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K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

(1) 

まえがき

この規格は,工業標準化法第 12 条第 1 項の規定に基づき,財団法人大阪科学技術センター付属ニューマ

テリアルセンター (OSTEC) 及び財団法人日本規格協会 (JSA) から工業標準原案を具して日本工業規格

を制定すべきと申出があり,日本工業標準調査会の審議を経て,通商産業大臣が制定した日本工業規格で

ある。

JIS K 0141

には,次に示す附属書がある。

附属書 A(参考)  フォーマットのデザイン

附属書 B(参考)  フォーマットの実例

附属書 C(参考)  簡易型フォーマット

附属書 D(参考)  参考文献


日本工業規格

JIS

 K

0141

: 2000

  (ISO 14976 :

 1998

)

表面化学分析−

データ転送フォーマット

Surface chemical analysis

−Data transfer format

序文  この規格は,1998 年に第 1 版として発行された ISO 14976, Surface chemicai analysis−Data transfer

format

を翻訳し,技術的内容及び規格票の形式を変更することなく作成した日本工業規格である。

なお,この規格で側線又は点線で下線を施してある“参考”は,原国際規格にない事項である。

表面分析では多くの市販装置がコンピュータによって運転されている。このコンピュータは,また,取得

したデータの処理を行うためにも使用される。データ処理の例として,波形合成,波形分離,バックグラ

ウンド差し引き,波形面積測定,様々な処理内容の程度に応じた定量,マッピング,深さ方向プロファイ

ルの表示,円滑化処理(スムージング)

,微分,その他の機能による処理などがあげられる。一方,多くの

分析者は他のコンピュータ上で自分の仕様のために書かれたプログラムを使用し,独自の手法によりデー

タ処理を行う要望をもっている。この場合,データ取得用コンピュータ中のデータを受信コンピュータ側

で読み込み可能な型に変換する必要がある。ある装置製造者のデータの型は他の装置製造者のデータの型

と異なっており,また,これらのデータの型は一般的には公表されない。したがって,データ通信を普及

させるために,また,データの型を書き換えるプログラム作成の手間を省くために,そしてデータ解析の

不確定さを減らすために,データ転送を行う標準的なデータフォーマットが必要である。

1.

適用範囲  この規格は,パラレルインターフェース又はシリアルインターフェース方式によって,コ

ンピュータ間を直接結線,電話線,ローカルエリアネットワークや他の通信手段で接続することによって

データを転送するためのフォーマットを明記する。転送されたデータは通常のディスプレイ又はプリンタ

に表示される文字に書き換えられる。本フォーマットは,AES(オージェ電子分光法)

,EDX(エネルギー

分散型 X 線分光法)

,FABMS(高速原子衝撃質量分析法)

,ISS(イオン散乱分光法)

,SIMS(二次イオン

質量分析法)

,SNMS(スパッタ中性粒子質量分析法)

,UPS(紫外線光電子分光法)

,XPS(X 線光電子分

光法)

,XRF(蛍光 X 線分析法)や他の同様な分析方法に適合する。また,本フォーマットは多様な実験

によって発生するスペクトル,元素マップ,深さ方向プロファイル,及びこれらの組み合わせによって得

られるデータ処理を扱う。


2

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

2.

フォーマットの記述

2.1

概要  本フォーマットは,2.22.3 に記載された適切な構成要素である英国規格 BS 6154 : 1981(1)−

記号言語のためのメタ言語定義方法 (British Standard−Method of defining syntactic metalanguage),で定義さ

れたメタ言語によって記述する。本フォーマット中の幾つかのパラメータは三つの項目;実験モード,掃

引方法,及び測定手法,の特別な場合にだけ関係しており,これらのパラメータを含む形で提供する。こ

れらの条件は,単純な羅列形式とするより複雑な構造で表現したほうがよい場合にだけメタ言語で記述す

る。構造を単純化するために,これらのパラメータは選択可能な記号列で表現し,また,選択可能な記号

列を使用する条件をもっている。それらの条件は注釈により説明する。

なお,本フォーマットの設計の考え方を

附属書 に参考として示す。

2.2

記述言語の構成  メタ言語は文字の並び方を記述するための表記法である。その規則によって表現

される文字だけ記号列の中に挿入できる。その記号列は部分記号列から成る記号列の場合もある。部分記

号列は一対の引用符(

6

)

あるいは括弧によって文字列を囲む表記法によって表現する。これらの部分記号列

に対する囲み文字を「末端記号付き文字」という。

末端記号付き文字は「基礎記号言語」の一例である。

同一の基礎記号言語が特定の連続する頻度で表現されることを示すため,整数,アステリスク  (*),基

礎記号言語の順で記述する。整数とアステリスクによって先導される基礎記号言語を「記号言語要素」と

いう。

記号言語要素,マイナス文字,記号言語要素の順に表記する場合がある。その部分記号列を「記号言語

項目」という。

多くの記号言語項目が,

それぞれの記号言語項目を順番に採用することで部分記号列を表現するために,

カンマで区切り表現される場合がある。一つの記号言語項目,又はカンマで区切られた記号言語項目グル

ープを「単一定義」という。

一つの部分記号列と単一定義のただ一つより成る部分記号列を記述するために,つまり選択可能な単一

定義列を表現するために,垂直線文字で区切られた多くの単一定義が連続する場合がある。単一定義又は

垂直線文字で区切られた単一定義グループを「定義列」という。

記号言語項目中に存在し,2 番目の記号言語要素がその後に続くマイナス文字について説明する。2 番目

の記号言語要素により生成される部分記号列を表現するために記号言語項目を差し引くときに使用する。

2

番目の記号言語要素を「差し引き記号言語」という。

特定の名前が定義列に割り当てられる場合がある。その名前は 1 以上の文字数から成る。最初の文字は

字句でなければならない。それに引き続く文字は字句又はアラビア数字でなければならない。名前中に存

在する空白や新しい行は重要ではない。この名前を「メタ識別子」という。

メタ識別子が,同等記号,定義列,セミコロンと続くあるメタ識別子によって定義列に割り当てられる。

これを「表記則」と呼ぶ。

一つ又はそれ以上の表記則が文字列を記述するための一つの規則を形造っている。この表記則を「記号

言語」という。

基礎記号言語は,一例として末端記号付き文字を伴う形で導入されるが,次に示すいずれか一つから形

成される。

a)

何ら文字が書かれていない,

つまり記号列に何の文字も付加されていない場合,

「空白記号列」と呼ぶ。

b)

左角括弧“

[”

,定義列,右角括弧“]

”で表される場合は,空白記号列又は一つの定義列によって表さ

れる部分記号列を示す。これを「選択記号列」という。


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K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

c)

左中括弧“

{”

,定義列,右中括弧“}

”で表される場合は,空白記号列又は定義列によって記述される

それぞれの部分記号列をある数だけ繰り返す部分記号列を示す。これを「繰り返し記号列」という。

d)

左丸括弧“

(”

,定義列,右丸括弧“)

”で表される場合は,囲まれた定義列によって記述される部分記

号列を示す。これを「グループ記号列」という。

e)

既に解説したメタ識別子は,表記則の中で割り当てられた定義列によって記述される部分記号列を示

す。

f)

既に解説した末端記号付き文字は,囲まれた部分記号列を示す。

g)

疑問符“?”

,ある文章,疑問符“?”で表される場合は,メタ言語自体で記述することが不可能であ

るため,メタ言語以外の言語で記述される部分記号列を示す。これを「特別記号列」という。

左丸括弧とアステリスク“

(*”

,文字,ある字句,アステリスクと右丸括弧“*)

”で表記される形は「括

弧付き注釈」という。記号言語に付け加え,その意味に影響を与えることなく使用されるもので,読み手

の便宜に配慮した注釈である。メタ識別子,整数,特別記号列,又は末端記号付き文字を除いた記号言語

中の任意の場所に挿入される。

末端記号付き文字を除いてはページ内の配置は,記号言語の意味に影響を与えるものではない。

備考1.  次にメタ言語で使用される特別な記号の概略を示す。最初の6個の記号が優先度の高い順序に

示されており,2.2で意図した優先権が与えられている。この優先順序は次の括弧の対以降,

無効となる。

記号言語要素の中で使用され,出現する基礎記号言語の数を示す整数が次にく

る。

-

記号言語項目の中で使用され,差し引き記号言語の頭に付ける。

,

単一定義の中で使用され,連続する記号言語項目を区切る。

|

定義列の中で使用され,選択可能な単一定義を区切る。

表記則の中で使用され,定義されたメタ識別子と定義列を区切る。

;

表記則の終了

‘and’

又は

”and”

字句を囲み末端記号付き文字を形成し,記述される文字列を表現する。

(*and*)

注釈を囲み,括弧付き注釈文を形成する。読み手側へ付加的な情報を提供する。

(and)

定義列を囲み,グループ化された記号列を形成する。通常の代数的な考え方で

項目をグループ分けする。

{and}

定義列を囲み,繰返し記号列を形成する。ゼロ回以上起こり得る基礎記号言語

である。

[and]

定義列を囲み,選択記号列を形成する。省略又は 1 回出現する基礎記号言語で

ある。

?and?

字句を囲み,特別記号列を形成する。メタ言語以外の言語で記述される基礎記

号言語である。

2.3

追加規則  幾つかのパラメータは複数回,つまりフォーマットの初期に登場するパラメータの値に

依存する実数値だけ繰り返し使用する必要がある。メタ言語にはこの依存性を示す表現が準備されていな

い。このような場合,パラメータは繰返し記号列として表現され,繰り返される実数を示すパラメータ名

は括弧付き注釈文の中で示される。

真の値が分からない場合の仮の値は実数値 1E37 を採用する。日付又は時間を特定する要素である整数


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K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

値が分からない場合,仮の値として値−1 を使用する。

備考2.  括弧付き注釈文の中にメタ識別子が使用される箇所では,それらを斜文字(本規格ではかぎ

括弧(

「  」

)で囲む表現とする)で表現している。

3.

実験及びブロックを定義する表記則中の定義列の中のそれぞれのメタ識別子は,データ取得

コンピュータに格納される単純変数又は配列変数に対応する。出力に際し,フォーマット中

のそれぞれの変数又は配列要素は,コード値が 13 と 10 であるアスキー文字からなる改行記

号によって終了する部分記号列で表現される。これらのコード値は改行記号と行送り記号の

組み合わせからなるもので,広く使用されている。部分記号列は記録された数値データを通

常の整数か実数表記で表現するか,又はテキスト文字として記録されたテキストデータと等

価な表現とする。それぞれのメタ識別子は多義なものとして選ばれる一つの単語又は句から

成る。そしてその意味を付加的に拡大する場合,必要箇所で括弧付き注釈文を用いる。これ

らの二つの表記則が最初に示され,次にアルファベット順に残りの表記則が続く。

2.4

フォーマット

実験=

フォーマット識別子,

機関識別子,

装置型式識別子,

測定者識別子,

実験識別子,

注釈行数,

{注釈行}

(*「注釈行数」の数値によって「注釈行」の数が規定される。

注釈は最新の装置校正についての詳細を含んでもよい。*),

実験モード,

掃引モード,

[スペクトル領域数]

(*通常は一つの実験には一つの測定手法を用いるが,複数の手法を用いてもよ

い。「スペクトル領域数」の数値は,それぞれの測定手法によるスペクトル領域数

をすべて合計したものである。「スペクトル領域数」は,「実験モード」が 'MAP',

'MAPDP', 'NORM', 'SDP'

のいずれかの場合には必す(須)で,その場合に限り挿入

される。*),

[分析箇所数,

全マップ領域上 x 座標数,

全マップ領域上 y 座標数]

(*上の三つの入力項目は,「実験モード」が 'MAP' か 'MAPDP' の場合に必すで,

その場合に限り挿入する。

「全マップ領域上 x 座標数」の数値と「全マップ領域上 y 座標数」の数値との積が

「分析箇所数」の数値より大きい場合には,マップ上の幾つかの点は分析されてい

ないことに注意。*),

実験変数の数

(*実験変数は,実験を通してブロック間では値が変わってもよいが,それぞれの


5

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

ブロック内では同じ値をとるパラメータである。*),

{実験変数ラベル,

実験変数単位}

(*「実験変数の数」の数値により,上記入力項目対の数を規定する。*),

‘0',改行,

ブロック内手入力項目数,

{手入力項目前付番号}

(*「ブロック内手入力項目数」の数値によって「手入力項目前付番号」の数を規

定する。この番号は小さい順に並んでいなければならない。ここに番号を記述した

場合,「ブロック」を定義する表記則における,対応する番号の項目はすべて,測

定者がキーボードから手入力したものでなければならない。もし,項目が実数で表

されるものだが測定者が値を与えることができない場合には,1E37 を入力しなけれ

ばならない。*),

拡張実験入力数,

拡張ブロック入力数

(*「拡張実験入力数」と「拡張ブロック入力数」は,このフォーマットを更新し

て新たなパラメータを追加するためのものである。これらの新しいパラメータの数

をここに入れることにより,古いプログラムで新しいデータを読むときには新しい

パラメータを読み飛ばし,新しいプログラムで古いデータを読むときには新しいパ

ラメータが記述されていないことを認識して,互換性を保つことができる。現在は,

両者ともゼロにセットしておくことができる。*),

{拡張実験入力}

(*上の「拡張実験入力数」の数値によって,「拡張実験入力」の数を規定する。

この項目は,フォーマットが将来更新されて挿入されるいかなる「整数」,「実数」,

「テキスト行」もすべて読み込めるように,「テキスト行」として定義する。しか

し,更新後は「テキスト行」という定義を破棄してもよい。*),

ブロック数,

{ブロック}−

(*マイナス符号の後に空白が続くときは,少なくとも一つはブロックが存在しな

ければならないことを示す。「ブロック数」の数値により,「ブロック」の数を規

定する。*),

実験終了符;

ブロック=ブロック識別子,

測定試料識別子,

(

*1*)

[西暦年]

(*グレゴリオ暦で省略せず記入。例: '1987' *),

(

*2*)

[月時刻],

(

*3*)

[カレンダー日],

(

*4*)

[時]

(*24 時間表記で*),


6

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

(

*5*)

[分時刻],

(

*6*)

[秒時刻]

(*上の六つの値のどれかが不明な場合,ダミーとして−1 の値を入れなければな

らない。*),

(

*7*)

