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C 5944

:2005

(1) 

まえがき

この規格は,工業標準化法に基づいて,日本工業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が改正した日

本工業規格である。

これによって,JIS C 5944:1996 は改正され,この規格に置き換えられる。

改正に当たっては,日本工業規格と国際規格との対比,国際規格に一致した日本工業規格の作成及び日

本工業規格を基礎にした国際規格原案の提案を容易にするために,IEC 62007-1:1999,Semiconductor

optoelectronic devices for fibre optic system applications-Part 1 : Essential ratings and characteristics を基礎として

用いた。

この規格の一部が,技術的性質をもつ特許権,出願公開後の特許出願,実用新案権,又は出願公開後の

実用新案登録出願に抵触する可能性があることに注意を喚起する。主務大臣及び日本工業標準調査会は,

このような技術的性質をもつ特許権,出願公開後の特許出願,実用新案権,又は出願公開後の実用新案登

録出願にかかわる確認について,責任はもたない。

JIS C 5944

には,次に示す附属書がある。

附属書 1(参考)光伝送用半導体レーザモジュールの個別仕様書の様式

附属書 2(参考)光伝送用半導体レーザモジュール環境試験及び耐久性試験用個別仕様書の様式

附属書 3(参考)代表的特性

附属書 4(参考)静電気破壊のおそれがあるデバイスへの表示

附属書 5(参考)JIS と対応する国際規格との対比表


     

日本工業規格

JIS

 C

5944

:2005

光伝送用半導体レーザモジュール通則

General rules of laser diode modules for fiber optic transmission

序文  この規格は,1999 年に第 1 版として発行された IEC 62007-1 Semiconductor optoelectronic devices for

fibre optic system applications-Part 1 : Essential ratings and characteristics を翻訳し,技術的内容を変更して作成

した日本工業規格である。

なお,この規格で側線又は点線の下線を施してある箇所は,原国際規格を変更している事項である。変

更の一覧表をその説明を付けて,

附属書 5 に示す。

1. 

適用範囲  この規格は,光源として使用する光伝送用半導体レーザモジュール(以下半導体レーザモジュー

ルという。)の用語,  最大定格,  性能などの一般的共通事項について規定する。

備考1.  ここでいう半導体レーザモジュールとは,  光ファイバピグテイル又は光ファイバ接続用のレセプ

タクルをもち,必要に応じて,温度センサ,電子冷却素子,モニタ用フォトダイオード,光アイソレータ

などを内蔵するものである。

2. 

この規格の対応国際規格を,次に示す。

なお,対応の程度を表す記号は,ISO/IEC Guide 21 に基づき,IDT(一致している)

,MOD

(修正している)

,NEQ(同等でない)とする。

IEC 62007-1:1999

,Semiconductor optoelectronic devices for fiber optic system applications-Part 1 :

Ratings and characteristics (MOD)

2. 

引用規格  次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成す

る。これらの引用規格は,その最新版(追補を含む。

)を適用する。

JIS C 0025

  環境試験方法(電気・電子)温度変化試験方法

JIS C 6802

  レーザ製品の放射安全性基準

JIS C 5945

  光伝送用半導体レーザモジュール測定方法

JIS C 60068-2-1

  環境試験方法−電気・電子−低温(耐寒性)試験方法

備考  IEC 60068 2-1:1990 Environmental testing - Part 2: Tests. Tests A: Cold が,この規格と一致してい

る。

JIS C 60068-2-2

  環境試験方法−電気・電子−高温(耐熱性)試験方法

備考  IEC 60068-2-2:1974 Environmental testing - Part 2: Tests. Tests B: Dry heat  が,この規格と一致し

ている。

JIS C 60068-2-3

  環境試験方法(電気・電子)高温高湿(定常)試験方法

備考  IEC 60068-2-11:1981 Environmental testing - Part 2: Tests. Test Ka: Salt mist が,この規格と一致

している。


 
2

C 5944

:2005

     

JIS C 60068-2-6

  環境試験方法−電気・電子−正弦波振動試験方法

備考  IEC 60068-2-6:1995 Environmental testing - Part 2: Tests - Test Fc: Vibration (sinusoidal)  が,この

規格と一致している。

JIS C 60068-2-7

  環境試験方法−電気・電子−加速度(定常)試験方法

備考  IEC 60068-2-7:1983 Environmental testing. Part 2: Tests. Test Ga: Acceleration, steady state  が,こ

の規格と一致している。

JIS C 60068-2-17

  環境試験方法−電気・電子−封止(気密性)試験方法

備考

  IEC 60068-2-17:1994 Basic environmental testing procedures - Part 2: Tests - Test Q: Sealing が,こ

の規格と一致している。

JIS C 60068-2-20

  環境試験方法−電気・電子−はんだ付け試験方法

備 考

  IEC 60068-2-20 : 1979 Environmental testing. Part 2: Tests. Test T: Soldering 並 び に

Amendment1(1987)が,この規格と一致している。

JIS C 60068-2-21

  環境試験方法−電気・電子−端子強度試験方法

備考

  IEC 60068-2-21:1999, Environmental testing - Part 2-21: Tests - Test U: Robustness of terminations

and integral mounting devices からの引用事項は,この規格の該当事項と同等である。

JIS C 60068-2-32

  環境試験方法−電気・電子−自然落下試験方法

備考

  IEC 60068-2-32:1975 Environmental testing. Part 2: Tests. Test Ed: Free fall 並びに Amendment1

(1982)  が,この規格と一致している。

JIS C 60068-2-38

  環境試験方法(電気・電子)高湿度組合せ(サイクル)試験方法

備 考   IEC 60068-2-38:1974 Environmental testing - Part 2: Tests. Test Z/AD: Composite

temperature/humidity cyclic test  が,この規格と一致している。

JIS Z 8202-0

  量及び単位−第 0 部:一般原則

JIS Z 8202-1

  量及び単位−第 1 部:空間及び時間

JIS Z 8202-2

  量及び単位−第 2 部:周期現象及び関連現象

JIS Z 8202-3

  量及び単位−第 3 部:力学

JIS Z 8202-4

  量及び単位−第 4 部:熱

JIS Z 8202-5

  量及び単位−第 5 部:電気及び磁気

JIS Z 8202-6

  量及び単位−第 6 部:光及び関連する電磁放射

JIS Z 8203

  国際単位系(SI)及びその使い方

3. 

