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C 5946

:2005

(1) 

まえがき

この規格は,工業標準化法に基づいて,日本工業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が制定した日

本工業規格である。

制定に当たっては,日本工業規格と国際規格との対比,国際規格に一致した日本工業規格の作成及び日

本工業規格を基礎にした国際規格原案の提案を容易にするために,IEC 62007-1:1999,Semiconductor

optoelectronic devices for fibre optic system applications-Part 1: Essential ratings and characteristics を基礎として

用いた。

この規格の一部が,技術的性質をもつ特許権,出願公開後の特許出願,実用新案権,又は出願公開後の

実用新案登録出願に抵触する可能性があることに注意を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会

は,このような技術的性質をもつ特許権,出願公開後の特許出願,実用新案権,又は出願公開後の実用新

案登録出願にかかわる確認について,責任はもたない。

JIS C 5946

には,次に示す附属書がある。

附属書 1(参考)光ファイバ増幅器用レーザモジュールの個別仕様書の様式

附属書 2(参考)光ファイバ増幅器用レーザモジュール環境試験及び耐久性試験用個別仕様書の様式

附属書 3(参考)代表的特性について

附属書 4(参考)静電気破壊のおそれがあるデバイスへの表示

附属書 5(参考)JIS と対応する国際規格との対比表


C 5946

:2005

(2) 

目  次

ページ

序文  

1

1.

  適用範囲  

1

2.

  引用規格  

1

3.

  定義  

2

4.

  個別仕様書  

4

5.

  単位記号  

4

6.

  分類  

4

7.

  最大定格  

5

8.

  性能  

6

9.

  外形  

8

10.

  測定  

8

11.

  表示  

8

12.

  取り扱い上の注意事項  

8

附属書 1(参考)光ファイバ増幅器用レーザモジュールの個別仕様書の様式  

9

附属書 2(参考)光ファイバ増幅器用レーザモジュール環境及び耐久性試験用個別仕様書の様式  

12

附属書 3(参考)代表的特性について  

14

附属書 4(参考)静電気破壊のおそれがあるデバイスへの表示  

15

附属書 5(参考)JIS と対応する国際規格との対比表  

16

 
 


     

日本工業規格

JIS

 C

5946

:2005

光ファイバ増幅器用半導体レーザモジュール通則

General rules of laser diode modules for optical fiber amplifier

序文  この規格は,1999 年に第 1 版として発行された IEC 62007-1:1999,Semiconductor optoelectronic devices

for fibre optic system applications-Part 1: Essential ratings and characteristics の中で光ファイバ増幅器用半導体

レーザモジュールを規定している第 9 章  Laser diode modules for pumping an optical fibre amplifier を翻訳し,

技術的内容を変更して作成した日本工業規格である。

なお,この規格で側線又は点線の下線を施してある箇所は,原国際規格を変更している事項である。変

更の一覧表を付けて,

附属書 に示す。

1. 

適用範囲  この規格は,光源として使用する光ファイバ増幅器用半導体レーザモジュール(以下,半

導体レーザモジュールという。

)の用語,分類,最大定格,性能などの一般的共通事項について規定する。

備考1.  ここでいう半導体レーザモジュールとは,半導体レーザダイオードと光ファイバとの接続部

から構成されるものであり,必要に応じて,温度センサ,電子冷却素子,モニタ用フォトダ

イオードを内蔵するものである。

2.

この規格の対応国際規格を,次に示す。

  なお,対応の程度を表す記号は,ISO/IEC Guide 21 に基づき,IDT(一致している)

,MOD

(修正している)

,NEQ(同等でない)とする。

IEC 62007-1:1999

,Semiconductor optoelectronic devices for fibre optic system applications-Part 1:

Essential ratings and characteristics (MOD)

2. 

引用規格  次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成す

る。これらの引用規格は,その最新版(追補を含む。

)を適用する。

JIS C 0025

環境試験方法(電気・電子)温度変化試験方法

JIS C 5947

光ファイバ増幅器用半導体レーザ測定方法

JIS C 6802

レーザ製品の放射安全性基準

JIS C 60068-2-1

環境試験方法−電気・電子−低温(耐寒性)試験方法

備考  IEC 60068-2-1: 1990 Environmental testing - Part 2: Tests. Tests A: Cold が,この規格と一致してい

る。

JIS C 60068-2-2

環境試験方法−電気・電子−高温(耐熱性)試験方法

備考  IEC 60068-2-2: 1974 Environmental testing - Part 2: Tests. Tests B: Dry heat が,この規格と一致して

いる。

JIS C 60068-2-3

環境試験方法(電気・電子)高温高湿(定常)試験方法

備考  IEC 60068-2-3: 1969 Environmental testing - Part 2: Tests. Tests Ca: Damp Heat, steady state が,この


2

C 5946

:2005 (IEC 62007-1:1999)

     

規格と一致している。

JIS C 60068-2-6 

環境試験方法−電気・電子−正弦波振動試験方法

備考  IEC 60068-2-6: 1995 Environmental testing - Part 2: Tests - Test Fc: Vibration (sinusoidal)  が,この規

格と一致している。

JIS C 60068-2-7

環境試験方法−電気・電子−加速度(定常)試験方法

備考  IEC 60068-2-7: 1975 Environmental testing. Part 2: Tests. Test Ga: Acceleration, steady state が,この

規格と一致している。

JIS C 60068-2-11 

環境試験方法(電気・電子)塩水噴霧試験方法

備考  IEC 60068-2-11: 1981 Environmental testing - Part 2: Tests. Test Ka: Salt mist が,この規格と一致し

ている。

JIS C 60068-2-17 

環境試験方法−電気・電子−封止(気密性)試験方法

備考  IEC 60068-2-17: 1994 Basic environmental testing procedures - Part 2: Tests - Test Q: Sealing が,この

規格と一致している。

JIS C 60068-2-20 

環境試験方法−電気・電子−はんだ付け試験方法

備考  IEC 60068-2-20: 1979 (Amendment1(1986)及び Amendment2(1987)を含む。) Environmental testing.