[グリニジ標準時差],

(

*8*)

[ブロック注釈行数,

(

*8*)

{注釈行}]

(*上記「ブロック注釈行数」の数値によって「注釈行」の数を規定する。*),

(

*9*)

[測定手法]

(

*10*)

[x 座標

(*1 から始まる序数で記述した,分析線源の走査系による x 座標値*),

(

*10*) y 座標]

(*1 から始まる序数で記述した,分析線源の走査系による y 座標値。

上の入力項目対は,「実験モード」が 'MAP' か 'MAPDP' の場合には必すで,その

場合に限り挿入する。*),

(

*11*)

{実験変数値}

(*「実験変数値」は,例えば,秒単位の合計時間や,秒単位の合計スパッタ時間,

単位 m

2

当たり照射イオン量で表した合計スパッタ量,ケルビン単位の温度,eV 単

位のエネルギー,原子質量単位の質量などを表すことができる。この値が時間とと

もになめらかに変化する場合,「実験変数ラベル」に特記しない限り,ブロックデ

ータの記録を始めた点における値とする。

「実験変数の数」の数値によって,「実験変数値」の数を規定する。「実験変数値」

の順序は,「実験変数ラベル」と「実験変数単位」が記述されている順序と同じで

ある。*),

(

*12*)

[分析線源ラベル],

(

*13*)

[スパッタイオン又はスパッタ原子の原子番号,

(

*13*)

スパッタイオン又はスパッタ原子の原子数,

(

*13*)

スパッタイオン又はスパッタ原子の符号付き電荷]

(*上の三つの入力項目は,(1)「実験モード」が 'MAPDP','MAPSVDP','SDP',

'SDPSV'

のいずれかであるか,又は(2)「測定手法」が 'FABMS','FABMS energy spec',

'ISS'

,'SIMS','SIMS energy spec','SNMS','SNMS energy spec'のいずれかである場合

には必すで,その場合に限り挿入する。*),

(

*14*)

[分析線源特性エネルギー]

(*eV 単位のエネルギー*),

(

*15*)

[分析線源強度]

(*XPS と XRF では W 単位の出力,AES,EDX,ISS,SIMS,SNMS では nA 単位

のビーム電流,FABMS ではビーム等価量*),

(

*16*)

[分析線源ビーム幅 x

(*マイクロメータ単位の,試料位置で励起ビームに垂直な平面内における幅*),

(

*16*)

分析線源ビーム幅 y]


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K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

(*マイクロメータ単位の,試料位置で励起ビームに垂直な平面内における幅*),

(

*17*)

[視野幅 x

(*マイクロメータ単位*),

(

*17*)

視野幅 y]

(*マイクロメータ単位。

上 の 二 つ の 入 力 項 目 は , 「 実 験 モ ー ド 」 が  'MAP' ,  'MAPDP' ,  'MAPSV' ,

'MAPSVDP'

,又は 'SEM' の場合に必すで,その場合に限り。挿入する。*),

(

*18*)

[初走査線の開始 x 座標,

(

*18*)

初走査線の開始 y 座標,

(

*18*)

初走査線の終了 x 座標,

(

*18*)

初走査線の終了 y 座標,

(

*18*)

最終走査線の終了 x 座標,

(

*18*)

最終走査線の終了 y 座標]

(*上の六つの入力項目は,「実験モード」が 'MAPSV','MAPSVDP',又は 'SEM'

の場合に必すで,その場合に限り挿入する。

これらは,マップのサイズと形を規定し,試料上の位置と走査シーケンスを関係づ

けるのに必要である。用いられる座標系は,x 値は 1 から始まりフレームの左端か

ら右端に向かって増加し,y 値は 1 から始まりフレームの左端から右端に向かって

増加し,y 値は 1 から始まりフレームの上から下に向かって増加する。*),

(

*19*)

[分析線源入射極角]

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の上方向 Z 軸からの角度*),

(

*20*)

[分析線源方位角]

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の y 軸から時計周りの角度*),

(

*21*)

[分光器モード],

(

*22*)

[分光器通過エネルギー,減速比,又は質量分解能]

(*エネルギーは eV 単位,質量は amu 単位*),

(

*23*)

[微分幅]

(*正弦波変調又はコンピュータでの数値微分のピーク間 eV で表記する。

「微分幅」は,「測定手法」が 'AESdiff' の場合に必すで,その場合に限り挿入す

る。*),

(

*24*)

[分光器投射レンズ倍率],

(

*25*)

[分光器仕事関数,原子又はイオンの取り込みエネルギー]

(*AES,ELS,ISS,UPS,XPS に対しては仕事関数の正の値を eV で表記する。

FABMS

,SIMS,SNMS に対しては,イオンの取り込みエネルギーとは質量分析器

の付属するエネルギーフィルタにおけるパスエネルギーのことである。*),

(

*26*)

[測定試料バイアス電圧]

(*符号を含め V 単位*),

(

*27*)

[分析領域幅 x


8

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

(*分析領域幅 x は,FABMS,FABMS energy spec,ISS,SIMS,SIMS energy spec,

SNMS

,SNMS energy spec に対しては,ビームに垂直な平面における線源の幅を x

方向に投影した信号幅,AES diff,AES dir,ELS,UPS,XPS に対しては,分光器

スリット長さを分光器投射レンズのスリットに対する倍率で割ったもの,EDX と

XRF

に対しては,線源の幅の x 方向成分とする。

「分析領域幅 X」はマイクロメータ単位。*),

(

*27*)

分析領域幅 y]

(*y 方向について「分析領域幅 x」と同様*),

(

*28*)

[分光器軸極角

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の上方向 z 軸からの角度*),

(

*28*)

分光器軸方位角]

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の y 軸から時計周りの角度*),

(

*29*)

[化学種ラベル]

(*元素記号又は分子式*),

(

*30*)

[遷移記号又は準位記号

(*例:AES の場合 'KLL',XPS の場合 '1s',SIMS の場合  '−1'  *),

(

*30*)

検出粒子電荷]

(*例:AES 及び XPS の場合−1,正電荷 SIMS の場合+1*),

(

*31*)

[横軸ラベル,

(

*31*)

横軸単位,

(

*31*)

横軸開始値,

(

*31*)

横軸増分]

(*上の四つの入力項目は,「掃引モード」が 'REGULAR' の場合に必すで,その

場合に限り挿入する。*),

(

*32*)

[対応変数の数

(*もしデータが二つ以上の変数に対応するデータセットの形になっている場合

には,「対応変数の数」は変数の数と同じでなければならない。そうでない場合は

1

。*),

(

*32*)

{対応変数ラベル,

(

*32*)

対応変数単位}]

(*「対応変数の数」の数値によって,上の入力項目対の数を規定する。*),

(

*33*)

[信号モード],

(

*34*)

[1 掃引当たり積算時間]

(*EDX と XRF 以外の場合には,秒単位で表した各チャンネル又は配列での一掃

引当たりの測定時間。EDX と XRF の場合は,秒単位の合計測定時間。*),

(

*35*)

[ブロックデータ測定繰り返し回数],

(

*36*)

[1 掃引当たり積算時間補正]


9

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

(*EDX,XRF 以外に対しては系の不感時間のことである。EDX,XRF の場合に

は,寿命補正済み測定時間である。不感時間の場合,正の値ならば計測率は(1−

単位時間当たり計測量×不感時間)で割り算しなければならないし,負の値ならば

[exp(真の計測量×不感時間)]で掛け算して補正しなければならない。もしスペ

クトルが既に不感時間補正されている場合には,この項の値はゼロで,用いられた

不感時間の値は注釈行かどこかに記述されなければならない。

「1 掃引当たり積算時間補正」は秒単位。*),

(

*37*)

[スパッタエネルギー

(*eV 単位のエネルギー*),

(

*37*)

スパッタビーム電流

(*nA 単位の電流値。中性粒子に対してはその等価表。*),

(

*37*)

スパッタ幅 x

(*マイクロメータ単位の,試料位置においてスパッタビームに垂直な平面内にお

ける幅*),

(

*37*)

スパッタ幅 y

(*マイクロメータ単位の,試料位置においてスパッタビームに垂直な平面内にお

ける幅*),

(

*37*)

スパッタ線源入射極角

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の上方向 z 軸からの角度*),

(

*37*)

スパッタ線源方位角

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の y 軸から時計周りの角度*),

(

*37*)

スパッタモード]

( *「 ス パ ッ タモ ー ド 」 の 値は 'continuous' か 'cyclic' か の ど ち らか で あ る 。

'continuous'

の場合は,スペクトル測定中もスパッタリングが継続しており, 'cyclic'

の場合は,スペクトル測定中はスパッタリングが休止している。*)

上の七つの入力項目は,AES diff,AES dir,EDX,ELS,UPS,XPS,XRF におい

て,深さ方向分析のように,分析用の線源に加えてスパッタ源が用いられる場合の

ためのものである。

上の七つの入力項目は,(1)「測定手法」が 'AES diff', 'AES dir', 'EDX', 'ELS',

'UPS'

, 'XPS', 'XRF' のいずれかであり,かつ,(2)「実験モード」が 'MAPDP',

'MAPSVDP'

, 'SDP', 'SDPCV' のいずれかである場合には必すで,その場合に限り

挿入する。*)

(

*38*)

[試料法線極角

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の上方向 z 軸からの角度*),

(

*38*)

試料法線方位角]

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の y 軸から時計周りの角度*),

(

*39*)

[試料回転角]

(*度単位の,試料法線の周りに時計周りの回転角。もしこれが,試料上の特別な

方向に関係している場合は,その方向について項目番号 8 のブロック内注釈行に記

述するとよい。*),


10

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

(

*40*)

[追加数値パラメータ数],

(

*40*)

{追加数値パラメータラベル,

(

*40*)

追加数値パラメータ単位,

(

*40*)

追加数値パラメータ値}

(*「追加数値パラメータ数」の数値によって,上の三つの入力項目グループの数

を規定する*),

{拡張ブロック入力}

(*「拡張ブロック入力数」の数値により,「拡張ブロック入力」の数が規定され

る。この項目は,フォーマットが将来更新されて挿入されるいかなる「整数」,「実

数」,「テキスト行」もすべて読み込めるように,「テキスト行」として定義され

る。しかし,更新後は「テキスト行」という定義を破棄してもよい。*),

データ点数

(*「データ点数」は,「対応変数の数」の数値と一組の対応変数を構成するデー

タ点数との積に等しい*),

{データ最小値,

データ最大値}

(*「対応変数の数」の数値によって,上の入力項目対の数が規定される。入力項

目対が挿入される順序は,「対応変数ラベル」が記載されている順序と同じである。

*),

{データ値}

(*「データ点数」の数値によって,「データ値」の数が規定される。「対応変数

の数」の数値が 1 より大きければ,データは完結したセットが連続した形で送られ,

それぞれのセットは「対応変数ラベル」が記載されている順序に従って,それぞれ

の対応する変数に対するデータ値が記載されている。

マイナス符号の後に空白が続くときは,少なくとも一つのデータ値は存在しなけれ

ばならないことを示す*);

横軸増分=実数

(*単位については「横軸開始値」の下にあるテーブルを参照*);

横軸ラベル=テキスト行;

横軸開始値=実数;

横軸単位=単位

(*次の表は「横軸単位」としてよく利用されるものを「測定手法」と「実験モード」に合わせ

て例を示したが,これを使わなければならないというものではない。


11

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

手法に対応する単位

実験モード

AES diff, AES dir,

EDX, ELS, ISS

UPS, XPS, XRF

FABMS, SIMS, SNMS

FABMS energy spec,

SIMS energy spec

SNMS energy spec

MAP

MAPDP

NORM

SDP

'eV'

'u' or 's'

'eV'

SDPSV

's' 's'

*);

追加数値パラメータラベル=テキスト行;

追加数値パラメータ単位=単位;

追加数値パラメータ値=実数;

分光器軸方位角=実数;

分光器軸極角=実数;

分光器モード=  ('FAT' | 'FRR' | 'constant delta m' | 'constant m/delta m'),改行;

分光器通過エネルギー,減速比又は質量分解能=実数;

分光器仕事関数,原子又はイオン取り込みエネルギー=実数;

分析線源方位角=実数;

分析線源ビーム幅 x=実数;

分析線源ビーム幅 y=実数;

分析線源特性エネルギー=実数;

分析線源ラベル=テキスト行;

分析線源入射極角=実数;

分析線源強度=実数;

分析領域幅 x=実数;

分析領域幅 y=実数;

ブロック識別子=テキスト行;

改行=?7 ビットアスキー文字の CARRIAGE RETURN に 7 ビットアスキー文字の行送り (LINE FEED)

が続く?;

文字=

  '' | '

!' | '"' | '#' | '$' | '%' | '&' | "'" | ' (' | ')' | '*' | '+' | ',' | '−' | '.' | '/' | '0' | '1' | '2' | '3' | '4'

| '5' | '6' | '7' | '8' | '9' | ' : ' | ' ;' | ' < ' | '

=' | ' > ' | '?' | '@' | 'A' | 'B' | 'C' | 'D' | 'E' | 'F' | 'G' |

'H' | 'I' | 'J' | 'K' | 'L' | 'M' | 'N' | 'O' | 'P' | 'Q' | 'R' | 'S' | 'T' | 'U' | 'V' | 'W' | 'X' | 'Y' | 'Z' | '[' | '

\' | ']' | '^' | '_' | '`' | 'a' | 'b' | 'c' | 'd' | 'e' | 'f' | 'g' | 'h' | 'i' | 'j' | 'k' | 'l' | 'm' | 'n' | 'o' | 'p' | 'q'

| 'r' | 's' | 't' | 'u' | 'v' | 'w' | 'x' | 'y' | 'z' | '{' | ' |' | '}' | '~'

(*ここで用いる文字とは,空白(スペース)若しくは 94 ある ASCII (American National Standard

Code for Information Interchange)

コード文字である。7 ビット ASCII, ANSI X3.4-1986 は,情報標

準−情報処理−情報交換 ISO 7 ビットコード文字セット,

ISO 646 : 1983

の米国版である。

ISO 646


12

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

の他の版では '#', '$', '@', '[',  '\', ']',  '^', '`', '{', '|', '}', '~' を他の文字で置き換

えてもよい。*);

検出粒子電荷=整数;

