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C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

(1)

目  次

ページ

序文  

1

1

  適用範囲  

1

2

  引用規格  

2

3

  用語及び定義  

2

3.1

  物理量及び単位  

2

3.2

  用語及び定義  

2

4

  試験方法及び限度値の選択  

4

5

  測定方法  

4

5.1

  電界  

4

5.2

  周波数範囲  

4

5.3

  測定距離,センサの位置及び動作条件  

4

5.4

  磁界センサ  

4

5.5

  磁界の測定手順  

4

5.6

  測定の不確かさ  

8

5.7

  試験報告書  

9

6

  結果の評価  

9

附属書 A(規定)磁束密度測定のための条件  

14

附属書 B(参考)ばく露限度値  

21

附属書 C(規定)結合係数の決定  

23

附属書 D(参考)附属書 の限度値による計算例  

28

参考文献  

36


C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

(2)

まえがき

この規格は,工業標準化法第 12 条第 1 項の規定に基づき,一般社団法人電気学会(IEEJ)から,工業標

準原案を具して日本工業規格を制定すべきとの申出があり,日本工業標準調査会の審議を経て,経済産業

大臣が制定した日本工業規格である。

この規格は,著作権法で保護対象となっている著作物である。

この規格に従うことは,次の者の有する特許権等の使用に該当するおそれがあるので,留意する。

−  氏名:ナルダ  セイフティ  テスト  ソリューションズ  ゲーエムベーハー

Narda Safety Test Solutions GmbH

−  住所:ドイツ連邦共和国,72793  プフリンゲン,ザントハウゼンシュトラーセ 7

Sandhausenstraße 7, 72793 Pfullingen, Germany

−  特許番号:P3487824(日本)

,100 00 706(ドイツ連邦共和国)

,1327593(イタリア)

上記の,特許権等の権利者は,非差別的かつ合理的な条件でいかなる者に対しても当該特許権等の実施

の許諾等をする意思のあることを表明している。ただし,この規格に関連する他の特許権等の権利者に対

しては,同様の条件でその実施が許諾されることを条件としている。

この規格に従うことが,必ずしも,特許権の無償公開を意味するものではないことに注意する必要があ

る。

この規格の一部が,上記に示す以外の特許権等に抵触する可能性がある。経済産業大臣及び日本工業標

準調査会は,このような特許権等に関わる確認について,責任はもたない。

なお,ここで“特許権等”とは,特許権,出願公開後の特許出願又は実用新案権をいう。


日本工業規格

JIS

 C

1912

:2014

(IEC 62233

:2005

)

家庭用電気機器及び類似機器からの人体ばく露に

関する電磁界の測定方法

Measurement methods for electromagnetic fields of household appliances

and similar apparatus with regard to human exposure

序文 

この規格は,2005 年に第 1 版として発行された IEC 62233 を基に,技術的内容を変更することなく作成

した日本工業規格である。

なお,この規格で点線の下線を施してある参考事項は,対応国際規格にはない事項である。

適用範囲 

この規格は,300 GHz 以下の電磁界を取り扱い,家庭用及び類似用途の電気機器周囲の電界の強さ及び

磁束密度を評価するための方法について,試験条件並びに測定距離及び測定位置を含めて規定する。

電気機器は,モータ,発熱体,又はこれらの組合せによって構成される場合もあり,電気回路又は電子

回路を含む場合もある。電気機器への電力供給には,商用電源,バッテリ,又はこれら以外の電源を用い

る場合がある。

電気機器には,家庭用電気機器,電動工具及び電動玩具のような機器を含む。

通常の家庭用として意図されたものでない場合も,一般の人が近付くことがある機器,又は専門家でな

い人が用いることがある機器は,この規格の適用範囲に含む。この規格は,次の機器には適用しない。

・  重工業向け専用に設計した機器

・  建物の固定電気設備の一部として意図した機器(ヒューズ,遮断器,ケーブル,スイッチなど)

・  ラジオ受信機,テレビ受信機,オーディオ機器,ビデオ機器及び電子楽器

・  医用電気機器

・  パーソナルコンピュータ及び類似機器

・  無線設備

・  車両専用に設計した機器

この規格及び/又はほかの規格の箇条で,同時に対象とする多機能機器からの電磁界評価は,動作状態

の関連機能に関するそれぞれの箇条又は規格の規定を用いて行う。

機器の通常使用状態でない動作については,考慮しない。

この規格には,人体ばく露の評価を行うために必要な次の規定要素を含む。

・  センサ

・  測定方法

・  試験対象の機器の動作条件

・  測定距離及び位置


2

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

測定方法は,10 Hz∼400 kHz の周波数範囲で規定する。400 kHz を超える及び 10 Hz 未満の周波数範囲

では,JIS C 9335 規格群に特に規定がない限り,この規格の適用範囲の機器は,試験を行うことなくこの

規格を満足するものとみなす。

注記  この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を,次に示す。

IEC 62233:2005

,Measurement methods for electromagnetic fields of household appliances and similar

apparatus with regard to human exposure(IDT)

なお,対応の程度を表す記号“IDT”は,ISO/IEC Guide 21-1 に基づき,

“一致している”こ

とを示す。

引用規格 

次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成する。これらの

引用規格は,その最新版(追補を含む。

)を適用する。

JIS C 1910

  人体ばく露を考慮した低周波磁界及び電界の測定−測定器の特別要求事項及び測定の手

引き

注記  対応国際規格:IEC 61786,Measurement of low-frequency magnetic and electric fields with regard

to exposure of human beings−Special requirements for instruments and guidance for measurements

(IDT)

JIS C 9335

(規格群)  家庭用及びこれに類する電気機器の安全性

注記  対応国際規格:IEC 60335 (all parts),Household and similar electrical appliances−Safety(MOD)

IEC 62311

,Assessment of electronic and electrical equipment related to human exposure restrictions for

electromagnetic fields (0 Hz−300 GHz)

CISPR 14-1

,Electromagnetic compatibility−Requirements for household appliances, electric tools and similar

apparatus−Part 1: Emission

用語及び定義 

この規格で用いる主な用語及び定義は,次による。

3.1 

物理量及び単位 

物理量

記号

単位

単位記号

導電率

σ 

シーメンス毎メートル S/m

電流密度

アンペア毎平方メートル A/m

2

電界の強さ

ボルト毎メートル V/m

周波数

ヘルツ Hz

磁界の強さ

アンペア毎メートル A/m

磁束密度

テスラ

T(Wb/m

2

又は V・s/m

2

3.2 

用語及び定義 

3.2.1

基本制限(基本限界)[basic restriction(basic limitations)]

確立された生物学的影響を根拠として,時間的に変化する電界,磁界及び電磁界への人体ばく露の一定

の安全係数を含む制限。人体内の電流密度に対する基本制限は J

BR

,人体に誘起される電界の強さに対す

る基本制限は E

BR

とする。


3

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

3.2.2

結合係数,a

c

(r

1

)

(coupling factor)

機器の周囲の電磁界の不均一性,センサの測定面積,及び測定距離 r

1

3.2.6 参照)における機器の使用

者の胴体又は頭部の寸法を考慮した係数。

3.2.3

フーリエ変換(Fourier transformation)

時間関数から周波数関数を導き出す数学的処理手順。

3.2.4

高速フーリエ変換,FFT(fast Fourier transformation)

高速に計算することに特化したフーリエ変換。

3.2.5

ホットスポット(hot spot)

電磁界分布が不均一なために生じる,電磁界強度が局所的に最大となる場所。

3.2.6

測定距離,r

1

(measuring distance)

機器の表面からセンサ表面の最も近い点までの最短距離(

附属書 参照)。

3.2.7 

測定位置(measuring positions) 

3.2.7.1

周囲(around)

人が近付くことが予想される機器表面から一定の距離をおいた測定位置。測定するときは,機器の周囲

全体に沿ってセンサを移動させる。

注記  図 A.2 を参照。

3.2.7.2

上面(top)

機器の上面から規定する一定の距離をおいた測定位置。測定するときは,センサを移動させる。

注記  図 A.1 を参照。

3.2.7.3

正面(front)

機器の正面から規定する距離をおいた測定位置。測定するときは,センサを移動させる。

注記  図 A.1 を参照。

3.2.8

参考レベル(reference level),最大許容ばく露レベル(maximum permissible exposure level),B

RL

最悪のばく露条件(

例  均一電磁界へのばく露)を仮定して,基本制限から導き出す磁界レベル。

注記  参考レベルを超える場合でも,基本制限を超えないときがある。

3.2.9

応答時間(response time)

測定器が,測定する電磁界に置かれてから測定値の最終値に対して,規定の比率に達するまでの時間。

3.2.10

重み付け結果,W(weighted result)

周波数に依存する参考レベルを織り込んだ測定の最終結果。


4

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:2014 (IEC 62233:2005)