Part 2: Tests. Test T: Soldering が,この規格と一致している。

JIS C 60068-2-21 

環境試験方法−電気・電子−端子強度試験方法

備考  IEC 60068-2-21:1999, Environmental testing - Part 2-21: Tests - Test U: Robustness of terminations

and integral mounting devices からの引用事項は,この規格の該当事項と同等である。

JIS C 60068-2-27 

環境試験方法−電気・電子−衝撃試験方法

備考  IEC 60068-2-27: 1987 Environmental testing. Part 2: Tests. Test Ea and guidance: Shock が,この規格

と一致している。

JIS C 60068-2-32 

環境試験方法−電気・電子−自然落下試験方法

備考  IEC 60068-2-32: 1975 (Amendment1(1982)及び Amendment2(1990)を含む。) Environmental testing.

Part 2: Tests. Test Ed: Free fall が,この規格と一致している。

JIS C 60068-2-38 

環境試験方法(電気・電子)高湿度組合せ(サイクル)試験方法

備 考   IEC 60068-2-38: 1984 Environmental testing - Part 2: Tests. Test Z/AD: Composite

temperature/humidity cyclic test が,この規格と一致している。

JIS Z 8202-1

量及び単位−第 1 部:空間及び時間

JIS Z 8202-2

量及び単位−第 2 部:周期現象及び関連現象

JIS Z 8202-3

量及び単位−第 3 部:力学

JIS Z 8202-4

量及び単位−第 4 部:熱

JIS Z 8202-5

量及び単位−第 5 部:電気及び磁気

JIS Z 8202-6

量及び単位−第 6 部:光及び関連する電磁放射

JIS Z 8203

国際単位系(SI)及びその使い方

3.

定義  この規格で用いる主な用語の定義は次による。

a)

絶対最大定格(Absolute maximum ratings)瞬時でも超過してはならない限界値。どの一つの規格値も

超えてはならない。

b)

保存温度[Storage temperatureT

stg

] 電源電圧及び入力信号を加えないときの周囲温度の許容範囲。


3

C 5946

:2005 (IEC 62007-1:1999)

     

c)

周囲温度[Ambient temperatureT

a

] 半導体レーザモジュールの置かれている雰囲気の温度。

d)

動作温度[Operating temperatureT

op

] 規定の電圧又は電流での動作が保証されている周囲温度

[Operating ambient temperature(T

op

a

,ケース温度[Operating case temperature(T

op

c

,又はサブ

マウント温度[Operating submount temperature(T

op

sub

e)

しきい値電流[Threshold currentI

th

]  誘導放出によるレーザ発振を開始する電流値。

f)

光ファイバ端出力[Radiant powerP

f

]  光ファイバ端から取り出される光出力。

g)

動作電流[Operating currentI

op

]  規定の光出力を得るときの順電流。

h)

動作電圧[Operating voltageV

op

]  規定の光出力を得るときの順電圧。

i)

スロープ効率[Differential efficiency

η

d

]  動作電流での光ファイバ端出力と,しきい値電流又はし

きい値電流よりも高く,かつ,動作電流よりも十分に低い電流での光ファイバ端出力について,これら

の光出力差を電流差で除したもの。

j)

縦モード(Longitudinal mode)光軸に沿って伝搬する発振モードのスペクトルが離散的に存在してい

るときの,これらの個々の発振スペクトル。特に,一本の縦モードで発振しているときを単一縦モード

発振という。

k)

縦モード間隔(Mode spacing  隣接する縦モードとの波長差。

l)

縦モード数(Number of longitudinal modes  縦モードの合計数。通常はピークに対し,ある比を定め,

それ以上の強度をもつモードだけを数える。

m)

ピーク発振波長[Peak emission wavelength

λ

p

]  レーザ発振が最強となる波長。

n)

中心波長[Central emission wavelength

λ

c

] 発振スペクトルの中心の波長。次の測定法のうちいず

れかによって求めたものとする。

1)  包絡線法:それぞれの縦モードのピークを包絡線によって結び,その包絡線が縦モードの最大の

ピークに対し規定の値で切ったとき,最も長波長側の波長と最も短波長側の波長との平均の波長。

2)  N-dB 法:ピーク発振波長の両側の波長帯で,ピークに対し規定の値となる波長のうち最も長い波

長側の縦モードの発振波長と,最も短い波長側の縦モードの発振波長との平均の波長。

3)  RMS 法:番目の縦モードの光レベル(A

n

)とその発振波長(

λ

n

)から次の式を用いて求めた波

長。

λ

c

=Σ(A

n

×

λ

n

)/ΣA

o) 

スペクトル幅[Spectral radiation bandwidth

Δλ

w

]  発振スペクトルの広がり。

      なお,最大のピークに対し 50%となる発振スペクトルの広がり幅(全幅)は,特にスペクトル半

値幅(

Δλ

)という。スペクトル半値幅は,FWHM(半値全幅)ともいう。次の測定法のいずれかに

よって求めたものとする。

1)  包絡線法:それぞれの縦モードのピークを包絡線によって結び,その包絡線が縦モードの最大の

ピークに対し規定の値で切ったとき,最も長波長側の波長と最も短波長側の波長との差。

2)  N-dB 法:縦モードの最大のピークに対し,規定の値で切ったときのスペクトルの幅(シングルモ

ード発振の場合)

,縦モードの最大のピークに対し規定の値以上で発振する縦モードのうち,最も

長波長側の波長と最も短波長側の波長との差(マルチモード発振の場合)

,又は,発振している縦

モードの最大のピークに対し規定の値(スペクトル半値幅を求める場合は最大のピークに対し

50%の値)になるスペクトル線の広がり幅(単一モード発振の場合)。

3)  RMS 法:番目の縦モードの光レベル(A

n

)及びその発振波長(

λ

n

)から次の式を用いて求めた

波長幅。


4

C 5946

:2005 (IEC 62007-1:1999)

     

Δλ

w

K×(Σ(A

n

×(

λ

n

λ

c

2

)/ΣA

n

1/2

  なお,は定数で目的に応じて選択(1,2,2.35,3)し,明示する必要がある(2.35 を選択し

た場合は,スペクトル形状をガウス分布とみなしたときのスペクトル半値幅に相当する。

p)

発振波長電流依存変動係数[Spectral shift with current

Δλ

C

]  動作電流を変化させたときに,発振

波長が変化する係数。

q)

発振波長光出力依存変動係数[Spectral shift with radiant power

Δλ

P

]  光ファイバ端出力を変化さ

せたときに,発振波長が変化する係数。

r)

発振波長温度係数[Spectral shift with temperature

Δλ

T

]  周囲温度又は動作温度を変化させたとき

に,発振波長が変化する係数。

s)