注釈行=テキスト行;

対応変数ラベル=テキスト行;

対応変数単位=単位;

カレンダー日=整数;

十進数=[符号],[{数字},  '.'],{数字}−

(*後ろに続くものがない負号は「十進数」の数字が少なくとも一つ要ることを示す。*);

微分幅=実数;

数字=  '0' | '1' | '2' | '3' | '4' | '5' | '6' | '7' | '8' | '9';

実験識別子=テキスト行;

実験モード=  ('MAP' | 'MAPDP' | 'MAPSV' | 'MAPSVDP' | 'NORM' | 'SDP' | 'SDPSV' | 'SEM'),改行

(*実験項目における各ブロックの内容は次の「実験モード」の記述子を用いて表記する:

 'MAP'

等間隔に設定された二次元座標系の上に定めたある測定点に対応したスペクト

ル。

 'MAPDP'

等間隔に設定された二次元座標系の上に定めたある測定点と深さ方向分析におけ

るある分析層に対応したスペクトル。

 'MAPSV'

二次元座標系の上に等間隔に定めたすべての点において,ある決められた数の変

数に対応するそれぞれの値を一つずつ,与えた数値の組。ここで,x 方向の線分析

とは,「分析箇所数」が「全マップ領域上 x 座標数」に等しくマップの y 方向点

数が 1 の場合である。y 方向の線分析については x と y を交換する。

 'MAPSVDP'

深さ方向分析のある一層に対応して,二次元座標系の上に等間隔に定めたすべて

の点において,ある決められた数の変数に対応するそれぞれの値を一つずつ,与

えた数値の組。

 'NORM'

独立したデータであるか,又は一つ以上の実験変数に対応して定まる一連のデー

タ;これらのデータはスペクトルのこともあるが,スペクトルではないこともあ

る。

 'SDP'

深さ方向分析において,ある層に対応しているスペクトル。

 'SDPSV'

深さ方向分析の層に対応して決めたある変数の値の全体。

 'SEM'

等間隔に作った二次元配列の各点に対応する放射電子強度。

*);

実験終了符=  'end of experiment'  ,改行;

実験変数ラベル=テキスト行;

実験変数単位=単位;

視野幅 x=実数;

視野幅 y=実数;

初走査線の終了 x 座標=整数;

初走査線の終了 y 座標=整数;

初走査線の開始 x 座標=整数;


13

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

初走査線の開始 y 座標=整数;

フォーマット識別子=

'VAMAS Surface Chemical Analysis Standard Data Transfer Format 1988 May4'

改行;

拡張ブロック入力=テキスト行;

拡張実験入力=テキスト行;

時=整数;

機関識別子=テキスト行;

装置型式識別子=テキスト行;

整数=[符号],[数字]−,改行

(*「整数」の値の範囲は,−1E37 から 1E37 までの範囲でなければならない。

後ろに続くものがない負号は,この後に少なくとも一つの「整数」が必要なことを示す。*);

最終走査線の終了 x 座標=整数;

最終走査線の終了 y 座標=整数;

分光器投射レンズ倍率=実数;

データ最大値=実数;

データ最小値=実数;

分時刻=整数;

月時刻=整数;

追加数値パラメータ数=0 以上の整数;

分析箇所数=1 以上の整数;

スパッタイオン又はスパッタ原子の原子数=1 以上の整数;

ブロック数=1 以上の整数;

対応変数の数=1 以上の整数;

全マップ領域上 x 座標数=1 以上の整数;

全マップ領域上 y 座標数=1 以上の整数;

実験変数の数=0 以上の整数;

拡張ブロック入力数=0 以上の整数;

拡張実験入力数=0 以上の整数;

グリニジ標準時差=実数;

ブロック注釈行数=0 以上の整数;

注釈行数=0 以上の整数;

ブロック内手入力項目数=0 以上の整数;

データ点数=1 以上の整数;

ブロックデータ測定繰り返し回数=1 以上の整数;

スペクトル領域数=1 以上の整数;

1

以上の整数=整数;

測定者識別子=テキスト行;

データ値=実数;

手入力項目前付番号=1 以上の整数;

実数=十進数,['E',[符号],[十進数値]−],改行


14

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

(*「実数」の値は−1E37 以上−1E−37 以下,0,又は 1E−37 以上 1E37 以下でなければな

らない。

後ろに続くものがない負号は,それが存在するならば,その後の指数部に少なくとも一つの

数値が必要なことを示す。*);

測定試料識別子=テキスト行;

測定試料法線極角=実数;

測定試料回転角=実数;

掃引モード=  ('REGULAR' | 'IRREGULAR' | 'MAPPING'),改行

(*もし「実験モード」が 'MAPSV', 'MAPSVDP' 又は 'SEM' であるならば,「掃引モード」

の値は 'MAPPING' である。これに対して,データが横軸開始値と横軸増分と一つ以上の等

間隔な実験変数に対応したデータの組によってできる形をしているならば「掃引モード」は

'REGULAR'

である。これら以外の場合はすべて 'IRREGULAR' である。*);

秒時刻=整数;

符号=  '+' | '−';

1

掃引当たり積算時間=実数;

信号モード=  ('analogue' | 'pulse counting'),改行

(*アナログ信号は,ディジタルに記述されていたとしても,どちらかの符号をもっている

かもしれないし増幅されているかもしれない。そのことは,ブロックの注釈に記されていて

もよい。パルス計数信号はゼロ以上の整数である*);

1

掃引当たり積算時間補正=実数;

化学種ラベル=テキスト行;

スパッタイオン又はスパッタ原子の原子番号=1 以上の整数;

スパッタイオン又はスパッタ原子の符号付き電荷=1 以上の整数;

スパッタモード  ('continuous' | 'cylic'),改行;

スパッタ線源方位角=実数;

スパッタビーム電流=実数;

スパッタエネルギー=実数;

スパッタ線源入射極角=実数;

スパッタ幅 x=実数;

スパッタ幅 y=実数;

測定試料バイアス電圧=実数;

測定手法=

  ('AES diff' | 'AES dir' | 'EDX' | 'ELS' | 'FABMS' | 'FABMS energy spec' | 'ISS' | 'SIMS' | 'SIMS

energy spec' | 'SNMS' | 'SNMS energy spec' | 'UPS' | 'XPS' | 'XRF')

,改行

(*これらの測定手法は次のとおり

 AES

diff

微分型オージェ電子分光法

 AES dir

積分型オージェ電子分光法

 EDX

エネルギー分散型 X 線分光法

 ELS

電子エネルギー損失分光法

 FABMS

高速原子衝撃質量分析法

 ISS

イオン散乱分光法


15

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

 SIMS

二次イオン質量分析法

 SNMS

スパッタ中性粒子質量分析法

 UPS

紫外線光電子分光法

 XPSX

X線光電子分光法

 XRF

蛍光 X 線分析法

*);

テキスト行=80*[文字],改行;

遷移記号又は準位記号=テキスト行;

単位=

  ('c/s' | 'd' | 'degree' | 'eV' | 'K' | 'micro C' | 'micro m' | 'm/s' | 'n' | 'nA' | 'ps' | 's' | 'u' | 'V')

,改行

(*これらの記号は,下記の単位の略号である

 'c/s'

カウント毎秒

 'd'

無次元−数値だけ,例,チャンネル当たりカウント数

 'degree'

度を単位とする角度

 'eV'

電子ボルト

 'K'

ケルビン

 'micro C'

マイクロクーロン

 'micro m'

マイクロメートル

 'm/s'

メートル毎秒

 'n'

ここでは無定義−ラベルに記入してもよい

 'nA'

ナノアンペア

 'ps'

ピコ秒

 's'

 'u'

原子質量単位

 'V'

ボルト

*);

実験変数値=実数;

x

座標=1 以上の整数;

y

座標=1 以上の整数;

西暦年=整数;

0

以上の整数=整数

(*「0 以上の整数」の値は 0 以上でなければならない。*);

2.5

分光器配置に関する仕様  部品は位置に関するすべての角度すなわち分析線源,分光器軸,スパッ

タ線源,測定試料放線を表記する角度は

図 に定義した方法で行う。すべて,固定した測定試料移動機構

が動く x,y,z 方向で決まる直交座標系に従う。測定試料がこのような移動機構をもたない装置で測定さ

れる場合には,鉛直方向に z 軸を,測定者が向かっている水平面内右手方向に x 軸を,水平面内で測定者

の向いている方向に y 軸をそれぞれ定める。測定者の向く方向には任意性があるが,方向を決めるときに

はその時点で誤解を生じないよう明確に規定しなければならない。


16

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

図 1  角度を記述する場合の幾何学的位置関係


17

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

関連規格:JIS K 0119  蛍光 X 線分析方法通則

JIS K 0132

  走査型電子顕微鏡試験方法通則

JIS K 0212

  分析化学用語(光学部門)

JIS K 0215

  分析化学用語(分析機器部門)


18

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

附属書 A(参考)  フォーマットのデザイン

表面分析では,幅広い分析手法と数多くのパラメータが科学者に与えられる。通常,分光器のみならず

装置全体がコンピュータ制御され,すべてのパラメータが自動的に記録される。解析に必要なデータ処理

の複雑さも完全に記録されているのが不可欠であり,また,転送データは完全に同一であるべきである。

もし,すべてのパラメータがフォーマット中に含まれているならば,各々のパラメータはその位置から特

定することが可能であり,また,パラメータの繰り返し数を明白に示すことができる。

一般的なディスプレイやプリンタで見ることができる文字を使用することは有効である。つまり,通信

プロトコルによる転送が容易であり,人の手によるデータチェックも可能となるからである。これは本フ

ォーマット設計の基本となっている。

データ転送を考えた場合,3 種の操作,つまり送信側のコンピュータではフォーマットされたデータを

テキストファイルに書き出すこと,そのテキストファイルを受信側コンピュータへ転送すること,受信側

コンピュータで独自のデータ構造に変換することが考えられる。テキストファイルは,KERMIT,XMODEM

などの標準転送プロトコル又は LAN プロトコルを使用した通信リンクによって転送することができるし,

又はフロッピーのような携帯可能な記録媒体に書き込み,互換性のあるシステム間で記録媒体を変換する

ことによって転送することができる。また,テキストファイルは互換性のない二つのソフトウエア間で使

うこともできる。データ圧縮やエラーチェックなどのファイル転送の詳細は,通信プロトコルに影響を及

ぼす可能性があるので本フォーマットの中では明示していない。本フォーマットはデータ取り込み用コン

ピュータで転送のための文字列の順序と受け取り側コンピュータでそれを受信するための順序を単に定義

している。

本フォーマットは幾つかの実験を包含している。最も単純な実験はエネルギーや質量など,規則変数に

対応するカウント数からなる単一スペクトルであり,そしてこのフォーマットは横軸開始値,横軸増分そ

してデータ値リストからなるデータを書き込むことができる。また,本フォーマットは,それぞれの横軸

値における計数値からなるスペクトルも取り扱う。まれに規則的に掃引されない変数が存在するスペクト

ルに対しては,本フォーマットは二つ又はそれ以上の変数に対応する値の組からなるデータを書き込むこ

とができる。このような二つの「掃引モード」をそれぞれ REGULAR と IRREGULAR と呼ぶ。データがマ

ップ形式になっているときは 3 番目の掃引モードである MAP-PING が用いられる。

上記のタイプのどのスペクトルもデータブロックとして書き込むことができ,そしてもしすべてが同じ

掃引モードであるならばスペクトルは全体的に一つの実験として集めることができる。それぞれのスペク

トルは,以下の「測定手法」で得られる。それらは AES diff(微分型オージェ電子分光法)

,AES dir(積

分型オージェ電子分光法)

,EDX(エネルギー分散型 X 線分光法)

,ELS(電子エネルギー損失分光法)

FABMS

(高速原子衝撃質量分析法),ISS(イオン散乱分光法),SIMS(二次イオン質量分析法),SNMS

(スパッタ中性粒子質量分析法)

,UPS(紫外線光電子分光法)

,XPS(X 線光電子分光法)