試験方法及び限度値の選択 

適切な限度値を選択する。

5.5.2

の手順は,発生した電磁界のスペクトルに関係なく,全ての機器に適用できる。この手順は,標準

となる方法であり,疑義がある場合は,この方法を採用する。

電磁界の特定の状況(人体の位置又は測定配置)において,参考レベルを超える場合は,基本制限への

適合判定を行う。

一つの基本周波数成分及びその高調波成分によって構成される線状スペクトルを発生する機器には,

5.5.3

の手順を適用してもよい。

機器から発生する電磁界の大部分が電源周波数及びその高調波に限る場合,その機器には,5.5.4 の代替

試験方法の中のいずれかを適用してもよい。

動作サイクル全体が 1 秒未満の機器は,IEC 62311 に規定するパルス電磁界に対する測定方法に従って

測定するが,動作条件,測定距離及び結合係数は,この規格で規定する。

最も簡単な方法からより複雑な方法へと,段階的な手順を適用してもよい(

図 参照)。

測定方法 

5.1 

電界 

電界の測定方法は,検討中である。

変圧器又は電子回路をもつ機器が 1 000 V 未満の電圧で動作している場合,その機器は,試験なしで適

合とみなす。

5.2 

周波数範囲 

対象とする周波数範囲は,10 Hz∼400 kHz とする(箇条 参照)

1 回の測定でこの周波数範囲を網羅できない場合は,各測定周波数範囲での重み付け結果を加える。

5.3 

測定距離,センサの位置及び動作条件 

測定距離,センサの位置及び動作条件は,

附属書 による。

測定時の動作条件,測定位置及び測定距離は,試験報告書に記載する。

5.4 

磁界センサ 

測定面積は,各方向ごとに 100 cm

2

とし,この面積全体で平均化した磁束密度を測定値とする。標準セ

ンサの構成は,等方向性感度を得るために,相互に直交する軸をもち,測定面積が 100 cm

2

±5 cm

2

で,三

つのコイルからなる。標準センサの外径は,13 cm を超えてはならない。

結合係数を決定する場合,

附属書 に規定する測定面積が,3 cm

2

±0.3 cm

2

の等方向性センサを用いる。

適切な加算法と組み合わせて,単一方向センサ(等方向性ではない。

)を用いてもよい。

注記  磁束密度の最終値は,各方向ごとに測定した値のベクトル和である。これによって,測定値は,

磁界ベクトルの方向に依存しなくなる。

5.5 

磁界の測定手順 

5.5.1 

一般 

測定信号は,周波数との関係で評価する。独立した複数の磁界源を考慮して,一番大きい測定値を採用

する。

継続時間が 200 ms 未満の過渡磁界(

例  スイッチの開閉のとき)は,無視する。

測定中に開閉動作が発生した場合には,再測定を行う。

測定器の内部雑音は,限度値の 5 %以下とする。内部雑音の最大レベルより低い測定値の場合は,無視


5

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する。

背景雑音は,限度値の 5 %以下とする。

測定器の応答時間(最終値の 90 %に達するまでの時間)は,1 秒を超えてはならない。

磁束密度は,1 秒間の平均とする。

磁界源からの 10 Hz∼400 kHz の信号が,1 秒を超えて一定であることが分かっている場合は,1 秒未満

のサンプリング時間を用いてもよい。

適合判定のために行う最終測定の場合には,センサを固定しておくことが望ましい。

5.5.2 

時間領域評価 

磁束密度の時間領域測定は,信号の種類に関係なく行うことができる。複数の周波数構成要素をもつ磁

界の場合,周波数の関数である参考レベルの逆数となる伝達関数 を実行することによって,参考レベル

の周波数依存が織り込まれる。

参考レベルの周波数依存の例を,

図 に示す。

伝達関数 は,参考レベル B

RL

を B

0

で正規化した関数の逆数であり,B

0

は,基準周波数 f

c0

での B

RL

ある。

注記 1  正規化には,電源周波数を用いることが望ましい(例  f

c0

=50 Hz 又は 60 Hz)

一次フィルタを用いることによって,伝達関数 とすることができる。伝達関数の特性例を,

図 に示

す。

伝達関数を表す一般式を,式(1)に示す。

)

(

)

(

)

(

RL

0

c

RL

f

B

f

B

f

A

=

  (1)

ここに,

A(f): 周波数 を変数とした伝達関数

B

RL

(f

c0

): 基準周波数 f

c0

での磁束密度の参考レベル

B

RL

(f): 周波数 での磁束密度の参考レベル

伝達関数の始点は,f

1

=10 Hz とする。伝達関数の終点は,f

n

=400 kHz とする。

注記 2  伝達関数の数値例については,表 D.1 及び表 D.2 を参照。

測定及び結果の処理は,次によって行う。

・  各コイル信号を個別に測定する。

・  伝達関数を用いて各信号に重み付けを行う。

・  重み付け信号を二乗する。

・  二乗した信号を加算する。

・  和を平均する。

・  平均の平方根を得る。

この結果は,磁束密度の重み付け実効値となる。

この手順の概念を,

図 に示す。

注記 3  伝達関数 A(図 の破線部分)は,磁束密度 Bt)に対して時間微分を行うセンサコイル,

及び“遅れ又は進み素子”を用いたローパスフィルタである。ローパスフィルタは,

“遅れ又

は進み素子”によって決まるコーナ周波数(遮断周波数)より低い周波数帯域では,信号を

通過させ,高い周波数帯域では,周波数に比例して信号を減衰させる(参考文献[24]参照)

また,高い周波数帯域では,信号に対して時間積分する特性によって,出力を得る。この出

力は,

図 に示す伝達関数 を用いた評価となる。コーナ周波数(遮断周波数)は,図 


6

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

伝達関数に示す f

c1

である。

注記 4  時間領域信号に用いる伝達関数のこれ以外の方法として,電子回路によるアナログフィルタ,

あらかじめプログラムされたデジタルシグナルプロセッサ,信号アナライザ,表計算ソフト

ウェア,専用のプログラムを用いたコンピュータによる計算などがある。

注記 5 50

Hz 又は 60 Hz の電源周波数を用い,その高調波及びそれらの周波数範囲全体で,実質的

に周波数に依存しない磁界強度を限度値とする多くの機器に関しては,伝達関数なしでこの

方法が使用できる。この方法は,例えば,20 Hz∼759 Hz の周波数範囲で,磁束密度に関し

て,最大許容ばく露値(maximum permissible exposure,MPE)が一定である IEEE C95.6:2002

[12]の安全規格に対して使用できる。この場合,当該周波数範囲での実効値の測定だけを行

い,その測定結果を,直接,限度値(

例  MPE)と比較できる。

この測定結果は,基準周波数 f

c0

での参考レベル B

RL

と,直接,比較する。局所的な磁界を発生する機器

では,

附属書 に規定する結合係数 a

c

(r

1

)を織り込んで比較する。最終の重み付け結果 W

n

及び結合係数を

織り込んだ重み付け結果 W

nc

は,式(2)及び式(3)によって求めることができる。

RL

rms

n

B

B

W

=

  (2)

n

1

c

nc

)

(

W

r

a

W

×

=

  (3)

ここに,

W

n

1

回の測定での重み付け結果

B

rms

磁束密度の重み付け実効値

B

RL

f

c0

での磁束密度の参考レベル

W

nc

不均一な磁界の結合を考慮して

a

c

(r

1

)

を織り込んだ

1

回の測

定での重み付け結果

a

c

(r

1

)

附属書 又は表 D.3 による結合係数

重み付け結果

W

n

及び

W

nc

は,値

1

を超えてはならない。

5.5.3 

線状スペクトル評価 

この方法は,線状スペクトルしかない(

50 Hz

又は

60Hz

の基本周波数と幾つかの高調波とで構成さ

れる。

)場合に適用できる(箇条 参照)

該当する各周波数で磁束密度を測定する。これは,磁束密度の時間信号を記録し,スペクトル構成要素

にフーリエ変換を行うことによって測定できる。

測定は,次の手順による。

各コイル信号(

x

y

z

)を別々に測定する。

  B(t)

の値を得るために信号を積分する。

各コイルに離散フーリエ変換を行い,

i(i

1

2

3

,…

)

番目の離散周波数

f(i)

i/T

0

における実効値を

表す離散振幅スペクトルの推定値

B(i)

を得る(

T

0

:観測時間)

離散スペクトル

B(i)

から,

j(j

1

2

3

,…

)

番目に磁束密度が極大となる

B(j)

,対応する周波数

f(j)

特定する。

全ての離散スペクトル線

B(j)

で全

3

方向のベクトル加算を行う。

)

(

)

(

)

(

)

(

2

z

2

y

2

x

j

B

j

B

j

B

j

B

=

  (4)

最後の二つの処理アルゴリズムは,式(4)で B(j)の代わりに B(i)を用いる場合,入れ換えることができる。

結果は,検出された各周波数での磁束密度の値となる。

測定値と限度値とを比較する場合,参考レベル B

RL

(j)を用いる。局所的な磁界を発生する機器では,


7

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

属書 C

で規定する結合係数 a

c

(r

1

)を織り込む。複数の周波数成分をもつ磁界では,周波数重み付け合計の

計算が必要となる。

重み付け結果は,式(5),又は結合係数を織り込んだ式(6)によって求める。

=

n

j

j

B

j

B

W

1

2

RL

n

)

(

)

