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C 3216-5

:2011

(1)

目  次

ページ

序文 

1

1

  適用範囲

1

2

  引用規格

1

3

  導体抵抗

1

4

  絶縁破壊

2

4.1

  概要

2

4.2

  試験装置 

2

4.3

  公称導体径 0.100 mm 以下のエナメル丸線 

2

4.4

  公称導体径 0.100 mm を超え 2.500 mm 以下のエナメル丸線 

4

4.5

  公称導体径 2.500 mm を超えるエナメル丸線 

5

4.6

  繊維巻丸線 

6

4.7

  平角線

7

5

  均一性(エナメル丸線及びテープ巻丸線に適用) 

7

5.1

  概要

7

5.2

  低電圧均一性(公称導体径 0.050 mm 以下) 

7

5.3

  高電圧均一性(公称導体径 0.050 mm を超え 1.600 mm 以下) 

8

6

  誘電正接(エナメル線及びより線に適用)

12

6.1

  概要

12

6.2

  試験装置 

12

6.3

  試験片

13

6.4

  試験手順 

13

6.5

  結果

13

7

  ピンホール試験 

13

附属書 A(参考)誘電正接の測定法

14

附属書 JA(規定)代替試験方法 

17

附属書 JB(参考)JIS と対応国際規格との対比表 

20


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(2)

まえがき

この規格は,工業標準化法第 12 条第 1 項の規定に基づき,社団法人日本電線工業会(JCMA)から,工

業標準原案を具して日本工業規格を制定すべきとの申出があり,日本工業標準調査会の審議を経て,経済

産業大臣が制定した日本工業規格である。これによって,JIS C 3003:1999 及び JIS C 3006:1999 は廃止さ

れ,この規格に置き換えられた。

この規格は,著作権法で保護対象となっている著作物である。

この規格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願又は実用新案権に抵触する可能性があることに注意

を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は,このような特許権,出願公開後の特許出願及び実

用新案権に関わる確認について,責任はもたない。

この規格は,エナメル線及び横巻線の試験方法の統一並びに試験規格の IEC 規格整合化を目的として制

定したものである。この規格は,IEC 規格への整合化に向け検討してきたが,内容によって大きな変更と

なり市場の混乱が予想されたため,整合化に向けた経過措置として整合化規格を主とし,従来の JIS によ

る試験方法を

附属書 JA として併記した。この規格の制定によって,市場に IEC 整合規格のコンセンサス

を得ることを目的とした。したがって,次回改正時には IEC 規格への整合を図る。

JIS C 3216

の規格群には,次に示す部編成がある。

JIS

C

3216-1

第 1 部:全般事項

JIS

C

3216-2

第 2 部:寸法

JIS

C

3216-3

第 3 部:機械的特性

JIS

C

3216-4

第 4 部:化学的特性

JIS

C

3216-5

第 5 部:電気的特性

JIS

C

3216-6

第 6 部:熱的特性


日本工業規格

JIS

 C

3216-5

:2011

巻線試験方法−第 5 部:電気的特性

Winding wires-Test methods-Part 5:Electrical properties

序文 

この規格は,2008 年に第 4 版として発行された IEC 60851-5 を基に,対応国際規格を翻訳し,市場に IEC

整合規格のコンセンサスを得るまでの措置として,技術的内容を変更して作成した日本工業規格である。

なお,この規格で点線の下線を施してある箇所及び

附属書 JA は,対応国際規格にはない事項である。

変更の一覧表にその説明を付けて,

附属書 JB に示す。

要求事項は,この規格を引用する個別規格で規定する。

適用範囲 

この規格は,巻線に用いる各種エナメル銅線,エナメルアルミニウム線,横巻銅線及び横巻アルミニウ

ム線の電気的特性の試験方法について規定する。

試験方法の全般事項については,JIS C 3216-1 による。

注記  この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を,次に示す。

IEC 60851-5:2008

,Winding wires−Test methods−Part 5:Electrical properties(MOD)

なお,対応の程度を表す記号“MOD”は,ISO/IEC Guide 21-1 に基づき,

“修正している”

ことを示す。

引用規格 

次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成する。これらの

引用規格は,その最新版(追補を含む。

)を適用する。

JIS C 2320

  電気絶縁油

JIS C 3216-1

  巻線試験方法−第 1 部:全般事項

注記  対応国際規格:IEC 60851-1,Winding wires−Test methods−Part 1:General(MOD)