,XRF(蛍光 X

線分析法)である。質量分析の場合,通常,スペクトルは質量の関数であるが,質量の代わりに放出粒子

のエネルギーを用いる場合がある。これに対応する著名な技術として,それぞれ FABMS エネルギー分光

法,SIMS エネルギー分光法,SNMS エネルギー分光法がある。

表面分析では,マッピングのように試料表面上の異なる分析点に対応するスペクトルや,デプスプロフ

ァイルのように試料表面下の異なる深さに対応するスペクトルを得る実験が一般的である。実験の中でス

ペクトル間のこの種の関係は「実験モード」によって書き込むことができる。これら 4 つの実験モードに


19

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

は,MAP,SDP,MAPDP,NORM がある。MAP では,各々のスペクトルは 2 次元座標系のある特定な点

と対応する。SDP では,各々のスペクトルは組成スパッタデプスプロファイルの特定の深さに対応する。

MAPDP

では,各々のスペクトルは組成スパッタデプスプロファイルのある特定深さの 2 次元座標系のあ

る特定な点と対応する。NORM では,各々のスペクトルは互いに独立しているか,若しくは温度や時間の

ような一つ又はそれ以上の実験変数のうちの単一値と対応している。また,NORM はスペクトル形式では

ないデータも扱うことができる。

データ取得用コンピュータ上でのデータ取り込み量の削減や実験の設計のために,スペクトルを測定す

る代わりに,マッピングや深さ方向分析で個々の分析点に対する変数のうち単一値をデータとして取り込

むことがある。この場合は,全実験の代わりに単一ブロックとしてマップやプロファイルを書き込むこと

ができる。このために,MAPSV,SDPSV,SEM,MAPSVDP の四つの実験モードを設けた。MAPSV では,

各々の数値は標準的な 2 次元座標系の一つの点と対応する。SDPSV では,各々の数値は組成デプスプロフ

ァイルにおける一つの層に対応する。SEM は電子放出強度のマップである。MAPSVDP では,各々の数値

は標準的な 2 次元座標系の一つの点と対応し,また連続するブロックは組成デプスプロファイルにおける

連続する層に対応する。マップに対しては,ブロックに数値の組が行列でどのように配列するかに関する

情報が含まれている。

非常に多くの種類の実験が,上記の項目で網羅されている。例えばライン掃引は MAPSV を限定したも

のであり,多点深さ方向プロファイルは MAPDP で複数箇所を選択したものである。また,このフォーマ

ットは,AES と EDX に対する分光器の強度/エネルギー応対関数及びスキャッタダイアグラムのような

非標準的な応用例も取り扱う。

多くの実験において,様々な方射線の入射角度と出射角度を知ることは非常に重要である。ここで角度

図 で示すように,試料ステージの x,y,z 方向の変位を示す直交座標で特定されており,試料自体の

座標に対し特定されているわけではない。その理由は,試料自体に対応する角度が物理的には重要である

が,データ取得用のコンピュータでは試料ステージの直交座標のような固定軸だけが有効であるからであ

る。試料角度は装置パラメータから導き出せるかもしれないが,その逆がいつも正しいとは限らない。誤

差の伝ぱ(播)と間違いを減らすには処理データよりも一次データを記録する方が効果的である。

ここでフォーマット構造の概略について述べることは有益と思われる。フォーマットで定義されている

ものは「実験」である。これは実験に適用されるパラメータから成り立っており,続いて「ブロック」の

数,実験終了符と続く。各々のブロックは,そのブロックだけに適用されるパラメータから成り,曲線,

スペクトル,マップを表すデータ値が続く。実験に適用されるパラメータは出現する順序に全体として次

のグループに収めた。

研究環境における実験の識別

付加的注釈

実験モード

ブロック数と配列方法

手入力したパラメータの指示

拡張パラメータ

ブロックに適用されているパラメータは出現する順序に次のグループに収めた。

実験のブロック識別

試料識別

測定日と時刻


20

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

付加的注釈

測定手法

分析

分光器

スペクトルに関する記録

スパッタリング

試料の配置

追加パラメータと拡張パラメータ

このフォーマットの使用法を説明するために幅広い事例を

附属書 に示す。手持ちの表面分析装置では

非常に選択肢が限られている繁忙なプログラマーのために,

附属書 に内容を限定し部分的に書き換えた

本フォーマットの簡易版を示した。これは第 2 章の規則によるフォーマットに由来するもので,コンピュ

ータシステムが旧式で容易な操作環境で使用できると思われる。このフォーマットは初期の VAMAS 標準

データ転送フォーマットに基づいているが,次の 3 点が変更されている。

(i)

分光器の幾何学的記述は左手よりも右手座標系を基準とする。

(ii)

含有又は除外するパラメータの入力数は,フォーマットを単純化するためにゼロとする。

(iii)

改行記号列は,7 ビットアスキー1 文字分の改行から改行とそれに続く行送りの 2 文字に変更される。

最後のものは,コンピュータで使用するテキストファイルでは正しい“行の終わりを示す目印”である。

このフォーマットを書き換えるプログラマーを助けるために,骨格プログラムが引用文献(2)に提供されて

いる。それらのプログラムでは含有又は除外するパラメータ項目にゼロ以外の入力値を読み込むことも利

用することも可能である。すなわち,それらのプログラムは,本フォーマットとオリジナルの VAMAS フ

ォーマットの両方を読み込むことができる。付け加えるに,プログラムでは上記の項目(iii)を考慮してい

ない。


21

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

附属書 B(参考)  フォーマットの実例

B.1

概要

フォーマットの実例は B.2.1B.2.12 に示されている。フォーマット識別子から注釈行までの項目と最後

の項目(すなわち実験終止符)はすべての場合で省略されている。同様に,ブロック識別子と注釈行数及

びブロック注釈行は省略されている。転送されるテキストの文字は表示確認され,印刷される部分に保存

され,改行 (carriage return) はカンマ (COMMA) とスペース (SPACE) で置き換えられている。機関識別

子から実験識別子までの項目の例は NPL,VG ESCALAB 2,P J Cumpson,Mass Study のブロックにあり,

西暦年からグリニジ標準時差までの項目は 1986,5,1,18,45,21,0 となっている。それらは分かりや

すいので,ここでは省略する。

B.2

典型的な応用例

B.3

節に B.2.1B.2.4 のそれぞれの実例の詳細な注釈が示してある。

B.2.1  C1s

ピーク周辺の 25eV の一つの領域の XPS スペクトル

実験パラメータは次のように表示される。

NORM, REGULAR, 1, 0, 0, 0, 0, 0, 1

パラメータを示す一つのブロックが次に続く。

XPS, al, 1486.6, 300, 500, 500, 45, 90, FAT, 200, 3, 4.5, 0, 1000, 5000, 15, 0, C, 1s,

−1, binding

energy, eV, 275, 0.05, 1, counts per channel, d, pulse, counting, 0.5, 1, 400E

−9, 0, 0, 0, 0, 501, 3214,

33008,

501

のデータ値を後に続ける。

B.2.2

酸素から測定し始めた 元素のナロースキャンスペクトルを用いた 測定位置の AES デプスプロフ

ァイル

実験パラメータは次のように表示する。

SDP, REGULAR, 3, 1, time in seconds, s, 0, 0, 0, 0, 300,

さらに,300 ブロックを続ける。最初のブロックのパラメータは次のようになる。

ABS dir, 0, electron gun, 18, 1, 1, 5000, 10, 3, 3, 45, 180, FRR, 4, 3, 4.5, 0, 2000, 5000, 15, 0, 0, KLL,

−1, kinetic energy, eV, 530,  −0.5, 1, counts per channel, d, pulse counting, 0.5, 1, 400E−9, 2000, 120,

500, 500, 20, 270, continuous, 0, 0, 0, 0, 100, 20154, 31192,

100

のデータ値を後に続ける。

B.2.3

質量数 45 から測定し始めた二つの別々の質量数をセットした質量分析計での SIMS 元素マッピング

実験パラメータは次のように表示する。

MAPSV, MAPPING, 1, unified atomic mass units, u, 0, 0, 0, 0, 2,

さらに,2 ブロックを続ける。最初のブロックのパラメータは次のようになる。

SIMS, 45, gallium, gun, 31, 1, 1, 10000, 1.3, 0.1, 0.1, 12.8, 12.8, 1, 1, 128, 128, 1, 128, 20, 270, constant

deltam, 0.9, 1, 4.3, 0, 12.8, 12.8, 0, 180, SiOH, 1, 1, 1, counts per pixel, d, pulse counting, 0.03, 1, 400E

−9, 0, 0, 0, 0, 16384, 294, 681,

B.2.4

酸素から測定し始めた か所のまとめた範囲について 元素の異なったスペクトルを用いた一つの

AES

デプスプロフアイル


22

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

これはマップ中の幾つかの位置が空になっているときの例である。

実験パラメータは次のように表示する。

MAPDP, REGULAR, 3, 4, 128, 128, 1, time in seconds, s, 0, 0, 0, 0, 1200,

さらに,1200 ブロックが続けられる。最初のブロックのパラメータは次のようになる。

AES diff, 15, 38, 0, electron gun, 18, 1, 1, 5000, 1020, 2, 2, 300, 300, 45, 180, FRR, 4, 5, 3, 4.5, 0, 2000,

5000, 15, 0, 0, KLL,

−1, kinetic energy, eV, 530,  −0.5, 1, counts per channel, d, analogue, 0.5, 1,

400E

−9, 2000, 120, 500, 500, 20, 270, cyclic, 0, 0, 0, 0, 100, 381, 4320,

100

のデータ値を後に続ける。

B.2.5  10

水準の酸素暴露を受けたすずを含むステンレス鋼の五つの領域の SNMS スペクトル

実験パラメータは次のように表示する。

NORM, REGULAR, 5, 1, oxygen exposure in seconds, s, 0, 0, 0, 0, 50,

さらに,50 ブロックを続ける。最初のブロックのパラメータは次のようになる。

SNMS, 0, argon, 18, 1, 1, 100, 10000, 3000, 3000, 0, 0, constant delta m, 0.9, 1, 5.1, 0, 1000, 1000, 30,

180, Sn, 0, 0, mass, u, 120.5,

−0.5, 1, counts per channel, d, pulse counting, 0.03, 1, 400E−9, 0, 0, 0, 0,

31, 15, 38941,

31

のデータを後に続ける。

B.2.6  8

時間で 1000 以上の深さで か所の測定位置について 元素のそれぞれの微分スペクトルを用いた

一つの AES のサイクルスパッタデプスプロファイル

実験パラメータは次のように表示する。

SDPSV, REGULAR, 0, 0, 0, 0, 0, 1,

さらに,次のパラメータを含む 1 ブロックを続ける。

AES diff, electron gun, 18, 1, 1, 5000, 1020, 100, 100, 45, 180, FRR, 4, 5, 3, 4.5, 0, 1000, 5000, 15, 0, Al

Mg 0, KLL,

−1, time in seconds, s, 0, 28.8, 3, Al intensity, d, Mg intensity, d, 0 intensity, d, analogue,

3, 1, 400E

−9, 2000, 120, 3000, 3000, 20, 270, cyclic, 0, 0, 0, 0, 3000, 381, 4320, 23, 9793, 782, 5640,

3000

のデータ値を後に続ける。この形式以外にも Al, Mg, 0 それぞれに対応する三つのブロックとして

転送することも可能である。これはどちらも同等である。

B.2.7  1

時間で 100 以上の深さで か所のまとめた範囲の測定位置について 元素の 0100eV の SIMS 

ネルギースペクトル

スペクトル領域が 0∼100eV なのでもはや元素の限定はできず,実験変数としてこの値を使用する。

実験パラメータは次のように表示する。

MAPDP, REGULAR, 1, 5, 128, 128, 2, unified atomic mass units, u, time in seconds, s, 0, 0, 0, 0, 1500,

さらに,1500 ブロックを続ける。最初のブロックのパラメータは次のようになる。

SIMS energy spec, 37, 21, 28, 0, argone, 18, 1, 1, 1000, 100, 0.5, 0.5, 300, 300, 20, 270, constant delta m,

0.9, 1, 2.0, 0, 1E37, 1E37, 0, 0, Si, 1, 1, electron volts, eV, 0, 0.2, 1, counts per channel, d, pulse

counting, 0.03, 1, 400E

−9, 0, 0, 0, 0, 501, 0, 4927,

501

のデータ値を後に続ける。

B.2.8  100

水準の深さでスパッタ深さ分析を行った測定位置について 元素のそれぞれの結合された AES

スペクトルと一つの EDX スペクトル

実験パラメータは次のように表示する。

MAPDP, REGULAR, 4, 16384, 128, 128, 1, time in seconds, s, 0, 0, 0, 0, 6553600,


23

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

さらに,6553600 ブロックを続ける。最初のブロックのパラメータは次のようになる。

AES diff, 1, 1, 0, electron gun, 18, 1, 1, 20000, 25, 0.2, 0.2, 300, 300, 45, 180, FRR, 2, 3, 4, 5, 2000,

5000, 15, 0, 0, KLL,

−1, electron volts, eV, 520,  −1, 1, counts per channel, d, pulse counting, 0.03, 1,

400E

−9, 2000, 1020, 3000, 3000, 20, 270, cyclic, 0, 0, 0, 0, 31, 5420,

31

のデータ値を後に続ける。

B.2.9

スクリーンの下から約 2/3 の位置で 元素のピークとバックグラウンドスペクトルモードの 

AES

線分析

実験パラメータは次のように表示する。

MAPSV, MAPPING, 1, kinetic energy eV, eV, 0, 0, 0, 0, 8,

さらに,8 ブロックを続ける。最初のブロックのパラメータは次のようになる。

ABS dir, 530, electron gun, 5000, 10, 0.1, 0.1, 12.8, 12.8, 1, 40, 128, 40, 128, 40, 45, 180, FRR, 2, 3, 4.5,

0, 2000, 5000, 15, 0, 0, KLL,

−1, 1, counts per channel, d, pulse counting, 0.01, 1, 400E−9, 0, 0, 0, 0,

128, 3081, 34333,

128

のデータ値を後に続ける。この形式以外にも 1024 のデータ値によって示される八つの類似の変数か

らなる一つのブロックを使うことができる。類似の変数の使い方について B.2.6 に示す。

B.2.10 AES

スペクトルの軸の校正用曲線

実験パラメータは次のように表示する。

SPD, REGULAR, 1, 0, 0, 0, 0, 0, 1,

さらに,次のパラメータを含む 1 ブロックを後に続ける。

AES dir, electron gun, 1E37, 1E37, 1E37, 1E37, 1E37, 1E37, FRR, 4, 3, 4.5, 0, 2000, 5000, 15, 0, all

elements, any,

−1, kinetic energy, eV, eV, 0, 0.5, 1, normalising factor, d, pulse counting, 3, 1, 0, 0, 0,

0, 0, 4001, 0, 10000,

4001

のデータ値を後に続ける。

B.2.11

ターゲットバイアスとスパッタ時間が不規則な間隔である二つの SIMS 強度のスパッタデプスプロ

ファイル

実験パラメータは次のように表示する。

SDPSV, IRREGULAR, 1, unified atomic mass units, u, 0, 0, 0, 0, 2,

さらに,2 ブロックを続ける。最初のブロックのパラメータは次のようになる。

SIMS, 11, oxygen, 8, 2, 1, 5000, 900, 500, 500, 20, 270, constant delta m, 0.9, 1, 3.0, 1E37, 300, 300, 0,

0, boron, 1, 1, 3, counts per channel, d, target bias, V, sputtering time, s, pulse counting, 2, 1, 400E

−9, 0,

0, 0, 0, 300, 2, 100517,

−2.8,  −1.7, 0, 3581,

300

のデータ値を後に続ける。

B.2.12 3

元素の 100 点 AES 分析値の比のスキャッタダイアグラム

実験パラメータは次のように表示する。

NORM, IRREGULAR, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 1,

さらに,次のパラメータを含む 1 ブロックを後に続ける。

AES dir, electron gun, 20000, 10, 0.01, 0.01, 45, 180, FAT, 50, 1, 4.5, 0, 2000, 5000, 15, 0, Al Mg Si,