(

  (5)

n

1

c

nc

)

(

W

r

a

W

×

=

  (6)

ここに,

W

n

1 回の測定での重み付け結果

B(j): 測定スペクトルの 番目の周波数線における磁束密度

B

RL

(j): 番目の周波数における磁束密度の参考レベル

W

nc

不均一な磁界の結合を考慮して a

c

(r

1

)を織り込んだ 1 回の測

定での重み付け結果

a

c

(r

1

):

附属書 C

又は

表 D.3

による結合係数

注記 1

  結合係数は,周波数に依存しない。詳細については,

附属書 C

を参照。

決定した重み付け結果 は,値 1 を超えてはならない。

1 とだけ比較する場合は,平方根を得る必要はない。

注記 2

  単純な総和は,ばく露量が過大評価となる。したがって,高調波成分又は雑音成分が含まれ

る広帯域磁界では,総和式による結果を限度値と比較することは,振幅が同位相にないため

に,安全側(不適合を適合とする間違いをしない。

)の判定となる。大半の測定器では相対位

相を測定しない(スペクトルアナライザを用いる場合など)が,周波数成分の実効値の総和

は求める。通常,位相を完全に無視するよりは,現実的な結果が得られる。

5.5.4 

代替試験方法 

電源周波数及びその高調波だけの磁界が発生するような機器の場合は,2 kHz 未満の周波数における試

験だけでよい。

こうした機器では,選択した参考レベルに基づいて,簡略化した手順によって試験できる。

注記 1

  このような方法は,いずれも安全側を考慮したものである。値として測定しないで,合格又

は不合格の判定を行う。このような手順で不合格になっても,この規格の要求事項を満たし

ていないということを意味するものではない。このような場合は,

5.5.2

又は

5.5.3

の詳細な

方法を採用するのがよい。

注記 2

JIS C 61000-3-2

に従って,高調波電流の測定が可能である。多くの場合,このような値は既

知となっている。

5.5.4.1 

特定勾配で減少する参考レベル 

調査対象周波数範囲の参考レベルが 1/以下の勾配で減少する場合は,次の

5.5.4.1.1

又は

5.5.4.1.2

のい

ずれかを適用するのがよい。

注記

  この箇条は,例えば

附属書 B

に示す,時間的に変化する電界及び磁界への公衆ばく露に対して

ICNIRP

の指針[11]の参考レベルが該当する。

5.5.4.1.1 

特定勾配

第一手順 

次の二つの条件を満たす場合,機器は,この規格の要求事項に適合する。

・  重み付けをしない(伝達関数を適用しない)広帯域測定時の磁束密度 が,電源周波数における参考

レベルの 30 %未満である。

・  振幅が電源周波数における振幅の 10 %より大きい全ての高調波電流が,調査対象周波数範囲全体で連


8

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

続的に減少する。

最初の条件(が基準レベルの 30 %未満。

)を満たしていない場合は,

5.5.4.1.2

の手順での適合性を確認

するのがよい。

5.5.4.1.2 

特定勾配

第二手順 

次の三つの条件を全て満たす場合,機器は,この規格の要求事項に適合する。

・  電源周波数における磁束密度が,電源周波数における参考レベルの 50 %未満である。

・  電源周波数の入力を抑制(アクティブノッチフィルタ)して,重み付けをしない(伝達関数を適用し

ない)広帯域測定時の測定磁束密度 が,調査対象周波数範囲全体で,電源周波数における参考レベ

ルの 15 %未満である。

・  振幅が電源周波数における振幅の 10 %より大きい全ての高調波電流が,調査対象周波数範囲全体で連

続的に減少する。

5.5.4.2 

参考レベル一定 

参考レベルが電源周波数の第 10 次高調波まで一定であり,かつ,調査対象周波数範囲の中で,第 10 次

高調波より高い周波数で,一定又は 1/以下の勾配で減少する場合は,高調波電流の追加測定を行うこと

なく,

5.5.4.1

で規定する方法を適用できる。

注記

  この箇条は,例えば

附属書 B

に示す,0 kHz∼3 kHz の電界及び磁界への人体ばく露に対しての

IEEE C95.6

:2002 [12]安全規格の参考レベルが該当する。

この簡略化した試験方法は,次の

5.5.4.2.1

又は

5.5.4.2.2

による。

5.5.4.2.1 

参考レベル一定

第一手順 

次の条件を満たす場合,機器は,この規格の要求事項に適合する。

・  重み付けをしない(伝達関数を適用しない)広帯域測定時の測定磁束密度 が,電源周波数における

参考レベルの 30 %未満である。

この条件を満たしていない場合は,

5.5.4.2.2

の手順によって適合性を調べるのがよい。

5.5.4.2.2 

参考レベル一定

第二手順 

次の二つの条件を満たす場合,機器は,この規格の要求事項に適合する。

・  電源周波数における磁束密度 が,電源周波数における参考レベルの 50 %未満である。

・  電源周波数の入力を抑制(アクティブノッチフィルタ)して,重み付けをしない(伝達関数を適用し

ない)広帯域測定での測定磁束密度 が,調査対象周波数範囲全体で,電源周波数における参考レベ

ルの 15 %未満である。

5.6 

測定の不確かさ 

測定全体での不確かさの最大は,限度の 25 %を超えてはならない。不確かさの評価に関する手引は,

JIS 

C 1910

による。

注記 1

  測定の不確かさには,センサの位置,動作条件,背景雑音又は測定器の仕様範囲を超える信

号の影響を含んでいる。

注記 2

  測定の不確かさが測定値の 25 %を超える場合,用いる限度値にこの不確かさを換算する必要

がある。

結果を限度値と比較する必要がある場合,測定の不確かさを次のように処理する。

・  機器から発生する磁界が限度値以下であることを確認する場合は,結果に測定の不確かさを加え,そ

の和を限度値と比較する。

注記 3

  例えば,製造業者が行う測定には,この方法を適用する。


9

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

・  機器から発生する磁界が限度値を超えていることを確認する場合は,結果から測定の不確かさを減じ

て,その差を限度値と比較する。

注記 4

  例えば,市場を監視する目的で行う測定には,この方法を適用する。

5.7 

試験報告書 

試験報告書には,次の項目を記載する。

・  機器の識別

・  測定器の仕様

附属書 A

に規定がない場合は,動作条件,測定位置及び測定距離

・  定格電圧及び周波数

・  測定方法

・  重み付け測定の最大値。ただし,結合係数が適用できる場合には,結合係数を織り込んだ重み付けの

最大値

・  適用した限度値

・  測定結果が限度値の 75 %を超える場合は,測定の不確かさ

結果の評価 

測定結果が次のいずれかの場合,この規格に適合する。評価には,

5.6

に規定する測定の不確かさを考慮

する。

・  測定値が参考レベルを超えていない場合。

・  測定値が参考レベルを超える場合も,結合係数 a

c

(r

1

)を用いることによって,基本制限への適合を示せ

る場合。特定の機器には,結合係数 a

c

(r

1

)を

附属書 C

の規定によって決定できる。

・  結合係数 a

c

(r

1

)を織り込んだ値が参考レベルを超える場合も,基本制限への適合実証(

  計算手法を

用いる。

)ができるとき。

注記

  計算手法については,

IEC 62226-1

を使用できる。


10

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

図 1

参考レベルに対しての評価試験方法選択のための推奨流れ図

機器の種類

線状スペク

トルか?

5.5.4

:代替試験方法

5.5.3

:線状スペクトル

評価

5.5.2

:時間領域評価

結果

結果

結果

結合係数を使用 

表 D.3 参照)

結果

合格

不合格

合格

不合格

合格

不合格

合格

不合格

個々の結合係数決定

附属書 参照)

結果

合格

不合格

誘導電流密度の計算

附属書 参照)

基本制限に対

しての評価

合格

不合格

合格

不合格

はい

いいえ

はい

いいえ

電源周波数

及び高調波

だけか?


