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C 6435-1989

(1) 

目次

ページ

1.

  適用範囲

1

2.

  用語の意味

1

3.

  試験の状態

1

3.1

  標準状態

1

3.2

  基準状態

2

3.3

  判定状態

2

3.4

  接地

2

4.

  構造及び寸法試験

2

4.1

  構造

2

4.2

  寸法

2

5.

  電気的性能試験

2

5.1

  絶縁抵抗

2

5.2

  耐電圧

2

5.3

  層間耐電圧

3

5.4

  直流抵抗

3

5.5

  直流抵抗不平衡度

3

5.6

  変成比

4

5.7

  極性

4

5.8

  自己インダクタンス

5

5.9

  実効抵抗

7

5.10

  漏れインダクタンス

7

5.11

  巻線間直接静電容量

8

5.12

  定損失及び動作減衰量

8

5.13

  周波数偏差

14

5.14

  インピーダンス

14

5.15

  不整合減衰量

16

5.16

  位相特性

19

5.17

  巻線不平衡減衰量

20

5.18

  静電容量不平衡

21

5.19

  縦電流不平衡減衰量

22

5.20

  漏話減衰量

23

5.21

  電磁遮へい効果

24

5.22

  ひずみ減衰量(ひずみ率)

26

5.23

  鳴音減衰量

31

5.24

  16Hz 減衰量

35


C 6435-1989

目次

(2) 

5.25

  温度上昇

35


日本工業規格

JIS

 C

6435

-1989

低周波変成器及びコイル試験方法

Testing Methods for Low Frequency Transformers and Inductors

1.

適用範囲  この規格は,主として交換機,搬送装置,テレビ・ラジオ受信機,オーディオ・ビデオ機

器,放送スタジオ装置,携帯用無線送受信機などに使用する定格出力(

1

)100W

未満,定格周波数 150kHz 未

満の信号を伝送するための変成器及びコイル(以下,それぞれ変成器又はコイルという。

)の試験方法につ

いて規定する。

(

1

)

定格出力とは正弦波電力をいう。

引用規格: 

JIS B 7502

  外側マイクロメータ

JIS B 7507

  ノギス

JIS C 0010

  環境試験方法(電気・電子)通則

JIS C 1302

  絶縁抵抗計(電池式)

JIS C 3202

  エナメル線

JIS C 5301

  電子機器用低周波変成器通則

JIS C 5602

  電子機器用受動部品用語

2.

用語の意味  この規格で用いる主な用語の意味は,JIS C 0010[環境試験方法(電気・電子)通則],

JIS C 5301

(電子機器用低周波変成器通則)及び JIS C 5602(電子機器用受動部品用語)の規定によるほ

か,次による。

(1)

自己インダクタンス  コイルに流れる電流の変化によってコイル自身に電流の変化を妨げるように生

じた起電力の値を電流変化率で除した値。この規格では,実効抵抗と直列のインダクタンスとする。

(2)

実効抵抗  巻線の交流での電気抵抗。

(3)  16Hz

減衰量  16Hz での変成器の動作減衰量。

(4)

基準周波数  測定上の基準として定めた周波数。

3.

試験の状態

3.1

標準状態  試験及び測定は,規定がない限り,温度 15∼35℃,相対湿度 25∼85%(試験及び測定結

果に影響がなければ無視してもよい。

,気圧 86∼106kPa (860∼1 060mbar)  のもとで行う。ただし,この標

準状態での測定値による判定に疑義を生じた場合又は特に要求された場合は,3.3 による。

また,換算を必要とする場合は 3.2 による。

なお,標準状態で試験及び測定を行うことが困難な場合は,判定に疑義を生じない限り,標準状態以外

の状態で試験及び測定を行ってもよい(JIS C 0010 の 5.3 参照)


2

C 6435-1989

3.2

基準状態  基準状態は,JIS C 0010 の 5.1 に規定の基準状態[温度 20℃,気圧 101.3kPa (1 013mbar)]

とする。ただし,温度だけをもって基準状態としてもよい。

3.3

判定状態  判定状態は,表 による。

なお,規定がない限り

表 の記号 I の 2 級とする(JIS C 0010 の 5.2 参照)。

表 1  判定状態

温度℃

相対湿度%

記号

公称値

1

2

1

2

気圧

kPa (mbar)

I 20

63

∼67 60∼70

II 23

48

∼52 45∼55

III 25

48

∼52 45∼55

IV 27

±1

±2

63

∼67 60∼70

86

∼106 (860∼1 060)

3.4

接地  接地できる構造のものは接地して測定する。

4.

構造及び寸法試験

4.1

構造  構造は,目視によって調べる。

4.2

寸法  寸法は,指定がない限り,JIS B 7507(ノギス)に規定のノギス,又は JIS B 7502(外側マイ

クロメータ)に規定の外側マイクロメータで測定する。

5.

