution_calibration=”  から始まり,分解能校正法

を記述する。手続きを記述するときに複数文字列が必要なときには “resolution_calibration_1=”  や

“resolution_calibration_2

=”  のように番号を付けて記述する。

スペクトルが決定された手順書に従って校正されたときには,文字列は “resolution_calibration=”,


7

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

で始まり,対応する標準化文書名,番号,発行年,エネルギー分解能を記述する。文書名,番号,発

行年,とエネルギー分解能は “_” でつなぐ。次に “ ; ” を付けてコメントを加えてもよい。

スペクトルが校正されないときには,文字列は “resolution_calibration=uncalibrated”  とする。

校正情報フォーマット終了識別子は,文字列,

“[end_of_calibration_information_format]”

である。

c)

データ処理法フォーマット 

ここで定義されていない項目の定義は 5.2 で定義されている。引用符で囲まれた言葉はフォーマッ

トのコーディングに使われる。

データ処理情報フォーマット終了識別子は,次の文字列,

AES

の場合は “[ISO_AES_Data_Processing_Information_Format_1998_October_15]”,

XPS

の場合は “[ISO_XPS_Data_Processing_Information_Format_1998_October_15]”  である。

データ処理法は,文字列である。この文字列は “data_processing_procedure=”  から始まり,データ

処理法を記述する。異なったデータ処理法が順序に従って実行されたときはそれぞれのデータ処理法

は “data_processing_procedure_1=”  や “data_processing_procedure_2=”  のように番号を付けて記述す

る。番号は処理の順番を示す。

スペクトルが処理されないときには,文字列は “data_processing_procedure=unprocessed”  とする。

データ処理情報フォーマット終了識別子は,次の文字列,

“[end_of_data_processing_information_format]”

である。


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K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

附属書 A(参考)  フォーマットの特定項目例

A.1

主物質

ステンレス鋼,金銅合金,6061Al,ポリアミド,ナイロン,砒化ガリウムというような試料の一般名を

記述する。層状構造物質の場合には主物質としては表面近傍のバルク物質を記述する。例えば,Si 基板上

に生成した厚い SiO2 膜上にある極薄膜金属を XPS で分析した場合には,XPS では基板の Si は観測されな

いので,‘silica’と記述する。

A.2

主物質成分

存在している主元素名又は化学式を,例えば,Li3 PO4,SiO2,W(CO)6 というように記述する。質量組

成又は原子組成で表されるときには,例えば,Fe74Cr18Ni8mass%,又は Au50Cu50atomic%と記述する。

組成が特定できない場合には,例えば,Li-P-O-と記述する。

A.3

純度

例えば,99.99mass% checked by NISSAN ARC LTD.と記述する。

A.4

既知不純物

例えば,N_0.01mass%,O_0.02mass% checked by NISSAN ARC LTD.,又は S_4E17 atoms/cm

3

と記述する。

A.5

製品形状

試料が使われている製品名をあげる。例えば MOSFET,試薬,磁気ディスク,単結品ウェファ,腐食し

たフェンダ突出部,ハードディスク上の潤滑膜と記述する。

A.6

エネルギー軸補正

Cu

,Ag,及び Au を用いて XPS エネルギー軸を校正したときには,記述は次のようになる。

 energy_scale_calibration_feature_label_1

=XPS_Cu2p3/2

 energy_scale_calibration_feature_nominal_energy_1

=BE_932.66eV

 energy_scale_calibration_feature_label_2

=XPS_Ag3d5/2

 energy_scale_calibration_feature_nominal_energy_2

=BE_368.27eV

 energy_scale_calibration_feature_label_3

=XPS_Au4f7/2

 energy_scale_calibration_feature_nominal_energy_3

=BE_84.00eV

もし,Cls ピーク位置を用いて帯電補正を行ったときには,表現は次のようになる。

 energy_scale_calibration_charge_compensation

=Cls_285eV

AES

の場合には,次のようになる。

 energy_scale_calibration_feature_label_1

=AES_CuMVV

 energy_scale_calibration_feature_nominal_energy_1

=KE_61.16eV

 energy_scale_calibration_feature_label_2

=AES_AuNVV

 energy_scale_calibration_feature_nominal_energy_2

=KE_72.21eV


9

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

 energy_scale_calibration_feature_label_3

=AES_CuLVV

 energy_scale_calibration_feature_nominal_energy_3

=KE_918.62eV

XPS

と AES のエネルギー軸校正に用いるピーク値は Surface and Interface Analysis, 1998, vol. 26, P 642,

と Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 1998, vol. 97, p 235 にそれぞれあげられている。