導体抵抗 

導体抵抗は,精度 0.5 %  以上の測定器を用い 20  ℃での導体 1 m 当たりの直流抵抗値で表す。より線は,

10 m までの長さを用いて,測定器の端子と被測定体とを接触させるため,測定前に両端末をはんだ付けす

る。

破断点が多すぎるかどうか確認するため,導体抵抗を測定するときには,正確に測定できるよう 10 m

のより線を用いる。

20  ℃以外の温度 で抵抗を測定した場合(R

t

,20  ℃での抵抗 R

20

は次の式を用いて算出する。


2

C 3216-5

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20

1

t

20

t

α

R

R

ここに,

t: 測定時の摂氏温度(℃)

α: 温度係数(K

1

温度範囲が 15∼25  ℃では,次の温度係数を用いる。

銅:α=3.96×10

3

K

1

アルミニウム:α=4.07×10

3

K

1

試験は 1 回行う。導体抵抗を記録する。

絶縁破壊 

絶縁破壊は,次によるほか,受渡当事者間の協定によって,JA.4 によってもよい。

4.1 

概要 

試験電圧は,50 Hz 又は 60 Hz の正弦波の交流電圧とし,0 V から

表 の昇圧速度で印加する。

表 1−昇圧速度 

絶縁破壊電圧

V

を超え

以下

昇圧速度

V/s

− 500  20

500 2

500

100

2 500

− 500

4.2 

試験装置 

試験装置は,次による。

−  試験機の変圧器は,定格電力 500 VA 以上で試験中に波形が変形しない電流を供給でき,かつ,ピー

クファクタが 1.34∼1.48 とする。

−  試験電源は最高電圧降下が 2 %で 5 mA の電流を供給できる。

−  破壊を検知する回路は,電流が 5 mA 以上流れたら作動する。

−  決められた昇圧速度で測定できるものとする。

−  強制循環恒温槽を用いる。

−  直径 25±1 mm のよく磨かれた金属シリンダを

図 のように取り付け,電気的に接続する。

−  サンプル長 125 mm の 2 個より試験片を作成する

図 に従う試験機。

−  厚さ約 0.02 mm,12 mm 幅の感圧性テープに 6 mm 幅の金属はくを貼り付ける。

−  ステンレス鋼又はニッケルめっき鋼の金属粒を容器に入れる。金属粒の直径は 2 mm を超えないもの

とする。金属粒は,定期的に適切な方法で洗浄する。

−  直径 50±2 mm 及び 25±1 mm の金属マンドレルを用いる。

4.3 

公称導体径 0.100 mm 以下のエナメル丸線 

一方の端末の皮膜を除去した直線状の試験片を

図 に示すように上方の端子に接続し,シリンダに 1 回

巻き付ける。

表 で規定する張力を試験片及びシリンダが密着するようかける。


3

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①  試験片 
②  絶縁材料 
③  接続端子

④  シリンダ

図 1−絶縁破壊試験におけるシリンダ及び試験片の配置 

表 2−張力 

公称導体径

mm

を超え

以下

張力

N

− 0.018 0.013

0.018 0.020  0.015 
0.020 0.022  0.020 
0.022 0.025  0.025 
0.025 0.028  0.030 
0.028 0.032  0.040 
0.032 0.036  0.050 
0.036 0.040  0.060 
0.040 0.045  0.080 
0.045 0.050  0.100 
0.050 0.056  0.120 
0.056 0.063  0.150 
0.063 0.071  0.200 
0.071 0.080  0.250 
0.080 0.090  0.300 
0.090 0.100  0.400

試験電圧を 4.1 に従い,シリンダと導体との間に印加する。試験は室温で実施する。試験は 5 個の試験

片で行い,各々の値を記録する。

受渡当事者間の協定によって,適用サイズを変更することができる。


4

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4.4 

公称導体径 0.100 mm を超え 2.500 mm 以下のエナメル丸線 

4.4.1 

常温試験 

両端の皮膜を除去した長さ約 400 mm の直線状の試験片を

図 に示す 2 個より試験機で,125±5 mm の

長さに 2 個よりする。線の端末をつなげて,

表 に示すより回数及び張力をかける。2 個より部の端末を

端末間が最大になるよう 2 か所切断する。線の間隔を十分保持するため,2 個より試験片の両端を曲げる

場合,急な曲げ及び皮膜への損傷を避ける。試験電圧は 4.1 に従い,導体間に印加する。試験は 5 個の試

験片で行い,それぞれの値を記録する。

受渡当事者間の協定によって,適用サイズを変更することができる。

表 3−張力及びより回数 

公称導体径

mm

を超え

以下

張力

N

より回数

0.100 0.250  0.85

33

0.250 0.355  1.70

23

0.355 0.500  3.40

16

0.500 0.710  7.00

12

0.710 1.060  13.50

8

1.060 1.400  27.00

6

1.400 2.000  54.00

4

2.000 2.500 108.00

3

①  固定クランプ 
②  回転クランプ

③  試験片

図 2−絶縁破壊試験における試験片 個より試験機 

4.4.2 

高温中試験 

4.4.1

に従い作成した試験片を個別規格で規定した温度±3  ℃の恒温槽に入れる。

試験電圧は 4.1 に従い導体間に印加する。ただし,恒温槽に入れて 15 分経過後,恒温槽に入れてから試


5

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験は 30 分以内に完了する。試験は 5 個の試験片で行い,それぞれの値を記録する。