電気的性能試験

5.1

絶縁抵抗

5.1.1

試験方法  変成器又はコイルの同一巻線に属するすべての端子又はリード線は原則として短絡し,

規定の直流電圧を試験する巻線間又は巻線鉄心間を JIS C 1302[絶縁抵抗計(電池式)

]に規定の絶縁抵抗

計(電池式)又は超絶縁計によって試験し,1 分後の指示値を読み取る。

5.1.2

試験上の注意事項

(1)

判定に疑義を生じない場合は,1 分間以内の指示値でもよい。

(2)

試験電圧は,耐電圧試験において規定された値又はそれ以下とする。

(3)

過電流・過電圧を防ぐため,また,短絡時に試験装置及び供試変成器又はコイルを保護するための保

護装置を備えていることが望ましい。

(4)

原則として静電遮へいは,鉄心,ケース又は取付金具に接続する。

5.2

耐電圧

5.2.1

試験方法  変成器又はコイルの同一巻線に属するすべての端子又はリード線は原則として短絡し,

規定電圧を試験する巻線間又は巻線鉄心間に規定時間加えて異常の有無を調べる。このとき試験電圧は,

0V

から毎秒 500V(実効値又は直流)以下の割合で規定電圧まで昇圧し,規定時間保った後,徐々に 0V

に下げる。

5.2.2

試験上の注意事項

(1)

試験電圧が直流の場合は,リプル電圧は試験電圧に比べて十分小さく,交流の場合の波形は,正弦波

に十分近いこと。

(2)

せん絡時に試験装置及び供試変成器又はコイルを保護するための保護装置を備えていることが望まし

い。

(3)

原則として静電遮へいは,鉄心,ケース又は取付金具に接続する。


3

C 6435-1989

5.3

層間耐電圧

5.3.1

試験方法  変成器又はコイルの規定以外の巻線はすべて開放し,原則として使用時に接地する端子

は,鉄心,ケース又は取付金具に接続してこれを接地し,規定の周波数及び電圧を規定の巻線に規定時間

加えて異常の有無を調べる。このとき,試験電圧は 0V から毎秒 500V(実効値)以下の割合で規定電圧ま

で昇圧し,規定時間保った後徐々に 0V に下げる。

5.3.2

試験上の注意事項

(1)

試験には,規定周波数での電圧及び電流を測定できる計器を使用するか,又はその変化を容易に測定

できる方法を用いる。

(2)

印加電圧の波形は,十分正弦波に近いこと。

(3)

規定周波数は,供試変成器又はコイルの固有共振周波数から十分離れていること。

(4)

短絡時に試験装置及び供試変成器又はコイルを保護するための保護装置を備えていることが望ましい。

5.4

直流抵抗

5.4.1

測定回路  変成器又はコイルの直流抵抗の測定回路の例を図 に示す。

図 1  直流抵抗測定回路

5.4.2

測定方法及び計算式  比例辺抵抗器 R

1

,R

2

及び標準可変抵抗器 R

3

を調節してブリッジの平衡をと

り,変成器又はコイルの直流抵抗 R

x

を,次の式から算出する。

3

1

2

R

R

R

R

x

5.4.3

測定上の注意事項

(1)

供試変成器又はコイルの温度が周囲温度に一致するよう留意すること。

(2)

供試変成器又はコイルに流す電流値は,その抵抗値があまり変化しない範囲にとどめること。

(3)

特に低抵抗値を測定する場合は,ダブルブリッジを使用することが望ましい。

5.5

直流抵抗不平衡度

5.5.1

測定回路

5.4.1

による。

5.5.2

測定方法及び計算式

  供試変成器又はコイルの中性点に対し片側ずつ直流抵抗を測定し,この値を

各々R

1

及び R

2

とし,直流抵抗不平衡度 R

s

を次の式から算出する。

100

(%)

2

1

2

1

×

+

R

R

R

R

Rs

周囲温度が 20℃以外の場合の換算は,次の式による。

)

20

(

1

1

0

+

t

K

R

R

t


4

C 6435-1989

ここに,  R

0

: 20℃に換算した直流抵抗値

R

t

:  t℃における直流抵抗値

K

:  定数,銅に対しては K=234

5.5.3

測定上の注意事項  5.4.3 による。

5.6

変成比

5.6.1

測定回路  変成器の変成比の測定回路の例を図 に示す。

図 2  変成比測定回路

5.6.2

測定方法及び計算式  一次巻線及び二次巻線を電源電流に対して差動的となるように接続し,可変

抵抗器 R

1

,R

2

,r

1

及び r

2

を調節してブリッジの平衡をとり,巻線 W

1

,W

2

の変成比 を次の式から算出す

る。

なお,測定周波数は,原則として 1kHz とする。

2

1

2

1

R

R

n

n

n

ここに,

n

1

:  一次巻線の巻数

n

2

:  二次巻線の巻数

5.7

極性

5.7.1

試験回路  変成器の極性の測定回路の例を図 に示す。

図 3  極性試験回路


5

C 6435-1989

5.7.2

試験方法  図 に示す回路に供試変成器の各巻線を接続し,可変抵抗器 R

1

,R

2

,r

1

及び r

2

を調節

してブリッジの平衡がとれるかどうかを試験する。端子 1 と 3 が同極の場合は平衡がとれ,異極の場合は

平衡がとれない。

5.8

自己インダクタンス

5.8.1

測定回路  変成器又はコイルの自己インダクタンスの測定回路の例を図 4に示す。

図 4  自己インダクタンス測定回路

図 5  自己インダクタンス測定回路

(直流を重畳する場合)

図 6  自己インダクタンス測定回路(周波数 50Hz 又は 60Hz 場合)


6

C 6435-1989

図 7  自己インダクタンス測定回路

5.8.2

測定方法及び計算式

(1)

図 及び図 の場合  規定の周波数及び端子電圧又は電流で試験し,可変抵抗器 R

1

,R

2

及び R

3

を調

節してブリッジの平衡をとり,供試変成器又はコイルの自己インダクタンス L

x

 (H)

を次の式から算出

する。

(a)

の場合

L

x

 (H)

C

s

R

1

R

3

×10

6

ここに,

C

s

標準コンデンサの静電容量値  (

µF)

R

1

R

3

可変抵抗器の各指示値  (

Ω)

(b)

の場合

L

x

 (H) (

2

)

2

)

2

(

1

1

R

fL

L

π

+

ここに,  LC

s

R

1

R

3

×10

6

 (H)

