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C 6704

:2009

(1)

目  次

ページ

序文

1

1  適用範囲

1

2  引用規格

1

3  用語及び定義

1

4  アズグロウン人工水晶

5

4.1  標準値

5

4.2  要求事項及び試験方法

6

4.3  表示

11

4.4  納入条件

11

5  ランバード人工水晶

15

5.1  標準値

15

5.2  要求事項及び試験方法

15

5.3  納入条件

15

6  アズグロウン人工水晶及びランバード人工水晶の検査基準

18

6.1  アズグロウン人工水晶の検査基準

18

6.2  ランバード人工水晶の検査基準

19

7  人工水晶使用の指針

20

7.1  概要

20

7.2  人工水晶の形状及び寸法

20

7.3  一般試験による人工水晶の品質評価

20

7.4  その他の人工水晶品質評価方法

21

7.5  α値等級

22

7.6  異物,エッチチャンネル及びアルミニウム含有量の等級選択(要求があるときだけ適用)

22

7.7  発注手順

23

附属書 A(参考)よく用いる異物密度サンプリングの手順

26

附属書 B(参考)異物密度サンプリングの実例

28

附属書 C(参考)限度見本の選定

29

附属書 D(参考)ネックノギスの詳細

30

附属書 E(参考)α値測定装置の補正法

31

附属書 F(参考)水晶の座標系に関するこの規格と IEEE 規格との相違

34

附属書 JA(参考)JIS と対応する国際規格との対比表

37


C 6704

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(2)

まえがき

この規格は,工業標準化法第 14 条によって準用する第 12 条第 1 項の規定に基づき,日本水晶デバイス

工業会(QIAJ)及び財団法人日本規格協会(JSA)から,工業標準原案を具して日本工業規格を改正すべきとの

申出があり,日本工業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が改正した日本工業規格である。

これによって,JIS C 6704:2005 は改正され,この規格に置き換えられた。

この規格は,著作権法で保護対象となっている著作物である。

この規格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願,実用新案権又は出願公開後の実用新案登録出願に

抵触する可能性があることに注意を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は,このような特許

権,出願公開後の特許出願,実用新案権及び出願公開後の実用新案登録出願にかかわる確認について,責

任はもたない。


日本工業規格

JIS

 C

6704

:2009

人工水晶

Synthetic quartz crystal

序文

この規格は,2008 年に第 4 版として発行された IEC 60758 を基に作成した日本工業規格であるが,我が

国の実情を反映させるため,一部技術的内容を変更して作成した日本工業規格である。

なお,この規格で側線又は点線の下線を施してある箇所は,対応国際規格を変更している事項である。

変更の一覧表にその説明を付けて,

附属書 JA に示す。

1

適用範囲

この規格は,周波数制御及び選択用の水晶デバイス製造に用いる単結晶の人工水晶について規定する。

注記  この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を,次に示す。

IEC 60758:2008,Synthetic quartz crystal−Specifications and guidelines for use (MOD)

なお,対応の程度を表す記号

(MOD)

は,ISO/IEC Guide 21-1 に基づき,修正していることを

示す。

2

引用規格

次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成する。これらの

引用規格は,その最新版(追補を含む。

)を適用する。

JIS C 6701  水晶振動子通則

注記  対応国際規格:IEC 60122-1:2002,Quartz crystal units of assessed quality−Part 1: Generic

specification (IDT)

JIS Z 9015-1  計数値検査に対する抜取検査手順−第 1 部:ロットごとの検査に対する AQL 指標型抜

取検査方式

注記 1  対応国際規格:ISO 2859-1:1999,Sampling procedures for inspection by attributes−Part 1:

Sampling schemes indexed by acceptance quality limit (AQL) for lot-by-lot inspection (IDT)

注記 2  この規格の対応国際規格で引用する IEC 60410:1973,Sampling plans and procedures for

inspection by attributes は,対応 JIS が制定されていない。この規格での引用事項は,JIS Z 

9015-1 の規定事項と同等である。

3

用語及び定義

この規格で用いる主な用語及び定義は,次による。


2

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3.1

水熱合成法(hydrothermal crystal growth

高温及び高圧の条件下で水を介在させ,地殻中の成長と同じプロセスで結晶を育成する方法。特に人工

水晶では,円筒形のオートクレーブでアルカリ水溶液を溶媒として用い,上部に種結晶を,下部に石英原

料を置いて容器を高温(330∼400

℃)及び高圧(70∼200 MPa)に保ち,下部を上部より高温にし,温度

差を付けて結晶を育成する方法である。

3.2

人工水晶(synthetic quartz crystal

水熱合成法によって育成した,アルファ水晶の単結晶。人工水晶には右又は左水晶で,アズグロウン状

態又はランバード加工した状態のものがある。

注記  アルファ水晶とは,573

℃以下でできた低温型水晶である。

3.2.1

アズグロウン人工水晶(As-grown synthetic quartz crystal

育成後の未加工人工水晶。

3.2.2

アズグロウン 棒水晶(As-grown Y-bar

Y 方向に長い棒状の種結晶を用いて育成した,アズグロウン人工水晶。

3.2.3

アズグロウン 板水晶(As-grown Z-bar

Y 方向に長い Z 面を主面とする板状の種結晶を用いて育成した,アズグロウン人工水晶。

3.3

人工水晶のロット(synthetic quartz crystal batch

同一オートクレーブ内で同一期間に育成した,人工水晶の集まり。

3.4

種結晶(seed

人工水晶の育成に結晶核として使用する,棒状又は板状の水晶結晶。

3.5

成長領域(growth zones

それぞれの結晶方位に沿って成長して生じた,人工水晶の領域[

図 1 a)

及び

図 1 b)

参照]

3.6

人工水晶の方位(orientation of a synthetic quartz crystal

図 に示すように,それぞれ直交に交わった X 軸,Y 軸及び Z 軸。

3.7  直交座標系(orthogonal axial system of  α quartz crystal) 
3.7.1

水晶の座標系(axial system for quartz

図 8 b)

に示すように,X 軸を中心として,Y 軸及び Z 軸をそれぞれ

θ

°傾けた Y´軸及び Z´軸並びに X

軸からなる座標系。X 軸はその軸に沿って圧縮したとき,正の電荷の発生する方向を正とする。また,右

水晶には右手直交座標系を,左水晶には左手直交座標系を使用する。


3

C 6704

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3.7.2

AT カット(AT-cut

主面が X 軸に平行で,Z 軸から約+35°,r 面から約−3°傾いた面方位[

図 3 a)

参照]

3.7.3

カット(r-cut

r 面に平行な方位[図 3 a)

参照]

3.7.4

カット(X-cut

X 軸に垂直な面方位[図 2 b)

参照]

3.7.5

カット(Y-cut

Y 軸に垂直な面方位[図 2 b)

参照]

3.7.6

カット(Z-cut

Z 軸に垂直な面方位[図 2 b)

参照]

3.7.7

AT 板(AT-cut plate

主面が X 軸に平行で,Z 軸から約+35°,r 面から約−3°傾いた水晶板。

3.7.8

板(r-cut plate

r 面に平行な水晶板。

3.7.9

板(X-cut plate

X 軸に垂直な水晶板。

3.7.10

板(Y-cut plate

Y 軸に垂直な水晶板。

3.7.11

板(Z-cut plate

Z 軸に垂直な水晶板。

3.8

寸法(dimensions

X 軸を中心として,Y 軸から回転角が 20°以内の Z カットの種結晶を用いて育成した結晶の大きさ。

3.8.1

グロス寸法(gross dimensions

X 軸,Y´軸及び Z´軸方向に沿って測定した X 軸,Y´軸及び Z 軸又は Z´軸方向の最大寸法。

3.8.1.1

有効 寸法(effective Z-dimension

図 1 c)

に示すように,Z 軸(

θ

=0°)又は Z´軸方向での最小寸法。Z

eff

又は Z´

eff

で表す。


4

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3.8.1.2

最小 寸法(minimum Z-dimension

図 1 d)