4.5 

公称導体径 2.500 mm を超えるエナメル丸線 

4.5.1 

常温試験 

一方の端末の皮膜を除去した,十分な長さの直線状の試験片を,直径 50±2 mm のマンドレルに沿って

曲げ,U 字状試験片とする。試験片の両端末は,フラッシオーバを避けるために十分な長さをとるよう

に,U 字状試験片を,適切な大きさの金属容器に収納する(

図 参照)。

金属粒は試験片と容器の内壁との間が 5 mm 以上になるように,かつ,試験片が 90 mm の深さの金属粒

で覆うように容器中に徐々に注入する。

金属粒は直径 2 mm 以下のステンレス鋼,ニッケル又はニッケルめっき鋼製とする。金属粒は定期的に

洗浄する。試験電圧は 4.1 に従い,導体と金属粒との間に印加する。

試験は 5 個の試験片で行い,それぞれの値を記録する。

受渡当事者間の協定によって,試験片を油の中に入れて試験してもよい。油は JIS C 2320 に従うか,又

は受渡当事者間で同意したものを用いるのがよい。

単位  mm

図 3−絶縁破壊試験の 字状試験片(金属粒中の試験片) 

4.5.2 

高温中試験 

4.5.1

に従い作成した試験片を,個別規格で規定した試験温度±3  ℃に保持された恒温槽中に入れる。金

属粒及び容器は試験温度に設定した恒温槽中で予熱し,試験片を配置する間,恒温槽中に保持する。試験

片を配置する操作は試験片に損傷を与えないよう慎重に行う。試験電圧は 4.1 に従い導体と金属粒との間

に印加する。ただし,恒温槽に入れて 15 分経過後,恒温槽に入れてから試験は 30 分以内に完了する。試

験は 5 個の試験片で行い,それぞれの値を記録する。


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4.6 

繊維巻丸線 

4.6.1 

常温試験

一方の端末の皮膜を除去した十分な長さの直線状の試験片を,マンドレルを用い 10 ターン曲げる。マン

ドレル径は,次のとおりとする。

−  公称径 2.500 mm 以下のものは 25±1 mm

−  公称径 2.500 mm を超えるものは 50±2 mm

試験片は,

図 に示すように容器に入れる。試験片の両端末は,フラッシオーバを避けるために十分な

長さをとる。

金属粒は試験片の周囲少なくとも 5 mm が覆われるように容器中に徐々に注入する。

金属粒は,直径 2 mm 以下のステンレス鋼,ニッケル又はニッケルめっき鋼製とし,金属粒は定期的に

洗浄する。

試験電圧は 4.1 に従い導体と金属粒との間に印加する。試験は 5 個の試験片で行い,それぞれの値を記

録する。

受渡当事者間の協定によって,試験片を油の中に入れて試験してもよい。

単位  mm

図 4−絶縁破壊試験のコイル状試験片 

4.6.2 

高温中試験

4.6.1

に従い作成した試験片を,個別規格で規定した試験温度±3  ℃に保持された恒温槽中に入れる。金

属粒及び容器は試験温度に設定した恒温槽中で予熱し,試験片を配置する間,恒温槽中に保持する。試験

片を配置する操作は試験片に損傷を与えないよう慎重に行う。試験電圧は 4.1 に従い導体と金属粒との間

に印加する。ただし,恒温槽に入れて 15 分経過後,恒温槽に入れてから試験は 30 分以内に完了する。試

験は 5 個の試験片で行い,それぞれの値を記録する。


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4.7 

平角線 

4.7.1 

常温試験 

一方の端末の皮膜を除去した長さ約 350 mm の直線状の試験片を,マンドレルに沿って厚さ方向に曲げ

る。マンドレル径は,次のとおりとする。

−  導体厚さ 2.500 mm 以下のものは 25±1 mm

−  導体厚さ 2.500 mm を超えるものは 50±2 mm

試験片の両端末は,フラッシオーバを避けるために十分な長さをとる。

金属粒は試験片の周囲少なくとも 5 mm が覆われるように容器中に徐々に注入する。

金属粒は,直径 2 mm 以下のステンレス鋼,ニッケル又はニッケルめっき鋼製とし,定期的に洗浄する。

試験電圧は 4.1 に従い導体と金属粒との間に印加する。試験は 5 個の試験片で行い,それぞれの値を記

録する。

受渡当事者間の協定によって,試験片を油の中に入れて試験してもよい。

4.7.2 

高温中試験

4.7.1

に従い作成した試験片を,個別規格で規定した試験温度±3  ℃に保持された恒温槽中に入れる。金

属粒及び容器は試験温度に設定した恒温槽中で予熱し,試験片を配置する間,恒温槽中に保持する。試験

片を配置する操作は試験片に損傷を与えないよう慎重に行う。試験電圧は 4.1 に従い導体と金属粒との間

に印加する。ただし,恒温槽に入れて 15 分経過後,30 分以内に完了する。試験は 5 個の試験片で行い,

それぞれの値を記録する。

均一性(エナメル丸線及びテープ巻丸線に適用) 