相対強度雑音[Relative intensity noiseRIN)]  単位周波数当たりの光強度雑音と平均光出力との比。

実際には,光のゆらぎがフォトダイオードなどの受光素子や増幅器を用いて測定,算出されるため,

規定の周波数において検出された雑音から受光素子のショット雑音と増幅器の熱雑音とを除き,これ

を半導体レーザの平均出力(一般には受光器の光電流で検出)と測定周波数帯域幅とで除したものが

対応する。

t)

キンク(Kink しきい値電流よりも高い順電流における順電流−光ファイバ端出力特性曲線において,

その一次微分曲線の最大値からの偏差量が規定の値となる部分。

u)

キンクフリー光出力[Kink free fiber radiant powerP

]  キンクが発生しない光ファイバ端出力の最

大値。

v)

モニタ用フォトダイオード出力電流[Monitor currentI

m

]  モニタ用フォトダイオードの出力電流値。

w)

モニタ用フォトダイオード暗電流[Dark current of photodiodeI

]  半導体レーザモジュールを発光

させないときにモニタ用フォトダイオードに流れる電流値。

x)

モニタ用フォトダイオード端子間容量[Photodiode capacitanceC

t

]  モニタ用フォトダイオードの端

子間の容量。

y)

トラッキングエラー[Tracking errorE

r1

E

2

又は E

]  半導体レーザモジュールに内蔵されている

モニタ用フォトダイオードを用いて APC(Automatic Power Control:自動出力制御)動作状態におい

て,規定の動作範囲で温度を変化させたときに生じる光出力の変動量。次の二つの測定方法がある。

1)APC 動作状態において,基準の動作温度(通常は 25℃)における光出力の値を基準値とし,規定の

動作温度範囲で温度を変化させたときに,基準値と光出力が減少する方向の最大変動幅との比を(E

r1

基準値と光出力が増加する方向の最大変動幅との比を(E

r2

)とする。

2)APC 動作状態において,基準の動作温度における光出力の値を基準値とし,動作温度範囲内の特定

温度における光出力との比の最大値を(E

r

)とする。

z)

サーミスタ抵抗[ResistanceR)]  内蔵されている温度検出用サーミスタの抵抗。

aa)

サーミスタ 定数  サーミスタの抵抗−温度特性を示す次の式の のことで,材料によって決まる

定数である。

        R

1

R

2

×exp(B

(1/T

1

)−(1/T

2

))

        ここで,R

1

及び R

2

は,それぞれ温度 T

1

及び T

2

におけるサーミスタの抵抗を表す。

ab)

サーミスタ供給電圧[Supply voltageV

 sup

]  内蔵されている温度検出用サーミスタの供給電圧。

ac)

ペルチェ電流[Peltier currentI

PE

]  内蔵されている温度制御用ペルチェクーラの電流値。

ad)

ペルチェ電圧[Peltier voltageV

PE

] 内蔵されている温度制御用ペルチェクーラの電圧値。

ae)

光ファイバ許容曲げ半径[Minimum bend radius of pigtailr

min

]  ピグテイル形の半導体レーザモジ


5

C 5946

:2005 (IEC 62007-1:1999)

     

ュールで,許容されるピグテイル光ファイバの最小曲げ半径。

af)

光ファイバ引張強度[Tensile force on fiberF)]  ピグテイル形の半導体レーザモジュールで,許容さ

れるピグテイル光ファイバの最大引張強度。

4.

  個別仕様書  個々の半導体レーザモジュールの絶対最大定格,性能,外形などはこの規格の規定に従

って個別仕様書に規定するものとする。個別仕様書の様式は,

附属書 を推奨する。

5.

  単位記号  この規格で用いる単位記号は,JIS Z 8202-1JIS Z 8202-2JIS Z 8203-3JIS Z 8202-4

JIS Z 8202-5

JIS Z 8202-6  及び  JIS Z 8203  による。

6.

  分類  半導体レーザモジュールの分類は,表 による。

  1  半導体レーザモジュールの分類

分  類  項  目

種    類

大項目

小項目

結晶材料

アルミニウムガリウムひ素/ガリウムひ素(AlGaAs/GaAs) 
インジウムガリウムひ素りん/インジウムりん(InGaAsP/InP)な

波長帯

980nm 帯用, 1300nm 帯用, 1400nm 帯用など

素子構造

接合構造

ダ ブ ル ヘ テ ロ ( DH ) 接 合 形 , 分 離 閉 じ 込 め ヘ テ ロ 接 合 ,
量子井戸構造など

ストライプ構造

利得導波形,屈折率導波形など

帰還構造

ファブリペロー形,分布帰還形(DFB),分布ブラッグ反射形
(DBR)など

光ファイバ

種類

マルチモード光ファイバ,シングルモード光ファイバ,偏波面保
存光ファイバなど

波長安定化構造

ファイバグレーティングなど

パ ッ ケ ー ジ
構造

光出力構造

ピグテイル形,光コネクタ形など

端子構造

円筒形,デュアルインラインパッケージ形,バタフライ形など

温度制御構造

温度制御無し,電子冷却素子内蔵形,サーミスタ内蔵形など

光アイソレート構造

アイソレータなし,アイソレータ内蔵形など

用途

光ファイバ増幅器用

その他

温度センサ付など

7.

最大定格  半導体レーザモジュールの最大定格は,絶対最大定格とする。絶対最大定格の規定項目は,

表 による。保存温度又は動作温度の規定値は,表 3の値を推奨する。個別仕様書における絶対最大定

格の規定の様式は

附属書 表 を推奨する。

  2  絶対最大定格の規定項目(特に指定がない限り,周囲温度,ケース温度又はサブマウント温度は 25℃

とする。)

項    目

記号

条件

絶対最大定格値

単位

保存温度

T

stg

−  _  ∼+  _

温  度

動作温度

T

op

−  _  ∼+  _

はんだ付け温度

T

sld

はんだ付け時間を規定

_


6

C 5946

:2005 (IEC 62007-1:1999)

     



電圧

直流逆電圧

V

rl

_

V

電流

直流順電流

I

fl

_

mA

光出力

光ファイバ端出力

P

f

_

mW

モニタ用フォト
ダイオード

直流逆電圧(

1

)

V

rd

_

V

順電流(

1

)

I

fd

_

mA

ペルチェクーラ

ペルチェ電圧(

2

)

V

PE

_

V

ペルチェ電流(

2

)

I

PE

_

A

サーミスタ

供給電圧  (

3

)

V

sup

_

V

光ファイバ

光ファイバ許容曲げ半径

r

min

_

mm

光ファイバ引張強度

F

 

_

N

注(

1

) モニタ用フォトダイオードを内蔵している場合に適用する。

2

)ペルチェ電圧及びペルチェ電流は,温度制御用ペルチェクーラを内蔵している場合に適用する。

3

) サーミスタを内蔵している場合に適用する。

備考  絶対最大定格値の欄で下線の部分は,通常記入する。

              表 3  保存温度(T

stg

)            単位  ℃

下限値

  0  −20    −40    −55    −65

上限値

 60    70      85     100     125

                            表 4  動作温度(T

op

又は T

a

)              単位  ℃

下限値

  0  −10    −20    −30    −40

上限値

 40    50      60      70      85    100

8.