11

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

0

0

c

)

(

B

f

B

=

1

1

c

)

(

B

f

B

=

n

f

B





d

d

注記  縦軸及び横軸は対数スケールであり,

n

f

B





d

d

は,両対数スケールでの の勾配を表す。

図 2

切換わり点を平滑化した参考レベルの周波数依存例


12

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

1

)

(

)

(

0

0

c

RL

0

0

c

=

=

=

B

f

B

A

f

A

1

0

c

RL

1

1

c

)

(

)

(

B

f

B

A

f

A

=

=

1

d

d

d

d





=





n

n

f

B

f

A

注記  縦軸及び横軸は対数スケールであり,

n

f

A





d

d

は,両対数スケールでの の勾配を表す。

図 3

図 の参考レベルに対応する伝達関数 の例


13

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

図 4

時間領域評価方法の概念図

センサコイル x

二乗

フィルタ

+

B

rms

平均

伝達関数 A

B

x

センサコイル y

二乗

フィルタ

センサコイル z

二乗

フィルタ

B

y

B

z

伝達関数 A

伝達関数 A

  


14

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

附属書 A

(規定)

磁束密度測定のための条件

A.1 

一般 

測定は,機器を通常用いるときと同じ配置にして,

表 A.1

に規定する条件で行う。

表 A.1

に規定していない機器の場合,又は機器を

表 A.1

とは異なる条件で用いる場合,頭部及び胴体の

中枢神経組織に対する磁界の作用から人体を防護する目的で,動作条件,測定距離及びセンサ位置は次の

とおりとする。

a)

  取扱説明書に動作条件,設置位置及び使用位置を明示している場合は,取扱説明書に記載している条

件で測定する。

b)

a)

以外については,

A.1.1

A.1.3

に規定する条件で測定する。

注記

  適用する限度値に手足のばく露限度値(

B.2

参照)が含まれる場合には,手足を対象とした測

定が必要になることもある。

A.1.1 

動作条件 

動作条件は,次による。

a)

  設定は,最大とする。

b)

  明確にするため

CISPR 14-1

に規定する動作条件又は無負荷動作が可能な場合には,

無負荷運転条件。

短時間運転を想定した仕様の場合は,短時間運転を考慮する。

ならし運転の時間は規定しないが,試験の前に機器を十分な時間動作させ,通常使用時の動作条件と同

じになることを確認する。

機器は,定格電圧±2 %及び定格周波数±2 %の電源で,通常用いる場合と同じように動作させる。

電源電圧範囲及び/又は周波数範囲を示している場合は,電源電圧及び/又は周波数を,その機器を用

いることになる国又は地域の公称電圧及び/又は周波数と同じにする。

表 A.1

に規定がない場合,操作の設定は,最大となるように調節する。ただし,製造業者などによって

事前設定されている場合は,事前設定とする。測定は,機器が通電しているときに行う。

試験は,25  ℃±10  ℃の周囲温度で行う。

A.1.2 

測定距離 

測定距離は,次による。

a)

  身体の該当部分に触れた状態で用いる機器:0 cm

b)

  その他の機器:30 cm

A.1.3 

センサ位置 

センサ位置は,次による。

a)

  身体の該当部分に触れた状態で用いる機器:使用者に接触する位置。

b)

  持ち運びできない大きな機器:正面(使用側)及び人が接近可能な位置(

図 A.1

参照)

c)

  その他の機器:周囲(

図 A.2

参照)


15

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

A.2 

特定の機器における測定距離

センサ位置及び動作条件 

A.2.1 

多機能機器 

一つで複数の異なる機器の機能を提供する多機能機器は,機器の内部を改造することなく行う場合,そ

の機能ごとに別々に試験を行う。

機能ごとに別々に試験を行うことができない場合,又は特定の機能を分離すると,基本機能を果たすこ

とができなくなる場合,その機器は,動作に最低限必要となる機能を果たす状態で動作させる。

A.2.2 

バッテリ駆動機器 

機器を商用電源に接続できる場合,その機器は,使用可能な各条件で動作させて試験を行う。バッテリ

で動作させるときは,試験を開始する前にバッテリを完全に充電する。

A.2.3 

測定距離及びセンサ位置 

表 A.1

の測定距離は,頭部及び胴体の中枢神経組織に対する磁界の作用から人体を防護する目的で,通

常動作時に想定される使用者の位置に基づいて規定している。

機器の形状及び使い方は,国ごとの生活習慣によって異なるため,

表 A.1

に規定する測定距離と,取扱

説明書に記載する動作条件,

設置位置及び使用位置による使用者の頭部及び胴体との距離が異なる場合は,

取扱説明書の記載を優先した測定距離とする(例えば,ホットカーペットの取扱説明書で,直接座り,身

体の該当部分に触れた状態で用いる記載がある場合の測定距離は,

表 A.1

に規定する 30 cm ではなく 0 cm

となる。

手足のばく露に関しては,これ以外の測定距離及びセンサ位置を適用する場合がある。

表 A.1

測定距離

センサ位置及び動作条件

機器の種類

測定距離 r

1

cm

センサ位置

動作条件

空気清浄器

(Air cleaner)

30

周囲

連続動作。

エアコン 
(Air conditioners)

30

周囲

冷房:最低温度設定及び周囲温度 30 ℃±5 ℃。
暖房:最高温度設定及び周囲温度 15 ℃±5 ℃。

周囲温度は室内機への通気温度とする。

充電器

(非接触方式を含む。

[ Battery chargers (including 
inductive)]

30

周囲

製造業者が規定する,最大容量の空のバッテリ

を充電しているとき。

ディスペンサ

(Beverage maker)

30

周囲

無負荷連続動作。

電気掛け毛布

(Blankets)

0

上面

断熱シートの上に広げて置く。

電気ミキサ

(Blender)

30

周囲

無負荷連続動作。

果物絞り器

(Citrus presses)

30

周囲

無負荷連続動作。

電気時計 
(Clock)

30

周囲

連続動作。

コーヒーメーカ 
(Coffee makers)

30

周囲

JIS C 9335-2-15

の 3.1.9(通常動作)の規定に基

づく。

コーヒーミル

(Coffee mills)

30

周囲

JIS C 9335-2-14

の 3.1.9.108 の規定に基づく。


16

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

表 A.1

測定距離

センサ位置及び動作条件(続き)

機器の種類

測定距離 r

1

cm

センサ位置

動作条件

対流式ヒータ 
(Convector heater)

30

周囲

最高出力。

電気揚げ物器

(Deep fat fryers)

30

周囲

JIS C 9335-2-13

の 3.1.9(通常動作)の規定に基

づく。

口こう(腔)衛生機器

(Dental hygiene appliances)

0

周囲

JIS C 9335-2-52

の 3.1.9(通常動作)の規定に基

づく。

電気脱毛器

(Depilatories)

0

カッタに対する面

無負荷連続動作。

食器洗い機

(Dishwashers)

30

上面,正面

皿を入れずに注水した洗浄モード。利用可能な

場合,乾燥モード。

電気卵ゆで器 
(Egg boiler)

30

周囲

JIS C 9335-2-15

の 3.1.9(通常動作)の規定に基

づく。

フェイシャルスチーマ 
(Facial sauna appliances)

10

上面

連続動作。

扇風機

(Fan)

30

周囲

連続動作。

ファンヒータ

(Fan heaters)

30

周囲

最高温度設定での連続動作。

床磨き機

(Floor polishers)

30

周囲

ブラシに機械的負荷を加えない状態で連続動

作。

フードプロセッサ

(Food processors)

30

周囲

最高速度設定での無負荷連続動作。

食品温蔵庫 
(Food warming cabinets)

30

周囲

最高温度設定での無負荷連続動作。

足温器 
(Foot warmers)

30

上面

最高温度設定での無負荷連続動作。

ガス着火装置

(Gas igniters)

30

周囲

連続動作。

グリル

(Grill)

30

周囲

最高温度設定での無負荷連続動作。

電気バリカン

(Hair clippers)

0

カッタに対する面

無負荷連続動作。

ヘアドライヤ

(Hair dryers)

10

周囲

最高温度設定での連続動作。

ホットカーペット 
(Heating mats)

30

上面

断熱シートの上に広げて置く。

電気敷毛布 
(Heating pads)

0

上面

断熱シートの上に広げて置く。

組込形調理こんろ

(Hobs)

30

上面,正面

JIS C 9335-2-6

の 3.1.9(通常動作)の規定に基

づく。各加熱部を最高設定で単独動作。

アイスクリームメーカ

(Ice-cream makers)

30

周囲

最高冷却温度設定で無負荷連続動作。

投込式ヒータ

(Immersion heaters)

30

周囲

発熱体を完全に浸水させる。

誘導加熱調理器

(Induction hobs and hotplates)

図 A.3 参照  A.3.1 参照

A.3.2

参照


17

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

表 A.1

測定距離

センサ位置及び動作条件(続き)

機器の種類

測定距離 r

1

cm

センサ位置

動作条件

アイロン 
(Irons)

30

周囲

JIS C 9335-2-3

の 3.1.9(通常動作)の規定に基

づく。

アイロン応用機器

(Ironing machines)

30

周囲

JIS C 9335-2-3

の 3.1.9(通常動作)の規定に基

づく。

ジューサ

(Juice extractors)

30

周囲

無負荷連続動作。

電気やかん

(Kettles)

30

周囲

水を半分満たす。

料理用はかり

(Kitchen scales)

30

周囲

無負荷連続動作。

電気包丁 
(Knives)

30

周囲

無負荷連続動作。

アタッチメント付換式調理機

(Kitchen machines and slicer)

30

周囲

最高速度設定での無負荷連続動作。

マッサージ機器

(Massage appliances)

0

マッサージヘッド

に対する面

最高速度設定での無負荷連続動作。

電子レンジ

(Microwave ovens) 
(マイクロ波の漏えいは,JIS 

C 9335-2-25

による。

30

周囲

最高マイクロ波出力で連続動作。通常の発熱体

を利用している場合は,最高設定にして同時動
作する。負荷は棚中央に置いた 1 L の水道水。

水を入れる容器は,ガラス,プラスチックなど

非導電性の材料とする。

電気泡立て器 
(Mixer)

30

周囲

最高速度設定での無負荷連続動作。

オイルヒータ 
(Oil filled radiators)