均一性は,次によるほか,受渡当事者間の協定によって JA.5 によってもよい。

5.1 

概要 

均一性は,電気回路を備えた試験機によって単位長さ当たりの欠陥数で表す。

5.2 

低電圧均一性(公称導体径 0.050 mm 以下) 

図 のように,長さ 30±1 m の試験片は,線の導体及び硫酸ナトリウム水溶液(30 g/l)を開回路直流試

験電圧 50±3 V の電気回路に接続した状態で,水溶液に浸せきした 2 枚のフェルトの間を 275±25 mm/s

の速さで引っ張る。

線に加える力は,0.03 N を超えてはならない。欠陥は,適切な計数器リレーによって検出する。

線の皮膜の絶縁抵抗が少なくとも 0.04 秒間に 10 kΩ 未満になった場合に検出する。

計数器は,絶縁抵抗 15 kΩ 以上で作用してはならない。

裸線で試験したとき,5±1 ms の応答速度で,毎分 500±25 回欠陥を検知する欠陥検出回路とする。

試験は 1 回行う。長さ 30 m 当たりの欠陥数を低電圧均一性として記録する。


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単位  mm

①  線

②  フェルト 
③  電解溶液槽 
    (30 g 硫酸ナトリウム/1 L 水)

④  直流電源 
⑤  リレー

⑥  抵抗 50 kΩ

⑦  抵抗 50 kΩ 
⑧  カウンタ 
⑨  パイロットランプ

⑩  スプール及び巻線 
⑪  巻取りドラム

図 5−低電圧均一性試験装置 

5.3 

高電圧均一性(公称導体径 0.050 mm を超え 1.600 mm 以下) 

5.3.1 

概要 

導体をアースした試験片を,V 溝付き電極シーブ上又は炭素ブラシ電極を通って,一定の速度で引き取

る。

直流試験電圧は,電極とアースとの間に印加する。

線の絶縁欠陥を検出し,計数器に記録する。結果は 30 m 当たりの欠陥数を高電圧均一性とする。

5.3.2 

試験装置 

試験装置は,次による。

− 50

MΩ の欠陥抵抗において電圧が 75 %を超えて降下せず,内部直列抵抗による短絡電流を 25±5 µA

に制限し,開回路試験電圧を 350∼2 000 V で調節可能な,波形変動が 5 %未満の安定した直流が供給

できる高圧電源。

−  裸線で試験したとき,5±1 ms の応答速度で,毎分 500±25 回,

表 に示す検知電流を検出する欠陥

検出回路。

図 に示す線との接触長さが,約 25 mm であるステンレス鋼製のデュアル高圧電極シーブ。

図 に示す線との接触長さが,25∼30 mm であるステンレス鋼製の高圧電極シーブ。

−  長さ 25±2.5 mm の線表面を導電性ブラシが完全に囲み,かつ,接触する構造(

図 参照)の図 

示すグラファイトファイバーブラシ電極。グラファイトファイバーブラシ電極に異物が付着又は堆積

した場合は検査,清掃及び交換を行う。試験中に誤動作を防止するため電気的に分離する。

−  外径 50±0.25 mm,ルート径 40±0.25 mm のガイドプーリは,アースをとり 140±20 mm 離す。

−  高電圧ラインに設置した 4.7 MΩ±10 %のサージダンピング抵抗。

高電圧電極のアース絶縁は,非吸湿性及び非トラッキング性の容易に掃除できる高絶縁材料で,3 000 V

の連続電圧を維持できる空間距離をもつものでなければならない。

高電圧リード線は,スイッチング及び欠陥検出に必要な対地最小静電容量を確保するために無遮蔽でな


9

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ければならない。

駆動モータは,ブラシレスタイプで 1.600 mm の線を規定の速さで引き取るのに十分な能力をもつもの

でなければならない。

表 4−検知電流 

試験電圧(直流)

