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C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012)  

(1) 

目 次 

ページ 

序文  1 

1 総則 1 

1.1 適用範囲及び目的  1 

1.2 引用規格  2 

2 用語及び定義  3 

2.1 基本定義  3 

2.2 近接スイッチの要素  4 

2.3 近接スイッチの動作  6 

2.4 開閉素子特性  7 

3 分類 11 

3.1 検出方式による分類  11 

3.2 取付けによる分類  11 

3.3 形状及び大きさによる分類  11 

3.4 開閉素子機能による分類  11 

3.5 出力形式による分類  11 

3.6 接続方法による分類  11 

4 特性 11 

4.1 特性要約  11 

4.2 動作条件  12 

4.3 近接スイッチ及び開閉素子の定格値及び限界値  13 

4.4 開閉素子の種別  14 

5 製品情報 14 

5.1 情報の種類  14 

5.2 表示  15 

5.3 取付け,操作及び保守要項  15 

6 標準使用,取付け及び輸送条件  16 

6.1 標準使用条件  16 

6.2 輸送及び保管条件  16 

6.3 取付け  16 

7 構造及び性能に関する要求事項  16 

7.1 構造に関する要求事項  16 

7.2 性能要求事項  19 

7.3 外形寸法  26 

7.4 衝撃及び振動  26 

8 試験 27 


 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 目次 

(2) 

ページ 

8.1 試験の種類  27 

8.2 構造に関する要求事項に対する適合性 28 

8.3 性能試験  28 

8.4 動作距離試験  36 

8.5 動作サイクル周波数試験  39 

8.6 電磁両立性(EMC)の検証  42 

8.7 試験結果及び試験報告書  43 

附属書A(参考)近接スイッチの標準寸法及び動作距離  45 

附属書B(規定)封止によって絶縁したクラスII近接スイッチの要求事項及び試験  71 

附属書C(規定)リード線引出式の近接スイッチの追加要求事項 74 

附属書D(規定)差込式近接スイッチ用コネクタ  76 

附属書E(規定)強磁界環境下での使用に適した近接スイッチの追加要求事項  81 

附属書F(参考)近接スイッチの記号  85 

定義した用語の索引  86 

 


 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012)  

(3) 

まえがき 

この規格は,工業標準化法第14条によって準用する第12条第1項の規定に基づき,一般社団法人日本

電気制御機器工業会(NECA)及び一般財団法人日本規格協会(JSA)から,工業標準原案を具して日本工

業規格を改正すべきとの申出があり,日本工業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が改正した日本工

業規格である。これによって,JIS C 8201-5-2:2009は改正され,この規格に置き換えられた。 

この規格は,著作権法で保護対象となっている著作物である。 

この規格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願又は実用新案権に抵触する可能性があることに注意

を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は,このような特許権,出願公開後の特許出願及び実

用新案権に関わる確認について,責任はもたない。 

JIS C 8201の規格群には,次に示す部編成がある。 

JIS C 8201-1 第1部:通則 

JIS C 8201-2-1 第2-1部:回路遮断器(配線用遮断器及びその他の遮断器) 

JIS C 8201-2-2 第2-2部:漏電遮断器 

JIS C 8201-3 第3部:開閉器,断路器,断路用開閉器及びヒューズ組みユニット 

JIS C 8201-4-1 第4-1部:接触器及びモータスタータ:電気機械式接触器及びモータスタータ 

JIS C 8201-4-2 第4-2部:接触器及びモータスタータ:交流半導体モータ制御器及びスタータ 

JIS C 8201-4-3 第4-3部:接触器及びモータスタータ:非モータ負荷用交流半導体制御器及び接触器 

JIS C 8201-5-1 第5部:制御回路機器及び開閉素子−第1節:電気機械式制御回路機器 

JIS C 8201-5-2 第5-2部:制御回路機器及び開閉素子−近接スイッチ 

JIS C 8201-5-5 第5部:制御回路機器及び開閉素子−第5節:機械的ラッチング機能をもつ電気的非

常停止機器 

JIS C 8201-5-8 第5-8部:制御回路機器及び開閉素子−3ポジションイネーブルスイッチ 

JIS C 8201-7-1 第7部:補助装置−第1節:銅導体用端子台 

JIS C 8201-7-2 第7-2部:補助装置−銅導体用保護導体端子台 

 


 

 

日本工業規格          JIS 

 

C 8201-5-2:2017 

 

(IEC 60947-5-2:2012) 

低圧開閉装置及び制御装置− 

第5-2部:制御回路機器及び開閉素子− 

近接スイッチ 

Low-voltage switchgear and controlgear- 

Part 5-2: Control circuit devices and switching elements-Proximity switches 

 

序文 

この規格は,2012年に第3.1版として発行されたIEC 60947-5-2を基に,技術的内容及び構成を変更す

ることなく作成した日本工業規格である。 

なお,この規格で点線の下線を施してある参考事項は,対応国際規格にはない事項である。 

 

総則 

この規格は個別規格であり,JIS C 8201-1及びIEC 60947-1の規定をこの規格に適用する。通則の箇条

並びに表,図及び附属書を適用する場合は,例えば,JIS C 8201-1の7.1.9.3(保護接地端子の表示及び識

別)又はJIS C 8201-1の附属書C(箱入り装置の保護等級)のように表記する。 

箇条1〜箇条8は,一般要求事項を規定する。様々な近接スイッチに関する個別要求事項を,附属書に

示す。 

1.1 

適用範囲及び目的 

この規格は,金属及び/又は非金属物体の存在を検出する誘導形及び静電容量形近接スイッチ,音響反

射物体の存在を検出する超音波形近接スイッチ,物体の存在を検出する光電形近接スイッチ,並びに磁界

によって物体の存在を検出する非機械式磁気形近接スイッチについて規定する。 

これらの近接スイッチは,半導体開閉素子を内蔵しており,交流250 V 50/60 Hz又は直流300 V以下の

回路に適用する。 

この規格は,アナログ出力付近接スイッチには適用しない。 

この規格は,次に示す事項を規定することを目的とする。 

− 定義 

− 分類特性 

− 製品情報 

− 標準使用条件,取付け及び輸送条件 

− 構造及び性能要求事項 

− 定格特性検証試験 

注記 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を,次に示す。 

IEC 60947-5-2:2012,Low-voltage switchgear and controlgear−Part 5-2: Control circuit devices and 


C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

switching elements−Proximity switches(IDT) 

なお,対応の程度を表す記号“IDT”は,ISO/IEC Guide 21-1に基づき,“一致している”こ

とを示す。 

1.2 

引用規格 

次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成する。これらの

引用規格のうちで,西暦年を付記してあるものは,記載の年の版を適用し,その後の改正版(追補を含む。)

は適用しない。西暦年の付記がない引用規格は,その最新版(追補を含む。)を適用する。 

JIS C 0365:2007 感電保護−設備及び機器の共通事項 

注記 対応国際規格:IEC 61140:2001,Protection against electric shock−Common aspects for installation 

and equipment及びAmendment 1:2004(IDT) 

JIS C 8201-1:2007 低圧開閉装置及び制御装置−第1部:通則 

注記 対応国際規格:IEC 60947-1:2007,Low-voltage switchgear and controlgear−Part 1: General rules

及びAmendment 1:2010(MOD) 

JIS C 60068-2-6:2010 環境試験方法−電気・電子−第2-6部:正弦波振動試験方法 

注記 対応国際規格:IEC 60068-2-6:2007,Environmental testing−Part 2-6: Tests−Test Fc: Vibration 

(sinusoidal)(IDT) 

JIS C 60068-2-14:2011 環境試験方法−電気・電子−第2-14部:温度変化試験方法(試験記号:N) 

注記 対応国際規格:IEC 60068-2-14:2009,Environmental testing−Part 2-14: Tests−Test N: Change of 

temperature(IDT) 

JIS C 60068-2-27:2011 環境試験方法−電気・電子−第2-27部:衝撃試験方法 

注記 対応国際規格:IEC 60068-2-27:2008,Environmental testing−Part 2-27: Tests−Test Ea and 

guidance: Shock(IDT) 

JIS C 61000-3-2:2011 電磁両立性−第3-2部:限度値−高調波電流発生限度値(1相当たりの入力電

流が20 A以下の機器) 

注記 対応国際規格:IEC 61000-3-2:2005,Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 3-2: Limits−

Limits for harmonic current emissions (equipment input current ≤ 16 A per phase),Amendment 

1:2008及びAmendment 2:2009(MOD) 

JIS C 61000-4-2:2012 電磁両立性−第4-2部:試験及び測定技術−静電気放電イミュニティ試験 

注記 対応国際規格:IEC 61000-4-2:2008,Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 4-2: Testing and 

measurement techniques−Electrostatic discharge immunity test(IDT) 

JIS C 61000-4-3:2012 電磁両立性−第4-3部:試験及び測定技術−放射無線周波電磁界イミュニティ

試験 

注記 対応国際規格:IEC 61000-4-3:2006,Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 4-3: Testing and 

measurement techniques−Radiated, radio-frequency, electromagnetic field immunity test,

Amendment 1:2007及びAmendment 2:2010(IDT) 

JIS C 61000-4-4:2007 電磁両立性−第4-4部:試験及び測定技術−電気的ファストトランジェント/

バーストイミュニティ試験 

注記 対応国際規格:IEC 61000-4-4:2004,Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 4-4: Testing and 

measurement techniques−Electrical fast transient/burst immunity test(IDT) 

JIS C 61000-4-8:2016 電磁両立性−第4-8部:試験及び測定技術−電源周波数磁界イミュニティ試験 


C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

注記 対応国際規格:IEC 61000-4-8:2009,Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 4-8: Testing and 

measurement techniques−Power frequency magnetic field immunity test(IDT) 

JIS C 61000-4-11:2008 電磁両立性−第4-11部:試験及び測定技術−電圧ディップ,短時間停電及び

電圧変動に対するイミュニティ試験 

注記 対応国際規格:IEC 61000-4-11:2004,Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 4-11: Testing 

and measurement techniques−Voltage dips, short interruptions and voltage variations immunity tests 

(IDT) 

ISO 630 (all parts),Structural steels 

IEC 60050 (441):1984,International Electrotechnical Vocabulary (IEV), Chapter 441: Switchgear, controlgear 

and fuses及びAmendment 1:2000 

IEC 60068-2-30:2005,Environmental testing−Part 2-30: Tests−Test Db: Damp heat, cyclic (12 h + 12 h 

cycle) 

IEC 60364 (all parts),Low-voltage electrical installations 

IEC 60445:2010,Basic and safety principles for man-machine interface, marking and identification−

Identification of equipment terminals, conductor terminations and conductors 

IEC 60947-1:2007,Low-voltage switchgear and controlgear−Part 1: General rules及びAmendment 1:2010 

IEC 61000-3-3:2008,Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 3-3: Limits−Limitation of voltage changes, 

voltage fluctuations and flicker in public low-voltage supply systems, for equipment with rated current ≤ 

16 A per phase and not subject to conditional connection 

IEC 61000-4-6:2008,Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 4-6: Testing and measurement techniques−

Immunity to conducted disturbances, induced by radio-frequency fields 

IEC 61000-4-13:2002,Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 4-13: Testing and measurement techniques

−Harmonics and interharmonics including mains signalling at a.c. power port, low frequency immunity 

tests及びAmendment 1:2009 

IEC 61076-2 (all parts),Connectors for electronic equipment−Product requirements−Part 2: Circular 

connectors 

CISPR 11:2009,Industrial, scientific and medical equipment−Radio-frequency disturbance characteristics−

Limits and methods of measurement及びAmendment 1:2010 

 

用語及び定義 

この規格で用いる主な用語及び定義は,IEC 60947-1の箇条2(用語及び定義)によるほか,次による。 

2.1 

基本定義 

2.1.1 

近接スイッチ(proximity switch) 

可動部による機械的接触なしに動作する位置検出用スイッチ(IEV 441-14-51)。 

注記 IEC 60050 (441)を参照。 

2.1.1.1 

誘導形近接スイッチ(inductive proximity switch) 

半導体開閉素子を備え,検出領域内に磁界を発生させる近接スイッチ。 


C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

2.1.1.2 

静電容量形近接スイッチ(capacitive proximity switch) 

半導体開閉素子を備え,検出領域内に電界を発生させる近接スイッチ。 

2.1.1.3 

超音波形近接スイッチ(ultrasonic proximity switch) 

半導体開閉素子を備え,検出領域内で超音波を送・受波する近接スイッチ(図2参照)。 

2.1.1.4 

光電形近接スイッチ(photoelectric proximity switch) 

半導体開閉素子を備え,可視又は不可視光線の反射又は遮光のいずれかによって物体を検出する近接ス

イッチ(図1参照)。 

2.1.1.4.1 

反射形(type D) 

定義された物体が,基準軸を横切るか又は軸上に近づくことによって直接動作する拡散反射形光電形近

接スイッチ。 

2.1.1.4.2 

リフレクタ形(type R) 

定義された物体が,投受光器とリフレクタとの間を横切ることによって間接動作するリフレクタ形光電

形近接スイッチ。 

2.1.1.4.3 

透過形(type T) 

定義された物体が,投光器と受光器との間を横切ることによって間接動作する透過形光電形近接スイッ

チ。 

2.1.1.5 

非機械式磁気形近接スイッチ(non-mechanical magnetic proximity switch) 

磁界の存在を検出し,半導体開閉素子をもっているが,検出素子中に可動部をもたない近接スイッチ。 

2.1.1.6 

直接動作近接スイッチ(direct operated proximity switch) 

外部の手段(例えば,リフレクタ)を用いず検出体を検出する近接スイッチ。 

2.1.1.7 

間接動作近接スイッチ(indirect operated proximity switch) 

外部の手段(例えば,リフレクタ)を用いて検出体を検出する近接スイッチ。 

2.1.1.8 

NDフィルタ(neutral density filters) 

広いスペクトル範囲にわたり,一様に光の強度を減衰するフィルタ。 

注記 減光ガラス又は薄い金属コートを使用することで,減衰する。 

2.2 

近接スイッチの要素 

2.2.1 

半導体開閉素子(semiconductor switching element) 

半導体の導電率を制御することによって,電気回路の電流を切り換えるように設計した素子。 


C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

2.2.2 

基準軸(reference axis) 

2.2.2.1 

誘導形,静電容量形,非機械式磁気形及び超音波形近接スイッチの基準軸(reference axis for inductive, 

capacitive,non-mechanical magnetic and ultrasonic proximity switches) 

検出面に垂直で,その中心を通る軸。 

2.2.2.2 

リフレクタ形(type R)及び反射形(type D)の光電形近接スイッチの基準軸(reference axis for types R and 

D photoelectric Proximity switches) 

投光素子及び受光素子又はレンズの光軸の中心にある軸(図1参照)。 

2.2.2.3 

透過形(type T)の光電形近接スイッチの基準軸(reference axis for type T photoelectric proximity switches) 

投光器の中心に垂直な軸。 

2.2.3 

標準検出体(standard target) 

動作距離及び検出距離の比較測定のために使う定められた物体。 

2.2.4 

フリーゾーン(free zone) 

近接スイッチの特性に影響を与える物体が全くない近接スイッチの周囲の領域。 

2.2.5 

感応物質(damping material) 

近接スイッチの特性に影響を与える物質。 

2.2.6 

不感応物質(non-damping material) 

近接スイッチの特性に影響を与えない物質。 

2.2.7 

音響反射物質(sound-reflecting material) 

超音波を反射し,検出可能な反響をする物質。 

2.2.8 

吸音材(sound-absorbing material) 

超音波に対し微弱な反射特性をもち,検出に影響する反響をしない物質。 

2.2.9 

埋込形近接スイッチ(embeddable proximity switch) 

検出面の平面周囲に感応物質を置いても特性に影響を受けない近接スイッチ。 

2.2.10 

非埋込形近接スイッチ(non-embeddable proximity switch) 

特性を維持するために検出面の周囲にフリーゾーンが必要な近接スイッチ。 

2.2.11 検出面(sensing face) 

2.2.11.1 

誘導形近接スイッチの検出面(sensing face of an inductive proximity switch) 

磁界が発生する近接スイッチの表面。 


C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

2.2.11.2 

静電容量形近接スイッチの検出面(sensing face of a capacitive proximity switch) 

電界が発生する近接スイッチの表面。 

2.2.11.3 

超音波形近接スイッチの検出面(sensing face of a ultrasonic proximity switch) 

超音波を送・受波する近接スイッチの表面。 

2.2.11.4 

非機械式磁気形近接スイッチの検出面(sensing face of a non-mechanical magnetic proximity switch) 

磁界の変化を検出する近接スイッチの表面。 

2.2.12 

投光器(emitter) 

光ビームを供給する光源,レンズ及び必要な回路。 

2.2.13 

受光器(receiver) 

投光器から与えられた光ビームを感知するための検出素子,レンズ及び必要な回路。 

2.2.14 

リフレクタ(reflector) 

リフレクタ形(type R)の光電形近接スイッチにおいて,光を受光器に戻すために使われる部品。 

2.2.15 調整器(adjuster) 

2.2.15.1 

静電容量形近接スイッチの調整器(adjuster of capacitive proximity switch) 

動作距離を調整するための静電容量形近接スイッチの一部。これを調整することによって,検出体の材

質,伝送媒体及び取付条件による影響を補正できる。 

2.2.15.2 

超音波形近接スイッチ又は光電形近接スイッチの調整器(adjuster of ultrasonic or photoelectric proximity 

switch) 