30

周囲

最高温度設定での連続動作。

電気オーブン

(Ovens)

30

上面,正面

オーブンは空の状態でドアを閉める。サーモス

タットは最高温度設定。クリーニングモードが

ある場合は,取扱説明書にあるとおりに行う。

オーブン一体形調理こんろ

(Ranges)

30

上面,正面

機能ごとに別々に動作。

レンジフード 
(Range hoods)

30

底面,正面

最高設定。

冷蔵庫(冷凍庫) 
(Refrigeration appliances)

30

上面,正面

ドアを閉めて連続動作。サーモスタットは最高
冷却設定。庫内は空にする。測定は安定状態に

達してから,全ての区画で冷却動作が働いてい

る状態で行う。

電気炊飯器 
(誘導加熱方式を含む。

(Rice cookers)

30

周囲

水を半分入れ,最高温度設定。

電気ひげそり器

(Shaver)

0

カッタに対する面

無負荷連続動作。

スライサ

(Slicing machines)

30

周囲

最高速度設定での無負荷連続動作。

日光浴器

(Solaria)

内側 0

外側 30

正面

最高設定での連続動作。


18

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

表 A.1

測定距離

センサ位置及び動作条件(続き)

機器の種類

測定距離 r

1

cm

センサ位置

動作条件

脱水機 
(Spin extractor)

30

上面,正面

無負荷連続動作。

蓄熱式ヒータ

(Storage heaters)

30

周囲

最高温度設定での連続動作。

ティーメーカ

(Tea makers)

30

周囲

無負荷連続動作。

トースタ

(Toaster)

30

周囲

最高温度設定での無負荷動作。

電動工具(手持ち形)

(Tools, hand-held)

30

周囲(同じ面が常

に使用者に向かな
い場合)

全設定,例えば,最高速度設定での無負荷動作。

電動工具(手誘導形)

(Tools, hand-guided)

30

周囲(同じ面が常

に使用者に向かな

い場合)

全設定,例えば,最高速度設定での無負荷動作。

電動工具(可搬形)

(Tools, transportable)

30

上面及び使用者に

向いた正面

全設定,例えば,最高速度設定での無負荷動作。

発熱体をもつ電動工具 
(Tools with heating elements)

30

周囲(同じ面が常
に使用者に向かな

い場合)

最高温度設定。 
グルーガンは,接着剤を入れて作業位置に置く。

玩具用変圧器

(Transformer for toys)

30

周囲

連続動作。

軌道セット:電気・電子制御

装置 
( Track sets: electric and 
electronic controls)

30

周囲

連続動作。

衣類乾燥機

(Tumble dryers)

30

上面,正面

事前に洗ってある布での乾燥モード。布は,乾

燥時に 140 g/m

2

∼175 g/m

2

で,寸法が約 0.7 m×

0.7 m,二重ふち縫いした木綿シーツとする。

掃除機(手持ち形) 
(Vacuum cleaners, handheld)

30

周囲

JIS C 9335-2-2

の 3.1.9(通常動作)の規定に基

づく。

掃除機(肩掛け形) 
(Vacuum cleaners, body sling)

0

使用者に面した側
の周囲

JIS C 9335-2-2

の 3.1.9(通常動作)の規定に基

づく。

掃除機(その他)

(Vacuum cleaners, others)

30

周囲

JIS C 9335-2-2

の 3.1.9(通常動作)の規定に基

づく。

洗濯機及び洗濯乾燥機

( Washing machines and 
washers dryers)

30

上面,正面

布を入れない状態で,最高速度の脱水モード。

ウォータベッドヒータ 
(Water-bed heaters)

10

上面

断熱シートの上に広げて置く。

給湯器 
(Water heaters)

30

周囲

最高設定。必要であれば,水を流す。

ジェットバス

(Whirlpool bath)

内側 0

外側 30

周囲

連続動作。

注記  ウォータベッドヒータ,ヘアドライヤ及びフェイシャルスチーマに対して測定距離 10 cm を規定している。

この距離は,A.1.2 に規定していないが,取扱説明書に記載されると考えられる一般的な使用位置を考えた測

定距離である。


19

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

センサは,機器の上面又は正面の表面から距離 r

1

の面に沿って移動させる。

図 A.1

測定位置

上面又は正面(3.2.7 参照)

センサは,機器表面から垂直距離 r

1

の,人が近付く可能性がある周囲を一巡させる。

図 A.2

測定位置

周囲(3.2.7 参照)

A.3 

誘導加熱調理器の試験条件 

A.3.1 

測定距離 

調理面別に,機器の端面からセンサ表面までの距離が 30 cm となる,4 本の鉛直線(

図 A.3

の線 A,B,

C 及び D)上で測定を行う(

図 A.3

参照)

。調理面の上方 1 m の地点から下方 0.5 m の地点まで測定を行う。

機器を壁際に置いて用いるように意図している場合は,機器の背後(

図 A.3

の線 D)での測定は行わない。

注記

  調理面の中心に対応する位置付近で,磁界が最大となるため,調理面の中心線上で測定する。

A.3.2 

動作条件 

水道水を半分ほど満たしたほうろう加工の鉄製調理容器を,測定対象となる調理面の中央に配置する。


20

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

取扱説明書で推奨している,最も小さい調理容器を用いる。推奨容器を指定していない場合は,標準調

理容器の中の,動作可能な最も小さい容器を用いる。標準調理容器の底の直径は,110 mm,145 mm,180 mm,

210 mm 及び 300 mm とする。

加熱部は,ほかの調理面に鍋を置いていない状態で,調理面を一つずつ順番に動作させる。

出力は,最高設定にする。

測定は,安定した動作条件に達してから行う。

安定した条件に達しない場合は,変動する磁界発生源の最高値が確実に測定されるように,適切な観測

時間(

  30 秒)を指定することが望ましい。

注記

  誘導加熱部間で電源を共有しているために,各誘導加熱部を単独で運転しているときに,誘導

加熱調理器の最高の連続磁界が測定される。

注記 1  線 A,B,C 及び D は測定位置を示す。 
注記 2  この図は,4 口の誘導加熱部のうち左手前の誘導加熱部が動作していることを示す。

図 A.3

誘導加熱調理器の測定距離


21

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

附属書 B

(参考)

ばく露限度値

この附属書に示す限度値は参考であり,また,限度値の全体ではなく,抜粋した箇所だけを示す。

法令で限度値の設定がある場合,法令による限度値を用いる。

B.1 ICNIRP

の指針 

表 B.1

及び

表 B.2

に示す数値は,

ICNIRP

の指針[11]から転載したものである。

注記

  この

ICNIRP

の指針は 1998 年に発行されたものである。1 Hz∼100 kHz の周波数帯域について

は,2010 年に部分改正されている[26]。

表 B.1

時間的に変化する周波数 10 GHz 以下の電磁界への公衆のばく露における基本制限−抜粋

周波数範囲

頭部及び胴体の電流密度

(実効値)

mA/m

2

全身平均 SAR

W/kg

局所 SAR

(頭部及び胴体)

W/kg

局所 SAR

(手足)

W/kg

 1

Hz 以下 8

 1

Hz を超え 4

Hz 以下 8/f

 4

Hz を超え 1 000

Hz 以下 2

 1

kHz を超え 100

kHz 以下

f/500

 100 kHz を超え 10

MHz 以下

f/500 0.08

2

4

 10 MHz を超え 10

GHz 以下

− 0.08

2

4

注記 1  は,ヘルツ(Hz)を単位とした周波数。 
注記 2 SAR は,比エネルギ吸収率を示す。

表 B.2

時間的に変化する電磁界への公衆のばく露における参考レベル(ひずみのない実効値)−抜粋

周波数範囲

電界強度

V/m

磁界強度

A/m

磁束密度

μT

等価平面波電力密度 S

eq

W/m

2

 1

Hz 以下

− 3.2×10

4

4×10

4

 1

Hz を超え 8

Hz 以下 10

000  3.2×10

4

/f

2

4×10

4

/f

2

 8

Hz を超え 25

Hz 以下

10 000

4 000/f 5

000/f

 0.025

kHz を超え 0.8

kHz 以下 250/f 4/f 5/f

 0.8

kHz を超え 3

kHz 以下 250/f 5  6.25

 3

kHz を超え 150

kHz 以下 87

5

6.25

 0.15

MHz を超え 1

MHz 以下 87

0.73/f 0.92/f

 1

MHz を超え 10

MHz 以下 87/f

1/2

 0.73/f 0.92/f

 10 MHz を超え 400

MHz 以下 28

0.073

0.092

2

 400 MHz を超え 2 000

MHz 以下 1.375

f

1/2

 0.003

7

f

1/2

 0.004

6

f

1/2

f/200

 2

GHz を超え 300

GHz 以下 61

0.16

0.20

10

注記  は,周波数範囲の欄に示す単位で表す。


22

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

B.2 IEEE

規格 

表 B.3

及び

表 B.4

に示す数値は,

IEEE

規格(

IEEE C95.6

:2002)[12]から転載したものである。

表 B.3

人体の各部位に適用される 3 kHz 以下の公衆のばく露における基本制限−抜粋

ばく露される組織

f

e

Hz

E

o

(実効値)