性能

8.1

電気的特性及び光学的特性  半導体レーザモジュールの電気的特性及び光学的特性の規定項目は,表

5

による。  規定値は,

表 及び表 7 の値を推奨する。また,特性を測定する条件として与える電流値,変

調信号の繰返し周波数は

表 及び表 の値を推奨する。個別仕様書における電気的特性及び光学的性能の

規定様式は,

附属書 表 を,また,代表的特性については附属書 を推奨する。

  5  電気的特性及び光学的特性の規定項目(特に指定がない限り,周囲温度,ケース温度又はサブ

マウント温度は 25℃とする)

項  目

記号

測定条件

最小値

標準値

最大値

単位

しきい値電流

I

th

CW

_

_

_

mA

動作電流

  (

4

)

I

op

CW,P

f

=_mW

_

_

mA

光ファイバ端出力

  (

4

)

P

CW,I

op

=_mA

_

_

mW

キンクフリー光出力

  (

4

)

CW

_

_

_

mW

スロープ効率

η

d

CW

_

_

_

W/A

動作電圧

V

op

CW,P

f

=_mW

_

_

V

ピーク発振波長

  (

5

)

λ

p

CW,P

f

=_mW

_

_

_

nm

中心発振波長

  (

5

)

λ

c

CW,P

f

=_mW

_

_

_

nm

スペクトル幅

  (

6

)

Δλ

w

CW,P

f

=_mW

_

_

nm

スペクトル半値幅

  (

6

)

Δλ

CW,P

f

=_mW

_

_

nm

発振波長電流依存変動係数  (

7

)

Δλ

C

CW,I

op

=_∼_mA

_

_

nm/m

A

発振波長光出力依存変動係  (

7

)

Δλ

P

CW,P

f

=_∼_mW

_

_

nm/m

W

発振波長温度依存性

Δλ

T

CW,P

f

=_mW

_

_

nm/℃

相対雑音強度

  (

8

)

RIN

 

CW,P

f

=_mW,f=_Hz,

_

_

dB/Hz


7

C 5946

:2005 (IEC 62007-1:1999)

     

モニタ用フォトダイオード 
出力電流

I

m

CW,P

f

=_mW

V

rd

=_V

_

_

_

mA

モニタ用フォトダイオード 
暗電流

I

d

V

 rd

=_V

_

_

nA

モニタ用フォトダイオード 
端子間容量              (

8

)

C

t

V

 rd

=_V

_

_

pF

トラッキングエラー      (

9

)

E

r

E

r1

/E

r2

T

op

=_∼_℃

_

_

_

_

dB

サーミスタ抵抗          (

10

)

R

 

P

f

=_mW

_

_

_

サーミスタ B 定数        (

10

)

B

 

_

_

_

ペルチェ電圧

(

11

)

V

PE

CW,P

f

=_mW,T

op

=_℃

_

_

V

ペルチェ電流

(

11

)

I

PE

CW,P

f

=_mW,T

op

=_℃

_

_

A

注(

4

) 動作電流,光ファイバ端出力又はキンクフリー光出力のいずれか一項目を適用する。

5

) ピーク発振波長又は中心発振波長のいずれかの選択でよい。また,測定方法も包絡線法,N-dB

法,又は RMS 法のいずれかの選択でよいが,測定方法を明記する。

6

) スペクトル幅又はスペクトル半値幅のいずれかの選択でよい。また,測定方法も包絡線法,

N-dB 法又は RMS 法のいずれかの選択でよいが,測定方法を明記する。

7

) 発振波長電流依存変動係数又は発振波長光出力依存変動係数のいずれか一項目を適用する。

8

) 用途によって選択する。

9

) 測定方法を明記する。

10

)  サーミスタを内蔵している場合に適用する。

11

)  温度制御用ペルチェクーラを内蔵している場合に適用する。

備考 測定条件,最小値,標準値及び最大値の欄で下線の部分は,通常記入する。

測定条件での記号の説明

        a) CW  :連続動作

        b) V

rd

    :モニタ用フォトダイオードの逆電圧

        c)  f    :測定周波数

  6  特性を規定する測定条件として与える電流値    単位  ×10

n

A

電流値

1  1.25  1.5  2  2.5  3  4  5  6  7  8  9

備考    は,整数とする。

  7  特性を規定する測定条件として与える繰返し周波数      単位  ×10

n

Hz

繰返し周波数

1  1.25  1.5  2  2.5  3  4  5  6  7  8  9

備考    は,整数とする。

8.2

環境及び耐久性に対する性能  半導体レーザモジュールの環境及び耐久性に対する性能の規定項目は,

表 による。個別仕様書における環境及び耐久性に対する性能の規定様式は,附属書 を推奨する。

  8  環境及び耐久性に対する性能の規定項目

項  目

試験条件

適用  (

12

)

抜取方式

適用規格

検査水準

AQL

はんだ耐熱性

温度  _ ± _  ℃

JIS C 60068-2-20


8

C 5946

:2005 (IEC 62007-1:1999)

     

温度サイクル

低温  _  ℃,高温  _  ℃

保持時間  _ min, 
移動時間  _ min,回数  _  回

JIS C 0025

熱衝撃

高温  _  ℃,保持時間  _ min,

低温  _  ℃,保持時間  _ min, 
移動時間  _  s,回数  _  回

JIS C 0025

温湿度サイクル

高温  _  ℃,高温側相対湿度  _  %,
保持時間  _ min, 
低温  _  ℃  低温側相対湿度  _  %,
保持時間  _ min, 
移動時間  _ min,回数  _  回

JIS C 60068-2-38

気密性

加圧圧力  _ Pa,

加圧時間  _  h(必要がある場合)

JIS C 60068-2-17

自然落下  (

13

)