R

R

1

R

3

/R

2

 (

Ω) 

f

測定周波数 (Hz)

C

s

標準コンデンサの静電容量値  (

µF)

R

1

R

2

R

3

可変抵抗器の各指示値  (

Ω)

(

2

)

直列法に換算された値

(2)

図 及び図 の場合  規定の交流電圧又は電流で試験し,自己インダクタンス L

x

 (H)

を次の式から算

出する。

L

x

 (H)

f

R

A

V

dc

π

2

)

(

2

2

ここに,

V

電圧計の指示値

 (V)

I

電流計の指示値

 (A)

R

dc

被測定巻線の直流抵抗値

  (

Ω)

f

測定周波数(

50Hz

又は

60Hz

5.8.3

測定上の注意事項

(1)

重畳直流電流及び交流電圧は,規定の値を超えないように注意すること。

(2)

電圧計は実効値応答形又は平均値応答形とし,その入力インピーダンスは,被測定巻線のインピーダ

ンスに比べて十分大きいこと。


7

C 6435-1989

(3)

図 のチョークコイル

CH

のインピーダンスは,被測定巻線のインピーダンスに比べて十分大きく,

コンデンサ

C

1

C

2

のインピーダンスは,被測定巻線のインピーダンスに比べて十分小さいこと。

(4)

図 7(a)のチョークコイル

CH

のインピーダンスは,

被測定巻線のインピーダンスに比べて十分大きく,

またコンデンサ

C

2

のインピーダンスは,交流電圧計

V

の入力インピーダンスに比べて十分小さいこ

と。

(5)

図 7(b)のチョークコイル

CH

のインピーダンスは,コンデンサ

C

1

のインピーダンスに比べて十分大き

く,また

C

2

のインピーダンスは,電圧計

V

の入力インピーダンスに比べて十分小さいこと。

(6)

指定がない限り,ケースは接地しない。

5.9

実効抵抗

5.9.1

測定回路  変成器又はコイルの実効抵抗の測定回路の例を図 及び図 に示す。

5.9.2

測定方法及び計算式  規定の周波数及び端子電圧又は電流で試験し,可変抵抗器

R

1

R

2

及び

R

3

調節してブリッジの平衡をとり,供試変成器又はコイルの実効抵抗

R

x

 (

Ω)

を次の式から算出する。

(1)

図 4(a),図 5(a)の場合

Rx (

Ω)

3

2

1

R

R

R

ここに,

R

1

R

2

R

3

可変抵抗器の各指示値(

(2)

図 4(b),図 5(b)の場合

Rx (

Ω)

(

3

)

2

2

1

1

÷÷ø

ö

ççè

æ

+

fL

R

R

π

ここに,  LC

s

R

1

R

3

×10

6

 (H)

R

R

1

R

3

/R

2

 (

Ω)

f

測定周波数 (Hz)

C

s

標準コンデンサの静電容量値  (

µF)

R

1

R

2

R

3

可変抵抗器の各指示値  (

Ω)

(

3

)

直列法に換算された値

5.9.3

測定上の注意事項

(1)

重畳直流電流及び交流電圧は,規定の値を超えないように注意すること。

(2)

電圧計は実効値応答形又は平均値応答形とし,その入力インピーダンスは,被測定巻線のインピーダ

ンスに比べて十分大きいこと。

(3)

図 5

のチョークコイル CH のインピーダンスは,被測定巻線のインピーダンスに比べて十分大きく,

またコンデンサ C

1

,C

2

のインピーダンスは,被測定巻線のインピーダンスに比べて十分小さいこと。

5.10

漏れインダクタンス

5.10.1

測定回路

  変成器の漏れインダクタンスの測定回路の例を

図 4

に示す。ただし,供試変成器の負荷

側巻線を短絡して測定する。

5.10.2

測定方法及び計算式

  規定の周波数,端子電圧又は電流で試験し,可変抵抗器 R

1

R

2

及び R

3

を各々

調節してブリッジの平衡をとり,供試変成器の漏れインダクタンス L

x

 (H)

を次の式から算出する。

図 4(a)の場合

L

x

 (H)

C

s

R

1

R

3

×10

6

ここに,

C

s

標準コンデンサの静電容量値  (

µF)

R

1

R

3

可変抵抗器の各指示値  (

Ω)


8

C 6435-1989

図 4(b)

の場合

L

x

 (H)

2

)

2

(

1

1

R

fL

L

π

+

ここに,  LC

s

R

1

R

3

×10

6

 (H)

R

R

1

R

3

/R

2

 (

Ω)

f

:  測定周波数 (Hz)

C

s

:  標準コンデンサの静電容量値  (

µF)

R

1

R

2

R

3

:  可変抵抗器の各指示値  (

Ω)

5.11

巻線間直接静電容量

5.11.1

測定回路

  変成器の巻線間直接静電容量の測定回路の例を

図 8

に示す。

図 8  巻線間直接静電容量測定回路

5.11.2

測定方法及び計算式

  規定の周波数で W

1

,W

2

をブリッジの頂点 T

1

,T

2

に接続した状態と切断し

た状態でブリッジの平衡をとった場合のコンデンサ C

1

の値をそれぞれ C’

1

及び C”

1

とし,巻線間直接静電

容量 C

D

を次の式から算出する。

C

D

C’

1

C”

