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C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

(1)

目  次

ページ

序文  

1

1

  適用範囲  

1

2

  引用規格  

1

3

  用語及び定義  

2

4

  電界及び磁界の測定原理  

2

4.1

  一般的事項  

2

4.2

  測定器  

2

4.3

  高調波成分  

3

4.4

  測定結果の記録  

3

4.5

  測定時の留意点  

4

5

  電界及び磁界の基本的測定手順  

5

5.1

  一般的手順  

5

5.2

  点測定  

5

5.3

  点測定  

6

5.4

  点測定  

6

6

  電界への最大ばく露レベルを探すための測定手順  

7

6.1

  架空送配電線  

7

6.2

  地中ケーブル  

7

6.3

  変電所及びその他の電力システム機器 

7

7

  磁界への最大ばく露レベルを探すための測定手順  

8

7.1

  架空電力線  

8

7.2

  地中ケーブル  

8

7.3

  変電所及びその他の電力システム機器 

9

附属書 A(参考)交流架空送配電線から発生する電界の特性  

10

附属書 B(参考)交流電力システムが発生する磁界の特性  

21

附属書 C(参考)平均ばく露レベルに関する 点測定の概念  

34

附属書 D(参考)電界及び磁界測定報告書の書式例  

39

附属書 E(参考)参考文献  

41


 
C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

(2)

まえがき

この規格は,工業標準化法第 12 条第 1 項の規定に基づき,一般社団法人電気学会(IEEJ)及び一般財団

法人日本規格協会(JSA)から,工業標準原案を具して日本工業規格を制定すべきとの申出があり,日本

工業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が制定した日本工業規格である。

この規格は,著作権法で保護対象となっている著作物である。

この規格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願又は実用新案権に抵触する可能性があることに注意

を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は,このような特許権,出願公開後の特許出願及び実

用新案権に関わる確認について,責任はもたない。


日本工業規格

JIS

 C

1911

:2013

(IEC 62110

:2009

)

交流電力システムから発生する電界及び磁界の強さ

−公衆の人体ばく露を考慮した測定手順

Electric and magnetic field levels generated by AC power systems-

Measurement procedures with regard to public exposure

序文 

この規格は,2009 年に第 1 版として発行された IEC 62110 を基に,技術的内容及び構成を変更すること

なく作成した日本工業規格である。

なお,この規格で点線の下線を施してある参考事項は,対応国際規格にはない事項である。

適用範囲 

この規格は,交流電力システムから発生する電界及び磁界の,人体へのばく露レベルを評価するための

測定手順について規定する。この規格は,直流電力システムには適用しない。

この規格は,居住環境及び公衆が立入り可能な場所における公衆の人体ばく露に適用する。

この規格は,電界及び磁界の基本的な測定手順について規定するとともに,人体ばく露に関しては,人

体が占める空間平均に相当する電界及び磁界の強さを得るための基本的な測定手順について規定する。

この規格は,電力システムの運用及び/又は保守に関連するような職業的ばく露には適用しない。その

ようなばく露は,配電用変電所,送電用変電所若しくは発電所の内部,地中ケーブル用のマンホール若し

くはトンネルの内部,又は架空送電鉄塔上若しくは電柱上での作業時に生じることが考えられる。

注記 1  鉄道用電気設備は別の規格で規定されているため,この規格の対象外である(3.7 参照)。

注記 2  この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を,次に示す。

IEC 62110:2009

,Electric and magnetic field levels generated by AC power systems−Measurement

procedures with regard to public exposure(IDT)

なお,対応の程度を表す記号“IDT”は,ISO/IEC Guide 21-1 に基づき,

“一致している”

ことを示す。

引用規格 

次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成する。この引用

規格は,その最新版(追補を含む。

)を適用する。

JIS C 1910

  人体ばく露を考慮した低周波磁界及び電界の測定−測定器の特別要求事項及び測定の手

引き

注記  対応国際規格:IEC 61786,Measurement of low-frequency magnetic and electric fields with regard

to exposure of human beings−Special requirements for instruments and guidance for measurements

(IDT)



C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

用語及び定義 

この規格で用いる主な用語及び定義は,JIS C 1910 によるほか,次による。

注記  “磁束密度”と“磁界強度”とを区別することは,磁性材料中の磁界を考える場合だけに意味

がある。空気中については,両方の量を表す共通の用語として“磁界”を用いることが一般的

である。

3.1

1

点測定(single-point measurement)

均一な電界及び磁界の場合に適用する,規定する高さでの電界及び磁界の強さを測定する手順。

注記  電界及び磁界を均一とみなすことができる条件を,5.1 に規定する。

3.2

3

点測定(three-point measurement)

不均一な電界及び磁界の場合に適用する,ある地点の規定する三つの高さでの電界及び磁界の強さを測

定する手順。

3.3

5

点測定(five-point measurement)

床下又は地面下にある発生源から発生する不均一な電界及び磁界の場合に適用する,規定する高さでの

5 点の電界及び磁界の強さを測定する手順。

3.4

平均ばく露レベル(average exposure level)

人体がばく露される電界及び磁界の,全身にわたる空間平均値。

3.5

3

点平均ばく露レベル(three-point average exposure level)

3 点測定で得られた三つの値の算術平均値,又は 5 点測定で得られたうちの大きい方から三つの値の算

術平均値。

注記  この算術平均値は,ある地点における平均ばく露レベルの推定値として用いる。

3.6

最大ばく露レベル(maximum exposure level)

測定対象区域における 1 点測定の最大値,又は平均ばく露レベルの最大値。

3.7

電力システム(power system)

架空送配電線,地中ケーブル,変電所及びその他の送配電機器からなるシステム。ただし,鉄道用電気

設備は別の規格で規定されているため,この規格の対象外である。

電界及び磁界の測定原理 

4.1 

一般的事項 

電界及び磁界の測定に関する一般的情報及び要求事項については,JIS C 1910 によるほか,参考事項と

して CIGRE(国際大電力システム会議)技術冊子[6][8],IEEE(米国電気電子学会)規格[7][9]など,その

他の技術文書を参照する。

4.2 

測定器 

電界及び磁界を測定するための測定器は,JIS C 1910 に規定した校正及び仕様に対する要求事項を満足


3

C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

しなければならない。このような測定器は,特に電磁両立性,温度及び湿度に関し,製造業者が推奨する

適切な条件下で使用することが望ましい。

3 軸の測定器では,合成電界及び合成磁界の実効値 F

r

を測定する。単軸の測定器では,F

x

F

y

及び F

z

を測定することによって,式(1)から F

r

を求めることができる。

2

z

2

y

2

x

r

F

F

F

F

+

+

=

  (1)

ここに,  F

x

F

y

及び F

z

: 電界又は磁界の直交する 3 軸の各成分の実効値

電界及び磁界に高調波が含まれない場合には,F

max

及び F

min

を測定することによって,式(2)から F

r

を求

めることもできる。

2

min

2

max

r

F

F

F

+

=

  (2)

ここに,  F

max

: 電界及び磁界だ円の半長径の実効値

F

min

電界及び磁界だ円の半短径の実効値

4.3 

高調波成分 

高調波は一般的に,非線形の機器から発生する。高調波は,送電線及び配電線で検出されることがある。

通常,交流配電システムにおける電圧の全高調波ひずみ([3]及び[4]を参照)は僅かであり,ばく露レベル

に対して実質的な影響を及ぼすことはないため,高調波成分を定量化する必要はない。交流送電システム

では更に高調波成分が少ない。

電界及び磁界の高調波成分を無視できない可能性がある場合には,JIS C 1910 によって,電界及び磁界

の高調波成分を推定する既存の手法を用いることが望ましい。高調波の周波数を考慮に入れた電界及び磁

界は,適用する規格(例えば[5])が定めた手順に従って評価することが望ましい。

4.4 

測定結果の記録 

測定報告書には,次の情報を記録することが望ましい。

−  測定を行った日付,時刻及び天候(例えば晴れ,雨,雪,風況など)

−  温度及び湿度(電界測定の場合)

−  入手できる場合には,電力システムの種類(架空送配電線,ケーブル,変電所など)及び公称電圧,

並びに電界及び磁界を発生する架空導体及び/又は地中ケーブルの配列及び相順

−  入手できる場合には,測定器に関する情報[測定器製造業者,形式,プローブの寸法及び形状,種類

(浮遊電位形電界測定器,接地式電界測定器,フラックスゲート式磁界測定器,コイルプローブ又は

ホール効果プローブ)

,強度範囲,通過帯域幅及び最終校正日]

−  測定における不確かさの推定

注記 1  測定における不確かさは,例えば JIS C 1910 が規定している手順によって推定することが

できる。

−  測定を実施した人及び機関の名称

−  測定を実施した点の地表からの高さ又は床面からの高さ

−  対象となる電力システムと測定位置との関係

−  測定を建築物内で行った場合には,室内における測定位置

−  測定した電界又は磁界の強さ

−  どの電界及び磁界量を報告しているかの明示。例えば電界及び磁界の合成値,電界及び磁界の直交す

る 3 軸の各成分の実効値,電界及び磁界だ円の半長径又は半短径の実効値など



C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

−  測定位置近くにある他の電界及び磁界の発生源の種類,位置及び運転条件

−  測定位置及び他の電界及び磁界の発生源を含む測定区域の図及び/又は写真

−  電界測定の場合,固定した物体及び移動可能な物体の種類,材質,寸法及び位置

−  磁界測定の場合,磁性体又は非磁性の導体から成る固定した物体及び移動可能な物体の種類,材質,

寸法及び位置

−  必要に応じ,磁界測定時の電流値

注記 2  こうした負荷電流値を得るのが困難な場合もあり得る。また低電圧の配電システムの場合

には,零相電流の方がより意味のあるパラメータである可能性もある。

注記 3  負荷電流の変動を調査する一つの可能な方法として,別の磁界測定器を固定位置に設置す

ることが考えられる([6]参照)

