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1

C

 5990 :

 19
97
 解

JIS

と対応する国際規格との対比表 

JIS C 5990

:1997  光伝送用フォトダイオード通則 IEC 747-5 (1992),

同 Amd.1 (1994)  半導体デバイスー個別部品及び集積回路第 5 部:光エレクトロニクスデバイス,同追補 1

対比項目

規定項目

(I)  JIS(

原案)の規定内容 (II)

国 際 規 格 番

(III)

国際規格の規定内容 (IV)

JIS(

原案)と国際規格との相違

(V)  JIS

と国際規格との一致

が困難な理由及び今後の

対策

(1)

適用範囲

○ 光伝送用フォトダイオード

に適用。

IEC 747-5 

○ フォトダイオードのほか,半導体

レーザ,発光ダイオードなどの光
半導体デバイス全般に広く適用。

= 国際規格から光伝送用フォ

トダイオードに適用できる
ものだけを抽出した。 
なお,光伝送用半導体レーザ

は JIS C 5940

JIS C 5941

に,

再生・記録用半導体レーザは

JIS C 5942

JIS C 5943 に,

光伝送用半導体レーザモジ
ュールは JIS C 5944JIS C 

5945

に,光伝送用発光ダイオ

ードは JIS C 5950JIS C 

5951

に規定。

(2)

用語・記号

○ 光伝送用フォトダイオード

に関する用語を規定。

IEC 747-5 

○ フォトダイオードのほか,半導体

レーザ,発光ダイオードなどの光
半導体デバイス全般についても

規定。

= 国際規格からフォトダイオ

ードに対応する部分を抽出
し,国際規格にない以下の項

目 (動 作 温 度 )を 追 加 し て い
る。

T

op(a)

  動作温度の定義を 追

T

op(c)

  動作温度の定義を 追

既に国内では製品の特性評
価項目として一般的に使わ
れており,市場におけるフォ

トダイオードの信頼性確保
のため。

(3)

性能

○ 光伝送用フォトダイオード

の電気的・光学的特性と環境
及び耐久性に対する性能に

ついて個別規格の様式を規
定。

IEC 747-5 

○ フォトダイオードのほか,半導体

レーザ,発光ダイオードなどの光
半導体デバイス全般についても

個別規格の様式を規定。

= 国際規格から光伝送用フォ

トダイオードに対応する部
分を抽出した。