V/m

脳 20

5.89×10

3

心臓 167

0.943

手,手首,足及び足首 3 350  2.10

その他の組織 3 350

0.701

表の解釈は,次による。

E

i

E

o

ff

e

の場合)

E

i

E

o

(f/f

e

)(f  f

e

の場合)

ここに,  f

e

:  生体内電界の周波数パラメータ

E

i

:  生体内電界の最大許容値

E

o

:  生体内電界

表中の制限に加えて,10 Hz 以下の磁界への頭部及び胴体のばく露は,公衆の

場合,ピーク値 167 mT に,管理環境の場合,ピーク値 500 mT に制限する。

表 B.4

公衆のばく露における磁界限度値

頭部及び胴体のばく露−抜粋

周波数範囲

Hz

B(実効値)

mT

H(実効値)

A/m

 0.153

未満 118

9.39×10

4

 0.153

以上 20

未満 18.1/f 1.44×10

4

/f

 20

以上 759

未満 0.904

719

 759

以上 3 000

未満 687/f 5.47×10

5

/f

 3 000 以上 100

kHz 未満

− 164

周波数 3 kHz 以上の限度値は,3 kHz を超える周波数に関する IEEE 規格(IEEE 

C95.1:1999

)[21]との整合性を示すために記載する。


23

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

附属書 C 
(規定)

結合係数の決定

C.1 

計算による結合係数の決定 

附属書 B

に示す参考レベル(B

RL

)は,均一な磁界で定義する。これに対して,この規格が対象とする

機器の周囲は,強い不均一性をもっている磁界である。結合係数 a

c

(r

1

)は,この不均一性を考慮する係数で

ある。同様に,結合係数 a

c

(r

1

)は,磁界中の人体の構成部分の寸法も考慮している。

この結合係数 a

c

(r

1

)は,磁界発生源が局所的な場合に限って適用できる。ホットスポットでの磁束密度

B

max

∼0.1 B

max

の磁界分布は,連続でなければならない。

参考レベル B

RL

と比較する,補正した測定値 B

mc

(r

1

)は,式(C.1)によって測定値 B

m

を用いて計算する。

B

mc

(r

1

)=a

c

(r

1

B

m

  及び  W

nc

a

c

(r

1

W

n

  (C.1)

結合係数 a

c

(r

1

)は,動作の基本周波数を対象として,次の四つのステップによって決定する。

ステップ 1  ホットスポットの広がり評価

磁束密度 B(r

0

)は,ホットスポット r

0

=0 を始点とする最も緩い勾配の線に沿った面の接線方向で測定す

る[式(C.2)参照]

図 C.1

及び

図 C.2

に示すように,磁束密度がホットスポットでの最大値の 10 %に減少

する r

0

の地点まで測定を行う。測定間隔は,0.5 cm∼1 cm とする。

結合係数決定のための測定評価は,狭帯域での動作周波数で行う。

センサは,例えば,

5.4

に規定する測定面積が 3 cm

2

の小形のものを用いる。

1

.

0

)

0

(

)

(

0

max

0

=

=

=

r

B

X

r

B

  (C.2)

図 C.1

ホットスポット


24

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

図 C.2

磁束密度の勾配及び積分値 G

ステップ 2  等価コイルの決定

ステップ 1 の測定結果を用いて,機器内の磁界発生源と同じ程度の積分値 が得られる等価なコイルの

半径を決定する。

このコイルの位置は,

ホットスポット r

0

=0 から l

coil

の距離にあると仮定して計算を行う。

距離 l

coil

は,機器内の磁界発生源の位置に相当している(

図 C.3

参照)

図 C.3

等価コイルの位置

正規化された磁束密度の測定値の積分によって単一の値の が得られ,これを用いて等価コイルの半径

r

coil

を決定する(

表 C.1

参照)

。線形補間によって

表 C.1

にない r

coil

の値も得られる。この値は,l

coil

を超え

てはならない。

小形の機器の場合は,磁界発生源が機器の中央にあるとみなす。大形の機器の場合は,機器の構造を調

査して磁界発生源の位置を決定する。

この手順が適用できるのは,磁界発生源が局所的な場合に限られる。ホットスポットでの磁束密度 B

max

∼0.1 B

max

の磁界分布は,連続でなければならない(

図 C.4

参照)

積分値 は,式(C.3)によって求める。

0

0

0

max

0

coil

coil

d

)

0

(

)

(

)

(

0

0

r

r

B

r

B

l

r

G

X

r

r

=

=

=

=

  (C.3)


25

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

表 C.1

様々なコイルの半径 r

coil

に対する積分値 G

距離 l

coil

mm

積分値 G

m

r

coil

=10 mm

r

coil

=20 mm

r

coil

=30 mm

r

coil

=50 mm

r

coil

=70 mm

r

coil

=100 mm

10 0.013

54

15 0.015

62

20

0.018 48

0.027 03

25

0.021 68

0.028 80

30

0.025 11

0.031 17

0.040 51

35

0.028 61

0.033 90

0.042 17

40

0.032 22

0.036 89

0.044 29

50

0.039 55

0.043 34

0.049 41

0.067 50

70

0.054 48

0.057 18

0.061 64

0.075 35

0.094 44

100

0.077 11

0.079 05

0.082 19

0.092 13

0.106 44

0.134 93

200

0.153 17

0.154 15

0.155 73

0.160 85

0.168 45

0.184 20

300

0.229 53

0.230 12

0.231 19

0.234 61

0.239 71

0.250 54

注記  最悪の条件に対応するコイルを得るために,指定の積分値 で最小のコイル半径を選択することが望ましい。

図 C.4

磁束密度の測定値及びコイルの磁束密度の勾配

ステップ 3  係数 の決定

コイル半径 r

coil

を用いて,等価磁界発生源(コイル)と人体との間の距離 の係数 k(rr

coil

fσ)を決

定する[式(C.4)及び式(C.5)参照]

rr

1

l

coil

   (C.4)

ここに,

r

1

測定距離(

3.2.6

参照)

l

coil

機器内の等価コイルから表面までの距離

加算は,同一単位で行う。

k(rr

coil

fσ)=

)

,

,

(

)

,

,

,

(

sensor

coil

sensor

,

max

coil

max

A

r

r

B

f

r

r

J

σ

  (C.5)

ここに,

J

max

最大電流密度

A

sensor

センサの測定面積

B

max, sensor

測定した磁束密度の最大値

周波数に依存する係数 は,コイルから人体までの距離 r,人体の均一モデルの導電率 σ,及びセンサの


26

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

面積に依存する。この周波数依存性については,基本制限ではなく参考レベルを対象とした係数に変換す

ることによって,周波数依存性を補うことができる(ステップ 4 参照)

不均一な磁界の場合,人体表面に最も高い磁界の値が発生するので,σ の値は,0.1 S/m である(

D.4.2

参照)

。次の式(C.6)は,

5.4

に規定する標準センサを用いたときのこの σ の値に基づいている。全身に関す

る の値を,

表 C.2

に示す。

表 C.2

人体全身に関する 50 Hz での係数 の値

距離 r

cm

係数 k

T

m

A

2

r

coil

=10 mm

r

coil

=20 mm

r

coil

=30 mm

r

coil

=50 mm

r

coil

=70 mm

r

coil

=100 mm

1

21.354 15.326 8.929 5.060 3.760 3.523

5

4.172 3.937 3.696 3.180 2.858 2.546

10

2.791 2.735 2.696 2.660 2.534 2.411

20

2.456 2.374 2.369 2.404 2.398 2.488

30

2.801 2.735 2.714 2.778 2.687 2.744

40

3.070 2.969 2.933 3.042 2.865 2.916

50

3.271 3.137 3.086 3.251 2.989 3.040

60

3.437 3.271 3.206 3.429 3.079 3.134

70

3.588 3.388 3.311 3.595 3.156 3.216

100

3.940 3.659 3.601 4.022 3.570 3.604

注記 1  係数 は,D.4 に記載する人体に該当する数値モデルに,コイルを磁界発生源として適用して決定する。こ

れが当てはまるのは磁界発生源に近い領域に限られ,均一な磁界には当てはまらない。

注記 2  距離 よりも寸法の大きな半径 r

coil

は,この附属書の手順では決定できない。

その他の周波数 及びその他の導電率 σ における係数 k*は,式(C.6)によって,

表 C.2

の値から計算でき

る。

k*(rr

coil

)=

k

f

×

×

S/m

1

.

