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C 61340-4-8

:2014

(1)

目  次

ページ

序文  

1

1  適用範囲  

1

2  引用規格  

1

3  用語及び定義  

1

4  試験装置  

2

4.0  ESD シミュレータ  

2

4.1  ESD 電流波形発生装置  

2

4.2  パルス電流波形測定装置  

2

4.3  容量性プローブ  

3

4.4  放電電極及び接地電極  

3

4.5  バッグ寸法  

4

4.6  コンピュータ/ソフトウェア  

4

4.7  恒温恒湿槽  

4

5  測定システムの検証手順  

4

6  試験手順及び試験条件(前処理)  

5

7  報告 

6

附属書 A(参考)エネルギー算出プログラム  

7

附属書 JA(参考)JIS と対応国際規格との対比表  

8


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まえがき

この規格は,工業標準化法第 12 条第 1 項の規定に基づき,一般財団法人日本電子部品信頼性センター

(RCJ)及び一般財団法人日本規格協会(JSA)から,工業標準原案を具して日本工業規格を制定すべきと

の申出があり,日本工業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が制定した日本工業規格である。

この規格は,著作権法で保護対象となっている著作物である。

この規格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願又は実用新案権に抵触する可能性があることに注意

を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は,このような特許権,出願公開後の特許出願及び実

用新案権に関わる確認について,責任はもたない。

JIS C 61340-4 の規格群には,次に示す部編成がある。

JIS C 61340-4-1  第 4-1 部:特定応用のための標準的な試験方法−床仕上げ材及び施工床の電気抵抗 
JIS C 61340-4-3  第 4-3 部:特定応用のための標準的試験方法−履物

JIS C 61340-4-4  第 4-4 部:特定応用のための標準的試験方法−フレキシブルコンテナの静電気的分類 
JIS C 61340-4-5  特定応用のための標準的試験方法−人体と組み合わせた履物及び床システムの静電

気防止性能の評価方法

JIS C 61340-4-7  第 4-7 部:特定応用のための標準的試験方法−イオナイザ 
JIS C 61340-4-8  第 4-8 部:特定応用のための標準試験方法−放電遮蔽−バッグ 
JIS C 61340-4-9  第 4-9 部:特定応用のための標準試験方法−衣服


日本工業規格

JIS

 C

61340-4-8

:2014

静電気−第 4-8 部:特定応用のための標準試験方法

−放電遮蔽−バッグ

Electrostatics-Part 4-8: Standard test methods for specific applications-

Discharge shielding-Bags

序文 

この規格は,2010 年に第 1 版として発行された IEC 61340-4-8 を基とし,昨今の技術動向を鑑み技術的

内容を変更して作成した日本工業規格である。

なお,この規格で点線の下線を施してある箇所は,対応国際規格を変更している事項である。変更の一

覧表にその説明を付けて,

附属書 JA に示す。

適用範囲 

この規格は,静電気放電シールドバッグの性能を評価するための試験方法について規定する。試験装置

の設計電圧は,直流 1 000 V とする。

この規格は,試験機関などで,この試験方法を用いて,該当する包装材料を評価するとき,同等の再現

性を得ることを目的としている。

この規格は,シールドバッグを構成するフィルムの中に金属蒸着などの導電層があるものを評価する試

験方法で規定したものである。また,この規格は,電磁波障害(EMI)

,無線電波障害(RFI)及び電磁パ

ルス(EMP)からの保護,又は爆発物の防護に関する事項には適用しない。

注記  この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を,次に示す。

IEC 61340-4-8:2010,Electrostatics−Part 4-8: Standard test methods for specific applications−

Discharge shielding−Bags(MOD)

なお,対応の程度を表す記号“MOD”は,ISO/IEC Guide 21-1 に基づき,

“修正している”

ことを示す。

引用規格 

次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成する。これらの

引用規格は,その最新版(追補を含む。

)を適用する。

JIS C 2139  固体電気絶縁材料−体積抵抗率及び表面抵抗率の測定方法 
JIS C 61340-3-1  静電気−第 3-1 部:静電気の影響をシミュレーションする方法−人体モデル(HBM)

の静電気放電試験波形

用語及び定義 

この規格で用いる主な用語及び定義は,次による。


2

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3.1

静電気放電シールド(遮蔽)(electrostatic discharge shield)