動作距離を検出範囲に調整するための超音波形近接スイッチ又は光電形近接スイッチの一部。 

2.3 

近接スイッチの動作 

2.3.1 

動作距離,s(operating distance, s) 

基準軸に沿って検出体が検出面に接近したとき,出力が反転する距離。 

2.3.1.1 

定格動作距離,sn(rated operating distance, sn) 

動作距離を定めるための規定値。この数値には,電圧,温度などの外部条件及び製造許容差の変化を考

慮していない。 

2.3.1.2 

検出範囲,sd(sensing range, sd) 

動作距離を調整できる範囲(不感帯を除く。)。 

2.3.1.2.1 

最小動作距離(minimum operating distance) 


C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

超音波又は光電形近接スイッチ特有の検出範囲の下限値。 

2.3.1.2.2 

最大動作距離(maximum operating distance) 

超音波又は光電形近接スイッチ特有の検出範囲の上限値。 

2.3.1.3 

不感帯(blind zone) 

検出面と最小動作距離との間で,検出体を検出できない部分。 

2.3.1.4 

全ビーム角度(total beam angle) 

超音波形近接スイッチにおける基準軸の周りの立体角で,音圧レベルが3 dB低下する角度。 

2.3.1.5 

実効動作距離,sr(effective operating distance, sr) 

個々の近接スイッチで一定の温度,電圧及び取付条件の下で測定した動作距離。 

2.3.1.6 

有効動作距離,su(usable operating distance, su) 

個々の近接スイッチで特定の条件で測定した動作距離。 

2.3.1.7 

保証動作距離,sa(assured operating distance, sa) 

検出面からの距離であって,この距離以内の特定の条件で正しい動作を保証する距離。 

2.3.1.8 

動作範囲,ro(operating range, ro) 

検出体の横方向接近で,透過形光電形近接スイッチ又はリフレクタ形光電形近接スイッチの出力信号が

変化する範囲。 

2.3.2 

横方向接近(lateral approach) 

基準軸に垂直な状態で検出体が接近する検出方法。 

2.3.3 

縦方向接近(axial approach) 

基準軸の中心を維持した状態で検出体が接近する検出方法。 

2.3.4 

繰返し精度,R(switching element function, R) 

指定した状態での実効動作距離(sr)の変動値。 

2.3.5 

応差,H(differential travel, H) 

検出体が近接スイッチに接近するときの動作点と,検出体が離れて行くときの復帰点との間の距離。 

2.4 

開閉素子特性 

2.4.1 

開閉素子機能 

2.4.1.1 

メーク機能(make function) 

検出体が検出されたときに負荷電流を流し,検出体が検出されないときには負荷電流を流さない機能。 


C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

2.4.1.2 

ブレーク機能(break function) 

検出体が検出されたときに負荷電流を流さず,検出体が検出されないときには負荷電流を流す機能。 

2.4.1.3 

メーク−ブレーク(切替え)機能(make-break of changeover function) 

一つのメーク機能と一つのブレーク機能とを備えた開閉素子の組合せ。 

2.4.1.4 

近接スイッチの応答時間(response time for a proximity switch) 

検出体が検出領域に入り,又は出た後,開閉素子が応答するために必要な時間。 

2.4.1.5 

光電形近接スイッチのターンオン時間(turn on time for a photoelectric proximity switch) 

検出体が余裕利得2の検出範囲に入った後,開閉素子が応答するために必要な時間(2.4.6参照)。 

2.4.1.6 

光電形近接スイッチのターンオフ時間(turn off time for a photoelectric proximity switch) 

検出体が余裕利得0.5の検出範囲から出た後,開閉素子が応答するために必要な時間(2.4.6参照)。 

2.4.2 

スナップアクション[independent (snap) action] 

検出体の速度に影響されないで確実に開閉を行う機能。 

2.4.3 

動作サイクル周波数,f(frequency of operating cycles,f) 

特定期間に近接スイッチが行った動作サイクル数。 

2.4.4 

使用可能になるまでの遅れ時間,tv(time delay before availability,tv) 

電源電圧のスイッチオンの後,近接スイッチが正しく動作する準備が整うまでの時間遅れ。 

2.4.5 

電流,I 

2.4.5.1 

オフ状態電流,Ir(off-state current,Ir) 

オフ状態のとき,近接スイッチの負荷回路を流れる電流。 

2.4.5.2 

最小使用電流,Im(minimum operational current,Im) 

開閉素子のオン状態の導通を維持するのに必要な電流。 

2.4.5.3 

無負荷電流,Io(no-road supply current,Io) 

負荷が接続されていないときに,3線式又は4線式の近接スイッチに電源から供給される電流。 

2.4.6 

光電形近接スイッチの余裕利得(excess gain for a photoelectric proximity switch) 

光電形近接スイッチが“受けた光”の,光電形近接スイッチの“動作に必要な光”に対する比率。 

2.4.7 

光電形近接スイッチの周囲光(ambient light for a photoelectric proximity switch) 

投光器から発する光以外に,受光器が受ける光。 


C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

 

a) 透過形(type T)の光電形近接スイッチの投光器及び受光器 

 

 

b) リフレクタ形(type R)の光電形近接スイッチの投受光器及びリフレクタ 

 

 

c) 反射形(type D)の光電形近接スイッチの投受光器及び検出体 

図1−光電形近接スイッチの検出範囲及び動作範囲(7.2.1.3及び8.4参照) 

 

 

 

図2−超音波形近接スイッチの動作距離 

 


10 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

表1−近接スイッチの分類 

第1位/1文字 

第2位/1文字 

第3位/3文字 

第4位/1文字 

第5位/1文字 

第6位/1文字 

検出方式 

3.1 

取付け 

3.2 

形状及び大きさ 

3.3 

開閉素子機能(出力) 

3.4 

出力形式 

3.5 

接続方法 

3.6 

I:誘導形 
C:静電容量形 
U:超音波形 
D:反射形光電形 
M:非機械式磁気形 
R:リフレクタ形光電形 
T:透過形光電形 

1:埋込形 
2:非埋込形 
3:制限なし 

形状(1英大文字) 
A:円ねじ形状 
B:円柱円筒形状 
C:断面が正方形の角形 
D:断面が長方形の角形 
直径又は辺の長さを示す
寸法(2桁数字) 

A:NO(メーク) 
B:NC(ブレーク) 
C:切替え(メーク−ブレーク) 
P:使用者によるプログラム可能 
S:その他 

P:PNP出力 
直流3線式又は4線式 
N:NPN出力 
直流3線式又は4線式 
D:直線2線式 
F:交流2線式 
U:交流又は直流2線式 
S:その他 

1:リード線引出式 
2:差込式 
3:ねじ端子式 
9:その他 
 

超音波形近接スイッチの例: 


超音波形 


制限なし 

A30 
円柱ねじ形状φ30 mm 


NO(メーク) 


直流2線式 


差込式 

 

2

 

C

 8

2

0

1

-5

-2

2

0

1

7

 (I

E

C

 6

0

9

4

7

-5

-2

2

0

1

2

 

 

 


11 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

分類 

表1のように,近接スイッチは様々な一般特性によって分類する。 

近接スイッチの寸法は,附属書Aに記載したものによることが望ましい。 

3.1 

検出方式による分類 

検出方式は,第1位の1英大文字で示す。 

3.2 

取付けによる分類 

取付けによる分類は,第2位の1桁数字で示す。 

3.3 

形状及び大きさによる分類 

形状及び大きさは,1英大文字及び2桁数字の3文字で示す。この3文字は,第3位に置く。 

英大文字は,形状,例えば,円柱形又は角形を示す。 

2桁の数字は,大きさを示し,例えば,円柱形の場合には直径又は角形の一辺の長さを示す。 

3.4 

開閉素子機能による分類 

開閉素子機能は,1英大文字で示し,第4位に置く。 

3.5 

出力形式による分類 

出力形式は,1英大文字で示し,第5位に置く。 

3.6 

接続方法による分類 

接続方法は,1桁数字で示し,第6位に置く。 

 

特性 

4.1 

特性要約 

近接スイッチの特性は,次の条件で規定する。 

− 動作条件(4.2) 

− 定格値及び限界値(4.3) 

電圧(4.3.1) 

電流(4.3.2) 

定格電源周波数(4.3.3) 

動作サイクル周波数(4.3.4) 

標準負荷及び異常負荷特性(4.3.5) 

短絡特性(4.3.6) 

− 開閉素子の種別(4.4) 

4.1.1 

誘導形又は静電容量形近接スイッチの動作 

電磁界又は電界の中において,検出面から放出されたエネルギーを吸収又は変化させる検出体の有無で

出力信号を決定する。 

4.1.2 

超音波形近接スイッチの動作 

検出領域内において検出面から放射された超音波エネルギーを反射する検出体の有無で,出力信号を決

定する。 

4.1.3 

光電形近接スイッチの動作 

投光器から放射された可視光線又は不可視光線を反射又は遮る検出体の有無で,出力信号を決定する 

注記 光電形近接スイッチの製造業者の多くは,慣例でライトオン及びダークオンという用語を使っ

ている。この場合,受光器が入光状態で出力素子がオン状態になることをライトオンと呼び,


12 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

受光器が入光状態で出力素子がオフ状態になることをダークオンと呼ぶ。 

4.1.4 

非機械式磁気形近接スイッチの動作 

検出領域内で磁界の変化を生じる物体の有無によって,出力信号を決定する。 

4.2 

動作条件 

4.2.1 

誘導形及び静電容量形近接スイッチの動作距離(s) 

動作距離の関係は,図3に示す。 

4.2.1.1 

定格動作距離(sn) 

定格動作距離は,附属書Aを参考に製造業者が定める。 

4.2.2 

超音波形近接スイッチの動作距離(s) 

動作距離の関係は,図4に示す。 

4.2.2.1 

検出範囲(sd) 

検出範囲の値は,附属書Aを参考に製造業者が定める。 

4.2.3 

光電形近接スイッチの動作距離(s) 

4.2.3.1 

検出範囲(sd) 

反射形(type D)の光電形近接スイッチでは,動作距離は検出範囲(sd)で規定する。 

4.2.3.2 

動作範囲(ro) 

透過形(type T)及びリフレクタ形(type R)の光電形近接スイッチでは,動作距離は動作範囲(ro)で

規定する。 

 

 

図3−誘導形及び静電容量形近接スイッチの動作距離の関係 

(4.2.1,7.2.1.3及び8.4.1参照) 

 

 


13 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

 

図4−超音波形近接スイッチの動作距離の関係 

(4.2.2,7.2.1.3及び8.4.1参照) 

 

4.3 

近接スイッチ及び開閉素子の定格値及び限界値 

4.3.1 

電圧 

近接スイッチ及び開閉素子の定格電圧は,4.3.1.1〜4.3.1.4の定義による。 

4.3.1.1 

定格使用電圧(Ue) 

定格使用電圧(Ue)は,交流250 V又は直流300 V以下の,単一の値又は範囲で,製造業者が定める。 

注記 製造業者は,定格使用電圧(Ue)の全許容差を含む限界値の範囲を指定してもよい。この範囲

は,UBという。UeとUBとの関係を次に示す。 

 

最小定格使用電圧(Uemin)

最大定格使用電圧(Uemax)

最小定格使用電圧‒15 %(UB  min)

最大定格使用電圧+10 % (UB  max)

UB

定格使用電圧(Ue)

最小定格使用電圧(Uemin)

最大定格使用電圧(Uemax)

最小定格使用電圧‒15 %(UB  min)

最大定格使用電圧+10 % (UB  max)

UB

定格使用電圧(Ue)

 

 

4.3.1.2 

定格絶縁電圧(Ui) 

近接スイッチの定格絶縁電圧(Ui)は,耐電圧試験の電圧値及び沿面距離による。 

近接スイッチの場合は,最大の定格使用電圧(Ue)を定格絶縁電圧(Ui)とみなす。 

4.3.1.3 

定格インパルス耐電圧(Uimp) 

JIS C 8201-1の4.3.1.3(定格インパルス耐電圧)を適用する。 

4.3.1.4 

電圧降下(Ud) 

電圧降下(Ud)は,指定した条件の下で負荷電流を流したときに,近接スイッチの出力端の電圧を測定

した値とする。 

値は,7.2.1.15で規定する。 

4.3.2 

電流 

近接スイッチ及び開閉素子の電流は,4.3.2.1〜4.3.2.4の定義による。 


14 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

4.3.2.1 

定格使用電流(Ie) 

7.2.1.11を参照。 

4.3.2.2 

最小使用電流(Im) 

7.2.1.12を参照。 

4.3.2.3 

オフ状態電流(Ir) 

7.2.1.13を参照。 

4.3.2.4 

無負荷電流(Io) 

3線式又は4線式の近接スイッチの無負荷電流(Io)は,製造業者が定める。 

4.3.3 

定格電源周波数 

定格電源周波数は,50 Hz及び/又は60 Hzとする。 

4.3.4 

動作サイクル周波数(f) 

動作サイクル周波数(f)は,附属書Aを参考に製造業者が定める。 

4.3.5 

標準負荷及び異常負荷時の特性 

4.3.5.1 

標準条件における定格開閉容量及び開閉素子の特性 

開閉素子は,表4に規定する要求事項による。 

注記 種別が割り当てられている開閉素子の場合は,開閉容量を別々に明記しなくてもよい。 

4.3.5.2 

異常条件における開閉容量 

開閉素子は,表5に規定する要求事項を満足しなければならない。 

注記 種別が割り当てられている開閉素子の場合には,開閉容量を別々に明記しなくてもよい。 

4.3.6 

短絡特性 

4.3.6.1 

定格条件付短絡電流 

近接スイッチの定格条件付短絡電流は,100 Aである。近接スイッチは,8.3.4で規定する試験に十分耐

えなければならない。 

4.4 

開閉素子の種別 

種別は,表2による。他のタイプを適用するときは,製造業者と使用者との間の協定による。ただし,

製造業者のカタログ又は仕様書で示す情報は,この協定で用いてもよい。 

 

表2−開閉素子の種別 

電流の種類 

種別 

代表的適用例 

交流 

AC−12 

光学絶縁された抵抗負荷及び半導体負荷の制御 

AC−140 

閉路電流0.2 A以下の小形電磁負荷の制御閉路電流 
(例 コンタクタリレーなど) 

直流 

DC−12 

光学絶縁された抵抗負荷及び半導体負荷の制御 

DC−13 

電磁石の制御 

 

製品情報 

5.1 

情報の種類 

製造業者は,次の情報を提供しなければならない。 

識別 

a) 製造業者名又は商標。 

b) 近接スイッチの識別(分類),及び製造業者又はそのカタログから適切な情報を得るための形式又はそ


15 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

の他の表示(表1参照)。 

c) 製造業者が適合性を主張する場合は,この規格の規格番号。 

基本定格値 

d) 定格使用電圧(4.3.1.1参照) 

e) 種別及び定格使用電圧(交流の場合は定格周波数)での定格使用電流 

f) 

定格絶縁電圧(4.3.1.2参照) 

g) 定格インパルス耐電圧(4.3.1.3参照) 

h) 保護等級(IPコード)(7.1.10参照) 

i) 

汚損度(6.1.3.2参照) 

j) 

短絡保護回路のタイプ及び最大定格(7.2.5参照) 

k) 定格条件付短絡電流(4.3.6.1参照) 

l) 

電磁両立性(EMC)(7.2.6参照) 

m) 動作距離(7.2.1.3参照) 

n) 繰返し精度(7.2.1.4参照) 

o) 応差(7.2.1.5参照) 

p) 動作サイクル周波数(7.2.1.6参照) 

r) 最小使用電流(7.2.1.12参照) 

s) 

オフ状態電流(7.2.1.13参照) 

t) 

無負荷電流(4.3.2.4参照) 

u) 電圧降下(7.2.1.15参照) 

v) 開閉素子機能(2.4.1参照) 

w) 埋込取付けの可否(2.2.9及び2.2.10参照) 

x) 外形寸法(7.3参照) 

y) 余裕利得(7.2.1.10参照) 

5.2 

表示 

5.2.1 

一般 

5.1のa)及びb)の表示を,銘板又は近接スイッチ本体に必ず付ける。 

直径が12 mm以下の円柱形近接スイッチでは,この表示をリード線又はリード線に永久的に付けるタグ

に付けてもよいが,本体から100 mm以内の場所としなければならない。 

表示は消えにくく,読みやすくしなければならない。また,使用時に通常取り除かれる部分に設けては

ならない。 

5.1のc)〜y)の内容が,近接スイッチ上に表示できないときは,製造業者の印刷物に表示する。 

5.2.2 

端子の識別及び表示 

7.1.7.4による。 

5.2.3 

機能上の表示 

近接スイッチの構造上明確でない検出面には,印を付けなければならない。 

5.3 

取付け,操作及び保守要項 

製造業者は,近接スイッチの取付け,操作及び保守の条件を明示しなければならない。 

推奨する保守の範囲及び頻度がある場合は,表示する。 

 