0

Hz

50

σ

   (C.6)

ステップ 4  結合係数の計算

結合係数 a

c

(r)は,参考レベルを対象に係数 を変換した結果であり,式(C.7)によって決定できる。

a

c

(rr

coil

fσ)=k(rr

coil

fσ

)

(

)

(

)

(

)

(

)

(

BR

RL

coil

BR

RL

f

E

f

B

f

r

r

k

f

J

f

B

×

σ

σ

 ··· (C.7)

注記 1

  項 E

BR

(f)は,

IEEE

規格及び 2010 年に発行された

ICNIRP

の指針で用いている基本制限に適

用している。

注記 2

  項 J

BR

(f)は,1998 年に発行された

ICNIRP

の指針に適用している。項 B

RL

(f)/J

BR

(f)は,8 Hz∼

800 Hz 及び 1 kHz∼100 kHz で 1/に比例する。したがって,この範囲では,係数 a

c

(r)は周波

数に依存しない。

5.5.2

及び

5.5.3

に従って測定する場合,正規化周波数と同じ f

c0

を用いる。そのため,結合係数 a

c

(r)は,

式(C.8)になる。

a

c

(rr

coil

f

c0

σ)=k(rr

coil

f

c0

σ

)

(

)

(

)

(

)

(

)

(

0

c

BR

0

c

RL

0

c

coil

0

c

BR

0

c

RL

f

E

f

B

f

r

r

k

f

J

f

B

×

σ

σ

  (C.8)

注記 3

  結合係数 a

c

(r

1

)は,式(C.4)を用いて

図 C.5

から決定できる。

全身に関して f  =50 Hz 及び σ=0.1 S/m,

並びにコイルに関して距離 r=50 cm 及び r

coil

=10 mm として,


27

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

ICNIRP

の指針の基本制限 J

BR

及び参考レベル B

RL

を適用して計算した場合の結合係数の例を,次に示す。

a

c

(r=50 cm,r

coil

=10 mm,f=50 Hz,σ=0.1 S/m)

(r=50 cm,r

coil

=10 mm,f=50 Hz,σ=0.1 S/m)×

)

Hz

50

(

)

Hz

50

(

BR

RL

f

J

f

B

=3.271

2

2

mA/m

2

T

100

T

A/m

μ

×

=0.163 5

胴体(その他の組織)に関して f=60 Hz 及び σ=0.1 S/m,並びにコイルに関して距離 r=50 cm 及び r

coil

=10 mm として,

IEEE

規格を適用した場合の限度値を用いた結合係数 a

c

の計算例を,次に示す。

a

c

(r=50 cm,r

coil

=10 mm,f=60 Hz,σ=0.1 S/m)

6

0.050

V/m

701

.

0

mT

904

.

0

Hz

50

Hz

60

S/m

1

.

0

T

A/m

271

.

3

)

Hz

60

(

)

Hz

60

(

Hz

50

S/m

1

.

0

)

S/m

1

.

0

Hz

50

mm

10

cm

50

(

2

BR

RL

coil

=

×

×

×

×

f

E

f

B

f

f

r

r

k

σ

σ

C.2 

結合係数のグラフを用いた評価 

結合係数は,

図 C.5

から決定できる。この方法では,等価コイルの半径(r

coil

)に依存する結合係数の値

が得られる。

図 C.5

人体全身に関する 0.1 S/m

A

sensor

100 cm

2

の結合係数 a

c

(r

1998 年に発行された ICNIRP の指針の限度値を対象に計算した結合係数)

距離 rr

1

l

coil

の r

1

は,

表 A.1

に規定する測定距離である。


28

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

附属書 D 
(参考)

附属書 B の限度値による計算例

D.1 

伝達関数 

1998 年に発行された

ICNIRP

の指針の公衆ばく露の参考レベル B

RL

(f)を用いる場合,

表 D.1

のように伝

達関数を計算できる(50 Hz で正規化した例を示す。

表 D.1

1998

年に発行された ICNIRP の指針の公衆ばく露を用いた伝達関数

(f

1

=10 Hz)≦f≦(f

c1

=800 Hz)

Hz

50

T

000

5

T

50

000

5

)

(

)

Hz

50

(

)

(

RL

0

c

RL

f

f

f

B

f

B

f

A

=

μ

μ

=

=

=

(f

c1

=800 Hz)≦f≦(f

2

=150 kHz)

16

T

25

.

6

T

50

000

5

)

(

)

Hz

50

(

)

(

RL

0

c

RL

=

μ

μ

=

=

=

f

B

f

B

f

A

(f

2

=150 kHz)≦f≦(f

3

=400 kHz)

kHz

2

.

9

T

000

920

T

50

000

5

)

(

)

Hz

50

(

)

(

RL

0

c

RL

f

f

f

B

f

B

f

A

=

μ

μ

=

=

=

IEEE

規格の公衆の磁界最大許容ばく露レベル(

3.2.8

参照)

(頭部及び胴体のばく露)を用いる場合,

D.2

のように伝達関数を計算できる(60 Hz で正規化した例を示す。

表 D.2

IEEE

規格の公衆ばく露を用いた伝達関数

(f

1

=10 Hz)≦f≦(f

c1

=20 Hz)

z

H

20

mT

1

.

18

mT

904

.

0

)

(

)

Hz

60

(

)

(

RL

0

c

RL

f

f

f

B

f

B

f

A

=

=

=

=

(f

c1

=20 Hz)≦f≦(f

2

=759 Hz)

1

mT

904

.

0

mT

904

.

0

)

(

)

Hz

60

(

)

(

RL

0

c

RL

=

=

=

=

f

B

f

B

f

A

(f

2

=759 Hz)≦f≦(f

3

=3.35 kHz)

Hz

759

mT

687

mT

904

.

0

)

(

)

Hz

60

(

)

(

RL

0

c

RL

f

f

f

B

f

B

f

A

=

=

=

=

(f

3

=3.35 kHz)≦f≦(f

4

=100 kHz)

41

.

4

mT

205

.

0

mT

904

.

0

)

(

)

Hz

60

(

)

(

RL

0

c

RL

=

=

=

f

B

f

B

f

A

(f

4

=100 kHz)≦f≦(f

5

=400 kHz)

kHz

68

.

22

T

205

mT

904

.

0

)

(

)

Hz

60

(

)

(

RL

0

c

RL

f

f

f

B

f

B

f

A

=

=

=

注記  周波数 の単位は,全てヘルツ(Hz)とする。


29

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

D.2 

結合係数 

結合係数を

表 D.3

に示す。

表 D.3

結合係数 a

c

(r

1

)

機器のタイプ

a)

測定距離 r

1

cm

結合係数 a

c

(r

1

)

1998 年に発行された

ICNIRP

の指針

結合係数 a

c

(r

1

)

IEEE

規格(60 Hz)

小 0

1.00

0.330

大 0

0.15

0.048

小 10 0.14

0.043

大 10 0.16

0.051

小 30 0.14

0.043

大 30 0.18

0.056

注記 1  最悪状態の仮定では,全身について式(C.7)で計算する。 
注記 2  IEEE 規格の参考レベルは,ICNIRP の指針の参考レベルより 10 倍ほど高いが,結合係数

が小さくなるのは,

“その他の組織”では 35 倍ほど IEEE 規格の値が ICNIRP の指針の基

本制限より高いことによる。この手順は,基本制限に戻って計算する。

a)

  小:磁界発生源は,機器きょう体面内側のすぐ近くにある。

大:磁界発生源は,機器きょう体面から内側に 10 cm∼40 cm 離れている。

D.3 

結合係数の決定例 

附属書 C

で規定するように,結合係数 a

c

(r

1

)は,次の四つのステップで決定する。

ステップ 1  ホットスポットの広がり評価

測定手順を

図 D.1

に,測定結果を

図 D.2

に示す。

1

ホットスポットに接する平面上で測定。

2

球形とした家電機器のモデル。

3

磁界発生源としての等価コイル。

図 D.1

磁束密度の測定


30

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

ステップ 2  等価コイルの決定

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1

0

0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1 0.11 0.12 0.13 0.14 0.15

接線方向距離 r

0

 (m)

磁束

密度

定値

(

正規

化)

正規化測定値

コイルモデル正規化計算値

図 D.2

接線方向距離 r

0

に沿った正規化磁界分布

軸に沿って測定した磁束密度を正規化した曲線(

図 D.2

の正方形付きの曲線)を積分して,G=0.071 66 m

の値が得られる。

ステップ 3  係数 の決定

積分値 の値を用いて,等価コイルの半径 r

coil

を決定する(

表 C.1

参照)

。このステップでは,測定した

家電機器の寸法に依存する距離 l

coil

を知ることが重要である。この例では,l

coil

=70 mm とする。

表 C.1

l

coil

=70 mm の行で,実際の積分値 G=0.071 66 m に最も近い値の G=0.075 35 m を選択して,r

coil

=50 mm

を決定する。

図 D.2

の黒丸付きの曲線は,決定したコイルの径による理論計算による曲線である。この図

からも分かるように,このコイルがよい近似となっている。

ここで,例えば,

表 C.2

で r=7 cm,r

coil

=50 mm として,対象とする機器に依存する r

1

=0 のときの係

数 を決定できる。最も近い値は r=5 cm であり,全身に対して k=3.180(σ=0.1 S/m,A

sensor

=100 cm

2

となる。

ステップ 4  結合係数の計算

5.5.2

及び

5.5.3

に従って測定する場合,重み付けによって 50 Hz と等価になっているので,適切な評価

は既に終わっている。したがって,σ=0.1 S/m のときの結合係数 a

c

(r)は,式(D.1)のようになる。

a

c

(rσ)=k(rf=50 Hz,σ)×50×10

3

2

A/m

T

  (D.1)

これによって,全身の場合の結合係数 a

c

(r)=0.159 となる。


31

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

σ≠0.1 S/m のときの結合係数 a

c

(r)を求める場合は,係数に

S/m

1

.