静電気放電及び/又は静電気誘導帯電に起因する,電界の抑制及び/又は電流の制限を行うことによっ

て,静電界を減じるバリヤ又は囲い。

試験装置 

4.0 ESD シミュレータ 

ESD シミュレータは,4.1 に規定する ESD 電流波形発生装置,4.2 に規定するパルス電流波形測定装置,

4.3 に規定する容量性プローブ及び 4.4 に規定する放電電極及び接地電極によって構成する。

基本的な構成を,

図 に示す。

R

1

中和(除電)用電流制限保護抵抗器:10 kΩ∼10 MΩ

R

2

放電用高電圧抵抗器:500 Ω

SW

1

  中和(除電)用切替えスイッチ

1

供試バッグ

2

容量性プローブ

3

放電電極

4

接地電極

5

電流トランスデューサ(変換プローブ)

6

ストレージオシロスコープ

注記 1  電流トランスデューサは,4.2.2 による。 
注記 2  抵抗値 500 Ω の高電圧抵抗器(R

2

)は,4.2.3 による。

注記 3  放電電極に静電気の帯電を残さない[中和(除電)する]ために,パルス印加後の 10 ms∼100 ms

の間,スイッチ SW

1

を閉じている。スイッチ SW

1

は,次のパルス印加までに,10 ms 以上の時間を

あけることが望ましい。R

1

及び SW

1

は,ESD シミュレータの内部回路の一部である。

注記 4  プローブの性能は,浮遊容量及びインダクタンスの影響を強く受ける。

図 1ESD シミュレータ

4.1 ESD 電流波形発生装置 

ESD 電流波形発生装置及び発生する波形は,JIS C 61340-3-1 の規定による。

この ESD 電流波形発生装置における容量値 100 pF のコンデンサへの充電時の等価回路は,抵抗値 1 500

Ω の抵抗器との直列接続で構成する。 
4.2 

パルス電流波形測定装置 

パルス電流波形測定装置は,4.2.1 に規定するオシロスコープ,4.2.2 に規定する電流トランスデューサ及


3

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び 4.2.3 に規定する高電圧抵抗器を含む構成とするが,同様な性能が保持できる場合には,これらの構成