に示すように,種結晶表面から Z 面への最小距離。Z

min

で表す。

3.9

異物(inclusions

屈折率が人工水晶に近い液体中で,散乱光によって観察できる包有物。

3.9.1

シードベール(seed veil

種結晶の表面に見られる異物の配列。

3.10

添加物(dopant

人工水晶の性質,化学的組成,物理的特性又は電気的特性を変化させるため,溶液に添加し,育成で用

いる物質。

3.11

プレディメンションド人工水晶(pre-dimensioned bar

切断,研削研磨などの加工によって,アズグロウンの寸法を変えた人工水晶。

3.12

不純物濃度(impurity concentration

シリコン原子に対する不純物個数。10

6

で表す。

3.13

転位(dislocations

格子欠陥の一種で,結晶内のすべりに起因して線状につながって発生する一連の原子の変位。

3.14

エッチチャンネル(etch channels

水晶をエッチングしたときに,転位に沿って生じる管状の空洞。

3.15

オートクレーブ(autoclave

人工水晶を育成するための高圧容器。

3.16

右水晶又は左水晶(right-handed quartz or left-handed quartz

水晶の旋光性による区別で,右水晶は右旋光性の水晶,左水晶は左旋光性の水晶。

3.17

双晶(twins

結晶学上の法則に従って 2 個以上の結晶が,互いに特定の面又は軸に対して対称の関係に接合したもの。

3.17.1

電気的双晶(electrical twins

右水晶又は左水晶のいずれかの 2 個体が Z 軸を共有し,X 軸が互いに 180°ずれて接合した結晶。

3.17.2

光学的双晶(Optical twins

Z 軸を共有し,右水晶と左水晶とが接合した結晶。


5

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3.18

赤外線吸収係数α値(infrared absorption coefficient  α-value

結晶格子内に欠陥として存在する OH 結合が吸収する赤外領域の特定波長の吸収率によって求める吸収

係数。OH 結合の存在は振動子の機械的内部損失に影響を与えるため,振動子の機械的内部損失を表す指

標として用いる。以下,

“α値”という。

3.19

ランバード人工水晶(lumbered synthetic quartz crystal

“アズグロウン”状態から,規定の寸法及び方位に合致するように,切断,粗研磨,研磨などによって,

その X 面及び Z 面又は Z´面を平面化及び平行化加工した人工水晶。

3.19.1

ランバード 棒水晶(lumbered Y-bar

アズグロウン Y 棒水晶にランバード加工した水晶。

3.19.2

ランバード 板水晶(lumbered Z-bar

アズグロウン Z 板水晶にランバード加工した水晶。

3.20

基準面(reference surface

ランバード人工水晶の結晶学的方位を測定するときの基準となる面。基準面は,−X 面とする。

4

アズグロウン人工水晶

4.1

標準値

4.1.1

種結晶の方位

種結晶の方位の標準値は,Z 板,回転 X 板,r 板,1.5°回転 Z 板,2°回転 Z 板,5°回転 Z 板及び 8.5°

回転 Z 板とする。最後の 4 種類の軸を,代表 Z´軸として

図 に示す。

4.1.2

異物密度

Z 領域の異物密度(1 cm

3

当たりの個数)の等級は,

表 による。

表 1−異物密度の等級

大きさの範囲(

μm)別の異物密度最大値

等級

10 以上 30 未満 30 以上 70 未満 70 以上 100 未満 100 以上

 Ia

 2

1

0

0

 Ib

 3

2

1

1

I

6

4

2

2

II

9

5

4

3

III 12

8

6

4

4.1.3

赤外線吸収係数α

3 500

α

3 585

及びα

3 410

人工水晶のα値は,各々の等級に対し,α

3 500

,α

3 585

及びα

3 410

で示す(

表 参照)。

なお,α

3 500

,α

3 585

及びα

3 410

は,それぞれ波数 3 500 cm

1

,3 585 cm

1

及び 3 410 cm

1

のα値とする。


6

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表 2−赤外線吸収係数α値等級

各等級のα値の最大値

等級

α

3 500

α

3 585

α

3 410

Aa  0.026 0.015 0.075

A  0.033 0.024 0.082 
B  0.045 0.050 0.100 
C 0.060

0.069

0.114

D  0.080 0.100 0.145

E  0.120 0.160 0.190

4.1.4

周波数温度特性

4.2.7 によって測定したとき,人工水晶の周波数温度特性は,25

℃での周波数を基準とし,次による。

15

℃の場合    0.5∼1.5×10

6

35

℃の場合    −0.5∼−1.5×10

6

4.1.5

エッチチャンネル密度ρ

エッチチャンネル密度の等級は,

表 による。

表 3−エッチチャンネル密度の等級

等級

ρの最大数

1aa

  2

1a

  5

1

10

2

30

3 100 
4 300

4.2

要求事項及び試験方法

4.2.1

種結晶の方位

種結晶方位の角度偏差は,公称値±30´とする。

4.2.2

右水晶及び左水晶の区別

右水晶及び左水晶は,種結晶で規定する。

4.2.3

寸法

アズグロウン人工水晶の寸法は,受渡当事者間の協定による。測定は,ノギス及びくぼんだ部分の測定

が可能なネックノギスで行う。ネックノギスの詳細を,

附属書 に示す。

4.2.3.1

Y

又は Y´寸法

又は Y´は,図 1 d)

に示すとおり,Y 軸又は Y´軸方向の最大部分の寸法とする。

4.2.3.2

Z

又は Z´寸法

又は Z´は,図 1 c)

に示すとおり,Z 軸又は Z´軸方向の最大部分の寸法とする。

4.2.3.3

Z

eff

又は Z´

eff

寸法

Z

eff

又は Z´

eff

は,

図 1 c)

に示すとおり,Z 軸又は Z´軸方向の最小部分の寸法とする。

4.2.3.4

Z

min

又は Z´

min

寸法

Z

min

又は 

min

寸法は,

図 1 d)

による。


7

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4.2.3.5

X

寸法

寸法は,図 1 c)

に示すとおり,X 軸方向の最大部分の寸法とする。

4.2.4

種結晶の寸法

4.2.4.1

Z

又は Z´寸法

種結晶の 又は Z´寸法は,受渡当事者間の協定による。

4.2.4.2

X

寸法

種結晶の 寸法は,受渡当事者間の協定による。

4.2.5

欠陥

4.2.5.1

双晶

使用領域内に,電気的双晶又は光学的双晶があってはならない。双晶の有無の確認は,目視で行う。

4.2.5.2

クラック又は欠け

使用領域内に,クラック又は欠けがあってはならない。クラック又は欠けの有無の確認は,目視で行う。

4.2.5.3

異物密度

測定方法には次の二つの方法があり,必要に応じていずれかを選択する。

方法 1  結晶内 1 cm

3

当たりの異物数を,大きさのクラスごとに,円形の視野を備えた 30∼40 倍の実体

顕微鏡を用いて測定する。このとき,十字線入りの目盛付きスケール付きの顕微鏡で,黒いつ

や消しの背景に強い側面照明(ハロゲンランプなど)を当てながら測定をする。透明度が必要

な場合は,屈折率が水晶に近い液体(およそ屈折率 n=1.55)を試料に塗布して測定を行う。計

算例を,

附属書 に示す。

方法 2  方法 1 の適用が困難な場合には,等級ごとに規定する異物許容個数と同等の限度見本と比較し

て判定を行う。透明度が必要な場合は,屈折率が水晶に近い液体中,又はこのような液体を塗

布した状態で行う。このとき用いる限度見本は,受渡当事者間の協定による。限度見本の作製

例を,

附属書 に示す。

4.2.5.3.1  サンプリング

時間,労力及び費用を省くため,サンプリングの方法は,通常,受渡当事者間の協定によって簡略化し

た方法によって行う。より精密な検査方法は受渡当事者間の協定によるが,有効な統計的手法によって測

定した結晶が合意した品質レベル試験を満たし,そのロット中で十分に代表的であるようにサンプリング

する。

4.2.5.3.2  ロットのサンプリング

ロットのサンプリングでは,母集団を代表するように抜取りを行う。抜取り数はロットの大きさ,人工

水晶のタイプ,用途,平均値と目標密度との差異及び要求する受入品質水準 AQL に依存する。この AQL

は,それぞれの異物の大きさの範囲でのロット評価密度が適用等級限度以下であるという十分な保証を与

えなければならない。抜き取ったサンプル集団は,異物密度についてそのロットを代表していなければな

らない。

4.2.5.3.3  検査領域

異物の検査領域は,顕微鏡の視野(又は升目けい線内)及び人工水晶の高さ又は顕微鏡で操作可能な焦

点深度以内とする。この検査領域内の異物は,すべて集計を行う。検査領域は最終製品において機能する

部分(通常は,

図 に示す Z 領域)を主体に含むように選ぶ。これらの検査領域中で異物密度の高い部分

があっても,避けてはならない。1 本の結晶当たりの検査領域の数は,集計の信頼度をもたせるために 6

所以上とする。異物密度にばらつきがあるときは,検査領域の位置をばらつきに合わせて適切に分散さ


8

C 6704

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せる。人工水晶は一般的に,Y 方向に長く,X 方向及び Z 方向には短い。通常,異物密度は成長方向に沿