スペクトルが定義された手法によって校正されたときの記述は,次のとおりである。

 energy_scale_calibration_procedure

=ISO9999_1998_0.25eV

A.7

強度校正

強度軸校正法を特定する。引用した雑誌名又は文書名を引用することが必要である。強度軸校正法に関

しては Journal of Surface Science Society of Japan, 1994, vol. 15, p 376, Journal of Surface Science Society of

Japan, 1995, vol. 16, p 434,

および Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 1990, vol. 50, p 137,

及び NPL Al ; AES に関する NPL 校正法,又は NPL X1 ; XPS に関する NPL 校正法がある。

スペクトルが定義された手法によって校正されたときの記述は,次のとおりである。

intensity_scale_calibration_procedure

=ISO9999_1998 ; attach Cu spectrum

A.8

分解能校正

エネルギー分解能校正法を特定する。簡単な記述を推奨する。 "FWHM of Ag3d5/2_0.97eV" は“電子分

光器のエネルギー分解能は銀のピーク (Ag3d5/2) の半値幅 0.97eV で見積もった”という意味である。

スペクトルが定義された手法によって校正されたときの記述は,次のとおりである。

resolution calibration procedure

=ISO9999_1998_0.5eV

A.9

データ処理法

データ処理法を特定する。‘Savitzky-Golay’,の代わりに‘S-G’,‘Tougaard background subtraction’の代わり

に‘Tougaard’というように省略形を用いてもよい。一つの文字列には一種類の処理法を記述する。


10

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

附属書 B(参考)  フォーマットの実例

B.1

例 1:スーパーマーケットバッグを測定試料として得られた校正済み,かつ,データ処理済み X 線

光電子スペクトルを記述したフォーマット例

[ISO_Specimen_Information_Format_1998_October_15]

host_material

=polyethylene

IUPAC_chemical_name

=polyethylene

chemical_abstracts_registry_number

=9002-88-4

host_material_composition

=C2H4

bulk_purity

=99.5mass% checked by NISSAN ARC LTD.

known_impurities

=O_0.3mass%, N_0.1mass% checked by NISSAN ARC LTD.

structure

=none

form_of_products

=supermarket bag

supplier

=Mitsubishi Chemical Co.

lot_number

=961017PE

homogeneity

=homogeneous

crystallinity

=amorphous

material_family

=polymer

special_material_classes

=sheet

specimen_mounting

=mechanically under grid

ex_situ_preparation

=degreased_by n-hexane

in_situ_preparation

=none

charge_control_conditions

=flood+screen

specimen_temperature

=298K

comment

=sample is linear low density polyethylene sheet

[end_of_specimen_information_format]

[ISO_XPS_Calibration_Information_Format_1998_October_15]

energy_scale_calibration_feature_label_1

=XPS_Cu2p3/2

energy_scale_calibration_feature_nominal_energy_1

=BE_932.7eV

energy_scale_calibration_feature_label_2

=XPS_Au4f7/2

energy_scale_calibration_feature_nominal_energy_2

=BE_84.0eV

energy_scale_calibration_charge_compensation

=flood_6eV

intensity_scale_calibration

=NPL_X1

resolution_calibration_FWHM of Ag3d5/2_0.97eV

[end_of_calibration_information_format]

[ISO_XPS_Data_Processing_Information_Format_1998_October_15]

data_processing_procedure_1

=smoothing by 5 points Savitzky-Golay

data_processing_procedure_2

=Shirley background subtraction

[end_of_data_processing_information_format]


11

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

B.2

例 2:半導体多層膜を測定試料として得られた校正済み,かつ,データ処理済み X 線光電子スペク

トルを記述したフォーマット例

[ISO_Specimen_Information_Format_1998_October_15]

host_material

=indium gallium arsenide

IUPAC_chemical_name

=N/A

chemical_abstracts_registry_number

=none

host_material_composition

=In0.52Ga0.48As

bulk_purity

=99.999mass% checked by NISSAN ARC LTD.

known_impurities

=S_1.8E17 atoms/cm

3

 checked by NISSAN ARC LTD.