1

5.11.3

測定上の注意事項

  ブリッジの頂点 T

1

,T

2

,T

3

及び T

4

と大地間に挿入する静電容量 C

5

,C

6

,C

7

及び C

8

は,2 巻線のもつ対地静電容量に比べて十分大きいこととする。

5.12

定損失及び動作減衰量

5.12.1

測定回路

  変成器の定損失及び動作減衰量の測定回路の例を

図 9

12

に示す。


9

C 6435-1989

図 9  平衡形変成器の動作減衰量測定回路

成端抵抗器は,定格成端インピーダンスに絶対値が等しい純抵抗とする(以下,同じ。

図 10  不平衡形変成器の動作減衰量測定回路


10

C 6435-1989

図 11  平衡形変成器の動作減衰量測定回路 

(直流を重畳する場合)


11

C 6435-1989

図 12  不平衡形変成器の動作減衰量測定回路(直流を重畳する場合)

5.12.2

測定方法及び計算式

  切換器 K を切り換えて,電圧計 V が同一の値となるように可変抵抗減衰器

ATT

を調節した場合の可変抵抗減衰器 ATT の読みを b

0

 (dB)

とし,動作減衰量 b

B

 (dB)

を次の式から算出

する。

b

B

 (dB)

2

1

10

0

log

10

R

R

b

5.12.3

測定上の注意事項

(1)

電圧計 V の入力インピーダンスは,R

0

及び R

2

に比べて十分大きいこと。

(2)

チョークコイル CH のインピーダンスは,被測定巻線のインピーダンスに比べて十分大きく,またコ

ンデンサ C のインピーダンスは被測定巻線のインピーダンスに比べて十分小さいこと。

(3)

直流を重畳する変成器の電源側巻線のインピーダンスが比較的低い場合には,

図 13

又は

図 14

に示す

回路によって測定してもよい。この場合の動作減衰量は,

5.12.2

に示した式から算出する。


12

C 6435-1989

図 13  平衡形変成器の動作減衰量測定回路 

(電源側巻線のインピーダンスが比較的低く,直流を重畳する場合)


13

C 6435-1989

図 14  不平衡形変成器の動作減衰量測定回路 

(電源側巻線のインピーダンスが比較的低く,直流を重畳する場合)

(4)

図 9

14

において,成端抵抗器は原則として R

1

R

2

とするが,

図 15

のように R

1

R

2

 (R

2

R

21

R

22

R

1

R

22

)

の状態で測定してもよい。しかし,

図 15

は平衡形変成器の直流を重畳しない

図 9

の場合に相

当するものであり,

図 10

14

の場合も

図 15

に準じるものとする。


14

C 6435-1989

図 15  平衡形変成器の動作減衰量測定回路[R

1

R

2

 (R

2

R

21

R

22

R

1

R

22

)

の場合]

R

1

R

2

 (R

2

R

21

R

22

R

1

R

22

)

の場合の動作減衰量は,次の式から算出する。

b

B

 (dB)

22

2

10

2

1

10

0

log

20

log

10

R

R

R

R

b

5.13

周波数偏差

5.13.1

測定回路

5.12.1

による。

5.13.2

測定方法及び計算式

(1)

基準周波数のある場合

  発振器 G の発振周波数を基準周波数 f

0

とし,切換器 K を切り換えて電圧計が

同一の値となるように可変抵抗減衰器 ATT を調節した場合の可変抵抗減衰器 ATT の読みを b

0

 (dB)

する。次に G の発振周波数を伝送周波数帯域内の周波数 f

1

とし,K を切り換えて V が同一の振れを与

えるように可変抵抗減衰器 ATT を調整し,その読みを b

1

 (dB)

とし,周波数 f

0

に対する f

1

における損

失偏差 d

1

 (dB)

を,次の式から算出する。

d

1

 (dB)

b

1

b

0

同様に,他の必要周波数 f

2

f

3

,……f

n

についても損失偏差 d

2

d

3

,……d

n

を求める[f

0

のとき d

0

=0

(dB)

である。

(2)

基準周波数のない場合

  G の発振周波数を伝送周波数帯域内のある周波数 f

1

とし,K を切り換えて V

が同一の値となるように可変抵抗減衰器 ATT を調節した場合の ATT の読みを b

1

 (dB)

とする。伝送周

波数帯域内で周波数を変え,必要周波数 f

2

f

3

,……f

n

について b

1

を求めた場合と同様な方法で b

2

b

3

……b

n

 (dB)

を求める。

可変抵抗減衰器 ATT の読み b

1

b

n

のうち最大値を b

max

最小値を b

min

とし,

最大損失偏差 dR (dB)  を

次の式から算出する。

dR

 (dB)

b

max

b

min

5.13.3

測定上の注意事項

5.12.3

による。

5.14

インピーダンス


15

C 6435-1989

5.14.1

測定回路

  変成器のインピーダンスの測定回路の例を

図 16

18

に示す。

図 16  インピーダンス測定回路

図 17  インピーダンス測定回路 

(電源側巻線に直流を重畳する場合)

図 18  インピーダンス測定回路(負荷側巻線に直流を重畳する場合)

直流電流計の値=

DC

2

2

2

I

R

r

R

+

ここに,

I

DC

W

2

に流れる直流電流値

r

2

W

2

の直流抵抗値


16

C 6435-1989

5.14.2

測定方法

  切換器 K を切り換えて,電圧計 V が同一の振れを示すように可変抵抗器 R

x

を調節した

場合の可変抵抗器 R

x

の値をインピーダンスとする。

5.14.3

測定上の注意事項

(1)

供試変成器の電源側巻線又は負荷側巻線のいずれか一方又は双方を接地して使用するものは,その状

態で測定する。ただし,電源側の一方を接地する場合は X 点を接地する。

(2)

電圧計 V は実効値応答形又は平均値応答形を使用し,波高値応答形は使用しないこと。

(3)

電圧計 V の指示値は原則として 1V 付近とする。指定のあるときは,その電圧で測定する。

(4)