定義  この規格で用いる主な用語の定義は次による。

a)

絶対最大定格(Absolute maximum rating)  瞬時でも超過してはならない限界値。どの一つの規格値

も超えてはならない。

b)

保存温度[Storage temperature(T

stg

)

]  電源電圧及び入力信号を加えないときの周囲温度の許容範囲。

c)

周囲温度[Ambient temperature(T

a

)

]  半導体レーザモジュールの置かれている雰囲気の温度。

d)

動作温度[Operating temperature(T

op

)

]  規定の電圧又は電流での動作保証されている周囲温度

[Operating ambient temperature(T

op(a)

)],ケース温度[Operating case temperature (T

op(c)

)]又はサブマウ

ント温度[Operating submount temperature (T

op(sub)

)]。

備考  電子冷却素子付きモジュールの場合はケース温度に代えヒートシンク温度でもよい。


3

C 5944

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e)

しきい値電流[Threshold current(I

th

)

]  誘導放出によるレーザ発振を開始する電流値。

f)

光ファイバ端出力[Radiant power(P

f

)

]  光ファイバ端から取り出される光出力。発光素子自身の光

出力からファイバとの結合損失,ファイバの伝送損失を差し引いたもの。

g)

しきい値光出力[Radiant power at threshold(P

th

)

]  しきい値における光出力値。

h)

動作電流[Operating current(I

op

)

]  規定の光出力を得るときの順電流値。

i)

動作電圧[Operating voltage(V

op

)

]  規定の光出力を得るときの順電圧値。

j)

スロープ効率[Differential efficiency(

η

d

)

]  動作電流での光ファイバ端出力と,しきい値電流又はし

きい値電流よりも高く,かつ,動作電流よりも十分低い電流での光ファイバ端出力について,これら

の光出力差を電流差で除したもの。

k)

縦モード(Longitudinal mode)  光軸に沿って伝搬する発振モードのスペクトルが離散的に存在してい

るときの,これらの個々の発光スペクトル。特に,一本の縦モードで発光しているときを単一縦モー

ド発振という。

l)

縦モード間隔(Mode spacing)  隣接する縦モードとの波長差。

m)

縦モード数(Number of longitudinal modes)  縦モードの合計数。通常はピークに対し,ある比を定め,

それ以上の強度をもつモードだけを数える。

n)

ピーク発振波長[Peak emission wavelength(

λ

p

)

]  レーザ発振が最強となる波長。

o)

中心発振波長[Central emission wavelength(

λ

c

)

]  発振スペクトルの中心の波長。次の測定法のうち

いずれかによって求めたものとする。

1)

包絡線法;それぞれの縦モードのピークを包絡線によって結び,その包絡線が縦モードのピークに

対し規定の値で切った時,最も長波長側の波長と,最も短波長側の波長の平均の波長。

2)  N-dB

法;ピーク発振波長の両側の波長帯で,ピークに対し規定の値となる波長のうち最も長い波長

側の縦モードの発振波長と,最も短い波長側の縦モードの発振波長の平均の波長。規定値が 50%の

場合だけこの方法をしきい値法ともいう。

3)  RMS

法;n 番目の縦モードの光出力(A

n

)とその発振波長(

λ

n

)から,次の式を用いて求めた波長。

×

=

n

n

n

c

A

A

λ

λ

p)

スペクトル幅[Spectral radiation bandwidth(

Δ

λ

w

)

]  発振スペクトルの広がり。

なお,最大のピークに対し 50%になる発振スペクトルの広がり幅(全幅)は,特にスペクトル半値幅

Δ

λ

)という。スペクトル半値幅は,FWHM(半値全幅)ともいう。次の測定法のいずれかによって

求めるものとする。

1)

包絡線法;それぞれの縦モードのピークを包絡線によって結び,その包絡線が縦モードの最大のピ

ークに対し規定の値で切ったとき,最も長波長側の波長と最も短波長側の波長との差。

2)  N-dB

法;縦モードの最大のピークに対し規定の値で切ったときのスペクトル幅(シングルモード発

振の場合)

。又は,縦モードの最大ピークに対し規定の値以上で発振する縦モードのうち,最も長波

長側の波長と最も短波長側の波長との差(マルチモード発振の場合)

又は,発振している縦モードの最大のピークに対し規定の値(スペクトル半値幅を求める場合は最

大のピークに対し 50%の値)になるスペクトル線の広がり幅(単一縦モード発振の場合)

3)  RMS

法;n 番目の縦モードの光レベル(A

n

)とその発振波長(

λ

n

)から次の式を用いて求めた波長

幅。なお,は定数で目的に応じて選択(1,  2, 2.35,  3)し,明示する必要がある(2.35 を選


 
4

C 5944

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択した場合は,スペクトル形状をガウス分布とみなしたときにスペクトル半値幅に相当する。

×

×

=

n

c

n

2

n

w

)

(

A

A

K

λ

λ

λ

Δ

q)

スペクトル線幅[Spectral linewidth(

Δ

λ

L

)

]  単一縦モード発振時のスペクトル線の広がり幅。スペク

トルの最大値に対して,規定の値になるスペクトル線の幅とし,通常周波数で表す。

r)

サイドモード抑圧比[Side-mode suppression ratio(SMSR)]  レーザ発振が最強のモード(メインモー

ド)と 2 番目に大きいモード(サイドモード)のパワーの比。

s)

発振波長電流依存変動係数[Spectral shift with current (

Δλ

C

)

]  動作電流を変化させたときに,  発

振波長が変化する係数。

t)

発振波長温度係数[Spectral shift with temperature (

Δλ

T

)

]  周囲温度又は動作温度を変化させたと

きに,  発振波長が変化する係数。

u)

波長チャープ[Wavelength Chirp(

Δ

f)

]  レーザから放射される光パルスが ON から OFF 又は OFF

から ON へ変化する時間領域での光スペクトル線変化量。通常 Hz の単位で表す。

備考  必要に応じて nm を単位としても良いものとする。

v)

上昇時間[Rise time(t

r

)

]  光出力パルスが最大値の 10%から 90%まで増加するのに要する時間。

w)

下降時間[Fall time(t

f

)

]  光出力パルスが最大値の 90%から 10%まで減少するのに要する時間。

最大値とは,緩和振動後の定常値をいう。

x) 

ターンオン時間[Turn on time(t

on

)]

  電流パルスの最大値の 10%から光出力パルスの 90%まで増加する

のに要する時間。

y)

ターンオフ時間[Turn on time(t

off

)]

  電流パルスの最大値の 10%から光出力パルスの 90%まで減少する

のに要する時間。

z) 

ターンオン遅延時間[Turn on delay time(t

d(on)

)]

  ターンオン時間と上昇時間の時間差。

aa)

ターンオフ遅延時間[Turn off delay time(t

d(off)

)]

  ターンオフ時間と下降時間の時間差。

ab)

変調度[Modulation index(m

i

)]

  平均信号電流振幅に対する信号電流振幅比。

ac)

遮断周波数[Cut-off frequency(

ƒ

c

)

]  規定のバイアス点で,正弦波を用いて小信号で変調を行ったと

き得られる被変調光出力の正弦波振幅が,低周波領域の十分に平たんな部分に対して 3dB 低下する周

波数。

ad)

相対強度雑音[Relative intensity noise(RIN)]  単位周波数当たりの光強度雑音と平均光出力との比。

実際には,光のゆらぎがフォトダイオードなどの受光素子や増幅器を用いて測定,算出されるため,

規定の周波数において検出された雑音から受光素子のショット雑音と増幅器の熱雑音とを除き,半導

体レーザの平均出力

(一般には受光器の光電流で検出)

と測定周波数帯域とで除したものが対応する。

ae)  C/N

(信号対雑音強度比)[Carrier to noise ratio(C/N)]  光出力の平均値の,光出力のゆらぎの大き

さに対する比。

af)

複合 次ひずみ[Composite Second-order distortion(CSO)]  半導体レーザを電力の等しく規則的に

周波数配列された多チャンネルの正弦波信号で直接変調(アナログ変調)した場合に発生する 2 次の

相互変調ひずみのうち,同一の周波数に現れるものの電力和を近傍の 1 チャンネルの正弦波信号の電

力に対する比で表したもの。ただし,一般的には一つのチャンネルに対して,その映像帯域内での最


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C 5944

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大値を指すことが多い。合成第 2 次ひずみともいう。

ag)