った変化が最も大きいため,Z 領域では Z 方向の変化が最も大きい。このため,寸法の大きい結晶では,

Z 方向に種結晶からの距離が異なる検査領域を数箇所選ぶ。Y 方向又は X 方向に密度の変化があれば,同

じように濃淡に応じて検査領域を選択する。

検査領域の分布をとるために,典型的な人工水晶の−X 面に,種結晶に直交する Z´方向のけい線を 10 mm

間隔で Y 方向全体に引く。異物集計の検査領域は,これら升目の中から必要な部分を選択する。例えば,

Z 領域が視野直径の 2 倍程度の小形結晶で種結晶から異なる距離の検査領域を設定する場合は,種結晶か

ら近い部分と遠い部分とを交互に置く。大形の結晶では,異物密度の高い部分があっても,その部分が除

外されないように検査領域を Z 方向に連続して設定する。よく使われるサンプリング方法の幾つかを,

属書 に示す。

4.2.5.3.4  異物測定

異物測定は,升目の範囲内で顕微鏡を上下させ,異物測定する円形又は長方形の視野移動させながら,

次のように行う。

試料が比較的小さい 寸法のアズグロウン Y 棒水晶の場合,視野移動は長手方向だけでもよい。−X 面

を上にし,横方向から照明を当て,有効使用領域の一端から検査を開始し,X 方向の円筒体積内で測定を

行う。−X 面の直下から測定を始め(面上の粒子は無視する。

,焦点の合ったすべての異物を,10

μm 以

上 30

μm 未満,30 μm 以上 70 μm 未満,70 μm 以上 100 μm 未満及び 100 μm 以上の粒径区分ごとに数を集

計する。次に鏡筒を移動させ,新たに焦点の合った異物の粒径区分ごとの数を集計する。これを選択した

寸法範囲内で繰り返し,更に次の検査領域でも同様の作業を繰り返す。

異物密度は,粒径区分ごとの集計値を,検査領域全体の体積で除して求める。育成ロットからサンプリ

ングしたすべての試料の平均値を記録する。要求があれば育成ロットからサンプリングした試料の異物密

度最大値及び最小値を記録する。計算例を,

附属書 に示す。

4.2.6

α値による評価

α値は Y カットの試料を用い,波数 3 800 cm

1

又は 3 979 cm

1

を基準として波数 3 500 cm

1

,3 585 cm

1

又は 3 410 cm

1

で赤外線分光光度計を用い,透過率を測定する。測定方法は,次の 2 方法のいずれかを選

択する。

方法 1  波数を固定し,測定試料を移動させながら場所による透過率の変化を測定する。

方法 2  測定試料を固定し,試料の複数の位置で指定波数の透過率を測定する。

測定方法の詳細は,次による。

4.2.6.1

カット試料の準備

測定を行う結晶の 寸法中央部から,次の仕様の測定試料を作製する。α値は,ロット内での 寸法の

ばらつきを反映する。そのため,ロット中の 寸法の試料又はα値が最も大きいと考えられる最大 寸法

の試料を測定に用いる。

−  切断方位  Y カット

−  厚さ      5.0∼10.0 mm

−  表面研磨  鏡面研磨仕上げ又はよく混合された平均粒径 3

μm の研磨材による研磨仕上げ

4.2.6.2

赤外線分光光度計の調整

赤外線分光光度計は,スイッチを入れてから完全に安定するまで暖め,その後校正する。日々の校正で

は,透過率の 100

%調整及び記録紙送り速度の調整を行う。通常の評価では,幅 1.5 mm の絞りをサンプ

ルビーム側に置く。小さいα値領域を測定する場合は,5 mm 幅の絞りが適切となる。絞りの高さ方向の


9

C 6704

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寸法は,種結晶の 寸法を超えてはならない。試料を付けない状態で,透過率を 100

%に調整をして波数

を 4 000 cm

1

から 2 000 cm

1

まで移動させながら,100

%ラインが一定の状態に保たれることを確認する。

100

%ラインが一定に保たれない場合は,赤外線分光光度計のバランス調整を行う。

4.2.6.3

カット試料の測定

次に,鏡面研磨された Y 板を試料ホルダに入れ,送り装置に装着する。波数を OH 吸収バンド外の基準

波数領域に設定する(通常は,3 800±3 cm

1

。波数を固定した状態で,試料を送り装置の上で赤外ビー

ム中を通過させるのと同期して記録紙を送る。この場合,Y 板の Z 領域(

図 及び図 参照)で測定する。

基準波数領域のノイズが問題になる場合は,波数を 3 979±3 cm

1

としてノイズを減らしてもよい。基準

波数領域の測定ラインが種結晶境界の外側で平らでない場合は,ふっ素系油脂を半ポリッシュ状態の両研

磨面に薄く塗ると改善される。基準波数領域測定の間,ベースラインの揺らぎは透過率で±1.0

%を超え

てはならない。基準波数領域測定が完了したら,波数を 3 500±3 cm

1

,3 585±3 cm

1

又は 3 410±3 cm

1

のいずれかを選んで設定する。試料は最初の測定の開始位置に戻し,同時に記録紙も基準波数領域測定の

開始点まで巻き戻す。その後,測定波数で赤外線吸収の場所による透過率の変化を記録する。校正α値(最

大値及び最小値)は上記の測定から,次の式によって算出する。

t

T

T

2

10

1

10

log

log

=

α

ここに,

T

1

基準波数(

3 800

又は

3 979

)の透過率(

cm

1

T

2

吸収波数(

3 500

3 585

又は

3 410

)の透過率(

cm

1

)。

  ただし,

3 585

はピーク値。

t

測定試料の厚さ(

cm

α値の最大値及び最小値の読みが標準値に対して±

0.004

の範囲で再現性があれば,分光光度計の校正は

良好とみなす。標準試料で装置の読みを補正するときは,計算値によって補正してもよい。ただし,標準

値は,製造業者が標準試料で数回の測定実績によって決定する。

次の条件で,α値の測定を行う。

a

)

測定波数

基準波数領域

  3 800 cm

1

又は

3 979 cm

1

吸収波数

  3 500 cm

1

3 585 cm

1

又は

3 410 cm

1

b

)

スリット  次の寸法のスリットを,サンプルビーム側に置く。

 1.5

5.0 mm

高さ

種結晶の

X

寸法又は

5 mm

を超えてはならない。

c

)

測定領域  試料の

Z

領域部分に赤外線を透過させる。ただし,種結晶の中心から±

2.0 mm

の領域及び

ランバード加工によって研削される領域は,評価から除く。

d

)

試料の方向  試料は,+

X

方向を上向きにして試料台へ載せる。

校正後,それぞれの試料(なるべく鏡面研磨してある試料)を基準波数領域及び

3 500 cm

1

3 585

cm

1

又は

3 410 cm

1

波数で走査する。研磨仕上げの場合には,油膜を試料表面に塗布する。α値は,

4.2.6.3 に示す式で算出する。

4.2.6.4

標準試料による赤外線分光光度計の補正

装置ごとの測定値の相違は,測定条件及び測定手順の統一だけでは解決できないため,標準試料による

装置ごとの補正を必要とする。標準試料を用いた赤外線分光光度計の推奨する補正方法を,

附属書 に示

す。


10

C 6704

:2009

4.2.7

周波数温度特性

周波数温度特性評価の水晶振動子の仕様は,次による。

周波数

                10 MHz

±

10 kHz

(基本波)

位置

                    Z

領域

切断方位

            AT

カット

35

°

15

±

30

形状

正方形で一辺は

X

軸に平行

外形寸法

            8 mm

×

8 mm

電極直径

            4

±

0.1 mm

周波数低下量

    70

90 kHz

電極材料

銀又は金

支持位置

対角の

2

表面仕上げ

研磨(研磨材の平均粒径は,

3 μm

未満とする。

)後,

200 kHz

の周波数に相当するエ

ッチングを行う。

平面度

直径

6 mm

の円の範囲でオプチカルフラットガラスを通した単色光による干渉しま

が,ナトリウム光の測定では

5

本,緑色光の測定では

6

本を超えてはならない。

平行度

表面両方での平行度が

10

″以内でなければならない。

封じ

常温常圧で乾燥窒素ガス雰囲気中で密封を行う。

また,測定は JIS C 6701 

附属書 3(励振レベル依存性の測定方法)に規定する方法で,励振レベルを

0.1 mW

以下とし,

15

℃,

25

℃及び

35

℃での周波数を測定し,周波数温度特性で最小傾斜及び最高傾

斜をとる(

図 参照)。

4.2.8

エッチチャンネル密度

エッチチャンネル密度は,エッチングされた

AT

板試料のチャンネル本数を顕微鏡で測定する。具体的

な試験方法は,4.2.8.14.2.8.4 による。

4.2.8.1

ロットのサンプリング

結晶のエッチチャンネルは,種結晶に先天的に存在するケースと成長過程で後天的に発生するケースと

がある。したがって,育成前に種結晶のエッチチャンネルのグレード分類を行い,記録に残しておくこと

が望ましい。さらに,オートクレーブ中に種結晶が置かれる位置で,種結晶加工層の溶解量及び異物の含

有量が異なり,これらが原因で後天的に発生するエッチチャンネル密度にばらつきが生じるため,これら

を考慮してサンプリングを行うことが望ましい。

4.2.8.2

エッチング用試料の準備

試料は,次によって製作する。

位置

                    Z

領域

仕上げ厚さ

        6.0

10.0 mm

切断方位

            AT

カット

35

°

15

±

3

°

形状

種結晶の

X

寸法以上の

X

寸法をもつ角板又は丸板

表面仕上げ

平均粒径

11.5

μm

未満の研磨材で研磨する。ただし,前の研磨材による加工層を

残さないよう研磨しなければならない。

4.2.8.3

試料のエッチング方法

エッチング試験は危険を伴うので,ドラフト内で十分な安全備品を使い,慎重に作業を進める必要があ

る。まず,温浴バスを用いて,ふっ化水素アンモニウム(示性式:

NH

4

F

HF

)の飽和溶液を作り,

75

±

2


11

C 6704

:2009

に保つ。次に研磨及び洗浄した

AT

板試料を飽和溶液に浸す。エッチング作業の間は,溶液をかき混ぜる

か,又は試料をゆっくり動かすほうがよい。約

4

時間エッチングを行い,エッチングの層厚さが

0.1

0.12

mm

となるようにエッチングレートを安定化させ,エッチング終了後に十分洗浄する。

4.2.8.4

エッチチャンネル密度測定方法

試料の

AT

カット面の

Z

成長域に,

0.25 cm

×

0.25 cm

又は

0.5 cm

×

0.5 cm

の正方形の格子の印を付ける。

格子の正方形は,できるだけ種結晶の高さに合った

Z

領域の長方形部分だけに描き,種結晶の中心線から

2 mm

以内は避ける。測定は,試料に−

X

方向から平行光線を当て,

30

40

倍率の顕微鏡で行う。このと

き,試料深部でのエッチチャンネルを数えるのを避けるために,試料表面上に焦点を合わせる。それぞれ

の正方形に見えるエッチチャンネルをすべて数え,平均数を計算し,

1 cm

2

当たりの平均数に換算する。

0.25

cm

×

0.25 cm

の場合は

16

倍,

0.5 cm

×

0.5 cm

の場合は

4

倍して,

1 cm

2

当たりの平均数に換算する。

4.3

表示

アズグロウン人工水晶の+

X

面又は−

X

面に,次の必要事項を明記する。

a

)