KLL,

−1, 3, Al intensity (N1−N2) / (N1+N2), d, Si intensity (N1−N2) / (N1+N2), d, pulse

counting, 1, 1, 400E

−9, 0, 0, 0, 0, 300, 0, 1, 0, 1, 0, 1,


24

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

B.3

注釈の例

ダミーの先頭行と幾つかのコメントが加えられ,フォーマット識別子が省略された。特に装置と識別子

は例として示してあるが,見出しのテキストに説明されていること以外はこれといって重要ではない。

B.3.1  B.2.1

の注釈の例

フォーマット識別子

VAMAS Surface Chemical etc

機関識別子 NPL

装置型式識別子

Kratox XSAM 800

測定者識別子 WAD

実験識別子 Gold medal

contamination

注釈行数 1

注釈行 exampl 1

実験モード NORM

掃引モード REGULAR

スペクトル領域数 1

実験変数の数 0

 0

ブロック内手入力項目数 0

拡張実験入力数 0

拡張ブロック入力数 0

ブロック数 1

ブロック識別子

1sy block id

測定試料識別子

1st sample id

西暦年 1986

月時刻 5

カレンダー日 1

時 18

分時刻 45

秒時刻 21

グリニジ標準時差 0

ブロック注釈行数 0

測定手法 XPS

分析線源ラベル Al

分析線源特性エネルギー 1486.6

分析線源強度 300

分析線源ビーム幅 x 500

分析線源ビーム幅 y 500

分析線源入射極角 45

分析線源方位角 90

分光器モード FAT

分光器透過エネルギー,減速比,又は質量分解能 20


25

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

分光器投射レンズ倍率 3

分光器仕事関数,原子又はイオンの取り込みエネルギー 4.5

測定試料バイアス電圧 0

分析領域幅 x 1000

分析領域幅 y 5000

分光器軸極角 15

分光器軸方位角 0

化学種ラベル C

遷移記号又は電子軌道記号 1s

検出粒子電荷

−1

横軸ラベル bindin energy

横軸単位 eV

横軸開始値 275

横軸増分 0.05

対応変数の数 1

対応変数ラベル

counts per channel

対応変数単位 d

信号モード pulse

counting

1

掃引当たり積算時間 0.5

ブロックデータ測定繰り返し回数 1

1

掃引当たり積算時間補正 400E−9

試料法線極角 0

試料法線方位角 0

試料回転角 0

追加数値パラメータ数 0

データ点数 501

データ最小値 3214

データ最大値 33008

501

個の追加数値が続けられる。

実験終止符

end of experiment

B.3.2  B.2.2

の注釈の例

フォーマット識別子

VAMAS Surface Chemical etc

機関識別子 NPL

装置型式識別子

Riber MAC 2

測定者識別子 WAD

実験識別子

Tantalum pentoxide standard

注釈行数 1

注釈行 exampl 2

実験モード SDP

掃引モード REGULAR


26

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

スペクトル領域数 3

実験変数の数 1

実験変数ラベル time

in seconds

実験変数単位 s

 0

ブロック内手入力項目数 0

拡張実験入力数 0

拡張ブロック入力数 0

ブロック数 300

ブロック識別子

1st block id

測定試料識別子

1st sample id

西暦年 1986

月時刻 5

カレンダー日 1

時 18

分時刻 45

秒時刻 21

グリニジ標準時差 0

ブロック注釈行数 0

測定手法 AES dir

実験変数の値 0

分析線源ラベル electron gun

スパッタイオン又はスパッタ原子の原子番号 18

スパッタイオン又はスパッタ原子の原子数 1

スパッタイオン又はスパッタ原子の符号付き電荷 1

分析線源特性エネルギー 5000

分析線源強度 10

分析線源ビーム幅 x 3

分析線源ビーム幅 y 3

分析線源入射極角 45

分析線源方位角 180

分光器モード FRR

分光器透過エネルギー,減速比,又は質量分解能 4

分光器投射レンズ倍率 3

分光器仕事関数,原子又はイオンの取り込みエネルギー 4.5

測定試料バイアス電圧 0

分析領域幅 x 2000

分析領域幅 y 5000

分光器軸極角 15

分光器軸方位角 0


27

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

化学種ラベル 0

遷移記号又は電子軌道記号 KLL

検出粒子電荷

−1

横軸ラベル kinetic energy

横軸単位 eV

横軸開始値 530

横軸増分

−0.5

対応変数の数 1

対応変数ラベル

counts per channel

対応変数単位 d

信号モード pulse

counting

1

掃引当たり積算時間 0.5

ブロックデータ測定繰り返し回数 1

1

掃引当たり積算時間補正 400E−9

スパッタエネルギー 2000

スパッタビーム電流 120

スパッタ幅 x 500

スパッタ幅 y 500

スパッタ線源入射極角 20

スパッタ線源方位角 270

スパッタモード continuous

試料法線極角 0

試料法線方位角 0

試料回転角 0

追加数値パラメータ数 0

データ点数 100

データ最小値 20154

データ最大値 31192

100

個の追加数値,さらに 299 ブロックが続けられる

実験終止符

end of experiment

B.3.3  B.2.3

の注釈の例

フォーマット識別子

VAMAS Surface Chemical etc

機関識別子 NPL

装置型式識別子

VG SIMSLAB MIG 300

測定者識別子 WAD

実験識別子 IC 4261

注釈行数 1

注釈行 3

実験モード MAPSV

掃引モード MAPPING


28

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

実験変数の数 1

実験変数ラベル

unified atomic mass units

実験変数単位 u

 0

ブロック内手入力項目数 0

拡張実験入力数 0

拡張ブロック入力数 0

ブロック数 2

ブロック識別子

1st block id

測定試料識別子

1st sample id

西暦年 1986

月時刻 5

カレンダー日 1

時 18

分時刻 45

秒時刻 21

グリニジ標準時差 0

ブロック注釈行数 0

測定手法 SIMS

実験変数の値 45

分析線源ラベル gallium gun

スパッタイオン又はスパッタ原子の原子番号 31

スパッタイオン又はスパッタ原子の原子数 1

スパッタイオン又はスパッタ原子の符号付き電荷 1

分析線源特性エネルギー 10000

分析線源強度 1.3

分析線源ビーム幅 x 0.1

分析線源ビーム幅 y 0.1

視野幅 x 12.8

視野幅 y 12.8

初走査線の開始 x 座標 1

初走査線の開始 y 座標 1

初走査線の終了 x 座標 128

初走査線の終了 y 座標 1

最終走査線の終了 x 座標 128

最終走査線の終了 y 座標 128

分析線源入射極角 20

分析線源方位角 270

分光器モード constant de

m

分光器透過エネルギー,減速比,又は質量分解能 0.9


29

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

分光器投射レンズ倍率 1

分光器仕事関数,原子,又はイオンの取り込みエネルギー

4.3

測定試料バイアス電圧 0

分析領域幅 x 12.8

分析領域幅 y 12.8

分光器軸極角 0

分光器軸方位角 180

化学種ラベル SiOH

遷移記号又は電子軌道記号 1

検出粒子電荷 1

対応変数の数 1

対応変数ラベル

counts per pixel

対応変数単位 d

信号モード pulse

counting

1

掃引当たり積算時間 0.03

ブロックデータ測定繰り返し回数 1

1

掃引当たり積算時間補正 400E−9

試料法線極角 0

試料法線方位角 0

試料回転角 0

追加数値パラメータ数 0

データ点数 16384

データ最小値 294

データ最大値 681

16384

個の追加数値,2 ブロックが続けられる

実験終止符

end of experiment

B.3.4  B.2.4

の注釈の例

フォーマット識別子

VAMAS Surface Chemical etc

機関識別子 NPL

装置型式識別子

PHI Multiprobe 610

測定者識別子 WAD

実験識別子

IC failure diagnoses

注釈行数 1

注釈行 exampl 4

実験モード MAPDP

掃引モード REGULAR

スペクトル領域数 3

分析箇所数 4

全マップ領域上 x 座標数 128

全マップ領域上 y 座標数 128


30

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

実験変数の数 1

実験変数ラベル time

in seconds

実験変数単位 s

 0

ブロック内手入力項目数 0

拡張実験入力数 0

拡張ブロック入力数 0

ブロック数 1200

ブロック識別子

1st block id

測定試料識別子

1st sample id

西暦年 1986

月時刻 5

カレンダー日 1

時 18

分時刻 45

秒時刻 21

グリニジ標準時差 0

ブロック注釈行数 0

測定手法 AES dir

x

座標 15

y

座標 38

実験変数の値 0

分析線源ラベル electron gun

スパッタイオン又はスパッタ原子の原子番号 18

スパッタイオン又はスパッタ原子の原子数 1

スパッタイオン又はスパッタ原子の符号付き電荷 1

分析線源特性エネルギー 5000

分析線源強度 1020

分析線源ビーム幅 x 2

分析線源ビーム幅 y 2

視野幅 x 300

視野幅 y 300

分析線源入射極角 45

分析線源方位角 180

分光器モード FRR

分光器透過エネルギー,減速比,又は質量分解能 4

微分幅 5

分光器投射レンズ倍率 3

分光器仕事関数,原子又はイオンの取り込みエネルギー 4.5

測定試料バイアス電圧 0


31

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

分析領域幅 x 2000

分析領域幅 y 5000

分光器軸極角 15

分光器軸方位角 0

化学種ラベル 0

遷移記号又は電子軌道記号 KLL

検出粒子電荷

−1

横軸ラベル kinetic energy

横軸単位 eV

横軸開始値 530

横軸増分

−0.5

対応変数の数 1

対応変数ラベル

counts per channel

対応変数単位 d

信号モード analogue

1

掃引当たり積算時間 0.5

ブロックデータ測定繰り返し回数 1

1

掃引当たり積算時間補正 400E−9

スパッタエネルギー 2000

スパッタビーム電流 120

スパッタ幅 x 500

スパッタ幅 y 500

スパッタ線源入射極角 20

スパッタ線源方位角 270

スパッタモード cyclic

試料法線極角 0

試料法線方位角 0

試料回転角 0

追加数値パラメータ数 0

データ点数 100

データ最小値 381

データ最大値 4320

100

個の追加数値,さらに 1199 ブロックが続けられる

実験終止符

end of experiment


32

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

附属書 C(参考)  簡易型フォーマット

C.1

概要

本フォーマットの簡易バージョンは,オプションの長さが限られてしまうよな装置のユーザにとってよ

り有益と考えられる。このバージョンでは,実験の種類で定義される変数,及び値が省かれることで自動

的に省略されるパラメータ群が定数に置き換わる。C.2 から C.4 は,3 種類のよく行われる実験に対する簡

易型バージョンである。これらのバージョンは,同じ実験に対して第 2 章の規則によるフォーマットによ

って作り出されるアウトプットと正確に同じものであることに留意すべきである。第 2 章の規則によるフ

ォーマットとの唯一の違いは,その適用範囲である。これらのバージョンは,個別の入力を必要とする項

目は包含していない。

C.2

通常のスキャンによる複数のスペクトル又はある実験手法において一つの実験条件変数の変化に対応

した複数のスペクトル領域を含む実験。

解析は,

試料上の特定の箇所に位置づけられていないものとする。

B.2.5

からの例が,ここに示されている。

実験=

フォーマット識別子,

機関識別子,

装置形式識別子,

測定者識別子,

実験識別子,

注釈行数,

{注釈行}

(*「注釈行数」の数値によって「注釈行」の数が規定される。

注釈は最新の装置校正についての詳細を含んでもよい。*),

 'NORM'

,改行,

 'REGULAR'

,改行,

スペクトル領域数,

 '1'

,改行,

実験変数ラベル,

実験変数単位,

 '0'

,改行,

 '0'

,改行,

 '0'

,改行,

 '0'

,改行,

ブロック数,

{ブロック}−

(*上記の空白が続いているマイナス符号の意味は,少なくとも一つはブロックが存

在しなければならないことを示す。「ブロック数」の数値によって,「ブロック」の

数を規定する。*),


33

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

実験終了符;

ブロック=

ブロック識別子,

試料識別子,

西暦年

(*グレゴリオ暦で省略せず記入。例:'1998'*),

月時刻,

カレンダー日,

時,

分時刻,

秒時刻

(*上の六つの値のどれかが不明な場合,ダミーとして−1 の値を入れなければなら

ない。*),

グリニジ標準時差,

ブロック注釈行数,

{注釈行}

(*上記「注釈行数」の数値によって「注釈行」の数が規定される。*),

測定手法,

実験変数値

(*「実験変数値」は,例えば,秒単位の合計時間や,秒単位の合計スパッタ時間,

単位 m

2

当たり照射イオン量で表した合計スパッタ量,ケルビン単位の温度,eV 単位

のエネルギー,原子質量単位の質量などを表すことができる。この値が時間ととも

に滑らかに変化する場合,実験変数ラベルに特記しない限り,ブロックデータの記

録を始めた点における値とする。*),

分析線源ラベル,

[スパッタイオン又はスパッタ原子の原子番号,

スパッタイオン又はスパッタ原子の原子数,

スパッタイオン又はスパッタ原子の符号付き電荷〕

(*この 3 個は「測定手法」が 'FABMS', 'FABMS energy spec', 'ISS', 'SIMS','SIMS

energy spec'

, 'SNMS',  'SNMS energy spec'  のいずれかである場合には必すで,その

場合に限り挿入する。*),

分析線源特性エネルギー

(*eV 単位のエネルギー*),

分析線源強度

(*XPS と XRF では W 単位の出力,AES,EDX,ISS,SIMS,SNMS では nA 単位

のビーム電流,FABMS ではビーム等価量*),

分析線源ビーム幅 x

(*マイクロメータ単位の,試料位置で励起ビームに垂直な平面内における幅*),

分析線源ビーム幅 y

(*マイクロメータ単位の,試料位置で励起ビームに垂直な平面内における幅*),

分析線源入射極角


34

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の上方向 z 軸からの角度*),

分析線源方位角

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の y 軸から時計周りの角度*),

分光器モード,

分光器通過エネルギー,減速比,又は質量分解能

(*エネルギーは eV 単位,質量は amu 単位*),

[微分幅]