高さ  _ cm,回数  _  回

JIS C 60068-2-32

衝撃      (

13

)

方向  _  ,最高加速度  _ m/s

2

パルス幅  _ ms,回数  _  回

JIS C 60068-2-27

定加速度

方向  _  ,加速度  _ m/s

2

パルス幅  _ ms,回数  _  回 
周波数  _∼_ Hz,

JIS C 60068-2-7

振動

全振幅  又は  加速度  _

方向  _  ,時間  _  h

JIS C 60068-2-6

端子強度

荷重  _  N,回数  _  回

JIS C 60068-2-21

塩水噴霧

時間  _  h

JIS C 60068-2-11

高温保存

温度  _  ℃,時間  _  h

JIS C 60068-2-2

低温保存

温度  _  ℃,時間  _  h

JIS C 60068-2-1

動作寿命

ケース温度(又は周囲温度)_  ℃,

定光出力動作  光出力  _ mW, 
時間  _  h

ピグテイル強度

引張力_  N

曲げ半径_ mm

耐湿性

温度  _  ℃,相対湿度  _  %,

時間  _  h

JIS C 60068-2-3

注(

12

)    合否判定基準を適用する項目に○印を記入する。

13

)    自然落下  又は  衝撃のいずれかを規定する。

備考  試験条件の欄で下線の部分は,条件値を記入する。

9.

外形  外形は,個別仕様書による。

10.

測定  半導体レーザモジュールの測定は,個別仕様書に規定のない限り,JIS C 5947 による。

11.

表示  半導体レーザモジュールには,次の項目を表示しなければならない。ただし,個々の半導体 0

モジュールに表示することが困難な場合には,包装に表示してもよい。

なお,  d)の静電気破壊のおそれがあるデバイスへの表示に用いる記号については,

附属書 を推奨す

る。

a)  形名(製造業者の指定による)

b)  製造業者名又はその略号

c)  製造年月若しくは製造ロット番号又はそれらの略号


9

C 5946

:2005 (IEC 62007-1:1999)

     

d)  静電気によって破壊するおそれがあり,取扱い上注意を必要とするデバイスであることを表示する記号

e) JIS C 6802 に基づく表示

12.

取扱い上の注意事項

12.1

静電気による破壊に対する注意  静電気破壊のおそれがある半導体レーザモジュールに対しては,

次の事項に注意する。

a)  移送,保管及び放置の際は,静電気導電材料,帯電防止処理材料などを用い,静電気の帯電を防止する。

b)測定は,静電気の発生しない場所で行う。相対湿度は 50%程度が望ましい。また,静電気の発生を防ぐ

ためには,取扱者,工具及び測定器類の電位と被測定半導体レーザモジュールを同電位にすることが望ま

しい。

12.2

光出力端の汚れに対する注意  半導体レーザモジュールの光出力端は,汚れのないように注意する。

特に,光ファイバ増幅器用の半導体レーザモジュールの光出力は非常に高いため,光ファイバ接続部にほ

んの少しでも汚れが付着していると,光ファイバの接続面が焼損するため,光出力端の清掃には十分な注

意が必要である。


11

C 5946

:2005 (IEC 62007-1:1999)

     

附属書 1(参考)光ファイバ増幅器用レーザモジュールの個別仕様書の様式

この附属書は,本体に関連する事柄を補足するもので,規定の一部ではない。

1.

適用範囲  この半導体レーザモジュールは,光出力取出し部として,次の分類例 a)を備え,b)の結晶

材料からなり,  c)の発光波長で,光ファイバ増幅器用に設計されたものである。

  分類例  a)ピグテイル形,光コネクタ形など

          b) AlGaAs/GaAs,InGaAsP/InP など

          c) 980nm 帯, 1300nm 帯, 1400nm 帯など

2.

一般事項  一般事項は,本体による。

3.

外形及び端子接続  外形及び端子接続は,次による。

3.1  

外形

外形図を記載する。

3.2  

端子接続

端子

端子名

1

  2

                  3

                  4

                  ケース

4.

絶対最大定格  絶対最大定格は,附属書 表 による。

附属書   1  絶対最大定格(特に指定がない限り,周囲温度,ケース温度又はサブマウント温度は

25℃とする。)

項    目

記号

条件

絶対最大定格値

単位

保存温度

T

stg

−  _  ∼+  _

温  度

動作温度

T

op

−  _  ∼+  _

はんだ付け温度

T

sld

はんだ付け時間を規定

_



電圧

直流逆電圧

V

rl

_

V

電流

直流順電流

I

fl

_

mA

光出力

光ファイバ端出力

P

f

_

mW

モ ニ タ 用 フ ォ
トダイオード

直流逆電圧(

1

)

V

rd

_

V

順電流(

1

)

I

fd

_

mA

ペ ル チ ェ ク ー

ペルチェ電圧(

2

)

V

PE

_

V

ペルチェ電流(

2

)

I

PE

_

A

サーミスタ

供給電圧  (

3

)

V

sup

_

V

光ファイバ

光ファイバ許容曲げ半径

r

min

_

Mm

光ファイバ引張強度

F

_

N


12

C 5946

:2005 (IEC 62007-1:1999)

     

注(

1

)モニタ用フォトダイオードを内蔵している場合に適用する。

2

)ペルチェ電圧,ペルチェ電流は,温度制御用ペルチェクーラを内蔵している場合に適用する。

3

) サーミスタを内蔵している場合に適用する。

備考  絶対最大定格値の欄で下線の部分は,条件値を記入する。

5.