複合 次ひずみ[Composite triple-beat distortion(CTB)]  半導体レーザを電力の等しく規則的に周波

数配列された多チャンネルの正弦波信号で直接変調(アナログ変調)した場合に発生する 3 次の相互

変調歪のうち,同一の周波数に現れるものの電力和を近傍の 1 チャンネルの正弦波信号の電力に対す

る比で表したもの。ただし,一般的には一つのチャンネルに対して,その映像帯域内での最大値を指

すことが多い。合成第 3 次ひずみともいう。

ah)  2

次相互変調ひずみ[Two-tone second order intermodulation distortion(IMD2)]  半導体レーザを 2 チ

ャンネルの正弦波信号で直接変調(アナログ変調)した場合に発生する 2 次の変調ひずみのうち同一の

周波数に現れるものの電力和を近傍の 1 チャンネルの正弦波信号の電力に対する比で表したもの。

ai)  3

次相互変調ひずみ[Two-tone third order intermodulation distortion(IMD3)]  半導体レーザを 2 チ

ャンネルの正弦波信号で直接変調(アナログ変調)した場合に発生する 3 次の変調歪みのうち同一の周

波数に現れるものの電力和を近傍の 1 チャンネルの正弦波信号の電力に対する比で表したもの。

aj)

モニタ用フォトダイオード出力電流[Monitor current (I

m

)]

  モニタ用フォトダイオードの出力電流値。

ak)

モニタ用フォトダイオード暗電流[Dark current of photodiode(I

d

)]

  半導体レーザモジュールを発光さ

せないときにモニタ用フォトダイオードに流れる電流値。

al)

モニタ用フォトダイオード端子間容量[Photodiode capacitanceC

t

]  モニタ用フォトダイオードの

端子間の容量。

am)

トラッキングエラー[Tracking error (E

r1

E

r2

 

又は E

)

]  半導体レーザモジュールに内蔵されてい

るモニタ用フォトダイオードを用いて,APC (Automatic Power Control;自動出力制御)  動作状態にお

いて,規定の動作温度範囲で温度変化させたときに生じる光出力の変動量。次の二つの測定方法があ

る。

1) APC

動作状態において,基準の動作温度(通常は 25℃)における光出力の値を基準値とし,規定の動

作温度範囲で温度変化をさせた時に,基準値と光出力が減少する方向の最大変動幅との比を(E

r1

基準値と光出力が増加する方向の最大変動幅との比を(E

r12

)とする。

2) APC

動作状態において,  基準の動作温度における光出力の値を基準値とし,  動作温度範囲内の特

定温度における光出力との比の最大値(E

r

)とする。

an)

サーミスタ抵抗[Resistance(R)]  内蔵されている温度検出用のサーミスタの抵抗。

ao)

サーミスタ 定数 (B)  サーミスタの抵抗−温度特性を示す次の B。材料によって決まる定数である。





=

2

1

2

1

1

1

exp

T

T

B

R

R

ここに、

R

1

R

2

はそれぞれ絶対温度

T

1

T

2

での抵抗値

ap)

ペルチェ電流[Peltier current (I

PE

)

]  内蔵されている温度制御用ペルチェクーラの電流値。

aq)

ペルチェ電圧[Peltier voltage (V

PE

)

]  内蔵されている温度制御用ペルチェクーラの電圧値。

ar)

光ファイバ許容曲げ半径[Minimum bend radius of pigtail (r

min

)

]  ピグテイル形の半導体レーザモジ

ュールで,許容されるピグテイルの最小曲げ半径。

as)

光ファイバ引張強度[Tensile force on fiber (F)]  ピグテイル形の半導体レーザモジュールで,許容

されるピグテイルファイバの最大引張強度。


 
6

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4. 

個別仕様書  個々の半導体レーザモジュールの絶対最大定格,性能,外形などはこの規格の規定に従

って個別仕様書に規定するものとする。個別仕様書の様式は,

附属書 1 を推奨する。

5. 

単位記号  この規格で用いる単位記号は,JIS Z 8202-0,JIS Z 8202-1,JIS Z 8202-2,JIS Z 8202-3,JIS Z 

8202-4,JIS Z 8202-5,JIS Z 8202-6

及び JIS Z 8203 による。

6.

分類  半導体レーザモジュールの分類は,表 による。

  1  半導体レーザモジュールの分類

分類項目

種類

大項目

小項目

結 晶 材

アルミニウムガリウムひ素(AlGaAs)/ガリウムひ素(GaAs)/ 
インジウムガリウムひ素(InGaAs)/インジウムガリウムひ素りん
(InGaAsP)/インジウムりん(InGaAsP/InP)など

波長帯

― 650

nm 帯,    850 nm 帯,1 300 nm 帯,1 550 nm 帯など

素 子 構

接合構造

ダブルヘテロ(DH)接合形,分離閉じ込めヘテロ接合,量子井戸構
造など

ストライプ構造

利得導波形,屈折率導波形など

帰還構造

ファブリペロー形,分布帰還形(DFB)

,分布ブラッグ反射形(DBR)

など

光 フ ァ
イバ

マルチモード光ファイバ(石英系,多成分系,プラスチッククラッド
系),シングルモード光ファイバ,偏波面保存光ファイバなど

パ ッ ケ
ー ジ 構

光出力構造

光ファイバピグテイル形,レセプタクル形

モニタ出力構造

フォトダイオード内蔵形など

端子構造

同軸形,デュアルインラインパッケージ形,バタフライ形など

温度制御構造

温度制御なし,電子冷却素子内蔵形,サーミスタ内蔵形など

光アイソレート構造

アイソレータなし,アイソレータ内蔵形など

用途

低速用,高速用,長距離通信用,中短距離通信用,ディジタル用,ア
ナログ用など

その他

温度センサ付など

7. 

最大定格  半導体レーザモジュールの最大定格は,絶対最大定格とする。最大定格の規定項目は,表

2

による。保存温度又は動作温度の規定値は,

表 3∼表 の値を推奨する。個別規格における最大定格の規

定の様式は

附属書 表 を推奨する。

  2  絶対最大定格(特に指定のない限り,周囲温度,ケース温度又はサブマウント温度は 25℃とする)

項目

記号

条件

最大定格値

単位

温  度

保存温度

T

stg

−_∼+_

動作温度

T

op

−_∼+_

はんだ付け温度

T

sld

はんだ付け時間を規

      _

レーザ

電圧

直流逆電圧

V

rl

      _

V

電流

直流順電流

I

fl

(

4

)

      _

mA

光出力  光ファイバ端出力

P

f

(

4

)

      _

mW


7

C 5944

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モニタ用フォト 
ダイオード

直流逆電圧(

1

)

V

rd

      _

V

順電流(

1

)

I

fd

      _

mA

ペルチェクーラ

ペルチェ電圧(

2

)

V

PE

      _

V

ペルチェ電流(

2

)

I

PE

      _

A

サーミスタ

消費電力(

2

)

P

tot

      _

W

供給電圧(

2

)

V

supp

      _

V

光ファイバ

光ファイバ許容曲げ半径
(

3

)

R

min

      _

mm

光ファイバ引張強度(

3

)

F

      _

N

(

1

モニタ用フォトダイオードを内蔵している場合に適用する。

(

2

ペルチェ電圧,ペルチェ電流は温度制御用ペルチェクーラを内蔵している場合に適用する。

(

3

光ファイバピグテイル形に適用する。

(

4

)   CW

規定。必要に応じて変調時にて規定する。

備考  絶対最大定格値の欄で下線の部分は,通常記入する。

  3  保存温度(T

stg

 )

                                                                          単位℃

下限値

0

-20

-40

-55

-65

上限値

60

70

85

100

125

  4  動作ケース温度又は動作サブマウント温度[T

op(c)

又は T

op(sub)

                                                                        単位℃

下限値

0

-10

-20

-30

-40

上限値

40

50

60

70

85

100

8. 