16 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

標準使用,取付け及び輸送条件 

6.1 

標準使用条件 

この規格に従う近接スイッチは,6.1.1〜6.1.3の標準条件で作動しなければならない。 

使用条件がこの規格で示す条件と異なる場合は,使用者は標準条件との違いを示し,この使用条件が適

切か否かを製造業者と協議する。 

6.1.1 

周囲温度 

6.1.1.1 

誘導形,静電容量形,非機械式磁気形及び超音波形近接スイッチ 

これらの近接スイッチは,−25 ℃〜+70 ℃の温度範囲で動作し,特性を維持しなければならない。 

注記 超音波形近接スイッチの場合は,音速が空気の温度に依存することから,動作距離は1 K当た

り0.17 %変化する。 

6.1.1.2 

光電形近接スイッチ 

光電形近接スイッチは,−5 ℃〜+55 ℃の温度範囲で動作し,特性を維持しなければならない。 

6.1.2 

標高 

JIS C 8201-1の6.1.2(標高)による。 

6.1.3 

気候条件 

6.1.3.1 

湿度 

相対湿度(RH)は,70 ℃で50 %以下とする。温度が低いときには,湿度が高くてもよい。 

例 20 ℃で90 % 

注記 検出面の結露及び湿度の変化は,動作距離に影響を与える。温度変化によって生じる結露には

注意することが望ましい(70 ℃での相対湿度50 %は,54 ℃での相対湿度100 %に相当する。)。 

6.1.3.2 

汚損度 

製造業者が明示しない限り,近接スイッチは,IEC 60947-1の6.1.3.2(汚損度)に定義する汚損度3の

環境条件に取り付けられるように設計する。ただし,ミクロ環境では,その他の汚損度を適用してもよい。 

6.2 

輸送及び保管条件 

輸送中及び保管中の条件(例えば,温度及び湿度条件)が,6.1において定義する条件と異なる場合は,

使用者と製造業者との間で特別の取決めを行う。 

6.3 

取付け 

取付寸法及び条件は,附属書Aを参考に製造業者が定める。 

 

構造及び性能に関する要求事項 

7.1 

構造に関する要求事項 

7.1.1 

材料 

材料は,機器が関連する試験の要求事項に従う適切なものでなければならない。 

燃焼性及び湿度には,特別な注意を払わなければならない。また,ある特定の絶縁材料においては,湿

度に対する保護を必要とする。 

注記 要求事項は,検討中である。 

7.1.2 

通電部及びその接続 

通電部は,それらの使用に対し必要な機械的強度及び通電容量を備えなければならない。 

電気的接続における接触圧力は,セラミック又は適合した特性をもつ材料以外の絶縁材料を介して加え

てはならない。ただし,絶縁材料の収縮又は曲がりを補正する金属部に十分な弾性がある場合を除く。 


17 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

7.1.3 

空間距離及び沿面距離 

IEC 60947-1の7.1.4(空間距離及び沿面距離)による。 

7.1.4 

動作 

近接スイッチは,標準検出体の有無で動作試験を行い,標準検出体の特性は8.3.2.1による。 

7.1.5 

(規定なし) 

7.1.6 

(規定なし) 

7.1.7 

端子 

7.1.7.1 

構造に関する要求事項 

IEC 60947-1の7.1.8.1(構造的要求)による。 

7.1.7.2 

接続容量 

JIS C 8201-1の7.1.7.2(接続容量)による。 

7.1.7.3 

接続方法 

JIS C 8201-1の7.1.7.3(接続)によるほか,次による。 

リード線引出式の近接スイッチでは,製造業者と使用者との間で協定がない限り,リード線外装の長さ

は,

0.1
0

2+

mとするのがよい。製造業者から提供した情報を,協定として用いてもよい。 

注記 (米国)電気規程を参照。 

a) フィールド配線用リード線の長さは152 mm以上とし,外部接続箱内で配線する場合は100 

mm以上とする。 

b) 電流を流すリード線の断面積は0.2 mm2(24 AWG)以上とし,ゴム又は熱可塑性樹脂の被

覆の厚さは,0.8 mm以上とする。 

7.1.7.4 

接続識別及び表示 

JIS C 8201-1の7.1.7.4(端子の識別及び表示)によるほか,次による。 

リード線引出式近接スイッチは,表3に従った色で識別した電線を備えていなければならない。 

端子接続式近接スイッチは,表3に従って識別しなければならない。 

緑と黄とのストライプは,保護導線(IEC 60445)を識別するためだけに使用する。緑は,保護接地導

体を識別する目的以外に用いてはならない。 

 

表3−端子及びリード線の識別 

形式 

機能 

リード線 

リード線色 

端子番号b) c) d) 

交流2線式 
及び 
直流2線式 
無極性 

NO(メーク) 

 

緑,黄及び緑と黄とのスト
ライプ以外の色a) 


NC(ブレーク) 


NO/NC 
プログラマブル 


有極性直流2線式 

NO(メーク) 

+ 

茶色 

− 

青 

NC(ブレーク) 

+ 

茶色 

− 

青 

2 h) 

有極性直流3線式 

NO(メーク) 

+ 

茶色 

− 

青 

出力 

黒 

 


18 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

表3−端子及びリード線の識別(続き) 

形式 

機能 

リード線 

リード線色 

端子番号b) c) d) 

有極性直流3線式 

NC(ブレーク) 

+ 

茶色 

− 

青 

出力 

黒 

2 h) 

交流3線式 
及び 
有極性交流/ 
直流3線式 

NO(メーク) 

茶色 

青 

出力 

黒 

NC(ブレーク) 

茶色 

青 

出力 

黒 

有極性直流4線式 

切替え 
(メーク/ 
ブレーク) 

+ 

茶色 

− 

青 

NO出力 

黒 

NC出力 

白 

有極性直流近接ス
イッチで,M12 8
端子コネクタg) 

NO(メーク), 
NC(ブレーク) 
その他の機能 

+ 

茶色 

− 

青 

NO出力 

黒 

NC出力 

白 

規定せず 

灰色 

規定せず 

ピンク 

規定せず 

紫 

接地用 

オレンジe) 

スクリーン(シールド) 

スクリーン(シールド)f) 

有極性直流近接ス
イッチで,M12 12
端子コネクタg) 

NO(メーク), 
NC(ブレーク) 
その他の機能 

+ 

茶色 

− 

青 

NO 出力 

黒 

NC 出力 

白 

規定せず 

灰色 

規定せず 

ピンク 

規定せず 

紫 

接地用 

オレンジe) 

スクリーン(シールド) 

スクリーン(シールド)f) 

規定せず 

灰色/ピンクのストライプ 

規定せず 

白/青のストライプ 

10 

規定せず 

白/灰色のストライプ 

11 

規定せず 

灰色/茶色のストライプ 

12 

注a) 両リード線とも同色が望ましい。 

b) 端子番号(交流用近接スイッチ及び3線式で8 mmコネクタを用いている近接スイッチは除く。)は,コネク

タピン番号と同一にしなければならない。 

c) 特殊機能をもつ,直流4線式又は8線式の近接スイッチにおいて,2番端子又は4番端子は,出力以外の機能

に用いてもよい。この場合,製造業者は,リード線色と機能とを明確に表示しなければならない。 

d) 直流4線式近接スイッチにおいて,2番端子又は4番端子は表中で示すもの以外の出力の組合せで使用しても

よい。この場合,製造業者は,各端子の機能を明確に表示しなければならない。 

e) スクリーン(シールド)接続のないコネクタの場合 

f) スクリーン(シールド)接続のあるコネクタの場合 

g) 推奨するリード線色。製造業者は,使用するための情報として,実際のリード線色を明確に表示しなければ

ならない。 

h) M5又はM8 3端子コネクタを備えた近接スイッチのNC出力は,4番端子に接続する。 


19 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

7.1.8 

(規定なし) 

7.1.9 

保護接地に関する規定 

7.1.9.1 

構造に関する要求事項 

JIS C 8201-1の7.1.9.1(構造に関する要求事項)によるほか,取付規則に従って,電源及びトランス(あ

る場合)の安全絶縁を考慮しなければならない(IEC 60364規格群参照)。 

注記1 近接スイッチがクラスII絶縁の場合は,外部金属ケースと保護接地端子との接続は不要であ

る(JIS C 0365参照)。 

注記2 最大定格電圧が交流50 V又は直流120 V以下の近接スイッチは,保護接地に対する規定は必

要ない。 

7.1.9.2 

保護接地端子 

JIS C 8201-1の7.1.9.2(保護接地端子)による。 

7.1.9.3 

保護接地端子の表示及び識別 

JIS C 8201-1の7.1.9.3(保護接地端子の表示及び識別)による。 

7.1.10 保護等級(IPコード) 

製造業者の説明書に従って取り付けるとき,近接スイッチの保護等級は,IP65以上でなければならない。

また,光電形近接スイッチの保護等級は,IP54以上でなければならない。 

なお,8.2によって検証する。 

注記 保護等級の試験中は,近接スイッチを動作させなくてもよい。 

7.1.11 リード線引出式近接スイッチの要求事項 

附属書Cを参照。 

7.1.12 クラスII近接スイッチ 

これらの機器は,保護接地の手段をもっていない(JIS C 0365参照)。クラスII近接スイッチは,封止

によって絶縁する。附属書Bを参照。 

7.2 

性能要求事項 

新品の近接スイッチには,7.2.1〜7.2.6の要求事項を適用する。 

7.2.1 

動作条件 

7.2.1.1 

一般 

近接スイッチは,附属書Aを参考に製造業者が指定した方法に従って取り付けなければならない。試験

7.2.1.3〜7.2.1.6の負荷電流は,0.2 Ieに調整しなければならない。 

7.2.1.2 

動作限界 

近接スイッチは,次のいずれかで作動しなければならない。 

a) Ueの85 %〜110 %の間 

b) Ueの最小値(Ue min)の85 %からUeの最大値(Ue max)の110 %までの間 

c) UBの範囲内 

直流の場合,リプル電圧値は,ピーク・トゥ・ピーク(P-P)で,0.1 Ue以下とする(4.3.1.1参照)。 

7.2.1.3 

動作距離 

動作距離は,8.4に従って測定する。動作距離は,検出体を軸に沿って近接スイッチに向かって移動させ

て測定する。 

誘導形及び静電容量形近接スイッチの場合は,動作距離の相互関係を図3に示す。 

超音波形近接スイッチの場合は,動作距離の相互関係を図4に示す。 


20 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

光電形近接スイッチの場合は,動作距離の相互関係を図1に示す。 

7.2.1.3.1 

実効動作距離(sr) 

実効動作距離は,スイッチの種類ごとに規定する次の条件によって,定格電圧及び周囲温度23 ℃±5 ℃

で測定する。 

− 誘導形及び静電容量形近接スイッチの場合は,定格動作距離(sn)の90 %〜110 %でなければならな

い。すなわち,次による。 

0.9sn≦sr≦1.1sn 

− 超音波形近接スイッチの場合は,最小動作距離(smin)及び最大動作距離(smax)の間でなければなら

ない。すなわち,次による。 

smin≦sr≦smax 

7.2.1.3.2 

有効動作距離(su) 

有効動作距離は,スイッチの種類ごとに規定する次の条件によって,周囲温度範囲にて定格電圧の85 %

及び110 %で測定する。 

− 誘導形近接スイッチ及び超音波形近接スイッチの場合は,実効動作距離(sr)の90 %〜110 %でなけれ

ばならない。すなわち,次による。 

0.9sr≦su≦1.1sr 

− 静電容量形近接スイッチの場合は,実効動作距離(sr)の80 %〜120 %でなければならない。すなわ

ち,次による。 

0.8sr≦su≦1.2sr 

7.2.1.3.3 

保証動作距離(sa) 

保証動作距離は,スイッチの種類ごとに規定する次の条件による。 

− 誘導形近接スイッチの場合は,保証動作距離は定格動作距離(sn)の0 %〜81 %でなければならない。

すなわち,次による。 

0≦sa≦0.9×0.9sn 

− 静電容量形近接スイッチの場合は,保証動作距離は定格動作距離(sn)の0 %〜72 %でなければなら

ない。すなわち,次による。 

0≦sa≦0.9×0.8sn 

7.2.1.3.4 

透過形(type T)及びリフレクタ形(type R)の光電形近接スイッチのための動作範囲(ro) 

動作範囲は,8.4に従い測定する。 

動作範囲を,次に示す。 

− 図11 a) 透過形(type T):投光器及び受光器 

− 図11 b) リフレクタ形(type R):投光器・受光器及びリフレクタ 

動作範囲及び余裕利得の値は,8.4.2に規定する試験方法によって,300 lx未満及び5 000 lxの照度の下

で製造業者が定める。 

余裕利得は,8.4.2.1に従って決定する。 

7.2.1.3.5 

反射形(type D)光電形近接スイッチの検出範囲(sd) 

検出範囲及び/又は動作距離は,8.4に従って測定する。 

検出範囲及び/又は動作距離を,次に示す。 

− 図11 c) 反射形(type D):投光器・受光器及び検出物体 

検出範囲及び余裕利得の値は,8.4.2に規定する試験方法によって,300 lx未満及び5 000 lxの照度の下


21 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

で製造業者が定める。 

7.2.1.3.6 

非機械式磁気形近接スイッチの感度及び動作距離 

非機械式磁気形近接スイッチの場合は,検出動作特性及び許容誤差は製造業者が定める。 

7.2.1.4 

繰返し精度(R) 

実効動作距離(sr)の繰返し精度(R)は,8時間にわたり周囲温度23 ℃±5 ℃,相対湿度が6.1.3.1の

±5 %の環境下で,規定電源電圧によって測定する。 

任意の2回の測定値の差をRとし,実効動作距離(sr)の10 %以下とする。 

R≦0.1sr 

7.2.1.5 

応差(H) 

応差は,実効動作距離(sr)のパーセンテージで示す。測定は,8.4.1.3に従って周囲温度23 ℃±5 ℃で,

規定された電源電圧によって行う。 

応差は,実効動作距離(sr)の20 %以下とする。 

H≦0.2sr 

7.2.1.6 

動作サイクル周波数(f) 

7.2.1.6.1 

誘導形,静電容量形及び超音波形近接スイッチ 

動作サイクル周波数は,附属書Aを参考に製造業者が定め,8.5.1及び8.5.2によって測定する。 

7.2.1.6.2 

光電形近接スイッチ 

動作サイクル周波数(f)は,次の式を用いて,製造業者が定める。 

off

on

1

t

t

f

 

ここに, 

ton: ターンオン時間 

 

toff: ターンオフ時間 

ton及びtoffは,8.5.3によって測定しなければならない。 

7.2.1.7 

使用可能になるまでの遅れ時間(tv)(起動時間) 

使用可能になるまでの遅れ時間は,300 ms以下でなければならない。 

この間に開閉素子は,決して誤信号を出してはならない。 

誤信号とは,2 msより長く現れるゼロ信号以外の信号である(8.3.3.2.1参照)。 

注記 ゼロ信号とは,オフ状態電流だけが負荷に流れることを意味する。 

7.2.1.8 

ターンオン時間(ton) 

ターンオン時間及びその測定方法は,製造業者が定める。 

7.2.1.9 

ターンオフ時間(toff) 

ターンオフ時間及びその測定方法は,製造業者が定める。 

7.2.1.10 光電形近接スイッチの余裕利得 

余裕利得及びその測定方法は,製造業者が定める。 

7.2.1.11 定格使用電流(Ie) 

定格使用電流は,次のいずれかとする。 

− 直流 

50 mA 

− 交流 200 mA(実効値) 

この値を超える場合は,製造業者と使用者との間で調整してもよい。 


22 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

7.2.1.12 最小使用電流(Im) 

最小使用電流は,次のとおりとする。 

2線式 

Im≦直流5 mA又は交流5 mA(実効値) 

3線式又は4線式 Im≦直流1 mA 

これらは,8.3.3.2.2に従って検証する。 

7.2.1.13 オフ状態電流(Ir) 

オフ状態の近接スイッチの負荷回路を流れる最大オフ状態電流(Ir)は,次のとおりとする。 

2線式 

Ir≦直流1.5 mA 

 

Ir≦交流3 mA(実効値) 

3線式又は4線式 Ir≦直流0.5 mA 

これらは,8.3.3.2.3に従って検証する。 

7.2.1.14 開閉素子動作 

開閉素子動作は,スナップアクションとし,8.3.3.2.4に従って検証する。 

7.2.1.15 電圧降下(Ud) 

8.3.3.2.5に従って測定する電圧降下は,次のとおりとする。 

2線式 

Ud≦直流8 V 

 

Ud≦交流10 V(実効値) 

3線式又は4線式 Ud≦直流3.5 V 

7.2.2 

温度上昇 

IEC 60947-1の7.2.2(温度上昇)に次を追加して適用する。 

近接スイッチの温度上昇限界値は,50 Kである。 

金属又は非金属材料にかかわらずケースのエンクロージャ及び端子に関してこの温度上昇を適用する。 

7.2.3 

耐電圧性能 

近接スイッチは,8.3.3.4に規定する耐電圧試験を耐えなければならない。 

クラスII近接スイッチは,封止によって絶縁する(附属書B参照)。 

7.2.3.1 

インパルス耐電圧 

試験電圧は1 kV以上でなければならない。 

インパルス発生器の特性は,1.2/50 μsインパルス,電源インピーダンス500 Ω,電源エネルギー0.5 Jと

する。 

注記 M12より小さいサイズの近接スイッチに対しては,製造業者はこの要求を達成するために外部

保護要件を指定してもよい。 

7.2.4 

標準負荷条件及び異常負荷での開閉能力 

7.2.4.1 

開閉容量 

開閉要件は,次による。 

a) 標準条件での開閉容量 開閉素子は,8.3.3.5に規定する状態において,表4の種別による回数を故障

なく開閉できる開閉容量をもたなければならない。 

b) 異常条件での開閉容量 開閉素子は,8.3.3.5に規定する状態において,表5の種別による回数を故障

なく開閉できる開閉容量をもたなければならない。 

 