structure

=cubic ; a=0.5868nm

form_of_products

=laser diode

supplier

=Japan Energy

lot_number

=#2845

homogeneity

=homogeneous

crystallinity

=single_(100)

material_family

=semi

special_material_classes

=film_multi ; total_thickness=50nm

specimen_mounting

=mechanical ; with 4 screws

ex_situ_preparation

=ethanol

in_situ_preparation

=ion_2kV_10uA_Ar

charge_control_conditions

=none

specimen_temperature

=298K

comment

=atomically flat interface

[end_of_specimen_information_format]

[ISO_XPS_Calibration_Information_Format_1998_October_15]

energy_scale_calibration_feature_label_1

=XPS_Au4f7/2

energy_scale_calibration_feature_nominal_energy_1

=BE_84.00eV

energy_scale_calibration_feature_label_2

=XPS_Cu2p3/2

energy_scale_calibration_feature_nominal_energy_2

=BE_932.67eV

intensity_scale_calibration_uncalibrated ; Cu and Au spectra acquired together

resolution_calibration

=FWHM of Ag3d5/2_0.78eV

[end_of_calibration_information_format]

[ISO_XPS_Data_Processing_Information_Format_1998_October_15]

data_processing_procedure

=subtraction of X−ray ghosts

[end_of_data_processing_information_format]

B.3

例 3:無機物質粉末を測定試料として得られた校正済み,かつ,データ処理済みオージェスペクトル

を記述したフォーマット例

[ISO_Specimen_Information_Format_1998_October_15]

host_material

=strontium chloride

IUPAC_chemical_name

=strontium dichloride


12

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

chemical_abstracts_registry_number

=0476-85-4

host_material_composition

=SrC12

bulk_purity

=99.9mass% checked by NISSAN ARC LTD.

known_impurities

=N_0.01mass%, O_0.02mass% checked by NISSAN ARC LTD.

structure

=cubic fluoride ; a=0.698nm

form_of_products

=unknown

supplier

=Johnson Matthey

lot_number

=EP01007

homogeneity

=homogeneous

crystallinity

=poly

material_family

=inorganic

special_material_classes

=powder

specimen_mounting

=powder_compact_In

ex_situ_preparation

=none

in_situ_preparation

=ion_2kV_10uA_Ar

charge_control_conditions

=none

specimen_temperature

=298K

comment

[end_of_specimen_information_format]

[ISO_AES_Calibration_Information_Format_1998_October_15]

energy_scale_calibration_feature_label_1

=AES_CuMVV

energy_scale_calibration_feature_nominal_energy_1

=KE_61.16eV

energy_scale calibration_feature_label_2

=AES AuNVV

energy_scale_calibration_feature_nominal_energy_2

=KE_72.21eV

energy_scale_calibration_feature_label_3

=AES_CuLVV

energy_scale_calibration_feature_nominal_energy_3

=KE 918.62eV

intensity_scale_calibration

=J. Surf. Sci. Soc. Jpn., 15,376 (1994)

resolution_calibration

=uncalibrated

[end_of_calibration_information_format]

[ISO_AES_Data_Processing_Information_Format_1998_October_15]

data_processing_procedure_1

=smoothing by 7 points Savitzky-Golay

data_processing_procedure_2

=Shirley background subtraction

[end_of_data_processing_information_format]

B.4

例 4:台所の流し台を測定試料として得られた校正済み,かつ,データ処理済みオージェスペクトル

を記述したフォーマット例

[ISO_Specimen_Information_Format_1998_October_15]

host_material

=stainless steel

IUPAC_chemical_name

=unknown

chemical_abstracts_registry_number

=unknown

host_material_composition

=Fe74Cr18Ni8mass%


13

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

bulk_purity

=99.9mass% checked by NISSAN ARC LTD.

known_impurities

=N 0.01mass%, O_0.02mass% checked by NISSAN ARC LTD.

structure

=face centered cubic ; a=0.359nm

form_of_products

=sink

supplier

=Johnson Matthey

lot_number

=No 15876 purchased on 18 May 1993

homogeneity

=homogeneous

crystallinity

=poly

material_family

=metal

special_material_classes

=sheet

specimen_mounting

=mechanical

ex_situ_preparation_1

=polish

ex_situ_preparation_2

=acetone

in_situ_preparation

=ion_2kV_10uA_Ar

charge_control_conditions

=none

specimen_temperature

=298K

comment

=corroded

[end_of_specimen_information_format]