(*正弦波変調又はコンピュータでの数値微分のピーク間を eV で表記する。

「微分幅」は,「測定手法」が 'AES diff' のときのみ挿入する。*),

分光器投射レンズの倍率,

分光器仕事関数,原子又はイオンの取り込みエネルギー

(*AES,ELS,ISS,UPS,XPS に対しては仕事関数の正の値を eV で表記する。

FABMS

,SIMS,SNMS に対しては,イオンの取り込みエネルギーとは質量分析器の

付属するエネルギーフィルタにおけるパスエネルギーのことである。*),

測定試料バイアス

(*符号を含め V 単位で*),

分析領域幅 x

(*分析領域幅 x は,FABMS,FABMS energy spec,ISS,SIMS,SIMS energy spec,

SNMS

,SNMS energy spec に対しては,ビームに垂直な平面における線源の幅を x 方

向に投影した信号幅,AES diff,AES dir,ELS,UPS,XPS に対しては,分光器スリ

ット長さを分光器投射レンズのスリットに対する倍率で割ったもの,EDX と XRF に

対しては,線源の幅の x 方向成分とする。「分析領域幅 x」はマイクロメータ単位。

*),

分析領域幅 y

(*y 方向について「分析領域幅 x」と同様*),

分光器軸極角

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の上方向 z 軸からの角度*),

分光器軸方位角

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の y 軸から時計周りの角度*),

化学種ラベル

(*元素記号又は分子式*),

遷移記号又は準位記号

(*例:AES の場合 'KLL',XPS の場合 '1s',SIMS の場合  '−1'  *),

検出粒子電荷

(*例:AES 及び XPS の場合−1,正電荷 SIMS の場合+1*),

横軸ラベル,

横軸単位,

横軸開始値,

横軸増分,

 '1'

,改行,


35

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

対応変数ラベル

(*この場合は,対応する変数は強度となろう。*),

対応変数単位,

信号モード,

1

掃引当たり積算時間

(*個々のチャンネル又は一連の測定点のそれぞれに対して,1 回のスキャン時にお

ける計数時間で秒で記述される。XRF 及び EDX の場合は全スペクトルの測定時間と

する。*),

ブロックデータ測定繰返し回数,

1

掃引当たり積算時間補正

(*EDX,XRF 以外に対しては系の不感時間のことである。EDX,XRF の場合には,

寿命補正済み測定時間である。不感時間の場合,正の値ならば計測率は(1−単位時

間当たり計測量×不感時間)で割り算しなければならないし,負の値ならば[exp(真

の計測量×不感時間)]で掛け算して補正しなければならない。もし,スペクトル

が既に不感時間補正されている場合には,この項の値はゼロで,用いられた不感時

間の値は注釈行かどこかに記述されなければならない。

「1 掃引当たり積算時間補正」は秒単位で。*),

試料法線極角

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の上方向 z 軸からの角度*),

試料法線方位角

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の y 軸から時計周りの角度*),

試料回転角

(*度単位の,試料法線の周りに時計周りの回転角。もし,これが試料上の特別な

方向に関係している場合は,その方向についてブロック内の注釈行に記述するとよ

い。*),

追加数値パラメータ数,

{追加数値パラメータラベル,

追加数値パラメータ単位,

追加数値パラメータ値}

(*「追加数値パラメータ数」の数値によって,上の三つの入力項目グループの数

が規定される。*),

データ点数,

データ最小値,

データ最大値,

{データ値}−

(*「データ点数」の数値によって,「データ値」の数が規定される。*);

横軸増分=実数

(*単位については,「横軸開始値」の下の表を参照のこと。*),

横軸ラベル=テキスト行;

横軸開始値=実数;


36

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

横軸単位=単位

(*次の表は「横軸単位」としてよく利用されるものを「測定手法」と「実験モード」に合わせて

例を示したが,これを使わなければならないというものではない。

測定手法

単位

AES diff, AES dir, EDX, ELS, ISS, UPS, XPS, XRF

'eV'

FABMS, SIMS, SNMS

'u' or 's'

FABMS energy spec, SIMS energy spec, SNMS energy spec

'eV'

*);

追加数値パラメータラベル=テキスト行;

追加数値パラメータ単位=単位;

追加数値パラメータ値=実数;

分光器軸方位角=実数;

分光器軸極角=実数;

分光器モード=  ('FAT' | 'FRR' | 'constant delta m' | 'constant m/delta m'),改行;

分光器通過エネルギー,減速比又は質量分解能=実数;

分光器仕事関数,原子又はイオン取り込みエネルギー=実数;

分析線源方位角=実数;

分析線源ビーム幅 x=実数;

分析線源ビーム幅 y=実数;

分析線源特性エネルギー=実数;

分析線源ラベル=テキスト行;

分析線源入射極角=実数;

分析線源強度=実数;

分析領域幅 x=実数;

分析領域幅 y=実数;

ブロック識別子=テキスト行;

改行=?7 ビットアスキー文字の CARRIAGE RETURN で,7 ビットアスキー文字の行送り (LINE FEED)

が続く?;

文字=

' ' | '

!' | '"' | '#' | '$' | '%' | '&' | "'" | '(' | ')' | '*' | '+' | ' ,' | '−' | '.' | '/' | '0' | '1' | '2' | '3' | '4' | '5' | '6' | '7' | '8'

| '9' | '

:' | ';' | '<' | '=' | '>' | '?' | '@' | 'A' | 'B' | 'C' | 'D' | 'E' | 'F' | 'G' | 'H' | 'I' | 'J' | 'K' | 'L' | 'M' | 'N' | 'O'

| 'P' | 'Q' | 'R' | 'S' | 'T' | 'U' | 'V' | 'W' | 'X' | 'Y' | 'Z' | '[' | '

\' | ']' | '^' | '_' | '`' | 'a' | 'b' | 'c' | 'd' | 'e' | 'f' | 'g' |

'h' | 'i' | 'j' | 'k' | 'l' | 'm' | 'n' | 'o' | 'p' | 'q' | 'r' | 's' | 't' | 'u' | 'v' | 'w' | 'x' | 'y' | 'z' | '{' | ' | ' | '}' | '~'

(*ここで用いる文字とは,スペース若しくは 94 ある ASCII (American National Stndard Code for

Informa-tion Interchange)

コード文字である。7 ビット ASCII, ANSI X3.4-1986 は,情報標準−情報

処理−情報交換  IS0 7 ビットコード文字セット,IS0 646 : 1983 の米国版である。IS0 646 の他の版

では '#', '$', '@', '[',  '\', '] ',  '^', '`', '{', '|', '}','~'を他の文字で置き換えてもよい。

*); 

検出粒子電荷=整数;

注釈行=テキスト行;


37

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

対応変数ラベル=テキスト行;

対応変数単位=単位;

カレンダー日=整数;

十進数=[符号],[{数字},'.'],{数字}−

(*後ろに続くものがない負号は十進数の数字が少なくとも一つ要ることを示す。*);

微分幅=実数;

数字=  '0' | '1' | '2' | '3' | '4' | '5' | '6' | '7' | '8' | '9';

実験識別子=テキスト行;

実験終了符=  'end of experiment',改行;

実験変数ラベル=テキスト行;

実験変数単位=単位;

フォーマット識別子=  'VAMAS Surface Chemical Analysis Standard Data Transfer Format 1988 May4',

改行;

時=整数;

機関識別子=テキスト行;

装置型式識別子=テキスト行;

整数=[符号],[数字]−,改行

(*「整数」の値の範囲は,−1E37 から 1E37 までの範囲でなければならない。*);

分光器投射レンズ倍率=実数;

データ最大値=実数;

データ最小値=実数;

分時刻=整数;

月時刻=整数;

追加数値パラメータ数=0 以上の整数;

スパッタイオン又はスパッタ原子の原子数=1 以上の整数;

ブロック数=1 以上の整数;

グリニジ標準時差=実数;

ブロック注釈行数=0 以上の整数;

注釈行数=0 以上の整数;

データ点数=1 以上の整数;

ブロックデータ測定繰り返し回数=1 以上の整数;

スペクトル領域数=1 以上の整数;

1

以上の整数=整数;

(*「1 以上の整数」の値は,ゼロより大きくなければならない。*);

測定者識別子=テキスト行;

データ値=実数;

実数=十進数,  'E',[符号],[数字]−],改行

(*「実数」の値は−1E37 以上−1E−37 以下,0,又は 1E−37 以上 1E37 以下である。

空項が続く負号は,それが存在するならば,その後の指数部に少なくとも一つの数値が必要なこと

を示す。


38

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

*);

測定試料識別子=テキスト行;

測定試料法線極角=実数;

測定試料法線方位角=実数;

測定試料回転角=実数;

秒時刻=整数;

符号=  '+' | '−';

1

掃引当たり積算時間=実数;

信号モード=  ('analogue' | 'pulse counting'),改行;

(*ディジタルで記録されているかどうかは別に,アナログ信号は符号とブロックコメントに記録

されるであろうゲインの値をもつ。パルスカウントによる信号は,0 又はそれ以上の整数である。

*);

1

掃引当たり積算時間補正=実数;

化学種ラベル=テキスト行;

スパッタイオン又はスパッタ原子の原子番号=1 以上の整数;

スパッタイオン又はスパッタ原子の符号付き電荷=1 以上の整数;

測定試料バイアス電圧=実数;

測定手法=

('AES diff' | 'AES dir' | 'EDX' | 'ELS' | 'FABMS' | 'FABMS energy spec' | 'ISS' | 'SIMS' | 'SIMS

energy spec' | 'SNMS' | 'SNMS energy spec' | 'UPS' | 'XPS' | XRF')

,改行;

テキスト行=80*[文字],改行;

遷移記号又は準位記号=テキスト行;

単位=  ('c/s' | 'd' | 'degree' | 'eV' | 'K' | 'micro C' | 'micro m' | 'm/s' | 'n' | 'nA' | 'ps' | 's' | 'u' | 'V'),改行

(*これらの記号は,次の単位の略号である。

'c/s'

カウント毎秒

'd'

無次元−ただの数値,例,チャンネル当たりカウント数

'degree'

角度

'eV'

電子ボルト

'K'

ケルビン

'micro C'

マイクロクーロン

'micro m'

マイクロメートル

'm/s'

メートル毎秒

'n'

ここでは無定義−ラベルに記入してもよい

'nA'

ナノアンペア

'ps'

ピコ秒

's'

'u'

原子質量単位

'V'

ボルト

*);

実験変数値=実数;

西暦年=整数;


39

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

ゼロ以上の整数=整数

(*「ゼロ以上の整数」の値は 0 以上でなければならない。*);

C.3 AES

又は SIMS のような分析手法におけるスパッタによる深さ方向分析のようなスパッタに対応した

通常のスキャンによる複数のスペクトルを含む実験。解析は,試料上の特定の箇所に位置づけられていな

いものとする。

B.2.2

からの例が,ここに示されている。

実験=

フォーマット識別子,

機関識別子,

装置型式識別子,

測定者識別子,

一連の実験に対する識別子,

実験識別子,

注釈行数,

{注釈行}

(*「注釈行数」の数値によって「注釈行」の数が規定される。

注釈は最新の装置校正についての詳細を含んでもよい。*),

‘SDP',改行,

‘REGULAR',改行,

スペクトル領域数,

‘1',改行,

‘time in seconds',改行,

‘s',改行,

‘0',改行,

‘0',改行,

‘0',改行,

‘0',改行,

ブロック数,

{ブロック}−

(*上記の空白が続いているマイナス符号の意味は,少なくとも一つはブロックが存在

しなければならないことを示す。

「ブロック数」の数値によって,「ブロック」の数を規定する。*),

実験終了符;

ブロック=

ブロック識別子,

試料識別子,

西暦年

(*グレゴリオ暦で省略せず記入。例:'1987'*),

月時刻,

カレンダー日,

時,


40

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

分時刻,

秒時刻,

(*上の六つの値のどれかが不明な場合,ダミーとして−1 の値を入れなければなら

ない。*),

グリニジ標準時差,

ブロック注釈行数,

{注釈行}

(*上記「注釈行数」の数値によって「注釈行」の数を規定する。*),

測定手法,

実験変数の値

(*「実験変数の値」は,例えば,秒単位の合計スパッタ時間で,ブロックデータ

の記録を始めた点における値とする。*),

分析線源ラベル,

スパッタイオン又はスパッタ原子の原子番号,

スパッタイオン又はスパッタ原子の原子数,

スパッタイオン又はスパッタ原子の符号付き電荷,

分析線源特性エネルギー

(*eV 単位のエネルギー*),

分析線源強度

(*XPS と XRF では W 単位の出力,AES,EDX,ISS,SIMS,SNMS では nA 単位

のビーム電流,FABMS ではビーム等価表*),

分析線源ビーム幅 x

(*マイクロメータ単位の,試料位置で励起ビームに垂直な平面内における幅*),

分析線源ビーム幅 y

(*マイクロメータ単位の,試料位置で励起ビームに垂直な平面内における幅*),

分析線源入射極角

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の上方向 z 軸からの角度*),

分析線源方位角

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の y 軸から時計周りの角度*),

分光器モード,

分光器通過エネルギー,減速比,又は質量分解能

(*エネルギーは eV 単位,質量は amu 単位*),

[微分幅]

(*正弦波変調又はコンピュータでの数値微分のピーク間を eV で表記する。

「微分幅」は,「測定手法」が 'AES diff' のときだけ挿入する。*),

分光器投射レンズの倍率,

分光器仕事関数,原子又はイオンの取り込みエネルギー

(*AES,

ELS

ISS

UPS

XPS

に対しては仕事関数の正の値を eV で表記する。

FABMS,

SIMS, SNMS

に対しては,イオンの取り込みエネルギーとは質量分析器の付属するエ

ネルギーフィルタにおけるパスエネルギーのことである。*),


41

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

測定試料バイアス

(*「測定試料バイアス」は,符号を含め V 単位で*),

分析領域幅 x

(*分析領域幅 x は,FABMS,FABMS energy spec,ISS,SIMS,SIMS energy spec,

SNMS

,SNMS energy spec に対しては,ビームに垂直な平面における線源の幅を x 方

向に投影した信号幅,AES diff,AES dir,ELS,UPS,XPS に対しては,分光器スリ

ット長さを分光器投射レンズのスリットに対する倍率で割ったもの,EDX と XRF に

対しては,線源の幅の x 方向成分とする。「分析領域幅 x」はマイクロメータ単位。

*),

分析領域幅 y

(*y 方向について「分析領域幅 x」と同様*),

分光器軸極角

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の上方向 z 軸からの角度*),

分光器軸方位角

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の y 軸から測定者に対して時計周

りの角度*),

化学種ラベル

(*元素記号又は分子式*),

遷移記号又は電子軌道記号

(*例:AES の場合 'KLL',XPS の場合 '1s',SIMS の場合  '−1'  *),

検出粒子電荷

(*例:AES 及び XPS の場合−1,正電荷 SIMS の場合+1*),

横軸ラベル,

横軸単位,

横軸開始値,

横軸増分,

 '1'