製造業者名又はその商標

b

)

種結晶の方位

c

)

右水晶又は左水晶の別(

RH

又は

LH

としてもよい。

d

)

製造ロット番号又はその略号

他の情報として要求があれば明細書に,次の項目を表示する。

e

)

製造ロット番号

f

)

α値等級:

Aa

A

B

C

D

又は

E

g

)

異物密度:

Ia

Ib

I

II

又は

III

h

)

エッチチャンネル密度等級:

1aa

1a

1

2

3

又は

4

4.4

納入条件

納入条件は,受渡当事者間の協定による。


12

C 6704

:2009

図 1 a

)

Y

断面図

図 1 b

)

X

断面図

図 1 c

)

Z

及び Z

eff

寸法の図解

図 1 d

)

Z

min

寸法の図

図 1板種結晶を用いて育成した人工水晶の断面図

Z

Y

Z 領域

r 面

種結晶

Z 領域

R 面

  S 領域

Z 領域

Z 領域

種結晶

−X 領域

+X 領域

S 領域

+X

Z

又は Z´ 

Z 又は Z´

Y 又は Y´

X

 

Z

min

又は

Z´

min

Z

eff

又は Z´

eff


13

C 6704

:2009

注記  接眼鏡を時計回りに回すと,コノスコ

ープ像は収縮する。

注記  接眼鏡を時計回りに回すと,コノスコ

ープ像は広がる。

図 2 a

)

左水晶

図 2 b

)

右水晶

図 2−水晶の結晶軸及び水晶カット方位

R

Z 軸

r

BT

DT

AT

CT

R 面

回転 Z′板種結晶

Z

´

x

s

r 面

Z 軸

r

R

AT

CT

r

板種結晶

(AT カット)

BT

DT

x

r 面

s

R 面

R

R

R

R

R

r

r

r

r

r

Y 軸

Y 軸

R

r

+X 軸

+X 軸

r

m

m

Z 軸

Z 軸

Y 軸

Y 軸

R

r

R

R

r

m

m

r

R


14

C 6704

:2009

図 3 a

)

AT

板及び 板配置図

図 3 b

)

X

カット,カット及び カット方位図

図 3−右水晶(種結晶の方位 0°)の成長領域及び切断の例

図 4−試験試料の周波数温度特性

+X 領域

Z 領域

AT 板

R 面

AT 板

Z 領域

種結晶

−X 領域

R

35°15′

R

m

r

m

r

r 面

r 板

S 領域

S 領域

38°13′

35°15′

Z

Y

−X 領域

+X 領域

S 領域

Z 領域

Z 領域

S 領域

Z カット

X カット

r

R

m

Z´ Z

Y

Z カット

Y カット

温度  (℃)

15 25 35

+2






×10

-6

Δ

f
f

0

−2

−1

+1


15

C 6704

:2009

5

ランバード人工水晶

5.1

標準値

5.1.1

寸法公差

図 5 a

)

及び

図 5 b

)

に示す,

X

軸及び

Z

軸又は

軸方向の規定寸法に対する許容差は,±

0.2 mm

以下でな

ければならない。

5.1.2

基準面の平たん度

基準面の平たん度は,

0.2 mm

以内又は受渡当事者間の協定による。

5.1.3

基準面の角度偏差

基準面の角度偏差は,規定の結晶軸に対して±

15

′以下とする(

図 参照)。

5.1.4

種結晶の位置

種結晶の

Z

方向の位置は,

図 に示す

Z

方向の幅

3.5 mm

の斜線部分に含まれなければならない。斜線

部分の中心位置は,

Z

軸又は

軸方向の寸法の中心位置とする。

5.2

要求事項及び試験方法

5.2.1

ランバード人工水晶に使用するアズグロウン人工水晶

ランバード人工水晶に使用するアズグロウン人工水晶は,箇条 による。

5.2.2

ランバード人工水晶の寸法

ランバード人工水晶の寸法とは,

図 に示すように,

X

軸方向及び

Z

軸又は

軸方向の寸法は

X

軸方向

及び

Z

軸又は

軸方向のそれぞれの軸に垂直に加工した二面間の寸法である。

Y

軸方向の寸法は

Y

軸又

軸方向の最大部の寸法とする。

なお,測定は,ノギス又はマイクロメータで行う。ランバード人工水晶の寸法は,受渡当事者間の協定

による。

5.2.3

基準面の表示

基準面に表示がなければならない。また,表示の有無の確認は目視で行う。

5.2.4

基準面の平たん度測定

測定は,ダイヤルゲージ先端をランバード上面に当て,リセット後に移動しながらゲージ針の揺れる範

囲を測定する。

5.2.5

基準面の角度偏差測定

基準面の角度偏差は,

X

線カット面検査装置で測定する。

5.2.6

種結晶の位置の確認方法

種結晶の位置の確認は,ランバード

X

面にマッチング液を塗布し,透明にしてからノギスで測定する。

5.3

納入条件

納入条件は,受渡当事者間の協定による。

5.3.1

表示

育成ロット番号を+

X

面又は−

X

面に表示する。表示項目は 4.3 a

)

h

)

による。

5.3.2

包装

同一ロット,かつ,類似の

X

寸法及び

Z

寸法又は

Z´

寸法のランバード人工水晶を一緒に包装するのがよ

い。

5.3.3

ロット構成

同じ使用者に大量のランバード人工水晶を供給する場合は,単一ロットの人工水晶とするのがよい。


16

C 6704

:2009

図 5 a

)

Y

図 5 b

)

Z

図 5−ランバード人工水晶の略図並びに 軸,軸及び 軸方向の寸法

Z

A

A

種結晶

種結晶

断面 A−A

Z 又は Z´

Y

+X

種結晶

  Z 又は Z´

Y

+X

A

種結晶

A

種結晶

Z 又は Z´

Y

+X

断面 A−A

種結晶

Z 又は Z´

Y

+X


17

C 6704

:2009

図 6−基準面の角度偏差

基準面

Z 又は Z´

Y 又は Y´

+15´

−15´

Y 軸又は Y´軸に対する基準面の 
角度偏差

Z 軸又は Z´軸に対する基準面の
角度偏差

+X

Y 又は Y´

Z 又は Z´

+X

基準面

+15´

−15´


18

C 6704

:2009

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

ここに,X

seed

:  種結晶の寸法

図 7寸法又は Z

´

寸法と種結晶との中心位置関係

6

アズグロウン人工水晶及びランバード人工水晶の検査基準

6.1

アズグロウン人工水晶の検査基準

6.1.1

検査

検査は,ロットごとに行う。

6.1.2

ロットごとの検査

ロットごとの検査は,グループ

A

及びグループ

B

の検査からなる。

6.1.2.1

グループ 検査

グループ

A

検査の試験計画は,

表 による。統計的抜取り及び検査は,JIS Z 9015-1 又は受渡当事者間

の協定による。グループ

A

検査で使用する試料を,グループ

B

検査で用いてもよい。

表 4−グループ 検査の試験計画

試験

D 又は ND

 b)

試験条件

a)

IL

b)

 AQL

 b)

要求事項

a)

人工水晶の最大及び最小寸法の規格

4.2.3 4.2.3 

双晶

4.2.5.1 4.2.5.1 

クラック又は欠け

ND

4.2.5.2 

Ⅱ 0.1

4.2.5.2 

異物密度 ND

4.2.5.3 

Ⅱ 0.4  4.1.2 

a)

  試験条件及び要求事項は,細分箇条番号を示す。

b)

  この表の記号は,次による。

D

:破壊試験

ND

:非破壊試験

IL

:試験水準

AQL

:受入品質水準 

A

A

2

Y

X

 

Z 又は Z´

Y

+X

Y

+X

Z 又は Z´

断面 A−A

3.

5 mm

以下

X

seed

Z

 

2

X

種結晶


19

C 6704

:2009

6.1.2.2

グループ 検査

グループ

B

検査の試験計画は,

表 又は受渡当事者間の協定による。グループ

B

検査は,グループ

A

検査に用いられた試料を選んでもよい。

表 5−グループ 検査の試験計画

寸法値の受入許容限界

試験

D 又は

ND

 b)

試験条件

a)

n

b)

c

 b)

要求事項

a)

α値 D

4.2.6 

使用目的によって受渡当事者間の協定によ

る,寸法の大きいサイズを代表する試料 1 本
以上

0

4.1.3 

エッチチャンネル密度 D

4.2.8 

受渡当事者間の協定による 1 本以上の試料 0  4.1.5 

注記  エッチチャンネル及びα値の測定は,同じ試料を用いてもよい。 

a)

  試験条件及び要求事項は,細分箇条番号を示す。

b)

  この表の記号は,次による。

D

:破壊試験

ND

:非破壊試験

n

:試料の大きさ(Z 板又は Y 棒)

c

:受入限界(許容不良数)

6.2

ランバード人工水晶の検査基準

6.2.1

検査

検査は,ロットごとに行う。

6.2.2

ロットごとの検査

6.2.2.1

検査ロット

検査ロットは,同時に製造され,又は発注されたランバード加工のロットで構成しなければならない。

6.2.2.2

試験の要求事項

ロットごとの検査は,

表 による。統計的抜取り及び検査は,JIS Z 9015-1 又は受渡当事者間の協定に

よる。

表 6−ランバード人工水晶の試験計画

試験

D 又は ND 

b)

試験条件

a)

IL

b)

 AQL

b)

要求事項

a)