[ISO_AES_Calibration_Information_Format_1998_October_15]

energy_scale_calibration_feature_label_1

=AES_CuMVV

energy_scale_calibration_feature_nominal_energy_1

=KE_61.16eV

energy_scale_calibration_feature_label_2

=AES_CuLVV

energy_scale_calibration_feature_nominal_energy_2

=KE_918.62eV

intensity_scale_calibration

=J. Surf. Sci. Soc. Jpn., 15,376 (1995)

resolution_calibration

=uncalibrated

[end_of_calibration_information_format]

[ISO_AES_Data_ProcessingInformation_Format_1998_October_15]

data_processing_procedure

=smoothing by 7 points Savitzky-Golay

[end_of_data_processing_information_format]

B.5

例 5:磁気ディスク上の潤滑膜を測定試料として得られた校正済み,かつ,データ処理済み X 線光

電子スペクトルを記述したフォーマット例

[ISO_Specimen_Information_Format_1998_October_15]

host_material

=carbon overlayer

IUPAC_chemical_name

=none

chemical_abstracts_registry_number

=none

host_material_composition

=C

bulk_purity

=99.99mass%, same as target ; hot isothermal pressed carbon

known_impurities

=O, N, F

structure

=amorphous

form_of_products

=magnetic disk


14

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

supplier

=DENKI KAGAKU KOGYO KABUSHIKI KAISHA

lot_number

=DA2150-AC04, 15 Oct. 1996

homogeneity

=homogeneous

crystallinity

=amorphous

material_family

=inorganic

special_material_classes

=film_single

specimen_mounting

=mechanical

ex_situ_preparation_1

=stamping out

ex_situ_preparation_2

=acetone

in_situ_preparation

=ion_2kV_5nA_Ar ; ion sputtered for surface cleaning

charge_control_conditions

=none

specimen_temperature

=298K

comment_1

=diamond-like protective carbon layer

comment_2

=magnetic disk having lubricating layer

[end_of_specimen_information_format]

[ISO_XPS_Calibration_Information_Format_1998_October_15]

energy_scale_calibration_feature_label_1

=XPS_Cu2p3/2

energy_scale_calibration_feature_nominal_energy_1

=BE_932.66eV

energy_scale_calibration_feature_label_2

=XPS_Ag3d5/2

energy_scale_calibration_feature_nominal_energy_2

=BE_368.27eV

energy_scale_calibration_feature_label_3

=XPS_Au4f7/2

energy_scale_calibration_feature_nominal_energy_3

=BE 84.00eV

intensityscale_calibration

=J. Surf. Sci. Soc. Jpn., 16,434 (1995)

resolution_calibration

=uncalibrated

[end_of_calibration_information_format]

[ISO_XPS_Data_Processing_Information_Format_1998_October_15]

data_processing_procedure_1

=smoothing by 5 points S-G

data_processing_procedure_2

=Tougaard Background Removal (B=2866eV2, C=1633eV2)

[end_of_data_processing_information_format]


15

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

文献

[1]  IUPAC Nomenclature of Organic Chemistry. Sections A, B, C, D, E, F and H. Pergamon Press, Oxford, 1979

[2]  A Guide to IUPAC Nomenclature of Organic Compounds. Blackwell Scientific Publications, Oxford, 1993

[3]  IUPAC Compendium of Macromolecular Nomenclature. Blackwell Scientific Publications, Oxford, 1991

[4]  IUPAC Nomenclature of Inorganic Chemistry. Third Edition, Blackwell Scientific Publications, Oxford, 1990

[5]  IUBMB Biochemical Nomenclature and Related Documents. Second Edition, Portland Press, London, 1992

[6]  The CAS Registry Handbook

−Number Section Supplements, American Chemical Society, Columbus, 1980

[7]  DENCH, W.A., HAZEL, L.B., and SEAH, M.P. VAMAS surface chemical analysis standard data transfer

format with skeleton decoding program, Surface and Interface Analysis, November 1988, vol. 13, nos 2 and 3,

p63-122.

[8]  BRYSON, C.E. and MACGUIRE, G.E. AES/XS Contributors Form, Surface Science Spectra, 1992, vol.1, no 1,

p141-161.