チョークコイル CH のインピーダンスは,負荷側インピーダンス R

2

に比べて十分大きく,またコンデ

ンサ C のインピーダンスは,負荷側インピーダンス R

2

に比べて十分小さいこと。

5.15

不整合減衰量

5.15.1

測定回路

  変成器の電源側端子インピーダンスの R

1

に対する不整合減衰量の測定回路の例を

図 19

図 20

及び

図 21

に示す。


17

C 6435-1989

図 19  不整合減衰量測定回路

図 20  不整合減衰量測定回路 

(負荷側インピーダンスが比較的低く,直流を重畳する場合)

直流電流計の値=

DC

2

2

2

I

R

r

R

+

ここに,

I

DC

W

2

に重畳する直流電流値

r

2

W

2

の直流抵抗値

R

2

負荷側成端抵抗値


18

C 6435-1989


19

C 6435-1989

図 21  不整合減衰量測定回路 

(負荷側インピーダンスが比較的高く,直流を重畳する場合)

5.15.2

測定方法及び計算式

  切換器 K を切り換えて,電圧計 V が同一の値となるように可変抵抗減衰器

ATT

を調整した場合の可変抵抗減衰器 ATT の読みを b

0

 (dB)

とし,不整合減衰量 b

p

 (dB)

を次の式から算

出する。

b

p

 (dB)

b

0

−6

5.15.3

測定上の注意事項

(1)

電圧計の入力インピーダンスは,R

1

R

3

及び R

0

に比べて十分大きいこと。

(2)

チョークコイル CH のインピーダンスは,負荷側インピーダンス R

2

に比べて十分大きく,またコンデ

ンサ C のインピーダンスは,負荷側インピーダンス R

2

に比べて十分小さいこと。

5.16

位相特性

5.16.1

測定回路

  変成器の位相特性の測定回路を

図 22

に示す。

直流の重畳を要する場合は,動作減衰量測定回路に準じて行う。


20

C 6435-1989

図 22  位相特性測定回路

5.16.2

測定方法及び計算式

  位相計の二つの入力端子に供試変成器の電源側電圧及び負荷側電圧をそれ

ぞれ印加し,位相計の指示値から位相角を読み取る。

5.16.3

測定上の注意事項

  位相計の入力インピーダンスは,供試変成器の負荷側成端抵抗 R

2

に比べて十

分大きいこととする。

5.17

巻線不平衡減衰量

5.17.1

測定回路

  変成器の巻線不平衡減衰量の測定回路の例を

図 23

に示す。


21

C 6435-1989

図 23  巻線不平衡減衰量測定回路

5.17.2

測定方法及び計算式

  切換器 K を切り換えて,電圧計 V が同一の値となるように可変抵抗減衰器

ATT

を調節した場合の可変抵抗減衰器 ATT の減衰量を b

0

 (dB)

とし,巻線不平衡減衰量 b

w

 (dB)

を次の式

から算出する。

b

W

 (dB)

3

log

20

2

1

10

0

+

÷÷ø

ö

ççè

æ

n

n

b

ここに,  n

1

n

2

は,電源側対負荷側巻線の変成比を示す。

5.17.3

測定上の注意事項

  電圧計の入力インピーダンスは,R

2

及び R

0

に比べて十分大きいこととする。

5.18

静電容量不平衡

5.18.1

測定回路

  変成器の負荷側端子の一端を接地した場合の電源側巻線の静電容量不平衡の測定回路

の例を

図 24

に示す。


22

C 6435-1989

図 24  静電容量不平衡測定回路

5.18.2

測定方法及び計算式

  規定の周波数で測定端子 X 及び X'を開放し,差動可変コンデンサの容量目

盛を 0 にした状態で,可変コンデンサ C

2

を調節してブリッジの平衡をとり,次に供試変成器の電源側端子

を X 及び X'に接続し,差動可変コンデンサ C

D

を調節してブリッジの平衡を得た場合,C

D

の読みを C

0

し,静電容量不平衡⊿を次の式から算出する。

C=2C

0

5.18.3

測定上の注意事項

  測定前にブリッジの平衡をとる場合,測定コードを接続した状態で平衡をとる。

また,周波数を変化させた場合も同様な操作を繰り返すこと。

5.19

縦電流不平衡減衰量

5.19.1

測定回路

  変成器の縦電流不平衡減衰量の測定回路の例を

図 25

に示す。

図 25  縦電流不平衡減衰量測定回路

5.19.2

測定方法及び計算式

  切換器 K を切り換えて,電圧計 V が同一の値となるように可変抵抗減衰器

ATT

を調整した場合の可変抵抗減衰器 ATT の読みを b

0

 (dB)

とし,縦電流不平衡減衰量 b

L

 (dB)

を次の式

から算出する。

b

L

 (dB)

÷÷ø

ö

ççè

æ

1

2

10

0

log

10

R

R

b


23

C 6435-1989

5.19.3

測定上の注意事項

(1)

供試変成器の負荷側を接地して使用するものは,その状態で試験する。

(2)

電圧計の入力インピーダンスは,R

0

及び R

1

に比べて十分大きいこと。

(3)

電圧計の入力インピーダンスは,対地静電容量不平衡が少ないこと。

5.20

漏話減衰量

5.20.1

測定回路

  変成器の漏話減衰量の測定回路の例を

図 26

に示す。


24

C 6435-1989

図 26  漏話減衰量測定回路

5.20.2

測定方法

  切換器 K を切り換えて,電圧計 V が同一の値となるように可変抵抗減衰器 ATT を調整

した場合の可変抵抗減衰器 ATT の読み b

0

 (dB)