23 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

表4−種別に対応する標準条件での開閉素子の開閉容量の検証a) 

種別 

標準条件 

メークb) 

ブレークb) 

開閉動作の回数及び頻度 

I/Ie 

U/Ue 

cos φ又は

T0.95 

I/Ie 

U/Ue 

cos φ又は

T0.95 

回数c) 

回数/分 

オン時間 

ms 

AC-12 

0.9 

0.9 

6 050 

50 

AC-140 

0.3 

0.3 

6 050 

20 

DC-12 

1 ms 

1 ms 

6 050 

DC-13 

6P ms d) 

6P ms d) 

6 050 

T0.95 

Ie:定格使用電流 
Ue:定格使用電圧 
I:開閉電流 
U:開路電圧 
P:UeIe=定常状態の消費電力 単位 W 
T0.95:定常状態の電流の95 %に到達するまでの時間 単位 ms 

注a) 8.3.3.5を参照。 

b) 許容差に関しては,8.3.2.2を参照。 

c) 最初の50回の動作は,負荷をUeにおいてU/Ue=1.1として実施する。 

d) 6×Pの値は,上限値P=50 Wまでの多くの直流電流負荷に見られる実験に基づいた関係から得られる。 

 

表5−種別に対応する異常条件での開閉素子の開閉容量の検証a) 

種別 

異常条件b) 

メーク及びブレークc) 

開閉動作の回数及び頻度 

I/Ie 

U/Ue 

cos φ 

回数 

回数/分 

オン時間 ms 

AC-12 

適用しない 

− 

− 

− 

AC-140 d) 

1.1 

0.7 

10 

20 

DC-12 

適用しない 

− 

− 

− 

DC-13 

e) 

− 

− 

− 

Ie:定格使用電流 
Ue:定格使用電圧 
I:開閉電流 
U:開路電圧 

注a) 8.3.3.5を参照。 

b) 異常条件とは,強制的に電磁路を開路したのと等価な条件をいう。 

c) 許容差に関しては,8.3.2.2を参照。 

d) 製造業者が指定する過負荷保護装置を用いて異常条件を検証してもよい。 

e) この試験は,表4の注c)に従って実施した試験に含まれている。 

 

7.2.5 

条件付短絡電流 

開閉素子は,8.3.4に規定する状態での短絡電流に耐えなければならない。 

7.2.6 

電磁両立性(EMC) 

7.2.6.1 

一般 

近接スイッチの動作特性として,製造業者が保証する最大レベルを含む全範囲の電磁障害(EMI)まで

異常なく動作しなければならない。 

近接スイッチは,小形であること及び保護された環境で使用するため,要求項目によっては共通イミュ

ニティ規格で規定するイミュニティレベルと,この規格で規定するイミュニティレベルとは異なる。 

供試品の近接スイッチは,代表する基本的な仕様の全てを具備し,新品でなければならない。 


24 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

EMC試験は,定格使用電圧Ueで,又は定格使用電圧が範囲で与えられている場合はUe maxで行う。 

試験中又は試験後の保守又は部品交換は認めない。 

一般的にEMCエミッション規格では,環境A及びBの二つを定義している。この規格を適用する製品

は,環境Aでの使用を意図している。 

環境Aは,高妨害電源も含む低圧の電力配電網又は工業用配電網・地域・設備に主として関係する。 

注記 環境Aは,CISPR 11のクラスA機器に対応する。 

環境Bは,住宅,商業,軽工業などの地域・設備などの低圧電力配電網に主として関係する。アーク溶

接のような高妨害電源は,この環境には含まない。 

注記 環境Bは,CISPR 11のクラスB機器に対応する。 

7.2.6.2 

イミュニティ 

7.2.6.2.1 

判定基準 

表7に判定基準を示す。 

 

表7−判定基準 

項目 

判定基準(試験中の性能判定基準) 

総合性能 

動作特性に顕著な変化があっ
てはならない。 
意図したように動作しなけれ
ばならないa)。 

試験中の開閉素子の状態が直
流式近接スイッチでは1 ms以
上,交流式近接スイッチb)では
電源周波数の半サイクル以上
変化してはならない。 

オペレータの介入又はシステ
ムリセットを必要とする性能
の一時的な劣化又は損失はあ
ってもよい。 

表示及び信号構
成部品の動作 

目に見える表示情報に変化が
あってはならない。 
LEDの僅かな光量変化,文字
などの僅かな乱れはあっても
よい。 

情報の一時的な目に見える変
化又は損失及び意図しない
LED点灯は,あってもよい。 

自己修復不能な動作停止,表
示の永久的な損失又は誤った
情報及び許可していない動作
モードはあってもよいが,シ
ステムリセット後には修復し
なければならない。 

情報処理及び検
出機能 

外部装置との通信及びデータ
交換が妨害されず,仕様内に
なければならない。 

一時的な通信妨害であり,発
見でき,自己修復可能でなけ
ればならない。 

自己修復不能な間違った情報
処理,データ及び/又は情報
の発見できない損失及び通信
における誤りはあってもよい
が,システムリセット後には
修復しなければならない。 

注a) 製造業者は,誤動作を引き起こす可能性のある伝導無線周波数帯の周波数及び帯域幅を印刷物に記載しなけ

ればならない。 

b) 750 mWを超える消費電力をもつ交流機器の開閉素子の復帰時間は,1.5サイクル以上でもよいが,7.2.1.7に

規定する最大起動時間Tv(使用可能になるまでの遅れ時間)以下としなければならない。最大復帰時間は,
製造業者が発行文書で定めなければならない。 

 

7.2.6.2.2 

静電気放電 

JIS C 61000-4-2及び表8による。 

金属エンクロージャをもつ近接スイッチは,接触放電法によって試験電圧を加える。 

金属エンクロージャをもたない近接スイッチは,気中放電法によって試験電圧を加える。 

 


25 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

表8−イミュニティ試験 

試験の形式 

要求試験レベル 

判定基準 

静電気放電 
JIS C 61000-4-2 

8 kV,気中放電又は 
4 kV,接触放電 

放射無線周波電磁界(80 MHz〜1 GHz及び
1.4 GHz〜2 GHz)JIS C 61000-4-3 

3 V/m f) 

電気的ファストトランジェント/バースト 
JIS C 61000-4-4 

2 kV/5 kHz(容量性結合クランプ使用) 

無線周波数電磁界によって誘導された伝導
妨害(150 kHz〜80 MHz)IEC 61000-4-6 

3 V f) 

電源周波数磁界a) 
JIS C 61000-4-8 

30 A/m 

電圧ディップg) 
JIS C 61000-4-11 

クラス2 b) c) 
0.5サイクルで0 %の電圧
を供給。 

クラス3 b) c) 
0.5サイクルで0 %の電圧を
供給。 

 

クラス2 b) c) d) 
1サイクルで0 %の電圧を
供給。 
25/30サイクルで70 %の電
圧を供給。 

クラス3 b) c) d) 
1サイクルで0 %の電圧を
供給。 
10/12サイクルで40 %の電
圧を供給。 
25/30サイクルで70 %の電
圧を供給。 
250/300サイクルで80 %の
電圧を供給。 

短時間停電g) 
JIS C 61000-4-11 

クラス2 b) c) d) 
250/300サイクルで0 %の
電圧を供給。 

クラス3 b) c) d) 
250/300サイクルで0 %の電
圧を供給。 

電源高調波IEC 61000-4-13 

要求事項なしe) 

− 

注a) 電源周波数磁界に影響されやすいデバイスを内蔵する近接スイッチだけに適用。 

b) クラス2は,共通結合点(PCC)及び一般的な産業環境における工場内共通結合点(IPC)に適用する。 

クラス3は,産業環境における工場内共通結合点だけに適用する。例えば,次の項目のいずれかに該当す

る場合は,このクラスを考慮するのがよい。 

− 変換器を通じて負荷の大部分が給電される場合。 
− 溶接機が存在する場合。 
− たびたび大形電動機が起動される場合。 
− 負荷変化が急激な場合。 

製造業者は,適切なクラスを示さなければならない。 

c) 表記の比率は,定格使用電圧に対する比率である。0 %は,0 Vを意味する。 

d) “/”の前の値は50 Hzでの試験に適用し,“/”の後ろの値は60 Hzでの試験に適用する。 

e) 試験水準は調査中である。 

f) この水準は,JIS C 8201-1と異なる。近接スイッチは物理的に小さく,内部にフィルタを組み込むことが困

難なことによる。 

g) 交流形近接スイッチだけに適用。 

 

7.2.6.2.3 

放射無線周波電磁界 

JIS C 61000-4-3及び表8による。 

最悪な方向が知られている場合,試験はその方向だけ実施することが望ましい。それ以外の場合は,電

磁界を試験中の装置に対して,互いに直交する3方向に向ける。 


26 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

7.2.6.2.4 

電気的ファストトランジェント/バースト 

JIS C 61000-4-4及び表8による。 

7.2.6.2.5 

サージ 

近接スイッチには,サージ強度試験は不要である。これらの近接スイッチの動作環境は,落雷によって

引き起こされるサージ電圧に対して,完全に保護される。 

7.2.6.2.6 

無線周波数電磁界によって誘導される伝導妨害 

IEC 61000-4-6及び表8による。 

7.2.6.2.7 

電源周波数磁界 

JIS C 61000-4-8及び表8による。 

注記 強磁界については,附属書Eを参照。 

7.2.6.2.8 

電圧ディップ及び短時間停電 

JIS C 61000-4-11及び表8による。 

7.2.6.2.9 

電源高調波 

IEC 61000-4-13及び表8による。 

7.2.6.3 

エミッション 

7.2.6.3.1 

測定中の条件 

測定は,調査する標準適用に矛盾のない周波数範囲内で,最高のエミッションを発生するグランド条件

を含む動作モードで行わなければならない(箇条4参照)。 

各測定は,定義した再現可能な条件で行わなければならない。 

試験の内容,試験方法及び構成は,CISPR 11の規定による。ただし,試験の実際の適用に対して必要と

される修正又は追加情報は,この規格で規定する。 

商用電源から電力を供給する近接スイッチは,低周波エミッションに関してJIS C 61000-3-2及びIEC 

61000-3-3の範囲内であるため,これらの規格の要求事項に従わなければならない。 

7.2.6.3.2 

高周波エミッション限界値 

近接スイッチは,電磁妨害波を発生する場合がある。 

近接スイッチのエミッションは,CISPR 11に規定する環境Aの限界値以下でなければならない。 

この試験は,9 kHzより大きな応答周波数の構成部品を含む制御及び/又は補助回路の場合に適用する。 

7.2.6.3.3 

低周波エミッション限界値 

一般的な低周波数高調波を発生する近接スイッチには,JIS C 61000-3-2の要求事項を適用する。 

一般的な低周波数電圧変動を発生する近接スイッチには,IEC 61000-3-3の要求事項を適用する。 

注記 これらの要求事項は,商用電源から電力を供給しない近接スイッチには適用しなくてもよい。 

7.3 

外形寸法 

近接スイッチの標準外形寸法は,附属書Aを参考に製造業者が定める。 

注記 他の寸法の近接スイッチもこの規格に含まれる。 

7.4 

衝撃及び振動 

7.4.1 

衝撃 

近接スイッチの衝撃試験は,JIS C 60068-2-27による。 

互いに直交する3軸6方向に次のように衝撃を加え,それぞれ連続3回実施する(計18回)。 

− パルス形状:正弦半波 

− ピーク加速度:30 gn 


27 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

− パルス持続時間:11 ms 

7.4.2 

振動 

近接スイッチの振動試験は,JIS C 60068-2-6による。 

互いに直交する3軸方向に沿って,次のように実施する。 

− 振動数の範囲:10 Hz〜55 Hz 

− 振動変位振幅:誘導形近接スイッチ,静電容量形近接スイッチ,非機械式磁気形近接スイッチ及び超

音波形近接スイッチは1 mm,光電形近接スイッチは0.5 mm 

− 掃引の割合:1サイクル5分 

− 共振する振動数又は55 Hzでの耐久時間:3軸方向の各々に対して各30分間(合計90分間) 

7.4.3 

結果 

試験後に,動作特性が箇条4に規定するとおりでなければならない。 

 

試験 

規定していない場合の試験は,周囲温度23 ℃±5 ℃で行わなければならない。 

8.1 

試験の種類 

8.1.1 

一般 

IEC 60947-1の8.1.1(一般)による。 

8.1.2 

形式試験 

形式試験は,この規格に適合していることの検証を目的とする。 

検証項目は,次による。 

a) 温度上昇(8.3.3.3) 

b) 耐電圧性能(8.3.3.4) 

c) 異常条件及び標準条件での開閉素子の開閉容量(8.3.3.5) 

d) 条件付短絡電流の下での性能(8.3.4) 

e) 構造に関する要求事項(8.2) 

f) 

保護等級(8.2) 

g) 動作距離(8.4) 

h) 動作サイクル周波数(8.5) 

i) 

電磁両立性(EMC)(8.6) 

j) 

耐衝撃性(7.4.1) 

k) 耐振動性(7.4.2) 

8.1.3 

受渡試験 

受渡試験は,製造業者の責任であり,機械的検査及び電気的操作の検証に限定する。 

機械的検査は,耐電圧試験で代替してもよい。 

実施するときは,耐電圧試験は8.3.3.4に従って行い,その持続時間は1秒に短縮してもよい。 

8.1.4 

抜取試験 

JIS C 8201-1の8.1.4(抜取試験)による。 

8.1.5 

特殊試験 

これらの試験は,製造業者と使用者との間の協定による。 


28 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

8.2 

構造に関する要求事項に対する適合性 

適用できる場合には,IEC 60947-1の8.2(構造に関する要求事項に対する適合性)による。 

8.3 

性能試験 

8.3.1 

試験シーケンス 

五つの代表的供試品で,実施する試験項目及びシーケンスは,次のとおりとする。 

供試品No.1 

試験No.1−温度上昇(8.3.3.3) 

試験No.2−端子の機械特性[IEC 60947-1の8.2.4(端子の機械的及び電気的特性)] 

試験No.3−耐電圧性能(8.3.3.4) 

試験No.4−目視検査 

供試品No.2 

試験No.1−保護等級[IEC 60947-1の附属書C(箱入り装置の保護等級)] 

試験No.2−振動(7.4.2) 

試験No.3−動作サイクル周波数(8.5) 

試験No.4−動作距離(8.4) 

試験No.5−耐電圧性能(8.3.3.4) 

供試品No.3 

試験No.1−保護等級[IEC 60947-1の附属書C(箱入り装置の保護等級)] 

試験No.2−衝撃(7.4.1) 

試験No.3−動作サイクル周波数(8.5) 

試験No.4−動作距離(8.4) 

試験No.5−耐電圧性能(8.3.3.4) 

供試品No.4 

試験No.1−開閉容量(8.3.3.5) 

試験No.2−耐電圧性能(8.3.3.4) 

試験No.3−動作距離(8.4) 

供試品No.5 

試験No.1−電磁両立性(EMC)の検証(8.6) 

試験No.2−短絡条件下での性能(8.3.4) 

試験No.3−耐電圧性能(8.3.3.4) 

試験No.4−動作距離(8.4) 

上記のいずれの試験においても,不良があってはならない。 

注記1 製造業者の要請によって,一つ以上又は全ての試験シーケンスを一つの供試品で実施しても

よい。ただし,その場合,試験は各供試品に対し,上記のシーケンスで実施する。 

注記2 封止によって絶縁したクラスII近接スイッチの場合は,追加の供試品が必要である(附属書

B参照)。リード線引出式近接スイッチの場合は,追加の供試品が必要である(附属書C参

照)。 

8.3.2 

一般的試験条件 

8.3.2.1 

一般要求事項 

別途指定がなければ,IEC 60947-1の8.3.2.1(一般要求事項)によるほか,次による。 


29 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

8.3.2.1.1 

誘導形近接スイッチ及び静電容量形近接スイッチの標準検出体 

検出体は,厚さ1 mmの正方形で,材質はISO 630規格群に規定する炭素鋼(例えば,Fe 360)とし,

圧延仕上げしなければならない。 

正方形の辺の長さ(a)は,次のいずれか大きい方にする(図5参照)。 

− 有効検出面の内接円直径 

− 定格動作距離(sn)の3倍 

静電容量形近接スイッチは,検出体を接地しなければならない。 

 

 

  

1 近接スイッチ 
2 検出面 
3 検出体 
4 動作距離 
5 移動方向 

 

図5−動作距離の測定方法(8.3.2.1及び8.4.1参照) 

 