に限定しない。

4.2.1 

オシロスコープ 

オシロスコープは,200 MHz 以上のシングルショット帯域幅及び 500 MSPS 以上の最小サンプリングレ

ートで測定可能なデジタルストレージ形とする。

4.2.2 

電流トランスデューサ 

電流トランスデューサの最小周波数応答性は,500 MHz 以上とする。また,ケーブル長さは,1 m 以下

とする。

4.2.3 

高電圧抵抗器 

高電圧抵抗器は,抵抗値 500 Ω±1 %で,また,直流電圧 1 000 V に耐え,かつ,高周波帯域まで対応で

きる無誘導形金属フィルム抵抗器とする。

注記  無誘導形金属フィルム抵抗器の事例には,CADDOCK 社の取り扱う Type MG Precision High

Voltage Resistors などがある。

4.3 

容量性プローブ 

容量性プローブは,並行平行板の形状であり,

図 に示す構成とする。このプローブの容量は,8 pF±2

pF とする。プローブの容量は,箇条 6 c)によって検証することができる。

単位  cm

1

ポリカーボネート又はアクリル樹脂のような体積抵抗値 1.0×10

15

 Ω 以上の絶縁材料

2

直径 2.2 cm±0.025 cm で,厚さ 0.15 cm±0.015 cm の導電板

3

高電圧抵抗器接続点

図 2−平行板容量性プローブ

4.4 

放電電極及び接地電極 

放電電極及び接地電極は,直径 3.8 cm±0.025 cm とし,金属などの低抵抗の材料で作っていなければな

らない。

接地電極を囲む支持領域は,20 cm×25 cm 以上であることが望ましく,JIS C 2139 によって測定したと

き,1.0×10

12

 Ω よりも大きな表面抵抗値をもっていることが望ましい。


4

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4.5 

バッグ寸法 

この試験に用いるバッグは,開口寸法

0.5

0

20

cm×奥行寸法

0.5

0

25

cm とする。

注記  他の寸法のバッグを用いる場合,公正かつ正確な比較をするために,規定する寸法のバッグを

確実に用いることが望ましい。また,容量性プローブをバッグ内部の規定する位置に配置する

ことができないバッグは,間違った結果を生じる可能性があるため,同じ素材にて開口寸法

0.5

0

20

cm×奥行寸法

0.5

0

5

2

cm のバッグでの代替試験を行うことが望ましい。

4.6 

コンピュータ/ソフトウェア 

オシロスコープによって得たデータの解析には,コンピュータを用いることが望ましい。エネルギー算

出プログラムに関する解析システムの記述は,

附属書 に示す。

4.7 

恒温恒湿槽 

チャンバは,次の二つの環境試験条件を満していなければならない。

−  温度 23  ℃±2  ℃で相対湿度(12±3)%に管理する。

−  温度 23  ℃±2  ℃で相対湿度(50±5)%に管理する。

測定システムの検証手順 

測定システムの検証手順は,次による。

a)  測定システムの検証は,次による。

1) ESD 電流波形発生装置の放電特性を次の手順で検証する。

放電電極と接地電極との間に容量性プローブを置く。

放電電極,容量性プローブ及び接地電極を垂直に整列した位置に置き,放電及び接地電極と供試

バッグとの間,並びに供試バッグと容量性プローブとの間の全てに約 70 N の力が加わっていること

を確認する。

ESD 電流波形発生装置の発生側端子とグラウンド側端子とを 4.2.3 に規定する無誘導特性をもつ

抵抗値 500 Ω の高電圧抵抗器を用いて接続する。

注記 1  測定システム中の合成抵抗値は,2 000 Ω(これは,ESD 電流波形発生装置の抵抗値 1 500

Ω の抵抗器と抵抗値 500 Ω の高電圧抵抗器とで構成する。)となる。

ESD 電流波形発生装置のグラウンド側端子と高電圧抵抗器との間に電流変換プローブを通す。

注記 2  放電電極及び接地電極は,この検証には用いない。

2)  オシロスコープに電流トランスデューサを接続する。

オシロスコープの入力抵抗器の抵抗値を 50 Ω(電流トランスデューサ及びオシロスコープの入力

インピーダンスを同じ値にする。

)に設定する。

3)  オシロスコープの中で水平の時間スケールを 1 目盛当たり 5 ns に設定し,ESD 電流波形発生装置の

試験電圧を直流 1 000 V に設定する。

パルスを印加し,ピーク電流を測定する。容量性プローブの容量性負荷によるピーク電流は,容

量性プローブの容量(8 pF±2 pF)によってピーク電流を 0.42 A 未満に減らしてはならない。

注記  読み値が,この範囲外である場合は,容量メータを用いた容量性プローブの容量を点検し,

必要に応じて配線の長さを調節することが望ましい。

b)  測定システムを検証するために必要な ESD 電流波形発生装置の検証は,次による。

1)  パルスを印加する。波形の立ち上がり時間,ピーク電流及びそれらの波形の最先端に発生するリン

ギングを測定する。


5

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全ての測定に関するパラメータは,

図 3 a)及び箇条 5 b) 2)の中で規定する範囲内でなければなら

ない。

2)  必要がある場合,ピーク電流(I

p

)0.50 A±10 %を得るまで,ESD 電流波形発生装置の電圧レベル

を調節する。