V

検知電流

µA

 2

000

12

 1

500

10

 1

000

8

 750

7

 500

6

 350

5

単位  mm

図 6−高電圧均一性−0.050 mm を超え 0.250 mm 以下のサイズでのシーブ 


10

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単位  mm

図 70.250 mm を超え 1.600 mm 以下のサイズでのシーブ寸法及び間隔 

単位  mm

直径 5 µm∼8 µm のファイバー

①  線の経路 
②  ブラシ取付ブロック

③  シングルグラファイトブラシ

a) 

グラファイトファイバーシングルブラシ電極 

図 8−グラファイトファイバーシングル又はデュアルブラシ電極 


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単位  mm

直径 5 μm∼8 μm のファイバー

①  線の経路 
②  デュアルグラファイトブラシ

b) 

グラファイトファイバーデュアルブラシ電極 

図 8−グラファイトファイバーシングル又はデュアルブラシ電極(続き) 

5.3.3 

試験手順 

30±1 m の試験片は線の導体をアースして正極とし,表 に示す電圧±5 %に調整した開回路直流試験電

圧の電気回路に接続された高圧電極シーブ上又は電極と線の導体をもつガイドシーブとの間に取り付けた

炭素ブラシ電極を通って,275±25 mm/s の速さで引き取らなければならない。試験は 1 回行う。長さ 30 m

当たりの欠陥数で高電圧均一性を表す。


12

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表 5−試験電圧 

導体の種類

公称導体径

mm

電圧(直流)

V

を超え

以下

2 種

1 種

0 種

銅 0.050

0.125

500 750 1

000

 0.125

0.250

500

750

1

000

0.250 0.500  750  1

000 1

500

0.500

1.600

1 000

1 500

2 000

アルミニウム 0.400  1.600

500  1

500

注記  試験電圧は JIS C 3202 の皮膜厚の種別で設定した。

5.3.4 

結果 

試験は 1 回行い,30 m 当たりの欠陥数を記録する。

誘電正接(エナメル線及びより線に適用) 