寸法及び公差

5.2.2 5.1.1 

基準面の平たん度

5.2.4 5.1.2 

基準面の角度偏差

5.2.5 5.1.3 

種結晶位置

ND

5.2.6 

Ⅱ 0.4

5.1.4 

基準面の表示 ND

5.2.3 

Ⅱ 0.1  5.2.3 

a)

  試験条件及び要求事項は,細分箇条番号を示す。

b)

  この表の記号は,次による。

D

:破壊試験

ND

:非破壊試験

IL

:試験水準

AQL  :受入品質水準 


20

C 6704

:2009

7

人工水晶使用の指針

7.1

概要

7.1.1

一般事項

人工水晶使用の指針は,人工水晶の使用に当たり,指針を必要とする製造業者及び使用者の要望に対し,

人工水晶が最も有効に利用されることを目的とする。

7.1.2

人工水晶

人工水晶は,水熱合成法で育成される。オートクレーブに,適量の炭酸ナトリウム(

Na

2

CO

3

,水酸化

ナトリウム(

NaOH

)などのアルカリ水溶液を充てんする。オートクレーブの上部に種結晶を,下部に石

英原料を置き,密閉後に加熱して下部が上部より高温になるように維持する。この結果,高温高圧下で溶

解した下部の原料が,溶液の対流で上方に移動して種結晶上に析出することによって,人工水晶が成長す

る。育成条件及び種結晶の方位,寸法などによって,形状,寸法及び特性的に異なった人工水晶が育成さ

れる。十分な管理下で育成された人工水晶は,形状及び寸法が制御され,均質な品質をもつ。

7.2

人工水晶の形状及び寸法

7.2.1

結晶軸及び面の名称

水晶の結晶軸,右水晶・左水晶及び座標系は,文献及び各国の規格で異なる。天然水晶の形状を,

図 8 a

)

に示す。人工水晶は多くの場合,結晶面で完全に覆われる前に育成を中止するので,外形は

図 8 b

)

のよう

になる。しかし,種結晶の方位によって育成する結晶は,

図 8 a

)

及び

図 8 b

)

とは異なる形状になる。

7.2.2

種結晶

種結晶の方位は,水晶振動子製造の経済効率を考慮して決める。

Z

カット及び

r

カットの種結晶で育成

した人工水晶からは,高周波帯域に使用する厚みすべり振動及び中間周波数帯域の輪郭振動の振動子を製

造する。

X

軸回転系の種結晶は,低周波帯域の伸縮振動又は屈曲振動を使用する水晶振動子に利用される。

育成した結晶の種結晶の表面には,異物から構成されるシードベールと呼ぶ薄い層が存在することがある。

7.2.3

形状及び寸法

アズグロウン人工水晶は,特徴的な成長面で覆われている。アズグロウン

Y

棒水晶の外観を,

図 に示

す。人工水晶の形状は,種結晶の形状及び切断方位に依存する。人工水晶の寸法は,

X

軸方向,

Y

軸又は

軸方向及び

Z

軸又は

軸方向の寸法で規定する。しかし,人工水晶の面は平たんでないため,

図 に規

定するように,各軸方向の寸法を測定する。人工水晶の寸法は,育成効率及び水晶片製造の歩留まりを考

慮して規定するので,人工水晶の製造業者と使用者とで十分に協議するのがよい。人工水晶は

Y

軸又は

軸方向の両端に

m

R

及び

r

の各面が現れるため,振動子の切り出し可能な有効長は短くなる。

軸方向

の最小寸法の正確な測定は,

Z

面が平たんでなく,かつ,平行でないために,煩雑で誤差も大きくなる。

したがって,人工水晶使用者の仕様が生産者の誤差範囲より厳しい場合は,ランバード人工水晶で対応す

るのがよい。

7.2.4

成長領域

成長領域は,種結晶を中心に種結晶の方位で定まる固有の成長面によって決定され,成長領域ごとに特

性も異なる。この規格に記載する一般的な成長領域内では,

Z

領域が最も高品質で,+

X

領域及び

S

領域

がこれに次ぎ,−

X

領域が最も品質が悪い。したがって,振動子の製造に当たっては,電極の下には

Z

域だけを含むように製造することが望ましい。

AT

板水晶片及び

X

板水晶片を切断した場合,各成長領域

が水晶片にどのように含まれるかを,

図 3 a

)

及び

図 3 b

)

に示す。

7.3

一般試験による人工水晶の品質評価

人工水晶の欠陥及び不純物量は,育成条件,添加物及び成長速度に依存する。特に成長速度は,α値と


21

C 6704

:2009

周波数温度特性という人工水晶の重要な特性に影響を及ぼす。すなわち,成長速度が速いとα値が増加し,

周波数温度特性にばらつきが生じる。人工水晶の品質指標は,以前には水晶振動子の

Q

値であった。

5

オーバトーン

5 MHz

振動子が,水晶片の保持及び振動子製造上の諸条件によるばらつきの影響を受けにく

く,その

Q

値が人工水晶自体の内部損失をより正確に反映することから使用された。この方法では直径の

大きい水晶片を用いるため,目的とする振動子を

Z

成長領域から製造できないこともあった。

振動子製造による

Q

値の測定は,多くの時間及び労力を必要とするため,現在ではα値を測定して

Q

を推定する方法を採用している。この方法は微小領域の測定ができ,成長による変化も検出できる。さら

に,労力及び費用がかからず,簡便に測定できるという特徴がある。等級

C

以上の人工水晶は,良質な天

然水晶と同等の周波数温度特性を示す(

表 参照)。したがって,このような結晶は,良好な周波数温度特

性を要求する高周波帯域の水晶振動子に使用する。よく制御され,かつ,育成工程がよく管理された同一

ロット内では,α値のばらつきは小さい。特定の製造ロットから試料を抽出するときには,ロット内で

Z

寸法又は

Z´

寸法が最も大きい人工水晶を選択する。α値は成長速度に比例して大きくなるので,

Z

寸法又

Z´

寸法が最大の結晶は,同一ロット内で最大のα値を示す。したがって,α値の検査は,すべての製品

で行う必要はない。

人工水晶の品質評価方法として,水晶振動子の周波数温度特性の測定がある。切断角度は周波数温度特

性の直線的に変化する部分で,切断角度に対して最も鋭敏に変化が現れるように規定されている。水晶片

の形状及び寸法は,切断角度を正確に測定できるように決めている。ただし,水晶振動子の

Q

値は,保存

又は製造上の影響を受けるので,人工水晶材料自体の

Q

値とはならない。

7.4

その他の人工水晶品質評価方法

上記の方法以外にも,結晶構造の完全性を評価する様々な方法が提案されているが,水晶振動子の電気

的特性との定量的な相関関係は,必ずしも明確ではない。唯一の例外が,7.3 のα値を測定して

Q

値を推

定する方法であり,この方法は有効な品質評価方法である。

7.4.1

目視検査

水晶に屈折率の近い液体中,又はこのような液体を塗布した状態で強い側面照明を当て,目視で検証す

る。多数の異物を含む人工水晶は,目視検査を行わないほうがよい。

7.4.2

赤外線吸収による方法

結晶格子内の

OH

結合は,赤外領域の特定の波数を吸収する。人工水晶中に含まれる最も一般的な不純

物である

OH

基は,赤外領域の

3 500 cm

1

3 585 cm

1

及び

3 410 cm

1

の吸収係数から,その含有量を算

出できる。

OH

基の量が水晶の機械的損失と関連があるので,α値と

Q

値との相関を見出すことができる。

3 500 cm

1

のα値及び

Q

値測定用振動子から得た両者の相関の例を,

図 10 に示す。通常,α値は

Z

領域

で測定する。また,−

X

領域の吸収は

Z

領域とは異なる。α値は,次に示す測定条件によって変化するの

で,次の事項を考慮する。

赤外線の光路に置かれた窓の寸法

測定点として選択した箇所が,成長過程のどの部分に相当するか

測定時の偏光面

測定時の温度及び湿度

赤外線分光光度計の個々の特性

7.4.3

その他

天然水晶内部の双晶の検出に広く用いる化学的エッチングによる検査法は,双晶の存在が人工水晶で非

常にまれなために必要としない。この方法は,結晶欠陥数を示すエッチピット及びエッチチャンネルを明


22

C 6704

:2009

確にするために使われることがある。

なお,エッチピットとは,固体の表面を化学腐食剤などで腐食する場合に生じるくぼみをいう。

不純物の全体の分布を観察するために,ガンマ線又は

X

線の照射を行う。照射による暗色化(暗褐色の

着色)は,不純物の密度及び成長領域に関係する。

X

線散乱のパターンは,結晶の完全性を示す有用な情

報になる。α値が低いときは,散乱

X

線ビームを使うと,より明りょう(瞭)なラウエパターンが得られ

る。ラング法による

X

線トポグラフィーは,結晶欠陥の分布を検出するのに有効となる。しかし,これら

の方法のすべては,水晶振動子完成品の電気的特性との定量的相関性に欠けていることに注意する。

7.5

α値等級

α値等級は,

6

等級ある。等級

Aa

,等級

A

及び等級

B

は,高品質の水晶振動子用となる。等級

C

は,

主に高い等級のα値と同等の優れた温度特性を要求する高周波産業用水晶振動子に適している。等級

D

び等級

E

は,主に低価格の低周波用水晶振動子に適している。人工水晶では,品質の管理及び規定には物

理的な測定値としてα値が使われるが,

Q

値との対応関係を示すことが望ましい。

Q

値は,α値を測定し,

経験的な相関から得る。α値等級と従来の

Q

値との対応を

表 に示す。

注記

 1987

年以前は

Q

値で示すのが一般的だった。α

3 410

による等級の分類は,日本国内で用いられ

ることは少ないが,海外で用いられることがある。

表 7−α値等級と 値との対応

各等級のα値の最大値

等級

α

3 500

α

3 585

α

3 410

1987 年以前の

Q 値(×10

6

 Aa

0.026

0.015

0.075

3.8

A 0.033 0.024 0.082

3.0

B 0.045 0.050 0.100

2.4

C 0.060 0.069 0.114

1.8

D 0.080 0.100 0.145

1.4

E 0.120 0.160 0.190

1.0

7.6

異物,エッチチャンネル及びアルミニウム含有量の等級選択(要求があるときだけ適用)