電気的特性及び光学的特性  電気的特性及び光学的特性は,附属書 表 による。

附属書   2  電気的,光学的特性(特に指定がない限り,周囲温度,ケース温度又はサブマウント

温度は 25℃とする)

項  目

記号

測定条件

最小値

標準値

最大値

単位

しきい値電流

I

th

CW

_

_

_

mA

動作電流

  (

4

)

I

op

CW,P

f

=_mW

_

_

mA

光ファイバ端出力

  (

4

)

P

f

CW,I

op

=_mA

_

_

mW

キンクフリー光出力

  (

4

)

CW

_

_

_

mW

スロープ効率

η

d

CW

_

_

_

W/A

動作電圧

V

op

CW,P

f

=_mW

_

_

V

ピーク発振波長

  (

5

)

λ

p

CW,P

f

=_mW

_

_

_

Nm

中心発振波長

  (

5

)

λ

c

CW,P

f

=_mW

_

_

_

Nm

スペクトル幅

  (

6

)

Δ

λ

w

CW,P

f

=_mW

_

_

Nm

スペクトル半値幅

  (

6

)

Δ

λ

CW,P

f

=_mW

_

_

Nm

発振波長電流依存変動係数  (

7

)

Δ

λ

c

CW,I

op

=_∼_mA

_

_

nm/mA

発振波長光出力依存変動係数
(

7

)

Δ

λ

P

CW,P

f

=_∼_mW

_

_

nm/m

W

発振波長温度依存性

Δ

λ

T

CW,P

f

=_mW

_

_

nm /℃

相対雑音強度

  (

8

)

RIN

CW,P

f

=_mW,f=_

Hz,

_

_

dB/Hz

モニタ用フォトダイオード 
出力電流

I

m

CW,P

f

=_mW

V

rd

=_V

_

_

_

mA

モニタ用フォトダイオード 
暗電流

I

d

V

rd

=_V

_

_

nA

モニタ用フォトダイオード 
端子間容量                (

8

)

t

V

rd

=_V

_

_

pF

トラッキングエラー        (

9

)

E

r

E

r1

 /E

r2

T

op

=_∼_℃

_

_

_

_

dB

サーミスタ抵抗          (

10

)

R

 

P

f

=_mW

_

_

_

サーミスタ B 定数        (

10

)

B

 

_

_

_

ペルチェ電圧

  (

11

)

V

PE

CW,P

f

=_ mW,T

op

_℃

_

_

V

ペルチェ電流

  (

11

)

I

PE

CW,P

f

=_ mW,T

op

_℃

_

_

A

注  (

4

)動作電流,光ファイバ端出力又はキンクフリー光出力のいずれか一項目を適用する。

  (

5

)ピーク発振波長又は中心発振波長のいずれかの選択でよい。また,測定方法も包絡線法,

N-dB 法,RMS 法のいずれかの選択でよいが,測定方法を明記する。

  (

6

)スペクトル幅又はスペクトル半値幅のいずれかの選択でよい。また,測定方法も包絡線法,

N-dB 法,RMS 法のいずれかの選択でよいが,測定方法を明記する。

  (

7

)発振波長電流依存変動係数又は発振波長光出力依存変動係数のいずれか一項目を適用する。

  (

8

)用途によって選択する。


13

C 5946

:2005 (IEC 62007-1:1999)

     

  (

9

)測定方法を明記する。

  (

10

)サーミスタを内蔵している場合に適用する。

  (

11

)温度制御用ペルチェクーラを内蔵している場合に適用する。

備考1.  測定条件,最小値,標準値及び最大値の欄で下線の部分は,通常記入する。

2.

測定条件での記号の説明

            a) CW:連続動作

            b) V

rd

  :モニタ用フォトダイオードの逆電圧

            c)  f  :測定周波数


14

C 5946

:2005 (IEC 62007-1:1999)

     

附属書 2(参考)光ファイバ増幅器用レーザモジュール環境試験及び耐久性

試験用個別仕様書の様式

この附属書は,本体に関連する事柄を補足するもので,規定の一部ではない。

1.

環境及び耐久性に対する性能  環境及び耐久性に対する性能は,附属書 表 による。

附属書   1  環境及び耐久性に対する規定項目

項  目

試験条件

適用  (

1

)

抜取方式

適用規格

検査水準

AQL

はんだ耐熱性

温度  _ ± _  ℃

JIS C 60068-2-20

温度サイクル

低温  _  ℃,高温  _  ℃

保持時間  _ min, 
移動時間  _ min,回数  _  回

JIS C 0025

熱衝撃

高温  _  ℃,保持時間  _ min,

低温  _  ℃,保持時間  _ min, 
移動時間  _  s,回数  _  回

JIS C 0025

温湿度サイクル

高 温   _   ℃ , 高 温 側 相 対 湿 度
_  %,

保持時間  _ min, 
低 温   _   ℃   低 温 側 相 対 湿 度
_  %, 
保持時間  _ min, 
移動時間  _ min,回数  _  回

JIS C 60068-2-38

気密性

加圧圧力  _ Pa,

加圧時間  _  h(必要がある場合)

JIS C 60068-2-17

自然落下  (

2

)

高さ  _ cm,回数  _  回

JIS C 60068-2-32

衝撃      (

2

)

方向  _  ,最高加速度  _ m/s

2

パルス幅  _ ms,回数  _  回

JIS C 60068-2-27

定加速度

方向  _  ,加速度  _ m/s

2

パルス幅  _ ms,回数  _  回 
周波数  _∼_ Hz,

JIS C 60068-2-7

振動

全振幅  又は  加速度  _

方向  _  ,時間  _  h

JIS C 60068-2-6

端子強度

荷重  _  N,回数  _  回

JIS C 60068-2-21

塩水噴霧

時間  _  h

JIS C 60068-2-11

高温保存

温度  _  ℃,時間  _  h

JIS C 60068-2-2

低温保存

温度  _  ℃,時間  _  h

JIS C 60068-2-1

動作寿命

ケース温度(又は周囲温度)_  ℃,
定光出力動作  光出力  _ mW, 
時間  _  h

ピグテイル強度

引張力_  N

曲げ半径_ cm

耐湿性

温度  _  ℃,相対湿度  _  %,

時間  _  h

JIS C 60068-2-3

注  (

1

)合否判定基準を適用する項目に○印を記入する。

  (

2

)自然落下  又は  衝撃のいずれかを規定する。


15

C 5946

:2005 (IEC 62007-1:1999)

     

備考  試験条件の欄で下線の部分は,通常記入する。

2.

合否判定基準  合否判定基準は,附属書 表 による。

附属書 表 2  合否判定基準

項  目

測定条件

許容値

(

4

)

単位

許容変

動量

(

2

)

単位

測定方法

最小値

最大値

JIS C

××××

しきい値電流

算出方法  _

_

mA

_

mA

動作電流

(

3

)

P

f

=  _ mW

_

mA

_

mA

キンクフリー光出力

(

3

)

P

f

 =  _ mW

_

mW

_

dB

光ファイバ端出力

(

3

)

I

op

=  _ mA

_

mW

_

dB

モニタ用フォトダイオード 
出力電流

P

f

 =  _ mW

V

rd

=  _  V

_

_

_A

_

_A

モニタ用フォトダイオード 
暗電流

V

rd

=  _  V

_

_A

_

_A

トラッキングエラー

T

op

=_∼_℃

_

dB

dB

注  (

3

)動作電流,光ファイバ端出力又はキンクフリー光出力のいずれか一項目を適用する。

  (

4

)必要に応じていずれか又は双方を選択する。

備考1.  測定条件での記号の説明

                      a) V

rd

:モニタ用フォトダイオードの逆電圧

2.