性能

8.1 

電気的特性及び光学的特性  半導体レーザモジュールの電気的特性及び光学的特性の規定項目は,

表 5(デジタル伝送用)及び表 6 (アナログ伝送用)による。特性を測定する条件として与える電流値,変調信

号の繰返し周波数の規定値は

表 及び表 の値を推奨する。個別規格における電気的特性及び光学的特性

の規定様式は,

附属書 表 2(デジタル伝送用)及び附属書 表 3(アナログ伝送用)を推奨する。また,

代表特性については

附属書 を参照する。

  5  デジタル伝送用(特に指定のない限り,周囲温度,ケース温度又はサブマウント温度は 25℃とする)

項目

記号

試験条件

最小値

標準値  最大値

単位

しきい値電流

I

th

 CW

_

_

_  mA

動作電流

I

op

CW 又は変調(

5

)

_ _ _ mA

スロープ効率

η

d

_ _ _

mW/m

A

動作電圧

V

op

CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

 _ _ V

光ファイバ端出力

P

f

CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

_ _   mW


 
8

C 5944

:2005

     

しきい値光出力(

6

)

P

th

 CW

_

_

mW

ピーク発振波長(

7

)

λ

p

 CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

_ _ _ nm

中心発振波長(

7

)

λ

c

 CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

_ _ _ nm

スペクトル幅(

8

)

Δ

λ

w

 CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

 _ _

nm

スペクトル半値幅(

8

)

Δ

λ

 CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

 _ _

nm

サイドモード抑圧比(

6

)

SMSR

CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

_ _   dB

発振波長電流依存変動 係

Δ

λ

c

CW 又は変調(

5

),

I

f

 =  ∼    mA

 _ _

nm/m

A

発振波長温度依存性

Δ

λ

T

CW 又は変調(

5

),

P

f

=  ∼    mW

 _ _

nm/℃

波長チャープ(

6

)

Δf

変調(

5

),

I

f

=

I

op

  _

Hz

上昇時間(

9

)

t

r

I

b

=

_

_

ns

下降時間(

9

)

t

f

I

b

=

_

_

ns

遮断周波数(

9

)

f

c

I

f

=

I

op

 _

_

GHz

C/N 比(

5

),  (

10

)

C/N

_ _   dB

相対強度雑音(

6

),  (

10

)

RIN

CW,

I

f

=

I

op

_ _ _

dB/Hz

モニタ用フォトダイオ ー
ド暗電流(

11

)

I

d

V

rd

=

_

_

A

モニタ用フォトダイオ ー
ド出力電流(

11

)

I

m

CW 又は変調(

4

),

P

f

=  ∼    mW

_ _ _ μA

モニタ用フォトダイオー
ド端子間静電容量(

11

)

C

t

V

rd

=,f=

 _ _ pF

トラッキングエラー(

11

)  ,

(

12

)

E

r

E

r1

/ E

r2

T

op(c)

又は

T

op(sub)

=

 


_


_

dB

サーミスタ抵抗(

13

)

_ _ _ kΩ

サーミスタ B 定数(

13

)

_ _ _ K

ペルチェ電流(

14

)

I

pe

Δ

T

=

 _ _ A

ペルチェ電圧(

14

)

V

pe

Δ

T

=

 _ _ V

  6  アナログ伝送用(特に指定のない限り,周囲温度,ケース温度又はサブマウント温度は 25℃とする)

項目

記号

試験条件

最小値

標準値  最大値

単位

しきい値電流

I

th

 CW

_

_

_  mA

動作電流

I

op

CW 又は変調(

5

)

_ _ _ mA

スロープ効率

η

d

_ _ _

mW/m

A

動作電圧

V

op

CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

 _ _ V

ファイバ端光出力

P

f

CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

_ _   mW

ピーク発振波長(

7

)

λ

p

 CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

_ _ _ nm

中心発振波長(

7

)

λ

c

 CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

_ _ _ nm

スペクトル線幅(

6

)

Δ

λ

L

 CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

_ _   MHz

サイドモード抑圧比(

6

)

SMSR

CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

_ _   dB

相対強度雑音(

6

),(

10

)

RIN

CW,

I

f

I

op

_ _ _

dB/Hz

複合 2 次ひずみ

CSO

f =

I

f

I

op

_ _ _ dBc

複合 3 次ひずみ

CTB

m

=,

R

module

=

_ _ _ dBc

2 次相互変調ひずみ

IMD2 

P

f

=_mW,f =_Hz,

m

=_%

_ _ _ dB

3 次相互変調ひずみ

IMD3 

P

f

=_mW,f =_Hz,

m

=_%

_ _ _ dB


9

C 5944

:2005

     

モ ニタ用フォトダイオ ー
ド暗電流(

11

)

I

d

V

rd

=

_

_

A

モニタ用フォトダイオ ー
ド出力電流(

11

)

I

m

CW

又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

V

rd

=

_ _ _ μA

モニタ用フォトダイオー
ド端子間静電容量(

10

)

C

t

V

rd

=,f =

 _ _ pF

トラッキングエラー(

11

),

(

12

)

E

r

E

r1

/ E

r2

T

op(c)

又は

T

op(sub)

=

 


_


_

dB

サーミスタ抵抗(

13

)

R

_ _ _ kΩ

サーミスタ B 定数(

13

)

B

 _

_

_

K

冷却温度差(

14

)

Δ

T

T

op(c)

又は

T

op(sub)

=

_    ℃

ペルチェ電流(

14

)

I

pe

Δ

T

=

 _ _ A

ペルチェ電圧(

14

)

V

pe

Δ

T

=

 _ _ V

(

5

変調条件は,  個別に規定する。

(

6

用途によって選択する。

(

7

ピーク発振波長又は中心発振波長のいずれかの選択でよい。また,測定方法も包絡線法,N-dB

法又は RMS 法のいずれかの選択でよいが,測定方法を明記する。

(

8

スペクトル幅又はスペクトル半値幅のいずれかの選択でよい。また,測定方法も包絡線法,N-dB

法又は RMS 法のいずれかの選択でよいが,測定方法を明記する。

(

9

上昇時間と下降時間のセット,又は遮断周波数のいずれかの選択でよい。

(

10

キャリアノイズ比(CN 比)又は相対雑音強度のいずれかの選択でよい。

(

11

モニタ用フォトダイオード内蔵形に適用する。

(

12

測定方法を明記する。

(

13

サーミスタを内蔵している場合に適用する。

(

14

温度制御用ペルチェクーラを内蔵している場合に適用する。

備考1.  最大値,標準値及び最小値の欄で下線の部分は,通常記入する。

2. 