を漏話減衰量とする。測定したときの変成器の間隔及び方

向並びに周波数及び電圧を測定結果に明記する。

5.20.3

測定上の注意事項

  電圧計の入力インピーダンスは,R

1

及び R

0

に比べて十分大きいこと。

5.21

電磁遮へい効果

5.21.1

測定回路

変成器の電磁遮へい効果の測定回路の例を

図 27

に示す。


25

C 6435-1989

図 27  電磁遮へい効果測定回路

5.21.2

測定方法及び計算式

図 27(a)

に示す円形コイル F

1

,F

2

図 27(c)

の回路で和動的になるように接続

し,50Hz 又は 60Hz の 0.95A の電流を流し,両コイルのほぼ中央に

図 27(d)

のように成端抵抗器を接続し

た供試変成器 T

1

を置き,これをあらゆる方向に回転して最大誘起電圧 c(実効値)を測定する。電磁遮へ

い効果 MS (dB)  は,次の式から算出する。

50Hz

のとき


26

C 6435-1989

MS

 (dB)

30

log

10

2

10

+

R

c

60Hz

のとき

MS

 (dB)

4

.

28

log

10

2

10

+

R

c

ただし,は,被測定巻線の成端抵抗とする。

5.21.3

測定上の注意事項

(1)

供試変成器からのリードはできるだけ短いシールド線を用い,他の磁界の影響を避けるよう留意する

こと。

(2)

電圧計の入力インピーダンスは被測定巻線の成端抵抗に比べて十分大きく,実効値応答形又は平均値

応答形を使用すること。

5.22

ひずみ減衰量(ひずみ率)

5.22.1

測定回路

  変成器のひずみ減衰量(ひずみ率)の測定回路の例を

図 28

31

に示す。

なお,基本周波数とそれに対応する測定回路との対応を

表 2

に示す。

表 2  基本周波数と測定回路

測定回路  基本周波数

高調波次数

図 28

指定値

図 29 50Hz  第 2 高調波以上 
図 30 1kHz

図 31 10kHz

第 2 及び第 3 高調波分離

図 28  ひずみ減衰量測定回路(指定周波数の場合)


27

C 6435-1989

図 29  ひずみ減衰量測定回路(基本周波数 50Hz の場合)


28

C 6435-1989

図 30  ひずみ減衰量測定回路(基本周波数 1kHz の場合)


29

C 6435-1989

図 31  ひずみ減衰量測定回路(基本周波数 10kHz の場合)

5.22.2

測定方法及び計算式

(1)

図 28 の方法

  供試変成器の巻線に正弦波の電圧を加え,ひずみ率計 DM によって,印加電圧の実効

値 E

1

を測定し,次に高調波電圧の実効値 E

2

だけを測定し,ひずみ減衰量 b

K

 (dB)

又はひずみ率 DF (%)

を,次の式から算出する。

b

K

 (dB)

2

1

10

log

20

E

E

DF

 (%)

100

1

2

×

E

E

測定結果に周波数,電圧及び測定系のインピーダンスを明記する。

(2)

図 29 の方法

  切換器 K を 1 側に倒し,供試変成器に周波数 50Hz の電圧を加える。この電圧を E

1


30

C 6435-1989

する。次に切換器 K を 2 側に倒し,R

2

及び R

1

を調整して電圧計 V の読みが最小になるようにする。

この電圧を E

2

とし,ひずみ減衰量 b

K

 (dB)

又はひずみ率 DF (%)  を,次の式から算出する。

b

K

 (dB)

2

1

10

log

20

E

E

DF

 (%)

100

1

2

×

E

E

測定結果に電圧を明記する。

(3)

図 30 の方法

  供試変成器の巻線に周波数 1kHz の電圧を加え,切換器 K を切り換えて電圧計 V

2

が同

一の振れを与えるように可変抵抗減衰器 ATT を調整した場合の ATT の読みを b

0

 (dB)

とし,ひずみ減

衰量 b

K

 (dB)

又はひずみ率 DF (%)  を,次の式から算出する。

b

K

 (dB)

b

0

b

1

b

2

DF

 (%)

100

10

20

×

bn

なお,b

1

は低域フィルタ F

2

の基本波に対する減衰量,b

2

は高域フィルタ F

3

の第 2 及び第 3 高調波

に対する減衰量の平均値とする。測定結果に電圧を明記する。

(4)

図 31 の方法

  供試変成器の巻線に周波数 10kHz の電圧を加え,

切換器 K

1

を帯域フィルタ F

3

側に倒し,

切換器 K

2

を切り換えて電圧計 V

2

が同一の値となるように可変抵抗減衰器 ATT を調節した場合の可変

抵抗減衰器 ATT の読みを b

0

 (dB)

とし,第 2 高調波ひずみ減衰量 b

K

 (dB)

又は第 2 高調波ひずみ率 DF

(%)

を,次の式から算出する。

b

K

 (dB)

b

0

b

1

b

2

DF

 (%)

100

10

20

×

bn

なお,b

1

は低域フィルタ F

2

の基本波に対する減衰量,b

2

は帯域フィルタ F

3

の第 2 高調波に対する

減衰量の値とする。

次に,K

1

を帯域フィルタ F

4

側に倒し,K

2

を切り換えて電圧計 V

2

が同一の値となるように可変抵抗

減衰器 ATT を調節した場合の可変抵抗減衰器 ATT の読みを b

0

'

 (dB)

とし,第 3 高調波ひずみ減衰量

b

K

'

 (dB)

又は第 3 高調波ひずみ率 DF' (%)  を,次の式から算出する。

b

K

(dB)

b

0

'

b

1

b

3

DF

' (%)