,改行,

対応変数ラベル

(*この場合は,対応する変数は強度となろう。*),

対応変数単位,

信号モード,

1

掃引当たり積算時間

(*個々のチャンネル若しくは一連の測定点のそれぞれに対して,1 回のスキャン時

における計数時間で秒で記述される。XRF 及び EDX の場合は全スペクトルの測定時

間とする。*),

ブロックデータ測定繰返し回数,

1

掃引当たり積算時間補正

(*EDX,XRF 以外に対しては系の不感時間のことである。EDX,XRF の場合には,

寿命補正済み測定時間である。不感時間の場合,正の値ならば計測率は(1−単位時

間当たり計測量×不感時間)で割り算しなければならないし,負の値ならば[exp(真


42

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

の計測量×不感時間)]で掛け算して補正しなければならない。もしスペクトルが

既に不感時間補正されている場合には,この項の値はゼロで,用いられた不感時間

の値は注釈行かどこかに記述されなければならない。

「1 掃引当たり積算時間補正」は秒単位で。*),

[スパッタエネルギー

(*eV 単位のエネルギー*),

スパッタビーム電流

(*nA 単位の電流値。中性粒子に対してはその等価量。*),

スパッタ幅 x

(*マイクロメータ単位の,試料位置においてスパッタビームに垂直な平面内にお

ける幅*),

スパッタ幅 y

(*マイクロメータ単位の,試料位置においてスパッタビームに垂直な平面内にお

ける幅*),

スパッタ線源入射極角

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の上方向 z 軸からの角度*),

スパッタ線源方位角

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の y 軸から時計周りの角度*),

スパッタモード]

( * 「 ス パ ッ タ モ ー ド 」 の 値 は  'continuous' か  'cyclic' か の ど ち ら か で あ る 。

'continuous'

の場合は,スペクトル測定中もスパッタリングが継続しており, 'cyclic'

の場合は,スペクトル測定中はスパッタリングが休止している。

上の七つの入力項目は,AES diff,AES dir,EDX,ELS,UPS,XPS,XRF において,

深さ方向分析のように,分析用の線源に加えてスパッタ源が用いられる場合のため

のものである。

上の七つの入力項目は,「測定手法」が 'AES diff', 'AES dir', 'EDX', 'ELS', 'UPS',

'XPS'

, 'XRF'のいずれかの場合に限り挿入される。*),

試料法線極角

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の上方向 z 軸からの角度*),

試料法線方位角

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の y 軸から測定者に対して時計周

りの角度*),

試料回転角

(*度単位の,試料法線の周りに時計周りの回転角。もしこれが,試料上の特別な

方向に関係している場合は,その方向についてブロック内の注釈行に記述するとよ

い。*),

追加数値パラメータ数,

{追加数値パラメータラベル,

追加数値パラメータ単位,

追加数値パラメータ値}


43

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

(*「追加数値パラメータ数」の数値によって,上の三つの入力項目グループの数

が規定される。*),

データ点数,

データ最小値,

データ最大値,

{データ値}−

(*「データ点数」の数値によって,「データ値」の数が規定される。*);

横軸増分=実数

(*単位については,「横軸開始値」の下の表を参照のこと。*),

横軸ラベル=テキスト行;

横軸開始値=実数;

横軸単位=単位

(*次の表は「横軸単位」としてよく利用されるものを「測定手法」と「実験モード」に合わせて

例を示したが,これを使わなければならないというものではない。

測定手法

単位

AESdiff, AESdir, EDX, ELS, ISS, UPS, XPS, XRF

'eV'

FABMS, SIMS, SNMS

'u' or 's'

FABMS energy spec, SIMS energy spec, SNMS energyspec

'eV'

*);

追加数値パラメータラベル=テキスト行;

追加数値パラメータ単位=単位;

追加数値パラメータ値=実数;

分光器軸極角=実数;

分光器軸方位角=実数;

分光器モード=  ('FAT' | 'FRR' | 'constant delta m' | 'constant m/delta m'),改行;

分光器通過エネルギー,減速比又は質量分解能=実数;

分光器仕事関数,原子又はイオン取り込みエネルギー=実数;

分析線源方位角=実数;

分析線源ビーム幅 x=実数;

分析線源ビーム幅 y=実数;

分析線源特性エネルギー=実数;

分析線源ラベル=テキスト行;

分析線源入射極角=実数;

分析線源強度=実数;

分析領域幅 x=実数;

分析領域幅 y=実数;

ブロック識別子=テキスト行;

改行= 

? 7

ビットアスキー文字の CARRIAGE RETURN で,

7

ビットアスキー文字の行送り  (LINE 

FEED)

が続く?; 


44

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

文字= 

' ' | '

!' | '"' | '#' | '$' | '%' | '&' | "'" | '(' | ')' | '*' | '+' | ' ,' | '−' | '.' | '/' | '0' | '1' | '2' | '3' | '4' | '5' | '6' | '7' |

'8' | '9' | '

:' | ';' | '<' | '=' | '>' | '?' | '@' | 'A' | 'B' | 'C' | 'D' | 'E' | 'F' | 'G' | 'H' | 'I' | 'J' | 'K' | 'L' | 'M' | 'N' |

'O' | 'P' | 'Q' | 'R' | 'S' | 'T' | 'U' | 'V' | 'W' | 'X' | 'Y' | 'Z' | '[' | '

\' | ']' | '^' | '_' | '`' | 'a' | 'b' | 'c' | 'd' | 'e' | 'f' |

'g' | 'h' | 'i' | 'j' | 'k' | 'l' | 'm' | 'n' | 'o' | 'p' | 'q' | 'r' | 's' | 't' | 'u' | 'v' | 'w' | 'x' | 'y' | 'z' | '{' | ' | ' | '}' | '~' 

(*ここで用いる文字とは,

スペース若しくは 94 ある ASCII (American National Standard Code for

Informa-tion Interchange)

コード文字である。7 ビット ASCII, ANSI X3.4-1986 は,情報標準−情

報処理−情報交換 IS0 7 ビットコード文字セット,ISO 646 : 1983 の米国版である。ISO 646 の他

の版では '#', '$', '@', '[',  '\', '] ',  '^', '`', '{', '|', '} ', '~' を他の文字で置き換え

てもよい。*); 

検出粒子電荷=整数;

注釈行=テキスト行;

対応変数ラベル=テキスト行;

対応変数単位=単位;

カレンダー日=整数;

十進数=[符号],[{数字}, '.'],{数字}−

(*後ろに続くものがない負号は「十進数」の数字が少なくとも一つ要ることを示す。*);

微分幅=実数;

数字=  '0' | '1' | '2' | '3' | '4' | '5' | '6' | '7' | '8' | '9';

実験識別子=テキスト行;

実験終了符=  'end of experiment',改行;

フォーマット識別子= 

'VAMAS Surface Chemical Analysis Standard Data Transfer Format 1988 May4'

改行; 

時=整数;

機関識別子=テキスト行;

装置型式識別子=テキスト行;

整数=[符号],[数字]−,改行;

(*「整数」の値の範囲は,−1E37 から 1E37 までの範囲でなければならない。*); 

分光器投射レンズ倍率=実数;

データ最大値=実数;

データ最小値=実数;

分時刻=整数;

月時刻=整数;

追加数値パラメータ数=0 以上の整数;

スパッタイオン又はスパッタ原子の原子数=1 以上の整数;

ブロック数=1 以上の整数;

グリニジ標準時差=実数;

ブロック注釈行数=0 以上の整数;

注釈行数=0 以上の整数;

データ点数=1 以上の整数;

ブロックデータ測定繰り返し回数=1 以上の整数;


45

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

スペクトル領域数=1 以上の整数;

1

以上の整数=整数

(*「1 以上の整数」の数値は,0 より大きくなければならない。*); 

測定者識別子=テキスト行;

データ値=実数;

実数=十進数,['E',[符号],[数字]−],改行

(*「実数」の値は−1E37 以上−1E−37 以下,0,又は 1E−37 以上 1E37 以下である。

空項が続く負号は,それが存在するならば,その後の指数部に少なくとも一つの数値が必要なこ

とを示す。

*); 

測定試料識別子=テキスト行;

測定試料法線極角=実数;

測定試料法線方位角=実数;

測定試料回転角=実数;

秒時刻=整数;

符号='+' | '−';

1

掃引当たり積算時間=実数;

信号モード=  ('analogue' | 'pulse counting'),改行

(*ディジタルで記録されているかどうかは別に,アナログ信号は符号とブロックコメントに記

録されるであろうゲインの値をもつ。パルスカウントによる信号は,0 又はそれ以上の整数である。

*); 

1

掃引当たり積算時間補正=実数;

化学種ラベル=テキスト行;

スパッタイオン又はスパッタ原子の原子番号=1 以上の整数;

スパッタイオン又はスパッタ原子の符号付き電荷=1 以上の整数;

スパッタモード=  ('continuous' | 'cyclic'),改行;

スパッタ源入射方位角=実数;

スパッタビーム電流=実数;

スパッタエネルギー=実数;

スパッタ源入射極角=実数;

スパッタ幅 x=実数;

スパッタ幅 y=実数;

測定試料バイアス電圧=実数;

測定手法= 

('AES diff' | 'AES dir' | 'EDX' | 'ELS' | 'FABMS' | 'FABMS energy spec' | 'ISS' | 'SIMS' | 'SIMS

energy spec' | 'SNMS' | 'SNMS energy spec' | 'UPS' | 'XPS' | 'XRF')

,改行; 

テキスト行=80*[文字],改行;

遷移記号又は準位記号=テキスト行;

単位=  ('c/s' | 'd' | 'degree' | 'eV' | 'K' | 'micro C' | 'micro m' | 'm/s' | 'n' | 'nA' | 'ps' | 's' | 'u' | 'V'),改行

(*これらの記号は,次の単位の略号である。 

'c/c'

カウント毎秒


46

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

'd'

無次元−ただの数値,例,チャンネル当たりカウント数

'degree'

角度

'eV'

電子ボルト

'K'

ケルビン

'micro C'

マイクロクーロン

'micro m'

マイクロメートル

'm/s'

メートル毎秒

'n'

ここでは無定義−ラベルに記入してもよい

'nA'

ナノアンペア

'ps'

ピコ秒

's'

'u'

原子質量単位

'V'

ボルト

*); 

実験変数値=実数;

西暦年=整数;

ゼロ以上の整数=整数

(*「ゼロ以上の整数」の値は 0 以上でなければならない。*); 

C.4 AES, EDX

又は SIMS などの一測定手法に関して異なる元素の強度で記述される幾つかのマップを含

む実験。一つのマップは (1, 1) から始まる X 軸−走査で構成され,かつ一つの実験変数によって変化する。

B.2.3

からの例がここに示されている。

実験=

フォーマット識別子,

機関識別子,

装置型式識別子,

測定者識別子,

実験識別子,

注釈行数,

{注釈行}

(*「注釈行数」の数値によって「注釈行」の数が規定される。

注釈は最新の装置校正についての詳細を含んでもよい。*),

'MAPSV'

,改行,

'MAPPING'

,改行,

'1'

,改行,

実験変数ラベル,

実験変数単位,

'0'

,改行,

'0'

,改行,

'0'

,改行,

'0'

,改行,


47

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

ブロック数,

{ブロック}−

(*上記の空白が続いているマイナス符号の意味は,少なくとも一つはブロックが

存在しなければならないことを示す。

「ブロック」数の数値によって,「ブロック」の数を規定する。*),

実験終了符;

ブロック=

ブロック識別子,

試料識別子,

西暦年

(*グレゴリオ暦で省略せず記入。例:'1998'  *),

月時刻,

カレンダー日,

時,

分時刻,

秒時刻

(*上の六つの値のどれかが不明な場合,ダミーとして−1 の値を入れなければなら

ない。*),

グリニジ標準時差,

ブロック注釈行数,

{注釈行}

(*上記「注釈行数」の数値によって「注釈行」の数を規定する。*),

測定手法,

実験変数の値

(*「実験変数の値」は,例えば,秒単位の合計時間や,秒単位の合計スパッタ時

間,単位 m

2

当たり照射イオン量で表した合計スパッタ量,ケルビン単位の温度,eV

単位のエネルギー,原子質量単位の質量などを表すことができる。この値が時間と

ともに滑らかに変化する場合,「実験変数ラベル」に特記しない限り,ブロックデ

ータの記録を始めた点における値とする。*),

分析線源ラベル,

[スパッタイオン又はスパッタ原子の原子番号,

スパッタイオン又はスパッタ原子の原子数,

スパッタイオン又はスパッタ原子の符号付き電荷]

(*この 3 個は「測定手法」が 'FABMS', 'FABMS energy spec', 'ISS', 'SIMS', 'SIMS

energyspec'

, 'SNMS', 'SNMS energy spec' のいずれかである場合には必すで,その

場合に限り挿入する。*),

分析線源特性エネルギー

(*eV 単位のエネルギー。*),

分析線源強度

(*XPS と XRF では W 単位の出力,AES,EDX,ISS,SIMS,SNMS では nA 単位

のビーム電流,FABMS ではビーム等価量。*),


48

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

分析線源ビーム幅 x

(*マイクロメータ単位の,試料位置で励起ビームに垂直な平面内における幅。*),

分析線源ビーム幅 y

(*マイクロメータ単位の,試料位置で励起ビームに垂直な平面内における幅。*),

視野幅 x

(*マイクロメータ単位。*),

視野幅 y

(*マイクロメータ単位。*),

 '1'

,改行,

 '1'

,改行,

初走査線の開始 x 座標,

 '1'

,改行,

最終走査線の終了 x 座標,

最終走査線の終了 y 座標

(*上の六つの入力項目は,「実験モード」が 'MAPSV', 'MAPSVDP',又は 'SEM'

の場合に必すで,その場合に限り挿入する。これらは,マップのサイズと形を規定

し,試料上の位置と走査シーケンスを関係づけるのに必要である。下に示したよう

に,用いられる座標系は,x 値は 1 から始まりフレームの左端から右端に向かって増

加し,y 値は 1 から始まりフレームの上から下に向かって増加する。

*),

分析線源入射極角

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の上方向 z 軸からの角度。*),

分析線源方位角

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の y 軸から時計周りの角度。*),

分光器モード,

分光器通過エネルギー,減速比,又は質量分解能

(*エネルギーは eV 単位,質量は amu 単位。*),

[微分幅]