試験条件での記号の説明

          a) CW    ;連続動作

          b)

V

rd

;モニタ用フォトダイオード逆電圧

          d) f

;測定周波数

          e)

m

    ;変調率

          f)

R

module

;リターンロス(ファイバからモジュールへの)

          g)

I

b

    ;バイアス電流

  7  特性を規定する測定条件として与える電流値

                                                                        単位  ×10

n

 A

電流値

1   1.25   1.5   2   2.5   3   4   5   6   7   8   9

備考  は,整数とする。


 
10

C 5944

:2005

     

  8  特性を規定する測定条件として与える繰返し周波数

                                                                        単位  ×10

n

 A

繰返し周波数

1   1.25   1.5   2   2.5   3   4   5   6   7   8   9

備考  は,整数とする。

8.2 

環境及び耐久性に対する性能  半導体レーザモジュールの環境及び耐久性に対する性能性能の規定

は,

表 による。個別規格における環境及び耐久性に対する規定様式は附属書 を推奨する。

  9  環境試験  及び  耐久性試験

項  目

試験条件

適用

(

15

)

抜取方式

適用規格

検査水準

AQL

はんだ耐熱性

温度  _ ± _  ℃

JIS C 60068-2-20

温度サイクル

低温  _  ℃,高温  _  ℃ 
保持時間  _ min, 
移動時間  _ min,回数  _  回

JIS C 0025 

熱衝撃

高温  _  ℃,保持時間  _ min, 
低温  _  ℃,保持時間  _ min, 
移動時間  _  s,回数  _  回

JIS C 0025 

温湿度サイクル  高温  _  ℃,高温側相対湿度  _  %,

保持時間  _ min, 
低温  _  ℃  低温側相対湿度  _  %, 
保持時間  _ min, 
移動時間  _ min,回数  _  回

JIS C 60068-2-38

気密性

加圧圧力  _ Pa, 
加圧時間  _  h(必要がある場合)

JIS C 60068-2-17

自然落下  (

16

)

高さ  _ cm,回数  _  回

JIS C 60068-2-32

衝撃      (

16

)

方向  _  ,最高加速度  _ m/s

2

パルス幅  _ ms,回数  _  回

JIS C 60068-2-27

定加速度

方向  _  ,加速度  _ m/s

2

パルス幅  _ ms,回数  _  回 
周波数  _∼_ Hz,

JIS C 60068-2-7 

振動

全振幅  又は  加速度  _m/s

2

方向  _  ,時間  _ h

JIS C 60068-2-6 

端子強度

荷重  _  N,回数  _  回

JIS C 60068-2-21

塩水噴霧

時間  _ h

JIS C 60068-2-11

高温保存

温度  _  ℃,時間  _ h

JIS C 60068-2-2 

低温保存

温度  _  ℃,時間  _ h

JIS C 60068-2-1 

動作寿命

ケース温度(又は周囲温度)_  ℃, 
定光出力動作  光出力  _ mW, 
時間  _ h

ピグテイル強度
(

17

)

引張力_  N,  曲げ半径_ cm

耐湿性

温度  _  ℃,相対湿度  _  %, 
時間  _ h

JIS C 60068-2-3 


11

C 5944

:2005

     

(

15

合否判定基準を適用する項目に○印を記入する。

(

16

自然落下又は衝撃のいずれかを規定する。

(

17

光ファイバピグテイル形に適用する。

備考  試験条件の欄で下線の部分は条件値を記入する。

9. 

外形  外形は個別の規定による。

10. 

測定  半導体レーザモジュールの測定は,個別仕様書に規定がない限り,JIS C 5945 による。

11. 

表示  半導体レーザモジュールには,次の項目を表示しなければならない。ただし,個々の半導体レ

ーザモジュールに表示することが困難な場合には,包装に表示してもよい。

a) 

形名(製造業者の指定による。

b)

製造業者名又はその略号

c)

製造年月又は製造ロット番号若しくはそれらの略号

d)

静電気によって破壊のおそれがあり,  取扱い上,  注意を必要とするデバイスであることを表示する

記号。なお,静電破壊の注意を必要とするデバイスであることを表示する場合は,

附属書 を推奨す

る。

e)

JIS C 6802

に基づく表示

12. 

取扱い上の注意事項  静電気破壊のおそれがある半導体レーザモジュールに対しては,次の事項に注

意する。

a)

移送,保管及び放置の際は,静電気導電材料,帯電防止処理材料などを用い,静電気の帯電を防止す

る。

b)

測定は,静電気の発生しない場所で行う。相対湿度は,50%程度が望ましい。また,静電気の発生を

防ぐためには,取扱者,工具及び測定器類の電位と被測定半導体レーザモジュールを同電位にするこ

とが望ましい。


 
12

C 5944

:2005

     

附属書 1(参考)光伝送用半導体レーザモジュールの個別仕様書の様式

1

適用範囲  この半導体レーザモジュールは,光出力取出し部として a を備え, b の結晶材料からなる

半導体レーザを備えた, モニタフォトダイオード,電子冷却素子,アイソレータ c 形の半導体レーザモ

ジュールで,主に d 伝送用に設計されたものである。

分類例  a:光ファイバピグテイル,レセプタクル

        b: AlGaAs/GaAs,InGaAsP/InP など

        c:内蔵,非内蔵

        d:  高速ディジタル,低速アナログなど

2

一般事項  一般事項は,本体による。

3

外形及び電極接続

3.1

外形      外形図

3.2

電極接続                  リード又は端子      端子名

                      1

                      2

                      3

                      4

                    ケース

4

絶対最大定格

附属書   1  絶対最大定格(特に指定のない限り,周囲温度,ケース温度又はサブマウント温度は 25

とする)

項目

記号

条件

最大定格値

単位

温  度

保存温度

T

stg

−_∼+_

動作温度

T

op

−_∼+_

はんだ付け温度

T

sld

はんだ付け時間を規

      _

レーザ

電圧

直流逆電圧

V

rl

      _

V

電流

直流順電流

I

fl

(

4

)

      _

mA

光出力

光ファイバ端出力

P

f

(

4

)

      _

mW

モニタ用フォト 
ダイオード

直流逆電圧(

1

)

V

rd

      _

V

順電流(

1

)

I

fd

 

      _

mA

ペルチェクーラ

ペルチェ電圧(

2

)

V

PE

      _

V

ペルチェ電流(

2

)

I

PE

      _

A

サーミスタ

消費電力(

2

)

P

tot

 

      _

W

供給電圧(

2

)

V

supp

 

      _

V

光ファイバ

光ファイバ許容曲げ半径
(

3

)

R

min

      _

mm

光ファイバ引張強度(

3

)

      _

N

(

1

モニタ用フォトダイオードを内蔵している場合に適用する。

(

2

ペルチェ電圧,ペルチェ電流は温度制御用ペルチェクーラを内蔵している場合に適用する。


13

C 5944

:2005

     

(

3

光ファイバピグテイル形に適用する。

(

4

)  CW

規定。必要に応じて変調時にて規定する。

備考  絶対最大定格値の欄で下線の部分は,通常記入する。

5

電気的特性,光学的特性

附属書   2  デジタル伝送用

      (特に指定のない限り,周囲温度,ケース温度又はサブマウント温度は 25℃とする)

項目

記号

試験条件

最小値

標準値  最大値

単位

しきい値電流

I

th

 CW

_

_

_  mA

動作電流

I

op

CW 又は変調(

5

)

_ _ _ mA

スロープ効率

η

d

_ _ _

mW/m

A

動作電圧

V

op

CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

 _ _ V

光ファイバ端出力

P

f

CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

_ _   mW

しきい値光出力(

6

)

P

th

 CW

_

_

mW

ピーク発振波長(

7

)