−  顕著な場合には,高調波成分

測定結果を計算値及び/又は他の測定結果と比較する場合に,上記の情報が重要となる。

測定報告書の例を,

附属書 に示す。

4.5 

測定時の留意点 

4.5.1 

電界及び磁界の向き 

4.5.1.1 

電界 

電界測定器には,単軸及び 3 軸があるが,3 軸を用いるのが望ましい。

導体表面近くの電界は,表面と直交する。したがって,特に架空送配電線から生じる電界の場合,地表

面の近くでは,水平成分を無視することができる。そのため地表近くでは単軸測定(垂直成分)で十分で

ある。架空送配電線下の地表からの高さ 1.0 m の地点で計算した電界の強さの例を A.3.3 に示す。これら

の例から,地表面からの高さ 1.0 m における垂直成分は,合成値とほぼ同じであることが分かる(

図 A.9

及び

図 A.10 を参照)。

導電性の物体が存在している場合

4.5.2.1 参照)

,又は地表面と架空送配電線との間隔が小さい場合には,

特に注意を払わなければならない。

4.5.1.2 

磁界 

磁界の測定は,3 軸の測定器を用いて合成磁界を求めることが望ましいが,単軸測定器を使用する特別

の理由がある場合はその限りではない(単軸測定器を使用する理由とは,磁界の方向及び磁界だ円の半長

径の実効値を知りたい場合,磁界だ円の方向と形状を調べたい場合及び直線磁界の方向が既知である場合

である。ただし,これらの場合の測定手順はこの規格では取り扱わない。

。適切な 3 軸測定器が入手でき

ない場合,測定を行った時間中に磁界の強さが変化していなければ,単軸測定器を用いて式(1)又は式(2)

によって合成磁界を算出してもよい。この場合,非導電性材料でできた固定具を利用して,プローブを直

交する 3 方向に向けることで,測定時間を短縮できる。

注記  3 軸測定器は,三つの成分を順番に測定することが多く,磁界が変化している場合には,この

点に留意することが望ましい。

一般に,送電線下の磁界だ円の半短径の実効値は,半長径の実効値に比べてかなり小さい。このような

場合には,単軸測定器を使用してもよい(B.3.3 参照)

4.5.2 

測定位置 

4.5.2.1 

電界 

ある位置においてひずみのない

1)

 電界を測定するためには,周辺に他の電力線,鉄塔,樹木,フェンス,

背の高い草木又はその他の物体ができる限り存在しないことが望ましい。測定位置は比較的平たん(坦)


5

C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

であることが望ましい。電界の強さは植物に大きく影響される点に留意することが望ましい。一般に,個々

の植物の上方では電界が強まり,植物の側面近くでは電界は減衰する。電界がどれほど乱れるかは,植物

の水分含有量によって大きく左右される。

可能であれば,移動可能な物体は全て取り除くことが望ましい。それができない場合には,プローブと

その物体との距離を,物体の高さの 3 倍以上(固定していない物体)又は 1.0 m 以上(固定した物体)に

することが望ましい[6]。

これらの推奨を実現することができない場合には,その旨を測定報告書に明示することが望ましい。

1)

  ここでは,

“空間的に乱れがない”ことを意味しており,

“高調波によって波形がひずんでいる”

こととは異なる。

4.5.2.2 

磁界 

ひずみのない磁界の値を測定するには,磁性材料又は非磁性導体を含んでいる固定していない物体を,

測定位置からその物体の最大寸法の 3 倍以上の距離に離しておくことが望ましい。ひずみのない磁界を正

確に測定するためには,プローブと固定した磁性物体との距離は 1.0 m 以上とするのがよい[7]。

これらの推奨を実現することができない場合には,その旨を測定報告書に明示することが望ましい。

4.5.3 

電界測定における測定者によるひずみの影響 

測定する電界のひずみを低減するため,電界測定器と測定者との距離を 1.5 m 以上,できれば 3 m 確保

するのがよい[6]。これは,非導電性の支持物に取り付けたプローブとモニターとを光ファイバーケーブル

で接続することによって実現できる。

4.5.4 

磁界測定における他の発生源の影響 

電力システム以外の磁界発生源が,測定地点近くに存在している場合,測定結果に及ぼす影響を最小化

するため,可能であればそうした磁界発生源の電源を切るか又は移動することが望ましい。これが困難な

場合,これらの磁界発生源に関する必要な情報,例えば磁界発生源の種類,測定地点に対する相対位置な

どを測定報告書に記録することが望ましい。

4.5.5 

電界測定における湿度条件 

相対湿度が 70 %を上回る場合,プローブ及び支持物への結露によって,正しく電界が測定できなくなる

可能性がある[6]。湿度による影響は電界測定器によって異なるため,そうした条件下で電界測定器が正し

く作動するかどうかを測定前に確認しておくことが望ましい。

電界及び磁界の基本的測定手順 

5.1 

一般的手順 

ここでは 1 点測定,3 点測定及び 5 点測定のそれぞれの測定手順を定める。

架空送配電線下で電界及び磁界の強さを測定する場合,

地表近くの電界及び磁界は均一と考えられる

(そ

の根拠については B.3.2.1 参照)

。したがって,その場合は 1 点測定で十分である。地中ケーブル,屋内変

電所などの近くでは,電界及び磁界は不均一と考えられ

 2)

,3 点測定又は 5 点測定を用いなければならな

い。

2)

  本文では“地中ケーブル,屋内変電所などの近くでは,電界及び磁界は不均一と考えられ”と

あるが,地中ケーブルについては,その構造及び地下に埋設されていることから,事実上地上

に電界を作り出すことはない。

5.2 1

点測定 

電界又は磁界が均一と考えられる場合,対象地点における電界又は磁界の強さは,地表又は建築物内の



C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

床面から 1.0 m の高さで測定することが望ましい。この測定によって得られた電界又は磁界の強さを“平

均ばく露レベル”とする(

附属書 及び附属書 を参照)。

必要があれば 1.0 m 以外の高さで測定してもよいが,その場合には実際の測定した高さを測定報告書に

明示することが望ましい。

5.3 3

点測定 

電界又は磁界が不均一と考えられる場合,対象地点における電界又は磁界の強さは,地表面又は建築物

内の床面から 0.5 m,1.0 m 及び 1.5 m の高さの 3 点で測定することが望ましい。電力設備の近傍又は建築

物内では,電力設備の表面,境界又は壁面から水平に 0.2 m 離れた位置で測定することが望ましい。この

測定によって得られた電界又は磁界の強さの“3 点平均ばく露レベル”を“平均ばく露レベル”とする(

属書 参照)。

設備の高さが 1.5 m 未満の場合,3 点測定は設備の最上部の高さと同じ高さを最も高い位置とする等間

隔の三つの高さで行わなければならない(

図 参照)。

必要があれば 0.5 m,1.0 m 及び 1.5 m 以外の高さで測定してもよいが,その場合には実際の測定した高

さを測定報告書に明示することが望ましい。

注記  適用する規格が空間平均を認めていない場合(例えば[2]の場合),3 点の測定値の中で最大の値

を用いることが望ましい。

単位  m

図 1点測定の高さ

5.4 5

点測定 

電界及び磁界発生源が地下又は床下にあり,人がその上方に横たわる可能性が高い場合には,次のとお

り 5 点測定を行うことが望ましい(

図 参照)。

a)

最大磁界の値及び位置を検出するために,地表面又は床面から 0.2 m の高さで磁界の強さを走査する。

b)  2

番目に大きい磁界の値及び位置を,最大磁界の位置を中心とする半径 0.5 m の円周上で探す。

c)

この 2 番目に大きい値の位置及び円周上で対称になる位置においても測定を行う。

d)

ここまでに測定した 3 点を結ぶ直線と,最大磁界の位置で直交する直線とが,円周と交わる点 2 か所

で,それぞれ測定を行う。

ここまで測定した 5 点の測定値のうち,大きい方から三つ目までの値の平均値を算出する。この平均値

を“平均ばく露レベル”とする。

注記  実際には,動かすことのできない家具,部屋の壁などがある場合には,それらを考慮してこの

手順を適用する必要がある。

人が地表又は床の上に横たわる可能性が低い場合には,5.3 の 3 点測定を行う。

0.2

0.2

0.5

0.5

0.5

H

H

H/3

H/3

H/3

測定点

H < 1.5

1.5


7

C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

破線は地表面又は床面を表す。

測定点

測定値

(例)

採用する

平均ばく露レベルの計算例

(

)

6

3

5

P

2

P

1

P

average

=

+

+

=

B

      ここに,B

average

:平均ばく露レベル(μT)

              P1,P2,P5  :それぞれ測定点 P1,P2,

  P5 の測定値

P1 10

µT ○

P2 5

µT

P3 1

µT

P4 2

µT

P5 3

µT

図 2点測定

電界への最大ばく露レベルを探すための測定手順 

6.1 

架空送配電線 

架空送配電線下の電界の強さは,導体からの距離,導体間隔及び相順を含む多くの要因,並びに線路電

圧によって変化する(

附属書 参照)。

最大電界の強さは,径間において,導体が地表に最も近くなる地点の導体下に見られる。したがって,

電界の強さが最大となる位置を見つけるために,まず架空送配電線に平行な直線を想定し,その直線上で

可能であれば適当な間隔を置きながら,地表面から 1.0 m の高さで電界の強さを測定することが望ましい

(線路方向の分布)