8.3.2.1.2 

超音波形近接スイッチの標準検出体 

検出体は,厚さ1 mmの正方形で,圧延仕上げした金属製とする。寸法については,附属書Aを参考に

製造業者が定める。 

8.3.2.1.3 

光電形近接スイッチの標準検出体 

光電形近接スイッチの標準検出体は,次による。 

a) リフレクタ形(type R):この試験のための標準検出体は,製造業者が供給又は定めるリフレクタとす

る。 

b) 透過形(type T):この試験のための標準検出体は,製造業者が供給又は定める投光器とする。 

c) 反射形(type D):反射率90 %の200 mm×200 mmの白色紙 

注記 標準検出体は,より一般的なアプリケーションによって選定する。特殊なアプリケーション又

は特殊な製品については,情報を追加してもよい。 

8.3.2.1.4 

非機械式磁気形近接スイッチの標準検出体 

非機械式磁気形近接スイッチの検出体は,製造業者が定める。 

8.3.2.2 

試験条件 

JIS C 8201-1の8.3.2.2(試験条件)による。ただし,JIS C 8201-1の8.3.2.2.3(回復電圧)は除く。 

8.3.2.3 

試験結果評価 

各試験後の近接スイッチの状態は,各試験に適用する方法によって検証する。 

近接スイッチは,該当する各試験及び/又は試験シーケンスの要求事項を満たせば,この規格の要求事

項に適合したものとみなす。 


30 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

8.3.2.4 

試験報告書 

JIS C 8201-1の8.3.2.4(試験報告書)による。 

8.3.3 

無負荷,標準負荷及び異常負荷条件での性能 

8.3.3.1 

動作 

JIS C 8201-1の8.3.3.1(動作)による。 

8.3.3.2 

動作限界 

動作限界は,7.2.1.2による。 

8.3.3.2.1 

使用可能になるまでの遅れ時間 

図6の試験回路に近接スイッチを接続して試験を行う。 

検出体は,開閉素子がオン状態の場所に置く。定格使用電圧(Ue)又は定格使用電圧に範囲がある場合

は,その最小値を用いて最小使用電流(Im)を得るように負荷を調節する。 

使用可能になるまでの運転時間及び誤信号の持続時間は,バウンスフリーのスイッチが閉じられたとき

の負荷の両端の信号をオシロスコープで測定する。 

図7に,直流開閉素子の一般的な波形を示す。 

図7 a)は,開閉素子がオン状態を示し,図7 b)は開閉素子がオフ状態を示す。 

誘導形及び静電容量形近接スイッチの場合には,検出体は定格動作距離(sn)の1/3,又は定格動作距離

の3倍の位置に置く。 

使用可能になるまでの遅れ時間の測定値,すなわち,図7におけるt0〜t3までの時間は,7.2.1.7に合致

しなければならない。 

誤信号の持続時間,すなわち,図7のa)及びb)のt1〜t2までの時間は,7.2.1.7に合致しなければならな

い。 

 

 

図6−使用可能になるまでの遅れ時間検証用試験回路(7.2.1.7及び8.3.3.2.1参照) 

 


31 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

 

a) 開閉素子がオン状態 

 

 

b) 開閉素子がオフ状態 

t0 電源投入時 
t1 誤信号の始まり(ある場合) 
t2 誤信号の終わり(ある場合) 

t3 遅れ時間の終わり 
t4 最大遅れ時間(300 ms) 

 

注記1 誤信号がある場合は,t0で始まってもよい。その場合は,t0とt1とが同じタイムマーク(タ

イミング)であることを示す。 

注記2 誤信号がない場合には,タイムマーク(タイミング)t3は,t0とt4とのいずれでもよい。 
注記3 ここでは,誤信号がある場合の波形を定義していない。 

 

図7−図6の負荷を流れる出力信号(8.3.3.2.1参照) 

 

8.3.3.2.2 

最小使用電流(Im) 

試験は,図8に示す試験回路に接続した近接スイッチについて行う。 

 


32 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

 

R1 

抵抗負荷 

R2 

抵抗負荷 

高インピーダンス電圧計 
0.2 MΩ/V以上 

mA 

ミリアンペア計 

スイッチ 

メータ 交流の場合は,実効値指示計 
 

直流の場合は,平均値指示計 

図8−最小使用電流,オフ状態電流,スナップアクション及び電圧降下の検証のための試験回路 

(8.3.3.2.2,8.3.3.2.3,8.3.3.2.4及び8.3.3.2.5参照) 

 

検出体は,開閉素子がオン状態になる位置に置く。 

電源電圧(Ue)を加えスイッチSを開いて,負荷R1は最小使用電流(Im)を得るために調整する。測定

値は,7.2.1.12に明記した値以下でなければならない。 

開閉素子は,試験中に状態を変えてはならない。 

8.3.3.2.3 

オフ状態電流(Ir) 

図8の回路を用いスイッチSを閉じて,電源電圧が最大Ueのときに定格使用電流(Ie)を得るように負

荷R2を調節する。 

その後検出体を,開閉素子がオフ状態になる位置へ動かす。 

電源電圧としてUeの1.1倍,又は範囲として明記されたUBの最大値を加えて,オフ状態電流(Ir)を測

定する。 

オフ状態電流(Ir)は,7.2.1.13に明記した値以下でなければならない。 

8.3.3.2.4 

スナップアクション動作 

スナップアクション動作は,最大及び最小定格使用電圧の両方で,最大及び最小使用負荷電流について

検証する。適切な値の抵抗負荷を,四つの試験それぞれに用いる。 

これらの試験は,検出体を開閉素子がオフ状態の位置から開閉素子がオン状態の位置へ動かし,出力を

オシロスコープで観測しながら実施する。開閉素子機能は,検出体の速度に全く無関係で,出力は発振を

起こしたり,中間のいずれのレベルに保持されることなくオンとオフ状態との間を切り替えられなければ

ならない。 


33 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

8.3.3.2.5 

電圧降下(Ud) 

電圧降下は,開閉素子がオン状態で最低定格周波数かつ周囲温度が23 ℃±5 ℃で定格使用電流(Ie)を

流しているときの近接スイッチの出力端の電圧を測定する。この測定は,図8の回路を用い,スイッチS

を閉じて実施する。負荷R2は,電源電圧としてUeを加えて定格使用電流(Ie)を得るように調整する。 

電圧降下Udは,次のいずれかの条件で測定する。 

− Ueの1.1倍,及びUeの0.85倍 

− Ue maxの1.1倍,及びUe minの0.85倍 

− UB max及びUB min 

測定した電圧降下は,7.2.1.15に規定した値以下でなければならない。 

8.3.3.3 

温度上昇 

フリーエアに置いた近接スイッチに定格使用電圧(Ue)(又は定格使用電圧範囲を示せる場合,その電

圧範囲における最大使用電圧)を供給し,温度が一定になるまで,その定格動作電流(Ie)に相当する負

荷を接続しておく。 

エンクロージャのあらゆる部分,及び適用できる場合は,端子で測定した温度上昇は50 K以下でなけれ

ばならない(7.2.2参照)。 

各端子に接続する導体の長さは

0.1
0

2+

mでなければならない。 

8.3.3.4 

耐電圧性能 

耐電圧性能の確認試験は,次の方法によらなければならない。 

− 定格インパルス耐電圧(Uimp)(4.3.1.3参照)の場合は,IEC 60947-1の8.3.3.4(耐電圧性能) 

− この規格の8.3.3.4.1,8.3.3.4.2及び8.3.3.4.3による。 

封止によって絶縁されたクラスII近接スイッチの場合は,附属書Bを参照。 

8.3.3.4.1 

試験電圧の適用 

試験は,実際の使用条件に近い環境下で,例えば導体を付けて,実行する。使用中に接触しそうな全て

の絶縁部品の外面は,金属はくで完全に覆わなければならない。 

近接スイッチは,次の箇所で,形式試験では1分間,受渡試験では1秒間試験電圧に耐えなければなら

ない。 

− 開閉素子の充電部と近接スイッチを接地するための部品との間。 

− 開閉素子の充電部と使用中に接触しそうな近接スイッチの表面,導体又は金属はくで覆われた導体と

の間。 

− ある場合は,電気的に分離した開閉素子に属する充電部相互間。 

8.3.3.4.2 

試験電圧値 

8.3.3.4.1に従って商用周波数正弦波電圧を加える。 

試験電圧は,表6に示す。 

 


34 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

表6−試験電圧値 

単位 V 

定格絶縁電圧 

耐電圧試験電圧 

直流 

交流 

交流(実効値) 

75 

50 

500 

150 

125 

1250 

300 

250 

1500 

 

8.3.3.4.3 

結果 

試験中に意図しない放電破壊があってはならない。 

注記1 例えば,過渡的電圧抑制手段などのために計画された故意の放電破壊は,例外とする。 

注記2 “放電破壊”という用語は,電圧が印加された状態での絶縁破壊に関連した現象のことであ

り,そこでは電極間の電位差をゼロ又はゼロに近い値に低下させて試験中の絶縁を完全に短

絡させる。 

注記3 “スパークオーバ(火花連絡)”という用語は,気体又は液体の誘電体において放電破壊が起

こるときに使う。 

注記4 “フラッシオーバ(せん絡)”という用語は,気体又は液体の誘電体表面に沿って放電破壊が

起こるときに使う。 

注記5 “パンクチュア(損傷破壊)”という用語は,固体誘電体を通して放電破壊が起こるときに使

う。 

注記6 固体誘電体における放電破壊は,絶縁耐力を永久に失わせ,液体及び気体誘電体の場合には

一時的損失ですむこともある。 

8.3.3.4.4 

インパルス耐電圧 

IEC 60947-1の7.2.3(耐電圧試験)及びこの規格の7.2.3.1に従い,次の要求を追加して試験を行う。 

− 近接スイッチには,試験中電源を供給しない。 

− インパルス試験は,次のa)〜c)に適用する。 

a) 全端子一括と接地との間 

b) 電源に接続する端子相互間 

c) 各出力端子と電源に接続する各端子との間 

− 3回の正及び3回の負のインパルスを5秒以上の間隔で,2端子間に適用しなければならない。 

注記 インパルス耐電圧試験は,形式試験として規定しないが,元来この試験は形式試験に用いるこ

とを前提に作られている。 

8.3.3.5 

開閉容量 

開閉容量検証試験は,8.3.2.1における一般試験要求事項に従って行う。 

8.3.3.5.1 

試験回路 

負荷インピーダンスは,図9で示すように装置の負荷側に置かなければならない。試験電流の流れる回

路電圧は,定格使用電圧(Ue)以上でなければならない。 

 


35 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

 

 

a) 交流2線式又は直流2線式 

b) 直流3線式 

図9−開閉容量検証用試験回路(8.3.3.5参照) 

 

8.3.3.5.2 

標準条件での開閉容量 

表4に示す値になるように,負荷回路を調整しなければならない。 

8.3.3.5.3 

異常条件での開閉容量 

表5に示す値になるように,負荷回路を調整しなければならない。 

8.3.3.5.4 

結果 

試験後に近接スイッチの実効動作距離を測定し,7.2.1.3.1に示した範囲内になければならない。 

8.3.4 

短絡条件下での性能 

8.3.4.1 

試験回路及び試験手順 

新品の近接スイッチ“PS”を使用する。近接スイッチは,フリーエアに取り付けなければならず,また,

図10を参照して使用中と同じ太さのリード線を使って試験回路と接続する。 

“SCPD(短絡保護装置)”は,製造業者が定めたタイプ及び定格でなければならない。近接スイッチが

短絡に対して内部的に保護されている場合,この“SCPD”を省略する。 

開閉素子がオン状態になるように,検出体を置く。近接スイッチを流れる電流が定格使用電流に等しく

なるようにR1を選択する。 

電源Sは,100 Aの推定短絡電流に調整する。負荷R1に並列した“SC(短絡)”スイッチは,短絡を引

き起こすように意図している。開路電圧は,定格使用電圧の1.1倍又は電圧範囲の最大値でなければなら

ない。 

“SC(短絡)”スイッチを無作為に閉じて試験を3回実施する。SCPD又は近接スイッチ内の内部短絡保

護装置が作動するまで試験電流を維持する。3回の試験のそれぞれの間隔は,3分以上でなければならない。

試験の間隔の実時間は,試験報告書に記載しなければならない。各試験が終わった後,“SCPD”を交換又


36 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

はリセットする。 

 

 

a) 交流2線式又は直流2線式 

 

 

b) 直流3線式 

図10−短絡回路試験(8.3.4.2参照) 

 

8.3.4.2 

結果 

試験後に近接スイッチの実効動作距離を測定し,7.2.1.3.1に示した範囲内でなければならない。また,

8.3.3.4に従って実施する耐電圧試験に合格しなければならない。 

8.4 

動作距離試験 

8.4.1 

誘導形近接スイッチ,静電容量形近接スイッチ,非機械式磁気形近接スイッチ及び超音波形近接ス

イッチ 

8.4.1.1 

試験条件 

この試験は,新品の近接スイッチを使用する。近接スイッチは,附属書Aを参考に製造業者が定める方

法で取り付け,検出体を毎秒1 mm以下の速度で軸方向に近接スイッチの検出面に接近又は離れていくよ

うに移動させる。動作距離を,図3又は図4に示したように測定する。 

8.4.1.2 

実効動作距離(sr) 

実効動作距離は,23 ℃±5 ℃の周囲温度における定格電圧,又は電圧範囲内のある電圧のいずれかで測

定する。測定値は,7.2.1.3.1に示した範囲内でなければならない。 

8.4.1.3 

応差(H) 

応差は,実効動作距離(sr)のパーセンテージとして定義している。周囲温度23 ℃±5 ℃において定格

電源電圧で測定する。検出体は,近接スイッチの方へ実効動作距離の範囲内に接近させ,その後遠ざける。

測定値は,7.2.1.5に従わなければならない。 

8.4.1.4 

有効動作距離(su) 

有効動作距離は,周囲温度が−25 ℃〜+70 ℃の範囲において定格電源電圧値の85 %及び110 %の値で

測定する。検出体は,近接スイッチの方へ接近させる。測定値は,7.2.1.3.2に示した範囲内でなければな

らない。 


37 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

8.4.1.5 

繰返し精度(R) 

実効動作距離の繰返し精度は,エンクロージャの周囲温度23 ℃±5 ℃で電源電圧(定格使用電圧)Ue

の±5 %,又は定格使用電圧内の任意の電圧の±5 %で8時間にわたり測定する。検出体は,近接スイッチ

の方へ接近させる。測定値は,7.2.1.4に示した範囲内でなければならない。 

8.4.2 

光電形近接スイッチ 

8.4.2.1 

余裕度測定 

余裕度測定は,次による。 

− 反射形(type D)  

標準検出体を定格動作距離の位置に置く。光電形近接スイッチが動作しなくなるまで,NDフィル

タを使って輝度を減少させて測定する。その後,余裕度を計算する。 

− リフレクタ形(type R)及び透過形(type T)  

投光器又はリフレクタを動作範囲に置く。光電形近接スイッチが動作するまで,NDフィルタを使

って輝度を減少させて測定する。その後,余裕度を計算する。 

例 余裕度2の検出距離を測定するために,透過形(type T)は,50 %のNDフィルタを用いてもよ

い。また,リフレクタ形(type R)及び反射形(type D)では,70 %のNDフィルタを用いてもよ

い。フィルタは,検出面にできるだけ近づけるのがよい。 

NDフィルタ測定技術を用いることが望ましいが,同様の結果を得られれば他の方法を用いてもよい。

その場合,製造業者は,測定方法を明確に定めなければならない。 

注記 フィルタからの反射による誤動作を避ける注意が必要である。 

8.4.2.2 

動作,検出範囲及び/又は動作距離試験 

この試験は,他の試験後の検証として明記した場合を除いて,新品の光電形近接スイッチを使い,清浄

空気条件で周囲温度が23 ℃±5 ℃で8.4.2.3に従って得られる暗がり(300 lx未満)及び5 000 lxの周囲

光の両方で定格電圧又は定格電圧範囲内のいずれかの電圧で行う。 

余裕利得は,製造業者が定める。 

8.4.2.3 

周囲光源 

光源として,3 000 K〜3 200 Kの間の色温度を備えたものを使用する。光強度は,照度計によって測定

し,光源を動かすことによって調節する。 

8.4.2.4 

透過形(type T) 

最大動作距離及び最小動作距離付近で,投光器を軸方向に毎秒1 mm以下の速度で受光器に向けて移動

させ,最大動作距離及び最小動作距離を次の条件で測定する。 

a) 周囲光がない場合(300 lx) 

b) 周囲光がある場合(5 000 lx) 

光源を基準軸に対して5°±1°の角度に配置し,受光器に向けて照射する[図11 a) 参照]。 

8.4.2.5 

リフレクタ形(type R) 

リフレクタは,最大動作範囲(ro)の基準軸上に取り付ける。 

光源を基準軸に対し5°±1°の角度に配置し,光電形近接スイッチに向けて照射する[図11 b) 参照]。 

8.4.2.6 

反射形(type D) 

反射形(type D)の動作試験は,次による。 

a) 動作距離が400 mm以下のもの。 

光源を基準軸に対し15°±1°の角度に配置し,検出体に向けて照射する[図11 d) 参照]。 


38 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

光電形近接スイッチを毎秒1 mm以下の速度で,検出体の軸方向に移動させ,次の条件で検出距離

を測定する。 

1) 周囲光がない場合(300 lx) 

2) 周囲光がある場合(5 000 lx) 

b) 動作距離が400 mmを超えるもの。 

光源を基準軸に対して15°±1°の角度に配置し,光電形近接スイッチに向けて照射する[図11 c) 

参照]。 

動作距離の付近で検出体を毎秒1 mm以下の速度で,光電形近接スイッチの軸方向に移動させ,次

の条件で検出距離を測定する。 

1) 周囲光がない場合(300 lx) 