λ

p

 CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

_ _ _ nm

中心発振波長(

7

)

λ

c

 CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

_ _ _ nm

スペクトル幅(

8

)

Δ

λ

w

 CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

 _ _

nm

スペクトル半値幅(

8

)

Δλ CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

 _ _

nm

サイドモード抑圧比(

6

)

SMSR

CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

_ _   dB

発振波長電流依存変動係

Δ

λ

c

CW 又は変調(

5

),

I

f

 =  ∼    mA

 _ _

nm/m

A

発振波長温度依存性

Δ

λ

T

CW 又は変調(

5

),

P

f

=  ∼    mW

 _ _

nm/℃

波長チャープ(

6

)

Δf

変調(

5

),

I

f

=

I

op

  _

Hz

上昇時間(

9

)

t

r

I

b

 _ _ ns

下降時間(

9

)

t

f

I

b

 _ _ ns

遮断周波数(

9

)

f

c

I

f

=

I

op

 _

_

GHz

C/N 比(

5

),  (

10

)

C/N

_ _   dB

相対強度雑音(

6

),  (

10

)

RIN

CW

I

f

=

I

op

_ _ _

dB/Hz

モニタ用フォトダイオー
ド暗電流(

11

)

I

d

V

rd

=

_

_

A

モニタ用フォトダイオー
ド出力電流(

11

)

I

m

CW 又は変調(

4

),

P

f

=  ∼    mW

_ _ _ μA

モニタ用フォトダイオー
ド端子間静電容量(

11

)

C

t

V

rd

=,f =

 _ _ pF

トラッキングエラー(

11

)  ,

(

12

)

E

r

E

r1

/ E

r2

T

op(c)

又は

T

op(sub)

=

 


_


_

dB

サーミスタ抵抗(

13

)

_ _ _ kΩ

サーミスタ B 定数(

13

)

_ _ _ K

ペルチェ電流(

14

)

I

pe

Δ

T

=

 _ _ A

ペルチェ電圧(

14

)

V

pe

Δ

T

=

 _ _ V


 
14

C 5944

:2005

     

附属書   3  アナログ伝送用

   

(特に指定のない限り,周囲温度,ケース温度又はサブマウント温度は 25℃とする)

項目

記号

試験条件

最小値

標準値  最大値

単位

しきい値電流

I

th

 CW

_

_

_  mA

動作電流

I

op

CW 又は変調(

5

)

_ _ _ mA

スロープ効率

η

d

_ _ _

mW/m

A

動作電圧

V

op

CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

 _ _ V

光ファイバ端出力

P

f

CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

_ _   mW

ピーク発振波長(

7

)

λ

p

 CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

_ _ _ nm

中心発振波長(

7

)

λ

c

 CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

_ _ _ nm

スペクトル線幅(

6

)

Δ

λ

L

 CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

_ _   MHz

サイドモード抑圧比(

6

)

SMSR

CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

_ _   dB

相対強度雑音(

6

),(

10

)

RIN

CW,

I

f

I

op

_ _ _

dB/Hz

複合 2 次ひずみ

CSO

f =

I

f

I

op

_ _ _ dBc

複合 3 次ひずみ

CTB

m

=,

R

module

=

_ _ _ dBc

2 次相互変調ひずみ

IMD2 

P

f

=_mW,f =_Hz,

m

=_%

_ _ _ dB

3 次相互変調ひずみ

IMD3

 

P

f

=_mW,f =_Hz,

m

=_%

_ _ _ dB

モニタ用フォトダイオー
ド暗電流(

11

)

I

d

V

rd

=

_

_

A

モニタ用フォトダイオー
ド出力電流(

11

)

I

m

CW 又は変調(

5

),

I

f

=

I

op

V

rd

=

_ _ _ μA

モニタ用フォトダイオー
ド端子間静電容量(

10

)

C

t

 

V

rd

=,f =

 _ _ pF

トラッキングエラー(

11

),

(

12

)

E

r

E

r1

/ E

r2

T

op(c)

又は

T

op(sub)

=

 


_


_

dB

サーミスタ抵抗(

13

)

_ _ _ kΩ

サーミスタ B 定数(

13

)

 _

_

_

K

冷却温度差(

14

)

Δ

T

T

op(c)

又は

T

op(sub)

=

_    ℃

ペルチェ電流(

14

)

I

pe

Δ

T

=

 _ _ A

ペルチェ電圧(

14

)

V

pe

Δ

T

=

 _ _ V

(

5

変調条件は,  個別に規定する。

(

6

用途によって選択する。

(

7

ピーク発振波長又は中心発振波長のいずれかの選択でよい。また,測定方法も包絡線法,N-dB

法又は RMS 法のいずれかの選択でよいが,測定方法を明記する。

(

8

スペクトル幅又はスペクトル半値幅のいずれかの選択でよい。また,測定方法も包絡線法,N-dB

法又は RMS 法のいずれかの選択でよいが,測定方法を明記する。

(

9

発振波長電流依存変動係数又は発振波長光出力依存係数のいずれか一項目を適用する。

(

10

上昇時間と下降時間のセット,又は遮断周波数のいずれかの選択でよい。

(

11

キャリアノイズ比(CN 比)又は相対雑音強度のいずれかの選択でよい。

(

12

モニタ用フォトダイオード内蔵形に適用する。

(

13

測定方法を明記する。

(

14

サーミスタを内蔵している場合に適用する。


15

C 5944

:2005

     

(

15

温度制御用ペルチェクーラを内蔵している場合に適用する。

備考1.  最大値,標準値及び最小値の欄で下線の部分は,通常記入する。

2. 

試験条件での記号の説明

      a) CW    ;連続動作

      b)

V

rd

;モニタ用フォトダイオード逆電圧

      d) f

;測定周波数

      e)

m

    ;変調率

      f)

R

module

;リターンロス(ファイバからモジュールへの)

      g)

I

b

    ;バイアス電流


 
16

C 5944

:2005

     

附属書 2(参考)光伝送用半導体レーザモジュール環境試験及び耐久性試験

用個別仕様書の様式

1

環境試験及び耐久性試験

附属書   1  環境試験及び耐久性試験

項  目

試験条件

適用

(

15

)

抜取方式

引用規格

検査水準

AQL

はんだ耐熱性

温度  _ ± _  ℃

JIS C 60068-2-20

温度サイクル

低温  _  ℃,高温  _  ℃ 
保持時間  _ min, 
移動時間  _ min,回数  _  回

JIS C 0025 

熱衝撃

高温  _  ℃,保持時間  _ min, 
低温  _  ℃,保持時間  _ min, 
移動時間  _  s,回数  _  回

JIS C 0025 

温湿度サイクル  高温  _  ℃,高温側相対湿度  _  %,

保持時間  _ min, 
低温  _  ℃  低温側相対湿度  _  %, 
保持時間  _ min, 
移動時間  _ min,回数  _  回

JIS C 60068-2-38

気密性

加圧圧力  _ Pa, 
加圧時間  _  h(必要がある場合)

JIS C 60068-2-17

自然落下  (

1

)

高さ  _ cm,回数  _  回

JIS C 60068-2-32

衝撃      (

2

)