。次に,別のピークがあるかどうかを確認するため,線路方向の分布が最大になる位置

で架空送配電線に直交する直線を想定し,その直線に沿って地表面から 1.0 m の位置で測定を行うことが

望ましい(断面方向の分布)

対象区域内において電界の強さが最大となる位置が既に分かっている場合には,その位置で 1 点測定を

行うことが望ましい。

導体が対象区域外の上空を通過している場合であっても,最大ばく露レベルを見つけるプロセスは同様

で,その導体と平行な線路方向の分布を測定することが望ましい。

[6],[7]  などの幾つかの文献は,架空送配電線周囲における電界の強さの分布を得るための詳細な手順

を示している。

6.2 

地中ケーブル 

地中ケーブルが地上に電界を作り出すことはなく,したがって電界測定は不要である。

6.3 

変電所及びその他の電力システム機器 

架空送配電線(6.1 参照)及び架空送配電線が接続される変電所を除き,電力システム機器は一般公衆が

立入り可能な区域に電界を発生することはなく,したがって電界測定は不要である。

0.5 m

0.5 m

0.5 m

0.5 m

0.2 m

0.2 m

0.2 m

P1

P3

P4

0.2 m

最大点

90  °

2 番目に大きい点

P2

P5

測定点(P1∼P5)

直交線上の点(P4)

2 番目に大きい点(P2)

(円周上の最大点)

最大点(P1)

直交線上の点(P5)

P2 の対称点(P3)

0.5 m

円周



C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

架空送配電線が接続される変電所については,対象区域内で電界の強さが最大である地点を検出するた

めに,変電所周囲において適当な間隔を置きながら,地表面から 1.0 m の高さ,かつ,変電所から水平に

0.2 m 離れた位置で,電界の強さを測定することが望ましい。

最大電界の強さを検出した位置において,3 点測定を行うことが望ましい(5.3 参照)

対象区域内において電界の強さが最大となる位置が既に分かっている場合には,その位置で 3 点測定を

行うことが望ましい。

変電所の場合,最大電界は通常,架空送配電線が変電所に到達した位置の線下に生じる。このような架

空送配電線下での電界測定は,6.1 に示した手順に従って行うことが望ましい。

磁界への最大ばく露レベルを探すための測定手順 

7.1 

架空電力線 

架空送配電線下の磁界の強さは,導体からの距離,導体間隔及び相順を含む多くの要因並びに線路の電

流によって変化する(

附属書 参照)。

最大磁界の強さは,径間において,導体が地表に最も近くなる地点の導体下に見られる。したがって,

磁界の強さが最大となる位置を見つけるためには,まず架空送配電線に平行な直線を想定し,その直線上

で,可能であれば適当な間隔を置きながら,地表面から 1.0 m の高さで磁界の強さを測定することが望ま

しい(線路方向の分布)

。次に,別のピークがあるかどうかを確認するため,線路方向の分布が最大になる

位置で架空送配電路に直交する直線を想定し,その直線に沿って地表面から 1.0 m の位置で測定を行うこ

とが望ましい(断面方向の分布)

架空送配電線下の磁界は,均一と考えられる(5.1 参照)

対象区域内において磁界の強さが最大となる位置が既に分かっている場合には,その位置で 1 点測定を

行うことが望ましい。

導体が対象区域外の上空を通過している場合であっても,最大ばく露レベルを見つけるプロセスは同様

で,その導体と平行な線路方向の分布を測定することが望ましい。

[6],[7]  などの幾つかの文献は,架空送配電線周囲における磁界の強さの分布を得るための詳細な手順

を示している。

7.2 

地中ケーブル 

地中ケーブルに直交する直線を想定し,その直線に沿って適当な間隔を置きながら地表面から 1.0 m の

高さで磁界の強さを測定することが望ましい

(断面方向の分布)

最大磁界の強さを検出した位置において,

3 点測定を行うことが望ましい(5.3 参照)。

磁界は,地中ケーブルに沿っておおむね一定であるが,ケーブル処理空間,マンホールなどの特殊な場

所又は埋設深さが変化している場合はその限りではない。ケーブル経路に沿って高さ 1.0 m で測定を行い,

最大磁界の強さを求めることによってこのような場所を検出することができる(線路方向の分布)

。最大磁

界の強さを検出した位置において,上記(断面方向の分布)と同じ手順で測定を行うことが望ましい。

特に詳細な調査を必要とする対象区域がある場合

 3)

には,上記(線路方向及び断面方向の分布)と同一

の手順による測定を繰り返してもよい。

対象区域内において磁界の強さが最大となる位置が既に分かっている場合には,その位置で 3 点測定を

行うことが望ましい。

3)

  例えば,地中ケーブルの埋設状況が不明確な場合。


9

C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

7.3 

変電所及びその他の電力システム機器 

電力システム機器又は変電所の周囲において,機器表面又は変電所境界から水平に 0.2 m 離れた位置で,

適当な間隔を置きながら地表面から 1.0 m の高さで磁界の強さを測定することが望ましい。機器の高さが

1.5 m 未満である場合には,1.0 m の代わりに,機器の最上部の高さで磁界の強さの測定を行うことが望ま

しい。最大磁界の強さを検出した位置において,3 点測定を行うことが望ましい(5.3 参照)

対象区域内において磁界の強さが最大となる位置が既に分かっている場合には,その位置で 3 点測定を

行うことが望ましい。

変電所の場合,最大磁界は通常,架空送配電線又は地中ケーブルが変電所に到達した位置の線下又は地

中ケーブル上に生じる。このような位置での磁界測定は,7.1 及び 7.2 にそれぞれ示した手順に従って行う

ことが望ましい。

機器表面又は変電所境界により近付いたところでは,局所的により高い磁界の強さが検出される場合が

ある。しかし,このような磁界の強さは,通常の状況における一般公衆の平均ばく露レベルを代表する値

とは考えられない。

屋内変電所の上方区域が利用されており,人がその床に横たわる可能性が高い場合,5 点測定を行うこ

とが望ましい(5.4 参照)

人が床に横たわる可能性が低い場合には,3 点測定を行うことが望ましい。


10 
C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

附属書 A

(参考)

交流架空送配電線から発生する電界の特性

A.1 

一般的事項 

一般に,考慮する必要がある電界を発生するのは高電圧の架空送電線だけである。低電圧の架空配電線

若しくは配電設備の近く,又は変電所の周囲における電界の強さは低い。地中ケーブルはシールドされて

いるため,外部に電界を発生させることはない。

この附属書は,架空送電線から発生する電界の空間分布の計算例を示す。

A.2 

電界の強さの一般的な計算手順 

線電荷密度が λ で地表面に平行な直線導体から距離 における電界強度 は,式(A.1)によって表す。

r

E

1

2

0

ε

λ

π

=

  (A.1)

ここに,

ε

0

真空の誘電率。

8.854

×

10

-12

 F/m

に等しい。

大地の導電性を考慮すると,

図 A.1 に示すとおり,高さ−

h

における鏡像線電荷密度−

λ

の直線導体を用

いて,任意の点

P

における

E

を式

(A.2)

によって計算することができる。

1

0

1

1

2

R

E

ε

λ

π

=

及び

2

0

2

1

2

R

E

ε

λ

π

=

(A.2)

ここに,

E

1

λ

の直線導体によって点 P に生じる電界強度

E

2

λ

の直線導体によって点 P に生じる電界強度

R

1

λ

の直線導体から点 P までの距離。式(A.3)による。

R

2

λ

の直線導体から点 P までの距離。式(A.3)による。

2

p

2

p

c

1

)

(

)

(

Y

h

X

X

R

+

=

及び

2

p

2

p

c

2

)

(

)

(

Y

h

X

X

R

+

+

=

  (A.3)

ここに,

Y

p

点 P の高さ

X

c

λ

及び−

λ

の直線導体の X 座標

X

p

点 P の X 座標


11

C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

図 A.1−線電荷による電界

電界ベクトル E

1

及び E

2

は,直交成分

E

1x

及び

E

1y

,並びに

E

2x

及び

E

2y

に分解でき,式(A.4)及び式(A.5)

で表される。

1

c

p

1

1

R

X

X

E

E

x

=

及び

1

p

1

1

R

Y

h

E

E

y

=

   (A.4)

2

c

p

2

2

R

X

X

E

E

x

=

及び

2

p

2

2

R

Y

h

E

E

y

+

=

   (A.5)

したがって,電界ベクトル の直交成分 E

x

及び E

y

は式(A.6)となる。

π

=

2

2

c

p

2

1

c

p

0

2

R

X

X

R

X

X

E

x

ε

λ

及び

+

+

π

=

2

2

p

2

1

p

0

2

R

Y

h

R

Y

h

E

y

ε

λ

  (A.6)

点 P における電界強度 は式(A.7)で表される。

2

2

y

x

E

E

E

+

=

  (A.7)

導体表面の電位

V

は式(A.8)となる。

a

h

V

2

ln

2

0

ε

λ

π

=

  (A.8)

ここに,

a

導体の半径

図 A.2 に示すように複数の導体がある場合,式(A.8)は行列になる。

[ ][ ] [ ]

V

P

=

λ

  (A.9)

行列[P]は,電位係数行列であり,式(A.10)及び式(A.11)で表される。

i

 = 1∼

n

のとき





π

=

i

i

0

ii

2

ln

2

1

r

h

P

ε

  (A.10)

i

j

のとき



π

=

ij

ij

0

ij

ln

2

1

d

D

P

ε

  (A.11)