7.6.1

異物

異物密度は,

5

等級ある。等級

Ia

,等級

Ib

及び等級

I

は,主にフォトリゾグラフ工程用に使用する。等

II

は,主に高周波で,かつ,高品質のバルク波用,

SAW

素子用などに使用する。等級

III

は,産業用水

晶振動子に多く用いる。

7.6.2

エッチチャンネル

エッチチャンネル密度は,

6

等級ある。等級

1aa

及び等級

1a

は長時間の化学エッチングが必要な厚い水

晶のセンサに用いる。等級

1

及び等級

2

は,高周波を基本波とする水晶振動子並びに高周波数の

SAW

バイス及び化学的エッチングのような工程を必要とする高品質な水晶振動子に用いる。等級

3

は,主に産

業用水晶振動子に用い,等級

4

は,主に一般用水晶振動子に用いる。

7.6.3

アルミニウム含有量

人工水晶はアルミニウムを含有すると,それと対になった

Li

及び

Na

イオンが増加し,それらの動き

によって,振動子にした場合に放射線照射による周波数変動を生じやすい。そのため,アルミニウム含有

量を制御しなければならない。

水晶のアルミニウム濃度の測定は,専門的な技術並びに専用の設備及び実験室が必要となり,通常の工


23

C 6704

:2009

業的な生産での評価試験に用いるのは困難となる。しかし,特別な場合又は技術評価が必要な機会が増え

てきており,ここに標準的なアルミニウム不純物含有量の測定方法の概要を記載する。

アルミニウム濃度は,

Si

原子百万個中に含むアルミニウム原子個数で表し,化学分光法及び物理的方法

によって測定できる。化学分光法には,原子吸光法(

AA

ICP

発光法(

ICP

)及び直流プラズマ法(

DCP

があり,ふっ酸(

HF

)で水晶試料を溶かし,扱いやすくすることによって測定が容易になる。これらの方

法は,特にアルミニウム含有量が低いときには,正確な結果を得るために,かなり熟練を要する。物理的

方法としては,電子スピン共鳴(

ESR

,電子常磁性共鳴(

EPR

)及び液体窒素温度雰囲気中の試料の赤外

線吸収法がある。これら以外には,簡易的に定性的な情報を得る手段として,

X

領域の放射線照射による

着色部を比較する方法もある。

アルミニウムの分析サンプルには,不要な物質が含まれないように準備する。例えば,サンプルは種結

晶を含まない単一の成長領域が適切であり,通常

Z

領域を使用する。

7.6.4

スエプトクォーツ

水晶中の欠陥である

Al-M

センタは,放射線照射によってアルカリ金属イオンが解離され,欠陥形態が

Al-OH

に変換される。これによって

Al-M

センタのもつ非弾性的緩和が消失し,弾性定数が高くなる。放

射線による水晶振動子の周波数変化はこれが原因となるが,水晶中のアルカリ金属イオンをスィーピング

(電界拡散処理)によってあらかじめ除去し,欠陥の形態を

Al-M

から

Al-OH

に変換しておけば放射線に

よる周波数変化を低減することができる。このようにスィーピングした水晶をスエプトクォーツという。

スエプトクォーツは宇宙の放射線環境下で,周波数経時変化を受けやすい人工衛星に搭載する水晶振動子

に使用する。

スィーピングは,水晶を高温中で

Z

軸方向に高い直流電圧を印加することによって,水晶中から

Z

軸方

向に沿ってアルカリ金属イオンを動かし,除去する処理方法となる。

7.7

発注手順

発注手順は,次の項目を指定することが望ましい。

a

)

アズグロウン人工水晶又はランバード人工水晶

b

)

種結晶の方位

c

)

寸法

d

)

右水晶又は左水晶

e

)

α値等級

f

)

その他の補足的等級の仕様(要求があるとき)


24

C 6704

:2009

図 8 a

)

天然水晶

図 8 b

)

人工水晶

図 8−水晶の結晶軸及び面の表示

R

R

m

m

m

m

r

r

r

r

R

R

Z

Z  Z´

θ

θ

θ

θ

Y

Y

Y

´

Y

Y

X

+X

R

R

R

R

R

r

r

r

r

r

左水晶

右水晶

R

r

r

R

R

R

R

R

R

r

r

r

r

r

R

R

R

R

R

R

m

m

m

m

m

m

r

r

r

r

r

r

S

S

x

x

X

X

Y

Y

Y

Y

Z

Z

X

X

左水晶

右水晶


25

C 6704

:2009

注記  種結晶の 寸法高さの割合,又は種結晶の方位によって結晶は別の形状をとる。

図 9−アズグロウン 棒水晶

0

0.1

0.3

0.4

0.5

0.2

3.0

2.0

1.0

0.6

0.4

0.2

Q

 ×

10 

6

α

 3 500cm

-1

図 10−α値及び 値の相関の例(波数 3 500 cm

1

−X 側

Z

 eff

+X 側

  

r

R

m

r

R

m

r

R

R

R

r

r

    Z

  X


26

C 6704

:2009

附属書 A

参考)

よく用いる異物密度サンプリングの手順

A.1  完全な体積の計算

異物密度を重視する用途に使用する結晶に対し,製造業者及び使用者は次の手順で異物密度を計算する

のがよい。個々の結晶は,全体の有効領域の結晶検査を除いて,4.2.5.3.4 に示す異物の測定方法に従って

検査する。結晶の

X

軸方向が顕微鏡の焦点深度より大きい場合,異物の見逃がしがないように必要な

X

範囲に焦点を動かして走査するように,注意する。

結晶の異物密度は,大きさの範囲ごとに異物数を有効体積で除して算出する。算出した異物密度によっ

て,結晶の分類を行う。

A.2  製品 棒サンプリング−方法 1

方法

1

は,製造業者及び使用者に適用し,アズグロウン

Y

棒水晶又はランバード

Y

棒水晶(以下,

Y

棒”という。

)のロットのサンプリングに用いる。

Y

50 kg

当たり

1

本以上の試料

Y

棒を選ぶ。要求する

信頼性によって,抜取り数が異なる。しかし,

1

バッチ当たり

3

本以上の試料の抜取りが望ましい。製造

業者が試験する場合は,オートクレーブの上部,中部及び下部から選び,更にオートクレーブの壁に近い

もの及び遠いものから選ぶことが望ましい。使用者が試験する場合は,ランダムに抜取りを行う。

試料は,4.2.5.3.4 に示す異物の測定方法を用いて検査する。結晶の

6

か所の検査領域の大きさの等級ご

とに異物数を記録し,サンプリングした検査領域全体の体積を算出する。

結晶の異物密度は大きさの等級ごとに,異物合計数を

6

か所の検査領域の合計体積で除して計算する。

バッチの受入合否の基準は,用いるサンプリングレベルと整合しなければならない。

A.3  製品 棒サンプリング−方法 2

方法

2

は,使用者が大量の

Y

棒の受入検査を行うときに用いる。ロットからランダムに試料

20

本を選

ぶ。これらは顕微鏡の焦点深度以内で,結晶の全有効長領域を検査できる場合を除き,4.2.5.3.4 に示す異

物の測定方法で検査する。

使用者は,振動子に用いる水晶片の電極のエリアを考慮して領域の

X

の高さを顕微鏡の焦点深度と比較

して適正さを判断する。

X

の高さの余剰部分が大きくなければ,顕微鏡の焦点で捕らえられる試料は十分

代表的であり,合理的な試料と考えられる。異物の大きさの等級ごとの異物数合計を記録する。

1 cm

3

当た

りの異物数は,次の式によって算出する。

V

R

=

ρ

ここに,

ρ

1 cm

3

当たりの異物数

R

異物の大きさの等級ごとの異物数合計

V

(

)

[

]

000

1

2

YD

S

Z

+

Z

20

本の結晶の

Z

軸方向の最小値及び最大値の平均寸法

mm

S

種結晶の厚さ(

mm

Y

Y

方向の有効長(

mm


27

C 6704

:2009

D

: 顕微鏡の焦点深度(

mm

バッチの受入合否の基準は,検査レベル

S3

及び

AQL1.0

%(JIS Z 9015-1 参照)を用いる。

A.4  全数検査のための限度見本の適用

規定の異物等級の人工水晶を選別する場合又は製造したロット中の異物密度がばらついている場合に,

製造業者は全数検査のために限度見本による方法を用いることが多い。

結晶を−

X

面から見て,最も異物密度が高い部分の観察を行う。さらに,異物密度の限度見本と比較を

行う。この限度見本は,4.2.5.3 に規定した方法

1

又は方法

2

で測定した試料を用いる。

限度見本と比較して異物密度が明らかにこの限度内に入っている場合は,結晶を該当する等級に分類す

る。異物密度が限度に近く,等級の決定が困難な場合は,悪い方の等級に分類するか,又は 4.2.5.3.4 に示

す異物の測定方法によって,より正確な異物密度を決定する。

顕微鏡鏡筒の上下動を数段階の焦点深度レベルで自動的に合うようにすることで,測定が容易で迅速な

試験が可能になる。


28

C 6704

:2009

附属書 B

参考)