方向  _  ,最高加速度  _ m/s

2

パルス幅  _ ms,回数  _  回

JIS C 60068-2-27

定加速度

方向  _  ,加速度  _ m/s

2

パルス幅  _ ms,回数  _  回 
周波数  _∼_ Hz,

JIS C 60068-2-7 

振動

全振幅  又は  加速度  _m/s

2

方向  _  ,時間  _ h

JIS C 60068-2-6 

端子強度

荷重  _  N,回数  _  回

JIS C 60068-2-21

塩水噴霧

時間  _ h

JIS C 60068-2-11

高温保存

温度  _  ℃,時間  _ h

JIS C 60068-2-2 

低温保存

温度  _  ℃,時間  _ h

JIS C 60068-2-1 

動作寿命

ケース温度(又は周囲温度)_  ℃, 
定光出力動作  光出力  _ mW, 
時間  _ h

ピグテイル強度
(

3

)

引張力_  N,  曲げ半径_ cm

耐湿性

温度  _  ℃,相対湿度  _  %, 
時間  _ h

JIS C 60068-2-3 

(

1

合否判定基準を適用する項目に○印を記入する。

(

2

自然落下又は衝撃のいずれかを規定する。

(

3

光ファイバピグテイル形に適用する。


17

C 5944

:2005

     

備考  .  試験条件の欄で下線の部分は条件値を記入する。

2

合否判定基準

附属書   2  合否判定基準

項目

測定条件

許容値

単位

測定方法 

最小値

最大値

JIS C 5945

しきい値電流

算出方法____

_ _

mA

6.5

動作電流(

4

)

光出力____mW

_ _

mA

6.1

フ ァ イ バ 端 光 出 力
(

4

)

電流____mA

_ _

mW

6.4

モニタ出力電流(

5

)

光出力        mW 
モニタ用フォトダイオード
    逆電圧____V

_ _

μA

モ ニ タ 用 フ ォ ト ダ
イオード暗電流(

5

)

モニタ用フォトダイオード
    逆電圧____V

_ _

μA

(

4

)

動作電流又はファイバ端光出力のいずれか一方を適用する。

(

5

)

モニタ用フォトダイオード内蔵形に適用する。

備考  モニタ用フォトダイオード内蔵形に適用する。


 
18

C 5944

:2005

     

附属書 3(参考)代表的特性

ある物理量に依存する特性のように,図で示すことで半導体レーザモジュールの性能の把握が容易にな

る特性に関して,製造業者は同一種類の半導体レーザモジュールについて平均的に得られる特性を,その

代表的特性として図示することが望ましい。

例  規定の光出力,ケース温度での平均寿命

        代表的な光出力時の順電流値

        クーラ電流の変化に対するサーミスタの応答特性

        半導体レーザダイオード接合面とケース間の熱抵抗(クーラなしのモジュールの場合)


19

C 5944

:2005

     

附属書 4(参考)静電気破壊のおそれがあるデバイスへの表示

静電気によって破壊をするおそれがあり,取扱い上注意を必要とするデバイスであることを表示する記号

は,次による。

1

記号の使用  実用上適している内装が可能ならばデバイス上に表示するか,又はデータシート,保管

容器,特別な防護用の包みなどに表示する。

附属書 図 は,デバイス上に縮小して使用する場合に簡略化した記号である。

2

記号の色

附属書 表 1

記号の種類

附属書 図 1

下地は識別できれば,単一色で何色でもよい。 主に印刷によって表示する。

附属書 図 2

ただし,赤色は,除く。

主にラベルによって表示する。

附属書 図 3

下地は黄色とする。文字及び記号は,黒色と
する。

附属書   1  記号

附属書   2  縮小する場合の簡略化した記号

附属書   3  文字と組合せた記号


 
20

C 5944

:2005

附属書 5(参考)JIS と対応する国際規格との対比表

JIS C 5944

:2005  光伝送用半導体レーザモジュール通則

IEC 62007-1:1999, Semiconductor optoelectronic devices for fibre optic system 
applications - Part 1 : Essential ratings and characteristic

(Ⅰ) JIS の規定

(Ⅱ)  国際
規格番号

(Ⅲ)  国際規格の規定

(Ⅳ)  JIS と国際規格との技術的差異
の項目ごとの評価及びその内容 
  表示箇所:本文の左側 
  表示方法:傍線

(Ⅴ)  JIS と国際規格との技術的差異の理由
及び今後の対策

項目 
番号

内容

項目 
番号

内容

項 目 ご と
の評価

技術的差異の内容

1999 年以降、伝送用光能動部品の IEC
規格が TC47(半導体デバイス)から
TC86(光ファイバシステム)への体系
移行が行われた。これに伴い規格体系
が TC47 の部品ごとの規格体系から
TC86 の応用システムごとの規格体系へ
の再編が進められている。JIS では管轄
が TC47 のときから部品ごとに分けて
順次、審議してきた経緯により、審議
済みの規格は、部品ごとの規格として
きている。なお、IEC では複数の部品
が一つの規格となっており、引き続き
審議検討予定である。

いままで JIS で審

議を行ってきた個々の部品を除き、今
後新規に検討を開始する JIS について
は、TC86 の規格体系に合わせて整合を
図っていく予定である。

1.適用範

光伝送用半導体レーザモジュー
ルの用語、記号、分類、最
大定格、性能などの一般的
な 共 通 事 項 に つ い て 規 定
している。

IEC

62007-1 


5.1 
10.1"

光ファイバ増幅器用レ
ーザモジュール以外の
製品である、一般のレー
ザモジュールや LED、
pin-FET モジュールなど
光能動部品全般に広く
適用する記号、分類、最
大定格、性能などの一般
的な共通事項としてま

MOD/ 削

IEC

では複数の光能動

部 品 に 対 す る 規 定 と
なっているため、光伝
送用レーザモジュール及び
アナログ伝送用レーザモ
ジュール以外の製品を適
用範囲から削除した。

削除した製品は別の JIS として制定済
み又は制定予定である。 
 
制定済み: 
JIS C 5940

(光伝送用半導体レーザ)、

JIS C 5942 (

光伝送用半導体レーザモジ

ュール)、JIS C 5950(光伝送用発光ダ
イオード)、JIS C 5990(光伝送用フォ
トダイオード)


21

C 5944

:2005

とめてある。 
5.1 を光伝送用レーザモ
ジュール  10.1 項をア
ナログ伝送用レーザモ
ジュールに適用する項
目と規定。

 
制定予定: 
pin-FET モジュール・光変調器モジュー
ル・デュプレクサモジュール・光ファ
イバ増幅器用レーザモジュール・LE
Dアレイ

2.引用規

JIS C 60068-2-1 
JIS C 60068-2-2 
JIS C 60068-2-3 
JIS C 60068-2-11 
JIS C 0025 
JIS C 60068-2-17 
JIS C 60068-2-38 
JIS C 60068-2-6 
JIS C 60068-2-32 
JIS C 60068-2-7 
JIS C 60068-2-20 
JIS C 60068-2-21 
JIS C 5947 
JIS C 6802 
JIS Z 8202 
JIS Z 8203

IEC62007
-1 

2

レーザ安全規格を引用。

MOD/ 追

IEC

規格では、レーザ

安 全 規 格 に つ い て 触
れているが、環境試験
規 格 や 単 位 記 号 に つ
いては触れていない。

JIS

では本規格の補充を行っており、提

案を図る。

3.用語の
定義

絶 対 最 大 定 格 及 び 電 気 光
学 的 特 性 等 の 各 項 目 に お
い て 使 用 さ れ る 用 語 を 定
義している。

IEC62007
-1 

3

他のレーザ規格に無い用
語のみを説明、一般的な
用語の定義については
別規格(IEC60747-5-1
となっている。

MOD/ 追

追加項目:スペクトル
線幅,トラッキングエ
ラー(方法 2) 
また、各用語に説明を
追加

IEC

規格への追加提案を図る。

4.個別仕
様書

個 別 仕 様 書 に お い て 規 定
する内容を規定している。

 