E

1x

E

1

E

E

2

P

λ

Y

p

X

c

X

p

R

1

R

2

h

E

1y

X

O

h

Y

λ

地表


12 
C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

ここに,

n: 導体数

D

ij

導体 と導体 の鏡像との距離

d

ij

導体 と導体 との距離

r

i

導体 の半径

図 A.2−地表面を含む一般的な多相導体系

架空送電線下の電界の強さを計算する場合には,

図 A.2 に示す線電荷の分布系を利用することができる。

交流電力線の場合,導体 が各相の導体に対応する。相導体 が素導体の束で構成され,その素導体の数

が n

b

で,各素導体が正多角形の各頂点に位置している場合,r

i

は式(A.12)によって等価な幾何学的半径 r

ei

に置き換えることができる(

図 A.4 参照)。

(

)

b

b

1

1

b

0

b

ei

sin

2

n

n

n

S

r

n

r







π

=

  (A.12)

ここに,

n

b

素導体の数

r

0

素導体の半径

S: 隣接する素導体間の距離

線電荷密度 λ

i

は線形連立方程式(A.9)で求めることができる。

導体 が発生する電界ベクトルの点 P における成分 E

xi

及び E

yi

は,式(A.14)を用いて,式(A.13)で表され

る。

π

=

2

i

2

p

ci

2

i

1

ci

p

0

i

xi

2

R

X

X

R

X

X

E

ε

λ

及び

+

+

π

=

2

i

2

p

i

2

i

1

p

i

0

i

yi

2

R

Y

h

R

Y

h

E

ε

λ

 ·· (A.13)

2

p

i

2

p

ci

i

1

)

(

)

(

Y

h

X

X

R

+

=

及び

2

p

i

2

p

ci

i

2

)

(

)

(

Y

h

X

X

R

+

+

=

  (A.14)

ここに,

X

ci

λ

i

及び−λ

i

の直線導体の X 座標

2

n

相導体

d

ij

D

ij

半径, r

X

ci

X

p

R

1i

R

2i

鏡像導体

E

i

E

xi

E

yi

P

地表

1

半径, r

i

Y

h

i

h

i

Y

p


13

C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

架空送電線全体では,点 P における各成分の総和は式(A.15)となる。

=

=

n

i

E

E

1

xi

x

及び

=

=

n

i

E

E

1

yi

y

  (A.15)

A.3 

架空送電線が発生する電界の例 

A.3.1 

電界の空間分布 

図 A.3 は,2 回線垂直配列の 77 kV 架空送電線が発生する電界の強さの空間分布を計算した例である。

各導体の半径は,12.65 mm である。順相及び逆相の両方を考慮している(

図 A.3 参照)。電界の強さは,

地上 1.0 m の高さにおいて,送電線の中心からの距離の関数として計算している。

図 A.3−架空送電線下における電界の強さの空間分布(77 kV回線垂直配列)

図 A.4 は,1 回線水平配列の 500 kV 架空送電線が発生する電界の強さの空間分布を計算した例である。

各導体の半径は 14.25 mm である。電界の強さは,地上 1.0 m の高さにおいて,送電線の中心からの距離の

関数として計算している。各相は,それぞれ半径 14.25 mm の導体 4 本で構成されており,隣接する導体

の間隔は 400 mm である。したがって,式(A.12)によって得られる等価な幾何学的半径 189.5 mm を計算に

用いる。

図 A.4−導体束をもつ架空送電線下における電界の強さの空間分布(500 kV回線水平配列)

3.2 m

3.2 m

3.5 m

3.5 m

3.8 m

3.8 m

3.0 m

3.0 m

1.0 m

地表

距離(m)

11.0 m

0

100

200

300

400

500

600

700

800

900

A

B

C

A

B

C

Untransposed

A

B

C

C

B

A

transposed

phase sequence

0

100

200

300

400

500

600

700

800

900

-

-

-

0

30

20

10

10

20

30

距離(m)

電界(V/m)

A

B

C

A

B

C

順相

A

B

C

C

B

A

逆相

位相配列

導体

0

1 000

2 000

3 000

4 000

5 000

6 000

7 000

8 000

9 000

10 000

距離(m)

-

-

-

0

30

20

10

10

20

30

10.0 m

10.0 m

地表

距離(m)

11.0 m

1.0 m

14.25 mm

189.5 mm

4導体

素導体半径 r

i

 

等価半径 r

ei

換算

単導体

400 mm

S

S

 

導体

C

B

A

位相配列

電界(V/m)


14 
C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

A.3.2 

電界に影響を及ぼす要因 

A.3.2.1 

最低位置の導体と地表との間隔 

図 A.5 は,2 回線垂直配列の 77 kV 架空送電線が発生する電界の強さの空間分布を計算した二つの例で

ある。一方の例では,最低位置にある導体と地表との間隔を 11.0 m と想定し,他方の例ではそれを 6.0 m

と想定した。順相及び逆相の両方を考慮している。電界の強さは,地表上 0.5 m,1.0 m 及び 1.5 m の高さ

において,送電線の中心からの距離の関数として計算している。各導体の半径は 12.65 mm である。

図 A.5 は,不均一性の計算結果も示しており,不均一性は式(A.16)の最大値として定義している。

100

avg

avg

×

=

E

E

E

N

h

  (A.16)

ここに,

N: 不均一性(%)

E

h

地上 0.5 m,1.0 m 及び 1.5 m の高さにおける電界の強さ

E

avg

三つの高さにおける電界の強さの算術平均値

この方法は,電界の不均一性を評価し定義する近似的な方法と考えることができる。

図 A.6 は,1 回線水平配列の 500 kV 架空送電線が発生する電界の強さの空間分布を計算した二つの例で

ある。

図 A.6 には不均一性の計算結果も示した。一方の例では,最低位置にある導体と地表との間隔を 11.0

m と想定し,他方の例ではそれを 6.0 m と想定した。電界の強さは,地上 0.5 m,1.0 m 及び 1.5 m の高さ

において,送電線の中心からの距離の関数として計算している。各相は,それぞれ半径 14.25 mm の導体 4

本で構成されており,隣接する導体の間隔は 400 mm である。したがって,式(A.12)によって得られる等価

な幾何学的半径 189.5 mm を計算に用いる。


15

C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

a)

  最低位置にある導体と地表との間隔が 11.0 m の場合 

b)

  最低位置にある導体と地表との間隔が 6.0 m の場合 

図 A.5−架空送電線下における電界の強さ及び不均一性の空間分布−導体の高さの影響 

77 kV回線垂直配列)

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

500

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

不均一性[%]

-30

-20

-10

0

10

20

30

電界(V/m)

0

距離(m)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

Non

-

1,5 m

1,0 m

0,5 m

Non-

A

B

C

A

B

C

100

200

300

400

500

700

800

1000

0

600

900

-

30

-20

-

10

0

10

20

30

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

1.5 m

1.0 m

0.5 m

不均一性

untransposed

A

B

A

B

A

B

C

A

B

C

順相配列

3.2 m

3.5 m

3.5 m

3.8 m

3.8 m

3.0 m

3.0 m

1.0 m

地表

距離(m)

11.0 m

3.2 m

距離(m)

不均一性[%]

電界(V/m)

導体

C

A

A

B

C

B

逆相配列

C

A

1,5 m

1,0 m

0,5 m

1.5 m

1.0 m
0.5 m

不均一性

3.2 m

3.2 m

3.5 m

3.5 m

3.8 m

3.8 m

3.0 m

3.0 m

1.0 m

地表

距離(m)

6.0 m

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

不均一性[%]

1,5 m

1,0 m

0,5 m

750

900

1 050

1 200

1 350

1 500

0

150

300

450

600

-

30

-20

-10

0

10

20

30

1.5 m

1.0 m

0.5 m

A

B

B

transposed phase
sequence

A

B

C

B

逆相配列

0

200

400

1 000

1 400

1 800

2 000

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

1,5 m
1,0 m
0,5 m

A

B

A

B

untransposed

600

800

1 200

1 600

-30

-20

-

10

0

10

20

30

1.5 m
1.0 m
0.5 m

不均一性

A

B

C

A

B

C

順相配列

不均一性

距離(m)

電界(V/m)

不均一性[%]

電界(V/m)

導体

距離(m)


16 
C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

a)

  最低位置にある導体と地表との間隔が 11.0 m の場合 

b)

  最低位置にある導体と地表との間隔が 6.0 m の場合 

図 A.6−架空送電線下における電界の強さ及び不均一性の空間分布−導体の高さの影響 

500 kV回線水平配列)

A.3.2.2 

各導体間の距離 

図 A.7 は,2 回線垂直配列の 77 kV 架空送電線が発生する電界の強さの空間分布を計算した二つの例で

ある。

図 A.7 には,不均一性の計算結果も示した。二つの架空送電線はいずれも同じ電圧であると想定し,

一方は導体間の距離が短く,他方はそれが長い。相配列は逆相であり,各導体の半径は 12.65 mm である。

電界の強さは,地上 1.0 m の高さにおいて送電線の中心からの距離の関数として計算している。

0

1 000

2 000

3 000

4 000

5 000

6 000

7 000

8 000

9 000

10 000

0

-30

-20

-10

10

20

30

距離(m)

電界(V/m)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

不均一性[%]

1.5m

1.0m

0.5m

不均一性

C

B

A

位相配列

10.0m

10.0m

地表

距離(m)

11.0m

1.0m

0

導体

距離(m)

0

5000

10000

15000

20000

25000

0

-30

-20

-10

10

20

30

電界(V/m)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

1,5m

1,0m

0,5m

不均一性

C

B

A

位相配列

不均一性[%]

導体

10.0m

10.0m

地表

距離(m)

6.0m

0

1.0m


17

C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

a)

  導体間の距離が短い場合 

b)

  導体間の距離が長い場合 

図 A.777 kV 架空送電線下における電界の強さの空間分布−導体間の距離の影響 

77 kV回線垂直配列)