(*正弦波変調又はコンピュータでの数値微分のピーク間を eV で表記する。

「微分幅」は,「測定手法」が 'AES diff' のときだけ挿入する。*),

分光器投射レンズの倍率,

分光器仕事関数,原子,又はイオンの取り込みエネルギー

(*AES,ELS,ISS,UPS,XPS に対しては仕事関数の正の値を eV で表記する。

FABMS

,SIMS,SNMS に対しては,イオンの取り込みエネルギーとは質量分析器の

付属するエネルギーフィルタにおけるパスエネルギーのことである。*),


49

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

測定試料バイアス

(*「測定試料バイアス」は,符号を含め V 単位で。*),

分析領域幅 x

(*「分析領域幅 x」は,FABMS,FABMS energy spec,ISS,SIMS,SIMS energy spec,

SNMS

,SNMS energy spec に対しては,ビームに垂直な平面における線源の幅を x 方

向に投影した信号幅,AES diff,AES dir,ELS,UPS,XPS に対しては,分光器スリ

ット長さを分光器投射レンズのスリットに対する倍率で割ったもの,EDX と XRF に

対しては,線源の幅の x 方向成分とする。

「分析領域幅 x」はマイクロメータ単位。*),

分析領域幅 y

(*y 方向について「分析領域幅 x」と同様。*),

分光器軸極角

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の上方向 z 軸からの角度。*),

分光器軸方位角

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の y 軸から時計周りの角度。*),

化学種ラベル

(*元素記号又は分子式。*),

遷移記号又は準位記号

(*例:AES の場合 'KLL',XPS の場合 '1s',SIMS の場合  '−1'。*),

検出粒子電荷

(*例:AES 及び XPS の場合−1,正電荷 SIMS の場合+1。*),

対応変数の数

(*もしデータが二つ以上の変数に対応するデータセットの形になっている場合に

は,「対応変数の数」は変数の数と同じでなければならない。そうでない場合は 1。

*),

{対応変数ラベル,

対応変数単位}

(*「対応変数の数」の数値によって,上の入力項目対の数が規定される。*),

信号モード,

1

掃引当たり積算時間

(*個々のチャンネル又は一連の測定点のそれぞれに対して,1 回のスキャン時にお

ける計数時間で,秒で記述される。XRF 及び EDX の場合は全スペクトルの測定時間

とする。*),

ブロックのデータ測定繰返し回数,

1

掃引当たり積算時間補正

(*EDX,XRF 以外に対しては系の不感時間のことである。EDX,XRF の場合には,

寿命補正済み測定時間である。不感時間の場合,正の値ならば計数率は(1−単位時

間当たり計数量×不感時間)で割り算しなければならないし,負の値ならば[exp(真

の計数量×不感時間)]で掛け算して補正しなければならない。もしスペクトルが

既に不感時間補正されている場合には,この項の値はゼロで,用いられた不感時間


50

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

の値は注釈行かどこかに記述されなければならない。

「1 掃引当たり積算時間補正」は秒単位で。*),

試料法線極角

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の上方向 z 軸からの角度。*),

試料法線方位角

(*度単位の,試料ステージで定義された座標系の y 軸から時計周りの角度。*),

試料回転角

(*度単位の,試料法線の周りに時計周りの回転角。もしこれが,試料上の特別な

方向に関係している場合は,その方向についてブロック内の注釈行に記述するとよ

い。*),

追加数値パラメータ数,

{追加数値パラメータラベル,

追加数値パラメータ単位,

追加数値パラメータ値}

(*「追加数値パラメータ数」の数値によって,上の三つの入力項目グループの数

が規定される。*),

データ点数

(*「データ点数」は,「対応変数の数」の数値と一組の対応変数を構成するデー

タ点数との積に等しい。*),

データ最小値,

データ最大値,

{データ値}−

(*「データ点数」の数値によって,「データ値」の数を規定する。*);

追加数値パラメータラベル=テキスト行;

追加数値パラメータ単位=単位;

追加数値パラメータ値=実数;

分光器軸方位角=実数;

分光器軸極角=実数;

分光器モード=  ('FAT' | 'FRR' | 'constant delta m' | 'constant m/delta m'),改行;

分光器通過エネルギー,減速比又は質量分解能=実数;

分光器仕事関数,原子又はイオン取り込みエネルギー=実数;

分析線源方位角=実数;

分析線源ビーム幅 x=実数;

分析線源ビーム幅 y=実数;

分析線源特性エネルギー=実数;

分析線源ラベル=テキスト行;

分析線源入射極角=実数;

分析線源強度=実数;

分析領域幅 x=実数;

分析領域幅 y=実数;


51

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

ブロック識別子=テキスト行;

改行=? 7 ビットアスキー文字の CARRIAGE RETURN で,7 ビットアスキー文字の行送り (LINE FEED)

が続く?; 

文字= 

' ' | '

!' | '"' | '#' | '$' | '%' | '&' | "'" | '(' | ')' | '*' | '+' | ' ,' | '−' | '.' | '/' | '0' | '1' | '2' | '3' | '4' | '5' | '6' | '7' |

'8' | '9' | '

:' | ';' | '<' | '=' | '>' | '?' | '@' | 'A' | 'B' | 'C' | 'D' | 'E' | 'F' | 'G' | 'H' | 'I' | 'J' | 'K' | 'L' | 'M' | 'N' | 'O'

| 'P' | 'Q' | 'R' | 'S' | 'T' | 'U' | 'V' | 'W' | 'X' | 'Y' | 'Z' | '[' | '

\' | ']' | '^' | '_' | '`' | 'a' | 'b' | 'c' | 'd' | 'e' | 'f' | 'g' |

'h' | 'i' | 'j' | 'k' | 'l' | 'm' | 'n' | 'o' | 'p' | 'q' | 'r' | 's' | 't' | 'u' | 'v' | 'w' | 'x' | 'y' | 'z' | '{' | ' | ' | '}' | '~'

(*ここで用いる文字とは,スペース若しくは 94 ある ASCII (American National Standard

Code for Information Interchange)

コード文字である。7 ビット ASCII, ANSIX3.4-1986 は,情報

標準−情報処理−情報交換 ISO 7 ビットコード文字セット,ISO 646 : 1983 の米国版である。

ISO 646

の他の版では '#', '$', '@', '[',  '\', '] ',  '^', '`', '{', '|‘,'} ', '~' を他

の文字で置き換えてもよい。*)

 

検出粒子電荷=整数;

注釈行=テキスト行;

対応変数ラベル=テキスト行;

対応変数単位=単位;

カレンダー日=整数;

十進数=[符号],[{数字}, '.'],{数字}−

(*後ろに続くものがない負号は「十進数」の数字が少なくとも一つ要ることを示す。*); 

微分幅=実数;

数字=  '0' | '1' | '2' | '3' | '4' | '5' | '6' | '7' | '8' | '9';

実験識別子=テキスト行;

実験終了符=  'end of experiment',改行;

実験変数ラベル=テキスト行;

実験変数単位=単位;

視野幅 x=実数;

視野幅 y=実数;

初走査線の終了 座標=整数;

フォーマット識別子= 

'VAMAS Surface Chemical Analysis Standard Data Transfer Format 1988 May 4'

改行; 

時=整数;

機関識別子=テキスト行;

装置型式識別子=テキスト行;

整数=[符号],[数字]−,改行

(*「整数」の値の範囲は,−1E37 から 1E37 までの範囲でなければならない。

空項が続く負号は,この後に少なくとも一つの整数が必要なことを示す。*); 

最終走査線の終了 座標=整数;

最終走査線の終了 座標=整数;

分光器投射レンズ倍率=実数;

データ最大値=実数;


52

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

データ最小値=実数;

分時刻=整数;

月時刻=整数;

追加数値パラメータ数=0 以上の整数;

スパッタイオン又はスパッタ原子の原子数=1 以上の整数;

ブロック数=1 以上の整数;

対応変数の数=1 以上の整数;

グリニジ標準時差=実数;

ブロック注釈行数=0 以上の整数;

注釈行数=0 以上の整数;

データ点数=1 以上の整数;

ブロックデータ測定繰り返し回数=1 以上の整数;

1

以上の整数=整数

(*「1 以上の整数」の値は,0 より大きくなければならない*); 

測定者識別子=テキスト行;

データ値=実数;

実数=十進数値,['E',[符号],[十進数値]-],改行

(*「実数」の値は-1E37 以上-1E-37 以下,又は 0,又は 1E-37 以上 1E37 以下である。

空項が続く負号は,それが存在するならば,その後の指数部に少なくとも一つの整数が必要なこ

とを示す。*); 

測定試料識別子=テキスト行;

測定試料法線極角=実数;

測定試料法線方位角=実数;

測定試料回転角=実数;

秒時刻=整数;

符号=  '+' | '−';

1

掃引当たり積算時間=実数;

信号モード=  ('analogue' | 'pulse counting'),改行

(*ディジタルで記録されているかどうかは別に,アナログ信号は符号とブロックコメント

に記録されるであろうゲインの値をもつ。パルスカウントによる信号は,0 又はそれ以上の整

数である。*); 

1

掃引当たり積算時間補正=実数;

化学種ラベル=テキスト行;

スパッタイオン又はスパッタ原子の原子番号=1 以上の整数;

スパッタイオン又はスパッタ原子の符号付き電荷=整数;

測定試料バイアス電圧=実数;

測定手法= 

('AES diff' | 'AES dir' | 'EDX' | 'ELS' | 'FABMS' | 'FABMS energy spec' | 'ISS' | 'SIMS' | 'SIMS

energy spec' | 'SNMS' | 'SNMS energy spec' | 'UPS' | 'XPS' | 'XRF')

,改行; 

テキスト行=80*[文字],改行;

遷移記号又は準位記号=テキスト行;


53

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

単位=  ('c/s' | 'd' | 'degree' | 'eV' | 'K' | 'micro C' | 'micro m' | 'm/s' | 'n' | 'nA' | 'ps' | 's' | 'u' | 'V'),改行

(*これらの記号は,次の単位の略号である。 

'c/s'

カウント毎秒

'd'

無次元−数値のみ,例,チャンネル当たりカウント数

'degree'

角度

'eV'

電子ボルト

'K'

ケルビン

'micro C'

マイクロクーロン

'micro m'

マイクロメートル

'm/s'

メートル毎秒

'n'

ここでは無定義−ラベルに記入してもよい

'nA'

ナノアンペア

'ps'

ピコ秒

's'

'u'

原子質量単位

'V'

ボルト

*); 

実験変数値=実数;

西暦年=整数;

ゼロ以上の整数=整数

(*「ゼロ以上の整数」の値は 0 以上でなければならない。*); 


54

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

附属書 D(参考)  参考文献

(1)  BS 6154 : 1981 British Standard

−Method of defining syntactic metalanguage, British Standards

(2)  Dench, A. W. , Hazell L. B. and Seah, M. P. : VAMAS surface chemical analysis standard data transfer format

with skeleton decoding programs, Surface and Interface Analysis, November 1988, vol. 13, nos 2 and 3, p.

63-122.  


55

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

JIS

原案作成委員  構成表(平成 10 年 4 月 1 日現在)

氏名

所属

(委員長)

志  水  隆  一

大阪大学大学院工学研究科

吉  原  一  紘

科学技術庁金属材料技術研究所

工  藤  正  博

成蹊大学工学部

合  志  陽  一

東京大学大学院工学系研究科

福  田  安  生

静岡大学電子工学研究所

一  村  信  吾

電子技術総合研究所極限技術部

大  嶋  清  冶

通商産業省工業技術院標準部

大  坪  孝  至

財団法人日本適合性認定協会

大  場  正  幸

財団法人日本規格協会国際標準化協力センター

鴇  田  二  郎

財団法人日本規格協会国際標準化協力センター

薄  木  智  亮

住友金属工業株式会社

大  堀  謙  一

株式会社堀場製作所

奥  村  豊  彦

日本電子株式会社

小  田  照  巳

ISO/TC 201/SC 6

セクレタリー(財団法人大阪科

学技術センター付属ニューマテ
リアルセンター内)

梶  原  和  夫

ソニー株式会社

河  合  健  一

三菱マテリアルシリコン株式会社

B.

  V.  Crist XPS

International

源  内  規  夫

株式会社コベルコ科研

小  林      尚

アルバック・ファイ株式会社

篠  山  哲  明

株式会社島津製作所

鈴  木      茂

新日本製鐵株式会社

鈴  木  峰  晴 NTT アドバンステクノロジ株式会社

田  中  彰  博

アルバック・ファイ株式会社

田  沼  繁  夫

株式会社ジャパンエナジー分析センター

角  山  浩  三

川鉄テクノリサーチ株式会社

久  本  泰  秀

株式会社日立製作所

日野谷  重  晴

住友金属工業株式会社

廣  川  吉之助

アルバック・ファイ株式会社

古  川  洋一郎

電気化学工業株式会社

本  間  芳  和

日本電信電話株式会社

三  浦      薫

株式会社トクヤマ

村  山  順一郎

住友金属テクノロジー株式会社

吉  岡  芳  明

株式会社松下テクノリサーチ

(事務局)

菊  地  諄  一

財団法人大阪科学技術センター付属ニューマテ

リアルセンター


56

K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)

小委員  構成表

氏名

所属

(主査)

吉  原  一  紘

科学技術庁金属材料技術研究所

(幹事)

古  川  洋一郎

電気化学工業株式会社

殿  川      衛

財団法人材料科学技術振興財団

笠  村  秀  明

財団法人材料科学技術振興財団

福  島      整

無機材質研究所超微細構造解析ステーション

吉  武  道  子

科学技術庁金属材料技術研究所

小  田  照  巳

ISO/TC 201/SC 6

セクレタリー(財団法人大阪

科学技術センター付属ニュー
マテリアルセンター内)

志  智  雄  之

株式会社日産アーク

田  中  彰  博

アルバック・ファイ株式会社

二  澤  宏  司

理学電機工業株式会社

(事務局)

菊  地  諄  一

財団法人大阪科学技術センター付属ニューマ

テリアルセンター