異物密度サンプリングの実例

B.1  製品 棒サンプリング−方法 1

視野径

0.6 cm

,焦点深度が

0.1 cm

30

倍の双眼顕微鏡を使用して,高さ

2.0 cm

の試料の高さ方向全域に

わたって

6

か所で測定して,次の数値が得られた。

異物の大きさ(

μm)

異物数

10 以上  30 未満 18 
30 以上  70 未満

5

70 以上 100 未満

4

  100 以上 10

全体積(検査領域)は,次の式によって計算する。

2

2

π

=

D

NH

V

ここに,

V

全体積(

cm

3

N

測定箇所数

H

測定深さ(

cm

(この例では,結晶の高さ)

D

視野径(

cm

注記

結晶の高さ全体を測定していない場合は,

H

R

h

となる。

R

は,顕微鏡の鏡筒の上下できる

距離で,

h

は,顕微鏡の焦点深度である。

この例では,全体積は

3.39 cm

3

となる。

したがって,異物の大きさごとの単位体積当たりの異物数は,各測定数を

3.39

で除して算出すると,次

の表に示す数値が得られた。

異物の大きさ(

μm)

異物数(1 cm

3

当たりの個数)

10 以上  30 未満 5.3 
30 以上  70 未満 1.5

70 以上 100 未満 1.2

100 以上 2.9


29

C 6704

:2009

附属書 C 

参考)

限度見本の選定

C.1  限度見本の選定

種結晶の

X

寸法が大きい結晶の場合は,試験結晶から厚さ

10 mm

Y

カットを切り出して鏡面研磨し

測定試料とする。種結晶を除く

Z

領域部分の

Y

面上に

10 mm

間隔で格子状にけい線を引き,体積

1 cm

3

の区画を作成する。

Y

棒のように種結晶の

X

寸法が小さい結晶の場合は,

X

寸法

10 mm

にランバード加工した後,

X

面を鏡

面研磨して試料としてもよい。この場合は,種結晶を除く

Z

領域部分の

X

面上に

10 mm

間隔で格子状に

けい線を引き,体積

1 cm

3

の区画を作成する。

種結晶表面のシードベールを測定から除くため,最も種結晶に近いけい線は種結晶表面から

0.5 mm

度離す。

結晶中の場所によって異物密度に差異がある場合は,測定値が結晶全体の平均的密度に近くなるように

複数の測定試料を使用する。作成した体積

1 cm

3

の格子区画の中から,測定を実施する区画(測定区画)

を適宜選択する。測定試料内の場所によって異物密度に差異がある場合は,測定値が測定試料全体の平均

的密度に近くなるように測定区画の場所を選ぶ必要がある。

選択した各測定区画を約

40

倍の顕微鏡で異物の粒径を測定し,測定区画ごとに異物の大きさの範囲別に

集計する。これらの集計値を粒径区分ごとに,測定試料中の選択した測定区画全体で平均をとる。また,

試験結晶から複数の測定試料を選択した場合は,選択した複数の測定試料全体で更に平均をとる。このよ

うにして集計した粒径別平均個数をもって,試験結晶の

Z

領域での評価値とする。この評価値が,異物適

用等級の限界値と同等の試料を,限度見本とする。


30

C 6704

:2009

附属書 D 

参考)

ネックノギスの詳細

D.1  ネックノギス

ネックノギスは,外側つめ(爪)の測定部の両側先端が突き出していて,これによって凹部をもつ物体

の凹部の測定が可能である。人工水晶の

Z

面は凹凸に富んでいるため,このノギスは,

Z

方向のアズグロ

ウン人工水晶の最小寸法を測定するのに適している。ネックノギスの形状を,

図 D.1 及び図 D.2 に示す。

図 D.1−ネックノギス

図 D.2−デジタルネックノギス


31

C 6704

:2009

附属書 E

参考)

α値測定装置の補正法

E.1  まえがき

この規格の手順及び類似する装置を用いて異なった試験所で測定したα値は,測定結果にばらつきを生

じる。この問題の解決及び試験所間の関係を定めるために,五つの広範囲のα値サンプルを用い

20

以上の

試験所でラウンドロビンを実施した。測定結果の違いに基づく補正項目の確立手順及び試験所間にわたる

一定の波数での平均値及びサンプルが確立された。同様の方法をこの附属書に記載するが,これは先々の

補正項目を定めるのに適用できる。ラウンドロビンを測定する装置は,分散形又はフーリエ変換形の赤外

線分光光度計(

FTIR

)に基づいた回折格子を備える。したがって,どちらの測定法を使用した装置にもこ

のプロセスが適用できる。

E.2  サンプル準備,測定装置の調整及び測定手順

試験所間の測定装置のばらつきを考慮して効率良く測定するために,サンプルの準備,測定装置の調整

及び測定手順について,E.2.1E.2.3 のとおり行うことが望ましい。

E.2.1  サンプルの準備

サンプルは,次の手順で準備する。

サンプルの

Z

ゾーンからの切り出しには,種子部を含めない。

赤外線は

Y

方向に照射するので,

Y

面は一般的に呼ばれる“光学検査グレード”に研磨する。

厚さは

6.0

10.0 mm

とする。また,

X

及び

Z

の寸法は,アパーチャのサイズを考慮した寸法とする。

  Y

面の角度偏差は,結晶軸から

3

°以内とする。

  X

面及び

Z

面は,

#80

のダイヤモンドと(砥)粒又はダイヤモンドホイールで研削し,仕上げる。

E.2.2  測定装置の調整

一般的な装置の配置図を,

図 E.1 に示す。

サンプルは,光がサンプルから出る面がフォーカルプレーンから

5 mm

,かつ,焦点がサンプルとアパ

ーチャとの間になるように置く。

波長の分解能が

6.0

±

0.5 cm

1

を維持するように,

FTIR

のスキャンスピード,分光計のスリット幅など

を調整する。

アパーチャのサイズは

12 mm

×

2 mm

で,結晶の

X

方向を

12 mm

とする。

アパーチャは参照波長の透過率が最大になるように,フォーカルプレーンとサンプルとの間に置く。ま

た,サンプルを取り除いた状態で参照波長及び吸収を測るすべての波数での透過率の読みが

100

%になる

ように,装置を補正する。

なお,参照波数は

3 800

±

3 cm

1

及び

3 979

±

3 cm

1

で,吸収の波数は

3 500

±

3 cm

1

3 585

±

3 cm

1

3 410

±

3 cm

1

である。

3 585 cm

1

の波数の調整は,透過率が最小になるように位置を調整する。

測定する温度は

15

25

℃,相対湿度は

70

%以下とする。

E.2.3  測定手順

補正していない三つの波数での吸収は,4.2.6.3 の式によって計算する。

T

1

は E.3 の手順で確立する補正

条件とし,同じ参照波数で評価する。測定は,分光計の回折格子で波数を固定して行う。サンプルはアパ


32

C 6704

:2009

ーチャの内側,かつ,光束の中央に置く。専用のサンプルホルダによって,正しいサンプルの位置決めが

可能になる。

E.3  補正条件を確立する手順

補正条件の確立は,三つの吸収の波数で独立して実施する。ラウンドロビンに使用するサンプル又はそ

れと同等のサンプルの測定は,E.2.2 及び E.2.3 による。

補正方法の例を

表 E.1∼表 E.3 に示す。

5

個一組の標準サンプルを複数の試験所で測定し,三つの波数ご

とに補正していないデータの平均値(すべての装置を含む。

)をとる。

表 E.1−α

3 585

のデータ補正例

標準サンプルの番号

平均値

測定値

1

0.015 7

0.015 5

2

0.038 2

0.037 3

3

0.062 4

0.059 1

4

0.155 5

0.153 8

5

0.136 2

0.137 8

表 E.2−α

3 500

のデータ補正例

標準サンプルの番号

平均値

測定値

1

0.026 1

0.025 1

2

0.038 3

0.036 1

3

0.051 4

0.047 5

4

0.130 6

0.123 2

5

0.107 7

0.107 2

表 E.3−α

3 410

のデータ補正例

標準サンプルの番号

平均値

測定値

1

0.077 0

0.075 6

2

0.094 2

0.092 1

3

0.113 9

0.110 5

4

0.214 8

0.214 8

5

0.188 8

0.188 8

このデータを最小二乗近似一次直線とともに,

図 E.2 に示す。

これらの五つのサンプルにおける補正条件は,α

3 500

では因数は

1.029 9

で補正値は+

0.001 0 cm

1

,α

3 585

では因数は

0.994 1

で補正値は+

0.001 4 cm

1

,α

3 410

において因数

a

1.005 9

で補正値は+

0.001 5 cm

1

なる。

E.4  吸収値の補正計算

測定装置の調整をし,該当波数に対する補正条件を確認後に,E.2.3 に従って評価用サンプルを測定する。

該当波数の補正したα値は,未補正のα値及び補正条件から次の式によって計算する。

α

corrected

a

×

α

b

ここに,

α

corrected

補正したα値


33

C 6704

:2009

α

未補正のα値

a

因数

b

補正値

 