図 A.8 は,2 回線垂直配列の 500 kV 架空送電線が発生する電界の強さの空間分布を計算した例である。

図 A.8 には不均一性の計算結果も示した。相配列は逆相である。電界の強さは,地上 1.0 m の高さにおい

て,送電線の中心からの距離の関数として計算している。各相は,半径 14.25 mm の導体 4 本で構成され

ており,隣接する導体の間隔は 400 mm である。したがって,式(A.12)によって得られる等価な幾何学的半

径 189.5 mm を計算に用いる。

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

500

電界(V/m)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

不均一性[%]

A

B

B

transposed phase
sequence

-

-

-

0

30

20

10

10

20

30

1,5 m

1,0 m

0,5 m

1.5 m
1.0 m
0.5 m
不均一性

A

B

C

B

逆相配列

2.0 m 2.0 m

3.0 m

3.0 m

地表

11.0 m

2.0 m

2.0 m

2.0 m

2.0 m

距離(m)

導体

距離(m)

5.0 m

5.0 m

地表

距離(m)

11.0 m

3.5 m

3.5 m

3.8 m

3.8 m

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

500

-

-

0

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

Non

-

0,5 m

-uniformity

A

B

C

B

untransposed
phase sequence

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

500

-

30

-20

-10

0

10

20

30

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

1.5 m

1.0 m

0.5 m

不均一性

A

B

C

B

逆相配列

不均一性[%]

距離(m)

導体

電界(V/m)

3.2 m

3.2 m


18 
C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

図 A.8−架空送電線下における電界の強さ及び不均一性の空間分布−導体間の距離の影響 

500 kV回線垂直配列)

A.3.3 

垂直成分及び水平成分 

図 A.9 は,2 回線垂直配列の 77 kV 架空送電線が発生する電界の強さの垂直成分及び水平成分の空間分

布を計算した例である。各導体の半径は 12.65 mm である。順相及び逆相の両方の相配列を考慮している。

電界の強さは,地上 1.0 m の高さにおいて,送電線の中心からの距離の関数として計算している。最低位

置にある導体と地表との間隔は 11.0 m である。

図 A.977 kV 架空送電線下における電界の強さの垂直成分及び水平成分

0

1 000

2 000

3 000

4 000

5 000

6 000

7 000

8 000

9 000

10 000

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

不均一性  [%]

-

30

-

20

-

10

0

10

20

30

10.25 m 10.25 m

10.50 m 10.50 m

11.00 m

11.00 m

13.50 m

13.50 m

地表

11.00 m

導体

A

B

C

B

A

B

C

B

逆相配列

C

A

1,5 m

1,0 m

0,5 m

1.5 m
1.0 m
0.5 m

不均一性

電界(V/m)

距離(m)

距離(m)

0

50

100

150

200

250

300

350

400

vertical

A

B

C

C

B

A

transposed
phase sequence

0

50

100

150

200

250

300

350

-

30

-

20

-10

0

10

0

0

resultant

horizontal

合成

水平成分

垂直成分

A

B

C

C

B

A

逆相配列

0

100

200

300

400

500

600

700

800

900

-

-

-

0

vertical

C

C

0

100

200

300

400

500

600

700

800

900

-

-

-

0

30

20

10

10

20

30

resultant

horizontal

合成

水平成分
垂直成分

A

B

A

B

untransposed
phase sequence

A

B

C

A

B

C

順相配列

3.2 m

3.2 m

3.5 m

3.5 m

3.8 m

3.8 m

3.0 m

3.0 m

1.0 m

地表

距離(m)

11.0 m

電界(V/m)

距離(m)

距離(m)

導体

電界(V/m)

400


19

C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

図 A.10 は,1 回線水平配列の 500 kV 架空送電線が発生する電界の強さの垂直成分及び水平成分の空間

分布を計算した例である。電界の強さは,地上 1.0 m の高さにおいて,送電線の中心からの距離の関数と

して計算している。最低位置にある導体と地表との間隔は 11.0 m である。各相は,半径 14.25 mm の導体

4 本で構成されており,隣接する導体の間隔は 400 mm である。したがって,式(A.12)によって得られる等

価な幾何学的半径 189.5 mm を計算に用いる。

図 A.10500 kV 架空送電線下における電界の強さの垂直成分及び水平成分

A.3.4 

近接効果 

図 A.11 は,高い建築物に近接した 25 kV 架空送電線が発生する電界を計算し,等高線図に示した例であ

る。建築物の壁面における最大電界は,その導体と同じ高さで発生している。地表では,電界は建築物に

よって低下している(

図 A.12 参照)。

a)

  建築物あり b)  建築物なし 

計算条件

導体の高さ 11

m

導体の間隔 1.12 m

建築物の高さ 20. m

架空送電線の中心から建築物までの距離 7.0

m

図 A.1125 kV 架空送電線の電界等高線

0

2000

4000

6000

8000

10000

vertical

C

B

A

phase

0

2 000

4 000

6 000

8 000

10 000

-

-

-

0

20

30

10

10

20

30

resultant
horizontal

合成

水平成分

垂直成分

C

B

A

位相配列

10.0 m

10.0 m

地表

距離(m)

11.0 m

1.0 m

距離(m)

導体

電界(V/m)

Building

Building

location

建築物あり

建築物なし

送電線中心からの距離(m)

送電線中心からの距離(m)

高さ(m)

高さ(m)

電界(kV/m)

電界(kV/m)

地表

地表


20 
C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

図 A.12−建築物の壁面位置に沿った電界分布,及び地上 1 m の高さにおける電界分布

地表からの高さ(m)

10

15

20

0.00

0.05

0.10

0.15

0.20

0.25

0.30

建築物あり

建築物なし

0

5

Electric Field at 1m from the ground (kV/m)

0,00

0,02

0,04

0,06

0,08

With the effect of the building

Without the effect of the building

-6

-4

-2

0

2

4

6

0.00

0.02

0.04

0.06

0.08

建築物あり

建築物なし

地表面

から

の高

おけ

る電

界分

布(

kV

/m

)

送電線中心からの距離(m)

建築物

の壁

面位

置に

沿っ

界分

布(

kV

/m

)


21

C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

附属書 B

(参考)

交流電力システムが発生する磁界の特性

B.1 

一般的事項 

磁界が均一であれば,磁界への

平均ばく露レベルは 点測定で求めることができる。しかし磁界が不均

一な場合,

平均ばく露レベルを推定するには適切な測定方法が必要である。このためには,電力システム

周辺の磁界の空間分布を理解しなければならない。

磁界の空間分布は,発生源の種類によって,例えば架空送電線,地中ケーブル,配電設備又は変電所の

いずれであるかによって異なる。また各系統の回線配列によっても異なる。

この附属書では,磁界の強さの一般的な計算手順,及び多様な電力システムが発生する磁界の空間分布

を計算した例を示す。

B.2 

磁界の強さの一般的な計算手順 

B.2.1 

合成磁界 

合成磁束密度 B

r

は,式(B.1)で示す磁界ベクトル 及び の内積の,周期 にわたる平均値の平方根と

して定義することができ,式(B.2)で表す。

(

)

(

)

(

)

k

j

i

    

k

j

i

B

γ

ω

β

ω

α

ω

+

+

+

+

+

=

+

+

=

t

B

t

B

t

B

t

B

t

B

t

B

sin

2

sin

2

sin

2

)

(

)

(

)

(

z

y

x

z

y

x

   (B.1)

ここに,

  i

j

k

直交

3

方向の単位ベクトル

(

)

(

)

(

)

[

]

π

π

π

π

+

+

+

+

+

π

=

π

=

=

ω

ω

ω

ω

γ

ω

β

ω

α

ω

ω

ω

t

t

B

t

B

t

B

t

t

T

B

T

T

d

sin

2

sin

2

sin

2

2

   

d

2

d

1

2

2

z

2

2

y

2

2

x

2

2

2

2

r

B

B

 · (B.2)

ここで式

(B.3)

の関係を用いると,式

(B.2)

を式

(B.4)

のように大幅に簡素化することができる。

(

)

(

)

{

}

ω

α

ω

α

ω

ω

ω

ω

ω

π

=

+

=

+

π

π

π

π

t

t

t

t

d

2

cos

1

2

1

d

sin

2

  (B.3)

2

z

2

y

2

x

r

B

B

B

B

+

+

=

   (B.4)

この

B

r

を単純に合成磁界と呼ぶ。これは,各軸成分間の位相差によって影響されることはなく,磁界の

各軸成分の実効値だけで決定される。

人体の磁界ばく露を評価する場合には,

B

r

を用いることが望ましい。

B.2.2 

単一周波数の交流磁界における最大及び最小の実効値 

磁界ベクトル の絶対値

|B|

が最大又は最小になる条件は,次のようになる。

0

d

d

=

t

B

  (B.5)

|B|は式(B.6)によって表すことができる。


22 
C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

(

)

(

)

(

)

γ

ω

β

ω

α

ω

+

+

+

+

+

=

=

t

B

t

B

t

B

2

2

z

2

2

y

2

2

x

sin

2

sin

2

sin

2

B

B

B

   (B.6)

(B.6)

において式

(B.5)

を満足する条件は式

(B.7)

となる。

2ωt

δ

π

又は

2ωt

δ

0 (B.7)

ここで,

δ

は式

(B.8)

で与えられる。

γ

β

α

γ

β

α

δ

2

cos

2

cos

2

cos

2

sin

2

sin

2

sin

tan

2

z

2

y

2

x

2

z

2

y

2

x

1

B

B

B

B

B

B

+

+

+

+

=

   (B.8)

(B.7)

を式

(B.6)

に代入すると,式

(B.6)

|B|

は式

(B.9)