この電圧レベルは,等価の直流 1 000 V の放電レベルに相当する。

これは,箇条 の中で用いる電圧レベルである。

3)  オシロスコープの中で水平の時間を 1 目盛当たり 100 ns に設定して,完全な電流波形を観察する。

パルス電流は,

図 3 b)の中で示すような減衰期間の要求事項(t

d

)を満足しなければならない。

4)  必要に応じてコンピュータによる電流波形の分析を実施する。

ソフトウェアは,異なる抵抗器のエネルギーを算出できなければならない。

試験手順の中のこの部分における抵抗値は,2 000 Ω(これは,ESD 電流波形発生装置の抵抗値

1 500 Ω の抵抗器と抵抗値 500 Ω の高電圧抵抗器とで構成する。)である。

1 000 V(100 pF)の放電エネルギーW は,50 μJ(±6 μJ)とする。これは,方程式 W=1/2 CV

2

で算出する。

a)  目盛当たり 5 ns のときの放電電流波形 b)  目盛当たり 100 ns のときのオシロスコープの 

放電電流波形 

電流波形は,箇条 によって測定する。 
電流波形は,次の特性をもっていなければならない。

−  パルス立ち上がり時間(t

r

)は,5 ns∼20 ns

−  パルス減衰時間(t

d

)は,200 ns±20 ns

−  最大許容ピーク間リンギング(I

R

)は,I

P

の 15 %以下とする。また,パルスの立ち上がり後 100 ns において

リンギングがあってはならない。

−  ピーク電流(I

P

)は,箇条 5 b) 2)に規定する値以内とする。

図 3−抵抗器 500 Ω を通したときのパルス電流波形

試験手順及び試験条件(前処理) 

試験手順及び試験条件(前処理)は,次による。また,前処理条件と測定条件とは,同じ環境条件(温

度及び湿度)とする。

a)  次の二つの条件に設定した恒温恒湿槽に,供試バッグをそれぞれ 6 袋以上置く。

(試験条件 1)

−  温度:23  ℃±2  ℃

−  相対湿度:

(12±3)%


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−  前処理期間:48 h 以上

(試験条件 2)

−  温度:23  ℃±2  ℃

−  相対湿度:

(50±5)%

−  前処理期間:48 h 以上

b)  供試バッグ(20 cm×25 cm)の開口部から 10 cm 内部の中央になるような位置に,容量性プローブを

置く。

電極及びバッグと容量性ブローブとの間には,

箇条 5 a) 1)の中で規定する約 70 N の力を加える。

c)  オシロスコープを 1 目盛当たり 50 ns への水平時間目盛に設定する。全電流波形がオシロスコープに

表示できない場合,水平の時間目盛を調節してもよい。

d)  箇条 5 b) 2)に規定する直流 1 000 V に等価のパルスを印加する。 
e)  コンピュータを用いる場合は,(ソフトウェアのためにセットする抵抗器に,抵抗値 500 Ω の抵抗器を

用いる。

)バッグの内部に発生したエネルギーを算出して記録する。一つの供試バッグについて,合計

6 個の値を測定する。

注記  同じ供試バッグを用いて繰り返して測定する場合には,供試バッグ自体に電荷が蓄積するこ

とがあるため,測定前に随時イオナイザを用いて,中和(ニュートラル)化するとよい。

f)  残りの供試バッグ 5 袋(以上)に対しても,b)e)を繰り返す。 
g)  相対湿度 50 %で条件付けた供試バッグに対しても,b)f)を繰り返す。

報告 

報告事項は,次による。

a)  箇条 6 a)に規定する二つの湿度水準において,供試バッグにおける 36 個以上のエネルギー読み値の平

均,最小,最大及び標準偏差を求めて記録する。

b)  次の情報も記録する。

−  容量性のプローブの容量

−  ピーク電流

−  バッグの開口部,奥行及び厚さの寸法

−  前処理期間

−  試験条件

− ESD シミュレータの詳細(製造業者,モデル名及び/又は製造番号)

−  オシロスコープの詳細(製造業者,モデル名及び/又は最後の校正日付)

−  容量性プローブの静電容量


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附属書 A

(参考)

エネルギー算出プログラム

この試験手順によって要求するエネルギー測定を得る幾つかの方法がある。エネルギーを直接的に算出

するシステムを購入することで可能となる。ただし,コンピュータでエネルギーを算出する場合,次の手

順は,ユーザの算出プログラム作成を助けることになる。

注記 1  データ収集システムを設計する場合,ストレージオシロスコープのゼロ(又はスクリーン中

心点)と得た波形のゼロ点との間のどんな差も理解する及び説明することが重要である。

例えば,獲得した波形がストレージオシロスコープのゼロ点上の一目盛上だった場合,こ

の領域は,算出した波形領域から引かなければならない。

エネルギーを算出するためには,ソフトウェアは,次の系統的な段階の手順を実施する。

a)  ストレージオシロスコープから,コンピュータにデータをダウンロードする。 
b)  オシロスコープから得た電圧読み値を次の式によって電流値に変換する。変換係数は 1/5 である。

5

V

I

=

ここに,

I

電流値

V

電圧値

注記 2

この変換係数は,

Tektronix

社の

CT-1

の電流トランスデューサの場合の値である。その他

のタイプの電流トランスデューサを用いる場合,変換係数が異なる可能性がある。

c)