6.1 

概要 

線はキャパシタンス(コンデンサ)として扱うことができる。皮膜は誘電体として,導体及び導電性媒

質(メタルバス)はその誘電体の電極となる。適正な周波数に調整し,適正な皮膜及び抵抗をもった回路

に接続すれば,この皮膜の誘電正接が得られる。

なお,誘電正接の測定法の例を,参考として,

附属書 に示す。

6.2 

試験装置 

試験装置は,次による。

−  インピーダンスメータは,関連規格で規定する周波数での操作が可能で,その周波数で要求するキャ

パシタンス範囲でのキャパシタンスの精度が,±1 %でなければならない。

−  周波数発生器は,関連規格で規定する正弦波電圧出力をもっているものとする。

−  方法 A としては,

図 に示すメタルバスを用いる。これは,安定な溶融金属(合金)を保持し,温度

を±1  ℃で制御する温度保持装置をもっているものとする。

−  方法 B としては,温度を±1  ℃まで制御する温度保持装置をもつ二つの金属ブロック及び導電性分散

液を用いる。

①  プラグ  ②  絶縁材料    ③  金属容器    ④  試験片    ⑤  電極 
⑥  ターミナル    ⑦  絶縁したクランプ

図 9−誘電正接測定用メタルバス 


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6.3 

試験片 

6.3.1 

メタルバス電極用試験片 

直線状の試験片は

図 に示すメタルバスへ浸すため,U 字状に曲げる。

6.3.2 

導電性分散液電極用試験片 

6.3.2.1 

公称導体径 0.100 mm 以下のエナメル丸線 

長さ 100±5 mm の直線状の試験片を直径 1∼2 mm の裸銅線の周りに巻き,次に導電性分散液でコー

トして乾燥する。例えば,試験片の上にグラファイト水分散液を塗布することによる。この層の長さは

100±5 mm とする。その後,例えば,強制循環恒温槽にて 100  ℃で 30 分間,試験片を乾燥する。

6.3.2.2 

公称導体径 0.100 mm を超えるエナメル丸線及びエナメル平角線 

長さ約 150 mm の直線状の試験片を,導電性分散液でコートする。例えば,試験片の上に長さ 100±5 mm

になるように,グラファイト水分散液を塗布し,強制循環式恒温槽にて 100  ℃で 30 分間試験片を乾燥す

る。

6.4 

試験手順 

方法 A 6.3.1 に従って,試験片はメタルバスに浸す。試験は一つの試験片について行う。

方法 B 6.3.2 に従って,試験片は二つの金属ブロック間に置く。試験片は,インピーダンスメータと接続

し,規定した試験温度にする。その後,誘電正接はインピーダンスメータから直接読む。試験は

一つの試験片について行う。

6.5 

結果 

試験は 1 回行い,誘電正接,周波数及び試験温度を記録する。

ピンホール試験 

ピンホール試験の目的は 5.3 における高電圧均一性と同様で,食塩水中に浸して絶縁の欠陥を見付ける

方法である。

公称導体径が 0.070 mm 未満の場合,約 1.5 m,0.070 mm 以上は約 6 m の試験片をとる。

公称導体径が 0.070 mm 未満の場合,1±0.05 m の部分を直径 100±50 mm の円弧状に巻き取る。

公称導体径が 0.070 mm 以上の場合,5±0.2 m の部分を直径 300±100 mm の円弧状に巻き取る。

関連規格に規定がない場合,試験片は循環式恒温槽にて 125±3  ℃で 10 分間放置する(

注記 参照)。

加熱処理後は曲げ伸ばしせず(

注記 参照),室温まで冷やした試験片は簡単にピンホールが検出できる

ように(特徴的なピンクの流れが見える。

)適量の 30 g/L フェノールフタレインアルコール溶液を加えた 2

g/L 食塩水中に浸す。

次に,ワイヤの導体及び液に 12 V の直流電圧をつなげる。液を正極,試験片の導体を負極とし,電圧は

1 分間加える。過度の加熱を避けるため短絡電流は 500 mA に制限する。ピンホールの数は目視で観察し,

記録する。

注記 1  加熱処理がない場合の結果は,適切ではない。

注記 2  伸長は液におけるピンホールの発生を生じる可能性がある。

注記 3  試験は水中で行うため,水でクレージングが発生するような特定のエナメル線では誤った結

果になる可能性がある。


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附属書 A

(参考)