で表される。よって,

|B|

の最小の実効値

B

min

,及び

|B|

の最大の実効値

B

max

は,それぞれ式

(B.10)

及び式

(B.11)

で求めることができる。

(

)

(

)

(

)

(

)

{

}

δ

γ

δ

β

δ

α

+

+

±

+

+

=

2

cos

2

cos

2

cos

2

z

2

y

2

x

2

z

2

y

2

x

B

B

B

B

B

B

B

   (B.9)

(

)

(

)

(

)

(

)

{

}

δ

γ

δ

β

δ

α

+

+

+

+

+

=

=

2

cos

2

cos

2

cos

2

1

Max

2

1

2

z

2

y

2

x

2

z

2

y

2

x

max

B

B

B

B

B

B

B

B

  (B.10)

(

)

(

)

(

)

(

)

{

}

δ

γ

δ

β

δ

α

+

+

+

+

=

=

2

cos

2

cos

2

cos

2

1

Min

2

1

2

z

2

y

2

x

2

z

2

y

2

x

min

B

B

B

B

B

B

B

B

  (B.11)

磁界の最大の実効値及び最小の実効値である

B

max

及び

B

min

は,それぞれだ円磁界の長径及び短径に対応

している。

B

max

B

r

の関係は常に成り立ち,直線磁界では

B

max

B

r

となる。

さらに

B

max

B

min

及び

B

r

の間には,式(B.12)の関係が成り立つ。

2

min

2

max

r

B

B

B

+

=

(B.12)

高調波を含む磁界では,

B

max

及び

B

min

を決定することは困難であるため,4.3 に規定する方法で

B

r

を測

定する。

B.3 

架空送電線が発生する磁界の例 

B.3.1 

磁界の空間分布 

図 B.1 は,2 回線垂直配列の 77 kV 架空送電線が発生する磁界の強さの空間分布を計算した例である。

順相及び逆相の両方を考慮している。磁界の強さは,地表上 1.0 m の高さにおいて,送電線の中心からの

距離の関数として計算している。各回線を流れる電流値は,平衡で 200 A と仮定した。


23

C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

図 B.177 kV の架空送電線下における磁界の強さの空間分布(77 kV回線垂直配列)

図 B.2 は,1 回線水平配列の 500 kV 架空送電線が発生する磁界の強さの空間分布を計算した例である。

磁界の強さは,地表上 1.0 m の高さにおいて,送電線の中心からの距離の関数として計算している。回線

を流れる電流値は,平衡で 200 A と仮定した。

図 B.2500 kV 架空送電線下における磁界の強さの空間分布(500 kV回線水平配列)

B.3.2 

磁界に影響を及ぼす要因 

B.3.2.1 

最低位置の導体と地表との間隔 

図 B.3 は,2 回線垂直配列の 77 kV 架空送電線が発生する磁界の強さの空間分布を計算した二つの例で

ある。一方の例では,最低位置にある導体と地表との間隔を 11.0 m と想定し,他方の例ではそれを 6.0 m

と想定した。順相及び逆相の両方を考慮している。磁界の強さは,地表上 0.5 m,1.0 m 及び 1.5 m の高さ

において,送電線の中心からの距離の関数として計算している。各回線を流れる電流値は,平衡で 200 A

と仮定した。

図 B.3 には,不均一性の計算結果も示しており,不均一性は式(B.13)の最大値として定義している。

100

avg

avg

×

=

B

B

B

N

h

  (B.13)

ここに,

N

不均一性(%)

B

h

地表上 0.5 m,1.0 m 及び 1.5 m の高さにおける磁界の強さ

3.2 m

3.2 m

3.5 m

3.5 m

3.8 m

3.8 m

3.0 m

3.0 m

1.0 m

地表

11.0 m

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

30

20

10

10

20

30

距離(m)

磁界

(μT)

-

-

-

0

A

B

A

B

A

B

C

A

B

C

順相配列

順相

逆相

導体

A

B

C

B

A

B

C

B

逆相配列

C

A

距離(m)

10.0 m

10.0 m

地表

距離(m)

11.0 m

1.0 m

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

30

20

10

10

20

30

距離(m)

phase sequence

-

-

-

0

位相配列

C

B

A

導体

磁界

(μT)


24 
C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

B

avg

三つの磁界の強さの算術平均値

この方法は,磁界の不均一性を推定し定義する近似的な方法と考えることができる。

a)

  最低位置にある導体と地表との間隔が 11.0 m の場合 

図 B.3−架空送電線下における磁界の強さの空間分布−導体高さの影響(77 kV回線垂直配列)

3.2 m

3.2 m

3.5 m

3.5 m

3.8 m

3.8 m

3.0 m

3.0 m

1.0 m

地表

11.0 m

0.0

0.5

1.0

1.5

0

10

20

30

40

50

60

70

80

1,5 m
1,0 m
0,5 m

-

-

30

-20

-10

0

10

20

30

距離  (m)

1.5 m
1.0 m
0.5 m

不均一性

A

B

C

A

B

C

順相配列

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

30

20

10

10

20

30

距離(m)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

-

-

-

0

1,5 m
1,0 m
0,5 m

1.5 m
1.0 m
0.5 m

不均一性

A

B

C

C

B

A

逆相配列

不均一性

(%)

磁界

(μT)

導体

不均一性

(%)

磁界

(μT)

100

2.0

2.5

90

距離  (m)


25

C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

b)

  最低位置にある導体と地表との間隔が 6.0 m の場合 

図 B.3−架空送電線下における磁界の強さの空間分布−導体高さの影響(77 kV回線垂直配列)(続き)

3.2 m

3.2 m

3.5 m

3.5 m

3.8 m

3.8 m

3.0 m

3.0 m

1.0 m

地表

距離(m)

6.0 m

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

距離  (m)

-10

0

10

20

30

40

50

60

70

80

1,5 m
1,0 m
0,5 m

-30

-20

-10

0

10

20

30

1.5 m
1.0 m
0.5 m
不均一性

A

B

A

B

untransposed
phase sequence

A

B

C

A

B

C

順相配列

0.0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

30

20

10

10

20

30

距離(m)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

不均一性

(%)

1,5 m

1,0m

0,5 m

-

-

-

0

1.5 m

1.0m

0.5 m
不均一性

-

A

B

C

B

transposed
phase sequence

A

B

C

C

B

A

逆相配列

磁界

(μT)

導体

磁界

(μT)

不均一性

(%)

90

100


26 
C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

図 B.4 は,1 回線水平配列の 500 kV 架空送電線が発生する磁界の強さの空間分布を計算した二つの例で

ある。

図 B.4 には不均一性の計算結果も示した。一方の例では,最低位置にある導体と地表との間隔を 11.0

m と想定し,他方の例ではそれを 6.0 m と想定した。磁界の強さは,地表上 0.5 m,1.0 m 及び 1.5 m の高

さにおいて,送電線の中心からの距離の関数として計算している。回線を流れる電流値は,平衡で 200 A

と仮定した。

a)

  最低位置にある導体と地表との間隔が 11.0 m の場合 

b)

  最低位置にある導体と地表との間隔が 6.0 m の場合 

図 B.4500 kV 架空送電線下における磁界の強さ及び不均一性の空間分布−導体高さの影響 

500 kV回線水平配列)

10.0 m

10.0 m

地表

距離(m)

11.0 m

1.0 m

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

30

20

10

10

20

30

距離(m)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

1,5 m

1,0 m
0,5 m

-

-

-

0

1.5 m
1.0 m
0.5 m

不均一性

位相配列

C

B

A

導体

磁界

(μT)

不均一性

(%)

10.0 m

10.0 m

地表

距離(m)

6.0 m

1.0 m

0.0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

10.0

30

20

10

10

20

30

距離(m)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

1,5 m
1,0 m
0,5 m

-

-

-

0

1.5 m
1.0 m
0.5 m

不均一性

位相配列

導体

磁界

(μT)

不均一性

(%)

A

B

C


27

C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

B.3.2.2 

各導体間の距離 

図 B.5 は,2 回線垂直配列の 77 kV 架空送電線が発生する磁界の強さの空間分布を計算した二つの例で

ある。

図 B.5 には不均一性の計算結果も示した。二つの架空送電線はいずれも同じ電圧であると想定し,

一方は導体間の距離が短く,他方はそれが長い。磁界の強さは,地表上 0.5 m,1.0 m 及び 1.5 m の高さに

おいて,送電線の中心からの距離の関数として計算している。回線を流れる電流値は,平衡で 200 A と仮

定し,また逆相の相配列と仮定した。

a)

  導体間の距離が短い場合 

b)

  導体間の距離が長い場合 

図 B.577 kV 架空送電線下における磁界の強さ及び不均一性の空間分布−導体間の距離の影響 

77 kV回線垂直配列)

2.0 m 2.0 m

3.0 m

3.0 m

地表

距離(m)

11.0 m

2.0 m 2.0 m

2.0 m 2.0 m

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

30

20

10

10

20

30

距離(m)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

1,5 m
1,0 m
0,5 m

-

-

-

0

1.5 m
1.0 m
0.5 m

不均一性

A

B

B

transposed phase
sequence

A

B

C

B

逆相配列

導体

不均一性

(%)

磁界

(μT)

3.2 m 3.2 m

5.0 m

5.0 m

地表

距離(m)

11.0 m

3.5 m

3.5 m

3.8 m

3.8 m

距離(m)

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

30

20

10

10

20

30

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

1,5 m
1,0 m
0,5 m

-

-

-

0

1.5 m
1.0 m
0.5 m

不均一性

A

B

B

untransposed
phase sequence

A

B

C

B

逆相配列

導体

不均一性

(%)

磁界

(μT)