各々の電流点を採用し,これらの値を

2

乗する。

d)

  I

2

t

波形の積分を算出する。

e)

  I

2

波形の積分に抵抗器の値を乗じる。例えば,

ESD

電流波形発生装置のエネルギーを算出する場合,

この状況のための抵抗値は,

2 000 Ω

ESD

電流波形発生装置の抵抗値

1 500 Ω

の抵抗器と直列接続し

た抵抗値

500 Ω

の高電圧抵抗器とで構成する。

とする。

シールドバッグのエネルギーを算出する場合,

用いる抵抗器の抵抗値は

500 Ω

である。

上記のソフトウェアの解析の記述は,次の式によって説明することができる。

=

×

×

=

n

i

i

I

t

R

W

1

2

n

ここに,

W

n

シールドバッグのエネルギー

R

回路抵抗の値

t

試料間の時間

I

プローブからの電流(

CT-1

に対する電圧/

5

n

試料総数

注記 3

 CT-1

は,

Tektronix

社の電流トランスデューサである。


8

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附属書 JA

(参考)

JIS

と対応国際規格との対比表

JIS C 61340-4-8:2014  静電気−第 4-8 部:特定応用のための標準試験方法−放電
遮蔽−バッグ

IEC 61340-4-8:2010   Electrostatics − Part 4-8: Standard test methods for specific 
applications−Discharge shielding−Bags

(I)JIS の規定

(II) 
国際

規格

番号

(III)国際規格の規定

(IV)JIS と国際規格との技術的差異の箇条ごとの評価及び
その内容

(V)JIS と国際規格との技
術的差異の理由及び今後

の対策

箇条番号

及び題名

内容

箇条

番号

内容

箇条ごと

の評価

技術的差異の内容

1  適用範囲

適用範囲

1

JIS にほぼ同じ

変更

静電気シールドバッグの定義をより明確化し,

また,適用範囲外の事項を明確化した。

IEC への提案を検討する。

3  用語及び
定義

用語の定義

3

用語の定義

削除

対応国際規格の 3.2 electrostatic discharge shield
だけとし,3.1 electrostatic shield を削除した。

IEC への提案を検討する。

4  試験装置

ESD シミュレータや波
形発生装置,容量性プ

ローブなどを規定

 4 JIS とほぼ同じ

変更

対応国際規格の規定内容と同じであるが,原文

に対し一般事項(4.0 ESD シミュレータ)を追加

した。また,数値の公差などの見直しを行い,
不足事項を補足してまとめ直した。

IEC への提案を検討する。

5  測定シス
テムの検証

手順

測定システムの検証に

ついて規定

5 及
び 6

JIS とほぼ同じ

変更

箇条 5 と箇条 6 における記述に重複があり,分

かりにくいことから,重複分を整理し,改めて
a)測定システムの検証及び b)測定システムを検
証するために必要な ESD 電流波形発生装置の検

証として,分かりやすい手順に書き直した。ま

た,正確な測定のために必要な,接触圧(約 70 
N)の事項を追加した。

IEC への提案を検討する。

6  試験手順
及び試験条

件(前処理)

試験手順及び前処理条

件を規定

 7 JIS とほぼ同じ

変更

対応国際規格では,前処理条件及び試験条件に

おける環境条件が,相対湿度 12 %及び 50 %の混

在の規定であり,より分かりやすい手順に書き
直した。

IEC への提案を検討する。

7  報告

試験結果の報告事項を

規定

 8 JIS とほぼ同じ

追加

情報の記録に容量性プローブの容量を追加。

IEC への提案を検討する。

附属書 A

(参考)

8

C

 613

40
-4

-8


2

014


9

C 61340-4-8

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JIS と国際規格との対応の程度の全体評価:IEC 61340-4-8:2010,MOD

注記 1  箇条ごとの評価欄の用語の意味は,次による。 

−  削除  国際規格の規定項目又は規定内容を削除している。

−  追加  国際規格にない規定項目又は規定内容を追加している。

−  変更  国際規格の規定内容を変更している。

注記 2  JIS と国際規格との対応の程度の全体評価欄の記号の意味は,次による。 

−  MOD  国際規格を修正している。

9

C

 613

40
-4

-8


2

014