図 E.1−測定の調整の概要図

注記  横軸は装置ごとのα値,縦軸は標準α値。

図 E.2−標準試料を用いた補正曲線の例

IR-700  No.3 124 701  α

3 585

における標準値

  y=0.994 1x+0.001 4

0.000

0.050

0.100

0.150

0.200

0.000 0.050 0.100 0.150 0.200

測定値 α

3 585

標準値

α

3 585

IR-700 No.3 124 701  α

3 410

における標準値

y=1.005 9x+0.001 5

0.000

0.050

0.100

0.150

0.200

0.250

0.000

0.050

0.100 0.150 0.200 0.250

測定値 α

3 410

標準

 α

3 410

IR-700 No.3 124 701  α

3 500

における標準値

y=1.029 9x+0.001 0

0.000

0.050

0.100

0.150

0.000

0.050

0.100

0.150

測定値 α

3 500

標準

 α

3 500

フォーカル 
  プレーン

アパーチャ

サンプル

検知器


34

C 6704

:2009

附属書 F

参考)

水晶の座標系に関するこの規格と IEEE 規格との相違

F.1  まえがき

IEEE(米国電気電子学会)は

1987

年に,水晶の規格である IEEE Std 176-1978 を改正して IEEE Std 

176-1987(以下,“IEEE 規格”という。)とした。そこで規定する水晶の結晶軸の取り方は,この規格での

水晶の結晶軸の取り方とは異なる。

F.2  この規格と IEEE 規格との相違点

この規格と IEEE 規格との主な相違点を,次に示す。

a

)

この規格では,右水晶は右手直交座標系を,左水晶は左手直交座標系を使うが,IEEE 規格では,右

水晶及び左水晶で右手直交座標系を使う。

b

)

この規格の右水晶を

Z

軸に対して

180

°回転すると,IEEE 規格の右水晶になる。この規格の左水晶を

Y

軸に対して

180

°回転すると,IEEE 規格の左水晶になる。

c

)

この規格では,左水晶の材料定数(弾性定数及び圧電定数)はすべて,右手系水晶の材料定数と同じ

になる。IEEE 規格では,右水晶と左水晶とで弾性定数は同じになるが,圧電定数の符号はすべて反

対になる。

d

)

この規格では,弾性定数

c

14

の符号は負,圧電定数

e

11

の符号は負,かつ,圧電定数

e

14

は正の値である。

一方,IEEE 規格では,

c

14

e

11

及び

e

14

は,すべて正の値である。

e

)

この規格では,右水晶の

AT

カットの表現は+

35

°回転

Y

板となるが,IEEE 規格では,−

35

°回転

Y

板となる。

現在,国際的な学術論文では IEEE 規格で水晶の材料定数などを表現するので,この規格と IEEE 規格

との違いによる材料定数及び水晶の座標系による混乱が生じないように注意しなければならない。

左水晶に右手座標系を採用する方法として,

Z

軸を反転する方法と

X

軸を反転する方法とが考えられる。

X

軸を反転する方法を採用した場合,

Z

軸に対して

180

°回転すると,IEEE 規格の左水晶になる。

IEEE 規格の左水晶及び右水晶の座標系を図 F.1 に,この規格の左水晶及び右水晶の座標系を図 F.2 に示

す。


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C 6704

:2009

図 F.1 a

)

左水晶 

図 F.1 b

)

右水晶 

図 F.1IEEE 規格の左水晶及び右水晶の座標系

Z

AT

R 面

r 面

+

R

r

BT

CT

GT

s

x

DT

伸張

r

Y 軸

+x

x

R

r

R

r

+X 軸

+

AT

圧縮

GT

DT

BT

CT

Z 軸

x

R 面

r 面

R

r

+x

r

r

R

R

Y 軸

+X 軸

+x

r


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C 6704

:2009

              図 F.2 a

)

左水晶 

図 F.2 b

)

右水晶 

図 F.2JIS の左水晶及び右水晶の座標系

x

x

s

r 面

r 面

s

r

r

R

AT

CT

GT

BT

DT

BT

DT

AT

CT

GT

Z 軸

R

Z 軸

R 面

R 面

R

R

R

R

R

r

r

r

r

r

Y 軸

Y 軸

R

r

+X 軸

+X 軸


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C 6704

:2009

附属書 JA

参考)

JIS

と対応する国際規格との対比表

JIS C 6704

:2009  人工水晶

IEC 60758

:2008,Synthetic quartz crystal−Specifications and guidelines for use

 
(Ⅰ)JIS の規定

(Ⅲ)国際規格の規定

(Ⅳ)JIS と国際規格との技術的差異の箇条ごとの評価及び
その内容

箇 条 番 号 及 び
名称

内容

(Ⅱ) 
国際

規格
番号

箇条番号

内容

箇条ごとの
評価

技術的差異の内容

(Ⅴ)JIS と国際規
格との技術的差異

の理由及び今後の
対策

用語の定義 
3.1  水熱合成法

3.1

JIS にほぼ同じ

変更

IEC 規格で参照された圧力単位を MPa で修
正した。

IEC 改正提案

3.2  人工水晶 3.2

JIS にほぼ同じ

変更

注記としてアルファ水晶の説明を入れた。

3.7.2∼3.7.6  AT,r,
X,Y 及び Z カット

IEC 規格に記載な

追加 3.7.2∼3.7.6 にカット定義を記載した。

3.7.8  r 板 3.7.3

JIS にほぼ同じ

変更

IEC 規格で参照された z (minor rhombohedral)
面を,

国内で一般的に用いる r 面へ変更した。

3.7.7∼3.7.11 3.7.2∼3.7.6

JIS にほぼ同じ

変更

カット定義記載によって箇条番号が変わっ
た。

3  用語及び定

3.18   赤 外 線 吸 収 係
数 α 値

3.18

JIS にほぼ同じ

変更

式を 4.2.6.3 に示した。

4.1.3  赤外線吸収係
数 α

3 500

,α

3 585

及び

α

3 410

4.1.3

JIS にほぼ同じ

変更

α値に対応する Q 値は標準値ではないため削
除し,箇条 7 に表 7 として記載した。

4.2.6.2   赤 外 線 分 光
光度計の調整 
4.2.6.3  Y カット試料
の測定

4.2.6.2 
 
4.2.6.3

JIS にほぼ同じ

変更

IEC 規格で 4.2.6.2 に含まれている Y カット
試料の測定の説明を,4.2.6.3 に移動した。赤
外線分光光度計のベースラインの揺らぎ調
整基準を,IEC 規格が規定する吸収率基準

(0.02 を超えてはならない。)から,実際の
作業を配慮し,透過率基準(±1.0

%を超え

てはならない。)に変更した。また,測定方

法の部分は分かりやすく箇条書きにした。

IEC 改正提案

4  アズグロウ
ン人工水晶

図 2  水晶の 結晶軸
及び水晶カット方位

図 2

JIS にほぼ同じ

変更

内容に適するタイトルに変更した。

IEC 改正提案

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C

 670

4


20
0

9


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C 6704

:2009

(Ⅰ)JIS の規定

(Ⅲ)国際規格の規定

(Ⅳ)JIS と国際規格との技術的差異の箇条ごとの評価及び
その内容

箇 条 番 号 及 び
名称

内容

(Ⅱ) 
国際 
規格

番号

箇条番号

内容

箇条ごとの
評価

技術的差異の内容

(Ⅴ)JIS と国際規
格との技術的差異
の理由及び今後の

対策

4  アズグロウ
ン人工水晶 
(続き)

図 3 b)  X カット,Y

カット及び Z カット
方位図

図 3 b)

JIS にほぼ同じ

変更

内容に適するタイトルに変更した。

5.2.4  基準面の平た
ん度測定

5.2.4

JIS にほぼ同じ

追加

IEC 規格で具体的試験方法を規定していない
ため,追加した。

IEC 改正提案

5  ランバード
人工水晶

図 7  寸法又は Z´寸
法と種結晶と の中心
位置関係

図 10

変更

IEC 規格ではランバード Y 棒水晶で規定して
いるが,JIS では,ランバード Y 棒水晶より
多く生産されるランバード Z 板水晶に変更し

た。 
また,IEC 規格は図を最後に一括して掲載す
る一方で,JIS は章ごとに図を記載するため,

図 7 と図 10 とを入れ替えて掲載した。

IEC 改正提案

6.1.2  ロットごとの
検査

6.1.2

JIS にほぼ同じ

変更

IEC 規格で規定する IEC 60410 から,JIS Z 
9015-1 
に変更した。

6  アズグロウ
ン 人 工 水 晶 及
び ラ ン バ ー ド
人 工 水 晶 の 検

査基準

6.2.2  ロットごとの
検査

6.2.2

JIS にほぼ同じ

変更

IEC 規格で規定する IEC 60410 から,JIS Z 
9015-1 
に変更した。

7.5  α 値等級 7.5

追加

Q 値とα値との対応を示すため,表 7 を追加
した。

7.6.4  スエプトクォ
ーツ

7.6.4

JIS にほぼ同じ

変更 Al

3

を一般的な表現の Al にした。

IEC 改正提案

7  人工水晶使
用の指針

図 9  アズグロウン Y
棒水晶

図 6

Z 軸方向からの人工水晶図を追加し,天然水
晶と人工水晶との対比を明確にした。

JIS と国際規格との対応の程度の全体評価:IEC 60758:2008,MOD

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C

 670

4


2

009


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:2009

注記 1  箇条ごとの評価欄の用語の意味は,次による。

    −  追加  国際規格にない規定項目又は規定内容を追加している。 
    −  変更  国際規格の規定内容を変更している。

注記 2  JIS と国際規格との対応の程度の全体評価欄の記号の意味は,次による。 
        −  MOD  国際規格を修正している。

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C

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4


20
0

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