28 
C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

図 B.6 は,2 回線垂直配列の 500 kV 架空送電線が発生する磁界の強さの空間分布を計算した例である。

図 B.6 には不均一性の計算結果も示した。磁界の強さは,地表上 0.5 m,1.0 m 及び 1.5 m の高さにおいて,

送電線の中心からの距離の関数として計算している。回線を流れる電流値は,平衡で 200 A と仮定し,ま

た逆相の相配列と仮定した。

図 B.6500 kV 架空送電線下における磁界の強さの不均一性の空間分布−導体間の距離の影響 

500 kV回線垂直配列,逆相)

B.3.3 

だ円の半長径及び半短径成分 

図 B.7 は,2 回線垂直配列の 77 kV 架空送電線が発生する磁界の強さの半長径及び半短径成分の空間分

布を計算した例である。順相及び逆相両方を考慮している。磁界の強さは,地表上 1.0 m の高さにおいて,

送電線の中心からの距離の関数として計算している。各回線を流れる電流値は,平衡で 200 A と仮定した。

10.25 m 10.25 m

10.5 m  10.5 m

11.0 m  11.0 m

13.50 m

13.50 m

地表

11.00 m

0.0

0.1

0.2

0.3

30

20

10

10

20

30

距離(m)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

-

-

-

0

1.5 m
1.0 m
0.5 m

不均一性

導体

A

B

C

B

A

B

C

B

逆相配列

C

A

距離(m)

不均一性

(%)

磁界

(μT)


29

C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

図 B.777 kV 架空送電線下における磁界の強さの半長径成分及び半短径成分の実効値 

77 kV回線垂直配列)

図 B.8 は,1 回線水平配列の 500 kV 架空送電線が発生する磁界の強さの半長径及び半短径成分の空間分

布を計算した例である。磁界の強さは,地表上 1.0 m の高さにある送電線の中心からの距離の関数として

計算している。回線を流れる電流値は,平衡で 200 A と仮定した。

図 B.8500 kV 架空送電線下における磁界の強さの半長径成分及び半短径成分の実効値 

500 kV回線水平配列)

3.2 m

3.2 m

3.5 m

3.5 m

3.8 m

3.8 m

3.0 m

3.0 m

1.0 m

地表

距離(m)

11.0 m

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.4

1.6

Magnetic Field (

µ

T)

resultant

semi -

semi -minor axis

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

-

30

-

20

-10

0

10

20

30

合成

半長径

半短径

A

B

B

transposed phase
sequence

A

B

C

B

逆相配列

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

1.6

1.8

2

Magnetic Field (

µ

T)

resultant

semi -major axis

semi -minor axis

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

-

-

-

0

30

20

10

10

20

30

合成

半長径

半短径

A

B

B

untransposed
phase sequence

A

B

C

B

逆相配列

距離(m)

磁界(

μT)

距離(m)

1.6

導体

磁界(

μT)

10.0 m

10.0 m

地表

距離(m)

11.0 m

1.0 m

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

4.5

距離(m)

Magnetic Field (

µ

T)

resultant

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

-

-

-

0

30

20

10

10

20

30

合成

半長径

半短径

phase sequence

C

B

A

位相配列

導体

磁界

(μT)


30 
C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

B.4 

架空配電線路が発生する磁界の例 

図 B.9 は,6 600 V 及び 100 V の架空配電線路が発生する磁界の強さの空間分布を計算した例である。図

B.9

には不均一性の計算結果も示した。磁界の強さは,地表上 0.5 m,1.0 m 及び 1.5 m の高さにおいて,

配電線の中心からの距離の関数として計算している。回線を流れる電流は,6 600 V 線路については 200 A

(A 相)

,190 A(B 相)及び 150 A(C 相)の不平衡電流を仮定し,100 V 線路については中性線を除いて

100 A の平衡電流と仮定した。

図 B.9−架空配電線路(6 600 V/100 V)下における磁界の強さ及び不均一性の空間分布

0.0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

1,5 m
1,0 m
0,5 m

-

-

-

0

30

20

10

10

20

30

距離(m)

磁界

(μT)

不均一性

(%)

1.5 m
1.0 m
0.5 m

不均一性

0

地表

0.85 m

高圧線  (6 600 V)

低圧線

  (100 V)

中性線

0.3 m
0.3 m

12.3 m

10.3 m

0.85 m

距離(m)


31

C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

B.5 

地中ケーブルが発生する磁界の例 

図 B.10 は,2 回線垂直配列の地中ケーブルが発生する磁界の強さの空間分布を計算した例である。図

B.10

には不均一性の計算結果も示した。磁界の強さは,地表上 0.5 m,1.0 m 及び 1.5 m の高さにおいて,

ケーブルの中心からの距離の関数として計算している。回線を流れる電流は,平衡で 200 A と仮定し,ま

た逆相の相配列と仮定した。深く埋設したケーブル及び浅く埋設したケーブルの,磁界の強さ及び不均一

性を比較した。

a)

  深く埋設されたケーブル 

b)

  浅く埋設されたケーブル 

図 B.10−地中ケーブル上方における磁界の強さ及び不均一性の空間分布−埋設深さの影響

図 B.11 は,よ(撚)りピッチ 3.0 m の 3 本よ(撚)りケーブル(トリプレックスケーブル)を用いた 3

回線の地中ケーブルが発生する磁界の強さの空間分布を計算した例である。

図 B.11 には不均一性の計算結

果も示した。磁界の強さは,地表上 0.5 m,1.0 m 及び 1.5 m の高さにおいて,ケーブルの中心からの距離

の関数として計算している。回線を流れる電流は,平衡で 200 A と仮定した。

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

距離(m)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

1,5 m

1,0 m
0,5 m

-

-

-

0

30

20

10

10

20

30

1.5 m
1.0 m
0.5 m
不均一性

0.5 m

0.5 m

距離(m)

ケーブル

0.35 m

1.85 m

地表

0.35 m

transposed

A

B

C

A

逆相配列

C

B

不均一性

(%)

磁界

(μT)

90

100

transposed

A

逆相配列

0

2

4

6

8

10

12

14

16

距離(m)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

0,5 m
1,0 m
1,5 m

-

-

-

0

30

20

10

10

20

30

0,5 m
1,0 m
1,5 m

0.5 m

0.5 m

ケーブル

0.35 m

0.60 m

地表

0.35 m

B

C

C

A

B

不均一性

距離(m)

磁界

(μT)

不均一性

(%)


32 
C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

図 B.11−地中ケーブル上方における磁界の強さの不均一性の空間分布−導体の間隔の影響

B.6 

配電設備が発生する磁界の例 

図 B.12 は,配電設備(6 600 V の地上設置形変圧器)が発生する磁界の強さの空間分布を測定した例で

ある。

図 B.12 には不均一性の計算結果も示した。磁界の強さは,地表上 0.5 m,1.0 m 及び 1.5 m の高さに

おいて,設備の表面からの距離を変えて測定した。測定値が最大となった点は,二次側回路の前,高さ 1.5

m の位置であった。負荷電流の測定値は,6 600 V(一次)側回路で 3.6 A,100 V/200 V(二次)側回路で

39 A であった。

図 B.126 600 V の地上設置形変圧器周囲で測定した磁界の強さ及び不均一性の空間分布

B.7 

垂直ケーブルが発生する磁界の例 

図 B.13 は,3 本よ(撚)りケーブル[トリプレックスケーブル,断面積 325 mm

2

,よ(撚)りピッチ 1.35

m,スパイラル半径 22.5 mm]で 6 600 V の 1 回線垂直ケーブルが発生する磁界の強さの空間分布を測定し

た例である。

図 B.13 には不均一性の計算結果も示した。磁界の強さは,地表上 0.5 m,1.0 m 及び 1.5 m の

高さにおいて,ケーブルの表面からの距離を変えて測定した。各相のケーブルを流れる電流の測定値は,

142 A,128 A 及び 139 A であった。

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

-6.0

-4.0

-2.0

0.0

2.0

4.0

6.0

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200

1.5 m

1.0 m

0.5 m
不均一性

0.6 m

0.25 m

管路

3 cm

A

距離(m)

トリプレックスケーブル

A

B

C

0

0.25 m

地表

磁界

(μT)

不均一性

(%)

距離(m)

0

1

2

3

4

5

6

7

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

-20%

0%

20%

40%

60%

0.5 m
1.0 m
1.5 m

不均一性

距離(m)

H = 1.5 m

H = 0.5 m

H = 1.0 m

0

距離(m)

H=0.5 m

H=1.0 m

H=1.5 m

地表

不均一性

(%)

磁界

(μT)

80%

100%

6.6 kV:(3.6 A) 
100/200 V:(39 A)


33

C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

図 B.136 600 V の垂直ケーブル周囲で測定した磁界の強さと不均一性の空間分布

0

5

10

15

20

25

30

35

40

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

距離 (m)

0%

20%

40%

60%

80%

100%

0.5 m
1.0 m

1.5 m

不均一性

スイッチ

鋼管

トリプレックスケーブル

不均一性

(%)

磁界

(μT)

地表

2.0 m

H=1.5 m

H=1.0 m

H=0.5 m

距離(m)

6.6 kV 線

(142 A) (128 A) (139 A)


34 
C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

附属書 C

(参考)