100

10

20

'

×

bn

なお,b

3

は帯域フィルタ F

4

の第 3 高調波に対する減衰量の値とする。測定結果に電圧を明記する。

5.22.3

測定上の注意事項

(1)

図 28 の方法

(a)

ひずみ率計 DM は,少なくとも第 3 高調波まで検出できるものを使用すること。

(b)

ひずみ率計 DM の指示は,実効値応答形又は平均値応答形とし,波高値応答形は使用しないこと。

(c)

チョークコイル CH のインピーダンスは,被測定巻線のインピーダンスに比べて十分大きいこと。

(2)

図 29 の方法

(a)

 YY'

から発信器側を見たインピーダンスの絶対値は,50Hz,100Hz 及び 150Hz で R

1

に比べて十分小

さいこと。

(b)

電源側成端抵抗器 R

1

の値は,次の式のように選定すること。


31

C 6435-1989

'

'

2

1

2

1

1

Z

Z

Z

Z

R

+

なお,Z

2

'

の値は,次の式による。

2

2

2

1

2

'

Z

n

n

Z

÷÷ø

ö

ççè

æ

(c)

電圧計 V の入力インピーダンスは,ブリッジ回路素子のインピーダンスに比べて十分大きく,その

指示は実効値応答形又は平均値応答形とし,波高値応答形は使用しないこと。

(d)

チョークコイル CH のインピーダンスは,被測定巻線のインピーダンスに比べて十分大きいこと。

(e)

コンデンサ C

2

のインピーダンスは,電圧計 V の入力インピーダンスに比べて十分小さいこと。

(3)

図 30 の方法

(a)

電圧計 V

1

の入力インピーダンスは,600

Ωに比べて十分大きく,また,ひずみ減衰量(ひずみ率)

測定中は,回路から切り離すこと。

(b)

電圧計 V

1

及び V

2

は実効値応答形又は平均値応答形とし,波高値応答形は使用しないこと。

(c)

電圧計 V

2

の入力インピーダンスは,600

Ωに比べて十分大きいこと。

(d)

フィルタ F

1

,F

2

,F

3

の XX'からみたインピーダンス Z

f1

Z

f2

Z

f3

の絶対値は,

表 3

のように選定す

る。

表 3  XX'からみたインピーダンス

単位

Z

f1

Z

f2

Z

f3

1kHz

に対して   600 ∞

2kHz

に対して 600

3kHz

に対して

∞ 600

備考  ∞は 600

Ωに比べて十分大きいことを意味

する。

(e)

並列共振回路 N

1

,N

2

,N

3

及びチョークコイル CH は,挿入直流回路の影響がないようなものを使用

すること。

(4)

図 31 の方法

(a)

電圧計 V

1

の入力インピーダンスは,600

Ωに比べて十分大きく,また,ひずみ減衰量(ひずみ率)

測定中は,回路から切り離すこと。

(b)

電圧計 V

1

及び V

2

は実効値応答形又は平均値応答形とし,波高値応答形は使用しないこと。

(c)

電圧計 V

2

の入力インピーダンスは,600

Ωに比べて十分大きいこと。

(d)

フィルタ F

1

,F

2

,F

3

及び F

4

の XX'からみたインピーダンス Z

f1

Z

f2

Z

f3

及び Z

f4

の絶対値は,

表 4

ように選定する。

表 4  XX'からみたインピーダンス

単位

Z

f1

Z

f2

Z

f3

Z

f4

10kHz

に対して   600  ∞

20kHz

に対して 600

600

30kHz

に対して

∞ 600

備考  ∞は 600

Ωに比べて十分大きいことを意味する。

(e)

並列共振回路 N

1

,N

2

及び N

3

は,挿入直流回路の影響がないようなものを使用すること。


32

C 6435-1989

5.23

鳴音減衰量

5.23.1

測定回路

  変成器の鳴音減衰量の測定回路の例を,

図 32

及び

図 33

に示す。


33

C 6435-1989

図 32  鳴音減衰量測定回路 

(中性点をもたない巻線から信号を送る場合)


34

C 6435-1989

図 33  鳴音減衰量測定回路 

(中性点をもたない巻線の一方から信号を送る場合)

5.23.2

測定方法及び計算式

  切換器 K を切り換えて,

電圧計 V が同一の値となるよう可変抵抗減衰器 ATT

を調節した場合の可変抵抗減衰器 ATT の読みを b

0

 (dB)

とし,

鳴音減衰量 b

s

 (dB)

を次の式から算出する。

図 32

の場合

b

s

 (dB)

4

1

10

0

log

10

R

R

b


35

C 6435-1989

図 33

の場合

D

s

 (dB)

3

2

10

0

log

10

R

R

b

5.23.3

測定上の注意事項

  電圧計 V のインピーダンスは,R

4

図 32

の場合)

R

3

図 33

の場合)及び R

0

に比べて十分大きいこと。

5.24

16Hz

減衰量

5.24.1

測定回路

  変成器の 16Hz 減衰量の測定回路の例を

図 34

に示す。

図 34  16Hz 減衰量測定回路

5.24.2

測定方法及び計算式

  電源側に規定の電圧 V

1

を加え,電源側入力電流及び負荷側電圧の測定値を

それぞれ I

1

及び V

2

とし,16Hz 減衰量 b

s

 (dB)

を次の式から算出する。

b

s

 (dB)

2

2

2

1

1

10

log

10

V

R

I

V

5.24.3

測定上の注意事項

(1)

使用計器は,実効値応答形を用いるか又は平均値応答形で平均値の 1.11 倍の値に目盛られているもの

を用いる。

(2)