誘電正接の測定法

焼付度合を調査する場合,多くの方法が利用できる。以下はその例である。

A.1 tan 

δ−交差点 

原則は,次のとおりである:エナメル線の試験片はコンデンサとして扱う。導体を電極とし,もう片方

の電極はグラファイトの乾いた膜を試験片上にコーティングするか,

又は溶融金属浴のどちらかを用いる。

試験片の温度を制御し一定の速度で昇温することによって,誘電正接(d)が測定され,温度−誘電正接

(tan δ)のグラフが作成できる。  その曲線によってエナメルフィルム焼付度合に関する温度が得られる。

他の手法として,高温から低温に冷却する方式がある。

A.2 

試験方法 

A.2.1 

方法 

A.2.1.1 

昇温による合金溶融方法 

誘電正接が測定できる電気ブリッジを用いる。

エナメル線試験片を,柔らかな布地で清潔な状態で拭き固定具に組み付ける。固定したエナメル線試験

片を,溶融最低温度で事前に温調した溶融状態の液体金属溶液に浸す。試験片を,一つの電極としての導

体及びもう片方として溶融状態の液体金属で測定装置に接続する。  試験片を設置した装置の温度は,適正

なカーブを得るため,一定の速度で周囲温度から特定の温度まで昇温する。定期的に tan δ 及び温度を測定

し,温度に対しそのまま,又は対数変換した tan δ 値を記入しグラフとする。読取りが速くできるのであれ

ば,自動的にチャートレコーダー又はコンピュータ・システムに記録することが望ましい。  自動的に記録

することによって,試験はより急速な温度上昇で測定することが可能となるが,読取りと実際の温度との

間に著しい遅れがないように,よく注意する必要がある。実際の設備,温度上昇及び解釈については,受

渡当事者間で合意することが望ましい。

A.2.1.2 

降温による合金溶融方法 

誘電正接が測定できる電気ブリッジを用いる。

エナメル線試験片を,柔らかな布地で清潔な状態で拭き固定具に組み付ける。固定したエナメル線試験

片を,溶融最高温度で事前に温調した溶融状態の液体金属溶液に 30 秒浸す。試験片を取り出し,余分な溶

融合金を取り除き室温で約 10 秒放置し,再び浸す。試験片を,一つの電極としての導体及びもう片方とし

て溶融状態の液体金属で測定装置に接続する。適正な誘電正接−温度曲線が得られるよう試験片の温度を

一定に下げる。試験は 1 回行う。

定期的に tan  δ 及び温度を測定し,X 軸に温度(線形)を Y 軸に誘電正接(線形又は対数)をプロット

する。

読取りが速くできるのであれば,自動的にチャートレコーダー又はコンピュータ・システムに記録する

ことが望ましい。自動的に記録することによって,試験はより急速な温度上昇で測定することが可能とな

るが,読取りと実際の温度との間に著しい遅れがないように,よく注意する必要がある。実際の設備,温

度上昇及び解釈については,受渡当事者間で合意することが望ましい。


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A.2.2 

方法 B  試験片を導電性フィルムでコートする方法 

誘電正接が測定できる電気ブリッジを用いる。

試験片を,一つの電極としての導体及びもう片方としてグラファイトをコートした電極に接続する。

試験片を取り付けた装置の温度を,適正な曲線が得られるよう一定の速度で周囲温度から特定の温度ま

で昇温する。温度は試験片に接触した探知器で測定する。読み取った結果は,温度検出器の位置及び接触

状況に影響され,異なった装置では異なった結果となる。

定期的に tan δ 及び温度を測定し,温度に対しそのまま,又は対数変換した tan δ 値を記入しグラフとす

る。読取りが速くできるのであれば,自動的にチャートレコーダー又はコンピュータ・システムに記録す

ることが望ましい。自動的に記録することによって,試験はより急速な温度上昇で測定することが可能と

なるが,読取りと実際の温度との間に著しい遅れがないように,よく注意する必要がある。実際の設備,

温度上昇及び解釈については,受渡当事者間で合意することが望ましい。

A.3 

結果の解釈 

A.3.1 

概要 

図 A.1 及び図 A.2 に示すように tan δ 曲線の結果は二つの方法で表される。

値は,線形又は対数の Y 軸で表す。tg  δ 値の計算は二つの方法に対し異なる。どの方法を用いたかに

よって,結果を区別をする。次のグラフは,単に方法を理解するために用いるだけであり,材料に対する

規定の要求事項ではない。

A.3.2 

線形法 

接線は tan δ−温度曲線において,温度上昇と共に最初に上昇した急な部分に接して描く。水平線を,受

渡当事者間で合意した温度に対応する曲線を通して描く。この線と前述の接線とが交差するポイントに対

応する温度を決定する。値は,tg δ=xxx  ℃(線形)として表す。

図 A.1−線形法の例 

A.3.3 

対数法 

昇温式の場合,Y 軸から受渡当事者間で合意した 2 本の水平線を描く。線は,これらのポイントと曲線

との交差点を通って描き,曲線の最小値を通る水平な線に交差するように延長する。後者の交差点ポイン

トによって温度を決定する。値は,tg δ=xxx  ℃(対数)として表す。


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図 A.2−対数法の例 


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附属書 JA

(規定)

代替試験方法

この附属書は,本体の対応する箇条を補足するものであり,本体で規定する試験方法に対し,置き換え

て適用が可能な試験方法について規定する。

注記  この附属書で規定する試験方法は,この規格を IEC 60851-5 に整合させるに当たり,この内容

によって大きな変更となり市場の混乱が予想される事項について,完全整合化に向けた経過措

置として,廃止した JIS C 3003:1999 及び JIS C 3006:1999 に従った試験方法を代替試験方法と

して併記したものである。

JA.4 

絶縁破壊 

JA.4.1

  横巻線

絶縁破壊は,同一巻枠から適切な長さの試験片 3 本をとり,導体径 0.95 mm 以下については金属シリン

ダ法,10 mm 以上については金属はく法によって行う。平角線については金属はく法又は組合せ固定法に

よって行う。試験電圧は 50 Hz 又は 60 Hz の正弦波に近い波形をもった交流電圧とし,約 500 V/s の割合で

なるべく一様な速さで上昇する。ただし,5 s 未満で破壊する場合は昇圧の速さを下げ,5 s 以上で破壊す

るようにする。横巻線における金属シリンダ法,金属はく法及び組合せ固定法は,次による。

a)

金属シリンダ法  試験片を直径 25 mm 径の表面平滑な金属シリンダに一重に密接して 10  回巻き付

け,更に外周に密接して金属はく

1)

を巻き付けて,導体と金属はく及び金属シリンダとの間に電圧を

加えて,絶縁破壊電圧値を測定する。

1)

  金属はくの厚さは約 0.02 mm

b)

金属はく法  試験片の中央部約 100 mm の部分に密接して金属はく

1)

を巻き付けて,導体と金属はく

との間に電圧を加えて絶縁破壊電圧値を測定する。

c)

組合せ固定法  試験片をそれぞれ 2 分割し,図 JA.1 に示すように 2 本ずつを組み合わせ,適切な方法

で固定した試験片 3 組を作製して二導体間に電圧を加えて絶縁破壊電圧を測定する。

単位  mm

図 JA.1−組合せ固定法 

JA.4.2 

エナメル線 

絶縁破壊は,導体径 0.04 mm 以下については金属シリンダ法,0.05 mm 以上については 2 個より法及び


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平角線については金属はく法によって行う。電圧は,約 500 V/s の割合でなるべく一様な速さで上昇させ,

絶縁破壊電圧値を測定する。ただし,5 s 未満で破壊する場合は昇圧の速さを下げ,5 s 以上で破壊するよ

うにする。エナメル線における金属シリンダ法,2 個より法及び金属はく法は,次による。

a)

