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1

C

 5941 :

 19
97
 解

JIS

と対応する国際規格との対比表 

JIS C 5941-1997

  光伝送用半導体レーザ測定方法 IEC 747-5

同 Amd. 1,  同 Amd. 2-1992, 1994, 1995 半導体デバイス−個別部品及び集積回路−第 5 部:光エレクトロニクスデバ

イス,同追補 1,同追補 2

対比項目

規定項目

(I)  JIS

の規定内容 (II)

国 際 規 格 番

(III)

国際規格の規定内容 (IV)

JIS

と国際規格との相違点 (V)

JIS

と国際規格との一致

が困難な理由及び今後の
対策

(1)

適用範囲

○ 光伝送用半導体レーザの測

定方法に適用。

IEC 747-5, 

747-5 Amd.1, 

747-5 Amd.2 

○ 半導体レーザのほか,発光ダイオ

ード,フォトダイオードなどの光
半導体全般に広く適用。

= 国際規格から光伝送用半導

体レーザに適用できるもの
だけを抽出した。

なお,再生・記録用半導体

レーザは C 5942C 5943 に,
光伝送用半導体レーザモジ

ュールは C 5944C 5945 に,
光伝送用発光ダイオードは

C 5950

C 5951 に,光伝送用

フォトダイオードは C 5990

C 5991

に規定。

(2)

用語・記号

− JIS C 5940 光伝送用半導体レ

ーザ通則で規定。

IEC 747-5, 

747-5 Amd.1, 

747-5 Amd.2 

○ 半導体レーザのほか,発光ダイオ

ード,  フォトダイオードなどの
光半導体全般についても規定。

= JIS C 5940 光伝送用半導体レ

ーザ通則で規定。

(3)

試験項目

○ 光伝送用半導体レーザの電

気的・光学的特性について測
定に関する個別規格を規定。

IEC 747-5, 

747-5 Amd.1, 

747-5 Amd.2 

○ 半導体レーザのほか,発光ダイオ

ード,フォトダイオードなどの光
半導体全般についても規定。

= 国際規格から光伝送用半導

体レーザに適用できるもの
を抽出し,国際規格にない以

下の項目を追加している。
変調時スペクトル,偏光比,
高調波歪,逆電圧,合成第二

次歪,合成第三次歪

既に国内では製品の特性評
価項目として一般的に使わ
れており,市場における光半

導体レーザの信頼性確保の
ため。

備考1.  対比項目(I)及び(III)の小欄で,“○”は該当する項目を規定している場合,“−”は規定していない場合を示す。

2.

対比項目(IV)の小欄の記号の意味は,次のとおり。

=:JIS と国際規格との技術的内容は同等である。ただし軽微な技術上の差異がある。