電流計 A の内部抵抗及び発振器 G の内部抵抗は R

2

'

に比べて十分小さく,電圧計 V

2

の内部抵抗は負荷

側成端抵抗 R

2

に比べて十分大きく,また V

1

の内部抵抗は R

2

'

に比べて十分大きくなければならない。

なお,R

2

'

は電源側対負荷側巻線の変成比を n

1

n

2

とすれば,次の式によって表される。

R

2

'

2

2

2

1

R

n

n

÷÷ø

ö

ççè

æ

5.25

温度上昇

5.25.1

測定回路

  変成器の温度上昇の測定回路の例を,

図 35

37

に示す。

また,コイルの温度上昇の測定回路の例を,

図 38

及び

図 39

に示す。


36

C 6435-1989

図 35  温度上昇測定回路

図 36  温度上昇測定回路 

(変成器の電源側巻線に直流を重畳する場合)

図 37  温度上昇測定回路 

(変成器の負荷側巻線に直流を重畳する場合)

図 38  温度上昇測定回路

図 39  温度上昇測定回路 

(コイルに直流を重畳する場合)

5.25.2

測定方法

(1)

図 3536 及び 37 の場合

  規定の周波数で規定の電力を負荷側成端抵抗器に加え,温度が一定となっ

たときの巻線及び鉄心又はケースの温度上昇を測定する。ただし,巻線は抵抗法,鉄心又はケースは


37

C 6435-1989

温度計法による。

(2)

図 38 及び 39 の場合

  規定の周波数で規定の電圧をコイルに加え,温度が一定となったときの巻線及

び鉄心又はケースの温度上昇を測定する。ただし,巻線は抵抗法,鉄心又はケースは温度計法による。

(3)

巻線の温度上昇の決定方法

  巻線の温度上昇は巻線の抵抗の変化に基づいて,次の式から算出する。

t (

℃)=

a

a

t

t

t

K

R

R

R

t

t

+

+

÷÷ø

ö

ççè

æ

1

1

1

1

2

2

)

(

ここに,

t

:  温度上昇値  (℃)

t

2

:  試験後の巻線の温度  (℃)

t

a

:  最終の周囲温度  (℃)

t

1

:  試験最初の周囲温度  (℃)

R

1

:  温度 t

1

での巻線の抵抗値  (

Ω)

R

2

:  温度 t

2

での巻線の抵抗値  (

Ω)

K

:  定数。銅に対して K=234.5

ただし,| t

1

t

2

 |

≦5℃でなければならない。

(4)

鉄心又はケースの温度上昇の決定方法

  鉄心又はケースの温度上昇は,試験終期の鉄心又はケースの

最高温度から最終周囲温度を差し引いて求める。

(5)

周囲温度の決定方法

  周囲温度は,試験品の周囲において距離 1∼2m のほぼ試験品と同じ高さの位置

で数箇所に温度計を置いて測定する。最終周囲温度は,最後の 1 時間中に温度の読みの平均をとるこ

ととする。

5.25.3

測定上の注意事項

(1)

電圧計 V は実効値形又は平均値形とし,その入力インピーダンスは,

図 35

図 36

及び

図 37

の場合は

負荷側成端抵抗器 R に比べて十分大きく,

図 38

及び

図 39

の場合は,供試コイルのインピーダンスに

比べて十分大きいこと。

(2)

図 36

の場合,チョークコイル CH のインピーダンスは,次の式によって算出される R'に比べて十分大

きく,また,コンデンサ C のインピーダンスは R′に比べて十分小さくなければならない。

なお,R'は,電源側対負荷側巻線の変成比を n

1

n

2

とすれば,次の式によって表される。

R' (

Ω)=

R

n

n

2

2

1

÷÷ø

ö

ççè

æ

(3)

図 37

の場合,チョークコイル CH のインピーダンスは負荷側成端抵抗器 R に比べて十分大きく,ま

た,コンデンサ C のインピーダンスは R に比べて十分小さいこと。

(4)

図 39

の場合,チョークコイル CH のインピーダンスは供試コイルのインピーダンスに比べて十分大き

く,また,コンデンサ C

2

のインピーダンスは,電圧計 V の入力インピーダンスに比べて十分小さい

こと。

(5)

供試変成器又はコイルは,通風及び他の高温物からの放射熱の影響を受けないように取り付ける。


38

C 6435-1989

JIS

原案作成委員会  構成表

氏名

所属

(委員長)

黒  沼      弘

日本放送協会

(幹  事)

岩  田  嘉  夫

東京軽電機株式会社

柏  木  健  夫

財団法人機械電子検査検定協会

加  藤  忠  雄

財団法人日本電子部品信頼性センター

高  橋  洽太郎

東京都立工業技術センター

三  宅  敏  明

松下電器産業株式会社

山  本  克  巳

ソニー株式会社

泉  谷      博

株式会社東芝

加  園  正  男

沖電気工業株式会社

井  村      豊

日本電気株式会社

山  室      勲

パイオニア株式会社

小  林  啓  祐

日本ビクター株式会社

浦  部  志  郎

松下電子部品株式会社

森      信二郎

下田電機株式会社

長谷川  育  雄

田淵電機株式会社

小  椋  良  介

株式会社タムラ製作所

嵯峨野  俊  夫

大同電気工業株式会社

谷  中  定  雄

富士通株式会社

安  宅  富士夫

日本電気株式会社

池  田  順  一

財団法人日本規格協会

本  田  幸  雄

通商産業省機械情報産業局

前  田  勲  男

工業技術院標準部

(事務局)

村  山  博  一

社団法人日本電子機械工業会

大  友  敏  雄

社団法人日本電子機械工業会