2) 周囲光がある場合(5 000 lx) 

8.4.2.7 

結果 

検出範囲の測定値は,製造業者が定める範囲内になければならない(7.2.1.3.4及び7.2.1.3.5参照)。 

 

 

a) 透過形(type T)の光電形近接スイッチの投光器及び受光器 

 

 

b) リフレクタ形(type R)の光電形近接スイッチの投光器,受光器及びリフレクタ 

 

 

c) 反射形(type D)の光電形近接スイッチ投受光器−検出体 

図11−検出範囲の試験(8.4参照) 

 


39 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

 

d) 反射形(type D),投受光器−検出体 

図11−検出範囲の試験(8.4参照)(続き) 

 

 

 

a) 方法1 

b) 方法2 

 

1 近接スイッチ 
2 検出体 
3 非磁性及び非導電性ディスク 

 一つ目の検出体と二つ目の検出体との角度の影響を避けるため,ディスクは定格動作距離(sn)が10 mm以下の

場合は10個以上の検出体,又はそれ以上の動作距離の場合は6個以上の検出体で構成する。 

 

図12−誘導形近接スイッチ,静電容量形近接スイッチ及び非機械式磁気形近接スイッチ(該当する場合)

の動作サイクル周波数測定方法 

 

8.5 

動作サイクル周波数試験 

近接スイッチの動作サイクル周波数が8.5.1〜8.5.3の測定方法の限界を超える場合は,製造業者が測定方

法を定める。 

8.5.1 

動作サイクル周波数測定方法 

動作サイクル周波数測定方法は,次による。 

a) 誘導形近接スイッチ,静電容量形近接スイッチ及び非機械式磁気形近接スイッチ 図12に示すよう

に,検出体を回転ディスクの歯の前面[図12 a) 参照]又は側面[図12 b) 参照]に2aの間隔で固定

し,近接スイッチの検出面から定格動作距離の半分(sn/2)までのところを通過するようにする。 

各検出体は,8.3.2.1に規定の寸法と同一のものとする。近接スイッチの出力信号は,ゼロ回転から

回転を上昇させて測定する。 

静電容量形近接スイッチの試験では,各検出体を接地接続でなければならない。 

近接スイッチの出力波形例を図14に示す。 


40 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

回転の上昇に伴ってt1及びt2が減少する。 

直流近接スイッチの場合は,t1若しくはt2が50 μsに相当するとき,又は“オン”若しくは“オフ”

状態での出力信号が附属書Aを参考に製造業者が定める値になったときに,動作サイクル周波数の値

が得られる。 

交流近接スイッチの場合には,動作サイクル周波数は,t1又はt2のいずれかが電源周波数(fb)の

1/2に相当するときに得られる。 

b) 超音波形近接スイッチ 図13に示すように,検出体は回転ディスクの歯の前面[図12 a) 参照]又は

側面[図12 b) 参照]に固定する。 

歯の間隔は3aとし,歯が最小動作距離で検出面の前を通過できるように,近接スイッチをこの動作

距離に調節しなければならない。 

 

 

 

a) 方法1 

b) 方法2 

 

1 近接スイッチ 
2 検出体 
3 音響反射物質ディスク 

 

− 一つ目の検出体と二つ目の検出体との角度の影響を避けるため,ディスクは10個以上の検出体で構成する。 
− 方法2は,狭ビーム角近接スイッチだけに適用する。 

 

図13−超音波形近接スイッチの動作サイクル周波数測定方法 

 

 

 

図14−動作サイクル周波数(f)の測定時の直流近接スイッチの出力信号 

 

動作サイクル周波数(f)は,次の式で決定する。 


41 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

2

1

1

t

t

f

 

8.5.2 

結果 

動作サイクル周波数は,附属書Aを参考に製造業者が定める値以下であってはならない。 

8.5.3 

光電形近接スイッチ 

8.5.3.1 

測定方法 

図15に示すように,一つ以上の歯を備えた回転ディスクを近接スイッチの検出面と平行に,かつ,歯の

中心近くを近接スイッチの基準軸が通過する距離は,製造業者の定めた距離で設定する。 

 

 

透過形(type T) 

1 受光器 
2 ディスク 
3 投光器 
4 基準センサ 

リフレクタ形(type R) 

1 投光器・受光器 
2 ディスク 
3 リフレクタ 
4 基準センサ 

反射形(type D) 

1 投光器・受光器 
2 ディスク 
3 検出体 
4 基準センサ 

図15−ターンオン時間(ton)及びターンオフ時間(toff)の測定方法 

 

透過形(type T)及びリフレクタ形(type R)は,有効なビームを回転検出体で完全に遮蔽する。 

反射形(type D)では,回転検出体の表面は,標準検出体と同一物質とする。 

動作距離が試験に影響を及ぼす場合,製造業者は試験距離を定める。 

供試品(EUT)の10倍以上の動作サイクル周波数をもつ基準センサを,ディスクの周りに取り付ける。 

記録計(例えば,メモリオシロスコープ)は,近接スイッチ及び基準センサからの信号波形(カーブ)

を同時に描くことができるものを用いる(図16及び図17参照)。 

8.5.3.2 

ターンオン時間(ton)の測定 

基準センサ及び供試品の出力が同時になるように,ディスクをゆっくり動かして位置関係を調整する。 

ターンオン時間(ton)を測定するためのディスクの回転速度は,製造業者が定めた最大動作サイクル周

波数のほぼ半分とする。ターンオン時間は,基準センサと供試品との間の出力変化の最大遅れ時間とする

(図16参照)。 

 

 


42 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

遅れ

B状態

A状態

検出体あり

検出体なし

基準センサ出力

供試品出力

遅れ

B状態

A状態

検出体あり

検出体なし

基準センサ出力

供試品出力

 

 

注記 図は,論理的なA状態及びB状態を示す。近接スイッチの種類によってA状態とB状態とは異なる。 

 

図16−ターンオン時間(ton)の測定 

 

8.5.3.3 

ターンオフ時間(toff)の測定 

基準センサ及び供試品の出力が同時になるように,ディスクをゆっくり動かして位置関係を調整する。 

ターンオフ時間(toff)を測定するためのディスクの回転速度は,製造業者が定めた最大動作サイクル周

波数のほぼ半分とする。ターンオフ時間は,基準センサと供試品との間の出力変化の最大遅れ時間とする

(図17参照)。 

 

遅れ

B状態

A状態

検出体あり

検出体なし

基準センサ出力

供試品出力

遅れ

B状態

A状態

検出体あり

検出体なし

基準センサ出力

供試品出力

 

 

注記 図は,論理的なA状態及びB状態を示す。近接スイッチの種類によってA状態とB状態とは異なる。 

 

図17−ターンオフ時間(toff)の測定 

 

8.5.3.4 

結果 

7.2.1.6.2に規定する式によって決定する動作サイクル周波数(f)は,製造業者が定めた値以上でなけれ

ばならない。 

8.6 

電磁両立性(EMC)の検証 

8.6.1 

一般 

試験は,次の共通条件下で行わなければならない。 

− フリーエアに取り付けた近接スイッチを,定格使用電流(Ie)に相当する負荷に接続し,定格使用電

圧(Ue)で,又は定格使用電圧が範囲で与えられている場合は,Ue maxで行う。 

− 接続リード線は,

0.1
0

2+

mでなければならない。リード線引出式でない近接スイッチに対しては,使用

するリード線の形式を製造業者が記載し,試験報告書に記録しなければならない。 

試験は,次の条件で行う。 

a) 開閉素子がオフ状態になるような位置に検出体を配置したとき。 

b) 開閉素子がオン状態になるような位置に検出体を配置したとき。 

− 誘導形近接スイッチ及び静電容量形近接スイッチは,検出体を1/3sn又は3snに配置しなければならな

い。 


43 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

− 光電形近接スイッチは,二段階で試験を実施する。まず,検出体(リフレクタ又は投光器)を余裕利

得2の位置において試験する。 

その後,次のいずれかの条件で試験する。 

− 反射形(type D)は,検出体なしで試験する。 

− リフレクタ形(type R)は,リフレクタなしで試験する。 

− 透過形(type T)は,投光器なしでで試験する。 

 

7.2.6.2.4に従った試験には,次の追加取付条件を適用する。 

− 円柱形近接スイッチは,図A.2(IA)b) に従い非埋込方法で取り付ける。近接スイッチのナット間に

固定した金属ワッシャは,基準接地面に接続する。 

− 角形近接スイッチは,基準グランドプレーンに接続した平らな金属板の上に非埋込方法で取り付ける。 

− 基準グランドプレーンへの接続方法は,製造業者が指示する場合はそれに従い,試験報告書に記録す

る。 

8.6.2 

イミュニティ 

8.6.2.1 

静電気放電 

JIS C 61000-4-2及び7.2.6.2.2に従って試験を行う。 

試験は,1秒間以上のパルス間隔で各々10回繰り返す。 

8.6.2.2 

放射無線周波電磁界強度 

JIS C 61000-4-3及び7.2.6.2.3に従って試験する。 

8.6.2.3 

電気的ファストトランジェント/バースト 

JIS C 61000-4-4及び7.2.6.2.4に従い,全ての接続リード線を容量性結合クランプの中に置いて試験する。 

8.6.2.4 

無線周波数電磁界によって誘導された伝導妨害 

IEC 61000-4-6及び7.2.6.2.6に従って試験する。 

8.6.2.5 

電源周波数磁界 

JIS C 61000-4-8及び7.2.6.2.7に従って試験する。 

8.6.2.6 

電圧ディップ及び短時間停電 

JIS C 61000-4-11及び7.2.6.2.8に従って試験する。 

8.6.2.7 

電源高調波 

試験レベルは検討中である。 

8.6.3 

エミッション 

CISPR 11における,グループl,クラスA及び7.2.6.3に従い試験する。 

これらの限界値は,工業環境(環境A)で使用する近接スイッチに適用する。 

それらが,家庭環境(環境B)で使われる場合は,使用上の指示に次の警告を含まれなければならない。 

 

警告 

この製品は,クラスAです。家庭環境においてこの製品は電波障害を起こす場合があります。 

この場合は,使用者が十分な対策を講じて下さい。 

 

8.7 

試験結果及び試験報告書 

試験結果は,包括的に試験報告書にまとめなければならない。試験報告書では,目的,結果及び試験に


44 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

関係する全ての情報を示さなければならない。試験報告書は,リード線のレイアウト及び必要な補助装備

を含めて,試験する近接スイッチを定義しなければならない。試験計画からのいかなる逸脱も記載しなけ

ればならない。 

近接スイッチの原理動作と設計とが同じ分類に属し,構成要素が同じ形式のものを用いている場合は,

代表供試品で試験してもよい。さらに,当初の結果に基づき,試験機関は放射又は伝導性試験に対する試

験周波数範囲を限定してもよい。また,使用した周波数範囲は,報告書に明記しなければならない。 

 


45 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

附属書A 

(参考) 

近接スイッチの標準寸法及び動作距離 

 

注記 近接スイッチの寸法及び動作距離は,従来“規定”としていた。今回,この附属書の位置付け

を,“参考”に変更した。これは,技術的進歩を制限しないためである。 

 

モデルIA 

円柱ねじ形状誘導形近接スイッチ 

 

A.1(IA) 寸法 

図A.1(IA)に示す寸法及びねじサイズは,表A.1(IA)による。リード線全ての固定部分を含めて,

d1及びl2の寸法以下とする。d2のねじ山がない部分の直径は,ねじの谷径以下とする。埋込形I1では,l3

=1 mm以下の長さでねじなしでもよく,直径はd2とする。非埋込形I2では,l3=2sn以下の長さでねじな

しでもよく,直径はd2とする。 

 

 

図A.1(IA)−寸法 

 

表A.1(IA)−寸法 

単位 mm 

検出方法:誘導形(I) 

寸法 

本体 

ナット 

埋込形 

非埋込形 

d1 

l1 

l2 

二面幅 

d3 a) 

形式 

ねじサイズ 

最小 

最大 

(AF) 

+0.15 

最大 

I1A08 

I2A08 

M 8×1 

40 

60 

13 

15 

I1A12 

I2A12 

M12×1 

40 

80 

17 

20 

I1A18 

I2A18 

M18×1 

50 

100 

24 

28 

I1A30 

I2A30 

M30×1.5 

50 

100 

36 

42 

注a) d3最小=1.13 AF 

 


46 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

A.2(IA) 定格動作距離 

埋込形及び非埋込形近接スイッチの定格動作距離は,表A.2(IA)による。定格動作距離は,公称値で

あり,電圧,温度などの外部条件による変動及び製造許容差を考慮していない(2.3.1.1及び7.2.1.3.1参照)。 

 

表A.2(IA)−定格動作距離 

単位 mm 

埋込形 I1 

非埋込形 I2 

形状寸法 

定格動作距離 

形状寸法 

定格動作距離 

A08 

A08 

A12 

A12 

A18 

A18 

A30 

10 

A30 

15 

 

A.3(IA) 取付け 

埋込形近接スイッチを感応物質へ取り付ける場合は,図A.2(IA)a)による。 

非埋込形近接スイッチを感応物質へ取り付ける場合は,図A.2(IA)b)による。 

 

 

 

a) 埋込形の場合 

b) 非埋込形の場合 

図A.2(IA)−取付け 

 

A.4(IA) 動作サイクル周波数(f)の最小値 

動作サイクル周波数(f)の最小値は,表A.3(IA)による。 

 


47 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

表A.3(IA)−動作サイクル周波数(f)の最小値 

単位 Hz 

形状寸法 

取付け 

開閉素子機能:A又はB 

出力形式 

P又はN 

A08 


500 
300 

300 
200 

A12 


400 
200 

200 
100 

A18 


200 
100 

100 

50 

A30 


70 
50 

50 
30 

注記 この表の動作サイクル周波数は,一般的な形状寸法だ

けを定めている。その他の考えられる全ての形(表1
の分類に適合する近接スイッチ)については,動作サ
イクル周波数は,製造業者が決める。 

 


48 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

モデルIB 

円柱円筒形状誘導形近接スイッチ 

 

A.1(IB) 寸法 

図A.1(IB)に示す寸法は,表A.1(IB)による。リード線の全ての固定部分を含め,d1及びl2の寸法

以下とする。長さl2内の近接スイッチのいかなる部分も直径がd1以下とする。 

 

 

図A.1(IB)−寸法 

 

表A.1(IB)−寸法 

単位 mm 

検出方法:誘導形(I) 

寸法 

埋込形1 

d1 

l1 

最小 

l2 

最大 

l3 

最大 

I1B04 

25 

50 

0.5 

I1B06 

6.5 

40 

60 

 

A.2(IB) 定格動作距離 

定格動作距離は,表A.2(IB)による。定格動作距離は,公称値であり,電圧,温度などによる外部条

件による変動及び製造許容差を考慮していない(2.3.1.1及び7.2.1.3参照)。 

 

表A.2(IB)−定格動作距離 

単位 mm 

埋込形I1 

形状寸法 

定格動作距離 

B04 

0.8 

B06 

 

A.3(IB) 取付け 

誘導形近接スイッチを感応物質へ取り付ける場合は,図A.2(IB)による。 

 


49 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

 

図A.2(IB)−感応物質への取付け 

 

A.4(IB) 動作サイクル周波数(f)の最小値 

動作サイクル周波数(f)の最小値は,表A.3(IB)による。 

 

表A.3(IB)−動作サイクル周波数(f)の最小値 

単位 Hz 

形状寸法 

取付け 

開閉素子機能:A又はB 

出力形式 

P又はN 

B04 

600 

300 

B06 

500 

250 

注記 この表の動作サイクル周波数は,一般的な形状寸法だけを定

めている。その他の考えられる全ての形(表1の分類に適合
する近接スイッチ)については,動作サイクル周波数は,製
造業者が決める。 

 


50 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

モデルIC 

断面が正方形の角形誘導形近接スイッチ 

 

A.1(IC) 寸法 

A.1.1(IC) 形式I1C26誘導形近接スイッチ(埋込形,26 mm×26 mm) 

全体寸法及び取付寸法は,図A.1(IC)による。 

リード線固定部分は,全体寸法に含む。リード線取付口は,外径7 mm〜10 mmのリード線を通すこと

ができ,強固に固定できなければならない。 

 

単位 mm 

 

図A.1(IC)−寸法 

 

A.1.2(IC) 形式I2C35誘導形近接スイッチ(非埋込形,35 mm×35 mm) 

全体寸法及び取付寸法は,図A.1.2(IC)による。 

リード線固定部分は,全体寸法に含む。 

 

単位 mm 

 

図A.1.2(IC)−寸法 

 


51 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

A.1.3(IC) 形式I2C30誘導形近接スイッチ(非埋込形,30 mm×30 mm) 

形式I1C30誘導形近接スイッチ(埋込形,30 mm×30 mm) 

全体寸法及び取付寸法は,図A.1.3(IC)による。リード線固定部分は,全体寸法に含まない。 

 

単位 mm 

 

図A.1.3(IC)−寸法 

 

A.1.4(IC) 形式I2C40誘導形近接スイッチ(非埋込形,40 mm×40 mm) 

形式I1C40誘導形近接スイッチ(埋込形,40 mm×40 mm) 

全体寸法及び取付寸法は,図A.1.4(IC)による。リード線固定部分は,全体寸法に含まない。 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