金属シリンダ法  同一巻枠から長さ約 30 cm の試験片をとり,その各々を図 に示すクランプに取り

付け,約 25 mm 径の表面が平滑なシリンダの周りに 1 回巻き付け,末端に

表 JA.1 に示す張力を加え

ながら,金属シリンダと導体との間に 50 Hz 又は 60 Hz の正弦波に近い波形をもった試験電圧を加え

る。

なお,この試験に用いる変圧器の容量は,100 VA 以上とする。

表 JA.1−張力 

公称導体径

mm

張力

N

0.020∼0.025 0.020 
0.030∼0.040 0.049

b)  2

個より法  2 個より法は,次による。

1)

試験片の作製  同一巻枠から長さ約 50 cm の試験片 3  本をとり,その各々を二つに折り合わせ,表

JA.2

に示す張力を加えながら,

約 12 cm の長さの部分を

表 JA.2 に示すより回数により合わせた後,

張力を取り去り,折り目部分を切って,

図 に示す試験機で,2 個より試験片を作製する。

2)

試験手順  試験片の 2 本の導体間に 50 Hz 又は 60 Hz の正弦波に近い波形をもった交流電圧を加え

る。

なお,この試験に用いる変圧器の容量は,500 VA 以上とする。

表 JA.2−張力及びより回数 

公称導体径

mm

張力

N

長さ約 12cm についての

より回数

0.050 0.029 50

0.060∼0.070 0.049

40

0.080∼0.110 0.098

30

0.120∼0.170 0.39

24

0.180∼0.290 1.2

20

0.300∼0.450 3.4

16

0.500∼0.700 4.4

12

0.750∼1.200 15

9

1.300∼2.000 39

6

2.100∼3.200 69

3

c)

金属はく法  長さ約 30 cm の試験片 1 本をとり,これに約 50 mm 間隔の 4 か所にそれぞれ約 10 mm

の部分に接続して金属はく

1)

を巻き付け,導体と金属はくとの間に 50 Hz 又は 60 Hz の正弦波に近い

波形をもった交流電圧を加える。

なお,この試験に用いる変圧器の容量は 500 VA 以上とする。

1)

  金属はくの厚さは約 0.02 mm


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C 3216-5

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JA.5 

均一性(公称導体径 0.250 mm を超え 1.600 mm  以下に適用) 

5.3

(高電圧均一性)による。ただし,試験電圧は

表 JA.3 に従う。

表 JA.3−試験電圧 

導体の種類

公称導体径

mm

電圧(直流)

V

を超え

以下

3 種

2 種

1 種

0 種

銅 0.250

0.500

350

500

 0.500

1.600

アルミニウム 0.400  1.600

参考文献  JIS C 3003:1999  エナメル線試験方法 

JIS C 3006:1999

  横巻線試験方法

JIS C 3202

  エナメル線


附属書 JB

(参考)

JIS

と対応国際規格との対比表

JIS C 3216-5:2011

  巻線試験方法−第 5 部:電気的特性

IEC 60851-5:2008

  Winding wires−Test methods−Part 5:Electrical properties

(I)JIS の規定 (III)国際規格の規定 (IV)JIS と国際規格との技術的差異の箇条

ごとの評価及びその内容

箇条番号及び題

内容

(II) 
国際規格番

箇条番号

内容

箇 条 ご と

の評価

技術的差異の内容

(V)JIS と国際規格との技術的差
異の理由及び今後の対策

5  均一性 5.3.3

5  試験電圧は,Grade1,2,

3 について導体径に応じ
て規定。

変更

IEC

規格と JIS とでは試験電

圧の規定(種別に応じている)

が異なる。 

IEC

規格の規定値と皮膜厚との

関係を近似し,表 5 の JIS の皮

膜厚に相当する試験電圧を設定
した。

JA.4 絶縁破壊

4

絶縁破壊について規定。

選択

適用製品,適用サイズによっ
て試験方法が異なる。 

国内の IEC 規格対応状況を勘案
し , 経 過 処 置 と し て JIS C 

3003:1999

  B 法を追加した。

附属書 JA 
(規定) 

JA.5  均一性

5

均一性について規定。

選択

IEC

規格と JIS とでは試験電

圧の規定(種別に応じている)
が異なる。

国内の IEC 規格対応状況を勘案
し , 経 過 処 置 と し て JIS C 

3003:1999

  B 法を追加した。

JIS

と国際規格との対応の程度の全体評価:IEC 60851-5:2008,MOD

注記 1  箇条ごとの評価欄の用語の意味は,次による。

    −  変更……………… 国際規格の規定内容を変更している。 
    −  選択……………… 国際規格の規定内容とは異なる規定内容を追加し,それらのいずれかを選択するとしている。

注記 2  JIS と国際規格との対応の程度の全体評価欄の記号の意味は,次による。

    −  MOD……………  国際規格を修正している。

20

C

 3216-

5


201

1

著作権法によ

り無断での複製,転載等は禁

止されております