MOD/ 追

個 々 の モ ー ジ ュ ー ル
の 具 体 的 な 詳 細 は 個
別 仕 様 書 で 規 定 す る
ように明記した。

IEC

規格への追加提案を図る。

5.単位記

本 規 格 で 用 い る 単 位 記 号
に 対 す る 引 用 規 格 に つ い
て規定している。

 

MOD/ 追

追加項目: 
図 記 号 に 関 す る JIS 

(JIS Z 8202, JIS Z 
8203
)

を記載

JIS

では本規格の補充を行っており、提

案を図る。

6.分類

使用するデバイスの材料や
構造とパッケージ構造及び適
用光ファイバなどについて規

IEC62007
-1 

5.1 
5.2 
10.1

使用するデバイスの材料
や構造とパッケージ構造及
び適用光ファイバとに

MOD/ 追

追加項目: 
波長帯,接合構造,スト
ライプ構造,光ファイ

JIS

では実情にあわせた内容の補充を

行っており、提案を図る。


 
22

C 5944

:2005

定している。

10.2 
10.3

ついて規定している。

バ,光出力構造,端子構
造,用途

7.最大定

最 大 定 格 と し て 規 定 す べ
き項目と,保存温度、動作
温 度 の 最 大 定 格 と し て 用
い る べ き 数 値 を 規 定 し て
いる。

IEC62007
-1 

5.4 
10.5

JIS

に規定した温度、電

源電圧、入射光強度等の
他、振動、衝撃試験など
の機械的耐久性に関し
ても規定。

MOD/ 追
加 
/削除

追加項目: 
ペ ル チ ェ 電 圧 を 項 目
に追加。温度などの試
験 条 件 に 関 す る 数 値
規定を追加。 
削除項目: 
衝撃及び振動,ESD(アナ
ログ LD)

国内外で一般的に広く使用されてお
り、商習慣上必要。IEC へ提案を図る。 
 
 
 
8.2 項として独立させて記載した。 
又、ESD については一般的でない為削
除した。

8. 性 能 
8.1 電 気
的及び光
学的特性 
8.2 環 境
および耐
久性に対
する性能

電気・光学的特性及び環境
条 件 に 対 す る 性 能 に つ い
て規定している。

IEC62007
-1 

"5.4 
5.5 
5.6 
10.5 
10.6 
10.7"

5.4,10.5

項 で最大定 格

項目を規定。 
5.5,10.6

項で電気・光学

的 特 性 項 目 を 規 定 。 
5.6,10.7

項 で代表的 特

性として付加すべき特
性項目を規定。

MOD/ 追
加 
MOD/ 削

追加項目: 
特 性 項 目 と し て 相 対
雑音強度(デジタル伝送
用),トラッキングエラー(方法
2)(デジタル,アナログ伝
送用)

,波長チャープ(デ

ジタル伝送用),スペクトル
線幅(アナログ伝送用)を
追加。   
測 定 条 件 と し て 使 用
す る 電 流 値 お よ び 周
波数値の規定を追加。 
環 境 お よ び 耐 久 性 に
対 す る 性 能 を 追 加 。 
削除項目:ターンオン時間,
ターンオフ時間,PD 立ち上
がり時間,S21 特性を
削除。

国内外で一般的に広く使用されてお
り、商習慣上必要。IEC へ提案を図る。 
 
 
 
 
 
 
 
 
一般的には使用されていない。IEC 
提案を図る。

9.外形

外形は個別仕様書で規定。  IEC 

62007-1 
IEC 
62007-1 

5.3 
10.4

外形は個別仕様書によ
ると規定。

IDT

10.測定

測定方法として JIS C 5945
を 使 用 す る こ と を 規 定 し
ている。

IEC 
62007-1 

Annex A

測 定 方 法 は 該 当 す る
IEC

に準拠すると規定

している。

MOD/ 追
加 
MOD/ 削

JIS C 5945

は,対応す

る IEC 規格が複数の
光 能 動 部 品 に 対 す る
規 定 に な っ て い る た
め、光伝送用レーザモジュ
ー ル 及 び ア ナ ロ グ 伝 送

現在測定方法に関する IEC 規格の改訂
が検討されているところであり、IEC
に提案を図る。


23

C 5944

:2005

用レーザモジュール以外の
記 載 内 容 を 削 除 し た
ものである。

11.表示

表示する項目を規定。

− MOD/ 追

JIS

では本規格の補充を行っており、

IEC

に提案を図る。

12. 取 り
扱い上の
注意事項

MOD/ 追

JIS

では本規格の補充を行っており、

IEC

に提案を図る。

IEC62007
-1 


 
 

 
 

 
 

 
 
 

 
 
 
11 
 
 
12 
 
 
13 
 
 
 
14

発光ダイオードの規定 
 
pin 型受光素子の規定 
 
 
APDの規定 
 
 
Pin-FET の規定 
 
 
 
光ファイバ増幅用ラー
ザモジュールの規定 
 
LED アレイの規定 
 
 
ディジタル伝送用光変
調器の規定 
 
TO パッケージ入りレー
ザダイオードの規定 
 
デュプレクサモジュー
ルの

MOD/ 削
除 
 
MOD/ 削
除 
 
MOD/ 削
除 
 
MOD/ 削
除 
 
 
MOD/ 削
除 
 
 
MOD/ 削
除 
 
MOD/ 削
除 
 
MOD/ 削
除 
 
 
MOD/ 削

IEC

では各章がそれぞ

れ 別 々 の 部 品 に 対 応
しており、全体として
複 数 の 光 能 動 部 品 に
対 す る 規 定 と な っ て
いるため、光伝送用レー
ザモジュール及びアナロ
グ伝送用レーザモジュール
以 外 の 記 載 内 容 を ら
削除した。

削除した製品は別の JIS として制定済
み又は制定予定である。 
 
制定済み: 
JIS C 5940

(光伝送用半導体レーザ)、

JIS C 5942 (

光伝送用半導体レーザモジ

ュール)、JIS C 5950(光伝送用発光ダ
イオード)、JIS C 5990(光伝送用フォ
トダイオード) 
 
制定予定: 
pin-FET モジュール・光変調器モジュー
ル・デュプレクサモジュール・光ファ
イバ増幅器用レーザモジュール・LE
Dアレイ


 
24

C 5944

:2005

JIS

と国際規格との対応の程度の全体評価:MOD

 
備考1.  項目ごとの評価欄の記号の意味は,次のとおりである。

    ―  IDT………………  技術的差異がない。 
    ―  MOD/削除………  国際規格の規定項目又は規定内容を削除している。 
    ―  MOD/追加………  国際規格にない規定項目又は規定内容を追加している。 
    ―  MOD/変更………  国際規格の規定内容を変更している。 
2.

JIS

と国際規格との対応の程度の全体評価欄の記号の意味は,次のとおりである。

    ―  IDT………………  国際規格と一致している。 
    ―  MOD……………  国際規格を修正している。 
    ―  NEQ……………  技術的内容及び構成において,国際規格と同等でない。