52 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

単位 mm 

 

図A.1.4(IC)−寸法 

 

A.2(IC) 定格動作距離 

定格動作距離は,表A.2(IC)による。定格動作距離は,公称値であり,電圧,温度などによる外部条

件による変動及び製造許容差を考慮していない(2.3.1.1及び7.2.1.3参照)。 

 

表A.2(IC)−定格動作距離 

単位 mm 

形式 

定格動作距離 

I 1C26 埋込形 

10 

I 2C35 非埋込形 

15 

I 1C40 埋込形 

15 

I 2C40 非埋込形 

20 

I 1C30 埋込形 

10 

I 2C30 非埋込形 

15 

 

A.3(IC) 取付け 

A.3.1(IC) 形式I1Cの近接スイッチ 

図A.2(IC)は,感応物質へ取り付けた形式I1Cの近接スイッチを示す。 

図A.2(IC)a) は,検出面が前面にある近接スイッチを示す。 

図A.2(IC)b) は,検出面が側面にある近接スイッチを示す。 

 


53 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

 

図A.2(IC)−感応物質への形式I1C近接スイッチの取付け 

 

A.3.2(IC) 形式I2Cの近接スイッチ 

図A.3(IC)は,感応物質へ取り付けた形式I2Cの近接スイッチを示す。 

 

 

a) 角部への取付け 

b) 溝部への取付け 

 

 

c)  感応物質へ埋め込まれた場合 

d) 感応物質へ埋め込まれない場合 

図A.3(IC)−感応物質への形式I2C近接スイッチの取付け 

 

A.4(IC) 動作サイクル周波数(f)の最小値 

動作サイクル周波数(f)の最小値は,表A.3(IC)による。 

 


54 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

表A.3(IC)−動作サイクル周波数(f)の最小値 

単位 Hz 

形状寸法 

取付け 

開閉素子機能:A又はB 

出力形式 

P又はN 

C26 

40 

40 

C35 

100 

50 

C30 

70 

50 

C40 

50 

50 

注記 この表の動作サイクル周波数は,一般的な形状寸法だ

けを定めている。その他の考えられる全ての形(表1
の分類に適合する近接スイッチ)については,動作サ
イクル周波数は,製造業者が決める。 

 


55 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

モデルID 

断面が長方形の角形誘導形近接スイッチ 

 

A.1(ID) 寸法 

形式I2D非埋込形近接スイッチの全体寸法及び取付寸法は,図A.1(ID)及び表A.1(ID)による。リ

ード線固定部分は,全体寸法に含まない。 

 

単位 mm 

 

図A.1(ID)−寸法 

 

表A.1(ID)−寸法 

単位 mm 

形式 

l1最大 

l2=b2 

b1最大 

I2D60 

120 

45 

60 

I2D80 

135 

65 

80 

 

A.2(ID) 定格動作距離 

非理込形近接スイッチの定格動作距離は,表A.2(ID)による。 

定格動作距離は,公称値であり,電圧,温度などによる外部条件又は製造許容差による変化を考慮して

いない(2.3.1.1及び7.2.1.3参照)。 

 

表A.2(ID)−定格動作距離 

単位 mm 

形式 

定格動作距離 

I2D60 非埋込形 

25 

I2D80 非埋込形 

40 

 


56 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

A.3(ID) 取付け 

図A.2(ID)は,感応物質へ取り付けた形式I2D60及びI2D80の近接スイッチを示す。 

 

 

図A.2(ID)−感応物質への形式I2Dの取付け 

 

A.4(ID) 動作サイクル周波数(f)の最小値 

動作サイクル周波数(f)の最小値は,表A.3(IC)による。 

 

表A.3(IC)−動作サイクル周波数(f)の最小値 

単位 Hz 

形状寸法 

取付け 

開閉素子機能:A又はB 

出力形式 

P又はN 

D60 

25 

15 

D80 

10 

10 

注記 この表の動作サイクル周波数は,一般的な形状寸法だ

けを定めている。その他の考えられる全ての形(表1
の分類に適合する近接スイッチ)については,動作サ
イクル周波数は,製造業者が決める。 

 


57 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

モデルCA 

円柱ねじ形状静電容量形近接スイッチ 

 

A.1(CA) 寸法 

図A.1(CA)に示す寸法及びねじサイズは,表A.1(CA)による。リード線の全ての固定部分を含め,

d1及びl2の寸法以下とする。d2のねじのない部分の直径は,ねじの谷径以下とする。図のl3部分は,l3≦

2snまでねじを省略でき,その直径はd2まで減少できる。 

 

 

図A.1(CA)−寸法 

 

表A.1(CA)−寸法 

単位 mm 

検出方法: 

寸法 

静電容量形(C) 

形式 

本体 

ナット 

d1 

ねじサイズ 

l1 

最小 

l2 

最大 

二面幅 

(AF) 

+0.15 

d3 a) 

最大 

CA18 

M18×1 

50 

100 

24 

28 

CA30 

M30×1.5 

50 

100 

36 

42 

注a) d3最小=1.13 AF 

 

A.2(CA) 定格動作距離(sn) 

定格動作距離は,A.3(CA)の取付条件に従い製造業者が調整する。定格動作距離は,表A.2(CA)に

よって設定する。 

定格動作距離は公称値であり,電圧,温度,湿度などの外部条件による変動及び製造許容差を考慮して

いない。 

 

表A.2(CA)−定格動作距離 

単位 mm 

形式 

定格動作距離 

CA18 

CA30 

10 

 


58 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

A.3(CA) 取付け 

取付けは,図A.2(CA)による。 

 

 

図A.2(CA)−取付け 

 

A.4(CA) 動作サイクル周波数(f)の最小値 

形式A18及び形式A30の動作サイクル周波数(f)の最小値は,10 Hzとする。 

 


59 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

モデルCB 

円柱円筒形状静電容量形近接スイッチ 

 

(検討中) 

 


60 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

モデルCC 

断面が正方形の角形静電容量形近接スイッチ 

 

A.1(CC) 寸法 

全体寸法及び取付寸法は,形式C30は図A.1(CC)a)に,形式C40は図A.1(CC)b)による。 

これらの寸法は別として,近接スイッチは設計上の制約を受けない。 

取付寸法は,ハウジング全体寸法に含むが,リード線取付口の寸法は含まない。 

 

単位 mm 

 

a) 形式C30の寸法 

図A.1(CC)−断面が正方形の角形静電容量形近接スイッチの寸法 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


61 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

単位 mm 

 

b) 形式C40の寸法 

図A.1(CC)−断面が正方形の角形静電容量形近接スイッチの寸法(続き) 

 

A.2(CC) 定格動作距離(sn) 

定格動作距離は,A.3(CC)の取付条件に従い,製造業者が調整する。 

定格動作距離は,表A.2(CC)のとおりでなければならない。定格動作距離は,公称値であり,電圧,

温度,湿度などの外部条件による変動及び製造許容差を考慮していない。 

 

表A.2(CC)−定格動作距離 

単位 mm 

形式 

定格動作距離 

CC30 

10 

CC40 

15 

 

A.3(CC) 取付け 

取付けは,図A.2(CC)による。 

 


62 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

 

図A.2(CC)−取付け 

 

A.4(CC) 動作サイクル周波数(f)の最小値 

形式C30及び形式C40の動作サイクル周波数(f)の最小値は,10 Hzとする。 

 


63 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

モデルCD 

断面が長方形の角形静電容量形近接スイッチ 

 

A.1(CD) 寸法 

形式D80近接スイッチの全体寸法及び取付寸法は,図A.1(CD)による。 

リード線固定部分は,全体寸法に含まない。 

 

単位 mm 

 

図A.1(CD)−寸法 

 

A.2(CD) 定格動作距離(Sn) 

定格動作距離は,A.3(CD)の取付条件に従い製造業者が調整する。 

定格動作距離は,sn=40 mmでなければならない。 

定格動作距離は,公称値であり,電圧,温度などの外部条件による変動及び製造許容差を考慮していな

い。 

 

A.3(CD) 取付け 

近接スイッチは,感応物質に取り付けなければならない。感応物質の寸法は,静電容量形近接スイッチ

の外形寸法の3倍以上でなければならない。検出面の対向面の感応物質は,3sn以内に近づけてはならない。 

 


64 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

 

図A.2(CD)−取付け 

 

A.4(CD) 動作サイクル周波数(f)の最小値 

形式D80の動作サイクル周波数(f)の最小値は,10 Hzとする。 

 


65 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

モデルUA 

円柱ねじ形状超音波形近接スイッチ 

 

A.1(UA) 寸法 

図A.1(UA)に示す寸法及びねじサイズは,表A.1(UA)による。リード線の全ての固定部分も含めて,

d1及びl2の寸法以下とする。d2の直径は,検出範囲を拡大するために,ねじ直径を超えてもよい。 

d4のねじのない部分の直径は,ねじ谷径以下とする。 

 

 

図A.1(UA)−寸法 

 

表A.1(UA)−寸法 

単位 mm 

形式 

寸法 

本体 

ナット 

d1 

ねじサイズ 

d2 

l1 

最小 

l2 

最大 

l3 

二面幅 

(AF) 

+0.15 

d3 a) 

最大 

U3A18..A 

M18×1 

M18 

30 

100 

24 

28 

U3A30..A 

M30×1.5 

M30 

50 

150 

36 

42 

U3A30..B 

M30×1.5 

M30 

50 

150 

36 

42 

U3A30..E 

M30×1.5 

最大70 

50 

150 

35 

36 

42 

U3A42..D 

M42×1 

M42 

35 

150 

50 

57 

U3A42..E 

M42×1 

最大70 

50 

150 

35 

50 

57 

注a) d3最小=1.13AF 

 

A.2(UA) 検出範囲 

超音波形近接スイッチの場合の最大及び最小動作距離は,表A.2(UA)による。 

これらの距離は公称値であり,温度,標高,湿度などの外部条件による変動を考慮していない。 

 


66 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

表A.2(UA)−検出範囲要求事項 

単位 mm 

検出範囲 

最小値 

最大値 

検出体の大きさ 

60 

300 

10× 10 

300 

800 

20× 20 

500 

2000 

100×100 

800 

6000 

100×100 

 

A.3(UA) 取付け 

製造業者の説明書による。 

 

A.4(UA) 動作サイクル周波数(f) 

秒当たりの動作サイクル又は分当たりの動作サイクルのいずれかを製造業者が定める。 

 


67 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

モデルUC 

断面が正方形の角形超音波形近接スイッチ 

 

A.1(UC) 寸法 

全体寸法及び取付寸法は,図A.1(UC)による。 

これらの寸法は別として,近接スイッチは設計上の制約を受けない。 

取付寸法は,ハウジング全体寸法に含まれるが,リード線取付口の寸法は含まない。 

 

単位 mm 

 

図A.1(UC)−形式U3C40の寸法 

 

A.2(UC) 検出範囲 

超音波形近接スイッチの最大及び最小動作距離は,表A.1(UC)による。 

これらの距離は公称値であり,温度,標高,湿度などの外部条件による変動を考慮していない。 

 

表A.1(UC)−検出範囲要求事項 

単位 mm 

検出範囲 

最小値 

最大値 

検出体の大きさ 

60 

300 

10× 10 

300 

1000 

20× 20 

800 

6000 

100×100 

 

A.3(UC) 取付け 

製造業者の説明書による。 

 


68 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

A.4(UC) 動作サイクル周波数(f) 

秒当たりの動作サイクル又は分当たりの動作サイクルのいずれかを製造業者が定める。 

 


69 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

モデルUD 

断面が長方形の角形超音波形近接スイッチ 

 

A.1(UD) 寸法 

形式U3D80超音波形近接スイッチの全体寸法及び取付寸法は,図A.1(UD)による。 

リード線固定部分は,全体寸法に含まない。 

 

単位 mm 

 

図A.1(UD)−形式U3D80の寸法 

 

A.2(UD) 検出範囲 

動作距離は,表A.2(UD)による。 

これらの距離は公称値であり,温度,標高,湿度などの外部条件による変動を考慮していない。 

 

表A.2(UD)−検出範囲要求事項 

単位 mm 

検出範囲 

最小値 

最大値 

検出体の大きさ 

60 

300 

10× 10 

300 

1000 

20× 20 

800 

6000 

100×100 

 

A.3(UD) 取付け 

製造業者の説明書による。 

 


70 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

A.4(UD) 動作サイクル周波数(f) 

秒当たりの動作サイクル又は分当たりの動作サイクルのいずれかを製造業者が定める。 

 


71 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

附属書B 

(規定) 

封止によって絶縁したクラスII近接スイッチの要求事項及び試験 

 

B.1 

一般 

この附属書は,クラスII近接スイッチ又は封止によってJIS C 0365のクラスIIを実現する装置の,部品

に対する構造上の要求事項及び試験を規定する。 

封止しない部品は,全て,空間距離及び沿面距離に関する二重絶縁を規定した要求事項に準じる。 

 

B.2 

定義 

この附属書に,B.2.1〜B.2.3の定義を適用する。 

B.2.1 

封止 

あらゆる部品,導体,及び一体形リード線の末端を,成形又は注形のような適切な方法によって,絶縁

樹脂に入れる方法。 

B.2.1.1 

成形 

型に入れた電子部品の全体を覆うように樹脂を注入して完全に封止し,封止した部品を樹脂の固化後に

型から抜く方法。 

B.2.1.2 

注形 

ケースが封止した電子部品に付着して残る成形方法。 

B.2.2 

樹脂 

熱硬化性材料,熱可塑性材料,触媒硬化性材料又はエラストマー材料の硬化物。充塡剤及び添加剤の有

無は問わない。 

B.2.3 

樹脂の温度範囲 

周囲温度の範囲は,JIS C 8201-1の6.1.1(周囲温度)による。 

 

B.5 

表示 

この附属書に準じる近接スイッチには,次の記号を付ける。 

 

 

この記号は,60417-2-IEC-5172である。 

 

B.7 

構造及び性能要求事項 

B.7.1 樹脂の選択 

樹脂は,封止されている近接スイッチが,B.8の試験に適合するように選択する。 


72 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

B.7.2 樹脂の接着性 

樹脂は,樹脂と封止される全部品との間に水分が入らないように,及びリード線に封止部分がある場合

はそれが動かないように,十分な接着性をもたなければならない。 

上記の内容が遵守されているかどうかは,B.8.1.2.5及びB.8.1.2.2の試験によって検証する。 

 

 

図B.1−封止した機器 

 

B.7.3 耐電圧性能 

7.2.3を次のように変更する。 

定格インパルス耐電圧(Uimp)を製造業者が定める場合は,試験電圧は,過電圧分類を定めたJIS C 8201-1

の附属書H(電源システムの公称電圧と装置の定格インパルス耐電圧との間の相関関係)における表H.1

の1列目に示す最大定格動作電圧の2番目に高い種別の値とする。 

定格インパルス耐電圧を製造業者が定めない場合,試験電圧はこの規格の表6に示す電圧に1 000 Vを

加えた値とする。 

 

B.8 

試験 

B.8.1 試験の種類 

B.8.1.1 一般 

JIS C 8201-1の8.1.1(一般)による。 

B.8.1.2 形式試験 

次に示す六つの試験を,三つの各供試品に対し定められた順序で行う。 

B.8.1.2.1 耐電圧試験 

IEC 60947-1の8.3.3.4(耐電圧性能)に,次の例外事項を適用する。耐電圧試験用の電圧は,被覆をむ

いて接続したリード線の末端又は短絡した端子と,封止した部品の表面部の任意の位置(又は表面部の金

属はく)との間に印加する(図B.1参照)。 

絶縁体において絶縁破壊が起きてはならない。 

B.8.1.2.2 リード線試験(該当する場合) 

リード線引出式近接スイッチは,附属書Cの要求事項に従わなければならない。 

B.8.1.2.3 熱衝撃試験 

試験Naは,JIS C 60068-2-14に従って行う。ただし,数値は次のものを用いる。 

− TA及びTBは,B.2.3に規定する最低及び最高温度とする。 


73 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

− 変化の時間t2:2分〜3分 

− サイクル数:5 

− 放置時間t1:3時間 

この試験の後,目に見える損傷があってはならない。 

成形した樹脂の小さな亀裂は,B.8.1.2.3,B.8.1.2.4及びB.8.1.2.5の試験の後であった場合でも許容する

(図B.1参照)。このような亀裂は,最終試験であるB.8.1.2.6の結果を損なうことはないとする。 

B.8.1.2.4 打撃試験 

この試験は,次の要領で行う(図B.2参照)。 

供試品は,硬い土台の上に置く。 

0.5 Jの打撃を3回,封止した部品の最大表面又は最長軸(円筒形の場合)の中心付近に与える。 

打撃を与えるときは,200 mmの高さから0.25 kgの鋼球を落下させる。 

 

 

図B.2−試験装置 

 

