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C 6575-4

:2016

(1)

追補 1 のまえがき

この JIS C 6575-4 の追補 1 は,工業標準化法に基づき,日本工業標準調査会の審議を経て,経済産業大

臣が JIS C 6575-4:2009 を改正した内容だけを示すものである。

JIS C 6575-4:2009

は,この追補 1 の内容の改正がされ,JIS C 6575-4:2016 となる。


   

日本工業規格

JIS

 C

6575-4

:2016

ミニチュアヒューズ−第 4 部:UM ヒューズリンク

(UMF)並びにその他の端子挿入形及び表面実装形

ヒューズリンク

(追補 1)

Miniature fuses-Part 4: Universal modular fuse-links (UMF), and

non-UM through-hole and surface mount fuse-links

(Amendment 1)

追補 の序文 

この追補は,2012 年に発行された IEC 60127-4 の Amendment 2 を基に,JIS C 6575-4:2009 の追補 1 とし

て作成した日本工業規格である。

JIS C 6575-4:2009

を,次のように改正する。

箇条 1(適用範囲)の“このヒューズリンクは,

”で始まる段落の,

“ヒューズホルダに装着して用いる UM

ヒューズリンクについては,検討中である。

”を削除する。

箇条 2(引用規格)の“JIS C 0664:2003  低圧系統内機器の絶縁協調  第 1 部:原理,要求事項及び試験”

を,

JIS C 60664-1:2009  低圧系統内機器の絶縁協調−第 1 部:基本原則,要求事項及び試験”に置き換

える。

箇条 2(引用規格)の“JIS C 6575-1:2009  ミニチュアヒューズ−第 1 部:ミニチュアヒューズに関する

用語及びミニチュアヒューズリンクに対する通則”を,

JIS C 6575-1  ミニチュアヒューズ−第 1 部:ミ

ニチュアヒューズに関する用語及びミニチュアヒューズリンクに対する通則”に置き換える。

箇条 2(引用規格)の“JIS C 60068-2-20:1996”を,次に置き換える。

JIS C 60068-2-20:2010

  環境試験方法−電気・電子−第 2-20 部:試験−試験 T−端子付部品のはんだ

付け性及びはんだ耐熱性試験方法

注記  対応国際規格:IEC 60068-2-20:2008,Environmental testing−Part 2-20: Tests−Test T: Test

methods for solderability and resistance to soldering heat of devices with leads

(IDT)

8.6

(端子のはんだ付け性)の“8.6.1 及び 8.6.2 に規定する試験では,

”で始まる段落を削除する。


2

C 6575-4

:2016

   

8.6.1

(スルーホール UM ヒューズリンク)の“試験後,浸せき表面は,

”で始まる最後の段落の後に,次

の段落を追加する。

はんだ槽の温度は,使用するはんだの種類によって選択が必要になる場合がある。はんだ合金に対応す

るはんだ槽の温度は,JIS C 60068-2-20 

表 に従って,選択する。

8.6.2

(表面実装 UM ヒューズリンク)の“浸せき時間及び温度は”の一文を削除し,

“浸せき条件”を,

次に置き換える。

浸せき条件:245±5  ℃,3±0.3 秒

8.6.2

(表面実装 UM ヒューズリンク)の“試験後,浸せき表面は,

”で始まる最後の段落の後に,次の段

落を追加する。

はんだ槽の温度は,使用するはんだの種類によって選択が必要になる場合がある。はんだ合金に対応す

るはんだ槽の温度は,JIS C 60068-2-58 

表 に従って,選択する。

8.7.1

(スルーホール UM ヒューズリンク)の“ヒューズリンクは,

”で始まる一文を,次に置き換える。

ヒューズリンクは,JIS C 60068-2-20 の試験 Tb の方法 1 によって,次の条件で試験を行う。

スタンダードシート 1(スルーホール UM ヒューズリンク)の遮断容量の表の“JIS C 0664

(2 か所)を,

JIS C 60664-1”に置き換える。

スタンダードシート 2(表面実装 UM ヒューズリンク)の“JIS C 0664

[注記(1 か所)及び遮断容量の

表(2 か所)

]を,

JIS C 60664-1”に置き換える。