0

σ

を乗じる。

σ=0.3 S/m(全身)の場合の結合係数の決定例を,次に示す。

a

c

(r)

σ

0.3 S/m

=0.159×

S/m

1

.

0

S/m

3

.

0

=0.477

D.4 

結合係数の決定に関する追加説明 

D.4.1 

均一な人体の数値モデル 

結合係数の計算に用いる均一な人体の数値モデルの寸法を,

図 D.3

に示す。最下部は,回転だ円体の半

分であり,けい骨(すね)のところに下部の頂点があって,短軸及び長軸は,それぞれ 350 mm,1 200 mm

である。中央部は,直径 350 mm の円筒とする。頭部及び肩についての詳細を,

図 D.4

に示す。

単位  mm

図 D.3

均一な人体の数値モデル

原点(0,0,0)

X

Y

Z


32

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

単位  mm

図 D.4

頭部及び肩の形状の詳細

D.4.2 

不均一な磁界の様々な磁界発生源及び係数 の計算 

次に示す不均一な磁界発生源のリストは,全てを示しているものではなく,概要を示している。

・  円形電流ループ

・  方形電流ループ

・  単線電流

・  円形電流コイル

・  ダイポール

ただし,結合係数の計算には,磁界発生源として円形電流ループ(ほかの箇条では等価コイルと表現し

ている。

)だけを用いている。したがって,径の異なる電流ループは,数値モデルに対して最悪状態(磁界

と人体との結合が最大となる。

)となるように配置している。この最悪状態での磁界発生源 Q とモデル K

との位置関係を,

図 D.5

に示す。


33

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

図 D.5

磁界発生源 のモデル に対する位置関係

数値計算の場合は,周波数 に関して,人体組織の導電率 σ(f)を考慮する。最後にオームの法則を当ては

めると,人体モデル内部の電流密度 は,式(D.2)によって求めることができる。

J(rfσ)=σ(fE

1

(rf)  (D.2)

係数 は,数値モデル内部の最大誘導電流密度 J

max

(r)と,モデルの同位置で測定した最大磁束密度

B

max,sensor

(r)との関係を示す。磁界発生源としての電流 I

Q

は任意のものを選択してよいが,J

max

及び B

max,sensor

の計算のときと同じものであることが望ましい。したがって,係数 の決定は,用いるセンサに依存する。

任意のセンサ面積 A

sensor

については,その面積全体の平均磁束密度を計算し,最大磁束密度 B

max,sensor

とす

る。周波数 及び導電率 σ は,係数 に線形の関係があるので,式(D.3)によって係数 を求めることがで

きる。

k(rfσ)=

)

(

)

(

)

(

)

(

sensor

sensor

max

max

i

sensor

sensor

max

max

A

r

B

f

r

E

A

r

B

f

r

J

σ

σ

  (D.3)

均一な磁界では,胴体モデルの導電率を均一として

σ

0.2 S/m

とすればよい。ただし,機器近くの磁界

分布に強い不均一性がある場合,胴体への浸透はごく僅かであるので,

σ

0.1 S/m

を用いることができる。

注記 1

胴体表面近くの

0.1 S/m

の導電率の計算は,胴体導電率の混合体を用いている。

導電率

σ

の詳細な値は,参考文献

[9]

から入手できる。

測定した磁束密度から IEEE 規格の基本制限と比較する

E

i

を計算するために必要となる係数は,式

(D.4)

によって求める。

)

(

)

(

)

(

sensor

sensor

max

max

i

A

r

B

f

r

E

f

r

k

σ

σ

  (D.4)

附属書 の係数

k

を決定するときは,数値解析手法としてモーメント法(

MoM

[5]

を用いている。

例 1

距離

r

10 cm

のときの半径

r

coil

20 mm

,電流

I

Q

100 A

の円形コイルの場合,結果は,胴体モ

デル(

σ

0.1 S/m

f

50 Hz

)で誘導電流密度

J

max

14.956 μA/m

2

となる。

100 cm

2

センサの平均

磁束密度を計算した場合,

2

cm

100

sensor

max,

=

B

5.468 35 μT

となる。したがって,係数

k

を計算した

場合,式

(D.5)

のようになる(

表 C.2 

r

10 cm

のときの

r

coil

20 mm

の係数

k

参照)


34

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

(

)

T

A/m

735

.

2

T

35

468

5

m

A

956

14

S/m

1

.

0

Hz

50

cm

10

2

2

μ

μ

=

=

=

=

.

.

f

r

k

σ

  (D.5)

例 2

  距離 r=10 cm のときの半径 r

coil

=20 mm,電流 I

Q

=100 A の円形コイルの場合,結果は,人体頭

部モデル(球半径 r

sphere

=10.5 cm,σ=0.15 S/m,f=60 Hz)で,誘導電流密度 J

max

=19.17 μA/m

2

である。100 cm

2

センサの平均磁束密度を計算した場合,

2

cm

100

sensor

max,

=

B

=5.468 35 μT となる。

したがって,係数 は,式(D.6)のようになる。

(

)

T

A/m

627

505

.

3

T

35

468

5

m

A

17

.

19

S/m

15

.

0

Hz

60

cm

10

2

2

μ

μ

=

=

=

=

.

f

r

k

σ

及び

(

)

T

V/m

847

370

.

23

S/m

0

T

A/m

627

505

.

3

S/m

15

.

0

S/m

15

.

0

Hz

60

cm

10

2

=

.15

=

=

=

=

=

σ

σ

f

r

k

  (D.6)

通常,数値計算の結果は,胴体モデルの電界の強さ E

i

となる(

D.4.3

参照)

。誘導電界の大き

さ E

i

の計算(

IEEE

規格で用いるような)は,係数 を の計算に用いる導電率 σ で除すこと

で行うことができる。

したがって,誘導電界の大きさ E

i,max

は,式(D.7)のようになる。

(

)

)

cm

100

cm,

10

(

S/m

15

.

0

S/m

15

.

0

Hz

60

cm

10

2

sensor

sensor

max,

max

i

=

=

×

=

=

=

=

=

A

r

B

f

r

k

E

,

σ

σ

=23.370 847

T

V/m

×5.468 35 μT=127.8 μV/m  (D.7)

注記 2

  限度値に関しての数値は,

附属書 B

に記載する。

D.4.3 

誘導電流密度の計算 

D.4.1

及び

D.4.2

に記載するモデル及び手順に適したものである場合,どのような数値解析法及び計算ソ

フトウェアパッケージを用いてもよい。このような方法として一般に用いている方法には,次のようなも

のが挙げられる。

・ BEM(境界要素法)

・ FDFD(周波数領域有限差分法)

・ FDTD(時間領域有限差分法)

・ FEM(有限要素法)

・ FIT(有限積分法)

・ MoM(モーメント法)

・ SPFD(スカラポテンシャル有限差分法)

・ IM(インピーダンス法)

RF(無線周波)向けソフトウェアコードを用いる場合は,周波数換算(スケーリング)法[4]の利用が可

能である。どのような磁界発生源でも,より高い周波数 f'(0.5 MHz 以下に対して磁界の準定常的性質を

保証する。

)で計算できる。この計算の場合,周波数 ff'ではない。

)における組織の導電率を考慮する。

この計算で,周波数 f

 

'における電界の強さ E

 

'が得られる。ここで,周波数 に電界の強さ を式(D.8)によ

って換算(スケーリング)する。


35

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

'

'

E

f

f

E

×

=

  (D.8)

これによって,対象の周波数 での値が決まる。最後に,式(D.9)のように,オームの法則を当てはめれ

ば,電流密度 を計算できる。

E

f

J

×

=

)

(

σ

   (D.9)


36

C 1912

:2014 (IEC 62233:2005)

参考文献

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[9]  Italian National Research Council; Institute for Applied Physics: Calculation of the Dielectric Properties of

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300 GHz). Health Phys., 1998, vol. 41, no. 4, pp. 449-522

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Measurement, ISBN 92-67-10188-9.

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[19] NISHIZAWA, S., RUOSS, H–O., LANDSTORFER, F. and HASHIMOTO, O. Numerical study on an

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IEEE C95.1

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Electromagnetic Fields, 3 kHz to 300 GHz

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,Exposure to electric or magnetic fields in the low and intermediate frequency range−Methods

for calculating the current density and internal electric field induced in the human body−Part 1: General

[23]

IEC 62226-2-1

,Exposure to electric or magnetic fields in the low and intermediate frequency range−Methods

for calculating the current density and internal electric field induced in the human body−Part 2-1: Exposure to

magnetic fields−2D models

[24] Guidance on Determining Compliance of Exposure to Pulsed Fields and Complex Non Sinusoidal Waveforms

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JIS C 61000-3-2

  電磁両立性−第 3-2  部:限度値−高調波電流発生限度値(1 相当たりの入力電流が

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ICNIRP

. Guidelines for limiting exposure to time-varying electric, magnetic and electromagnetic fields (1

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