土台の硬さは,与えられた打撃エネルギーによるへこみが0.1 mm以下の場合は許容する。 

この試験の後,目に見える損傷があってはならない。 

成形した樹脂の小さな亀裂などは,B.8.1.2.3,B.8.1.2.4及びB.8.1.2.5の試験の後であった場合でも許容

する(図B.1参照)。このような亀裂が,最終試験であるB.8.1.2.6の結果を損なうことはないとする。 

B.8.1.2.5 温湿度サイクル試験 

試験は,IEC 60068-2-30の試験Dbに従って行う。ただし,数値は次のものを用いる。 

− 上限温度:55 ℃ 

− サイクル数:6 

試験報告書には,方法1及び方法2のいずれを適用したかを記載する。 

この試験の後,目に見える損傷があってはならない。 

成形した樹脂の小さな亀裂などは,B.8.1.2.3,B.8.1.2.4及びB.8.1.2.5の試験の後であった場合でも許容

する(図B.1参照)。このような亀裂が,最終試験であるB.8.1.2.6の結果を損なうことはないとする。 

B.8.1.2.6 ストレス印加後の耐電圧試験 

B.8.1.2.5の試験を終了後,8.3.3.4.1及び8.3.3.4.2に規定する試験(試験電圧1分間印加)を考慮して耐

電圧性能を調べる。 

得られる結果は,8.3.3.4.3において規定する内容と同様であり,さらに,漏れ電流は1.1Uiで2 mA以下

でなければならない。 

B.8.1.3 受渡試験 

8.1.3を適用するが,耐電圧試験は必須とする。 

 


74 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

附属書C 
(規定) 

リード線引出式の近接スイッチの追加要求事項 

 

C.1 一般 

この附属書は,他の装置及び/又は電源に電気的に接続するリード線引出式近接スイッチに適用する追

加要求事項である。 

リード線引出式近接スイッチのリード線は,使用者によって交換できないものである。 

この附属書は,リード線,リード線固定及びリード線取付口の封止のための構造及び性能の要求事項を

規定する。 

 

C.2 定義 

この附属書で用いる主な用語及び定義は,次による。 

C.2.1 

リード線引出式近接スイッチ 

他の装置及び/又は電源に電気的に接続する一体化したリード線をもつ近接スイッチ。 

C.2.2 

リード線取付口の封止 

リード線の摩擦の防止及びリード線固定に必要とするリード線とエンクロージャとの間の封止。 

C.2.3 

リード線固定 

近接スイッチとリード線との間の電気的接続に対する損傷を防止し,リード線の終端からの機械的スト

レスを軽減するための固定。 

 

C.7 構造及び性能に関する要求事項 

C.7.1 構造に関する要求事項 

C.7.1.1 リード線の材質 

近接スイッチは,適切な電圧,電流,温度定格及び環境条件をもつ柔軟なリード線を使用しなければな

らない。 

注記 使用するリード線の長さは,関連製品規格で規定してもよい。 

C.7.1.2 リード線固定 

リード線に加えられる力が電気的に接続される機器に伝わらないようにリード線を固定する。 

リード線の押込み又は引張りによって,リード線接続部又は近接スイッチの内部部品が損傷してはなら

ない。 

C.7.1.3 リード線取付口の封止 

リード線取付口の封止は,近接スイッチの保護等級に適合しなければならない[IEC 60947-1の附属書C

(箱入り装置の保護等級)参照]。 

注記 封止は,近接スイッチの封止に含めてもよい。 


75 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

C.7.2 性能に関する要求事項 

リード線及びリード線取付口の封止は,C.8での試験に耐えなければならない。 

 

C.8 試験 

試験の目的は,輸送及び取付けの間,リード線が完全に固定しているかを確認することである。一度取

り付けたら,近接スイッチとリード線とは互いに固定することが望ましい。 

C.8.1 形式試験 

C.8.1.1〜C.8.1.4に示す四つの試験を,各供試品に対して記載の順序に従い行う。 

C.8.1.1 引張試験 

リード線の絶縁被膜を取付軸に沿って一定の力で1分間引っ張る。 

IEC 60947-1の8.2.4.4を適用する。 

C.8.1.2 トルク試験 

リード線のトルク試験は,0.1 Nmのトルク値,又は360°の角度におけるトルク値で行う。 

トルクは,近接スイッチの取付口から100 mmの位置で,時計回りに1分間,反時計回りに1分間加え

る。 

C.8.1.3 押圧試験 

押圧力は,リード線取付口にできるだけ近い箇所で,リード線の軸に沿って与える。 

押圧力は,20 Nまで徐々に引き上げ1分間保持する。 

試験後,リード線取付口の封止部に目で見える損傷及びリード線の変形がないことを確認する。 

C.8.1.4 屈曲試験 

リード線は,次の方法で力をかけ,曲げる。 

a) リード線軸を垂直にした状態で,リード線取付口から1 mのところに3 kgのおもりをつるす。 

b) 近接スイッチを90°傾け,リード線を90°曲げた状態で1分間保持する。 

c) 近接スイッチを垂直に対して反対方向に90°傾け,リード線を反対方向に90°曲げた状態で1分間保

持する。 

C.8.2 試験結果 

近接スイッチのリード線,リード線封止部,リード線取付口又は電気的接続に損傷があってはならない。

このことは,目視検査及び指定した保護等級の確認で検証する。 

 


76 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

附属書D 
(規定) 

差込式近接スイッチ用コネクタ 

 

差込式近接スイッチに使用するM12又はM8,M5のコネクタは,IEC 61076-2規格群の関連する部分に

従わなければならない。それらは,相手側コネクタを正しく連結したとき,最低限,保護等級IP65を満足

しなければならない。 

図D.1〜図D.8にこれらのコネクタの例を示す。 

 

単位 mm 

 

 

注記1 端子番号は省略してもよい。 
注記2 交流用近接スイッチは,M12の代替案として1/2インチユニファイねじを使用することができる。 
注記3 クラスII近接スイッチでは,保護接地端子は省略してもよい。 

 

図D.1−交流近接スイッチ用M12 3端子構成コネクタ 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


77 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

単位 mm 

 

 

注記 中央の端子は,不要の場合は省略してもよい。 

 

図D.2−直流近接スイッチ用M12 5端子構成コネクタ 

 

 

単位 mm 

 

図D.3−直流近接スイッチ用8 mm 3端子構成コネクタ 

 

 

 


78 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

単位 mm 

 

図D.4−直流近接スイッチ用8 mm 4端子構成コネクタ 

 

 

単位 mm 

 

 

注記1 端子番号は省略してもよい。 
注記2 交流用近接スイッチは,M12の代替案として1/2インチ−20ユニファイ−2Aねじを使用することができる。 
注記3 クラスII近接スイッチでは,保護接地端子は省略してもよい。 

 

図D.5−交流近接スイッチ用M12 4端子構成コネクタ 

 

 

 

 


79 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

単位 mm 

 

 

注記1 端子番号は省略してもよい。 
注記2 交流用近接スイッチは,M12の代替案として1/2インチ−20ユニファイ−2Aねじを使用することができる。 
注記3 クラスII近接スイッチでは,保護接地端子は省略してもよい。 

 

図D.6−交流近接スイッチ用M12 5端子構成コネクタ 

 

 

単位 mm 

 

 

注記1 端子番号は省略してもよい。 
注記2 交流用近接スイッチは,M12の代替案として1/2インチ−20ユニファイ−2Aねじを使用することができる。 
注記3 クラスII近接スイッチでは,保護接地端子は省略してもよい。 

 

図D.7−交流近接スイッチ用M12 6端子構成コネクタ 

 

 

 

 

 

 


80 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

単位 mm 

 

a) 3端子構成コネクタ 

 

 

b) 4端子構成コネクタ 

図D.8−直流近接スイッチ用M5 

 


81 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

附属書E 

(規定) 

強磁界環境下での使用に適した近接スイッチの追加要求事項 

 

E.1 

一般 

この附属書で規定していない事項は,この規格の本体及び他の附属書による。 

E.1.2 適用範囲及び目的 

この附属書は,強磁界環境,例えば,電気溶接環境(通常は交流磁界)又は電気分解環境(通常は直流

磁界)で動作する近接スイッチに適用する。 

この附属書は,強磁界環境下で動作する近接スイッチに関し,その性能及び試験条件について規定する

ことを目的とする。 

 

E.2 

定義 

E.2.5 

磁界 

この規格における磁界は,磁束密度の値で定義する。 

この値は,テスラ(T)(V・s/m2)で記載する。 

E.2.5.1 

交流磁界 

磁束密度のピーク値を用い,基本周波数(f)を45 Hz〜65 Hzとする交流の磁束密度による磁界。 

E.2.5.2 

直流磁界 

磁束密度の平均値を用い,全リップルが±5 %を許容する,ある時間一定の値をとる磁束密度による磁

界。 

E.2.5.3 

強度 

E.2.5.3.1 

交流磁界に対する強度 

特定の環境下において,その出力が交流磁界の影響によって反転しない,交流磁界に対する近接スイッ

チの耐性。 

E.2.5.3.2 

直流磁界に対する強度 

直流磁界の影響によって,実効動作距離が規定された値よりも大きくならない,直流磁界に対する近接

スイッチの耐性。 

 

E.3 

分類 

表1で規定した第6位の後に,次の分類を追加する。 


82 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

E.3.7 影響を与える磁界の種類による分類 

E.3.7.1 交流磁界に対する強度 

交流磁界に対する強度は,英大文字Xで示し,第7位に置く。 

E.3.7.2 直流磁界に対する強度 

直流磁界に対する強度は,英大文字Yで示し,第7位に置く。 

E.3.7.3 交流磁界及び直流磁界に対する強度 

両タイプの磁界に対する強度は,英大文字Zで示し,第7位に置く。 

 

E.7 

構造及び性能に対する要求事項 

E.7.2.1.6 動作サイクル周波数 

E.7.2.1.6.1 誘導形及び静電容量形近接スイッチ 

動作サイクル周波数は,8.5による方法で測定し,製造業者が表示しなければならない。 

E.7.5 磁界に対する強度 

次の値を適用しなければならない。 

a) 交流磁界の最大値 磁束密度:0〜0.1 Tピーク値 

b) 直流磁界 磁束密度:0〜0.1 T平均値 

E.7.5.1 性能 

E.7.5.1.1 交流磁界環境 

近接スイッチは,E.8.9.1に従った試験において,出力状態が変化してはならない。 

E.7.5.1.2 直流磁界環境 

誘導形及び静電容量形近接スイッチに関しては,7.2.1.3.1に次の項目を追加する。 

実効動作距離は,磁界の影響によって,規定値の範囲から±30 %以下でなければならない。 

試験は,E.8.9.2に従って行う。 

 

E.8 

試験 

E.8.9 強度の検証 

E.8.9.1 交流磁界に対する強度 

E.8.9.1.1 検査及び試験順序(図E.1参照) 

注記 他の試験構成については,別途規定してもよい。 

試験は,次に従って行う。 

a) 磁界計測のためのセンサ(1)は,空心インダクタ(4)の中心にくるように取り付けるのが望ましい。 

b) 空心インダクタ(4)には,オシロスコープ(3)に0.1 Tの磁束密度のピーク値が現れるまで交流電

流(A)を流さなければならない。 

電流値Irefを記録しなければならない。 

注記 Irefの値を調整するために,30°までの位相制御を行うことができる。 

c) センサ(1)を取り除き,近接スイッチ(I)を空心インダクタの中に取り付ける。このとき,近接セ

ンサの中心軸が空心インダクタ(4)の中心軸方向と同一になるようにし,近接スイッチの検出面が空

心インダクタの長さの半分の位置(L/2)にくるようにする。 

試験は,近接スイッチの向きが磁界に対して一致する方向及び垂直方向に行うことが望ましい。 

d) 空心インダクタ(4)には,約t秒間(3/f相当),電流値Irefを与えなければならない。ただし,tは0.1


83 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

秒以上とする。 

e) d)に規定する試験は,次に基づいて行わなければならない。 

− 検出体は,検出面から3 snの位置に取り付ける。 

− 検出体は,検出面から1/3 snの位置に取り付ける。 

E.8.9.1.2 結果 

空心インダクタにIrefが流れている間,又はIrefのオン・オフ時に,出力の状態が変化してはならない。 

試験後,実効動作距離は,7.2.1.3.1と一致しなければならない。 

注記 検出面の直径が18 mmよりも大きい場合,オフ状態において検出体を取り除いてもよい。 

 

 

 1 

センサ 

磁束密度測定器 

オシロスコープ(ピーク値表示用) 

空心インダクタ(巻数は規定しない) 

交流電流計 

A 交流電流 

近接スイッチ 

D 空心インダクタの内径≧100 mm 

空心インダクタの長さ≧100 mm 

 

図E.1−交流磁界に対する強度検証のための試験構成例 

 

E.8.9.2 直流磁界に対する強度 

E.8.9.2.1 検査及び試験順序(図E.2参照) 

注記 他の試験構成については,別途規定してもよい。 

試験は,次に従って行わなければならない。 

a) 磁束密度計測のためのセンサ(1)は,鉄心(3)の内部の空間の中央に取り付けなければならない。 

b) コイル(4)には,磁束密度測定器(2)の値が0.1 Tとなるまで直流電流(A)を流さなければならな

い。 

電流値Irefを記録しなければならない。 

c) センサ(1)を取り除き,近接スイッチ(I)は,その検出面を鉄心(3)の外周面と一致するように鉄

心(3)の内部の空間の中央に取り付けなければならない。 

d) 直流電流を次の値に設定して,軸方向から接近する検出体に対して実効動作距離を測定する。 

0 Iref(Irefの0倍,以下同じ) 

0.2 Iref 

0.4 Iref 

0.6 Iref 


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C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

0.8 Iref 

1.0 Iref 

E.8.9.2.2 結果 

直流電流(A)の全ての範囲において,実効動作距離(sr)の偏差は,Iref値が0(0Iref)のときの値に対

して±30 %以内でなければならない。 

 

 

 

センサ 

磁束密度測定器 

マグネティックインダクタ用鉄心(鉄心内径=100 mm) 

インダクタンスコイル 

直流電流計 

A 直流電流 

近接スイッチ 

ΔS 鉄心(3)内部の隙間は,近接スイッチの直径の2倍よりも大きく,40 mm以上とする。 
注記 試験のために磁界による近接スイッチの部品への影響が懸念される場合は,スイッチ

の他の部分と分離してもよい。 

 

図E.2−直流磁界に対する強度検証のための試験構成例 

 


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C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

附属書F 

(参考) 

近接スイッチの記号 

 

近接スイッチの記号例を図F.1に示す。 

 

 

 

注記 必要である全ての情報が表示されるならば,図記号の向き及び配置が異なってもよい。 

 

図F.1−近接スイッチの記号例 

 


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C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

定義した用語の索引 

 

(あ) 

埋込形近接スイッチ  2.2.9 

NDフィルタ  2.1.1.8 

応差(H)  2.3.5 

オフ状態電流(Ir)  2.4.5.1 

音響反射物質  2.2.7 

(か) 

開閉素子機能  2.4.1 

開閉素子特性  2.4 

間接動作近接スイッチ  2.1.1.7 

感応物質  2.2.5 

基準軸  2.2.2 

吸音材  2.2.8 

近接スイッチ(IEV 441-14-51)  2.1.1 

近接スイッチの応答時間  2.4.1.4 

近接スイッチの調整器  2.2.15 

近接スイッチの動作  2.3 

近接スイッチの要素  2.2 

繰返し精度(R)  2.3.4 

検出範囲(sd)  2.3.1.2 

検出面  2.2.11 

光電形近接スイッチ  2.1.1.4 

光電形近接スイッチの周囲光  2.4.7 

光電形近接スイッチのターンオフ時間  2.4.1.6 

光電形近接スイッチのターンオン時間  2.4.1.5 

光電形近接スイッチの余裕利得  2.4.6 

(さ) 

最小使用電流(Im)  2.4.5.2 

最小動作距離  2.3.1.2.1 

最大動作距離  2.3.1.2.2 

実効動作距離(sr)  2.3.1.5 

受光器  2.2.13 

使用可能になるまでの遅れ時間(tv)  2.4.4 

スナップアクション  2.4.2 

静電容量形近接スイッチ  2.1.1.2 

静電容量形近接スイッチの調整器  2.2.15.1 

全ビーム角度  2.3.1.4 


87 

C 8201-5-2:2017 (IEC 60947-5-2:2012) 

 

(た) 

タイプR  2.1.1.4.2 

縦方向接近  2.3.3 

超音波形近接スイッチ  2.1.1.3 

超音波形近接スイッチ又は光電形近接スイッチの調整器  2.2.15.2 

直接動作近接スイッチ  2.1.1.6 

定格動作距離(sn)  2.3.1.1 

電流(I)  2.4.5 

透過形(type T)  2.1.1.4.3 

投光器  2.2.12 

動作距離(s)  2.3.1 

動作サイクル周波数(f)  2.4.3 

動作範囲(ro)  2.3.1.8 

(は) 

反射形(type D)  2.1.1.4.1 

半導体開閉素子  2.2.1 

非埋込形近接スイッチ  2.2.10 

非機械式磁気形近接スイッチ  2.1.1.5 

標準検出体  2.2.3 

不感帯  2.3.1.3 

不感応物質  2.2.6 

フリーゾーン  2.2.4 

ブレーク機能  2.4.1.2 

保証動作距離(sa)  2.3.1.7 

(ま) 

無負荷電流(Io)  2.4.5.3 

メーク機能  2.4.1.1 

メーク−ブレーク(切替え)機能  2.4.1.3 

(や) 

有効動作距離(su)  2.3.1.6 

誘導形近接スイッチ  2.1.1.1 

横方向接近  2.3.2 

(ら) 

リフレクタ  2.2.14 

リフレクタ形(type R)  2.1.1.4.2