平均ばく露レベルに関する 3 点測定の概念

C.1 3

点測定の概念 

この規格においては,均一な磁界に対し高さ 1.0 m で測定した磁界の強さ(1

点測定)を平均ばく露レ

ベルとみなす。一方,不均一な磁界については,地表上 0.5 m,1.0 m 及び 1.5 m の高さで行った 点測定

の算術平均値を,3

点平均ばく露レベルと定義している。

したがって,3

点平均ばく露レベルが人体の全身における平均ばく露レベルに対応することを示す必要

がある。こうして評価した値は,ICNIRP ガイドラインにおける公衆に対するばく露の参考レベルとの比

較を意図したものである。C.2 及び C.3 の記述に従い,

平均ばく露レベルと 点平均ばく露レベルとが同

等であることを説明できれば,参考レベルとの比較が可能である。ただし,中枢神経系における電流密度

として表現されている基本制限との比較はできない。なぜならば,この規格が誘導電流を考慮していない

ためである。同様に,3

点測定では IEEE 規格が規定しているような局所の最大値を推定することもできな

い。

この附属書においては,

平均ばく露レベルをある仮定のもとで算出し,点平均ばく露レベルと比較し

ている。

C.2 

平均ばく露レベルの計算 

計算を単純化するため,人体モデルを仮定する。使用する人体モデルは,垂直軸の長さが 1.5 m,水平

軸の長さが 0.35 m で地表上 0.2 m に位置する回転だ円体であり,人体形状に重ね合わせた図を

図 C.1 に示

す。磁界はこの回転だ円体内の 0.05 m 間隔の格子点で計算し,算出した値の平均値を人体の

平均ばく露レ

ベルとする。

図 C.1−回転だ円体の人体モデル


35

C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

C.3 

平均ばく露レベルと 点平均ばく露レベルとの比較 

C.3.1 

磁界の強さの計算 

磁界の強さの計算は,ビオ・サバールの法則を用いて行う。

C.3.2 

無限長の単一直線ケーブル 

磁界発生源として,500 A の交流電流が流れる無限長の単一直線ケーブルを考える。ケーブルは地面に

対して垂直であり,人体モデルの中心は磁界発生源との境界から距離

d

の位置にある(

図 C.2 参照)。導体

の太さ・絶縁層の厚さ・ケーブルと防護管との間の空間・防護管の厚さなどを考慮し,磁界発生源との境

界は,ケーブルの中心から 0.2 m の位置にあると仮定した。

図 C.2−直線ケーブルが発生する磁界中における人体モデル

計算した磁界分布を,

図 C.3 に示す。

この場合,磁界の高さ方向の分布は均一であり,3

点平均ばく露レベルは平均ばく露レベルにほぼ一致

する。

図 C.3−直線ケーブルが発生する磁界の強さ

0

50

100

150

200

250

300

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

境界からの距離(m)

0.5 m
1.0 m
1.5 m

平均ばく露レベル

3 点平均ばく露レベル

磁界

(μT)


36 
C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

C.3.3 

平衡電流が流れる 本の平行ケーブル 

磁界発生源として,500 A の三相平衡電流が流れる 3 本の無限長の直線ケーブルを考える。ケーブルは

互いに平行で,地面に対して垂直な同一平面内にある。ケーブル間隔は 0.1 m,0.2 m 及び 0.3 m の 3 通り

を考える。人体モデルの中心は磁界発生源との境界から距離

d

の位置にある(

図 C.4 参照)。導体・絶縁層

の厚さ・ケーブルと防護管との間の空間・防護管の厚さなどを考慮し,磁界発生源との境界は,ケーブル

の中心から 0.2 m の位置にあると仮定した。

図 C.4本の平行ケーブルが発生する磁界中における人体モデル

計算した磁界分布のうち,ケーブル間隔が 0.1 m の場合を

図 C.5 に示す。

この場合,磁界の高さ方向の分布は均一であり,3

点平均ばく露レベルは平均ばく露レベルにほぼ一致

する。

図 C.5−平衡電流が流れる 本の平行ケーブルが発生する磁界の強さ

磁界

(μT)

0

25

50

75

100

125

150

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1 2

境界からの距離(m)

0.5 m

1.0 m
1.5 m

平均ばく露レベル
3 点平均ばく露レベル

ケーブル間隔

 = 0.1 m


37

C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

C.3.4 

平衡電流が流れる地中ケーブル 

磁界発生源として,500 A の三相平衡電流が流れる無限長の直線ケーブルを考える。ケーブルは地中に

ある。3 本よ(撚)りケーブル(トリプレックスケーブル)であり,断面積が 325 mm

2

,よ(撚)りピッ

チが 1.35 m,スパイラル半径が 22.5 mm である(

図 C.6 参照)。

計算した磁界分布を

図 C.7 に示す。

この場合,高さ方向の分布での不均一性が顕著であり,特にケーブルが地表近くの地中にある場合にそ

れが顕著であるが,3

点平均ばく露レベルは平均ばく露レベルにほぼ一致する。

図 C.6−地中ケーブルが発生する磁界中における人体モデル

図 C.7−地中ケーブルが発生する磁界の強さ

0

2

4

6

8

10

12

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

地表からの深さ(m)

0.5 m

1.0 m

1.5 m

平均ばく露レベル

3 点平均ばく露レベル

磁界

(μT)


38 
C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

C.3.5 

平衡電流が流れる架空線 

磁界発生源として,500 A の三相平衡電流が流れる 3 本の無限長の直線電線を考える。電線は互いに平

行で,地面に対して平行な同一平面上にある。電線間の距離として 0.55 m を仮定した。3 本の各線の高さ

は,地表から 5 m∼15 m とした(

図 C.8 参照)。

計算した磁界分布を

図 C.9 に示す。

この場合,磁界の高さ方向の分布は均一であるとみなされ,3

点平均ばく露レベル,及び地表上 1.0 m

における 1

点測定で得られたばく露レベルは平均ばく露レベルにほぼ一致する。

図 C.8−架空線が発生する磁界中における人体モデル

図 C.9−平衡電流の流れる架空線が発生する磁界の強さ

0.0

2.0

4.0

6.0

8.0

5

10

15

地表からの高さ(m)

0.5 m

1.0 m

1.5 m

平均ばく露レベル

3 点平均ばく露レベル

磁界

(μT)


39

C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

附属書 D

(参考)

電界及び磁界測定報告書の書式例

電界及び磁界測定報告書の書式例を,次に示す。

測定結果 
1.  日付,時刻,気象条件,温度,湿度

2006 年 7 月 27 日,14:00∼14:15,曇り,25  ℃,60 %

2.  電力システムの種類(公称電圧,測定中の負荷条件)

地中送電ケーブル(77 kV,100 A∼105 A/1 回線) 
架空配電線路(6 600 V/100 V,負荷条件は不明)

3.  所在地(住所)“住所” 
4.  測定器

製造業者:XXX 社

型式:ABC-MF2000

プローブの種類:3 軸空心コイル,各コイルの直径は不明 
測定可能な範囲:10 nT∼1 mT

周波数帯域:40 Hz∼800 Hz

最終校正日:2006 年 5 月 3 日

5.  測定実施者:“氏名”,“所属” 
6.  測定結果

地点番号

測定高

m

磁界の強さ

μT

磁界の量

 a)

No.1

(屋外)

0.5

(地表上)

0.13

合成磁界

1.0

(地表上)

0.40

1.5

(地表上)

1.17

− 0.57

3 点平均ばく露レベル

No.2

(屋内)

0.5

(床上)

0.03

合成磁界

1.0

(床上)

0.12

1.5

(床上)

0.65

− 0.27

3 点平均ばく露レベル

測定点は添付シートに記載する。

a)

  合成磁界,3 点平均ばく露レベル,長軸成分の実効値,X 軸成分の実効値  など

7.  その他の電界及び磁界発生源(動作中のもの)

No.1:なし 
No.2:エアコン(測定点からおよそ 2.0 m の位置) 

冷蔵庫(測定点からおよそ 5.0 m の位置)

8.  留意すべき物体

No.1:自動車,金属製の支柱,車庫の屋根 

(測定点からおよそ 6.0 m の位置)

No.2:金属製の棚(測定点からおよそ 1.8 m の位置)

9.  高調波成分

無視できる。


40 
C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

平面図

1.0 m

77 kV  地中送電線

6 600 V / 100 V

架空配電線

住居



No.1

1.5 m

4.5 m

3.0 m

No.2

6.0 m

3.0 m

車庫

金属棚

冷蔵庫

エアコン

YY  大通り

XX  通り

金属ポール

屋根


41

C 1911:2013 (IEC 62110:2009)

附属書 E

(参考) 
参考文献

[1]  ICNIRP, Guidelines for limiting exposure to time-varying electric, magnetic, and electromagnetic fields (up to

300 GHz); Health Phys. 74, 494-522, 1998

[2]  IEEE Std C95.6-2002, IEEE Standard for Safety Levels With Respect to Human Exposure to Electromagnetic

Fields, 0-3 kHz

[3]  IEC 61000-2-2, Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 2-2: Environment−Compatibility levels for

low-frequency conducted disturbances and signalling in public low-voltage power supply systems, March 2002

[4]  CEATI International, Inc., T984700-5103: Canadian Power Quality (PQ) Survey 2000, report, Montreal,

Canada.

[5]  ICNIRP, Guidance on determining compliance of exposure to pulsed and complex non-sinusoidal waveforms

below 100 kHz with ICNIRP guidelines. Health Physics, March 2003, Vol. 84, No. 3, 383-387

[6]  CIGRE TF C4.2.03, Technical guide for measurement of low frequency electric and magnetic fields near

overhead power lines, International Council on Large Electrical Systems (in press)

[7]  IEEE Std 644-1994, IEEE Standard Procedures for Measurement of Power Frequency Electric and Magnetic

Fields from AC Power Lines

[8] CIGRE TF C4.2.05, Technical Brochure Nr 320: Characterisation of ELF Magnetic Fields−April 2007,

International Council on Large Electrical Systems

[9]  IEEE Std PC95.3.1, Draft recommended practice for measurements and computations of human exposure to

electric and magnetic fields, 0 Hz to 100 kHz