[9]  SEAH, M.P., GILMORE, I.S. and BEAMSON, G. XPS : Binding energy calibration of electron spectro-meters

5-Re-evaluation of the reference energies, Surface and Interface Analysis, August 1998, vol. 26, no 9, p642-649.

[10] SEAH, M.P. AES : Energy calibration of electron spectrometers, IV-Are-evaluation of the reference energies.

Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, December 1998, vol. 97, no 3, p235-241.

[11] YOSHITAKE, M. and YOSHIHARA, K. Round Robin on the Energy Dependence of Sensitivity in Auger

Electron Spectroscopy, Journal of The Surface Science Society of Japan, August 1994, vol. 15, no 6, p376-383.

[12] YOSIHTAKE, M. and YOSHIHARA, K. Characterisation of XPS ‘Secondary-Standard’ Spectra for the

COMMON DATA PROCESSING SYSTEM, Journal of The Surface Science Society of Japan, July 1995, vol.

16, no 7, p434-440.

[13] SEAH, M.P. Channel Electron Multipliers : Quantitative Intensity Measurement-Efficiency, Gain, Linearity and

Bias Effects, Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, February 1990, vol. 50, nos 1 and 2,

p137-157.


16

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

JIS

原案作成委員  構成表(平成 10 年 4 月 1 日現在)

氏名

所属

(委員長)

志  水  隆  一

大阪大学大学院工学研究科

吉  原  一  紘

科学技術庁  金属材料技術研究所

工  藤  正  博

成蹊大学工学部

合  志  陽  一

東京大学大学院工学系研究科

福  田  安  生

静岡大学電子工学研究所

一  村  信  吾

電子技術総合研究所極限技術部

大  嶋  清  治

通商産業省工業技術院標準部

大  坪  孝  至

財団法人日本適合性認定協会

大  場  正  幸

財団法人日本規格協会技術部

伊  藤  高  明

財団法人日本規格協会技術部

薄  木  智  亮

住友金属工業株式会社

大  堀  謙  一

株式会社堀場製作所

奥  村  豊  彦

日本電子株式会社

小  田  照  巳 ISO/TC201/SC6 セクレタリー(財団法人大阪科学技術セン

ター付属ニューマテリアルセンター内)

梶  原  和  夫

ソニー株式会社

河  合  健  一

三菱マテリアルシリコン株式会社

B.

   V.   Crist

XPS International

源  内  規  夫

株式会社コベルコ科研

小  林      尚

アルバック・ファイ株式会社

篠  山  哲  明

株式会社島津製作所

鈴  木      茂

新日本製鐵株式会社

鈴  木  峰  晴 NTT アドバンステクノロジ株式会社

田  中  彰  博

アルバック・ファイ株式会社

田  沼  繁  夫

株式会社ジャパンエナジー分析センター

角  山  浩  三

川鉄テクノリサーチ株式会社

久  本  泰  秀

株式会社日立製作所

日野谷  重  晴

住友金属工業株式会社

廣  川  吉之助

アルバック・ファイ株式会社

古  川  洋一郎

電気化学工業株式会社

本  間  芳  和

日本電信電話株式会社

三  浦      薫

株式会社トクヤマ

村  山  順一郎

住友金属テクノロジー株式会社

吉  岡  芳  明

株式会社松下テクノリサーチ

(事務局)

菊  地  諄  一

財団法人大阪科学技術センター付属ニューマテリアルセ

ンター


17

K 0142 : 2000 (ISO 14975 : 2000)

小委員会  構成表

氏名

所属

(主査)

吉  原  一  紘

科学技術庁  金属材料技術研究所

(幹事)

古  川  洋一郎

電気化学工業株式会社

殿  川      衛

財団法人材料科学技術振興財団

笠  村  秀  明

財団法人材料科学技術振興財団

福  島      整

無機材質研究所超微細構造解析ステーション

吉  武  道  子

科学技術庁  金属材料技術研究所

小  田  照  巳 ISO/TC201/SC6 セクレタリー(財団法人大阪科学技術セン

ター付属ニューマテリアルセンター内)

志  智  雄  之

株式会社日産アーク

田  中  彰  博

アルバック・ファイ株式会社

二  澤  宏  司

理学電機工業株式会社

(事務局)

菊  地  諄  一

財団法人大阪科学技術センター付属ニューマテリアルセ

ンター