最小値,最大値,及び許容変動量の欄で下線の部分は通常記入する。


16

C 5946

:2005 (IEC 62007-1:1999)

     

附属書 3(参考)代表的特性について

この附属書は,本体に関連する事柄を補足するもので,規定の一部ではない。

  ある物理量に依存する特性のように,図で示すことで半導体レーザモジュールの性能の把握が容易にな

る特性について関して,

製造業者は同一種類の半導体レーザモジュールについて平均的に得られる特性を,

代表的特性として図示することが望ましい。

例  規定の光出力,ケース温度での平均寿命

          代表的な光出力時の順電流値

          クーラ電流の変化に対するサーミスタの応答特性

半導体レーザダイオード接合面とケース間の熱抵抗(クーラなしのモジュールの場合)


17

C 5946

:2005 (IEC 62007-1:1999)

     

附属書 4(参考)静電気破壊のおそれがあるデバイスへの表示

この附属書は,本体に関連する事柄を補足するもので,規定の一部ではない。

  静電気によって破壊するおそれがあり,取扱い上注意を必要とするデバイスであることを表示する記号

は次による。

1.

記号の使用  実用上適している内装や,可能ならばデバイス上に表示する。データシート上,保管容

器,特別な防護用の包みなどに表示する。

附属書 図 は,デバイス上に縮小して使用する場合に簡略化

した記号である。

2.

記号の色  記号の色は,次による。

記号の種類

備考

附属書 4 図 1

下地は識別できれば単一色で何色でもよい。

主 に 直 接 印 刷 に よ っ て 表 示 す
る。

附属書 4 図 2

ただし,赤は除く。

附属書 4 図 3

下地は黄とする。文字及び記号は黒とする。

主にラベルによって表示する。

附属書   1  記号

附属書   2  縮小する場合の簡略化した記号

                            附属書   3  文字と組み合わせた記号


18

C 5946

:2005 (IEC 62007-1:1999)

     

附属書 5(参考)JIS と対応する国際規格との対比表

JIS C 5946:2005

  光ファイバ増幅器用レーザモジ

ュール通則

IEC62007-1:1999, Semiconductor optoelectronic devices for fibre optic system applications - Part 1 : 
Essential ratings and characteristic

(Ⅰ)JIS の規定

(Ⅱ) 
国際規格
番号

(Ⅲ)国際規格の規定

(Ⅳ)JIS と国際規格との技術的差異
の項目ごとの評価及びその内容

  表示箇所:本体

  表示方法:点線の下線

(Ⅴ)JIS と国際規格との
技術的差異の理由及び今
後の対策

項目番号

内容

項目番号

内容

項目ごとの評価

技術的差異の内容

2003 年現在、伝送用光能動
部品の IEC 規格が TC47

(半

導体デバイス)から TC86
(光ファイバシステム)へ
の体系移行の最中にある。
これに伴い規格体系が
TC47 の部品ごとの規格体
系から TC86 の応用システ
ムごとの規格体系への再
編が進められている。JIS
では管轄が TC47 のときか
ら部品ごとに分けて順次、
審議してきた経緯により、
審議済みの規格は、部品ご
との規格としてきている。
なお、IEC では複数の部品
が一つの規格となってお
り、引き続き審議検討予定
である。いままで JIS で審
議を行ってきた個々の部
品を除き、今後新規に検討
を開始する JIS について


19

C 5946

:2005 (IEC 62007-1:1999)

     

は、TC86 の規格体系に合
わせて整合を図っていく
予定である。

1.適用範囲

光ファイバ増幅器用
レーザモジュールの
用語、記号、分類、最
大定格、性能などの一
般的な共通事項につ
いて規定している。

IEC62007-
1

1

光ファイバ増
幅器用レーザ
モジュール以
外の製品であ
る、一般のレ
ーザモジュー
ルや LED、
pin-FET モジ
ュールなど光
能動部品全般
に広く適用す
る記号、分類、
最大定格、性
能などの一般
的な共通事項
としてまとめ
てある。

MOD 
/削除

IEC

では複数の光

能動部品に対する
規定となっている
ため、光ファイバ増
幅器用レーザモジ
ュール以外の製品
を適用範囲から削
除した。

削除した製品は別の JIS 
して制定済み又は制定予
定である。

 
制定済み: 
JISC5940

(光伝送用半導体

レーザ通則)、JISC5944 (光
伝送用半導体レーザモジ
ュール通則)、JISC5950(光
伝送用発光ダイオード通
則)、JISC5990(光伝送用
フォトダイオード通則) 
 
制定予定: 
pin-FET モジュール・光変
調器モジュール・デュプレ
クサモジュール・LED アレ

2.引用規格

JIS C 60068-2-1

JIS C 60068-2-2 
JIS C 60068-2-3 
JIS C 60068-2-11 
JIS C 0025 
JIS C 60068-2-17 
JIS C 60068-2-38 
JIS C 60068-2-6 
JIS C 60068-2-27 
JIS C 60068-2-32 
JIS C 60068-2-7 
JIS C 60068-2-20 
JIS C 60068-2-21

IEC62007-
1

2

レーザ安全規
格を引用。

MOD 
/追加

IEC

規格では、レー

ザ安全規格につい
て触れているが、環
境試験規格や単位
記号については触
れていない。

通常,一般的に広く使用さ
れている規格であり、商取
引上必要なので追加した。
IEC

へ提案を図る。


20

C 5946

:2005 (IEC 62007-1:1999)

     

JIS C 5947 
JIS C 6802 
JIS Z 8202 
JIS Z 8203

3.定義

絶対最大定格及び電
気光学的特性等の各
項目において使用さ
れる用語を定義して
いる。

IEC62007-
1

3

他のレーザ規
格にない用語
のみを説明。
一般的な用語
の定義につい
ては別規格
(IEC60747-5-
1)となってい
る。

MOD 
/追加

追加項目:

キンク,キンクフリー光出力,
モニタ用ファトダイオード端
子間容量,トラッキング
エラー 
 
IEC

規格に記載さ

れて用語のほか、一
般的な用語は
IEC60747-5-1

を参

照して作成した。 

通常,一般的に広く使用さ
れている項目であり商取
引上必要。IEC 規格への追
加提案を図る。

4.個別仕様書

個別仕様書において
規定する内容を規定
している。

MOD

/追加

個々のモジュール
の具体的な詳細は
個別仕様書で規定
するように明記し
た。

国内外で一般的に広く使
用されており、商習慣上必
要。IEC 規格への追加提案
を図る。

5.単位記号

本規格で用いる単位
記号に対する引用規
格について規定して
いる。

MOD 
/追加

追加項目:

図記号に関する JIS 

(JIS Z 8203, JIS Z 
8203)

を記載

通常,一般的に広く使用さ
れている規格であり、商取
引上必要。IEC へ提案を図
る。

6.分類

使用するデバイスの材
料,使用波長,構造,
並びにパッケージ構造・
適用光ファイバなど
について規定してい
る。

IEC62007-
1

9.2 
9.3

使用するデバ
イスの材料・構
造及びパッケー
ジ構造並びに
適用光ファイ
バについて規
定している。

MOD 
/追加

追加項目:

使用波長、波長安定
化構造、光アイアソ
レート構造

最近の技術の進展に合わ
せて IEC 規格の内容を見
直した。

IEC

へ提案を図る。


21

C 5946

:2005 (IEC 62007-1:1999)

     

7.最大定格

最大定格として規定
すべき項目と、保存温
度、動作温度の最大定
格として用いるべき
数値を規定している。

IEC62007-
1

9.5

JIS で規定し
ている温度、
電源電圧、出
力光強度等の
他、振動、衝
撃試験などの
機械的耐久性
に関しても規
定している。

MOD 
/追加 
/削除

追加項目:

ペルチェ電圧を項
目に追加。また、温
度などの試験条件
に関する数値規定
を追加。 
 
削除項目: 
衝撃及び振動。

国内外で一般的に広く使
用されており、商習慣上必
要。IEC へ提案を図る。

 
 
 
8.2 項として独立させて記
載した。

8.性能

8.1 電気的及
び光学的特性
8.2 環境及び
耐久性に対す
る性能

電気・光学的特性及び
環境条件に対する性
能について規定して
いる。

IEC62007-
1

9.5 
9.6

9.5 項で最大
定格項目を規
定。

9.6 項で電
気・光学的特
性項目を規
定。

MOD 
/追加 
/削除

追加項目:

特性項目としてキンク
フリー光出力,相対雑
音強度,モニタ用フォトダ
イオード端子間容量を
追加。  測定条件と
して使用する電流
値及び周波数値の
規定を追加。 
 
削除項目: 
高温時動作電流。

国内外で一般的に広く使
用されており、商習慣上必
要。IEC へ提案を図る。

 
 
 
 
 
 
 
一般的には使用されてい
ない。IEC へ提案を図る。

9.外形

外形は個別仕様書に
よると規定している。

IEC62007-
1

9.4

外形は個別仕
様書によると
規定。

IDT

10.測定

測定方法として JIS C 
5947

を使用すること

を規定している。

IEC62007-
1

Annex A

測定方法は該
当する IEC に
準拠すると規
定している。

MOD 
/追加

/削除

JISC5947

は,対応

する IEC 規格が複
数の光能動部品に
対する規定になっ
ているため、光ファ
イバ増幅器用レー
ザモジュール以外
の記載内容を削除
したものである。

現在,測定方法に関する
IEC

規格の改訂が検討され

ているところであり、IEC
に提案を図る。


22

C 5946

:2005 (IEC 62007-1:1999)

     

11.表示

表示する項目を規定
している。

MOD 
/追加

国内外で一般的に広く使
用されており、商習慣上必
要。IEC に提案を図る。

12.取り扱い上
の注意事項

取り扱いに関する注
意事項を記述。

MOD 
/追加

JIS

では補充を行ってお

り、IEC に提案を図る。

IEC62007-1

4

 
 

 
 

 
 

 

 
 
 
10 
 
 
 
 
11 
 
 
12 
 
 
 
13 
 
 

発光ダイオー
ド゙の規定。

 
レーザモジュ
ールの規定。
 
pin 型受光素
子の規定。 
 
APD の規定。
 
Pin-FET モジ
ュールの規
定。 
 
アナログ光伝
送用レーザモ
ジュールの規
定。 
 
LED アレイの
規定。 
 
ディジタル光
伝送用光変調
器の規定。 
 
TO パッケー
ジ入りのレー
ザダイオード
の規定。

MOD/削除

 
 
MOD/削除 
 
 
MOD/削除 
 
 
MOD/削除 
 
MOD/削除 
 
 
 
MOD/削除 
 
 
 
 
MOD/削除 
 
 
MOD/削除 
 
 
 
MOD/削除 
 
 

IEC

では各章がそ

れぞれ別々の部品
に対応しており、全
体として複数の光
能動部品に対する
規定となっている
ため、光ファイバ増
幅器用レーザモジ
ュール以外の記載
内容を削除した。

削除した部分は別の JIS 
して制定済み又は制定予
定である。

 
制定済み: 
JISC5940

(光伝送用半導体

レーザ通則)、JISC5944 (光
伝送用半導体レーザモジ
ュール通則)、JISC5950(光
伝送用発光ダイオード通
則)、JISC5990(光伝送用
フォトダイオード通則) 
 
制定予定: 
pin-FET モジュール・光変
調器モジュール・デュプレ
クサモジュール・LED アレ


23

C 5946

:2005 (IEC 62007-1:1999)

     

 
14 
 

 
デュプレクサ
モジュールの
規定。

 
MOD/削除

JIS

と国際規格との対応の程度の全体評価:MOD

備考1.  項目ごとの評価欄の記号の意味は,次のとおりである。

    ―  IDT………………  技術的差異がない。 
    ―  MOD/削除………  国際規格の規定項目又は規定内容を削除している。

    ―  MOD/追加………  国際規格にない規定項目又は規定内容を追加している。 
    ―  MOD/変更………  国際規格の規定内容を変更している。 
    ―  NEQ……………  技術的差異があり,かつ,それがはっきりと識別され説明されていない。

2.

JIS

と国際規格との対応の程度の全体評価欄の記号の意味は,次のとおりである。

    ―  IDT………………  国際規格と一致している。 
    ―  MOD……………  国際規格を修正している。

    ―  NEQ……………  技術的内容及び構成において,国際規格と同等でない。